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Le transistor bipolaire
1 Gnralits
1.1 Structure dun transistor
La juxtaposition de deux jonctions P-N conduit au transistor

1
(de langlais transfert resistor)
jonctions dans lequel interviennent les deux types de porteurs d'o lappellation de transistor
bipolaire. Dautres types de transistors (transistor effet de champ, transistor unijonction)
seront tudis ultrieurement.
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois
lectrodes dun transistor bipolaire se nomment : metteur,
base et collecteur. Pour un NPN on a :
un metteur (zone N) fortement dop,
une base (zone P) trs mince et faiblement dope,
un collecteur (zone N) peu dop.
La structure relle est trs diffrente du schma de principe et
dpend de la mthode de fabrication du transistor (alliage,
diffusion, pitaxie).
Du fait des diffrences de dopage entre lmetteur et le
collecteur, le transistor ne fonctionne pas comme deux diodes
montes tte-bche.
Sur le schma lectrique du transistor une flche marque la jonction base-metteur. Cette
flche est oriente dans le sens o la jonction base-metteur est passante.
1.2 Courants travers les jonctions
I
I
I I
I
I
be
bc
ec0 ce0
eb0
cb0

Fig. 2
On mesure les courants entre deux lectrodes relies un
gnrateur quand la troisime est dconnecte.
Jonction Base-Emetteur.
En polarisation directe, I
BE
est intense. Par contre en
polarisation inverse I
EB0
est trs faible.
Jonction Base-Collecteur.
En polarisation directe, I
BC
est intense. En polarisation inverse
I
CB0
est trs trs faible.
En effet, le dopage du collecteur tant faible celui-ci contient
peu de porteurs libres.
Espace Emetteur-Collecteur.
Si la jonction BE est polarise en inverse, I
EC0
est trs faible
mais on a : I
EC0
>I
EB0

Si la jonction BE est polarise en direct, on mesure un I
CE0
trs
faible avec :
I
CE0
>I
EB0
>>I
CB0



1
Invent en 1948 par Bardeen, Brattain et Shockley (Prix Nobel en 1956)
Fig. 1
E
C
B B
C
E
Collecteur
Emetteur
Base
PNP NPN
P
N
"
Le transistor ne fonctionne donc pas de manire symtrique. Le collecteur et
lmetteur ayant des taux de dopage trs diffrents ne peuvent pas tre permuts.
2 Effet transistor
2.1 Etude exprimentale
Par convention on considre les courants qui pntrent dans le transistor comme tant positifs.
La conservation de la charge donne :
I
C
+ I
B
+ I
E
= 0
Ib
Ic

Fig. 3
On utilise un transistor NPN dont on polarise les lectrodes pour
faire en sorte que : V
E
< V
B
< V
C
La jonction BE est donc polarise en direct et la jonction BC en
inverse. Pour un transistor, on a mesur :
I
E
= 100 mA, I
C
=99 mA I
B
=1 mA
Le courant dmetteur traverse presque totalement la base et la jonction BC, pourtant
polarise en inverse, pour parvenir au collecteur.
REMARQUE : Pour un transistor PNP, il faut inverser tous les sens des courants et la polarit
des gnrateurs pour obtenir V
E
>V
B
>V
C
2.2 Interprtation du fonctionnement
Emetteur N
Electrons
Trous
(minoritaires)
Crations
de paires
Recombinaisons
Base P Collecteur N
Ie
Ie
Ie
Ie
Ib
Icb0

(1)
Fig 4
Par construction la base est trs mince et faiblement dope. Par contre lmetteur est trs
dop et contient donc beaucoup de porteurs majoritaires.
La jonction BE est polarise en direct : il y a diffusion dlectrons de lmetteur vers la base et
diffusion de trous dans le sens inverse. Il y a des recombinaisons lectrons-trous dans la base
mais comme le nombre dlectrons injects est trs suprieur au nombre de trous et comme la
base est trs mince (e <1 m), beaucoup dlectrons chappent aux recombinaisons, sont
acclrs par le champ interne de la jonction base-collecteur et traversent cette jonction.
A ct du courant de majoritaires existe un courant beaucoup
plus faible de minoritaires (I
CB0
) qui est fonction de la
temprature. La largeur de la zone appauvrie en porteurs de la
jonction BC qui est polarise en inverse diminue si V
BE
restant
constant la valeur de
CE
V augmente.
Fig. 5
N
lectrons
injects
(mis)
jonction
B-C
N P
lectrons
collects
champ
interne
2.3 Relations fondamentales
Avec les notations de la figure 4, le courant de collecteur scrit :
I
C
= .I
E
+I
CB0

