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XAVIER CHECOURY, ZHENG HAN, DELPHINE NEL, SYLVAIN DAVID, MOUSTAFA EL KURDI, PHILIPPE BOUCAUD

Institut dElectronique Fondamentale (IEF) (UMR 8622, UPS / CNRS) UFR Sciences

Pige de cristal

De llectron au photon ! Au mme titre que le microprocesseur a rvolutionn llectronique partir des annes 70, le traitement dinformation fond sur loptique intgre sur puce est sur le point de devenir le fondement dune prochaine vague dinnovations.

Photo : Trajectoire des photons schappant du Soleil

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CNRS PHOTOTHQUE/CNET/LACTAMME/COLONNA JEAN-FRANOIS

ouvoir contrler la lumire comme on contrle les lectrons dans les dispositifs lectroniques daujourdhui, un tel challenge semble a priori bien difficile relever ! Cest pourtant la performance que peuvent raliser les cristaux photoniques. Des progrs spectaculaires ont t enregistrs au cours des dernires annes dans la ralisation de cristaux photoniques constitus de rseaux priodiques de trous percs dans un matriau semi-conducteur et notamment dans le silicium, matriau de rfrence de la microlectronique.

Bande interdite photonique


Le cristal photonique est apparu relativement rcemment dans la littrature scientifique (encadr 1) et il a ainsi t baptis par analogie avec les structures lectroniques et leur bande lectronique interdite*. Dans un cristal atomique, lnergie des lectrons ne peut pas prendre des valeurs comprises dans la bande interdite lectronique (ou gap). Dans un cristal photonique, ce sont les photons* dont lnergie (ou de manire quivalente la frquence) ne peut tre dans la bande interdite photonique. La propagation dans le cristal photonique de lumire dont la longueur donde se situe dans cette bande y est donc interdite. Un metteur lumineux plac au sein dun cristal photonique voit donc son mission fortement modifie, si sa longueur donde fait partie de cette bande interdite. Il est ainsi possible de modifier et contrler lmission lumineuse dune source couple au cristal photonique. Pour exploiter ce phnomne, il sagit de trouver un cristal photonique possdant des bandes interdites de propagation intressantes appeles gaps , autrement dit un matriau qui interdit la lumire de se propager dans certaines gammes de longueurs donde, et ceci quelle que soit sa direction de propagation. Ce matriau, opaque aux longueurs donde interdites, doit redevenir transparent lextrieur de ces gaps. En utilisant les cristaux photoniques, on peut par exemple envisager la fabrication de cavits parfaites. Un photon plac dans cette cavit ne pourra sen chapper, ou de manire plus raliste sa probabilit den sortir sera trs faible. Les applications pratiques de tels matriaux sont du plus grand intrt. Parmi la (trs) longue liste de ces applications, les cavits optiques font figure de brique de base. En effet, les cavits optiques cristaux photoniques de grand facteur de qualit (~ 106) et de petit volume modal (~ 0,1 m3) ont deux grands domaines dapplication : la ralisation de composants slectifs en longueur donde comme des filtres ainsi que des multiplexeurs / dmultiplexeurs pour le traitement optique des signaux. Lautre domaine dapplication, plus fondamental, concerne les expriences doptique quantique o lon cherche contrler lmission spontane dmetteurs uniques (effet Purcell*) ou mettre en vidence le couplage fort entre un metteur et le champ qui le manipule (oscillations

de Rabi*). Le contrle accru par les cristaux photoniques de lmission spontane en plus du contrle de lmission stimule permet la ralisation de lasers sans seuil ou trs faible seuil tout en prsentant de grandes vitesses de modulation. Ces deux applications ncessitent la ralisation de cavits de facteurs de qualit les plus levs possibles. A lInstitut dlectronique Fondamentale (IEF), nous avons russi fabriquer des cavits trs fort facteur de qualit qui se situent ltat de lart mondial. Nous donnerons dans cet article, deux exemples dapplications que nous dveloppons actuellement : des lasers ultra-compacts et des biocapteurs de trs grande sensibilit.

