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Etude de la cellule de commutation dune


alimentation dcoupage dans le cadre de la CEM
LAKRIM Abderrazak, TAHRI Driss
Laboratoire Signaux Systmes et Composants (LSSC), Facult des Sciences et Technique de Fes (FSTF),
BP.2202, Route Imouzzer Fes, Maroc
Abderrazak.lakrim@usmba.ac.ma

Rsum La Compatibilit Electromagntique (CEM) apparat
aujourd'hui comme l'une des contraintes majeures de la
conception des structures de l'lectronique de puissance et plus
prcisment sur les alimentations dcoupage.
Malheureusement, elle est trop souvent considre comme la
dernire phase du dveloppement d'un convertisseur puisqu'elle
reprsente le dernier obstacle sa commercialisation. Une tude
des performances CEM en mode conduit (Mode Commun (MC)
et Mode Diffrentiel (MD)) dune alimentation dcoupage de
type Fly-Back (dj ralis au Labo) ncessite une modlisation
bien prcise de la cellule de commutation. La modlisation de
chaque lment du convertisseur (interrupteurs, pistes,
condensateur de dcouplage, charge, RSIL) sous la forme de
schma lectrique quivalent sont prsentes. Finalement, le
modle complet du convertisseur est prsent et confront la
simulation temporelle-frquentielle sous OrCad-Spice, et
frquentielle par la mthode matricielle sous Matlab afin
dvaluer lamplitude des perturbations conduites (MC et MD).

Mots-cls : CEM conduite, lectronique de Puissance,
Alimentation dcoupage, Cellule de Commutation, MC, MD,
I. INTRODUCTION
Le but de cette tude est de "dcortiquer" une cellule de
commutation constitu d'un MOSFET et une diode afin de
dterminer les causes et consquences dune perturbation
EM dans une commutation dure. Ainsi, on peut proposer des
modles simples refltant explicitement les agresseurs de la
commutation. L'tude se concentre sur la cellule de
commutation prsente la figure 1 ci-dessus. Elle peut
montrer que cette reprsentation, simple et reprsentative des
phnomnes, repose sur trois inductances dcouples [1],[3],
[4].
Dans notre cas, on dispose dun circuit intgr qui regroupe
le circuit de commande et le transistor MOS. Nous pouvons
dire alors que les effets de Ls, Lg et R
G
sur la commutation
sont dpasss.

Figure 1 : la cellule de commutation selon la proposition de Henris Foch
II. FERMETURE DU MOSFET

Figure2 : les phases de la commutation la fermeture du MOS
Lors de la fermeture du MOSFET, les 4 phases sont
dcrites sur la figure 2.
1) Durant la phase 1, les circuits de grille et de puissance
sont indpendants, la tension grille source crot jusqu' la
tension de seuil V
GSth
. alors cette phase dpend de la charge de
la capacit dentre Ciss. Il est donc important de bien prendre
en compte l'volution de sa valeur en fonction des deux
potentiels V
GS
et V
DS
[LEMBEYE-97].
Le MOSFET passe en rgime linaire, la diode tant toujours
conductrice. Le courant drain volue alors via la grille, dans la
mesure o la source de courant volue suivant la relation :
( ) ( ) 1 I g V V
m GS th MOS
= .
2

C'est la phase de commutation en courant. Durant cette
phase, l'volution des capacits en fonction de V
GS
et V
DS
est
toujours capitale prendre en compte, mais la connaissance
prcise du gain gm est galement importante.
2) Dans l'tape suivante, on considre que la dcroissance
du courant aprs le pic de recouvrement est exponentielle. Le
modle du MOSFET reste identique celui dans la phase
prcdente.
3) Quand la tension V
DS
atteint la tension V
DS
(on)=I
D
.R
D
,
les circuits de grille et de puissance sont nouveau dcoupls,
et la tension V
GS
volue vers son niveau final (15V
couramment).
Facteurs
dinfluence
Phase 1 Phase 2 Phase 3 Phase 4
Paramtres
du MOS
R
G
.Ciss R
G
.Ciss R
G
.Q
GD
R
G
.Ciss

