Vous êtes sur la page 1sur 4

APLICACIONES: Existen diversos usos del teorema de thevenin en la industria , pero bsicamente los usos o aplicaciones son en el campo

de la prevencin y de la localizacin de fallas en ciruitos asi como en la caracterizacin de transistores elctricos , por lo cual hemos creido conveniente en nombrar su aplicacin y en breves lneas definir sus usos o funcionamientos . 1.0.0 Anlisis de la estabilidad de la red de potencia elctrica para una posterior localizacin de fallas.

Red de Distribucin de la Energa Elctrica o Sistema de Distribucin de Energa Elctrica es la parte del sistema de suministro elctrico cuya funcin es el suministro de energa desde la subestacin de distribucin hasta los usuarios finales (medidor del cliente). Se lleva a cabo por los Operadores del Sistema de Distribucin (Distribution System Operator o DSO en ingls). Los elementos que conforman la red o sistema de distribucin son los siguientes:

Subestacin de Distribucin: conjunto de elementos (transformadores, interruptores, seccionadores, etc.) cuya funcin es reducir los niveles de alta tensin de las lneas de transmisin (o subtransmisin) hasta niveles de media tensin para su ramificacin en mltiples salidas. Circuito Primario. Circuito Secundario.

La distribucin de la energa elctrica desde las subestaciones de transformacin de la red de transporte se realiza en dos etapas. La primera est constituida por la red de reparto, que, partiendo de las subestaciones de transformacin, reparte la energa, normalmente mediante anillos que rodean los grandes centros de consumo, hasta llegar a las estaciones transformadoras de distribucin. Las tensiones utilizadas estn comprendidas entre 25 y 132 kV. Intercaladas en estos anillos estn las estaciones transformadoras de distribucin, encargadas de reducir la tensin desde el nivel de reparto al de distribucin en media tensin. La segunda etapa la constituye la red de distribucin propiamente dicha, con tensiones de funcionamiento de 3 a 30 kV y con una caracterstica muy radial. Esta red cubre la superficie de los grandes centros de consumo (poblacin, gran industria, etc.), uniendo las estaciones transformadoras de distribucin con los centros de transformacin, que son la ltima etapa del suministro en media tensin, ya que las tensiones a la salida de estos centros es de baja tensin (125/220 220/380 V1 ).

La lneas que forman la red de distribucin se operan de forma radial, sin que formen mallas, al contrario que las redes de transporte y de reparto. Cuando existe una avera, un dispositivo de proteccin situado al principio de cada red lo detecta y abre el interruptor que alimenta esta red. La localizacin de averas se hace por el mtodo de "prueba y error", dividiendo la red que tiene la avera en dos mitades y energizando una de ellas; a medida que se acota la zona con avera, se devuelve el suministro al resto de la red. Esto ocasiona que en el transcurso de localizacin se pueden producir varias interrupciones a un mismo usuario de la red.

2.0.0 Caracterizacin (determinacin de parmetros) de semiconductores , dispositivos piezoelctricos 2.1.Parmetros en los Semiconductores: 2.1.1) Parmetros en bloqueo: _ Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM ): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. _ Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. _ Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM ): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. _ Tensin de ruptura (VBR ): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. _ Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo l

2.1.2) Parametros en Conduccin: Intensidad media nominal (IF(AV ) ): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM ): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM ): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF ): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin. 3.0.0Transistores de efectos de campo : El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistenciascontroladas por diferencia de potencial. La mayoria de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la

corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.