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1

Introduction gnrale

Cycle de la connaissance scientifique















Les capteurs et la chane d'acquisition sont au coeur de beaucoup de systmes
industriels ainsi que dans les laboratoires de contrle et de la recherche scientifique.
La chane dacquisition permet de transformer une grandeur mesurer en une
information numrique. La chane d'acquisition classique comporte 4 composants :








Outils
exprimentaux
Lois de la
Physique
Mesures
Quantitatives
Phnomnes
Physiques
Vrifications

Etablissement
de lois
empiriques
Partie 1 : Les Capteurs
Partie 2 : Electronique Associe aux Capteurs
Partie 3 : Acquisition de Donnes
Plan du cours

2
Exemples dapplications des capteurs et chanes de mesure: malgr son ampleur
exceptionnelle cette partie ne reprsentera jamais qu'un tout petit morceau du
domaine

capteurs de mesures physiques
pression force acclration
temprature
champ magntique
radioactivit
dbit (liquide ou gaz)
capteurs chimiques
humidit relative de l'air
capteurs de gaz
capteurs lectrochimiques
biocapteurs
capteurs multimdia
capteurs optiques et d'image
son
applications mdicales
Gnie BioMdical
ECG
mesures d'impdance
instrumentation ambulatoire
imagerie mdicale
posturologie
tissus biologiques
capteurs pour l'automobile
contrle de combustion
scurit et aide au pilotage
le pilotage assist
hypovigilance et scurit
gadgets contemporains
bus et systme dcentralis
capteurs pour la climatologie
capteurs de pluie
les capteurs de vent
capteurs d'ensoleillement

Daprs Michel Hubin (http://perso.orange.fr/michel.hubin/)
Voir aussi :
1/ Francis Cottet (Dunod 1997), Traitement des signaux et acquisition de donnes
2/ Georges Asch et Collaborateurs (Dunod 1998), Les capteurs en instrumentation industrielle
3/ P. Grcias et J.-P. Migeon (Tec et Doc 1999), Electricit, lectronique, lectromagntisme
4/ Pierr-Alain Goupille (Masson 1994), Technologies des ordinateurs
5/ P.-A. Paratte et P. Robert (Presses polytechniques romandes 1986), Trait d'lectricit : systme
de mesure
6/ R. Duffait et J.-P. Livre (Bral 1999), Agrgation de sciences physiques : Expriences
d'lectronique
7/ G. Asch et Collaborateurs (Dunod 1999), Acquisition de donnes, du capteur lordinateur

3

Partie 1 : Les Capteurs

1 Les capteurs, leurs caractristiques mtrologiques
2 Thorie des bandes d'nergie
3 La lumire, proprits fondamentales
4 Capteurs optiques
5 Capteurs de temprature
6 Capteurs de dformation
7 Autres capteurs

1 Les capteurs, leurs caractristiques mtrologiques ................................................. 4
1.1 Rponse statique d'un capteur............................................................................ 4
1.2 Grandeurs d'influences....................................................................................... 4
1.3 Etendue de mesure ............................................................................................. 5
1.4 Domaine de linarit.......................................................................................... 5
1.5 Rsolution - Prcision........................................................................................ 6
1.6 Rapidit - temps de rponse............................................................................... 6
1.7 Sensibilit (statique et dynamique).................................................................... 6
1.7.1 Sensibilit statique..................................................................................... 6
1.7.2 Sensibilit dynamique ............................................................................... 6
1.8 Fidlit et finesse ............................................................................................... 7
2 Thorie des bandes d'nergie................................................................................... 8
2.1 Les semi-conducteurs (SC) ................................................................................ 9
2.2 La jonction p-n (diode) .................................................................................... 10
3 La lumire, proprits fondamentales ................................................................... 13
3.1 Aspect ondulatoire ........................................................................................... 13
3.2 Aspect corpusculaire........................................................................................ 13
3.3 ............................................................................................................................. 14
3.4 Photomtrie ...................................................................................................... 14
4 Capteurs optiques................................................................................................... 15
4.1 Caractristiques................................................................................................ 15
4.2 Exemples de capteurs optiques ........................................................................ 16
5 Capteurs de temprature ........................................................................................ 17
5.1 Les thermocouples ........................................................................................... 17
5.2 Thermomtrie par rsistance............................................................................ 18
6 Capteurs de dformation........................................................................................ 19
6.1 Quelques dfinitions ........................................................................................ 19
6.2 Jauge de dformation....................................................................................... 19
6.3 Les Capteurs pizolectriques.......................................................................... 19
6.3.1 Permittivit des dilectriques (= isolants)............................................... 19
6.3.2 Polarisation de la matire ........................................................................ 20
6.3.3 La pizolectricit ................................................................................... 20
7 Autres capteurs ...................................................................................................... 22


4


1 Les capteurs, leurs caractristiques mtrologiques
1.1 Rponse statique d'un capteur
A chaque mesurande m est associ un capteur dont le rle est de traduire ce
mesurande en une grandeur lectrique (m) qui peut tre une tension, un courant, une
charge ou encore une impdance.











