Autores: Eduardo Illescas Ing.

Luis Abap Materia: Laboratorio de Digital I Ciclo: 5to Ciclo

Tema: Compuertas Logicas Objetivos: 1. Explicar las diferencias entre integrados TTL y un integrado CMOST 2. Explicar cmo se utiliza un catlogo para encontrar las caractersticas de un circuito integrado. 3. Verificar el funcionamiento de los operadores lgicos. 4. Disear y comprobar un circuito que cumpla con la siguiente funcin.

1) Marco Terico: Familias lgicas Los circuitos digitales emplean componentes encapsulados, los cuales pueden albergar puertas lgicas o circuitos lgicos ms complejos. Estos componentes estn estandarizados, para que haya una compatibilidad entre fabricantes, de forma que las caractersticas ms importantes sean comunes. De forma global los componentes lgicos se engloban dentro de una de las dos familias siguientes: TTL: diseada para una alta velocidad, con un voltaje de 5 V CMOS: diseada para un bajo consumo. 5 a 15 (dependiendo de la tensin tendremos un tiempo de propagacin). Cuadro Comparativo De Las Familias
PARAMETRO TTL estndar 10 ns 35 MHz 10 mW 1V 1V 1V 10 TTL 74L 33 ns 3 MHz 1 mW 1V 1V 1V 10 TTL Schottky de baja potencia (LS) 5 ns 45 MHz 2 mW 0'8 V 0'8 V 0'8 V 20 Fairchild 4000B CMOS (con Vcc=5V) 40 ns 8 MHz 10 nW 2V 2V 2V 50 (*) Fairchild 4000B CMOS (con Vcc=10V) 20 ns 16 MHz 10 nW 4V 4V 4V 50 (*)

Tiempo de propagacin de puerta Frecuencia mxima de funcionamiento Potencia disipada por puerta Margen de ruido admisible Margen de ruido admisible Margen de ruido admisible Fan out

Dentro de la familia TTL encontramos las siguiente sub-familias: L: Low power = disipacin de potencia muy baja

Compuertas Lgicas
LS: Low power Schottky = disipacin y tiempo de propagacin pequeo. S: Schottky = disipacin normal y tiempo de propagacin pequeo. AS: Advanced Schottky = disipacin normal y tiempo de propagacin extremadamente pequeo. COMPUERTAS LGICAS Las compuertas lgicas son dispositivos que operan con aquellos estados lgicos mencionados en la pgina anterior y funcionan igual que una calculadora, de un lado ingresas los datos, sta realiza una operacin, y finalmente muestra el resultado. Cada una de las compuertas lgicas se las representa mediante un Smbolo, y la operacin que realiza (Operacin lgica) se corresponde con una tabla, llamada Tabla de Verdad. Compuerta NOT Se trata de un inversor, invierte el dato de entrada; si pones su entrada a 1 (nivel alto) obtendrs en su salida un 0 (o nivel bajo), y viceversa. Esta compuerta dispone de una sola entrada. Smbolo de la compuerta "NOT":

Tabla de verdad de las compuertas "YES" y "NOT": Entrada 0 1 Diagrama: Salida YES 0 1 Salida NOT 1 0

Compuertas NOT Tecnologa 4069 7404 CMOS TTL

Compuerta AND Una compuerta AND tiene dos entradas como mnimo y su operacin lgica es un producto entre ambas, no es un producto aritmtico, aunque en este caso coincidan.

Smbolo de la compuerta "AND":

Compuertas Lgicas

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Tabla de verdad de las compuertas "AND": Entrada A 0 0 1 1 Diagramas: Compuertas AND Tecnologa 4081 7408 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1

CMOS Compuerta NAND

TTL

Responde a la inversin del producto lgico de sus entradas, en su representacin simblica se reemplaza la compuerta NOT por un crculo a la salida de la compuerta AND.

