Fundamentos Fisicos de La Informatica - Semiconductores - El Diodo

FUNDAMENTOS FSICOS DE LA INFORMTICA
SEMICONDUCTORES. EL DIODO. 1

Captulo 5: Semiconductores. El Diodo.

La electrnica y la informtica.
La Conduccin Elctrica En Semiconductores.
Difusin.
Diodo de unin PN.
El diodo Zener.
El Diodo Fotoemisor.

Bibliografa: Para su mejor entendimiento realizar ejercicios sobre circuitos recortadores del
capitulo 6 Sistemas lineales de alimentacin del libro L.CUESTA, A.GIL PADILLA, F.REMIRO
Electrnica analgica

Practicar con el simulador de circuitos elctricos EWB (Electronics Workbench), osciloscopio,
generador de funciones de onda y circuitos rectificadores.


Captulo 5: Semiconductores. El Diodo.

5.1 La electrnica y la informtica
5.1.1 Introduccin
Actualmente, la tecnologa Electrnica es el soporte de los ingenios de computacin porque
constituye el medio ms econmico y seguro de manejar con rapidez grandes cantidades de
informacin. El tratamiento de la informacin de forma eficaz exige, precisamente, procesar
(recibir, relacionar significativamente, almacenar y enviar ) enormes cantidades de unidades
elementales de informacin. Adems, para que dicha informacin sea permeable al entorno, debe
ser transformada desde y hacia los lenguajes de expresin ordinaria del ser humano (lenguaje
hablado y escrito, representacin grfica y musical). Desde que el hombre ha dispuesto de alguna
tecnologa con cierto grado de desarrollo, se ha planteado reproducir, en dispositivos externos a s
mismo, algunas de las funciones de su psique, bien para resolver algn problema prctico (como el
descifrado de mensajes enemigos durante la segunda guerra mundial, tarea en la que colabor
Turing en el bando aliado) o por puro divertimento (Con fines de divertimento se construy el
autmata mecnico que realizaba algunos movimientos de ajedrez del espaol Leonardo Torres
Quevedo).
Para llevar a cabo dicha tarea deben darse dos condiciones:
El hombre debe ser lo suficientemente consciente de sus procesos psquicos como para
objetivarlos y emularlos concretndolos en procedimientos y teoras que ayuden a comprender y
manejar la "realidad externa". As, en una trama indisociable de aplicaciones y concepciones, el
nmero usado por los egipcios para contabilizar sus graneros fue elevado a concepto relacional
genrico por los pitagricos. Sobre ambas vertientes, los rabes desarrollaron el lgebra y ms
tarde Newton y los matemticos modernos construyeron e independizaron la ciencia matemtica
hasta lmites insospechados, llegndose a convertir en gua de la fsica terica (Recurdese la
ntima relacin entre la Relatividad de Einstein y la geometra de Lovachevski).
El hombre debe dominar, por otra parte, alguna tecnologa que le permita implantar en el mundo
fsico objetivo sus productos mentales.
Puesto que las grandes tecnologas desarrolladas han sido, cronolgicamente, la Mecnica,
la Electrotecnia y la Electrnica, los intentos de realizar mquinas o ingenios humanizados han
tenido como soporte sucesivo precisamente tales tecnologas. As, el jugador de ajedrez citado de
Torres Quevedo es un autmata mecnico, y con tecnologa mecnica tambin se han realizado
relativamente complejos "computadores" para solucionar ecuaciones integro-diferenciales.
Ms tarde, la Electrotecnia se ha mostrado ms verstil para resolver problemas de auto-
matizacin en plantas industriales y en el perodo de 1920 a 1970 el control mediante rels
electromecnicos ha sido la solucin generalmente empleada.


