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INTRODUCTION
Il existe une catgorie de composants (qu'ils soient lectriques, mcaniques, etc ) trs intressante : c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de mme nature et proportionnelle au stimuli d'entre. Les exemples foisonnent : le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entre, ou bien un dplacement plus important (ou plus faible) que celui appliqu l'entre ; l'engrenage, qui est la mme chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entre ; le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entre. Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de mme nature que la variable dentre, et il existe un coefficient de proportionnalit entre les deux, indpendant de l'entre, donc intrinsque au dispositif. Il faut toutefois noter que dans tous les cas cits, il y a conservation de lnergie : l'nergie la sortie du composant est la mme que celle l'entre. Il existe d'autres dispositifs prsentant les mmes caractristiques que ceux prcdemment cits, et qui en plus, permettent de daugmenter lnergie : on trouve en sortie du dispositif une nergie suprieure celle fournie l'entre. Bien entendu, il n'y a pas de gnration spontane d'nergie, il faudra donc au dispositif une entre supplmentaire par laquelle une source sera susceptible de fournir de l'nergie. Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement l'entre, mais transfert d'nergie d'une source extrieure la sortie du dispositif, ce transfert tant contrl par l'entre. Des exemples mcaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assiste. Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel l'effort exerc sur la pdale, mais une source d'nergie auxiliaire permet d'avoir la pdale un effort beaucoup plus faible que ce qu'il faudrait sans l'assistance. Dans le deuxime cas, on a la mme chose : les roues tournent proportionnellement l'angle de rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif hydraulique. Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exerc tout en le conservant proportionnel au stimuli d'entre, ce qui facilite la commande. Un tel dispositif est en fait un robinet de rgulation d'nergie : il faut disposer d'un rservoir d'nergie, on pose le robinet dessus, et on peut disposer de l'nergie proportionnellement une commande d'entre. En lectronique, un tel composant est intressant car il va permettre d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requrant de la puissance (haut parleurs, moteurs, etc ) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de temprature, de pression, etc.). Le transistor jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en lectronique. Son domaine d'action est donc particulirement vaste. Avant linvention du transistor en 1948 par les amricains John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley (prix nobel de physique 1956), cette fonction tait remplie par des tubes vide (triodes entre autres). L'avnement du transistor n'a donc pas apport la fonction miracle en elle mme, mais une commodit d'utilisation, l'encombrement rduit (les tubes vide ont besoin d'un systme d'alimentation complexe avec des tension relativement leve, et ncessitent une adaptation d'impdance en sortie (transformateur)), et plus tard, la fiabilit, le faible cot.

L'histoire du transistor a commenc au dbut du dix-neuvime sicle quand Jns Berzelius (17791848), un chimiste sudois dcouvrit en 1817 le silicium (Si). C'est le second lment le plus rpandu de la crote terrestre aprs l'oxygne. La silice n'est rien d'autre que du sable (SiO2). Le germanium fut dcouvert en 1886 par le chimiste allemand Clemens Winkler (1838-1904).Ce sont les deux semi-conducteurs qui seront utiliss dans la fabrication des transistors. En 1883, l'amricain Thomas Edison (1847-1931) dcouvrit qu' l'intrieur d'une ampoule en verre ferme hermtiquement dans laquelle on avait fait un vide pouss, on pouvait extraire des lectrons d'un filament chauff au rouge (2300C pour le tungstne). Il suffisait de communiquer aux lectrons une nergie suprieure celle qui a pour effet de les maintenir proximit des noyaux atomiques et de les rcuprer avec une plaque froide porte un potentiel positif. Edison ne s'attarda pas sur cette dcouverte qui n'offrait pas l'poque d'applications rentables. En 1904, l'lectricien anglais John Ambrose Fleming (1849-1945) eut l'ide de mettre profit l'effet Edison pour la dtection des oscillations radiolectriques. Dans une lampe semblable celle d'Edison, des lectrons taient mis par un filament suffisamment chauff, ils n'taient rcuprs par une plaque place distance du filament que si elle tait un potentiel positif. C'tait donc une sorte de valve laissant passer le courant lectrique dans un seul sens (effet redresseur). Cette valve a t finalement appele diode et a remplac le cohreur de Branly (tube limaille invent en 1890) dans la dtection des ondes hertziennes. En 1907, l'inventeur amricain Lee de Forest (1873-1961), mit au point la premire triode en introduisant une grille entre le filament chauff et la plaque d'une diode. La grille permettait de contrler le dplacement d'lectrons. Grce la grille, on pouvait doser les puissances d'mission radio et rcuprer un message sonore de bonne qualit. Cette invention appele aussi "audion" fut la base de la radio, de la tlvision, des radars et des premiers ordinateurs. Entre 1900 et 1929, l'utilisation des semi-conducteurs est empirique. On les rencontrait dans les dtecteurs d'ondes lectromagntiques (galne) et dans les redresseurs de courants alternatifs (oxyde de cuivre, slnium). En 1910, les travaux de deux chercheurs amricains, Dunwoody et Pickard, sur les cristaux aboutirent l'invention du rcepteur galne, le premier rcepteur radio. La galne, cristal de sulfure de plomb, associe quelques composants simples, permit des milliers d'amateurs de construire eux-mmes leur rcepteur radio. En 1929, le physicien suisse, naturalis amricain, Flix Bloch (1905-1983) proposa la premire thorie cohrente de la conduction dans les solides. De 1929 1939, les recherches sur l'tat solide restrent thoriques mais il apparaissait clairement que les semi-conducteurs allaient remplacer les gros commutateurs lectromcaniques dans les systmes automatiques, malgr des essais peu concluants. En 1939, l'anglais Nevill F. Mott (n en 1905) proposa une thorie sur les jonctions mtalsemi-conducteur. A la mme poque, aux Etats-Unis, dans les Bell Laboratories de Murray Hill, Walter Brattain (1902-1987) et William Shockley (19101989) s'obstinaient mettre au point un amplificateur base de germanium, de cuivre et d'oxyde de cuivre pour rpondre des besoins spcifiques en tlphonie. En 1946, John Bardeen (19081991) rejoignit les Bell Laboratories. Il y est rest jusqu'en 1951, aux cts de Shockley et de Brattain. A son arrive, les travaux de ces derniers taient dans l'impasse. Ils n'arrivaient pas raliser un amplificateur tat solide qui aurait remplac les tubes vide. Bardeen suggra de s'orienter vers l'tude des phnomnes de surface. Les recherches se dvelopprent dans ce sens et, le 23 dcembre 1947, aprs beaucoup de bricolage, les trois hommes obtinrent un effet d'amplification sur la voix humaine : Le transistor (de l'anglais "transfer resistor") naissait, mais il tait pointe et manquait de stabilit et de puissance. Les trois scientifiques reurent le prix Nobel en 1956 pour leurs travaux. Le 24 janvier 1948, les amricains John Mauchly (1907-1980), John P. Eckert (n en 1919) et John V. Neumann (1903-1957) prsentrent le premier ordinateur de l'histoire : l'IBM SSEC capable de recevoir un programme enregistr. Cet ordinateur utilisait 13 500 tubes, 21 000 relais et ralisait l'addition de 3 500 nombres de 14 chiffres en une seconde.

