Brecha De Energ a Y Potencial De Ionizaci on.

L opez Hern andez Leonardo.

Laboratorio de F sica Moderna, Facultad de Ciencias, Universidad Nacional Aut onoma de M exico, Ciudad Universitaria, 04510, D.F., M exico. Octubre 09, 2013

Resumen
Se estudia la brecha de energ a en un diodo semiconductor modelo IN4003, hecho de silicio. Se encuentra una dependencia de banda prohibida con respecto de la temperatura y se encuentra que el valor de Eg =(1.190.005)E-19 J que diere poco del valor reportado como aceptado de 1.17 E-19 J. Tambi en se estudia el potencial de ionizaci on de una gas dentro de un bulbo llamado thyratron, se encuentra que el valor de tal potencial es de (12.050.05)V muy parecido al valor aceptado que es de 12.13V.

1.

Objetivos
Determinar la brecha de energ a para el silicio. Determinar el potencial de ionizaci on de una gas empleado en un tubo thyratr on.

2.

Introducci on

Figura 2: Gr aca del n umero at omico Z vs Potencial de ionizaci on.

La teor a de bandas predice la existencia de un intervalo de energ a llamado brecha de energ a, energ a prohibida o gap Eg para materiales llamados semiconductores. En estos tipos de materiales se tiene un espacio vac o entre el u ltimo orbital de valencia y la banda de conducci on, tal como se ilustra en la gura:

3.
3.1.

Marco Te orico
Brecha De Energ a

Una de las caracter sticas de los semiconductores es el hecho de tener un hueco entre la capa de valencia y la de conducci on, este hueco depende entre otras cosas de la temperatura. Para un semiconductor de uni on n-p, se puede obtener una f ormula que permite encontrar el valor del gap, para ello consid erese la ecuaci on que gobierna el comportamiento del diodo: Figura 1: Teor a de bandas, en el caso de semiconductores se predice una banda prohibida entre las bandas de valencia y de conducci on.

I = I0 (e kT 1)

qV

(1)

Para V mucho mayores que kT on se puede aproq la ecuaci Por otra parte, en un gas existe una energ a m nima ximar por: requerida para arrancar un electr on en la u ltima capa de un atomo neutro, esta energ a se llama energ a de ioniza ci on. Esta energ a depende del numero at omico Z, pues qV para una graca de Z vs potencial de ionizaci on existe I = I0 e kT (2) una periodicidad con picos de m aximo potencial en Z correspondientes a los gases del grupo de los nobles, como Es posible demostrar que la corriente que circula por el diodo depende de la temperatura, la relaci on es: se aprecia a continuaci on:

I0 = BT 3 e 1

Eg V kT

(3)

Aplicando el logaritmo a ambos lados de la ecuaci on (2) y (3), y combin andolas se tiene:

4.
4.1.

Desarrollo Experimental
Desarrollo Experimental Para Brecha De Energ a

Ln(I ) = Ln(B ) + 3Ln(T ) Resolviendo para V se tiene que:

qV Eg + kT kT

(4)

Se mont o un circuito en el cual se utilizaron: Diodo IN4003 Mult metros (3) Termopar

V =

kT Eg [Ln(I ) Ln(B ) 3Ln(T ) + ] q kT

Parrilla el ectrica (5) Variac Cable banana-caim an Soporte universal Fuente variable de 20 V

Considerando ahora que Eg depende ligeramente de la temperatura como:

Eg = Eg (0) + T

(6)