La Electrnica brind desde sus comienzos una solucin sugerente a las ambiciones
humanas en la automatizacin, computacin y tratamiento de la informacin. Aunque los primeros
dispositivos electrnicos eran vlvulas de vaco, grandes y poco eficientes, permitieron, dada su
enorme rapidez comparada con los dispositivos mecnicos y electromecnicos (un rel pequeo
acta en unos 10 ms y un triodo en 1µs o menos), abordar problemas de computacin hasta
entonces impensables. As, se construy la mquina ENIAC en 1943, que pasa por ser el primer
computador electrnico. La construy la Universidad de Pensylvania. Ocupaba 150 m2 y contena
18.000 vlvulas de vaco. Consuma 100 kW.
No cabe duda que la Electrnica se ha revelado como el soporte idneo para las tareas de
computacin y tratamiento de la informacin con la aparicin de los dispositivos semiconductores
diodo y transistor, que supusieron una reduccin en volumen, respecto de las mquinas realizadas
con vlvulas, de ms de 104 veces, para la misma capacidad de computacin. Su consagracin y
generalizacin se ha alcanzado mediante el desarrollo de los circuitos impresos, los conectores
miniaturizados y los cables planos, que han solucionado los problemas de interconexin (problemas
generalmente olvidados por los tericos de la Computacin e Informtica pero que, dentro de la
ingeniera, han llegado a consolidar un campo tecnolgico relativamente independiente bautizado
con el nombre de Conectrnica) por una parte, y el desarrollo de los circuitos integrados por otra.
Un circuito integrado de alto nivel puede considerarse como un complicadsimo edificio a
escala quasi-molecular construdo sobre un monocristal semiconductor que puede llegar a albergar
millones de dispositivos elementales electrnicos tales como diodos, transistores, resistencias y
condensadores, interconcectados entre s para realizar funciones variadas y complejas de
tratamiento de informacin, las ms de las veces bajo un sistema de codificacin digital y, menos
frecuentemente, analgico. La reduccin de volumen conseguida respecto de las mquinas con
semiconductores discretos puede cifrarse en unas 105 veces en lo que al propio circuito de
computacin se refiere. La reduccin de tamao alcanzable con la Electrnica integrada moderna es
tan fantstica que las dimensiones mnimas de los computadores y otros equipos informticos estn
fijados por necesidades ergonmicas y por el tamao de los dispositivos de almacenamiento masivo
(discos y cintas), todava elevado.
Es justo decir que los componentes electrnicos no tienen por qu ser en adelante los
soportes ideales de los equipos informticos. Las miras para el futuro estn puestas en los
dispositivos fotnicos. El fotn, por su carencia de masa y por su comportamiento neutro en
presencia de campos elctricos y electromagnticos, es ms rpido e inmune que el electrn y ya se
concibe la posibilidad de construir computadores basados en el "transistor fotnico", componente
en el que se estn realizando importantes trabajos de investigacin en laboratorios importantes. No
obstante, an en el caso de que este sueo se realice, es muy probable que la tecnologa electrnica
siga siendo por mucho tiempo una tecnologa de acompaamiento inevitable en los dispositivos de
entrada y salida de datos (teclados, pantallas, buses de comunicaciones) y fuentes de alimentacin.


5.1.2 La Electrnica frente a la Electrotecnia
Todos los dispositivos y equipos elctricos o electrnicos generan, tratan o transforman
energa elctrica. Ahora bien, la energa elctrica (o cualquier otro tipo de energa o materia) puede
tener un valor cuantitativo o significativo, material o simblico, vehicular o informativo. As, un
litro de tinta, cuantitativamente no es ms que un litro de agua con algunos gramos de aditivos
colorantes, pero, significativamente distribuda sobre papel, puede permitir a un Cervantes escribir
el Quijote. Un kilovatio-hora de energa elctrica sirve, cuantitativamente, para cocinar un cocido,
pero empleado en un FAX puede enviar una obra literaria de un punto a otro del planeta.
Para poder manejar la energa elctrica significativamente, es necesario disponer de com-
ponentes y dispositivos que permitan un control fino de la misma. Como Cervantes tuvo que usar
una pluma para distribuir con arreglo a smbolos significativos la tinta sobre el papel, el ingeniero
electrnico necesita dispositivos moduladores de las magnitudes elctricas conducidas o radiadas
(tensin, intensidad, campo elctrico y campo magntico) para poder dotarlas de significacin. Los
dispositivos ms importantes para poder realizar tal modulacin o control son los componentes
amplificadores; el triodo y pentodo hasta aos 50 y modernamente el transistor en sus diversas
variantes.
Pues bien, la Electrotecnia (primer gran campo tecnolgico derivado de la electricidad) se
ocupa casi exclusivamente de los aspectos cuantitativos de la generacin, transporte, distribucin y
aplicacin con fines energticos y de su transformacin masiva en calor (hornos), luz (lmparas),
movimiento (motores elctricos) y derivados qumicos (galvanoplastias, electrlisis, etc.). Las
escasas necesidades de control de estas aplicaciones las ha cubierto con conmutadores e
interruptores mecnicos y electromecnicos (interruptores, seccionadores, rels, contactores, etc.).
El nacimiento de la Electrnica como rama separada de la Electrotecnia est marcada,
histricamente, por el desarrollo de las vlvulas de vaco (diodo, triodo, pentodo, etc.) que fueron
los primeros dispositivos capaces de controlar con rapidez y poder de amplificacin suficiente
(empleando poca energa en el control) la tensin y la corriente elctrica. Su nombre deriva del uso
de los electrones como vehculo energtico. Ntese tambin que el nombre de "vlvulas" dado
genricamente a tales dispositivos alude directamente a su capacidad de control.
Un componente amplificador genrico forma parte de cierto circuito de potencia (la etapa de
salida de una puerta lgica, por ejemplo) donde se gobierna una tensin e intensidad instantneas
totales up e ip. A su vez, el amplificador genrico est mandado por un circuito de control que
necesita aportar la tensin e intensidad uc e ic. Puede definirse como amplificacin instantnea total
A
IT
al cociente:
(1) A
IT
= u
p
* i
p
/ u
c
* i
c

En los transistores bipolares este parmetro puede llegar a 104, y a 106 en los transistores FET.


