UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA FACULTAD DE INGENIERIAS INGENIERIA ELECTRONICA ELECTRONICA DE POTENCIA TEMA: IGBTs

INTEGRANTES: Alminate Johana Freire Santiago Murillo Dario Nivel: 6to Grupo: G2 Quito, 29 de noviembre de 2013

IGBTs Electrnica de Potencia

IGBTs Electrnica de Potencia IGBTs QUE SON LOS TRANSISTORES IGBT?

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de Isolated Gate Bipolar Transistor, es decir, transistor bipolar de puerta de salida. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El Gate maneja voltaje como el MOSFET. El smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura 1. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ. El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. El IGBT de la figura 1 es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal -xido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una accin regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construccin, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una lnea vertical del transistor de unin bipolar de PNP. Desde el punto de vista econmico, los IGBT, al utilizar el principio de los FET tan slo para el circuito de ataque y no el de potencia, dejando ste en manos de una estructura bipolar, reducen sustancialmente los requerimientos en cuanto a superficie de Silicio necesaria. Tenemos entonces que, para tensiones superiores a los 400V, la superficie de un IGBT es tpicamente un tercio de la del MOSFET comparable.

SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta , COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura 1.

Fig. 1 - Representacin Simblica del Transistor IGBT. a) Como BJT, b) Como MOSFET

IGBTs Electrnica de Potencia

Su estructura microelectrnica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente.

Fig. 2 - Circuito Equivalente del IGBT CURVA CARACTERISTICA IGBT

Fig. 3 - Esquema de la Curva Caracterstica del IGBT FUNCIONAMIENTO DE LA CURVA ARACTERISTICA DEL IGBT
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que

IGBTs Electrnica de Potencia

es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se auto limita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

Aplicaciones de los IGBTs

Aplicaciones normales o Aplicacin del IGBT en PWM: La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y segn sea la aplicacin se puede optar por una salida de parmetros fijos o variables: Variacin de la tensin de salida. Variacin de la frecuencia. Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia. El circuito de potencia es el puente, en este caso monofsico, normalmente implementado con transistores MOS o IGBT, debido a que en general trabaja con una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz. Segn la aplicacin, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en conmutacin.

Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos.

IGBTs Electrnica de Potencia

o Otro campo de la aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica.

Tecnologa IGBT aplicada en aviones. Aplicaciones en la industria o Control de motores Para variar la velocidad de los motores de corriente alterna, por ejemplo los que llevan incorporados algunos electrodomsticos, lo que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que mueven los arrollamientos de dicho motor. Es decir, el motor girar con la misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos IGBT interconectados.

Tecnologa aplicada en la industria automotriz. o Semiconductores en convertidores de traccin Los convertidores compactos son unidades robustas que incorporan la moderna tecnologa IGBT. Cada unidad individual se basa en un bloque funcional de electrnica de alimentacin (PEBB, Power Electronics Building Block). Tanto los convertidores de la red

IGBTs Electrnica de Potencia

como el motor estn equipados con semiconductores y controladores de puertas integrados. En el lado del convertidor de la red se requiere una conexin en paralelo de los dos mdulos de potencia para gestionar la corriente mxima. En cambio, se proporciona un modulo de potencia por fase en el lado del motor.

Tecnologa IGBT aplicada en la produccin de ferrocarriles.

Circuitos con IGBTs

El circuito mostrado en la Fig. 4 se muestra un variador de velocidad de un motor AC

IGBTs Electrnica de Potencia

Ejercicios 1. Se tiene un puente H alimentado con 100V y una carga inductiva de 20mH cuya lgica de conmutacin es el de pulso nico con un =30 y una frecuencia de 100 Hz. - Hallar el valor pico de la corriente. - Dibujar las formas de onda de V e I en la carga. - Definir los disparos de los transistores. - Definir cuando es motriz regenerativo.

IGBTs Electrnica de Potencia

2.

Se tiene un pwm de muestreo regular cuya modulacin es senoidal y portadora triangular, los datos son: Frecuencia del inverter : 50 Hz; Relacin de portadora=24; ndice de modulacin = 0.8; Onda de 2 niveles - Formas de onda. - Formula genrica para calcular el ancho del pulso en cada perodo de muestreo. - Mostrar un diagrama de flujo de un programa en micro controlador para cumplir el algoritmo pwm. - Calcular el ancho del pulso en el 3er perodo de la portadora. - Calcular el ancho del pulso que correspondera con muestreo asimtrico (tanto en el pico positivo de la triangular como en el pico negativo), para el 5 perodo de la portadora.

IGBTs Electrnica de Potencia

IGBTs Electrnica de Potencia CONCLUSIONES

Los transistores IGBT tienen alta impedancia de entrada debido a que posee una compuerta tipo MOSFET. Se entendi que el IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin y este le ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. La curva caracterstica del IGBT representa el funciona miento de dicho transistor, la misma que muestra su forma de trabajo cuando esta en saturacin y en corte.

BIBLIOGRAFIA
http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html http://library.abb.com/GLOBAL/SCOT/scot271.nsf/VerityDisplay/FF2493DCD5139402C12571DC003CB863/$ File/52-55%203M651A_SPA72dpi.pdf http://www.aicox.com/UserFiles/File/industrial/IGBT.pdf http://www.leifra.com.ar/alumnos/potencia/trabajos_practicos/2007/segunda_parte/Guia3.pdf