Des facteurs de qualit record


Une cavit typique cristal photonique fabrique lIEF est reprsente figure 1. La structure, entirement en silicium, comporte la cavit, deux guides cristal photonique pour se coupler la cavit et deux guides standards pour linjection et la collection de la lumire partir dune fibre optique. Les guides cristal photonique sont obtenus par omission dune range de trous dans un cristal photonique autrement parfait. Ils possdent eux aussi une bande interdite mais sur une plage de frquences comprise dans la bande interdite du cristal photonique. Ici, la cavit proprement parler est constitue par un ensemble de trous dcals dans un guide cristal photonique. Comme indiqu, le dcalage des trous est infrieur 10 nm, ce qui reprsente une trs faible variation par rapport la priodicit du cristal (420 nm). Ce dcalage est nanmoins suffisant pour que la frquence de rsonance de la cavit soit dans la bande interdite du guide. Le contrle des proprits du dispositif est donc obtenu lchelle du nanomtre et ncessite des moyens en nanotechnologie ultra-performants. Dans cette situation, la lumire ne peut alors quasiment pas schapper de la cavit car elle est bloque par la bande interdite du guide et par celle du cristal photonique. Seule une petite fraction de la lumire peut schapper verticalement car il ny a pas de bande interdite dans cette direction et le confinement seffectue par rflection totale interne. Dans une telle cavit, qui fonctionne pour des longueurs donde proches de 1,55 m, le temps de vie des photons pigs lintrieur est

/ FIGURE 1
Cavit cristal photonique et ses guides daccs. Les facteurs de qualit mesurs peuvent atteindre 2 millions. Les dcalages des trous ABC sont de 9, 6 et 3 nm respectivement. La priode du cristal photonique est de 420 nm et la taille de la structure de 20 m.

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nanmoins suprieur la nanoseconde, ce qui est une trs grande valeur pour des champs optiques oscillant prs de 200 THz. Nanmoins, pour utiliser une telle cavit, par exemple comme filtre, il faut pouvoir coupler de la lumire depuis lextrieur. Cela peut se faire par exemple en approchant latralement des guides cristaux photoniques qui permettent de faire entrer par couplage vanescent de la lumire sans pour autant dgrader les capacits de confinement de la cavit. En effet, plus le guide daccs est proche, plus la lumire entre facilement dans la cavit mais plus les capacits de confinement de la cavit sont rduites. La lumire entrant par le guide daccs de gauche ne peut sortir par celui de droite que si sa longueur donde est gale la longueur donde de rsonance de la cavit. Les cavits ralises avec ce type de dessin ayant des facteurs de qualit pouvant atteindre deux millions, la prcision sur la longueur donde, qui est proche de 1,55 m, doit tre de lordre de plus ou moins un demi picomtre*. On obtient ainsi un filtre optique planaire de

trs fort facteur qualit, et donc trs slectif, dont le spectre de transmission est reprsent figure 2 pour deux couplages diffrents. On le voit, lobtention de forts facteurs de qualit dpend dun contrle fin du couplage de la cavit et de ses guides daccs mais aussi du dessin de cavit utilis. On a aussi pu tester dautres schmas de couplage tel celui reprsent figure 3, o la lumire est directement couple la cavit sans guide daccs latral. La lumire, qui peut aussi tre collecte dans le plan lautre extrmit du cristal photonique, a ici t collecte par une camra infrarouge situe au-dessus de la cavit. la frquence de rsonance de la cavit, une petite fraction de la lumire peut schapper par la surface de lchantillon puisquil ny a pas de bande interdite dans la direction perpendiculaire au plan du cristal photonique. Cette lumire peut tre collecte par une fibre ou comme ici par une camra infrarouge pour obtenir une image du champ rayonn par la cavit. Dans tous les cas de figure, si lon souhaite mesurer

