Redes de Fibra Óptica

Redes de fibra ptica
Salvatore Spadaro
PID_00194285
c FUOC PID_00194285
ndice
Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1. Fibra ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1. Principios de transmisin en bra ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1. 1.1.2. 1.1.3. 1.1.4. 1.1.5. 1.1.6. 1.1.7. 1.1.8. 1.2. 2. Nmero de modos de propagacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Atenuacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dispersin intermodal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dispersin intramodal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dispersin de modo de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ancho de banda de las bras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tipos de bra ptica y diseo de sistemas de transmisin en bra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fenmenos no lineales en la bra ptica . . . . . . . . . . . . . Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5 7 9 10 15 18 19 23 24 24 25 27 31 33 33 34 37 38 38 39 40 41 42 44 45 45 49 51 54 56 58 59 60 62 64 65 67
Transmisores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1. Los semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1. 2.1.2. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 2.2.3. 2.2.4. 2.2.5. 2.2.6. 2.3. 2.3.1. 2.3.2. 2.4. 2.4.1. 2.4.2. 2.4.3. 2.5. 2.5.1. 2.5.2. 2.5.3. 2.5.4. 2.6. Semiconductor intrnseco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Semiconductor extrnseco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Emisin espontnea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Emisin estimulada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Absorcin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Relaciones de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Amplicador lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Oscilador lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Concentracin de los portadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Generacin y recombinacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Eciencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modulacin de la potencia ptica emitida . . . . . . . . . . . . Estructura de los diodos LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ganancia ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ecuaciones de ritmo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Estructura de un diodo lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Lser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Mecanismos de interaccin radiacin-materia . . . . . . . . . . . . . . . .
Emisin y absorcin en materiales semiconductores . . . . . . . . . .
Diodos LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lser de semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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3.
Receptores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1. 3.2. 3.3. Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fotodiodos de avalancha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1. 3.3.2. 3.4. 3.5. 3.6. Relacin seal-ruido para los fotodiodos PIN . . . . . . . . .
69 77 80 81 84 88 92 95 96 97 99
Relacin seal-ruido para los fotodiodos de avalancha 86
Tasa de error de bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sensibilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5.1. Lmite cuntico de fotodeteccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.
Amplicadores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 4.5. Ganancia ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Figura de ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 Amplicadores pticos de semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108 4.3.1. Conversores de longitud de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114 Amplicadores de bra dopada con erbio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115 Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
5.
Introduccin a las redes pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123 5.1. Redes SONET/SDH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124 5.1.1. 5.1.2. 5.2. 5.2.1. 5.2.2. 5.2.3. Tcnicas de concatenacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 Ajuste de la capacidad de enlace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 Tecnologas WDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 Redes pticas transparentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 Redes pticas ASON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
Redes de transporte pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
Preguntas tericas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 Ejercicios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139 Soluciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 Glosario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 Bibliografa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
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Introduccin
En cualquier sistema de telecomunicaciones existen siempre tres elementos necesarios para llevar a cabo una transmisin: el emisor, el receptor y el canal. Las primeras comunicaciones se basaban en la transmisin/recepcin de seales de naturaleza elctrica, como el telgrafo, el telfono o la radio. En estos sistemas el canal de comunicaciones era el canal radio (para las comunicaciones inalmbricas), cables fabricados con materiales conductores (como por ejemplo el par trenzado de cobre o el cable coaxial) o guas de onda (utilizados para transportar seales de mayor ancho de banda). De entre los tres elementos involucrados en la comunicacin, el canal es un factor clave que determina las posibles aplicaciones. El canal de comunicaciones presenta distintos problemas, pero bsicamente podramos nombrar cinco:
Ruido. En recepcin, el receptor detecta tanto la seal transmitida como el ruido introducido por los elementos de la transmisin (el canal, el receptor, etc.). Por lo tanto, la seal recibida nunca es igual que la seal transmitida. Las diferencias entre la seal transmitida y la seal recibida producen errores, que degradan la calidad de la comunicacin.
Atenuacin. En cuanto a la atenuacin, cualquier seal electromagntica que viaja a travs de un medio fsico (incluso el vaco) sufre una disminucin de potencia en funcin de la distancia. Para las seales elctricas la disminucin de la potencia es inversamente proporcional* a la distancia elevada a un factor .
* P d , donde depende del medio de transmisin por ejemplo = 2 cuando el medio de transmisin es el vaco.
Interferencias. El problema de las interferencias es comn tanto en las comunicaciones a travs del canal radio como, aunque en menor medida, en las transmisiones a travs de conductores. El canal radio es un medio susceptible de ser utilizado por mltiples usuarios, y la colisin de las seales transmitidas por ms de una fuente degradan la calidad de la comunicacin o la imposibilitan. En las seales transmitidas a travs de un conductor, las interferencias elctricas externas al conductor generan campos elctricos indeseados en el conductor.
Distorsin. La distorsin es el fenmeno por el cual, dada una seal especialmente si tiene un gran ancho de banda, la ganancia del canal es signicativamente diferente para sus distintas componentes frecuenciales.
Ancho de banda. El ancho de banda del canal determina la velocidad de transmisin de la comunicacin. Los anchos de banda pequeos ofrecen
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ventajas en trminos de distorsin y potencia de ruido, pero permiten tasas de bit mucho menores. Las comunicaciones pticas se caracterizan principalmente por dos factores: la naturaleza de las seales transmitidas (luz) y el canal de transmisin (bra ptica). Ambos factores hacen frente a los problemas asociados a las transmisiones elctricas y plantean nuevos retos. Las ventajas de las comunicaciones pticas son claras: menor ruido, transmisiones no susceptibles a las interferencias electromagnticas, grandes anchos de banda, baja atenuacin, etc. Obviamente tambin presentan inconvenientes: elevado coste de instalacin de la bra ptica, precio de transmisores y receptores, dicultades tecnolgicas, fenmenos asociados a la transmisin de la luz (como por ejemplo la dispersin), etc. Sin duda las redes de bra pticas han supuesto un punto de inexin en el desarrollo y la implantacin de las telecomunicaciones. Las altas tasas de transmisin (del orden de los Gbit/s o incluso Tbit/s) han permitido aumentar la capacidad de las redes troncales, que tienen el objetivo de transportar el trco agregado de mltiples redes, y, entre otras aplicaciones, han hecho posibles la creacin de redes de datos de alta velocidad a grandes distancias (redes transcontinentales y transocenicas). En esta asignatura se presentan los principios bsicos que rigen las transmisiones pticas. Para ello, el curso estructura el temario en apartados dedicados a las bras pticas (el canal de transmisin), los transmisores pticos, los receptores pticos y los amplicadores pticos (necesarios para comunicaciones a grandes distancias). Finalmente, se presenta una breve introduccin a las redes pticas basadas en los conceptos desarrollados a lo largo de los apartados precedentes.
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Objetivos
Los objetivos que el estudiante ha de haber conseguido una vez estudiados los materiales didcticos de este mdulo son:
1. Conocer los principios fsicos que rigen la transmisin a travs de una bra ptica. 2. Entender las limitaciones propias del canal de transmisin ptico. 3. Identicar los distintos tipos de bra ptica. 4. Comprender los mecanismos de interaccin radiacin-materia, base de las comunicaciones pticas. 5. Entender el funcionamiento de los transmisores pticos. 6. Comprender los tipos de receptores pticos, su funcionamiento, sus limitaciones y sus caractersticas. 7. Estudiar los principios fsicos que rigen la amplicacin ptica. 8. Aprender los conceptos bsicos de las redes pticas ms importantes.
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1. Fibra ptica .
Los sistemas de comunicacin en bra ptica han mejorado las prestaciones de las redes de telecomunicaciones gracias a un medio fsico capaz de transmitir datos a alta velocidad y para largas distancias. Las ventajas que han hecho de la bra ptica el medio de transmisin que permite mayores velocidades de transmisin son por un lado el amplio ancho de banda que posee y, por otro lado, que las transmisiones guiadas a travs de bra ptica no se ven afectadas por interferencias electromagnticas, como s sucede en transmisiones a travs de un cable coaxial. El canal de un sistema de transmisin en bra ptica puede ser visto como una cascada de varios dispositivos, siendo la bra ptica el componente clave. La complejidad del canal depende, en gran medida, de la distancia entre emisor y receptor. En el caso de sistemas muy simples, el canal coincide con un segmento de bra ptica que puede variar desde cientos de metros (como en el caso de los sistemas de acceso) hasta uno o dos centenares de kilmetros. Para distancias ms largas, la amplicacin ptica es necesaria para compensar las prdidas introducidas por la bra y, de acuerdo con los requisitos de la red, otros dispositivos pueden ser incluidos en el canal, tales como ecualizadores pticos, bras compensadoras de la dispersin*, ltros pticos, multiplexadores pticos para agregar y extraer datos**, y optical cross connects para conmutar longitudes de onda. . Del mismo modo que sucede en los sistemas de radiocomunicaciones, en comunicaciones pticas el acceso al medio puede ser mltiple y, por lo tanto, el medio puede ser compartido. As, mientras en radiocomunicaciones se habla de frecuencias, en comunicaciones pticas se utiliza el trmino longitud de onda. La razn reside en la naturaleza de las seales que se manipulan, que en este caso son ondas de luz.
* En ingls, dispersion compensating bers (DCF). ** En ingls, optical add-drop multiplexers, (OADM).
Longitud de onda La relacin entre frecuencia (f ) y longitud de onda () es v = f , donde v es la velocidad de la luz en el medio de transmisin.
En la gura 1 hay un ejemplo de sistema de transmisin en bra ptica que incluye el transmisor, el receptor, el canal de bra ptica y los amplicadores pticos (OA). Tambin los acopladores estn indicados. A lo largo de este apartado se describir en detalle el canal de bra ptica.
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Figura 1. Sistema de transmisin ptico

Seal elctrica a la entrada Acoplador OA
Driver
Fibra ptica OA
LED/Lser
Modulador (MZM)
Seal elctrica a la salida
Fotodetector
Acoplador
1.1. Principios de transmisin en bra ptica Una bra ptica es un cable de vidrio compuesto por un ncleo (core) y un revestimiento (cladding ) que tienen un ndice de refraccin diferente. El ndice de refraccin del ncleo n1 es ms alto que el ndice n2 del revestimiento, para que la radiacin pueda ser guiada por reexin total en la interfaz entre el ncleo y el revestimiento. De este modo, la radiacin es guiada a travs del ncleo de la bra ptica gracias a las propiedades fsicas que rigen la refraccin y la reexin de una onda cuando hay un cambio de medio (el ncleo y revestimiento). En la gura 2 se muestra la estructura de una bra ptica.
ndice de refraccin El ndice de refraccin (n) se dene como la relacin entre la velocidad a la que viaja la luz a travs de un medio (v) y la velocidad de la luz (c): c n= v
Figura 2. Estructura de una bra ptica
Revestimiento externo 250 m 125 m 2a Revestimiento n2 Ncleo n1 > n2 Revestimiento n2 Revestimiento externo
La propagacin de la luz en bras pticas se basa en el principio de la reexin interna total, como se muestra en la gura 3. As, en general, cuando un rayo de luz incide sobre la supercie entre dos medios isotrpicos con ndices de refraccin diferentes, el rayo incidente se divide en dos componentes: el rayo reejado y el rayo refractado (o transmitido). Teniendo en cuenta que el rayo incidente forma un ngulo determinado con la perpendicular de la supercie de separacin entre los medios, el rayo reejado y el rayo refractado sern reejados y transmitidos, respectivamente, con un ngulo determinado cada uno. Dada la estructura de una bra ptica, es importante entender este fenmeno porque es gracias a l por lo que un rayo de luz puede ser guiado a travs de un cable de vidrio a lo largo de grandes distancias sin que ello provoque grandes prdidas de potencia ptica.
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Figura 3. Las leyes de la propagacin de Snell
Superficie de separacin de los medios Rayo incidente
i t Rayo refractado (o transmitido) Rayo reflejado ndice de refraccin n1 ndice de refraccin n2
n 1 > n2
Centrando el estudio en el caso de la transmisin a travs de una bra ptica, el objetivo es que, dado un rayo en el interior del ncleo de la bra ptica, ste quede connado dentro del ncleo para conseguir la mnima prdida de energa debida a la refraccin (energa que se transmite desde el ncleo hacia el revestimiento). La gura 3 esquematiza las leyes de la reexin y de la refraccin. Un rayo de luz que viaja a travs de un medio isotrpico con ndice de refraccin n1 , cuando llega a la supercie de separacin con otro medio isotrpico con ndice de refraccin n2 se divide en dos rayos: el rayo reejado y el rayo refractado (o transmitido). Como su nombre indica, el rayo reejado es aquel que permanece en el medio con ndice de refraccin n1 . El rayo refractado es aquel que es transmitido desde el medio con ndice n1 hacia el medio con ndice n2 . Las leyes de la reexin y de la refraccin relacionan los ndices de refraccin de ambos medios (n1 y n2 ) y los ngulos que forman los tres rayos con la perpendicular de la supercie de separacin (i , r y t ). . Las leyes de la reexin y de la refraccin relacionan los parmetros bsicos del problema: el ngulo incidente (i ), ngulo reejado (r ), el ngulo transmitido (t ) y los ndices de refraccin de los dos medios (n1 y n2 ). As,
Willebrord Snellius La Ley de Snell debe su nombre al astrnomo holands Willebrord Snellius, quien la enunci en el siglo XVII .
El ngulo incidente es igual al ngulo reejado:

i = r
El seno del ngulo incidente y del ngulo transmitido estn relacionados por los ndices de refraccin de los dos medios en que se propagan (ley de Snell): n1 sen i = n2 sen t
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Tal y como ya se ha anunciado anteriormente, el objetivo es que la energa perdida debido a la refraccin (transmisin del ncleo hacia el revestimiento) sea mnima o nula. Arreglando la expresin de la Ley de Snell, se obtiene que: n1 sen i . n2
sen t =
(1)
Se puede asegurar, por denicin, que 1 sen t 1. Si se considera un ngulo incidente y unos ndices de refraccin tales que
n1 n2
sen i > 1, no existe
ningn ngulo t que permita que la expresin (1) se cumpla, y por lo tanto, se deduce que no habr rayo refractado. En ausencia de rayo transmitido (o refractado), todo el rayo permanece en el ncleo y es guiado por la bra ptica. En conclusin, para que el rayo quede connado en el ncleo es necesario que se cumpla: n2 . n1
sen i >
(2)
Si denominamos lim al ngulo incidente mnimo que garantiza que el rayo queda connado en el ncleo, su expresin es la siguiente: n2 , n1 n2 . n1
sen lim =
(3)
lim = arc sen
(4)
La gura 4 muestra lo que sucede en el interior de una bra ptica. Como puede observarse, cuando el rayo de luz que viaja a travs del ncleo de la bra ptica incide en la supercie de separacin entre el ncleo y el revestimiento con un ngulo inferior al ngulo lmite (lim ), parte de la potencia se transmite hacia el revestimiento. Por el contrario, si el ngulo del rayo incidente es mayor que el ngulo lmite, entonces la luz queda connada dentro del ncleo.
Figura 4. Reexin interna total y ngulo lmite
i < lim n1 > n2

Rayo refractado
i > lim n1 > n2 n2

Rayo incidente
n2 n1
Rayo reflejado
n1 lim
Rayo incidente
lim
Rayo reflejado
n2
n2
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En conclusin, para asegurar que un rayo de luz es transmitido a travs del ncleo de una bra ptica, es necesario garantizar que se cumple
i > lim .
(5)
Hasta ahora las expresiones derivadas estn relacionadas con la supercie entre el ncleo y el revestimiento. A pesar de ello, se trata de expresiones generales aplicables a cualquier supercie entre dos medios con distinto ndice de refraccin. Es por este motivo por lo que el mismo anlisis puede ser llevado a cabo para determinar, al principio de la bra ptica, el ngulo con el cual debe incidir el rayo de luz sobre el ncleo para conseguir que el rayo reejado sea mnimo y el rayo transmitido sea mximo (gura 5). Es decir, cuando un transmisor ptico genera un rayo que incide sobre el ncleo de la bra ptica (el principio del tramo de bra) para ser transmitido, es deseable que se pierda la mnima potencia debido al desacoplo entre el ncleo de la bra y el exterior. Ntese que en este caso el objetivo es opuesto al anterior. As, el objetivo para connar el rayo dentro del ncleo es que el rayo refractado sea nulo, mientras que el objetivo al inicio de la bra es que el rayo reejado sea nulo.
Figura 5. Determinacin de la apertura numrica (NA)
n0 M lim
Revestimiento Ncleo n1 > n2
En este contexto, un parmetro muy importante es la apertura numrica (NA), que se dene como
NA = n0 sen M ,
(6)
donde M es el ngulo mximo que puede tener un rayo luminoso que llega a la entrada de la bra desde un medio con ndice de refraccin n0 (como por ejemplo el aire). Como se puede observar en la gura 5, para que el rayo sea guiado es necesario que el ngulo M sea mayor o igual al ngulo lmite lim . De acuerdo con la Ley de Snell
n0 sen M = n1 sen M
(7)
donde M es el ngulo que el rayo refractado por la interfaz entre el ncleo y el
medio de ndice n0 forma con el eje de la bra. Por trigonometra, y a partir de la expressin del ngulo lmite obtenida en la expresin (3), se puede asegurar
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cos M = sen lim =
n2 . n1
(8)
Teniendo en cuenta la relacin trigonomtrica que relaciona el cuadrado del seno y el coseno de un ngulo cualquiera,
cos2 + sen2 = 1 y por lo tanto, sen =