Lorsqu'on trace la courbe E(m), implicitement on suppose :
- que chaque point de la courbe correspond une position dquilibre (statique).
- que toutes les grandeurs d'influence (temprature, humidit, ) sont fixes.

1.2 Grandeurs d'influences
La relation E=F(m) entre mesurande et grandeur lectrique n'est de cette forme que
dans le cas idal. En ralit, beaucoup d'lments autres que le mesurande peuvent
modifier la grandeur E. La relation est de la forme : E=F(m,g1,g2,.) o les g
i
sont les
grandeurs d'influence.
Les grandeurs d'influence sont variables d'un capteur l'autre car elles dpendent du
processus physique mis en oeuvre. On retrouve les grandeurs de type mcanique ou
thermique mais aussi des grandeurs lectriques.
On les classe en deux types :
- grandeurs d'ambiance : grandeurs physiques indpendantes du mesurande
(temprature, hygromtrie, champ magntique...). La temprature joue souvent un
rle important. Elle provoque deux types de phnomnes : dilatation des corps et
modifications des proprits lectriques (changement de conductibilit et de
caractristiques dilectriques). Les variations de pression, les forces (ventuellement
d'inertie) provoquent des dformations. Les champs magntiques peuvent induire des
f.e.m. parasites.
- grandeurs d'influence d'alimentation : paramtres lectriques (courant, tension,
frquence) des circuits d'alimentation du capteur.

Face ces grandeurs d'influence, il y a plusieurs attitudes possibles :
- prise en compte : lorsqu'on utilise le capteur pour mesurer m, il faut en parallle
mesurer toutes les grandeurs d'influence.
(m)
m = pression
Capteur
Caractristique et sensibilit en m
0
S(m
0
)
m
(m)
m
0

5
- Isolation du capteur vis--vis des lments pouvant modifier les grandeurs
d'influence : blindage lectromagntique; suspension antivibratoire;
- Stabilisation des grandeurs d'influence :
enceinte thermostate; sources de courant et de tension stabilises ;
- Compensation par un circuit lectrique ou lectronique adapt (mthodes utilisant
des ponts par exemple)

1.3 Etendue de mesure
L'tendue de mesure est dfinie sur la courbe d'talonnage du capteur (ci dessous). A
l'extrieur de cette zone se trouvent deux valeurs particulires: le seuil et la
saturation.
Le phnomne de saturation est frquemment rencontr en physique. Mme si la
valeur du mesurande augmente, la grandeur de sortie ne peut dpasser une valeur
maximale E
max
: pour m>m
max
, E=E
max
.On ne peut donc pas effectuer de mesurage
pour des valeurs au dessus de
m
max
. L'origine peut tre
mcanique (butes...) ou
lectrique (limitation en courant
ou tension...). La saturation
n'existe pas forcment, et l'on peut
arriver dans le domaine de
dtrioration du capteur sans
atteindre de saturation. Le seuil
correspond la valeur minimale
du mesurande ncessaire pour
obtenir une grandeur de sortie non
nulle : pour m<m
0
, E=0. Cet effet
de seuil peut provenir de
frottements solides, du fonctionnement de diodes... En rsum, on ne peut mesurer
que des mesurandes compris entre m
0
et m
max
. La portion linaire de la caractristique
est elle encore plus rduite.
Rappelons aussi qu'il ne faut pas confondre l'tendue de mesure telle qu'elle est
dfinie par le constructeur du capteur et la plage de mesure (souvent abusivement
appele tendue de mesure) qui sera celle d'une application donne et qui sera donc
en rgle gnrale sensiblement rduite par rapport l'tendue de mesure.

1.4 Domaine de linarit
Le domaine de linarit est le domaine
pour lequel la caractristique est une
portion de droite. Dans ce domaine, la
variation de la grandeur de sortie est
proportionnelle la variation du
mesurande. Si le capteur est
parfaitement linaire, la caractristique
est une droite (ou une portion).

6
Dans la ralit, un capteur dcrit comme linaire prsente toujours un cart par
rapport la linarit.

1.5 Rsolution - Prcision
C'est un paramtre qui n'apparat pas directement sur la courbe de rponse mais qui
est une caractristique de la rponse. C'est la plus petite variation de mesurande que
peut dtecter le capteur.
On exprime trs souvent la prcision en pourcentage de l'tendue de mesure (ou de la
pleine chelle % P.E. soit en anglais % fso, pour full scale output).

1.6 Rapidit - temps de rponse
Jusqu' maintenant, on ne s'est intress qu'au rgime permanent. Or il y a toujours
un rgime transitoire avant l'tablissement
de ce rgime permanent. Il faut donc
valuer le temps au bout duquel ce rgime
transitoire devient ngligeable.
La rapidit est caractrise par le temps
que met le capteur ragir une variation
brusque du mesurande. Cependant la
valeur finale tant le plus souvent atteinte
de manire asymptotique on retient alors
comme principal critre dvaluation de la
rapidit dun systme, le temps de rponse
n% (en pratique le temps de rponse 5%).
La connaissance du temps de rponse d'un capteur est un lment essentiel lors de la
ralisation de mesures. Il permet de dterminer au bout de combien de temps (pour
une prcision donne) aprs un changement de mesurande la grandeur fournie par le
capteur est effectivement reprsentative du mesurande.


