Republica Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular para la Educacion Liceo Nuestra Seora de las Nieves Fisica

5to A

ELECTRONICA

Profesor: Gudio Josue

Alumnos: Benchocron Julio D`anello Enrique Mendoza Marco Ruiz Rebeca

Ciudad Bolvar, Junio de 2013

ndice
INTRODUCCIN ........................................................................................................................................... 3 RESEA HISTRICA DE LA ELECTRNICA, CAMPO DE ESTUDIO E IMPORTANCIA ......................................... 4 SEMICONDUCTOR Y CLASIFICACIN .......................................................................................................... 12 EFECTO TERMOINICO .............................................................................................................................. 16 DISPOSITIVOS ELECTRNICOS .................................................................................................................... 18 ALGUNOS TIPOS DE DIODOS ...................................................................................................................... 19 RECTIFICADORES ........................................................................................................................................ 23 TRODO ...................................................................................................................................................... 24 TRANSISTORES ........................................................................................................................................... 26 CIRCUITOS INTEGRADOS ............................................................................................................................ 26 OSCILOSCOPIO ........................................................................................................................................... 29 CONCLUSIN ............................................................................................................................................. 34 ANEXOS ..................................................................................................................................................... 35 BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................................................ 38

Introduccin

La electrnica es el campo de la ingeniera y de la fsica aplicada relativo al diseo y aplicacin de dispositivos, por lo general circuitos electrnicos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generacin, transmisin, recepcin, almacenamiento de informacin, entre otros. Esta informacin puede consistir en voz o msica como en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en nmeros u otros datos en un ordenador o computadora.

Los circuitos electrnicos ofrecen diferentes funciones para procesar esta informacin, incluyendo la amplificacin de seales dbiles hasta un nivel que se pueda utilizar; el generar ondas de radio; la extraccin de informacin, como por ejemplo la recuperacin de la seal de sonido de una onda de radio (demodulacin); el control, como en el caso de introducir una seal de sonido a ondas de radio (modulacin), y operaciones lgicas, como los procesos electrnicos que tienen lugar en las computadoras.

Resea histrica de la electrnica, campo de estudio e importancia

-Resea histrica Como hacia el fin de siglo XIX ya se haba inventado el micrfono, que transforma una seal acstica en una elctrica. Por otro lado, ya se haba inventado el audfono, aparato que transforma una seal elctrica en una acstica. En este sistema las voces se distorsionaban mucho, la energa con que se emita la onda era muy pequea. Adems, el hecho de que la fraccin de energa que llegaba al receptor era muy pequea, haca difcil su funcionamiento para distancias grandes. La solucin ms satisfactoria fue lograda una vez que se invent el tubo al vaco. Desde el siglo XVIII algunos investigadores haban descubierto que si se calienta una superficie metlica, sta emite cargas elctricas. Sin embargo, fue Thomas A. Edison quien volvi a "desenterrar" este efecto en 1883, cuando trataba de mejorar su lmpara incandescente. Este efecto, que se llam "efecto Edison", tambin recibe el nombre de terminico. Fue el mismo Edison quien invent un dispositivo en el cual la carga elctrica emitida por la superficie metlica caliente (llamada ctodo) es recogida por otra superficie fra (llamada nodo), logrndose de esta forma una corriente elctrica. En la figura 1 se muestra cmo Edison construy su dispositivo. Edison encerr los dos electrodos, el nodo y el ctodo, dentro de un tubo de vidrio al vaco que tambin utilizaba para elaborar sus lmparas de iluminacin. Por otro lado, en el ao de 1897 el fsico ingls J. J. Thomson (1856-1940) descubri la existencia de una partcula elctricamente cargada, el electrn. Thomson demostr experimentalmente que el electrn tena carga elctrica negativa. En el ao de 1906 Thomson recibi el Premio Nobel de Fsica por su descubrimiento.

En 1899 J.J. Thomson estableci que las cargas que se liberaban al calentar la superficie metlica eran electrones. En 1903 el fsico britnico John Ambrose Fleming (1849-1945) fue el primero en encontrar una aplicacin prctica del efecto Edison. Fleming era asesor de una compaa telegrfica y le haban encomendado la tarea de encontrar un mejor detector de ondas electromagnticas. L a compaa utiliz como detector de ondas un cohesor, no muy eficaz. A partir de 1900, en algunos diseos de receptores, se usaban cristales de galena o de pirita de hierro como detectores que por cierto fueron las primeras componentes de estado slido empleadas en electrnica. Fleming record su trabajo anterior sobre el efecto Edison, y encontr una solucin en este tipo de lmpara elctrica. El avance ms importante en el desarrollo de la electrnica fue dado por el fsico estadounidense Lee de Forest (1873-1961), en 1906, al introducir en el tubo al vaco un tercer electrodo reticulado, llamado rejilla, que permite el paso de electrones. Esta rejilla se coloca entre el ctodo y el nodo, como se ve en la figura 2. De Forest llam a su dispositivo audin, aunque ms tarde se le llam trodo. Tuvo que trabajar con diferentes dispositivos antes de conseguir el trodo. El trodo lo hace incorporar la seal y amplificar su intensidad. A partir de 1907, hasta 1912, De Forest trabaj en el diseo de un sistema de radio, muy rstico, el cual trat de vender a los aficionados de la radio y a las fuerzas armadas. Tambin form una compaa para poder competir con la ATT en comunicaciones de larga distancia. Su radio poda transmitir y recibir voces, pero no pudo conseguir que sus trodos amplificaran en forma confiable. Hacia 1912 De Forest haba alcanzado cierto control en el comportamiento del trodo. Redujo la amplificacin (el voltaje de la batera del nodo). Esta reduccin la compens conectando varios trodos. As construy un amplificador, De Forest propuso su venta a la ATT. Cuando De Forest hizo la demostracin de su amplificador a la ATT en octubre de 5