Vaso de precipitado (2 de tama no diferente) Resistencia de 1.2K

Con Eg (0) el valor de la brecha a O grados Kelvin. Sustituyendo (6) en (5) se tiene que:

aceite

Se llen o de aceite un vaso de precipitado y se introdujo en otro vaso lleno con agua, y se sumergi o el I 1 diodo correspondiente en el mismo, se coloc o el vaso V = [kT Ln( ) 3kT Ln(T ) + Eg (0) + T ] (7) q B en la parrilla que a su vez se conect o variac, logrando as tener el control sobre el voltaje suministrado y en la temperatura que la parrilla entregaba. Se mont o el 3.2. Potencial De Ionizaci on soporte universal del cual se sujetaron los cables La magnitud del potencial de ionizaci on caracter za la provenientes de los mult metros y se sumergi o el terenerg a de enlace de los electrones orbitales del atomo. mopar en el aceite para medir la temperatura del sistema. Existen distintas energ as de ionizaci on primera, segunda, etc. La primera energ a de ionizaci on es la energ a Se conect o uno de los mult metros en serie con el m nima que se requiere para arrancar un electr on de un circuito para medir la corriente que pasaba por el atomo neutro. Aplicando energ a mayores, es posible diodo y otro m as en paralelo en los extremos del diodo seguir arrancando electrones del atomo, para ello se para medir el voltaje el mismo. El mult metro restante necesitan energ as cada vez mayores. se conect o al termopar. Se tomaron las mediciones a temperatura ambiente del cambio de la corriente en Se puede encontrar la primer energ a de ionizaci on de funci on del voltaje en el diodo. un gas encerrado en un tubo thyratron aplicando una diferencia de voltaje al lamento que calienta el c atodo Posteriormente, se jo un voltaje en el variac, teniendo y relacion andolo con la corriente medida en el anodo. as un aumento en la temperatura, se hicieron las Cuando el gas est e ionizado habr a un aumento brusco mediciones de la corriente y el voltaje en el diodo, como en la corriente que se mide en el anodo, mientras que el la temperatura aumentaba se regul o agregando agua a voltaje cae. uno de los vasos de precipitado, lo anterior se hizo para diferentes temperaturas. Se puede utilizar la ecuaci on de Langmuir-Child dada por: El montaje experimental se muestra a continuaci on:

I = KV

3 2

(8)

D onde K es una constante. El incremento de la corriente con el voltaje solo sigue esta ley hasta alcanzar el potencial de ionizaci on de los atomos del gas, en este punto la pendiente se incrementa bruscamente debido a la aparici on de m as cargas libres debido a la ionizaci on del gas, produciendo un cambio de pendiente en la curva I2/3 vsV. 2

Figura 3: Montaje experimental para brecha de energ a.

4.2.

Desarrollo Experimental Para Potencial De Ionizaci on

Se mont o un circuito utilizando los siguientes materiales: Tubo thyratron Mult metros (2) Fuente de voltaje para el thyratron Fuente de voltaje de 14 V Cable banana-caim an Se mont o el circuito en una tableta dise nada para medir el la corriente entre anodo y c atodo del tubo thyratron al variar el voltaje del mismo, la tableta que se utiliz o se muestra a continuaci on: Figura 6: Gr aca de V vs I, con la curva ajustada a T=21 C .

Figura 7: Gr aca de V vs I, con la curva ajustada a T=40 C .

Figura 4: Tabla con las conexiones del tubo thyratron. Se conectaron los mult metros y las fuentes de acuerdo a las instrucciones de la tabla del thyratron. Se midi o la corriente entre anodo y c atodo en funci on de la variaci on aca de V vs I, con la curva ajustada a del voltaje dado en la fuente del tubo thyratron. Esto se Figura 8: Gr T=50 C . hizo repetidas veces. El montaje experimental se muestra a continuaci on:

Figura 9: Gr aca de V vs I, con la curva ajustada a T=60 C .

Figura 5: Montaje experimental para potencial de ionizaci on.

5.