Figura 1
Aunque la definicin propuesta de amplificacin tiene un alto valor introductorio, en la prctica
queda reemplazada por el de amplificacin en corriente alterna y por el de rendimiento energtico
global.

5.1.3 Hitos En El Desarrollo De La Electrnica
Dado el carcter introductorio de esta obra para futuros tcnicos en Informtica, de la
apasionante historia de la Electrnica se entresacan los desarrollos que han conducido a los circuitos
integrados que, como ya se ha visto, son el soporte fsico de la ciencia informtica en la actualidad.
Desarrollo del diodo semiconductor
Como se ver en este mismo captulo, el diodo semiconductor est constituido por la unin
de dos cristales semiconductores dopados distintamente que presenta una baja resistencia a la
circulacin de corriente en un sentido y muy alta resistencia en el contrario.
Aunque no es un componente amplificador, el diodo est considerado en muchos mbitos
tcnicos como perteneciente a la familia de los "componentes activos" y su aparicin en su variante
de vlvula de vaco marca el desdoblamiento de la Electrotecnia y la Electrnica. Obsrvese que los
rectificadores con slo diodos ya son estudiados hoy dentro de la Electrnica de Potencia.
Sus antecedentes remotos son los antiguos "detectores" de finales del XIX y principios del
XX que detectaban ondas de radio con circuitos rectificadores hechos con tubos llenos de
filamentos metlicos o bien con cristales de pirita o galena.
En 1904, J.A. Fleming desarroll el diodo de vaco. Dentro de una ampolla de vidrio en la
que se haba hecho el vaco, los electrones emitidos por un "ctodo" caliente eran absorbidos por la
tensin positiva de una "placa". Si la tensin de la placa era negativa, los electrones eran rechazados
y, si positiva, atrados. El desarrollo del diodo semiconductor de unin est asociado con la
investigacin de Shockley, Brattain y Bardeen para sustituir el amplificador de vaco (triodo) por un
amplificador slido, como se ver ms adelante.
El nacimiento del diodo zener (vese el apartado 5.5) est ligado al del diodo de unin. No
as el del diodo fotoemisor, que arranca de experimentos de H.J. Round hacia 1906. Round registr
fenmenos electroluminiscentes en el curso del desarrollo de receptores de radio de alta sensibilidad


con Marconi, pero no aplic el hallazgo. Olg. V. Losev redescubri el fenmeno en 1923 trabajando
con carburo de silicio. Durante los aos 60 las firmas Hawlett-Packard y Monsanto desarrollaron
diodos fotoemisores mucho ms efectivos trabajando con compuestos binarios.
Desarrollo del Transistor bipolar
En 1945, el equipo de investigacin de la Bell Telephon compuesto por W. Shockley, N.
Brattain y J. Bardeen se propona desarrollar el transistor de efecto de campo, previsto tericamente
aos atrs. Los fallos experimentales propiciados por la excasa tecnologa disponible dieron lugar a
diversos estudios que llevaran a Bardeen a proponer que una capa superficial de cargas apantallaba
al campo en el interior del semiconductor. Los estudios tericos derivados para explicar dicho
fenmeno seran la base del posterior descubrimiento del transistor de punto de contacto y, ms
tarde, del transistor de unin que se adelantara as en la prctica, al anunciado transistor de efecto
de campo.
El transistor de unin funcion por primera vez el 20 de Mayo de 1950, pero su consecucin
pas por la del transistor de punto de contacto, en el que se modula la intensidad inversa de una
unin PN mediante la aplicacin sobre la misma de un contacto metlico. Este transistor funcion el
16 de Diciembre de 1947. Hoy est totalmente abandonado por ser slo til para muy bajas
corrientes, entre otras razones.
El ncleo de la teora del transistor de unin NPN vio finalmente la luz en el cuaderno de
notas de Shockley el 13 de Enero de 1948.
Desarrollo del circuito integrado
Con el nombre de circuitos integrados se denominan ciertos dispositivos basados en diversas
tecnologas de fabricacin compuestos por componentes activos y pasivos reunidos en un bloque
sellado al que acceden los terminales necesarios para su utilizacin como tal. Responde al intento de
abaratar y reducir el montaje de circuitos electrnicos complicados. Son la base de los equipos
electrnicos actuales. Aunque pueden realizarse con tecnologas de pelcula gruesa, pelcula
delgada y de estructura monoltica, normalmente se entiende por circuitos integrados los de
estructura monoltica.
El invento suele atribuirse a J.S. Kilby, ingeniero elctrico de Texas Instruments, fijndose
la fecha el 28 de Agosto de 1958.
Kilby trabaj primeramente en Centralab en miniaturizacin de circuitos. En 1958 se
cambi a Texas Instruments por estar ms especializada en semiconductores. El 28 de Agosto del
mismo ao se prob un flip-flop construido con transistores discretos de unin crecida y con
resistencias y condensadores realizados sobres barritas y placas de silicio. En Septiembre siguiente
construy un oscilador y un flip-flop totalmente integrados en el sentido actual, partiendo de una
oblea de 10 mm de lado que contena 25 transistores. Las interconexiones se hicieron por
evaporacin mediante mscaras metlicas.