1912, los fsicos de la empresa, Harold D. Arnold, Frank Jewett y Edwin Colpitts inmediatamente se percataron de que ese sistema era lo que buscaban. Dirigido por Arnold, la ATT inici un proyecto de investigacin para entender y dominar los principios fsicos del funcionamiento del trodo y as poder construirlo eficazmente. En el transcurso de dos aos Arnold y un grupo de 25 investigadores y asistentes de la ATT transformaron el dbil y no muy confiable audin, en un amplificador muy potente y seguro. El trodo as mejorado hizo posible que el servicio telefnico abarcara de costa a costa a Estados Unidos. Otras compaas hicieron progresos significativos y la electrnica con tubos al vaco se desarroll de manera impresionante de 1912 a 1932. Durante la primera Guerra Mundial se us mucho la radio y se construyeron tubos al vaco en grandes cantidades. Se utilizaron en 1915, en la radiotelefona trasatlntica, para comunicar a Francia y Estados Unidos. A principios de la dcada de 1930 se construyeron tubos al vaco con ms elementos entre el ctodo y el nodo; stos fueron el tetrodo, el pentodo.

Desarrollo de la Radio.

Un elemento crucial para el desarrollo de la radio fue el oscilador. Este circuito fue inventado en 1913 por el fsico estadounidense Edwin Howard Armstrong (1890-1954). Es un circuito basado en un trodo, de cuya salida se toma una parte de la corriente que se vuelve a alimentar a la entrada del trodo, formando un circuito de retroalimentacin. El primer programa pblico de radio fue emitido en Inglaterra el 23 de febrero de 1920. As naci radio. En 1933 Armstrong invent otro tipo de emisin de seales de radio: el de frecuencia modulada (FM). La transmisin por FM, iniciada comercialmente en Estados Unidos en febrero de 1941, comparada con la amplitud modulada (AM), tiene la ventaja de que sus 6

transmisiones no se alteran con las perturbaciones, ya sean atmosfricas o producidas por el hombre, que afectan la amplitud de la onda pero no su frecuencia. En el sistema de FM no se presenta el llamado fenmeno de "esttica", que es un ruido sistemtico que se oye en emisiones de AM. La radio como la conocemos en la actualidad fue la creacin de tres hombres: Lee de Forest, autonombrado "padre de la radio", cuya invencin del trodo hizo posible el nacimiento de la electrnica moderna; Edwin Howard Armstrong, inventor del circuito retroalimentador (y del oscilador) as como de la frecuencia modulada, que forman la base de la transmisin y recepcin de los sistemas actuales de radio (y de televisin); finalmente, David Sarnoff, quien encabez la Radio Corporation of America (RCA).

Desarrollo de Televisin.

Hace alrededor de un siglo, varias personas empezaron a considerar la posibilidad de enviar imgenes por medios elctricos (o sea, lo que hoy en da hace la televisin). En 1884, el alemn Pal Nipkow solicit una patente para un sistema de televisin que l denomin "telescopio elctrico". Este rstico aparato era dispositivo electromecnico que utilizaba una fotocelda para transformar luz en corriente elctrica. La imagen no reproduca los detalles finos. Variaciones de este se disearon hasta 1930 sin que realmente tuviesen xito. En una reunin de la Sociedad Roentgen, efectuada en Inglaterra en 1911, el ingeniero elctrico A. A. Campbell Swinton present un esquema de sistema de televisin, que es el que se usa en la actualidad. La escena que se desea transmitir se enfocara sobre una placa hecha de material no conductor de electricidad, por ejemplo de mica, la cual se encuentra dentro de un tubo de rayos catdicos. Este tubo fue inventado a mediados del siglo XIX por William Crookes para estudiar las propiedades de las corrientes elctricas a travs de gases. Para el receptor, Campbell Swinton escogi un tubo de rayos catdicos diseado en 1897 por Ferdinand Braun, de la Universidad de Estrasburgo, en ese entonces parte de Alemania. Este tubo, llamado cinescopio, es de vidrio al vaco y tiene en 7