William Shockley donna en 1949 la thorie des jonctions P-N et mit au point la diode jonction. Il inventa deux ans plus tard le transistor jonctions puis en 1952, le transistor effet de champ, fond sur un effet qui avait t dcouvert par Lilienfield en 1928. Le transistor pouvant amplifier des courants lectriques, engendrer des oscillations lectriques et assumer les fonctions de modulation et de dtection allait progressivement remplacer les lampes de radio et, en 1955, les premiers rcepteurs radio transistors apparaissaient. Le transistor est une vritable triode semi-conducteurs qui ne ncessite plus de tension lectrique leve (~ 250 V) ncessaire aux lampes, 9 V suffisent. Le transistor occupe cent fois moins de place qu'une lampe, rsiste bien aux chocs et aux vibrations, sa dure de vie dpasse 100 000 heures alors que l'efficacit des lampes dcrot aprs 2 000 heures de fonctionnement. En 1959, Jack S. Kilby mit au point le premier circuit intgr appel "puce" comprenant prs de 5 000 composants lmentaires sur une pastille de 5 mm de ct. L'intgration a t ralise en utilisant deux techniques : l'oxydation et la diffusion. L'anne suivante, les premiers ordinateurs entirement transistoriss apparaissaient. Ils comportaient de 5 000 10 000 transistors. Les mmoires taient tores de ferrite. A partir de 1960, l'utilisation du silicium beaucoup plus stable que le germanium se gnralisa et la taille des transistors diminua. En 1964, le transistor jonctions tait un petit morceau de silicium de moins d'un millimtre carr et de quelques diximes de millimtres d'paisseur. A partir de 1970, une nouvelle technologie dite M.O.S. (metal oxide semiconductor) permit de fabriquer des transistors effet de champ, grille isole par une couche d'oxyde de silicium, plus petits et plus rapides. En 1971, Marcian Hoff, de la Socit INTEL, mit au point le premier microprocesseur qui fonctionnait sur quatre bits : le 4004. Les fonctions lmentaires d'un ordinateur taient rassembles sur un seul composant lectronique quivalent 2 300 transistors. La taille des transistors continue diminuer. Le plus petit transistor du monde fait aujourd'hui moins de 20 nanomtres. Le microprocesseur ATHLON de AMD possde 22 millions de transistors et le Pentium III d'INTEL en a 9,3 millions. Les microprocesseurs ne cessent d'tre de plus en plus puissants. En quarante ans, le nombre de transistors pouvant tre gravs sur une puce de silicium a t multipli par 80 (jusqu' 1 million de transistors par mm2). La miniaturisation sera limite cause de plusieurs facteurs (impossibilit de connecter les composants cause de leur petite taille, champs magntiques intenses crs par le mouvement des lectrons dans les transistors trop proches, chaleur dgage importante en raison d'une trop grande densit de composants, etc.). Les performances des circuits intgrs augmentent exponentiellement et pourront bientt se comparer avec celle du cerveau humain pour certaines activits (diagnostiquer des pannes, jouer aux checs, etc.) mais elles ne pourront que trs difficilement l'galer. En effet, un neurone peut-tre reli plus de mille autres dans le cerveau alors que dans une puce, un transistor est connect au plus cinq autres, ce qui entrane une pauvret conceptuelle des logiques mises en oeuvre. Tout changera peut tre avec les ordinateurs quantiques

PRINCIPE ET CARACTRISTIQUES
INTRODUCTION L'EFFET TRANSISTOR.
Nous avons dj vu propos de la diode que si celle-ci est polarise en inverse, les porteurs minoritaires (lectrons de la zone P et trous de la zone N, crs par l'agitation thermique) traversent sans problmes la jonction et sont acclrs par le champ extrieur. On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps se recombiner avec les porteurs opposs. Partant des deux remarques prcdentes, on peut dduire que si on injecte dans la zone N d'une jonction NP polarise en inverse beaucoup de trous (qui seront dans cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas avec les lectrons de la zone N, ils vont traverser la jonction et crer un courant dans le circuit extrieur.

