1.

Se dispone de una muestra de material semiconductor del que se conocen los siguientes datos a temperatura ambiente: kT = 0,025 eV ni = 1,510 NA = 10
10

cm cm

-3 -3

17 -7

n = 10 s a) Calcular las concentraciones de portadores en el equilibrio. b) La muestra se supone iluminada durante un tiempo suficientemente largo con una radiacin penetrante que produce una generacin uniforme en volumen de GL = 10 pares/cm s. Calcular las concentraciones de electrones y de huecos. c) En el instante t = 0 se suprime la iluminacin. Determinar la variacin temporal de las concentraciones de electrones y de huecos. 2. Disponemos de una muestra de Silicio dopado con ND = 10 donadoras, y NA = 10
18 17 14 3

cm

-3

impurezas

cm

-3

impurezas aceptadoras. Calcular para cada

temperatura, en equilibrio termodinmico, las concentraciones de portadores. Datos: Para cada temperatura se conoce el porcentaje de impurezas ionizadas (en este caso, igual para ambos tipos de impureza), y la concentracin intrnseca del Silicio ni(T). T(K) Nioi/N*100 ni (cm )
-3

0 0 0

200 0 1E5

248 0 7E7

249 1 7E7

250 99 7E7

251 100

300 100

400 100

500 100

>500 100

7E7 1E10 6E12 3E14 1E19

14 3

3. Disponemos de una muestra de Silicio dopado con 10 Encendemos una luz que genera, uniformemente, 10 segundo y cm .DATO: ni = 10
3 10 12 3

cm

tomos de Boro.

pares electrnhueco cada

cm . Calcular:

a) Las concentraciones de portadores en la muestra cuando ha pasado un tiempo suficientemente largo desde que se ha encendido la luz, siendo el tiempo de vida de los electrones de 100 s. b) Las concentraciones que tenemos en la muestra si apagamos la luz y dejamos transcurrir un milisegundo.
4. Se dispone de una muestra de silicio tipo n con una resistividad de 10 ohmcm. Nos

encontramos a temperatura ambiente, ni=10

10

cm . (Recordar que q = 1.6 10

2

-3

-19

C).

a) Si la movilidad de los electrones es de 1350 cm / Vs calcular, a partir de los grficos disponibles, las concentraciones de portadores en equilibrio y la movilidad de los huecos.
1,E+03 1,E+02 1,E+01 1,E+00 1,E-01 1,E-02 1,E-03 1,E-04 1,E+14

Resistividad (ohmcm)

rho p

rho n

1,E+15

1,E+16

1,E+17

1,E+18

1,E+19

1,E+20

1,E+21

Dopaje (cm-3)

Se ilumina ahora la muestra con una luz que genera 10

2

22

pares/cm s. Sabiendo

que ,en general, U = RRth = kte (pnni ), expresin que se reduce a U = m/m slo en Baja Inyeccin, se pide: b) Calcular el valor de la constante kte, si el tiempo de vida de los huecos es de 1 s. c) Concentraciones de portadores que encontraremos al de un tiempo suficientemente largo. De qu tipo de inyeccin se trata?. Alta (fuerte) o baja (dbil)?. d) Si la longitud de la muestra es de 2 cm y su seccin de 1 cm , calcular la resistencia de la muestra con y sin iluminacin. Comentar el resultado.
2

5. Una muestra de semiconductor homogneo de tipo p y longitud l, es iluminada mediante un estrecho haz de luz a una distancia a del extremo izquierdo de forma que provoca, en dicho plano, una generacin GS pares electrn-huecos/cm s. Se sabe que la recombinacin en volumen es despreciable por ser el tiempo de vida muy grande. Calcular, sabiendo que los contactos son hmicos, el perfil del exceso de portadores.
2

GS pare/cm /s) S= S=

6. Utilizando un semiconductor intrnseco de longitud L = 1 cm se ha construido una fotorresistencia. Se supone que en este semiconductor la recombinacin del exceso de minoritarios se rige por la ley: U = 1/0[pnni ]/[n+p+2ni] siendo 0 = 3,1810 s y ni = 1,510 cm . Otros datos son: - Movilidad de los electrones: 1350 cm /Vs - Movilidad de los huecos: 480 cm /Vs - rea de la seccin rectangular: 0,005 cm
2 18 3 2 2 -6 10 -3 2

