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COURS D'ELECTRONIQUE

CHAPITRE 1 LES DIPLES.

1.1 DFINITIONS. CLASSIFICATION.


Un diple est un systme accessible par deux bornes dans lequel peut circuler un courant lectrique. Pour qu'un courant puisse circuler dans un diple, il faut brancher celui-ci sur un autre diple. La classification actif / passif est difficile faire, car quelle que soit la dfinition utilise, on trouve toujours un contre exemple ! Par exemple, un critre nergtique (les actifs peuvent fournir de l'nergie, contrairement aux passifs) limine les semi-conducteurs de la catgorie des actifs Les dfinitions proposes ne sont donc pas prendre comme argent comptant. Elles donnent une tendance qui sera entache d'exceptions ! Nous allons tudier ici des diples de base . Dans la pratique, on trouvera ces diples tels quels, mais on pourra aussi en construire d'autres en associant en srie et en parallle ces diples de base. Pour que l'lment ainsi cr soit un diple, il doit rpondre la dfinition donne ci-dessus.

1.1.1 Diple passif.


Si on branche ensemble deux diples identiques et qu'aucun courant permanent ne passe entre les deux diples quel que soit le sens du branchement, ces diples sont passifs. Ex : rsistances, thermistances, selfs, condensateurs Il va circuler du courant dans un diple passif si on applique une diffrence de potentiel entre ses bornes. Rciproquement, si on fait circuler un courant dans ce diple, il va apparatre une tension ses bornes.

1.1.2 Diple actif.


Si on branche un diple sur une rsistance et qu'un courant permanent circule, alors ce diple est actif. ex : pile, accumulateur, alternateur Bien qu'ils ne rpondent pas intrinsquement la dfinition ci-dessus, on classera galement dans cette catgorie les semi-conducteurs et circuits intgrs ayant des caractristiques de gnrateurs : diodes, zners, transistors

1.1.3 Source de tension parfaite.


La reprsentation est la suivante :

Fig. 1. Sources de tension parfaites. Une source de tension est un diple actif ; elle peut tre continue ou alternative. Dans tous les cas, un diple est une source de tension s'il maintient la mme tension entre ses bornes, et ce quel que soit le courant qu'il dbite ou qu'il absorbe ; c'est une source de tension continue si cette tension est fixe dans le temps, et une source de tension alternative si la tension varie dans le temps de faon priodique.

1.1.4 Source de courant parfaite.


La dfinition est la mme que pour la source de tension, sauf que la source de courant dbite le mme courant quel que soit la tension prsente ses bornes.

Fig. 2. Sources de courant parfaites

1.1.5 Sources relles.


Une source de tension relle aura en ralit une impdance srie non nulle, et une source de courant relle une impdance parallle non nulle. Les schmas deviennent :

Fig. 3. Sources de tension et courant relles.

1.1.6 Diple linaire.

Un diple est linaire si la relation entre la tension ses bornes et le courant qui y circule est linaire. Ex : rsistance.

1.2 CONVENTIONS DE SIGNE.


Les conventions de signe communment admises pour reprsenter la tension aux bornes d'un diple et le courant y circulant font la diffrence entre gnrateurs et rcepteurs. Il faut noter ici que le sens du courant ainsi dfini est totalement arbitraire dans l'absolu , et ne reprsente qu'une convention. En pratique, physiquement, c'est la circulation des lectrons qui forme le courant, et celle-ci se fait dans le sens oppos au sens de circulation conventionnel du courant ! Lorsqu'on calcule les lments d'un circuit lectrique, on peut se fixer une convention diffrente , mais il faut garder la mme pour tout le circuit lectrique tudi.

1.2.1 Convention gnrateur.

Fig. 4. Diple gnrateur. Un diple est gnrateur lorsqu'il fournit de l'nergie (mme de manire trs temporaire) au circuit sur lequel il est connect. Dans ce cas, le courant sort par le ple positif du diple gnrateur. Les flches reprsentant tension et courant sont dans le mme sens.

1.2.2 Convention rcepteur.


Un diple est un rcepteur quand il consomme de l'nergie (fournie par le circuit sur lequel il est connect). Dans ce cas, courant et tension sont orients en sens inverse. Le ple positif du diple est celui par lequel rentre le courant.

Fig. 5. Diple rcepteur

1.2.3 Attention la mprise !


Actif n'est pas synonyme de gnrateur, pas plus que passif n'est synonyme de rcepteur, mme si c'est le cas le plus frquent. Il y a de nombreuses exceptions. Certains diples passifs (dits ractifs : selfs, condensateurs) peuvent avoir temporairement un comportement de gnrateur et suivront cette convention de signe, alors que des diples actifs sont parfois utiliss comme rcepteurs : on utilisera alors cette convention. Si dans un schma, le calcul du courant circulant dans un diple actif et de la tension prsente ses bornes indiquent que le courant rentre par le ple positif , alors ce diple est utilis en rcepteur. Exemple de composant passif utilis comme gnrateur : le condensateur rservoir, trs utilis en lectronique (filtrage des alimentations, dcouplage ). Exemple de composant actif utilis comme rcepteur : batterie en phase de charge.

1.3 ASSOCIATION DE DIPLES.


Quand on connecte deux diples ensemble, ils prsentent la mme tension leurs bornes (!), et le courant entrant dans l'un est gal au courant sortant de l'autre (dans une boucle ferme sans connections avec l'extrieur, le courant circule dans un seul sens !)

1.3.1 Association passif / actif.

Fig. 6. Association passif/actif Ce cas justifie la diffrence de conventions entre gnrateur et rcepteur : la tension aux bornes des deux diples tant la mme, il y en aura forcment un avec le courant dans le mme sens que la tension et l'autre avec le courant en sens inverse ! L'un dlivre de l'nergie que l'autre absorbe.

1.3.2 Association actif / actif.


Dans le cas o l'on branche deux diples actifs ensemble, on ne peut pas toujours dire priori si un des deux sera rcepteur, et si oui, lequel. Dans ce cas, on fixe arbitrairement le sens du courant dans la boucle. Aprs le calcul, si le courant est positif, l'hypothse tait justifie, sinon, le sens du courant rel est l'inverse de celui qui a t fix.

Fig. 7. Association actif/actif Le courant ainsi orient sortira par le ple positif du diple gnrateur. L'autre diple actif est utilis en rcepteur (courant entrant par le ple positif).

1.4 CARACTRISTIQUE STATIQUE D'UN DIPLE.

1.4.1 Dfinition.
La caractristique statique permet de dcrire tous les points de fonctionnement possibles en continu du diple : quand on applique une tension ses bornes, le courant est dfini, et vice versa. La reprsentation de la caractristique est une courbe dans le plan (I, U).

1.4.2 Quadrants.
Le domaine (I, U) est partag par les axes en quatre quadrants :

Fig. 8. Les 4 quadrants d'une caractristique. Par habitude ou pour simplifier, on ne reprsente souvent que le premier quadrant (I>0, U>0). En fait, la plupart des diples ont une caractristique qui occupe au moins deux quadrants. Les conventions I>0 et U>0 indiquent que les sens des courants sont conformes aux normes gnrateur ou rcepteur selon le diple. Pour certains diples, on est amens prciser la caractristique complte : par exemple, certaines alimentations stabilises rglables de laboratoire ont un domaine de fonctionnement spcifi dans

un, deux ou quatre quadrants (on a des caractristiques diffrentes en fonction du rglage) ; leur comportement en sera diffrent.

1.4.3 Diple passif.


1.4.3.1 Rsistance.

Fig. 9. Caractristique de rsistance. La relation I =f(U) est linaire (loi d'Ohm). La pente de la droite est gale 1/R.

1.4.4 Diple passif non linaire.

Fig. 10. Caractristique non linaire. La relation I =f(U) est quelconque. Ex : varistance, certains capteurs utiliss en instrumentation

1.4.5 Diple actif utilis comme rcepteur.


Les composants actifs utiliss comme rcepteurs sont trs employs dans l'lectronique analogique : on leur accordera une importance particulire. Les raisonnements qui suivent sont faits avec des sources continues. Le raisonnement est strictement le mme avec des sources alternatives.

1.4.6 Source de tension continue parfaite.

Fig. 11. Source de tension continue parfaite. Une source de tension parfaite impose une tension constante aux bornes du diple sur lequel elle est branche, et ce quel que soit le courant qu'elle absorbe. La caractristique est verticale.

1.4.7 Source de tension avec rsistance srie.


La tension augmente quand le courant impos au diple augmente. C'est la chute de tension cre aux bornes de R par le courant qui est responsable de cette augmentation. La pente de la courbe est gale l'inverse de la rsistance interne du gnrateur, soit 1 / R.

Fig. 12. Source de tension quelconque. Il convient de noter que dans ce cas, la caractristique est contenue dans un seul quadrant : si on prolongeait la caractristique dans le quadrant I<0, la source serait gnratrice, et plus rceptrice comme on en a fait l'hypothse ! C'est vrai pour tous les cas du paragraphe I.D.4.

1.4.8 Source de courant continu parfaite.

Fig. 13. Source de courant parfaite. Un gnrateur de courant parfait impose un courant constant dans le diple sur lequel il est branch, quelle que soit la tension prsente ses bornes. La caractristique obtenue est horizontale.

1.4.9 Source de courant avec rsistance parallle.


Lorsque la tension aux bornes de la source de courant augmente, le courant qu'elle absorbe augmente, avec une pente gale 1 / R. En effet, la rsistance interne en parallle avec la source de courant absorbe un courant proportionnel U qui vient s'ajouter I o .

Fig. 14. Source de courant quelconque.

1.5 DROITE DE CHARGE D'UN GNRATEUR.


Un gnrateur (dans le sens gnrateur d'nergie) est susceptible de faire circuler un courant dans un diple passif. Il peut tre intressant de voir quelle tension ou quel courant il va dlivrer dans un diple passif lorsque l'impdance de celui-ci varie. Nous prendrons le cas gnral des gnrateurs avec rsistances internes.

1.5.1 Gnrateur de tension continue.


Si on fait varier la rsistance de charge R ch de 0 l'infini, le courant dans la charge va passer du courant de court-circuit (valeur maxi gale : I cc = E g /R g pour une tension U = 0) une valeur nulle correspondant la tension vide E g du gnrateur. La courbe reliant ces deux points est une droite de pente -1/R g , R g tant la rsistance interne du gnrateur : c'est la droite de charge du gnrateur.

Fig. 15. Droite de charge d'un gnrateur de tension.

1.5.2 Gnrateur de courant continu.

Fig. 16. Droite de charge d'un gnrateur de courant. Si on fait varier la rsistance de charge R ch de 0 l'infini, la tension aux bornes du gnrateur de courant va passer de 0 (avec un courant de court-circuit gal I g ) une valeur maxi U = R g I g pour un courant dbit nul. La pente de la droite de charge reliant ces deux points est gale -1/R g .

1.5.3 Remarque.
Si on compare les deux figures prcdentes, on remarque une trange similitude des droites de charges du gnrateur de tension et de celui de courant ! En fait, partir du moment o un gnrateur prsente une impdance srie interne non nulle ou une impdance parallle non infinie, la notion de gnrateur de courant ou de tension s'estompe. Il existe d'ailleurs une transformation mathmatique (Norton- Thvenin) qui permet de faire la conversion gnrateur de tension / gnrateur de courant. Toutefois, en fonction de la valeur de la pente de la droite de charge, on parlera plutt de gnrateur de courant ou bien de gnrateur de tension. Par exemple, une batterie d'automobile prsente une impdance srie interne tellement faible qu'il serait ridicule de parler de gnrateur de courant, et fortiori, de faire des calculs avec ce formalisme.

1.6 POINT DE POLARISATION.


Si on associe un diple rcepteur avec un diple gnrateur, on aura une tension et un courant bien dtermins dans ces diples. Ce point doit appartenir la fois la caractristique du diple rcepteur et la droite de charge du diple gnrateur. C'est le point P d'intersection des deux courbes (Voir Fig. 17.).

Fig. 17. Point de polarisation d'une rsistance. Ce point de fonctionnement en continu est appel point de polarisation du diple rcepteur.

1.7 DIPLES NON LINAIRES.

1.7.1 NCESSIT DE LINARISER.

Pour calculer les tensions et courants de circuits lectriques simples composs de gnrateurs et de rsistances, on applique la loi d'Ohm et on obtient un systme d'quations linaires permettant de trouver la solution. Les composants semi-conducteurs ont, quant eux, des caractristiques non linaires. Or, dans un circuit complexe, on trouvera souvent les valeurs de courants et tensions en rsolvant un systme de plusieurs quations plusieurs inconnues. La rsolution de tels problmes est trs difficile quand on a affaire des quations non linaires. Pour pallier cet inconvnient, on va s'arranger pour utiliser les composants non linaires sur une trs petite portion de leur caractristique, et on va assimiler cette portion une droite (droite qui sera la tangente la caractristique au niveau de la portion utilise). On va ainsi dfinir des paramtres dynamiques (ou diffrentiels ) du composant non linaire, ces paramtres tant utilisables uniquement sur la portion de caractristique tudie ; on pourra utiliser ces paramtres classiquement, et leur appliquer la loi d'ohm et les thormes classiques de l'lectricit. Le systme d'quations sera alors linaire, donc simple rsoudre avec des outils classiques.

1.7.2 RSISTANCE DIFFRENTIELLE.


Trs souvent, en lectronique, on doit polariser le montage, et ensuite, on applique un signal alternatif l'entre de ce montage pour qu'il y soit trait. Pour ce qui suit, et conformment ce qui a t dit prcdemment, on va faire l'hypothse que le signal alternatif est de faible amplitude compar aux tensions de polarisation : on parle de rgime des petits signaux. Supposons qu'au dpart, on polarise le diple Z ch avec un gnrateur de tension continu (E g , R g ). Le point de polarisation P o correspond au courant I o et la tension E o (e = 0). Si on rajoute au gnrateur de polarisation (E g , R g ) un gnrateur alternatif e avec e << E g , on dplace la droite de charge qui correspond alors au gnrateur quivalent (E g +e, R g ). A un instant donn, le nouveau point de polarisation est alors P(E o + E, I o + I). Si E est suffisamment petit, on peut considrer que P se dplace sur la tangente de la caractristique en P o . A une petite variation E de E o va correspondre une petite variation I de I o .

Fig. 18. Rsistance dynamique. Par dfinition, on pose :

r o est la rsistance dynamique (ou diffrentielle ) du diple au point de polarisation P o (E o , I o ). Ceci revient assimiler localement la caractristique sa tangente. Pour des petites variations autour d'un point de polarisation donn, on linarise le diple, et grce la notion de rsistance dynamique, on a une loi d'Ohm simple. Ceci va permettre de simplifier grandement les calculs. ATTENTION : la rsistance dynamique est une caractristique du point de polarisation considr. Si on modifie la polarisation, la rsistance dynamique va varier. Cette notion n'a de sens que pour des petits signaux alternatifs (e << E g ). Ces notions de petits signaux et de paramtres diffrentiels sont absolument incontournables pour tudier un montage amplificateur en lectronique.

CHAPITRE 2 LES QUADRIPLES.


Nous n'allons pas entrer ici dans les dtails de cette thorie, mais juste indiquer ce qui nous sera utile pour l'tude des transistors.

2.1 DFINITION.
Un quadriple est une boite noire quatre bornes dans laquelle des courants lectriques peuvent circuler ; cette boite comporte deux bornes d'entre et deux bornes de sortie :

Fig. 19. Reprsentation d'un quadriple. La condition pour que cette boite noire soit un quadriple est que le courant entrant par une des bornes d'entre (resp. de sortie) soit gal au courant sortant par l'autre borne d'entre (resp. de sortie). Quatre paramtres lectriques caractrisent alors le quadriple : tension et courant d'entre v e et i e , et tension et courant de sortie v s et i s . Deux de ces variables sont indpendantes. Les autre y sont lies par les paramtres du quadriple.

2.2 PARAMTRES HYBRIDES.


Vu qu'on a quatre variables dont deux indpendantes, il y a plusieurs possibilits pour crire les quations liant ces variables. Nous choisirons ici les quations faisant intervenir les paramtre hybrides, ce qui est le formalisme le plus simple pour dcrire le fonctionnement des transistors. On dmontre que l'on peut crire :

On peut mettre ce systme sous la forme matricielle suivante :

La matrice de transfert est appele matrice hybride du quadriple. La signification des paramtres est la suivante : - h 11 est l'impdance d'entre du quadriple avec la sortie en court-circuit. - h 12 est un coefficient (sans dimension) quantifiant la raction de la sortie sur l'entre. - h 21 est le gain en courant avec sortie en court-circuit. - h 22 est l'admittance de sortie avec entre vide.

2.3 SCHMA QUIVALENT.


A partir des paramtres dfinis prcdemment, on peut donner un schma lectrique quivalent du quadriple ; ce schma ne fait intervenir que des composants classiques de l'lectricit (voir Fig. 20). Ce schma est typiquement celui qui sera utilis pour reprsenter le transistor en petits signaux alternatifs.

Fig. 20. Schma quivalent d'un quadriple.

CHAPITRE 3 LES INDISPENSABLES.


En lectronique, il existe des conventions un peu diffrentes de ce qu'on trouve en lectricit, et aussi des utilisations spcifiques de certains composants passifs . Nous allons tudier ces particularits dans ce paragraphe.

3.1 MODLISATION.
Les schmas lectroniques font intervenir des composants ayant un comportement simple dcrire mathmatiquement (R, L, C ), et d'autres ayant un comportement plus complexe. C'est le cas notamment des semi-conducteurs. De manire pouvoir modliser les circuits utilisant ces composants et prvoir leur fonctionnement, on est amens faire un schma quivalent des composants complexes, ce schma tant bti partir de composants simples : rsistances, sources de tension, de courant

Par exemple, on pourra modliser une diode zner avec un gnrateur de tension parfait et une rsistance srie.

Il faudra garder l'esprit que ce n'est qu'un schma quivalent, sous certaines hypothses bien dfinies. Il ne saurait tre question d'appliquer le rsultat obtenu par le calcul hors de ces hypothses ! Exemple : bien qu'on puisse modliser une diode zner par un gnrateur de tension, si on branche une telle diode sur une ampoule, il ne se passera rien ! Ce composant n'est pas l'quivalent d'une pile ou d'un accumulateur. Cette remarque volontairement grossie reste valable pour la modlisation en gnral, quel que soit le domaine de la physique considr.

3.2 APPROXIMATIONS.
Lorsqu'on fera des calculs sur un circuit lectronique, on sera guids en permanence par leur prcision : - les composants (rsistances, condensateurs, transistors) font l'objet de dispersions (rsistances 5% par exemple ). - les hypothses de calcul conduisent des simplifications (linarisation, petits signaux ) - le rsultat dsir le sera avec une prcision plus ou moins leve. Par consquent, aussi savantes que puissent paratre les quations permettant de rsoudre un circuit, on aura toujours prsent l'esprit que : - elles sont fausses ! - elles sont inapplicables des composants rels. Elles sont fausses car bties sur des hypothses reprsentant des approximations, et inutilisables telles quelles car il faudra tenir compte de la dispersion des composants et des valeurs normalises (on ne trouve pas toutes les valeurs de rsistances dans le commerce par exemple). Dans ce cas, dans la majeure partie des problmes d'lectronique, on se contentera de dterminer un ordre de grandeur des paramtres permettant de dimensionner les composants. On pourra dans ce cadre faire un maximum de simplifications. On adoptera souvent pour ce faire la rgle du dixime: si deux paramtres s'ajoutent dans une quation, et que l'un soit plus de dix fois plus petit que l'autre, alors, on va le ngliger. Exemple :

En partant du constat qu'un calcul rigoureux est infaisable, et que de toutes faons, il ne servirait rien, le meilleur calcul sera le plus simple !

3.3 REPRSENTATION DES SCHMAS.


En gnral, et contrairement ce qui se pratique en lectricit, on ne reprsentera pas toutes les connections entre les composants d'un schma lectronique. On omettra souvent les gnrateurs de tension continue, et de ce fait, le rebouclage des points o ils sont connects avec la masse. De mme, pour mieux comprendre le fonctionnement d'un montage, on tchera (dans la mesure du possible) de btir le schma en mettant le potentiel le plus lev en haut de la feuille et de respecter une chelle des potentiels dcroissants lorsqu'on dessinera les lments du haut vers le bas de la feuille. En procdant ainsi, on aura les flches de reprsentation des potentiels dans le mme sens, et des courants descendants : la comprhension en sera largement accrue.

3.4 MASSE.
La masse est le potentiel de rfrence (fix par convention 0) du montage lectronique : un potentiel n'est pas dfini dans l'absolu, on parle toujours de diffrence de potentiel. Dans un montage lectronique, quand on parlera du potentiel d'un point, il sera sous entendu que ce potentiel est rfrenc la masse du montage. La masse sera en gnral le ple moins de l'alimentation continue servant polariser le montage. Cette rgle est uniquement une coutume, elle ne sera pas systmatiquement respecte sur les schmas rencontrs !

Fig. 21. Reprsentations de la masse.

3.5 TERRE.
La terre est une connexion physique au sol ( la terre !). Contrairement aux croyances souvent nonces, en aucun cas ce potentiel ne peut tre considr comme rfrence absolue, car il est diffrent d'un endroit de la Terre (la plante) un autre. De plus, le cble de liaison du laboratoire au sol prsente une impdance non nulle : si un courant parasite circule dans ce cble, il va y crer une chute de potentiel ; on aura une diffrence de potentiel entre la prise de terre du labo et le sol. La fonction d'une terre est la scurit : elle permet de protger les utilisateurs d'quipement sous tension , et aussi d'vacuer les courants induits par la foudre.

Fig. 22. Reprsentations de la terre.

3.6 INTERRUPTEURS.
Ils permettent d'introduire une coupure dans un circuit lectrique. Nous allons tudier ici le comportement d'un interrupteur parfait.

3.6.1 Interrupteur ouvert.


Lorsque l'interrupteur est ouvert, aucun courant ne circule dans la boucle, et toute la tension se retrouve sur l'interrupteur (U2 est nul, car le courant I est nul).

Fig. 23. Interrupteur ouvert dans une boucle. La caractristique de l'interrupteur ouvert se confond avec l'axe horizontal : le courant est nul quelle que soit la tension ses bornes :

Fig. 24. Caractristique d'un interrupteur ouvert.

3.6.2 Interrupteur ferm.


Lorsque l'interrupteur est ferm, le courant peut circuler librement, la tension ses bornes tant nulle ; on suppose celui-ci parfaitement conducteur, exempt de toute impdance parasite.

Fig. 25. Interrupteur ferm dans une boucle. La caractristique de l'interrupteur ferm se confond avec l'axe vertical : tension nulle quel que soit le courant qui circule travers :

Fig. 26. Caractristique d'un interrupteur ferm.

3.7 DIVISEUR DE TENSION.


C'est le montage fondamental de l'lectronique :

Fig. 27. Diviseur de tension. Plutt que d'appliquer laloi des mailles, on utilisera cette proprit au maximum ; les calculs en seront trs souvent simplifis. La formule donnant la tension de sortie V s en fonction de la tension d'entre du pont V e est la suivante :

En fait, on s'affranchit des courants dans la formulation, ce qui revient implicitement diminuer le nombre d'inconnues, donc d'quations du problme. On arrive ainsi beaucoup plus vite et plus srement le rsoudre.

3.8 ASSOCIATION DE RSISTANCES.

3.8.1 En parallle.

Fig. 28. Rsistances en parallle.

3.8.2 En srie.

Fig. 29. Rsistances en srie.

3.9 CONDENSATEURS DE LIAISON.


La plupart des montages lectroniques composants discrets ncessitent une polarisation (adjonction d'une tension continue) pour fonctionner correctement. l'entre du montage, sur ces tensions continues de polarisation, on va superposer un signal alternatif. Dans la plupart des cas, le gnrateur alternatif ne pourrait pas supporter qu'un courant continu le traverse ; de plus, si on ne veut pas modifier la polarisation du montage, ce gnrateur doit tre neutre du point de vue du rgime continu vis vis du montage qu'il attaque. Pour satisfaire toutes ces exigences, on relie le gnrateur alternatif l'entre du montage par l'intermdiaire d'un condensateur.

Fig. 30. Condensateurs de liaison et dcouplage. Ce condensateur prsente une impdance infinie au courant continu : il va ainsi empcher qu'un tel courant ne traverse le gnrateur alternatif ; on ne modifiera pas la polarisation du montage. Ce condensateur est dit de liaison. On le choisira toujours pour que son impdance soit ngligeable aux frquences dlivres par le gnrateur alternatif : - Pour le rgime alternatif , et pour les frquences des signaux utiliss, on l'assimilera un court circuit. - Pour le rgime continu , on le considrera comme un circuit ouvert.

3.10 CONDENSATEURS DE DCOUPLAGE.


Les ncessits de la polarisation peuvent amener introduire dans le montage des lments (des rsistances notamment) qui nuisent au bon fonctionnement du rgime alternatif. Pour viter ceci, on peut mettre en parallle sur ces lments un condensateur qui va se comporter comme un court circuit pour les signaux alternatifs. Comme pour les condensateurs de liaison, ils ne modifient en rien la polarisation du montage. (voir figure 30).

CHAPITRE 4 THORMES FONDAMENTAUX.

4.1 LOIS DE KIRCHOFF.


Les lois de Kirchoff sont les lois fondamentales qui rgissent le fonctionnement de tout circuit lectrique. Nanmoins, en pratique, elles sont peu appliques telles quelles en lectronique ; on leur prfrera souvent les proprits du diviseur de tension, et les thormes de Thvenin et de superposition pour faire les calculs. A noter qu'on a besoin des lois de Kirchoff pour dmontrer ces thormes.

4.1.1 Loi des mailles.


Une maille est une boucle ferme compose d'lments rels ou virtuels (immatriels) prsentant une diffrence de potentiel entre leurs bornes. La somme des tensions rencontres lorsqu'on parcourt une boucle ferme est nulle. Cette loi est en quelque sorte la relation de Chasles de l'lectricit. Pratiquement, on impose d'abord le sens des courant dans chaque lment de la maille. Ensuite, on reprsente les tensions par des flches en respectant les rgles suivantes : - convention rcepteur pour les diples passifs avec le sens du courant qu'on a impos. - respect de la polarit des gnrateurs (flche au ple positif). Attention : cette rgle est absolue, mme si le gnrateur est utilis comme rcepteur ! (Exception notable : les fcem). - une tension rencontre sur la boucle peut correspondre un lment immatriel (qui n'est ni un gnrateur, ni un composant passif : cas de la tension U dans l'exemple ci-dessous). Cette astuce permet de casser une boucle trop grande et de simplifier les calculs. Le sens et le dbut du parcours n'importent pas. On met un signe positif toute tension rencontre en direct (la flche la reprsentant est oriente dans le sens de parcours de la boucle), sinon, le signe est ngatif. - boucle 1 :

- boucle 2

Fig. 31. Circuit deux mailles. Pour rsoudre totalement le problme d'lectricit pos, il va falloir dterminer autant d'quations indpendantes qu'on a d'inconnues (tensions et courants). La loi des mailles ne sera d'ailleurs pas suffisante pour dfinir toutes les quations ncessaires, il faudra aussi utiliser la loi des nuds. Quand on a autant d'quations que d'inconnues, on peut rsoudre le systme. Il se peut alors qu'on obtienne des courants ngatifs. Si le circuit ne comporte aucun lment appel force contre lectromotrice (fcem) en lectricit , le courant circule en fait dans le sens oppos celui dfini arbitrairement. Ceci ne remet pas en cause les rsultats obtenus. Par contre, si le circuit contient des fcem, et que des courants ngatifs apparaissent dans la solution, il faut imprativement retraiter tout le problme en modifiant le sens arbitraire des courants, et ceci jusqu' ce que tous les courants soient positifs. En pratique, dans les problmes d'lectronique abords dans le cadre de ce cours, il n'y aura jamais d'ambiguts : on n'aura que des composants passifs simples, et des sources de tension utilises soit comme gnrateurs, soit comme rcepteurs, mais dans tous les cas, leur polarit ne dpendra pas du sens du passage du courant. Par contre, la polarit des fcem dpend du sens du courant les traversant, ce qui fait que si on inverse celui-ci, le problme d'lectricit rsoudre est diffrent ! En lectronique, on fera essentiellement attention aux inductances, qui ont un comportement de fcem. Nota : on trouvera dans la littrature une autre mthode de rsolution de ces problmes appele rsolution matricielle. Elle consiste dfinir un courant de maille totalement fictif et n'ayant rien voir avec la circulation relle des courants (qui sont mesurables l'aide d'un ampremtre). On obtient les courants rels en sommant les courants fictifs communs aux diffrentes branches. Cette mthode est trs efficace pour faire du calcul de circuits sur ordinateur (rsolution de systmes d'quations). Elle est dconseille ici, car elle ne permet pas d'y voir clair dans un circuit lectronique, ni surtout pas de deviner son fonctionnement !

4.1.2 Loi des nuds.


Un nud est la jonction d'au moins trois conducteurs.

Fig. 32. Nud de courant. La somme des courants entrant dans le nud est gale la somme des courants en sortant. Ici, on a :

4.2 THORME DE SUPERPOSITION.

4.2.1 Dfinition.
Ce thorme est fondamental. Il va permettre d'tudier des circuits comportant plusieurs gnrateurs (de tension ou de courant) en considrant l'influence de chaque gnrateur indpendamment des autres, ce qui va beaucoup simplifier la plupart des problmes. Une des grandes applications est le schma alternatif petits signaux, qu'on utilise trs souvent sans mme penser qu'il dcoule du thorme de superposition ! Dans un circuit comportant plusieurs gnrateurs, la solution du problme (les tensions et courants inconnus) est la somme des solutions trouves en ne considrant qu'un gnrateur la fois. Pour ce faire, on remplace chaque source de tension parfaite par un court circuit, et chaque source de courant par un circuit ouvert, l'exception de la source dont on veut connatre l'influence.

Fig. 33. Problme global. Dans l'exemple ci-dessus, on va commencer par supprimer E 2 et faire le calcul de la tension U avec E 1 seul. On a alors un diviseur de tension :

Fig. 34. 1re tape.

Pour avoir la contribution de E 2 , on fait ensuite la mme chose en supprimant E 1 :

Fig. 35. 2me tape. La solution totale U est gale la somme des deux solutions prcdemment trouves :

On voit bien ici l'intrt de ce thorme : on applique deux fois la formule du diviseur de tension et le tour est jou ! Il n'y a pas eu besoin de recourir aux quations lourdes de la loi des mailles. Tout comme pour le thorme de Thvenin, on utilisera ce thorme avec une extrme prudence quand on aura affaire des sources commandes

4.2.2 Application au schma quivalent alternatif petits signaux.


En gnral, on conoit un circuit lectronique lments discrets en deux temps : on calcule d'abord les lments ncessaires sa bonne polarisation, et ensuite, on tudie son comportement en petits signaux alternatifs (la fonction principale du montage) indpendamment de la polarisation (qui est ncessaire au bon fonctionnement des semi conducteurs, mais ne constitue pas une fin en soi). Ce faisant, on utilise implicitement le thorme de superposition, car les tensions et courants du montage seront toujours la somme des tensions et courants de polarisation et des signaux alternatifs.

Ainsi, dans un circuit, on pourra se focaliser sur l'effet d'un seul gnrateur. Il sera indpendant de la contribution du ou des autres gnrateurs du circuit. Pour construire un schma quivalent en alternatif d'un montage, on appliquera les rgles suivantes : - On remplacera toutes les sources de tension continue parfaites par des court-circuits. - On remplacera toutes les sources de courant continu parfaites par des circuits ouverts. - On remplacera toutes les sources de tension continue et de courant continu ayant une rsistance interne par leur rsistance interne. - Les condensateurs de dcouplage seront remplacs par des court-circuits. - En gnral, on remplacera les condensateurs de liaison par des court-circuits. - Tous les diples non linaires seront pralablement linariss pour nous permettre d'appliquer simplement la loi d'Ohm. On obtient ainsi le schma simplifi qui va permettre l'tude de la fonctionnalit du montage. ATTENTION !!! : il faudra toujours se souvenir des hypothses de base qui ont servi faire ce schma, et notamment le fait que quand on a un courant (ou une tension) ngatif dans le schma alternatif, dans le montage, en ralit, il sera positif, mais infrieur au courant (ou la tension) de polarisation. On pourra avoir des surprises de fonctionnement qui n'ont pas t prvues par l'tude du schma alternatif quivalent, de par les simplifications faites. Un montage pourra avoir ainsi un fonctionnement dissymtrique sur les ondes positives et ngatives du signal alternatif. Il faudra faire particulirement attention au fonctionnement de ce montage sur charge capacitive (certains circuits prsentent une impdance de sortie dissymtrique : par exemple, dans une diode ou un transistor, le courant ne peut circuler physiquement que dans un seul sens. Le montage ne pourra donc pas "absorber" un courant ngatif, mais seulement fournir un courant positif infrieur au courant de polarisation). Ne pas oublier non plus qu'on est en rgime de petits signaux, et que si on pousse le montage aux limites, cette hypothse devient fausse, et le comportement observ n'est plus ce qui a t prvu ! En cas de problmes, il faudra rechercher la cause de dysfonctionnement en considrant le schma global, et non plus le schma quivalent en alternatif.

4.3 THORME DE THVENIN.


Il a t dit au dbut de ce chapitre qu'on pouvait associer des diples de base en srie et en parallle de manire former des diples plus complexes. Le thorme de thvenin permet de remplacer un montage complexe par un gnrateur de tension quivalent avec sa rsistance interne quivalente et de calculer ces lments.

On pourra ainsi considrer ce montage comme une source de tension relle et tudier plus simplement son comportement lorsqu'on le connecte un autre diple.(voir: association de diples actifs/passifs) On peut aussi grce ce thorme aborder un schma compliqu en isolant des morceaux et en les transformant en gnrateurs de Thvenin quivalents. Cela permet souvent d'y voir plus clair dans un schma complexe, et de simplifier et bien faire ressortir des blocs cl du schma. Dans l'exemple suivant, il pourrait tre intressant de rduire la partie gauche du schma (en pointills) un seul gnrateur quivalent.

