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Fotoelasticidad

Mec´anica del medio continuo (S´olidos)

21 de Septiembre de 2013

Manuel Alejandro Montes Flores, Karla Jannette Corona Villegas Edgar Omar Alejandro Ramos Mendez, Oscar Ignacio Zaragoza Gutierrez

Introducci´on Es un m´etodo experimental para determinar la distribuci´on de tensiones en un material. El m´etodo se utiliza sobre todo en los casos en que los m´etodos matem´aticos se convierten en algo tedioso. A diferencia de los m´etodos anal´ıticos de determinaci´on de la tensi´on, la fotoelasticidad da una idea bastante exacta de la distribuci´on de la tensi´on, incluso alrededor de discontinuidades bruscas en un material. El m´etodo es una herramienta importante para la determinaci´on de los puntos de tensi´on cr´ıticos en un material, y se utiliza para la determinaci´on de la concentraci´on de tensi´on en geometr´ıas irregulares.

Principios y fundamentos. El m´etodo se basa en la propiedad de la birrefringencia exhibida por ciertos materiales transparentes. Birrefringencia es una propiedad que un rayo de luz que pasa a trav´es de un material birrefringente y experimenta dos ´ındices de refracci´on. La propiedad de la birrefringencia (o doble refracci´on) se obser- va en muchos cristales ´opticos. Tras la aplicaci´on de tensiones, los materiales fotoel´asticos exhiben la propiedad de birrefringencia, y la magnitud de los ´ındices de refracci´on en cada punto en el material est´a directamente relacionada con el estado de tensiones en ese punto. La informaci´on, tal como esfuerzo

cortante m´aximo y su orientaci´on se obtiene mediante el an´alisis de la birrefringencia con un instrumento llamado polariscopio. Cuando un rayo de luz pasa a trav´es de un material fotoel´astico, sus componentes de ondas electromagn´eticas se descomponen a lo largo de las dos direcciones de los esfuerzos principales

y cada uno de estos componentes experimenta diferentes ´ındices de refracci´on debido a la birrefringencia.

La diferencia en los ´ındices de refracci´on conduce a un retraso de fase relativo entre los dos componentes. Suponiendo una muestra delgada hecha de materiales isotr´opicos, donde la fotoelasticidad bidimensional es aplicable. La magnitud del retraso relativa viene dada por la ley de stress -´optico

= 2πt

λ

C(σ 1 σ 2 )

(1)

Donde ∆ es el retraso inducido, C es el coeficiente de Stress- ´optico, t es el grosor de la muestra, σ 1 y σ 2 son los primeros y segundos stresses principales, respectivamente. El retraso cambia la polarizaci´on de la luz transmitida. El polariscopio combina los diferentes estados de polarizaci´on de las ondas de luz antes

y despu´es de pasar la muestra. Debido a la interferencia ´optica de las dos ondas, un patr´on de franjas se revela. El n´umero de orden de franja N se denota como

N =

2π

(2)

que depende de retraso relativo. Al estudiar el patr´on de franjas se puede determinar el estado de stress en varios puntos en el material. Para materiales que no muestran comportamiento fotoel´astico, todav´ıa se estudia la distribuci´on de la tensi´on en dichos materiales. La primera etapa es la construcci´on de un modelo utilizando materiales fotoel´asticos, que tienen una geometr´ıa similar a la estructura que ser´a in- vestigada. La carga se aplica entonces, de la misma manera para asegurar que la distribuci´on de tensiones en el modelo es similar a la tensi´on en la estructura real.

Isoclinas e isocrom´aticas La Isoclinas son los lugares geom´etricos de los puntos en la muestra a lo largo de la cual los esfuerzos principales se encuentran en la misma direcci´on. Las Isocrom´aticas son los lugares geom´etricos de los puntos a lo largo de la cual la diferencia en la primera y segunda tensi´on principal sigue siendo el mismo. As´ı son las l´ıneas que unen los puntos de igual magnitud m´axima tensi´on de corte

Fotoelasticidad en dos dimensiones La Fotoelasticidad se puede aplicar tanto a dos como a tres dimensiones stress. Pero la aplicaci´on de fotoelasticidad en tres dimensiones m´as complicado en comparaci´on con el estado de sistema bidimen- sional. Por lo tanto para un sistema de tensi´on plana. Esta condici´on se consigue cuando el espesor del prototipo es mucho m´as peque˜na en comparaci´on con las dimensiones en el plano . As´ı, uno s´olo se ocupa de tensiones que act´uan en paralelo al plano del modelo, como otros componentes de la tensi´on son cero.