Smbolo de la compuerta "NAND":

Compuertas Lgicas

Tabla de verdad de las compuertas "NAND": Entrada A 0 0 1 1 Diagramas: Compuertas NAND Tecnologa 4011 7408 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0

CMOS Compuerta OR

TTL

La funcin booleana que realiza la compuerta OR es la asociada a la suma, y matemticamente la expresamos como +. Esta compuerta presenta un estado alto en su salida cuando al menos una de sus entradas tambin esta en estado alto. En cualquier otro caso, la salida ser 0. Smbolo de la compuerta "OR"

Compuertas Lgicas
Tabla de verdad de las compuertas "OR" Entrada A 0 0 1 1 Diagrama: Compuertas OR Tecnologa 4071 7432 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1

CMOS Compuerta NOR

TTL

El resultado que se obtiene a la salida de esta compuerta resulta de la inversin de la operacin lgica o inclusiva es como un no a y/o b. Igual que antes, solo agregas un crculo a la compuerta OR y ya tienes una NOR. Smbolo de la compuerta "NOR":

Tabla de verdad de las compuertas "NOR" : Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0

Compuertas Lgicas
Diagrama: Compuertas NOR Tecnologa 4011 7408

CMOS

TTL

Compuerta XOR Es OR exclusiva en este caso con dos entradas, lo que har con ellas ser una suma lgica entre a por b invertida y a invertida por b. Smbolo de la compuerta "XOR":

Tabla de verdad de las compuertas "XOR" : Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0

Compuertas Lgicas
Diagrama Compuertas XOR Tecnologa 4030 7486

CMOS

TTL

Compuerta XNOR Es simplemente la inversin de la compuerta OR-EX, los resultados se pueden apreciar en la tabla de verdad. Smbolo de la compuerta "XNOR":

Tabla de verdad de las compuertas "XNOR" : Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1

Compuertas Lgicas
Diagrama: Compuertas NAND Tecnologa 4077 74HC7266

CMOS

TTL

FAMILIAS LOGICAS Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrnica en la actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre. Por esto es fundamental el manejo del concepto de circuito integrado, no slo por aquellos que estn en contacto habitual con este, sino tambin por las personas en general, debido a que este concepto debe de quedar inmerso dentro de los conocimientos mnimos de unapersona. Un circuito integrado es una pieza o cpsula que generalmente es de silicio o de algn otro material semiconductor, que utilizando las propiedades de los semiconductores, es capaz de hacer las funcionesrealizadas por la unin en un circuito, de varios elementos electrnicos, como: resistencias, condensadores,transistores, etc. Existen dos clasificaciones fundamentales de circuitos integrados(CI): los anlogos y los digitales; los de operacin fija y los programables; en este caso nos encargaremos de los circuitos integrados digitales de operacin fija. Estos circuitos integrales funcionan con base en la lgica digital o lgebra de Boole, donde cada operacin de esta lgica, es representada en electrnica digital por una compuerta. Los circuitos digitales emplean componentes encapsulados, los cuales pueden albergar puertas lgicas o circuitos lgicos ms complejos. FAMILIA LGICA TTL Las caractersticas de la tecnologa utilizada, en la familia TTL (Transistor, Transistor Logic), condiciona los parmetros que se describen en sus hojas de caractersticas segn el fabricante, (aunque es estndar), la resumir en slo algunas como que: Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4'75V y los 5'25V como se ve un rango muy estrecho debido a esto, los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0'2V y 0'8V para el estado L y los 2'4V y Vcc para el estado H.