5.2 La Conduccin Elctrica En Semiconductores
Como resumen de la teora de la conduccin elctrica en cuerpos slidos con cargas mviles
expuesta en el 2, se puede decir que existe una constante de proporcionalidad entre la densidad de
corriente J y el campo aplicado E llamada conductividad ,( J = E). A su vez, esta conductividad
es el producto de la densidad de carga p por la movilidad u de las partculas cargadas ,( = ). La
densidad de carga es igual a la concentracin n de partculas por su carga unitaria q. LLamando
resistividad
c
a la inversa de la conductividad y aplicando la ley de Ohm a las relaciones
anteriores, resulta como expresin de la resistencia elctrica R de un conductor cilndrico
homogneo de longitud l y seccin S, la expresin ,R =
c
( l / S) .
Tabla 1 Relaciones ms comunes

5.2.1 Conduccin en Metales
La teora anterior es directamente aplicable a la conduccin en metales. Un metal, a efectos
elctricos, puede ser considerado como una estructura fija de iones atmicos (tomos desprovistos
de uno, dos o tres electrones, segn el metal considerado) positivamente cargados y una "nube de
electrones libres" desarraigados de sus tomos originarios que presentan una elevada movilidad u
para desplazarse en el seno del slido en presencia de un campo elctrico E.


Figura 2 Representacin plana de un cuerpo slido metlico

Se consideran metales los slidos que a temperatura ambiente tienen prcticamente todos los
electrones de valencia liberados para moverse fcilmente en el seno del cuerpo inico. En la figura
se representa su estructura en un plano. En ausencia de campo elctrico, los electrones se mueven
aleatoriamente por "agitacin trmica", sin resultar corriente elctrica neta alguna.
En presencia de un campo elctrico, normalmente causado por la aplicacin de una dife-
rencia de potencial V a los extremos del conductor, los electrones presentan un movimiento
promedio neto hacia el extremo positivo con valores bastante constantes para m , y . En general,
la conductividad de los metales baja ligeramente con la temperatura a temperaturas alejadas del cero
absoluto.
Figura 3 Desplazamiento de cargas en presencia de potencial elctrico
5.2.2 Semiconductores Intrnsecos
Desde el punto de vista de la facilidad para conducir corriente elctrica, los slidos pueden
clasificarse en metales, semiconductores y aislantes. Interpretado su comportamiento mediante la
teora de conduccin aqu estudiada, las enormes diferencias en conductividad pueden ser
explicadas por las diferencias en la concentracin de cargas libres y en la movilidad de dichas
cargas. A su vez, stas diferencias pueden justificarse mediante la teora de bandas de energa. Los
metales, por su elevada conductividad se emplean para realizar los caminos conductores dentro de
los circuitos integrados y, fuera de ellos, en los circuitos impresos y los cables de interconexin.


En el extremo opuesto se encuentran los materiales aislantes, que utilizados para realizar
soportes mecnicos neutros y elementos de separacin elctrica, presentan una bajsima
conductividad, o lo que es igual, una elevada resistividad. Los materiales semiconductores
presentan propiedades intermedias y, como se ha visto en el resumen histrico de la Electrnica, se
han revelado como elementos ideales para la fabricacin de componentes activos slidos.
Los semiconductores ms empleados son el silicio, el germanio y el galio. Inicialmente fue
el germanio el ms usado y hoy lo es el silicio.Un cristal de silicio puro o "intrnseco" presenta una
ordenacin regular de los tomos en los vrtices de tetraedros repetidos, de modo que cada tomo
est ligado a cuatro tomos vecinos por enlaces covalentes de dos electrones (uno de cada tomo).
Vase la Figura 4 . Por encima del cero absoluto de temperatura, la agitacin trmica rompe alguno
de los enlaces covalentes, de modo que uno de los electrones del mismo queda libre para viajar
como "gas" electrnico dentro del cristal. La ausencia de su carga negativa deja con una carga
positiva de igual valor al tomo originario. Alguno de los electrones libres puede llenar el "hueco"
dejado en el enlace covalente roto (recombiancin electron-tomo), apareciendo y desapareciendo
huecos a los que puede asociarse una carga elemental positiva de forma errtica en todo el cristal.

