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CHAPITRE III: DIODES LA THEORIE, LA CONSTRUCTION ET LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES DIODES La construction physique de la diode : Ltude des composants lectroniques est synonyme ltude des composants semi-conducteur. La comprhension des circuits lectroniques requiert une certaine base mathmatique car le comportement de ces circuits ncessite lutilisation des quations. Dfinition : Diode = DI et ODE DI = Deux et ODE = ElectrODE Construction : Une diode est fabrique partir dune jonction p et n. Les 2 diffrents types de semi-conducteurs mis ensemble, par un procd de fabrication bien spcifique par exemple de diffusion , crent une transition travers le mono cristal. la jonction, il y a formation dune rgion/zone ou dune couche appele : COUCHE DAPPAUVRISSEMENT ou DE DPLTION
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Fabrication dune jonction pn : Le symbole de la diode :

A Diode relle

A = Anode (type p) C = Cathode (type n) V D = V A - V C = Tension aux bornes de la diode I D = Courant positif circulant dans la diode La jonction pn, la zone (ou couche) de dpltion (ou dappauvrissement), le potentiel de contact (ou barrire de potentiel) et la diode sans polarisation (la diode non polarise ou en circuit ouvert)

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Dfinition : Lorsque aucune tension nest applique la diode DIODE SANS POLARISATION OU DIODE NON POLARISE OU DIODE EN CIRCUIT OUVERT. La diode avec polarisation directe (la diode en polarisation directe ou avant) et le courant direct

Dfinition : Lorsque une tension positive v D = (v A - v C ) est applique la diode (v A > v C ) DIODE AVEC POLARISATION DIRECTE OU DIODE EN POLARISATION DIRECTE OU EN AVANT.

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La diode avec polarisation inverse (la diode en polarisation inverse) et le courant inverse

Dfinition : Lorsque une tension ngative v D = (v A - v C ) est applique la diode (v A < v C ) DIODE AVEC POLARISATION INVERSE OU DIODE EN POLARISATION INVERSE.

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LES CARACTRISTIQUES : 3.1.1. Lquation de la diode (la convention) :

Convention: i D (t) = I D + i d (t) ou i D = I D + i d v D (t) = V D + v d (t) ou v D = V D + v d Courant total = courant DC + courant variant dans le temps Tension totale = tension DC + tension variant dans le temps. quation :

i = Is(e ( v
D

D ) /( nVT )

-1)

o n = constante empirique n = 1 pour Ge n = 1.3 1.6 pour Si V T = KT/q ~ Temprature V T ~ 25 mV @ 25 oC. Note : *La probabilit que les porteurs majoritaires aient suffisamment dnergie pour traverser la barrire de potentiel = Is(e ( v ) /( nV ) ).
D T

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3.1.2.

La courbe courant - tension de la diode :

Courbe tension - courant de la forme exponentielle (non linaire). La diode, un lment non linaire La diode est un lment non linaire car la courbe tension - courant nest pas une droite mais a la forme exponentielle. La rgion directe, la rgion inverse et la rgion de claquage Nous remarquons 3 rgions sur la courbe :
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-Rgion (Polarisation) Directe : Pour une PETITE TENSION POSITIVE aux bornes de la diode, un GRAND COURANT peut circuler dans le sens direct [Is (e ( v ) /( nV ) )]. -Rgion (Polarisation) Inverse : Pour une TENSION NGATIVE MODRE aux bornes de la diode, un COURANT TRS FAIBLE circule dans le sens inverse [Is]. -Rgion de cassure : Pour une TENSION NGATIVE LEVE aux bornes de la diode, la diode commence conduire avec un GRAND COURANT dans le sens inverse. Leffet de la temprature sur la diode :
D T

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I direct en mA I inverse en A

Vo (T n ) Vo (T o ) = K v . (T n - T o ) K v = -2.5 mV/ oC pour le Ge K v = -2 mV/ oC pour le Si. Is (T n ) = Is (T o ).exp [K i . (T n - T o )]


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K i = 0.15 mA/ oC pour le Si Entre 25 et 100 C Is (T n ) ~ double pour chaque 10 degr C

