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lectronique de puissance - Wikipdia

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lectronique de puissance
L'lectronique de puissance est une branche de l'lectrotechnique qui concerne les dispositifs permettant de changer la forme de l'nergie lectrique (convertisseurs). L'lectronique de puissance comprend l'tude, la ralisation et la maintenance : des composants lectroniques utiliss en forte puissance; des structures des convertisseurs; de la commande de ces convertisseurs; des applications industrielles de ces convertisseurs.

Sommaire
1 Gnralits 2 Les interrupteurs 2.1 Historique 2.2 Les diodes 2.3 Les MOSFET de puissance 2.4 Les Transistors bipolaires de puissance 2.5 Les IGBT 2.6 Les thyristors 3 Commutation dure et commutation douce 4 Quelques dispositifs 5 Voir aussi

Gnralits
L'lectronique de puissance, que l'on devrait d'ailleurs nommer lectronique de conversion d'nergie a moins de 50 ans. Elle a connu un tel essor qu'aujourd'hui prs de 15 % de l'nergie lectrique produite est convertie sous une forme ou une autre. Au cours de ces annes la taille, le poids et le cot des convertisseurs n'ont fait que diminuer, en grande partie grce aux progrs faits dans le domaine des interrupteurs lectroniques. C'est une lectronique de commutation : elle tire parti du fait qu'un interrupteur parfait ferm (rsistance nulle, tension aux bornes nulle) ou ouvert (rsistance infinie, courant traversant nul) ne dissipe aucune nergie, donc ne prsente aucune perte. Lorsqu'il est associ des lments de filtrage passifs et purement ractifs (c.--d. sans aucune rsistance interne), il permet thoriquement de modifier la tension et/ou le courant sans perte, donc de raliser une conversion de tension ou de courant en conservant l'nergie. Ce but est atteint en dcoupant la tension et/ou le courant trs haute frquence (par rapport la frquence d'entre ou de sortie du convertisseur) et en lissant le rsultat obtenu pour en extraire la valeur moyenne. En pratique on doit s'attendre des pertes de l'ordre de 2 10 % dues l'imperfection des lments physiques qui le constituent. Cela justifie l'essor de ce type d'lectronique dans les systmes haute puissance puisque les pertes raisonnables permettent une vacuation de la chaleur gnre sans recourir des moyens extrmes et coteux. Mais au fil du temps l'lectronique de puissance s'est impose dans tous les domaines o les pertes doivent rester faibles pour limiter l'chauffement comme dans les ordinateurs, et o le rendement doit tre lev pour prserver la source d'nergie comme dans les systmes aliments par batteries (GSM, GPS, ordinateurs portables

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Rappelons qu'un convertisseur de puissance de rendement unitaire (sans pertes) ne peut tre constitu que d'interrupteurs idaux et de diples purement ractifs donc sans la moindre rsistance parasite : condensateurs et inductances. Les diples ractifs sont des lments de stockage d'nergie dont la taille (et donc le cot) est inversement proportionnelle la frquence de fonctionnement. En plus des applications traditionnelles de l'lectronique de puissance comme la traction lectrique et les entranements industriels, il est apparu de nouveaux domaines d'application : La gestion du rseau de distribution : FACTS : Systmes de Transmission Flexible en Courant Alternatif, Filtrage actif et amlioration du facteur de puissance, HVDC : Transmission en courant continu HTA. L'lectromnager : variateurs divers, alimentations dcoupage, plaques de cuisson induction. Les appareils portables (camscopes, ordinateurs, etc.) : chargeurs d'accumulateurs intelligents, conversion CC / CC TBT. L'automobile : trs forte augmentation de l'utilisation de l'nergie lectrique dans les automobiles actuelles et en perspective : il y aura un trs gros march au moment du passage prvu, (mais retard ?) en 42 V par exemple avec les vhicules hybrides.

