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Le transistor est un composant lectronique actif utilis : comme interrupteur dans les circuits logiques ; comme amplificateur de signal

; pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres ut ilisations. Un transistor est un dispositif semi-conducteur trois lectrodes actives, qui perm et de contrler un courant (ou une tension) sur une des lectrodes de sorties (le co llecteur pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor effet de cha mp) grce une lectrode d'entre (la base sur un transistor bipolaire et la grille pou r un transistor effet de champ). Le terme transistor provient de l anglais transfer resistor (rsistance de transfert ). Il a t slectionn par un comit directeur de vingt-six personnes des Bell Labs le 28 mai 1948 (mmo 48-130-10), parmi les noms proposs suivants : semiconductor triode, surface states triode, crystal triode, solid triode, iotatron, transistor. Pour des raisons commerciales, il fallait un nom court, sans quivoque avec la technol ogie des tubes lectroniques. Transistor fut retenu. Par mtonymie, le terme transistor dsigne aussi les rcepteurs radio quips de transisto rs (originellement appels poste transistors). Sommaire [masquer] 1 Historique 2 Classification 2.1 Transistor bipolaire 2.2 Transistor effet de champ 2.3 Transistor unijonction 2.4 Technologie hybride 2.5 Applications 3 Constitution 4 Description schmatique 5 volution 6 Principe de fonctionnement 7 Emploi 8 Notes et rfrences 9 Annexes 9.1 Articles connexes 9.2 Liens externes Historique[modifier | modifier le code]

Une rplique du premier transistor. Suite aux travaux sur les semi-conducteurs, le transistor a t invent le 23 dcembre 1 947 par les Amricains John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, chercheu rs de la compagnie Bell Tlphone1. Ces chercheurs ont reu pour cette invention le pr ix Nobel de physique en 1956. Le transistor est considr comme un norme progrs face au tube lectronique : beaucoup p lus petit, plus lger et plus robuste, fonctionnant avec des tensions faibles, aut orisant une alimentation par piles, et il fonctionne presque quasi instantanment une fois mis sous tension, contrairement aux tubes lectroniques qui demandaient u ne dizaine de secondes de chauffage, gnraient une consommation importante et ncessi taient une source de tension leve (plusieurs centaines de volts). L'industrialisation vient ds le dbut des annes 1950, sous l'impulsion de Norman Kri m, vice-prsident de Raytheon. Il est rapidement assembl, avec d'autres composants, au sein de circuits intgrs, ce qui lui permit de conqurir encore plus de terrain s ur les autres formes d'lectronique active. Classification[modifier | modifier le code] Transistor bipolaire[modifier | modifier le code] Article dtaill : Transistor bipolaire. Transistor effet de champ[modifier | modifier le code] Contrairement au transistor bipolaire la grille agit par effet de champ (d'o son