Les cristaux photoniques

Ds 1987, il a t montr thoriquement quil tait possible dinterdire la propagation de la lumire dans des matriaux dilectriques usuels grce la cration dune priodicit artificielle. De tels matriaux sont appels cristaux photoniques (CP) par analogie avec les cristaux semi-conducteurs caractriss par une bande interdite lectronique dcoulant de la priodicit cristalline. La propagation des photons est interdite lorsque leur nergie est situe dans une plage dnergies ou de frquences appele bande interdite photonique. En gnral, cette bande interdite photonique apparat pour des priodes du cristal voisines de la longueur donde de la lumire, cest--dire voisines de quelques centaines de nanomtres dans le cas de la lumire visible. Dans le monde de loptique, les cristaux photoniques sont apparus comme des gnralisations des miroirs de Bragg (Figure gauche). Connus depuis la fin du XIXe sicle, ces derniers sont des empilements priodiques dans une direction de lespace de couches dilectriques dindices de rfraction diffrents. Ils possdent une bande interdite photonique qui se manifeste par une trs forte rflectivit dans une certaine gamme de frquences correspondant la bande interdite. De telles structures sont aujourdhui largement utilises dans les systmes de tl-

communications par fibres optiques ou dans la fabrication de filtres optiques. tant assimilables des cristaux photoniques une dimension, ils ne permettent cependant le contrle de la lumire que dans une direction de lespace. Au contraire, les cristaux photoniques tridimensionnels (Figure droite) sont priodiques dans les trois directions de lespace et permettent de contrler la lumire totalement dans ces trois directions. Cependant, leur fabrication relve, encore aujourdhui, dune grande difficult technologique : il est, en effet, dlicat de raliser des structures dont la priode dans chacune des trois directions de lespace est de seulement quelques centaines de nanomtres. Un cas de figure intermdiaire est celui des cristaux photoniques bidimensionnels, priodiques dans seulement deux

directions de lespace (Figure centre). Les technologies de gravure hrites de lindustrie des semi-conducteurs permettent assez aisment la ralisation de structures ayant des priodes de quelques centaines de nanomtres dans deux directions de lespace. Ces cristaux photoniques bidimensionnels sont actuellement au cur de nombreuses recherches. Dans le cas de loptique, ils sont bien souvent constitus dun rseau priodique de trous dair gravs au travers dune membrane suspendue dans lair et ralise dans un semi-conducteur. Ils possdent une bande interdite dans le plan et se rvlent particulirement adapts la ralisation de dispositifs photoniques et opto-lectroniques de faibles dimensions, en optique intgre planaire, tout en permettant un contrle accru de la lumire.

/ FIGURE
De gauche droite, vues schmatiques de cristaux photoniques une, deux et trois dimensions. Gauche, miroir de Bragg. Centre, cristal photonique bidimensionnel en approche membrane. Droite empilement de sphres de type opale reposant sur un substrat.

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une cavit trs faiblement couple et qui prsente une faible transmission la rsonance, la lumire effectivement injecte dans la cavit puis collecte par des fibres optiques doit tre plus intense que la lumire de fond qui na pas t couple la cavit ni aux guides daccs. Pour amliorer le couplage entre une fibre et un cristal photonique, nous avons dvelopp un systme de guides suspendus et de pointes adaptatrices, appeles tapers, qui permettent un bon couplage entre une fibre et un cristal photonique tout en ne requrant, comme on le verra, quune seule tape de lithographie lectronique. La figure 4 gauche montre ainsi une pointe qui permet de coupler efficacement la lumire provenant dune fibre optique dans un guide optique suspendu par des poutrelles (figure 4 au milieu). Ces guides suspendus, qui mesurent environ 250 m de long et 500 nm de large et sont ensuite raccords au cristal photonique (figure 4 droite), permettent davoir un chantillon de taille globale denviron 0,5 mm plus facilement manipulable que des cristaux photoniques de seulement 25 m de long. De plus, ces guides sont plus simples et plus faciles raliser que des guides cristaux photoniques.