Figure 1 Injection de trous dans une zone N. La Figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges + et - encercles), mais limites, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le courant I2. A noter que les recombinaisons correspondent au courant I1-I2.

LE TRANSISTOR REL.
Ce que nous venons de dcrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que le moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient faibles, pour que la majorit des trous passent dans la zone P.

Principe de fonctionnement.
Dans le transistor rel, on va apporter les trous en crant une jonction PN, que l'on va polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage de la Figure 1. Cette zone P qui injecte les trous est alors l'metteur, et la zone N, faiblement dope est la base. Comme dans le schma de la Figure 1, la jonction NP est polarise en inverse. La deuxime zone P est le collecteur (voir Figure 2).

Figure 2 Schma de principe d'un transistor.

Les trous injects dans la base par l'metteur ont une faible probabilit de se recombiner avec les lectrons de la base pour deux raisons : la base est faiblement dope, donc, les porteurs majoritaires (lectrons) seront peu nombreux. la base est troite, et donc les trous mis sont happs par le champ lectrique collecteur-base avant d'avoir pu se recombiner (la largeur de la base est petite devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injects par l'metteur, qui sont ici les trous). On peut observer le phnomne d'un point de vue diffrent : quand on injecte un lectron dans la base, l'metteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se recombine avec l'lectron mis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur. En premire approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au nombre d'lectrons injects dans la base. Ce rapport de proportionnalit est un paramtre intrinsque au transistor et s'appelle le gain en courant . Il ne dpend que des caractristiques physiques du transistor : il ne dpend ni de la tension inverse collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (ceci n'est qu'une approximation, mais dans les hypothses de petits signaux, c'est assez bien vrifi.). On a les relations suivantes : (0.1) I C = I B

(0.2) I E = ( + 1) I B (0.3) I B = I E I C

Constitution et caractristiques physiques d'un transistor.


Un transistor bipolaire est donc constitu de trois zones de silicium alternativement dopes N et P, formant deux jonctions PN. Le transistor dcrit au paragraphe prcdent comporte deux zones P et une zone N. C'est une des deux faons d'agencer les jonctions pour fabriquer un transistor : soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP. soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN. Dans les deux cas, la zone centrale (base) est trs troite vis vis de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente (l'metteur). La base possde en outre la caractristique d'tre trs faiblement dope en comparaison de l'metteur.

Courants de fuite.
La relation (0.1) n'est qu'imparfaitement vrifie pour une autre raison : si on reprend le schma de Figure 2. et qu'on coupe la connexion de la base (IB = 0), on s'aperoit que le courant circulant dans le collecteur n'est pas nul, d des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant est nomm ICEO. La relation (0.1) devient donc : (0.4) I C = I CEO + I B En pratique, aux tempratures ordinaires, ce courant de fuite sera nglig. On verra par la suite qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manire que le point de polarisation soit quasiment indpendant du courant de fuite.

Symboles, tensions et courants.


Dans le symbole du transistor (Figure 3 et Figure 4), une flche dsigne l'metteur ainsi que le sens de circulation du courant d'metteur ; c'est le sens de cette flche qui va reprer le type de transistor : NPN pour un courant d'metteur sortant du transistor, et PNP dans le cas inverse. La base est reprsente par une barre parallle l'axe collecteur-metteur. D'autres symboles existent, mais celui-ci est le plus usit. Les transistors sont des composants polariss : les courants indiqus sont les seuls possibles pour un fonctionnement correct. En consquence, il faudra choisir le type de transistor adapt au besoin (NPN ou PNP) et faire attention au sens de branchement.

Transistor NPN

Figure 3 Courants et tensions sur un NPN. Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le courant d'metteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont ici positives.

Transistor PNP
Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le courant d'metteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont ici ngatives.

Figure 4 Courants et tensions sur un PNP.

CARACTRISTIQUES LECTRIQUES.
Pour ce paragraphe, nous allons tudier les caractristiques des transistors NPN. Celles des transistors PNP sont les mmes aux rserves de signes dcrites au paragraphe prcdent. Les transistors NPN sont plus rpandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la conductibilit du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).

Montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune l'entre et la sortie du montage, il y a 3 manires fondamentales de procder : - la patte commune est l'metteur : on parle de montage metteur commun. L'entre est la base et la sortie le collecteur. - La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entre est l'metteur et la sortie le collecteur. - La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun. L'entre est la base et la sortie l'metteur. Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spcifique. Schma de mesure des caractristiques. Les caractristiques qui suivent sont donnes pour un montage metteur commun. Le schma le plus simple est le suivant :

Figure 5 Montage de base metteur commun.

Dans ce schma, la base est polarise en direct par la rsistance de base Rb : le potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'metteur est la masse et la jonction base metteur est l'quivalent d'une diode passante. Le collecteur est lui polaris par la rsistance de collecteur Rc de telle manire que la tension du collecteur soit suprieure la tension de la base : la jonction base collecteur est alors polarise en inverse. On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux rsistances. Dans ce montage, l'entre est la base et la sortie est le collecteur. L'entre est caractrise par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE, soit 4 variables.

