Marco Terico

3. Marco Terico:
Para desarrollar sta segunda experiencia fue indispensable repasar algunos conceptos estudiados en Electrnica I, tales como el Diodo y el Transistor los cuales sern descritos a continuacin y su utilizacin en cada montaje.

Diodo Semiconductor: El diodo es un dispositivo electrnico de gran importancia, que posee dos terminales: el nodo y el ctodo. El smbolo del diodo se muestra en la Figura 3.1, mientras que en la Figura 3.2 se muestra su caracterstica tensincorriente. Como se ve en la Figura 3.1, la tensin en el diodo se toma como positiva de nodo a ctodo. De igual manera, la corriente en el diodo se referencia como positiva cuando circula de nodo a ctodo.

Fig. 3.1 Smbolo del Circuito

Fig. 3.2 Curva caracterstica tensin-corriente

Puede observarse en la curva caracterstica que, si la tensin es positiva en el diodo, pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeas tensiones. Esta condicin se denomina polarizacin directa. As, la corriente fluye fcilmente a travs del diodo en la direccin que indica la flecha o el smbolo del diodo. Por otra parte, para valores moderadamente negativos de , la corriente es muy pequea. A esto se le llama regin de polarizacin inversa, como puede verse en la curva caracterstica del diodo. Si se aplica una tensin de polarizacin inversa suficientemente grande al diodo, su modo de operacin entra en la regin de ruptura inversa o zona de avalancha, permitiendo el flujo de una elevada corriente. Mientras que la potencia disipada en el diodo no eleve demasiado su temperatura, el modo de trabajo en ruptura inversa no destruir el dispositivo. De hecho, se ve que a menudo se hace trabajar deliberadamente a los diodos en la regin de ruptura inversa.

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Transistor de unin bipolar: El transistor de unin bipolar (BJT), desarrollado en la dcada de 1960, fue el primer dispositivo para la amplificacin de seales. Los BJTs siguen desempeando un papel clave en la microelectrnica, especialmente en la electrnica analgica. Las tcnicas de fabricacin de circuitos integrados han llevado a estos dispositivos desde una baja a una alta velocidad. El transistor bipolar est compuesto por una serie de capas de semiconductor dopado, como se muestra en la Figura 3.3. La figura muestra un transistor npn que tiene una capa de material de tipo p entre dos capas de tipo n, y tambin muestra al transistor bipolar pnp con sus respectivos circuitos.

Fig. 3.3 Transistores NPN y PNP, con sus circuitos esquemticos.

Para el desarrollo de los siguientes montajes, tomando en cuenta los conceptos definidos anteriormente, se dio paso a la descripcin de cada uno. 3.1. Montaje N 1: Diodo y su curva caracterstica: Para obtener la curva caracterstica de un diodo es necesario conocer su tensin directa de umbral, en este caso al trabajar con un diodo de silicio, por lo tanto, corresponde al valor de 0,7 [V]. Con la polarizacin directa los electrones portadores aumentan su velocidad y al chocar con los tomos generan calor que al subir la temperatura del semiconductor activa la conduccin del diodo. Las curvas caractersticas de los diodos semiconductores vienen dadas por el fabricante en su hoja de datos, en este caso trabajo con el diodo 1N4007 en donde se puede ver su hoja de datos en la seccin ANEXOS. Para obtener la curva de un diodo es de vital importancia conocer sus datos caractersticos que nos ofrecen los fabricantes, para el siguiente circuito aplicamos la Ley de tensiones de Kirchhoff Ec.3.1 = + . Para este montaje reemplazaremos = 1 = 6(2)[] con una frecuencia de 100[Hz], la resistencia = 1 = 1[] y el diodo previamente mencionado.

Fig. 3.4 Circuito para el anlisis de carga

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Al saber los valores de s y R, se desea hallar y . Un mtodo sencillo para encontrar estos puntos siguiendo la ecuacin Ec.3.1 la cual es una ecuacin lnea, su recta de carga se puede graficar si hallamos ambos puntos. Al suponer que = 0, entonces la ecuacin queda = , este primer valor se puede ver el punto A de la Fig. 3.5 y para obtener el punto B se dice que = 0, por lo tanto = . Ambos valores A y B al unirlos se obtiene una lnea denominada lnea de carga o recta de carga y la interseccin de sta con la curva caracterstica del diodo se conoce como punto de trabajo y se puede apreciar en la Fig. 3.5.

Fig.3.5 Anlisis de la recta de carga de la figura 3.1.1

Para la simulacin de ste montaje se utiliz el Software Proteus ISIS, obteniendo los siguientes resultados:

Fig.3.6 Circuito Montaje N1 con Proteus

Fig.3.7 Curva caracterstica del diodo simulada Proteus

Fig.3.8 Curva del diodo graficada en el osciloscopio

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3.2. Montaje N2 Diodo como interruptor: En el siguiente montaje se muestra el diodo como interruptor dentro de sus amplias aplicaciones. Para la realizacin del circuito se implement una compuerta AND con diodos. Cuando en esta compuerta lgica las entradas estn en un nivel alto 1, los dos diodos estn polarizados en inversa y no conducen corriente, por lo tanto, en su salida hay un nivel lgico 1. Si una de las entradas est en nivel bajo, entonces la salida ser de nivel bajo 0, entonces pasar corriente a travs de la resistencia y en cuyo diodo su ctodo est conectado a tierra. De esta manera el nodo del diodo (salida) estar a nivel bajo.