Figura 4 Cristal de Silicio puro

La teora actual de conduccin en semiconductores supone que, tanto los electrones
(negativos), como los huecos (positivos) son partculas libres con valores especficos de
concentracin y movilidad. A mayor temperatura, los enlaces rotos crecen y, aunque las
recombinaciones tambin lo hacen, el resultado neto es que la concentracin de portadores aumenta.
En los otros semiconductores ocurren fenmenos similares.
Figura 5
Representacin
plana del cristal
de Silicio puro



Aplicando un campo elctrico E a un semiconductor, los electrones tienen un desplaza-
miento neto hacia el extremo positivo, como ocurra con el gas electrnico en los metales, mientras
que los huecos se desplazan en sentido contrario. Sin embargo, debido a su distinto signo de carga,
ambos tipos de partculas o "portadores", contribuyen a una corriente elctrica del mismo sentido
(por convenio, la de los huecos o portadores positivos).

Tabla 2 Relaciones ms usuales de difusin

5.2.3 Semiconductores Extrnsecos
Los semiconductores usuales, Si, Ge y Ga, son tetravalentes, es decir, tienen cuatro elec-
trones de valencia para efectuar los enlaces interatmicos. Se puede aumentar el nmero de
electrones libres dopando el semiconductor puro con una cantidad controlada de tomos de un
elemento pentavalente como el fsforo. Cada tomo de este elemento sustituye en la red cristalina a
un tomo de semiconductor y el electrn de valencia sobrante queda libre. Un ligero dopado del
orden de 1 tomo dopador por cada 106 a 108 tomos de silicio, no altera las propiedades
fsicoqumicas de ste pero modifica sustancialmente las elctricas. A las temperaturas usuales,
prcticamente todos los tomos pentavalentes estn ionizados. Puede verse esta situacin en la
figura siguiente.


Figura 6 Representacin plana del cristal de silicio tipo N

El semiconductor descrito se llama "tipo N" y a las impurezas pentavalentes, "donadoras".
La concentracin de huecos se reduce respecto a la del material puro, pues el exceso de electrones
neutraliza muchos de ellos, de manera que su aportacin a la conduccin puede llegar a ser
irrelevante.
5.3 Difusin
Hasta aqu se ha supuesto que la concentracin de portadores es homognea en el cristal y
que la corriente elctrica se debe exclusivamente al desplazamiento de portadores propiciado por un
campo elctrico. En muchos casos prcticos, la concentracin no es homognea y genera, tanto para
los huecos como para los electrones, "corrientes de difusin" independientes de las "corrientes de
desplazamiento" estudiadas.
Tabla 3


En efecto. Supngase (Figura 7 ) una barra semiconductora de material homogneo en la que , por
su relacin con un circuito externo no dibujado, existe una concentracin de huecos p(x)
decreciente a derechas a lo largo del eje longitudinal. Si se elige una superficie normal imaginaria
que pase por un punto x de dicho eje (delimitada por trazos en la figura), se produce un mayor paso
de huecos hacia la derecha que hacia la izquierda a travs de dicha superficie en el movimiento
catico de los mismos, debido a su mayor concentracin en la parte izquierda. El resultado
estadstico neto es una corriente de difusin hacia la derecha, siendo la densidad de dicha corriente J
proporcional al gradiente o derivada de la concentracin dp/dx.
Figura 7 Barra semiconductora con concentracin p de huecos variable segn x
5.4 Diodo de unin PN
Si un cristal semiconductor se dopa con impurezas tipo P por un lado y con impurezas tipo
N por otro, en la zona de unin de ambas regiones se producen fenmenos elctricos muy distintos
al del simple aumento de conductividad que conlleva el dopado unipolar. Como se va a ver, el
nuevo dispositivo, llamado "diodo de unin", permite la conduccin elctrica en el sentido P--->N y
la dificulta en el sentido N--->P.
Figura 8 Diodo NP
En circuito abierto, es decir, con las zonas P y N no cerradas externamente por circuito alguno, se
establece la situacin descrita en la figura de al lado. En los alrededores de la unin, la diferencia de
concentraciones de huecos, as como de electrones, origina una corriente de difusin que impele a
los portadores mayoritarios de cada lado a pasar al otro. En consecuencia, una cierta "zona de
transicin", que engloba la unin, queda vaciada de cargas portadoras que neutralicen los iones


dopadores y por tanto con carga elctrica neta negativa en la zona P y positiva en la zona N. As,
(ver cap.5.1) se establece una diferencia de potencial entre ambos lados de dicha zona de transicin,
llamada "potencial de unin" Vo.