Une technique de fabrication innovante


La fabrication seffectue en utilisant les outils de lithographie lectronique et de gravure de la salle blanche de lInstitut dlectronique Fondamentale selon le procd dcrit ci-dessous. Les plaques de silicium utilises pour la fabrication des cristaux photoniques comportent une couche de 200 nm dpaisseur de silicium dans laquelle vont tre raliss les cristaux photoniques et qui est isole du substrat en silicium par une couche de silice de 2 m dpaisseur. Ces plaques de silicium sur isolant (SOI) sont recouvertes dune couche de rsine de 150 nm dpaisseur. Cette rsine, sensible aux lectrons, est ensuite insole en une seule tape au moyen dun masqueur lectronique avec les motifs que lon souhaite graver dans le silicium. Cette tape de lithographie lectronique est ralise en utilisant une tension dacclration des lectrons de 20 kV, contre 100 kV prochainement grce lacquisition dun nouveau masqueur qui permettra datteindre une meilleure rsolution*. Les trous sont insols en utilisant une forme de spirale commenant et finissant au centre du trou pour viter de trop insoler les

bords des trous et pour minimiser les effets de bord. Cette technique permet la ralisation de trous trs rguliers, ce qui est critique pour la ralisation de cavits cristaux photoniques de trs haut facteur de qualit. Lors du dveloppement, les zones ayant reu des lectrons et uniquement celles-ci sont dissoutes. Aprs dveloppement, la rsine comporte donc des motifs conformes ceux que lon veut graver dans le silicium. Ils sont transfrs au moyen dun plasma acclr capable de graver le silicium sans attaquer la rsine. Une fois la gravure du silicium effectue, la rsine est retire au moyen dun solvant. Si lon souhaite fabriquer des cristaux photoniques en approche membrane suspendue, approche qui permet lheure actuelle dobtenir les plus forts facteurs de qualit, il faut retirer la couche doxyde enterre, ce qui se fait usuellement par gravure humide au moyen dacide fluorhydrique. Les rsultats obtenus sur les cavits cristaux photoniques ouvrent de nouvelles perspectives quant la ralisation de lasers reposant sur des processus prsentant un trs faible gain, comme la diffusion Raman*. En effet, les cristaux photoniques, et en particulier les cavits cristaux photoniques, permettent dexalter les interactions entre la lumire et la matire. Mme pour des puissances incidentes trs faibles, le champ lectromagntique est trs intense au sein de la cavit la rsonance, du fait de leffet de pigeage de la lumire.

Premire application : un laser ultracompact


La diffusion Raman, qui est un processus nonlinaire universellement prsent dans les solides, les liquides et les gaz, est couramment utilise pour caractriser la composition molculaire et la structure dun matriau. En effet, le dcalage en longueur donde entre lumire incidente et lumire diffuse est caractristique des liaisons chimiques et de la symtrie des molcules responsables de la diffusion. La spectroscopie Raman, ou ses variantes comme la spectroscopie Raman exalte de surface, savre donc un outil de choix pour caractriser diverses molcules. Si terme les cristaux photoniques devraient permettre de raliser des capteurs ultra-compacts et ultra-sensibles utilisant la diffusion Raman des molcules du milieu baignant le cristal photonique, nous avons commenc par tudier un systme plus simple mais prsentant lui-

/ FIGURE 2
Spectre de transmission de la structure prsente sur la figure 2 pour deux couplages diffrents : gauche la cavit et le guide cristal photonique ne sont spars que de quatre ranges. Le couplage entre le guide et la cavit est fort mais le facteur de qualit nest que de 800 000. droite, le guide cristal photonique et la cavit sont spars de cinq ranges, le couplage ainsi que la transmission sont plus faibles mais le facteur de qualit atteint deux millions.
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aussi un grand intrt. Il sagit dun laser reposant sur la diffusion Raman du silicium, le matriau constituant les cristaux photoniques. Lintrt dun

/ FIGURE 3
Images infrarouges en fausses couleurs dune cavit observe par la surface deux longueurs donde diffrentes. La structure du cristal a t ajoute pour plus de lisibilit. Haut : hors rsonance la lumire arrivant par la droite est bloque lentre du cristal photonique qui se comporte comme une barrire infranchissable. Bas : la longueur donde de rsonance de la cavit, la lumire traverse le guide et est en partie rayonne au niveau de la cavit vers la surface.