Conditions
opratoires
( )
1
1
.
Ich
gmUt


1
Ich
Ut
gm

A. . Analyse qualitative
Durant la phase 2, la diode est conductrice alors V
D
=0. La
tension V
DS
du transistor MOSFET reste relativement
constante, il n'ya que la chute de tension L
D
.dI
D
/dt. Ds que la
diode commence se bloquer (c'est dire ds qu'une zone de
charge d'espace apparat), il ya comptition entre la vitesse
MOS, la vitesse de la diode et l'quation de Kirchhoff qui
rgit le circuit de puissance. En effet, la tension de la diode
dpend de l'volution de la taille de la zone de charge d'espace.
Enfin, la somme des tensions V
DS
, et Vdiode et L
D
. dI
D
/dt est
maintenue constante la valeur de bus continu.
Lorsque la commutation de la diode est termine, le courant
est constant, et la tension V
DS
continue d'voluer, grs
uniquement par la vitesse de la grille de circuit et le
composant. La commutation est considre comme termine
lorsque le MOSFET atteint sa zone ohmique, c'est dire que
la tension V
DS
atteint R
DS
(on).I
D
.
Dans le cas o la commutation du MOSFET est trs rapide
ou le maillage une trs forte inductance, la tension Vds
diminue trs rapidement zro, grce un fort terme L
D
.di/dt
(soit forte L
D
ou forte dI
D
/dt). En consquence, V
D
0, V
DS

0 et dI
D
/dt est donc dtermine uniquement par bus continu E
et de la tension dinductance de la maille L
D
. Le reste de la
commutation est entirement rgi par la diode.
B. . Analyse quantitative
L'analyse qualitative prcdente ncessite de montrer les
diffrents acteurs responsables de la commutation des signaux.
Nous allons maintenant examiner de plus prs linfluence de
ces acteurs au cours d'une analyse de leurs effets.
1. Influence de cblage L
D

a) Influence sur le courant
Ici, la simulation permet de faire varier facilement
inductance mailles L
D
, et donc d'valuer l'influence de ce
paramtre pour les rsistances de grille. Nous avons effectu
plusieurs simulations (figures 3, 4, 5). l'intrieur de chaque
srie, on a gard les valeurs constantes des composants
(inductance et rsistance) de la grille, et on fait varier la valeur
de l'inductance maille. Dans tous les cas, on fait passer le
mme courant de 4A sous une tension de 200 V.

Figure 3 : Effet de linductance L
D
pour une faible valeur de R
G
=2

Figure 4 : Effet de linductance L
D
pour une valeur de R
G
=20

Figure 5 : Effet de linductance L
D
pour une forte valeur de R
G
=50
Sur la premire srie de simulations, nous pouvons
observer que (lorsque lon augmente la valeur de linductance
L
D
) la chute de tension inductive est gale la tension
commute (E), et donc la valeur de dI
D
/dt atteint rapidement
E/L
D
. Pour des valeurs plus importantes de R
G
, nous
constatons que la chute de tension n'atteint jamais la valeur de
E, Ceci peut sexpliquer par le fait quil faut dcharger
totalement la capacit C
DS
pour avoir une chute de tension
3

quivalente la tension commute. Alors V
GS
=V
GD
+V
DS
, or
durant la commutation V
GS
#cte, pour faire varier V
DS
, il faut
donc faire varier V
GD
, et donc il faut dcharger la capacit C
GD
.
Or cette dcharge sera dautant plus rapide que la rsistance
R
G
sera faible (et donc le courant de grille I
G
important).
A partir des courbes prcdentes, on peut retracer
l'volution de dI
D
/dt en fonction de L
D
(Figure 6), compte tenu
de l'endroit o le dI
D
/dt est constant dans le temps.


