1

EN 2701 Fundamentos de Eletrnica

Princpio de funcionamento dos Diodos
Curva Caracterstica
Aplicao (Retificador Meia Onda)
AULA 03
Roberto Jacobe Rodrigues
roberto.rodrigues@ufabc.edu.br
2
o
Quadrimestre de 2011
2
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Contedo
2
o Princpio (o diodo no polarizado) e a camada de depleo
o Polarizaes Direta e Reversa
o Tenso de Ruptura
o Simbologia
o Modelos (aproximaes para o Diodo)
o A Curva Caracterstica do Diodo
o Simulao (CircuitMaker)
o Importncia da especificaes de Potncia e de Corrente
o Aplicao 1a: circuitos retificadores de meia onda
o Questes e Exerccios
3
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Semicondutores Silcio Extrnseco (Dopado)
3
O que ocorre se juntarmos os dois
cristais de silcio dopado acima?
4
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado
4
o A regio onde os cristais tipo-p e tipo-n so unidos chama-se juno.
o Esta juno pn conhecida como diodo semicondutor.
5
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado
5
6
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado Camada de Depleo
6
o Devido a diferena de concentrao de portadores e repulso mtua,
eltrons livres no lado n difundem para o lado p.
o Quando um eltron livre sai da regio n cria-se um tomo carregado
positivamente (um on positivo) na regio n.
o medida que penetra na regio p, o eltron livre:
- torna-se um portador minoritrio e
- preenche uma lacuna (quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o
tomo associado torna-se carregado negativamente on negativo).
7
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado Camada de Depleo
7
o Na medida em que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno
esvazia-se de eltrons livres e lacunas (depleo).
o A camada de depleo age como uma barreira dificultando a continuao da
difuso de eltrons livres atravs da juno.
o A largura da camada de depleo continua aumentando com cada eltron que
a atravessa at que se atinja uma condio de equilbrio.
o Esta barreira de potencial (Tenso Interna) dada pela expresso a seguir.:
Tenso Trmica, 25 mV
8
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado Camada de Depleo
8
A largura da camada de depleo dada por:
Onde x
n
e x
p
so as larguras da regio de depleo, respectivamente, nos
lados n e p do diodo.
c
s
a permissividade eltrica
do silcio
c
s
= 1,04x10
-12
F/cm
9
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
O Diodo no Polarizado Camada de Depleo
9
Exerccio 1
Para uma juno pn com N
A
= 10
17
/cm
3
e N
D
= 10
16
/cm
3
a uma
temperatura ambiente T = 300 K, determine a tenso interna, a
largura da regio de depleo e as distncias pelas quais ela se
estende no lado p e no lado n. Utilize n
i
= 1,5x10
10
/cm
3
.
Resposta:
V
0
= 0,728 V; W
dep
= 0,32 m; x
n
= 0,03 m e x
p
= 0,29 m
Exerccio 2
Comente os resultados obtidos no Exerccio 1, por exemplo, justifique o fato
de x
n
<< x
p
e sugira maneiras para obter-se diodos bem menores, ou seja,
que no sejam limitados, em tamanho, por um W
dep
= 0,32 m.
10
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Polarizao Direta
10
o Na polarizao direta, o terminal positivo da fonte ligado ao material
tipo-p, e o terminal negativo ao material tipo-n.
o Na medida em que aumenta-se a d.d.p. da bateria a barreira de
potencial diminui e mais eltrons passam da regio n para a regio p.
Polarizao direta Diagrama de Bandas de Energia
Polarizao direta
11
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Polarizao Direta
11
o A polarizao direta pode produzir uma alta corrente eltrica.
o O negativo da fonte repele os eltrons livres da regio n para a juno.
o Estes eltrons podem atravessar a juno e encontrar as lacunas.
o A recombinao ocorre em distncias variveis a partir da juno.
o medida que os eltrons encontram as lacunas, eles se tornam eltrons
de valncia.
o Como eltrons de valncia, os eltrons continuam a se deslocar para a
esquerda atravs das lacunas no material p at ao positivo da fonte.
12
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Polarizao Reversa
12
o Se voc mudar a polarizao da fonte CC, voc colocar o diodo em
polarizao reversa.
o Os eltrons livres na regio n passam a se afastar da juno em direo
ao terminal positivo da fonte. As lacunas da regio p tambm passam a se
deslocar da juno para o terminal negativo.
o Camada de depleo fica mais larga.
Polarizao reversa
13
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Polarizao Reversa
13
o Relembrando: a energia trmica cria continuamente um nmero limitado de
eltrons livres e de lacunas de ambos os lados da juno, originando os
portadores minoritrios.
o A corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada
corrente de saturao e designada por I
S
.
o Assim I
S
dependente da temperatura.
o Com base na experincia, para os diodos de silcio, I
S
tem o seu valor
quase dobrado a cada aumento de 10C na temperatura.
Nota:
O valor de I
S
de 5 nA a 25C, ...