=1 ( petit). Pour le transistor de lexemple du 2.1, =0,99
De plus : I
C
+I
B
+I
E
=0
I
C
= (I
C
+I
B
) +I
CB0
I
C
(1 ) =.I
B
+I
CB0

I I I
C B CB
=

1
1
1
0
On pose :

=
1 1
donc : +1=
1

B 0 CB B C
I . I ). 1 ( I . I + + =

"
Le courant collecteur est sensiblement gal fois le courant de base.
Si I
B
=0 alors I
C
=( +1).I
CB0
=I
CE0
. Le courant I
CB0
rsulte dun courant de minoritaires
qui se recombinent au niveau de la base et du courant inverse de la jonction CB. Il varie
fortement avec la temprature : pour le silicium il double tous les 10C. Mais comme il vaut
seulement quelques nanoampres la temprature ambiante ces transistors sont utilisables
jusqu environ 200C.
3 Rseaux de caractristiques
Pour caractriser compltement le fonctionnement dun transistor, il faut dterminer 6
grandeurs : I
C
, I
B
, I
E
et V
CE
, V
BE
, V
BC
.
Les relations : I
C
+I
B
+I
E
=0 et V
CE
+V
BE
+V
BC
=0 font quen fait quatre de ces grandeurs
sont indpendantes.
On considre le transistor comme un quadriple dont une lectrode est commune lentre et
la sortie. Trois montages sont donc envisager :
Base commune utilis en haute frquence et qui ne sera pas tudi ici
Collecteur commun utilis en adaptation dimpdance
Emetteur commun utilis en amplification et le plus commun.
3.1 Le montage metteur commun

I
I
V
V
CE
BE
B C

Fig. 6
Les bornes d'entre du triple sont la base et lmetteur ; les
grandeurs dentre sont : I
B
et V
BE
.
La sortie se fait entre le collecteur et lmetteur ; les grandeurs
correspondantes sont : I
C
et V
CE
.
On utilise les paramtres hybrides dont lintrt sera justifi aprs
la description des caractristiques.
V
I
H H
H H
.
I
V
BE
C
11 12
21 22
B
CE


3.2 Montage pour le relev des caractristiques
Pour procder au relev des caractristiques, on utilise le montage ci-dessous. Les
paramtres dentre I
B
et V
BE
sont maintenus constants et on mesure I
C
lorsque V
CE
varie. On
constate avec ce montage linfluence de la temprature sur les valeurs mesures. Pour limiter
l'auto-chauffement du transistor par le courant du collecteur, il ne faut appliquer les tensions
que pendant la dure de la mesure.
I
V
I
V
B
C
CE
BE
Rp
R
A
mV
V
mA
G2
G1 =5 V
Fig 7
3.3 Rseaux des caractristiques
On tudie un transistor au silicium de faible puissance. Pour les transistors au silicium la
tension de seuil de la jonction metteur-base est voisine de 0,6 V.
# Rseau de sortie
Cest le rseau I
C
=f(V
CE
) avec I
B
comme paramtre (coefficient H
22
).
Dans ce rseau (trac en rouge), on distingue 3 zones :
$ V
CE
<0,25 V V
CB
=V
CE
V
EB
=0,25 V 0,65 V = 0,4 V
La jonction BC est polarise en direct : I
C
varie linairement avec V
CE
.
$ V
CE
grand : il y a claquage inverse de la jonction et croissance du courant par avalanche. Il
est souvent destructif ! Sur le schma seule la premire caractristique a t prolonge
jusquau claquage. Selon les transistors la tension de claquage varie de 30 V 250 V.
$ V
CE
intermdiaires : le courant collecteur est donn par la relation :
I
C
=.I
B
+I
CE0
+k.V
CE

Il y a une lgre croissance du courant avec V
CE
. Plus cette tension crot et plus la zone o les
recombinaisons lectrons-trous se produisent est troite. Cette dpendance du courant
collecteur avec la tension de sortie se nomme leffet Early. Les prolongements des parties
rectilignes des caractristiques vers les V
CE
ngatifs coupent laxe I
C
=0 au point V
CE
=V
Early