p
(9)
1 cos2
(10)
es posible desarrollar la expresin de la apertura numrica (NA)
NA
= =
n0 sen M n0
q s
n1 sen M n0
n1
1 cos2 M
n1
q
n2 n1
2 n2 1 n2
(11)
Generalmente la diferencia entre los dos ndices de refraccin es muy pequea y se puede asumir que n1 = n2 + n y la apertura nmerica se puede aproximar a
NA =
2n2 n.
(12)
La NA es adimensional y menor que 1, y los valores tpicos que toma estn entre pocas centsimas y unas dcimas, mientras los valores de M tpicos se sitan entre unos grados y 10-20 grados. La apertura nmerica es un parmetro muy importante porque de ella depende la fraccin de potencia luminosa que una fuente ptica puede transmitir en bra para que sea guiada y se pueda propagar, es decir, la potencia que se puede acoplar en bra. Supongamos una fuente ptica que emite, hacia el ncleo de una bra ptica, una potencia Pt . La potencia que nalmente es inyectada al ncleo y por lo tanto viaja a travs de la bra es Pi . La relacin entre ambas potencias es Pi = (NA)2 . Pt
(13)
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Ejemplo 1 Supongamos una bra ptica de silicio (Si) con ndice de refraccin del ncleo (core) n1 = 1,47 e ndice de refraccin del revestimiento (cladding ) n2 = 1,45. La apertura numrica de la bra (NA) viene dada por la frmula (11), es decir, NA = 0,241; por lo tanto, el ngulo mximo de aceptacin de un rayo luminoso que llegue a la entrada de la bra (M = sen1 (NA)) es igual a 13,94 .
Ejemplo 2 Considrese una bra ptica con ndice de refraccin del revestimiento n2 = 1,46 y en la cual la diferencia entre los ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento son n = 1 %. En este caso, la apertura numrica de la bra viene dada por la frmula (12), por lo tanto NA = 0,17; el ngulo mximo de aceptacin de un rayo luminos que llegue a la entrada de la bra (M = sen1 (NA)) es igual a 9,78 .
Ejemplo 3 Se asume una potencia ptica incidente en el ncleo de la bra Pt = 0 dBm. Si el mximo ngulo de aceptacin es 20 , la apertura nmerica de la bra es NA = 0,342 y por lo tanto, la eciencia de acoplamiento entre fuente ptica y bra es = (NA)2 = 0,17, la potencia ptica que es acoplada a la bra es Pi = 170 W.
1.1.1. Nmero de modos de propagacin La luz ha sido estudiada histricamente desde dos enfoques distintos en funcin del fenmeno que se pretenda explicar. Por un lado se la ha considerado como una partcula (o un rayo) y por otro como una onda electromagntica. Las dos perspectivas no son contradictorias, sino que se complementan. Las leyes de la reexin y de la refraccin son fruto del estudio de la luz desde la perspectiva de las partculas. El fenmeno que ahora se explicar se basa en el anlisis de la luz como un campo electromagntico. La luz es, a todos los efectos, un campo electromagntico con una frecuencia (o longitud de onda). Como campo electromagntico, la luz que viaja a travs del ncleo de una bra ptica debe cumplir las leyes que rigen el electromagnetismo (ecuaciones de Maxwell) particularizadas para las frecuencias y la geometra de la transmisin en la bra. Las leyes del electromagnetismo presentan una complejidad elevada y no son el objetivo de este curso, por lo tanto, a continuacin se realiza una descripcin cualitativa. El campo magntico puede ser descompuesto en un conjunto de componentes llamados modos. Cada modo, adems, puede ser entendido como una distribucin espacial del campo elctrico dentro de la bra ptica. Cuando un pulso de luz polarizada es inyectado al ncleo de una bra, se excitan mltiples modos. A pesar de ello, slo algunos de esos modos pueden ser transmitidos a travs de la bra ptica. Cada modo viaja a travs de la bra a una velocidad de grupo distinta, y este fenmeno, como se describir ms adelante, degradar la forma del pulso de luz recibido. Volviendo al modelo de la luz como un rayo utilizado para calcular el ngulo crtico, es posible asociar cada modo a un ngulo incidente (i ) distinto.
James Maxwell James Maxwell (1831-1879) fue el fsico escocs que describi las ecuaciones que constituyen el fundamento terico del electromagnetismo, conocidas en su honor como las ecuaciones de Maxwell.
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Las bras pticas se pueden distinguir entre bras monomodo (SMF) y bras multimodo (MMF), en funcin del nmero de modos que se propagan a travs de ellas. En el caso de que un slo modo sea transmitido, se tratar de una bra monomodo. En el caso de que ms de un modo sea transmitido, entonces se denominar bra multimodo. Para poder determinar el nmero de modos y por lo tanto, poder discriminar entre bras pticas SMF y bras MMF, el nmero de modos de propagacin depende de un parmetro al que se denomina frecuencia normalizada (V), y que se dene de la siguiente forma: 2 a NA.
V=
(14)
La frecuencia normalizada depende de las caractersticas fsicas de la bra, ya que depende de la apertura nmerica y del dimetro del ncleo. Ahora, si 0 V 2,405 entonces la bra es SMF, mientras que si V > 2,405
entonces la bra es MMF. La condicin de una bra en trminos de nmero de modos de propagacin se expresa tambin con el concepto de longitud de onda de corte (cut-off wavelength, c ), denida como la longitud de onda para la cual el valor de la frecuencia normalizada (V ) es 2,405, es decir: 2aNA 2,405
c =
(15)
donde a es el radio de la bra. Si la longitud de onda que se propaga () es tal que:
(16)
entonces la bra tiene un comportamiento monomodo (SMF). En las bras pticas MMF de tipo salto de ndice (SI), el nmero de modos de propagacin (Nm ) se puede estimar aproximadamente como: V2 . 2
Nm
(17)
Ejemplo 4 Considrese una bra ptica con NA = 0,2 y dimetro del ncleo 2a = 5 m. Si la portadora ptica emitida por una fuente y que se tiene que propagar en bra se caracteriza por = 1.550 nm, la frecuencia normalizada resulta V 2, y por lo tanto, la bra es SMF. Si ahora la portadora que se quiere propagar a travs de la misma bra se caracteriza por = 0,9 m, la frecuencia normalizada resulta V 3,5 y por lo tanto, la bra es MMF. Es decir, dada una bra de determinadas caracteristicas, sta tendr un comportamiento SMF o MMF dependiendo de la longitud de onda de la portadora a propagar.
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Para aplicaciones de corto alcance, por ejemplo las redes en el interior de los edicios, se utilizan preferiblemente las bras multimodo por su bajo coste y fcil instalacin. Por otro lado, para distancias superiores a unos kilmetros, se emplean las bras SMF. En general, el dimetro del ncleo de un bra SMF mide entre 3 y 10 m, mientras en el caso de MMF, entre 50 y 400 m. El valor mximo para el revestimiento de una bra SMF es de 125 m; para bras MMF los valores tpicos estn entre 50 y 125 m (pero puede llegar a medir hasta 500 m). La tabla 1 resume estos valores.
Tabla 1. Dimensiones del ncleo y del revestimiento Tipo de bra SMF MMF Ncleo 3-10 m 50-400 m Revestimiento < 125 m 50-125 m
Existen tambin bras multimodo con ndice de refraccin variable entre el ncleo y el revestimiento denominadas bras de gradiente de ndice (GI, graded index) y se caracterizan por tener valores de los parmetros intermedios entre bras SMF y MMF de salto de ndice (SI, step index). La gura 6 muestra el perl de ndice de refraccin de dos bras, una SI y la otra GI.
Fibras SI y GI Las bras SI (step index ) son aquellas con un ndice de refraccin en el ncleo (n1 ) y un ndice de refraccin distinto en el revestimiento (n2 ), con n1 > n2 . Por el contrario, las bras GI (graded index ) presentan ndices de refraccin que van variando entre el ncleo y el revestimiento.
Figura 6. Perl del ndice de refraccin dentro de la bra ptica: a. para SI; b. para GI
n(t) n1
n(t) n1
n2 d Rev. Ncleo a. Rev.
n2 d Rev. Ncleo b. Rev.
El dimetro del ncleo en este caso tiene un valor aproximadamente de 50 m y el dimetro del revestimiento tpicamente es de 125 m. Externamente al revestimiento hay un ulterior revestimiento protectivo que no tiene otra funcin ms que la de proteger el ncleo y el revestimiento, y por lo tanto, el dimetro total de la bra llega a unos 0,25 mm. La gura 7 muestra la diferencia entre la transmisin de un rayo a travs de una bra SI y de una bra GI. Como se puede observar, en el caso de la bra SI el rayo cambia de direccin cada vez que es reejado en la supercie de separacin entre el ncleo y el revestimiento. En cambio, en la bra GI, el rayo va cambiando la direccin progresivamente dentro del ncleo a medida que aumenta el ndice de refraccin.
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Figura 7. Propagacin de la luz en una bra: a. SI; b. GI
n1 > n2 n2 n1 n1 constante
n2 a. n1 > n2 n2 n1 n1 creciente desde el centro hacia los extremos
n2 b.
Las bras multimodo se caraterizan por tener una mayor apertura numrica y/o mayor dimetro del ncleo con respecto a las bras monomodo. Eso permite que sea ms fcil el acoplamiento entre fuente ptica y bra, pero implica tambin que se produzca un fenmeno que no se da en las bras SMF: la dispersin intermodal que perjudica la transmisin.
Ved tambin La dispersin intermodal se estudia en el subapartado 1.1.3 de este mdulo.
1.1.2. Atenuacin La atenuacin de la bra es muy baja comparada con otros medios de transmisin. Desde los aos sesenta se empez a estudiar la propagacin en bra ptica. Las primeras bras tenan una atenuacin muy alta del orden de miles de dB/km. Teniendo en cuenta que la atenuacin mxima aceptable en un enlace sera de 30-40 dB, estas bras hubieran necesitado repetidores (con conversin ptico-elctrico-ptico) cada 30-40 m. Por lo tanto, desde un punto de vista prctico, estos sistemas no resultaban una solucin interesante. En los aos setenta, la tecnologa de produccin de las bras empez a mejorar hasta llegar a atenuaciones de 20 dB/km. Desde entonces hasta hoy las mejoras han sido continuas. La gura 8 muestra una curva tpica de absorcin en funcin de la longitud de onda.
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Figura 8. Curva de la atenuacin en la bra ptica
dB [dB/km] 8 6 4 2 0 800 950 1.100 1.250 1.400 1.550 1.700 [nm] dB 2,5 dB/km = 0,85 m (1. ventana) dB 0,4 dB/km = 1,3 m (2. ventana) dB 0,25 dB/km = 1,55 m (3. ventana)
Hay tres ventanas donde la atenuacin presenta valores mnimos:
En la primera ventana, entre 800 y 900 nm la atenuacin es de unos dB/km. Esta ventana fue la primera que se utiliz en las comunicaciones pticas, en la dcada de los 70 y 80, debido al bajo coste de los transmisores y receptores para esta ventana.
En segunda ventana, alrededor de los 1.310 nm, los valores de atenuacin bajan a menos de 1 dB/km hasta llegar a 0,2-0,3 dB/km. Esta ventana empez a ser utilizada a mediados de la dcada de los 80.
La tercera ventana, entre 1.510 nm y 1.600 nm, se caracteriza por el valor de atenuacin mnima. A partir de nales de la dcada de los 90 se empez a utilizar esta ventana, debido al elevado coste de los transmisores y los receptores.
Los sistemas de transmisin pticos actuales trabajan en segunda y tercera ventana, a las longitudes de onda centrales de 1.300 nm y 1.550 nm, respectivamente. Adems de la atenuacin propia de la bra ptica, y directamente relacionada con el tipo de bra y la longitud de onda de la seal, existen otros motivos que pueden hacer incrementar la atenuacin. El factor ms importante, y controlable durante la instalacin de la bra, es la existencia de ngulos pronunciados o curvaturas*. Cuando en el momento de la instalacin la bra ptica debe sortear esquinas, recodos, etc., se produce un incremento de la atenuacin. Dicha atenuacin es mayor cuanto menor es el radio de curvatura.
* En ingls, bend.
1.1.3. Dispersin intermodal Tal y como se ha explicado en el subapartado 1.1 (gura 5), el ngulo M dene un cono de aceptacin de la bra ptica. As, un rayo que incida en el ncleo
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de la bra ptica con un ngulo inferior o igual a M podr ser transmitido. En funcin del ngulo de entrada a la bra, la distribucin espacial del rayo ser una u otra. . Si consideramos un nmero de rayos nito que incide sobre el ncleo a la entrada de la bra ptica con un ngulo menor o igual a M , cada uno de estos rayos es denominado modo. As, la diferencia entre las bras monomodo y multimodo reside en el nmero de modos que viajan a travs de ella (uno para bras monomodo y ms de uno para bras multimodo).
Dado que las prdidas en bra son muy bajas y pueden ser compensadas a travs de la amplicacin ptica, la causa principal de degradacin de la seal debida a la transmisin es la dispersin. La dispersin intermodal se debe a las diferentes velocidades con que cada modo se propaga. De hecho cuando se lanza un pulso de luz a la entrada de una bra multimodo, se excitan diferentes modos de propagacin. Los pulsos, asociados a cada modo excitado, viajan a travs de la bra con diferentes velocidades porque tienen diferente velocidad de grupo. Los tiempos de propagacin en el enlace de bra resultan diferentes y a la salida de la bra hay un nmero de copias del pulso de entrada igual al nmero de modos. Cada copia tiene un retardo diferente y, por lo tanto, a la salida del enlace de bra se genera un solo pulso con duracin temporal mayor a la del pulso a la entrada. Cuando se transmite un tren de pulsos (en el ejemplo de la gura 9 se muestran dos pulsos) el ensanchamiento puede producir que la energa de dos pulsos consecutivos se solape y ocurra la llamada interferencia entre smbolos (ISI), que depende de la velocidad de transmisin (bit rate) y de la dispersin intermodal. As, la dispersin es un fenmeno clave que determina la mxima velocidad de transmisin a la que se puede transmitir a travs de una bra ptica.
Figura 9. Fenmeno de la dispersin multimodo
Revestimiento n2 Ncleo n1 > n2
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Para bras multimodo SI, el ensanchamiento temporal del pulso se puede calcular a travs de la frmula n2 1 n2 c
t = L
(18)
donde L indica la longitud del enlace de bra, c es la velocidad de la luz y representa un ndice de refraccin ecaz denido como n1 n2 . n1
(19)
Como ya se ha dicho, la dispersin (o ensanchamiento temporal) se debe a las diferentes velocidades de los modos. Para un caso sencillo como las bras multimodo SI, es sencillo demostrar la expresin (18). Supongamos una bra como la de la gura 10. Cualquier modo que se transmita a travs de ella a lo largo de un tramo de longitud L, recorrer una distancia efectiva D, que se relaciona con la longitud de la bra segn L . D
sen i =
(20)
Por lo tanto, la distancia efectiva que recorre un modo dentro de un tramo de bra de longitud L es D = L/ sen i .
Figura 10. El modo con ngulo de incidencia recorre una distancia efectiva D y el tramo equivalente de bra recorrida es L
n2 D n1
La velocidad para recorrer la distancia D en un medio con ndice de refraccin n1 (ncleo de la bra) es v = c/n1 , indicando con c la velocidad de la luz. Por lo tanto, el tiempo de propagacin para recorrer el tramo L es Ln1 D Dn1 = = . v c c sen
t=
(21)
La gura 11 muestra la diferencia entre el rayo ms rpido y el rayo ms lento en un tramo de bra ptica con una longitud mayor, a la que por sencillez tambin denominaremos L. Cabe recordar que, segn el principio de reexin interna total, lim i aquel que i =
2 2.
Como muestra la gura, el rayo ms rpido es
y el rayo ms lento es aquel que i = lim .
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Figura 11. Efecto de las diferentes velocidades de los rayos
Modo ms rpido (i = /2)
Modo ms lento (i = lim)
n1 > n2 n2
lim
n1
n2 L
Mediante trigonometra es posible asegurar que la ecuacin (21) tambin es vlida en este escenario. Sustituyendo los valores para encontrar el tiempo del rayo ms rpido (i =
/2) y del rayo ms lento (i = lim ), se obtiene
min = |i = = L
2
n1 , c
(22)
max = |i =lim = L
n2 1 . cn2
(23)
Por lo tanto, la diferencia entre el tiempo que tarda el modo ms rpido en propagarse hasta el extremo de la bra y el tiempo que tarda el modo ms lento se puede escribir como n1 c
= max min = L
n1 n2 n2
(24)
Teniendo en cuenta que en las bras multimodo SI n2 n1 , se puede aproximar por
n1 c
n1 n2 n1
(25)
Para bras multimodo GI, la expresin del ensanchamiento del pulso ptico es ms difcil de demostrar y no procederemos a ello. De todos modos se puede calcular segn la frmula n1 2 . 8c
= L
(26)
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Ejemplo 5 Considrese un tramo de bra ptica de salto de ndice (SI) de longitud L = 1 km y con ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento n1 = 1,5 y n2 = 1,47 respectivamente. La dispersin intermodal es = 100 ns.
1.1.4. Dispersin intramodal En los sistemas que utilizan bra SMF, la dispersin multimodo no est presente, ya que slo se transmite un modo a travs de la bra; sin embargo, la transmisin se degrada por la dispersin intramodal o cromtica. Tal dispersin se debe a que la fuente ptica no es mono-cromtica, es decir, emite ms de una longitud de onda. La constante de propagacin es una funcin de la frecuencia ptica y las componentes espectrales de la seal se propagan, por lo tanto, con diferentes velocidades, causando el ensanchamiento temporal del pulso, como se puede ver en la gura 12a. La dispersin cromtica se mide a travs del parmetro d2 . d 2
2 =
(27)
Figura 12. a. Ensanchamiento del pulso ptico debido a la dispersin cromtica, que puede causar ISI. b. Efecto de la PMD (polarization mode dispersion)
t 1/B a. z t
Fotodetector
b.
La dispersin cromtica se suele medir con el parmetro D en [ps/nm/km], que est relacionado con el factor 2 a travs de la expresin 2 c 2 . 2
D=
(28)
El parmetro D permite simplemente la estimacin de la degradacin de la seal debido a la dispersin cromtica en trminos de ancho de banda de la seal. Para una bra de longitud L, la dispersin cromtica es:
= D L
(29)
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y se expresa en ps/nm, es decir, depende de la anchura espectral de la fuente. Teniendo en cuenta la anchura espectral de emisin de la fuente ptica (), la dispersin intramodal se puede expresar:
= D L .
(30)
1.1.5. Dispersin de modo de polarizacin El trmino single mode de la bra monomodo no es estrictamente correcto porque una bra SMF siempre soporta dos modos de polarizacin, que en condiciones ideales (simetra circular perfecta, ninguna bra torcida o estresada) son modos degenerados, lo que signica que tienen la misma constante de propagacin . Sin embargo, en la prctica, debido a las imperfecciones de la bra, los dos modos tienen constantes de propagacin diferentes. Este efecto es la dispersin de modo de polarizacin* (PMD), que induce al ensanchamiento del pulso ptico, como se muestra en la gura 12b. Las dos componentes de polarizacin de la seal atraviesan la bra con velocidades de grupo diferentes. Obviamente, en el caso en que los efectos de la PMD se puedan despreciar, la bra se puede considerar puramente de modo nico (single mode). La PMD puede ser un efecto perjudicial para los sistemas pticos que transmiten con velocidad superior a 10 Gb /s en enlaces muy largos (por encima de los 500 km). . Si consideramos los tiempos de la dispersin intermodal (tm ), de la dispersin cromtica (tc ) y de la dispersin de modo de polarizacin (tp ), la dispersin total (tD ) se puede calcular como:
q
* En ingls, polarization mode dispersion (PMD).
tD =
2 + t2 + t2. tm c p
(31)
1.1.6. Ancho de banda de las bras Para evitar el solapamiento de pulsos de luz en la propagacin en la bra, la mxima tasa de bit de la seal (B) tiene que ser inferior a la duracin del pulso ensanchado por la dispersin, es decir: 1
(32)
donde representa la duracin inicial del bit y el ensanchamiento del pulso debido a la dispersin. En esta formulacin se asume que la duracin del
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pulso inicial es igual al ensanchamiento producido por la dispersin (); es como: decir, = 2 . Por lo tanto, la mxima tasa de bit se puede tambin expresar
1 . 2
(33)
La conversin de la tasa de bits en ancho de banda (Bw , expresado en Hz) depende del formato de codicacin digital. En caso de utilizar codicacin Non-Return-to-Zero (NRZ), o sea, la duracin del pulso de potencia ptica se mantiene durante toda la duracin del bit, el ancho de banda de la bra se puede expresar de la siguiente forma: B . 2
Bw =
(34)
En el caso de utilizar codicacin Return-to-Zero (RZ), es decir la duracin del pulso de potencia ptica se mantiene durante la mitad de la duracin del bit, el ancho de banda se puede expresar de la siguiente forma:
Bw = B.
(35)
Figura 13. Pulso Non-Return-to-Zero (NRZ) y Return-to-Zero (RZ)
Tiempo de bit Valores lgicos 1
Tiempo de bit 1
Non-Return-to-Zero (NRZ)
Return-to-Zero (RZ)
1.1.7. Tipos de bra ptica y diseo de sistemas de transmisin en bra Se pueden distinguir diferentes estndares que caracterizan a la bra SMF principalmente en trminos de dispersin cromtica. Aqu mostramos los principales estandares G.65 x, segn las recomendaciones del Sector de Estandarizacin de las Telecomunicaciones de la Unin Internacional de Telecomunicaciones*:
* International Telecommunication Union Telecommunication Standardization Sector (UIT-T)
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G.652: bra de salto de ndice (SI) con cero de dispersin en 1.300 nm y parmetro D a 1.500 nm de aproximadamente 17 ps/nm/km; G.653: bra con dispersin desplazada (dispersion shifted): la dispersin es cero a 1.550 nm. El hecho de que la dispersin cromtica sea cercana a cero en toda la tercera ventana (con frecuencia central 1.550 nm) favorece los efectos no lineales;
G.655: bra non-zero dispersion-shifted creada para reducir los efectos no lineales en las bras G.652. Para las bras G.655, la dispersin cromtica a 1.550 nm es generalmente inferior a 5 ps/nm/km;
G.657: bras para aplicaciones de enlaces cortos.
El diseo de los sistemas de comunicacin en bra ptica requiere una clara comprensin de las limitaciones impuestas por las prdidas (la atenuacin), las dispersiones, y las no linealidadades de la bra. Dado que las propiedades de la bra son dependientes de la longitud de onda, la eleccin de la longitud de onda a la cual el sistema ptico transmite es un problema de diseo muy importante. En la gura 14 se muestra cmo la tasa de bit y la distancia de transmisin de un sistema de un nico canal estn limitadas por la atenuacin y la dispersin.
Figura 14. Distancia de transmisin L en funcin de la velocidad de bit para las tres ventanas de longitud de onda
1.000 600 400 L (distancia) (km) 200 100 60 40 20 10 6 4
1,55 m (lmite cuntico) 1,55 m 1,3 m
SMF
Fibra dispersion-shifted
0,85 m
2 1 0,0001
MMF step-index 0,001
Cable coaxial
MMF graded-index 0,1 Bit Rate (Gb/s) 1
SMF convencionales
0,01
10
100
Las lneas continuas y discontinuas indican respectivamente los sistemas limitados por la atenuacin y por la dispersin [agrawal].
La gura muestra el compromiso entre la longitud de la bra ptica y la tasa de bit para algunos de los tipos de bra comentados anteriormente. As, es posible observar que, para una longitud de onda = 0,85 m y una longitud de bra ptica dada, las bras multimodo de gradiente de ndice permiten transmitir a una mayor tasa de bit. O dicho de otro modo, para una tasa de bit determinada, las MMF de GI permiten transmitir a distancias mayores.
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Tambin en la gura 14 se compara el comportamiento de la bra monomodo de SI con la bra monomodo G.653. Es posible observar que las SMF convencionales permiten mayores tasas de bit o distancias cuando la longitud de onda es = 1,55 m que cuando es = 1,3 m. Adems, cuando se emplea la bra G.653 a = 1,55 m, el comportamiento mejora nuevamente debido al cero de dispersin que presenta a dicha longitud de onda.
1.1.8. Fenmenos no lineales en la bra ptica A pesar de que la bra ptica podra considerarse un ejemplo de medio lineal, ya que la seal se puede propagar a largas distancias, algunos efectos no lineales pueden degradar la transmisin. Las alteraciones no lineales son mucho ms evidentes cuando el canal de bra soporta la transmisin de varios canales con portadoras distintas. Por lo tanto, podemos decir que el ndice de degradacin no lineal viene dado por el producto L N P, donde L es la londel canal. Las degradaciones de la seal inducidas por las no linealidades crecen al aumentar la velocidad de transmisin y la potencia, y tambin dependen del tipo de seal transmitida. Para los sistemas de transmisin convencionales, la denominada no linealidad Kerr es el efecto no lineal principal, y puede afectar a la transmisin de tres maneras diferentes, dependiendo del escenario: self-phase modulation, four-wave mixing y cross-phase modulation. . El efecto Kerr se dene como la dependencia del ndice de refraccin de un material con el campo elctrico aplicado sobre l al cuadrado.
John Kerr John Kerr (1824-1907) fue el fsico escocs que descubri el efecto electro-ptico (QEO, Quadratic Electro-Optic effect ), tambin llamado efecto Kerr en honor a su descubridor.
gitud del enlace de bra, N el nmero de canales transmitidos y P la potencia
En particular, el ndice de refraccin vara en funcin del campo elctrico como
2 n = n0 + n 0 |E0 (z,t )|
(36)
donde n0 es el ndice de refraccin del material en ausencia de campo elctrico, n 0 es una constante que depende del material y E0 (z,t ) es el campo elc23 2 m /V2 , si escribimos el ndice trico. Por ejemplo, para el slice n 0 = 6,1 10
de refraccin en funcin de la intensidad, se obtiene
n(I ) = n0 + n 0 I (z,t )
(37)
20 donde I (z,t ) es la intensidad de corriente ptica y, para el slice, n 0 = 3,2 10
m2 /W.
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A continuacin se explican los tres posibles fenmenos derivados del efecto Kerr. Self-Phase Modulation (SPM) La SPM es un fenmeno que ocurre siempre que se propaga una intensidad ptica a travs de un material no lineal, como es el caso de la bra ptica. La causa de la SPM es la variacin del ndice de refraccin del material con la variacin de la intensidad (o, anlogamente, la amplitud del campo). En el caso de sistemas que soportan un nico canal, la intensidad de la seal I (t ) induce una variacin de fase en la misma seal, que se puede calcular como 2n2 I (t )z , 0
(38)
donde n2 representa el ndice no lineal de Kerr, 0 es la portadora y z es la coordenada espacial o longitudinal. Por lo tanto, en este caso, el efecto Kerr provoca una variacin de fase en funcin de la variacin de la potencia en el tiempo. Obviamente, cuanto mayor sea el tramo de bra ptica, mayor ser la variacin de fase. Este fenmeno se llama self-phase modulation (SPM). La degradacin principal inducida por el SPM, en el caso de tener dispersin cromtica nula, determina un ensanchamiento del espectro de la seal. La combinacin del efecto Kerr con la dispersin cromtica puede afectar a la seal de forma diferente:
En el caso de un pulso en el rgimen normal de la dispersin cromtica (2 > 0), el ensanchamiento del pulso se hace ms grande al aumentar el efecto Kerr, que crece con el aumento de la potencia de la seal.
En rgimen anmalo (es decir, 2 < 0), el comportamiento es ms complejo y el pulso tambin puede experimentar un estrechamiento espectral. Hay que sealar que cuando se cumplen determinadas condiciones en trminos de potencia inicial, duracin temporal del pulso, forma de pulso y dispersin cromtica, el pulso puede mantener su forma inicial y su duracin. Cuando se cumplen estas condiciones al pulso se le llama solitn.
. El solitn fundamental es el fenmeno por el cual los efectos no lineales de la bra ptica y la dispersin se cancelan, con lo cual el pulso ptico no sufre ningn ensanchamiento. La teora dice que la existencia de un solitn nicamente es posible en ausencia de prdidas. Aunque las bras reales presentan una atenuacin baja, no son ideales y por lo tanto, el solitn no existe.
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. A pesar de que el solitn no existe en las bras pticas reales, s existe la tendencia a la cancelacin de ambos efectos, fenmeno denominado efecto solitn.
Four-wave mixing (FWM) Cuando tres (o ms) canales con portadoras diferentes se propagan con elevada potencia a travs de una bra ptica, se generan nuevas frecuencias, de acuerdo con la relacin
FWM = 1 + 2 3 ,
(39)
como se puede observar en la gura 15. En este caso, la no linealidad se indica como mezcla de cuatro ondas*. El FWM es mximo cuando la dispersin cromtica es mnima (D = 0). En las redes con division por longitud de onda**, este efecto se puede reducir utilizando bra sin cero de dispersin (non-zero dispersion).
* En ingls, four-wave mixing (FWM). ** En ingls, dense wavelength division multiplexing, (DWDM).
Figura 15. Frecuencias espurias generadas por el fenmeno del FWM. Las componentes que caen fuera de la banda de la seal pueden ser ltradas.
213 123 113 112 223 312 132 221
231 321 332 331
. La DWDM es el equivalente, para medios de transmisin de bra ptica, a la multiplexacin en frecuencia*** utilizada en los medios de transmisin de ondas electromagnticas. En el DWDM, distintas seales son transmitidas por la misma bra ptica mediante diferentes longitudes de onda portadoras.
*** En ingls, frequancy division multiplexing (FDM).
Es importante tener en cuenta que el efecto de FWM es perjudicial cuando las frecuencias del canal son equidistantes, ya que en dicho caso las nuevas frecuencias generadas coinciden con las frecuencias portadoras. En la gura 15 se muestra un ejemplo con frecuencias 1 , 2 y 3 equidistantes. En la gura, las frecuencias FWM generadas se denominan como ijk = i + j k . Es posible
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observar que las tres frecuencias portadoras 1 , 2 y 3 son interferidas por frecuencias espurias generadas por el fenmeno no lineal FWM. Por lo tanto, al elegir adecuadamente las separaciones entre canales se puede encontrar una asignacin ptima para obtener el mnimo de FWM. El ejemplo de la gura es para 3 frecuencias portadoras. En general, para un nmero de portadoras N , el nmero de productos obtenidos es
N2 2 (N
1).
Cross-Phase Modulation (XPM) El ltimo efecto de la no linealidad de Kerr es la modulacin de fase cruzada*, que ocurre cuando dos o ms pulsos se propagan con diferentes frecuencias portadoras. En este caso, cuando los pulsos se solapan, la fase de un pulso se modica por la variacin de potencia de otros pulsos. Con el n de evaluar con exactitud la evolucin de la seal en la bra ptica, incluyendo el efecto Kerr, es necesario resolver numricamente la ecuacin de Schrdinger no lineal. La ecuacin Schrdinger no lineal se obtiene a partir de las ecuaciones fundamentales del electro-magnetismo, las ecuaciones de Maxwell, particularizadas para un medio de transmisin como la bra tpica. El estudio de esta ecuacin, que explica los efectos no lineales y la dispersin, no es objeto de este curso. A pesar de ello, dicha ecuacin se muestra a continuacin para que seis conscientes del alcance de la dicultad de su estudio:
A = z
Erwin Schrdinger (1887-1961), fsico austriaco que fue uno de los padres de la mecnica cuntica, formul la ecuacin que describe cmo cambia a lo largo del tiempo el estado cuntico de un sistema fsico. La ecuacin que describe los efectos no lineales de la bra ptica es una particularizacin no lineal de la ecuacin de Schrdinger.
* En ingls, cross-phase modulation (XPM).
Erwin Schrdinger
2 2
2A |A|2 A, t2
(40)
donde A es una funcin relacionada con el campo elctrico de un pulso ptico dentro de la bra, z es una coordenada longitudinal, t es el tiempo, y 2 y son dos constantes. Por ltimo, entre las no linealidades de la bra ptica hay que mencionar otros dos efectos: el scattering de Raman y el efecto de Brillouin. Ambos fenmenos son una consecuencia de la transferencia de energa de una seal a otras seales. Vemoslos:
Scattering de Brillouin. En el scattering de Brillouin, una parte de la potencia de la seal se convierte en una seal que se propaga en direccin contraria con frecuencia desplazada de 11 GHz con respecto a la seal transmitida. El scattering de Brillouin se presenta cuando la potencia de la seal transmitida a una frecuencia determinada es superior a muchos milivatios. El efecto de Brillouin puede despreciarse en la mayora de los sistemas operativos.
Lon Brillouin El scattering de Brillouin toma el nombre del fsico francs que lo descubri, Lon Brillouin (1889-1969).
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Efecto Raman. Al contrario de lo mencionado acerca de la importancia del scattering de Brillouin, el efecto Raman es considerable, en presencia de muchos canales de alta potencia en un amplio ancho de banda (WDM muy denso). Por lo tanto, el total de energa en el enlace de bra considerado debe ser cuidadosamente evaluado en el diseo de un sistema ptico a n de evitar la degradacin debida al efecto de Raman. Hay que sealar que el efecto Raman puede tambin ser utilizado para la amplicacin, ya que la potencia de las seales de bombeo puede ser transferida para amplicar seales dbiles. Por lo tanto, en algunos enlaces de bra, seales de alta potencia (de bombeo o pump) pueden ser inyectadas en el nal del tramo de bra para lograr una amplicacin de las seales de baja potencia.
Chandrasekhara Raman El nombre del efecto Raman hace honor al fsico indio Chandrasekhara Raman (1888-1970), uno de los descubridores de dicho efecto.
1.2. Resumen En el apartado 1 se ha explicado la estructura de la bra ptica, el canal de transmisin de las comunicaciones pticas. Se trata de un cable de vidrio compuesto de dos partes: el ncleo (con un ndice de refraccin mayor) y el revestimiento (con un ndice de refraccin menor). Gracias a la diferencia entre los ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento, la luz puede propagarse a travs de la bra a lo largo de grandes distancias. A pesar de que la estructura bsica de una bra ptica responde a lo explicado, tambin existen bras que tienen ndices de refraccin no constantes en el ncleo, llamadas bras de gradacin de ndice (GI), frente a las bras de salto de ndice (SI), con ndice constante. Se pueden distinguir dos tipos de bra en funcin del nmero de modos que pueden propagarse en ella: las bras monomodo (SMF) y las bras multimodo (MMF).
8 > > Monomodo (SMF) Step index (SI) > < 8 < Step index (SI) Fibra ptica > > > Multimodo (MMF) : : Graded index (GI)
Los mayores problemas que afectan a las transmisiones en bra ptica son la atenuacin y la dispersin, fruto de la diferencia entre los modos (llamada dispersin intermodal y slo existente en bras multimodo) o de las distintas componentes espectrales de la seal ptica (llamada dispersin cromtica). La bra ptica tiene un comportamiento muy lineal (y gracias a ello es posible transmitir a grandes distancias), pero presenta ciertos fenmenos no lineales: los fenmenos derivados del efecto Kerr (self-Phase modulation, SPM, cross-phase modulation, XPM, y four-wave mixing, FWM), el Scattering de Brillouin y el efecto Raman.
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8 > > Atenuacin > > 8 > > > < Intermodal > > > > Dispersin > > : > > Cromtica > > 8 8 > > < > > > Self-phase modulation (SPM) > > > < > Fenmenos que afectan a la transmisin > > > > > Efecto Kerr > Cross-phase modulation (XPM) > > > > < > > > > > : > Fenmenos no lineales > Four-wave mixing (FWM) > > > > > > > > > > > > Scattering de Brillouin > > > > > > > : : Efecto Raman
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2. Transmisores pticos .
En general, los transmisores pticos (fuentes pticas) son transductores que convierten una seal elctrica (corriente) en una seal luminosa (luz). Entre las caractersticas que se requieren para que las fuentes pticas puedan ser usadas en sistemas de transmisin de largo alcance y elevadas tasas de bit, cabe destacar una elevada eciencia de conversin, la emisin de luz/potencia ptica en las longitudes de onda correspondientes a las tres ventanas de transmisin en bra (comentadas en el apartado anterior), estabilidad con la temperatura, compatibilidad con las bras pticas para un eciente acoplamiento y coste reducido. Para satisfacer estos requerimientos, en los sistemas de comunicaciones pticas se utilizan esencialmente fuentes pticas hechas con semiconductores. De hecho, las fuentes pticas hechas con semiconductores ofrecen muchas ventajas, entre las cuales cabe destacar el tamao compacto, rea de emisin adecuada para el acoplamiento de la seal de salida a una bra, alta eciencia y abilidad, una gama de frecuencias adecuadas para los sistemas de transmisin ptica, y posibilidad de modulacin directa de la seal. Concretamente, se utilizan los lseres de semiconductores y los LED, realizados mediante uniones p n en polarizacin directa. Estos ltimos se utilizan principalmente en pequeas redes locales que no requieren altas velocidades de transmisin, mientras que los primeros se utilizan en las conexiones a grandes distancias y a altas tasas de bits. Los semiconductores ms utilizados son el arseniuro de galio dopado con aluminio (Alx Ga1x As) y el arseniuro de galio dopado con indio y fsforo (In1x Gax Asy P1y ). La concentracin x del Al, puesto en el retculo de GaAs, permite variar la longitud de onda de la radiacin en el rango 0,85 y 0,78 m (primera ventana), mientras que con la insercin de In y P se obtienen las longitudes de onda entre 0,9 y 1,67 m (segunda y tercera ventana). A lo largo de este apartado se analizan los principios en los que se basa el funcionamiento de los transmisores pticos, parte fundamental de cualquier sistema de comunicaciones pticas.
Lser y LED LASER son las siglas de light amplication by stimulated emission of radiation y LED son las siglas de light emitting diode.
2.1. Los semiconductores Los semiconductores son materiales que, en trminos de conductividad, se encuentran entre los conductores y los aislantes. La conductividad est relacionada con los enlaces existentes entre los ncleos de los tomos y sus electrones. Cuanto ms fuerte es dicho enlace, mayor dicultad supone que
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se rompa y que los electrones se muevan libremente (corriente elctrico). En otras palabras, a pesar de que los enlaces entre los electrones y el ncleo son fuertes, en los materiales semiconductores son susceptibles de romperse. Los semiconductores son los materiales que han hecho posible las comunicaciones pticas, y en este apartado entenderemos cmo, a partir de sus propiedades, permiten la generacin de luz a partir de corriente elctrica. El semiconductor ms utilizado en los transmisores pticos es el silicio (Si), que adems es uno de los elementos de la tabla peridica ms abundante en el planeta (la arena es, en gran parte, dixido de silicio, SiO2 ). La estructura de un tomo, sea cual sea el material, consta de un ncleo y unos electrones. El ncleo est formado por protones y neutrones y posee una carga positiva. En cuanto a los electrones, que tienen carga negativa, se encuentran orbitando alrededor del ncleo. No todas las rbitas son ni vlidas ni equiprobables. En el caso de los tomos de semiconductores, existen electrones con rbitas muy prximas al ncleo y electrones con rbitas ms lejanas. . En los semiconductores, los electrones con rbitas ms cercanas tienen enlaces muy fuertes con el ncleo y no acostumbran a cambiar de estado. Por el contrario, los electrones con rbitas ms lejanas pueden crear enlaces con otros tomos y son denominados electrones de valencia.
Por ejemplo, el tomo de silicio tiene 14 electrones, 10 de los cuales se encuentran en rbitas prximas al ncleo y 4 son electrones de valencia.
2.1.1. Semiconductor intrnseco Los tomos de materiales semiconductores pueden formar estructuras distintas, como por ejemplo estructuras completamente aleatorias o estructuras cristalinas. De todos modos, en la mayora de los semiconductores los tomos se disponen en estructuras regulares (cristalinas). Para formar estructuras cristalinas, los tomos crean enlaces covalentes, es decir, comparten electrones de valencia. Los electrones de valencia tienen, en esa situacin, un enlace con ambos ncleos. Se trata de enlaces fuertes. Volviendo al ejemplo del silicio, los tomos crean estructuras (tridimensionales) en las que cada tomo de silicio tiene 4 enlaces covalentes (un enlace para cada electrn de valencia) con 4 tomos diferentes. La gura 16 muestra un ejemplo de estructura cristalina. En ella, los tomos (crculos) estn unidos entre ellos mediante enlaces covalentes (rayas).
Enlace covalente Un enlace covalente es aquel que se forma cuando dos tomos comparten electrones de valencia.
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Figura 16. Estructura cristalina tpica de un semicoductor
Tal y como ya se ha mencionado, los enlaces covalentes son fuertes pero pueden romperse. Supongamos que un electrn de valencia, que est formando un enlace covalente, absorbe un quantum (o cuanto) de energa. Si la energa absorbida es sucientemente grande, el electron de valencia puede romper el enlace y convertirse en un electrn libre que se desplaza libremente por el semiconductor (el electrn se denomina electrn de conduccin). El enlace roto presenta un desequilibrio y, por lo tanto, es susceptible de captar un electrn para devolver el equilibrio al enlace covalente. Supongamos, para simplicar la explicacin, una estructura unidimensional como la mostrada en la gura 17. Cada enlace covalente est formado por dos electrones, cada uno aportado por un tomo. Los tomos se representan mediante circumferencias y los enlaces covalentes mediante lneas slidas. Adems, se aplica un campo elctrico sobre el semiconductor. Como podemos observar en la gura 17, el campo elctrico va desde el signo + al signo .
Quantum (o cuanto) de energa Trmino que designa la cantidad elemental con la que vara una magnitud fsica cuanticada, como por ejemplo la energa.
Figura 17. Simplicacin de la estructura de un semiconductor
En un momento determinado un electrn de valencia absorbe un quantum de energa y rompe el enlace. El electrn queda libre. El enlace roto se representa como una lnea discontinua. Debido al campo elctrico aplicado, el electrn de conduccin se desplaza en direccin contraria al campo elctrico. As, tenemos un enlace roto en el que, para recuperar el equilibrio, es necesaria una carga positiva (hueco) y una carga negativa (electrn). El enlace roto puede verse como una carga positiva. A partir de ahora denominamos hueco al enlace roto con carga positiva (gura 18).
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Figura 18. El enlace covalente se rompe y el electrn se desplaza libremente en la direccin contraria a la del campo elctrico.
Electrn
Hueco
El campo elctrico y el hueco existente propician que un enlace prximo se rompa y el electrn liberado se situe en el hueco existente para recuperar el equilibrio (gura 19).
Figura 19. Un enlace covalente se rompe y el electrn ocupa el espacio en el hueco prximo.
Electrn
Electrn
Hueco
El proceso se repite (gura 20). Ntese que el proceso produce dos efectos: por un lado los electrones se desplazan en el sentido contrario al campo elctrico y por el otro, los huecos se desplazan en el sentido del campo elctrico. Entendemos, pues, que los electrones de conduccin son portadores de carga negativa y que los huecos son portadores de carga positiva.
Figura 20. El proceso se repite.
Electrn
Electrn
Hueco
. Los semiconductores intrnsecos son aquellos semiconductores que no contienen impurezas. Es decir, son aquellos semiconductores en los que no hay tomos distintos a los del propio semiconductor.
En la realidad los semiconductores intrnsecos perfectos no existen, ya que siempre hay una cierta densidad de impurezas, aunque es posible encontrar semiconductores con densidades de impurezas muy bajas.
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2.1.2. Semiconductor extrnseco El proceso mediante el cual se aaden impurezas a la estructura de un semiconductor se denomina dopaje. . Un semiconductor extrnseco es aquel semiconductor que, mediante un proceso de dopaje, tiene impurezas en su estructura.
El tipo de impurezas que se aaden al semiconductor determinan si tiene exceso de portadores negativos (electrones) o de portadores positivos (huecos). Cuando las impurezas hacen que haya una mayor concentracin de electrones de conduccin, el semiconductor se denomina semiconductor de tipo n. Por el contrario, si existe una mayor densidad de huecos, el semiconductor es del tipo p. La clave para obtener un tipo u otro de semiconductor extrnseco depende de las impurezas. Volviendo a centrarnos en el semiconductor de silicio, las impurezas para conseguir un dopaje n son aquellas que tienen 5 electrones de valencia. Como el silicio tiene 4 electrones de valencia, al aadir tomos con 5 electrones de valencia hace que las impurezas entren en la estructura y tengan 4 enlaces covalentes. El quinto electrn queda libre. El fsforo o el arsenio son ejemplos de impurezas para obtener un semiconductor del tipo n a partir del silicio. En cambio, si las impurezas tienen 3 electrones de valencia, entonces sucede lo contrario. Las impurezas entran en la estructura creando 4 enlaces covalentes, uno de los cuales tiene un dcit de un electrn (la impureza slo tiene 3 electrones de valencia). En otras palabras, la estructura tiene mayor densidad de huecos que de electrones de conduccin. Este semiconductor es del tipo p. Las impurezas ms habituales para el semiconductor del tipo p de silicio son el bario o el boro. Dentro de un semiconductor, existen dos tipos de corriente: la corriente de difusin y la corriente de arrastre. . Cuando entre dos puntos de un semiconductor existe una diferencia de concentracin de portadores (ya sea electrones o huecos), se crea una corriente que intenta igualar las concentraciones dentro del semiconductor. A este fenmeno se le denomina corriente de difusin. La presencia de un campo elctrico en un semiconductor es responsable del movimiento de los portadores (tanto electrones como huecos). A este fenmeno se le denomina corriente de arrastre.
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2.2. Mecanismos de interaccin radiacin-materia El principio de funcionamiento de los transmisores pticos de semiconductores es la recombinacin electrn-hueco, responsable de la generacin de la radiacin de luz (potencia ptica). Este fenmeno debe ser estudiado en el marco ms general de los mecanismos de interaccin de una radiacin con la materia. . Los mecanismos de interaccin radiacin-materia son los siguientes:

Emisin espontnea. Emisin estimulada. Absorcin.
Estos fenmenos se describen en el marco de la mecnica cuntica; sin embargo, aqu nos referiremos slo a principios bsicos de la teora clsica de la interaccin radiacin-materia.
2.2.1. Emisin espontnea En ausencia de inuencias externas, un tomo (una molcula o un electrn) realiza una transicin desde el nivel de energa E2 al nivel de energa E1 , con E2 > E1 , emitiendo un fotn cuya energa es la diferencia entre E1 y E2
Ley de Planck La Ley de Planck relaciona la energa de un fotn con su frecuencia mediante la constante de Planck (h): h = E
h = E2 E1 ,
(41)
fotn generado (por este motivo en la literatura es posible encontrar tanto
donde h = 6,63 10
34
[J s] es la constante de Planck y es la frecuencia del
f como ). En general, el tomo con energa E2 se dice que se encuentra en la banda de conduccin, mientras que el tomo con energa E1 se dice que est en la banda de valencia. Como se puede observar en la gura 21, cuando un electrn pasa desde la banda de conduccin a la banda de valencia (sin inuencias externas) se genera un fotn con una energa igual a la diferencia entre las energas de las dos bandas. Para cuanticar el efecto de la emisin espontnea es necesario calcular cuntos fotones son generados por dicho fenmeno. Observando un poco ms en detalle el fenmeno, podemos asegurar que la cantidad de fotones generados estar estrechamente relacionada con el nmero de portadores que pasan del nivel de energa E2 al nivel de energa E1 . En otras palabras, es posible encontrar el nmero de fotones que se generan por emisin espontnea a partir de
Max Planck
Max Planck (1958-1947) fue un fsico alemn padre de la teora cuntica y ganador del Premio Nobel de Fsica en 1918.
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la variacin del nmero de portadores del nivel de energa E2 (o, alternativamente, la variacin de la densidad de portadores en E2 ). Para cuanticarlo, procedemos a los clculos.
Figura 21. Esquema del fenmeno de la emisin espontnea
2 E2 h
E1
Indicamos con N2 (t ) la densidad de portadores del nivel 2, es decir, el nmero de tomos (o electrones) por unidad de volumen que en el instante t tienen energa E2 . Teniendo en cuenta que la derivada de una funcin indica la variacin de dicha funcin respecto a la variable por la cual se ha derivado, dN2 (t )/dt corresponde a la variacin de N2 (t ) a lo largo del tiempo. As, el ritmo de transicin por emisin espontnea es
Resp () =
dN2 (t ) dt
= AN2 (t ),
(42)
esp
donde A es una constante, llamada coeciente de Einstein, que es inversamente proporcional al tiempo de vida media del tomo (o electrn) en el nivel 2. Sustituyendo A = 1/ en la ecuacin (42) e integrando respecto al tiempo se obtiene t N2 (t ) = N2 (0)e .
Coecientes de Einstein Los coecientes de Einstein fueron denidos por Albert Einstein en 1916, en su anlisis de la radiacin de la teora cuntica. Los tres coecientes son A, B12 y B21 , cuya utilidad y relacin se vern a lo largo de este apartado.
(43)
A partir de la expresin (43), es posible asegurar que la densidad de portadores del nivel 2 disminuye exponencialmente debido a la emisin espontnea. Ntese que los portadores del nivel 2 que descienden a niveles de energa inferiores generan un fotn con la energa diferencial de los dos niveles.
2.2.2. Emisin estimulada Un fotn con frecuencia tal que satisfaga la ecuacin (41) puede estimular la transicin del tomo desde el nivel 2 hacia el nivel 1 con la emisin de un fotn que es una rplica exacta del fotn incidente. En la gura 22 puede observarse un esquema del fenmeno descrito, donde un fotn con frecuencia
estimula que un portador pase del nivel 2 al nivel 1 y se emita otro fotn
con frecuencia .
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Figura 22. Esquema del fenmeno de la emisin estimulada
2 E2 h h
E1
Del mismo modo que suceda en el caso de la emisin espontnea, la variacin de N2 (t ) es su derivada. Obviamente la funcin N2 (t ) no es en este caso igual que en el caso de la emisin espontnea. Ms adelante se estudiar cmo es N2 (t ) en el caso de la emisin estimulada. La tasa de transicin por emisin estimulada es
Rest () =
dN2 (t ) dt
(44)
est
2.2.3. Absorcin La absorcin es el fenmeno por el cual un tomo se mueve desde el nivel de energa E1 al nivel de energa E2 despus de absorber un fotn que, a su vez, cumple la Ley de Planck (ecuacin (41)). La gura 23 muestra, esquemticamente, el fenmeno de la absorcin. En ella, un fotn con frecuencia es absorbido y un portador del nivel 1 de energa se desplaza al nivel de energa 2.
Figura 23. Esquema del fenmeno de la absorcin
2 E2 h
E1
Indicando con N1 (t ) la densidad de portadores del nivel 1 en el instante t , la tasa de absorcin es
Rabs () =
dN1 (t ) dt
(45)
abs
La tasas de emisin estimulada y absorcin tambin se pueden expresar como una funcin de la densidad espectral de energa de los fotones incidentes:
Rest () = B21 E ()N2 (t ), Rabs () = B12 E ()N1 (t ),
(46) (47)
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donde B12 y B21 son los coecientes de Einstein y E () es la densidad de energa de la radiacin a la frecuencia . Ntese que la frecuencia no es cualquiera, sino que es la frecuencia que cumple la Ley de Planck, y que permite que se d emisin estimulada o absorcin, respectivamente, entre las bandas E1 y E2 .
2.2.4. Relaciones de Einstein Calculamos ahora la relacin entre los tres coecientes de Einstein A, B12 y B21 , introducidos en los subapartados anteriores. A partir de ahora, a los tomos (o electrones) que se mueven entre las bandas de conduccin y valencia debido a la absorcin o a la emisin estimulada los denominaremos como portadores. En condiciones de equilibrio termodinmico, la densidad de los portadores de los niveles 1 y 2, es decir, N1 (t ) y N2 (t ), se mantienen constantes. Es importante notar que N1 (t ) y N2 (t ) pueden ser constantes por dos motivos: la solucin trivial (Resp = Rest = Rabs = 0, en la cual no hay ni absorcin ni emisin estimulada o espontnea) o la compensacin de las tasas de emisin, espontnea y estimulada, y la tasa de absorcin (Resp + Rest = Rabs ). La solucin trivial no es vlida para el estudio de transmisores pticos, ya que signicara que no se generan fotones. Por lo tanto, debemos encontrar la solucin no trivial, que signica que las tasas de absorcin y de emisin deben coincidir. Es decir, debe cumplirse
AN2 (t ) + B21 E ()N2 (t ) = B12 E ()N1 (t ).
(48)
Segn las leyes de la termodinmica, la densidad de portadores N1 (t ) y N2 (t ) de los dos niveles en condiciones de equilibrio termodinmico se pueden expresar mediante la distribucin de Boltzmann, y entonces su relacin es N2 (t ) eE2 /KB T = = e(E2 E1 )/KB T , N1 (t ) eE1 /KB T
Ludwig Boltzmann Ludwig Boltzmann (1844-1906) fue un fsico austriaco que centr sus investigaciones en las leyes de la termodinmica a partir de la mecnica de las molculas y con mtodos estadsticos.
(49)
donde T es la temperatura (en grados Kelvin) y KB = 1,3 1023 J/K es la constante de Boltzmann. Manipulando la ecuacin (48) es posible expresar la densidad de la radiacin en funcin del resto de variables: N1 (t ) B () = A + B21 E (), N2 (t ) 12 E
(50)
E ()
N1 (t ) B B21 N2 (t ) 12
= A,
(51)
E () =
A
N1 (t ) N2 (t ) B12
B21
(52)
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Sustituyendo en esta ltima expresin la relacin obtenida a partir de la distribucin de Boltzmann (ecuacin (49)), y recordando que E2 E1 = h, se obtiene A B12 eh/KB T B21
E () =
(53)
Por ltimo, podemos obtener la relacin entre los coecientes de Einstein mediante la comparacin de la ecuacin anterior con la Ley de Planck del cuerpo negro, que expresa el espectro de densidad de energa de la radiacin en funcin de la temperatura T . sta se expresa de la siguiente manera: 1 8 h 3 , 3 eh/KB T 1 vg
E () =
(54)
donde vg es la velocidad de propagacin de la radiacin. Comparando ambas ecuaciones, se deduce:

3 vg A . 8 h 3
B12 = B21 = B =
(55)
Ejemplo 6 Se asume que el ndice de refraccin del material semiconductor es nsc = 3,5 y que la longitud de onda operativa es = 0,8 m. Entonces, la frecuencia operativa es = (c/) = 3,75 1014 m/s. Por lo tanto, la relacin entre las constantes de Einstein B y A ser B/A = 7,17 1012 m3 /(J s).
2.2.5. Amplicador lser Un amplicador lser, como indica su nombre, se caracteriza por la capacidad de amplicar y, por lo tanto, es importante que seamos capaces de analizar su ganancia. El amplicador lser est creado a partir de un tramo de semiconductor (como se ver ms adelante). La ganancia que se obtenga ser el resultado de la ganancia de la seal ptica a medida que se propaga a lo largo del semiconductor. Como la naturaleza de la seal que se propaga a travs del semiconductor es ptica, es posible estudiar la ganancia del amplicador a partir del estudio del ujo de fotones que atraviesa la seccin del amplicador (denominado F (z)). Para realizar el anlisis de un amplicador lser, despreciamos por un momento la emisin espontnea, y vamos a calcular la variacin neta dF (z) del ujo de fotones de una onda que, propagndose en la direccin dz, atraviesa una capa de material cuyo espesor es z. Consideramos slo los fenmenos de la emisin estimulada y de absorcin y, para simplicar, no se tiene en cuenta la dependencia de la variable tiempo de la densidad de portadores de los dos niveles; la evolucin del ujo de fotones se puede expresar de la siguiente forma:
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dF = ()N2 F (z) ()N1 F (z), dz
(56)
donde () es la seccin transversal de transicin, cuya unidad es [m2 ]; sta puede relacionarse con los coecientes de Einstein, as que puede expresarse de la forma siguiente:
2 . 8
() =
(57)
La seccin transversal de transicin es la probabilidad de que un portador realice una transicin entre los dos estados, es decir, la probabilidad de que haya absorcin o emisin. La ecuacin (56) tiene dos trminos, el correspondiente a la emisin estimulada y el correspondiente a la absorcin. Supongamos que tenemos un ujo de fotones determinado. Cuanto mayor sea el ujo de fotones, mayor ser la cantidad de electrones que, debido a la emisin estimulada, sern estimulados y pasarn de la banda E2 a la banda E1 , emitiendo un fotn (la variacin del ujo de fotones crece). Adems, la cantidad de fotones generados tambin depender de la concentracin de portadores en la banda 2. As, cuanto mayor sea la concentracin de portadores en E2 , mayor ser el nmero de fotones generados. El efecto de la emisin estimulada queda reejado en el primer trmino de la ecuacin (56). En cuanto a la absorcin, el efecto es contrario al de la emisin estimulada. Si aumenta el ujo de electrones, tambin aumenta la absorcin. Un aumento de la absorcin implica que una mayor cantidad de fotones son absorbidos por los electrones de la banda de valencia y, en consecuencia, el ujo de fotones desciende. Del mismo modo que suceda con la emisin estimulada, cuanto mayor sea la densidad de portadores en la banda E1 , mayor ser la absorcin y mayor ser el descenso del ujo de fotones. La absorcin queda caracterizada por el segundo trmino de la ecuacin. Si se integra la ecuacin (56) con respecto a z obtenemos
F (z) = F (0)e()(N2 N1 )z = F (0)eg ()z
(58)
siendo
2 (N N1 ) 8 2
g () = ()(N2 N1 ) =
(59)
la ganancia ptica, cuya dimensin es [m1 ]. El objetivo del amplicador lser es que el ujo de fotones crezca. Para conseguirlo es necesario que la emisin estimulada sea mayor que la absorcin. Por lo tanto, observando la expresin de la ganancia g (), para que la radiacin que se propaga en el medio fsico sea amplicada es necesario realizar la condicin de inversin de poblacin, es decir,
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N2 > N1
(60)
La densidad de portadores en la banda de conduccin (E2 ) debe ser mayor que la densidad de portadores en la banda de valencia (E1 ).
2.2.6. Oscilador lser Un oscilador lser consiste en una cavidad resonante formada por dos espejos con reectividad R1 y R2 , situados a una distancia L. Tal como ya se ha estudiado, cuanto mayor es la reectividad, menor es la potencia ptica transmitida a travs del espejo, y mayor es la potencia ptica reejada. En el interior del resonador existe un medio activo con ganancia ptica igual a la expresada en la frmula (59). Indicamos con el coeciente de atenuacin, que tiene en cuenta las prdidas por unidad de longitud en la cavidad.
Figura 24. Esquema de un oscilador
Espejo (reflectividad R1)
Espejo (reflectividad R2)
Medio activo
El funcionamiento de un oscilador lser consiste en la reexin de la seal ptica dentro de la cavidad (medio activo) para conseguir que se amplique. Tal como hemos visto en el subapartado anterior, la ganancia crece en funcin de la longitud que la seal recorre en el interior del medio activo. Por lo tanto, conviene que la longitud de la cavidad sea grande. A pesar de ello, las dimensiones del oscilador deben ser reducidas y es posible conseguir el mismo efecto connando la seal ptica dentro de la cavidad y haciendo que la recorra repetidamente. As, la seal ptica inyectada dentro de la cavidad del oscilador se propaga entre los dos espejos de forma repetida. Cada vez que la seal llega a uno de los espejos, una parte de la seal es transmitida a travs del espejo y el resto es reejada, haciendo un camino de ida y vuelta dentro de la cavidad. Cada vez que la seal atraviesa la cavidad tiene una ganancia (g ()), pero tambin sufre una atenuacin (). Si en la cavidad se establece una condicin estacionaria de oscilacin (ni ganancia ni prdida), es necesario que despus de un trayecto de ida y vuelta (2L, ya que la luz atraviesa toda la cavidad, es reejada y se propaga otra vez hacia el inicio), la ganancia compense exactamente las prdidas, es decir,
e2()(N2 N1 )L e2L
R1 R2 = 1.
(61)
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En la ecuacin (61) podemos identicar cada uno de los trminos. En primer lugar la amplitud de la seal ptica tendr una ganancia que ser el resultado de recorrer una distancia 2L dentro del oscilador (eg ()2L ). Adems, tambin sufrir una atenuacin en funcin de la distancia y del coeciente de atenuacin (e2L ). Por ltimo, la seal ser reejada en las dos caras reectantes, y slo se reejar la potencia incidente multiplicada por
p p
R1 en una capa y por
R2 en la otra. Ntese que, si como sucede en la ecuacin (61), todas las con-
tribuciones se compensan y el resultado es 1, no existir el efecto lser. Por lo tanto, es necesario que la ganancia ptica g () sea mayor que el valor que cumple la condicin (61). Si aplicamos el logaritmo neperiano a ambos lados de la ecuacin, a partir de esta condicin se obtiene la inversin de poblacin crtica, es decir, el mnimo valor de inversin de poblacin para que haya efecto lser:
ln R1 R2 = tot , () 4L() ()
Propiedades del logaritmo neperiano Las propiedades del logaritmo neperiano utilizadas en la resolucin de la expresin (62) son las siguientes: ln ( A B) = ln (A) + ln (B) ln A = ln (A) ln (B) ` BB ln A = B ln (A) ln(e) = 1
Nt = N2 N1 =
(62)
donde tot = ln(R1 R2 )/(4L) tiene en cuenta todas las prdidas en la cavidad: aquellas debidas a la transmisin parcial a travs de los espejos y las prdidas por otros mecanismos, como por ejemplo el efecto scattering, etc. Para realizar un sistema capaz de amplicar la radiacin de la luz, es necesario determinar la condicin de inversin de la poblacin; sin embargo, si se quiere una fuente ptica lser, se requiere que la inversin de la poblacin sea mayor que el valor crtico. En el siguiente subapartado analizaremos los mecanismos de emisin y absorcin en un semiconductor, para determinar cules son las condiciones para que la radiacin pueda ser generada o absorbida por los mismos.
2.3. Emisin y absorcin en materiales semiconductores En este subapartado se presentan los mecanismos de interaccin radiacinmateria en un semiconductor. Un fotn de luz se genera cuando un electrn en la banda de conduccin se recombina con un hueco en la banda de valencia. Del mismo modo, la absorcin de un fotn permite la transicin de un electrn desde la banda de valencia a la banda de conduccin, generando un par electrn-hueco.
2.3.1. Concentracin de los portadores En los materiales semiconductores los niveles de energa permitidos forman unas bandas de energa. Cada banda contiene niveles de energa que estn muy cerca. Por ejemplo, si nos centramos en la banda de conduccin, los
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electrones no slo tienen energa E2 sino que tambin pueden tener energas muy prximas a E2 . La banda de valencia y la banda de conduccin estn separadas por un intervalo de energa prohibida, entre 0,1 y 3 eV, denido como bandgap. Para calcular la concentracin de los electrones n(E2 )dE2 por unidad de volumen que tienen energa entre E2 y E2 + dE2 , hace falta conocer la densidad de estados c (E2 ), denida como el nmero de estados de energa que existen entre E2 y E2 + dE2 , y la probabilidad de que el electrn (fc (E2 )) ocupe el nivel de energa E2 ,
Electronvoltio (eV) Unidad de energa que adquiere una carga elemental (electrn) al trasladarse entre dos puntos con diferencia de potencial de un voltio. Su equivalencia en el sistema internacional es 1 eV = 1,60219 1019 J.
n(E2 ) = c (E2 )fc (E2 ).
(63)
La densidad de los estados de energa permitidos en la banda de conduccin, es decir, el nmero de estados de energa por unidad de volumen, tiene la expresin (2mc )3/2 (E2 EC )1/2 2 2 3
c (E2 ) =
E2 EC ,
(64)
donde mc es la masa efectiva de densidad de estados de electrones (constante propia de cada material con dimensiones de masa), EC es la energa de la banda de conduccin y = h/2. La densidad de estados de energa tiene una interpretacin fsica. Segn la teora clsica, los electrones de un tomo slo pueden tener algunos niveles de energa determinados. As, incluso en la banda E2 , slo es posible encontrar electrones en algunas bandas prximas determinadas. Este parmetro indica la densidad de electrones en una banda de energa. En condicin de equilibrio, la probabilidad de que un electrn ocupe un estado de energa permitido en la banda de conduccin se puede expresar a travs la distribucin de Fermi-Dirac: 1 , 1 + e(E2 EFc )/KB T
Distribucin de Fermi-Dirac La distribucin de Fermi-Dirac representa la probabilidad de que un determinado nivel de energa del sistema est ocupado por los fermiones, partculas elementales que siguen dicha distribucin. La distribucin fue descrita de forma independiente por el fsico y matemtico italiano Enrico Fermi (1901-1954) y el fsico britnico Paul Dirac (1902-1984).
fc (E2 ) =
(65)
donde EFc es el nivel de Fermi en la banda de conduccin, que indica el valor de energa por el cual la probabilidad de que un electrn tenga esa energa es 0,5. La gura 25 muestra un ejemplo de dicha distribucin, tanto para la funcin de densidad de estados de la banda de conduccin como para la de valencia (equivalente a la de conduccin pero para la banda de valencia).
En un semiconductor no dopado o intrnseco, en condiciones de cero absoluto de temperatura (T = 0 K), la banda de conduccin est completamente vaca y la banda de valencia est completamente ocupada. Como se ha explicado en el subapartado 2.1.1, cuando no hay impurezas (semiconductores
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Figura 25. Distribucin de Fermi-Dirac
EC EF EV
T > 0K
T = 0K
0,5
fc(E), fv(E)
intrnsecos) los tomos forman una estructura cristalina y los electrones de valencia crean enlaces covalentes. No hay en tal caso electrones libres (a una temperatura igual al cero absoluto), con una energa igual a la de la banda de conduccin. Adems, EFc = (EC + EV )/2, es decir, el nivel de Fermi cae exactamente en el centro de la banda de energa prohibida. Si el semiconductor dopado es del tipo n, el nivel de Fermi se mueve hacia la banda de conduccin, o dicho en otras palabras, crece la probabilidad de que los electrones tengan la energa de la banda de conduccin. Recordemos que los semiconductores dopados (o extrnsecos) del tipo n se caracterizan por tener una mayor densidad de electrones en la banda de conduccin. En cualquier caso, el nmero total de electrones por unidad de volumen que est en la banda de conduccin, denominado n, es la suma de todos los electrones que estn en niveles de energa superiores o iguales a EC , por lo tanto
n=
EC
n(E2 )dE2 .
(66)
De la misma forma, la concentracin de huecos p(E1 )dE1 que por unidad de volumen tienen energa entre E1 y E1 + dE1 se puede calcular como el producto de la densisad de estados v (E1 ) por la probabilidad 1 fv (E1 ) de que el electrn no ocupe el nivel de energa E1 (es decir, que haya un hueco con energa E1 ).
p(E1 ) = v (E1 )(1 fv (E1 )).
(67)
donde v (E1 ) es la densidad de estados de energa permitidos en la banda de valencia, que se muestra en la gura 26 y responde a la siguiente expresin:
v (E1 ) =
(2mv )3/2 (EV E1 )1/2 2 2 3
E1 EV
(68)
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Las expresiones de v (E1 ) y c (E2 ) son anlogas, y por lo tanto, podemos deducir que mv es la masa efectiva de densidad de estados de huecos y EV es la energa de la banda de valencia. La probabilidad de que un electrn ocupe el nivel de energa E1 en la banda de valencia tambin se puede expresar mediante la distribucin de Fermi-Dirac: 1 1+ e(E1 EFv )/KB T
fv (E1 ) =
(69)
donde EFv es el nivel de Fermi en la banda de valencia. El nmero total de huecos en la banda de valencia por unidad de volumen es
EV
p=
p(E1 )dE1 .
(70)
Si el semiconductor se encuentra en un estado de equilibrio termodinmico, el nivel de Fermi en la banda de conduccin y en la banda de valencia coinciden EFv = EFc = EF . Al contrario de lo que suceda con los semiconductores dopados del tipo n, cuando el semiconductor es del tipo p, el nivel de Fermi en equilibrio trmico se desplaza hacia la banda de valencia. Es decir, la probabilidad de que los electrones estn en la banda de valencia crece. Esto est relacionado con el hecho de que en los semiconductores del tipo p la densidad de huecos es mayor. En un semiconductor intrnseco en condiciones de equilibrio trmico, el nmero total de electrones n es igual al nmero de huecos p, y es igual a la concentracin intrnseca ni : (2KB T )3/2 (mc mv )3/4 eEG /2KB T , h3
ni = 2
(71)
donde EG es la diferencia entre la energa de la banda de conduccin y la energa de la banda de valencia. Es decir, es la anchura de la banda prohibida y la energa de un fotn que se haya generado por emisin en dicho semiconductor. La gura 26 muestra la densidad de estados (de la banda de conduccin y de la banda de valencia) para tres semiconductores distintos. En el eje vertical se representa la energa, mientras que en el eje horizontal se representa la densidad de estados de valencia y de conduccin, respectivamente. En la gura se supone equilibrio trmico, por lo tanto, el nivel de Fermi de la banda de valencia y de la banda de conduccin coincide. Tal como se ha explicado, es posible observar cmo el nivel de Fermi permanece en el punto medio de la banda prohibida cuando el semiconductor es intrnseco, y cmo se desplaza hacia las bandas de valencia o de conduccin en funcin de si el semiconductor dopado es del tipo p o n.
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Figura 26. Densidad de estados en las bandas de conduccin y de valencia: a. Semiconductor intrnseco; b. semiconductor dopado de tipo n; c. Semiconductor dopado de tipo p.
EC EF EV c(E), v(E)
EFc EC c(E), v(E) EV
EC c(E), v(E)
EV EFv
a.
b.
c.
2.3.2. Generacin y recombinacin Tal como se ha descrito en subapartados anteriores, en un semiconductor, un electrn puede pasar desde el nivel de energa E1 en la banda de valencia al nivel de energa E2 en la banda de conduccin en el caso de que un fotn de energa h = E2 E1 sea absorbido. La absorcin de un fotn genera, por lo tanto, un par electrn-hueco. De forma dual, un electrn puede pasar desde el nivel E2 en la banda de conduccin al nivel E1 en la banda de valencia emitiendo un fotn de la misma energa. El mecanismo de recombinacin de un par p n puede ser tambin espontneo o estimulado por la presencia de otro fotn de igual energa. . De ahora en adelante, se utilizar el trmino par p n y par electrnhueco indistintamente. Generar un par p n signica que un electrn de la banda de valencia absorbe un fotn y pasa a la banda de conduccin. De este modo se genera un electrn libre (portador negativo) y un enlace covalente roto o hueco (portador positivo). Por el contrario, la recombinacin del par p n implica que un electrn libre en la banda de conduccin crea un enlace covalente (se combina con un hueco) y al desprender energa se genera un fotn.
La gura 27 esquematiza ambos fenmenos.
Figura 27. Absorcin y emisin en un semiconductor
Banda de conduccin
Banda de valencia
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En condiciones de equilibrio termodinmico, la generacin de pares p n siempre acompaa al proceso inverso de recombinacin, es decir, la tasa de generacin G y de recombinacin R coinciden y son proporcionales al producto del nmero de huecos por el nmero de electrones:
G = R = rnp,
(72)
donde r [m3 /s] es un parmetro que depende de las caractersticas del material, de la temperatura y tambin del nivel de dopaje. Para obtener una generacin neta de fotones es necesario realizar una estructura con un gran nmero de portadores tanto de tipo p (huecos) como del tipo n (electrones), y esto se puede obtener a travs de una unin entre un semiconductor dopado de tipo n y uno dopado de tipo p. Uniendo ambos semiconductores se consigue que por un lado haya una gran densidad de huecos y por otra una gran cantidad de electrones. Este hecho conlleva una mayor recombinacin de pares p n y, en consecuencia, una mayor emisin de fotones. Si los semiconductores son idnticos (por ejemplo silicio del tipo p y del tipo n), se habla de homounin. En caso contrario se habla de heterounin. Una vez descrito el comportamiento de los electrones y los huecos de un semiconductor, es interesante encontrar la probabilidad de que se produzca la absorcin o la emisin de un fotn. Teniendo en cuenta que para los transmisores pticos es deseable que predomine la emisin de fotones, podremos obtener la condicin necesaria para que la probabilidad de absorcin sea menor que la probabilidad de emisin. La probabilidad de emisin Pe () es el producto de la probabilidad de que un electrn se encuentre en el nivel de energa E2 y la probabilidad de que un hueco se encuentre en el nivel E1 . As, de acuerdo con la nomenclatura empleada hasta ahora,
Pe () = fc (E2 )[1 fv (E1 )].
(73)
En condiciones de equilibrio trmico los 2 niveles de Fermi EFc y EFv coinciden y el nivel de Fermi cae en la banda de energa prohibida. Teniendo en cuenta que en este caso podemos asegurar que E2 EF KB T y EF E1 KB T , se pueden usar las siguientes aproximaciones:
fc (E2 ) 1 fv (E1 )
e(E2 EF )/KB T , e(E1 EF )/KB T e(E1 EF )/KB T , 1 + e(E1 EF )/KB T
(74)
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y por lo tanto, se obtiene
Pe () e(E2 E1 )/KB T = eh/KB T .
(75)
La gura 28a ilustra un ejemplo de la forma de la potencia emitida debida a la emisin espontnea en un semiconductor de InGaAsP. Es posible observar que la emisin espontnea, tal como se ha visto anteriormente, es funcin de la longitud de onda, que presenta un pico a una determinada frecuencia. En la gura 28b se muestra la tendencia del pico de potencia ptica emitida en funcin de la corriente de polarizacin y de la temperatura. Como se puede observar a partir de la gura, cuanto mayor es la temperatura, mayor debe ser la corriente de polarizacin (corriente aplicada al semiconductor) para conseguir una potencia ptica determinada. Por otro lado, dada una temperatura concreta, la potencia emitida crece con la corriente de polarizacin.
Figura 28. a. Espectro de la radiacin emitida por emisin espontnea. b. Potencia de pico en funcin de la corriente de polarizacin y de la temperatura.
Longitud de onda (m) 1,35 1,30 1,25 1,20 4 InGaAsP T = 280K Potencia (mW) Potencia 0C 3 2 1 25C 70C
0,90
0,95 Energa (eV) a.
1,05
50
100
150
Corriente (mA) b.
Como ya se ha descrito, los fenmenos de absorcin y emisin se dan simultneamente. Si denotamos la probabilidad de absorcin con Pa (), para que se obtenga amplicacin neta de la radiacin, la probabilidad de emisin estimulada debe ser mayor que la probabilidad de absorcin, es decir, Pe () > Pa (), y por lo tanto fc (E2 ) > fv (E1 ). A partir de las distribuciones de Fermi-Dirac de las ecuaciones (65) y (69), se puede deducir que esta condicin slo se cumple si EFc EFv > EG , es decir, si ambas regiones, n y p, son fuertemente dopadas.
2.4. Diodos LED Los diodos LED se utilizan principalmente como transductores electro-fotnicos, ya que a travs la modulacin de la corriente de polarizacin se puede
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variar la intensidad de la radiacin ptica emitida. Se caracterizan por tener un bajo coste y tamao compacto; en particular, los diodos LED se utilizan principalmente en displays y en indicadores, aunque tambin en sistemas de transmisin pticos a distancias cortas y bajas tasas de bit. Los LED se pueden modular con seales de hasta unos 100 MHz, mientras que los lseres basados en semicoductores pueden ser modulados con seales por encima de 10 GHz. Un LED es la unin (homounin o heterounin en funcin de si se trata del mismo semiconductor o de distintos semiconductores) de un semiconductor p y un semiconductor n. En la regin p los portadores mayoritarios son los huecos (cargas positivas) y en la regin n los portadores mayoritarios son los electrones (cargas negativas). Al unir las dos regiones, la p y la n, se genera una diferencia de potencial en la unin que impide que los huecos se desplacen hacia la regin n y los electrones hacia la regin p (ver gura 29).
Figura 29. Homounin p-n
Campo elctrico
Regin de carga
La regin de carga espacial de una homounin (dos semiconductores iguales, dopados de tipo p y n) es bastante ancha (1-10 m). Para aumentar la concentracin de portadores en su interior se utilizan las heterouniones, es decir, se inserta entre la regin p y la regin n otro semiconductor con banda de energa prohibida inferior. En este caso la regin de carga espacial es ms estrecha (alrededor de 0,1 m), y entonces la recombinacin entre electrones y huecos se realiza en una regin ms limitada, aumentando de esta forma la eciencia del dispositivo. . Se dice que una unin p n tiene polarizacin directa cuando se aplica un campo elctrico en la direccin de la regin p hacia la regin n. En otras palabras, cuando se aplica una diferencia de potencial en los extremos de la unin con un potencial superior en la regin p que en la regin n. Se dice que una unin pn tiene polarizacin inversa cuando el campo elctrico va de la regin n a la regin p.
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La gura 30 muestra la estructura de una unin p n y qu sucede cuando se aplica polarizacin directa. Fijmonos en la estructura del diodo LED (gura 30d). Es posible distinguir la regin p, la regin n y la regin de carga espacial, que es la regin ms prxima a la supercie de unin. Se observa que al ser polarizada directamente (la gura 30e muestra el esquema de la polarizacin directa), uye una corriente a travs de la unin (corriente de polarizacin). Gracias al campo elctrico generado, se estimula la emisin en la regin de carga y se emiten fotones. Este sera, a grandes resagos, el comportamiento del LED.
Figura 30. a. Unin p n en condiciones de equilibrio; b. unin p n fuertemente dopada; c. unin p n polarizada directamente; d. estructura de un LED; e. polarizacin directa.
p EG n eVD a. p n EF Ec Ev p n EFC Ec I Vpol e. n d. Ec EF Ev p n
b. p Ev EFV c.
Las guras 30a, 30b y 30c presentan los diagramas de bandas de energa para tres casos diferentes. En primer lugar, la gura 30a esquematiza la situacin en la unin p n en condiciones de equilibrio trmico. Como ya sabemos, en equilibrio trmico el nivel de Fermi (EF ) es igual para la banda de valencia y para la banda de conduccin. Sabemos tambin que la banda prohibida depende del semiconductor, por lo tanto, si se trata de una homounin, la anchura de la banda prohibida (EG ) debe ser igual tanto en la regin p como en la regin n. Se ha explicado anteriormente que en un semiconductor del tipo p el nivel de Fermi se desplaza hacia la banda de valencia, mientras que en un semiconductor del tipo n lo hace hacia la banda de conduccin. Observando la gura 30a, donde el eje horizontal se reere al espacio (la regin p est situada a la izquierda y la regin n a la derecha) y el eje vertical a la energa, se constata que la energa necesaria para que un electrn de conduccin de la regin n se desplace hacia la regin p y se recombine con un hueco, la energa necesaria es muy elevada (mayor que EG ). Este fenmeno es consecuencia del campo elctrico que se genera en la zona de carga espacial. Dicho campo incrementa la energa necesaria y evita que los portadores de carga pasen de una regin a otra.
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Cuando los semiconductores estn fuertemente dopados (gura 30b), existe una alta densidad de impurezas y la banda prohibida se reduce. Cuando el LED tiene polarizacin directa, se contrarresta el campo elctrico generado en la regin de carga y, con ello, se reduce la energa necesaria para que los portadores de carga transiten entre las regiones p y n. Cuanto mayor es el potencial del campo elctrico de polarizacin, menor es la energa necesaria y mayor es el trnsito de portadores entre regiones (gura 30c). La regin activa (o de carga) presenta un ndice de refraccin mayor que el ndice de refraccin del semiconductor de tipo p y n, y esto permite connar la radiacin emitida. La gura 31c muestra por un lado el ndice de refraccin a lo largo de la unin (como se ha mencionado, el ndice es mayor en la zona activa). La caracterstica del ndice de refraccin hace que el campo radiado quede connado dentro de la zona activa y, gracias a ello, la emisin de luz tambin lo est. En el caso de las heterouniones, se polarizan directamente a travs de dos contactos de metal (gura 30c).
Figura 31. a. Homounin; b. heterounin; c. connamiento de la radiacin
n
Energa
1-10 m Homounin a.
n
Factor de confinamiento c. 0-1 m Heterounin b.
2.4.1. Eciencia De acuerdo con todo lo explicado hasta el momento, el LED es un transductor electro-ptico que, mediante la inyeccin de corriente elctrica, genera luz. Como en cualquier dispositivo transductor, la eciencia del LED es el parmetro que determina qu proporcin de la energa elctrica se transforma en energa ptica (el resto se pierde, por ejemplo, en forma de calor).
Campo
ndice
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En una unin p n polarizada directamente, la recombinacin de los portadores inyectados en la regin de carga espacial genera la emisin de fotones. La potencia ptica generada por la recombinacin de los electrones con los huecos se puede describir como I e
Pint = int h
(76)
donde I es la corriente de polarizacin, e es la carga de un portador (y por lo tanto, I /e representa el nmero de portadores inyectados en la unin) y int es la eciencia cuntica interna, que tiene en cuenta el hecho de que slo una fraccin de las recombinaciones son radiantes, es decir, implican la emisin de un fotn. Este parmetro juega un papel fundamental en la determinacin de las caractersticas de un LED; depende de la temperatura y de la concentracin del nivel de dopaje. En particular, aumentando la temperatura, la eciencia cantica interna disminuye, ya que disminuye el nmero de recombinaciones p n que generan un fotn (vase gura 28b). Slo una parte de la radiacin de la luz generada en el semiconductor se transmite al exterior del dispositivo, ya que una parte de la radiacin es reejada debido al salto de ndice de refraccin entre el semiconductor y el aire. Adems, si el rayo de luz incide en la supercie de discontinuidad con un ngulo mayor que el ngulo lmite, ste es reejado totalmente hacia el interior. Estas prdidas se tienen en cuenta mediante la eciencia cuntica externa est , y en consecuencia la potencia ptica emitida se puede escribir como
Pest = est Pint .
(77)
Un factor adicional de prdidas es el acoplamiento de la fuente ptica con la bra ptica. En particular, la eciencia de acoplamiento para este tipo de fuentes es c = NA2 y la apertura nmerica (NA) de una bra ptica es normalmente del orden de 0,1-0,3. La potencia ptica emitida por los LED es del orden de 100 W = 10 dBm o incluso menor, aunque la potencia interna puede llegar a ser hasta de 10 mW. La responsivity, denida como la relacin entre la corriente inyectada y la potencia transmitida por el diodo LED, se escribe como Pest h = est int . I e
R=
(78)
Se trata de un parmetro utilizado para caracterizar las prestaciones del dispositivo y sus valores son del orden de 0,01 W/A. Para valores bajos de corriente, la responsivity es constante y la relacin entre la potencia ptica y la corriente se mantiene lineal. Para valores de corriente superiores a 80 mA, la responsivity disminuye (vase la gura 28b).
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Ejemplo 7 Considrese un diodo LED que emite potencia ptica en primera ventana ( = 0,85 m), con eciencia cuntica interna int = 0,7, y eciencia cuntica externa est = 0,1. Si se obtiene una potencia ptica externa (que se acopla con una bra ptica) Pest = 10 W, entonces la responsivity R = 0,1 W/A.
2.4.2. Modulacin de la potencia ptica emitida La respuesta a la modulacin de los diodos LED depende de la dinmica de los portadores y est limitada por el tiempo de vida de los electrones en la banda de conduccin y de los huecos en la banda de valencia. Se puede calcular a partir de la densidad de los portadores N (t ) en la regin activa de volumen V. Dado que los electrones y los huecos se recombinan en pares, es suciente con considerar la variacin de un solo tipo de portadores de carga y, por lo tanto, se puede escribir: dN (t ) I (t ) N (t ) . = eV dt
Modulacin La modulacin es el proceso mediante el cual se modica alguna de las caractersticas de una onda, llamada portadora, con la nalidad de transmitir, desde un emisor a un receptor, la informacin contenida en otra onda llamada moduladora. Para el caso particular de un LED, la potencia emitida se modula mediante la corriente inyectada, o lo que es lo mismo, la potencia emitida vara en funcin de la I .
(79)
Es decir, la variacin en el nmero de portadores en la unin es igual al nmero de portadores inyectados por la corriente (I (t )/eV ) menos los portadores que se recombinan por emisin espontnea (esto es, la densidad de portadores N (t ) dividido por el tiempo de vida medio de un portador en el nivel 2). Como se ver a lo largo del curso, esta ecuacin es fundamental para explicar el funcionamiento tanto de los transmisores pticos como de los receptores. Para resolver la ecuacin y poder encontrar la expresin que describe la densidad de portadores de carga N (t ), aplicamos la transformada de Fourier. La utilizacin de la transformada de Fourier no tiene, en este caso, la intencin de analizar el comportamiento espectral de N (t ). Simplemente se utiliza como mtodo para resolver la ecuacin diferencial planteada en la expresin (79). Haciendo uso de las propiedades de la transformada de Fourier se obtiene: () I () N , eV
Propiedades de la transformada de Fourier Las propiedades utilizadas para obtener la ecuacin (80) son las siguientes: F {x(t )} = X() F {Ax(t )} = AX(), donde A = cte (t ) F { dx } = 2jX() dt F {A} = A() F {x(t )ej20 t } = X( 0 )
() = 2jN
(80)
() y donde N I () son las transformadas de Fourier de N (t ) y de I (t ), respectivamente. Aislando la transformada de Fourier de la densidad de portadores, I () () = . N eV 1 + j2
(81)
Supongamos que la corriente inyectada I (t ) tiene un comportamiento sinusoidal que oscila con frecuencia 0 , la podemos expresar como un fasor:
I (t ) = Ib + Iej20 t ,
(82)
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donde Ib es el offset de la corriente y I es su amplitud. La trasformada de Fourier es
I () = Ib () + I ( 0 ).
(83)
Sustituyendo en la ecuacin (81), se obtiene () = Ib () + I ( 0 ) N eV eV 1 + j20 y aplicando entonces la trasformada inversa se consigue Ib Iej20 t + . eV eV 1 + j20
(84)
N (t ) =
(85)
Se puede observar que la concentracin de portadores N (t ) tiene dos componentes: una componente constante que depende de la corriente de polarizacin Ib y una componente oscilante. Sin embargo, sta no sigue de forma instantnea las variaciones de la corriente debido al factor 1/(1 + j2). Dado que la potencia ptica es proporcional a N (t ), la funcin de conversin corriente-potencia ptica tiene un comportamiento en frecuencia de tipo paso-bajo, es decir, la funcin de transferencia es () P 1 . 1 + j2 I ()
Funcin de transferencia paso-bajo Una funcin de transferencia paso-bajo se caracteriza por tener un mdulo elevado para frecuencias bajas y un mdulo reducido para frecuencias altas. Por ejemplo, el mdulo de la ecuacin (86), cuando 0, tiende a 1. En cambio, cuando , el mdulo tiende a 0.
(86)
. Debido al tiempo de vida medio de los portadores inyectados en el interior de la unin , el ancho de banda de modulacin, es decir, la frecuencia por la cual el mdulo de la funcin de transferencia se reduce de un factor 2 es 3 . 2
B =
(87)
El resultado se ha obtenido teniendo en cuenta que cuando = 0 en la ecuacin (86), la funcin de transferencia es mxima e igual a 1. El ancho de banda de la modulacin B se obtiene entonces cuando el mdulo es igual a 0,5:
s 1 1 1 1 + j2 = 1 + 42 2 2 = 2 . B
(88)
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Habitualmente en un semiconductor el tiempo de vida medio de un portador en el nivel 2 de energa oscila en el rango 2-5 ns. De acuerdo con esto, la mxima frecuencia de modulacin se sita alrededor de 50-140 MHz.
Ejemplo 8 Si se considera un material semiconductor para el cual el tiempo de vida media de los portadores es = 4 ns, la frecuencia mxima de modulacin es 69 MHz. Por otro lado, para tener una frecuencia mxima de modulacin de 140 MHz, el tiempo de vida medio de los portadores deber ser 1,97 ns.
2.4.3. Estructura de los diodos LED . Las dos conguraciones principales de los LEDs se muestran en la gura 32 y se denominan:

Diodo de emisin supercial o de Burrus. Diodo de emisin lateral.
Figura 32. Conguraciones de un LED: a. diodo de emisin supercial; b. diodo de emisin lateral
Fibra multimodo 50/125 um
Au Au n - AlGaAs p - GaAs p - AlGaAs p+ - GaAs (substrato) Contacto a. b. SiO2

n - GaAs (subs.)
rea activa
p+ - InGaAsP p - InP n - InGaAsP n - InP Substrato n - InP
SiO2
En el diodo de Burrus, la luz es emitida ortogonalmente al plano de la unin, y el rea de emisin coincide con la seccin transversal del ncleo de la bra. La eciencia de acoplamiento mejora si aumenta la apertura numrica de la bra y si disminuye la distancia entre la bra y el LED. Los LED de emisin supercial pueden acoplar en la bra hasta el 1 % de la potencia interna generada. En los diodos de emisin lateral, la radiacin se propaga de forma paralela al plano de la unin y se recoge en un plano ortogonal. En la conguracin
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de emisin lateral, la regin activa tiene una extensin mayor respecto a las conguraciones de emisin supercial y la radiacin viene connada en la heterounin debido al salto de ndice de refraccin. La banda de modulacin de los LED de emisin lateral es de unos 200 MHz, mayor que el ancho de banda de modulacin de los LED de emisin supercial. Esto es debido a que, en las mismas condiciones de corriente de polarizacin, el tiempo de vida medio de los portadores es menor. La eleccin entre las dos estructuras es un compromiso entre coste y prestaciones.
2.5. Lser de semiconductor Los lseres de semiconductor, como los diodos LED, se usan como transductores para convertir una seal elctrica en una seal de luz. La principal diferencia entre un diodo lser de semiconductor y un LED es que el primero se inserta en una cavidad resonante, de modo que la luz emitida se propaga a travs de la estructura varias veces antes de salir de la estructura. De esta manera, en los lseres de semiconductor, la emisin estimulada es el fenmeno dominante de generacin de luz: los fotones emitidos se propagan en el interior de la cavidad y en el medio activo generan nuevos fotones (gura 33).
Figura 33. Estructura de un lser de semiconductor
rea activa Zona de carga espacial
Corriente
GaAs-p Unin p-n Radiacin emitida
GaAs-n
Caras reflectantes
A diferencia de un dispositivo LED, la radiacin emitida por un lser de semiconductor es coherente, y por lo tanto, el haz de luz es ms direccional y el acoplamiento con la bra es ms fcil. Los diodos lser de semiconductores tienen caractersticas similares a las de los lseres de gas (He-Ne, Argon, CO2 ) u otros lseres, ya que consisten de un medio activo (una unin p n polarizada directamente) y un resonador.
Radiacin coherente La luz emitida por un lser mantiene coherencia temporal, es decir, tiene la misma fase.
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. Las principales diferencias entre un diodo lser y un lser de gas son:
En los lseres de gas, las transiciones se producen entre niveles discretos de energa, mientras que en un lser de semiconductor las transiciones estn asociadas a las bandas de energa, lo que implica que la anchura espectral de emisin de un lser es signicativamente mayor.
Un lser de semiconductor tiene un tamao ms pequeo y se puede, por lo tanto, integrar con otros dispositivos electrnicos. Sin embargo, debido a que la regin activa es muy estrecha, la divergencia del haz de luz es mayor.
Las caractersticas espectrales de un lser de semiconductor dependen fuertemente del material (la banda de energa prohibida y el ndice de refraccin). Mediante la variacin de estos parmetros es posible fabricar dispositivos que operan en un amplio rango de frecuencias.
El efecto lser se produce con el paso de la corriente a travs del propio diodo, y el sistema de bombeo es muy eciente. Se puede ajustar fcilmente mediante la modulacin de la corriente de polarizacin.
2.5.1. Ganancia ptica Tal como se ha descrito en los subapartados 2.2.5 y 2.2.6, donde se explica el amplicador y el oscilador lser, la ganancia del transmisor lser es un parmetro clave, que nalmente caracteriza el transmisor y la luz que emite. Como es de esperar, el objetivo es que la ganancia sea lo ms alta posible. La ganacia de un diodo lser tiene una tendencia en forma de campana en funcin de la frecuencia. La gura 34a representa la evolucin de la ganancia en funcin de la longitud de onda y de la inversin de poblacin N = N2 N1 . Es importante recordar cul es el funcionamiento del lser. El lser, como ya se ha descrito, basa su funcionamiento en el fenmeno de la emisin estimulada. Para conseguir que se produzca, es necesario que un fotn excite un electrn de la banda de conduccin y lo haga descender a la banda de valencia (generando otro fotn coherente). Sabemos que la emisin estimulada es posible si y slo si la energa del fotn es igual o superior a la energa de la banda prohibida (la diferencia entre la energa de las bandas de conduccin y de valencia). Como muestra la gura 34a, cuando la energa del fotn est por debajo del bandgap, la emisin estimulada no es posible y la ganancia del lser es 0. A partir de este valor mnimo, la ganancia aumenta a medida que crece la energa del fotn. Cuanta ms energa posee el fotn, ms probable
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61
es que consiga estimular la emisin de un nuevo fotn. El incremento de la ganancia, sin embargo, tiene un valor mximo. A partir de ese valor, cuanto mayor es la energa del fotn, menor es la ganancia del lser. La gura 34a representa, para una longitud de onda dada, la ganancia para distintas inversiones de poblacin (desde 1018 cm3 a 1,8 1018 cm3 ). Como la energa del fotn est estrechamente relacionada con su energa, es lgico pensar que la ganancia es una funcin que depende de la longitud de onda.
Figura 34. a. Ganancia ptica en funcin de la longitud de onda y de la concentracin de los portadores. b. Curva L-I: potencia ptica emitida en funcin de la corriente de polarizacin, para diferentes valores de temperatura.
250 200 Ganancia ptica (cm1) 150 100 50 0 50 100 100
N = 1,8 1018 cm3
1,6 1018 Potencia ptica (mW)
0,8
20 40 60 80 T = 10C
1,4 1018 1,2 1018
0,6
0,4
100
1 1018
0,2
120
0,0 0,90 0,92 0,94 0,96
50 Corriente (mA)
100
150
Energa fotn (eV) a. b.
La gura 34b muestra las curvas L-I, es decir, la potencia ptica en funcin de la corriente de polarizacin. Es posible observar que la potencia ptica aumenta linealmente con la corriente, y disminuye al aumentar la temperatura. Para calcular el valor mximo de la ganancia (ganancia de pico), hay que tener en cuenta que para generar la radiacin lser es necesario que la emisin estimulada sea superior a la absorcin, es decir, que la inversin de la poblacin exceda un umbral, la denominada inversin de poblacin crtica. Teniendo en cuenta las ecuaciones (61) y (62) descritas anteriormente para describir el funcionamiento del oscilador lser, la inversin de poblacin crtica, denominada Nt , puede obtenerse a partir de
Curva L-I Las curvas L-I relacionan, para un transductor electro-ptico, la potencia ptica emitida en funcin de la corriente inyectada. Debe su nombre a las siglas inglesas output Light vs. Input current.
e2()(N2 N1 )L e2L
R1 R2 = 1,
(89)
Nt = N2 N1 =
ln R1 R2 . () 4L()
(90)
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Recordemos que la inversin de poblacin crtica Nt es el valor particular de N = N2 N1 que hace que, despus de un trayecto de ida y vuelta en la cavidad, la onda no resulte ni amplicada ni atenuada (es decir, que el medio es transparente para la radiacin que lo atraviesa). Si se manipula la ecuacin (90) para expresar
p
R1 R2 e2L en funcin de Nt ,
R1 R2 e2L = e2()Nt L .
(91)
Y si la reemplazamos en la ecuacin (89), obtenemos
e2()(N2 N1 )L e2L
R1 R2 = e2()(N2 N1 )L e2()Nt L = 1,
(92)
e2()(N2 N1 Nt )L = 1.
(93)
Cuando se cumple esta expresin, la ganancia y la atenuacin se cancelan. No hay ganancia neta en el lser. . Por lo tanto, se dene la ganancia neta del lser como
g () = ()(N2 N1 Nt )
(94)
y aumenta linealmente segn N = N2 N1 .
2.5.2. Ecuaciones de ritmo Los principales parmetros de un lser de semiconductor, como la corriente umbral y la frecuencia mxima de modulacin, se pueden obtener a partir de las dos ecuaciones de ritmo, las dos ecuaciones fundamentales que describen el comportamiento del lser. Ambas ecuaciones se escriben en funcin de la ganancia neta ptica g () . . La primera ecuacin de ritmo es aquella que describe la variacin de los portadores de carga: dN (t ) I (t ) N (t ) vg g ()q(t ). = eV V dt
(95)
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La primera ecuacin de ritmo pone de relieve cules son los fenmenos que causan una variacin de la densidad de los portadores. El primer trmino describe el nmero de portadores inyectados en la regin activa por la corriente durante el proceso de bombeo (I (t )/eV ); el segundo trmino describe la disminucin de los portadores debido a la emisin espontnea; en cuanto al ltimo trmino, pone de relieve la disminucin (o aumento) de los portadores debido a los mecanismos de absorcin y emisin estimulada, y tambin a las prdidas en la cavidad (vase la ganancia neta de la ecuacin (94)). En esta ecuacin aparece q(t ), que representa el nmero total de fotones en la cavidad ptica de volumen innitsimo V = dAdz, siendo dA el rea transversal innitsima y dz la longitud innitsima de la cavidad ptica. Tambin aparece vg es la velocidad de propagacin de la radiacin en la cavidad. Asimismo, en la ecuacin tambin aparece el factor de connamiento , que tiene en cuenta que no todo el volumen del medio activo participa en los procesos de interaccin con la radiacin. En particular, el factor de connamiento mide la fraccin del campo elctrico del modo fundamental que est connada en la regin activa. Cuanto mayor sea el factor, mayor ser el comportamiento del lser, ya que slo el campo dentro de la regin activa experimenta la ganancia del lser. . La segunda ecuacin de ritmo describe la variacin del nmero de fotones en la cavidad: q(t ) dq(t ) N (t ) vg , + g ()q(t ) = V q dt
(96)
donde q = 1/(vg tot ) es el tiempo de vida medio de los fotones en la cavidad, que tiene en cuenta la prdida de fotones que no se debe al proceso de absorcin, como por ejemplo el fenmeno del scattering, etc.
Si en la ecuacin (96) despreciamos la emisin espontnea, se deduce que la variacin de los fotones es negativa (es decir, que su nmero disminuye) si se cumple que
vg 1 . g () < V q
(97)
Sustituyendo en esta expresin la ecuacin (94) se obtiene la inversin de poblacin crtica, es decir, el valor particular de N = N2 N1 tal que produce una variacin de fotones en la cavidad igual a 0: V . q vg ()
Nth = Nt +
(98)
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De forma anloga, es posible obtener la expresin de la corriente umbral, denida como aquella corriente mnima que permite que la ganancia total del lser sea mayor que 1. Para calcular la corriente umbral, vamos a considerar un proceso estacionario en base al cual las variaciones en la concentracin de los portadores y del nmero de fotones son nulas. As, si N = Nth , el nmero de fotones en la cavidad es despreciable (q = 0) y a partir de la ecuacin (95) se obtiene la corriente umbral: Nth eV eV =
Ith =
Nt +
V q vg ()
(99)
Cuando la inversin de poblacin es igual a la inversin de poblacin crtica (Nt ), la corriente de bombeo es igual a la corriente umbral (It ). . La anchura espectral de emisin de un diodo lser es muy inferior a la de un LED. Un valor tpico es 2,5 m, aunque se fabrican dispositivos con anchuras espectrales muy inferiores. La corriente de polarizacin puede ser modulada hasta 10 GHz.
2.5.3. Estructura de un diodo lser Recordemos que el efecto lser (y por lo tanto, la ganancia) se consigue gracias a la reexin parcial de la luz dentro de la cavidad. Mediante estas reexiones, la luz se propaga a travs del medio activo (la cavidad) y experimenta una ganancia. En el resonador se utilizan espejos con ndice de refraccin R1 y R2 , pero en el lser de semiconductor estndar no se utilizan espejos exteriores, ya que la cavidad resonante se crea utilizando el salto de ndice de refraccin entre el semiconductor y el aire. Los dos espejos del resonador se sustituyen por la reexin parcial en la interfaz entre los dos medios. Por ejemplo, en la interfaz entre el silicio (ne = 3,5) y el aire (n = 1), la reectividad es
2
R1 = R2 =
ne 1 ne + 1
30 %.
(100)
Por lo tanto, cuando la luz incide sobre la supercie de separacin entre la cavidad y el aire, el 30 % de la potencia es reejada. La estructura ms simple de un lser semiconductor est constituida por una de tipo p y tipo n de otro semiconductor con mayor banda de energa prohibida; la heterounin resultante p n se polariza directamente mediante dos contactos de metal. Este tipo de lser de semiconductor se denomina lser de supercie ancha (broad-area), ya que la corriente uye en un rea relativamente amplia que abarca todo el ancho del chip lser ( 100 m). delgada capa activa ( 0,1 m de espesor), encerrada entre dos capas dopadas
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La capa activa acta como una gua de onda planar, ya que su ndice de refraccin es mayor que la del dielctrico que la encierra con un salto de ndice
n 0,3.
2.5.4. Lser DFB En un resonador de longitud L, no todos los modos longitudinales son admitidos. En particular, slo son admitidas las frecuencias que cumplen la condicin vg 2ne L
m = m
m = 1,2,...
(101)
donde ne es el ndice de refraccin ecaz. La separacin entre dos modos consecutivos se obtiene como: vg 2ne L
(102)
El motivo por el cual slo se admiten estas frecuencias se estudia con un poco ms de detalle en el apartado 4, dedicado a los amplicadores pticos. Por el momento, es suciente saber que existe esta condicin. Teniendo en cuenta la ecuacin (101), dos modos consecutivos (m para dos valores consecutivos de m) estn separados entre 100 y 200 GHz. En el lser DFB* el ancho del espectro de ganancia es muy amplio, alrededor de 10 THz, pero slo el modo ms prximo al valor mximo de ganancia (modo fundamental) entra en resonancia, y slo para este modo la ganancia es superior a las prdidas. Si se dene el rango de longitudes de onda por las cuales la ganancia es mayor de las prdidas en la cavidad, el nmero de modos de oscilacin (N ) emitidos por un lser es:
,
* DFB son las siglas en ingls de distributed feedback laser.
N=
(103)
siendo la separacin entre modos consecutivos. La separacin entre modos se obtiene de la siguiente forma:
2 p . 2ne L
(104)
La gura 35 muestra la ganancia de la cavidad del lser DFB. Como puede observarse la ganancia tiene un ancho de banda enorme, ya que amplica muchos modos (distintos valores de m , en la gura dibujados como deltas). Adems de la ganancia, tambin existen prdidas (muy elevadas). Como slo el modo fundamental resuena en la cavidad (es reejado y propagado a travs de la cavidad), slo el modo fundamental consigue ser amplicado lo
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suciente como para que la ganancia supere las prdidas. Es por este motivo por lo que el nico modo que se transmite es el modo fundamental. Este hecho es muy positivo, ya que permite que la luz emitida por un lser DFB sea monocromtica.
Figura 35. Modos longitudinales y curva de ganancia
prdidas
ganancia
Modos longitudinales m = mg/2neL
En realidad, los modos cercanos al modo fundamental tambin oscilan y este fenmeno altera las caractersticas espectrales de un diodo lser, ya que deja de emitir luz monocromtica. Para resolver este problema se usan los lseres DFB y los DBR*, que se desarrollaron en los aos 80 y que se usan extensivamente en los sistemas pticos WDM. En un lser DBR, la cavidad resonante no se encuentra en las supercies laterales del semiconductor, pero se distribuye en todo el medio activo mediante la insercin de un retculo de Bragg. La variacin peridica del ndice de refraccin selecciona las frecuencias que se reejan totalmente y slo entran en resonancia las longitudes de onda que satisfacen la condicin de Bragg:
Retculo de Bragg El retculo de Bragg es una zona del semiconductor que, mediante un proceso de dopado, alcanza una reectividad muy elevada.
* DBR son las siglas en ingls de distributed bragg reector laser.
= 2mne P
m = 0,1,2, . . . ,
(105)
donde P es el perido de la estructura. La gura 36 muestra, esquemticamente, las diferencias entre un diodo lser (gura 36a), un diodo lser DFB (gura 36b) y un diodo lser DBR (gura 36c). En un lser DBR, el retculo se realiza slo fuera de la regin activa, como se muestra en la gura 36c.
Figura 36. a. Diodo lser Fabry-Perot; b. lser DFB; c. lser DBR.
p Regin activa n L a.
p Regin activa DFB b.
p Regin activa n DBR c.
El parmetro que describe las caractersticas de un lser monomodo es la relacin de supresin de modos*, que se dene como la relacin entre la potencia
* En ingls, mode-suppression ratio (MSR).
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ptica del modo fundamental y la potencia del primer modo lateral. ste es mayor de 35 para los lseres DFB o DFR, como muestra el ejemplo de la gura 37.
Figura 37. Espectro de la radiacin emitida por un lser DFB
OPS01 sn390005 VPEAK 1549,630nm 0,18dBm 12,0dB/D 200 V1 V2 V2 V1
2001 Abr 27
15:32
RES:
0,1m
SENS:NORM AUT AUG:
B:FIX /BLK C:FIX /BLK 1 SMPL: 501
200
400
600 1539,51 nm
MON:SGL
1549,51 nm
2,00nm/D
1559,51m
Para variar la longitud de onda de emisin de manera continua, se puede variar la temperatura del retculo de Bragg, o modicar el ndice de refraccin ecaz. En el primer caso, el pico de emisin puede variar en un rango de 10 nm, mientras que en el segundo caso se obtienen variaciones de 200 nm.
Ejemplo 9 Considrese un diodo LED con anchura espectral de emisin () de 100 nm y un diodo lser con anchura espectral de emisin de 1 nm. Asimismo, considrese una bra ptica con coeciente de dispersin cromtica D = 17 ps/(km nm). Si se calcula la distancia para la cual se obtiene la mxima dispersin que puede soportarse (por ejemplo 1.600 ps): 1) Para el LED, se obtiene una Lmax = 941 m. 2) Para el lser, se obtiene una Lmax = 94 km. Se puede comprobar como la Lmax que permite el lser es mucho mayor que la permitida en en caso de usar el LED; por lo tanto, en un sistema de larga distancia, el transmisor que hay que usar es el lser.
2.6. Resumen Los transmisores pticos de semiconductores son dispositivos transductores electro-pticos importantsimos en las comunicaciones pticas. En el aparta-
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68
do 2 se ha analizado la estructura y las propiedades de los semiconductores, as como la generacin y recombinacin de pares n p (o electrn-hueco). Este fenmeno es la base de la transmisin ptica. Existen dos tipos de semiconductor: los semiconductores intrnsecos (sin impurezas) y los semiconductores extrnsecos (dopados con impurezas). Los semiconductores extrnsecos, en funcin de los tomos utilizados en el proceso de dopaje, tienen una mayor densidad de electrones (tipo n) o de huecos (tipo p). Gracias a los semiconductores extrnsecos es posible tener una inversin de portadores tal que permita que se d el efecto lser.
8 > > Intrnseco Igual densidad de huecos y electrones > < 8 < Tipo p mayor densidad de huecos Semiconductor > > Extrnseco > : : Tipo n mayor densidad de electrones
En un semiconductor se pueden dar tres tipos de mecanismos de interaccin radiacin-materia: absorcin, emisin espontnea y emisin estimulada. La absorcin consiste en la generacin de un par electrn-hueco a partir de un fotn. En cuanto a la emisin espontnea, se trata de un fenneno por el cual un electrn de la banda de conduccin se desplaza hacia la banda de valencia generando un fotn. La emisin estimulada es igual que la espontnea pero el cambio sucede debido a la excitacin de un electrn.
8 > > Absorcin > < 8 < Espontnea Mecanismos de interaccin radiacin-materia > > Emisin > : : Estimulada
El lser se basa en la utilizacin de una cavidad resonante para conseguir que la ganancia de la luz dentro de la cavidad sea superior a las prdidas que sufre tambin dentro de la cavidad. Este es el denominado efecto lser.
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3. Receptores pticos .
En los apartados precedentes se ha analizado cmo, a partir de una seal elctrica, es posible generar una seal ptica modulada. Adems, cuando ya ha sido generada, se ha estudiado cmo se propaga a lo largo de grandes distancias a travs del ncleo de una bra ptica. La red ptica consiste en un transmisor (LED o lser), un canal (bra ptica) y un receptor, que debe convertir la seal ptica en una seal elctrica. Los detectores pticos son dispositivos que convierten una seal luminosa en una seal elctrica. En las comunicaciones pticas, la seal a la salida de un bra ptica se acopla en entrada al receptor ptico, que debe tener unas dimensiones comparables con las de la bra. Es por este motivo por lo que se utilizan dispositivos basados en semiconductores, pero, al contrario de lo que sucede con los transmisores pticos, se aprovecha el fenmeno de la absorcin en vez del fenmeno de la emisin. Para ello, la unin p n se polariza a la inversa. Un receptor ptico (gura 38) se compone de un fotodiodo, un amplicador de elevada ganancia y un ltro pasa-bajo. La ganancia del amplicador se estabiliza para evitar las uctuaciones de la tensin de salida, mientras que el ltro pasa-bajo sirve para limitar el ruido del receptor, que es proporcional al ancho de banda. La seccin de recuperacin de datos* consiste en un decisor y en un recuperador de reloj**, que determina el periodo de muestreo, aislando las componentes espectrales de la seal. La seal de salida del fotodiodo se muestrea y las muestras se comparan con un valor umbral para decidir si la seal recibida corresponde a un bit lgico 1 o a un bit 0.
* En ingls, data recovery. ** En ingls, clock recovery.
Figura 38. Sistema de recepcin de una seal ptica
OA
Preamplificador ptico
OF
Filtro ptico pasa-bajo
PD
Fotodiodo
EF
Filtro elctrico pasa-bajo
S
Muestreador
D
Decisor
Para un anlisis de las caractersticas de la seal recibida se usa el diagrama de ojo, formado por la secuencia de la superposicin de una serie de bits detectados. La gura 39 muestra un diagrama de ojo ideal y uno degradado.
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Figura 39. Diagrama de ojo. A la izquierda un diagrama de ojo ideal y a la derecha un diagrama de ojo real.
Bit slot
Todos los componentes utilizados en un receptor ptico, a excepcin del fotodiodo, son componentes electrnicos estndar y pueden ser fcilmente integrados en un mismo chip; la integracin es particularmente importante para los receptores, que deben funcionar en sistemas de elevadas tasas de bit. Sin embargo, en el mercado existen receptores pticos monolticos que integran todos los componentes, incluyendo el fotodiodo, en el mismo chip, utilizando la tecnologa optoelectronic integrated circuit technology (OEIC). Estudiamos ahora las caractersticas de un fotodiodo. Consideramos una unin p n polarizada a la inversa a la cual llega una radiacin de frecuencia . Si la energa del fotn h es mayor que la banda de energa prohibida (bandgap) EG , el fotn puede ser absorbido y entonces un electrn puede pasar desde la banda de valencia hacia la banda de conduccin. Es decir, se genera un par electrn-hueco. Estos portadores generados son acelerados por la diferencia de potencial aplicada en la regin de carga espacial y contribuyen de esta forma a la corriente fotodetectada. La gura 40 muestra el esquema de un fotodetector. Cuando la potencia ptica llega a la unin p n, se generan pares electrn-hueco debido al fenmeno de la absorcin. Estos portadores, al estar sometidos a un campo elctrico como el de la gura, se aceleran y se desplazan: los huecos se desplazan hacia la regin p y los electrones hacia la regin n.
Figura 40. Fotodetector polarizado a la inversa
Regin de carga
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Como muestra la gura 41, la radiacin incide sobre una zona activa de espesor W y genera una corriente elctrica.
Figura 41. Radiacin incidente
Contacto hmico
El parmetro que relaciona la potencia ptica incidente Pi y la corriente elctrica fotogenerada Ip se denomina responsividad*, Ip Pi
* En ingls, responsivity.
R=
(106)
y se mide en amperios dividido por vatios [A/W]. . La eciencia cuntica es el cociente entre el nmero de portadores generados y el nmero de fotones incidentes.
Como cabe esperar, en el caso de los receptores pticos son deseables valores de eciencia cuntica altos, puesto que los valores altos indican que son necesarios menos fotones para generar una carga elctrica. La eciencia cuntica tambin est relacionada con la responsividad, ya que la potencia ptica se puede escribir en funcin del nmero de fotones incidentes Pi = hq, donde q es el nmero de fotones, mientras que el nmero de cargas fotogeneradas es Ip /e, siendo e la carga de un portador. As, la eciencia puede expresarse como Ip h = e =R . Pi e h
(107)
Teniendo en cuenta la relacin entre la frecuencia y la longitud de onda ( = c/), y que la relacin h/e = 1,24 la responsividad es
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R=
e . = 1,24 hc
(108)
Por denicin, si = 1 signica que cada fotn que incide en la unin genera un par electrn-hueco; sin embargo, puede que algunos fotones no sean absorbidos, o que el proceso de absorcin no genere pares p n. Por lo tanto, 0 1. Observamos tambin que la responsividad aumenta con debido a que, para un determinado valor de Pi , el nmero de fotones en la luz incidente es mayor. Es decir, el nmero de fotones para una potencia incidente Pi es q = Pi /h. De acuerdo con esto, cuanto mayor es (y por lo tanto, menor es ), mayor es q. Adems, para que se produzca la absorcin, los fotones deben tener una energa mnima igual a EG . Por lo tanto, segn la Ley de Planck, c EG
E=h
(109)
o alternativamente, hc . EG
(110)
. En consecuencia, la responsividad es nula si la longitud de onda es superior al valor crtico C = hc/EG .
Suponemos un semiconductor de espesor W . En dicho semiconductor, incide una luz con potencia Pi . Los fotones de la seal ptica incidente son los responsables de la absorcin en el semiconductor. De este modo, la potencia incidente va siendo absorbida a lo largo de todo el espesor del semiconductor. Cunato ms ancho es el semiconductor, mayor es la proporcin de potencia ptica incidente que es absorbida por el semiconductor (y que genera pares electrn-hueco). La potencia que no es absorbida en el semiconductor sale (se transmite) del semiconductor por el extremo opuesto. La potencia ptica absorbida por el semiconductor puede expresarse como la diferencia entre la potencia incidente y la potencia transmitida, y responde a la siguiente expresin:
Pa = Pi Pt = Pi 1 eW ,
(111)
donde W es el espesor del semiconductor y es el coeciente de absorcin, que vara en funcin de , tal y como se muestra en la gura 42. Como puede
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observarse, el coeciente de absorcin depende tambin del material semiconductor (Si, Ge, GaAs, etc.).
Figura 42. Coeciente de absorcin por diferentes semiconductores
105 Ge Coeficiente de absorcin (cm1) InGaAs 104 GaAs 103 InGaAsP
101
100
101
102
Si
102
101 0,4
0,6
0,8
1,2
1,4
1,6
103 1,8
Longitud de onda (m)
Debido a que cada fotn absorbido crea un par p n, la eciencia cuntica tambin se puede escribir como la relacin entre la potencia absorbida por el semiconductor y la potencia incidente. Por lo tanto, Pa = 1 eW . Pi
Profundidad de penetracin (m)
(112)
Por ejemplo, el coeciente de absorcin del silicio para una longitud de onda de = 850 nm es de = 500 cm1 . La gura 43 muestra la eciencia en funcin del espesor del semiconductor. Como puede observarse, el espesor W juega un papel fundamental en la eciencia cuntica del semiconductor y debe ser elegido de forma adecuada.
. Un valor elevado de W tiene consecuencias positivas y negativas:
Positiva: el aumento de la potencia absorbida, y por lo tanto, de la eciencia. Negativa: el aumento del tiempo de respuesta del dispositivo, es decir, el tiempo necesario para que las cargas elctricas lleguen a los contactos hmicos.
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Figura 43. Eciencia de un detector de silicio para una = 850 nm y un coeciente de absorcin = 500 cm1
0,8
0,6 0,4 0,2 0 0 10 20 30 40 50 W(m) 60 70 80 90 100
Es posible obtener eciencias casi del 100 % (es decir, cercana a 1) para W 10 m. Observamos adems que tambin se pueden usar los semiconde silicio se utilizan para las longitudes de onda en primera ventana, mientras que para la segunda y la tercera ventana se utilizan receptores de germanio e indio, galio, arsnico. Los dispositivos de bandgap indirecto, como el Si y Ge, tienen un espesor W mayor (hasta 50m) y un ancho de banda de modulacin reducido (0,3-3 GHz), mientras que los dispositivos de bandgap directo tienen un espesor comprendido entre 3-5 m y un ancho de banda hasta 10 GHz. El ancho de banda del fotodetector est determinado por la velocidad con la que el dispositivo responde a los cambios de la potencia ptica incidente. . Denimos el tiempo de respuesta como el tiempo que un cambio en la potencia ptica incidente tarda en traducirse en un cambio en la corriente generada. ductores de bandgap indirecto para realizar un receptor ptico: los receptores
Cuanto menor sea el tiempo de respuesta del semiconductor, mayor ser la capacidad de detectar cambios rpidos en la potencia ptica incidente y, por lo tanto, mayor ser el ancho de banda. Para calcular el tiempo de respuesta del semiconductor, consideramos una luz incidente segn una funcin escaln; la corriente fotogenerada no reproduce exactamente la seal luminosa en
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entrada y el dispositivo puede ser esquematizado como un circuito RC donde la tensin de salida tiene una evolucin segn t Vu (t ) = V0 1 e