1.7 Sensibilit (statique et dynamique)

1.7.1 Sensibilit statique
La sensibilit d'un capteur est
dm
d
m

S(m) = = .
C'est la pente de la portion linaire de la caractristique. On peut gnraliser la
dfinition de la sensibilit statique aux portions de la caractristique non linaires par
la drive instantane. Dans ce cas, il faut prciser pour quelle valeur du mesurande
on a calcul la sensibilit.

1.7.2 Sensibilit dynamique
(m
0
,s
0
) reprsente un point de la caractristique statique appel point de
fonctionnement. Dans le cas linaire, et uniquement dans ce cas, on dfinit une
rponse dynamique par le rapport S(f)=E(f)/m(f) appel la sensibilit dynamique.
E

7











Ex0


1.8 Fidlit et finesse
Toute mesure sera entache d'une erreur qu'il est important de connatre.
- l'erreur systmatique. Elle est toujours dans le mme sens et de la mme
amplitude. On peut la dtecter en effectuant des mesures avec un autre appareillage.
- l'erreur accidentelle possde une amplitude et un sens alatoires, ses causes
peuvent tre varies.
i) la valeur moyenne de n mesures est
n
m
m
n
1 i
i
=
= > <

ii) L'amplitude de la dispersion est donne par l'cart type :

iii) Loi de Gauss : La probabilit d'obtenir comme rsultat d'une mesure une valeur
comprise entre m
1
et m
2
est :

=
2
1
m
m
2 1
p(m)dm ) m , P(m

o p(m) est la densit de probabilit :
|
|

\
|
> <
=
2
2
2
) m (m
exp
2
1
p(m) Ex1, Ex1bis
E
1 n
) m (m

n
1 i
2
i

> <
=

=

8


















a) appareil (capteur) ni juste, ni fidle.
b) appareil fidle, mais non juste.
c) appareil juste, mais non fidle.
d) appareil juste et fidle donc prcis.

Remarque : On distingue, les capteurs actifs, gnrateurs d'lectricit et les capteurs passifs ncessitant une alimentation
spare et un circuit mesurant leur impdance.



2 Thorie des bandes d'nergie


Dans un atome isol les niveaux d'nergie des
lectrons sont discrets.







Dans la matire condense, les niveaux se
regroupent en bandes d'nergie. Celle de plus
grandes nergies s'appelle bande de
conduction (BC). La bande qui lui est immdiatement infrieure est appele bande de
valence (BV).

9
Selon la disposition relative de ces 2 bandes, on peut classer les solides en 3
grandes familles : les isolants, les semi-conducteurs et les conducteurs.
Les isolants

En augmentant la temprature,
on fait passer des lectrons de la
BV la BC donnant une
augmentation de la conductivit
lectrique.



Les semi-conducteurs
La conductivit lectrique est
=
0
exp(-E
g
/kT).

[Constante de Bolztmann:
k = 1.38 10
-23
J.K
-1
]
[t (C) = T (K) 273.15]

Les conducteurs
Les lectrons sont dits "libres" et forment ce qu'on
appelle un gaz d'lectrons. On a = a T
-1
.
Ex2
Loi dOhm :

2.1 Les semi-conducteurs (SC)
L'atome de Si
est constitu
d'un "cur"
positif (q =
+4
e
) form par
le noyau et les
lectrons des
couches
profondes
entour de 4
lectrons de
valence (q' = -
4
e
). Le
silicium est dit
ttravalent.
A temprature ambiante, environ 1 atome sur 10
10
est ionis et donne 1 lectron de
conduction + 1 trou de conduction Si est peu conducteur.
Energie
E
g
> 10
-18

J
BC
BV
Bande vide
Bande
remplie
E
g
10
-19
J
BC
BV
Energie

Energie


BC
BV
+
+ +
+ +
+ + +
+
Electron de
valence
Liaison de
valence

10
Lorsque le SC contient des atomes trangers, par exemple de l'antimoine (Sb)
pentavalent, l'lectron supplmentaire apport par cette impuret passe facilement
dans la BC.







Ex2bis
Noter que dans ce processus, des trous dans la BV ne sont pas crs, les porteurs de
charge majoritaires tant les lectrons, on dit qu'il s'agit d'un semi-conducteur de type
n. L'atome tranger, l'antimoine, est dit donneur (d'lectrons).

