UNIVERSIDADE CATLICA DE PETRPOLIS CENTRO DE ENGENHARIA E COMPUTAO CURSO DE ENGENHARIA DE TELECOMUNICAES

CIRCUITOS DE COMUNICAO Mixer

Trabalho de Circuitos de comunicao apresentado ao Prof. Guilherme Garcia como requisito para concluso parcial da matria do Curso de Engenharia.

Attila Odon Portella Radocz RGU: 054041181

Petrpolis 2013
1

SUMRIO

1. INTRODUO......................................................................................................... 03 2. MIXER....................................................................................................................... 04 2.1.Fator de Converso........................................................................................ 05 2.2.Figura de Rudo............................................................................................. 05 3. FET............................................................................................................................. 07 4. MOSFET.................................................................................................................... 11 5. CURVA DE TRANSCONDUTNCIA.................................................................... 14 6. MIXER DESBALANCEADO.................................................................................. 15 7. MIXER BALANCEADO SIMPLES....................................................................... 16 8. CONCLUSO.......................................................................................................... 17 9. BIBLIOGRAFIA..................................................................................................... 18

1. INTRODUO

O mixer mais um componente fundamental em telecomunicaes, pois seu uso necessrio para separarmos as frequncia que sero e que no sero utilizadas, para posteriormente filtrarmos estes sinais. Um oscilador fornece o sinal que ser mixado com os sinais provenientes da antena. A sada do mixer contm as frequncias de soma e diferena, com uma distncia segura entre elas para podermos usar filtros com conforto, e custo reduzido.

2. MIXER A funo bsica do mixer a translao de frequncias. Se analisarmos um sistema de transmisso, a funo do mixer ser converter um sinal de frequncia menor f FI, para uma frequncia maior fRF. Se possuirmos um sistema de recepo, a funo do mixer ser converter um sinal de freqncia maior, fRF, para uma freqncia menor, fIF. Em ambos os casos a translao de frequncia feita com a ajuda de um sinal gerado por um Oscilador Local, LO, com freqncia fLO. O comportamento ideal de um mixer utilizado no sistema de recepo onde a frequncia fIF do sinal de sada a diferena entre as frequncias fRF e fLO.

Circuito Mixador

O mixer feito com dispositivos no-lineares, sendo assim a sada bem complexa e o mixer apresentar respostas em diversas frequncias conhecidas como produto de intermodulaes. Como apresentado abaixo, o mixer vai gerar sinais em diferentes frequncias.

Espectro de frequncias de um mixer Real.

A frequncia de sada fRF - fLO pode ser isolada das outras freqncias indesejadas geradas (produtos de intermodulao) atravs de um filtro. Em alguns casos pode ocorrer que
4

estes produtos entrem na faixa dos sinais fRF e/ou fLO,, provocando distores no comportamento do circuito. O mixer constitudo de elementos no-lineares seguido de um ou mais filtros passa-faixa que selecionam o sinal desejado. 2.1. Fator de Converso O fator de converso do misturador definido como a relao entre o nvel de potncia ou de tenso do sinal de sada e o nvel de potncia ou de tenso do sinal de entrada. Se o nvel do sinal de sada for menor que o da entrada diz-se que h perda de converso; do contrrio, se diz que h ganho de converso. Esta especificao pode ser expressa atravs das Equaes abaixo, em termos do ganho de potncia e em termos do ganho de tenso. Usualmente este ganho expressa em unidades de decibis (dB).

Onde, - Pout : Potncia de sada. - PIN : Potncia de Entrada - Vout: Tenso de sada do circuito - VIN : Tenso de entrada do circuito

2.2. Figura de Rudo A figura de Rudo tambm um parmetro importante de um misturador, pois est presente no estgio de entrada dos receptores de microondas e um dos parmetros que determina a qualidade do mixer. Se a figura de rudo elevada, nveis baixos de sinais so mascarados e tratados como rudo A figura de rudo a medida de como a relao sinal rudo degradada nesse caso no mixer.

Considere um amplificador com ganho de potncia GA, onde se aplica na entrada um sinal com potncia Si e por meio de uma fonte de sinal Ri produzir um rudo trmico Ni aplicado ao amplificador. Na sada temos o sinal com potncia S0 e o sinal com potncia de rudo N0

Sinal e Rudo para determinao da figura de rudo.