Fig. 36. Diple complexe. Le thorme de thvenin va permettre de rduire cette partie un gnrateur E Th et sa rsistance interne R Th de la manire suivante : - E Th est la tension vide de la partie gauche du schma : R 3 est infinie. - R Th est la rsistance quivalente vue entre les points A et B lorsque les sources de tension non commandes sont teintes et que R 3 est infinie. La tension quivalente se calcule ici aisment par le thorme de superposition :

Fig. 37. Gnrateur de tension quivalent.

La rsistance est obtenue en remplaant les gnrateurs de tension par des court-circuits (s'il y avait eu des gnrateurs de courant, on les aurait remplacs par des circuits ouverts) :

Fig. 38. Rsistance quivalente.

Le circuit quivalent est le suivant, avec les valeurs de E Th et R Th calcules prcdemment. Si maintenant, on veut utiliser la mme partie gauche du schma avec une charge diffrente de R 3 , le gnrateur de Thvenin reste identique : il n'y a pas besoin de refaire de laborieux calculs avec les lois de Kirchoff !

Fig. 39. Gnrateur de Thvenin quivalent. Il existe le thorme dual de celui de Thvenin : c'est le thorme de norton. On raisonne alors en termes de source de courant. Il est plus rarement utilis en lectronique, et donc, nous ne l'tudierons pas ici (voir cours d'lectricit).

4.4 TRANSFORMATION NORTON / THVENIN.


Il est parfois intressant de passer d'une reprsentation de gnrateur de tension celle de gnrateur de courant. Si on reprend les figures 15 et 16, on voit que la caractristique de ces deux gnrateurs est similaire ; la pente de cette caractristique est dans les deux cas gale -1/R g , o R g est la rsistance srie du gnrateur de tension ou la rsistance parallle du gnrateur de courant. Il reste dterminer la valeur de la tension duale du gnrateur de courant et vice versa. La solution est donne par les figures 15 et 16 et dans le texte associ. Lorsqu'on transforme un gnrateur de courant (I g , R) en gnrateur de tension (E g , r), on a les relations :

En effet, la tension vide du gnrateur de courant est donne lorsque tout le courant de la source est absorb par la rsistance parallle interne R. Les rsistances R et r sont gales (les pentes des caractristiques sont les mmes). Lorsqu'on transforme un gnrateur de tension (E g , r) en gnrateur de courant (I g , R), on a les relations :

I g est gal au courant de court-circuit de la source de tension (E g , r).

Fig. 40. Transformation Norton / Thvenin. Comme il a dj t dit auparavant (1.5), ces calculs sont purement thoriques, et ils amnent des valeurs de courant et tension quivalents irralistes. Les calculs de tensions et courants dans un circuit comprenant des gnrateurs auxquels on aura appliqu la transformation Thvenin/Norton seront justes, mais le fonctionnement rel de ces sources sera trs diffrent de celui dcrit par le formalisme utilis. Attention : Il ne faudra surtout pas faire de calculs de puissance dissipe l'intrieur des sources avec le mauvais formalisme : par exemple, calculer des puissances dissipes l'intrieur d'une batterie en utilisant le modle du gnrateur de courant quivalent amnerait des valeurs totalement errones !

CHAPITRE 5 GNRALITS SUR L'AMPLIFICATION.

5.1 INTRODUCTION
Une des grandes fonctions de l'lectronique analogique est l'amplification de signaux lectriques. Cette fonction sera partout prsente dans la mesure, et sera notamment cache dans les appareils de mesure de laboratoire.

Ces appareils seront assimils des botes noires, dont on ne connat pas le contenu, mais dont le fabricant spcifie divers paramtres nous permettant de les interfacer avec d'autres lments de la chane de mesure. La prsentation de l'amplificateur qui va tre faite ici indique les paramtres essentiels et quoi ils se rapportent.

5.2 REPRSENTATION D'UN AMPLIFICATEUR.


Un amplificateur est un quadriple, avec deux bornes d'entre et deux bornes de sortie. Une des bornes sera gnralement commune l'entre et la sortie (Fig. 41.). On pourra reprsenter cet amplificateur par le schma quivalent suivant :

Fig. 41. Schma quivalent d'un amplificateur. Dans ce schma, on va distinguer trois sries de paramtres, relatifs : - l'entre (comment se comporte l'ampli vis vis de la source qui l'attaque). - la relation qui lie l'entre et la sortie (transfert). - la sortie (de quelle manire la charge perturbe-t-elle l'ampli ?)

5.3 PARAMTRES ESSENTIELS.

5.3.1 les paramtres d'entre.


5.3.1.1 Impdance d'entre. C'est tout simplement l'impdance vue de la source, savoir le rapport :

Cette impdance est en gnral leve pour ne pas perturber la source qui l'attaque. 5.3.1.2 Sensibilit d'entre.

C'est la tension Se applique l'entre pour laquelle l'ampli atteindra sa tension de sortie maximum admissible. 5.3.1.3 les paramtres de transfert.
5.3.1.3.1 Gain en tension.

C'est le rapport de la tension de sortie sur la tension d'entre. C'est le facteur multiplicatif de l'ampli :

Le gain est adimensionnel. Il dpend de la frquence du signal d'entre tout en restant pratiquement constant dans la plage de frquences constituant la bande passante.
5.3.1.3.2 Gain en dcibels.

Trs souvent, le gain sera exprim en dcibels (dB)

Ce type de notation sera utilis de faon trs large en lectronique : fondamental !


5.3.1.3.3 Bande passante.

C'est la plage de frquence pour laquelle le gain en tension A v reste dans une fourchette comprise entre xdB autour d'une valeur nominale A vo . Gnralement, x est gal 3. On parle de bande passante 3dB.

Fig. 42. Bande passante d'un amplificateur.

5.3.1.4 les paramtres de sortie.


5.3.1.4.1 Impdance de sortie.

C'est l'impdance vue de la charge, savoir le rapport :

Cette valeur sera en gnral faible.


5.3.1.4.2 Plage de sortie.

C'est la tension de sortie maximum que peut dlivrer l'ampli. Il faudra faire attention (comme pour la sensibilit) au formalisme utilis pour la dfinir : tension crte crte, crte, ou efficace, les valeurs donnes variant alors dans un rapport de 1 2 2 !
5.3.1.4.3 Rapport signal sur bruit.

Les composants lectroniques gnrent des bruits lectriques d'origines diverses (agitation thermique entres autres), et les circuits sont sensibles aux perturbations extrieures (parasitages dus des champs lectromagntiques, des couplages ). En consquence, la tension de sortie de l'amplificateur sera non nulle mme avec une tension d'entre nulle. Cette tension est alatoire, et son niveau sera sensiblement constant quel que soit la tension prsente l'entre de l'amplificateur. Le rapport signal sur bruit sera dfini comme le rapport maxi du signal utile (la plage de sortie) sur le niveau de bruit :

Ce rapport signal sur bruit sera la plupart du temps exprim en dB. Cette notion est importante en instrumentation et dborde largement le cadre de l'amplification ; on la retrouvera aussi dans divers appareils de mesure et de traitement de signal.

5.4 ADAPTATION D'IMPDANCE.


Lorsqu'on veut connecter plusieurs tages amplificateurs en cascade, ou plus simplement, quand on dsire relier un amplificateur un gnrateur en amont et une charge en aval, il faut faire attention aux impdances des divers constituants de la chane. La figure 43 reprsente un amplificateur d'impdance d'entre Z e , d'impdance de sortie Z s , connect un gnrateur d'impdance interne R g et une charge Z u . Le gnrateur dlivre une tension vide E g ; la tension l'entre de l'amplificateur est V e , et celle sur la charge est V s .

Fig. 43. Connexion d'un amplificateur. Avec la reprsentation schmatique de l'amplificateur, on distingue trs nettement deux ponts diviseurs qui vont dtriorer l'amplification. En entre, on a :

Et en sortie, on obtient :

Au total, l'amplification relle devient :

Si on veut transmettre le maximum de tension entre le gnrateur et la charge (on parle ici d'adaptation en tension, mais on peut aussi raliser une adaptation en courant ou en puissance), il faudra les deux conditions suivantes :

En thorie, pour raliser une bonne adaptation en tension en entre et en sortie, un ampli idal aura une impdance d'entre infinie (en pratique, elle sera la plus grande possible, de l'ordre de quelques M ), et une impdance de sortie nulle (en pratique, elle sera de quelques quelques m ). Cette notion d'adaptation d'impdance est fondamentale, et s'applique trs largement, ds qu'on veut interconnecter des appareils lectroniques entre eux, et en particulier, des instruments de mesure.

CHAPITRE 6 STRUCTURE DE LA MATIRE.

6.1 AVERTISSEMENT.
Ce cours a pour seul but de permettre la comprhension des principaux phnomnes de conduction qui se produisent dans les semi-conducteurs, afin de pouvoir interprter leur comportement. Il ne sera donc ni exhaustif (et de trs loin s'en faut !), ni franchement rigoureux. Cet expos sera donc plus proche de la vulgarisation que du cours acadmique, mais compte tenu du but recherch, il sera largement suffisant pour comprendre les phnomnes sans rentrer dans les dtails fort compliqus de la thorie de la conduction. A noter que des connaissances approfondies en cristallographie ne sont indispensables que pour l'lectronicien dsireux de se spcialiser en micro-lectronique (conception de circuits intgrs). On peut donc parfaitement s'en passer si on se contente d'assembler des composants discrets ! Dans l'optique de ce cours, elles vont nous permettre de comprendre l'essentiel du fonctionnement des composants utiliss sans avoir parachuter trop de notions qui resteraient alors incomprises.

6.2 LIEN AVEC LE COURS D'LECTRONIQUE.


Tout le secret de l'lectricit rside dans la capacit de la matire laisser circuler plus ou moins bien des charges lectriques en son sein sous l'influence d'un champ lectrique externe. Les composants lectroniques obissent aux lois gnrales de l'lectricit (revoir le chapitre I), et donc rpondent la dfinition prcdente. La diffrence avec les composants lectriques traditionnels se situe dans le matriau conducteur utilis, qui va autoriser un meilleur contrle de la conduction lectrique, et donc des fonctionnalits nouvelles. L'lectronique va alors se distinguer de l'lectricit par des composants dont on pourra moduler la conduction l'aide de signaux lectriques, chose impossible avec les composants simples de l'lectricit. Il est par consquent utile de rappeler en introduction que tout ce qu'on voit en lectronique est totalement dpendant de la physique des solides, et qu'un aperu de cette dernire est indispensable pour comprendre le fonctionnement des composants lectriques et lectroniques.

6.3 RAPPEL DE LA DESCRIPTION SIMPLIFIE DE LA STRUCTURE DES ATOMES.


Les atomes sont des particules de base constitues d'un noyau autour duquel gravitent des lectrons. Le noyau est compos de protons, particules lmentaires charges lectriquement la valeur +e, et de neutrons, sans charge. Les lectrons sont des particules charges lectriquement la valeur -e. Ils tournent autour du noyau sur des orbites dfinies et ont une masse ngligeable vis vis des neutrons et protons (qui ont eux environ la mme masse). La charge lectrique lmentaire vaut e = 1,6E-19 C (C pour Coulomb, unit de charge lectrique). Les orbites des lectrons ont des dimensions trs grandes vis vis de celle du noyau, et l'ensemble de l'atome est lectriquement neutre, car il comprend autant de protons que d'lectrons. Les lectrons se rpartissent sur des orbites diffrentes qui forment des couches. Les couches sont remplies par les lectrons dans un ordre bien dtermin. Dans la mesure du possible, ceux-ci s'assemblent par paires. Quand ce n'est pas possible, ils restent clibataires . Quand l'atome possde plusieurs couches d'lectrons, les couches profondes contiennent un nombre d'lectrons indpendant de l'atome considr. C'est la couche priphrique qui fait la diffrence.

Fig. 1. Structure d'un atome (silicium).

6.4 LES LIAISONS INTER-ATOMIQUES.


Dans la matire, les atomes la constituant se combinent entre eux de manire lui donner une certaine cohsion. Macroscopiquement, ces liaisons, appeles valences, vont donner la consistance du matriau : gaz, liquide, solide plus ou moins dur, structure cristalline Pour la suite de l'expos, nous allons dcrire seulement deux types de valences ; il en existe d'autres que nous n'aborderons pas. Ces deux liaisons sont :

6.4.1 Les liaisons covalentes.


Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des lectrons clibataires de la couche priphrique (lectrons de valence). Ces lectrons s'associent en paires et appartiennent en commun aux deux atomes participant la liaison. De ce fait, les liaisons obtenues sont trs robustes : il faut leur fournir une nergie importante pour les casser. Dans ce type de liaison, les lectrons mis en commun restent trs lis aux atomes qui les fournissent. Ils ne peuvent pas circuler facilement dans la matire.

6.4.2 Les liaisons mtalliques.


Dans ce cas de liaison, ce ne sont pas deux atomes qui mettent en commun un ou plusieurs lectrons pour se lier ; un grand nombre d'atomes mettent en commun des lectrons clibataires. Les atomes ainsi dpouills de leur(s) lectrons(s) deviennent des particules non neutres du point de vue charge lectrique (des ions). Ils forment un rseau cristallin et baignent dans un nuage d'lectrons trs mobiles appels lectrons libres.

6.5 LA CONDUCTION LECTRIQUE. 6.5.1 Dfinition.


Lorsqu'on applique un champ lectrique extrieur sur un matriau, on a conduction si on observe la circulation d'un courant lectrique dans le matriau. Ce courant est d au dplacement de charges lectriques dans le matriau.

Fig. 2. Dplacement de charges dans un matriau. La figure 2 montre ce mcanisme : si on applique une diffrence de potentiel U AB entre deux points A et B d'un matriau distants d'une longueur L, on cr un champ lectrique E dans le matriau :

Ce champ va crer des forces sur les charges lectriques prsentes dans le matriau :

Si la charge q est positive, la force et le champ sont de mme sens, si elle est ngative, ils sont de sens opposs. Pour que des charges se dplacent dans un champ lectrique, encore faut-il que ces charges mobiles existent. Les paragraphes qui suivent vont faire le lien avec les types de liaisons atomiques vues prcdemment.

6.5.2 Les isolants.


Dans le cas des matriaux isolants, on a affaire des liaisons de type covalente : les lectrons clibataires de la couche priphrique forment tous des liaisons avec leurs homologues issus d'autres atomes adjacents. Les liaisons sont robustes, et les charges potentiellement mobiles (les lectrons) restent lies aux atomes auxquelles elles appartiennent. On a beau appliquer un champ lectrique sur ces matriaux, aucun courant lectrique ne circule, car il n'y a pas de charges mobiles. Il faut noter que les isolants sont aussi importants que les conducteurs en lectricit et en lectronique, car ce sont eux qui permettent de canaliser les courants lectriques l o on le dsire. Ils vont s'intercaler entre les conducteurs, et aussi assurer la protection des usagers (gaines isolantes, enrobages de cbles ).

6.5.3 Les conducteurs.


Les liaisons des atomes composant les matriaux conducteurs sont de type mtallique. Nous avons vu prcdemment que dans ce type de liaisons, chaque atome libre un lectron qui peut circuler librement dans le cristal. En l'absence de champ lectrique extrieur, ces lectrons se dplacent dans un mouvement dsordonn, et, statistiquement, la somme de tous les dplacements est nulle : il n'y a pas de courant lectrique gnr spontanment (ce qui serait l'quivalent du mouvement perptuel en mcanique !). Par contre, ds qu'on applique un champ lectrique extrieur au matriau conducteur, les lectrons vont circuler dans un sens bien dtermin par le sens du champ lectrique, crant un courant important.

6.5.4 Interprtation de la loi d'Ohm.


Tout le monde connat la loi d'Ohm :

Cette loi est interprtable au niveau atomique. Nous allons en donner les principales formulations ci-dessous. Certaines quations sont bien entendues parachutes, notamment celle qui parat la plus simple, savoir la mobilit des charges. Elle dcoule de la thorie du modle boules de billard , qui assimile les particules en mouvement des boules de billard qui se dplacent alatoirement et qui s'entrechoquent. Nous n'entrerons pas dans cette thorie. On se reportera l'ouvrage pr-cit (p.50) pour de plus amples renseignements.

6.5.5 Mobilit des charges.


De tout ce qui a t dit prcdemment, on se doute qu'un des principaux paramtres qui va dcrire l'aptitude d'un matriau conduire le courant lectrique est la mobilit des charges lectriques prsentes dans ce matriau. On le dfinit dans la relation suivante :

est la mobilit des charges exprime en m2 /Vs, v la vitesse de dplacement de ces charges dans la matire, et E l'intensit du champ lectrique appliqu sur le matriau (exprim en V/m).

6.5.6 Courant.
Le courant lectrique est le dbit de charges lectriques circulant dans le conducteur d'une section S donne, savoir la quantit de charges lectriques qui vont traverser cette section par unit de temps :

o n est le nombre de charges traversant la section S de conducteur la vitesse v. Chaque particule est charge la valeur lmentaire e = 1,6E-19C. Cette dfinition est tout fait assimilable au dbit d'eau dans une conduite. On voit ici que le courant dpend de la section du conducteur. Pour caractriser le matriau, on va utiliser une dfinition faisant abstraction de cette section : c'est la densit de courant.

6.5.7 Densit de courant.


La densit de courant J est tout simplement le rapport de l'intensit la section, soit :

La densit est proportionnelle la mobilit des charges, leur nombre, et au champ lectrique appliqu.

6.5.8 Conductivit et rsistivit.


Si on reprend l'quation [1] et la figure 2, on peut remplacer E par sa valeur dans l'quation [5], soit :

C'est la loi d'Ohm. La rsistance R du tronon de matriau de section S et de longueur L est gale :

Par dfinition, on appelle la conductivit la valeur :

La rsistivit est l'inverse de la conductivit, savoir :

Une autre forme de la loi d'Ohm est dans ce cas :

Exemples de valeurs de rsistivit : - = 1E12 m pour le diamant (isolant) - = 1,7E-8 m pour le cuivre (conducteur)

6.5.9 Influence de la temprature.


La temprature, en augmentant, va accrotre l'agitation des particules dans la matire, et ainsi gner leur dplacement lors de l'application d'un champ lectrique externe. La rsistivit du matriau va augmenter. Cette augmentation de la rsistivit avec la temprature est une loi linaire, et peut se mettre sous la forme :

a est la constante du matriau, o la rsistivit To et la rsistivit la temprature T. a vaut 4E-3K-1 pour le cuivre. Cela signifie que la rsistance d'un conducteur de cuivre va varier de 1% tous les 2,5C. On en tiendra compte lorsqu'on fera de telles mesures !

CHAPITRE 7 LES SEMI-CONDUCTEURS.

7.1 INTRODUCTION.
Nous venons de voir que les charges lectriques sont plus ou moins libres de circuler dans la matire sous l'influence d'un champ lectrique externe. Cette proprit nous a permis de distinguer les isolants (liaisons trs robustes, charges lectriques trs peu mobiles) des conducteurs (liaisons fragiles, charges trs mobiles). Les semi-conducteurs se situent entre ces deux extrmes (d'ou leur nom !). On va aussi pouvoir obtenir les caractristiques dsires en appliquant les transformations physico-chimiques adquates. Il en rsultera plusieurs sortes de semi-conducteurs que l'on pourra combiner pour obtenir des fonctionnements bien dtermins.

7.2 GNRALITS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS.

7.2.1 Semi conducteurs intrinsques.


Un semi conducteur est constitu par un rseau cristallin de matriau trs pur. On utilise soit des lments du tableau priodique possdant chacun 4 lectrons de valence, soit des combinaisons de matriaux qui possdent 3 et 5 lectrons de valence. Les atomes sont lis entre eux par des liaisons covalentes. Ces liaisons sont robustes, ce qui fait que pour arracher des lectrons des atomes, il faut fournir une nergie assez importante (environ 1eV, contre 0,1 eV pour les conducteurs et 5eV pour les isolants).

Fig. 3. liaisons dans un cristal de silicium. Les trois principaux semi conducteurs utiliss en lectronique sont : - le silicium (Si) : c'est le matriau le plus utilis actuellement pour la fabrication des composants lectroniques. - le germanium (Ge) : il est dlaiss (trop sensible en temprature : courants de fuite importants, temprature de fonctionnement limite).

- l'arseniure de gallium (AsGa) : il est trs utilis dans la fabrication de composants opto lectroniques, et permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en silicium ; ces applications sont cependant relativement rares. Les semi conducteurs ont une rsistivit lectrique intermdiaire entre les isolants (1E14 1E22 cm) et les bons conducteurs (1E-6 cm) : elle est comprise entre 1E2 et 1E9 cm. L'agitation thermique fait que certains lectrons quittent leur liaison et deviennent des lectrons libres. Ils crent alors un trou qui ne demande qu' tre rebouch par un autre lectron libre, surtout si on applique un champ lectrique sur le cristal : lectrons et trous se dplacent en sens inverse, engendrant ainsi un courant lectrique. Contrairement ce qui se passe dans les conducteurs, la rsistivit des semi conducteurs diminue quand la temprature augmente : en effet, plus la temprature est leve, plus le nombre de trous et d'lectrons libres augmente, et plus le courant produit est intense quand on branche un gnrateur sur le cristal.

7.2.2 Semi conducteurs extrinsques.


Les semi conducteurs intrinsques n'ont pas une grande utilit en tant que tels ; ils servent de base aux semi conducteurs dops : on y rajoute des impurets pour modifier leur comportement. Il existe deux types de semi conducteurs extrinsques :

7.2.3 Le semi conducteur de type P.


On dope le cristal intrinsque avec un lment possdant un nombre infrieur d'lectrons de valence : on peut doper du silicium (4 lectrons de valence) avec du Bore, de l'indium, du Gallium ou de l'Aluminium qui possdent 3 lectrons de valence (atome accepteur). Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium dans le cristal. Comme ils possdent 1 lectron de valence en moins, il va se crer des trous dans le semi-conducteur. Les trous deviennent porteurs de charges mobiles majoritaires : le semi conducteur est de type P. Il subsistera quelques lectrons libres dans le cristal (porteurs minoritaires). Les trous ainsi crs vont tre susceptibles d'tre bouchs par des lectrons prsents dans le cristal (par exemple, des lectrons issus de paires lectron-trou gnrs par l'agitation thermique).

7.2.4 Le semi conducteur de type N.


Le principe est le mme que pour le semi conducteur de type P, sauf qu'on dope le cristal avec des lments ayant un lectron de valence de plus (atomes donneurs) : le phosphore, l'arsenic et l'antimoine, qui possdent 5 lectrons de valence pourront doper le silicium par exemple. 4 lectrons vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de silicium environnants, et le 5me sera un lectron libre ; tous ces lectrons libres seront les porteurs majoritaires. Il existera encore quelques trous, mais en trs faible quantit. Les lectrons libres seront pratiquement aussi mobiles que dans le cas des conducteurs (liaisons mtalliques). A noter que dans ce cas, l'atome donneur devient ion positif, mais ceci ne cr pas un porteur trou comme dans le cas du silicium P, car cette charge positive ne peut pas se dplacer dans le cristal. A noter que dans les deux cas (types N et P), le cristal reste globalement lectriquement neutre , car le noyau des atomes donneurs comporte un proton de plus que l'atome du cristal intrinsque, et un de moins dans le cas des atomes accepteurs. Le dopage permet d'avoir beaucoup plus de porteurs d'une espce donne que de l'autre, et il a apport une fragilit supplmentaire dans les liaisons atomiques : l'nergie ncessaire pour arracher un porteur majoritaire d'un atome est d'environ 0,1eV: il y aura plus de charges participant la circulation du courant que dans un cristal intrinsque.

7.3 Conduction
En pratique, seuls les lectrons se dplacent. Au niveau mobilit des charges, on voit que pour le silicium N, les charges mobiles sont les lectrons libres , dont l'nergie de liaison se situe dans la

bande de conduction (il faut trs peu d'nergie pour les arracher de leur atome donneur) : ils vont donc tre trs mobiles. Pour le silicium P, le dplacement de trous se fera en fait par dplacement d'lectrons qui seront obligs de venir des autres liaisons covalentes (gnration de paires lectron-trou), donc de la bande de valence (il faut fournir une nergie relativement leve pour crer ces paires de porteurs) : ils vont tre beaucoup moins mobiles que les lectrons libres du silicium N, ce qui explique que la conductivit du silicium P soit plus faible que celle du N. La conduction est le rsultat de trois termes : - Conduction par champ lectrique : un champ externe va fournir suffisamment d'nergie aux lectrons libres (N) ou au trous (P) : en fait, les lectrons de valence voisins du trou) pour qu'ils se dplacent. On a une conduction dans un barreau de silicium monocristal (N ou P). La conduction est meilleure dans le N cause de ce qui a t dit prcdemment. - Conduction par diffusion des porteurs : n'existe pas dans un cristal homogne. Ce phnomne est d l'htrognit du matriau (jonction, dopage non homogne ) : il y a un gradient de concentration des charges qui se dplacent pour se rpartir de faon homogne dans le cristal la manire des gaz. - Conduction par cration/recombinaison de charges : ceci concerne les charges libres minoritaires, qui peuvent tre cres de diverses manires : mission photonique, avalanche, passage de la barrire de potentiel d'une jonction Ces charges en excs se recombinent avec les porteurs majoritaires selon une loi exponentielle de constante de temps gale la dure de vie des porteurs.

CHAPITRE 8 THEORIE DE LA DIODE


8.1 INTRODUCTION.
La diode est le semi-conducteur de base : on ne peut pas combiner du silicium dop plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est assimilable celui d'un interrupteur command qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens. Cette proprit lui ouvre un champ d'applications assez vaste en lectronique. C'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur et autoriser la fabrication d'alimentations stabilises qui sont obligatoires dans la plupart des montages lectroniques. On conoit donc que si ce composant est basique , ainsi que son fonctionnement, il n'en n'est pas moins fondamental ! Dans la catgorie des diodes, on trouve aussi des diodes de rgulation, dites diodes zner, qui ont un comportement de source de tension. Cette proprit va permettre d'laborer autour de ce composant simple toute une srie de montages dlivrant une ou plusieurs tensions continues. La fonction diode a exist bien avant l'arrive du silicium : on utilisait alors des diodes vide (les lampes ) dont le fonctionnement tait bas sur l'effet thermolectronique. Le silicium a apport les avantages suivants : cot, fiabilit, encombrement, simplicit d'utilisation

8.2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT. 8.2.1 LA JONCTION. (GIF couleur 22ko)


Si on dope une partie d'un semi conducteur intrinsque avec des atomes 5 lectrons priphriques (le semi conducteur devient extrinsque de type N) et l'autre avec des atomes 3 lectrons priphriques (extrinsque de type P), on cre une jonction, qui est la limite de sparation entre les deux parties. Nous avons fabriqu une diode jonction.

1.

quilibre sans gnrateur. (GIF couleur 17ko)

Fig. 1. quilibre au niveau de la jonction. Au voisinage de la jonction , les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand le champ lectrique Eint cr par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrire de potentiel pour les porteurs majoritaires. Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires (conduction lectrique). Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'quilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en l'absence de champ lectrique extrieur.

2.

Avec un gnrateur en sens direct. (GIF couleur 18ko) La barrire de potentiel interne empche donc toute circulation de courant. Si on applique un champ externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la zone P et le ple - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le phnomne d'attraction des lectrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrari, et le gnrateur va pouvoir injecter des lectrons dans la zone N et les repomper par la zone P. Le courant de conduction constitu par les porteurs minoritaires prend une valeur I f indpendante du champ extrieur. Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct d aux porteurs majoritaires ds que la tension atteint la centaine de mV. La diode est alors polarise dans le sens direct, et un courant relativement intense peut circuler : de quelques dizaines de milliampres pour des diodes de signal quelques ampres pour des diodes de redressement standard, voire des centaines d'ampres pour des diodes industrielles de trs forte puissance.

3.

Avec un gnrateur en sens inverse. (GIF couleur 18ko) Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent, on renforce le champ lectrique interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les lectrons libres sont repousss dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la sparation des charges (zone de dpltion). Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et lectrons libres pour la zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par le gnrateur : ils forment le courant inverse I f qui dpend essentiellement de la temprature. Le champ extrieur repousse les charges qui vont se trouver une distance sensiblement proportionnelle |V|, crant ainsi une capacit proportionnelle cette distance, donc |V|. Cette capacit est inhrente toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale limitation (en rgime linaire tout du moins) au fonctionnement haute frquence des composants lectroniques (diodes, transistors et circuits intgrs les employant).

B.

CARACTRISTIQUES LECTRIQUES.

1.

Caractristique courant/tension.

Caractristique globale. On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension V d = V p -V n ngative (ceci est vrai jusqu' une tension V c dite tension de claquage). Au dessus d'un certain seuil V o de tension V d positive, le courant direct croit trs rapidement avec V d . Le seuil V o (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base utilis. Il est d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium. La caractristique a la forme suivante :

Fig. 2. Caractristique complte.

Caractristique directe (V d > 0)

Fig. 3. Caractristique directe d'une diode. Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de 0,7V. C'est une diode de redressement supportant 1A en direct et 600V en tension inverse.

Autour de zro. La caractristique passe par l'origine. Pour V d ngatif, le courant tend rapidement vers la limite -I f (courant de fuite) , car le courant de diffusion d aux porteurs majoritaires va s'annuler.

Caractristique inverse (V d < 0). Phnomne de claquage. Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcrot (attention : il est dj ngatif !) trs rapidement. S'il n'est pas limit par des lments externes, il y a destruction rapide de la diode. Deux phnomnes sont l'origine de ce rsultat : - phnomne d'avalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction devient trop intense, les lectrons acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libre d'autres lectrons qui sont leur tour acclrs Il y a divergence du phnomne, et le courant devient important. - phnomne Zener : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le champ lectrique dans la zone de transition et crent un courant qui devient vite intense quand la tension V d atteint une valeur V z dite tension Zner.

Si on construit la diode pour que le phnomne Zner l'emporte sur le phnomne d'avalanche (en s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient une diode Zner. On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet zner n'est pas destructif dans ce cas. Ces diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.

quation.

Fig. 4. Linarit de Log (I) fonction de V. la courbe Fig. 2. ( l'exception de la zone de claquage) rpond assez bien la formule suivante, explique par la thermodynamique statistique :

o : - I f est le courant de fuite - q la charge de l'lectron = 1,6E-19C - k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K - T temprature absolue La loi logarithmique [1] est bien illustre par les figures 3 et 4. La courbe exprimentale s'loigne toutefois de la thorie aux forts courants, o le modle n'a pas tenu compte d'autres phnomnes dont les chutes de tension ohmiques dans le semi conducteur. A noter que sur la figure 4, le courant maxi reprsent est gal au 1/10me admissible par cette diode.

Effet de la temprature. Pour V d positif, la diode a un coefficient de temprature ngatif gal 2mV/K. Cette drive en temprature est suffisament stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme thermomtres. Pour V d ngatif, le courant de fuite I f varie trs rapidement avec la temprature. Il est plus important pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui devient rapidement gnant. Dans le silicium, ce courant double tous les 6C.

2.

Rsistance diffrentielle (ou dynamique).

Fig. 5. Rsistance dynamique. La rsistance dynamique tant l'inverse de la pente de la caractristique en un point donn, on peut la dduire par drivation de la formule [1] :

C'est la rsistance dynamique au point de fonctionnement (V d , I d ). Elle est fonction du courant de polarisation I d au point tudi. La figure 5 donne la valeur de r d en fonction de la tension de la diode : les variations sont trs importantes.

3.

Schma quivalent. La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de tous les jours. Plusieurs schmas quivalents simplifis sont proposs :

Diode idale. Dans ce cas, on nglige la tension de seuil et la rsistance interne de la diode. La caractristique est alors celle de la figure 6. Ce schma est utile pour des pr calculs, surtout si les diodes sont employes dans des circuits o les tensions sont leves (plusieurs dizaines de volts) : la tension de coude est alors ngligeable.

Fig. 6. Caractristique idale.

Diode avec seuil. On peut continuer ngliger la rsistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La caractristique devient :

Fig. 7. Caractristique avec seuil. Ce schma est le plus utilis pour les calculs.

Diode avec seuil et rsistance. Ici, on prend en compte la rsistance de la diode. Ceci peut tre utile si on utilise la diode en petits signaux alternatifs et qu'on a besoin de sa rsistance dynamique.

Fig. 8. Caractristique avec seuil et rsistance. Attention : dans ce cas, on considre que la rsistance dynamique est constante, ce qui n'est vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en continu.

II.

UTILISATION.
Il existe divers types de diodes correspondant des technologies diffrentes. Chaque technologie prsente le meilleur compromis pour une utilisation donne. Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe technologique.

8.3

Paramtres essentiels des diodes. En fonction de l'application considre, on s'intressera certains paramtres des diodes plutt qu' d'autres. Certains paramtres ne sont pas spcifis pour tous les types de diodes, sauf les suivants qui sont incontournables : - V F : tension de coude de la diode spcifie un courant direct donn. - I F : courant direct permanent admissible par la diode la temprature maxi de fonctionnement. - I FSM : courant temporaire de surcharge (rgime impulsionnel). En gnral, pour un courant de surcharge donn, le constructeur spcifie l'amplitude des impulsions, leur dure, le rapport cyclique, et dans certains cas, le nombre maxi d'impulsions qu'on peut appliquer. - V R : c'est la tension inverse maxi admissible par la diode (avant l'avalanche). - I R : c'est le courant inverse de la diode. Il est spcifi une tension inverse donne, et pour plusieurs tempratures (gnralement 25C et Tmax). Ce courant n'est pas seulement celui d aux porteurs minoritaires. Il provient aussi des courants parasites la surface de la puce (le silicium est passiv par oxydation, et il peut subsister des impurets qui vont permettre le passage de faibles courants). Le boitier d'encapsulation de la puce de silicium est aussi source de fuites. Ces symboles sont ceux gnralement employs par les diffrents constructeurs, mais il peut y avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter la documentation du

constructeur pour savoir comment sont spcifis les paramtres, et quoi ils correspondent exactement.

A. DIODES DE REDRESSEMENT. Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du secteur pour faire des gnrateurs de tension continue destins alimenter les montages lectroniques (entre autres). Il y a deux types principaux de diodes de redressement : les diodes standard pour le redressement secteur classique, et les diodes rapides pour les alimentations dcoupage. Nous tudierons ces dernires ultrieurement.

1.

Caractristiques physiques. Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font l'objet d'aucun traitement particulier, les conditions d'utilisations tant peu contraignantes. Elles ont des tensions V R comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants I F vont de 1A plusieurs centaines d'ampres. Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert abaisser la tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent sous des tensions de polarisation allant de quelques volts quelques dizaines de volts), et qui sert aussi isoler les montages du secteur (220V, a peut faire trs mal !).