( 50 100 V)
Fig 8 : partir des valeurs de deux grandeurs, on peut dduire celles des deux autres
I
V
V
V
V
V
5
I
I
I
I
10
500
V
(mA)
(V)
=0
=0
>0,65 V
=8 V
(A)
=20 A
=60 A
=60 A
(mV)
CE0
CE
CE
CE
CE
CE
B
B
B
B
BE
I
C
En pratique, on utilisera la relation simplifie : I
C
=.I
B

est le gain en courant du transistor. Suivant le type des transistors et les conditions de
fabrication, sa valeur varie entre 20 et 500. Le gain des transistors de puissance est faible. Des
transistors de mme rfrence peuvent avoir des gains trs diffrents. Le gain varie avec le
courant collecteur, la tension V
CE
et la temprature (terme I
CE0
). La diminution de la largeur
de base utile quand V
CE
crot limite les possibilits de recombinaisons lectron-trou et fait
crotre trs lgrement . Mais si par exemple varie de 0,995 0,996 alors varie de 200
250.
La valeur leve de justifie les deux approximations suivantes souvent utilises dans les
calculs : I
B
<< I
C
I
E
I
C

I
B
tant fois plus faible que I
C

, on peut considrer en premire approximation que la
puissance dissipe dans le transistor est : P =V
CE
.I
C
.
Si la temprature augmente I
CE0
crot et tout le rseau se translate vers les I
C
croissants. I
C

augmentant, la puissance dissipe au niveau du collecteur crot et la temprature du transistor
augmente : si on ne limite pas ce phnomne cumulatif, le transistor peut tre dtruit par
emballement thermique.
# Rseau de transfert en courant
Cest le rseau I
C
=f(I
B
) avec V
CE
comme paramtre (coefficient H
21
).
Ce rseau est constitu par un ventail de courbes presque linaires passant par le point
I
B
=0 et I
C
=I
CE0
. (I
C
=.I
B
+I
CE0
).
# Rseau dentre
Cest le rseau I
B
=f(V
BE
) avec V
CE
comme paramtre (coefficient H
11
-1
).
Ds que V
CE
est suprieur 0,65 V, toutes les courbes sont pratiquement confondues car
linfluence de la tension de sortie sur le courant dentre est ngligeable. La courbe est
identique la caractristique dune diode qui est constitue par la jonction base metteur.
Pour un transistor au silicium, V
BE
varie trs peu et reste voisin de la tension de seuil de la
jonction base-metteur soit 0,65 V.
# Rseau de transfert en tension
Cest le rseau V
BE
=f(V
CE
) avec I
B
comme paramtre (coefficient H
12
).
On constate que les variations de la tension de sortie sont sans effet sur la tension dentre.
4 Paramtres en h, circuit quivalent
4.1 Dfinition des paramtres
Lexamen des caractristiques du transistor montre quil existe des zones o son
comportement est pratiquement linaire. Si lon choisit le point de fonctionnement dans ces
zones linaires, on peut crire que les variations des grandeurs dentre et de sortie (notes
avec des minuscules !) sont relies par les relations :
v
i
h h
h h
.
i
v
BE
C
11 12
21 22
B
CE


Les paramtres h
ij
de cette matrice hybride sont les drivs des paramtres H
ij
au voisinage
du point de fonctionnement tudi.
4.2 Interprtation des paramtres
# h
11
=v
BE
/ i
B
V
CE
=Constante.
Cest la rsistance dentre du transistor. Cest aussi la pente de la caractristique
dentre.
On a vu que pour une diode le courant direct est : I
B
I
Sat
.exp(e.V
BE

/ kT).
Donc h
11
=dV
BE
/dI
B
=(kT/e).(1/ I
B
). Comme I
C
.I
B
, on en dduit la relation suivante
valable temprature ambiante pour tous les transistors.
h
I
h I
C
C 11 11
26