Les interrupteurs

Historique
C'est dans le domaine du redressement de forte puissance que se dveloppent les premiers convertisseurs statiques destins remplacer les convertisseurs lectromcaniques. Dans les annes 1950, pour la traction lectrique, on s'oriente vers la solution - transport en alternatif + motorisation en continu. Les convertisseurs statiques ncessaires sont raliss l'aide de redresseurs vapeur de mercure (ignitrons) ayant la mme fonctionnalit que les thyristors. Les premires diodes de puissance au silicium apparaissent en 1956 et les thyristors en 1961. Dans les annes 1970, thyristors et diodes sont utiliss dans des dispositifs autocommuts comme les hacheurs et les onduleurs, les annes qui suivent voient le dveloppement de transistors bipolaires de puissance qui favorise le dveloppement d'une lectronique de conversion de faible et moyenne puissance. Au dbut des annes 1980, les dispositifs transistors poussent les dispositifs thyristors vers des puissances accrues : vers 1990, les GTO ne sont plus utiliss qu'en trs fortes puissances ( > 1 MW) ou pour des tensions suprieures 2 kV.

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L'IGBT apparat en 1985, d'abord dans le domaine des moyennes puissances (quelques dizaines de kilowatts), il supplante les transistors Darlington. Il devient dans les 10 ans qui suivent un composant utilisable en forte puissance. L'avnement du thyristor IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) vers 1997 dans le domaine des tensions suprieures 6 kV risque d'entraner moyen terme la disparition du thyristor GTO. Dans le domaine des faibles puissances, du fait de sa rapidit et de la simplicit de sa commande, le transistor MOSFET de puissance supplante le transistor bipolaire. Grce aux techniques d'intgration planar et l'essor du march du portable (tlphone, ordinateur, lecteur CD, etc.) ncessitant une lectronique de conversion efficace et miniaturise, il supplante mme les diodes dans des applications comme le redressement (redresseur synchrone). Les composants base de carbure de silicium (SiC) apparaissent en 2002. Ceux base de diamant sont encore l'tude en 2004. Leurs fortes nergies d'ionisation permettent un blocage de tension plus leve et/ou des fonctionnements haute temprature.

Les diodes
Elles sont quivalentes un clapet dans une installation hydraulique. Les deux paramtres importants prendre en compte sont : La tension maximale de blocage du composant, cest--dire la tension au-del de laquelle se produit le claquage et donc la destruction de la diode. L'intensit maximale du courant qui peut la traverser. Les trois principaux dfauts du composant sont : La tension de seuil VS La rsistance dynamique RD La capacit parasite C. Actuellement les diodes se dclinent en plusieurs catgories : Les diodes silicium de puissance de rsistance dynamique RD faible. Elles sont utilises dans le domaine des convertisseurs de forte puissance comme les onduleurs de traction. Elles sont ralises en botier encapsul. La jonction qui les constitue est de type PiN (P - Intrinsque - N), ou PN-N+. L'introduction d'une zone trs faiblement dope permet d'obtenir une tension de blocage leve. Les diodes rapides de capacit parasite C faible. Elles ont des temps de recouvrement de l'ordre de quelques dizaines de nanosecondes. Les diodes Schottky : tension de seuil VS faible et C faible. Elles sont constitues d'une jonction mtal - semi-conducteur. Par rapport aux diodes PiN, la tension de seuil est plus faible, mais la rsistance est plus leve (d'o une chute de tension qui dpend plus fortement du courant qui la traverse). Elles peuvent fonctionner des frquences trs leves mais la tension inverse maximale autorise est plus faible. Pour toutes ces raisons, elles sont principalement utilises dans les convertisseurs fonctionnant en TBT et frquence leve : alimentations dcoupage.

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Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC). Elles conjuguent C trs faible et une tension de blocage plus leve que les diodes Schottky classiques mais ces amliorations se font au dtriment de l'augmentation de VS.