2.

Redressement simple alternance. C'est le redressement le plus simple qui soit : quand la tension aux bornes du transformateur V t dpasse la tension de seuil de la diode, celle-ci conduit, laissant passer le courant direct dans la charge. La tension aux bornes de la charge V r est alors gale la tension aux bornes du transformateur moins la tension directe V F de la diode.

Fig. 9. Redressement avec une diode. Quand la tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de seuil, la diode est bloque ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est ngligeable en comparaison du courant direct. La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du transformateur : il faudra choisir une diode avec une tension V R au minimum gale la tension crte du secondaire du transformateur.

3.

Redressement double alternance.

Avec transfo double enroulement.

Fig. 10. Redressement avec transfo double sortie. Le montage prcdent prsente l'inconvnient de ne laisser passer que la moiti du courant que peut dlivrer le transformateur. Pour remdier cel, on utilise un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on cble de manire ce qu'ils dlivrent des tensions en opposition de phase sur les diodes.

On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand les tensions alternatives sont faibles (4V crte dans l'exemple cidessus). Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques celui de la Fig. 9 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance ngative. On vrifie bien (Fig. 11 et 12) que le courant dans la charge est toujours orient dans le mme sens.

Fig. 11. Alternance positive.

Fig. 12. Alternance ngative. Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle devra supporter une tension V R double de celle requise dans le montage simple alternance, soit deux fois la tension crte prsente sur chacun des secondaires.

Avec pont de Grtz.

Fig.13. Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne ncessitant pas un transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes montes en pont. Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de rduire le nombre de composants du montage. Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est ngative, D2 et D3 conduisent (Fig. 14 et 15).

Fig. 14. Alternance positive.

Fig.15. Alternance ngative. Chaque diode n'a supporter qu'une fois la tension crte du secondaire du transformateur (contre deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on a deux tensions directes de diode en srie. La puissance totale dissipe dans les diodes est double par rapport la solution prcdente.

Quelle solution choisir ? Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transfo point milieu, pour plusieurs raisons : - le transfo n'est pas plus cher que celui secondaire simple. - avec un transfo un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double symtrique en redressement double alternance. Ce type de transfo est moins universel . - le fait que les diodes aient tenir une tension double n'est pas un problme dans la plupart des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux tensions V R minimum des diodes disponibles dans le commerce. - dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut tre gnant dans certains cas.

4.

Filtrage.

Les montages prcdents dlivrent des tensions redresses mais non continues. Pour obtenir une tension (quasi) continue, il suffit de mettre un gros condensateur en parallle avec la charge.

Redressement simple alternance. Ici, la charge est absolument quelconque, et peut tre un montage lectronique complexe ayant une consommation en courant alatoire.

Fig. 16. Redressement simple alternance et filtrage. Sur le graphique du bas de la Fig. 16, on voit en pointill la tension redresse telle qu'elle serait sans condensateur. En traits pleins pais, on voit la tension filtre. Sur ce graphe, le courant de dcharge du condensateur est linaire : il correspond l'hypothse de dcharge courant constant. Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est suprieure la tension aux bornes du condensateur additionne de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du condensateur. Quand la tension du transformateur devient infrieure celle du condensateur plus la tension de coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur / charge forme alors une boucle isole du transformateur. Le condensateur se comporte comme un gnrateur de tension, et il restitue l'nergie accumule dans la phase prcdente. A noter que la tension aux bornes du condensateur tant en permanence voisine de la tension crte positive du transformateur, lorsque celui-ci

fournit la tension de crte ngative, la diode doit supporter deux fois la tension crte dlivre par le transformateur : on perd le seul avantage (hormis la simplicit) du montage redressement simple alternance. Calcul du condensateur : dans la littrature, on trouve classiquement le calcul du condensateur pour une charge rsistive. La dcharge est alors exponentielle et le calcul inutilement compliqu. Ce calcul est assez loign des besoins rels : en gnral, on ne fait pas des alimentations continues pour les faire dbiter dans des rsistances ! Trs souvent, ces alimentations redresses et filtres sont suivies d'un rgulateur de tension. La charge est frquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours du temps. Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une dcharge courant constant, le courant servant au calcul tant le maximum (moyenn sur une priode du secteur) consomm par la charge. Le critre de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilit pratique, mais une chute de tension maxi autorise sur le condensateur pour que le montage connect en aval fonctionne correctement. Avec ces hypothses, le calcul du condensateur devient trs simple : On considre que le condensateur C se dcharge courant Imax constant pendant un temps T et que la chute de sa tension est infrieure V. On a alors la relation :

Le temps T choisi va tre approxim la priode du secteur. En pratique, le condensateur va se dcharger moins longtemps (Fig. 16), on va donc le surdimensionner lgrement. L'erreur commise est en fait trs faible compare la dispersion que l'on aura sur le rsultat de par les tolrances des composants, et notamment des condensateurs de filtrage : on utilise des condensateurs chimiques qui ont des tolrances trs larges (-20% / +80% en gnral) et qui n'existent souvent que dans la srie E6 (1 ; 1,5 ; 2,2 ; 3,3 ; 4,7 ; 6,8). Les transformateurs sont eux aussi assez disperss, ce qui fait qu'au final, mieux vaut prvoir large pour viter les mauvaises surprises ! Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui correspond l'inverse de la frquence secteur 50Hz. La valeur du condensateur est alors :

Il faudra veiller choisir un condensateur supportant au moins la tension crte du transformateur vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions diverses (rsistance du transfo, diode ).

Redressement double alternance. Les hypothses seront les mmes que prcdemment. La seule diffrence viendra du temps T ; vu qu'on a un redressement double alternance, la frquence du courant redress est double de celle du secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :

Comme dans la formule [4], F est la frquence secteur (50Hz en France). A chute de tension gale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le redressement simple alternance, ce qui est intressant, vu la taille importante de ces composants. La diode aura tenir deux fois la tension crte dlivre par chaque enroulement du transformateur.

Fig. 17. Redressement double alternance et filtrage.

Fonctionnement des diodes et transfos. On peut remarquer Fig. 16 et 17 que les diodes ne conduisent pas pendant toute l'alternance du secteur, mais seulement pendant un temps trs court vis vis de cette alternance. L'nergie qui est restitue par le condensateur dans la phase de roue libre doit tre au pralable stocke pendant ce court temps de conduction des diodes.

La consquence de ceci, c'est que pour assurer un certain courant moyen dans la charge, l'ensemble transfo plus diode devra dbiter un courant de crte beaucoup plus intense que le courant moyen lors des phases de conduction des diodes (environ 15 fois le courant moyen). Voir chronogramme (GIF couleur 15ko) La chute de tension dans les diodes sera alors importante (plus prs d'1V que de 0,6V) ainsi que la chute de tension dans les rsistances du transformateur. Il ne faudra pas perdre ces considrations de vue quand on voudra calculer l'alimentation au plus juste ! L'autre consquence est le dmarrage de l'alimentation : lorsqu'on branche le transformateur sur le secteur, on peut se trouver au maximum de tension de l'alternance secteur. La charge du transformateur, principalement constitue du condensateur de filtrage, sera l'quivalent d'un court-circuit. Le courant d'appel sera alors uniquement limit par la rsistance interne du transformateur (quelques dizimes d'ohms quelques ohms), et il sera trs intense : les diodes devront supporter ce courant (paramtre I FSM )

5.

Alimentations doubles symtriques. Si on analyse le fonctionnement du redresseur double alternance transformateur point milieu, on s'aperoit que chaque secondaire dbite du courant seulement pendant une alternance. L'autre alternance serait susceptible de fournir un courant ngatif. Partant de cette constatation, on peut imaginer facilement une alimentation double symtrique, avec 4 diodes dispose en pont : deux diodes vont conduire les alternances positives des secondaires du transformateur, et les deux autres les alternances ngatives. Le point milieu du transformateur sera le potentiel commun des deux alimentations.

Fig. 18. Alimentation double positive et ngative. On peut bien videmment mettre un condensateur aux bornes de chacune des charges pour filtrer les tensions redresses obtenues. Ces alimentations sont incontournables dans les montages symtriques o il est ncessaire d'amplifier des tensions continues, et notamment dans les montages amplificateurs oprationnels

6.

Doubleur de tension. Dans certaines applications, on peut avoir besoin de tensions continues trs leves (quelques milliers de volts). On pourrait les obtenir avec un transformateur lvateur et un redressement / filtrage classique. Il existe une solution moins onreuse faisable avec des diodes et des condensateurs : c'est le doubleur de tension. Le montage de la Fig. 19. se dcompose en deux : redressement / filtrage par la cellule D1 / C1, puis dtecteur de crte D2 / C2.

Fig. 19. Doubleur de tension de Schenkel. Aux bornes du condensateur C1, si la charge est infinie, la tension V c restera constante et gale la tension crte du transformateur. La diode D1 verra ses bornes la tension V t + V c , dont la valeur crte est gale deux fois la tension crte du transformateur. Tout se passe comme si la tension du transformateur avait t translate d'une fois la valeur de la tension crte. Il suffit alors de filtrer cette tension sa valeur de crte avec D2 et C2 : on obtient une tension continue gale deux fois la tension crte du transformateur. Il est possible de continuer ce raisonnement, et en ajoutant d'autres cellules semblables celle du doubleur, on peut tripler, quadrupler ou plus les tensions. Ces montages sont utiliss entre autres pour gnrer les tensions d'acclration des tubes d'oscilloscopes (2 5 kV). On remarquera qu'ils ne peuvent pas dbiter beaucoup de courant (les tensions mises en jeu ne permettent pas d'utiliser des condensateurs de forte valeur), et donc, ils sont plutt destins des applications quasi statiques.

B. DIODES AVALANCHE CONTRLE. Les diodes de redressement standard ne sont pas garanties pour fonctionner au del de la tension V R spcifie. Si on utilise des diodes standard dans des milieux parasits, il se peut qu'on dpasse momentanment la tension inverse maxi et qu'on dtruise la diode. Certaines applications ont besoin de diodes qui ne soient pas dtruites par une entre en avalanche.

1.

Caractristiques physiques. Les diodes avalanche contrles sont fabriques dans du silicium de meilleure qualit que les diodes standard : meilleure homognit du cristal, traitement de surface pouss limitant les courants de fuite La rsistivit du silicium est ainsi plus homogne, et lorsque le phnomne d'avalanche se produit, c'est dans tout le volume du cristal qui peut alors supporter des puissances trs leves pendant quelques dizaines de s. Ces diodes sont svrement tries en fin de fabrication pour dtecter les dfauts ventuels. On spcifie en plus des I R et V R standards une tension inverse maxi pour un courant inverse donn.

2.

Protection contre les surtensions. Une des applications est l'utilisation dans des milieux parasits : des surtensions brves (quelques s) d'une amplitude trs suprieure la tension V R de la diode peuvent apparatre : la diode va partir en avalanche, et limiter la surtension parasite. Ce phnomne ne sera pas destructif car la diode est conue pour fonctionner en avalanche sans casser. Il y a une double fonction d'autoprotection (la diode n'est pas dtruite), et de protection de l'environnement de cette diode (crtage de la surtension).

3.

Mise en srie de diodes. Lorsqu'on veut bloquer des fortes tensions sans faire appel des diodes spciales haute tension (chres et difficiles se procurer), on peut mettre en srie plusieurs diodes dont la somme des V R sera suprieure la tension bloquer. Si on met en srie des diodes ordinaires, les tensions ne vont pas se rpartir de faon gale pour toutes les diodes comme le montre la Fig. 20.

Fig. 20. Caractristiques de deux diodes. Si on met les deux diodes de cet exemple en srie, sans autres composants en parallle, le courant de fuite sera le mme pour les deux diodes, et tel que V D1 + V D2 = U, tension totale bloquer ; V D1 et V D2 sont les tensions aux bornes des diodes D1 et D2 pour le courant de fuite commun I R . La diode D1 qui fuit plus que l'autre tension donne va imposer un courant I R entranant une tension aux bornes de D2 suprieure la tension de claquage V R : D2 va tre dtruite par avalanche. Dans le cas gnral o on met plusieurs diodes en srie, la rupture de la premire entrane la destruction en chane de toutes les autres diodes. La solution est dans les diodes avalanche contrle : les courants de fuite (hors porteurs minoritaires) sont trs rduits par construction, et une ou plusieurs diodes peuvent rentrer en avalanche sans problmes. Le courant de fuite tant faible, la puissance dissipe restera dans les limites admissibles par le composant.

C. DIODES DE REDRESSEMENT RAPIDES.

1.

Notions de charge recouvre. Nous avons dj mentionn le phnomne de diffusion au travers de la jonction PN : les lectrons majoritaires de la zone N franchissent la jonction et tendent neutraliser les trous de la zone P et vice versa. Quand la jonction est polarise en direct, le champ lectrique externe s'oppose au champ lectrique interne cre par les ions dpossds de leur lectron (zone N) ou trou (zone P) libres, et permet ainsi une plus grande diffusion des porteurs majoritaires dans la rgion de type oppos o ils deviennent minoritaires. Ils se recombinent alors avec une charge de signe oppos. Ce phnomne de recombinaison n'est pas instantann : les porteurs ont une dure de vie t gale environ 1ms dans le silicium. Il existe donc dans le cristal des charges en excs de part et d'autre de la jonction, la manire de charges prsentes sur les armatures d'un condensateur. On associe d'ailleurs cette charge, appele charge stocke , une capacit appele capacit de diffusion . Si on inverse brusquement la polarit aux bornes de la diode pour la bloquer, ces porteurs vont se comporter de la mme manire que les porteurs minoritaires en

rgime inverse tabli : ils vont tre attirs de l'autre ct de la jonction par le champ lectrique externe et vont former un courant intense qui va s'ajouter au courant de fuite I s , jusqu' ce que la charge stocke disparaisse. Ce courant va dcrotre jusqu' devenir nul pendant un temps t RR appel temps de recouvrement inverse . La charge stocke est d'autant plus importante que le dopage est important. Le dopage intervenant directement dans la conductivit du cristal, il se pose le problme pour les diodes de puissance qui ncessitent une conductivit, et donc un dopage importants. Pour diminuer la charge stocke dans ces composants, on utilise des piges recombinants, qui sont souvent des atomes d'or. Ils diminuent la dure de vie des porteurs, ce qui induit une charge stocke plus faible.

2.

Utilisation. Ces diodes sont utilises en lectronique de puissance partout o l'on doit commuter trs rapidement des courants importants. Elles sont le complment indispensable des transistors de puissance rapides. Des diodes standard sont inutilisables dans ces cas l car elles sont trop lentes. Lors de la commutation des transistors, elles se comporteraient comme des court circuits (pendant le temps de recouvrement inverse), ce qui entranerait des surcourants dans les transistors, et leur destruction plus ou moins rapide.

D. DIODES DE SIGNAL. Les diodes prcdemment tudies font intervenir des courants et tensions non ngligeables. Les diodes de signal sont utilises dans des applications bas niveaux de courants et tensions.

1.

Carctristiques physiques. Les diodes de signal n'ont pas besoin de tenir des fortes tensions inverses : par construction, elles pourront avoir une capacit parasite faible, et donc fonctionner des frquences leves. Ces caractristiques sont obtenues grce une surface de jonction rduite et un faible dopage (diminution des charges stockes).

2.

Dtecteur de crte.

Ce dispositif permet de mmoriser la valeur crte d'un signal. Il est trs utilis en instrumentation. C'est en fait un redresseur simple alternance avec filtrage dont la charge est quasi nulle (aux courants de fuite prs) : la constante de temps de dcharge du condensateur est thoriquement infinie, (trs grande en pratique). Il se charge donc la valeur crte (moins la tension de seuil de la diode) et reste charg cette valeur. La rsitance R sert limiter le courant de charge du condensateur une valeur raisonnable pour le gnrateur d'attaque. Lorsque la tension e est suprieure la tension aux bornes du condensateur U plus la tension de coude de la diode, celle ci conduit et charge le condensateur travers la rsistance R. A noter que tel quel, ce montage est inexploitable pour des petits signaux : la tension mmorise par la diode et le condensateur est infrieure la valeur crte du signal d'entre de la tension de seuil de la diode. Il existe une version amliore avec amplificateur oprationnel qui pallie cet inconvnient. Il faut aussi adjoindre ce montage un sytme permettant de dcharger le condensateur pour faire une nouvelle mesure.

Fig. 21. Dtecteur de crte.

3.

Dtection AM. En radio diffusion, on ne peut pas mettre correctement un signal audible (20Hz20kHz) directement sous forme d'une onde radio-lectrique : il faut passer par un signal haute frquence (Fig. 22.).

Fig. 22. Signal HF modul en amplitude.

Fig. 23. Dtecteur grandes ondes . Le signal haute frquence (quelques centaines de kHz), qu'on appelle la porteuse est modul en amplitude par le signal audio (basse frquence) mettre. A l'arrive ( le poste transistors !), on doit sparer les deux signaux. On le fait trs simplement avec une diode et un condensateur (Fig. 23.).

Fig. 24. Signal dmodul. Sans la rsistance R, on aurait un dtecteur de crte comme prcdemment. On dtermine cette rsistance de manire ce que la constante de temps RC soit petite devant la priode de la porteuse, et grande devant la priode du signal mettre : on arrive ainsi reconstituer le signal basse frquence (BF) : c'est la courbe en gras de la Fig. 24.

4.

Thermomtres. Compensation thermique. C'est une utilisation importante des diodes. La tension directe des jonctions PN en silicium est affecte d'un coefficient de temprature ngatif (environ -2mV/C). Certains montages transistors ncssitent une drive minimum en temprature. On peut arriver compenser cette drive l'aide d'une diode couple thermiquement au transistor et place judicieusement dans son circuit de base (voir chapitre sur les transistors).

Cette drive en temprature peut aussi tre utilise comme thermomtre sur un montage. Lorsque la diode dtecte des tempratures trop leves, elle peut commander un circuit qui va (par exemple) couper certaines fonctions du montage (autoprotection). Cette fonction est trs utilise dans les composants intgrs.

III.

DIODES SPCIALES.

DIODES ZENER.

1.

Caractristique.

Fig. 25. Caractristique d'une diode zner. Nous avons dj parl de l'effet zner. Il concerne la caractristique inverse de la diode. En direct, une diode zner se comporte comme une mauvaise diode normale. En inverse, on fait en sorte que par construction l'effet zner et / ou d'avalanche se produise une tension bien dtermine, et ne soit pas destructif. La caractristique inverse prsente alors l'allure d'un gnrateur de tension faible rsistance interne. En gnral, les constructeurs spcifient : - la tension d'avalanche V zt pour un courant dtermin I zt . (les valeurs de tension sont normalises). - ce point de fonctionnement V zt / I zt , on donne la rsistance dynamique de la diode r zt . - le courant I zm pour lequel la puissance dissipe dans le composant sera le maximum admissible. - on indique aussi le coefficient de variation en temprature de la tension V zt .

En dessous de V zt = 5V, c'est l'effet zner qui prdomine. Au dessus, c'est l'effet d'avalanche. L'effet zner est affect d'un coefficient de temprature ngatif (V zt diminue quand la temprature augmente), et l'effet d'avalanche d'un coefficient positif. Les diodes ayant une tension V zt d'environ 5V ont un coefficient de temprature nul, car les deux phnomnes se produisent de manire quilibre, et leurs effets se compensent. L'effet d'avalanche est plus franc que l'effet zner, ce qui fait que le coude de tension inverse est plus arrondi pour les diodes zner de faible tension. Les diodes optimales en terme d'arrondi de coude et de rsistance dynamique ont des tensions zner voisines de 6 7V.

2.

Schma quivalent. Pour simplifier les calculs, et comme pour la diode, on va dfinir un schma quivalent approchant la ralit. Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schma suivant modlise bien le comportement d'une diode zner :

Fig. 26. Schma quivalent de la diode zner On dfinit une tension de coude Vzo, et une rsistance interne constante Rz. Ce schma sera utiliser avec beaucoup de prudence sur des zners de faible tension (< 5V) : leur coude est trs arrondi, et la rsistance dynamique varie beaucoup avec le courant. Pour des tensions suprieures 5V, il n'y aura en gnral pas de problmes.

3.

Rgulation de tension. De par leurs caractristiques de gnrateur de tension, ces diodes sont idales pour rguler des tension continues ayant une ondulation rsiduelle non ngligeable (cas des tensions redresses filtres).

Fig. 27. Rgulation de tension avec diode zner. Il est ncessaire d'intercaler une rsistance (ou un gnrateur de courant) entre le gnrateur de tension filtre et la zner de rgulation : ces deux lments ayant des caractristiques de gnrateurs de tension faible rsitance interne, on ne peut pas les brancher directement l'un sur l'autre sans les dtruire. Pour que la zner fonctionne et assure son rle de rgulateur, il faut qu'un courant I z non nul circule en permanence dans ce composant, et ce quelles que soient les variations de la tension d'entre V c et de la charge R u . La rsistance R assure donc le rle de polarisation de la zner, et elle sera calcule pour que la condition nonce ci-dessus soit remplie. Il faudra aussi veiller ce que le courant I z ne dpasse pas le courant I zm , sous peine de dtruire le rgulateur.

Fig. 28. Schma quivalent du rgulateur Lorsque la polarisation est correcte, on peut faire le schma quivalent du montage. La tension d'entre du rgulateur a t scinde en une tension continue (la tension moyenne aux bornes du condensateur), et une tension alternative (l'ondulation). On peut dfinir deux coefficients de stabilisation pour caractriser ce montage. En effet, il est loin d'tre parfait, et la tension de sortie va varier lorsque la tension d'entre et / ou la charge vont varier. On distingue deux coefficients : - Stabilisation amont : ce coefficient est reprsentatif de la sensibilit du montage aux variations de la tension non rgule, et ceci charge constante . Si on utilise les notations de la Fig. 27, c'est le rapport ( V z / V c )I u = cte. - Stabilisation aval : ce coefficient est reprsentatif de la variation de la tension de sortie quand le courant dans la charge varie (R u varie de R u ), et ceci tension d'entre constante. C'est le rapport ( V z / I u )V c = cte, soit en fait, l'impdance de sortie du montage . Ce paramtre est trs important dans tous les rgulateurs de tension.
R

Il est plus simple pour calculer ces coefficients d'utiliser le schma quivalent alternatif petits signaux. On retire alors toutes les sources de tension continues.

Fig. 29. Schma quivalent petits signaux Pour le coefficient de stabilisation amont, on a :

Comme en gnral R u >> Rz, cette formule devient :

On voit le dilemme : plus R est grand, plus la stabilisation amont est bonne, mais en contrepartie, quel gchis ! Il faudrait prvoir des tensions filtres trs grandes par rapport aux tensions rgules pour avoir un bon coefficient de rgulation. Cela ferait beaucoup d'nergie perdue dans R. Pour pallier cet inconvnient, on remplace R par un gnrateur de courant : la chute de tension ses bornes pourra tre petite, et par contre, sa rsistance interne (celle qui va servir pour le calcul en remplacement de R) sera trs grande : on a les deux avantages, une trs bonne rgulation et un bon rendement. Le coefficient de stabilisation aval est gal l'impdance de sortie du montage ; c'est la rsistance du gnrateur de Thvenin quivalent, soit :

R tant souvent trs suprieur Rz, on obtient :

Dans ce cas, il n'y a pas grand chose esprer d'un artifice quelconque pour amliorer cette valeur, sauf rajouter d'autre composants actifs comme des transistors. En gnral, on rajoute toutefois un condensateur en parallle avec la zner : son impdance vient diminuer celle du montage aux frquences leves. C'est avantageux si le montage aliment a une consommation en courant avec des composantes hautes frquences. Ce condensateur diminue aussi le bruit interne de la zner qui est assez important. Ce type d'alimentation est appel rgulateur shunt , car le courant de rgulation I z est driv la masse. En pratique, ces rgulateurs sont utiliss dans des montages simples ncessitant peu de puissance.

4.

crtage des surtensions. De par leurs caractristiques, les diodes zner sont idales pour crter des surtension (commutation de selfs ou autres) et sont donc toutes indiques pour la protection d'autre semi-conducteurs sensibles a ces surtensions. Certains composants comme les transils ont des caractristiques similaires aux zners, mais peuvent supporter des puissances crte considrables pendant de courts instants. Ils sont utiliss pour protger les installations coteuse contre la foudre et les parasites d'quipements industriels (gros moteurs, relais de puissance, commutateurs statiques ).

A. DIODES LECTROLUMINESCENTES.

1.

Caractristique. Ces diodes spcifiques base d'arseniure de gallium ont la proprit d'mettre de la lumire dans une bande de frquence dtermine par les caractristiques du matriau employ quand elles sont traverses par un courant direct. Il en existe de diverses couleurs (jaune, orang, rose, rouge, vert, infrarouges). Leur rendement lumineux est assz faible. On les utilise avec un courant direct d'environ 10 20mA. La tension de coude de ces composants est plus leve que pour les diodes standard, et elle dpend de la couleur. Elle va de 1,2 2V environ.

2.

Utilisation. Les utilisations des Led sont de plus en plus nombreuses, car ces composants sont plus fiables que des lampes incandescence, et leur rendement est un peu meilleur. On les rencontre partout o on a besoin de tmoins lumineux, et de plus en plus, associes en matrices pour remplacer des grosses lampes (feux tricolores de circulation par exemple), ou pour faire des panneaux d'affichage lectroniques (heure, temprature, publicits diverses ). Les diodes infrarouges servent beaucoup dans les tlcommandes d'appareils TV / HIFI. On les utilise alors avec des forts courants pulss.

B. AUTRES.

Il existe encore beaucoup d'autres varits de diodes. Citons entres autres : - les diodes Schottky, jonction mtal / semi-conducteur : cette jonction htrogne est caractrise par l'absence de stockage des charges, elle est donc trs rapide. Elle est trs utilise dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky). - les diodes varicap : on utilise la variation de la capacit de jonction avec la polarisation inverse dans des oscillateurs ou des circuits d'accord. On fait alors facilement varier la tension d'oscillation ou d'accord en modifiant la tension de polarisation.

CHAPITRE 9 Les transistors bipolaires


I. PRAMBULE
Il existe une catgorie de composants (qu'ils soient lectriques, mcaniques, etc ) trs intressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de mme nature et proportionnelle au stimuli d'entre. Les exemples foisonnent : - le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entre, ou bien un dplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqu l'entre. - l'engrenage, qui est la mme chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entre. - le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entre. Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de mme nature que le stimuli l'entre, et il existe un coefficient de proportionnalit entre les deux, indpendant du stimuli d'entre, donc intrinsque au dispositif. Il faut toutefois noter que dans tous les cas cits, il y a conservation de l'nergie : l'nergie la sortie du composant est la mme que celle l'entre. Il existe d'autres dispositifs prsentant les mmes caractristiques que ceux prcdemment cits, et qui en plus, permettent de multiplier l'nergie : on trouve en sortie du dispositif une nergie suprieure celle fournie l'entre. Bien entendu, il n'y a pas de gnration spontane d'nergie, il faudra donc au dispositif une entre supplmentaire par laquelle une source sera susceptible de fournir de l'nergie. Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement l'entre, mais transfert d'nergie d'une source extrieure la sortie du dispositif, ce transfert tant contrl par l'entre. Des exemples mcaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assiste. Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel l'effort exerc sur la pdale, mais une source d'nergie auxiliaire permet d'avoir la pdale un effort beaucoup plus faible que ce qu'il faudrait sans l'assistance. Dans le deuxime cas, on a la mme chose : les roues tournent proportionnellement l'angle de rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif hydraulique. Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exerc tout en le conservant proportionnel au stimuli d'entre, ce qui facilite la commande. Un tel dispositif est en fait un robinet de rgulation d'nergie : il faut disposer d'un rservoir d'nergie, on pose le robinet dessus , et on peut disposer de l'nergie proportionnellement une commande d'entre.

En lectronique, un tel composant est intressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc ) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de temprature, de pression, ). Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en lectronique. Son domaine d'action est donc particulirement vaste A noter qu'avant le transistor, cette fonction tait remplie par des tubes vide (triodes entre autres). L'avnement du transistor n'a donc pas apport la fonction miracle en elle mme, mais une commodit d'utilisation, l'encombrement rduit (les tubes vide ont besoin d'un systme d'alimentation complexe avec des tension relativement leve, et ncessitent une adaptation d'impdance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilit, le faible cot

II.

PRINCIPE ET CARACTRISTIQUES.

A.

INTRODUCTION L'EFFET TRANSISTOR. Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les porteurs minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par l'agitation thermique) traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le champ extrieur. On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps se recombiner avec les porteurs opposs. Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la zone N d'une jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les lectrons de la zone N, ils vont traverser la jonction et crer un courant dans le circuit extrieur.

Fig. 1. Injection de trous dans une zone N. La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encercles), mais limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I 2 . A noter que les recombinaisons correspondent au courant I 1 -I 2 .

B.

LE TRANSISTOR REL. Ce que nous venons de dcrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient faibles, pour que la majorit des trous passent dans la zone P.

1.

Principe de fonctionnement. Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que l'on va polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 1. Cette zone P qui injecte les trous est alors l'metteur , et la zone N, faiblement dope est la base . Comme dans le schma de la Fig. 1., la jonction NP est polarise en inverse. La deuxime zone P est le collecteur (voir Fig. 2.).

Fig. 2. Schma de principe d'un transistor. Les trous injects dans la base par l'metteur ont une faible probabilit de se recombiner avec les lectrons de la base pour deux raisons : - la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront peu nombreux. - la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injects par l'metteur, qui sont ici les trous). On peut observer le phnomne d'un point de vue diffrent : quand on injecte un lectron dans la base, l'metteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se recombine avec l'lectron mis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur. En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au nombre d'lectrons injects dans la base. Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et s'appelle le gain en courant . Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la tension inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est

qu'une approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, c'est assez bien vrifi.) On a les relations suivantes :

2.

Constitution et caractristiques physiques d'un transistor. Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N et P, formant deux jonctions PN. Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N. C'est une des deux faons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor : - soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP. - soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN. Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'metteur). La base possde en outre la caractristique d'tre trs faiblement dope en comparaison de l'metteur.

3.

Courants de fuite. La relation [1] n'est qu'imparfaitement vrifie pour une autre raison : si on reprend le schma Fig. 2. et qu'on coupe la connection de la base (I b = 0), on s'aperoit que le courant circulant dans le collecteur n'est pas nul, d des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant est nomm I CEO . La relation [1] devient donc :

En pratique, aux tempratures ordinaires, ce courant de fuite sera nglig. On verra par la suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manire que le point de polarisation soit quasiment indpendant du courant de fuite.

4.

Symboles, tensions et courants.

Dans le symbole du transistor (figures 3 et 4), une flche dsigne l'metteur ainsi que le sens de circulation du courant d'metteur ; c'est le sens de cette flche qui va reprer le type de transistor : NPN pour un courant d'metteur sortant du transistor, et PNP dans le cas inverse. La base est reprsente par une barre parallle l'axe collecteur-metteur. D'autres symboles existent, mais celui-ci est le plus usit. Les transistors sont des composants polariss : les courants indiqus sont les seuls possibles pour un fonctionnement correct. En consquence, il faudra choisir le type de transistor adapt au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de branchement.

Transistor NPN

Fig. 3. Courants et tensions sur un NPN. Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le courant d'metteur est sortant. Les tensions V BE et V CE sont ici positives.

Transistor PNP Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le courant d'metteur est rentrant. Les tensions V BE et V CE sont ici ngatives.

Fig. 4. Courants et tensions sur un PNP.

C.

CARACTRISTIQUES LECTRIQUES. Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN. Celles des transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au paragraphe prcdent.

Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).

1.

Montages de base. Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre et la sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder : - la patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun . L'entre est la base et la sortie le collecteur. - La patte commune est la base : on parle de montage base commune . L'entre est l'metteur et la sortie le collecteur. - La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun . L'entre est la base et la sortie l'metteur. Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spcifique.

2.

Schma de mesure des caractristiques. Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur commun . Le schma le plus simple est le suivant :

Fig. 5. Montage de base metteur commun . Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base R b : le potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la jonction base metteur est l'quivalent d'une diode passante. Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur R c de telle manire que la tension du collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base collecteur est alors polarise en inverse. On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur. L'entre est caractrise par les deux grandeurs I B et V BE , et la sortie par les grandeurs I C et V CE , soit 4 variables.

3.

Caractristique d'entre. La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation I B = f (V BE ) @ V CE = cte. En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une jonction diode. Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en gnral pour une seule valeur de V CE . La courbe est la suivante :

Fig. 6. Caractristique d'entre du transistor. La tension V BE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de base infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure celle d'une jonction de diode.

4.

Caractristique de transfert. La caractristique de transfert est dfinie par la relation I C = f (I B ) @ V CE = cte. Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base (formule [1]).

Fig. 7. Caractristique de transfert du transistor. La caractristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un gnrateur de courant command par un courant.

Si on considre le courant de fuite I CEO , la caractristique ne passe pas par l'origine, car I C = I CEO pour I B = 0. Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 10 pour des transistors de grosse puissance, 30 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 500 pour des transistors de signal.

5.

Caractristique de sortie. La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation I C = f (V CE ) @ I B = cte. En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de I B .

Fig. 8. Caractristiques de sortie du transistor. Sur ces caractristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones : - une zone importante o le courant I C dpend trs peu de V CE I B donn : cette caractristique est celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en rcepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette rsistance est trs grande : en premire approche, on considrera que la sortie de ce montage transistor est un gnrateur de courant parfait. - La zone des faibles tensions V CE (0 quelques volts en fonction du transistor) est diffrente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur diminue pour devenir trs faible, la jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarise en direct : on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une caractristique ohmique dtermine principalement par la rsistivit du silicium du collecteur. Les tensions de saturation sont toujours dfinies un courant collecteur donn : elles varient de 50mV pour des transistors de signal des courants d'environ 10mA, 500mV pour les mmes transistors utiliss au maximum de leurs possibilits (100 300 mA), et atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des courants de l'ordre de 10A.

6.

Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien dtermin. Ce domaine sera limit par trois paramtres : - le courant collecteur maxi I CMax . Le dpassement n'est pas immdiatement destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intressant dans cette zone. - la tension de claquage V CEMax : au del de cette tension, le courant de collecteur crot trs rapidement s'il n'est pas limit l'extrieur du transistor. - la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va tre reprsente par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation :

Fig. 9. Limites d'utilisation du transistor. Toute la zone hachure sur la caractristique de sortie du transistor (Fig. 9.) est donc interdite.