nom) et non par passage d'un courant lectrique. Article dtaill : Transistor effet de champ. Parmi les transistors effet de champ (ou FET, pour Field Effect Transistor), on peut distinguer les familles suivantes : Transistors MOSFET : ils utilisent les proprits des structures Mtal/Oxyde/Semi-cond ucteur ; Transistors JFET : ils utilisent les proprits des jonctions PN. Transistor unijonction[modifier | modifier le code] Article dtaill : Transistor unijonction. Le transistor dit unijonction, n est quasiment plus utilis, mais servait crer des os cillateurs relaxation. Technologie hybride[modifier | modifier le code] L'IGBT, est un hybride de bipolaire et de MOSFET, principalement utilis en lectron ique de puissance. Applications[modifier | modifier le code] Les deux principaux types de transistors permettent de rpondre aux besoins de l'le ctronique: analogique, numrique, Et ceux de l'lectronique de puissance et haute tension. La technologie bipolaire est plutt utilise en analogique et en lectronique de puiss ance. Les technologies FET et CMOS sont principalement utilises en lectronique numrique ( ralisation d'oprations logiques). Ils peuvent tre utiliss pour faire des blocs analo giques dans des circuits numriques (rgulateur de tension par exemple). Ils sont au ssi utiliss pour faire des commandes de puissance (moteurs) et pour l'lectronique haute tension (automobile). Leurs caractristiques s'apparentent plus celles des t ubes lectroniques. Ils offrent une meilleure linarit dans le cadre d'amplificateurs Hi-Fi, donc moins de distorsion. Un mlange des deux technologies est utilis dans les IGBT. Constitution[modifier | modifier le code] Les substrats utiliss vont du germanium (srie AC, aujourd hui obsolte), en passant pa r le silicium, l arsniure de gallium, le silicium-germanium et plus rcemment le carb ure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure d'indium. Pour la grande majorit des applications, on utilise le silicium alors que les matr iaux plus exotiques tels que l'arsniure de gallium et le nitrure de gallium sont plutt utiliss pour raliser les transistors hyperfrquence et micro-onde. Un transistor bipolaire se compose de deux parties de substrat semiconducteur do pes identiquement (P ou N) spares par une mince tranche de semiconducteur dope inver sement ; on a ainsi deux types : N-P-N et P-N-P. Le transistor effet de champ classiquement se compose d un barreau de semiconducte ur dop N(ou P), et entour en son milieu d un anneau de semiconducteur dop inversement P(ou N). On parle de FET canal N ou P suivant le dopage du barreau. Le transistor MOS se compose d un barreau de semiconducteur P ou N sur lequel on f ait crotre par pitaxie une mince couche d isolant (silice par exemple), laquelle est surmonte d une lectrode mtallique. Description schmatique[modifier | modifier le code]

NPN MOSFET Les trois connexions sont appeles : transistors bipolaires symbole transistors effet de champ symbole le collecteur C le drain

la base B la grille G l metteur E la source S Dans les deux types de transistors bipolaires, l'lectrode traverse par l'ensemble du courant s'appelle l'metteur. Le courant dans l'metteur est gal la somme des cour ants du collecteur et de la base. La flche identifie l metteur et suit le sens du courant; elle pointe vers l'extrieur dans le cas d un NPN, vers l'intrieur dans le cas d'un PNP. L lectrode relie au milieu de la barre centrale figure la base et la troisime lectrode figure le collecteur. Dans le cas de l effet de champ, la flche disparat, car le dispositif est symtrique ( drain et source sont changeables). Les traits obliques sont habituellement rempla cs par des traits droits. Pour le transistor MOS, la grille se dtache des autres lectrodes, pour indiquer l is olation due la prsence de l oxyde. En ralit, il existe une quatrime connexion pour les transistors effet de champ, le substrat (parfois appel bulk), qui est habituellement reli la source (c est la conne xion entre S et les deux traits verticaux sur le schma). volution[modifier | modifier le code] Les premiers transistors avaient comme base le germanium. Ce matriau, de nouveau utilis pour certaines applications, a vite t remplac par le silicium plus rsistant, p lus souple d emploi, moins sensible la temprature. Il existe aussi des transistors l arsniure de gallium utiliss en particulier dans le domaine des hyperfrquences. Les transistors effet de champ sont principalement utiliss en amplification grand gain de signal de faible amplitude, trs basse tension. Ils sont trs sensibles aux dcharges lectrostatiques. Les volutions technologiques ont donn les transistors ou commutateurs MOS de puiss ance, ils sont de plus en plus utiliss dans toutes les applications de commutatio n de forte puissance (classe D), basse tension, vu qu ils n ont presque plus de rsist ance de drain contrairement aux transistors, ils ne s'chauffent pas et n'ont donc pas besoin de refroidissement (radiateurs). Le graphne, nouveau matriau trs prometteur et performant, pourrait remplacer le sil icium dans les transistors de future gnration. Principe de fonctionnement[modifier | modifier le code]