Caractristique d'entre.
La caractristique d'entre du transistor est donne par la relation IB = f (VBE) VCE = cte. En fait, le circuit d'entre est la jonction base metteur du transistor, soit une jonction diode. Cette caractristique va dpendre trs peu de la tension collecteur metteur : on la donne en gnral pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

Figure 6 Caractristique d'entre du transistor. La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de base infrieur au mA). Cette valeur est donc lgrement suprieure celle d'une jonction de diode.

Caractristique de transfert.
La caractristique de transfert est dfinie par la relation IC = f (IB) VCE = cte. Nous avons dj dit que le courant d'metteur est proportionnel au courant de base (formule [1]).

Figure 7 Caractristique de transfert du transistor. La caractristique de transfert est donc une droite; le transistor est un gnrateur de courant command par un courant. Si on considre le courant de fuite ICEO, la caractristique ne passe pas par l'origine, car IC = ICEO pour IB = 0. Le du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 20 50 pour des transistors de grosse puissance, 60 200 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 1000 pour des transistors de signal.

Caractristique de sortie.
La caractristique de sortie du transistor est dfinie par la relation IC = f (VCE) @ IB = cte. En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.

Figure 8 Caractristiques de sortie du transistor. Sur ces caractristiques (Figure 8), on distingue deux zones : une zone importante o le courant IC dpend trs peu de VCE IB donn : cette caractristique est celle d'un gnrateur de courant rsistance interne utilis en rcepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette rsistance est trs grande : en premire approche, on considrera que la sortie de ce montage transistor est un gnrateur de courant parfait. La zone des faibles tensions VCE (0 quelques volts en fonction du transistor) est diffrente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-metteur diminue pour devenir trs faible, la jonction collecteur-base cesse d'tre polarise en inverse, et l'effet transistor dcrot alors trs rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarise en direct : on n'a plus un transistor, mais l'quivalent de deux diodes en parallle. On a une caractristique ohmique dtermine principalement par la rsistivit du silicium du collecteur. Les tensions de saturation sont toujours dfinies un courant collecteur donn : elles varient de 50mV pour des transistors de signal des courants d'environ 10mA, 500mV pour les mmes transistors utiliss au maximum de leurs possibilits (100 300 mA), et atteignent 1 3V pour des transistors de puissance des courants de l'ordre de 10A.

Limites d'utilisation.
Le transistor pourra fonctionner sans casser l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien dtermin. Ce domaine sera limit par trois paramtres : le courant collecteur maxi ICMax. Le dpassement n'est pas immdiatement destructif, mais le gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intressant dans cette zone. la tension de claquage VCEMax : au del de cette tension, le courant de collecteur crot trs rapidement s'il n'est pas limit l'extrieur du transistor. la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va tre reprsente par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation : (0.5) P TMax

= VCE I C I C =

PTMax VCE

Figure 9 Limites d'utilisation du transistor. Toute la zone hachure sur la caractristique de sortie du transistor (Figure 9) est donc interdite. En bref : Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor, c'est que c'est un amplificateur de courant : c'est un gnrateur de (fort) courant (en sortie) pilot par un (faible) courant (en entre).

Paramtres essentiels des transistors.


Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtre suivants : Le VCEMax que peut supporter le transistor. Le courant de collecteur maxi ICMax. La puissance maxi que le transistor aura dissiper (ne pas oublier le radiateur !). Le gain en courant ou hFE. Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEsatmax sera un critre de choix essentiel. A titre d'exemple, voici ce qu'on peut trouver dans un catalogue de fabricant : Type number Package VCE max IC max PTOT hFE min hFE max fT (V) (mA) (mW) (MHz) 2N3904 2N3906 BC337 BC547 BD135 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-126 40 40 45 45 45 200 200 500 100 1500 500 500 625 500 8000 100 100 100 110 40 300 300 600 800 > 40 300 250 100 100 60

Package" signifie "botier": il existe de nombreuses formes de botier, qui sont codifies.

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En voici quelques exemples :

S'agissant du brochage de tel modle particulier, il est impratif de se reporter sa data sheet ou un catalogue. On notera que parmi les modles reprsents ci-dessus, les BD135, TIP140 et 2N3055 sont des transistors dits "de puissance". Le 2N3055 peut dissiper 115 watts! En revanche, leur gain en courant est limit. Le BC547 est sans doute l'un des transistors les plus rpandus et il remplace bien souvent, sans autre forme de procs, des modles moins courants. Si vous envisagez de constituer un stock, le BC547 et le 2N2222 sont des rfrences choisir en priorit.

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MONTAGES DE BASE.
PRELIMINAIRE.

Mise en uvre du transistor.


On a vu que le transistor tait un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour amplifier des signaux issus de sources diverses. Il va falloir pour cela mettre en uvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :

Alimentation.
Le transistor, tout en tant classifi dans les composants actifs, ne fournit pas d'nergie : il faudra donc que cette nergie vienne de quelque part ! C'est le rle de l'alimentation qui va servir apporter les tensions de polarisation et l'nergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie.

Polarisation.
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est dire superposer au courant alternatif un courant continu suffisamment grand pour que le courant total (continu + alternatif) circule toujours dans le mme sens. Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite devant la composante continue pour que la linarisation faite dans le cadre de l'hypothse des petits signaux soit justifie.

Conversion courant/tension.
Le transistor est un gnrateur de courant. Comme il est plus commode de manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire simplement en mettant des rsistances dans des endroits judicieusement choisis du montage.