7.

En bref Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de courant : c'est un gnrateur de (fort) courant (en sortie) pilot par un (faible) courant (en entre).

8.

Paramtres essentiels des transistors. Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtre suivants : - Le V CEMax que peut supporter le transistor.

- Le courant de collecteur maxi I CMax . - La puissance maxi que le transistor aura dissiper (ne pas oublier le radiateur !). - Le gain en courant . - Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation V CEsatmax sera un critre de choix essentiel.

III.

MONTAGES DE BASE.

A.

PRELIMINAIRE.

1.

Mise en uvre du transistor. On a vu que le transistor tait un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour amplifier des signaux issus de sources diverses. Il va falloir pour cela mettre en uvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :

Alimentation. Le transistor, tout en tant classifi dans les composants actifs, ne fournit pas d'nergie : il faudra donc que cette nergie vienne de quelque part ! C'est le rle de l'alimentation qui va servir apporter les tensions de polarisation et l'nergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie.

Polarisation. Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est dire superposer au courant alternatif un courant continu suffisamment grand pour que le courant total (continu + alternatif) circule toujours dans le mme sens. Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite devant la composante continue pour que la linarisation faite dans le cadre de l'hypothse des petits signaux soit justifie.

Conversion courant/tension. Le transistor est un gnrateur de courant. Comme il est plus commode de manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire simplement en mettant des rsistances dans des endroits judicieusement choisis du montage.

Liaisons. Une fois le transistor polaris, il va falloir prvoir le branchement de la source alternative d'entre sur le montage. En rgle gnrale, ceci se fera par l'intermdiaire d'un condensateur de liaison plac entre la source et le point d'entre du montage transistor (base pour montages metteur et collecteur commun, metteur pour montage base commune). De la mme manire, pour viter que la charge du montage transistor (le dispositif situ en aval et qui va utiliser le signal amplifi) ne perturbe sa polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de liaison. Ces condensateurs vont aussi viter qu'un courant continu ne circule dans la source et dans la charge, ce qui peut leur tre dommageable.

Insensibilit du montage aux paramtres du transistor. Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage insensible aux drives thermiques du transistor et elle devra tre indpendante de ses caractristiques (notamment le gain), ceci pour que le montage soit universel , et ne fonctionne pas uniquement avec le transistor dont on dispose pour raliser la maquette. Cela permet aussi de changer le transistor sur le montage sans se poser de questions en cas de panne.

2.

Mthodologie de calcul. Nous avons dj vu lors d'une approche globale de l'lectronique qu'il convenait pour des raisons de simplification des calculs de sparer l'tude de la polarisation de l'tude en alternatif petits signaux. La polarisation est calcule dans un premier temps ; on fait alors un schma quivalent du montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux thormes de l'lectricit. Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linariser les caractristiques du transistor au point de fonctionnement dfini par la polarisation. Il faut donc dfinir les paramtres linariser et en dduire un schma quivalent du transistor.

La solution globale (celle correspondant ce qui est physiquement constat et mesur sur le montage) est la somme des deux solutions continue et alternative dfinies ci-dessus.

3.

Schma quivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramtres hybrides. En pratique, pour simplifier l'expos, nous allons d'abord donner le schma quivalent et les quations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces lments l'aide des caractristiques des transistors. Le transistor est considr comme un quadriple ; il a deux bornes d'entre et deux bornes de sortie (une patte sera alors commune l'entre et la sortie) et va tre dfini par 4 signaux : courant et tension d'entre, courant et tension de sortie. Ces variables ont dj t dfinies (Fig.5) pour le montage metteur commun : il s'agit du courant I B et de la tension V BE pour l'entre, du courant I C et de la tension V CE pour la sortie. En fait, ces signaux se dcomposent en deux parties : les tensions et courants continus de polarisation nots I Bo , V BEo , I Co , et V CEo , et les petites variations alternatives autour du point de repos qui sont respectivement i b , v be , i c , et v ce . Nous avons les quations :

Ce sont les petites variations qui vont nous intresser pour le schma quivalent alternatif qui est le suivant :

Fig. 10. Schma quivalent du transistor NPN. Il convient de noter que ce schma, bien que driv du montage metteur commun (l'metteur est bien ici la borne commune entre l'entre et la sortie) est intrinsque au transistor et pourra tre utilis dans tous les cas de figure : il suffira de l'intgrer tel quel au schma quivalent du reste du montage en faisant bien attention aux connections des trois pattes du transistor E, B et C. L'appellation schma quivalent du montage metteur commun provient de la dfinition des variables d'entre et de sortie qui sont celle de ce type de montage.

Nota : On peut remarquer ici que les sens des courants sont conventionnels, et non absolus, et ne servent qu' effectuer les calculs comme si les sources taient continues ; une seule chose est imprative : phaser convenablement i b et i c . On peut donc choisir un sens oppos pour ces deux courants. En pratique, cela signifie que les transistors PNP auront strictement le mme schma alternatif petits signaux que les NPN. Dans ce schma, nous avons les relations suivantes :

L'indice e sur les paramtres h ije (qu'on appelle paramtres de transfert) indique qu'il s'agit des paramtres metteur commun. On peut mettre le systme [10] sous la forme matricielle suivante :

Nous nous contenterons ici de voir que a existe , et d'ajouter que ce formalisme matriciel permet de simplifier les calculs quand on associe plusieurs quadriples (en srie, en parallle, en cascade ). Nous n'utiliserons pas ces caractristiques dans ce cours. Si on analyse la premire quation du systme [10], on y voit l'expression de v be en fonction de i b et v ce . On a : - h 11e = v be /i b @ v ce = 0 . Si on se rappelle que v be et i b sont des petites variations autour du point de repos (V BEo ,I Bo ) et que la caractristique d'entre du transistor est la courbe I B = f(V BE ) @ V CE = cte (donc v ce = 0), alors, on voit que h 11e est la rsistance dynamique de la jonction base-metteur . - h 12e = v be /v ce @ i b = 0 . Ce paramtre est en fait la raction de la sortie sur l'entre dans la thorie des quadriples. Lors de l'tude du principe du transistor, il a t dit que cette raction tait ngligeable . Dans toute la suite de l'expos, il ne sera plus fait mention de ce paramtre. La deuxime quation nous donne : - h 21e = i c /i b @ v ce = 0 . Ce paramtre est le gain en courant en fonctionnement dynamique du transistor. Il peut tre lgrement diffrent du gain en fonctionnement statique dj mentionn, car il a t dit que la linarit de ce paramtre n'est pas rigoureusement vrifie. - h 21e = i c /v ce @ i b = 0 . Ce paramtre a la dimension d'une admittance : c'est l'inverse de la rsistance du gnrateur de courant de sortie du transistor. En pratique, sa valeur est faible (donc la rsistance est leve), et sauf montage un peu pointu , on le ngligera, car son influence sera modre vis vis de l'impdance de charge du montage.

On voit qu'en fait, les paramtres de transfert issus de la thorie des quadriples colle bien aux caractristiques physiques du transistor : - une entre rsistive (la rsistance diffrentielle de la jonction base-metteur), la raction de la sortie sur l'entre tant ngligeable. - une sortie quivalente un gnrateur de courant proportionnel au courant d'entre , ce gnrateur tant imparfait, donc avec une rsistance interne non nulle.

B.

MONTAGE METTEUR COMMUN. Le dcor tant entirement plant, on va pouvoir passer au montage fondamental transistor : le montage metteur commun . Il ralise la fonction amplification de base de l'lectronique.

1.

Polarisation. Point de fonctionnement.

Polarisation par une rsistance. Le montage le plus lmentaire tout en tant fonctionnel est le suivant :

Fig. 11. Polarisation par rsistance de base. Le fonctionnement est simple : le courant de base I Bo est fix par R b , ce qui entrane un courant de collecteur I Co gal I Bo . Le courant collecteur tant fix, la tension aux bornes de R c va tre gale R c I Co . Le montage est entirement dtermin. Pour calculer les lment R b et R c , on va procder l'envers : on va partir de ce qu'on dsire (le courant I Co et la tension V CEo ), et remonter la chane : - On se fixe un courant collecteur de repos I Co (c'est le courant de polarisation). Ce courant sera choisi en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de A (applications trs faible bruit), et une dizaine de mA (meilleures performances en haute frquence, soit quelques MHz).

- On se fixe une tension de collecteur V CEo , qu'on prend en gnral gale E/2, pour que la tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif. - La rsistance de collecteur R c , en plus d'assurer une polarisation correcte de la jonction base-collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est dtermine par la formule :

- le courant I Bo est alors impos par les caractristiques de gain en courant du transistor (le ). On note ici qu'il est impratif de le connatre (donc de le mesurer) :

- La rsistance de base R b est alors calcule l'aide de la formule :

- Pour ce faire, on prendra V BEo = 0,7V, car un calcul plus prcis (il faudrait connatre la caractristique I B = f (V BE ) pour le faire !) ne servirait rien. On peut rsumer toute cette tape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 12. Polarisation du transistor. On reconnatra ici les trois caractristiques du transistor (entre, transfert, sortie) jointes sur le mme graphique. Attention : il faut bien remarquer que les axes sont diffrents de part et d'autre du zro ! Ce montage assure les diverses fonction vues prcdemment : il est correctement aliment, polaris (jonction base-metteur en direct, jonction base collecteur en inverse, courants dans le bon sens ), et il possde des condensateurs de liaison. Il y a une ombre au tableau : bien que fonctionnel, ce montage ne garantit pas du tout la fonction de robustesse vis vis de la drive thermique et des caractristiques du transistor. En effet, on peut remarquer que : - si I CEO (le courant de fuite) augmente sous l'effet de la temprature, rien ne va venir compenser cette variation : V CEo va augmenter et le point de polarisation va se dplacer. - Si on veut changer le transistor par un autre dont le gain soit trs diffrent, vu que I Bo est impos par E et R b , I Co = I Bo n'aura pas la bonne valeur, et V CEo non plus. Et il ne s'en faut pas de quelques %, car pour une mme rfrence de transistor, le gain peut varier d'un facteur 1,5 5 ou plus ! On peut donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait satur, donc inutilisable pour l'amplification de petits signaux. Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on ne peut pas en pratique exploiter le montage dcrit Fig. 11. Ce montage n'a qu'un intrt pdagogique, et pour des montages rels, on va lui prfrer le montage polarisation par pont de base.

Polarisation par pont de base. Ce schma est un peu plus complexe que le prcdent. Nous allons d'abord analyser les diffrences, et ensuite, nous suivrons pas pas la mthode de calcul de la polarisation.

Fig. 13. Polarisation par pont de base. Par rapport au schma Fig. 11, on note que la base est polarise l'aide d'un pont de rsistances R b1 et R b2 . Le rle de ces rsistances sera de fixer le potentiel de base. Comme la tension V BE est voisine de 0,7V, ceci impose de mettre une rsistance entre l'metteur et la masse. Cette rsistance est dcouple par le condensateur C DE , qui va tre l'quivalent d'un courtcircuit en alternatif. A quoi servent ces lments ? Pour raisonner, on va faire abstraction du condensateur C DE , qui est un circuit ouvert pour le rgime continu. Les rsistances du pont de base vont tre choisies de telle manire que le courant circulant dans ce pont soit trs suprieur au courant rentrant dans la base (au moins 10 fois plus grand), ceci afin que des petites variations du courant de base ne modifient pas le potentiel de la base, qui restera donc fixe. Le potentiel d'metteur va tre gal au potentiel de base moins environ 0,7V et sera lui aussi fixe, courant de base donn. Dans ce cas, la tension aux bornes de R E est dtermin. Le courant d'metteur (donc celui du collecteur, et celui de la base, via le ) sera alors fix par la valeur de la rsistance R E et la tension du pont de base. Le courant collecteur tant dfini, on choisit la rsistance de collecteur pour avoir V CEo au milieu de la plage de tension utilisable. Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant I CEO augmente sous l'effet de la temprature. La tension aux bornes de R E va alors augmenter. Comme le potentiel de base est fix par le pont R b1 /R b2 , la tension V BE va diminuer. Cette diminution va entraner une baisse du courant de base, donc du courant de collecteur.

Cet effet vient donc s'opposer l'augmentation du courant collecteur d l'augmentation du courant de fuite I CEO . Le montage s'auto-stabilise. L'autre avantage, c'est que le courant de collecteur est fix par le pont de base et par la rsistance d'metteur. Ces lments sont connus 5% prs en gnral, donc, d'un montage un autre, on aura peu de dispersions, et surtout, le courant collecteur sera indpendant du gain du transistor. On a dit cet effet que le pont de base est calcul de manire ce que le potentiel de base soit indpendant du courant de base : ce potentiel ne dpendra pas du transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction du gain du transistor sans perturber le pont de base. On fera les calculs dans l'ordre suivant : - On fixe le courant collecteur de repos I Co . A noter que le courant d'metteur sera quasiment le mme car I C = I E - I B # I E . - On fixe le potentiel d'metteur V Eo (au maximum E/3, et en pratique, une valeur plus faible : 1 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation thermique sans trop diminuer la dynamique de sortie). - On calcule alors la rsistance R E par la formule :

- On se fixe la tension collecteur metteur V CEo : en gnral, on la prendra gale la moiti de la tension disponible qui est gale non plus E, mais E - V Eo . On en dduit la rsistance R c :

- On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le du transistor, cette valeur n'tant pas critique ici) :

- On calcule R b2 (en rgle gnrale, on prendra V BEo gal 0,7V) :

- On en dduit R b1 :

Le point de repos du montage tant dtermin, on va passer au comportement en alternatif.

2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs. Si on applique les rgles dfinies dans le chapitre "Outils pour l'lectronique", on obtient :

Fig. 14. Schma quivalent en alternatif. On notera que la rsistance d'metteur a disparu, car elle est shunte par le condensateur de dcouplage C DE . En quoi va consister l'tude en alternatif ? Tout d'abord, on va valuer la capacit du montage amplifier le signal d'entre . La caractristique reprsentative de cette fonction est le gain en tension A v , qui est le rapport entre les tensions de sortie et d'entre. Ensuite, il faut regarder en quoi le montage peut s'interfacer avec la source d'entre sans la perturber ; il doit rester le plus neutre possible vis vis de cette source, surtout s'il s'agit d'un capteur de mesure ! La grandeur reprsentative est l'impdance d'entre . Mme chose vis vis de la charge branche en sortie du montage, qui va utiliser le signal amplifi : il va falloir regarder dans quelle mesure l'tage transistor n'est pas perturb par cette charge . La grandeur reprsentative est l'impdance de sortie . Nous allons calculer ces trois paramtres. On pourrait y rajouter le gain en courant A i qui est le rapport des courants de sortie et d'entre, et aussi le gain en puissance. En amplification petits signaux, ces paramtres sont peu utiliss, nous n'en parlerons donc pas.

Fonctionnement intuitif .

Avant de faire des calculs compliqus sur un schma abstrait, il serait bon de voir comment marche le montage de faon intuitive et qualitative. On considre que le potentiel d'metteur est fixe grce au condensateur de dcouplage C DE . Si on augmente lgrement la tension de base, le courant de base va augmenter. Le courant de collecteur va augmenter proportionnellement au courant de base, et donc, la chute de tension dans la rsistance R c va augmenter. Le potentiel du collecteur va alors baisser. On peut par consquent s'attendre un gain en tension ngatif (entre et sortie en opposition de phase). On peut aussi voir ce que donnerait le montage sans le condensateur C DE : si la tension de base augmente, le courant de base, donc de collecteur augmente. La tension aux bornes de la rsistance d'metteur va augmenter aussi, et donc, le potentiel de l'metteur va remonter, ce qui va entraner une diminution de la tension V BE , donc du courant de base, donc du courant de collecteur : il y a une contre-raction qui s'oppose l'amplification. Le gain en tension sera plus faible qu'avec le condensateur C DE . Nous aurons l'occasion de revoir ce montage (dit charge rpartie) dans un chapitre ultrieur.

Gain en tension. Le gain en tension peut tre dfini de deux manires : - le gain vide , c'est dire sans charge connecte en sortie du montage. - le gain en charge , avec la charge connecte. Dans ce paragraphe, nous allons calculer le gain de l'tage vide. Nous verrons ensuite qu'il est simple de calculer le gain en charge postriori. On va d'abord procder quelques simplifications dans le schma : - les deux rsistances du pont de base sont en parallle du point de vue alternatif. Nous allons donc les remplacer par une seule rsistance R p dont la valeur sera gale R b1 // R b2 . - la rsistance de sortie 1/h 22e du transistor est grande (plusieurs dizaines de k ). Pour une alimentation E de 12V, un courant I Co de 2mA et une tension V CEo de 5V, on aura R c = 2500 , soit environ le dixime de 1/h 22e . On va donc ngliger ce dernier terme. On notera que lorsque la tension d'alimentation est leve et que le courant de collecteur est faible, cette simplification est moins justifie. - on supprime la charge R u (hypothse de calcul).

Avec ces hypothses, le schma devient :

Fig. 15. Schma quivalent simplifi. On a les quations suivantes :

Si on pose h 21e = (le gain dynamique est gal au gain statique), on obtient l'expression du gain en tension :

Cette expression montre que le gain de l'tage dpend de deux paramtres du transistor : le gain en courant et la rsistance dynamique d'entre h 11e . Pour augmenter ce gain, on pourrait se dire qu'il suffit d'augmenter R c (donc de diminuer le courant I Co pour garder un V CEo constant). Ce serait une grave erreur : en effet, si on diminue I Co , on diminue aussi forcment I Bo , et en consquence, la rsistance diffrentielle de la jonction base metteur augmente : le gain risque donc de ne pas trop augmenter. Les paramtres de cette formule sont donc lis : ils ne sont pas indpendants, et on ne fait pas ce qu'on veut. Nous allons essayer de trouver une formulation mettant en uvre des paramtres indpendants. Nous avons dj dit que la jonction base-metteur tait l'quivalent d'une diode. Elle satisfait notamment aux mmes formulations mathmatiques. Dans le chapitre relatif la diode, l'quation [2] donnait la rsistance diffrentielle en fonction du courant dans la diode :

Pour le transistor, on a la mme chose en remplaant I d par le courant de base I Bo et r d par h 11e .

Le terme kT/q est homogne une tension et vaut environ 26mV temprature ordinaire. La relation simplifie entre h 11e et I Bo (h 11e est en et I Bo en A) devient alors :

Si on rinjecte cette relation dans la formule [24] en tenant compte du fait que I Co = I Bo , on obtient :

Le terme 38,5 I Co reprsente la pente du transistor au point de polarisation I Co . C'est le rapport I C / V BE en ce point. Il ne dpend pas du transistor : c'est un paramtre intressant qui permet de calculer le gain d'un tage indpendamment du composant choisi pour le raliser. Cette formulation du gain est beaucoup plus satisfaisante que la prcdente, car elle ne dpend plus des caractristiques du transistor, et notamment de son gain (attention toutefois au facteur 38,5 qui est le terme q/kT : il dpend de la temprature !). Elle montre aussi que le gain est relativement fig si on garde pour rgle une tension de polarisation V CEo gale la moiti de la tension d'alimentation (moins la tension d'metteur). Le seul moyen de l'augmenter est d'accrotre la tension d'alimentation ; on pourra alors augmenter le terme R c I Co qui est la chute de tension dans la rsistance de collecteur. A tire indicatif, pour un montage polaris sous 12V avec une tension V Eo de 2V et V CEo de 5V, on aura R c I Co gal 5V, et un gain en tension Av gal 190.

Schma quivalent de l'tage amplificateur. Le schma quivalent du montage amplificateur metteur commun peut tre reprsent sous la forme donne figure 16 (voir chapitre I). En entre, on y trouve l'impdance Ze (on nglige la raction de la sortie sur l'entre, donc, il n'y a pas d'autres composants) En sortie, on a un gnrateur de tension command (la tension de sortie est gale la tension d'entre multiplie par le gain Av de l'tage vide) avec sa rsistance interne qui sera la rsistance de sortie de l'tage. On notera que la reprsentation de la sortie est celle du gnrateur de Thvenin quivalent

Fig. 16. Schma quivalent de l'tage amplificateur. On pourra voir ici une contradiction avec notre montage metteur commun qui est dot en sortie d'un gnrateur de courant. Cette objection est balaye par les deux points suivants : - on veut calculer le gain en tension de l'tage ! On considre donc notre montage comme un gnrateur de tension avec sa rsistance interne, si grande soit-elle. - la transformation Norton / Thvenin nous permet de passer d'une reprsentation l'autre simplement. Ce schma va nous permettre de dfinir les impdances d'entre et de sortie de notre tage.

Impdance d'entre. Par dfinition, et en se rfrant au schma Fig. 16., l'impdance d'entre est gale :

Ici, le schma est simple, le gnrateur d'entre dbite sur deux rsistances en parallle. On a donc :

On voit qu'on n'a pas intrt prendre un pont de base avec des valeurs trop faibles. Il faudra donc faire un compromis avec la condition de polarisation (I p >> I Bo ). En gnral, h 11e sera petit (1k pour I Bo = 26A), donc cette impdance sera bien infrieure R p , et trs souvent, elle sera insuffisante pour qu'on puisse interfacer des sources de tension (capteurs notamment) directement sur un tage metteur commun.

Impdance de sortie.

Fig. 17. Transformation Norton / Thvenin. Si on transforme la sortie du montage Fig. 15. en celle du schma Fig. 16. (transformation Norton / Thvenin), on obtient le schma de la figure 17. la rsistance R c qui tait en parallle sur le gnrateur de courant h 21e i b devient la rsistance en srie avec le gnrateur de tension. L'impdance de sortie est donc ici trs simple identifier :

Cette valeur est assez leve, et souvent, on ne pourra pas connecter le montage tel quel sur une charge.

Gain de l'tage en charge. Il y a deux manires de voir la chose : - On reprend le schma quivalent de la Fig. 15. et on rajoute R ch en parallle avec R c . La formule du gain devient alors :

- On connat l'impdance de sortie et la charge. D'aprs le schma Fig. 16, ces deux rsistances forment un pont diviseur qui attnue la tension de sortie vide. Le gain devient :

- On vrifiera que si on dveloppe R c // R ch dans la formule [31], on tombe bien sur la formule [32].

Bilan. Utilisation du montage. Au final, le montage metteur commun est un montage ayant :

- une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines). - une impdance d'entre relativement faible (gale h 11e , soit de l'ordre de plusieurs k ), variable en fonction de la polarisation (plus I Co est faible, plus l'impdance d'entre est leve). - une impdance de sortie assez leve R c qui va aussi dpendre du courant de polarisation I Co . Ce montage est l'amplificateur de base transistor et sera donc utilis comme sous-fonction dans des circuits plus complexes (discrets, ou intgrs comme dans l'amplificateur oprationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des tages adaptateurs d'impdance.

C.

MONTAGE COLLECTEUR COMMUN. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie l'metteur. C'est le collecteur qui est le point commun entre l'entre et la sortie. On notera que c'est faux pour la polarisation, car le collecteur est reli au +E et l'entre se fait entre base et masse, et la sortie entre metteur et masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le gnrateur de polarisation +E est un court circuit pour ce rgime, et donc, le collecteur va se retrouver la masse alternative : ce sera donc bien la patte commune entre sortie.

1.

Polarisation. Point de fonctionnement. Comme pour le montage metteur commun, il y a moyen de polariser le transistor avec une seule rsistance de base, ce qui entrane exactement les mmes inconvnients. Nous passerons donc directement la polarisation par pont de base, qui est la plus utilise. Le schma complet est donn sur la figure 18. Par rapport au montage metteur commun, on remarque que la rsistance de collecteur a disparu. Le condensateur de dcouplage de R E aussi, ce qui est normal, car ici, la sortie est l'metteur : il n'est donc pas question de mettre la sortie la masse en alternatif !

Fig. 18. Montage collecteur commun.

Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe quivalent du montage metteur commun, et on prendra en compte les diffrences suivantes : - En gnral, on fixera le potentiel de repos de l'metteur E/2 pour avoir la mme dynamique pour les alternances positives et ngatives. - On n'a pas se proccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car cette broche est +E.

2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs. Nous avons ici fait les mmes simplifications de schma que pour le montage metteur commun. On voit bien sur le schma rsultant que le collecteur est le point commun entre / sortie.

Fig. 19. Schma quivalent collecteur commun. On pourra remarquer que (en le rarrangeant) le schma quivalent interne du transistor est le mme que pour le montage metteur commun. Par rapport ce dernier montage, on a rajout la rsistance interne du gnrateur d'attaque. En effet, on voit qu'ici, l'entre et la sortie ne sont pas spars, et donc, la charge va avoir un impact sur l'impdance d'entre et l'impdance interne du gnrateur d'attaque influera sur l'impdance de sortie. Il ne faut pas oublier que cette dernire est l'impdance vue de la charge, donc englobe l'tage transistor et le dispositif d'attaque. Le paramtre h 21e a t remplac par , les gains statique et dynamique tant sensiblement les mmes.

Fonctionnement intuitif . Considrons le schma de la Fig. 18. Si on augmente la tension de base, la tension V BE va augmenter, ainsi que le courant I B , donc I C , ce qui va crer une chute de tension plus grande dans R E . Le potentiel de l'metteur va alors remonter, contrariant l'augmentation de V BE , donc du courant I C . Le potentiel de l'metteur va ainsi suivre sagement (aux variations V BE prs, qui sont trs faibles) le potentiel qu'on impose la base. Si on regarde bien le montage, on voit en fait que la tension de sortie est toujours infrieure la tension d'entre de la valeur V BE . Quand on va

appliquer un signal alternatif sur la base, on va le retrouver sur la rsistance d'metteur diminu de la variation de V BE qui va tre trs faible. On voit donc qu'intuitivement, ce montage aura un gain positif mais infrieur 1. Ce n'est pas un montage amplificateur. On va voir que ses caractristiques d'impdance d'entre et de sortie le destinent l'adaptation d'impdance.

Gain en tension. Si on applique la loi des nuds au niveau de l'metteur (Fig. 19.), on voit que le courant circulant dans R E est gal ( +1) i b et va de l'metteur vers le collecteur. On peut alors poser les quations suivantes :

On remarquera au passage en analysant l'quation [33] que vu de la base, tout se passe comme si la rsistance R E tait multiplie par le gain en courant. On dduit le gain vide des quations [33] et [34] :

Ce gain est lgrement infrieur 1, et c'est normal, car la tension de sortie est gale la tension d'entre multiplie par le pont diviseur form par h 11e et ( +1)R E . En gnral, R E est du mme ordre de grandeur que h 11e , ce qui fait que le terme ( +1) R E est beaucoup plus grand que h 11e . A quelques centimes prs, le gain sera quasiment gal l'unit . Pour cette raison, et aussi pour ce qui a t dit dans la rubrique fonctionnement intuitif , on appelle ce montage metteur suiveur , car le potentiel d'metteur suit celui impos la base (aux variations V BE prs, qui sont trs faibles). Quand l'tage est charg sur R ch , il convient de remplacer R E par R E // R ch dans l'quation [35], ce qui change trs peu le rsultat, mme si R ch est gale ou mme un peu infrieure R E (dans les mmes conditions, le gain de l'tage metteur commun aurait chut d'un facteur suprieur ou gal 2 !). Ceci augure d'une bonne impdance de sortie : il ne faut pas oublier que ce paramtre mesure l'aptitude d'un montage tenir la charge.

Impdance d'entre. Le courant i e est gal i b augment du courant circulant dans R p .

L'impdance d'entre va donc tre gale R p //(v e /i b ). On peut tirer cette dernire valeur de l'quation [33] :

On en dduit la valeur de l'impdance d'entre :

On remarque que le premier terme est une valeur trs leve (de l'ordre de R E , h 11e tant ngligeable), et que malheureusement, la valeur du pont de base vient diminuer cette impdance d'un facteur 10 environ. C'est donc la valeur de R p qui va dterminer l'impdance d'entre. Cette impdance est quand mme au moins 10 fois suprieure celle de l'metteur commun.
R

On voit toutefois que l encore, la polarisation ne fait pas bon mnage avec le rgime alternatif : tout sera une affaire de compromis, comme bien souvent en lectronique. Il n'y aura jamais la bonne solution, mais une solution intermdiaire qui sera la mieux adapte au fonctionnement dsir. Il faut aussi remarquer que vu de la base, les impdances situes dans le circuit d'metteur sont multiplies par le gain remarque trs importante qui est toujours vraie. du transistor. C'est une

L'impdance d'entre a t ici calcule pour un montage fonctionnant vide. Si on le charge par R ch , cette rsistance vient se mettre en parallle sur R E dans la formule [37]. Dans le cas gnral, l'impdance d'entre dpend donc de la charge. Cette dpendance sera faible tant qu'on aura une polarisation par pont de base, car on a vu que R p est le terme prpondrant. Il existe nanmoins des astuces pour liminer l'effet du pont de base (montage bootstrap ou couplage direct de deux tages transistor), et dans ce cas, il faudra tenir compte de la charge.
R

Impdance de sortie. Le calcul va tre plus compliqu que pour l'metteur commun. On remarquera qu'ici la sortie n'est pas spare de l'entre, ce qui fait que tout le circuit d'entre va influer sur l'impdance de sortie, y compris la rsistance interne du gnrateur d'attaque R g . Comme dans le cas gnral cette impdance n'est pas nulle, nous l'avons faite figurer sur le schma Fig. 19. L aussi, il faut calculer les caractristiques du gnrateur de Thvenin quivalent. On peut crire les quations suivantes :

Si on considre le gnrateur de Thvenin quivalent au gnrateur d'entre plus R p , on peut crire :

Si on pose :

en injectant [40] et [41] dans [39], on obtient :

En remplaant i b par cette valeur dans [38], on a :

Aprs un dveloppement laborieux, on peut mettre Vs sous la forme A e g + Z s i s : ce sont les caractristiques du gnrateur de Thvenin de sortie de l'tage. Le terme Z s est le suivant :

R E , R g et h 11e tant du mme ordre de grandeur, le terme divis par ( +1) va tre le plus petit, et R E va avoir un effet ngligeable. On pourra aussi souvent ngliger R p par rapport R g . Z s devient :
R

Cette impdance de sortie est relativement faible : le montage pourra tenir des charges plus faibles que le montage metteur commun. On peut faire une remarque similaire a celle qui a t dite dans le paragraphe sur l'impdance d'entre : vu de la sortie, l'impdance du montage est gale tout ce qui est en amont de l'metteur divis par le gain en courant.

Bilan. Utilisation du montage. Un montage collecteur commun prsente donc les caractristiques suivantes : - gain en tension quasiment gal l'unit .

- impdance d'entre leve : environ fois plus grande que celle de l'metteur commun si on ne considre pas le pont de base (on verra qu'on peut l'viter). La valeur typique est de plusieurs dizaines plusieurs centaines de k en fonction du montage. - impdance de sortie faible (divise par environ par rapport l'metteur commun). Sa valeur est de l'ordre de quelques dizaines d' . Ce montage ne sera donc pas utilis pour amplifier un signal, mais comme adaptateur d'impdance, situ en amont ou en aval d'un montage metteur commun, qui, nous l'avons vu, n'a pas de bonnes caractristiques d'entre / sortie. On pourra donc intercaler un tel montage entre un capteur haute impdance de sortie et un montage metteur commun sans que celui-ci ne perturbe le capteur. On pourra aussi le mettre en sortie d'un montage metteur commun que l'on doit interfacer avec une faible charge, et ceci, sans crouler le gain en tension de l'tage.

D.

MONTAGE BASE COMMUNE.

1.

Polarisation. Point de fonctionnement.

Fig. 20. Montage base commune. Le montage commence nous tre familier : en effet, mis part l'emplacement du gnrateur d'attaque et le condensateur de dcouplage qui est ici situ sur la base, le montage est le mme que celui de l'metteur commun. La procdure de calculs des lments de polarisation est donc identique, car seuls les lments lis au rgime alternatif changent. La raison en est simple : l'amplification est base sur une augmentation de I C due une augmentation de V BE . Pour augmenter V BE , on a le choix entre deux solutions :

- soit on augmente la tension de base potentiel d'metteur constant : c'est le montage metteur commun. - soit on abaisse la tension d'metteur potentiel de base constant : c'est le montage base commune.

2.

Fonctionnement en petits signaux alternatifs. On va donc tudier ici le montage base commune. On voit tout de suite le dfaut que va prsenter ce montage : vu qu'on attaque ct metteur, il faudra faire varier un courant important, donc, l'impdance d'entre sera srement beaucoup plus faible que pour l'metteur commun, qui n'tait dj pas brillant sur ce point. En fait, ce montage sera peu utilis, sauf dans des applications hautes frquences o il trouvera son seul avantage. Le schma quivalent est le suivant :

Fig. 21. Schma quivalent base commune. Le pont R b1 / R b2 disparait car il est shunt en alternatif par le condensateur de dcouplage C DB . La base est bien le potentiel commun entre / sortie, et le schma du transistor est le mme que pour l'metteur commun.

Fonctionnement intuitif . Le fonctionnement intuitif a dj t bauch dans le paragraphe relatif la polarisation : il est rigoureusement le mme que pour l'metteur commun sauf qu'on attaque l'metteur pour imposer les variation V BE , avec un potentiel de base fixe. On aura juste une diffrence de signe provenant du fait que quand on augmente la tension de base potentiel d'metteur constant, la tension V BE augmente, et quand on augmente la tension d'metteur potentiel de base constant, elle diminue : une tension d'entre positive dans les deux cas aura donc des effets contraires.

Gain en tension. Du schma Fig. 21., on tire les quations suivantes :

D'o l'expression du gain en tension vide :

Ce gain (au signe prs) est le mme que pour l'metteur commun, ce qui est normal, vu que le fonctionnement est identique. On peut bien entendu faire les mmes remarques que pour l'metteur commun et mettre le gain sous la forme donne dans l'quation [27], au signe prs. Pour le gain en charge, rien de diffrent non plus, R ch vient se mettre ne parallle sur R c dans la formule du gain vide.