Figure 6 : Evolution de dI
D
/dt durant la fermeture
Nous constatons que pour les grandes valeurs de L
D
et pour
de faibles valeurs de R
G
, la vitesse de commutation tend
E/L
D
: seul le cblage limite alors la vitesse de commutation.
Pour les grandes valeurs de R
G
, la vitesse de commutation
sera totalement dpendante du circuit de commande et du
MOSFET.

Figure 7 : Modle du MOS lors de la commutation en courant pour une
faible L
D
et une grande R
G

Durant la commutation en courant, vis vis du courant de
grille, nous considrerons que la tension V
GS
varie faiblement
et vaut quasiment V
GSth
, nous considrerons donc que le
courant I
G
est constant et vaut
( )
GSth
G
G
Ut V
I
R

= .
C
GS
tant trs suprieure C
GD
, nous considrerons que tout
le courant I
G
passe dans C
GS
. Ainsi nous aurons :
.
G
GS GSth
GS
I
V V t
C
= +

De plus, L
D
tant faible (en fait dI
D
/dt faible), la tension
V
DS
sera considre comme constante gale E (pas de chute
de tension inductive L.dI
D
/dt). Ainsi le courant traversant C
DS

sera nul et donc nous avons alors I
MOS
=I
D
. Or I
MOS
=gm(V
GS
-
V
GSth
). Donc nous avons
. .
.
MOS GSth D
G GS
Ut V dI dI
gm
dt dt R C

= =
| |
|
\ .

Nous constatons que pour les faibles valeurs de L
D
, dI
D
/dt
varie en 1/R
G
en faisant l'approximation gm#cte, qui est
valable si l'on se place a un niveau de courant commut
suffisant. La formulation prcdente ne sera donc valable que
pour les courants important.
Pour les valeurs de L
D
plus importantes (ou de R
G
plus
faibles), il y a une certaine "concurrence" entre les deux
influences prcdentes, ainsi que la vitesse de commutation en
courant est 1/ (L
D
.R
G
). De l, nous pouvons dcomposer
lvolution du dI
D
/dt en trois zones en fonction de
linductance de maille L
D
. Les frontires de ces trois zones
sont dpendantes de la rsistance de grille R
G
. Elles sont
rsumes par la fig 8 :

Figure 8 : Evolution de la vitesse de commutation en courant en fonction de
R
G
et L
D
.
b) Influence sur la tension
[MER 96] a propos la mthode suivante: on peut
considrer que, au premier ordre, la source de tension de grille
est maintenue une valeur constante not:
( )
0
/
GSo GSo th m
V V V I g = +
En consquence, le courant de grille I
G
est aussi constant et
gal
U V
T GSo
i
G
R
G

=

Le courant de grille charge (ou dcharge) la capacit C
GD
,
ce qui provoque la descente (ou la monte) de la tension V
DS
.


0
.
.
ds gd gso
gd
ds
gd
g gd
gso T
ds
g gd
V V V
dV
dV
dt dt
dV
i C
dt
V U
dV
dt R C
+ =
+ =
=

=


Figure 9 : Schma quivalent
La formule produite par ce raisonnement simple montre le
rle de la rsistance de la grille, et la capacit C
GD
parasitaire
sur la vitesse de commutation du MOS.
2. Influence des paramtres MOSFET
a) Capacits parasites
Nous venons de voir l'influence de la capacit C
GD
(ou la
capacit de Miller) sur la vitesse de l'volution de la tension.
On peut montrer par des simulations que si nous gardons le
produit R
G
.C
GD
constant, le dV/dt reste bien constant aussi.
Jeannine [3] a confirm l'influence de ces capacits partir
des valeurs de rfrence correspondant aux capacits
identifies sur un MOSFET (IRF450FI modle Spice), il les a
multiplies par un coefficient. Cette mthode permet de suivre
l'volution cohrente.
4



(dI
D
/dt)max en A/ns
C
GS
*0.25 1.44
C
GS
*0.5 1.32
C
GS
*2 1.21
C
GS
*4 0.9
C
DS
*0.25 1.12
C
DS
*0.5 1.19
C
DS
*2 1.37
C
DS
*4 1.55
C
GD
*0.25 2.12
C
GD
*0.5 1.71
C
GD
*2 1.14
C
GD
*4 0.88