Figura 9 Diodo de unin en equilibrio(sin polarizacin externa)

A su vez, este potencial de unin frena la corriente de difusin (obsrvese que los huecos,
por ejemplo, de la zona P deben remontar un potencial positivo) y origina una corriente de
desplazamiento que impulsa a los minoritarios de cada zona a pasar a la otra. En la figura superior
se observa que esta corriente tiene sentido contrario a la de desplazamiento. La anchura de la zona
de transicin y el potencial de unin dejan de crecer y llega a valores estables cuando la corriente de
desplazamiento compensa exactamente la de difusin. En los diodos prcticos, el potencial de unin
es de algunas dcimas de vatio. Este potencial no es directamente medible con un voltmetro porque
queda compensado por los potenciales que tambin se establecen entre el semiconductor y el metal
del contacto para medirlo.

5.4.1 El diodo de unin PN polarizado
Si se aplica una tensin externa del mismo sentido que el potencial de unin (ver Figura 10
), se dice que el diodo se ha polarizado inversamente. Prcticamente toda la tensin exterior queda
aplicada a la unin, aumentando la barrera de potencial. El cristal reacciona ensanchando su zona de
transicin hasta que el aumento de cargas fijas en la misma justifica la nueva tensin forzada en sus
extremos.



Figura 10 Polarizacin de un diodo

5.4.2 Polarizacin Directa
A consecuencia del aumento de la barrera de potencial, la corriente de difusin soportada
por mayoritarios se reduce a valores despreciables. Por otra parte, la corriente de desplazamiento,
soportada por minoritarios, apenas se ve afectada por el aumento de la barrera de potencial porque
todos los minoritarios (que estn ahora prcticamente originados slo por la disociacin trmica de
pares electrn-hueco) que alcancen la zona de la barrera, sern absorbidos por sta y pasarn al otro
lado como mayoritarios. Dado el escaso nmero de pares trmicos (recurdese la reducida
conductividad de un semiconductor intrnseco), la intensidad resultante, llamada "corriente de
saturacin inversa", Is, es muy pequea y, segn lo dicho anteriormente, depende casi
exclusivamente de la temperatura y aumenta con sta.

Figura 11 Curva caracteristica del
diodo real

Obsrvese para el ejemplo de la figura que Is es 1A para un diodo de silicio de 1A nominal y que
apenas aumenta con la tensin inversa aplicada. Sin embargao, si se sobrepasa cierto valor de sta,
llamado "tensin inversa de ruptura"y que depende de las caractersticas fsicas de la unin, el paso
de minoritarios muy acelerados arranca nuevos pares al cristal, que a su vez incrementan la
corriente inversa de saturacin originando nuevos pares, etc. El proceso es regenerativo y puede


llegar a destruirse el diodo por calentamiento en la zona de la unin donde comienza la "ruptura" o
"avalancha". Vase en la Figura 11 de al lado que, a partir de 200 V de tensin inversa, pequeos
incrementos de sta ocasionan grandes incrementos de intensidad.
Si se aplica al diodo una tensin exterior de signo contrario a la del potencial de unin se
dice que se ha polarizado directamente. Como se va a justificar, en estas condiciones el diodo
apenas ofrece resistencia al paso de "corriente directa" y sta debe ser limitada externamente (por
medio de una resistencia en las figura de la polarizacin directa).
Figura 12 Diodo en polarizacin inversar
Figura 13 Polarizada
En efecto, la polarizacin exterior tiende a reducir la barrera de potencial de la unin, con lo que
aumenta la corriente de difusin de mayoritarios y se convierte en la predominante. La corriente de
desplazamiento de minoritarios se ve disminuida a valores irrelevantes.


Figura 14

Figura 15 Polarizacin directa

Prcticamente, el diodo slo opone a la corriente directa una cada en la unin de pocas dcimas de
voltio (algo inferior a Vo) y una resistencia hmica baja debida al cristal y a los contactos.