Resultados

Para la parte de brecha de energ a, se obtuvieron las Figura 10: Gr aca de V vs I, con la curva ajustada a diferentes gr acas a las cuales se les ajust o una curva T=72 C exponencial, esto para diferentes temperaturas: 3

Para la parte de potencial de ionizaci on se obtuvieron las siguientes gr acas de V vs I:

Figura 15: Gr aca de V vs I, para potencial de ionizaci on. Medici on 5. Figura 11: Gr aca de V vs I, para potencial de ionizaci on. Las incertidumbres para cada gr aca son muy pequeas Medici on 1. por tanto se omite presentarlas, sin embargo, si se toman en cuenta para los c alculos realizados.

6.

An alisis

Para la parte de brecha de energ a se tienen las ecuaciones ajustadas para cada temperatura, donde y=I y x=V:

y = 0,0019 e0,00226x , T = 21 Figura 12: Gr aca de V vs I, para potencial de ionizaci on. Medici on 2.

(9)

y = 0,00003 e0,0197x , T = 40

(10)

y = 0,00009 e0,0184x , T = 50

(11)

y = 0,0002 e0,0181x , T = 60

(12)

y = 0,0002 e0,0183x , T = 72

(13)

Se tiene directamente de comparar la ecuaci on 2 con Figura 13: Gr aca de V vs I, para potencial de ionizaci on. las ecuaciones anteriores I0 y q/kT , resolviendo para Medici on 3. se obtiene la siguiente tabla:

Teniendo se pudo gracar 1/ kT vs Ln(0 ), a la cual se le ajust o una recta cuya pendiente esta dada por:

Figura 14: Gr aca de V vs I, para potencial de ionizaci on. Medici on 4.

m = Eg (0) = 1,19E 19J

(14)

Con su respectiva incertidumbre dada por 0.005E-19 J. 4

Referencias
[1] Introduction to Solid State Physics, 5ta Edici on, Editorial John Wiley, N. Y. 1976. [2] Potencial de ionizaci on, manual de laboratorio de f sica moderna, Facultad de Ciencias. [3] La brecha de energ a en semiconductores, manual de laboratorio de f sica moderna, Facultad de Ciencias. Figura 17: Gr aca de 1/ kT vs Ln(0 ). Para la parte de potencial de ionizaci on se observ o de las gr acas que hay discontinuidad que no se puede cubrir, para determinar el punto donde la discontinuidad aparece se tomaron los datos y se grac o V vs I 2/3 se le ajust o un polinomio de grado 2 a ambios lados de la discontinuidad. La intersecci on de estas ecuaciones da el valor aproximado de V para el potencial de ionizaci on. Los resultados se muestran en la tabla: [4] http : //www.f isicarecreativa.com/inf ormes/inf orm od/bandg [5] Intro. al an alisis gr aco de datos experimentales, Berta Oda Noda, Editorial Las Prensas De Ciencias.

Figura 18: Tabla con los valores obtenidos para el potencial de ionizaci on en las diferentes mediciones. Promediando los resultados anteriores se obtiene que:

Vi = (12,05 0,05)V

(15)

7.

Discusi on Y Conclusiones

Los resultados encontrados tanto para el gap como para el potencial de ionizaci on se encuentran muy cercanos a los valores aceptados por la comunidad cient ca. Las variaciones en los resultados obtenidos respecto a los valores aceptados pueden deberse a una deciencia en la toma de las mediciones dada por la sensibilidad de los instrumentos empleados, pues en el caso del potencial de ionizaci on se obtuvieron las diferentes gracas y en la u ltima de ellas se tuvo una mejor apreciaci on del salto que hab a entre un dato y otro. Sin embargo, los valores reportados son conables pues son muy parecidos a los que se toman como v alidos. Falta agregar algo, inicialmente se quer a determinar la brecha de energ a para dos diodos, uno de silicio y otro de germianio, sin embargo, para el diodo de germanio no se hizo tal cosa puesto que del voltaje y la corriente en el diodo se obten a una relaci on lineal que no estaba de acuerdo con la ecuaci on (1) y (2), por lo que se dedujo que tal diodo estaba inservible debido a que anteriormente se le habia suministrado m as voltaje de lo que sus caracter sticas le permiten resistir.