Nous pouvons voir que C
GS
et C
GD
ont une forte influence
sur le moment du dbut de la commutation. Ceci est cohrent
avec le modle de la figure 9.
En effet, la premire phase de la commutation (avant le
dbut de l'volution du courant ou de la tension) est constitue
de la capacit de charge Ciss (C
GS
+ C
GD
). Nous notons,
toutefois, que lors de la fermeture, l'influence de la C
GD
(Crss)
sur le moment du dbut de la commutation, ne semble pas
vident ici. C'est parce que, au dbut de la fermeture, la
tension V
DS
est importante, et les valeurs de Crss sont faibles
lorsque V
DS
est grande, par rapport ceux de Ciss.
On constate daprs le tableau que la vitesse de
commutation du courant dI
D
/dt, seule C
GD
semble tre
prdominante. C'est parce que pendant ces phases, la tension
de commande (V
GS
) et la tension (V
DS
) sont peu prs
constantes. En ralit,V
GS
et V
DS
ne sont pas constantes, il est
donc normal que les capacits associes (C
GS
et C
DS
) ont une
influence sur la vitesse de changement du courant commut.
b) La source de courant du MOSFET
Comme dans le cas des capacits, nous avons dabord
confirm la ncessit de prendre en compte le caractre non
constant du gain gm (rappel: I
D
= gm.(V
GS
V
GSth
) avec gm
non constant) de la source de courant en fonction de V
GS
.
Nous avons ensuite intress l'importance de la valeur du
gain k sur la vitesse de commutation en courant. Dans notre
cas, la modlisation quadratique (I
D
=k.(V
GS
-V
GSth
)
2
) est
valable pour I
D
infrieur environ 25 Ampres, nous n'avons
donc pris garde ne pas dpasser cette valeur lors des
simulations utilisant diffrentes valeurs de k.
L'influence de la non linarit, dans la modlisation, de la
source de courant est mis en vidence sur la figure 10. Les
gains I
D
=gm(V
GS
) utiliss sont reprsents ci-dessous. Les
conditions de simulation sont les suivantes : R
G
=10,
L
D
=40nH, Ldio=10nH, L
G
=20nH, E=200V et Icommut=7.5A.
La non-linarit de la source de courant ( gain variable gm)
est naturellement visible lors de la commutation de courant.
En ce qui concerne l'influence du coefficient k, il est
ncessaire de distinguer la fermeture de l'ouverture du
transistor MOSFET.
Lors de la phase de fermeture on peut considrer que le
courant I
MOS
est pratiquement gal au courant I
D
(on nglige le
courant qui passe dans C
DS
car V
DS
est pratiquement
constante), or I
MOS
dpend de V
GS
, d'o l'influence forte du
gain k.

LC
20n
1
2
LG
20n
1 2
V3
200
I3
7.5
V7 TD =0
TF =160n
PW =4.87u
PER =10u
V1 =0
TR =100n
V2 =15
D4
BYT30P-400 2
1
M5
IRFP450
Rg
10
0
LD
40n
1 2
Ldio
10n
1
2
V-
V+
I


Fig 10 : Modle non linaire de la constante gm, linarisation de la variation
linaire de l'I
D
en fonction de Vgs.
Notons que ce raisonnement est valable uniquement si la
chute de tension inductive L
D
.dI
D
/dt n'est pas trop importante,
c'est dire si la tension V
DS
ne tend pas vers 0, dans ce cas le
courant serait impos uniquement par l'quation de maille (E=
L
D
dI
D
/dt ).
III. - OUVERTURE DU MOSFET
Selon un principe similaire la phase de fermeture,
louverture est galement divise en 4 phases.
1) Les circuits de grille et de puissance sont indpendants, la
tension grille source dcrot jusqu' un niveau impos par le
courant du MOS : V
GS
=V
GSth
+Ich/gm. Durant cette phase, il
est capital de bien prendre en compte l'volution de la capacit
d'entre Ciss en fonction des deux potentiels V
GS
et V
DS
.
2) Le MOSFET passe en rgime linaire, la diode tant
toujours bloque. C'est la phase de commutation en tension.
3) A partir du moment o la diode devient conductrice, on
entre dans la phase de commutation en courant. Les circuits de
grille et de puissance sont sollicits ensemble. Le modle de
diode nest pas vraiment critique dans cette phase, puisque
celle-ci est conductrice.
4) Quand le courant MOSFET sannule (en fait devient
infrieur au courant de fuite du MOSFET), les circuits de
grille et de puissance sont nouveau dcoupls, et la tension
V
GS
volue vers son niveau final.
5