Impdance d'entre. Du circuit d'entre, on tire l'quation suivante :

Si on tire i b de l'quation [47] et qu'on le remplace par sa valeur dans [49], on obtient :

On en tire l'impdance d'entre :

R E tant du mme ordre de grandeur que h 11e , le terme prpondrant est


R

h 11e / ( +1). Cette impdance d'entre est trs faible, environ fois plus faible que celle de l'metteur commun : ce montage, sauf cas trs spcial, est inexploitable tel quel, il faudra un tage adaptateur d'impdance en entre pour l'utiliser. On peut remarquer que cette impdance d'entre est quasiment la mme que l'impdance de sortie du montage collecteur commun : si on se rappelle de ce qui a t dit ce propos, l'impdance vue de l'metteur est gale tout ce qui est en amont divis par le gain en courant : c'est exactement le cas ici, et on aurait donc pu prvoir facilement la valeur de l'impdance d'entre sans calculs.

Impdance de sortie. Pour viter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la rsistance du gnrateur d'attaque R g . Du circuit de sortie, on peut tirer l'quation suivante :

L'quation [47] nous donne i b en fonction de Ve ; en le remplaant par sa valeur dans [52], on obtient :

C'est l'quation du gnrateur de Thvenin de sortie : on en dduit que Z s = Rc.


R

Si on fait le calcul en tenant compte du gnrateur d'entre, on dmontre que le rsultat reste le mme, seul le terme multiplicatif de e g va changer dans l'expression de la tension de sortie du gnrateur de Thvenin, et le terme multiplicatif de i s reste R c . On a donc :

On aurait pu prvoir ce rsultat, car l'entre est spare de la sortie par un gnrateur de courant qui prsente une impdance infinie (en pratique gale 1/h 22e , qui est trs grand) : du point de vue des impdances, on se retrouve avec l'entre spare de la sortie.

Bilan. Utilisation du montage. Les caractristiques sont donc les suivantes : - mme gain en tension que pour l'metteur commun (plusieurs centaines). - impdance d'entre trs faible : quelques dizaines d' . - impdance de sortie moyenne : quelques k , la mme que pour l'metteur commun. En pratique, ce montage sera trs peu utilis, sauf en haute frquence o il va prsenter une bande passante suprieure celle du montage metteur commun.

E.

REMARQUES FONDAMENTALES.

Il faudra garder l'esprit ces deux remarques fondamentales , qui permettront d'valuer grossirement mais sans calculs les impdances des montages transistors : - tout ce qui est vu de la base et situ en aval de l'metteur est multipli par le gain en courant . - tout ce qui est vu de l'metteur et situ en amont de celui-ci est divis par le gain en courant . Ces remarques sont fondamentales par le fait qu'on peut valuer trs rapidement les potentialits d'un montage sans faire de calculs sur le schma alternatif petits signaux, qui, on l'a vu, sont particulirement pnibles, et ne donnent pas beaucoup plus de prcision que ce que l'on peut dterminer trs simplement. Cette faon d'apprhender les choses permet l'lectronicien de btir un schma rapidement sans se noyer dans les calculs, et aussi, permettent de mieux comprendre le fonctionnement d'un tage transistor, autrement que par le biais d'quations.

F.

FONCTIONNEMENT EN HAUTE FRQUENCE Tout ce qui a t dit jusqu' prsent ne concerne que le fonctionnement faible frquence (infrieure quelques centaines de kHz). Pour des frquences plus leves, on utilise un schma quivalent du transistor diffrent, rendant mieux compte de ce qui se passe physiquement. Ce modle introduit des capacits parasites, et donc, les paramtres du transistor deviennent complexes (au sens mathmatique du terme !). Dans ce cours, on se contentera de prsenter le schma quivalent en HF, et on exposera le thorme de Miller, qui est trs important pour la comprhension des limitations du transistor en haute frquence.

1.

Schma quivalent de Giacoletto.

Fig. 22. Schma de Giacoletto. Le schma ci-dessus prsente en plus des lments du montage basse frquence : - une base B' virtuelle et interne au transistor. L'quivalent de h 11e est r BB' + r B'C . r BB' sera faible (moins de 100 en gnral), infrieure r B'E .

- Une capacit base-metteur C B'E qui viendra shunter r B'E en haute frquence. Pour des petits transistors standards (2N2222 par exemple), elle est de l'ordre de 30pF. - Une rsistance r B'C (trs grande, qui sera souvent nglige) en parallle avec C B'C qu'on appelle capacit Miller, situes entre l'entre et la sortie (pour un montage metteur commun) du montage. L'ordre de grandeur pour C B'C est de 10pF (2N2222). Elle est prpondrante dans la limitation en frquence du fonctionnement du transistor. - la rsistance r CE tient la place de 1/h 22e . - le gain en courant est remplac par la pente g m du transistor : elle est quivalente au terme 38,5 I Co qu'on a dfini dans le calcul du gain de l'metteur commun. Ce schma est plus dlicat manipuler que celui utilis jusqu' prsent dans ce cours, donc, on ne l'utilisera que quand ce sera ncessaire, soit pour des frquences suprieures 100 kHz. Il permet de dmontrer notamment la supriorit du montage base commune par rapport l'metteur commun en haute frquence, ce qui tait infaisable avec le schma simplifi.

2.

Thorme de Miller.

Dfinition. Si on place une impdance entre l'entre et la sortie d'un amplificateur de gain ngatif -Av (inverseur, comme l'metteur commun), alors, vue de l'entre, cette impdance est multiplie par -(Av + 1).

Fig. 23. Effet Miller.

Application au schma de Giacoletto. On voit l'application immdiate au schma de Giacoletto : la capacit C B'C situe entre la base et le collecteur du transistor, donc entre l'entre et la sortie d'un montage metteur commun sera multiplie par le gain de l'tage : vue de l'entre, elle vaudra plus d' 1nF !

Elle devient alors prpondrante devant C B'E et c'est elle qui va limiter le fonctionnement en HF.

Autres applications. Une autre application importante consiste utiliser cette proprit dans la conception de circuits intgrs. On fabrique des capacits avec deux surfaces mtallises en regard et spares par de l'isolant. La capacit est proportionnelle la surface, et en pratique, elle sera trs petite (impratifs de cots du silicium, donc des composants). On peut multiplier une capacit par effet Miller sur ces circuits, et gagner au choix de la surface de silicium ou augmenter la valeur de la capacit.

CHAPITRE 10 Les transistors effet de champ


I. INTRODUCTION.
Nous avons vu au chapitre prcdent que le transistor jonction tait une source de courant commande par un courant. Cette caractristique permet ce type de composants d'amplifier des signaux alternatifs. Du point de vue thorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractriss par un mode d'attaque diffrent : par exemple, une source de courant commande par une tension. Le principe reste le mme (une source commande), seule la nature du signal de commande change. Cet objet thorique existe : la famille des transistors effet de champ (Field Effect Transistor en anglais, FET) rpond la dfinition prcdente : ce sont des sources de courant commandes en tension. De ce point de vue, on conoit aisment que l'tude des FET va tre en tous points similaires celle des transistors jonction, et ce, malgr un fonctionnement microscopique compltement diffrent. Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les diffrences de structure et de fonctionnement prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant avec le transistor jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en rgime des petits signaux Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mmes outils de modlisation pour les deux composants.

II.

LE TRANSISTOR FET JONCTION.

A.

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.

1.

Constitution d'un FET. De mme qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET jonction (ou JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P . Le FET jonction canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de silicium P de manire former une jonction PN latrale par rapport au canal (Fig. 1.).

Fig. 1. FET jonction canal N (principe). Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et sortant par une deuxime, la source . L'lectrode connecte la couche de silicium P sert commander la conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille , par analogie avec l'lectrode du mme nom prsente sur les tubes vides. Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarise en inverse.

2.

Phnomne de pincement.

Tension drain-source nulle. Pour simplifier le raisonnement, nous allons considrer dans un premier temps un montage (Fig. 2.) o le canal est court-circuit (V DS = 0) et o la grille est un potentiel ngatif par rapport au canal (jonction polarise en inverse). Nous avons vu dans le chapitre consacr la diode que le fait de polariser la jonction en inverse crait une zone vide de porteurs, appele zone de dpltion : les trous de la zone P se recombinent avec les lectrons de la zone N, crant ainsi une zone neutre (il n'y a plus de porteurs pour assurer la conduction lectrique) d'paisseur w = k|V GS |.

Fig. 2. Modulation de conductivit V DS = 0. Il reste dans le canal N une zone conductrice d'paisseur (h-w). La rsistance entre drain et source sera alors gale :

o b est la largeur du canal et sa rsistivit. La rsistance R DS varie donc avec la tension (inverse) applique sur la jonction grille-canal. A la limite, pour V GS = V P , appele tension de pincement, la zone de dpltion ferme le canal : il n'y a plus de porteurs, et la rsistance entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) : c'est le phnomne de pincement.

Fig. 3. Phnomne de pincement.

Tension drain-source non nulle. Si on reprend le montage prcdent, et qu'en plus on applique une tension positive entre le drain et la source, le gradient de potentiel prsent tout le long du barreau de silicium constituant le canal va modifier le profil de la zone de dpltion. Vers le drain, la tension grille-canal sera suprieure (en valeur absolue) ce qu'elle est vers la source. En effet, on a la relation (attention, tous les termes sont ngatifs) :

En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire celle donne sur la figure 4.

Fig. 4. Modulation de conductivit pour V DS non nul. Sur cette figure, le canal n'est pas compltement bouch. Si on augmente la tension V DS , V GS donne, l'paisseur isolante w 2 va augmenter ; partir d'une certaine tension V DS , correspondant une largeur du canal trs

faible, le courant va tendre vers une valeur constante, car deux phnomnes contradictoires vont s'quilibrer : - une augmentation de V DS devrait entraner un accroissement du courant dans le canal (loi d'ohm), - mais cette augmentation de V DS va accrotre la tension VDG, qui aura pour effet d'agrandir la zone de dpltion et entraner une diminution de la largeur du canal, donc, de sa rsistivit. Un accroissement de la tension V DS ne va donc pas entraner une augmentation du courant dans le canal (le courant de drain), mais une augmentation de la rsistivit de ce canal. Le courant de drain va tendre vers une valeur constante.

B.

CARACTRISTIQUES. A partir de ce qui a t dit dans le paragraphe prcdent, on peut dj deviner trois choses : - Si V GS = V P , dans tous les cas, quelle que soit la tension V DS , le courant dans le canal sera nul. En effet, une tension V DS non nulle ne fera que renforcer le phnomne de pincement. - Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |V GS | sera plus leve. - Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle. Les caractristiques du FET s'en dduisent aisment.

1.

Caractristique d'entre. Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative, soit V GS < 0. La caractristique correspondante est donc celle d'un interrupteur ouvert : courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de fuite caractristique d'une jonction diode polarise en inverse. Ce courant double tous les 6C pour le silicium. A temprature ambiante, il sera infrieur au A, et plutt de l'ordre de quelques nA.

2.

Caractristiques de sortie et de transfert. La figure 5 reprsente les caractristiques de transfert I DS = f (V GS ) gauche, et de sortie I DS = f (V DS , V GS ) droite.

Fig. 5. Caractristiques du FET jonction. La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones : - la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui servira l'amplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor bipolaire. - la zone ohmique (en gris sur la figure 5.) : dans cette zone, le FET est assimilable une rsistance dont la valeur est fonction de la tension V GS . On ne reprsente que la partie positive de la caractristique, mais en fait, le canal conducteur peut laisser passer le courant dans les deux sens (c'est juste un barreau de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul dfaut qui limite les valeurs ngatives de V DS est le fait qu'au del d'une certaine tension ngative de drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal tant alors polarise en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Nanmoins, et condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines quelques centaines de mV), on peut considrer le FET comme une rsistance dont la valeur est pilote en tension. On notera que les caractristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du transistor bipolaire. La principale diffrence provient du mode d'attaque, comme indiqu en introduction : le FET est command en tension, et non en courant, comme l'est le bipolaire. Ce rseau de courbes est born en bas (I D = 0, V GS = V P ), et en haut (I D = I DSS , V GS = 0). I DSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA quelques dizaines de mA pour les FETs courants. La tension de pincement V P est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 -8V). La zone ohmique est sensiblement diffrente de la zone de saturation du transistor bipolaire. La fonction rsistance commande est spcifique au FET et ne peut pas tre ralise de cette faon avec un transistor bipolaire. Pour une mme rfrence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de I DSS et V P sera trs importante, plus encore que la dispersion observe pour les caractristiques des transistors bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront pas tre utiliss sans prcautions dans des montages pointus, ni plus forte raison, dans des montages de prcision.

La caractristique de transfert I DS = f (V GS ) rsume bien les limites du FET : courant de drain nul pour une tension V GS gale la tension de pincement V P , et courant maxi I DSS pour une tension V GS nulle. La courbe est assez bien approxime par une parabole d'quation :

La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier : en effet, pour un courant I DS donn, la drive (qu'on appelle judicieusement la pente du FET) va tre gale :

Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (I DS ) et du paramtre d'entre (V GS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un signal d'entre. La valeur maximum, atteinte pour V GS = 0, vaut :

On peut alors exprimer l'quation [4] sous la forme condense suivante :

La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques dizaines de mA/V. Elle dpend de la tension V GS (la tension de polarisation) : comme pour le transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas linaire ; on fera l aussi des hypothses de fonctionnement en petits signaux. On peut d'ailleurs faire un parallle avec l'amplification du transistor bipolaire. A elle seule, la caractristique de transfert du FET correspond la caractristique globale entre + transfert du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie caractristique de transfert est une transformation courant-courant I C =f (I B ), la caractristique d'entre oprant la conversion tension-courant. De ce point de vue, on peut considrer le bipolaire comme un gnrateur de courant command en tension (la diffrence avec le FET est qu'il consomme du courant). La pente du transistor bipolaire (le rapport I C / V BE ) vaut alors :

Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h 11e vaut 3k , ce qui fait une pente d'environ 50mA/V. La pente du transistor bipolaire est environ 5 10 fois plus leve que celle d'un FET typique. L'amplification qu'on pourra attendre d'un FET sera plus faible que celle obtenue dans les mmes conditions avec un bipolaire.

C.

REPRSENTATION. SCHMA QUIVALENT.

1.

Symboles des FETs. Le FET est reprsent par les symboles suivants :

Fig. 6. Symboles lectriques des FETs. La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant si la jonction tait passante. Pour le FET canal N, le courant I D circulera dans le sens reprsent sur la figure 6, la tension V DS sera positive et la tension V GS ngative. Pour le FET canal P, la tension V DS sera ngative et la tension V GS positive. Le courant de drain circulera de la source vers le drain.

2.

Schma quivalent en petits signaux. Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement polaris : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement. On construit le schma quivalent de la mme manire que pour le transistor bipolaire.

Fig. 7. Schma quivalent alternatif petits signaux. Le schma fig. 7. est celui relatif au FET canal N. L'entre se fait sur la grille. On note un trou entre grille et source : l'impdance grille-source est trs leve, on la considre en premire approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mmes lments que pour le transistor bipolaire : une source de courant (commande par la tension V GS , et non par un courant), et sa rsistance parallle . Comme pour le transistor bipolaire, cette rsistance est trs leve (plusieurs centaines de k ), et on la ngligera dans toutes les applications courantes.

D.

MONTAGE SOURCE COMMUNE. Ce montage est le pendant du montage metteur commun pour le bipolaire. Le fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire ; ce montage n'a toutefois que peu d'intrt, car le FET est un composant trs forte impdance d'entre, et ce, on va le voir, mme lorsqu'il est utilis en source commune. Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage canal P s'en dduit aisment.

1.

Polarisation. Il faut tout d'abord noter que la zone ohmique est relativement tendue, surtout vers les fortes valeurs de I DS . On veillera polariser le composant pour que la tension de repos V DSo ne soit pas trop faible, de manire ce qu'il fonctionne dans la zone gnrateur de courant .

Fig. 8. Montage source commune. Nous avons vu lors de l'explication du principe de fonctionnement du FET que le bon fonctionnement ncessitait une alimentation positive pour polariser le canal drain-source, et une alimentation ngative pour polariser la grille par rapport la source. Ce raisonnement est valable si on place la source la masse. En pratique, on va relier la grille la masse par une rsistance de forte valeur ; comme le courant qui circule dans la grille est trs faible (courant de fuite), le potentiel de la grille va tre pratiquement nul. Il reste trouver une astuce pour mettre la source un potentiel positif, ce qui fera V SG positif, donc V GS ngatif. Pour ce faire, on intercale une rsistance entre la source et la masse. Le courant de drain va circuler dans cette rsistance et lever le potentiel de la source par rapport la grille. Deux phnomnes vont alors se contrarier : - Le courant de drain est maxi pour V GS = 0 ; au dmarrage, on aura donc un fort courant dans la rsistance de source, donc une forte tension.

- mais, au fur et mesure que la tension va augmenter, la tension |V GS | va augmenter aussi, ce qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain. Les deux phnomnes vont s'quilibrer. La valeur du courant de drain va dpendre des caractristiques du FET (I DSS et V P ), et de la rsistance de source : c'est cette dernire qui nous permettra d'ajuster le courant de drain. La tension de polarisation sur R S sera de l'ordre de quelques volts (typiquement 1 3V). Il ne reste plus qu' alimenter le drain l'aide d'une source de tension, en intercalant une rsistance R D qui aura pour fonction (comme pour le montage metteur commun du bipolaire) la conversion courant / tension permettant d'exploiter le signal de sortie. On choisira le courant de drain (ou la rsistance R D ) de manire ce que la chute de tension dans cette rsistance soit gale la tension de polarisation V DSo , ceci pour assurer un maximum de dynamique au signal alternatif. On rajoute un condensateur de dcouplage C D sur R S pour que la source soit effectivement la masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de contre raction qui affaiblirait beaucoup le gain en tension. Vu que la grille est au mme potentiel que la masse (autant dire zro !), le gnrateur d'entre, s'il dlivre uniquement un signal alternatif, peut tre coupl directement la grille, sans condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le drain, en revanche ncessite un condensateur de liaison pour ne pas perturber les tages avals.

2.

Fonctionnement en petits signaux. Nous avons vu que la caractristique de transfert du FET n'est pas linaire : nous allons donc tre obligs de travailler en petits signaux pour pouvoir linariser le montage et utiliser les lois fondamentales de l'lectricit.

Schma quivalent. Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages transistors bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET de la figure 7, et on obtient :

Fig. 9. Schma quivalent en alternatif petits signaux. Ce schma est trs similaire celui de l'metteur commun du transistor bipolaire. La diffrence essentielle est que le gnrateur de courant est command par la tension V GS , et non pas par un courant i b .

Gain en tension. Les quations sont quasiment triviales. En entre, on a :

En sortie, si on nglige , dont la valeur est trs leve vis vis de R D , on a :

On en tire aisment le gain en tension vide :

Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dpasse gure la dizaine de mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ. On peut faire l'analogie avec le montage metteur commun en bipolaire, dont le gain tait gal -38,5 I Co R C . Le terme 38,5 I Co avait t appel la pente du transistor. R C a la mme fonction que le R D du montage FET, et pour des valeurs identiques de tension d'alimentation et de courant de drain / collecteur (par exemple 1mA), leur valeur sera la mme. La diffrence se fera donc sur la pente, soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre 5 mA/V en typique pour le FET.
R

Impdance d'entre. La solution est triviale :

On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute de tension occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable. On choisira typiquement une valeur de l'ordre de quelques M . L'avantage sur les montages bipolaires est vident.

Impdance de sortie.

On se retrouve exactement dans le mme cas de figure que pour le montage metteur commun du bipolaire. En oprant la mme transformation nortonthvenin que pour ce dernier montage, on trouve :

Cette valeur est moyenne, R D valant typiquement quelques k . On ne pourra gnralement pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur d'impdance en aval.

E.

UTILISATION EN RSISTANCE COMMANDE. Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la rsistance du canal en modifiant la tension V GS . Le FET est utilis dans un montage potentiomtrique (diviseur de tension) mettant en jeu la rsistance R DS du canal et une rsistance additionnelle R. Sur le schma figure 10, on remarque un rseau r-r-C reliant le drain la grille et la commande. On pourrait appliquer directement la tension V C sur la grille, mais en rajoutant ce rseau, on amliore la linarit, notamment pour des tensions V E , donc V S ngatives : en effet, on a dj vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarise en direct, et le FET ne travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moiti de la tension alternative prsente sur le drain, on amliore sensiblement la linarit et la tension maxi d'utilisation du FET en rsistance commande. Cette tension maxi demeure faible (quelques dizaines quelques centaines de mV).

Fig. 10. Utilisation en rsistance commande. Cette fonction est utilise en particulier dans des amplificateurs commande automatique de gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau d'entre fluctuant (exemple : rglage automatique du niveau d'enregistrement des magntophones cassette audio bon marchs). Une autre application dduite de la fonction rsistance commande est le commutateur analogique : si on applique une tension suprieure ou gale en valeur absolue la tension de pincement V P sur la commande, la rsistance de drain va devenir trs grande (quelques M ). Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k ), la tension V S sera quasiment gale la tension V E : tout le signal passe. Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la rsistance du FET sera minimum (quelques centaines d'ohms), et la tension V S sera quasiment nulle.

On a ainsi ralis un commutateur analogique. Cette fonction est trs utilise sous forme de circuits intgrs et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction indispensable pour les dispositifs d'acquisition de donnes.

F.

SOURCE DE COURANT.

Fig. 11. Source de courant deux bornes. On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procder pour obtenir un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la rsistance de source dfinit le courant de drain. Si on retire du montage source commune la rsistance de drain, on se retrouve avec un dispositif deux bornes susceptible de garantir un courant constant dans le circuit sur lequel il sera branch. Des circuits intgrs existent, qui comprennent le FET et sa rsistance de polarisation (la rsistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant prrgles. Des restrictions limitent toutefois leur usage : - le composant est polaris : le courant ne peut circuler que dans un seul sens. - ce dispositif ne gnre pas de courant, il le rgule (comme la zner rgule une tension). - la tension applique entre les deux bornes du composant doit tre au moins suprieure la tension V GS de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de pincement.

G.

DOMAINE D'UTILISATION. De par sa constitution, le FET jonction n'est pas adapt du tout aux forts courants. Il va rester cantonn aux applications d'amplification et de traitement des petits signaux. Il est utilis dans des montages haute impdance d'entre et faible bruit : pramplificateurs pour signaux de faible niveau par exemple. La fonction rsistance commande est beaucoup utilise. Il y a bien sr des restrictions d'utilisation : la portion de caractristique ohmique est linaire pour des faibles variations de tension (gure plus de 100mV), ce qui ncessite des prcautions de mise en uvre . Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractristiques d'un composant l'autre reste difficile matriser dans des montages composants discrets. On a intrt les trier si on dsire un rsultat fiable et rptable.

Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est l'intgration dans des composants tels les amplificateurs oprationnels : la trs forte impdance d'entre des JFET leur donne un avantage dcisif par rapport aux bipolaires, et aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualit possdent au minimum un tage d'entre en JFET. Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant trs bien adapt : le MOSFET.

III.

LE TRANSISTOR MOS FET.


Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs jonction : ils se dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les lectrodes vont aussi s'appeler drain, source et grille, leur fonction tant la mme que pour les JFETs.

A.

LE MOSFET CANAL INDUIT.

1.

Description. Dans un substrat faiblement dop P, on insre deux zones N fortement dopes. Ces deux zones seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une dizaine de m (spares par le substrat P). La source est gnralement relie au substrat. La grille n'est pas directement relie au substrat P ; elle en est isole par l'intermdiaire d'une trs fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette caractristique donne son nom au MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor. La grille est ainsi isole du substrat : le courant de grille sera nul en continu.

Fig. 12. Schma de principe d'un MOSFET canal N.

2.

Principe de fonctionnement. Si V GS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est compos de deux jonctions en srie, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse. Lorsqu'on applique une tension V GS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P forment un condensateur.

Fig. 13. Phnomne d'inversion. Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille. Pour une tension V GS suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en lectrons dans le substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et source. Mais, pour une tension V DS suprieure V GS , on annule la tension grille-drain, et donc l'effet condensateur : on a un phnomne de pincement du canal induit N comme pour le JFET. Le courant de drain tend alors vers une valeur constante, de la mme manire que pour le JFET. Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement , car une tension V GS positive enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.

3.

Caractristiques.

Fig. 14. Caractristique de sortie du MOS canal N. La caractristique de sortie est similaire celle d'un JFET, sauf que le courant de drain pourra atteindre plusieurs ampres pour des composants de puissance. On note la zone en fonctionnement ohmique, tout fait similaire celle des JFETs, et permettant les mmes applications. La caractristique de transfert a la forme suivante :

Fig. 15. Caractristique de transfert du MOS canal N. Cette caractristique de transfert est appele la transconductance du MOS, et est exprime en siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens (1 10 typiquement), soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les JFETs (quelques mS). La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typique). Ce seuil varie avec la temprature.

B.

LE MOSFET CANAL INITIAL.

1.

Description du principe de fonctionnement. Le MOSFET canal initial a la mme structure que le MOS canal induit, avec en plus, un canal faiblement dop N entre la source et le drain. Pour V GS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra circuler ; quand V DS augmente, un phnomne de pincement se produit, qui obstrue le canal : le courant de drain devient constant. Si V GS est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form par la grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de cette zone N) : on fonctionne en rgime d'appauvrissement. Au contraire, pour V GS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS canal induit, et le courant de drain va crotre.

Fig. 16. MOSFET N canal initial..

2.

Caractristiques. La caractristique de transfert est la suivante :

Fig. 17. Caractristique de transfert d'un MOS canal initial

C.

UTILISATION DES MOSFETs. De par leur constitution, les transistors MOS sont trs fragiles, notamment au niveau de la grille. Les dcharges lectrostatiques sont proscrire, car elles peuvent casser le composant, ou pis, l'endommager sans que ses caractristiques ne changent : c'est la fiabilit qui est compromise.

1.

MOSFET de puissance. Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont trs rapides et commandables en tension. On notera toutefois qu' frquence leve, la grille formant un condensateur avec le substrat, elle ne prsente plus une impdance infinie, comme en statique ! Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur caractristique essentielle est, avec la tension V DS maxi, la rsistance R DS , qui peut tre aussi basse qu'une dizaine de m .

2.

Intgration dans les composants numriques. La technologie MOS se prte trs bien l'intgration grande chelle : elle permet de raliser des composants logiques consommant trs peu de courant, et permet ainsi un trs grand niveau d'intgration (exemple : mmoires, microprocesseurs, circuits logiques divers ) Les transistors MOS sont utiliss ici en commutation.

CHAPITRE 11 Les amplificateurs oprationnels


I. INTRODUCTION.
Comme nous avons pu le constater dans les chapitres prcdents, les montages amplificateurs de base transistors ne sont pas trs commodes d'emploi : - ils ne transmettent pas le continu ; - ils sont tributaires des dispersions des transistors, ce qui fait que leurs caractristiques sont imprcises et non rptables ; - leurs performances sont moyennes, et moins d'aligner un montage plusieurs transistors, on ne peut pas avoir simultanment fort gain en tension, haute impdance d'entre et faible impdance de sortie. Les amplificateurs oprationnels sont ns au dbut des annes 60, quand on a commenc intgrer plusieurs transistors et rsistances sur le mme substrat de silicium ; cette technologie a permis de btir des montages complexes, et de les faire tenir sur une petite plaquette de silicium encapsule dans un botier (gnralement 8 broches) commode d'emploi. Avec ces composants, on a eu accs des amplificateurs simples d'utilisation, transmettant des signaux continus, et mise en uvre facile l'aide de quelques composants annexes (rsistances, condensateurs...) ; les caractristiques des montages obtenus ne dpendent quasiment plus de l'amplificateur oprationnel, mais uniquement des composants passifs qui l'accompagnent, ce qui garantit une bonne fiabilit du rsultat et assure sa rptabilit. Les amplificateurs oprationnels ont beaucoup progress depuis leur cration, et tendent maintenant devenir trs proches de l'amplificateur idal (l'amplificateur oprationnel parfait, AOP).

II.

L'AMPLIFICATEUR OPRATIONNEL PARFAIT.

A.

PRINCIPE. A la base, l'AOP est un amplificateur diffrentiel, donc muni de deux entres , l'une dite non inverseuse (V + ) et l'autre inverseuse (V - ), et d'une sortie (s) :

Fig. 1. Symbole d'un amplificateur diffrentiel.

La fonction de transfert complte en continu (en pratique, A vd et A vmc dpendent de la frquence) de cet amplificateur est donne par la formule :

A vd est le gain en tension diffrentiel de l'amplificateur, et Avmc le gain en tension de mode commun. Dans le cas d'un amplificateur parfait, on fait l'hypothse que ces gains ne dpendent pas de la frquence. Les gains, ainsi que les impdances d'entre et de sortie d'un AOP doivent rpondre des critres prcis. On peut donner un schma quivalent de l'AOP :

Fig. 2. Schma quivalent d'un AOP.

B.

CARACTRISTIQUES. Pour que cet amplificateur soit parfait, les gains en tension doivent rpondre aux caractristiques suivantes : - A vd = - A vmc = 0 On distingue deux types d'impdances d'entre dans un AOP : l'impdance diffrentielle et celles de mode commun, qui sont dfinies sur le schma de la figure 2. Un ampli parfait doit rpondre aux critres suivants du point de vue des impdances : - Z ed = - Z emc = - Zs = 0 En rsum : un amplificateur oprationnel parfait est un amplificateur de diffrence pur gain diffrentiel infini, rejetant parfaitement le mode commun, dont les impdances d'entres sont infinies et l'impdance de sortie est nulle. En pratique, nous verrons que l'amplificateur oprationnel rel prsente des dfauts par rapport l'idalisation que constitue l'AOP, mais le modle de ce dernier est suffisant pour tudier la

plupart des montages simples sans faire des calculs laborieux et inutiles : en effet, du point de vue impdances et gains, et sauf utiliser les composants leurs limites, les amplis rels sont suffisamment prs des AOP pour qu'on fasse les approximations avec une erreur minime (trs souvent mieux que le %). Seul le comportement frquentiel pose vraiment problme par rapport au modle idal.

C.

FONCTIONNEMENT D'UN SYSTME BOUCL. Tous les montages fondamentaux vont tre tudis avec les hypothses relatives au modle d'AOP parfait telles que dcrites prcdemment. Dans ces hypothses, on a vu que le gain en tension diffrentiel tendait vers l'infini : cela implique que la tension d'entre diffrentielle (V + - V - ) va devoir tendre vers 0 pour que la tension de sortie soit finie (voir quation [1]). Une grande consquence de ceci est qu'on n'utilisera (quasiment) jamais un amplificateur oprationnel en boucle ouverte pour un fonctionnement linaire ; on l'utilisera toujours avec une contre raction, soit en boucle ferme : on rinjectera une fraction de la tension de sortie sur l'entre inverseuse (retour du signal en opposition de phase). Nous allons maintenant tudier quelques rudiments de la thorie des systmes boucls pour mieux comprendre le fonctionnement des montages classiques utilisant des AOP.

1.

Schma-bloc d'un systme boucl. On peut reprsenter un systme boucl une entre et une sortie de la manire suivante :

Fig. 3. Systme boucl.

Le signal est d'abord attnu en passant dans le bloc de fonction de transfert (qui dans beaucoup de cas est gale l'unit : on peut alors supprimer ce bloc), et arrive ensuite dans un mlangeur diffrentiel. Dans ce mlangeur, une fraction du signal de sortie est soustraite du signal d'entre attnu. Le tout est multipli par la fonction de transfert du bloc A. On obtient l'quation suivante :

On peut en tirer le rapport H=s/e, qui est la fonction de transfert du systme boucl :

Le produit AB est le gain de boucle du systme ; dans un systme boucl, on cherche ce qu'il soit le plus grand possible de manire ce que H dpende trs peu de A. En effet, si AB>>1, on peut crire :

Si et B sont bien matriss (ce sont la plupart du temps des rseaux constitus de composants passifs de prcision correcte), la fonction de transfert H ne dpendra quasiment plus de la fonction de transfert A, qui pourra tre assez imprcise, pourvu que sa valeur soit leve. On ralise un asservissement de la sortie l'entre au facteur /B prs. Deux autres avantages (que nous ne dmontrerons pas ici) concernent les impdances d'entre et de sortie : - l'impdance diffrentielle d'entre est multiplie par le gain de boucle. - l'impdance de sortie est divise par le gain de boucle. Ces deux proprits sont importantes, car elles vont permettre d'amliorer les performances apparentes des amplificateurs rels, et donc de justifier encore mieux le fait qu'on utilise le modle de l'AOP pour faire les calculs.

2.

Application l'AOP. Le fonctionnement en asservissement tel que dcrit prcdemment va convenir idalement aux amplificateurs oprationnels : ceux-ci prsentent un gain en tension trs lev, mais dfini un facteur trois ou quatre prs sur un lot de composants et en fonction des conditions d'utilisation (charge, temprature...). Le fait de les boucler va permettre de s'affranchir de leurs imperfections. L'AOP est un amplificateur diffrentiel grand gain. On peut reprendre le schma de la figure 3 et l'adapter son cas.

Fig. 4. L'AOP boucl.

Ce montage appelle quelques commentaires : - La fonction de transfert A est le gain diffrentiel de l'amplificateur (infini pour un AOP, trs grand et dpendant de la frquence pour un ampli rel). - les blocs et B sont des quadriples (donc munis de deux entres et de deux sorties) ; dans le cas des montages AOP, ces quadriples ont en fait une entre et une sortie relies la masse : elles ne sont pas reprsentes sur les schmas blocs. - si le signal d'entre e rentre (via le bloc ) sur l'entre V - , il faudra rajouter un signe - pour que les quations prcdentes soient vrifies. On a vu que dans le cas de l'AOP, le gain A est infini. Le gain de boucle sera donc lui aussi infini, et la sortie du mlangeur diffrentiel, on va avoir un signal qui tend vers 0 pour que le signal de sortie s ait une valeur finie. L'amplificateur ne va pas amplifier le signal proprement dit, mais l'cart entre l'entre et la sortie qui va donc copier fidlement l'entre au facteur /B prs. On parle alors d'amplificateur d'erreur.

3.

Calcul des montages AOP. Il existe deux alternatives pour calculer les montages amplificateurs oprationnels : utiliser la loi d'ohm, ou les traiter par la mthode des schmasblocs. Pour la suite du cours, les montages (qui sont des montages de base, donc simples) seront calculs l'aide de la loi d'ohm ; toutefois, pour illustrer au moins une fois le calcul par schma-blocs, nous allons traiter l'amplificateur inverseur par cette mthode. Pour des montages un peu compliqus, la loi d'Ohm (et ses drivs : thorme de superposition, Thvenin...) donnent assez vite des mises en quation laborieuses ; de plus, si on veut prendre en ligne de compte le comportement frquentiel de l'amplificateur rel, les calculs deviennent trop complexes et peu intelligibles.