Liaisons.
Une fois le transistor polaris, il va falloir prvoir le branchement de la source alternative d'entre sur le montage. En rgle gnrale, ceci se fera par l'intermdiaire d'un condensateur de liaison plac entre la source et le point d'entre du montage transistor (base pour montages metteur et collecteur commun, metteur pour montage base commune). De la mme manire, pour viter que la charge du montage transistor (le dispositif situ en aval et qui va utiliser le signal amplifi) ne perturbe sa polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de liaison. Ces condensateurs vont aussi viter qu'un courant continu ne circule dans la source et dans la charge, ce qui peut leur tre dommageable.

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Transistor bipolaire en commutation : Quelques circuits lmentaires


Dans le cours dlectronique de lhydro, nous nous intresserons surtout au transistor en commutation.

Le circuit bistable
Ce circuit possde deux tats stables et il faut une intervention extrieure pour changer dtat. Le circuit bistable est galement connu sous les noms suivants : bascule, montage Eccles-Jordan, flip-flop.

Schma du circuit utilis

Figure 10

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Figure 11 Les deux tages du montage de la Figure 10 et de la Figure 11 sont en principe identiques. Sur la Figure 10 la commande est ralise par deux boutons poussoirs semblables aux entres RS ou JK (des bascules du mme nom). La commande du bistable peut tre galement tre assure par un gnrateur dimpulsions ou par un gnrateur rectangulaire, comme sur la Figure 11.

Fonctionnement du circuit
Dans ltat initial, T1 est satur et T2 est bloqu. Le potentiel de lmetteur de T1 est 0V. Le potentiel du collecteur de T1 est gal son potentiel dmetteur + 0,1 V. Par contre, le potentiel du collecteur de T2 est gal U. Le potentiel de base du transistor T1 est proche de 0,7 V (il est satur, donc du courant est inject dans sa jonction base/metteur qui est passante). La base du transistor T2 ayant le potentiel du collecteur de T1, la d.d.p. base metteur de T2 est de lordre de 0,1 V, tout fait insuffisant pour injecter du courant dans la jonction base-metteur. T2 est donc bloqu. Ltat ainsi obtenu est stable. BASCULEMENT : Si une impulsion ngative arrive sur la base de T1, elle bloque T1 (si elle arrive aussi sur la base de T2, ce qui est le cas dans certaines versions du montage bistable , elle est sans effet sur T2 qui est dj bloqu. Le potentiel VC1 du collecteur du transistor T1 crot. Cette variation est transmise par la rsistance R1 la base de T2 qui se sature. T2 tant conducteur, son potentiel de collecteur devient voisin de VE (=0) et le potentiel de la base de T1 devient infrieur VE : T1 se bloque et reste dans ce nouvel tat mme aprs disparition de limpulsion de commande. Variantes du montage : un condensateur de dcouplage permet de maintenir constant le potentiel de lmetteur pendant les transitions. Des condensateurs peuvent tre placs en parallle sur R2 et R3 pour amliorer la vitesse de basculement. Un bistable conserve linformation qui a t applique sur son entre et constitue donc une cellule mmoire.

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Bascules seuil
Objet du montage
Ce sont des bascules qui changent dtat quand la tension de commande dpasse une certaine valeur qui est la tension de seuil. Le modle le plus utilis est le trigger de Schmitt. Seule lentre du second tage est couple la sortie du premier qui reoit les signaux de commande.

Fonctionnement du montage
Les rsistances R1 et R2 constituent un pont de base pour le transistor T2. Les valeurs des rsistances RC1, RC2 et RE sont choisies pour que T2 soit fortement satur quand T1 est bloqu (le potentiel de collecteur de T1 est alors voisin de U). Dans ltat initial, qui est ltat stable du systme, le transistor T1 est bloqu et T2 est satur. La valeur de la rsistance RC1 est nettement plus petite que celles de R1 et R2. Soit VE le potentiel commun des deux metteurs. Dans cet tat, la tension de sortie (collecteur de T2 qui est satur) est gale U0 = VE avec :

VE = VB 2 VBE U

R2 VBE R1 + R2

Quand la tension dentre Ve dpasse la valeur U0 + VBE, le transistor T1 se met conduire et le potentiel de son collecteur diminue tandis que le potentiel des metteurs varie jusqu une valeur

U1 U

RE RE + RC1

Le potentiel de base du transistor T2 diminue ainsi que ses courants collecteur et metteur. Le potentiel VE diminue ce qui contribue augmenter la conduction de T1. Il y a un effet cumulatif qui entrane le basculement dfinitif du systme. La diminution de la tension dentre en dessous de la valeur U1+VBE produira leffet inverse.

Figure 12

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Utilisation :
La bascule seuil ou trigger est trs utilise pour redonner une forme correcte (fronts raides bien verticaux) aux signaux logiques des circuiteries numriques. Ces signaux sont vite dforms (fronts dont la pente sattnue fortement) ds quils ont parcouru quelques dizaines de centimtres. Or, pour la bonne synchronisation de tous les dispositifs prsents dans la circuiterie (cas des signaux dhorloge surtout), il est ncessaire que la dure de monte ou de descente des fronts soit la plus brve possible, bref que les signaux possdent des fronts raides. La bascule seuil redonne une pente verticale aux fronts fatigus comme le montre la Figure 13.