Compuertas Lgicas
La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor baza, ciertamente esta caracterstica le hacer aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, SL, S, etc. y ltimamente los TTL: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco mas de los 250Mhz. Esta familia es la primera que surge y an todava se utiliza en aplicaciones que requieren dispositivos SSI y MSI. El circuito lgico TTL bsico es la compuerta NAND. La familia TTL utiliza como componente principal el transistor bipolar. Como podemos ver en la figura, mediante un arreglo de estos transistores se logran crear distintos circuitos de lgica digital. FAMILIA CMOS Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales. La serie 4000 que fue introducida por RCA y la serie 14000 por Motorola, estas fueron las primeras series CMOS. La serie 74C que su caracterstica principal es que es compatible Terminal por Terminal y funcin por funcin con los dispositivos TTL. Esto hace posibles remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente CMOS. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la velocidad de conmutacin. La serie 74HCT es tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL. Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos valores van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT. Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se expresa como un porcentaje del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces: VOL(max) = 0 V VOH(min) = VDD VIL(max) = 30%VDD VIH(min) = 70% VDD Por lo tanto los margenes de ruido se pueden determinar a partir de la tabla anterior y tenemos que es de 1.5 V. Esto es mucho mejor que los TTL ya que los CMOS pueden ser utlizados en medios con mucho ms ruido. Los margenes de ruido pueden hacerse todava mejores si aumentamos el valor de VDD ya que es un porcentaje de este. En lo que a la disipacin de potencia concierne tenemos un consumo de potencia de slo 2.5 nW cuando VDD = 5 V y cuando VDD = 10 V la potencia consumida aumenta a slo 10 nW. Sin embargo tenemos que la disipacin de potencia sera baja mientras estemos trabajando con corriente directa. La potencia crece en proporcin con la frecuencia. Una compuerta CMOS tiene la misma potencia de disipacin en promedio con un 74LS en frecuencia alrededor de 2 a 3 Mhz. Ya que los CMOS tienen una resistencia de entrada extremadamente grande (1012 ) que casi no consume corriente. Pero debido a su capacitancia de entrada se limita el nmero de entradas CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS. As pues, el factor de carga de CMOS depende del mximo retardo permisible en la propagacin. Comunmente este factor de carga es de 50 para bajas frecuencias, para altas frecuencias el factor de carga disminuye. Los valores de velocidad de conmutacin dependen del voltaje de alimentacin que se emplee, por ejemplo en una 4000 el tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias ms elevadas.

Compuertas Lgicas
Hay otras caractersticas muy importante que tenemos que considerar siempre, las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, todas tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje, esto es por que los CMOS son, al igual que los MOS muy susceptibles a cargas electrostticas y ruido que podran daar los dispositivos. FAMILIA MOS Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de transistores. El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un CI que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del area del CI mientras que un BJT ocupa 50 mlesimos del area del CI. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los CI MOS pueden tener un nmero mucho mayor de elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares. La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas. Los CI digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, adems nos interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los BJT en la familia TTL. En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje que determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando VGS = 0 V, la resistencia del canal es muy alta de 1010 , o sea, que no existe un canal conductor entre la fuente y el drenaje ya que para propsitos prcticos esto es un circuito abierto. Mientra VGS sea cero o negativo el dispositivo permanecer apagado. Cuando VGS se hace positivo, en particular un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de 1.5 V, el MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia del canal entre la fuente y el drenaje es de 1 k . El MOSFET canal P opera exactamente igual excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para encender los PMOSFET, debe aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT. Los circuitos integrados P-MOS y N-MOS tiene una mayor densidad de integracin por lo que son ms econmicos que los CMOS. Los N-MOS son ms comunmente utilizados que los P-MOS, ya que son dos veces ms rpidos y tienen cerca de dos veces la densidad de integracin de los PMOS. Cuadro Comparativo De Las Familias

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Compuertas Lgicas
CARACTERISTICAS IMPORTANTES DE LA FAMILIA TTL TTLLa familia TTL usa transistores del tipo bipolar por lo que est dentro de las familias lgicas bipolares.Las familias TTL estndar.-Texas Instruments (1964) introdujo la primera lnea estndar de productos circuitales TTL. La serie 5400/7400 ha sido una de las familias lgicas de Circuitos Integrados ms usadas. La diferencia entre las versiones 5400 y 7400 es que la primera es de uso militar, operable sobre rangos mayores detemperatura (de 55 a +125C) y suministro de alimentacin (cuya variacin en el suministro de voltaje va de 4,5 a 5,5 V). La serie 7400 opera sobre el rango de temperatura 0 70C y con una tensin de alimentacin de 4,75 a 5,75 V. Ambas tienen un fan-out tpico de 10, por lo que pueden manejar otras 10 entradas. TTL de baja potencia, serie 74L00:Tienen menor consumo de energa, al costo de mayores retardos en propagacin, esta serie es ideal para aplicaciones en las cuales la disipacin de potencia es ms crtica que la velocidad. Circuitos de baja frecuencia operados por batera tales como calculadoras son apropiados para la serie TTL. TTL de alta velocidad, serie 74H00:Poseen una velocidad de conmutacin mucho ms rpida con un retardo promedio de propagacin de 6ns. Pero la velocidad aumentada se logra a expensas de una disipacin mayor de potencia. TTL Schotty, serie 74S00:Tiene la mayor velocidad disponible en la lnea TTL.Otras propiedades de los TTL son:-En cualquier Circuito Integrado TTL, todas las entradas son 1 a menos que estn conectadas con alguna seal lgica.-No todas las entradas en un Circuito Integrado TTL se usan en una aplicacin particular.-Se presentan situaciones en que una entrada TTL debe mantenerse normalmente BAJA y luego hecha pasar a ALTA por la actuacin de un suiche mecnico.-Las seales de entrada que manejan circuitos TTL deben tener transiciones relativamente rpidas para una operacin confiable. Si los tiempos de subida o de cada son mayores que 1 s, hay posibilidad de ocurrencia de oscilaciones en lasalida. CARACTERISTICAS DE LA FAMILIA C-MOS La tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura bsica MOS de un electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre un subestrato semiconductor. Los transistores de la tecnologa MOS son transistores de campo denominados MOSFET. La mayora de los CI digitales MOS se construyen exclusivamente con MOSFET. Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la regulacin de voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con voltajes de 2 a 6 V. niveles de voltaje. Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto. Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga son virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se observa un deterioro del factor de carga - siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor que en las familias TTL. En comparacin con las familias lgicas TTL, las familias lgicas MOS son ms lentas en cuanto a velocidad de operacin; requieren de mucho menos potencia; tienen un mejor manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un factor de carga ms elevado y requieren de mucho