O fator de rudo definido como:

3. FET O funcionamento do transistor bipolar baseia-se em dois tipos de cargas: eltrons e lacunas. O funcionamento de um transistor unipolar depende apenas de um tipo de carga, eltrons ou lacunas. O transistor de efeito de campo (FET - field effect transistor) um exemplo de um transistor unipolar. Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente, isto , a corrente de coletor controlada pela corrente de base. J no transistor FET a corrente controlada pela tenso ou pelo campo eltrico. A grande vantagem do FET sobre o transistor bipolar a sua altssima impedncia de entrada (da ordem de dezenas a centenas de mega ohm) alm de ser um dispositivo de baixo rudo. O Transistor de Efeito de Campo de Juno JFET foi o primeiro FET desenvolvido. H dois tipos: Canal N (conduo por eltrons) e Canal P (conduo por lacunas). Regies dos transistores:

- Estrutura e simbologia do JFET: Sua estrutura composta por uma barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), deixando um canal estreito do primeiro material para controlar a corrente como mostrado abaixo:

O princpio de funcionamento do JFET controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto feito aplicando-se uma tenso na porta. Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VG = 0 ou VGS = 0, aplicando-se uma tenso entre o dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma corrente iD. Com uma pequena tenso entre dreno e fonte VDS, a regio N funciona como uma resistncia, com a corrente iD aumentando linearmente com VDS. Mas conforme a tenso VDS aumenta, aparece uma tenso entre a fonte e a regio de porta, polarizando reversamente essa juno. Isso faz com que a camada de depleo aumente, estreitando o canal, o que aumenta a resistncia na regio N, fazendo com que diminua a taxa de crescimento de iD, como mostrado abaixo:

Aumento da camada de depleo e estreitamento do canal.

A partir de um certo valor de VDS, ocorre o estrangulamento do canal (estreitamento mximo), fazendo com que a corrente iD permanea praticamente constante. Essa tenso chamada de tenso de estrangulamento ou pinch off (VPO) e corresponde a tenso mxima de saturao do JFET. A corrente de dreno para VGS = 0, no seu ponto mximo, denominada corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current (IDSS) e corresponde a corrente mxima de dreno que o JFET pode produzir. O grfico abaixo apresenta a curva caracterstica de sada de um JFET (iD x VDS) para VGS = 0v, este grfico denominado curva de dreno.

Curva de dreno

No momento em que a tenso de alimentao de dreno aplicada ao circuito, os eltrons livres comeam a circular da fonte para o dreno. Esse eltron livre tem de passar atravs do estreito canal entre as camadas de depleo. A tenso da porta controla a largura desse canal. Quanto mais negativa a tenso da porta, mais estreito o canal e menor a corrente de dreno. Quase todos os eltrons livres passam atravs do canal em direo ao dreno. Por isso ID = IS. Aplicando-se entre porta e fonte uma tenso de polarizao reversa (VGS1 <0), haver um aumento na camada de depleo, fazendo com que o estrangulamento do canal ocorra para valores menor de VDS e iD. O mesmo ocorre para outros valores negativos de VGS. O fato de VGS ser negativo, faz com que a corrente atravs da porta (iG) seja desprezvel, garantindo uma altssima impedncia de entrada (ZE).

Regies das curvas de dreno

Onde: - IDSS - corrente mxima que o JFET pode produzir, na qual ocorre e estrangulamento do canal quando VGS = 0. - VPO - tenso mxima de saturao ou de estrangulamento (pinch-off). - VP tenso na qual ocorre o corte do dispositivo. - BVDSS tenso de ruptura do dispositivo para VGS = 0.

10

4. MOSFET O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - xido - semicondutor - TECMOS), , de longe, o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analgicos. Seu princpio bsico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.

Aspectos construtivos e simbologias do MOSFET de acumulao.