Analyseur de transistors. Les transistors MOS et bipolaires fonctionnent de faons trs diffrentes : Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant, on injecte un courant d ans l espace base/metteur afin de crer un courant multipli par le gain du transistor entre l metteur et le collecteur. Les transistors bipolaires NPN (ngatif-positif-ngatif) qui laissent circuler un co urant de la base (+) vers l metteur ( ), sont plus rapides et ont une meilleure tenue en tension que les transistors PNP base ( ) metteur (+), mais peuvent tre produits avec des caractristiques complmentaires par les fabricants pour les applications l e ncessitant. Le transistor effet de champ. Son organe de commande est la grille (gate en angl ais). Celle-ci n a besoin que d une tension (ou un potentiel) entre la grille et la source pour contrler le courant entre la source et le drain. Le courant de grille est nul (ou ngligeable) en rgime statique, puisque la grille se comporte vis--vis du circuit de commande comme un condensateur de faible capacit. Il existe plusieurs types de transistors effet de champ : transistors dpltion, enr ichissement (de loin les plus nombreux) et jonction (JFET). Dans chaque famille, on peut utiliser soit un canal de type N soit de type P, ce qui fait donc en to ut six types diffrents. Pour les transistors dpltion ainsi que les JFET, le canal drain source est conducteu r si le potentiel de grille est nul. Pour le bloquer, il faut rendre ce potentie l ngatif (pour les canaux N) ou positif (pour les canaux P). Inversement, les transistors enrichissement sont bloqus lorsque la grille a un po tentiel nul. Si on polarise la grille d un transistor N par une tension positive o

u celle d un transistor P par une tension ngative, l espace source drain du transistor devient passant. Chacun de ces transistors est caractris par une tension de seuil, correspondant la tension de grille qui fait la transition entre le comportement bloqu du transist or et son comportement conducteur. Contrairement aux transistors bipolaires, don t la tension de seuil ne dpend que du semi-conducteur utilis (silicium, germanium ou As-Ga), la tension de seuil des transistors effet de champ dpend troitement de la technologie, et peut varier notablement mme au sein d un mme lot. Le transistor e ffet de champ dpltion canal N est le semi-conducteur dont les caractristiques se ra pprochent le plus des anciens tubes vide (triodes). puissance gale, les transisto rs N sont plus petits que les P. gomtrie gale, les transistors N sont galement plus rapides que les P. En effet, les porteurs majoritaires dans un canal N sont les l ectrons, qui se dplacent mieux que les trous, majoritaires dans un canal P. La co nductivit d'un canal N est ainsi suprieure celle d'un canal P de mme dimension. La plupart des circuits intgrs numriques (en particulier les microprocesseurs) util isent la technologie CMOS qui permet d'intgrer grande chelle (plusieurs millions) des transistors effet de champ ( enrichissement) complmentaires (c est--dire qu on retr ouve des N et des P). Pour une mme fonction, l intgration de transistors bipolaires consommerait beaucoup plus de courant. En effet, un circuit CMOS ne consomme du courant que lors des basculements. La consommation d'une porte CMOS correspond u niquement la charge lectrique ncessaire pour charger sa capacit de sortie. Leur dis sipation est donc quasiment nulle si la frquence d horloge est modre ; cela permet le dveloppement de circuits piles ou batteries (tlphones ou ordinateurs portables, ap pareils photo...). Autres transistors : IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : hybride qui a les caractristiques d un t ransistor effet de champ en entre et les caractristiques d un transistor bipolaire e n sortie. Uniquement utilis dans l lectronique de puissance. Transistor unijonction : ce transistor est utilis pour ses caractristiques de rsist ance dynamique ngative, ce qui permet de raliser simplement un oscillateur. N est pl us utilis de nos jours. Phototransistor : c est un transistor bipolaire, dont la jonction base collecteur es t sensible la lumire. Par rapport une photodiode, il est plus sensible, car il bnfi cie de l effet amplificateur propre au transistor. L opto-isolateur : le phototransistor est mont dans le mme botier qu une diode lectrolum inescente. C est la lumire qui assure la transmission des signaux entre le phototra nsistor et la diode lectroluminescente. Le pouvoir d isolation trs lev (de l ordre de 5 kV) en fait le composant idal pour isoler galvaniquement un circuit de commande, d un circuit de puissance. Il existe aussi des opto-isolateurs utilisant d autres composants en sortie tels l e thyristor, le triac. Emploi[modifier | modifier le code] Sauf dans le domaine des fortes puissances, il est devenu rare de n avoir qu un seul transistor dans un botier (pour les fortes puissances, on optera pour un montage Darlington, permettant d obtenir un gain en courant plus important). Les circuits intgrs ont permis d en interconnecter d abord des milliers, puis des mill ions. L'intgration de plus d'un milliard de transistors sur un seul composant a t a tteinte en juin 2008 par Nvidia avec la GT200. La puce, utilise comme processeur graphique (GPU) atteint 1,4 milliard de composants lectriques gravs en 65 nanomtres , sur une surface d'environ 600 mm2. Ces circuits intgrs servent raliser des microprocesseurs, des mmoires, par exemple. volution du nombre de transistors intgrs dans un microprocesseur Processeurs grand public : 1971 : 4004 : 2 300 1978 : 8086 : 29 000 1982 : 80286 : 134 000 1985 : 80386 : 275 000 1989 : 80486 : 1,16 million 1993 : Pentium/Pentium MMX : 3,1 millions