On calculera alors les montages par la mthode des blocs. Cette mthode est aussi trs pratique dans le cas de calcul de fonctions de transferts l'aide d'outils informatiques : le problme est bien dcompos et donc plus facile simuler.

III.

MONTAGES DE BASE AOP.


Dans "amplificateur oprationnel", il y a deux mots : - amplificateur : c'est la fonction de base de ce composant ; on va tudier plusieurs montages amplificateurs de base. - oprationnel : les caractristiques de cet ampli nous donnent la possibilit de crer des fonctions mathmatiques telles que drive, intgrale, Log... Ces fonctions ont autrefois (il y a 25 ans !) t utilises dans des calculateurs analogiques, et permettaient notamment de rsoudre des quations diffrentielles, et ainsi de simuler des rponses de systmes physiques divers (mcaniques, acoustiques...). D'o le nom "oprationnel". Nous tudierons les fonctions oprationnelles de base.

A.

AMPLIFICATION

1.

Amplificateur inverseur. C'est le montage de base amplificateur oprationnel. L'entre non inverseuse est relie la masse ; le signal d'entre est reli l'entre inverseuse par une rsistance R 1 , et la sortie est relie cette entre par une rsistance R 2 .
R

Fig. 5. Amplificateur inverseur.

Calcul par la loi d'ohm. La mise en quation est trs simple, et s'appuie sur les conditions vues lors de la dfinition de l'AOP :

- les impdances d'entre tant infinies, il n'y a pas de courant qui rentre dans l'entre inverseuse (V - ) ; par consquent, tout le courant i arrivant dans R 1 ira par R 2 vers la sortie de l'AOP.
R

- Le gain A vd est infini ; dans ces conditions, (V + - V - ) va tendre vers 0. De cette dernire constatation, on peut tirer une quation simplissime, mais fondamentale, et toujours vraie en fonctionnement linaire :

Comme V + est la masse, V - se retrouve au mme potentiel : comme ce point n'est pas reli physiquement la masse, on parle de masse virtuelle ; pratiquement, et du point de vue calcul, tout se passe comme si V - tait vraiment reli la masse. Ces constatations tant faites, le calcul du gain en tension est un jeu d'enfant :

On fera attention l'expression [7] : la tension et le courant sont dans le mme sens, d'o le signe -. Le gain en tension est donc ngatif, et sa valeur ne dpend que des deux rsistances R 1 et R 2 , qui peuvent tre trs prcises : contrairement aux montages transistors, le rsultat va tre fiable et rptable ! Le calcul de l'impdance d'entre est aussi simple :

On voit ici les limites de ce montage amplificateur : pour obtenir un fort gain en tension, il faut augmenter R 2 et diminuer R 1 ; or, on va de ce fait diminuer l'impdance d'entre. Comme celle ci devra rester suffisamment grande et que d'autre part, on ne peut pas augmenter R 2 au del de quelques M (problmes de bruit, les imperfections des amplis rels deviennent sensibles...), le gain sera limit et ne pourra pas trop dpasser quelques centaines, ce qui est dj trs bon ! L'impdance de sortie sera nulle, comme celle de l'AOP, et comme celle de tous les autres montages bass sur un AOP :

Calcul par la mthode des schmas-blocs.

On a ici un rseau de deux rsistances partant de l'entre et aboutissant la sortie, en passant par l'entre - de l'ampli. Comment se ramener un schma quivalent celui de la figure 4 ? D'abord, on remarque qu'aucun signal n'arrive sur l'entre + de l'ampli : c'est un des cas o on va mettre un signe - au terme . Ensuite, pour calculer et B, il va falloir utiliser le thorme de superposition. Partant de ces deux remarques, on peut dfinir le quadriple (figure 6). Il devrait thoriquement arriver sur l'entre + de l'ampli, on compensera le fait qu'il arrive sur l'entre - par un signe -. Pour dterminer le quadriple , on utilise le thorme de superposition : on considre que V s est gal 0, seule compte la contribution de V e . La valeur de est alors triviale (pont diviseur) :

Fig. 6. Quadriple .

De la mme manire, on va obtenir le quadriple B : thorme de superposition, on "teint" la source V e , et ici, pas de signe -, car B reboucle bien sur l'entre - de l'ampli.

Fig. 7. Quadriple B.

B vaudra :

Au final, si on applique le rsultat de l'quation [4] nos valeurs, on obtient bien :

On note que dans ce cas, la mthode des schmas-blocs est plus longue que l'utilisation de la loi d'ohm : nous l'avons dj dit, elle devient "rentable" quand le schma se complique, ou pour faire des simulations sur ordinateur (logiciels de trac de courbes travaillant en complexes, calculateurs vectoriels et matriciels...)

2.

Gnralisation des diples quelconques.

Fig. 8. Amplificateur inverseur gnralis.

On a prcdemment tabli un rsultat pour deux rsistances R 1 et R 2 ; on peut appliquer ce rsultat n'importe quels diples d'impdances Z 1 et Z 2 . La condition que Z 1 et Z 2 soient des diples est fondamentale. Le gain en tension est le suivant :

Ceci ouvre la voie tout une panoplie de filtres et correcteurs en frquence divers et varis ; le gros avantage de l'AOP par rapport des circuits purement passifs, c'est qu'on va pouvoir amplifier le signal certaines frquences, et non plus seulement l'attnuer, ce qui offre des dbouchs nouveaux et intressants.

3.

Amplificateur non inverseur. L'amplificateur non inverseur est le deuxime amplificateur de base. Pour calculer le gain en tension, on va se servir de l'quation [5] et en dduire :

R 2 et R 1 forment un pont diviseur entre V s et V - , soit :


R

On en tire :

Fig. 9. Amplificateur non inverseur.

Le gain est non seulement positif (ampli non inverseur), mais il est aussi toujours suprieur 1, alors que l'ampli non inverseur autorisait un gain (en valeur absolue) infrieur 1, soit une attnuation. Notons que pour un ampli, cette caractristique n'est pas trop gnante... Pour ce qui est de l'impdance d'entre, on attaque directement l'entre de l'ampli : elle sera donc infinie dans le cas d'un AOP, et trs grande dans tous les cas ; de plus, elle ne dpend pas du gain choisi, ce qui laisse plus de latitude dans le choix de R 1 et R 2 pour rgler le gain que dans le cas du montage inverseur. L'impdance de sortie est nulle :

On a donc ici un ampli qui prsente des caractristiques idales ! En pratique, seul le comportement en frquence de l'amplificateur oprationnel rel viendra ternir le tableau. On notera la simplicit de mise en uvre du montage, compar un tage transistor : impdances idales, gain ajustable loisir et de faon prcise, voire rglable par un simple potentiomtre, transmission de signaux continus, tout ceci avec un seul amplificateur oprationnel (gnralement en botier 8 broches) et deux rsistances ! Tout comme pour l'amplificateur inverseur, une gnralisation de ce montage est faisable avec n'importe quels diples d'impdance Z 1 et Z 2 remplaant respectivement les rsistances R 1 et R 2 . l'expression du gain devient :

4.

Montage suiveur.

Ce montage est une extrapolation de l'ampli prcdent, avec R 1 = et R 2 = 0. On obtient un montage tout simple, de gain unit, dont la seule fonction est l'adaptation d'impdance. On le placera donc en tampon entre deux portions de circuit de faon les isoler l'une de l'autre pour prvenir toute interaction parasite. Ce circuit est aussi idal en entre et en sortie d'un montage pour bnficier d'impdance d'entre infinie (ou presque) et d'impdance de sortie trs basse.

Fig. 10. Amplificateur suiveur.

B.

MONTAGES OPRATIONNELS. Aprs les fonctions d'amplification de base, on va voir plusieurs montages oprationnels, dans le sens o ils vont raliser des oprations arithmtiques sur un ou plusieurs signaux.

1.

Additionneur inverseur.

Fig. 11. Amplificateur sommateur inverseur.

On a souvent besoin de mlanger plusieurs signaux ensemble ; la difficult rside dans le fait qu'il faut viter toute interaction de rglage des gains affects aux diffrentes entres, ceci pour deux raisons : - si on doit recalculer tout l'chafaudage chaque modification du gain d'une entre, ou en cas de rajout d'une entre, le montage n'est pas vraiment pratique. - on ne peut pas faire varier le gain de chaque voie indpendamment des autres, l'aide d'un potentiomtre, par exemple, alors que c'est une fonction souvent demande ce genre de montage. Le circuit dcrit ici permet de s'affranchir de ces dfauts.

la base de ce montage, on retrouve l'amplificateur inverseur ; on avait vu que l'entre inverseuse tait considre comme une masse virtuelle, et qu'aucun courant n'entrait dans l'AOP. De ce fait, chaque courant i i ne dpend que de la tension d'entre V ei et de R i relatif sa branche : il n'y aura donc pas d'interaction entre les diffrentes entres. On a :

La loi des nuds en V - nous donne :

En sortie, on a :

Au global, on obtient pour V s :

On voit qu'on peut ajuster le gain globalement en jouant sur R, et le gain de chaque entre en jouant sur les rsistances R i . Ce montage offre donc toutes les souplesses. On peut obtenir un additionneur inverseur pur en fixant toutes les rsistances du montage la mme valeur. Aux chapitre des inconvnients, l'impdance d'entre de chaque voie i est gale la rsistance R i :

La latitude de rglage cite prcdemment baisse donc un peu du fait de cette contrainte, car plus le gain sera lev, plus l'impdance d'entre sera faible. Comme d'habitude, l'impdance de sortie de ce circuit est voisine de 0.

2.

Montage soustracteur (diffrentiel).

Ce montage permet d'amplifier la diffrence de deux signaux. C'est un montage de base trs important en mesures.

Fig. 12. Amplificateur diffrentiel.

Pour calculer le gain en tension de cet tage, on va faire appel la formule du pont diviseur et au thorme de superposition. Le lien va encore tre l'quation :

La tension sur l'entre non inverseuse est :

La formule du pont diviseur est ici applique sans approximation, car l'impdance d'entre de l'AOP est infinie. Le calcul de la tension sur l'entre inverseuse se fait en deux temps, et avec l'aide du thorme de superposition :

Des quations [29], [30] et [31], on tire :

La formule gnrale de la tension de sortie de ce montage est donc :

Tel quel, ce montage n'est pas un ampli de diffrence ; il faut imposer des conditions sur les rsistances. Si on pose :

en remplaant k par sa valeur dans [33] et compte tenu de la proprit suivante :

on obtient :

On a bien en sortie la diffrence des deux signaux d'entre multiplie par le gain k. Si les rsistances ne sont pas bien apparies deux deux dans le rapport de k (condition [34]), le gain ne sera plus purement diffrentiel ; il va apparatre un terme de mode commun. Ce dfaut sera expliqu en dtail dans le cours d'lectronique 2 (Amplificateur d'instrumentation). Les impdances d'entre Z e1 et Z e2 sont difficiles cerner, surtout celle de l'entre inverseuse Z e2 ; on retiendra qu'elles sont diffrentes, ce qui peut poser des problmes pour certaines applications. On peut aussi dfinir une impdance d'entre diffrentielle Z ed et une de mode commun Z emc . Une de ces impdances est constante, c'est l'impdance d'entre diffrentielle Z ed :

Cette valeur est quivalente ce qu'on obtient avec l'amplificateur inverseur : elle est faible quand le gain devient lev.

3.

Montage intgrateur. Nous attaquons ici les montages oprationnels plus sophistiqus que de simples additions ou soustractions.

Fig. 13. Montage intgrateur.

Le calcul de la rponse V s un signal d'entre V e se traite comme dans le cas de l'amplificateur inverseur. On a :

En sortie, le condensateur a aux bornes de ses armatures une charge lectrique q gale :

Cette charge lectrique est l'intgrale du courant i qui traverse le condensateur ; compte tenu du sens de i, on a :

Si on remplace dans [40] i et q par leur valeur en fonction de V e et de V s (quations [38] et [39]), on obtient :

On retrouve en sortie l'intgrale du signal d'entre. Ce montage est dlicat utiliser et devra faire l'objet de prcautions : en effet, la moindre tension continue prsente l'entre (y compris et surtout une tension parasite) sera intgre et gnrera une rampe en sortie. Il faudra donc prvoir des dispositifs annexes, soit un systme de stabilisation, soit un systme de remise zro de la sortie.

4.

Montage drivateur. Ce montage est similaire au prcdent et se traite de la mme manire.

Fig. 14. Montage drivateur.

En entre et en sortie, on a :

Le courant i est la drive de la charge lectrique q prsente sur les lectrodes du condensateur :

Au final, on obtient :

La sortie est proportionnelle la drive de l'entre. Comme pour le montage prcdent, avec un amplificateur rel, on aura des difficults faire fonctionner ce circuit tel quel (systme instable), et il faudra rajouter des lments pour le rendre pleinement fonctionnel.

5.

Montage logarithmique. Dans ce montage, on retrouve la structure traditionnelle de l'ampli inverseur, mais avec une diode en contre-raction. Cette diode, dont la caractristique courant/tension est logarithmique va nous donner une fonction de transfert de ce type. En entre, on a :

Et en sortie :

Lorsque le terme en exponentielle est significativement suprieur 1 (V d > 50mV environ), on peut crire :

Soit, en remplaant i par sa valeur :

Fig. 15. Montage logarithmique.

En sortie, on trouve bien une fonction logarithmique du signal d'entre. Tel quel, ce montage aurait peu d'intrt ; mais, si on se rappelle qu'additionner des logarithmes revient faire une multiplication, on en peroit l'utilit ! En pratique, et une fois de plus, ce montage (bien que fonctionnel) n'est pas utilis tel quel : d'abord, il ne fonctionne que pour des tensions d'entre positives, et il ncessite de srieuses compensations thermiques pour permettre des oprations

prcises. De plus, on remplace souvent la diode par une jonction base-metteur de transistor, linaire sur une plus grande plage de courant.

6.

Montage exponentiel. Pour multiplier deux signaux, il ne suffit pas de prendre le Log de chacun des signaux, et d'additionner ; il faut ensuite prendre l'exponentielle du rsultat. Ce circuit est fait pour a.

Fig. 16. Montage exponentiel.

Par des calculs analogues aux prcdents, on dmontre facilement et de la mme manire :

En pratique, on trouve des circuits intgrs tout faits comprenant le montage Log, le montage exponentiel, ainsi que les compensations thermiques et diverses possibilits de rglage de gain. Ces montages sont des multiplieurs analogiques, et servent notamment, en mesures, linariser certains capteurs. A noter que ces composants sont dlicats, coteux, et prsentent des drives importantes. L'utilit de tels montages est devenue douteuse avec l'introduction massive du traitement numrique.

C.

FILTRAGE. L'amplificateur oprationnel ouvre les portes d'une kyrielle de fonctions de filtrage, qu'on dnomme filtres actifs, par opposition aux filtres passifs (fabriqus avec des composants du mme nom) qui ne peuvent qu'attnuer le signal. Avec un AOP, on va pouvoir amplifier certaines frquences autant qu'en attnuer d'autres. Il est hors de question d'aborder ici tous les filtres possibles (exercice qui n'a de limite que la crativit humaine !) : le lecteur dsireux d'approfondir le sujet pourra consulter des ouvrages spcialiss dans le filtrage, et aussi les data books des fabricants d'amplificateurs, qui sont bien souvent une mine d'ides gratuites (qu'on retrouve d'ailleurs souvent telles quelles dans des livres chers...). Les filtres classiques d'ordre 1 prsentent peu d'intrt en filtrage actif, l'apport tant faible (au mieux, adaptation d'impdance) par rapport au filtrage passif.

Nous allons voir deux filtres du deuxime ordre dont la fonction de transfert prsente des racines imaginaires ; ceci n'est possible en filtrage passif que si on fait appel des inductances, qui sont des composants encombrants, rares, imprcis et coteux. Grce l'AOP, on va faire de tels filtres uniquement avec des rsistances et des condensateurs.

1.

Passe bas 2e ordre.

Fig. 17. Filtre passe bas du deuxime ordre.

On peut remarquer qu' la base, la structure ressemble fort deux filtres passifs RC passe bas concatns. La diffrence vient du fait que le premier condensateur n'est pas reli la masse, mais la sortie du filtre qui est isole de la deuxime cellule passe-bas par un montage suiveur. La rponse en frquence de ce montage est du type :

La fonction de transfert "gnrique" d'un filtre passe bas d'ordre 2 est du type :

On identifie les deux formules pour les valeurs suivantes de o et z :

Le rseau de courbes de rponse en frquence (amplitude et phase) de ce filtre est donn en annexe 1 en fonction du coefficient de surtension z.

2.

Passe haut 2e ordre.

Fig. 18. Filtre passe haut du deuxime ordre.

La topologie de ce filtre est la mme que celle du prcdent, sauf qu'on a permut les rsistances et les condensateurs. La fonction de transfert est :

La pulsation de cassure et le coefficient de surtension de ce filtre sont :

La rponse en frquence (amplitude et phase) de ce filtre est donne en annexe 2. Il est possible de concatner les deux filtres prcdents, et de les combiner avec des filtres du premier ordre pour obtenir un filtre d'ordre plus lev. Des ouvrages traitant des filtres donnent les valeurs des frquences de cassure et coefficients de surtension adquats pour obtenir la rponse en frquence dsire.

D.

MONTAGES NON LINAIRES. Les montages prcdents sont qualifis de "linaires" car l'amplificateur fonctionne avec la condition V + = V - , soit dans sa plage de fonctionnement en amplificateur linaire. Il convient de noter que certains des montages tudis (ex : montage logarithmique) ne sont pas linaires ! Mais, l'amplificateur, lui, fonctionne en mode linaire. Nous allons voir maintenant plusieurs montages (et il en existe bien d'autres) dans lesquels cette condition n'est plus vrifie. Pour ce faire, on va forcer artificiellement les deux entres des valeurs diffrentes, ce qui impliquera en sortie, du fait du gain infini (trs grand pour les amplis rels), que l'ampli ne pourra prendre que deux valeurs : V sat+ et V sat- , qui sont respectivement les tensions de saturation positive et ngative de l'ampli. En effet , ce dernier est aliment par deux sources de tension dont on ne pourra pas dpasser la valeurs en sortie.

Vu que l'ampli ne peut prendre que les deux valeurs des tension en sortie, ces montages sont appels montages en commutation, et peuvent tre interfacs avec des circuits logiques, qui ne connaissent, eux aussi, que deux tats.

1.

Comparateur de tensions. C'est un montage qui sert de base de nombreux autres schmas plus labors. Le principe est simple : on compare un signal d'entre une tension de rfrence, et selon que la valeur du signal est suprieure ou infrieure la rfrence, l'ampli prendra l'une ou l'autre des valeurs V sat+ ou V sat- en sortie. Il existe deux configurations : le comparateur non inverseur (signal sur l'entre +) et le comparateur inverseur (signal sur l'entre -). Dans le premier cas, si la rfrence est gale 0, la sortie vaut V sat+ quand le signal est positif et V sat- sinon. Dans le deuxime cas, on a l'inverse.

Fig. 19. Comparateur non inverseur.

Si on met un signal sinusodal l'entre, les chronogrammes d'entre et de sortie sont :

Fig. 20. Comparateur : chronogrammes

Important : ce montage est souvent fait avec des amplificateurs oprationnels, mais on remplacera avantageusement ce composant par un comparateur diffrentiel, qui est une sorte d'amplificateur grand gain et deux entres aussi, mais qui est prvu pour fonctionner en mode non linaire (commutation) de faon

bien plus rapide qu'un ampli op qui n'a pas des caractristiques exceptionnelles dans ce domaine. De plus, ces composants sont souvent conus pour fonctionner avec une seule alimentation 0-5V de manire s'interfacer facilement avec des composants logiques.

2.

Trigger. Ce montage est trs utilis dans tout systme de mesure o l'on doit dtecter un seuil : il est donc fondamental. Il est une volution du comparateur, destine amliorer les performances avec des signaux bruits. Il existe plusieurs schmas possibles. Le montage suivant a t choisi comme cas d'cole :

Fig. 21. Trigger.

A premire vue, ce montage ressemble un ampli inverseur, mais, il ne faut pas se tromper : le rseau de rsistances R 1 , R 2 est reli l'entre +, ce qui fait que cette fois, le signal de sortie revient en phase sur l'entre ; on a non plus une contre raction, mais une raction positive (effet boule de neige), ce qui entrane la divergence de la tension de sortie vers une des valeurs V sat+ ou V sat- . Dans ce montage (et les autres montages non linaires), l'amplificateur fonctionne en comparateur : comme le gain est infini (ou trs grand), on a les relations :

Ici, la valeur de V - est triviale :

Et la valeur de V + se calcule aisment l'aide du thorme de superposition :

Le basculement de la sortie de l'ampli se fait pour V + = V - :

Dans cette formule, il faut garder l'esprit que V s ne peut prendre que les deux valeurs V sat+ et V sat- . Dans le cas particulier o V ref = 0 et V sat+ = |V sat- | = V sat , on aura :

La figure 22 donne les signaux d'entre, de sortie, et de l'entre + de l'amplificateur, pour R 1 =10k et R 2 =33k :

Fig. 22. Signaux sur le trigger

En fait, tout se passe comme si on avait un comparateur de tension ayant deux seuils de basculement lis aux tats de la sortie : quand la sortie est l'tat bas, le seuil a une valeur haute ; pass ce seuil, la sortie bascule l'tat haut, et le seuil prend une valeur basse. De ce fait, pour faire rebasculer la sortie l'tat bas, il faut que le signal diminue d'une quantit suprieure la valeur l'ayant faite basculer prcdemment : c'est l'hystrsis du trigger. Un trigger est caractris par son cycle d'hystrsis (la rponse est diffrente suivant la valeur de l'tat de la sortie). Le cycle relatif aux signaux de la figure 22 (mmes valeurs de composants) est le suivant :

Fig. 23. Cycle d'hystrsis du trigger

Ce cycle est centr autour de zro, qui est la valeur de la tension de rfrence V ref . On y voit les deux seuils de basculement de la sortie ; La diffrence de ces deux seuils est la valeur de l'hystrsis. Ce cycle est ici symtrique pour deux raisons : - V ref = 0 - V sat+ = |V sat- | = V sat Si on modifie ces valeurs, le cycle va devenir asymtrique par rapport la tension de rfrence. Quelle est l'utilit d'un tel montage ? Lorsqu'on doit transformer un signal analogique en signal numrique binaire (deux tats dfinis par une valeur de seuil sur le signal analogique), si le signal d'entre varie trs lentement et/ou est bruit, on peut avoir un phnomne oscillatoire en sortie de l'amplificateur d au bruit ou des ractions parasites de la sortie sur l'entre. Pour prvenir ces oscillations, on "verrouille" le signal de sortie en en rinjectant une partie sur l'entre +. Pour qu'il y ait des oscillations parasites, il faut que la tension d'entre varie de l'oppos de la valeur de l'hystrsis juste aprs le basculement. Cette dernire est ainsi ajuste en fonction du bruit prsent sur le signal d'entre. Comme pour le montage comparateur vu prcdemment, un comparateur diffrentiel remplacera avantageusement l'amplificateur oprationnel.

3.

Multivibrateur astable. Le but de ce montage est de dlivrer un signal carr en sortie : c'est un gnrateur de signal autonome.

Fig. 24. Multivibrateur astable.

Sur le schma, on peut distinguer un trigger lgrement diffrent de celui de la figure 21 : l'entre se fait sur l'entre - de l'ampli ; l'hystrsis se fait l aussi par un rseau de rsistances en raction positive sur l'entre +, une des extrmits de R 1 tant relie la tension de rfrence (ici, la masse). L'entre est connecte ici un circuit R-C aliment par la sortie de l'amplificateur.

Un oscillogramme est donn en figure 25, qui permet de mieux comprendre le fonctionnement de ce montage.

Fig. 25. Signaux sur un multivibrateur

Nous ferons l'hypothse que V sat+ = |V sat- | = V sat . Supposons qu' la mise sous tension, le condensateur soit dcharg, et que V s =+V sat . La tension aux bornes de V + est donne par la relation suivante (elle est positive) :

La sortie alimente un circuit R-C, et C se charge selon la loi exponentielle suivante :

Lorsque V - = V + , le trigger bascule (voir figure 25), et on applique alors une tension -V sat sur le R-C qui devra se dcharger de la valeur de l'hystrsis du trigger avant que la sortie ne bascule nouveau, et ainsi de suite. Avec les hypothses prcdentes (V sat+ = |V sat- | = V sat ), on aura en sortie du multivibrateur un signal carr (rapport cyclique gal 0.5), de frquence gale :

En pratique, le signal aura un rapport cyclique diffrent de 1/2 car les tensions de saturation de l'ampli ne sont pas gales, et varient avec la temprature, la charge... Pour obtenir un signal "carr" convenable, on utilisera un ampli fort slew rate, ou beaucoup mieux, comme pour le trigger, un comparateur diffrentiel. Ce type de montage est important du point de vue principe, mais en pratique, il existe des solutions beaucoup plus "propres" pour gnrer un signal carr. On n'utilisera donc ce montage qu' titre de dpannage !

4.

Redresseur sans seuil.

Fig. 26. Redresseur sans seuil.

On a vu dans le cours sur les diodes que le gros problme de ce composant, pour redresser des faibles tensions, provient de son seuil lev (>0.5V pour le silicium), qui dpend en plus de la temprature. Cette caractristique interdit le redressement de faibles signaux avec une prcision dcente. L'amplificateur oprationnel va nous aider ! Le montage est celui de la figure 26 : le montage ressemble un suiveur auquel on a adjoint une diode en srie avec l'amplificateur. Pour des tensions d'entre ngatives, la sortie de l'ampli va avoir tendance devenir ngative, mais, elle est bloque par la diode : il n'y a pas de contre-raction, car le signal de sortie de l'ampli ne peut pas revenir sur l'entre -. Dans ce cas, la tension de sortie de l'amplificateur va prendre la valeur V sat- , et la tension de sortie du montage va tre nulle. Lorsque la tension d'entre va devenir positive, la sortie de l'amplificateur va devenir positive aussi, et elle va augmenter jusqu' la valeur de la tension de seuil de la diode, et la contre raction sur l'entre - va pouvoir se faire, la tension en sortie de l'ampli prenant la valeur V d + V e , de manire ce que V + soit gal V (donc V s ). En bilan, pour des tensions positives, V s = V e , et pour des tensions ngatives, Vs = 0 : on a un redresseur idal.

5.

Dtecteur de crte.

Fig. 27. Dtecteur de crte.

Pour conserver la valeur crte d'une tension, on peut commencer par redresser celle-ci, et en adjoignant un condensateur au montage redresseur prcdent, il est possible de garder en mmoire la valeur de crte. Le fonctionnement est le mme que pour le redresseur sans seuil, sauf que le condensateur va se charger, et quand la tension d'entre va diminuer, le condensateur va conserver sa charge ( condition que l'entre - de l'ampli soit trs haute impdance et que la charge de sortie ait aussi une trs haute impdance montage suiveur par exemple), et la diode va se bloquer, car la tension de sortie va diminuer jusqu' la valeur -V sat (plus de contre raction cause de la diode). Il faut prvoir un dispositif annexe pour dcharger le condensateur afin de faire une nouvelle mesure : sur le schma, on a plac un simple transistor de faon schmatique, mais celui-ci pourra tre remplac avantageusement par un commutateur analogique base de FET ou de MOS. NB : dans ce montage, on peut remplacer la diode par un commutateur analogique bi-directionnel commandable en tension. On va alors pouvoir bloquer le signal l'instant dsir et le conserver ; c'est le principe de base de l'chantillonneurbloqueur (voir cours d'lectronique 2).

IV.

L'AMPLIFICATEUR OPRATIONNEL REL.


Avant d'attaquer tous les dfauts de l'amplificateur rel, et afin de mieux les comprendre, nous allons tudier un schma de principe de cet amplificateur. Ce schma n'est videmment pas un schma rel, mais il contient tous les ingrdients fondamentaux d'un amplificateur ; c'est cette architecture qui est aussi utilise dans des montages de puissance (amplificateurs HIFI et industriels), et donc, la comprhension de cette architecture est importante et permettra d'investiguer des domaines autres que celui de l'amplificateur oprationnel.

A.

SCHMA INTERNE DE PRINCIPE. Sur le schma de la figure 28, nous avons reprsent les deux alimentations V al+ (positive) et V al- (ngative), les deux entres V + et V - , et la sortie V s de l'amplificateur. L'ampli est constitu de trois tages : - un tage d'entre diffrentiel (T 1 et T 2 ), avec sa charge d'metteurs (source de courant I 1 ) et ses charges de collecteurs (miroir de courant T 3 et T 4 ). - un tage de gain form de T 5 et de sa charge active I 2 . - un tage de sortie push pull constitu par les transistors T 6 et T 7 polariss par les diodes D 1 et D 2 .

Fig. 28. Schma de principe d'un amplificateur.

tage diffrentiel : On a reprsent ici un tage diffrentiel classique : deux transistors monts dans une configuration de type metteur commun (entre sur la base, sortie sur le collecteur) avec les deux metteurs relis une source de courant. Cette source I 1 doit tre la plus proche possible de l'idal, car la valeur de sa rsistance interne dtermine le taux de rjection du mode commun. Les charges de collecteur ne sont pas des rsistances, mais des charges actives, constitues des transistors T 3 et T 4 monts en miroir de courant : le transistor T 3 est utilis en diode (le collecteur est reli la base), et dtermine le potentiel de base de T 4 , donc son courant de collecteur. Sur le circuit intgr, on peut construire T 3 et T 4 de manire ce qu'ils aient les mmes caractristiques de gain, V be ... (idem pour T 1 et T 2 ) : le courant dans la branche T 1 /T 3 sera le mme que celui de la branche T 2 /T 4 . On dmontre que le miroir de courant est une astuce permettant de doubler le gain de l'tage diffrentiel. La sortie de cet tage se fait sur le collecteur de T 2 , et c'est la rsistance dynamique de T 4 (le 1/h 22 ) qui charge T 2 . Le gain sera donc plus lev que si on avait une simple rsistance la place de T 4 . Le gain de cet tage est de l'ordre de 100. L'impdance d'entre diffrentielle de ce montage est gale 2h 11 (le h 11 de T 1 ou de T 2 ). Pour que cette impdance soit grande (1M pour un A741), il faut que le courant de polarisation de base soit trs faible (quelque dizaines de nA).

Les amplificateurs plus rcents font en gnral appel des transistors FET en entre (LF356 de NS, TL081 de Texas...) voire MOS (LMC660). La structure de l'tage reste similaire. En pratique, les montages sont un peu plus compliqus, et les transistors T 1 et T 2 sont souvent remplacs par 4 transistors, deux collecteurs communs qui attaquent deux bases communes. C'est une astuce technologique permettant d'amliorer la plage d'entre diffrentielle de l'ampli.

L'tage de gain : Le deuxime tage est trs simple, c'est un montage metteur commun constitu de T 5 , charg par une source de courant (en gnral, c'est encore un montage miroir de courant) : la charge dynamique de T 5 est donc la rsistance parallle de la source de courant I 2 ; le gain est trs lev (environ 1000, ce qui fait un ordre de grandeur de 105 pour l'ensemble !). On note la capacit C entre base et collecteur du transistor T 5 : c'est une capacit destine la compensation de l'amplificateur ; la frquence de cassure de ce filtre est trs basse (quelques dizaines d'hertz) et permet la plupart des amplis d'tre inconditionnellement stables. Cette capacit utilise l'effet miller : le filtre est constitu de l'impdance de sortie du premier tage (trs leve) et de la capacit C, le tout multiplie par le gain en tension du deuxime tage. On peut obtenir une frquence de cassure trs faible avec une capacit trs petite (quelques dizaines de pF), qui peut ainsi tre intgre sur la puce.

L'tage de sortie : C'est un tage push pull constitu de deux transistors complmentaires qui fonctionnent en collecteur commun, T 7 pour les alternances positives, et T 8 pour les alternances ngatives. Ces transistors sont polariss par les deux diodes D 1 et D 2 afin de limiter la distorsion de croisement. Du point de vue petits signaux, cet tage de sortie (et sa charge, qui est dtermine par l'utilisation que l'on fait de l'ampli, et donc, va varier) vient se mettre en parallle sur la charge de collecteur de T 5 : le gain de l'tage intermdiaire va ainsi dpendre de la charge qu'on connectera en sortie de l'ampli. Dans les amplis rels, l'tage de sortie est plus complexe, et comprend notamment des tages de protection contre les courts-circuits, qui vont limiter le courant de sortie de l'ampli des valeurs raisonnables.

B.

ALIMENTATION. Comme pour tout composant dit "actif", notre amplificateur ne va pas sortir du nant l'nergie qu'il fournit l'extrieur. Il va falloir l'alimenter afin de polariser tous les transistors qui le composent.