Figure 11: les phases de la commutation louverture du MOS

Facteurs
dinfluence
Phase 1 Phase 2 Phase 3 Phase 4
Paramtres
du MOS
R
G
.Ciss R
G
.Q
GD
R
G
.Ciss R
G
.Ciss
Conditions
opratoires
Ut
Ich
gm

1
Ich
gm

Ich
gm
Vth

A. Analyse qualitative
Vue le mcanisme de commutation durant cette phase on
peut relever que, la diode na aucune influence alors il nous
reste traiter les paramtres interne du MOS, et les
inductances de maillage.
B. Analyse quantitative
1. Influence de cblage et la rsistance de grille
a) Influence sur le courant
Les phnomnes ne sont pas trs diffrent du cas de
fermeture: il ya une concurrence entre la vitesse lie au
composant (gre par son circuit de grille) et le cblage. La
figure 12 montre, par exemple, l'influence de la rsistance de
grille sur la vitesse de commutation dI
D
/dt, et la figure 13 que
de l'influence de l'inductance L
D
. Il convient de noter, comme
nous le verrons pour la fermeture, que la grande rsistance de
grille ou maille avec une inductance haute ralentissent la
vitesse de commutation actuelle. La figure 13 montre
galement que pour de grandes rsistances de grille,
linductance L
D
na plus dinfluence sur la dI
D
/ dt.


Figure 12. Changement de dI/dt en fonction de la rsistance de la grille

Figure 13. Linfluence respective de la rsistance de grille Rg et de
linductance du maille L
D
sur la vitesse de commutation du courant
louverture (Ls constante =12.2 nH )
Un autre exemple est l'influence de l'inductance Ls
commune (figure 14, 15), qui est capable de faire des
changements sur le courant de puissance. Elle peut rinjecter
dans le circuit de grille une tension Ls.dI/dt, qui modifie la
tension du rseau et donc la vitesse de commutation, et peut
mme conduire la dgradation de la conduction du
composant.

La figure 14 montre l'influence de l'inductance de source commune Ls sur la
vitesse d'volution du courant lors de l'ouverture, mais aussi la fermeture.

6


Figure 15. Influence de l'inductance commune (L
S
), pour une inductance de
maille L
D
+ L
S
constante, l'ouverture et la fermeture [MER 96]
L'ensemble des quations pour calculer la vitesse
d'volution du courant et la difficult de dissocier les
influences respectives de l'inductance totale de la maille de
commutation (L
D
+ L
S
) et de l'inductance commune L
S
rendent
lanalyse difficile du problme [3], [7]. Notez que [1] propose
des solutions de cblage lgantes pour rsoudre ce cas.
Les constructeurs de composants de puissance ont tent de
rsoudre le problme de l'inductance de source en fournissant
une quatrime connexion connue sous le nom de la connexion
de "Kelvin", figure 16. Ainsi le chemin du courant de
puissance ne sera plus commun celui de commande ou au
moins les deux courants partageront le mme chemin pour une
trs courte distance. En effet, il existe une distance minimale
que l'on ne peut pas viter. La diminution de l'inductance de
source commune entre le circuit de puissance et celui de
commande est donc physiquement limite.