5.4.3 Curva Caracterstica. Circuitos equivalentes
La fsica de semiconductores establece que la relacin entre la tensin aplicada entre las
zonas de la unin U
D
(mayor que cero con la zona P positiva respecto de la zona N) y la intensidad
I
D
(positiva cuando entra por la zona P) es:
(2)

donde el parmetro depende del semiconductor empleado y vale 2 para el Silicio. En la Figura 11 ,


puede verse representada la curva caracterstica prctica, que engloba las resistencias del cristal y de
los contactos. Aplicando valores puede apreciarse (Vt=25 m V para 300 k) que para U
D
ms
negativa que 0.2 V, I
D
es prcticamente igual a -I
S
. Para U
D
igual a 35 m V, I
D
=I
S
y con U
D
igual al
potencial de unin 0,7 V, I
D
sera 106 I
S
.
Con polarizacin inversa, el diodo se comporta, por tanto, como una fuente de intensidad -I
s

que, adems, es dependiente de la temperatura.
En el Silicio, I
S
se duplica cada 10 C de aumento de temperatura. Puede verse el circuito
equivalente en la figura de al lado, muy exacto an con grandes variaciones de la tensin

Figura 16 Polarizacin inversa

Con polarizacin directa y superados unos 0,6 V, un diodo de Silicio equivale a una pila de 0,6 V y
una resistencia de bajo valor en serie. Para un diodo de 1A nominal, dicha resistencia es del orden
de 0,2 . Vease la figura de la izquierda.

Figura 17 Polarizacin directa

En la prctica, un diodo de silicio inversamente polarizado puede suponerse un circuito abierto en
muchas aplicaciones, como circuitos digitales y fuentes de alimentacin.
Un diodo directamente polarizado, si est aplicado en circuitos que manejan ms de 10 V, tales
como los circuitos CMOS y fuentes de alimentacin, puede suponerse, con inferior grado de
idealidad, un cortocircuito.


Figura 18

El paso de la situacin de polarizacin inversa o "corte", a la de polarizacin directa o
"conduccin", en un diodo no es instantneo. En estado de corte la unin presenta un
comportamiento en parte capacitivo, pues el variar la tensin inversa aplicada, la zona de transicin,
como se vi, cambia su anchura y la carga espacial a ella asociada. El efecto puede modelizarse
mediante una"capacidad de transicin CT", en paralelo, que se opone a los cambios rpidos de
tensin entre sus extremos.
Figura 19 Modelo ideal del diodo en conmutacin
Tambin en estado de conduccin se dan fenmenos que tienden a retrasar los cambios de la
tensin entre los extremos del diodo respecto de los cambios de corriente. La difusin de
portadores, que es el fenmeno de conduccin principal en este caso, requiere cierto tiempo para
adaptar la distribucin de cargas y, por tanto, de tensin, a los cambios de corriente. El efecto se
modeliza asociando en paralelo con la unin una "capacidad de difusin, CD". La capacidad CD
suele ser bastante superior a CT. Recurdese que en un condensador los cambios de tensin estn
retrasados respecto de los de corriente. Estas capacidades se consideran "parsitas" o indeseables y


deben ser pequeas en diodos aplicados a circuitos lgicos rpidos.
El tamao de la pastilla semiconductora donde se realiza la unin vara con la intensidad
nominal, que depende a su vez de la aplicacin de destino. Su encapsulado resulta, asimismo, muy
variado. (Vase la Figura 20 ). La mayora de los diodos usados en los equipos informticos estn
includos dentro de los circuitos integrados.
Figura 20
5.5 El diodo Zener
Es un diodo especialmente diseado para que el efecto de ruptura por avalancha se produzca
a baja tensin (normalmente entre 3 V y 25 V) y en toda el rea de la unin al mismo tiempo. Lo
primero se consigue dopando una de las zonas mucho ms que la otra, con lo que la zona de carga
espacial se estrecha muchsimo y el campo elctrico acelerador de los minoritarios se eleva an con
baja tensin de polarizacin inversa. Lo segundo exige una gran uniformidad en estructura cristalina
y dopado.
Figura 21 Modelo elctrico del diodo Zener

La curva caracterstica presenta una zona casi vertical en la regin de polarizacin inversa
que es la que normalmente utiliza este tipo de diodo. A partir de un cierto valor de la tensin, o
"tensin Zener, Vz" la corriente inversa se eleva sin apenas resistencia opuesta por el diodo. En


tales circunstancias, el circuito equivalente es una pila de tensin Vz y una pequea resistencia en
serie( Vase la figura de al lado). En conduccin directa y en bloqueo, los circuitos equivalentes son
iguales a los del diodo normal, salvo en que la cada de tensin de umbral de conduccin es de 1 V
para el Silicio, en lugar de 0.7V. El diodo zener se usa para realizar estabilizadores y limitadores de
tensin
Figura 22 Curva caracterstica del diodo Zener
5.6 El Diodo Fotoemisor
Otro diodo especial es el fotoemisor. Cuando un electrn libre se recombina con un hueco se
libera energa trmica y fotones. En los diodos de Silicio y Germanio la luz emitida es
insignificante, pero empleando fosfuro de Galio (PGa) o fosfuro arseniuro de Galio (PAsGa), el
porcentaje de energa luminosa en forma de fotones emitida es apreciable y pueden construirse
diodos prcticos emisores de luz para diversas aplicaciones. Entre ellas estn diversos indicadores
luminosos como los dgitos de siete barras de algunas calculadoras y los acopladores pticos. Estos
consisten en un diodo luminoso cuya luz incide en un componente electrnico fotosensible (que
vara alguna caracterstica al recibir luz) tal como un transistor.