1995 : Pentium Pro : 5,5 millions 1997 : Pentium II : 27 millions 1997 : K6 : 8.8 millions 1998 : K6-II : 9.3 millions 1999 : Athlon : 37 millions 2001 : Pentium 4 HT : 42 millions 2001 : Athlon XP-Duron Palomino/Thoroughbred/Thorton/Barton-Spitfire/Morgan/Appl ebred : 37.2 millions 2003 : Athlon 64 ClawHammer : 105.9 millions 2004 : Pentium Extreme Edition : 169 millions 2004 : Athlon 64 Newcastle : 68.5 millions 2004 : Athlon 64 Winchester : 77 millions 2005 : Athlon 64 Venice : 76 millions 2005 : Athlon 64/Athlon 64 X2 Manchester/Toledo : 233 millions 2006 : Core 2 Duo : 291 millions 2006 : Core 2 Quad : 582 millions 2006 : Athlon 64/Athlon 64 X2 Windsor : 227 millions 2006 : Athlon 64 X2/Athlon X2/Sempron Brisbane : 221 millions 2008 : Core i7 Bloomfield : 730 millions 2008 : Phenom X4/X3/Athlon X2 Agena/Toliman/Kuma: 450 millions 2009 : Core i7/i5 Lynnfield : 774 millions 2010 : Core i5/i3/Pentium G Clarkdale : 382 millions 2010 : Core i7 Gulftown : 1,17 milliard 2010 : Phenom II X4/X3/X2-Athlon II X4/X3/X2: Deneb/Heka/Callisto-Propus/Rana/Re gor : 758 millions 2011 : Core i7/i5/i3/Pentium G Sandy bridge : 1.16 milliards (i7 et i5) - 504 mi llions (i3 et Pentium G) 2012 : Core i7 Sandy Bridge-E : 2.27 milliards 2012 : Core i7/i5/i3/Pentium G Ivy Bridge : 1.40 milliards 2012 : FX-4100/6100/8100 Zambez (Buldozer) : 1.20 milliards 2012 : FX-4300/6300/8300 Vishera : 1.20 milliards Domaine graphique : 1997 : SST-1 (3Dfx Voodoo 1) : 1 million 1998 : SST-2 (3Dfx Voodoo 2) : 4 millions 1998 : NV4 (Nvidia TNT) : 7 millions 1998 : Rage 5 (ATI Rage 128) : 8 millions 1999 : NV5 (Nvidia TNT2) : 15 millions 1999 : Avenger (3Dfx Voodoo 3) : 3 millions 1999 : G4+ (Matrox Millenium) : 9 millions 1999 : NV10 (Nvidia GeForce256) : 23 millions 2000 : NV15 (Nvidia GeForce2) : 25 millions 2000 : R100 (ATI Radeon 7500) : 30 millions 2000 : VSA-100 (3Dfx Voodoo 4/5) : 14 millions 2001 : NV20 (Nvidia GeForce3 Ti) : 57 millions 2001 : R200 (ATI Radeon 8500) : 60 millions 2003 : NV28 (Nvidia GeForce4 Ti) : 63 millions 2003 : R360 (ATI Radeon 9800) : 115 millions 2003 : NV35 (Nvidia GeForce FX5900) : 135 millions 2004 : R480 (ATI Radeon X850) : 160 millions 2004 : NV40 (Nvidia GeForce 6800) : 222 millions 2005 : G71 (Nvidia GeForce 7900) : 278 millions 2005 : R580 (ATI Radeon X1950) : 384 millions 2006 : G80 (Nvidia GeForce 8800) : 681 millions 2006 : G92 (Nvidia GeForce 9800) : 754 millions 2006 : R600 (ATI Radeon HD2900) : 700 millions 2007 ! RV670 (ATI Radeon HD3800) : 666 millions 2007 : POWER6 (IBM) : 291 millions 2008 : GT200 (Nvidia GeForce GTX200) : 1,40 milliard 2008 : RV770 (ATI Radeon HD4800) : 956 millions 2009 : RV870 (ATI Radeon HD5800/5900) : 2,154 milliards