Si l'impuret est trivalente, par exemple
de l'aluminium (Al), il va manquer un
lectron dans une liaison covalente
puisque l'aluminium n'apporte que 3
lectrons de valence. Ce trou
transportant une charge positive
participe la conduction lectrique.
Chaque impuret trivalente cre un trou
dans la bande de valence. Cette fois les
porteurs majoritaires sont les trous, le
SC est dit de type p. L'atome tranger
est dit accepteur (d'lectrons).
2.2 La jonction p-n (diode)

Le dopage non-uniforme d'un SC, qui met en prsence une rgion de type n et une
rgion de type p constitue une jonction pn. Prenons l'exemple suivant d'une jonction
abrupte.











+
Impuret Sb
+4
+4
+4
+3
Impuret Al
+4


10
-21
J
E
g
10
-19
J
BV
BC

Donneurs

Type n
x Jonction pn
Densit volumique
d'impurets
Accepteurs

Type p

11
+3
Rgion p jonction rgion n
+5
+3 +5
Q < 0 Q > 0
zone charge zone charge
ngativement positivement


E
Du fait de la continuit du rseau cristallin, les trous de la rgion p et les lectrons de
la rgion n ont tendance uniformiser leur concentration dans tout le volume
disposition. Une force lectrique va s'opposer ce phnomne de diffusion.
a) Initialement, chacune de ces 2 rgions est neutre. La diffusion d'un lectron de la
rgion n vers la rgion p donne la figure b).
On crit ce phnomne sous la forme : e' + h


b) i/ proximit de la
jonction, les concentrations
de porteurs de charge n et
p deviennent ngligeables
cette zone devient
isolante et est appele zone
de dpltion.
ii/ la rgion p proximit
de la jonction n'est plus
neutre, elle porte une
charge globale ngative ( 4
e' pour un cur +3e). De
mme la rgion n
proximit de la jonction
devient positive (4 e' pour
un cur +5e). La zone de
dpltion est aussi appele
zone de charge d'espace.
iii/ enfin, ces 2 charges
opposes donnent
naissance un champ
lectrique dit interne qui
s'oppose la cause qui lui a donn naissance : le systme tend vers un quilibre.

Notre modle d'une jonction pn:



+
-
zone
isolante

Conduction
par lectrons
Conduction
Par trous
n p
E
interne


12

n p
A
i
s


* Si la jonction est court-circuite comme ci-
contre, un courant extrmement faible i
s
10
-10
A
circule. Des paires lectrons-trous cres par
l'agitation thermique sont son origine. Le
champ interne spare les charges et les
acclrent.




* Si on polarise la jonction en direct, la fem
externe V injecte des lectrons dans la partie n ce
qui fait que la charge d'espace positive diminue. En
consquence le champ interne aussi. Pour une
valeur suffisamment grande de V, typiquement 0.6
V, la jonction devient conductrice.



* Si on polarise en inverse, la charge d'espace et le
champ lectrique interne augmentent. La zone de
dpltion isolante devient plus large : la jonction
est bloquante.









La caractristique I = fct (V) est
donne par la relation
(

= 1 ) exp(
kT
eV
I I
s
avec I
s

qui dpend la fois de la
temprature T et de la largeur de
la bande interdite E
g
.

i
V

n p

V

n p

-1.0 -0.5 0.0 0.5
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I = 1e-10*(exp(1.6 1e-19*col(a)/1.38e-23/300)-1)
I
s
= - 10
-10
A


I (A)
V (V)

13
3 La lumire, proprits fondamentales
3.1 Aspect ondulatoire
une onde lectromagntique se propage :

- dans le vide la vitesse c = 3 10
8
m.s
-1

- dans la matire, la vitesse v = c/n o n est l'indice de rfraction du milieu.
La frquence et la longueur d'onde sont relies par la relation v = ..

On dit qu'une lumire est polarise lorsque le champ lectrique qui lui est associ
garde une direction fixe au cours de la propagation.

3.2 Aspect corpusculaire
Particules appeles photons porteurs chacun d'une nergie lmentaire W

= h
[Constante de Planck, h = 6.63 10
-34
J.s.]



Effet photolectrique si h W
L

W
L
: nergie de liaison de l'lectron
frquence, longueur seuil:
s
= W
L
/h,
s
= hc/W
L
.





Polarisation de
la lumire
Rpartition spectrale des
rayonnements optiques
lectron
h
Mtal

14
Pour les SC "purs", le "gap" est important.
Seuls les photons trs nergtiques pourront
crer des porteurs de charge.








SC extrinsques: l'nergie de
liaison gale l'nergie
d'ionisation des impurets.
Ces nergies sont de l'ordre
de E
g
/100 et ces SC seront
sensibles des photons de
faibles nergies.
Ex3, Ex3bis

3.3
3.4 Photomtrie
* nergie rayonnante Q (J) = nergie mise, propage ou reue sous forme de
rayonnement.
* le flux nergtique (J.s
-1
ou W) = puissance de rayonnement,
dt
dQ
=
.
* l'clairement nergtique E (J.s
-1
.m
-2
) = puissance reue par unit de s,
dA
d
E