Les MOSFET de puissance


Ce sont des interrupteurs lectroniques dont le blocage ou l'amorage sont commands par une tension (Ils se comportent comme des portes que l'on peut ouvrir ou fermer volont). Ce sont les plus utiliss dans le domaine des faibles et moyennes puissances (quelques kilowatts). Leur domaine dutilisation est limit quelques centaines de volts, except le domaine des frquences leves pour lesquelles le MOSFET surclasse tous les autres composants. Leur principal dfaut est qu' l'tat passant ils se comportent comme des rsistances (RDSon) de quelques dizaines de m. Cette rsistance est responsable des pertes en conduction. Le MOSFET peut aussi prsenter des pertes de commutation lorsqu'il est utilis comme interrupteur dans les alimentations dcoupage. En effet, chaque commutation, les capacits parasites prsentes ses bornes doivent tre charges ou dcharges entranant des pertes en CV.

Les Transistors bipolaires de puissance


Par rapport aux transistors MOS de puissance, ils ncessitent une commande plus complique et ont des performances dynamiques plus mdiocres. Toutefois ils sont thermiquement plus stables et surtout, du fait dune commande en courant, ils sont moins sensibles aux perturbations lectromagntiques.

Les IGBT
Le transistor MOS est rapide et facile commander, mais les transistors bipolaires ont une meilleure tenue en tension et prsentent une chute de tension ltat passant plus faible pour des courants levs. La volont de cumuler ces deux avantages a donn naissance des composants hybrides nomms IGBT. Depuis les annes 1990, ce sont les composants les plus utiliss pour raliser des convertisseurs fonctionnant avec des tensions de quelques centaines de volts quelques kilovolts et avec des courants de quelques dizaines d'ampres quelques kiloampres.

Les thyristors
Composant fonctionnant grossirement comme un clapet command par un tire-suisse : Pour qu'il devienne passant il faut l'amorcer : il faut maintenir le courant de gchette jusqu' ce que le courant principal atteigne le courant daccrochage. Au blocage il faut attendre une certaine dure le dsamorage (turn-off) pour que le thyristor puisse effectivement bloquer la tension inverse. Pour ces raisons le thyristor est rserv des applications concernant les trs fortes tensions (> kilovolts) et les forts courants, o son cot infrieur compense ses limitations techniques. Par exemple les liaisons longues distances ou sous-marines par courant continu haute tension (HVDC) sont presque toujours ralises avec des thyristors. Exemple de valeurs : Thyristor 16 kV 2 kA, frquence 300 Hz.

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Commutation dure et commutation douce


La monte en frquence des convertisseurs statiques entrane une augmentation des pertes par commutation dans les interrupteurs. Ces pertes peuvent tre rduites, mais surtout dlocalises par ladjonction de circuit daide la commutation (CALC) sans modifier le principe de fonctionnement du convertisseur. Une autre possibilit consiste modifier la nature des interrupteurs pour quils ralisent une commutation spontane, dite aussi commutation douce car les pertes sont nulles, mais aussi celle des convertisseurs qui doivent alors crer les conditions de commutations. Ces convertisseurs sont dits convertisseurs (quasi) rsonnants. Deux types dinterrupteurs peuvent tre utiliss, conduisant deux types de commutations douces : Interrupteur amorage command et blocage spontan, comme le thyristor. Le blocage est alors ralis au passage zro du courant, nomm ZCS (Zero Current Switching) en anglais. Interrupteur blocage command et amorage spontan. L'amorage est alors ralis au passage zro de la tension ou ZVS (Zero Voltage Switching) en anglais. Pour parvenir au passage zro de lune des grandeurs il est ncessaire dajouter un circuit oscillant dans le montage, do leur nom de convertisseurs quasi rsonnants.

Quelques dispositifs
On distingue gnralement quatre grandes fonctions de convertisseurs dans l'lectronique de puissance : continu continu, alternatif continu et continu alternatif alternatif alternatif (avec ou sans changement de frquence). Mais en plus de ces dnominations purement fonctionnelles, des noms particuliers ont t donns certains convertisseurs.

Les diffrents dispositifs

Conversion continu - continu Hacheurs Convertisseurs pompe de charge Conversion alternatif - continu Redresseurs Alimentations dcoupage Conversion continu - alternatif

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Onduleurs Conversion alternatif - alternatif Gradateurs Alimentations sans interruption (ASI) Cycloconvertisseur

Voir aussi
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