2010 : GF100 (Nvidia GeForce GTX400) : 3.00 milliards 2011 : RV970 (ATI Radeon HD6900) : 2.64 milliards 2011 : GF110 (Nvidia GeForce GTX500 : 3.00 milliards 2012 : RV1070 (ATI Radeon HD7900) : 4.313 milliards 2012 : GK104 (Nvidia GeForce GTX600) : 3.54 milliards 2013 : GK110 (Nvidia GeForce GTX Titan) : 7.10 milliards Serveurs : 1993 : IBM POWER2 : 15 millions 1998 : IBM POWER3 : 15 millions 2001 : IBM POWER4 : 174 millions 2004 : IBM POWER5 : 276 millions 2007 : IBM POWER6 : 790 millions 2008 : SPARC64 VII : 600 millions 2010 : IBM POWER7 : 1,2 milliard 2010 : Xeon (8 c urs) : 2,3 milliards Notes et rfrences[modifier | modifier le code] ? Comme souvent en histoire des sciences, la paternit de cette dcouverte est parfo is remise en cause, pour tre attribue Julius Edgar Lilienfeld qui, en 1925, avait dj dcouvert le principe du transistor effet de champ. Cependant, Bardeen, Shockley et Brattain restent universellement reconnus comme les pres de cette invention. Annexes[modifier | modifier le code]

Sur les autres projets Wikimedia : Transistor, sur Wikimedia Commons Articles connexes[modifier | modifier le code] Transistor Darlington IGBT Transistor JFET Transistor bipolaire MOSFET EOSFET Loi de Moore Liens externes[modifier | modifier le code] Transistor bipolaire Transistor effet de champ (FET) Transitor effet de champ grille isole -Transistor M.O.S. [PDF] Transistor unijonction (de) (en) (fr) [PDF] (en) Armand Van Dormael. "The French Transistor". Proceedin gs of the 2004 IEEE Conference on the History of Electronics, Bletchley Park, Ju ne 2004. (en) Michael Riordan, How Europe Missed the Transistor , IEEE Spectrum, vol. 42, no 11, novembre 2005, p. 52 57 (ISSN 0018-9235) (en) [PDF] ON Semiconductor Application Notes 1628 : Understanding Power Transis tors Breakdown Parameters [masquer] v d m Automatique lectricit lectrochimie lectromagntisme lectronique lectrotechniq e Traitement du signal Analogique Alimentation lectrique Amplificateur Amplificateur de mesure Ampl ificateur oprationnel Bobine Capteur Circuit intgr Composants analogiques programm bles (FPAA) Diode Commutateur Condensateur Filtre Radiocommunication Transistor Triac Tube Thyristor Numrique ASIC Circuit logique programmable (CPLD EPLD FPGA PAL PLA PLD ) eur Processeur Ordinateur Porte logique Optolectronique cellule photolectrique Cellule photovoltaque LED Diode laser Photodiode Micro-lectronique MEMS Portail de l lectricit et de l lectronique Portail de l lectricit et de l lectronique P des micro et nanotechnologies Portail des micro et nanotechnologies Portail des

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