su fondo una pantalla de material fluorescente, como fsforo, que emite luz cuando un haz de electrones incide sobre l. A medida que el haz electrnico barre la superficie de la pantalla, sta se va iluminando punto por punto. Esta fue una idea de Campbell Swinton que casi describe la actual tecnologa de la televisin. Campbell Swinton cre el diseo conceptual sobre el cual personas trabajaran. Fue Vladimir Zworykin (1889-1982), un ingeniero ruso inmigrado a Estados Unidos en 1919 quien construy la primera cmara prctica. En 1924 mostr a la compaa Westinghouse una versin primitiva, pero que funcionaba. Las imgenes eran dbiles y vagas, casi sombras. Los directivos de la empresa no se impresionaron tampoco cuando Zworykin les mostr una versin mejorada en 1929. A quien s impresion Zworykin fue a David Sarnoff, director de otra compaa, la RCA Vctor, quien crea en la promesa comercial de la televisin. Zworykin fue contratado en 1930 por la RCA como director de investigacin electrnica y en 1933 finalmente convenci a Sarnoff de que su cmara, a la que llam iconoscopio (del griego iekon, imagen, y skopon, ver), y su cinescopio eran satisfactorios. Campbell Swinton haba propuesto que fueran de rubidio, pero Zworykin descubri que era mejor cubrir plata con xido de cesio. La RCA prob por primera vez un sistema completo en 1933. Transmiti imgenes de 240 lneas a una distancia de siete kilmetros en Colligswood, Nueva Jersey. Aumentaron el nmero de lneas; actualmente se usan 525. En 1938 la RCA tuvo listo un sistema de televisin en funcionamiento. Por problemas burocrticos el gobierno no aprob la licencia de funcionamiento hasta julio de 1941. Durante los aos de la segunda Guerra mundial, cientficos e ingenieros dirigidos por Zworykin desarrollaron una cmara 100 veces ms sensible que el iconoscopio, al terminar la guerra, la RCA reinici sus trabajos en el campo de la televisin. 8

El Radar y la Batalla de Inglaterra.

Desde principios de la dcada de 1980, tanto Gran Bretaa como Francia continuaban un programa muy importante de desarme que haban empezado la dcada anterior. Alemania, contraviniendo lo estipulado en el Tratado de Versalles inici, con el advenimiento del rgimen nazi, un amplio programa de rearme. En pocos aos se desarroll un arma muy poderosa para su poca, el bombardeo areo. O cada pas desarrollaba un cuerpo de bombarderos areos, o se llevaba a cabo un desarme general. Gran Bretaa opt por esto ltimo, pero no Alemania. En la dcada de 1930 fue muy popular el concepto del rayo de la muerte: poda causar incapacidad fsica, mental y aun la muerte. Durante dicha dcada hubo buen nmero de personas que pretendieron haber inventado y construido dispositivos que producan diferentes tipos de rayos. Anlisis mostraban que siempre haba algn truco. Se construy un pequeo sistema acstico, que dara una seal cuando recibiera los sonidos producidos por los aviones, no era funcional ya que no distingua entre el ruido producido por el atacante y otros sonidos, automviles, animales. H. E. Wimperis, jefe de Investigacin Cientfica e Industrial del Ministerio, llam al doctor Robert Watson Watt, fsico y director del Laboratorio de Investigacin de Radio y le pregunt sobre el prospecto de desarrollar algn rayo de la muerte. Watson Watt regres a su laboratorio y propuso lo siguiente al doctor Arnold Wilkins, fsico y ayudante suyo: calcule la cantidad de potencia de radiofrecuencia necesaria para elevar la temperatura de 4 litros de agua de 35.5 C a 41C a una distancia de 5 km y a una altura de 1 kilmetro. Su clculo mostr que se necesitaba generar una potencia enorme era claro que no era factible un rayo de la muerte por medio de la radio. Wilkins le dijo a Watson que los ingenieros de la Oficina de Correos se haban dado cuenta de perturbaciones en la recepcin de muy altas frecuencias cuando 9

algn avin volaba en la vecindad de sus receptores. Esta observacin (enero de 1935) dio lugar al inicio de una serie de hechos que culminaron con la invencin del radar. Se inici la verificacin experimental, que se encomend a Wilkins, quien con su rudimentario equipo pudo detectar y dar la trayectoria que haba seguido un avin. Los primeros aspectos que resolvieron fue la presentacin visual de la informacin recibida, emplearon un tubo de rayos catdicos. Se le hicieron muchas modificaciones para que pudiera detectar tanto la distancia a la que se encontraba un avin, sino tambin su altura. La mayor parte del sistema estaba completo en septiembre de 1938, cuando ocurri la crisis de Mnich. Se instalaron en los aviones ingleses dispositivos electrnicos que al recibir la onda enviada desde tierra emitan a su vez una seal especial que los identificaba como amigos. En agosto de 1939, tres semanas antes del inicio de la segunda Guerra Mundial, Gran Bretaa cont con un sistema de deteccin de aviones. Con ayuda del radar, los ingleses podan detectar la salida de los aviones alemanes desde sus bases situadas en pases conquistados, como Francia y Blgica.

Integracin de chips, computadoras...