Notes : *Avec laugmentation de temprature, dans la zone de polarisation directe, la diode se rapproche plus la diode idale (Vo diminue). *Avec laugmentation de temprature, dans la zone de polarisation inverse, la diode a une tension V R plus leve. Le but de la polarisation de la diode, le point dopration et la droite de charge But : Nous remarquons que la courbe courant - tension de la diode nest pas linaire. Donc la diode peut tre reprsente par diffrentes valeurs de rsistances dpendamment du point o on se situe sur la courbe. Exemple :

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I D = 2 mA et V D = 0.5 V R D = 250 I D = 20 mA et V D = 0.8 V R D = 40 I D = Is = 1 A et V D = -10 V R D = 10 M

Point dopration: Pour sassurer que la diode fonctionne un point bien dfini sur la courbe, il faut polariser la diode avec une tension et un courant continus. Cette polarisation dtermine le POINT DOPRATION (Q) ou le POINT DE FONCTIONNEMENT de la diode ( ce point la rsistance peut tre clairement dfinie). Droite de charge :
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Pour appliquer une tension aux bornes de la diode, on ajoute une rsistance en srie avec celle-ci (qui peut aussi bien tre la charge) pour garder le courant direct maximal infrieur au courant limite de la diode (I DIRECT >I MAXIMAL dtrioration de la diode). Exemple :

LKT V DD - R . I D - V D = 0 o V DD = E I D = (V DD - V D )/R Cest une droite passant par V DD / R pour V D = 0 V DD pour I D = 0 Cette droite sappelle la DROITE DE CHARGE.
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Lintersection ou le point commun de la DROITE DE CHARGE avec la courbe courant - tension de la diode Is (e ( V ) /( nV ) ) permettra de dterminer le POINT DOPRATION (Q) ou la solution commune (dtermination du courant I D et de la tension V D exacts de la diode dans le circuit). Un raisonnement identique de polarisation sera utilis pour les transistors, dans les chapitres qui vont suivre.
D T

Quiescent

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La rsistance statique, dynamique et moyenne de la diode : La rsistance statique ou DC : La rsistance statique est dfinie un point dopration donn lorsque la diode est polarise en DC (courant continu).
VDQ VD RD = (au point Q) = I ID DQ

Notes : *Daprs la courbe de la diode, pour des petits courants, R D est grande. * R D dpend du point dopration. La rsistance dynamique ou AC: Lorsque la tension applique sur la diode varie en fonction du temps, le courant varie en fonction du temps. Donc la valeur de la rsistance varie aussi en fonction du temps. Par ce fait, la rsistance dynamique dfinie le changement du courant pour un changement de tension donne. rd =
v d (au point Q) = linverse de la pente au point Q i d

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Exemple :

VD RD = au point Q ID v d rd = au point Q i d

a) Au point dopration de (2 mA / 0.7 V)


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RD =

VD ID

R D = 350
v d rd = i d
vd =

0.76 0.65 = 0.11 V i d = 4 mA 0 mA = 4 mA

r d = 27.5

b) Au point dopration de (25 mA / 0.79 V) RD =


VD ID

R D = 31.6 rd =
vd =

v d i d

0.8 0.78 = 0.02 V i d = 30 mA 20 mA = 10 mA

rd = 2

Note : *r d est calcule partir de linverse de la tangente au point dopration. *Dans la rgion o la tension de la diode est plus grande que Vo (Vo ou tension de la coude)
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rd = (

nVT ) ID

rd ~

0.026Volt ID

(pour Si et T = 25 oC)

Donc r d dpend principalement du courant DC de polarisation. (Ce rsultat est trs important pour les transistors bipolaires BJT). Dmonstration de r d = DC DC + AC
nVT ID
D T

I D = Is (e ( V ) /( nV ) ) vD = VD + vd iD = ID + id

i D = Is (e ( v e ( v ) /( nV ) = (1 +
d T

D ) /( nVT )

= Is (e (V ) /( nV ) ).(e ( v ) /( nV ) ) = I D .(e ( v ) /( nV ) )
D T

vd vd ) (approximation lorsque <<<1) nVT nVT vd i D = I D + (I D . ) = I D + (i d ) nVT v d vd nVT i d = (I D . ) rd = = . nVT i d ID

La rsistance AC moyenne : Lorsque la tension applique sur la diode est trs grande, on parle alors dune rsistance moyenne.

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rm =

v d dun point lautre de la tension applique. i d

Note : *Tracer une ligne droite entre la tension maximale et la tension minimale appliques. *r m est calcule partir de linverse de la pente de cette ligne

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En rsum :

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