(113)
donde V0 es la tensin que debera existir a la salida si el tiempo de respuesta fuese 0. La gura 44 muestra la evolucin de Vu (t ).
Figura 44. Evolucin de Vu (t ) en funcin del tiempo
V0
3V0 4
Vu(t)
V0 2
V0 4
0 0 2 t 3 4 5
En la ecuacin (113) es posible aislar el tiempo, de forma que se obtiene
t = ln 1
Vu (t ) V0
(114)
La constante de tiempo se compone de dos factores = d + RC , donde

RC = 1/RC es la constante de tiempo del circuito RC, mientras que d es el
tiempo que necesitan las cargas para llegar a los contactos hmicos, y que aumenta con el espesor W . El tiempo de respuesta Tr es el tiempo que emplea la corriente para pasar desde el 10 % hasta el 90 % del valor nal cuando la potencia ptica en entrada tiene una evolucin de escaln y es, de acuerdo con la expresin (114),
Tr
= = = =
0,9V0 ln 1 V0
0,1V0 ln 1 V0
ln (0,9) ln (0,1) ln
0,9 0,1
ln(9) = 2,2.
(115)
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De acuerdo con lo descrito hasta el momento, la respuesta impulsional de un receptor ptico como el descrito hasta el momento es exponencial (observar la ecuacin (114)). Para determinar el ancho de banda, recordamos que la transformada de Fourier de la funcin exponencial es
. 1 + i2
Transformada de Fourier de la exponencial Dada una funcin x(t ) = eAt u(t ), su transformada de Fourier, denominada como X(), es X() = A+i1 . 2
H () =
(116)
Es importante recordar que, dado un sistema cualquiera, la potencia de entrada y de salida estn relacionadas mediante el mdulo al cuadrado de la funcin de transferencia:
2 . 1 + 4 2 2 2
|H ()|2 =
(117)
Denimos el ancho de banda a media altura (FWHM) como la frecuencia en la cual la potencia de salida es la mitad que la mxima potencia de salida (es decir, 3 dB menor). A partir de la expresin (117) es posible observar que el valor mximo de |H ()|2 se obtiene para = 0:
2 2 |H |2 max = |H (0)| = .
(118)
Imponiendo que el mdulo al cuadrado de la funcin de transferencia sea igual a la mitad del valor mximo, calculamos el ancho a media altura (FWHM) de la curva:
|H |2 2 2 max = . = 2 2 2 2 2 1 + 4
(119)
Aislando la frecuencia se obtiene que el FWHM se halla a la frecuencia 1 0,35 . = 2 Tr
(120)
Por ejemplo, si d = RC = 100 ps, el ancho de banda es 800 MHz (la gura 45 muestra grcamente el ejemplo); habr que reducir el tiempo de respuesta hasta 10 ps para obtener un ancho de banda compatible con la de sistemas pticos de 10 Gb/s. . Otro parmetro muy importante para los fotodetectores es la corriente de oscuridad* Id , es decir, la corriente que uye a travs del dispositivo en ausencia de una seal ptica. Esta corriente se debe a los pares electrn-hueco generados por efecto trmico y en general es inferior a 10 nA.
* En ingls, dark current.
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Figura 45. Ejemplo del clculo del FWHM para d = RC = 100 ps
1 0,9 0,8 0,7

|H()|2 |H|2 max
0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 400 800 1.200 1.600 2.000 FWHM
(MHz)
En cuanto a la tensin de polarizacin inversa, es muy elevada en los fotodiodios hechos con Si (silicio) y puede superar los 100 V, mientras que en los otros dispositivos est en torno a 10 V.
Ejemplo 10 Considrese que para un receptor ptico se requiere un ancho de banda de modulacin de 10 GHz. Para el receptor se utiliza un material semiconductor cuyo ndice de refraccin es nsc = 3. El valor del producto de la resistencia de carga por la capacidad, es decir, RC, para cumplir con el requerimiento de ancho de banda tiene que ser: RC = 1,69 1011 Hz.
3.1. Fotodiodos PIN Si una unin p n es polarizada a la inversa, la regin de carga espacial se ensancha (denominada como zona i en la gura 46b). La diferencia de potencial aplicada a sus extremos impide el paso de electrones desde la zona n a la zona p, y de los huecos desde la zona p a la zona n. El paso de electrones hacia la zona p y de huecos hacia la zona n es el fenmeno denominado difusin, y la corriente que genera es la corriente de difusin. Si iluminamos la unin por el lado p, los pares electrn-hueco generados por el fenmeno de absorcin en la regin de carga espacial pueden ser acelerados por el campo elctrico y llegan a los contactos hmicos: a la salida del dispositivo se mide una corriente inversa (denida como corriente de arrastre) que es proporcional a la potencia ptica incidente. La gura 47 muestra en qu sentido ocurren la difusin y arrastre de huecos y portadores (en este caso electrones) cuando se polariza inversamente una unin p n.
Terminologa El fotodiodo PIN recibe su nombre porque se trata de una unin PN, o tambin llamada estructura P-I-N. Un semiconductor del tipo P es un semiconductor que, tras un proceso de dopado, tiene un dcit de portadores (electrones) en la banda de valencia. Un semiconductor del tipo N es un semiconductor que, tras un proceso de dopado, tiene un exceso de portadores (electrones) en la banda de conduccin.
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Figura 46. a. Fotodiodo PIN y potencia ptica transmitida; b. bandas de energa y estructura del fotodiodo
Ec Ev
Intensidad ptica
p I
i W
V a. b.
Figura 47. Difusin y arrastre de electrones y huecos en un fotodiodo
Difusin de electrones Arrastre de electrones Zona p Corriente de arrastre Zona de carga espacial Zona n
Huecos
Difusin de huecos Arrastre de huecos
Electrones
Como se ha explicado en el subapartado anterior, el ancho de banda del fotodiodo est limitado por el tiempo de trnsito d = W /vd , donde vd es la velocidad de arrastre, que depende de la tensin aplicada. Cuanto mayor es el campo elctrico aplicado a los extremos del diodo, mayor es la aceleracin (y por lo tanto, la velocidad de arrastre) que adquieren los portadores generados. As, los huecos generados se aceleran hacia la zona p y los electrones hacia la zona n. Sin embargo, el tiempo de respuesta del dispositivo est limitado tambin por la presencia de la corriente de difusin debida a la potencia ptica absorbida en la regin p: los electrones generados en esta regin en un primer momento difunden hacia la regin de carga espacial y a continuacin son acelerados por el campo elctrico. La gura 46 muestra un fotodiodo PIN, la evolucin de la potencia ptica transmitida, las bandas de energa y su estructura.
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Como puede observarse, la parte superior de la gura 46a muestra un fotodiodo PIN sobre el cual, en la zona p, incide una seal ptica. Este hecho produce la aparicin de una corriente a lo largo del fotodiodo (parte inferior de la gura). Dicha intensidad desciende a medida que nos alejamos del punto en el que incide la seal ptica. Los pares electrn-hueco se generan a lo largo de la anchura del diodo. La gura 46b muestra cmo los electrones (negativos) generados en la zona i se desplazan hacia la zona n, mientras que los huecos (positivos) transitan desde la zona i hasta la zona p. Este fenmeno crea una intensidad en el sentido de las cargas positivas (corriente de arrastre). El modelo de bandas de la gura 46b nos muestra el efecto de polarizar el diodo a la inversa. Por supuesto el bandgap se mantiene a pesar del campo elctrico aplicado, pero la diferencia entre las bandas de conduccin y valencia de la zona p y la zona n crece. Para disminuir la corriente de difusin, y aumentar la de arrastre, se disminuye la anchura de la zona p y se aumenta la anchura de la regin de carga espacial (W ). Una forma de hacerlo es insertar una capa de semiconductor sin dopar, o ligeramente dopado, entre las regiones p y n*; el material intrnseco es una zona n ligeramente dopada, ofrece una notable resistencia al paso de la corriente y en sus extremos se mide una elevada diferencia de potencial que acelera ulteriormente los portadores. La regin de carga espacial se extiende a lo largo de toda la capa intrnseca, que tiene un espesor de hasta 50 m, y es mayor que el espesor de las capas p y n. Mediante la utilizacin de una capa intrnseca de grandes dimensiones, en comparacin con las zonas p y n, se consigue que la corriente de arrastre sea mucho mayor que la corriente de difusin. La anchura W de la regin de carga espacial tiene que ser elegida de la forma correcta para garantizar el adecuado compromiso entre velocidad y sensibilidad. El ancho de banda del diodo PIN est en torno a los 100 MHz. La regin intrnseca se realiza con un material diferente del utilizado para las regiones p y n (heterounin), de forma que la seal ptica es absorbida slo en la regin intrnseca. Para las longitudes de onda de las comunicaciones pticas se utiliza InGaAs para la capa intrnseca, mientras que se usa InP para las zonas p y n. El bandgap del InGaAs provoca una fuerte absorcin para la radiacin en el rango de 1,3-1,6 m, mientras que la capa InP tiene un bandgap casi el doble y prcticamente es transparente a la radiacin. La regin de carga espacial es reducida, por debajo de 10 m, y el ancho de banda de modulacin es de hasta 10 GHz. La gura 48 muestra la estructura real de un fotodiodo PIN. Es posible observar las distintas partes descritas en la explicacin anterior: los contactos hmicos (electrodos positivos y negativos), el semiconductor p (con un espesor mucho menor que el semiconductor n para reducir la corriente de difusin), la regin de carga espacial con espesor W y la capa de semiconductor n (de hecho hay dos capas, n y n+ , dopadas con distintas impurezas).
* En la gura 46b denominada con la la letra i porque, al estar muy ligeramente dopado, es casi un semiconductor intrnseco.
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Figura 48. Estructura de un fotodiodo PIN
h Revestimiento anti-reflectante Electrodo negativo Plancha metlica SiO2 W p+
i (Regin de produccin de pares pn) nn+ Electrodo positivo
Tal como se ha comentado, los fotodiodos pueden ser fabricados con distintos semiconductores, en funcin de la longitud de onda para la cual se diseen. La tabla 2 muestra algunos ejemplos.
Tabla 2. Caractersticas de los fotodetectores en funcin del material semiconductor utilizado Material Silicio Germanio GaAs InGaAs InGaAsP EG (eV) 1,17 0,775 1,424 0,73 0,75-1,35
C (nm)
Rango de (nm) 400-1.060 600-1.600 650-870 900-1.700 800-1.650
1.060 1.600 870 1.700 1.650-920
3.2. Fotodiodos de avalancha La sensibilidad de un fotodiodo depende de la responsividad, y un elevado valor de R permite fotodetectar potencias pticas bajas. Los fotodiodos basados en el efecto avalancha tienen elevada sensibilidad, ya que han sido diseados para tener una ganancia interna de corriente elevada. El funcionamiento de los fotodiodos de avalancha* se basa en el fenmeno llamado ionizacin por impacto: un electrn, o un hueco, generado por la absorcin de un fotn, puede tener suciente energa como para chocar con un electrn de la banda de valencia y darle parte de su energa cintica. De este modo, se crea un nuevo par electrn-hueco que contribuye a la corriente fotodetectada. La tasa de generacin de nuevos pares p n est ligada a los coecientes de ionizacin por impacto de los electrones c y de los huecos
v , que dependen del tipo de semiconductor y del campo elctrico aplicado
Coeciente de ionizacin por impacto El coeciente de ionizacin por impacto se dene como el nmero de colisiones ionizantes por unidad de longitud.
* En ingls, avalanche photodiodes (APD).
que acelera los portadores de carga. Cabe destacar que ambos coecientes de ionizacin por impacto crecen rpidamente al aumentar el campo elctrico. Si ambos tipos de portadores son involucrados en el proceso de generacin en avalancha, el dispositivo se caracteriza por un elevado nivel de ruido; por lo tanto, se busca maximizar slo uno de los coecientes de ionizacin, o bien el de los electrones o bien el de los huecos. Se dene el parmetro como
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8 > > < > > :
v c c v
si v c si v > c
(121)
fotodiodos de avalancha aumenta si 1.
Por lo tanto, 0 1. Veremos en el siguiente prrafo que el ruido en los
Los fotodiodos de avalancha tienen tensiones de polarizacin inversas muy elevadas: cuando un fotn es absorbido en la regin de carga espacial, el par electrn-hueco que se genera (par primario) es acelerado por el fuerte campo elctrico y, chocando, genera otros pares p n (pares secundarios). Esto da lugar a un efecto de avalancha. La corriente es multiplicada por un factor M y, en consecuencia, la sensibilidad del dispositivo aumenta proporcionalmente. . En un diodo de avalancha:

La responsibidad es R = eM /h. La corriente de oscuridad y la tensin de polarizacin inversa son ms altas que en el caso de los diodos PIN. El ancho de banda de modulacin es menor porque el proceso de generacin es ms lento (esto es debido a que todos los pares generados tienen que llegar a los contactos hmicos).
Estos dispositivos se usan bsicamente para detectar seales dbiles (de baja potencia) a baja frecuencia. Estructuralmente existen pocas diferencias entre el fotodiodo PIN y el fotodiodo APD. La diferencia bsica yace en la zona i, que en el fotodiodo PIN est ligeramente dopada con n y en el APD lo est con p.
Ejemplo 11 Considrese un fotodiodo ideal (eciencia de conversin unitaria) de tipo PIN; la potencia ptica incidente es Pi = 30 dBm y la longitud de onda de la portadora ptica es = 1,3 m. La corriente generada por el fotodiodo PIN es: Ip 1 A. Si se sustituye el fotodiodo PIN con un fotodiodo APD ideal con coeciente de multiplicacin M = 15, la corriente generada es: IAPD 15 A.
3.3. Ruido Como sucede en todos los sistemas de comunicacin, la seal detectada nunca es igual a la seal transmitida. Por un lado existen diferencias debidas a la
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transmisin por la bra ptica (dispersin, atenuacin, etc.), pero adems la deteccin incorpora ruido. El ruido es inherente a cualquier proceso de transmisin/recepcin. En este subapartado analizamos el ruido detectado en un diodo y sus caractersticas. La ecuacin (106), que relaciona la potencia ptica incidente con la corriente de salida, no tiene en cuenta el ruido, que puede ser causado por la corriente del dispositivo en s, o por las uctuaciones de la potencia ptica incidente al fotodiodo. . Teniendo en cuenta el ruido, la corriente de salida puede expresarse como la suma de la corriente generada por la potencia ptica y por cada una de las fuentes de ruido:
I (t ) = IP + is (t ) + iT (t ),
(122)
donde is (t ) es el ruido shot debido a la naturaleza estadstica del proceso de generacin de electrones en el semiconductor, e iT (t ) es el ruido trmico que se origina en el movimiento de los electrones, cuando el semiconductor est a una temperatura mayor que el cero absoluto.
El ruido shot es consecuencia de la aleatoriedad en el proceso de generacin de los electrones en el semiconductor. Se trata de un fenmeno fsico que, incluso en condiciones ptimas, no puede ser evitado. Se ha demostrado que la estadstica del proceso de generacin responde a un proceso de Poisson. As, la intensidad del ruido shot se puede expresar como
Proceso de Poisson El proceso de Poisson es un proceso estocstico en el cual los eventos (normalmente es un proceso de llegada y, por lo tanto, los eventos equivalen a llegadas) se suceden de forma independiente. Recibe su nombre en honor al matemtico francs Simon Poisson (1781-1840).
is (t ) =
X
k
h(t tk ),
(123)
donde h(t ) es la respuesta del canal y, por lo tanto, la corriente de ruido es la suma de los pulsos de corriente que se generan en momentos aleatorios. La gura 49a ejemplica una situacin con un canal ideal en la cual h(t ) = (t ), mientras que la gura 49b muestra una situacin con un canal real. El ruido shot es, por lo tanto, producto de la aleatoriedad en la llegada de los electrones y se ve agravado por la no idealidad del canal. La caracterizacin del ruido, en general, se hace mediante su potencia (que equivale a su autocorrelacin en el origen). Dicho de otro modo, a partir de su varianza. Supongamos, para simplicar, que el proceso se puede aproximar por un proceso gaussiano blanco. Calculamos la varianza a partir de la funcin de autocorrelacin. En base al teorema de Wiener, la funcin de autocorrelacin es la transformada inversa del espectro de la seal
Teorema de Wiener-Khinchin Dado un proceso x(t ) cuya autocorrelacin es Rx (), la densidad espectral de x(t ) es igual a la transformada de Fourier Z de su autocorrelacin: Sx ( f ) = Rx ()ei2f d Sx (f )ei2f df .

y anlogamente Z Rx () =
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< is (t )is (t + ) >=
Ss ()ei2 d,
(124)
donde < > es el operador esperanza y Ss () es la densidad espectral de la seal is (t ). Por denicin, la potencia de la seal is (t ) es igual al valor de la autocorrelacin en el origen ( = 0), es decir, la varianza de la seal. En tal caso, la varianza de is (t ) se calcula segn la expresin
Z
2 s =< is (t )is (t ) >=
Ss ()d.
(125)
Figura 49. Ruido shot: a. en un canal ideal; b. en un canal no ideal h(t )
is(t)
t0
t1 t2 a.
t3
is(t)
h(t)
t0
t1 t2
t3 b.
Se ha descrito en la literatura que el espectro del ruido es constante en toda la banda de frecuencias (ruido blanco) y se puede expresar en funcin de la corriente generada por la potencia ptica (IP ) y de la carga del electrn (e) segn
Ss () = 2eIP .
(126)
Ntese que el ruido es constante en toda la banda de frecuencias, pero la deteccin se realiza slo en una de ellas. De este modo, se puede considerar Ss () = 0 fuera de la banda de deteccin. La varianza que se obtiene entonces es
2 s = 2eIP ,
(127)
donde es el intervalo de frecuencias en el que se realiza la fotodeteccin. Se observa que la varianza del ruido aumenta proporcionalmente con el ancho de
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banda de modulacin (); por lo tanto, antes de la deteccin, deben aadirse los ltros que aslan slo la banda de inters, tal y como se seal al principio del apartado 3, en la gura 38. El ruido trmico se debe a la agitacin trmica de los portadores de carga que producen uctuaciones en la corriente: la unin polarizada inversamente se modela como una resistencia de valor RL . Segn estudios tericos, es posible asumir tambin en este caso que el proceso estocstico es blanco gaussiano con una densidad espectral 4KB T , RL
Proceso estocstico blanco gaussiano Un proceso estocstico x(t ) es gaussiano si su funcin de densidad de probabilidad fX (x) es normal
X 2 1 e 2 X fX ( x ) = X 2 2 son la donde mX y X (xm )2
ST () =
(128)
donde KB es la constante de Boltzmann y T es la temperatura de ruido. Del mismo modo que anteriormente, se puede obtener la potencia del ruido trmico integrando ST () dentro de la banda de deteccin (): 4KB TFn , RL
media y la varianza de x(t ). Un proceso, adems, es blanco si su autocorrelacin RX () = 0 para t = 0. Y en consecuencia, SX () = constante.
2 T =
(129)
donde Fn es la gura de ruido del amplicador de front-end. Cualquier dispositivo introduce un cierto nivel de ruido trmico. A la entrada del receptor ptico, antes del detector, un amplicador ptico amplica la seal y, a su vez, aade ruido. La gura de ruido Fn es un parmetro que caracteriza completamente el ruido trmico introducido. . El ruido trmico siempre est presente, incluso en ausencia de corriente fotodetectada, y disminuye al aumentar la resistencia RL .
Ejemplo 12 Considrese que la gura de ruido del amplifcador es Fn = 3 dB, que la resistencia de carga sea RL = 4 K, temperatura T = 25 , y que = 1,25 GHz. Entonces, la varianza 2 = 1 1014 A2 . del ruido trmico es: T
3.3.1. Relacin seal-ruido para los fotodiodos PIN Uno de los parmetros ms importantes en cualquier comunicacin es la relacin seal-ruido*. Como su nombre indica, dicha relacin pone de relieve la diferencia entre la potencia de seal til y la potencia del ruido. Los valores de SNR estn estrechamente relacionados con la probabilidad de error de la transmisin. As, cuanto mayor sea el valor de SNR, menor ser la probabilidad de error en la transmisin. En particular, la relacin seal-ruido se dene como la potencia media de la seal fotogenerada dividida entre la varianza del ruido, o
* En ingls, signal-to-noise ratio (SNR).
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lo que es lo mismo, la potencia de ruido. De acuerdo con las ecuaciones (127) y (129), la expresin de la SNR para un fotodiodo PIN resulta:
2 R2 Pi2 IP . = 2 + 2 4KB TFn + 2eRP T s i RL
SNR =
(130)
A continuacin se analizan dos casos particulares: cuando el ruido trmico es despreciable frente al ruido shot y, al contrario, cuando el ruido shot es despreciable frente al ruido trmico.
Lmite del ruido trmico Si el ruido shot es despreciable respecto al ruido trmico (s T ), entonces se obtiene:
SNR =
RL R2 Pi2 4KB TFn
(131)
y la relacin seal-ruido aumenta con el Pi2 y con RL , y es inversamente proporcional al ancho de banda. Es por esta razn por lo que normalmente el fotodetector se cierra con una resistencia RL de elevado valor. Con esto se consigue aumentar la SNR. Sin embargo, la necesidad de minimizar el ruido en el receptor est en conicto con la necesidad de mantener un elevado ancho de banda, inversamente proporcional al parmetro RC . Es decir, cuanto mayor es RL , menor es el ancho de banda. . Existe un compromiso entre ancho de banda y SNR para un fotodiodo PIN:
RL pequeo SNR pequeo y ancho de banda grande.
RL grande SNR grande y ancho de banda pequeo.
Un parmetro que se utiliza para caracterizar el ruido del fotodetector es la potencia equivalente del ruido*, que es el valor de la potencia incidente por unidad de ancho de banda para que la relacin seal-ruido sea 1. Alternativamente, la NEP puede denirse como la cantidad de potencia ptica requerida para generar una fotocorriente igual a la corriente de ruido. Arreglando la ecuacin (131) tenemos:
s
* En ingls, noise equivalent power (NEP).
P i =
4KB TFn SNR . R2 RL
(132)
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De acuerdo con su denicin, la NEP ser igual a tanto,