=
.
* photomtrie visuelle, grandeurs rapportes la sensibilit de l'oeil humain.
Les grandeurs sont
rapportes la sensibilit
moyenne de l'il humain,
on a par exemple :
E
v
(0.51m) = E(0.51m)/2
puisque l'il humain est
cette longueur donde
moiti sensible qu 0.555
m (jaune-vert). Ce type
de photomtrie est
importante pour les
applications, par exemple pour la conception de l'clairage public.

lectron
trou BV
BC
E
g

h > E
g

SC intrinsque
h
E
D

lectron
trou
Donneur
ionis
SC type n
h
E
A

lectron
trou
Accepteur
ionis
SC type p

15
4 Capteurs optiques
4.1 Caractristiques

* le courant d'obscurit I
0






* la sensibilit :









courant total : I = I
0
+ I
p

courant photolectrique : I
p
= N.e
sensibilit :

=
d
dI
) ( S
p

nombre de photons incidents :
c h h
n
i

=

=

nombre de photons absorbs :
i
a
n ) R 1 ( n =
[ coefficient de rflexion : R ]
Ip = N.e = .n
a
.e = e.. (1-R).n
i
= e.. ) 1 ( R .
c h

[rendement quantique : ]


hc
). R 1 .( . e ) ( S

=




En ralit, R et dpendent de et la
sensibilit observe est reprsente ci-contre
en trait plein.

Photon
thermique (IR)
Phonon (quantum
associ aux
vibrations du rseau
cristallin)
e'
Photon
rflchi
phonon
lectron

incident

16


4.2 Exemples de capteurs
optiques


- la cellule photoconductrice
sensibilit 10
-1
10
2
A.W
-1
.



- la photodiode

courant d'obscurit I
0
= Is 10
-10
A
Sensibilit 10
-1
1 A.W
-1

- photodiode avalanche
polarise en inverse de trs
grandes tensions ( 200 V).
Sensibilit 50 A.W
-1
!





- le photomultiplicateur
effet photolectrique sur des
lectrodes mtalliques de
potentiels croissants.
Sensibilit 10
3
10
7
A.W
-1
!
La tension totale HT est
typiquement 10
3
V.

I
p

V
I
p

E

h

h

e'
V

n p

Caractristiques typiques, ici pour =0.9 m
h
E
atom
e'

17
5 Capteurs de temprature
* La temprature est une mesure l'agitation molculaire. L'nergie cintique d'une
molcule de gaz mono-atomique est
e
c
= mv
2
= 3/2 kT
[T temprature absolue en Kelvin]

* L'chelle de Celsius est donne par la relation t (C) = T (K) 273.15
5.1 Les thermocouples

La fem dite "Seebeck" est la rsultante de 2 effets :

a) Effet Thomson
fem dite de Thomson :

= =
m
n
n m
T
T
A
n m
T T
A
dT h V V E

le coefficient de Thomson h
A
dpend de la
temprature.

b) Effet Peltier
la jonction de 2 conducteurs A et B est le sige
d'une fem P, dite de Peltier, ne dpendant que de
la temprature et de la nature des conducteurs.
V
A
est le potentiel du conducteur A
immdiatement avant la jonction AB place la
temprature T, il en va de mme pour V
B
.

a) et b) Effet Seebeck : Quelle relation lie
n
T
m
T
A
E
et
m
T
n
T
A
E
. Mme question pour
T
AB
P
et
T
BA
P
. On peut considrer le thermocouple AB comme
un circuit ferm comportant des sources de tension (les fem
Thomson et Peltier) et une rsistance en srie r, quivalente
celles des fils et des jonctions. Reprsenter ce circuit.
Montrer que la somme des fem de ce circuit est :

+ =
ref
T
x
T
B A
ref
T
AB
x
T
AB
ref
T
x
T
AB
dT h h P P S ) (

ref
T
x
T
AB
S
correspondant la combinaison des effet Thomson et Peltier est appeles fem
Seebeck.

T
X

A
B
T
ref

fem
V
m
- V
n

A
T
m
T
n

B A
T
AB
V V P =

A B
T
T
X

A
B
T
ref

fem

18
Mesure de la fem Seebeck :
On veut mesurer la fem e aux bornes de la jonction AB l'aide d'un voltmtre dont le
circuit est reprsent par le
conducteur C (par exemple du
cuivre) la temprature
ambiante qu'on notera T
a
. La
jonction AB est la temprature
T
x
. Montrer que e=
TxTa
AB
S . On
tiendra compte de l'existence
des jonctions AC et CB.


En rsum, on a montr que la tension mesure aux bornes d'une jonction AB tait
V=
a x
T T
AB
S
.

Ex6, Ex7

5.2 Thermomtrie par rsistance

La variation de rsistance en fonction de la temprature est pour les mtaux :
R(tC) = R
0
(1 + at + bt
2
+ ct
3
)
Pour les thermistances (semi-conducteurs) :
Un
talonnage
permet de
dterminer
les constantes R
0
, a,b, comme on l'a vu
prcdemment.