Se ilumina el dispositivo con una luz que genera 2,3610

pares/cm s de forma

uniforme en todo el volumen del semiconductor. Se sabe que el exceso de portadores producido es mucho mayor que la concentracin intrnseca, y puede suponerse que la recombinacin superficial es nula en todas las superficies y contactos. a) Obtener una expresin simplificada para la velocidad de recombinacin, expresada como el cociente entre el exceso de electrones y un tiempo de vida . Justificar las simplificaciones efectuadas. b) Calcular el tiempo de vida de la expresin anterior. c) Calcular el exceso de portadores producido por la iluminacin en condiciones estacionarias.

d) Calcular la relacin entre las resistencias hmicas del semiconductor en oscuridad y bajo la iluminacin dada. e) Si en el instante t = 0 se apaga la luz, calcular el valor de la resistencia transcurrido un tiempo .

7. Analizar el transitorio de apagado de un semiconductor homogneo de tipo n que se encontraba uniformemente iluminado con una radiacin que produca G L pares/cm s. Se sabe que bajo dicha iluminacin, el material se encontraba en alta inyeccin y que, en tal caso, U p/(n+p). Representar grficamente la evolucin temporal de los portadores indicando los valores ms representativos.
3

8. En la figura se representa esquemticamente un semiconductor tipo n, de longitud w y seccin transversal A, en cuyo plano medio x = w/2 existen imperfecciones en la estructura cristalina que pueden representarse mediante una velocidad de recombinacin superficial S0. En la superficie x = 0 se mantiene, en rgimen estacionario, un exceso de minoritarios conocido, pn(0), mientras que la superficie x = w es un contacto hmico ideal. Se sabe, adems, que la recombinacin en todo el volumen de la muestra es despreciable.

pn(0)

S0

S=

w/2

a) Obtener y dibujar el perfil de minoritarios a lo largo de la estructura. b) Obtener y dibujar el perfil de minoritarios en los casos particulares de S0 = 0 y S0 .

c) Obtener el nmero de portadores que se recombinan por unidad de tiempo en los planos x = w/2 y x = w, y particularizar los resultados para los casos de S0 = 0 y S0 .
14 -

9. Disponemos de un semiconductor homogneo de tipo n dopado con ND = 10

3 18 3

cm

y de longitud 2a. Lo bombardeamos con un haz de electrones generando, en pares electrn-hueco/cm s.

2 2 -5

rgimen estacionario, 10 DATOS:

n = 1200 cm /Vs p= 400 cm /Vs p = 10 s kT = 0.025 eV (kT/q= 25 mV) ni = 10

10

cm

-3

A = 10 cm

-4

Longitud = 2a = 200 m GL (pare/cm /s)

3

-a

a) Calcular el exceso que tendramos en el volumen si no hubiese flujo hacia las supercifies (es decir, si la recombinacin superficial fuese S = 0). Estamos en Alta Inyeccin?. b) Si la recombinacin de las dos superficies es muy elevada, es decir, si los contactos son hmicos, pensar la forma del perfil de los excesos y la direccin de los flujos. c) Calcular los excesos [Para facilitarlo si es que estamos habituados a trabajar con senos y cosenos hiperblicos podemos situar el origen de

Ejercicios relativos al semiconductor

coordenadas en el centro de la muestra y trabajar con funciones hiperblicas]. d) Calcular la recombinacin total en volumen y la recombinacin que tiene lugar en ambas superficies. Calcular la generacin total en la muestra. Calcular la relacin de las recombinaciones y extraer conclusiones.

10. En la figura se representan las velocidades de arrastre que un campo provoca en los portadores (a temperatura ambiente y en un material intrnseco). La velocidad mxima, o de saturacin, es 10 cm/s.
7

Velocidad de arrastre (cm/ s)

10

Electrones

Huecos

10

10

10

10

10

10

Campo Electrico (V/cm)

Como se aprecia, entre log(Campo) y log(Velocidad) existe una relacin lineal durante un amplio rango: log(Velocidad) = k1+k2log(Campo). a) Dibujar la movilidad de los electrones respecto al campo (para ello tomar varios puntos). Sea la escala del eje Y lineal y la del campo logartmica (es decir, construir un grfico semilogartmico) [La movilidad se mantendr constante en nuestras aplicaciones, es decir, (conocidas la temperatura y el dopaje) entre la velocidad de arrastre y el Campo existir una relacin constante, de otro modo no tendra sentido]. b) Cul es, aproximadamente, el campo mximo para el que el concepto de movilidad sigue siendo vlido?.