Des biocapteurs en diamant

Nous dmarrons une tude, en collaboration avec le CEA-LIST, visant terme la fabrication de nanostructures, y compris de cristaux photoniques, base de diamant pour le dveloppement de biocapteurs optiques. Le diamant est un matriau biocompatible extrmement bien tolr par le corps humain. Il prsente lavantage dune extrme stabilit et ne prsente aucune ractivit. Pour fonctionner, les biocapteurs en diamant synthtique sont alors fonctionnaliss, cest-dire quils sont recouverts dun matriau alternatif servant de rcepteur sensible lespce chimique recherche et qui est directement attach la surface du diamant. Ceci peut se faire aisment, notamment par liaison covalente, grce la terminaison carbone du diamant.

tel laser, outre le fait quil soit en silicium et de taille permettant lintgration sur puce, est quil prsente des fluctuations (on parle aussi de bruit) dintensit et de phase optiques plus faibles que ceux des lasers semi-conducteurs classiques. De plus, de tels lasers Raman cristaux photoniques doivent pouvoir tre moduls plus rapidement que les autres lasers semiconducteurs tout en ncessitant des puissances de pompes relativement faibles de lordre du milliwatt. En effet, si les micro-cavits cristaux photoniques permettent dexalter les effets non linaires, comme leffet Raman, grce au fort confinement du champ lectromagntique, un effet connu sous le nom deffet Purcell*, qui nexiste que pour les cavits de trs faible volume et fort facteur de qualit, vient aussi exalter le processus de diffusion. Nous avons ainsi pu mettre exprimentalement en vidence une augmentation du taux dmission Raman spontane de prs de deux ordres de grandeur dans des guides cristaux photoniques par effet Purcell compar des guides en silicium standards. De plus, nous avons pu obtenir une formule analytique caractrisant cette exaltation en trs bon accord avec lexprience. Ces travaux ont dj montr que le coefficient de couplage de lmission spontane Raman au mode de la cavit est proche de 1, si bien que presque tous les photons mis spontanment le sont dans un unique mode. Un laser construit sur une telle cavit prsentera des proprits uniques en termes de seuil et de rapidit de modulation. Nous avons pu galement rcemment observer de lmission Raman stimule, cest--dire un effet de gain li la diffusion Raman, pour des puissances de pompe de lordre de 10 mW dans ces structures. Il sagit dun pas supplmentaire vers la ralisation dun laser ultracompact fonctionnant dans une gamme spectrale o le silicium est transparent.

Deuxime application : des biocapteurs ultra sensibles


Une autre application des cavits cristaux photonique concerne la ralisation de capteurs optiques. Les facteurs de qualits obtenus dans les cavits cristaux photoniques tant extrmement levs, le moindre changement de lenvironnement extrieur

/ FIGURE 4
Images par microscopie lectronique balayage des structures fabriques lIEF. Gauche : Taper invers permettant un meilleur couplage entre une fibre optique et le guide ruban en silicium. Centre : guide optique suspendu par une poutrelle. Les points dattache sur le guide font environ 50 nm. Droite : interface entre le guide daccs et le guide cristal photonique. La priode du cristal photonique est de 420 nm et le rayon des trous est de 100 nm.

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du cristal photonique peut suffire dgrader le facteur de qualit ou dplacer de manire significative la frquence de rsonance de la cavit. Ainsi les cristaux photoniques reprsentent une plate-forme intressante pour la ralisation de nouveaux capteurs ultrasensibles despces chimiques intgrs sur des puces de taille sub-millimtrique. En effet, les cristaux photoniques sont trs sensibles la variation dindice de rfraction* produite par le passage au travers de leurs trous de molcules ou par limmobilisation dune molcule la surface du cristal photonique. Le fonctionnement de tels capteurs est similaire celui des nombreuses techniques de dtection bases sur les variations dindice induites la surface de micro-tores ou de microsphres de silice. De plus, au contraire des techniques prcdentes, les cristaux photoniques peuvent tre dessins pour localiser le champ lectrique dans les rgions de faible indice de rfraction (figure 5), cest--dire dans les trous, ce qui en fait des capteurs beaucoup plus sensibles de trs petites variations dindice de rfraction. Fort de la matrise dj obtenue dans la fabrication de cristaux photoniques silicium, nous poursuivons nos tudes sur le dessin des cavits pour encore augmenter leur facteur de qualit et ainsi les rendre

plus sensibles des variations dindice de rfraction (encadr 2). De plus, nous cherchons de nouveaux dessins de cavits de faon mieux adapter ces dernires la dtection despces chimiques cest--dire de faon ce que le champ lectromagntique soit principalement confin dans le milieu baignant le cristal photonique en silicium.