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Compuertas Lgicas
menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems, debido a su alta densidad de integracin, los CI MOS estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala. (LSI - memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores, as como VLSI). Por otro lado, la velocidad de operacin de los CI TTL los hace dominar las categoras SSI o MSI (compuertas, FF y contadores).

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Los circuitos MOS tiene algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital. La familia lgico MOS tiene una caracterstica que no se haba tomado en cuenta en las familias anteriormente estudiadas, la sensibilidad esttica. Esto es, que los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes prdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos los intrumentos a tierra fsica, conctarse a s mismo a tierra fsica, mantener los CI en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS. 2) Lista de Materiales e Instrumentos a utilizar: Materiales 74LS00 NAND 74LSO2 NOR 74LS04 NOT 74LS08 AND 74LS32 OR 74LS66 XOR 74LS86 XNOR 1 Resistencias (330) 3 Resistencias (870) 2 PULSANTES Equipos Multimetro Bananas Fuente de alimentacin 15,00Vc error 0,2 Vc Project Board Pinza Cuchilla Cable (bananas o lagartos)

3) Explicacin de la proceso:

Compuertas Lgicas

Lo que podemos observar es que en el momento se que se tendr una tensin continua para los equipos a alimentar don de que nos explicar como es el proceso del funcionamiento de cada compuerta lgica. 4) Clculos, simulaciones y mediciones:
No existe clculos pero los esquemas est latente para la construccin

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Compuerta NAND 74LS00

XLC4
AB

17

12 U2A 74LS00N

13

VCC 5V VCC
+

5.000
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

4.999n
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS00N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

5.000
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

A B Q Calculados Medidos

Simulados

Compuertas Lgicas
0 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 0 5 5 0 5 0 5 0 0 4,39 4,29 0 4,34 0 4,29 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 4E-9 5

14

Compuerta NOR 74LS02

XLC5
AB

10

9 U1A 74LS02N

11

VCC 5V VCC
+

4.999n
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

5.000
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS02N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

0.000
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

Compuertas Lgicas
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Q 1 0 0 0 Calculados 0 0 0 5 5 0 5 5 Medidos 0 0 0 4,49 4,49 0 4,32 4,32 Simulados 4E-9 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 5

15

Compuerta NOT 74LS04

XLC1
AB

U5A 74LS04N

VCC 5V VCC
+

4.999n
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

5.000
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 3 74LS04N LED1 4 R1 330 0

+

J2 Key = B

J1 Key = A

5.000
-

U4 DC 10M W

Tabla

Compuertas Lgicas
A B Q Calculados Medidos Simulados 0 1 1 0 5 0 4,37 4E-9 5 1 0 1 5 0 4,37 0 5 4E-9
Compuerta AND 74LS08

16

XLC2
AB

3 U9A 74LS08N

VCC 5V VCC
+

4.999n
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

5.000
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS08N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