Figure 13

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Introduction au montage astable : influence de la modification du potentiel de larmature dun condensateur sur le potentiel de lautre armature :

Figure 14

Lorsque lon manuvre linterrupteur du montage de la Figure 14, le potentiel de larmature de droite du condensateur varie comme indiqu sur la Figure 15. La manuvre du commutateur fait varier instantanment le potentiel de larmature gauche qui prend les valeurs + 9 V ou 0 V. Comme la charge du condensateur nvolue pas instantanment, sur un temps trs court vis--vis de la constante de temps de charge (RC), elle reste constante. On a donc pendant un trs court intervalle de temps :

Q = cte = C Vgauche ,t =0 Vdroite,t =0 = C Vgauche,t =0+ Vdroite,t =0+ .


Par exemple, si le commutateur est en position basse, connect la masse, et que le condensateur est dcharg, cela permet de trouver le potentiel de larmature droite immdiatement aprs la manuvre du commutateur :

( C (9 0) = C ( 0 V

C ( 0 0 ) = C 9 Vdroite ,t =0+ Vdroite,t =0+ = +9 V (sur la Figure 15, t = 7s, 21 s).


droite ,t = 0+ droite ,t = 0+

) )V

= 9 V (sur la Figure 15, t = 12,7s, 21 s).

Evidemment, le potentiel de larmature droite volue ensuite vers 0 puisque cette armature est relie la masse par la rsistance de 10 k. Sur la Figure 15, partir de 34 s, on montre ce qui se produit lorsque le commutateur est manuvr alors que la charge du condensateur est encore en cours dvolution.

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Figure 15

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Le multivibrateur astable
Dans le multivibrateur astable, la sortie de chaque tage est relie lentre de lautre par une liaison capacitive. Ce montage tant un oscillateur ne ncessite pas de circuit de commande.

Schma du circuit utilis

Figure 16 Les deux transistors sont coupls par deux condensateurs qui relient le collecteur de lun la base de lautre. Cest donc un montage raction positive. Les valeurs des rsistances sont choisies pour assurer la saturation complte des transistors. (RB1 < .RC1). En pratique, on prendra RB > 10.RC

Fonctionnement
Au temps t1 , on admet que T1 est bloqu et que T2 est satur. En t1, on suppose que la base de T1 devient lgrement positive : T1 se sature et son potentiel de collecteur diminue brutalement. Une impulsion de tension ngative est gnre sur ce collecteur. Comme le potentiel VC1 passe de U 0, le potentiel VB2 passe de VBE (voisin de 0,6 V) U + VBE car la charge Q = C1.U du condensateur na pas le temps de varier pendant la dure de la transition. Le potentiel de la base de T2 devenant ngatif, celui-ci se bloque. Le potentiel de son collecteur augmente vers U. Le condensateur C2 se charge travers RC2 et lespace base metteur du transistor T1 (qui est alors satur) avec une constante de temps gale 2 = RC2.C2. Le potentiel de la base de T1 reste lgrement positif ce qui assure le maintien de sa saturation. Aprs le blocage de T2, le potentiel de sa base VB2 crot de U + VBE VBE avec une constante de temps 1 = RB2.C1 car le condensateur C1 se charge travers RB2 et lespace collecteur metteur de T1 qui est satur. Quand VB2 dpasse la tension de seuil VBE le systme bascule vers son autre tat. Le systme oscille en permanence entre ces deux tats instables. La Figure 17 reprsente lvolution des potentiels des collecteurs et la Figure 18 lvolution des potentiels des bases des deux transistors en fonction du temps.

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Figure 17

Figure 18

La saturation est trs rapide mais le blocage est progressif cause de la dure de charge des condensateurs travers les rsistances de collecteurs. Sur chaque collecteur, on obtient un signal de sortie qui est pratiquement rectangulaire. La priode et le rapport cyclique (rapport entre les dures des tats hauts et des tats bas) sont des fonctions des valeurs des rsistances des bases et des condensateurs de couplage.

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Calcul approch de la priode du multivibrateur


Dans ce calcul, on suppose que la tension de seuil VBE des jonctions base metteur et la tension de saturation des transistors sont nulles. On prend comme origine des temps linstant auquel T1 se sature. U U

t=0- avant la saturation de T1

t=0+ aprs la saturation de T1 Rb2 u(t)

Rb2 VC1=0 i(t) VB2= -U C1 T1

VC1=U VB2=0 C1 T1 1

t=+ pas de basculement de T1, T2 absent du montage. u(t) = U VC1=0

Rb2 i(t) = 0 VB2= U C1

T1 3

Figure 19 Lquation de la charge de C1 (voir Figure 19) est : u ( t ) = A e


t RB 2 C1

+B

Dterminons les constantes A et B laide des valeurs prises par u(t) lorsque t = 0 et t. Lorsque t = 0, T1 vient de se saturer (voir 1 et 2 de la Figure 19), le potentiel de son collecteur est devenu proche de 0 ( 0,1 V prs), chutant ainsi de U. Le potentiel de larmature droite de C1 chute donc instantanment de U et se retrouve 0 U = - U (0,7 U en fait). A cet instant t = 0, on a donc : u ( t ) = A e
0 RB 2 C1

+ B = U A + B = U

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Lorsque t (voir 3 de la Figure 19), en admettant que la charge de C1 puisse se poursuivre sans entrave (ce qui serait le cas si T2 tait retir du montage aprs t = 0), C1 se chargerait compltement et le potentiel de larmature droite atteindrait + U. On aurait donc : u ( t ) = A e
+ RB 2 C 1

+ B =U B =U

Ce qui conduit au systme :