14
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Polarizao Reversa
14
o A corrente de fuga superficial I
FS
produzida por impurezas da superfcie
que criam trajetos hmicos para a corrente.
o A corrente reversa I
R
a soma das corrente I
S
e I
FS
.
o especificada para um dado valor de tenso reversa V
R
e temperatura
ambiente T
A
.
o Como I
S
varia com a temperatura e I
FS
com a tenso, I
R
varia com a
temperatura e com a tenso.
o Exemplo:
- no diodo lN914, a corrente I
R
de 25 nA para uma tenso reversa V
R
=
20 V temperatura ambiente T
A
= 25C. Se aumentar ou a temperatura ou a
tenso, a corrente reversa aumenta.
15
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Tenso de Ruptura
15
o Se aumentar-se muito a tenso reversa, pode-se atingir a tenso de
ruptura do diodo (V
BR
).
o Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita.
o Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron (o
que equivale a um ganho de energia). Isto causa a corrente de avalanche.
o Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduzir
intensamente e ser danificado pela excessiva potncia dissipada.
16
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Simbologia
16
17
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Aproximaes do Diodo
17
o Primeira Aproximao - O Diodo Ideal
18
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
18
o Segunda aproximao
Aproximaes do Diodo
19
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
19
o Terceira aproximao
Aproximaes do Diodo
20
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao
20
Levantamento da Curva Caracterstica usando o simulador de circuitos
CircuitMaker:
http://my.ece.ucsb.edu/bobsclass/2C/Simulation/circuit_maker.htm
A simulao consiste em:
1 passo: montar-se o circuito acima;
2 passo: variar a d.d.p. da fonte de tenso;
3 passo: medir a tenso eltrica sobre o diodo e a corrente eltrica no circuito a
cada d.d.p. da fonte de tenso e
4 passo: fazer o grfico da corrente como funo da d.d.p. no diodo.
Montagem 1 Montagem 2
21
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
21
Montagem 1
Fonte Diodo Corrente
Tenses
A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao
22
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
22
A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao
Montagem 1
23
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
23
Fonte Diodo Corrente
Tenses
A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao
Montagem 2
24
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
24
A Curva Caracterstica do Diodo obtida por Simulao
Montagem 2
25
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
25
Na medida em que nos aproximamos do potencial da barreira (por volta de
0,7 V), os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em
grandes quantidades.
Concluso da simulao realizada: verificou-se o incio da conduo do diodo e o
valor aproximado da tenso interna. Tambm verificou-se a parte da curva
caracterstica onde o diodo est polarizado reversamente.
A Curva Caracterstica do Diodo
26
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Importncia das especificaes de Potncia e de Corrente
26
o Para destruir um diodo basta exceder sua:
- tenso reversa de ruptura ou
- sua especificao mxima de potncia.
27
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Importncia das especificaes de Potncia e de Corrente
27
Questo:
Como proteger um diodo da destruio?
28
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Produz-se uma meia onda senoidal de tenso no resistor de carga R
L
.
Aplicao 1a: Retificador Meia Onda
28
29
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
29
Aplicao 1a: Retificador Meia Onda
30
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
30
Durante o semi ciclo positivo do sinal senoidal de entrada:
Durante o semi ciclo negativo do sinal senoidal de entrada:
Aplicao 1a: Retificador Meia Onda
31
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Tenso Mdia:
31
}
=
t
e e
t
0
2
1
t td sen V V
P cc
| |
t
e
t
0
cos
2
t
V
V
P
cc
=
| | 1 1
2
+ =
t
P
cc
V
V
p
P
cc
V
V
V 318 , 0 = =
t
Aplicao 1a: Retificador Meia Onda
32
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
32
1) Determine a corrente I para o circuito da Figura com V
S
= 5 V e
R
S
= 1 kO. Assuma que a queda de tenso no diodo de 0,7 V.
Exerccios e Questes
33
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
33
2) Determine a corrente I
D
para o circuito da Figura, tendo-se os
valores V
DD
= 5 V, R = 1 kO, r
D
= 20 O e V
D0
= 0,65 V.
Exerccios e Questes
3) Uma fonte de tenso de 8 V leva o diodo a ter um resistor limitador de corrente de
100 O. Nesta situao, a tenso no diodo de 0,75 V. Qual a corrente de operao
do diodo?
34
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Exerccios e Questes
34
4) Esboce o grfico I V do exerccio anterior.
5) Levando em considerao a curva caracterstica de um diodo, explique de
forma concisa a sua operao.
6) A tenso V
S
de 9 V e a resistncia R
S
de 1 k O (figura abaixo). Calcule
a corrente atravs do diodo.
7) Descreva o funcionamento de um circuito retificador de meia onda.
35
EN 2701 Fundamentos de Eletrnica
Avisos
35
Entrega de Relatrio 1 e realizao da Prtica 2:
o Prxima quarta-feira, 01 de Junho (s 08:00)