Sur le schma de la figure 28, on voit deux entres d'alimentation, V al+ et V al- . On remarque que nulle part sur ce schma, la masse n'est prsente ! En pratique, les deux alimentations sont rfrences la masse, et ce sont les tensions d'entre qui vont fixer tous les potentiels par rapport la masse, du fait de la contre raction (la tension de sortie est lie aux tensions d'entre qui sont lies la masse). Cette caractristique est intressante, et va nous permettre d'alimenter l'amplificateur oprationnel de deux manires diffrentes : - symtrique : on alimente l'ampli par deux sources gales et opposes. Tout l'ampli est ainsi polaris symtriquement par rapport la masse. C'est le mode d'alimentation le plus courant. Il faut noter que les deux tensions peuvent tre ingales : le fonctionnement de l'ampli ne sera pas affect, mais la plage de sortie sera limite par l'alimentation la plus faible (signaux symtriques par rapport la masse). - unipolaire : V al+ est reli une alimentation positive et V al- est reli la masse. Ce systme est pratique pour un fonctionnement sur piles ou batteries, mais il faudra alors polariser les signaux d'entre une valeur convenable pour que l'ampli fonctionne correctement (il n'y a pas de miracles, c'est un systme transistors qui ncessite une polarisation !). Ce mode de fonctionnement interdit l'amplification de signaux continus. Les tensions d'alimentation des amplificateurs oprationnels courants peuvent varier dans une large gamme, typiquement de 2.5V 5V mini jusqu' 18V 22V maxi. Certains amplis sont spcialiss dans les basses tensions (alimentation par pile) et d'autres dans des tensions plus leves. Pour des applications particulires, on consultera l'abondante documentation fournie par les constructeurs. Certains amplificateurs rapides ncessitent un dcouplage soign des alimentations : on mettra un condensateur de dcouplage (typiquement 10 100nF cramique) entre chaque borne d'alimentation et la masse, ceci aux plus prs des broches d'alimentation. Sans ces prcautions, on pourra avoir des montages prsentant des fonctionnements erratiques, voire des oscillations parasites aboutissant la destruction de l'ampli (cas du LM318 !). Outre la plage de tensions d'alimentation, les amplificateurs sont caractriss par leur courant de consommation : il faut alimenter tous les composants internes pour les polariser. Le courant de polarisation va tre plus ou moins important selon la conception de l'ampli, et le compromis recherch : il existe des amplis trs faible courant de consommation, destins principalement aux applications fonctionnant sur piles et batteries ; en corollaire, leurs performances en frquence seront mdiocres (voir cours sur les transistors : plus la polarisation est faible, plus les impdances mises en jeu sont grandes, et plus les capacits parasites des transistors prennent de l'importance, dgradant le comportement haute frquence). A ct de ces amplis, il en existe d'autres courant de consommation lev, ayant des bonnes performances en haute frquence. Certains amplificateurs, dits "programmables" ont une possibilit de rglage du courant de polarisation (et donc du compromis consommation/rapidit), et peuvent ainsi s'adapter au besoin de l'utilisateur. Exemples de courants de consommation : - LM4250 : rglable de 1 250A

- LF441 : 200A - A741 : 2mA - LM318 : 5mA Ces amplis sont donns du plus lent au plus rapide : produit gain-bande passante de 10 300kHz pour le LM4250, 1MHz pour le 741, et 15MHz pour le LM318.

C.

CARACTRISTIQUES D'ENTRE.

0.

Impdances d'entre. On a vu que l'amplificateur diffrentiel prsentait deux impdances d'entre diffrentes : l'impdance diffrentielle, relative la diffrence de tension entre les deux entres, et l'impdance de mode commun. On va s'aider du schma de la figure 28 pour interprter ces deux impdances.

Impdance diffrentielle. Sur le schma de la figure 28, l'impdance diffrentielle correspond 2h 11 et dpend directement du courant de polarisation choisi. En pratique, cette valeur sera comprise entre quelque centaines de k et quelques dizaines de M pour les amplis transistors d'entre bipolaires. Les amplis transistors d'entre JFET prsenteront des impdances beaucoup plus leves, couramment de l'ordre de 1012 . Il existe aussi des amplis en technologie MOSFET qui ont des impdances suprieurs 1015 : nous ne sommes vraiment pas loin de l'infini de l'AOP ! Il convient de noter que la tension d'entre diffrentielle sera toujours voisine de zro (en fonctionnement linaire) : le courant diffrentiel consomm sera donc extrmement faible, mme si les rsistances connectes l'ampli ont des valeurs voisines de l'impdance d'entre de celui-ci. On pourra donc dans la majorit des cas ngliger l'impdance d'entre dans les calculs.

Impdance de mode commun. On peut voir cette impdance comme celle de deux montages collecteur commun en parallle dont la charge commune d'metteur est une source de courant de rsistance dynamique trs leve. Vue de l'entre, cette

rsistance est multiplie par le gain des transistors : elle sera trs leve dans tous les cas, et donc nglige dans les calculs.

1.

Tension de dcalage d'entre (offset). C'est un des principaux dfauts de l'amplificateur rel, et pour des forts gains en tension et/ou des faibles tensions d'entre, on devra en tenir compte. Cette tension est due au fait que les transistors d'entre ne sont pas rigoureusement identiques (T 1 et T 2 sur la figure 28), et que pour obtenir une tension nulle en sortie, il faudra appliquer une tension diffrentielle non nulle l'entre, cette tension tant l'cart de V be de T 1 et T 2 courant de collecteur donn. Quand on modlise un montage amplificateur oprationnel avec une erreur d'offset, on le reprsente en gnral par le schma suivant :

Fig. 29. Erreur d'offset.

Cette reprsentation n'est pas forcment judicieuse, car on peut obtenir des courants parasites ds cette source dans les composants d'entre, alors qu'en fait, l'cart de courant ne peut venir que de la sortie qui compense la tension de dcalage ; en effet, on aura la relation :

Avec une telle relation, quand l'ampli fonctionne en mode linaire, on n'a plus V + = V - , mais V + = V - +V d . A noter que V d est une valeur algbrique, et peut tre positive ou ngative. Pour les montages en commutation (comparateurs et triggers entre autres), le seuil de basculement sera lui aussi dfini par la relation V + = V - +V d . Ordres de grandeur : V d va valoir de quelques dizaines de V pour des amplis de mesure (OP27 : 25V) une dizaine de mV pour des amplis entre JFET standards (TL081 par exemple).

2.

Courants de polarisation. Sur le schma de la figure 28, on remarque qu'il n'y a aucun circuit de polarisation des bases des transistors d'entre T 1 et T 2 . Par consquent, cette polarisation devra tre assure par les composants externes du montage amplificateur.

Si on reprend l'exemple du montage amplificateur inverseur de la figure 5, la polarisation des bases se fera directement par la masse pour l'entre +, et par la masse et la sortie de l'ampli via R 1 et R 2 pour l'entre -. Le courant de polarisation de la base de T 1 va donc circuler dans ces deux rsistances, en y crant au passage des chutes de tension parasites.

Fig. 30. Ce qu'il ne faut pas faire !!!

Une remarque importante qui dcoule de ceci est qu'il faut toujours laisser le passage du courant continu vers les deux entres de l'ampli ; il est hors de question de couper ce chemin par un ou plusieurs condensateurs : le montage ne serait alors plus fonctionnel. Dans l'exemple de la figure 30, on coupe le chemin de la polarisation de l'entre + ; T 2 (cf figure 28) ne peut pas tre polaris, et l'ampli ne fonctionne plus. Si on voulait vraiment mettre un condensateur en srie avec le signal d'entre pour bloquer sa composante continue, il faudrait rajouter une rsistance entre l'entre + et la masse, de manire laisser passer le courant de polarisation. Ordre de grandeur des courants de polarisation : - de 30 500nA pour un A741, les fortes valeurs tant obtenues chaud. - de 3 20nA pour un LM627 (ampli rapide de prcision) - de 30pA 50nA pour un LF356 (entres JFET) : le courant devient important chaud ! Le courant de polarisation peut tre rentrant ou sortant, selon le type de transistors utiliss en entre (NPN ou PNP).

3.

Courants de dcalage. Le courant de dcalage est le pendant de la tension d'offset pour les courants de polarisation : comme les transistors d'entre sont dissymtriques, les courants de base seront aussi diffrents. Le courant de dcalage est gal :

Ce courant, en circulant dans les rsistances connectes l'ampli va crer une chute de tension parasite qui va s'ajouter la tension d'offset.

Les ordres de grandeurs de ces courants sont d'environ 1/20e 1/5e de la valeur des courants de polarisation.

4.

Plages de tensions d'entre. On a dj largement abord les problmes de polarisation des amplificateurs, et la figure 28 montre le principe des montages utiliss. Sur cette figure, on voit qu'il ne faudra pas dpasser certaines limites pour les tensions d'entre sous peine de dgrader le fonctionnement, voire de dtruire l'amplificateur. En pratique, les constructeurs donnent des plages de tension respecter : - absolues pour chaque entre : elles dpasseront rarement les valeurs des tensions d'alimentation. Les entres sont souvent relies aux tensions d'alimentation par des diodes connectes en inverse pour le fonctionnement normal, et qui deviennent passantes quand les tensions d'entre dpassent les valeurs des tensions d'alimentation ; le courant est limit par les rsistances cbles en srie avec les entres. Si on applique directement un signal trop lev sur une des entres (cas de l'ampli non inverseur), on dtruit le composant. - diffrentielles : ces valeurs peuvent tre faibles (0.7V, soit la valeur d'un V be , dans le cas ou on bride les deux entres avec deux diodes connectes tte bche). - de mode commun (souvent les tensions d'alimentation moins quelques volts). Au del des limites de mode commun admises, la polarisation des tages d'entre ne se fait plus correctement. En bref, il ne faut pas faire n'importe quoi avec un amplificateur oprationnel, et si on a des cas de fonctionnement limites, il faudra s'assurer qu'ils sont autoriss par l'ampli choisi. Tout est ici affaire de compromis, et il existe une grande varit d'amplis sur le march autorisant certains modes de fonctionnement au dtriment d'autres : il faut choisir le bon composant en fonction du problme. Une seule chose est sre : on n'aura jamais tout en mme temps !

D.

CARACTRISTIQUE DE TRANSFERT. La caractristique de transfert est linaire : la sortie est proportionnelle la diffrence des tensions d'entre ; il ne faut pas non plus oublier le terme de mode commun (voir quation [1]). La tension de sortie est bien videmment limite aux deux extrmits de la plage de fonctionnement V sat+ et V sat- .

E.

CARACTRISTIQUES DE SORTIE.

0.

Impdance de sortie. En pratique, l'impdance de sortie des amplificateurs rels n'est pas nulle ; elle reste nanmoins faible, de l'ordre de la centaine d'ohms pour les amplis courants. Si cette valeur parat encore assez leve, il faut savoir que dans un systme boucl, sa valeur sera divise par le gain de boucle du systme considr. En pratique, l'impdance de sortie des montages sera donc couramment infrieure l'ohm. Attention toutefois la valeur de l'impdance en boucle ouverte : si on charge l'amplificateur par un condensateur (par exemple un cble coaxial assez long, ce qui peut faire plusieurs centaines de pF), la rsistance de sortie couple ce condensateur va former un ple supplmentaire qui peut rendre le montage oscillatoire.

1.

Vitesse de balayage (slew rate). En plus des problmes de rponse en frquence, la tension de sortie des amplificateurs ne peut pas varier instantanment d'une valeur une autre (cas d'un chelon de tension).

Fig. 31. Slew rate.

La cause profonde vient de la structure des amplis (voir figure 28) : lors d'un transitoire violent, la capacit collecteur-base du deuxime tage doit se charger instantanment, ce qui n'est pas possible, car elle le sera par les sources de courant de polarisation. Comme ces courants sont trs faibles, la charge sera relativement lente, et on note qu'elle sera linaire (charge d'un condensateur courant constant). On obtient le chronogramme donn figure 31. Cette monte linaire en rponse un chelon est appele vitesse de balayage (ou plus communment slew rate) ; elle est exprime en V/s.

L'ordre de grandeur du slew rate est de 0,5V/s pour le 741, 10 15V/s pour les amplis FET du type TL081, LF356..., et peut monter 50V/s (voire 150V/s avec une compensation particulire) pour le LM318. En gnral, les amplificateurs ne peuvent pas tre bons partout : les amplis trs prcis (OP7 : fort gain en statique et trs faible offset) sont souvent mauvais du point de vue slew rate, et vice versa un LM318 est bruyant et peu prcis). Le slew rate va limiter les amplifications des forts signaux, et la bande passante sera plus faible que pour des petits signaux frquence donne (la pente en V/s des signaux est proportionnelle leur amplitude : plus l'amplitude sera forte, plus le slew rate sera limitatif.

2.

Tension de saturation. On en a dj parl lors des montages fonctionnant en commutation : la tension de sortie est limite V sat+ et V sat- , qui sont respectivement les tensions de saturation haute et basse de l'ampli. Ces tension dpendent videmment des tensions d'alimentation : elles sont infrieures aux tensions d'alimentation (en valeur absolue) d'environ 0.5 1.5V. Ces tensions de dchet dpendent de la temprature, de la charge de sortie de l'ampli (plus le courant de sortie est important, plus elles sont leves), et de la structure de l'ampli : il existe des ampli transistors MOSFET (LM660C de NS) spcialement conus pour avoir une dynamique de sortie maximale, soit des tensions de dchet comprises entre 0.1 et 0.3V. On privilgiera ces amplis dans les application alimentes en monotension de faible valeur (0-5V par exemple). Les tensions de dchet haute et basse sont souvent diffrentes, ce qui fait qu'avec une alimentation rigoureusement symtrique, on aura V sat+ |V sat- |.

3.

Sortance en courant. L'impdance de sortie est une chose, la sortance en courant en est une autre : ce n'est pas parce qu'un ampli a une impdance de sortie trs faible (quand il est boucl) qu'il va pouvoir dbiter des ampres ! En pratique, les amplificateurs oprationnels sont des composants traitant des faibles signaux, pas de la puissance : les courants de sortie seront faibles, de quelques mA quelques dizaines de mA pour les plus vaillants. L'amplificateur oprationnel a un tage de sortie push pull capable de fournir ou d'absorber du courant : en gnral, les courants maxi absorbs (sink) et fournis (source) seront sensiblement diffrents : on se reportera la notice du constructeur pour plus de prcisions. On veillera donc ne pas trop charger les amplis en sortie (charge mini de quelques k pour des signaux de quelques volts) : on n'oubliera pas que les rseaux de

contre-raction se mettent en parallle avec la charge de sortie ! Par consquent, on vitera de cbler des impdances trop faibles (infrieures une dizaine de k ). Certains amplis sont prvus pour dbiter des courants "importants" sur des charges faibles : aliment en 18V, le NE5534 peut dbiter 26mA dans 600 (16V en sortie). Il existe aussi des amplificateurs oprationnels de puissance : la structure est la mme, mais ils possdent un tage de puissance capable de dlivrer des centaines de mA voire des ampres (ex : LM12 de NS, capable de dbiter 10A). Ils sont principalement destins aux applications audio grand public (autoradios, mini chanes...).

4.

Protections de sortie. On vient de voir que les amplificateurs oprationnels ne supportent pas les forts courants ; dans ces conditions, le moindre court-circuit pourrait leur tre fatal ! Heureusement, les fabricants ont inclus des protections en sortie de leurs amplis qui limitent le courant de quelques mA quelques dizaines de mA. Les amplificateurs oprationnels sont ainsi des composants assez robustes, ne ncessitant pas trop de prcautions d'emploi (tout est relatif...)

5.

Puissance dissipe. Quand un ampli dbite du courant, les transistors qui le constituent (notamment ceux du push-pull de sortie) dissipent une puissance non ngligeable. Les amplis encapsuls en botiers traditionnels (DIL8 ou CMS) peuvent dissiper entre 250mW et 1W ( 25C). Les amplis de puissance pr-cits sont encapsuls en botiers de puissance (botiers isowatt, voire TO3 pour le LM12), et peuvent dissiper plusieurs watts, condition bien sr de les munir du radiateur adquat ! Dans tous les cas, on veillera ne pas dpasser les limites admises par les amplis. Certains sont protgs thermiquement (limitation du courant de sortie au del d'une certaine temprature), mais pas tous...

F.

IMPACT SUR LES MONTAGES DE BASE. Tous ces "dfauts" font que dans la pratique, l'amplificateur oprationnel rel s'loigne sensiblement de l'AOP. Nous allons faire un rapide tour d'horizon de l'impact de ces dfauts sur les montages de base vus plus haut, ce qui nous permettra de mieux choisir le modle d'ampli appropri une application donne.

1.

Tension de saturation.

On a vu que les tensions de saturation V sat+ et V sat- sont diffrentes : ceci aura un impact sur tous les montages en commutation o les tensions de saturation rentrent en jeu dans les formules (trigger, multivibrateur...). De plus, ces tensions vont varier avec la charge de l'amplificateur, la temprature... Ces dfauts sont en fait assez peu gnants.

2.

Impdances d'entre. L'impdance d'entre des amplificateurs rels est dans tous les cas assez grande (>1M , rarement moins mis part quelques amplis spciaux). De plus, le fait que dans tous les montages linaires l'ampli soit boucl est bnfique : l'impdance d'entre est multiplie par le gain de boucle, ce qui donne facilement plusieurs dizaines ou centaines de M : on est quasiment dans les conditions de l'AOP. On fera tout de mme attention aux montages intgrateurs, o des amplificateurs trop faible impdance d'entre seront rejets, la contre raction n'agissant pas trs basse frquence. On prfrera des amplis entre JFET.

3.

Offset en tension. C'est une des grosses tares de l'amplificateur rel. Si on doit amplifier des faibles tensions continues avec un fort gain, il faudra soit choisir un ampli trs faible offset, soit compenser un ampli standard. La plupart des amplificateurs possdent deux broches destines rgler l'offset. On se reportera la notice du composant utilis, les modes de branchement et les valeurs des rsistances ncessaires variant d'un ampli l'autre. Souvent, il est fait appel un potentiomtre branch entre les deux broches d'ajustage de l'ampli et une des alimentations. Les amplis doubles en botier 8 pattes (deux amplis dans le mme botier) ne possdent pas de rglage d'offset. On pourra faire un montage externe, tel que celui ci-dessous :

Fig. 32. Compensation d'offset d'un ampli inverseur.

En plus de la valeur de l'offset en tension, les constructeurs donnent la valeur de sa drive en temprature et dans le temps. Il est illusoire de compenser un ampli fort offset pour faire des mesures prcises, car la variation sera importante et le rglage devra tre revu souvent !

Pour faire des mesures de prcision, on optera pour un "bon" ampli ds le dpart ! Pour les amplifications de tensions uniquement alternatives mais avec un fort gain (plusieurs centaines), on se mfiera aussi de l'offset : un ampli ayant 10mV d'offset (les sries TL07x et TL08x de Texas ne sont pas merveilleuse de ce point de vue !) et utilis avec un gain de 500 dlivrera une tension continue parasite de 5V en sortie ! Cette tension abaissera d'autant la plage de sortie, et on fera une correction (mme sommaire) de l'offset pour rsoudre ce problme. Le montage intgrateur sera lui aussi fortement affect par l'offset : cette tension parasite en entre va tre intgre et gnrer une rampe de tension en sortie : ce montage devra tre ralis de prfrence avec un ampli faible offset et/ou compens. Les montages seuil (comparateurs, triggers), sont bien entendus aussi affects par l'offset, et on en tiendra compte pour des faibles signaux.

4.

Courants de polarisation. On a vu que les transistors de l'tage diffrentiel d'entre taient polariss par l'extrieur ; le courant de polarisation va donc circuler dans les composants externes l'ampli. La chute de tension ainsi provoque va s'ajouter l'offset en tension. Afin de minimiser les carts entre les deux entres, on veillera ce que celles-ci "voient" les mmes impdances. Pour le montage amplificateur inverseur, une compensation frquente des effets des courants de polarisation est la suivante :

Fig. 33. Compensation des courants de polarisation.

Cet exemple montre un montage inverseur auquel on a rajout une rsistance entre l'entre + et la masse. Cette rsistance est gale R 1 //R 2 , soit l'impdance vue par l'entre -. Les deux entres "voient" les mmes impdances, les effets des courants de polarisation vont donc se compenser. Les amplis entre JFET sont peu concerns par ce type de compensation, du moins faible temprature. En effet, on a vu que l'entre d'un JFET tait quivalente une jonction diode en inverse. Le courant parasite doublant tous les 6C, il peut devenir important haute temprature, suprieur ce qu'on obtient avec de bons amplis transistors bipolaires. Pour les fortes temprature

d'utilisation, on prfrera ces derniers. Pour des usages temprature ambiante, on utilisera des amplis entre JFET sans compensation. Les courants de polarisation perturbent aussi beaucoup les montages intgrateurs : pour des intgrateurs grande constante de temps, on utilisera imprativement des amplis entre JFET, ou mieux MOSFET (LMC660 par exemple). Les montages dtecteurs de seuils et chantillonneurs bloqueurs utiliseront aussi des amplis trs faibles courants de polarisation, afin de ne pas dcharger le condensateur de mesure par des fuites parasites.

5.

Courants de dcalage Les courants de dcalage sont plus problmatiques compenser. Comme ils sont faibles, on se contentera d'utiliser des rsistances de faible valeur pour que la chute de tension parasite soit ngligeable.

6.

Plages de tensions. Dans tous les montages, on fera attention ne pas dpasser les limites absolues prconises par le fabricant de l'amplificateur utilis. Pour les montages commutation, o on utilise l'amplificateur avec la condition V + V - , on veillera choisir des amplis tolrant une tension diffrentielle suffisante (entres non brides par des diodes).

7.

Slew rate. Si on doit amplifier des forts signaux frquence leve, on choisira des amplificateurs slew rate suffisant. Dans la pratique, le A741 est trop juste (0.5Vs) et sera dlaiss au profit d'amplis FET standards (TL081, LF356 et autres) prsentant des slew rates de plus de 10V/s. On choisira ventuellement des amplificateurs plus rapides pour les montages en commutation, o la sortie va devoir basculer rapidement de Vsat+ V sat- . On l'a dj dit, dans ces applications, un comparateur diffrentiel remplacera avantageusement un amplificateur oprationnel. Des applications telles que les tages de sortie de convertisseurs numrique/analogique, dont la sortie varie par bonds, utiliseront aussi des amplis fort slew rate.

V.

RPONSE EN FRQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR OPRATIONNEL. STABILIT.

L'amplificateur rel n'a pas un gain diffrentiel infini ; de plus, celui-ci varie avec la frquence. Comme l'amplificateur est utilis en systme boucl, sa rponse en frquence a un impact fondamental sur la stabilit du montage, qui va aussi dpendre de la valeur de la fonction de transfert de la boucle de retour B. Nous allons donc tudier maintenant la fonction de transfert harmonique typique d'un amplificateur oprationnel, voir quelle est la condition de stabilit d'un ampli boucl, et tudier l'impact de ces considrations sur quelques montages de base. Cette section ne constitue que l'aperu d'un vaste problme qui sera approfondi en automatisme ; nanmoins, il tait difficile de faire l'impasse sur une des plus grosses imperfections de l'amplificateur oprationnel et ses consquences.

A.

STABILIT D'UN SYSTME BOUCL. Nous avons vu le principe de fonctionnement d'un systme boucl (voir figure 3) et l'expression de sa fonction de transfert :

Dans le cas gnral, la fonction A est complexe, et comme et B sont btis avec des composants qui peuvent tre ractifs (condensateurs notamment), ces deux fonctions vont aussi tre complexes : on va pouvoir dterminer le module du gain et le dphasage entre/sortie en fonction de la frquence (c'est la reprsentation de bode : nous n'utiliserons que celle-ci, contrairement l'automatisme dont les adeptes sont friands d'autres critres beaucoup plus complexes apprhender et moins intuitifs comprendre !).

0.

Ordre d'un systme L'ordre d'un systme est dtermin par le nombre de ples de sa fonction de transfert (les valeurs de la frquence qui annulent le dnominateur). Ces ples peuvent tre rels ou imaginaires, et ainsi, l'ordre du systme est donn par le degr du polynme en f (ou , ce qui revient au mme) qui forme le dnominateur de la fonction de transfert. Le trac asymptotique du gain dans le plan de bode va tre fonction de l'ordre du systme (voir figure 34) : un systme d'ordre 1 aura une pente de -20dB/dcade au del de la frquence de cassure dtermine par son ple, un systme d'ordre 2 une pente de -40dB/dcade... Chaque ple supplmentaire augmente la pente de 20dB/dcade. Paralllement au gain, la phase diminue de -90 chaque ple. Les -180 fatidiques sont atteints asymptotiquement pour l'ordre 2. La figure 34 illustre un systme deux ples (10Hz et 10kHz), dont la fonction de transfert est la suivante :

Sur ce graphique, on a fait un trac asymptotique du gain, qui met bien en vidence les ples (frquences de cassures) et les pentes de dcroissance du gain. Jusqu' 1kHz environ, la phase varie comme pour un systme du premier ordre (asymptote -90), et ensuite, cause du deuxime ple, elle tombe -180 (valeur asymptotique qui ne sera thoriquement jamais atteinte).

Fig. 34. Systme deux ples.

Un systme du premier ordre sera toujours stable (phase mini de -90), et les ennuis vont commencer ds le deuxime ordre (dpassements, oscillations amorties...). Il faut un troisime ple pour arriver aux conditions d'oscillations, mais dans les amplificateurs oprationnels, on trouve toujours ce ple supplmentaire, soit en interne, soit dans les composants externes (cbls volontairement ou parasites). Ce troisime ple, mme plac assez loin du deuxime, abaissera suffisamment la phase pour que les conditions d'oscillation soient runies.

1.

Condition de Barkhausen. Si on regarde l'expression [70], on voit que le produit AB peut tre ngatif, et notamment prendre la valeur -1 (le module du gain vaut 1 et le dphasage est de 180). Dans ce cas particulier, le dnominateur s'annule : il n'y a plus besoin de signal en entre pour qu'il existe un signal en sortie. Nous avons ralis un oscillateur ; un exemple sera dcrit plus loin.

2.

Rponse en transitoires. Si dans certains cas, le fonctionnement en oscillateur du systme boucl est voulu, il sera indsirable la plupart du temps. Un systme ne passera pas ex-abrupto de l'tat stable aux conditions d'oscillation de Barkhausen. Le phnomne sera progressif, et, sur des transitoires marqus (ex : chelon de tension), le signal de sortie prsentera un dpassement (overshoot) de plus en plus important, accompagn d'oscillations de moins en moins amorties au fur et mesure que l'on va se rapprocher de la condition de Barkhausen. Ces dpassements et oscillations vont beaucoup perturber le fonctionnement de l'amplificateur, et modifier de faon substantielle le signal amplifier : mme si le systme n'est pas un oscillateur, il n'en est pas moins inutilisable. La figure 35 illustre ce propos : elle reprsente la rponse indicielle (rponse un chelon unit de tension) de trois systmes boucls dont les marges de phase sont respectivement de 18, 39 et 51 (par rapport aux 180 de l'oscillateur). Plus la marge de phase diminue, plus les oscillations et les dpassements sont forts (60% de dpassement pour une marge de 18).

Fig. 35. Rponse indicielle de systmes boucls.

On y voit aussi que mme pour une marge correcte du point de vue critre de stabilit (soit >45), on a un lger dpassement (mais trs peu d'oscillations). Le processus d'instabilit est donc progressif, et augmente au fur et mesure qu'on se rapproche de la limite d'oscillation.

3.

Critres de stabilit. En pratique, on a vu que l'tude de la stabilit va se rsumer (dans notre cas : ne gnralisons pas tous les systmes !) l'analyse du produit AB (le gain de

boucle). Deux mthodes simples vont consister regarder la phase ou la pente de la courbe de gain pour un module du gain gal 1.

Marge de phase. Le critre gnralement retenu par les automaticiens pour que le systme soit dclar stable est que la phase ne doit pas tre infrieure -135 pour un module |AB|=1 . Il reste une marge de 45 pour atteindre les 180 fatidiques (oscillateur). On dit que la marge de phase est de 45 .

Pente de la courbe de gain. Un critre trs simple de stabilit sera le suivant : le diagramme asymptotique du produit AB devra croiser l'axe 0dB avec une pente maximum de -20dB/dcade . Toute pente suprieure dnotera un systme instable.

Choix du critre de stabilit. Il convient de noter ici que le critre de la pente est trs facile mettre en uvre, car le seul trac asymptotique est ncessaire, et que ce trac ncessite peu de calculs (uniquement les frquences de cassure des divers ples et zros de la fonction de transfert). Dans le cas de compensation de plusieurs ples par plusieurs rseaux de compensation, il se peut que ce critre soit insuffisamment prcis : on l'utilisera pour "dgrossir" le problme et mettre en place les rseaux de compensation adquats, et on optimisera ces rseaux en appliquant le critre de marge de phase, plus prcis. Pour un systme compliqu, le trac prcis de la phase ncessite un calcul complet, qui peut vite se rvler laborieux la main : un logiciel de trac de courbes travaillant en complexes est quasiment ncessaire.

B.

FONCTION DE TRANSFERT DES AMPLIFICATEURS OPRATIONNELS. Il existe deux principaux types d'amplificateurs sur le march : - les amplificateurs inconditionnellement stables : le montage amplificateur est stable quel que soit le gain en boucle ferme obtenu (jusqu'au gain unit). Pour un gain suprieur 0dB, ces amplificateurs prsentent une rponse en frquence du type premier ordre (pente de -20dB/dcade), d'o leur stabilit inconditionnelle. - certains amplificateurs hautes performances prsentent un deuxime ple dans leur fonction de transfert pour des gains suprieurs l'unit. De ce fait, en amplification pure

(le rseau de retour est constitu de rsistances, d'o B est rel), le systme boucl sera stable uniquement pour un gain suprieur une certaine valeur (typiquement 5). Leur domaine d'utilisation est donc diffrent : ils possdent de meilleures performances en frquence que les premiers au prix d'une interdiction de leur emploi (sans prcautions particulires) dans certaine fonctions. Pratiquement, les fonctions de transfert des amplificateurs sont similaires celles reprsentes en annexe 3 pour les amplis inconditionnellement stables et annexe 4 pour les amplis dits "dcompenss". On remarque que le gain en statique (pour une frquence nulle, soit le continu) est trs lev, mais, le premier ple rduit ce gain partir d'une frquence trs basse (de quelques hertz quelques dizaines d'hertz). Le deuxime ple est situ beaucoup plus loin : vers 1Mhz pour le A741, 4Mhz pour les TL081, LF356... En fait, dans les amplis inconditionnellement stables, on place volontairement le premier ple trs bas en frquence (c'est le rle du condensateur C du schma de la figure 28), de manire ce que le gain ait chut suffisamment pour couper l'axe 0dB avant la deuxime frquence de cassure. De cette manire, pour des gains en boucle ferme jusqu' 0dB, le systme est du premier ordre, et ne sera donc jamais oscillatoire. On agit sur le premier ple, car il est plus difficile technologiquement de reculer le deuxime (et le troisime qui n'est pas loin !) : c'est le cas des amplificateurs rapides, et ils sont chers et dlicats utiliser... Pour amliorer le gain aux frquences leves, on diminue la valeur de la capacit intgre C : on dplace le premier ple d'un facteur 5 sur l'axe frquentiel, et on atteint alors le deuxime ple pour un gain de l'ordre de 5 avec les amplis courants (LF357, qui est un LF356 dcompens, LM149, qui est un LM148 dcompens, OPA637, qui est un OPA627 dcompens...). L'amplificateur n'est plus inconditionnellement stable, et ne pourra pas servir dans des applications telles que les suiveurs, drivateurs, filtres d'ordre 2, montages logarithmiques, redresseurs sans seuils... En revanche, il fera merveille pour des amplis fort gain : la bande passante sera 5 fois plus leve qu'avec l'ampli quivalent inconditionnellement stable.

C.

AMPLIFICATEUR BOUCL. PRODUIT GAIN-BANDE. Lorsqu'on boucle un ampli non inverseur avec un rseau de rsistances, tant que le gain de boucle AB est lev (soit basse frquence), le gain du systme boucl va tendre vers 1/B (voir [4] ; est gal 1 dans ce cas) ; haute frquence, le gain de boucle va diminuer, pour devenir gal, puis infrieur la valeur 1/B. Dans ces conditions, la courbe de rponse en frquence du systme boucl va tendre asymptotiquement vers celle de l'amplificateur.

Fig. 36 Amplificateur boucl.

La figure 36 donne le rsultat obtenu avec un ampli du type A741 (premire cassure 10Hz, deuxime 1MHz, gain statique de 100dB). Si on observe cette figure, on remarque que le produit du gain par la bande passante -3dB est constant, et gal ici 1MHz, soit la frquence pour laquelle le gain en boucle ouverte vaut 1 (0dB). Ce produit est une caractristique importante de l'amplificateur pour caractriser ses performances en frquence. Ex : 1MHz pour le A741, 3MHz pour le TL081, 15MHz pour le LM318... On note que cette caractristique est juste pour les amplis inconditionnellement stables. Pour les amplis dcompenss, la frquence thorique gain unit est obtenue en prolongeant la droite -20dB/dcade situe entre la premire et la deuxime cassure jusqu' l'axe 0dB.

D.

COMPENSATION EN FRQUENCE. Tout le travail de compensation en frquence de l'amplificateur consistera installer des rseaux de correction de telle manire que la condition de coupure -20dB/dcade soit ralise. Cette mthode sera prfre aux autres, car elle est trs simple mettre en uvre, et l'effet des rseaux correcteurs sur le trac de bode est bien visible.

0.

Compensation par dplacement de la premire frquence de cassure. Cette mthode est extrmement simple ; elle est un prolongement de l'astuce technique qui consiste placer le condensateur C (voir le schma de la figure 28) entre collecteur et base du transistor du deuxime tage de l'ampli. La figure 37 montre le diagramme de bode asymptotique permettant de comprendre la compensation qui consiste rajouter une capacit supplmentaire en parallle avec

la capacit C de la figure 28. (deux broches sont disponibles sur les botiers des amplis prvoyant cette compensation). De ce fait, la premire frquence de cassure recule vers les basses frquences. Ces compensations taient ncessaires avec des amplis anciens (LM101 par exemple) qui taient btis pour garantir de bonnes performances haute frquence, mais ncessitaient une compensation pour les applications faible gain.

Fig. 37. Compensation d'un ampli gain unit.

L'astuce est trs simple, et consiste reculer toute la partie haute du diagramme de bode pour que le produit AB coupe l'axe 0dB dans la zone -20dB/dcade (ici, on coupe juste la limite du deuxime ple, la marge de phase est de 45). Sur le schma, on a reprsent la compensation d'un montage suiveur : B vaut 1, et le produit AB se confond avec A, gain en boucle ouverte de l'ampli : n'oublions pas que le critre de stabilit s'applique au produit AB ! On note l'overshoot de 10dB pour le montage suiveur non compens, garant de fortes oscillations sur les transitoires. Le suiveur compens a une courbe quasiplate, mais en revanche, a une bande passante plus faible. Ce montage prsente deux gros inconvnients : - le gain de boucle est rduit ds les plus basses frquences, ce qui nuit la prcision. - le slew rate est affect : la capacit de compensation vient se mettre en parallle sur C ; l'ensemble, de capacit suprieure C, va se charger avec le mme courant, donc plus lentement. Avec l'apparition d'amplis rapides inconditionnellement stables, ce type de compensation est devenu peu utilis.

1.

Compensation par retard de phase.