Figura 23 Diodo fotoemisor

En la siguiente figura se ilustra el mecanismo de produccin de fotones en este proceso


llamado "electroluminiscencia". Existen diodos luminosos de colores variados, dependiendo del
semiconductor empleado, investigndose hoy da en la mejora de su eficiencia lumnica.
Elctricamente, el diodo luminoso presenta alguna particularidad especfica, como una cada
de tensin en conduccin elevada (unos 2,5 V), una tensin inversa mxima permisible muy baja
(unos 5 V) y una corriente de saturacin inversa relativamente elevada.
Figura 24



PROBLEMAS DE DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES

1. Bajo que condiciones el numero de electrones es igual al de huecos en un semiconductor.

2. Un semiconductor extrnseco altamente dopado con impurezas aceptoras es calentado a alta
temperatura. Medidas las concentraciones de portadores de carga se comprueba que su
comportamiento es muy prximo al de un semiconductor intrnseco. Porqu?.

3. Calcular la tensin trmica V
T
para una temperatura de 300 K. Repetir el clculo para 20 C,
25C, 500C y 100C. Cual es la temperatura a la que V
T
= 25mV. Nota V
T
= kT/q (donde
k=1.38 10
-23
J/K es la constante de Bolzmman y q es la carga del electrn).

4. Un diodo de unin pn posee un intensidad de saturacin ls = 10
-10
A

y = 2. Cul es la
corriente que atraviesa el diodo si lo alimentamos directamente a temperatura ambiente con
una tensin de 0.6V, 0.7V o 0.75V?.

5. Cul ser la tensin necesaria para producir una corriente de 1 mA?.

6. Resolver la exponencial i (v) y establecer cual es la ecuacin v(i) de un diodo.

7. Cuales han de ser la tensiones de alimentacin necesarias para mantener una corriente de 1 A
a travs de l, cuando I
S
=10
-12
A, 10
-14
A y 10
-16
A?.



8. Representar la recta de carga del diodo en el siguiente circuito:

9. Resolver grficamente el punto de operacin del diodo.

10.Plantear desde el punto de vista matemtico el problema anterior cuando I
s
= l0
-12
A.

11. Calcular de forma grfica, en funcin de tiempo, Vx y la intensidad que esta circulando por el
diodo en el siguiente circuito:

12. Repetir el problema para el circuito siguiente:



13. Dibujar la funcin de transferencia (Vout = f (Vin) para el siguiente circuito.

14. Repetir el problema anterior para:

15. Representar grficamente la tensin de salida de los problemas anteriores cuando Vin es una
seal alterna de amplitud 10 V.

16. Explicar el funcionamiento del siguiente circuito digital. Asumir diodos con caractersticas
ideales.

4-



17. Repetir el problema anterior para el siguiente circuito digital:

18. Considerando el circuito siguiente

(a) Demostrar que si Vi = l2V, Rl = l00 y Vzk = 6V, cuando i
L
=0 (carga
desconectada) el diodo se encuentra en la zona de conduccin inversa.

(b) Cul ha de ser el valor de i
1
para que el diodo se encuentre fuera de la zona de
conduccin inversa?

Para los siguientes problemas representar la tensin de salida para una entrada sinusoidal de 10 V
de pico.

19. Recortador a dos niveles
20. Recortador de un nivel con diodo en serie no polarizado
21. Recortador de un nivel con diodo en paralelo no polarizado
22. Recortador de un nivel con diodo paralelo polarizado
23. Recortador de un nivel con diodo en serie polarizado



24. Si en el circuito de la figura se introduce una seal sinusoidal de 20 V de pico, dibujar la seal que
se obtiene a la salida, suponiendo que el comportamiento de los diodos es ideal.Error! Marcador
no definido.

1

Fundamentos Fisicos de La Informatica - Semiconductores - El Diodo

Transféré par

Informations du document

Description originale:

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Fundamentos Fisicos de La Informatica - Semiconductores - El Diodo

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

FUNDAMENTOS FSICOS DE LA INFORMTICA

Vous aimerez peut-être aussi