Les constructeurs spcifient le coefficient de
temprature
dt
dR
T R
t
R
) (
1
) ( =

Les thermistances ont une grande sensibilit
(30.K
-1
), elles permettent de dterminer
des variations de temprature de l'ordre de 10
-
3
10
-4
K.
Un exemple des caractristiques d'une
thermistance commerciale est donn ci-
contre.
Ex8, Ex8bis

(

= )
1 1
( exp ) (
0
0
T T
A R K T R
C
T
ambiante

T
X

A
B
Voltmtre
e

19
6 Capteurs de dformation
6.1 Quelques dfinitions
* Dformation
L
L
=

* Contrainte
s
F
=
[s section m
2
]
* Limite d'lasticit = contrainte maximale au-dessus de laquelle, la dformation
devient permanente, la matriau devient plastique.
* Dformation parallle et dformation perpendiculaire la contrainte :


a
a
=
et
//

b
b
=
avec

= - .
//

le coefficient de Poisson = 0.3 pour les mtaux
* Loi de Hook :
//
=

Y
1
, Y est appel coefficient de Young.
Ex9

6.2 Jauge de dformation
Elle est constitue d'un fil mtallique de rsistivit ,
section s et longueur n.L. La jauge est colle sur la
structure tudier et subit les mmes dformations que la
structure. Ces dformations induisent d'une part, une
variation des dimensions du fil, d'autre part une variation
de sa rsistivit due l'effet pizo-rsistif :
V
V
C

=



[ rsistivit, V volume du conducteur et C 1 est la
constante de Bridgman ]
Ex10

6.3 Les Capteurs pizolectriques
6.3.1 Permittivit des dilectriques (= isolants)

Q
d
= C
d
V > Q
0
= C
0
V C
d
> C
0

L
F
F
L

a
b
L
n = 10
e
-
-
+
+
+ + + +
+
- - - -
-
L
Q
d
Q
0

20
Constante dilectrique relative :
0 0 0
d
r
L
s
L
s
C
C

= =


Cd =
r

0
s/L [
0
=8.85 10
-12
F.m
-1
]

6.3.2 Polarisation de la matire








diple de moment dipolaire
Q . . 2 a p =


polarisation = moment dipolaire par unit de volume


Exemple, dans l'eau :
0
p
P = =

V
i



champ lectrique extrieur : les diples ont tendance s'aligner.
Cette mise en ordre est contrarie par l'agitation thermique

Un matriau non-polaire acquiert une polarisation
induite sous l'action d'un champ lectrique par
dformation du nuage lectronique ou de la
structure cristalline.




6.3.3 La pizolectricit

Certains dilectriques ont la proprit de se
polariser lorsqu'ils sont soumis une contrainte
mcanique (effet direct) et inversement, ils se
dforment lorsqu'ils sont soumis un champ
lectrique qui les polarisent (effet indirect). Ces
matriaux sont dit pizolectriques :
p
Q
- Q
2 a
E
E = 0, P =
0
E 0, P
0
2
O

+
H
+
H
p
La molcule d'eau est dite polaire
q 2
q 1 q 1
= 0 P = 0
0 P 0

21











Polarisation macroscopique induit des charges la surface du matriau:
P E D + =
0

[ D est le vecteur dplacement]
Densit de charge induite sur les armatures:
D = d. [d : coeff. pizolectrique]
Courant de dplacement
t
d
t
D
I
D


=

=

Applications: mesure de forces, acclrations,
vibrations, .
Sensibilit =d, coefficient pizolectrique :
contrainte
lle superficie charge de densit
2
2
=

=
m
F
m
Q
d


2 10
-12
C.N
-1
(quartz) 400 10
-12
C.N
-1
(pour certaines cramiques)
Ex11















= 0, P = 0
0, P 0
Effet direct en compression
E
E = 0
Effet inverse
I
D


22
7 Autres capteurs
* Diffrentes formes d'ondes lastiques :
a) le gnrateur travaille en "piston", ondes longitudinales.
b) le gnrateur travaille en cisaillement donnant des ondes transversales.
c) lectrodes en forme de peignes pour gnrer des ondes de surface. Celles-ci sont
la fois transversales et longitudinales, mais leur amplitude s'annule rapidement en-
dessous de la surface.

* Capteur d'acclration avec masse sismique







h

23



* Acclromtre
capacitif




* Dbitmtre ultrasonique effet
Doppler











* Capteur capacitif de pression













24
Ex0 :
Daprs la fiche technique dune photorsistance ci-dessous :
- Quelle sont les grandeurs dentre et de sortie du capteur dcrit ?
- Pourrait-il tre utilis dans une unit de production industrielle pour contrler la
vitesse de rotation de ventilateurs de climatisation qui y sont fabriqus ?
- Quelle est lunit de la sensibilit ?
- Quelle est ltendue de mesure ?
- Le capteur est- linaire ?
PR43 MID-IR PHOTORESISTOR
Material: PbSe
TECHNICAL SPECIFICATIONS (Ta = 20C)
Wavelength range (50%) 1.00 - 4.40 m
Maximum responsivity (>90%) 2.00 3.8 m
Zero bias resistance (10 mV) 0.15 - 0.35 MOhm
Voltage / Watt sensitivity 200 - 500 V/W
Rise and fall times of photocurrent pulse 5 ns
Photosensitive area 2.0 x 1.8 mm
ckage TO-5


