El transistor, se empez a utilizar a finales de la dcada de 1940, se consider en su poca como una maravilla de lo compacto, comparado con el tamao de los tubos al vaco. A partir de 1950 el tamao de los dispositivos electrnicos se ha reducido. En 1960, se empez a usar la palabra microelectrnica, un bloque (chip) de silicio de un rea de 0.5 cm poda contener de 10 a 20 transistores con varios diodos, resistencias y condensadores. Hoy en da tales bloques pueden contener varias docenas de miles de componentes. 10

A medida que la microtecnologa electrnica se desarroll, se aplic a computadoras comerciales. Se disearon diferentes dispositivos porttiles como las calculadoras. Cada componente que se usaba en un circuito electrnico estaba hecho de materiales que tuviesen las caractersticas requeridas para su funcionamiento. Se utiliz el tungsteno para los ctodos de un tubo al vaco, cermica para condensadores, carbn para resistencias. Hacia mediados de la dcada de 1950 se construyeron circuitos electrnicos en laboratorios industriales de dos compaas estadounidenses, Texas

Instruments y Fairchild Semiconductor. De esta manera se han construido un sinnmero de aparatos y dispositivos microelectrnicos que distinguen la poca en que vivimos: relojes de mano, robots, microcomputadoras y otros. -Campo de estudio. La electrnica es la rama de la fsica y especializacin de la ingeniera, que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conduccin y el control del flujo microscpico de los electrones u otras partculas cargadas elctricamente. Utiliza una gran variedad de conocimientos, materiales y dispositivos, desde los semiconductores hasta las vlvulas termoinicas. El diseo y la gran construccin de circuitos electrnicos para resolver problemas prcticos forma parte de la electrnica y de los campos de la ingeniera electrnica, electromecnica y la informtica en el diseo de software para su control. El estudio de nuevos dispositivos semiconductores y su tecnologa se suele considerar una rama de la fsica, ms concretamente en la rama de ingeniera de materiales.

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-Importancia Se dice que la electrnica es algo indispensable para nuestra vida diaria, ya que a medida que ha transcurrido el tiempo se incrusta mas y mas a nuestra cotidianeidad, esto es debido a los avances tecnolgicos que hemos tenido actualmente, asimismo tambin cabe decir que es difcilmente encontrar a alguien ms o menos conectado con la vida diaria, que no haya odo mencionar la Electrnica, debido a que pocos saben en qu consiste. Por otro lado, los jvenes de hoy que han nacido en los aos 80 y 90 ven como necesidad bsica los servicios de la electrnica y telecomunicaciones; ya que los mismos no pueden vivir sin los dispositivos electrnicos (celular, computadora, e internet), un ejemplo claro de lo importante que es la tecnologa electrnica en nuestras vidas es: cuando en una empresa falta el agua, la misma sigue ejerciendo su labor, pero cuando en una empresa falta el internet o la informtica, hay un dficit tecnolgico, ya que se obstaculiza la empresa completa, por lo que la misma trabajan con el sistema informtico, sea realizan transacciones bancarias, envos de correo electrnico, etc. Con relacin a lo anterior la electrnica ha originado una nueva era, y esta nueva era es la era digital, y cuando decimos que existe una nueva era, cuando se empieza a cambiar las formas de pensar de la ciudadana, cuando las personas tienen otra forma de interactuar, tiene otras costumbres y todo esto es originado debido al desarrollo de la tecnologa electrnica.

Semiconductor y clasificacin

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. 12

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. -Clasificacin Semiconductores intrnsecos En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de elemento.

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Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c): ni(Si) = 1.5 1010cm-3 ni(Ge) = 1.73 1013cm-3 Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin. Semiconductores extrnsecos Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.

Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material. Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente

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dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones. El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. 15

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre. As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Efecto termoinico

La emisin termoinica es un fenmeno que se da en los metales. En los tomos de stos, existen electrones con un movimiento arbitrario, y cuya velocidad depende de la temperatura. Conforme aumenta la temperatura, crece su velocidad, pudiendo abandonar la superficie metlica. A medida que los electrones abandonan el ctodo, forman una "nube electrnica", similar a las molculas que forman un gas y cuya carga neta es negativa, puesto que est formada por electrones. El emisor de estos electrones es el ctodo, que se calienta mediante una resistencia o filamento de tungsteno puro, toriado o recubierto de una capa de xido de bario. El filamento se calienta haciendo pasar una corriente (la corriente de caldeo). Si ahora aplicamos una tensin entre nodo y ctodo (Vak) siendo el nodo ms positivo, se produce una 16

corriente elctrica al ser los electrones atrados por el nodo, que est a potencial positivo.

A esta corriente se le llama corriente de placa. Si se aumenta la tensin (Vak) , se produce un aumento de la corriente de placa (Ia), hasta alcanzar el valor de saturacin (Is), en el que la corriente no aumenta por mucho de subamos la tensin aplicada. Esto es debido a que la placa recoge todos los electrones que emite el ctodo, y no puede aumentar la corriente a menos que aumentsemos la emisin de electrones subiendo la temperatura de caldeo.

La corriente de saturacin (Is) depende entonces del nmero de electrones que emita el ctodo.

Existen dos tipos de ctodo atendiendo al modo en que se calienta:

-Ctodo de caldeo directo, el emisor es un simple filamento de tungsteno.