5.000
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

Compuertas Lgicas
A 0 0 1 1
Compuerta OR 74LS32
XLC3
AB

B 0 1 0 1

Q 0 0 0 1

Calculados 0 0 0 5 5 0 5 5

Medidos 0 0 0 4,34 4,39 0 4,29 4,29

Simulados 4E-9 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 5

17

6 U6A 74LS32N

VCC 5V VCC
+

4.999n
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

4.999n
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS32N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

5.000
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

Compuertas Lgicas
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Q 0 1 1 1 Calculados 0 0 0 5 5 0 5 5 Medidos 0 0 0 4,34 4,39 0 4,29 4,29 Simulados 4E-9 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 5

18

Compuerta XNOR 74LS66

XLC7
AB

19

18

U4A 74LS266N

20

VCC 5V VCC
+

5.000
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

4.999n
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS266N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

2.489
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

Compuertas Lgicas
A 0 0 1 1
XLC6
AB

B 0 1 0 1

Q 1 0 0 1

Calculados 0 0 0 5 5 0 5 5

Medidos 0 0 0 4,34 4,39 0 4,29 4,29

Simulados 4E-9 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 5

19

Compuerta XNOR 74LS86

15

14 U3A 74LS86N

16

VCC 5V VCC
+

5.000
-

U2 R3 DC 10M W 1k

R2 1k 1

4.999n
-

U3 DC 10M W

R4 1k

U1A 2 74LS86N J1 Key = A LED1 4 R1 330 0

+

5.000
-

U4 DC 10M W

J2 Key = B

Tabla

A B Q Calculados Medidos

Simulados

Compuertas Lgicas
0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 5 5 0 5 0 5 0 0 4,39 4,29 0 4,34 0 4,29 4E-9 4E-9 5 5 4E-9 5 4E-9 5

20

Disear y comprobar un circuito que cumpla con la siguiente funcin.

VCC 5V VCC
+

0.000
-

U2 DC 10M W

R3 1k

R2 1k

0.000
-

U3 DC 10M W U5A

R4 1k

1 8

U1A 5 74LS00N

6 74LS04N

U6A 7 74LS02N

U7A 74LS04N LED1 4 R1 330

+

J2 Key = B 0

J1 Key = A

0.000
-

U4 DC 10M W

Tabla 1

A 0 0 1 1
Tabla 1

B 0 0 0 0

Q 0 1 1 0

Calculados 0 0 0 0 5 0 5 0

Medidos 0 0 0 0 4,39 0 4,29 0

Simulados 4E-9 4E-9 4E-9 4E-9 5 4E-9 5 4E-9

A 0 0 1 1

B 1 1 1 1

Q 1 1 1 1

Calculados 0 0 0 0 5 0 5 0

Medidos 4,35 0 4,35 0 4,39 0 4,29 0

Simulados 4E-9 5 4E-9 5 5 5 5 5

Grafica

Compuertas Lgicas

21

5) Anlisis de datos

Una recomendacin para realizar esta prctica es que al momento de empezar los clculos con el condensador debemos tener en cuenta que la corriente cambia totalmente por lo que el valor del voltaje en tambin y de hecho es diferente al calculado sin el condensador. 6) Conclusiones y Recomendaciones:
Puedo decir que para que las mediciones de esta prctica sean aceptables y tengan el menor nmero de errores en las mismas con respecto a los clculos tuvimos que ajustar las resistencias para los let ms posible a las calculadas ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho cambian los valores a medir de corriente y voltaje a rangos que no son aceptables; es decir que para el Transistor FET funcione correctamente las resistencias deben ser lo ms exactas posibles. I can say that so that the mensurations of this practice are acceptable and have the smallest number of errors in the same ones with regard to the calculations we had to adjust the resistances the most possible thing to those calculated the values of the same ones since if they went away a lot they change the values to measure from current and voltage to ranges that are not acceptable; that is to say that for the Transistor FET works the resistances correctly they should be the most exact possible. 7) Bibliografa Internet www,monografas.com/Ciruitos digitales/Mabel Gonzales Urmachea www.r-luis.xbot.es http://www.ingeniaste.com/ingenias/telecom/familias-logicas-CMOS.html Libros IRWIN, Anlisis de Circuitos en Ingeniera . Editorial CEAC. Barcelona-Espaa 1984,