A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido. O terminal de comporta uma camada de polissilcio (slicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido" no canal
11

original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar. Variandose a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS)

Existem tambm modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito teis e com grande utilizao na indstria eletrnica. A operao de um MOSFET pode ser dividida em trs diferentes modos, dependendo das tenses aplicadas sobre seus terminais. Para o NMOSFET os modos so: - Regio de Corte: quando Vgs < Vth. Onde Vgs a tenso entre a comporta (gate) e a fonte (source) e Vth a Tenso de threshold (limiar) de conduo do dispositivo O transistor permanece desligado, e no h conduo entre o dreno e a fonte. Enquanto a corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido chave estar desligada, h uma fraca corrente invertida. - Regio de Triodo (ou regio linear): quando Vgs > Vth e Vds < Vgs - Vth onde Vds a tenso entre dreno e fonte. O transistor ligado, e o canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tenso na comporta. A corrente do dreno para a fonte ,

12

- Regio de Saturao: quando Vgs > Vth e Vds > Vgs - Vth O transistor fica ligado, e um canal que criado permite o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Como a tenso de dreno maior do que a tenso na comporta, uma parte do canal desligado. A criao dessa regio chamada de pinamento (pinchoff). A corrente de dreno agora relativamente independente da tenso de dreno (numa primeira aproximao) e controlada somente pela tenso da comporta de tal forma que ,

Em circuitos digitais, os MOSFETs so usados somente em modos de corte e de saturao. O modo de triodo usado em aplicaes de circuitos analgicos.

13

5. CURVA DE TRANSCONDUTNCIA

A curva de transcondutncia relaciona a corrente de sada com a tenso de entrada de um JFET. Atravs da Equao de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tenso VGS, segundo uma relao quadrtica:

Como o JFET apresenta uma relao quadrtica entre a corrente de dreno-fonte e a tenso de controle VGS, diz-se que este dispositivo um dispositivo de Lei Quadrtica.

Curva de transcondutncia

14

6. MIXER DESBALANCEADO No misturador desbalanceado as frequncias dos sinais do oscilador local e do RF iro aparecer no espectro de sada do sistema, ou seja, no elimina da sada nenhum dos sinais de entrada. Seguindo-se a partir da configurao desbalanceada seqencialmente at a configurao com balanceamento duplo, obtm-se uma progressiva melhora na eliminao de sinais esprios na sada do circuito misturador.

Diagrama de bloco do misturador desbalanceado.

15

7. MIXER BALANCEADO SIMPLES O misturador de balanceamento simples um circuito que apresenta uma entrada no balanceada e outra balanceada, sendo que a sada tambm um sinal diferencial. O circuito popular do misturador balanceado simples composto de dois diodos como ilustrado abaixo:

Misturador balanceado simples a diodo

O sinal de entrada aplicado ao primrio do transformador, e o oscilador local aplicado na derivao central do secundrio. O sinal de sada passa por um RFC e, em seguida, aplicado a um filtro passa-faixa sintonizado que seleciona a freqncia soma ou diferena. No misturador de um ou dois diodos, o sinal do oscilador local muito maior do que o sinal de entrada, e assim, os diodos so desligados e ligados como chaves pelo sinal do oscilador local. Os diodos de Grmanio e de Slicio podem ser usados como misturadores, no entanto, os melhores misturadores para freqncia VHF, UHF e microondas so os diodos de barreira Schottky.

16

8. CONCLUSO

Os mixer tambm so uma pea fundamental para o funcionamento de um sistema de recepo e transmisso. Como visto, a funo deles essencial para o funcionamento de sistemas que manipulam radio frequncia, pois sem eles isso se torna impossvel. Por tanto, conclumos que os mixer so insubstituveis.

17

9. BIBLIOGRAFIA

[1] MARTINS, Everson; Disponvel em: < http://www.ccs.unicamp.br/publicacoes/pub/teses/t_everson.pdf >. Acesso em: 01 dez. 2013. [2] NASCIMENTO, Juarez; Telecomunicaes, Editora Makron Books do Brasil [3] http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAPBkAG/transistor-fet [4] http://pt.wikipedia.org/wiki/MOSFET [5] http://www.ufv.br/dpf/320/JFET.pdf [6] CIFUENTES, Rubn D. E.; Disponvel em:
< http://www.lsi.usp.br/~dmpsv/download/DissertacaoMix.pdf>. Acesso em: 02 dez. 2013.

18