Figure 16. Ajout de la connexion de Kelvin
L'ide de base pour la solution que nous allons proposer
tait de crer un faux chemin pour le courant responsable des
perturbations afin d'annuler son effet perturbateur. En d'autres
termes, crer une tension qui va l'encontre de la tension VLs
et qui va annuler cette dernire,
Grace la mthode (PEEC) [8], on tablie les matrices
inductances et capacits, parasites. Elle dcompose galement
la boucle en des inductances partielles et des mutuelles
inductances associe chaque segment du circuit imprim.
Par consquent, elle peut tre facilement applique des
circuits de commutation non linaires.
Les paramtres du modle du cblage sont calculs par
InCa [11]. Soit le circuit suivant (figure 17) qui reprsente la
cellule de commutation pour les tudes de linteraction
puissance commande, sur laquelle on voie bien les donnes de
simulation E=200V, Ich=4A, R
G
=10 , MOS IRFP450 et une
diode BYT30P-400.
Les rsultats du calcul d'inductances par InCa dans les deux
cas, c'est dire en prsence de la boucle additionnelle et en
son absence sont donns par deux matrices Lmdi et Lini.
128 0.67 2.53
176 12.40
25.70
Lini nH

=
(
(
(


128 11.6 2.53
278 12.10
25.70
Lmdi nH

=
(
(
(



Figure 17 Circuit dtude
On voit que la mutuelle M
GD
a considrablement augment,
de -0,67 nH -11,60 nH. La somme des trois mutuelles M
GD
,
M
GS
et M
DS
dans le cas de la structure avec la boucle
supplmentaire donne -26,2 nH ce qui supprime totalement
l'influence de l'inductance de source Ls25,7 nH.
Les formes d'ondes simules sont prsentes sur la fig 18,
On remarque bien un faible dcalage de 3ns entre les courbes
dans le cas de la structure avec et sans la boucle
supplmentaire. Ceci est li linductance mutuelle M
GD
qui
se retranche de L
D
.
On remarque bien une chute de tension inductive trs
importante sur la tension V
DS
qui peut atteindre (200V-
30V)=170V. Cette chute est due aux valeurs faibles des
matrices inductances, car on a L
D
.dI
D
/dt qui reste constante
durant cette phase et puisque L
D
est trs faible alors dI
D
/dt est
trs importante ce que nous donne un pic signifiant.
Dans le cas de la structure sans boucle supplmentaire sur
la grille, figure 18, on constate un dbut de dysfonctionnement
du MOSFET. En fait, la tension de drain a tendance
remonter l'instant t=99ns. Pour une commutation plus rapide,
cette remonte de tension peut continuer au-del de la tension
d'alimentation ce qui veut dire que la diode ne pourra pas se
bloquer car la tension qu'elle voit ses bornes sera positive.
Par consquent, le MOSFET ne se fermera pas. En revanche,
dans le cas de la structure modifie d'une part cette remonte
de tension est supprime et d'autre part la commutation est
devenue plus rapide.
Les courbes de la commutation soit en courant ou en
tension lors de louverture du MOS restent pratiquement les
mmes pour la structure avec (modifie) et sans la boucle
supprimant l'inductance commune de source.

Figure 18 : Formes d'ondes simules du MOSFET durant la fermeture pour la
structure avec (modifie) et sans la boucle supprimant l'inductance commune
de source.
7