On a imagin une autre mthode de compensation liminant les dfauts de la mthode prcdente : on ne va pas reculer la premire frquence de cassure, mais on va dformer la courbe de rponse en frquence plus loin, par adjonction d'un rseau retard de phase dans la chane directe de l'asservissement (en cascade avec A). Le but est de faire chuter le gain rapidement (avec une pente de -40dB/dcade), pour reprendre ensuite une pente de -20dB/dcade un peu avant que le produit AB ne croise l'axe 0dB : mme si la pente a t de -40dB/dcade auparavant, le montage est stable quand mme, car le point important est que l'axe 0dB soit crois avec une pente de -20dB/dcade. Attention : si on veut augmenter le gain en boucle ferme du montage (par exemple, montage gain rglable), il faut garder l'esprit qu'on va abaisser la valeur globale du produit AB, et qu'on va se retrouver un moment donn avec un croisement de l'axe 0dB avec une pente de -40dB/dcade : le montage ne sera pas stable dans toute une plage de gain ! C'est le prix payer d'une amlioration du gain aux basses frquences, la compensation par recul de la premire frquence de cassure n'avait pas ce dfaut...

Fig. 38 Compensation par retard de phase.

Comment raliser le rseau retard de phase susceptible de modifier le gain de la chane directe ? Il faut tirer parti des lments existants du montage, y compris des lments parasites. Dans les amplificateurs de puissance (HIFI et autres, dont on a dit que la structure est la mme que celle des amplificateurs oprationnels), on utilise l'impdance de sortie en boucle ouverte pour crer le rseau suivant :

Fig. 39 Rseau retard de phase.

Sa rponse en frquence est la suivante (reprsentation du gain rel et du gain asymptotique du rseau utilis dans la compensation illustre figure 38) :

Fig. 40. Rponse en frquence du rseau retard de phase.

La fonction de transfert de ce rseau est de la forme :

avec :

Dans le rseau de la figure 39, la rsistance R 1 est en fait souvent l'impdance de sortie d'un tage amplificateur qu'on cherche compenser. On trouve ainsi trs souvent un rseau R-C srie en sortie des amplificateurs HIFI : ce rseau est destin les stabiliser avec une compensation par retard de phase. Ce procd n'est pas utilis tel quel sur les amplificateurs oprationnels : le rseau R-C chargerait trop la sortie de l'amplificateur.

2.

Compensation par avance de phase. La compensation par retard de phase n'est pas trs simple mettre en uvre dans les montages amplificateurs oprationnels. On lui prfrera souvent la compensation par avance de phase, qui possde les avantages suivants : - simple mettre en uvre (un condensateur supplmentaire suffit souvent). - bande passante largie par rapport aux autres modes de compensation. - slew rate non altr.

Le dfaut est que cette compensation n'est possible simplement qu'avec des gains suprieurs 2 ou 3 (montage suiveur incompensable par cette mthode). Jusqu' maintenant, on n'a pas touch la deuxime frquence de cassure du produit AB (qui est celle de A en amplification pure). C'est ce qu'on va faire ici. Il existe deux mthodes : - reculer la deuxime frquence de cassure de l'ampli (compensation feedforward) : cette mthode est assez dlicate mettre en uvre, et ne fonctionne pas pour tous les montages. - augmenter la valeur de B haute frquence : il suffit de jouer sur le rseau de contre raction, ce qui est beaucoup plus simple (mais ncessite un gain du systme boucl suprieur 2 ou 3). La figure 41 montre la compensation par un tel rseau d'un ampli ayant un gain en boucle ferme de 10dB. On remarque qu'aux basses frquences, B vaut -10dB (B est un attnuateur !), et qu' partir d'une frquence un peu suprieure la deuxime frquence de cassure de l'ampli, sa valeur remonte, pour tangenter ensuite l'axe 0dB (la figure montre le diagramme asymptotique de B). Grce ce rseau, la courbe du produit AB peut s'tendre vers les frquences leves, jusqu' tangenter la courbe A de l'ampli en boucle ouverte, qui constitue une limite ; cette remarque explique pourquoi on ne peut pas compenser avec cette mthode un ampli de gain unit, le produit AB tant confondu dans ce cas avec A.

Fig. 41. Compensation par avance de phase.

Le rseau avance de phase peut tre construit de la manire suivante :

Fig. 42. Rseau avance de phase.

La fonction de transfert de ce rseau est du type :

avec :

Le fonctionnement de ce rseau est simple : aux hautes frquences, C vient shunter R 1 , et V s tend vers la valeur de V e : le pont diviseur passe de la valeur R 2 /(R 1 +R 2 ) 1.
R

Sur un montage du type amplificateur non inverseur, ce rseau est extrmement simple mettre en uvre : on se contentera de rajouter un condensateur C en parallle avec la rsistance R 1 :

Fig. 43. Ampli non inverseur compens.

L'avantage de ce montage, c'est qu'on peut le compenser trs simplement sans aucun calcul, en exprimentant des valeurs de C directement sur le montage attaqu par un signal carr en entre : la bonne valeur du condensateur est celle qui rduit l'overshoot et les oscillations parasites une valeur convenable.

C'est ce que faisaient beaucoup de "bidouilleurs" la belle poque de l'lectronique analogique, sans connatre en dtails la justification thorique de leur exprimentation.

3.

Bilan des compensations. On a vu trois mthodes de compensation : - la compensation par dplacement du premier ple est simple mettre en uvre, universelle, et donne un amplificateur inconditionnellement stable une fois compens. Les dfauts sont une bande passante rtrcie, donc un gain de boucle diminu ds les plus basses frquences, et un slew rate ralenti. - la compensation par retard de phase dans la chane directe est moins simple appliquer sur des montages amplificateurs oprationnels, mais trs utilise sur des amplificateurs de puissance. L'amplificateur rsultant n'est pas inconditionnellement stable, et cette compensation ncessite des calculs et tracs de bode pour tre efficace. Elle doit tre adapte au cas par cas. Il existe divers montages de compensation ; certains n'ont pas d'effet sur le slew rate (cas dcrit cidessus), d'autres le diminuent. - la compensation par avance de phase dans la boucle de retour est simple utiliser, et son ct intuitif lui permet de trouver la bonne compensation rapidement par exprimentation. Le slew rate n'est pas affect, la bande passante est meilleure qu'avec les autres mthodes, mais, elle est inapplicable pour un gain unit.

E.

TUDE DE STABILIT DE MONTAGES SIMPLES.

0.

Amplificateur rapide. Il peut paratre stupide d'utiliser un amplificateur rapide faible cot (ampli dcompens type LF357) pour l'utiliser avec des faibles gains. En fait, il ne faut pas oublier que le slew rate de ce type d'ampli est beaucoup plus lev que celui du mme ampli inconditionnellement stable (12V/s pour le LF356, 50V/s pour le LF357...). Il peut donc valoir la peine d'utiliser un ampli rapide et de le compenser, par exemple par rseau avance de phase dans la boucle de retour. L'annexe 5 montre un tel montage et sa rponse en frquence et en phase, qui illustre bien la compensation.

1.

Montage drivateur. Mme avec un ampli inconditionnellement stable, le montage drivateur est oscillatoire. En rajoutant simplement une rsistance en srie avec le condensateur,

on stabilise le tout, sachant qu'on limite videmment la plage o le montage est drivateur : on ne peut pas tout avoir ! Le schma et le mcanisme de compensation sont exposs en annexe 6.

F.

OSCILLATEURS.

0.

Oscillateur pont de wien. On a vu que quand le dnominateur de la fonction de transfert s'annule, le systme devient auto-oscillant. La condition de Barkhausen s'crit :

Le produit AB doit donc tre gal -1 : cela correspond une phase de 180 pour un module du gain gal 1. B tant en gnral un rseau passif (c'est la solution la plus simple, mais il existe aussi des rseaux de retour actifs), il sera attnuateur. La valeur du module de l'amplification A devra donc tre suprieure 1 pour compenser cet te attnuation et faire en sorte que |AB|=1. La phase de 180 peut provenir soit de l'ampli (ampli inverseur : la phase de B doit dans ce cas tre gale 0), soit du rseau B (ampli non inverseur dans ce cas) Il existe plusieurs rseaux produisant un dphasage de 0 ou 180 ; un des plus utiliss est le rseau de Wien :

Fig. 44. Pont de Wien.

La rponse en frquence de ce rseau est la suivante :

Fig. 45. Rponse en frquence du pont de Wien.

La phase de ce rseau varie de +90 -90 , et passe par la valeur 0 lorsque le gain atteint une valeur maxi de -9,54dB, qui correspond une attnuation de 3. La fonction de transfert de ce rseau s'crit :

Le maximum de B est atteint pour :

Pour satisfaire aux conditions de Barkhausen, il faut donc mettre ce rseau en contre-raction d'un amplificateur de gain -3 ; une autre solution possible est de reboucler avec ce rseau non pas sur l'entre - de l'ampli, mais sur l'entre + : avec un gain de +3, les dphasages sont les mmes. Le schma obtenu est le suivant :

Fig. 46. Oscillateur pont de Wien.

La structure est simple comprendre : il s'agit d'un amplificateur non inverseur, avec le pont de Wien reboucl sur l'entre de ce type d'ampli, donc, l'entre +. En pratique, on remplacera R 1 ou R 2 par une rsistance ajustable, et on augmentera le gain progressivement jusqu' l'apparition d'oscillations en sortie du montage. Au

fur et mesure que le gain se rapproche de +3, la fonction de transfert globale du montage va tendre vers l'infini, comme illustr sur la figure 47 :

Fig. 47. Fonction de transfert de l'oscillateur.

Cet oscillateur, quand il est bien rgl, donne un signal sinusodal avec trs peu de distorsion. En pratique, pour limiter l'amplitude des oscillations, on devra introduire un lment non linaire dans la chane : soit des diodes zner en sortie, soit une lampe filament spcialement prvue pour cet usage la place de R 1 . Si le gain devient suprieur 3, les oscillations prennent une amplitude telle qu'elles sont crtes par l'amplificateur. Le signal n'est plus franchement exploitable, car il prsente une distorsion importante. Les oscillateurs sont dlicats mettre en uvre, car il faut les rgler de telle manire que le gain soit suffisant pour que l'oscillateur "accroche", mais pas trop grand, car on a alors beaucoup de distorsion. La plage de fonctionnement correcte est trs troite, et relativement instable (variations dues la temprature, la charge de l'ampli...).

CHAPITRE 12 Dissipation thermique


I. Prambule
Les mesures de puissance dans les montages lectroniques laissent souvent les gens perplexes ne serait-ce que par le nombre de dfinitions qui s'y rapportent. L'objet de la premire partie de ce chapitre est de clarifier les choses en donnant quelques dfinitions simples. Une deuxime partie fournit des lments de calcul des radiateurs qu'il faudra fixer sur les semiconducteurs ds lors que la puissance dissipe excdera un watt. Les rappels de mesure de puissance seront ici trs utiles : les calculs de radiateurs ncessitent de connatre la puissance dissipe par l'lment refroidir, et en pratique, dans un montage lectronique, les signaux de courant et tension seront souvent complexes, et on ne pourra pas, pour calculer la puissance, utiliser les formules vues en lectricit et applicables seulement dans le cas de signaux sinusodaux.

II.

MESURES DE COURANT, TENSION ET PUISSANCE : DFINITIONS.

A.

VALEURS INSTANTANES.

1.

Courant et tension. La valeur instantane d'un courant ou d'une tension, c'est sa valeur un instant donn. L'ensemble de ces valeurs donnent les fonctions u(t) et i(t), respectivement tension et courant en fonction du temps. Ce sont les courbes que l'on verra affiches sur l'oscilloscope (la tension se mesure directement avec l'oscilloscope ; pour le courant, on mesure en fait soit la tension aux bornes d'un shunt, soit la tension de sortie d'une sonde de courant).

2.

Puissance. C'est la dfinition de la puissance. Toutes les autres en sont drives. C'est le produit de la tension instantane par le courant instantan.

Pour des tensions et courants continus, on retrouve bien entendu P = UI.

Il faut noter ici que pour des composants autres que des rsistances, cette formule est toujours la seule valable, et que dans les composants lectroniques dits actifs , il n'y a pas que la rsistance interne qui dissipe de la puissance. Exemple : une diode zner. La tension dissipe dans ce composant est gale V z I z , et le terme V z comprend aussi bien le gnrateur de tension V zo que la chute de tension dans la rsistance r z .

B.

VALEURS MOYENNES.

1.

Courant et tension. La valeur moyenne d'un signal de courant ou tension est obtenue en faisant la moyenne de toutes les valeurs instantanes sur un intervalle de temps [t o , t 1 ], soit en intgrant le signal de tension ou de courant sur l'intervalle considr et en le divisant par l'intervalle de temps :

La formule est videmment la mme pour le courant.

2.

Puissance. La formule [2] est aussi valable pour la puissance en remplaant u(t) par p(t). Si dans cette formule on remplace p(t) par sa valeur (formule [1]), on a:

On voit ici qu'il est absolument hors de question de dire que la puissance moyenne sur un intervalle de temps donn est gale au produit de la tension moyenne par le courant moyen ! C'est justifi du point de vue mathmatique par le fait que l'intgrale d'un produit de 2 fonctions n'est absolument pas gale au produit des intgrales de ces fonctions. On peut remarquer autre chose : l'intgrale de la puissance instantane sur un intervalle [t o , t 1 ] est en fait l'nergie W fournie ou absorbe par un composant pendant cet intervalle de temps. La puissance moyenne est donc l'nergie fournie ou absorbe par le composant divise par la dure de l'intervalle d'tude.

3.

Interprtation graphique.

Les formules des valeurs moyennes sont trs simples interprter graphiquement :

Fig. 1. Tension moyenne sur un intervalle de temps. Sur la fig. 1., le schma de gauche reprsente le signal instantan de la tension pendant l'intervalle de temps [t o , t 1 ]. La valeur moyenne u moy reprsente sur le schma de droite est telle que les surfaces hachures S o et S 1 soient les mmes. Ces surfaces correspondent mathmatiquement l'intgrale des fonctions sur l'intervalle [t o , t 1 ].

C.

VALEURS EFFICACES.

1.

Courant et tension. On a vu que pour dterminer la puissance induite par une tension alternative quelconque dans une rsistance, il faut intgrer. On ne peut pas utiliser la valeur moyenne de la tension. Les valeurs efficaces ont t cres pour pallier cet inconvnient : le carr de la tension efficace est proportionnel la puissance que cette tension va fournir une rsistance. Les valeurs efficaces sont donc par dfinition lies la notion de puissance. Ainsi, la tension efficace d'un signal alternatif quelconque sera gale la tension continue qui induirait les mmes effets d'chauffement dans une rsistance que ce signal alternatif. Pour une tension alternative quelconque applique une charge rsistive, on a les quations :

On en dduit :

La formule donnant la puissance moyenne dans cette rsistance est :

La tension continue u eff qui donnerait la mme puissance dans cette rsistance est donc :

p moy est alors simplement gal :

On retrouve la formule applicable en rgime continu.

2.

Puissance. En fait, la puissance efficace n'existe pas !!! Et c'est de l que viennent malheureusement bien des confusions. Cette confusion est entretenue par le fait que certaines spcifications de produits (notamment amplificateurs HIFI) parlent de puissance efficace. En fait, les valeurs efficaces sont relatives aux courants et tensions, et on a vu que par dfinition, elles donnent la mme puissance qu'une tension continue gale : la puissance calcule partir d'une tension ou d'un courant efficace est donc une puissance moyenne !

D.

VALEURS CRTES. Les valeurs crtes sont les extremums des signaux sur un intervalle de temps donn. Elles ont un intrt en lectronique (surtout les tensions) car ce sont ces valeurs qui vont dterminer le dimensionnement des semi-conducteurs (diodes, transistors ). On a vu en effet que les phnomnes de claquage des jonctions se produisaient partir de tensions bien dtermines, et mme si les dpassements sont de trs courte dure, il peut y avoir destruction rapide des semi-conducteurs exposs ces surtensions. Dans tout montage, on surveillera donc les tensions crtes appliques aux semiconducteurs, surtout dans les montages o on commute des lments composante inductive (relais, selfs, haut-parleurs ). Pour ce qui est des puissances, les valeurs crtes ont moins d'importance, car le composant a une inertie thermique qui permet d'absorber ces pointes sans trop de dommages : on pourra ainsi mesurer des puissances crtes trs leves pendant des temps trs courts sans que le composant ne chauffe, car dans ce cas, c'est la puissance moyenne qui compte. Il y a

quand mme une limite cela, et en gnral, pour les composants de puissance (transistors, diodes ), le fabricant fournit des abaques qui donnent la puissance crte ne pas dpasser en fonction du temps d'application et de la frquence de rptition des pulses de puissance. Il convient de noter que les puissances maximums ne seront probablement pas enregistres aux mmes endroits que les courants et / ou tensions maxi : en effet, les crtes de puissance sont obtenues quand on a simultanment un fort courant et une forte tension, et l'exprience montre que habituellement, les maxis de tension sont observs faible courant et vice versa. Il ne suffira donc pas en gnral de localiser les pics de courant et de tension pour avoir ceux de puissance.

E.

EN PRATIQUE Comment mesurer toutes ces grandeurs en pratique dans un laboratoire ? La plupart des multimtres numriques sont dots de convertisseurs qui intgrent les signaux pendant un temps donn : par construction, ils donnent comme indication les valeurs moyennes des tensions et courants mesurs. (les galvanomtres magntolectriques cadre mobile aussi, mais on ne les voit plus beaucoup dans l'industrie ) Il faudra se mfier de certains multimtres de comptition , trs rapides et destins tre branchs sur des ordinateurs par liaison IEEE ou GPIB (ou autre ) et qui donnent la valeur instantane du signal (soit la valeur l'instant prcis de la mesure). Il faut alors bien matriser le point o se fera la mesure (trigger). Il n'est plus ici question de valeur moyenne. Dans tous les cas, trois rgles d'or : - essayer la mesure avec un signal connu (gnrateur basse frquence). - dans le doute, abstiens toi . Mieux vaut pas de mesure qu'une mesure compltement fausse. - lire la documentation du matriel (eh oui !). On l'a vu, les oscilloscopes donnent les valeurs instantanes des courants (via un shunt ou une sonde) et tensions. Pour ce qui est de la puissance, les oscilloscopes numriques actuels (except les modles d'entre de gamme, mais l'volution est rapide dans ce domaine) sont capables de faire le produit des signaux issus de deux voies diffrentes : en mettant la tension sur la voie A et le courant sur la voie B, on peut obtenir la puissance instantane en temps rel sur l'cran de l'oscilloscope. Pour ce qui est des valeurs moyennes, ces oscilloscopes numriques disposent en gnral de fonctions donnant l'aire d'un signal (l'intgrale) : on a donc accs aux valeurs moyennes des signaux par ce biais (il faudra faire trs attention au calage du zro des courbes !). La mesure l'oscilloscope de valeurs moyennes peut tre rendue obligatoire pour des signaux rapides (les multimtre ont des bandes passantes souvent faibles : relire la documentation si ce n'est dj fait !) ou trs complexes : dans ce cas, il est prfrable de voir ce qu'on fait. On pourra aussi corrler les mesures oscilloscope et multimtre : si elles sont gales, on

prfrera le multimtre, plus prcis, tout en surveillant les oprations sur l'cran de l'oscilloscope. Pour ce qui est des valeurs efficaces, de rares exceptions prs, on ne les utilisera pas en lectronique. Ces notions sont beaucoup plus utiles en lectrotechnique, et encore, car l'avnement des composants lectroniques de puissance dans ce domaine et leurs applications (hacheurs, onduleurs et convertisseurs divers ) ont fait apparatre bien d'autres contraintes dans les mesures (entre autres les phnomnes transitoires sur des composants selfiques, o les dphasages courant/tension ne sont pas aussi simples qu'en rgime tabli). On se souviendra seulement que ces valeurs efficaces sont un artifice de mesure donnant simplement la puissance (moyenne !) sans faire de calculs, mais dans des conditions de mesure bien particulires, souvent inapplicables en lectronique et qu'elles taient initialement lies du matriel de mesure spcifique (galvanomtre ferromagntique).

III.

DISSIPATION THERMIQUE DANS LES COMPOSANTS.


Dans un transistor, l'essentiel de la chaleur produite l'est dans la jonction collecteur-base. Si cette jonction tait isole thermiquement, sa temprature deviendrait vite trs leve. La temprature maxi de jonction pour le silicium est d'environ 175C. Au del, le semi-conducteur dop retrouve quasiment un comportement de semi-conducteur intrinsque, car l'lvation de temprature augmente beaucoup le nombre de porteurs minoritaires (cration de paires lectronstrous par agitation thermique). On vitera de toutes faons de travailler des tempratures leves, car la fiabilit d'un composant lectronique dcrot trs vite quand la temprature augmente. On est donc obligs d'vacuer les calories produites dans les jonctions des semi-conducteurs, en fixant ceux-ci sur des radiateurs. Cette vacuation va se faire par les trois changes thermiques fondamentaux : - par conduction d'abord : les calories produites la jonction du silicium vont se propager la surface extrieure du botier du composant, puis du radiateur, ventuellement au travers d'un lment isolant (mica ou isolation du botier du composant en poxy). - par convexion ensuite : l'air chauff au contact du radiateur s'lve et laisse la place de l'air plus frais ; il y a une circulation naturelle de l'air autour du radiateur (attention ne pas entraver cette libre circulation : les radiateurs doivent tre bien dgags pour remplir leur rle efficacement). - et enfin, par rayonnement : l'nergie est transmise sous forme d'ondes lectromagntiques au milieu ambiant.

A.

EN CONTINU : RSISTANCE THERMIQUE.

1.

Loi d'Ohm thermique. L'efficacit de ces changes thermiques sera fonction du composant, de la fixation composant / radiateur, de la taille du radiateur (la convexion et le rayonnement sont proportionnels sa surface), de sa forme et de sa position (convexion plus ou moins efficace), et de sa couleur (le noir mat rayonne plus que toute autre couleur). Il y a nanmoins une limite la taille du radiateur : au del d'une certaine valeur, l'efficacit n'augmente plus. C'est d au fait que les calories doivent se propager par conduction sur toute la surface du radiateur, et cette propagation est limite. La dissipation est proportionnelle la diffrence de temprature qui existe entre le radiateur et le milieu ambiant. On caractrise le pouvoir de dissipation d'un montage thermique par l'lvation de sa temprature par rapport au milieu ambiant et ceci pour une puissance dissipe gale 1W : c'est la rsistance thermique de l'lment :

Cette relation est connue sous le nom de loi d'Ohm thermique . On considre ici un semi-conducteur mont sur un radiateur : ce qui nous intresse est l'lvation de temprature de la jonction par rapport la temprature ambiante. Dans la formule [10], on a : - R th est la rsistance thermique jonction-ambiante. - T j est la temprature de jonction. - T a est la temprature ambiante. - P est la puissance dissipe dans la jonction. L'analogie avec la loi d'Ohm lectrique est la suivante : la puissance thermique circule comme un courant, et comme le matriau conducteur s'oppose cette circulation (rsistance thermique, comme la rsistance lectrique s'oppose au passage du courant), on observe une diffrence de temprature entre deux points situs sur le chemin de circulation de la puissance thermique (assimil la diffrence de potentiel lectrique). Cette loi est trs utile : quand on connait la puissance dissipe et la rsistance thermique totale du montage, de la jonction l'air ambiant, on peut calculer l'chauffement de la jonction par rapport la temprature ambiante, et donc la temprature absolue de la puce. On dterminera alors le radiateur pour que celle-ci reste raisonnable de manire ne pas dtruire le composant. On va voir maintenant de quoi est fait l'empilement thermique, et comment dterminer pratiquement les valeurs de ses composantes.

2.

Constitution de l'empilement thermique. En pratique, la rsistance thermique totale de la jonction l'air ambiant comporte plusieurs composantes, dtailles la Fig. 2.

Fig. 2. Sandwich thermique. Le transistor lui mme est constitu de : - la puce de silicium. - une plaque de cuivre appele lead frame qui supporte la puce, lui garantit une certaine rigidit (le silicium est fragile !), et constitue une capacit thermique. - la puce est fixe au lead frame qui est reli lectriquement de ce fait au collecteur. - dans certains cas (et de plus en plus), le lead frame est isol de l'extrieur par une couche d'isolant (genre poxy) qui enrobe le composant : celui-ci peut tre fix directement sur le radiateur sans qu'on ait se soucier de l'isolation. Ces composants sont de plus en plus utiliss dans l'industrie, car ils vitent d'avoir rajouter l'isolant dans le processus de fabrication. Quand les composants ne sont pas isols, il faudra intercaler un dispositif d'isolation entre eux et le radiateur, pour des raisons de scurit d'une part (on ne peut pas laisser un radiateur un potentiel de 300V par exemple l'air libre !), et de fonctionnement d'autre part : on peut tre amens fixer plusieurs transistors non isols sur le mme radiateur ; si leurs lead frame (qui sont relis aux collecteurs par construction) sont des potentiels diffrents, on risque des courts circuits intempestifs, qui seront vits par l'isolation. L'isolation classique se fait en intercalant une feuille mince de mica entre le transistor et le radiateur ; on complte le montage par un joint de graisse spciale aux silicones bonne conductibilit thermique, dans le but d'liminer des lamelles d'air (trs mauvais conducteur de chaleur) entre le transistor, le mica et le radiateur. Du point de vue loi d'ohm thermique, ce sandwich est assimilable plusieurs rsistances mises en srie, comme le montre la Fig. 3.

Fig. 3. Empilage des rsistances thermiques. La puce est la temprature T j , et le botier du transistor la temprature T b . Le transistor a une rsistance thermique R th j->b qui va dterminer son aptitude vacuer les calories produites dans la jonction. On peut crire la loi d'Ohm thermique pour ce composant :

Ensuite, on rencontre la fixation / isolation du transistor sur le radiateur : on va la caractriser par la rsistance thermique botier / radiateur R th b->r :

Enfin, il y a la liaison entre le radiateur et l'air ambiant, dfinie par la rsistance thermique du radiateur R th r->a :

On remarque qu'en additionnant les 3 rsistances thermiques, on obtient la rsistance thermique totale R th , et on retombe sur l'quation [10]. Les fournisseurs de composants d'une part, et de radiateurs d'autre part fournissent des donnes permettant de calculer leur rsistance thermique.

3.

Caractristiques thermiques des transistors de puissance. En pratique, les constructeurs de transistors (et autre semi-conducteurs de puissance) donnent rarement directement la rsistance thermique des composants. Ils donnent trs souvent la puissance maxi et la temprature de jonction maxi, qu'il faut interprter en gnral comme suit : la puissance maxi est donne pour une temprature de botier maintenue 25C (radiateur infini, soit avec une rsistance thermique R th r->a nulle) et une temprature de jonction maximale. Quand on considre l'quation [11], on voit que si on augmente la temprature de botier, pour conserver une temprature de jonction constante, il faut diminuer la puissance dissipe par le composant. Cette loi est linaire. On peut alors tracer le

graphique de la puissance dissipe en fonction de la temprature de botier, et ceci temprature de jonction maxi. On obtient la Fig. 4.

Fig. 4. Courbe de dissipation maxi du transistor. On peut crire un cas particulier de l'quation [11] :

On voit qu'on obtient facilement partir des donnes du constructeur la rsistance thermique du composant. Le graphique Fig. 4. nous enseigne une chose essentielle : plus la temprature du boitier augmente, plus la puissance dissipable par le composant est faible, jusqu' devenir nulle quand la temprature du boitier est gale la temprature maxi admissible par la jonction . Une autre chose fondamentale se rappeler est que la puissance maxi dissipable l'est pour une temprature de botier de 25C , ce qui correspond un radiateur infini. Le composant seul, sans radiateur, ne pourra dissiper au mieux que quelques watts !

4.

lment d'isolation. Si le botier du transistor est isol, il n'y a pas s'en proccuper, car c'est pris en compte dans la rsistance thermique du composant. Si on met du mica et de la graisse, on prendra R th b->r gal 1C/W. Il existe des isolants ayant un R th descendant 0,1C/W : il faudra se reporter la notice du fabricant pour vrifier cette valeur. Si la plant du radiateur n'est pas parfaite (tle d'aluminium assez mince par exemple), il faudra tenir compte des ventuelles lames d'air, et ne pas prendre un R th trop faible.
R

5.

Calcul pratique du radiateur. En pratique, le calcul de la partie thermique d'un montage lectronique se fait ainsi :

- le composant de puissance est dfini par des impratifs lectriques ; on dtermine sa rsistance thermique comme indiqu au paragraphe prcdent en utilisant les donnes du fabricant. - on dtermine la puissance moyenne dissipe par le composant de puissance par mesures et calculs. - on fait des hypothses sur la temprature ambiante maxi o sera situ le montage. - on se fixe une temprature de jonction maxi en accord avec les impratifs de fiabilit donns dans le cahier des charges. En pratique, et sauf utilisation extrme de composants spciaux, cette temprature sera bien en de de la temprature maxi de jonction admissible (entre 60 et 100C environ). Il ne reste donc que la rsistance thermique du radiateur dterminer de manire ne pas dpasser la temprature de jonction maxi qu'on s'est fixe. Si on additionne membre membre les quations [11], [12] et [13], on obtient :

On en dduit facilement la rsistance thermique radiateur / ambiant qui nous permettra de choisir le bon radiateur dans un catalogue :

Dans le cas o le radiateur serait trop volumineux, ou pire, que le R th r->a obtenu ne corresponde aucun radiateur du catalogue, il faut passer des solutions plus sophistiques, savoir convexion force par ventilateur (le R th r->a diminue alors considrablement), ou dans les cas extrmes, un refroidissement par circulation de liquide dans le support du composant de puissance.

B.

EN TRANSITOIRE : CAPACIT THERMIQUE. Tous les calculs faits prcdemment sont relatifs au rgime tabli, qui correspond en thorie un temps de stabilisation infini (en pratique, les temps de stabilisation de temprature des radiateurs peuvent tre levs (plus d'une heure), surtout si les radiateurs sont gros : il faudra en tenir compte si on est amen faire des mesures de temprature sur des composants de puissance). En pratique, il est rare qu'un botier lectronique ait dissiper en permanence la puissance maxi. Il y aura des pointes de puissance pendant des dures limites suivies de moments de repos relatif, o la puissance dissipe sera beaucoup plus faible. Dans ce cas, afin de ne pas surdimensionner les lments de refroidissement (qui prennent beaucoup de place en comparaison des circuits lectroniques, de plus en plus miniaturiss), il faudra tenir compte du fait que les composantes thermiques ne prennent pas instantanment la temprature maxi.

Ceci provient du fait que le composant a une capacit thermique, qui est en fait sa capacit calorifique :

m est la masse du composant (ou du radiateur), et C sa chaleur spcifique. Le produit mC reprsente la capacit calorifique du composant. Cette capacit est caractrise par l'augmentation de temprature T 2 - T 1 du composant quand on lui fournit adiabatiquement une quantit d'nergie Q. Plus la capacit thermique (ou calorifique) du composant est leve, plus la quantit d'nergie fournir pour augmenter sa temprature est leve. On peut remarquer dans l'quation [17] le sens du terme capacit , et l'analogie avec la loi d'Ohm thermique. La quantit d'nergie Q, intgrale de la puissance dissipe est l'quivalent thermique d'une quantit d'lectricit, qui est l'intgrale d'un courant lectrique. En lectricit, on a la relation Q = C (V 2 - V 1 ) : si on remplace la diffrence de potentiel par la diffrence de temprature, la capacit lectrique par la capacit thermique, et la quantit d'lectricit par la quantit d'nergie, on retombe sur la formule [17] de la capacit thermique. Cette formule ddie au rgime transitoire complte donc la loi d'Ohm thermique classique du rgime continu.

1.

Rle du lead frame. En pratique, le lead frame va servir de capacit thermique, et va permettre la puce d'encaisser des puissances instantanes bien suprieures ce que le calcul de rsistance thermique donnerait. Pour un gros transistor de puissance, on a une capacit thermique de l'ordre de 1 3 J/K. Si un tel transistor dissipe 200W pendant 100s, l'nergie qu'il devra absorber sera de seulement 20mJ : l'chauffement correspondant sera drisoire (0,02C) ! Ce pulse d'nergie peut tre support par le transistor nu, c'est dire non muni de radiateur. Par contre, il est hors de question de faire dissiper en continu une telle puissance un transistor qui ne serait pas muni d'un radiateur circulation de liquide ! On voit tout l'intrt de la notion de capacit thermique dans le cas o le transistor aurait dissiper des fortes puissances pendant des temps trs brefs. Il serait absurde d'utiliser dans ce cas les calculs de rsistance thermique.

2.

Puissance maxi.

Ce processus a une limite : il ne faut pas perdre de vue que le paramtre critique est la temprature de jonction, et que la liaison silicium / lead frame (soudure) a une rsistance thermique non nulle (environ 0,5C/W) : il faudra veiller ce que le produit de cette rsistance thermique par la puissance instantane (chauffement) ajout la temprature du lead frame ne dpasse pas le maximum de la temprature de puce autoris par le constructeur. Pour des pulses d'nergie trs courtes, la puce elle mme a une capacit thermique non nulle, mais il faut faire attention aux transistors bipolaires : l'application d'une forte puissance instantane cr des points chauds localiss la surface de la puce qui vont drainer de plus en plus de courant, ce qui va entraner un effet d'emballement local et aboutir la destruction de la puce (phnomne de second claquage). Ce phnomne est complexe, et si on doit utiliser des transistors la limite , on se reportera aux ouvrages adquats avant toute manipulation (qui pourrait dans ce cas coter fort cher !).

3.

Gnralisation Le processus dcrit prcdemment l'a t pour le transistor seul. On peut gnraliser tout l'empilement thermique. Cet empilement serait alors une succession de rsistances et de capacits thermiques :

Fig. 5. Schma thermique quivalent. On parle alors dans ce cas d'impdance thermique, et l'analogie avec l'lectricit est immdiate. La Fig. 5. donne tous les lments du schma quivalent que l'on traite avec les quations et le formalisme de l'lectricit. On notera les deux composants qui forment le dbut et la fin du schma : l'nergie lectrique est schmatise par un gnrateur de courant, et l'air ambiant comme une source de temprature. Cette dernire approximation est fausse si le montage est confin dans un botier mal ar ou si la convection est force (ventilateur). Dans tous les cas, une bonne exprimentation est ncessaire aprs les calculs et simulations pour vrifier le bien fond des hypothses et la validit du modle.

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