Application note for
PR43 MID-IR
photoresistor
Spectral response for
PR43 MID-IR
photoresistor

25
Ex1 :
Une srie de mesure a permis de calculer une valeur moyenne m = 10 u.a. et un cart
type de 1 u.a.. Reprsenter p(m), vrifier que la largeur mi-hauteur de la courbe
vaut environ 2.35 (proprit des gaussiennes). Sans calculer l'intgrale P, donner
une estimation de la probabilit de trouver, lors d'une nouvelle mesure, un rsultat
compris entre 0 et 1 u.a., puis un rsultat compris entre 8 et 9 u.a.
[u.a. == unit arbitraire]
sol : p(0,1)=0, p(8,9)=0.15

Ex1bis :
La courbe ci-dessus reprsente la densit de probabilit que l'on supposera
gaussienne, lie la mesure de la longueur L d'un objet. Quelle est la valeur
moyenne <L> d'un grand nombre de mesures de l'objet ? Calculer l'cart type
correspondant. Vrifier que la largeur mi-hauteur vaut environ 2 . Estimer l'aire
situe sous la courbe. Estimer la probabilit de trouver un rsultat situ entre 0.96 et 1
m ?
Calculer / <L>. L'objet en question est un talon mesurant 1 mtre, que peut-on
dire des qualits de l'appareil de mesure ?





0.94 0.96 0.98 1 1.02 1.04 1.06 1.08
0
5
10
15
20
25
30
35
40
p
(
m
-
1
)

L(m
)

26
Ex2 :
Les semi conducteurs ont une rsistivit
lectrique intermdiaire entre les isolants (10
14

10
22
.cm) et les bons conducteurs (10
-6

.cm) : elle est comprise entre 10
2
et 10
9
.cm.
On relve, en fonction de la temprature
Celsius t, la rsistance r d'un fil de section 1
mm
2
, de longueur 2 cm. Exploiter ces rsultats
afin de dterminer la nature du matriau
composant le fil et une estimation des
caractristiques de sa conductivit :
0
et
g
si,
il s'agit d'un SC, a dans le cas d'un mtal.
Calculer la rsistivit du fil 25C. On donne :
k = 1.38 10
-23
J.K
-1
.

sol : E
g
=1.5 10
-19
J,
0
=3.6 10
12

-1
.m
-1
, (300 K)=1940 .m

Ex2bis :
Le silicium a un nombre volumique d'atomes de 5 10
22
par cm
3
. A 300K (27 C), le
nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1,5 10
10
cm
-3
, soit une
paire lectron libre - trou pour 3,3 10
12
atomes.
On procde un dopage l'antimoine Sb de telle faon qu'1 atome Si sur 10
7
soit
remplac par un atome Sb.
Afin d'estimer l'effet du dopage, on adopte le modle simple = const. N, pour lequel
la conductivit lectrique est proportionnelle la densit volumique N de porteurs
(lectrons dans la BC ou trous dans la BV). Comparer
pur
et
dop
en calculant leur
rapport.

Ex3 :
En utilisant les ordres de grandeurs donns dans le cours, prciser les domaines de
longueurs d'onde auxquels seront sensibles un SC intrinsque, un SC de type n et
enfin un SC de type p.

sol : SCint : < 2m, SCn et p : <200 m

Ex3bis :
Quelle est lnergie dun photon appartenant un rayon lumineux monochromatique
de longueur donde situe dans lultraviolet (0.1 m) ? Quel est le dbit de photons
dans ce rayon si celui-ci possde une puissance de rayonnement (flux) de 500 mW ?
Ex6 : La fem de Seebeck e =
a
T
x
T
AB
S
dpend non seulement de T
x
, mais aussi de T
a
.
Des tables donnant les fem Seebeck
C
x
T
AB
S

0
dans l'tendue de mesure de diffrents
t(C)
r()

ln(r)
1.0e+002 1.6e+004
9.6803
1.1e+002 7.7e+003
8.9490
1.2e+002 3.7e+003
8.2161
1.3e+002 1.9e+003
7.5496
1.4e+002 9.9e+002
6.8977
1.5e+002 5.3e+002
6.2729
1.6e+002 2.9e+002
5.6699
1.7e+002 1.6e+002
5.0752
1.8e+002 9.7e+001
4.5747
1.9e+002 5.7e+001
4.0431
2.0e+002 3.5e+001
3.5553

27
thermocouples AB ont t tablies. Ces tables et la connaissance de T
a
permettent de
dterminer T
x
comme nous allons le voir.
Etablir la loi dite des tempratures successives :
C T
AB
T T
AB
C T
AB
a
a x
x
S S S