Dans les commutations rapides des composants
commands en tension, la rtroaction due la tension induite
sur l'impdance commune peut provoquer des perturbations de
la commande rapproche du composant.
En utilisant la notion de mutuelle inductance et la
reprsentation des inductances partielles par la mthode PEEC
du logiciel InCa, une solution pour rduire l'inductance de
source dans le cas du MOSFET a t propose. [1] a bien
montr la faisabilit de cette solution.
b) Influence sur la tension
L'approche propose reste valable plus tt, ainsi que les
quations proposes, ce qui souligne le rle de la rsistance
R
G
de grille et la capacit C
GD
"Miller".
2. Influence des paramtres MOSFET
a) Influence des capacits parasites
Comme on a vu prcdemment que la commutation du
MOSFET se base largement sur la charge et la dcharge de
ses capacits. Tout d'abord, rappelons la ncessit de prendre
en compte la non-linarit de ces capacits, en particulier pour
les faibles valeurs de V
DS
[10]. Jeanine [3] a montr partir de
deux simulations, la premire prend en compte le phnomne
de capacits variables et la seconde non, que :
- Lvolution de la tension est constante dans le
premier cas, alors que dans le deuxime cas,
lvolution est quasiment linaire pendant la plus
grande partie de la commutation.
- l'valuation des pertes en commutation montre une
diffrence de prs de 15% entre les deux approches.
En ce qui concerne l'influence des capacits parasites du
courant, [3] a montr a partir de certaines simulations que :
- Linfluence de capacit parasite C
GS
est trs faible
sur lvolution de dI
D
/dt (vitesse de commutation en
courant), car elle est sous une tension presque
constante (tension de commande).
- L'influence de C
GD
est prpondrante, comme pour
la fermeture.
- La forte influence de l'augmentation de la capacit
CDS est certainement justifie ici par un changement
de comportement de commutation (effet Snubber ).
b) Influence de la source de courant

Dans le cas de l'ouverture, la situation est diffrente de la
fermeture: on a montr [3] que le gain k une faible influence
sur la vitesse de commutation en courant. On peut attribuer ce
phnomne une concurrence entre la rapidit du circuit de
grille et celle du circuit de puissance. le courant de commande
I
G
traverse C
GD
et impose la tension V
DS
, le courant I
D
est alors
impos par la loi des mailles (E=V
DS
+ L
D
. dI
D
/dt ). La vitesse
d'volution de ce courant est donc le rsultat d'un compromis
entre l'quation de la maille de puissance et celle du circuit de
grille.
IV. CONCLUSION
On se basant sur les rsultats prcdents, nous pouvons
tablir un tableau rsumant les influences relatives des
diffrents lments analyss (0 = zro, + = peu d'importance,
+ + = important, + + + = trs important). Ce tableau a t
complt par les dV
D
/dt en utilisant les rsultats de [4].

C
GD
C
DS
C
GS
LG LD K ou
gm
Icharge
dI
D
/dt +++ ++ ++ 0 +++ +++ 0
dV
DS
/dt +++ ++ + 0 0 + +


CGD CDS CGS LG LD K ou
gm
dID/dt ++ +++ + 0 +++ +
dVDS/dt +++ ++ + 0 0 +
La commande Ut et V
GSth
alimente le circuit par un courant
I
G
travers la rsistance de la grille R
G
, ces trois paramtres
influent donc sur les charges et dcharges des capacits C
GD
et
C
GS
, et donc de ce fait les deux premires phases de
commutation et des vitesses de commutation.
On notera galement que les capacits du MOSFET
influencent la vitesse de commutation de tension. Au cours de
ces phases, la tension V
GS
est presque constante, alors
l'influence de la capacit C
GS
sera faible. La charge (ou la
dcharge) de la capacit C
GD
couvre presque toute l'volution
de la tension, son effet sera alors trs important. Dans
certains cas, la capacit C
DS
limite la vitesse de commutation
dV
D
/dt travers le courant de charge la valeur Ich/C
DS
. Son
influence peut tre considrable.
REFERENCES
[1] M. Akhbari, "Modle de Cellule de Commutation pour les Etudes de
Pertes et de Performances CEM", Thse de doctorat de l'Institut
National Polytechnique de Grenoble, janvier 2000.
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[4] F. Mrienne, "Influence de l'interaction Puissance-commande sur le
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doctorat de l'INPG, Janvier 1996.
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[8] [TEU 97] : W. Teulings, "Prise en compte du cblage dans la
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[10] [FAR 94] : E. Farjah, "Contribution aux caractrisations lectriques et
thermiques des transistors de puissance grille isole", Thse de
doctorat de l'INPG, octobre 1994.
[11] www.cedrat.com

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