Fig. 3.9 Compuerta AND implementada con diodos

En la siguiente figura 3.10 se muestra al diodo como interruptor, funciona como corto circuito cuando est polarizado directamente y al polarizarlo inversamente pasa a ser un circuito abierto con una corriente igual a cero.

Fig.3.10 Diodo como interruptor

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3.3. Montaje N3 Mediciones de reconocimiento simple en BJT: Los transistores se hacen de dos tipos estndar, NPN o PNP, que se refieren a la configuracin de sus capas de los materiales semiconductores que se utilizan para su fabricacin. Tienen tres pines: base, colector y emisor. Para un NPN, el transistor est conduciendo cuando la base es baja en relacin con el emisor. Los transistores se pueden probar con un multmetro, el cual puede comprobar que el transistor est funcionando correctamente y adems identificar sus pines si no tenemos su hoja de datos disponible. Para el siguiente anlisis se utiliz un transistor 2N3904, 2N significa que es de procedencia americana. Para reconocer un transistor se siguieron los siguientes pasos:

Paso 1: Para identificar cual es la base de los tres terminarles que posee el transistor, es necesario observar las diferentes alternativas de conexin que se pueden medir con las puntas de prueba del multmetro, por lo tanto, en la tabla siguiente se muestran los posibles casos tomando como referencia el borne positivo: Pines Transistor Caso 1 Caso 2 Caso 3 1 Borne Positivo Borne Negativo Borne Negativo 2 Borne Negativo Borne Negativo Borne Positivo 3 Borne Negativo Borne Positivo Borne Negativo No Conduce No Conduce Conduce (Pin 2 = Base)

Tabla 3.1 Tabla de Prueba para encontrar la base del transistor NPN

Por lo tanto se trata de un transistor NPN al conducir cuando la punta de prueba positiva se encuentra en el pin 2. S no se da ninguno de los casos anteriores, es posible que el transistor no est funcionando y se encuentre quemado. Para el transistor 2N3906, se aplic los mismos pasos, tomando como referencia el borne negativo: Pines Transistor Caso 1 Caso 2 Caso 3 1 Borne Negativo Borne Positivo Borne Positivo 2 Borne Positivo Borne Negativo Borne Positivo 3 Borne Positivo Borne Positivo Borne Negativo No Conduce Conduce (Pin 2= Base) No Conduce

Tabla 3.2 Tabla de Prueba para encontrar la base del transistor PNP

Por lo tanto se trata de un transistor PNP al no conducir cuando la punta de prueba negativa se encuentra en el pin de la base y conduciendo en los dos casos restantes.

Paso 2: Identificada el pin de la base, se tom la lectura con el multmetro seleccionndolo en medicin de diodos, la punta de prueba positiva en el pin 2 y la punta de prueba negativa en cualquiera de los pines restantes, dando un uno de los dos una mayor lectura, la cual se refiere al emisor y por ende la de menor valor ser la del colector. (Estos valores se hacen a travs de Multmetro seleccionado en Ohm).

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3.4. Montaje N 4 BJT como interruptor:

Fig. 3.11 BJT como transistor

Para que un transistor funcione como interruptor, es necesario conocer sus zonas de trabajo las cuales se puede ver en la figura 3.12.

Zona de Corte: No circula corriente por la base, por lo que la corriente de colector y emisor tambin son nulas. La tensin entre el colector y emisor es igual a la de la fuente, por lo tanto entre el colector y el emisor se comporta como un interruptor abierto.

Zona de Saturacin: Es cuando por la base circula una corriente, se aprecia un incremento considerable de la corriente de colector. En este caso entre el colector y el emisor del transistor se comporta como interruptor cerrado. De esta manera, se puede decir que la tensin de la fuente se encuentra en la carga conectada en el colector.

Zona Activa: Acta como un amplificador, pudiendo dejar pasar ms o menos corriente.

Zona de Ruptura: Es la tensin mxima que puede soportar las uniones pn inversamente polarizadas de un transistor, cuando se alcanzan estas tensiones existe el peligro de ruptura debido a dos fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforacin.

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Fig.3.12 Zonas de funcionamiento del transistor

Para que un transistor se utilice como un interruptor, la corriente debe tomar cierto valor para lograr que el transistor entre en corte y otro para que pase a saturacin. Un transistor en corte tiene una corriente de colector mnima o prcticamente igual a cero y un voltaje colector mximo o casi igual al voltaje de alimentacin. Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector mxima y un voltaje de emisor casi nulo o cero. Por lo tanto, para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor an igual a cero. Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre el encendido y apagado, sea como interruptor. Si se conoce la corriente que necesita la carga para activarse, se tiene el valor de corriente que habr de conducir el transistor cuando este en saturacin y el valor de la fuente de alimentacin del circuito, se puede obtener la recta de carga. Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, debe ser mximo y mnimo y para que est en corte, debe ser mnimo y el mximo.

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