-Ctodo de caldeo indirecto. El filamento est recubierto de xido de bario e introducido en un pequeo cilindro de nquel; el filamento y el cilindro estn elctricamente aislados. Un ejemplo del efecto termoinico se debe al descubrimiento que Edison realizo y consiste en que la corriente emitida por el filamento caliente se incrementaba rpidamente al aumentar el voltaje y present una aplicacin para un dispositivo regulador de voltaje usando este efecto el 15 de noviembre de 1883. Propuso que a travs del aparato podra pasar corriente suficiente para operar un telgrafo sonoro. Fue exhibido en la Exposicin Internacional de Electricidad en Philadelphia en septiembre de 1884. William Preece, un cientfico britnico se llev con l algunas de las bombillas de Efecto Edison, y present un estudio sobre ellas en 1885, donde se refera a la emisin termoinica como el "Efecto Edison." 1 El fsico 17

britnico John Ambrose Fleming, trabajando para la compaa britnica "Wireless Telegraphy", descubri que el Efecto Edison podra ser usado para detectar ondas de radio. Fleming comenz a desarrollar el tubo de vaco de 2 elementos, conocido como diodo, que patent el 16 de noviembre de 1904.

Dispositivos electrnicos

-Diodo El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto -Diodo P-N Es un dispositivo electrnico semiconductor, generalmente construido de Silicio dopado, de una juntura PN (formada por unin de una regin tipo P con otra tipo N) y dos terminales (nodo A asociado a la regin P y ctodo K asociado a la regin N). Su ms importante caracterstica es la unidireccionalidad que adquiere la corriente a travs de l, gracias a la baja resistencia que opone cuando el diodo est directamente polarizado y a la altsima resistencia que opone cuando est inversamente polarizado, lo cual es la base de su principal aplicacin: la rectificacin de corrientes alternas. -Polarizacin directa. Con la polarizacin directa, la unin p-n impulsa los huecos desde el material tipo p a la unin y los electrones desde el material tipo n a la unin. En la

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unin, los electrones y huecos se combinan de modo que se mantiene una corriente continua. -Polarizacin inversa. Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa". En la siguiente figura se muestra una conexin en inversa: El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplecin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unin.

Algunos tipos de diodos

-Diodo vacio El diodo de vaco es el primer procedente de la vlvula termoinica, fue inventado por el ingeniero elctrico britnico John Ambrose Fleming. El filamento de la lmpara incandescente en un principio tambin haca la funcin de ctodo a esas vlvulas se las denomina de caldeo directo, Fleming lo

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que hizo fue poner un electrodo, un nodo. Al hacer circular una corriente en el filamento o ctodo, este ctodo libera electrones que son atrapados por el nodo. El funcionamiento de este dispositivo est basado en el efecto Edison, y de hecho, el mismo Thomas Edison fue quin observ por 1883, la emisin termoinica: al colocar una lmina (nodo) dentro de una bombilla. Cuando se polarizaba positivamente la lmina metlica respecto al filamento, se produca una pequea corriente entre el filamento y la lmina . Este hecho se produce porque los electrones de los tomos del filamento, al recibir una gran cantidad de energa en forma de calor, escapaban de la atraccin del ncleo (emisin termoinica), atravesando el espacio vaco dentro de la bombilla, son atrados por la polaridad positiva de la lmina. -Diodos de seales pequeas. Los diodos de seal son usados en los circuitos para procesar informacin (seales elctricas), por lo que solo son requeridos para pasar pequeas corrientes de hasta 100 mA. Un diodo de seal de uso general tal como el 1N4148 est hecho de silicio y tiene una cada de tensin directa de 0,7 V. Un diodo de germanio tal como el OA90 tiene una cada de tensin directa ms baja, de 0,2 V, y esto lo hace conveniente para usar en circuitos de radio como detectores los cuales extraen la seal de audio desde la dbil seal de radio. Para uso general, donde la medida de la cada de tensin directa es menos importante, los diodos de silicio son mejores porque son menos fcilmente daados cuando se sueldan, tienen una ms baja resistencia cuando conducen, y tienen muy baja corriente de prdida cuando se les aplica un voltaje en inversa.

-Dixidos rectificadores

Hay varias maneras de conectar los diodos para construir un rectificador y convertir la AC en DC. El puente rectificador es una de ellas y est disponible en

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encapsulados especiales que contienen los cuatro diodos requeridos. Los puentes rectificadores se clasifican por su mxima corriente y mxima tensin inversa.

-Diodo zener. El diodo Zener es un diodo de cromo1 que se ha construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. -Diodo varactor Tambin conocido como Diodo de Capacidad Variable o Varactor, un Diodo Varicap aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta

caractersticas que son de suma utilidad en circuitos entomizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad. Cuando un diodo es polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que forman los materiales N y P a partir del punto de unin de las junturas. Visto en forma metafrica y prctica, es el equivalente a dos placas de un capacitor que van separndose a medida que la tensin de alimentacin se incrementa. Este incremento de tensin, provoca una disminucin de la capacidad equivalente final en los terminales del diodo (a mayor distancia entre placas, menor capacidad final). Por este motivo queda claro el concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de esta naturaleza se encuentra en un 21

punto de baja tensin de alimentacin (no cero), mientras que la mnima capacidad final estar determinada por cunta tensin inversa pueda soportar entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos, los ms habituales suelen encontrarse entre 3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para ejemplos como el diodo BB148 de NXP. Con una tensin menor a un volt alcanza su mxima capacidad, llegando al mnimo valor con 12 o 13Volts, segn podemos ver en la grfica obtenida de su hoja de datos. -Diodo de tnel El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin. -Diodo optoelectrnica

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Los dispositivos optoelectrnicos son aquellos que combinan la ptica con la electrnica.