A + B = U A = 2U B = U B = U
t RB 2 C 1 t RB 2 C 1 + U = U 1 2 e

Lquation de la charge de C1 est donc : u ( t ) = 2U e

Le systme bascule dans lautre tat au temps t1 tel que : u(t1) = VB2= 0. On en dduit le temps mis par larmature droite de C1 pour passer de U 0. En fait il faudrait calculer le temps mis par larmature droite pour atteindre 0,7 V. Cela conduirait un rsultat plus exact, mais une expression moins simple.
t1 t1 t t1 1 1 RB 2 C1 RB 2 C1 RB 2 C1 u ( t ) = U 1 2 e =0e = = ln = 0 1 2 e RB 2 C1 2 2

t1 1 = ln t1 = RB 2 C1 ln ( 2 ) RB 2 C1 2

On rappelle que :

1 ln = ln ( a 1 ) = ln ( a ) a

Donc, t1 0, 7 RB 2 C1 On calcule de mme la dure de la mise en saturation de T2. Ainsi , la priode doscillation du multivibrateur astable est donc voisine de :

T = t1 + t2 0, 7 ( RB 2 C1 + RB1 C 2 )
Cette valeur est approche car le basculement se produit en ralit quand le potentiel de base dpasse la tension de seuil de la jonction base metteur, soit 0,7 V et non 0 V.

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Le circuit monostable
Le monostable possde sensiblement la mme structure que le multivibrateur astable. Il y a simplement remplacement dune liaison capacitive par une liaison rsistive.

Schma du circuit utilis

Figure 20 Dans ltat initial, le transistor T1 est bloqu est T2 est satur. Le potentiel de collecteur de T1 est donc : VC1 = U et les potentiels des armatures du condensateur C valent respectivement U pour larmature gauche et VBE = 0,7 V pour larmature droite. Si on applique une tension positive sur la base du transistor T1, il se sature et VC1 = VSAT 0 . Etant donn que la charge du condensateur C ne varie pas sur un intervalle de temps trs court par rapport la constante de temps, le changement de potentiel de larmature gauche, passage de U 0, entrane la modification simultane du potentiel de larmature droite, et donc de VB2, qui passent de VBE la valeur VBE U ; cela bloque le transistor T2. Cet tat nest pas un tat stable. En effet, le condensateur se charge travers RB2 et la jonction collecteur-metteur de T1 qui est alors satur. Le potentiel de la base de T2 augmente avec une constante de temps gale C.RB2. Lorsque VB2 dpasse la tension de seuil de la diode dentre de T2 (0,6 0,7 V), celui-ci se sature ; ce qui entrane le blocage immdiat de T1. La tension de sortie est prise sur le collecteur de T2. La dure de ltat haut pour la tension de sortie est uniquement fonction des valeurs de C et de RB2. Un calcul semblable celui qui a t effectu pour le circuit astable montre que la dure de ltat haut de la tension de sortie (T2 bloqu) est sensiblement gale : D = 0,7.RB2.C

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Figure 21

Sur la Figure 21, on a appuy sur le bouton poussoir commandant T1 (Figure 20) aux instants t = 1 s et t= 10 s, puis on a appuy un grand nombre de fois sans respecter laisser au systme le temps dvoluer correctement partir de 16,7 s. Pour que le systme fonctionne ainsi, il est ncessaire que D soit infrieur la dure de la demipriode du signal de commande. Quand cette condition nest pas ralise, la tension de sortie reproduit les variations de la tension de commande (voir ce qui se passe partir de t = 16,5 s sur la Figure 21). REMARQUE : Avec le montage utilis, le gnrateur dentre est charg uniquement par la diode dentre du transistor T1 et son fonctionnement risque dtre perturb par cette charge qui est trs faible quand la jonction est passante. Des circuits intgrs spcifiques sont maintenant utiliss pour raliser les fonctions dcrites dans ce chapitre. Le circuit NE 555 permet en particulier de raliser trs simplement des multivibrateurs et des monostables avec seulement quelques composants priphriques.

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Exercices
1 Soit le schma suivant : (On admettra que Vbe = 0,6 V dans tout lexercice).

On dsire que Vce = 5 V. Dterminer la valeur de R2. Que devient Vce si R2 = 4,4 k ? 2 Soit le schma suivant : (On admettra que Vbe = 0,6 V dans tout lexercice).

Dterminer la valeur de R3 afin dobtenir Vce = 10 V. Que peut-on dire de Ib ? Que devient le courant de base si R3 = 1 M ? Proposer un schma avec un transistor PNP afin dobtenir une tension |Vce| identique en valeur et en position par rapport la masse celle de la question a).

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3 Soit le schma suivant : (On admettra que Vbe = 0,6 V dans tout lexercice).

Dterminer la valeur de U si R1 = 5 k. Que vaut U si R1 = 50 k ? Que vaut U si R2 = 720 et R1 = 500 ? Que se passe-t-il si R2 = 720 et R1 = 0 ?

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4 Soit le schma suivant :

Dterminer le potentiel de S, en justifiant votre rponse laide de schmas o les transistors seront remplacs par des interrupteurs dans des tats quivalents, dans les cas suivants : e1 = e2 = 0 V ; e1 = +E V, e2 = 0 V ; e2 = +E V, e1 = 0 V ; e1 = e2 = + E V.