/ FIGURE 5
Intensit du champ lectrique simul dans un guide cristal photonique fendu. Le champ a t calcul au moyen dune dcomposition sur une base dondes planes tridimensionnelles. La surface iso-intensit en rouge sombre indique que le champ se trouve principalement dans la fente dair au centre du guide. De tels guides peuvent tre utiliss pour raliser des cavits ultra-sensibles leur environnement extrieur.

Glossaire
Bande lectronique interdite :
En physique des solides, la thorie des bandes est une modlisation des valeurs dnergie que peuvent prendre les lectrons dun solide lintrieur de celui-ci. De faon gnrale, ces lectrons nont la possibilit de prendre que des valeurs dnergie comprises dans certains intervalles, lesquels sont spars par des bandes dnergie interdites. Cette modlisation conduit parler de bandes dnergie ou de structure de bandes. Selon la faon dont ces bandes sont rparties, il est possible dexpliquer au moins schmatiquement les diffrences de comportement lectrique entre un isolant, un semi-conducteur et un conducteur. gie de la vibration cre (ou dtruite) dans lchantillon et est donc caractristique du matriau constituant lchantillon. (1 A = 100 pm) pour mesurer les longueurs des liaisons chimiques, qui ont alors typiquement quelques centaines de picomtres de long ; les atomes ont en effet un rayon de 31 pm pour le plus petit (latome dhlium) jusqu 298 pm pour le csium, le plus gros des atomes connus. Des units plus petites telles que le femtomtre peuvent tre utilises pour dcrire les noyaux atomiques ou encore les particules subatomiques.

Effet Purcell :
Leffet Purcell rsulte de la modulation du couplage dune source aux modes lectromagntiques. Quand un environnement modifie, en un point de lespace, la distribution spatiale et spectrale des modes lectromagntiques, il modifie galement la faon dont une source place en ce point se couple au champ lectromagntique et par extension son mission spontane.

Photon :
Petit grain (particule) de lumire. La lumire est une onde lectromagntique caractrise par sa longueur donde mais on peut aussi considrer quelle renferme des petits grains dnergie, les photons.

Oscillations de Rabi :
Lorsquun metteur, comme un atome ou une boite quantique, est fortement coupl une onde lectromagntique, lmetteur se met mettre et r-absorber la lumire de manire cyclique. Ce cycle porte le nom doscillation de Rabi. Il en rsulte un ddoublement de la raie dmission de lmetteur.

Diffusion Raman :
Le principe de la spectroscopie Raman consiste envoyer une lumire monochromatique (une seule couleur et pas un mlange) sur lchantillon tudier et analyser la lumire diffuse. Le processus mis en jeu est le suivant : les photons incidents sont dtruits et leur nergie sert crer des photons diffuss et crer (processus Stokes) ou dtruire (processus anti-Stokes) des vibrations dans lchantillon tudi. La diffrence dnergie entre le photon incident et diffus est gale lnerPLEIN SUD SPCIAL RECHERCHE 2010/2011

Rsolution :
Dimension du plus petit dtail discernable dans une image.

Rfraction (indice de ) :
Lindice de rfraction dun milieu une longueur donde donne mesure le facteur de rduction de la vitesse de phase de la lumire dans le milieu. Les rayons de lumire changent de direction lorsquils passent dun matriau un autre. Cet effet, appel rfraction est la base de la conception des lentilles optiques.
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Picomtre :
Le picomtre (symbole : pm) est une unit de longueur du systme mtrique, quivalent 1 pm = 10-12 m ou encore 1/1 000 000 000 000 m. Cette unit remplace langstrm