s
Pi
tal que SNR = 1. Por lo
. P NEP = i =
4KB TFn . R2 RL
(133)
Lmite del ruido shot En el caso opuesto, en que T s , la SNR es SNR = RPi Pi = 2 e 2 h (134)
y observamos que la relacin seal-ruido depende de Pi y no de Pi2 . En este caso, la SNR se puede expresar de forma simplicada en funcin del nmero de fotones Np contenidos en un bit 1. De hecho, la potencia media recibida es Pi = hNp B, asumiendo que la duracin del bit sea igual a 1/B. Como el ancho de banda de modulacin se puede considerar igual a = B/2, la ecuacin anterior se puede expresar como
SNR = Np .
(135)
Ntese que la ecuacin (135) relaciona directamente la SNR y el nmero medio de fotones en cada bit. As, por ejemplo, para que la relacin seal-ruido sea 20 dB (SNR = 100), es necesario que en cada bit 1 haya por lo menos (considerando el mejor caso, es decir, eciencia cuntica mxima, = 1): SNR 100 = = 100 1
Np =
(136)
Como en general ser menor que 1, el nmero de fotones por bit deber ser mayor que 100 para una SNR de 20 dB.
3.3.2. Relacin seal-ruido para los fotodiodos de avalancha Si utilizamos un fotodiodo APD, la corriente detectada es
I (t ) = RMPi + is (t ) + iT (t ),
(137)
donde el trmino debido al ruido trmico es el mismo que para el caso anterior del fotodiodo PIN, R es la responsibidad del fotodiodo APD y M es el parmetro que, para los APD, multiplica la corriente (vase el subapartado 3.2). En
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cuanto al ruido shot, para los fotodiodos APD, su varianza se puede expresar como
2 s = 2eMF (M )IP ,
(138)
donde F (M ) es denominado factor de ruido en exceso y tiene la forma
F (M ) = M + (1 ) 2
1 M
(139)
Recordemos que es un parmetro denido como la relacin entre los coecientes de ionizacin por impacto de los electrones y de los huecos (denido en la ecuacin (121)). La gura 50 muestra el factor de ruido en exceso de un fotodiodo APD en funcin de M . En la gura cada curva corresponde a un valor distinto de .
Figura 50. Factor de ruido en exceso en un fotodiodo de avalancha
102 =1
Factor de ruido F
0,2 101 0,1 0,02 0,01 0 100 0 20 40 60 Ganancia M 80 100
El factor de ruido en exceso aumenta cuando el mecanismo de la generacin cuando los coecientes de ionizacin por impacto de electrones y huecos (v de avalancha es producido por ambos tipos de portadores ( 1), es decir, y c ) son muy similares. Del mismo modo, dado un valor de , el factor de ruido en exceso F (M ) crece a medida que aumenta M . Teniendo en cuenta las expresiones mostradas hasta el momento, la relacin seal-ruido en los fotodiodos de avalancha es R2 Pi2 M 2 4KB TFn + 2eM 2 F (M )RP i RL
SNR =
(140)
y es posible eligir un valor ptimo de M que maximiza la SNR.
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Del mismo modo que se ha hecho para los fotodiodos PIN, tambin para los fotodiodos APD, analizamos por separado los dos casos particulares en los que o bien el ruido trmico o bien el ruido shot son despreciables.
Lmite del ruido shot Considerando que s T , y que por lo tanto, el ruido trmico es despreciable, la ecuacin (140) ser
SNR =
RPi . 2eF (M )
(141)
. Debido al factor de ruido en exceso F (M ), la relacin seal-ruido en un fotodiodo APD (SNRAPD ) es menor que en un fotodiodo PIN (SNRPIN ):
SNRAPD < SNRPIN .
Lmite del ruido trmico En el caso opuesto, si s T (el ruido shot es despreciable frente al ruido
trmico), la relacin ser
SNR =
RL R2 Pi2 M 2 . 4KB TFn
(142)
. Por lo tanto, la relacin seal-ruido es M 2 veces mayor en el fotodiodo APD que en el fotodiodo PIN:
SNRAPD = M 2 SNRPIN
3.4. Tasa de error de bit Tal y como se ha introducido al inicio de este apartado dedicado a los receptores pticos, un receptor ptico est compuesto (obviando los ltros que limitan la potencia de ruido) por un fotodiodo, un muestreador que muestrea la seal recibida de forma peridica, y por un elemento decisor que compara la
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89
seal recibida muestreada con un umbral. As, si la seal recibida es mayor que un umbral determinado (ID ), entonces el decisor detecta un bit logico 1; en caso contrario el decisor detecta un bit lgico 0. La tasa de error de bit* es un parmetro fundamental para todos los sistemas de transmisin numricos e indica la relacin entre el nmero de errores de recepcin y el nmero total de bits transmitidos. La BER y la relacin sealruido estn estrechamente ligadas porque, en denitiva, ambas son medidas de la calidad de la transmisin. De modo intuitivo es posible deducir que cuanto menor es la relacin entre la seal til y el ruido (SNR bajas), mayor es la probabilidad de que el decisor cometa un error (mayor BER). En este sentido un dispositivo receptor puede ser caracterizado por su sensibilidad, denida como la mnima potencia ptica para la cual BER < 109 . Es importante darse cuenta de los rdenes de magnitud en los que se mueven los receptores pticos, ya que una BER < 109 signica que de cada 1.000 millones de bits como mximo 1 bit puede ser errneo. Como es notorio, el orden de magnitud en las comunicaciones pticas es completamente distinto al de las radiocomunicaciones (puede estar alrededor de 102 y 103 ), y es por este motivo, junto con el gran ancho de banda de las bras pticas, por el cual se utilizan comunicaciones pticas para aplicaciones que requieren altas velocidades de transmisin, como por ejemplo las redes troncales. Denimos I0 como el nivel medio de corriente fotodetectada cuando el receptor ptico recibe un 0 lgico. Del mismo modo, denimos I1 como el nivel medio de corriente fotodetectada cuando se recibe un 1 lgico. Debido al ruido, la corriente fotodetectada no es constante e igual a I0 o I1 , sino que presenta uctuaciones alrededor de estos valores (gura 51). As, tal como muestra la gura 51, dado un bit lgico 0 o 1, la corriente fotodetectada es una variable aleatoria con media I0 o I1 .
* En ingls, bit error rate (BER).
Figura 51. Fotocorriente y densidad de probabilidad para los bit 0 y 1
I1 ID I0 tD t
I Probabilidad
Asumimos que el ruido shot y el ruido trmico son estadsticamente independientes, ambos con estadsticas gaussianas. La teora dice que, dados dos pro-
P(0/1)
P(1/0)
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90
cesos gaussianos independientes, el proceso resultante de la suma de los procesos tambin es gaussiano. Adems, el proceso gaussiano resultante tiene una varianza igual a la suma de las varianzas. De acuerdo con las propiedades de los procesos gaussianos, en el caso de que se transmita un bit 1, la varianza total del ruido es
2 2 2 1 = T + s .
(143)
En el caso de que se transmita un bit 0, la varianza total del ruido se debe solamente al ruido trmico, ya que el ruido shot es nulo si la corriente Ip es nula. Por lo tanto, la varianza es
2 2 0 = T .
(144)
El procedimiento para calcular la BER es muy simple. Se comete un error cuando se transmite un uno lgico pero el decisor considera que se ha recibido un cero lgico. Del mismo modo, si se transmite un cero lgico y de detecta un uno tambin se comete un error. Por lo tanto, la BER se compone de dos partes:
BER = p(1)P(0/1) + p(0)P(1/0),
(145)
donde p(1) y p(0) representan las probabilidades de haber transmitido un 1 o un 0, mientras que P(0/1) es la probabilidad de detectar un cero lgico condicionada al hecho de transmitir un uno, y P(1/0) es la probabilidad del evento opuesto. En general se puede asumir que la transmisin de un 1 o un 0 son equiprobables, y entonces p(0) = p(1) = 1/2. Tanto P(0/1) como P(1/0) se pueden calcular mediante la integracin de sus funciones de probabilidad gaussianas. Empezamos por el clculo de P(0/1). Tal como se puede observar en la gura 52, la probabilidad de detectar un 0 condicionado a que se ha transmitido un 1 es la integral entre y el umbral ID de la funcin de densidad de pro2 babilidad de una variable gaussiana con media I1 y varianza 1 :
Variable aleatoria gaussiana Dada una variable aleatoria gaussiana Z, su funcin de densidad de probabilidad es fZ ( z ) =
Z 2 1 e 2 Z , 2Z 2 son la Z y Z z
P(0/1)
1 21
ID
(I I1 )2
2 2 1
dI
donde y la varianza de Z respectivamente.
media
1 erfc 2
I1 ID 2 1
(146)
donde erfc() es la funcin de error complementaria denida como 2 erfc(z) =

Z
ex dx.
(147)
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91
Figura 52. Funcin de densidad de probabilidad de la fotocorriente cuando se transmite un 1
0,35 0,3 0,25 0,2 fI(I) 0,15 0,1 0,05 0 I0 ID I1 P(0|1)
De la misma forma, tal como muestra la gura 53, la probabilidad de detectar un 1 condicionada a que se ha transmitido un 0 es igual a la integral entre la corriente umbral ID y de la funcin de distribucin de probabilidad de una
2 variable aleatoria gaussiana con media I0 y varianza 0 . Ya se ha explicado que 2 2 1 > 0 , por esto la anchura de la funcin de densidad de probabilidad de la
gura 52 es mayor que la anchura de la gura 53:

2
P(1/0)
1 20
(I I0 ) 2
dI
ID
1 erfc 2
ID I0 20
(148)
Figura 53. Funcin de densidad de probabilidad de la fotocorriente cuando se transmite un 0
0,7 0,6 0,5 0,4 fI(I) 0,3 0,2 0,1 0 I0 ID I1 P(1|0)
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Sustituyendo estas expresiones en la ecuacin (145), la expresin de la BER resultante es 1 erfc 4
BER =
I1 ID 2 1
1 erfc 4
ID I0 2 0
(149)
y observamos que la BER depende de la corriente umbral ID . La BER es mnima cuando la siguiente condicin se cumple: I1 ID ID I0 = = Q. 1 0 . Aislando ID podemos obtener el valor de la corriente umbral que permite tener una BER mnima:
0 I1 + 1 I0 . 0 + 1
(150)
ID =
(151)
Si se escoge una corriente umbral tal que ID = (I1 + I0 )/2 (y por consiguiente 0 = 1 ), la BER puede ser escrita como: 1 Q e 2 erfc( ) . = 2 2 2 Q
Q
BER =
(152)
A partir de la ecuacin (152), para conseguir que una BER = 109 (sensibilidad) ser necesario que Q = 6. Adems, a partir de las ecuaciones (150) y (151), el parmetro Q se puede escribir tambin como I1 I0 . 0 + 1
Q=
(153)
3.5. Sensibilidad La sensibilidad del detector ptico est vinculada a la potencia mnima recibida, es decir, la potencia ptica mnima que permite detectar los bits transmitidos correctamente. Si se transmite un cero lgico, la corriente media recibida es nula, y entonces es posible deducir que, para un fotodiodo, los valores de I0 y I1 son
I0 = 0,
I1 = MRPi .
(154)
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Si el fotodiodo es APD, M toma valores superiores a 1, y si en cambio es un fotodiodo PIN, entonces M = 1. Continuamos considerando que se transmiten los bits 0 y 1 con probabilidad 0,5. En tal caso, la potencia media recibida por el fotodiodo, considerando la transmisin de ambos bits, es P1 + P0 Pi = , 2 2
Pr =
(155)
donde P0 y P1 son las potencias recibidas cuando se transmiten los bits 0 y 1, respectivamente. Entonces, a partir de las ecuaciones (154) y (155), las corrientes son
I0 = 0,
I1 = 2MRPr .
(156)
Sustituyendo las expresiones (143), (144) y (156) en la ecuacin (153), Q puede reescribirse como 2MRPr
T +
Q=
q . 2 + 2 s T
(157)
Volvemos a analizar los dos casos:
Lmite del ruido shot. En el caso de un fotodiodo ideal donde s T , el parmetro Q se puede escribir, haciendo uso de la ecuacin (138), como
2MRPr 2MRPr . =q s 2eMF (M )2MRPr
(158)
. Entonces la mnima potencia recibida es eQ 2 F (M ) . R
Pr =
(159)
Observamos que Pr aumenta con el ancho de banda . El motivo para que la mnima potencia media recibida deba ser mayor cuando crece , reside en el hecho de que cuanto mayor es el ancho de banda, mayor es el ruido detectado, y que en este caso, la sensibilidad de los fotodiodos de avalancha es menor que la de los fotodiodos PIN. Es decir, se requiere una potencia media recibida mayor en los fotodiodos APD que en los fotodiodos PIN.
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como
Lmite del ruido trmico. Cuando T s , la ecuacin (153) se simplica
R MRPr MRPr , =p L T 4KB TFn
(160)
donde se ha sustituido la varianza del ruido trmico de la ecuacin (129). . Por lo tanto, la potencia mnima recibida es
p
Pr =
4KB TFn Q p . RL MR
(161)
En este caso, los fotodiodos de avalancha tienen mayor sensibilidad que los fotodiodos PIN (la mnima potencia media recibida necesaria es mayor para los fotodiodos PIN que para los fotodiodos APD). En general la relacin seal-ruido (SNR) es igual a la potencia de la seal cuando se transmite un 1 dividido entre la potencia de ruido en la misma situacin:
2 I1 2 1
SNR =
(162)
Teniendo en cuenta las expresiones derivadas a lo largo de este apartado, fcilmente pueden relacionarse la BER y la SNR a travs del parmetro Q . . En el lmite del ruido trmico (T s ), 0 = 1 = T y tenemos I1 = 2 1
Q=
SNR . 2
(163)
Para una BER = 109 (es decir, Q = 6) es necesario que SNR = 21,6 dB. . En cambio, en el lmite del ruido shot (s T ), 0 = 0 y Q= I1 = SNR. 1 (164)
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Por lo tanto, para obtener una BER < 109 es necesario que SNR > 15,6 dB. En este caso, ya que la relacin seal-ruido se obtiene segn la ecuacin (135):
r !
BER =
1 erfc 2
Q 2
1 erfc 2
NP 2
(165)
Por ejemplo, si = 1, hacen falta Np = 36 fotones por cada bit 1 para conseguir que BER = 109 .
3.5.1. Lmite cuntico de fotodeteccin Los resultados obtenidos en los subapartados anteriores se basan en el supuesto de que ambos tipos de ruido, tanto el shot como el trmico, pueden ser descritos a travs de una estadstica de Gauss. Sin embargo, en el caso del fotodiodo ideal es necesario recurrir a una distribucin de Poisson para caracterizar el ruido shot. . Las caractersticas del fotodiodo ideal son las siguientes:

La eciencia cuntica es igual a 1 ( = 1). En ausencia de potencia de entrada, no genera ningn par electrnhueco.
En estas condiciones de idealidad del fotodetector, cuando se transmite un 0 no se produce ningn error de deteccin (la ausencia de potencia de entrada no genera ningn par electron-hueco). En cambio, cuando se transmite un 1, la probabilidad de que Np fotones contenidos en el bit 1 generen m pares electrn-hueco se puede calcular mediante la estadstica de Poisson:
m Np . m!
Pm = eNp
(166)
De acuerdo con las caractersticas del fotodiodo ideal, slo se produce un error cuando se ha transmitido un 1 y, a pesar de ello, no se genera ningn par electrn-hueco. Por lo tanto, la probabilidad P(0/1) se obtiene a partir de la ecuacin (166) con m = 0:
0 Np = eNp . 0!
P(0/1) = eNp
(167)
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Entonces, el Bit Error Rate es, asumiendo nuevamente que p(1) = p(0) = 0,5: eNp . 2
BER = p(1)P(0/1) =
(168)
Ejemplo 13 Para que BER = 109 es necesario que el nmero de fotones por bit sea Np = 20 fotones.
3.6. Resumen En el apartado 3 se han estudiado los receptores pticos. Los receptores pticos son fotodiodos polarizados en inversa, cuyas prestaciones pueden ser denidas en trminos de eciencia (o, de forma equivalente, en trminos de responsividad). Los fotodiodos deben ser capaces de trasladar una seal del dominio ptico al dominio elctrico. Para ello, es necesario que el tiempo de respuesta del diodo frente a un cambio de la seal ptica sea inferior a la velocidad de variacin de la seal ptica. Esta limitacin suele expresarse en trminos de ancho de banda mximo de modulacin. Las fuentes de ruido en recepcin son: el ruido shot, el ruido de la corriente de oscuridad (despreciable en la mayora de los casos) y el ruido trmico. El ruido shot es debido a la aleatoriedad en la llegada de los fotones, mientras que el ruido trmico es debido a la agitacin trmica de los portadores.
Ruido
8 > > Ruido shot > <
Ruido trmico > > > : Ruido corriente de oscuridad
Se ha analizado el comportamiento de dos fotodiodos en concreto (los ms usados): el diodo PIN y el diodo APD (de avalancha). Las diferencias en la estructura de ambos son muy pequeas, y se limitan a la regin activa. Mientras los diodos PIN tienen una regin activa formada por un semiconductor levemente dopado del tipo n, los diodos APD estn construidos con una regin activa levemente dopada del tipo p. Estas leves diferencias de estructura se traducen en prestaciones distintas. As, en igualdad de condiciones la SNR (relacin seal a ruido) en un diodo PIN es mejor que la relacin en un diodo APD. En cambio, en trminos de sensibilidad ocurre lo contrario, y el APD presenta una mayor sensibilidad que el PIN.
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4. Amplicadores pticos .
Los amplicadores pticos son dispositivos que amplican una seal luminosa directamente en el dominio ptico, es decir, sin utilizar una conversin ptica-elctrica-ptica (O-E-O). Estos dispositivos, junto con la introduccin de sistemas de multiplexacin de longitudes de onda*, han revolucionado las comunicaciones pticas en la ltima dcada. En este apartado, estudiaremos los amplicadores pticos de semiconductor** y los amplicadores de bra dopada con erbio***. En los SOA la luz se amplica propagndose en un medio semiconductor de longitud de aproximadamente 1 mm, en cambio en los EDFA la luz se amplica propagndose en una bra de longitud entre 1 m y 100 m dopada con iones de tierras raras como el erbio (Er + ), o el neodimio (Nd+ ). . La amplicacin/regeneracin de la seal puede realizarse de tres modos distintos:

*** En ingls, erbium doped ber amplier (EDFA). ** En ingls, semiconductor optical amplier (SOA). * En ingls, wavelength division multiplexing (WDM).
Amplicacin 1R (re-amplifying ): amplican slo la potencia de la seal, como en la gura 54. Regeneracin 2R (re-amplifying and re-shaping ): adems de amplicar la potencia, hacen tambin el re-shaping del pulso ptico, es decir, actan sobre la forma del pulso. Regeneracin 3R (re-amplifying, re-shaping and re-timing ): tambin realizan el re-timing de la secuencia de bits.
Figura 54. Amplicacin ptica 1R de un pulso de luz a travs de un SOA
Contado hmico Gua de onda activa (seccin) Pulso de salida
Gua de onda activa (0,2-2 mm) Pulso de entrada
La gura 55 muestra un ejemplo del efecto de cada uno de los tipos de amplicacin/regeneracin. Tal y como se ha explicado, con la regeneracin 1R la seal obtenida es el resultado de la amplicacin de la seal recibida. En la regeneracin 2R tambin se regenera la forma del pulso. Por ltimo, en la regeneracin 3R se solucionan problemas de reloj.
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Figura 55. Ejemplo de los tres posibles tipos de regeneracin de la seal: 1R, 2R o 3R
Seal transmitida t Seal recibida t Regeneracin 1R t Regeneracin 2R t
Regeneracin 3R t
Los amplicadores pticos tienen una banda de aplicacin muy ancha: los amplicadores SOA pueden amplicar simultneamente longitudes de onda en el rango de 80 nm, mientras que la banda de un EDFA es generalmente de 35 nm. Los amplicadores pticos se pueden posicionar en varios puntos a lo largo de un enlace ptico. As, un amplicador ptico que se inserta inmediatamente despus del transmisor para aumentar la intensidad de la seal transmitida se denomina booster (ver la gura 56a). Un booster tiene que proporcionar la mxima potencia de salida evitando el fenmeno de la saturacin. Un amplicador que se coloca antes del receptor para aumentar su sensibilidad se denomina preamplicador (ver la gura 56b). Un preamplicador tiene que garantizar un bajo nivel de ruido al amplicar seales pequeas (es decir, de muy baja potencia).
Figura 56. a. Amplicador en transmisin o booster ; b. amplicador en recepcin o preamplicador
Amplicador En general, en los esquemas los amplicadores se representan mediante la gura
TX
RX
a.
b.
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Tambin se pueden insertar amplicadores para compensar las prdidas de insercin en caso de que haya multiplexores (gura 57a) o en el enlace de bra ptica para aumentar el nivel de la seal (gura 57b).
Figura 57. a. Compensador; b. amplicador de lnea
a.
b.
En los enlaces de bra ptica hay que compensar las prdidas debidas a la propagacin cuando el enlace es mayor de 20-100 km. Utilizando slo amplicadores pticos, el enlace se mantiene transparente, es decir, que se mantiene completamente ptico. Si se utilizan regeneradores electro-pticos, la regeneracin de la seal se hace en el dominio elctrico, y por lo tanto, el enlace no es transparente y requiere conversin O-E-O, lo que lmita la velocidad de transmisin. En la gura 58 estn representados dos enlaces de bra: uno transparente con amplicadores pticos y uno que utiliza regeneradores electro-pticos.
Enlace ptico transparente y opaco Se denomina enlace transparente aquel enlace en el cual la seal no sufre ninguna conversin opto-elctrica ni electro-ptica ms all de la transmisin y la recepcin. Se dice que el enlace es opaco cuando en algn punto (amplicador multiplexador, etc.) se realiza una conversin O-E-O (ptico-elctrico-ptico).
Figura 58. Enlace transparente (arriba) y enlace con regeneradores (abajo)
OA
OA
OA
RX TX
RX TX
RX TX
Los amplicadores pticos garantizan slo una amplicacin 1R (re-amplifying ). En cambio, los regeneradores permiten regenerar la seal completamente 3R (re-amplifying + re-shaping + re-timing ) pero requieren primero de una conversin ptico-elctrica y posteriormente de una conversin electro-ptica (O-E-O), ya que tanto el re-shaping como el re-timing deben realizarse en el dominio elctrico.
4.1. Ganancia ptica La amplicacin ptica se basa en el fenmeno de la emisin estimulada, el mismo fenmeno en el que se basaban los transmisores lser. De hecho un
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100
amplicador ptico es como un lser sin cavidad resonante. El bombeo elctrico (en el SOA) u ptico (en el EDFA) se utiliza para garantizar la inversin de poblacin N2 > N1 (vase el subapartado 2.2.5), condicin necesaria para conseguir que haya generacin de fotones (emisin estimulada). Uno de los parmetros que caracteriza a los amplicadores pticos es la ganancia ptica g (), que relaciona la potencia de entrada al amplicador con la de salida del amplicador en funcin de la longitud de onda de la seal. La gura 59 muestra un ejemplo tipo de ganancia ptica. Se puede observar que la ganancia es una funcin que presenta un mximo a una frecuencia 0 .
Figura 59. Ganancia ptica de un amplicador en funcin de la frecuencia
g(), G()
G0 = eg0L
g0
A g
. La ganancia ptica de un amplicador es una funcin lorentziana, como se muestra en la gura 59, y se puede escribir como g0
2+ P 1 + ( 0 )2 T2 PS
Hendrik Lorentz Hendrik Lorentz (1853-1928), fsico holands ganador del Premio Nobel el ao 1902, fue uno de los primeros en considerar la naturaleza elctrica de la materia.
g (,P) =
(169)
donde g0 es el pico de ganancia, 0 es la frecuencia a la que se encuentra la mxima ganancia (g0 ), P es la potencia ptica incidente, PS es la potencia de saturacin y T2 el parmetro que determina la anchura de la curva y que est relacionado con el tiempo medio de vida del tomo o del electrn en el nivel 2 de energa.
Se observa en la ecuacin (169) que la ganancia no vara slo con la frecuencia, sino tambin con la potencia incidente P. Para analizar adecuadamente las dependencias, empezamos a estudiar la ganancia en funcin de la frecuencia
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101
suponiendo que la potencia incidente es mucho menor que la potencia de caso la ganancia no depende de la potencia y puede reescribirse como g0 . 2 1 + ( 0 )2 T2 saturacin PS , con lo cual se puede considerar que el trmino P/PS 0. En tal
g () =
(170)
El ancho de banda a media altura de la curva de la ganancia* se calcula simplemente considerando g () = g0 /2 en la ecuacin (170), tal como se ha hecho en anteriores apartados. De este modo las frecuencias en las cuales la ganancia ha decado a la mitad de su valor mximo se obtienen a partir de la siguiente expresin: g0 g0 = . 2 2 1 + ( 0 )2 T2
* En ingls, full width half maximum (FWHM).
(171)
En la gura 59 se puede observar que el FWHM, tambin denominado g , estar centrado en 0 . Adems, la funcin g () es simtrica y por lo tanto, slo es necesario calcular una de las dos frecuencias que cumplen g ()=g0 /2 para obtener el FWHM. Si aislamos la frecuencia , mayor que 0 , en la ecuacin (171), obtenemos 1 . T2
0 =
(172)
Ntese que la diferencia 0 es slo la mitad del FWHM. Debido a la simetra de la ganancia, el FWHM es g = 2( 0 ): 2 . T2
g =
(173)
Por lo tanto, el FWHM es inversamente proporcional al parmetro T2 . Como T2 acostumbra a tomar valores muy pequeos, entonces los amplicadores pticos pueden amplicar longitudes de onda en un ancho de banda muy grande, garantizando una ganancia casi constante. Siguiendo el mismo razonamiento empleado para el transmisor lser, la ganancia puede escribirse a partir de la variacin del ujo de fotones. La variacin del ujo de fotones por unidad de longitud es dF (z) = F (z) (N2 N1 ) = g ()F (z), dz
Recordad
(174)
La seccin transversal de transicin, denominada por , es la probabilidad de que un portador realice una transicin entre los dos estados, es decir, la probabilidad de que haya absorcin o emisin (en funcin de las condiciones). Las unidades de son unidades de rea.
donde N1 y N2 son las densidades de portadores en los niveles de energa E1 y E2 , respectivamente, y es la seccin transversal de transicin. Como la potencia luminosa es proporcional al ujo de fotones, se puede escribir dP(z) = g ()P(z), dz
(175)
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102
y solucionando la ecuacin diferencial de la misma forma que se haba hecho en apartados anteriores, se obtiene
P(z) = eg ()z P(0).
(176)
. Si consideramos un medio activo de longitud z = L, se puede denir el factor de amplicacin como la relacin entre la potencia de salida P(L) y la potencia de entrada P(0): P(L) = eg ()L . P(0)
G() =
(177)
La gura 59 muestra la forma de G().
El factor de amplicacin es, por lo tanto, un parmetro clave en los amplicadores pticos. Teniendo en cuenta la forma de g (), se puede observar, tal y como caba esperar, que G() vara con la frecuencia segn una curva con forma de campana, centrada en 0 , y con un mximo en G(0 ) = G0 = ego L (vase la gura 59). Para determinar el ancho a media altura del factor de amplicacin, se sigue el mismo razonamiento y se calcula como la frecuencia en la cual G() tiene un valor igual a G0 /2: g0 L 2 2 eg o L G( ) = e 1 + ( 0 ) T2 = . 2

(178)
Para calcular el valor de , aplicamos el logaritmo neperiano en ambos lados de la ecuacin (178): g0 L B 2C 1 + ( 0 )2 T2 C = ln B ln e
@ A 0 1
Propiedades del logaritmo neperiano Las propiedades del logaritmo neperiano utilizadas en la resolucin de la expresin (178) son las siguientes: ln B) = ln (A) + ln (B), (A
eg o L 2
= ln ego L ln 2,
(179)
y nalmente, g0 L = g0 L ln 2. 2 1 + ( 0 )2 T2 Aislando 0 obtenemos

s
A = ln (A) ln (B), ` BB ln A = B ln (A), ln(e) = 1.
ln
(180)
1 0 = T2
ln2 . g0 L ln2
(181)
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. Por lo tanto, el ancho de banda de amplicacin se puede escribir como

s
A = 2( 0 ) = g
ln2 . ln(G0 /2)
(182)
Este parmetro tiene un papel clave en las aplicaciones de comunicaciones pticas, porque permite calcular el nmero de canales WDM*, espaciados entre s 100 GHz, que pueden ser amplicados por el dispositivo.
* WDM son las siglas de wavelength division multiplex.
Ejemplo 14 Supongamos que la banda de amplicacin sea A = 1 THz. Si se consideran canales DWDM espaciados entre si de 100 GHz, el amplicador puede amplicar 10 canales.
El anlisis del ancho de banda de amplicacin se ha realizado bajo la hiptesis P/PS 0. Para estudiar el fenmeno de la saturacin de la ganancia, no pende tanto de como de P. Suponemos a su vez que el amplicador trabaja a la frecuencia de pico 0 . En tal caso, la ganancia se puede escribir como g0 1+ P PS se utiliza dicha suposicin y se considera de nuevo la ecuacin (169), que de-
g (0 ,P) =
(183)
Partimos de la expresin (175). La variacin de la potencia luminosa, sin asumir la suposicin anterior, es g P(z) dP(z) = g (0 ,P)P(z) = 0 . P(z) dz 1+ PS Arreglando la expresin se puede escribir como
(184)
1 1 + P(z) PS
dP(z) = g0 . dz
(185)
Si integramos ambos trminos respecto a la variable z, resulta:

P(0) P(z) P S
P(z) = P(0)eg0 z e
(186)
Es interesante observar que el factor de amplicacin disminuye con P(z).
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104
. Segn la denicin, y en un medio activo de longitud L, el factor de amplicacin es

(G(0 ,P)1)P(L) P(L) P(L)P(0) = G0 e PS = G0 e G(0 ,P)PS P(0)
G(0 ,P) =
(187)
Por lo tanto, el factor de amplicacin disminuye con la potencia de la manera que se muestra en la gura 60. La gura muestra como, a medida que aumenta la potencia de salida Pout , o lo que es lo mismo Pout /PS , disminuye G, o alternativamente G/G0 . En conclusin, cuanto mayor es la potencia de entrada, menor es el factor de amplicacin.
Figura 60. Ganancia ptica de un amplicador en funcin de la potencia
G / G0 1 0,8 0,6 0,4 0,2 10-2 10-1 100 101
G0 = 30 dB
Pout /Ps
La mxima ganancia de un amplicador ptico es de unos 30 dB, pero se reduce signicativamente con el aumento de la potencia de entrada debido al fenmeno de la saturacin. Calculamos la potencia de saturacin de salida
S Pout , denida como el valor de potencia de salida para el cual el factor de am-
plicacin se reduce a la mitad. Si imponemos que el factor de amplicacin es igual a la mitad del valor mximo, entonces: G0 . 2
G(0 ,P) =
(188)
Reemplazando este valor en la ecuacin (187):