+ =
0 0
.
A la temprature ambiante T
a
= 23.7 C, on mesure une fem Seebeck de 3.24 mV sur
un thermocouple de type J plac dans une enceinte la temprature T
x
. Dterminer
cette temprature. Le document ci-dessous donne les fem Seebeck du thermocouple J.
Fem. en V. Temprature en C (E.I.P.T. 1968). Jonction de rfrence 0C.














sol : T
x
= 84,9 C

Ex7 :
Une jonction est place dans une enceinte la temprature inconnue T
x
. Montrer que
le circuit suivant permet de dterminer T
x
sans connatre la valeur de la temprature
ambiante T
a
. Application numrique : V = 8.7 mV.
A = fer, B = Cuivre-Nickel, C = cuivre.













sol :
T
x
= 160 C
V
C
C
B
T
a

A
A
Mlange
eau glace
T
x


28
Ex8 :
Entre 60C et 70C, une rsistance de nickel est convenablement reprsente par
l'expression : R(tC) = R
0
(1 + at + bt
2
) o R
0
= R (0C) = 100 , a =5.49167 10
-3
C
-
1
et b = 6.66667 10
-6
C
-2
. Calculer la sensibilit de la sonde autour de 0C.
sol : S = 0.55 .C
-1


Ex8bis :
1/ Une thermistance est constitue d'un SC (silicium) dont la rsistivit est = A
exp(B/T) avec B = 6492 K).
A T
0
= 300 K, la thermistance a une rsistance R
0
= 115.0 .
Montrer que la rsistance R(T) de la thermistance la temprature T s'crit
[ ]
0
0 exp ) (
T
B
T
B
R T R =
. Donner lallure de la courbe R(T) dans le domaine 0 K, 400 K.
2/ Autour de T
0
= 300 K, la temprature de la thermistance peut varier trs
lgrement de T (avec T << T
0
). Sa rsistance R(T) varie alors trs lgrement de
R (avec R << R
0
). Montrer qu'on a : R = R
0
a T. Donner l'expression de a et sa
valeur numrique avec 4 chiffres significatifs.
3/ La rsistance de la thermistance est mesure l'aide d'un ohmtre numrique. Sur
le calibre le plus appropri T
0
, l'affichage obtenu sur l'appareil est 115.0 . La
variation d'une unit du dernier chiffre affich, "1 digit", correspond la plus petite
variation de temprature de la thermistance que l'on puisse dceler autour de T
0
.
Calculer cette valeur.
sol : a = -0.07213 K
-1
, T
min
= 0.012 K

Ex9 :
Quelle contrainte faut-il appliquer un hauban de pont suspendu, constitu par un
cble d'acier de 1 cm de diamtre et de 20 m de longueur pour observer une
diminution de 5% de sa section ? On donne : Y
acier
= 2 10
11
N.m
-2
.
sol : = 1.7 10
6
N.cm
-2


Ex10 : Donner l'expression de la rsistance R de la jauge dcrite dans le
cours en fonction de et de ses dimensions, brins de longueur L et de
section s. En dduire L
L
K
R
R
=

, o K appele facteur de jauge sera prcis.


Dterminer, partir des ordres de grandeurs donns jusqu'ici pour
diffrentes constantes, une estimation de K pour les mtaux. On ngligera
l'influence des petites portions de fils reliant les brins. En gnral, afin de
diminuer leur contribution, on largit ces conducteurs transversaux, si bien que R
totale

= R
L
+ R
T
R
L
.
sol : K=2

Ex11 :
Quelle est l'unit du dplacement lectrique D. Vrifier l'homognit de l'quation
qui le dfnit :
P E D + =
0


29

Cours :
- Quels diffrents lments constituent une chane de mesure ?
- Expliquer ce que sont la sensibilit, ltendue de mesure, le domaine linaire, la
rapidit dun capteur.
- Expliquer ce que sont la fidlit et la justesse dun appareil de mesure. Sur une
mme figure reprsenter les formes de la densit de probabilit p(m) correspondant
la mesure m dans le cas a) d'un appareil prcis, b) d'un appareil juste mais non fidle.
- Quel est l'ordre de grandeur du nombre d'atomes dans un solide (en m
-3
) ?
- Quest-ce quune bande dnergie dans le cadre de la physique du solide ?
- Quel est l'ordre de grandeur du "gap" sparant la bande de valence de la bande de
conduction d'un SC ?
- Expliquer pourquoi le dopage d'un semi-conducteur a pour consquence une
importante augmentation de la conductivit ?
- Pourquoi la jonction pn est-elle isolante ?
- Quelle est la diffrence entre l'effet photolectrique dans un mtal et dans un SC ?
- Dans quelle unit s'exprime la sensibilit d'un capteur photomtrique ?
- Dans quelle unit s'exprime la sensibilit d'un thermocouple ?
- Expliquer ce quest leffet Thomson, leffet Peltier.
- Expliquer ce quest la pizolectricit. Dans quelle unit sexprime la sensibilit
dun capteur pizo-lectrique ?