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El montaje experimental var´ıa de un experimento a otro . Los dos tipos b´asicos de configuraci´on utiliza- dos son planas polariscopio y polariscopio circular. El principio de funcionamiento de la fotoelasticidad bidimensional permite la medici´on de retraso , que puede ser convertido a la diferencia entre la primera y segunda tensi´on principal y su orientaci´on. Para obtener m´as valores de cada componente de la tensi´on, se requiere una t´ecnica llamada de separaci´on stress, se utilizan varios m´etodos te´oricos y experimentales para proporcionar informaci´on adicional para resolver los componentes de tensi´on individuales .

Polariscopio plano La instalaci´on consta de dos polarizadores lineales y una fuente de luz. La fuente de luz o bien puede emitir luz monocrom´atica o luz blanca dependiendo del experimento. En primer lugar la luz pasa a trav´es del primer polarizador que convierte la luz en luz polarizada plana. El aparato est´a configurado de tal manera que la luz en este plano polarizado, pasa a trav´es de la muestra. Esta luz se sigue, en cada punto de la muestra, la direcci´on del esfuerzo principal en ese momento. La luz despu´es de pasar por el anali- zador, finalmente llega al otro extremo para obtener el patr´on de franjas. El patr´on de interferencia en un polariscopio plano est´a formado por ambas lineas, isocrom´aticas y las isoclinas. Las isoclinas cambian con la orientaci´on de la polariscopio, mientras que no hay ning´un cambio en las isocrom´aticas.

Polariscopio circular En una configuraci´on de polariscopio circular, dos placas de cuarto de onda se a˜naden a la configuraci´on experimental del polariscopio plano. La primera placa de cuarto de onda se sit´ua entre el polarizador y el esp´ecimen y la segunda placa de cuarto de onda se coloca entre la muestra y el analizador. El efecto de la adici´on de la placa de cuarto de onda despu´es del polarizador lado de la fuente es que tenemos la luz circularmente polarizada que pasa a trav´es de la muestra. La placa del analizador de cuarto de onda convierte el estado de polarizaci´on circular de nuevo a lineal antes de la luz pasa a trav´es del analizador. La principal ventaja de un polariscopio circular sobre un polariscopio plano es que en una configuraci´on circular polariscopio s´olo tenemos los isocrom´aticas y no las isoclinas. Esto elimina el problema de dife- renciar entre los isoclinas y las isocrom´aticas.

Aplicaciones de la fotoelasticidad

La Fotoelasticidad se ha usado para una variedad de an´alisis de stress e incluso para el uso rutinario en el dise˜no, en particular antes del uso de los m´etodos num´ericos, tales como, por ejemplo, elementos finitos

o elementos de contorno. La digitalizaci´on del polariscopio permite la adquisici´on r´apida de im´agenes y

procesamiento de datos, que permite a sus aplicaciones industriales para el control de calidad del proceso de fabricaci´on de materiales tales como vidrio y el poliestireno. Los odont´ologos usan la fotoelasticidad

para analizar la tensi´on en materiales para dentaduras postizas. Tambi´en se puede utilizar para investigar

el estado de tensi´on muy localizada dentro de la ingenier´ıa civil, o en la proximidad de una l´ınea de inclu-

si´on r´ıgido (refuerzo) incrustado en un medio el´astico. En el primer caso, el problema es no lineal debido

a los contactos entre ladrillos, mientras que en el ultimo´ caso la soluci´on el´astica es singular, por lo que los m´etodos num´ericos pueden fallar para proporcionar resultados correctos. Estos pueden ser obtenidos

a trav´es de estas t´ecnicas. La Fotoelasticidad din´amica es integrada por fotograf´ıa de alta velocidad y se utiliza para investigar el comportamiento de fractura de materiales.

Referencias

[1] Dally, J.W. and Riley, W.F. ,1991. Experimental Stress Analysis, 3rd edition, McGraw-Hill Inc.

[2] Ramesh, K.,2000. Digital Photoelasticity, Springer.

[3] Frocht, M.M.,1965. Photoelasticity. J. Wiley and Sons, London.

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