c) En ese mrgen, cunto vale k2, la pendiente de la grfica logartmica? Y la constante k1? Qu es 10 ?. d) Si k2 = 3, cul sera la relacin?. e) Tratar de dibujar v = v(E) en lineal.
k1

11. Disponemos de una muestra de Silicio tipo n, en rgimen estacionario, y de anchura w. La superficie x = 0 est pasivada mientras que la superficie x = w es un contacto hmico. Se sabe, adems, que en la superficie x = w/2 existen imperfecciones en la estructura cristalina que pueden representarse mediante una velocidad de recombinacin superficial S0. Mediante una radiacin, iluminamos de forma 3 uniforme la muestra generando GL pares electrn-hueco/cm s. Se sabe que nos encontramos en baja inyeccin y que el tiempo de vida de los minoritarios es infinito. GL (pare/cm /s)
3

S=0

S0

S=

w/2

a) Calcular el exceso de huecos en la muestra, analizando y dibujando dicho perfil en los casos extremos de S0 = 0 y S0 = . b) Calcular los flujos de portadores y dibujar la solucin en los casos extremos anteriormente mencionados. c) Para los dos casos extremos: cuntos pares se recombinan en la superficie intermedia? Y en la superficie de la derecha?.

12. Disponemos de una muestra de material semiconductor de longitud, w = 10 m, dopado con impurezas donadoras ND = 10
17

cm . La mitad izquierda de dicha

-3

muestra se ilumina, de forma estacionaria, mediante una radiacin que fotogenera, cada centmetro cbico y segundo, G = 10 perfectamente pasivada. Otros datos son: p = 400 cm /V s n = 2000 s En estas condiciones: a) Calcular y dibujar el perfil de minoritarios, indicando las hiptesis realizadas. b) Calcular y dibujar todos los flujos de corrientes. Cul es la corriente total?. Por qu?. c) Cuntos pares se recombinan en la superficie x = 0?.
2 18

pares e h /cm s. Se sabe tambin que,

- +

mientras en x = 0 existe un contacto hmico, la superficie x = w se encuentra

Dn = 30 cm /s VT = 25 mV

p = 1000 s

13. Regiones cortas y largas Se dispone, en estado estacionario, de una muestra de silicio tipo n de longitud w. En su extremo izquierdo (superficie x = 0) se mantiene un exceso p'(0), que tomaremos como dato (se desconoce la causa concreta). En la superficie de la derecha, sin embargo, la velocidad de recombinacin superficial (cinemtica) es infinita (S = cm/s). Sabemos, adems, que nos encontramos en baja inyeccin y tomaremos como datos el tiempo de vida medio (p) y el coeficiente de difusin (Dp) de los minoritarios (por tanto, tambin conocemos Lp). a) Demostrar que: wx
exp exp

wx Lp
w
L
p

p'(x) = p'(0)

Lp
w
L
p

exp

exp

b) Sabiendo que y 0 exp( y) 1 + y y >>1 exp( y ) 0 analizar (comprobando y dibujando el resultado) estos dos casos extremos: b1) Si Lp es muy grande (comparada con w): p'(x) p'(0) w x w
b2) Si Lp es muy pequea (comparada con w):

p'(x) p'(0)

exp

x
L
p

c) Analizar estos otros dos casos: c1) Comprobar que cuando U = 0, nos encontramos en el caso b1. c2) Comprobar que cuando w es infinito, nos encontramos en el caso b2. d) En consecuencia, si una regin es larga (w >> Lp), no importa su longitud, pues la superficie de la derecha no ve el exceso presente en la izquierda. El flujo que originariamente parte de la izquierda (calcularlo derivando) se recombina en el volumen (calcularlo integrando). e) Del mismo modo, si una regin es corta, su longitud de difusin no aparece en las frmulas finales. La muestra se comporta como si la recombinacin fuese nula. De hecho, todo el flujo que parte de la superficie izquierda se recombina en la derecha (demostrar que ambas derivadas son idnticas).