Rectificadores

En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases. Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son aprovechados. El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda, constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga. -Rectificadores de media onda El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de lleno conducen cuando se polarizan inversamente. Adems su voltaje es positivo -Rectificadores de onda completa Es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte 23

en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua.

Trodo

Se denomina trodo a la vlvula termoinica de tres electrodos, nodo, ctodo y rejilla de control. El primero es el ctodo, que al calentarse produce electrones. El segundo es el nodo o placa, que est cargado positivamente y, por tanto, atrae a los electrones. El tercero es la rejilla que se sita entre el ctodo y el nodo. La tensin aplicada a la rejilla hace que el flujo de electrones desde el ctodo al nodo sea mayor o menor. Esto es muy interesante pues aplicando una seal de muy dbil intensidad entre ctodo y rejilla podemos conseguir que la variacin del flujo de electrones entre ste y el nodo sea muy grande. Es decir, con una pequea tensin controlamos una gran corriente. A ese fenmeno se le llama amplificacin. Por eso, el trodo es un amplificador. Tambin puede utilizarse para ms funciones tales como rectificador o como puertas que dejan pasar la corriente o no (on-off) y que son la base de la electrnica digital, pero su funcin ms importante es la de amplificar. Al elemento que emite electrones se le llama ctodo, pero al hacerlo adquiere una polaridad positiva. En las vlvulas ms sencillas esta funcin la cumple el mismo filamento, que es el elemento calefactor. El tercer elemento, la rejilla, fue introducido en 1906 por Lee de Forest. Otros parmetros importantes del trodo y en general de todas las vlvulas termoinicas de tres o ms electrodos son:

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La Curva caracterstica de rejilla, que es el diagrama que se obtiene con los valores de intensidad de corriente de placa o nodo en funcin de los potenciales aplicados en la rejilla. El Factor de amplificacin () se define como el cociente entre la tensin de placa y la tensin de rejilla, manteniendo la corriente de placa constante, cuando se aplica una seal a la rejilla. As un Factor de amplificacin = 8, significa que la variacin de corriente de placa cuando variamos 1 voltio el potencial de rejilla, es la misma que se producira al variar 8 voltios la tensin de placa. El Factor de amplificacin () es un nmero abstracto. La Transconductancia o Conductancia mutua (gm) es el cociente entre la corriente de placa (Ia) y la tensin de rejilla (Vg), manteniendo la tensin de placa (Va) constante. En realidad es la variacin que experimenta la corriente de placa cuando variamos 1 voltio la polarizacin de la rejilla. El valor de la transconductancia depende del punto de la curva caracterstica de rejilla en el que la vlvula est trabajando. Una transconductancia alta significa que pequeas modificaciones del potencial de rejilla se traducen en grandes variaciones de la corriente de placa. La transconductancia o conductancia mutua se mide en mho, unidad inversa del ohmio, siemens, aunque en la prctica se emplea el mho siemens que es igual a 10-6 mhos. La resistencia interna (rp) es el cociente entre la tensin de placa (Va) y la corriente de placa (Ia) mientras mantenemos constante la tensin de rejilla (Vg)

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Transistores

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

Circuitos integrados

Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es una pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso -Desventajas Existen ciertos lmites fsicos y econmicos al desarrollo de los circuitos integrados. Bsicamente, son barreras que se van alejando al mejorar la tecnologa, pero no desaparecen. Las principales son: Disipacin de potencia Los circuitos elctricos disipan potencia. Cuando el nmero de

componentes integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a 26

disipacin de esta potencia, tambin crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento del dispositivo. Adems, en muchos casos es un sistema de realimentacin positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, ms corriente conducen, fenmeno que se suele llamar "embalamiento trmico" y, que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y los reguladores de tensin son proclives a este fenmeno, por lo que suelen incorporar protecciones trmicas. Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que ms energa deben disipar. Para ello su cpsula contiene partes metlicas, en contacto con la parte inferior del chip, que sirven de conducto trmico para transferir el calor del chip al disipador o al ambiente. La reduccin de resistividad trmica de este conducto, as como de las nuevas cpsulas de compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones con cpsulas ms pequeas. Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensin de alimentacin y utilizando tecnologas de bajo consumo, como CMOS. Aun as en los circuitos con ms densidad de integracin y elevadas velocidades, la disipacin es uno de los mayores problemas, llegndose a utilizar

experimentalmente ciertos tipos de criostatos. Precisamente la alta resistividad trmica del arseniuro de galio es su taln de Aquiles para realizar circuitos digitales con l. Capacidades y autoinducciones parsitas Este efecto se refiere principalmente a las conexiones elctricas entre el chip, la cpsula y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con pastillas ms pequeas se reduce la capacidad y la autoinduccin de ellas. En los circuitos digitales excitadores de buses, generadores de reloj, etc., es importante mantener la impedancia de las lneas y, todava ms, en los circuitos de radio y de microondas. Lmites en los componentes 27

Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de sus contrapartidas discretas.

Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie. Por ello slo se usan valores reducidos y en tecnologas MOS se eliminan casi totalmente.

Condensadores. Slo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional A741, el condensador de estabilizacin viene a ocupar un cuarto del chip.

Inductores. Se usan comnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo hbridos muchas veces. En general no se integran.

Densidad de integracin Durante el proceso de fabricacin de los circuitos integrados se van acumulando los defectos, de modo que cierto nmero de componentes del circuito final no funcionan correctamente. Cuando el chip integra un nmero mayor de componentes, estos componentes defectuosos disminuyen la proporcin de chips funcionales. Es por ello que en circuitos de memorias, por ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican ms de los necesarios, de manera que se puede variar la interconexin final para obtener la organizacin especificada. -Clasificacin Atendiendo al nivel de integracin -nmero de componentes- los circuitos integrados se pueden clasificar en:

SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores

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ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000 transistores

GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de transistores

En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos: Circuitos integrados analgicos.

Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.

Circuitos integrados digitales.

Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta los ms complicados microprocesadores o microcontroladores. Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de un sistema mayor y ms complejo. En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta integracin de componentes en un espacio muy reducido, de forma que llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos, adems de un montaje ms eficaz y rpido.

Osciloscopio

Un osciloscopio es un instrumento de medicin electrnico para la representacin grfica de seales elctricas que pueden variar en el tiempo. Es 29

muy usado en electrnica de seal, frecuentemente junto a un analizador de espectro. Presenta los valores de las seales elctricas en forma de coordenadas en una pantalla, en la que normalmente el eje X (horizontal) representa tiempos y el eje Y (vertical) representa tensiones. La imagen as obtenida se denomina oscilograma. Suelen incluir otra entrada, llamada "eje THRASHER" o "Cilindro de Wehnelt" que controla la luminosidad del haz, permitiendo resaltar o apagar algunos segmentos de la traza. Los osciloscopios, clasificados segn su funcionamiento interno, pueden ser tanto analgicos como digitales, siendo el resultado mostrado idntico en cualquiera de los dos casos, en teora. -Elementos del osciloscopio Las partes principales de las que est formado todo osciloscopio son: el tubo de rayos catdicos, un amplificador para la seal vertical y otro para la horizontal, una fuente de alimentacin, una base de tiempos y un sistema de sincronismo. Tubo de rayos catodicos El tubo de rayos catdicos (T.R.C.) es lo que comnmente denominamos pantalla, aunque no solo est compuesto de sta sino que en el interior tiene ms partes. El fundamento de estos tubos es igual al que vimos al hablar de la televisin. Su principal funcin es que permite visualizar la seal que se est estudiando, utilizando para ello sustancias fluorescentes que proporcionan una luz normalmente verde. En la pantalla aparecen un conjunto de lneas reticuladas que sirven como referencia para realizar las medidas. Dichas lneas estn colocadas sobre la parte interna del cristal, estando as la traza dibujada por el haz de electrones y la cuadrcula en el mismo plano, lo cual evita muchos errores de apreciacin. Segn 30

el modelo de osciloscopio la cuadrcula que se utiliza puede ser de un tamao o de otro. Algunos de los ms comunes son de 8 x 10, 10 x 10, 6 x 10, etc. Adems de las divisiones principales representadas por la cuadrcula, normalmente suele haber otras subdivisiones que son utilizadas para realizar medidas ms precisas. Base de tiempo Otra de las partes del osciloscopio es la base de tiempos. La funcin de este circuito es conseguir que la tensin aplicada aparezca en la pantalla como funcin del tiempo. El sistema de coordenadas est formado por el eje vertical y el horizontal, siendo en este ltimo donde se suelen representar los tiempos. El circuito de base de tiempos debe conseguir que el punto luminoso se desplace peridicamente y con una velocidad constante en el eje horizontal sobre la pantalla de izquierda a derecha, volviendo luego rpidamente a la posicin original y repitiendo todo el proceso. Para conseguir este proceso el circuito de base de tiempos debe proporcionar a las placas horizontales una tensin variable cuya forma debe ser la de diente de sierra. La forma de estas ondas ya la conocemos, aumenta la tensin hasta un punto mximo, a partir del cual desciende rpidamente en lo que se denomina tiempo de retorno, ya que retorna al punto original (0 de tensin). El tiempo que se tarda en alcanzar el punto mximo de tensin es exactamente el mismo que se va a tardar en recorrer toda la pantalla de izquierda a derecha en el eje horizontal. El tiempo de retorno es lo que se tarda en volver al punto origen de la pantalla, es decir, a la izquierda de la misma. El tiempo en recorrer la pantalla de izquierda a derecha siempre va a ser mayor que el tiempo de retorno; de hecho, cuanto menor sea el tiempo de retorno mejor ser la reproduccin de la seal en la pantalla. Segn sea la frecuencia de la tensin de diente de sierra, el punto luminoso se desplazar con mayor o menor rapidez por la pantalla.