( en , en mA)
# h
21
=i
C
/ i
B
V
CE
=Constante.
Cest le gain en courant du transistor. Il est trs voisin de qui est la pente de la
caractristique de transfert en courant.
# h
22
=i
C
/ v
CE
I
B
=Constante.
Cest ladmittance de sortie du transistor. Elle est en gnral faible et correspond la
pente des caractristiques du rseau de sortie ; h
22
est fonction du courant collecteur ; h
22
1

est de lordre de 20 k pour des courants collecteurs de lordre de quelques milliampres.
# h
12
=v
BE
/ v
CE
I
B
=Constante.
Cest la pente des caractristiques du rseau de transfert en tension. Ce paramtre tant
voisin de zro (typiquement 10
5
10
6
) sera toujours nglig.
4.3 Schma quivalent simplifi
En fait, il existe des capacits entre les lectrodes dun transistor. Ces capacits sont faibles
et prsentent en basse frquence des impdances si grandes que lon peut ngliger leurs effets.
Par contre en haute frquence, les impdances de ces capacits parasites modifient le
fonctionnement du transistor.
Si on nglige les capacits entre les lectrodes,
on obtient le schma quivalent suivant, valable
uniquement en basse frquence, qui est la
traduction graphique du modle hybride du
transistor. Il relie donc les variations des grandeurs
dentre et de sortie.
On suppose que le transistor est plac son point de
fonctionnement, dans la zone linaire des
caractristiques, par application de potentiels
continus convenables sur les trois lectrodes.
Cette opration se nomme la polarisation du
transistor.
Comme h
12
est voisin de 0 et que h
22
est petit, on
peut encore simplifier le schma. Dans ce modle, le
transistor se ramne un circuit dentre qui est la
rsistance h
11
et un circuit de sortie constitu par
un gnrateur de courant i
C
=i
B
.
Les variations du courant de sortie sont gales fois celles du courant dentre.

"
Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant..
4.4 Pente dun transistor
On dfinit la pente s dun transistor par le rapport dI
C
/ dV
BE

v
v
h
B C
E E
h
h .v
h
h
.i
.i
h
1
v
v
i
i
i
i
i i i
BE
BE
11
11
12 CE
21
21
B
B
22
CE
CE
C
C
B
B
B E C
Fig. 9
s
i
v
C
BE
=
h
h
21
11

En effet, dans le modle simplifi, on a : i
C
=h
21
.i
B
et v
BE
=h
11
.i
B

De plus h
11
=kT/e.I
B
. Donc : s =h
21
/(kT/e.I
B
) =h
21
.I
B
/(kT/e) =e.I
C
/kT
A temprature ambiante, la pente dun transistor quelconque est :
s I
mA V C mA ( / ) ( )
. = 38
Linverse de la pente est le quotient v
BE
/i
E
=h
11
.i
B
/h
21
.i
B
. Il correspond donc la
rsistance dynamique de la diode dentre et il est not r
E
=h
11
/ h
21
.
Sa valeur 300 K est r
E
=26 .
5 Conclusions
Pour un transistor bipolaire polaris correctement (V
E
<V
B
<V
C
pour un NPN), les
courants base et collecteur sont relis par la relation : I
C
=.I
B
; les variations des courants
base et collecteur sont relies par : i
C
=h
21
.i
B
. Les valeurs statique et dynamique h
21
du gain
en courant sont voisines.
Le gain varie avec le courant collecteur et avec la temprature (dans un rapport pouvant
atteindre 5 ou 6 dans les cas dfavorables).
La rsistance dentre diminue avec le courant collecteur. De lordre de 1 k pour un
transistor petits signaux elle est seulement de lordre de la dizaine dohms pour les
transistors de puissance. La rsistance de sortie est relativement grande ( 20 k) et on peut
souvent la ngliger dans les calculs sans commettre une erreur importante.
Les relations I
C
=.I
B
et I
B
I
Sat
.exp(e.V
BE

/ kT) donnent la dpendance entre le courant
collecteur et la tension dentre.
Quand V
BE
crot de 60 mV, I
C
est multipli par un facteur 10 !
"
Au voisinage du point de fonctionnement, on peut considrer la tension base-
metteur comme constante et gale un seuil de diode soit 0,65 V pour un
transistor au silicium.
A cause de la dispersion importante des valeurs du gain en courant et de ses possibles
variations en cours de fonctionnement, les montages calculs pour une valeur particulire du
gain sont de mauvais montages : le remplacement du transistor impose galement celui des
composants priphriques utiliss pour le polariser correctement.

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Substrat p
Base p (0,7m)
Emetteur n+ Isolement p+
Collecteur n
Contact (Al)
Coupe transversale d'un transistor de type
"planar" ralis par diffusion
transistor
de puissance
transistor
petits signaux