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Celdas Solares
Las clulas o celdas solares son dispositivos que convierten energa solar en electricidad, ya sea directamente va el efecto fotovoltaico, o indirectamente mediante la previa conversin de energa solar a calor o a energa qumica. La forma ms comn de las celdas solares se basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la luz que incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas produce una diferencia del fotovoltaje o del potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una corriente a travs de un circuito externo de modo de producir trabajo til.

Construccin
Las celdas solares de silicio se elaboran utilizando planchas (wafers) monocristalinas, planchas policristalinas o lminas delgadas Las planchas monocristalinas (de aproximadamente 1/3 a 1/2 de milmetro espesor) se cortan de un gran lingote monocristalino que se ha desarrollado a aproximadamente 1400C, este es un proceso muy costoso. El silicio debe ser de una pureza muy elevada y tener una estructura cristalina casi perfecta. Las planchas policristalinas son realizadas por un proceso de moldeo en el cual el silicio fundido es vertido en un molde y se lo deja asentar. Entonces se rebana en planchas. Como las planchas policristalinas son hechas por moldeo son apreciablemente ms baratas de producir, pero no tan eficiente como las celdas monocristalinas. El rendimiento ms bajo es debido a las imperfecciones en la estructura cristalina resultando del proceso de moldeo. En los dos procesos anteriormente mencionados, casi la mitad del silicio se pierde como polvo durante el cortado. El silicio amorfo, una de las tecnologas de lmina delgada, es creado depositando silicio sobre un substrato de vidrio de un gas reactivo tal como silano (SiH4). El silicio amorfo es una de grupo de tecnologas de lmina delgada. Este tipo de clula solar se puede aplicar como pelcula a substratos del bajo costo tales como cristal o plstico. Otras tecnologas de lmina delgada incluyen lmina delgada de silicio multicristalino, las celdas de seleniuro de cobre e indio/sulfuro de cadmio, las celdas de teluro de cadmio/sulfuro del cadmio y las celdas del arseniuro de galio. Las celdas de lmina

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delgada tienen muchas ventajas incluyendo una deposicin y un ensamblado ms fcil, la capacidad de ser depositadas en substratos o materiales de construccin baratos, la facilidad de la produccin en masa, y la gran conveniencia para aplicaciones grandes. En la produccin de celdas solares al silicio se le introducen tomos de impurezas (dopado) para crear una regin tipo p y una regin tipo n de modo de producir una unin p-n. El dopado se puede hacer por difusin a alta temperatura, donde las planchas se colocan en un horno con el dopante introducido en forma de vapor. Hay muchos otros mtodos de dopar el silicio. En la fabricacin de algunos dispositivos de lmina delgada la introduccin de dopantes puede ocurrir durante la deposicin de las lminas o de las capas. Un tomo del silicio tiene 4 electrones de valencia (aquellos ms dbilmente unidos), que enlazan a los tomos adyacentes. Substituyendo un tomo del silicio por un tomo que tenga 3 o 5 electrones de la valencia producir un espacio sin un electrn (un agujero) o un electrn extra que pueda moverse ms libremente que los otros, sta es la base del doping. En el doping tipo p, la creacin de agujeros, es alcanzada mediante la incorporacin en el silicio de tomos con 3 electrones de valencia, generalmente se utiliza boro. En el dopaje de tipo n, la creacin de electrones adicionales es alcanzada incorporando un tomo con 5 electrones de valencia, generalmente fsforo. Una vez que se crea una unin p-n, se hacen los contactos elctricos al frente y en la parte posterior de la clula evaporando o pintando con metal la plancha. La parte posterior de la plancha se puede cubrir totalmente por el metal, pero el frente de la misma tiene que tener solamente un patrn en forma de rejilla o de lneas finas de metal, de otra manera el metal bloqueara al sol del silicio y no habra ninguna respuesta a los fotones de la luz incidente.

Funcionamiento
Para entender la operacin de una clula fotovoltaica, necesitamos considerar la naturaleza del material y la naturaleza de la luz del sol. Las celdas solares estn formadas por dos tipos de material, generalmente silicio tipo p y silicio tipo n. La luz de ciertas longitudes de onda puede ionizar los tomos en el silicio y el campo interno producido por

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la unin que separa algunas de las cargas positivas ("agujeros") de las cargas negativas (electrones) dentro del dispositivo fotovoltaico. Los agujeros se mueven hacia la capa positiva o capa de tipo p y los electrones hacia la negativa o capa tipo n. Aunque estas cargas opuestas se atraen mutuamente, la mayora de ellas solamente se pueden recombinar pasando a travs de un circuito externo fuera del material debido a la barrera de energa potencial interno. Por lo tanto si se hace un circuito se puede producir una corriente a partir de las celdas iluminadas, puesto que los electrones libres tienen que pasar a travs del circuito para recombinarse con los agujeros positivos. La cantidad de energa que entrega un dispositivo fotovoltaico est determinado por: El tipo y el rea del material La intensidad de la luz del sol La longitud de onda de la luz del sol

Por ejemplo, las celdas solares de silicio monocristalino actualmente no pueden convertir ms el de 25% de la energa solar en electricidad, porque la radiacin en la regin infrarroja del espectro electromagntico no tiene suficiente energa como para separar las cargas positivas y negativas en el material. Las celdas solares de silicio policristalino en la actualidad tienen una eficiencia de menos del 20% y las celdas amorfas de silicio tienen actualmente una eficiencia cerca del 10%, debido a prdidas de energa internas ms altas que las del silicio monocristalino. Una tpica clula fotovoltaica de silicio monocristalino de 100 cm2 producir cerca de 1.5 vatios de energa a 0.5 voltios de Corriente Continua y 3 amperios bajo la luz del sol en pleno verano (el 1000Wm-2). La energa de salida de la clula es casi directamente proporcional a la intensidad de la luz del sol. (Por ejemplo, si la intensidad de la luz del sol se divide por la mitad la energa de salida tambin ser disminuida a la mitad). Una caracterstica importante de las celdas fotovoltaicas es que el voltaje de la clula no depende de su tamao, y sigue siendo bastante constante con el cambio de la intensidad de luz. La corriente en un dispositivo, sin embargo, es casi directamente proporcional a la intensidad de la luz y al tamao. Para comparar diversas celdas se las clasifica por densidad de corriente, o amperios por centmetro cuadrado del rea de la clula. La potencia entregada por una clula solar se puede aumentar con bastante eficacia empleando un mecanismo de seguimiento para mantener el dispositivo fotovoltaico directamente frente al sol, o concentrando la luz del sol usando lentes o espejos. Sin embargo, hay lmites a este proceso, debido a la complejidad de los mecanismos, y de la necesidad de refrescar las celdas. La corriente es relativamente estable a altas temperaturas, pero el voltaje se reduce, conduciendo a una cada de potencia a causa del aumento de la temperatura de la clula. Otros tipos de materiales fotovoltaicos que tienen potencial comercial incluyen el diselenide de cobre e indio (CuInSe2) y teluo de cadmio (CdTe) y silicio amorfo como materia prima.

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Fotodiodos
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Construccin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.

Material Silicio Germanio Indio galio arsnico (InGaAs) sulfuro de plomo

Longitud de onda (nm) 1901100 8001900 8002600 <1000-3900

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Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno lquido. Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.

Funcionamiento
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energa incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

Uso
A diferencia del LDR, el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del CD transformando la luz del haz lser reflejado en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Se usan tambin en fibra ptica.

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Fototransistor
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).

Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0) La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base (por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base. El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor. En el grfico se puede ver el circuito equivalente de un fototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor. Nota: es la ganancia de corriente del fototransistor

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