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Por lo tanto, nos interesa que el circuito de base de tiempos proporcione una frecuencia variable, para que el rango de frecuencias que se puedan analizar sea muy grande y abarque desde las frecuencias muy cortas hasta las muy elevadas. Amplificador horizontal El amplificador horizontal tiene como cometido amplificar las seales que entren por la entrada horizontal (X). Normalmente se emplea para amplificar las seales que son enviadas desde el circuito de base de tiempos. A dichas seales se les proporciona una amplitud suficiente para que se pueda producir el desvo del haz de electrones a lo ancho de toda la pantalla. Algunas veces no es necesario conectar las seales de la base de tiempos ya que estas tienen la amplitud necesaria. Por lo tanto, como ya hemos dicho, no solo se va a amplificar la seal de la base de tiempos sino que podemos amplificar cualquier seal y luego componerla con la seal procedente del sistema vertical para obtener la grfica final que va a aparecer en la pantalla. Amplificador vertical El amplificador vertical es, como su nombre indica, el encargado de amplificar la seal que entre por la entrada vertical (Y). Para que el osciloscopio sea bueno debe ser capaz de analizar seales cuyos valores estn comprendidos en un rango lo ms grande posible. Normalmente, los amplificadores verticales constan de tres partes: Amplificador, atenuador y seguidor catdico. El amplificador es el encargado de aumentar el valor de la seal. Est formado por un preamplificador que suele ser un transistor y es el encargado de amplificar la tensin. Despus, tenemos unos filtros que son los encargados de que el ancho de banda de paso sea lo mayor posible, y pueden aumentar tanto la banda de bajas

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como de altas frecuencias. Por ltimo, se pasa por el amplificador final que puede estar formado por uno o dos transistores. Hay veces que la seal que llega es demasiado grande y necesitamos disminuirla, con este fin se utilizan los atenuadores, que son una parte de los amplificadores, aunque su funcin no es aumentar la seal sino todo lo contrario, disminuirla. Esta disminucin de la seal es necesaria en algunos casos para que no se produzca distorsin, pudiendo disminuirse en 10, 100, etc., veces el valor de la amplitud inicial. Despus de producirse la disminucin de la seal suele ser necesario el uso de un seguidor catdico, cuya funcin consiste en adaptar las impedancias de entrada del osciloscopio a la salida del emisor del transistor. Sistema de sincronismo El sistema de sincronismo es el encargado de que la imagen que vemos en el tubo de rayos catdicos sea estable. Para poder conseguir esto se utiliza una seal de barrido que tiene que ser igual o mltiplo de la frecuencia de la seal de entrada (vertical). Para sincronizar la seal vertical con la base de tiempos (o seal horizontal) se puede utilizar la denominada sincronizacin interna. Consiste en inyectar en el circuito base de tiempos la tensin que se obtiene del nodo o del ctodo del amplificador vertical (dependiendo de cul sea la ms adecuada). As se consigue que el principio de la oscilacin de la base de tiempos coincida con el inicio del ciclo de la seal de entrada. Este tipo de sincronizacin no siempre es el ms adecuado. Existen otros tipos de sincronizacin como la sincronizacin externa y la sincronizacin de red.

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Por ltimo, diremos que todo osciloscopio necesita una fuente de alimentacin que va a ser la encargada de proporcionar las tensiones necesarias para alimentar las diferentes etapas que forman los circuitos de un osciloscopio

Conclusin

Los componentes electrnicos forman parte de un sin fin de inventos que llevaron a cabo ciertos cientfico y fsicos para el desarrollo del hombre y el mejoramiento de la calidad de vida del mismo, son indispensables para el funcionamiento de aparatos electrnicos y elctricos que utilizamos a diario, como la nevera, computadora, telfono celular, radio, televisor, DvD, entre otros. Gracias a el desarrollo de los componentes electrnicos, algunas compaas de gran prestigio como Apple y Samsung han creado una serie de dispositivos de gran capacidad de almacenamiento de datos y velocidad de transferencia de los mismos, as como aplicaciones que satisfacen las

necesidades de sus usuarios en cuanto a la sed de tecnologa, de all podramos derivar la importancia de todos y cada uno de estos componentes y su significacin en el avance de hoy en da.

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ANEXOS

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Estructura diodo P-N

Polarizacin directa

Polarizacin inversa

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Diagrama de funcionamiento de un diodo vacio

El primer trodo por Lee de Forest

Diagrama de elementos de una vlvula trodo.

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Bibliografia

Autor: Fundacin Wikimedia, Inc Pagina web: http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor#Tipos_de_semiconductores Fecha de ingreso: 03/06/2013 Autor: Fundacin Wikimedia, Inc Pagina web: http://es.wikipedia.org/wiki/Emisi%C3%B3n_termoi%C3%B3nica Fecha de ingreso: 03/06/2013 Autor: Fundacin Andrs Aranzabal Olea Pagina web: http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina9.htm Fecha de ingreso: 03/06/2013 Autor: Fundacin Fundacin Wikimedia, Inc Pagina web: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_de_vac%C3%ADo Fecha de ingreso: 03/06/2013 Autor: Fundacin Fundacin Wikimedia, Inc Pagina web: http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_de_vac%C3%ADo Fecha de ingreso: 03/06/2013

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