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SOLUTIONS
1. On dsire que VCE = 5 V, donc le transistor fonctionne en rgime linaire. Sil tait en rgime bloqu, on aurait VCE = 15 V. Sil tait en rgime satur, on aurait VCE = 0 V. On a donc IC = .IB IE Ainsi, aux bornes de la rsistance R1, il y aura une d.d.p. de 15 5 = 10 V. R1 sera traverse par une intensit de 10/103 = 10 mA = IC = IE. Le courant IB ncessaire pour appeler IC est gal IC/ = 10/100 = 0,1 mA. Le transistor tant en rgime linaire, le courant IB est non nul, la diode BE conduit. Par consquent, la d.d.p. BE = 0,6 V. Une quation de maille incluant R2, la jonction BE et le gnrateur 5 V permet de dterminer que la d.d.p. aux bornes de la rsistance R2 et de 4,4 V. On a donc R2 = VR2/IR2 = 4,4/(0,1.10-3) = 44 k. Si R2 devient gale 4,4 k (44 k/10), IB sera multipli par 10. Supposons que le transistor soit encore en fonctionnement linaire, alors IC = 100 x (10 x 0,1.10-3) = 0,1 A. Cela produirait aux bornes de R1 une d.d.p. de 1000 x 0,1 = 100 V ! Cest impossible (au vu de la tension dalimentation 15 V). Le transistor est donc en rgime satur (le rgime bloqu est carter car un courant IBE est inject). Donc VCE = 0 V. Aux bornes de R1 on a maintenant 15 V, soit un courant IC = 15/1000 = 15 mA. IB est suprieur ce qui serait ncessaire pour faire circuler IC en rgime linaire : IBlin = 15/100 = 0,15 mA < IB = 1 mA. 2. Si VCE = 10 V, le transistor travaille en rgime linaire. Donc IB = IC/ . En rgime linaire,

IC = I B I E =

10, 6 0.6 = 10 mA 1000

Aux bornes de R3, on a une d.d.p. de 30 VR3 VCE = 10 V. On connat la valeur du courant qui traverse R3 : IC = IE = 10 mA et on connat la d.d.p. aux bornes de R3, on a donc : R3 =

10 = 1 k 10.103

R3 = 1 M, supposons que le transistor fonctionne en rgime linaire. Rien na chang dans la maille gnrateur de 10,6 V, VBE, R4, donc, le courant Ia d.d.p. aux bornes de R4 est toujours semblable et IE = 10 mA. Daprs notre hypothse (transistor en rgime linaire), IC vaut galement 10 mA. La d.d.p. aux bornes de R3 devient : 10.10-3 x 106 = 10000 V ! Avec la tension dalimentation de 30 V, cest videmment impossible. La conclusion infirme lhypothse de dpart, le transistor est en rgime satur (IB 0, il ne peut pas tre bloqu). On a donc VCE = 0 V, la d.d.p. qui apparat aux bornes de R3 est donc 30 10 = 20 V. Lintensit qui traverse R3 est donc 20/106 = 20 A. IB = IE IC = 10.10-3 20.10-6 10 mA.

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3. Lalimentation de ce montage est symtrique par rapport la masse (zro lectrique).

10 V

5,6 V 0,6 V 14,4 V 15 V

On en dduit U = V URC = 15 10 = + 5 V. 3.2. Si RC = 50 k, en admettant que le transistor est toujours en rgime linaire, on obtient : URC = RC.IC = 5.104 x 2.10-3 = 100 V. Ce rsultat est impossible car la valeur dpasse celle de lalimentation. Le transistor est donc en rgime satur avec VCE = 0. On en dduit U = - 0,6 V (on a toujours URE = 14,4 V). 3.3 Si RE = 720 et RC = 500 , les potentiels restent inchangs. URE = 14,4 V, I E =

I C I E = 20 mA (VCE > 0 ?)
URC = 10 V VCE = 30 (10 + 14,4) = 5,6 V.

14, 4 = 20 mA 720

Par contre, la puissance dissipe dans le transistor est multiplie par 10. PT = VCE.IC = 5,6 x 2.10-2 = 0,112 W 3.4 Si RE = 720 et RC = 0, nous avons toujours URE = 14,4 V, IE = 20 mA Par contre U = + 15 V et P = 15,6 x 2.10-2 = 0,312 W. 4. e1 0 0 1 1 e2 0 1 0 1 S 0 0 0 1

IC.

Seule la dernire ligne (e1 = + E et e2 = + E) permet de saturer les deux transistors T1 et T2 qui sont en srie et donc de mettre ainsi la base de T3 au potentiel de la masse. T3 est donc bloqu et donc S est au potentiel + E soit 1 logique.

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Modlisation du transistor NPN en rgime statique :

Transistor bloqu
Collecteur

Transistor en rgime linaire


Collecteur

Transistor satur
Collecteur

Emetteur Emetteur

Emetteur

C IC=0

C IC=.IB

C IC=.IB

IB=0 B

VCE 0

IB 0

IB 0 IC/ VCE > 0 B

VCE = 0

VBE < 0,6V IE=0 E IB = 0, VBE < 0,6 V, IC = 0 quelle que soit VCE 0.

VBE = 0,6V

VBE = 0,6V

I E = ( + 1) I B I B
E

I E = I B + IC
E

IB 0, VBE 0,6 V, VCE > 0 (ou tout juste gal 0), IB 0, VBE 0,6 V, VCE = 0, IC < IB et IE = IB + IC, on peut trouver dans ce cas IB > IC. IC = IB et IE = (+1)IB IC. Pour saturer le transistor, il faut injecter au moins IBmini IC/

Analyser le schma suivant :

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