G0 1 P(L) 2 G0 .P S 2
G0 = G0 e 2
(189)
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. Si volvemos a aplicar el logaritmo neperiano en ambos lados de la expresin y aislamos la potencia de salida P(L), obtenemos: G0 ln2 PS ln2 PS = 0,69PS , G0 2
S P(L) = Pout =
(190)
donde la ltima aproximacin es vlida si G0 2.
Ejemplo 15 Si se considera G0 = 30 dB y PS = 30 mW:
S = Pout
G0 ln2 PS = 0,69 30 mW = 20,7 mW. G0 2
Ahora calculamos el valor en dBm de la potencia de saturacin a la salida del amplicaS = 10log 20,7 = 13 dBm. dor: Pout 10
En este apartado se han visto algunos de los parmetros que caracterizan los amplicadores pticos en trminos de ganancia ptica, como el ancho de banS da de amplicacin A y la potencia de saturacin Pout . Ambos parmetros
describen la dependencia que el factor de amplicacin tiene respecto de la frecuencia y de la potencia de entrada P. Conviene recordar, a modo de resumen, qu describe cada uno de estos dos parmetros. As, el ancho de banda de amplicacin pone de relieve la relacin existente entre el factor de amplicacin y la frecuencia. Suponiendo de amplicacin muestra cul es el mximo ancho de banda que puede tener una seal para tener un factor de amplicacin similar en toda la banda (una diferencia mxima de 3 dB). En cuanto a la potencia de saturacin de salida, muestra, para la frecuencia de mxima ganancia 0 , la relacin entre factor de amplicacin y potencia. En particular, para 0 , muestra cul es la mxima potencia de salida que debemos tener para garantizar que el factor de amplicacin a esa frecuencia no disminuye por debajo de los 3 dB respecto del mximo. En una situacin real, la seal a la salida del amplicador ser el resultado de ambos fenmenos. Es decir, una seal cualquiera no tiene la misma amplicacin en funcin de la frecuencia y de la potencia. Suponiendo que, por ejemplo, la seal tiene un ancho de banda igual a A , el factor de amplicacin diferir entre la frecuencia central y la frecuencia ms baja en unos 3 dB, pero a su vez, para esa frecuencia este factor tambin variar en funcin de la potencia de entrada. que no hay problemas de saturacin de potencia, P/PS 0, el ancho de banda
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106
4.2. Figura de ruido La introduccin de un elemento en una transmisin, como es el caso de un amplicador ptico, no slo afecta a la seal til sino que adems introduce ruido. En un amplicador ptico, la principal causa de ruido es la amplicacin de la emisin espontnea*, que es proporcional a la poblacin N2 del nivel 2. La radiacin que se inyecta en un amplicador se amplica a travs de la emisin estimulada, y la diferencia entre la tasa de emisin estimulada y la absorcin (tasa de generacin neta) es proporcional a la inversin de poblacin N2 N1 . Por lo tanto, el parmetro de inversin se dene como N2 (t ) N2 (t ) N1 (t )
*En ingls, amplied spontaneous emission (ASE).
nsp =
(191)
y muestra la relacin entre el ruido y la seal til. Por denicin, su valor mnimo es 1. El ruido ASE tiene una densidad espectral de potencia constante, que depende tanto de la frecuencia como de la ganancia G y del parmetro de inversin:
SASE () = (G 1)nsp h0 .
(192)
Su existencia produce uctuaciones aleatorias de la seal amplicada, que a su vez se convierten en uctuaciones de la corriente detectada por el fotodiodo. El ruido producido por un amplicador se mide a travs del parmetro denominado gura de ruido, que se dene en trminos de relacin seal-ruido (signal-to-noise ratio, SNR) de entrada y de salida del amplicador: (SNR)in . (SNR)out
Fn =
(193)
Si la seal a la entrada del amplicador tiene potencia Pi y R es la responsividad del fotodiodo, en el caso de tener nicamente ruido shot y una eciencia cuntica del fotodiodo = 1: Pi . 2h 0
SNRin =
(194)
La seal a la salida del amplicador se combina en el fotodiodo con el ruido ASE y produce una corriente fotodetectada:
I = R| GPi +
PASE |2 = RGPi + 2R GPi PASE cos + RPASE ,

p
(195)
donde es la diferencia de fase (aleatoria) entre las dos seales, G es el factor de amplicacin, PASE es la potencia del ruido ASE y Pi es la potencia de entrada al amplicador. La seal de entrada y el ruido ASE oscilan a diferen-
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107
tes frecuencias y el trmino beat es la contribucin del ruido en frecuencia de la seal. El primer trmino de la ecuacin RGPi es la seal til, mientras que el segundo y el tercer trminos se producen a causa del ruido ASE. El ltimo trmino RPASE es muy pequeo en comparacin con el resto de trminos y por lo tanto, es despreciable. Entonces, la varianza del ruido a la salida del amplicador es
2 ASE = 4R2 GPi PASE .
(196)
Teniendo en cuenta que la potencia del ruido ASE detectado por el fotodiodo es la integral de densidad espectral de ruido,
Z Z
PASE =
SASE ()d =
(G 1)nsp h0 d = (G 1)nsp h0 .
(197)
Entonces la SNR a la salida del amplicador es (RGPi )2 GPi = 2 4(G 1)nsp h0 ASE
SNRout =
(198)
y la gura de ruido de la ecuacin (193) se puede escribir como . nsp (G 1) = 2nsp G
Fn = 2
(199)
Observamos que el valor mnimo terico de la gura de ruido es 2 (cuando nsp = 1), es decir, 3 dB. En los dispositivos comerciales el parmetro Fn nunca est por debajo de 5 o 6 dB. Si se tiene en cuenta tambin la eciencia de acoplamiento i a la entrada del amplicador la gura de ruido es nsp . i
Fn = 2
(200)
De este modo se puede constatar que el factor de ruido Fn , y equivalentemente la potencia de ruido, crece a medida que disminuye la eciencia i .
Ejemplo 16 Supongamos que nsp sea 1 y que la eciencia de acoplamiento a la entrada del amplicador sea del 50 % (i = 0,5). La gura de ruido es
Fn = 2
1 = 4, 0,5
es decir, Fn = 6 dB. Si la eciencia de acoplamiento disminuye un 20 %, es decir, i = 0,4, se puede observar que la gura de ruido crece 1 dB, siendo en este caso Fn = 7 dB.
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4.3. Amplicadores pticos de semiconductor Los SOA son muy similares a los diodos lser, ya que son uniones pn con polarizacin directa, fabricados utilizando las mismas heterouniones y los mismos semiconductores del apartado 2 (transmisores pticos). La principal diferencia entre un SOA y un diodo lser es que en el amplicador se elimina la cavidad resonante, a travs de capas antirreejos en las interfaces para lograr un ajuste entre el ndice de refraccin del semiconductor y del aire. Con muchas capas antirreectantes se puede conseguir que la reectividad de la interfaz se reduzca del 30 % hasta el 0,01 %. De esta forma se consigue que la luz prcticamente no entre en resonancia dentro de la cavidad (reexiones en el interior de la cavidad) y sea emitida a la salida del amplicador. Las capas antirreectantes presentan un comportamiento muy dependiente de la longitud de onda, o dicho de otra manera, son muy selectivas respecto a la longitud de onda. As, para conseguir crear una adaptacin del salto de ndice en todo el ancho de banda de amplicacin, es necesario poner varias capas antirreejantes. Para conseguir reducir an ms la potencia que se reeja en las supercies de discontinuidad y que vuelve de nuevo al medio activo, se inclina la heterounin 30 grados (tilted stripe) con respecto a las supercies del semiconductor, como muestra la gura 61a. Otra solucin es introducir una ventana de difraccin entre la regin activa y las extremidades del semiconductor, como se puede observar en la gura 61b. Ambas soluciones consiguen reducir la reectividad.
Figura 61. Estructuras de un SOA: a. solucin tilted stripe; b. solucin con ventana de difraccin
Capa antirreflectante p n a.
Heterounin
Ventana de difraccin
p n b.
Para calcular la variacin de la ganancia en funcin de la potencia, escribimos la ecuacin de ritmo en el semiconductor (vase la ecuacin (95)): dN (t ) I (t ) N (t ) vg g ()q, = eV V dt
(201)
y suponemos que en un estado de equilibrio no hay variaciones de los portadores de carga. Es decir, suponemos que la seal de entrada es continua o que, en el caso de ser un pulso de luz, la duracin es mucho mayor que 100 s.
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Igualando la expresin anterior a cero, y sustituyendo la expresin de ganancia neta
g () = ()(N (t ) Nt ) se obtiene I (t ) N (t ) vg = + () (N (t ) Nt ) q. eV V
(202)
(203)
Arreglamos un poco la expresin anterior y, para ello, restamos en ambos lados de la ecuacin el trmino Nt /: N Nt
1+
vg ()q V
I N t. eV
(204)
Aislamos el trmino (N Nt ): (N Nt ) =
Nt I eV v ()q + gV
(205)
Sustituyendo la igualdad obtenida en la expresin (202), se obtiene la ganancia neta en funcin de la corriente de inyeccin: N I t eV . g () = ()(N Nt ) = () vg ()q 1+ V
(206)
Si escribimos la potencia ptica de la seal en funcin del nmero de fotones en la cavidad por unidad de tiempo, tenemos P = hq/dt , y observamos que la expresin anterior se puede reescribir como I N t g0 eV = , P vg ()Pdt 1 + 1+ Ps h V
g () = ()
(207)
donde la ganancia de pico es
g0 = ()
I N t eV
(208)
y la potencia de saturacin, hdV . vg ()dt
Ps =
(209)
La velocidad de los fotones a travs del semiconductor es la variacin de la posicin dividido por el tiempo, o lo que es lo mismo, vg = dz/dt . Adems, po-
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demos asegurar que el diferencial de volumen es igual al diferencial de longitud por el diferencial de rea, dV = dAdz. Teniendo en cuenta esto, la potencia de saturacin se puede expresar como hdAdz
dz dt ()dt
Ps =
dAh . ()
(210)
Observemos la expresin (207). Para que haya amplicacin neta de la seal, se debe cumplir g () > 0 y, por lo tanto, N I t > 0. eV
(211)
En tal caso, la corriente de inyeccin debe ser mayor que un umbral (Ith ), tal como suceda en los diodos lser: I > Ith = Nt eV . (212)
Como ya se mencion, en un amplicador SOA se intentan reducir los reejos no deseados entre el semiconductor y el aire, porque producen una variacin oscilante de la ganancia, denominada ripple. La gura 62 muestra grcamente el efecto de dicha oscilacin de la ganancia. Como se puede observar, la ganancia real (lnea continua) oscila en torno al valor de ganancia esperado (lnea discontinua).
Figura 62. Curva de la ganancia de un SOA
G(dB) 30 29,5 29 28,5 28 27,5 200 400 600 800 1.000 (GHz)
Para estudiar este fenmeno, se puede considerar un resonador de Fabry-Prot. . Un resonador de Fabry-Prot es un resonador ptico y de microondas consistente en dos espejos dielctricos o metlicos, encarados y situados a una cierta distancia el uno del otro. Acta a modo de circuito resonante si la distancia entre los espejos es un mltiplo de la mitad de la longitud de onda de la radiacin. Se utiliza, principalmente, como resonador en los lser.
Charles Fabry y Alfred Prot Charles Fabry (1867-1945) y Alfred Perot (1863-1925), fsicos franceses, inventaron un interfermetro para el estudio de los espectros de rayas.
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En el resonador de Fabry-Prot (gura 63), para aumentar la ganancia, se persigue aumentar el nmero de fotones en el medio activo para conseguir que, a su vez, crezca la emisin estimulada y la consiguiente ganancia. Su funcionamiento es el siguiente:
1) Los fotones entran en el medio activo. 2) Debido a la emisin estimulada, se generan nuevos fotones. 3) Los espejos a ambos extremos de la cavidad contribuyen a que los fotones sean reejados y vuelvan a transitar por la cavidad generando nuevos fotones debido a la emisin estimulada (se produce una realimentacin). 4) Uno de los extremos presenta un ndice de reexin menor a la unidad para que los fotones no queden indenidamente connados en la cavidad. 5) Cada vez que los fotones son reejados en uno de los extremos, realizan un recorrido de ida y vuelta por la cavidad del resonador.
Figura 63. Esquema de un resonador de Fabry-Prot
Espejo
Espejo con ndice de reflexin inferior a 1
Luz Medio activo
En este tipo de resonadores, la ganancia obtenida por emisin estimulada debe ser mayor que las prdidas sufridas por el rayo de luz al atravesar el resonador para conseguir una ganancia neta. Adems, la luz se desfasa cada vez que realiza una ida y vuelta. Teniendo en cuenta que la luz se desfasa 2 radiantes cada metros, el desfase que sufrir el rayo tras recorrer una distancia d ser d2/ radiantes. En el caso concreto de un resonador de longitud L, tras la k-ssima ida y vuelta la luz se habr desfasado 2 4kL 2kL = rad,
(213)
con k = 1,2,3... Otra de las caractersticas de estos resonadores es que slo admite fotones que cumplen la condicin 4kL = m2,
(214)
donde m = 0,1,2,3... Los amplicadores pticos de semiconductor se basan en el efecto descrito. A continuacin se describen los clculos para dichos
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amplicadores. Suponemos que en el amplicador incide una onda incidente con amplitud Ai . A la salida del amplicador tenemos una onda transmitida cuya amplitud es At . Las reectividades de las supercies de discontinuidad son R1 y R2 , respectivamente, el medio tiene una longitud L y cada vez que la onda lo atraviesa se amplica con una ganancia G. Teniendo en cuenta estos datos, la amplitud de la onda transmitida At en funcin de la amplitud de la onda incidente Ai teniendo en cuenta las reexiones mltiples en las supercies de discontinuidad con reectividad R1 y R2 es At Ai

p q
1 R1 Gei
1 R2 1 +
p X
n=0
R1 R2 Gei2 + ...
n
(1 R1 ) (1 R2 ) G
R1 R2 Gei2
(215)
donde es el cambio de fase que se produce al atravesar la cavidad. Observando la ecuacin es posible entender el signicado de cada uno de los trminos. Para n = 0 la ecuacin describe la luz que incide en el amplicador, es transmitida a travs de l (trmino igual a
p
1 R1 ), recorre la cavidad (ganancia en amplitud
G), sufre un cambio de fase (ei ), y es transmitida hacia el exterior

p
(trmino
1 R2 ). Cuando la luz llega a la supercie con reectividad R2 , no
toda la potencia es transmitida, y una parte de ella es reejada. Dicha luz es descrita por n = 1. As, al trmino anterior es necesario multiplicarle el efecto de la reexin en ambas supercies antes de ser transmitida (ida y vuelta, miento es aplicable para el resto de valores de n. El camino de ida y vuelta se denomina round trip. Si desarrollamos la serie, obtenemos
p p
R1 R2 ), la ganancia (trmino
G G = G) y el desfase (ei2 ). El mismo razona-
At = ei Ai
G (1 R1 ) (1 R2 ) p , 1 R1 R2 Gei2
(216)
donde el cambio de fase para una seccin de longitud L, cuando la onda se propaga en una direccin que forma un ngulo con el eje del resonador, es 2L cos = . vg FSR
(217)
La ecuacin (216) es peridica con respecto al ngulo , y por lo tanto, es peridica tambin con respecto a la frecuencia, con un perodo igual al free spectral range (FSR). Calculamos la transmisividad del resonador como
2 At = A
i
G(1 R1 )(1 R2 ) p , 1 + R1 R2 G2 2 R1 R2 G cos 2
(218)
y conociendo la ecuacin trigonomtrica cos 2 = 1 2 sen2 , la expresin anterior se puede reescribir como
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2 At A
i
G(1 R1 )(1 R2 )
1 G R1 R2
1 p R 4 G R 1+ p 1 2 2 sen2 1 G R1 R2 (219)
G(1 R1 )(1 R2 ) p p . (1 G R1 R2 )2 + 4G R1 R2 sen2
La transmisividad de un resonador de Fabry-Prot se conoce como la funcin de Airy, y es peridica con la frecuencia, con un perodo igual al free spectral range. Como tambin el factor de amplicacin G vara con la frecuencia, la transmisividad del dispositivo presenta una curva como la de la gura 62, calculada asumiendo que R1 = R2 = 6 106 y FSR = 100 GHz. Para calcular el ripple de la ganancia, necesitamos saber la mxima (y la mnima) transmisividad derivada de las expresiones obtenidas a partir del resonador de Fabry-Prot. Con ello es posible calcular la magnitud de la variacin. La transmisividad mxima y mnima, respectivamente, se calculan para = 0 y = /2:
2 At A
Sir George Airy Sir George Airy (1801-1892), astrnomo britnico, particulariz la ecuacin de Schrdinger para una partcula en un campo elctrico constante y unidimensional.
i max
2 At A
G(1 R1 )(1 R2 ) p , (1 G R1 R2 )2 G(1 R1 )(1 R2 ) p . (1 + G R1 R2 )2 (220)
i min
. Por lo tanto, el ripple se calcula como la relacin entre la transmisividad mxima y la mnima:
2 At Ai = ri = max At 2 Ai
min
1 + G R1 R2 p 1 G R1 R2
!2
(221)
y aumenta al aumentar la ganancia G.
Para la gura 62, el ripple es de unos 0,05 dB. Una de las principales desventajas de los amplicadores SOA es la dependencia de la ganancia con la polarizacin, debido a que la heterounin se comporta como una gua plana que soporta dos conguraciones diferentes para los mo-
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dos TE (transversal elctrico) y TM (transversal magntico). La ganancia del amplicador depende del tipo de modo, del factor de connamiento , y de la diferencia de ganancia entre la polarizacin TE y TM, que se mide mediante el parmetro polarization dependent gain (PDG) y que puede llegar hasta 6 dB. Para compensar este efecto, se puede crear una conguracin con dos SOA en serie, uno girado 90 respecto al otro, o dos SOA en paralelo, utilizando la denominada polarization beam splitter a la entrada del dispositivo.
4.3.1. Conversores de longitud de onda . Un conversor de longitud de onda es un elemento ptico que, dada una seal de entrada con una longitud de onda 1 , a la salida se obtiene la misma seal con una longitud de onda 2 , con 1 = 2 .
Los SOA se utilizan tanto como convertidores de longitud de onda* como regeneradores de la seal, mediante el mecanismo denominado saturacin de la ganancia. La conguracin cross gain modulation (XGM) consiste en, dentro de un amplicador SOA, acoplar dos seales: una seal pulsada de bombeo** con potencia de unos 0 dBm (recordemos que 0 dBm son 1 mW), que es la seal que se desea regenerar, y una seal continua de probe. Cada una de las seales tiene una longitud de onda diferente. Consideramos que la seal de bombeo tiene una longitud de onda 1 y que la seal de prueba tiene una longitud de onda 2 . La seal de bombeo se propaga en el dispositivo y es amplicada por aproximadamente unos 20 dB, saturando el amplicador. En cuanto a la seal de probe, que tiene una potencia menor, al propagarse a travs del dispositivo saturado es amplicada con un factor de amplicacin muy bajo, prcticamente cero. Si, por el contrario, se quita la seal de bombeo, la seal de probe se amplica con un factor de amplicacin de 20 dB. De esta manera la presencia de un pulso (es decir, de un bit 1) en la seal de bombeo se traduce en una seal de probe de nivel muy bajo a la salida del amplicador (bit 0), mientras que un bit 0 de la seal de bombeo corresponde a un bit 1 de la seal de probe. Este efecto puede regenerar de forma completamente ptica una seal. Adems, la informacin contenida en la seal de bombeo con longitud de onda 1 se transere a la seal prueba de longitud de onda 2 (invertida) y por lo tanto este dispositivo es tambin un conversor de longitud de onda. Para separar las dos seales a la salida del SOA, una a una longitud 1 y la otra a
2 , basta con utilizar un ltro ptico, tal como se muestra en la gura 64.
* En ingls, wavelength converter.
** En ingls, pump.
El amplicador est saturado porque la seal de bombeo hace que se recombinen por emisin estimulada los pares electrn-hueco, y cuando la seal de bombeo se retira, hay que esperar un tiempo para que la corriente de inyec-
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Figura 64. Conversor de longitud de onda cross gain modulation
Pump 1 mode-locked laser SOA Probe 2 CW
Filtro
Seal convertida 2
cin reconstituya los pares p n. Por lo tanto, el pulso a la salida del amplicador no es perfecto y tiene una cola, como se muestra en la gura 64. El tiempo de respuesta de estos dispositivos es del orden de los 100 ps, correspondiente al tiempo de vida medio del electrn en la banda de conduccin, denominado por . Por lo tanto, la tasa de bits mxima de la seal de entrada est limitada a 10 Gb/s. Sin embargo, utilizando una seal de bombeo de muy alta potencia, se pueden obtener conversores de longitud de onda de hasta 40 Gb/s. El fenmeno de la saturacin de la ganancia en el cual se basa el conversor de onda produce algunos efectos que requieren ser tenidos en cuenta. En concreto, la saturacin de ganancia produce una variacin del ndice de refraccin y, como consecuencia, la seal de prueba no slo es modulada en amplitud, sino que tambin resulta modulada en fase. Por lo tanto, a la salida del conversor tenemos la seal con una longitud de onda 2 modulada en amplitud y en fase. Este fenmeno ensancha el espectro de la seal transmitida, y entonces empeora el rendimiento del sistema debido a la dispersin cromtica en la bra ptica. Por esta razn, los conversores de longitud de onda comerciales utilizan la conguracin cross phase modulation (gura 65). Para aprovechar el cambio de fase inducido por la seal de bombeo, se utiliza un interfermetro de Mach-Zehnder donde se inserta un SOA en cada brazo. Si no hay seal de bombeo, la seal de entrada se divide en los dos brazos del interfermetro y se recombina a la salida, por lo tanto, la salida del interfermetro es idntica a la seal de entrada. Sin embargo, si se aplica la seal de bombeo, la seal de probe tiene un desfase de en un slo brazo y por lo tanto, va a interferir destructivamente a la salida. Al igual que en el caso XGM, una secuencia de bits de la seal de bombeo se reescribe en la seal de probe al revs, es decir, un bit 1 de entrada es un 0 a la salida y viceversa.
Ludwig Zehnder (1854-1949), fsico suizo, y Ludwig Mach, fsico hijo del tambin famoso fsico Ernst Mach (1838-1926), idearon el interfermetro Zehnder-Mach, un instrumento que permite obtener la diferencia de fase entre dos seales pticas coherentes. Ludwig Zehnder y Ludwig Mach
4.4. Amplicadores de bra dopada con erbio En los amplicadores pticos de bra se insertan los iones de tierras poco habituales para dopar el ncleo de la bra durante el proceso de fabricacin. A pesar de que se empezaron a estudiar los amplicadores de bra dopada en 1964, no fueron utilizados en sistemas comerciales hasta 25 aos ms tarde, despus de mejorar y perfecionar los mtodos de procesado y las especicaciones tcnicas. Los parmetros fundamentales de estos amplicadores, tales
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Figura 65. Conversor de longitud de onda cross phase modulation
Pump 1 mode-locked laser SOA Probe 2 CW SOA Seal convertida 2
como la longitud de onda de amplicacin, la ganancia y el ancho de banda, estn esencialmente determinados por la concentracin y el tipo de dopantes, ms an que por el tipo de bra. Muchos elementos de tierras raras, como erbio, holmio, neodimio, samario, tulio, e iterbio, se pueden utilizar para realizar amplicadores de bra que operan en diferentes longitudes de onda en un rango de 0,5 hasta 3,5 m. En las comunicaciones pticas en particular, se utiliza el erbio para dopar la bra de los amplicadores*, ya que la longitud de onda de funcionamiento est en la regin en torno a 1,55 m. Su desarrollo en los sistemas WDM desde 1995 revolucion el campo de los sistemas de comunicaciones basados en bra ptica y llev a realizar sistemas pticos con una capacidad total de hasta 3 Tb/s. El EDFA est fabricado con bra de slice, cuyo ncleo est dopado con iones de erbio (Er 3+ ), y se aplica una seal ptica de bombeo. El bombeo crea una inversin de poblacin que puede amplicar otra seal de entrada, como se muestra en la gura 66.
* En ingls, erbium doped ber amplier (EDFA).
Figura 66. Esquema de un amplicador de bra dopada con erbio (EDFA) en conguracin copropagante
Fibra dopada Aislador Aislador
Lser de bombeo
En los primeros experimentos, se utiliz la radiacin visible emitida por el lser de Nd:YAG*, pero los esquemas de bombeo eran relativamente inecaces. Hoy en da, utilizando lser de bombeo de semiconductor, se puede elegir entre dos longitudes de onda de trabajo: = 1.480 nm y = 980. La primera se utiliza para obtener una alta ganancia, mientras que la segunda longitud de onda permite obtener un amplicador de bajo ruido. En el primer caso, es posible obtener una ganancia de amplicacin de 30 dB con tan slo 10-15 mW de potencia de la seal de bombeo. La gura 67 muestra los niveles de energa
* Del ingls neodymium-doped yttrium aluminium garnet.
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de los iones de erbio en una bra como la descrita. Ntese que son estos niveles de energa los que determinan las longitudes de onda mencionadas, es decir, = 1.480 nm y = 980.
Figura 67. Diagrama de niveles de energa de los iones de erbio en una bra de slice
3 = 1 s 4l11/2 = 10 ms 4l13/2 = 1,48 m 4l15/2 = 0,98 m Nivel 2 = 1.520 - 1.579 m Niveles 3
El bombeo de 980 nm, sin embargo, requiere bras ms largas y valores de potencia mayores debido al hecho de que utiliza la cola de la curva de absorcin, como se muestra en la grca de la absorcin y la ganancia para este tipo de bras (gura 68). Cuanto menor es la absorcin, menor es la ganancia y, por consiguiente, es necesario que la longitud de la bra sea mayor para conseguir la ganancia deseada. Los lseres de bombeo de 980 nm disponibles en el mercado pueden proporcionar seales de ms de 100 mW. En cuanto a la potencia requerida, puede reducirse mediante el uso de bras de slice dopada con aluminio y fsforo, o mediante el uso de bras uorofosfatas.
Figura 68. Espectro de absorcin y de ganancia de un EDFA con ncleo dopado con germanio
10 6
Absorcin
4 2 2 Ganancia
1,48
1,50
1,52
1,54
1,56
Longitud de onda (m)
Seccin transversal (1025 m2)
Prdidas o ganancia (dB/m)
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. El EDFA puede funcionar con diferentes conguraciones:

Contra-propagante: el lser de bombeo y las seales se propagan en direcciones opuestas. Copropagante: el lser de bombeo y las seales se propagan en la misma direccin (gura 66).
El rendimiento en ambas conguraciones es casi el mismo cuando la intensidad de la seal es lo sucientemente pequea como para no saturar el amplicador. En el rgimen de saturacin, en cambio, la conversin de la potencia es en general mejor en la conguracin contra-propagante. En la conguracin bidireccional de bombeo, el amplicador se bombea de forma simultnea en ambas direcciones utilizando dos diodos lser situados en los extremos de la bra. Esta conguracin requiere dos lseres de bombeo, pero tiene la ventaja de que la inversin de la poblacin, y por lo tanto, la ganancia, es relativamente uniforme a lo largo de toda la longitud del amplicador. El espectro de la ganancia depende del sistema de bombeo, pero tambin de la presencia en el ncleo de la bra de otros dopantes, tales como germanio y aluminio. El ancho de banda de la amplicacin de un EDFA se da generalmente en la banda C, en el rango entre 1.530 y 1.565 nm, con un ancho de banda de ms de 35 nm. Este parmetro es uno de los ms importantes para un amplicador, ya que determina el nmero de canales de una seal WDM que pueden ser amplicados de forma simultnea. La forma del espectro de la ganancia depende sustancialmente de la naturaleza amorfa del slice y de la presencia de otros dopantes en el ncleo de la bra, tales como el germanio y el aluminio. De hecho, si en el ncleo slo hay iones de erbio, el espectro se ensancha de forma homognea. La gura 68 muestra el espectro de ganancia y la absorcin de un EDFA cuyo ncleo est dopado tambin con germanio: observamos que el espectro de ganancia es ms amplio y tiene una estructura con dos picos. Aadiendo aluminio al ncleo de la bra, el espectro se ensancha ms de modo uniforme, como se muestra en la gura 69.
Figura 69. Espectro de ganancia de un EDFA con ncleo dopado con germanio y aluminio
30 Ganancia EDFA (dB)
20 10 0
-10 1.520
1.530
1.540
1.550
1.560
1.570
Longitud de onda (nm)
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La ganancia de un EDFA puede variar tambin en funcin de la longitud de la bra. En general crece exponencialmente con la longitud L, como se muestra en la ecuacin (177) que describe el factor de ganancia. Sin embargo, el parmetro de inversin de la poblacin disminuye con la longitud de la bra, debido a la disminucin gradual de la potencia de bombeo. Como la seal de bombeo se propaga a lo largo de la bra, se atena y su potencia disminuye y la ganancia total del amplicador tiene el comportamiento que se muestra en la gura 70.
Figura 70. Ganancia de un EDFA en funcin de la longitud de la bra dopada
40 30 Ganancia G (dB) Pp = 4 mW
20
3 mW
10
2 mW
0 -10
10
20
30
40
50
Longitud fibra activa (m)
En la conguracin copropagante, la longitud de la bra es aproximadamente de 3 m, debido a que no es apropiado utilizar bras demasiado largas porque al nal de la bra la seal de bombeo es demasiado atenuada. A pesar de esto, si se aumenta la potencia de bombeo y se usan bras de longitud mayor de 100 m, se consigue amplicar seales en la banda L, que incluye la regin espectral entre 1.570 y 1.610 nm. Para los EDFA, como en los SOA, la gura de ruido es la misma de la ecuacin (200). Sin embargo, los EDFA tienen un esquema de bombeo con tres niveles, y la consecuencia de ello es que siempre N1 > 0 y nsp > 1. Por lo tanto, el valor mnimo de Fn es mayor de 3 dB. La gura de ruido, como la ganancia, depende de la longitud del amplicador y tambin de la potencia de bombeo. Los valores de Fn son generalmente ms grandes para los EDFA con bombeo a 1.480 nm, ya que en este caso el nivel 3 y el nivel 2 estn muy cerca y es difcil obtener inversin total de la poblacin y N1 = 0. Sin embargo, es posible obtener una Fn < 3,5 dB para longitudes de onda alrededor de 1.460 nm. En general, es difcil al mismo tiempo lograr una alta ganancia, bajo ruido y alta eciencia de bombeo. La ganancia de un EDFA es casi insensible a la polarizacin. A continuacin se muestran, a modo de ejemplo, las especicaciones de un amplicador EDFA comercial.
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4.5. Resumen Para conseguir enlaces de bra ptica de gran longitud es necesario amplicar las seales a lo largo del enlace. Para ello son indispensables los amplicadores pticos, estudiados en el apartado 4. Se trata de dispositivos que, a partir de una seal ptica de entrada, la amplican de una forma totalmente ptica, sin tener que pasar al dominio elctrico. Los amplicadores pticos slo permiten realizar una amplicacin 1R, es decir, una regeneracin de la potencia de la seal. Para conseguir regeneraciones 2R o 3R es necesario realizar la conversin O-E-O. Los amplicadores, adems de amplicar la seal, introducen ruido. As, los parmetros que caracterizan a un amplicador son la ganancia y el factor de ruido. Existen dos tipos de amplicadores pticos: los amplicadores de semiconductores y los amplicadores de bra dopada.
8 < Amplicador de semiconductor Amplicador : Amplicador de bra dopada
Los amplicadores de semiconductor presentan algunos problemas, como por ejemplo el rizado de la ganancia (ripple). Por el contrario, los amplicadores de bra dopada no presentan este problema. Estos ltimos han permitido que las comunicaciones pticas alcancen grandes capacidades, especialmente en sistema WDM, pero no fue hasta la dcada de los 90 cuando se pudieron emplear en enlaces pticos por motivos tecnolgicos.
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5. Introduccin a las redes pticas .
En los apartados anteriores hemos descrito y analizado los elementos bsicos que hacen posible las comunicaciones pticas. Para ello, hemos estudiado tanto los fenmenos que permiten la transmisin y guiado de la potencia ptica a travs del medio (la bra ptica), como los principios que rigen la conversin de seales elctricas a seales pticas, y viceversa. En este apartado se introducen las redes que se fundamentan en los principios de las comunicaciones pticas. A pesar de que el objetivo de la asignatura no es el estudio en detalle de las redes que se presentan a continuacin, es importante tener una visin general de la importancia que tienen en los sistemas de telecomunicaciones actuales. En asignaturas posteriores se profundizar en cada una de las redes descritas a lo largo de este apartado. La arquitectura de red tradicional se basa en una capa de red cliente, por ejemplo la red de nivel 3 de la pila de protocolos OSI por encima de la red de transporte. De hecho, mientras la actual infraestructura de telecomunicacin se basa en una arquitectura multi-capa compuesta por el Protocolo de Internet (IP), que ha resultado el claro ganador entre los protocolos de la capa 3, la red de transporte se compone de:

OSI es la abreviatura de open system interconnection.
Una capa basada en la tecnologa de modo de transferencia asncrono (ATM), a pesar de que la capa ATM va desapareciendo. Una capa basada en la tecnologa de la jerarqua digital sncrona (SDH). Una capa que utiliza la tecnologa de multiplexacin de longitudes de onda (wavelength division multiplexing, WDM).
Ved tambin Les tecnologas WDM se estudian en el subapartado 5.2.1.
Por otro lado, un criterio de clasicacin de las redes de comunicacin se basa en su escala, es decir, se basa en la extensin geogrca del rea que la red cubre aproximadamente. La red de telecomunicaciones en su totalidad cubre una amplia zona, potencialmente todo el mundo, y por lo tanto, para asegurar la comunicacin entre usuarios, la red se organiza en sub-redes de diferentes tamaos y con distintas funcionalidades. En este sentido, se pueden identicar tres tipos de redes: 1) Las redes de acceso*, que incluyen redes de rea local** que conectan por ejemplo usuarios dentro de una empresa o de una universidad. 2) Las redes de rea metropolitana***. 3) Las redes de amplio alcance**** o redes de transporte troncales. En general, una red de rea metropolitana cubre una ciudad entera, mientras que las redes de acceso multiplexan diferentes seales de los usuarios nales
* En ingls, access area network. ** En ingls, Local Area Network (LAN) *** En ingls, metropolitan area network (MAN) **** En ingls, wide area network (WAN)
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en seales de velocidades ms altas. Las redes de transporte tienen la tarea de transmitir datos a elavadas tasas de bit que son producto de la agregacin de varios ujos de datos de velocidad inferior. De hecho, las redes de transporte reciben seales de mltiples redes subyacentes y las transportan hasta los nodos de destino. Hoy en da, se utiliza la tecnologa denominada jerarqua digital sncrona* para llevar a cabo las funciones de transporte, conmutacin, monitorizacin y proteccin (entre otras) en redes de transporte basadas en bras pticas conguradas en topologas en anillos. En este contexto de red, los enlaces de transmisin entre los nodos se basan en tecnologas pticas.
Por ejemplo, para aumentar la capacidad de las bras pticas, se utiliza la tecnologa de multiplexacin de longitudes de onda WDM, descrita en un subapartado posterior.
* En ingls, synchronous digital hierarchy (SDH).
Por otro lado, la evolucin de la tasa de bit dentro de las redes troncales incluye la migracin desde 10 Gb/s a tasas superiores de hasta 40 Gb/s (ahora mismo se estn investigando tcnicas de transmisin que permitan hasta 100 Gb/s e incluso tasas de bit superiores, hasta 1 Tb/s); esto es posible gracias al elevado ancho de banda (alrededor de 4 THz) de las bras pticas. En las redes metropolitanas la evolucin consiste en pasar de 625 Mb/s a 2,5 Gb/s mientras que en las redes de acceso, la evolucin se da hacia la implantacin de redes pticas pasivas**. En los subapartados siguientes se introducen los conceptos bsicos de las tecnologas que se utilizan (y que se utilizarn en el futuro prximo) para las redes de transporte basadas en bras pticas. En cualquier caso, la estructura de la red de transporte est estandarizada por la ITU-T.
Enlace de inters Podis visitar la pgina web de la International Telecommunications Union - Telecommunication Standardization Sector (ITU-T): http://www.itu.int/ITU-T
** En ingls, passive optical networks (PON).
5.1. Redes SONET/SDH La jerarqua digital sncrona (SDH) es una tecnologa estndar para la transmisin o transporte de datos sncronos a travs de redes de bra ptica, y fue desarrollada con el objetivo de que los operadores de red pudieran desplegar redes exibles y robustas. SDH ha sido denida por el European Telecommunications Standards Institute (ETSI) y se utiliza en casi todo el mundo excepto en Japn y Amrica del Norte. SDH representa el equivalente internacional de la tecnologa de las redes pticas sncronas (SONET), denida por la American National Standards Institution (ANSI) y que se utiliza bsicamente en Amrica del Norte. Sin embargo, los conceptos y arquitecturas de SDH y SONET son prcticamente los mismos, aunque existen ciertas diferencias en la terminologa y en las velocidades de transmisin denidas para cada jerarqua.
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Ambas tecnologas proporcionan interconexiones ms rpidas y menos costosas que los tradicionales equipos de la jerarqua digital plesicrona*. De hecho, SDH, as como su equivalente americano SONET, ha revolucionado el rendimiento y el coste de las redes de comunicaciones por bra ptica. El principal objetivo de la tecnologa SDH consiste en la agregacin de ujos con tasas de bits diferentes para la transmisin a largas distancias. A diferencia de la tecnologa PDH, SDH prev una mayor exibilidad de la trama de datos que se transmite. Adems, SDH resuelve el principal inconveniente de su predecesor PDH, ya que es posible la extraccin de un ujo de trco sin tener que demultiplexar toda la secuencia de los datos. La capa SDH proporciona conexiones simtricas de alta capacidad entre dos puntos de acceso y/o de agregacin de la red. Estas conexiones pueden ser conguradas por el operador de red mediante un sistema de gestin centralizado (que acta por ejemplo siguiendo el modelo TMN de la ITU-T). Para la transmisin de los datos, la tecnologa SDH utiliza tramas peridicas organizadas en octetos (bytes) que se denominan STM N con periodo de 125 s. Un octeto representa la unidad de multiplexacin de datos. La seal fundamental para las redes SDH es el mdulo de transporte STM-1, el cual opera a una tasa de transmisin aproximada de 155 Mb/s. Para SONET, la seal fundamental es el mdulo de transporte STS-1, que opera a una tasa de transmisin aproximada de 51 Mb/s. Estas dos seales se utilizan para enviar tramas contiguas (tramas STM-1/STS-1) que constan de una cabecera (overhead) y de un espacio de carga. La informacin que se transporta en las cabeceras es para llevar a cabo funcionalidades de supervisin y monitorizacin de calidad de la transmisin as como funcionalidades de operacin y mantenimiento. Para obtener las seales de orden superior (STM-N/STS-N) que proporcionan velocidades de transmisin superiores, es necesario multiplexar (octeto a octeto) N seales digitales STM-1/STS-1. En la tabla 3 se pueden observar los tipos de seales denidos para las jerarquas SDH/SONET y sus respectivas velocidades de transmisin, as como la equivalencia entre los tipos SDH y SONET.
* En ingls, plesiochronous digital hierarchy (PDH).
TMN es la abreviatura de telecommunication management network.
Octeto Un octeto equivale a un canal de 64 Kb/s:
8 bits = 64 Kb/s. 125 s
Tabla 3. Velocidades de SDH y sus equivalentes en SONET SDH STM-0 STM-1 STM-4 STM-16 STM-64 STM-256 SONET STS-1 STS-3 STS-12 STS-48 STS-192 STS-768 Velocidad 51,84 Mb/s 155,52 Mb/s 622,08 Mb/s 2.488,32 Mb/s 9.953,28 Mb/s 39.812,12 Mb/s
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. La arquitectura SDH/SONET identica tres capas diferentes (gura 71), donde cada una de las cuales corresponde a un nivel de comunicacin entre equipos. Las capas son, con la terminologa SDH y empezando por la ms baja, las siguientes:

La capa de la seccin regeneradora. La capa de la seccin de multiplexacin. La capa de la seccin de trayecto.
Figura 71. Modelo de capas en redes SDH
Seccin de trayecto (path) Seccin de multiplexores PDH IP PDH IP
Mux SDH
Regenerador SDH
ADM SDH
Mux SDH
Seccin de regeneradores
Cada una de estas capas tiene su propia cabecera en la trama STM-1/STS-1, es decir la cabecera se puede subdividir en tres partes: la parte de la cabecera de la seccin de regeneracin*, la parte de la cabecera de la seccin de multiplexacin** y el puntero***, la funcionalidad del cual ser explicada posteriormente. El formato de la trama STM-1 se puede observar en la gura 72.
* En ingls, regeneration section overhead (RSOH). ** En ingls, multiplex section overhead (MSOH). *** En ingls, administrative unit (AU).
Figura 72. Formato de la trama STM-1
1 byte = 64 Kbit/s 9 filas 270 octetos (8 bits 8.000 tramas/s) = 155,52 Mbit/s 9 octetos 261 octetos
3 filas 1 fila
RSOH Punteros (AU) MSOH rea de carga til
5 filas
Para solucionar problemas de sincronizacin, la informacin de los usuarios no se transporta directamente en el espacio para la carga, sino que se utiliza otra trama interna, la cual puede otar en el espacio de carga de dos tramas consecutivas STM-1/STS-1. Es decir, la localizacin de la posicin inicial de esa
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trama interna dentro del rea de carga de una trama STM-1/STS-1 puede no ser ja y se indica mediante el uso del puntero AU (administrative unit ) (vase la gura 73).
Figura 73. Mapeo de los contenedores virtuales
9 octetos 3 filas 1 fila 5 filas RSOH Punteros (AU) MSOH
261 octetos
Puntero
VC-4 Puntero
VC-3
Esa trama interna se llama contenedor virtual* de alto orden (HOVC VC-3 y VC-4) y se compone a su vez de cabecera (cabecera de trayecto**), y de un espacio de carga al que se denomina contenedor (C-x). Cabe resaltar que cuando se procesa el puntero AU para referenciar el o los HOVC dentro del espacio de carga de una trama STM-1, ste recibe el nombre de unidad administrativa (AU-x). La tabla 4 muestra la velocidad que se puede obtener con cada tipo de contenedor virtual, tanto la velocidad total (incluye cabeceras e informacin til) como la velocidad neta (slo informacin til de usuarios).
Tabla 4. Velocidades asociadas a los Contenedores Virtuales (VC) Tipo de VC VC-11 VC-12 VC-2 VC-3 VC-4 Ancho de Banda (VC=POH+carga) 1.664 Kb/s 2.240 Kb/s 6.848 Kb/s 48.960 Kb/s 150.336 Kb/s Ancho de Banda (carga) 1.600 kb/s 2.176 kb/s 6.784 kb/s 48.384 kb/s 149.760 kb/s
* En ingls, virtual container (VC).
** En ingls, Path Overhead (POH).
La construccin del rea de carga de los HOVC de SDH se puede componer de contenedores virtuales de bajo orden (SDH LOVC VC-1/12/2, SONET VT1.5/2/6), que al igual que los de alto orden se forman mediante un C-x y un POH. Estos contenedores virtuales formarn unidades tributarias*, las cuales consisten en contenedores virtuales ms el puntero, donde el puntero indica la posicin de contenedor virtual dentro de la unidad tributaria. A su vez, la unidades tributarias son multiplexadas en grupos de unidades tributarias** y nalmente stos son multiplexados en el espacio de carga de los HOVC, tal y como se puede observar en la estructura de multiplexacin SDH representada en la gura 74.
** En ingls, tributary unit group (TUG). * En ingls, tributary unit (TU).
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Figura 74. Estructura de multiplexacin en las redes SDH

x1 x1 AUG-256 x4 x1 x1 AUG-64 x4 STM-16 x1 x1 AUG-16 x4 x1 STM-4 x1 AUG-4 x4 x1 STM-1 x1 AUG-1 x3 AU-4 VC-4
TUG-3
STM-256
AU-4-256c
VC-4-256c
C-4-256c
STM-64
AU-4-64c
VC-4-64c
C-4-64c
AU-4-16c
VC-4-16c
C-4-16c
AU-4-4c
VC-4-4c
C-4-4c
C-4 x1 TU-3 VC-3
STM-0
x1
AU-3
VC-3 x7 x7
TUG-2
C-3
x1 TU-3 x3 TU-3 x4 TU-3 VC-11 C-11 VC-12 C-12 VC-2 C-2
Siguiendo las reglas de multiplexacin representadas en la gura 74, una seal STM-1 puede ser constituida de diferentes maneras. Por ejemplo, los VC-4 que formarn la carga til de la trama STM-1 pueden contener una seal de la jerarqua plesicrona (PDH) de 140 Mbps, tres seales PDH de 34 Mbps, sesenta y tres seales PDH de 2 Mbps o combinaciones de ellas, siempre y cuando la capacidad total de la trama STM-1 no sea excedida. Cuando son necesarias tasas de transmisin mayores que STM-1, como se ha explicado anteriormente, stas son obtenidas usando un simple esquema de multiplexacin octeto a octeto, pudindose alcanzar las distintas velocidades de transmisin. Las reglas SDH de la estructura de multiplexacin aseguran que la posicin exacta de un contenedor virtual contenido en el rea de carga til puede ser identicada por cada nodo. Esto tiene la ventaja de que cada nodo puede acceder directamente a un contenedor virtual de la carga til sin necesidad de desmontar y volver a construir la estructura de carga, evitando as el principal problema de la jerarqua plesicrona PDH. El conjunto de VC estndares (HOVC, LOVC) fue inicialmente denido para acomodar en su espacio de carga los diferentes tipos de seales PDH estndar (por ejemplo, E1, E3), aunque, posteriormente, eso supuso una limitacin; esa rigidez no permiti acomodar ecientemente seales con un ancho de banda diferente a los valores predenidos (por ejemplo, 100 Mbps). La
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concatenacin continua y la concatenacin virtual fueron entonces denidas para solucionar este problema, aportando una mayor exibilidad a las redes SDH/SONET. Ambas proporcionan un ancho de banda de x veces un C i. La diferencia es que la primera mantiene el ancho de banda continuo a travs de toda la red, es decir, los VC que forman el grupo de concatenacin continua se tratan como si fueran un nico VC a travs de la red, mientras que en cambio la concatenacin virtual divide el ancho de banda para transportarlo en diferentes VC, los cuales son transportados independientemente a travs de la red y son recombinados en el equipo de terminacin de la seccin de trayecto. Estas dos tcnicas se explican y se comparan en el siguiente subapartado.
5.1.1. Tcnicas de concatenacin La tcnicas de concatenacin han sido denidas con la nalidad de transportar ujos de informacin til con un ancho de banda que no se poda acomodar ecientemente en el espacio de carga de los VC estndares. De hecho, puesto que los contenedores SDH tienen un tamao jo, un alto porcentaje de ancho de banda puede resultar no utilizado en funcin del volumen del trco a transportar; por ejemplo, en el caso de tener que transportar un ujo de 100 Mb/s con un contenedor STM-1, slo dos tercios del ancho de banda disponible se utiliza. Debido a estos problemas se han introducido recientemente nuevas tcnicas para lograr un transporte de datos en redes SDH con mayor exibilidad. La concatenacin es una tcnica que permite combinar el ancho de banda de X C-i (C-11/12/2/3/4) para crear un contenedor contiguo con un ancho de banda de X veces el ancho de banda del contenedor C-i; ese contenedor contiguo se denomina con la notacin C-i-Xc. A continuacin se describen las dos tcnicas de concatenacin:
Concatenacin contigua. Esta tcnica se basa en crear un contenedor contiguo (C-i-Xc) que no puede ser dividido en contenedores estndares para su transmisin. Por eso, todos los nodos de la red deben soportar la funcionalidad de concatenacin contigua.
Concatenacin virtual (VCAT). Esta tcnica divide el contenedor contiguo para transportarlo en X VC-i diferentes a travs de la red; en el nodo de destino se recombinan los X VC-i para formar el contenedor contiguo original. La funcionalidad de VCAT solo la tienen que soportar los nodos de terminacin de la seccin de trayecto. La concatenacin virtual se asocia cada vez ms a protocolos de mapeo* como por ejemplo el generic frame procedure (GFP, G.7041), que permite mapear conexiones de cualquier ancho de banda en contenedores concatenados virtualmente entre s. Tambin se asocia la concatenacin virtual con el protocolo de ajuste de la capacidad de enlace**, que permite la variacin dinmica del ancho de banda dedicado a un determinado cliente a travs de la concatenacin virtual, permitiendo de esta forma aumentar o reducir el ancho de banda de las conexiones en tiempos muy cortos (del orden de pocos segundos).
** En ingls, link capacity adjustement scheme (LCAS). * En ingls, mapping.
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5.1.2. Ajuste de la capacidad de enlace Una caracterstica que puede ser muy ventajosa para la transmisin de datos es la capacidad de cambiar dinmicamente, durante la conexin, el ancho de banda reservado. La tcnica de ajuste de la capacidad de enlace (LCAS) permite implementar esta funcionalidad por medio de mensajes intercambiados entre los nodos terminales de la conexin. Esta tcnica ha sido denida por parte de la ITU-T (G.7042) para complementar la tcnica de la concatenacin virtual*. LCAS permite modicar dinmicamente y sin interrupcin de servicio el nmero de miembros de un VCG (virtual concatenation group), es decir, permite aadir o quitar miembros a/de un VCG en uso. Adems, permite quitar temporalmente los miembros de un VCG que estn indisponibles debido, por ejemplo, a la cada de un nodo de red. Cuando el nodo de red se recupera, LCAS reaade automticamente el miembro o miembros que haban sido quitados del VCG temporalmente. LCAS asume que las conexiones de los miembros de un VCG son establecidas, modicadas y liberadas por la entidad que se encarga de la gestin.
* En ingls, virtual concatenation (VCAT).
5.2. Redes de transporte pticas En las redes pticas basadas en SDH, la tecnologa ptica se utiliza slo como tcnica de transmisin y para aumentar la capacidad entre nodos; en este sentido, se han introducido tcnicas de multiplexacin directamente en el dominio ptico, como por ejemplo la multiplexacin por divisin de longitud de onda*. Por otra parte, la introduccin de amplicadores pticos (EDFA y SOA), permite la amplicacin de la seal ptica (regeneracin 1R), que a su vez hace posible el aumento de las distancias que pueden ser cubiertas por las redes pticas; sin embargo, la conmutacin y el procesado de seales se realiza a travs de dispositivos electrnicos, es decir, los digital cross-connects (DXC) y add and drop multiplexers (ADM). Estos dispositivos conmutan las seales digitales a nivel STM-1, STM-4 y STM-16; por lo tanto, en cada nodo se requiere conversin ptica-elctrica-ptica (O-E-O). Sin embargo, al aumentar la capacidad por canal ptico (para hacer frente a los elevados costes de cableado de bra ptica), la actual infraestructura basada en nodos SDH presenta problemas de escalabilidad. Las tecnologas pticas en las redes de telecomunicaciones estn progresando rpidamente para satisfacer la gran demanda de trco que se est experimentando en los ltimos aos. Adems, un gran nmero de dispositivos y sistemas pticos que llevan a cabo distintas funciones de red (actualmente llevadas a cabo por los equipos basados en la tecnologa SDH) han alcanzado un grado de madurez que permite su aplicacin en las redes de transporte. Por lo tanto, la introduccin de las tecnologas pticas en las redes de telecomunicaciones no slo afecta a la transmisin (como ya se aplica en redes basadas en SDH),
Ved tambin Los amplicadores pticos EDFA y SOA se estudian en el apartado 4 de este mdulo.
* En ingls, wavelenght division multiplexing (WDM).
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sino tambin a las funcionalidades de conmutacin, monitorizacin y enrutamiento. De hecho, los esfuerzos de investigacin y estandardizacin estn siendo dirigidos para reducir el uso de la electrnica en las redes pticas, bsicamente para hacer frente a la complejidad y las limitaciones de la conversin O-E-O necesaria en las redes SDH. En este tipo de redes pticas, las seales se transmiten a travs de la red de forma ptica, sin convertirlas a seales elctricas, hasta llegar a su destino. Esta innovacin fundamental es posible gracias al desarrollo de nuevos sistemas de transmisin ptica de larga distancia y a la introduccin de nodos con capacidades de conmutacin ptica de bajo coste. Este nuevo tipo de redes transparentes, diseadas para transportar cualquier seal ptica entre cada par de nodos, permite un mayor rendimiento y menores costes al mismo tiempo. Los sistemas de comunicacin en bra ptica, con la capacidad de transmitir datos de alta velocidad a larga distancia de forma transparente, pueden mejorar notablemente el rendimiento de las redes de telecomunicaciones del futuro. Las tecnologas pticas son el factor clave en la actualizacin de las redes existentes para lograr redes de mayor capacidad y de elevado rendimiento. Cabe sealar adems que las redes transparentes permiten una reduccin de costes (al reducir el nmero de puertos O-E-O en los nodos) y tambin proporcionan mayor exibilidad y escalabilidad. En las redes pticas de futura generacin el reto es extender la transparencia al ltimo tramo, llamado la ltima milla, para satisfacer la demanda de ancho de banda cada vez mayor de los usuarios nales. De hecho, en los ltimos aos, el uso de la bra ha incrementado el ancho de banda disponible en conexiones de larga distancia (WAN), as como en redes LAN especialmente por la penetracin de la tecnologa Ethernet, cuyo desarrollo ha permitido un nivel muy alto de abilidad y velocidad. As, en la actualidad el problema de las redes pticas reside en el segmento de la red sobre el cual resulta ms caro y ms difcil actuar: la red de acceso.
Redes transparentes y redes opacas Se entiende por red transparente aquella en la cual la seal permanece ptica durante la transmisin de extremo a extremo. En cambio, se denomina red opaca aquella red que, a lo largo de la transmisin, tiene elementos que realizan la conversin ptica-elctrica y viceversa.
5.2.1. Tecnologas WDM Teniendo en cuenta las elevadas tasas de bit que se requieren hoy en da, la introduccin de la tecnologia wavelenght division multiplexing (WDM) en la transmisin ptica es fundamental, ya que permite aumentar la capacidad de transmisin. . Bsicamente, WDM es la tecnologa que permite multiplexar diferentes portadoras pticas (generadas por diferentes transmisores pticos) en una sola bra ptica mediante el uso de diferentes longitudes de onda para diferentes seales. Esto permite una multiplicacin de la capacidad de las bras.
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La tecnologa Coarse WDM (CWDM) permite multiplexar hasta 16 longitudes de onda en una nica bra segn la recomendacin de la ITU-T (G.694.2), con un espaciado entre canales de 2.500 GHz, en el rango de longitudes de onda entre 1.310 nm y 1.610 nm. Los sistemas pticos que usan tecnologa CWDM resultan relativamente baratos. Esto se debe a que la tolerancia de longitud de onda para los transmisores es bastante grande, alrededor de 3 nm, por lo que lseres no estabilizados con respecto a la temperatura pueden utilizarse (lseres de menor calidad y, por lo tanto, de menor precio). La tasa de bit por canal se sita, por lo general, entre 1 y 3,125 Gb/s. Los sistemas basados en esta tecnologa encuentran aplicacin bsicamente en el marco de las redes de rea metropolitana, debido a su corto alcance. Por otro lado, la tecnologa Dense WDM (DWDM), permite multiplexar hasta 64 longitudes de onda en una nica bra de acuerdo con la norma de la ITU-T (G.694.1), que especica un espaciado entre canales de 100 GHz o 200 GHz, dispuestos en varias bandas de tranmisin en el rango de 1.500-1.600 nm. Adems, recientemente han aparecido en el mercado sistemas DWDM con separacin entre canales de 50 GHz y por lo tanto, el nmero de canales pticos que se pueden multiplexar aumenta notablemente. Con la tecnologa DWDM, la separacin entre canales es ms estrecha que con la tecnologa CWDM, con la consecuencia de que los equipos de multiplexacin son ms complejos y costosos que los equipos CWDM. Adems, los transmisores pticos requieren estabilizacin en temperatura para evitar cambios de la longitud de onda nominal debidos a variaciones de temperatura. Con esta tecnologa, las tasas de bit por canal ptico varan entre 10 Gb/s y 40 Gb/s, por lo cual la aplicacin de la tecnologa DWDM es bsicamente para redes de larga distancia (redes troncales).
5.2.2. Redes pticas transparentes En este subapartado se introducen las redes de transporte pticas en las cuales las funcionalidades de insercin/extraccin (add and drop) y conmutacin (switching ) se realizan directamente en el dominio ptico, evitando de esta forma la necesidad de realizar conversiones O-E-O en los nodos intermedios. Bsicamente, estas redes se basan en eliminar la capa SDH (y de los elementos de red correspondientes) y delegar a la capa ptica las funcionalidades tpicas de la capa SDH. En primer lugar, se introducen algunas deniciones bsicas. Un lightpath (camino ptico) es un canal unidireccional de ancho de banda jo y terminaciones electrnicas en cada extremo. A falta de convertidores de longitud de onda, a cada camino ptico se le asigna una sola longitud de onda. Por otro lado, los dispositivos optical cross-connect (OXC) son elementos de red que realizan la conmutacin de los lightpaths. Es decir, los OXC permiten realizar la conmutacin de los canales pticos entre n puertos de entrada y n puertos de salida (vase la gura 75). Los OXC pueden ser opacos o trans-
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parentes. En el primer caso, se realiza una conversin electro-ptica. Los OXC transparentes presentan interfaces totalmente pticas. Estos ltimos tienen la ventaja de ser ms exibles en trminos de tasa de bit, formato de modulacin y protocolos de comunicacin, aunque no permiten regeneracin (3R). Las redes de transporte pticas pueden incluir varias decenas de nodos conectados por bras pticas. Como se ha comentado, los elementos en los nodos realizan muchas funciones, como por ejemplo, la conmutacin de seales entre las diferentes direcciones y la monitorizacin de las seales transmitidas para detectar posibles degradaciones debidas a la transmisin.
Figura 75. Optical cross-connect (OXC)
DeMux
Mux
Matriz de conmutacin
Para llevar a cabo estas funcionalidades, se han estandarizado las interfaces G.709 (jerarqua de transporte ptico) en el marco del paradigma de las redes OTN (optical transport network), cuyo objetivo es proporcionar servicios de transporte transparentes. Tal como se dene en la Recomendacin G.872 de la ITU-T, la estructura de una red OTN tiene tres capas:
1) Capa de canal ptico * 2) Capa de seccin de multiplexacin** 3) Capa de la seccin de transmisin***
* En ingls, optical channel layer (OCh).
** En ingls, optical multiplex section (OMS).
*** En ingls, optical transmission section (OTS).
En la Recomendacin G.709 de la ITU-T se especica una subdivisin de la capa OCh en tres sub-capas:
Unidad de carga de canal ptico****, que es la estructura de informacin utilizada para adaptar las seales clientes para su transporte en un canal ptico. Contiene la seal cliente as como la cabecera necesaria para la adaptacin a la capa de unidad de datos ptica.
**** En ingls, optical payload unit (OPU).
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Unidad de datos ptica*, que permite, entre otras funciones, la monitorizacin de la calidad de la informacin transportada por el canal ptico. La ODU se transporta de forma transparente a travs de la OTN independientemente del nmero de dominios administrativos que tendr que cruzar para llegar a su destino.
* En ingls, optical data unit (ODU).
Unidad de transporte del canal ptico**, que proporciona el servicio de supervisin de un canal ptico entre dos secciones de regeneracin 3R.
** En ingls, optical transport unit (OTU).
Finalmente, las redes pticas transparentes requieren el desarrollo de sistemas de informacin que se utilizan para controlar todas las funciones de los elementos de red; por ejemplo, se necesitar un sistema de comunicacin para traducir las peticiones de alto nivel de los operadores de red (por ejemplo, la activacin de un nuevo lightpath entre dos nodos/ciudades) en rdenes detalladas hacia los elementos de la red. Este sistema tambin sirve para detectar posibles cambios en el estado de la red, debido a la introduccin de nuevos nodos o a fallos que tienen lugar tanto en las bras como en los equipos. Las redes pticas del futuro sern diseadas para un uso ms eciente de los recursos de la red, para optimizar la distribucin y la proteccin del trco y para aprovisionar de forma dinmica canales pticos, abriendo el camino a nuevos servicios de ancho de banda bajo demanda, que permitir la reduccin de los costes de operacin de red as como la denicin de nuevos modelos de negocio para las operadoras de red. Este nuevo paradigma de red que permite el aprovisionamento dinmico de canales pticos ha sido estandarizado por la ITU-T como redes ASON, que se introducen en el siguiente subapartado.
5.2.3. Redes pticas ASON Como se ha mencionado anteriormente, el aprovisionamiento de canales pticos en redes pticas transparentes se realiza mediante un sistema de gestin centralizado*. Sin embargo, el aprovisionamiento a travs del NMS acarrea grandes limitaciones en trminos de asignacin/aprovisionamiento rpido de conexiones pticas de elevada capacidad. A raz de estas limitaciones, surgi la idea de dotar a las redes pticas de la capacidad de gestionar dinmicamente los recursos de red mediante el uso de protocolos de sealizacin y enrutamiento. De esa manera ha aparecido el concepto de redes pticas de conmutacin automtica**, caracterizadas por una arquitectura de red mucho ms distribuida y exible. Esa exibilidad es proporcionada por un plano de control***. El plano de control es el encargado de facilitar la rpida y eciente conguracin de las conexiones mediante el uso de los protocolos de sealizacin y enrutamiento. La estandarizacin de las redes ASON es reconocida como la solucin de red que cumple con el requisito de aprovisionamiento rpido y exible de ancho de banda extremo a extremo.
*** En ingls, control plane (CP). ** En ingls, automatically switched optical network (ASON).
* En ingls, network management system (NMS).
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Una red ASON incluye un plano de transporte, un plano de control y un plano de gestin, como se muestra en la gura 76.
Figura 76. Arquitectura ASON
UNI User Network Interface NNl Network Network Interface NMS Network Management System ONE Optical Network Element
Management Plane NMS
Control Plane CP A NNI UNI ONE A ONE B ONE C Transport Plane Client Router Client Router CP B NNI CP C UNI
El plano de transporte proporciona transferencia de ujos de informacin bidireccional o uni-direccional entre los usuarios, mientras que el plano de gestin es el responsable de la gestin de fallos, rendimiento y conguracin. Las redes ASON ofrecen conexiones permanentes, es decir, establecidas a travs de un sistema de gestin centralizado (el NMS) y otros dos servicios de transporte novedosos: las conexiones soft permanent (SPC) y las conexiones pticas conmutadas*. El establecimiento de conexiones SPC es solicitado por el plano de gestin, mientras que el establecimiento es llevado a cabo por los protocolos de sealizacin y enrutamiento a travs de la interfaz de red**. Las conexiones conmutadas (SC) son solicitadas directamente por los clientes a travs de la interfaz User Network Interface (UNI), y el establecimiento es llevado a cabo mediante los protocolos de sealizacin y enrutamiento. Los planos de control y de transporte de un nodo se intercambian informacin de control a travs de una interfaz interna que permite congurar los recursos de transporte del nodo, como por ejemplo, establecer las respectivas conexiones entre los puertos de entrada y de salida de un nodo ptico. Para lograr el establecimiento automtico de las conexiones, es necesario implementar un plano de control*. Bsicamente, el plano de control est formado por un conjunto de protocolos de sealizacin y enrutamiento necesarios para la creacin o liberacin de conexiones pticas de acuerdo con las peticiones de los usuarios nales o en caso de fallo en la red. El plano de control se encarga de:
** En ingls, network-to-network interface (NNI). * En ingls, switched connection (SC).
* En ingls, control plane (CP).
Congurar rpida y ecientemente las conexiones en el plano de transporte.
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Recongurar las conexiones pticas previamente establecidas. Realizar funciones de restauracin directamente en la capa ptica en caso de fallos.
Figura 77. Tipos de conexiones en redes ASON
Management Plane
Connection Request
Control Plane Set up Requests
NNI
NNI
Control Plane Connection Request UNI Set up Requests Connection Request UNI
NNI
NNI
El plano de control denido para las redes ASON est formado por diferentes componentes con diversas funcionalidades. Las interacciones entre estos componentes y la informacin necesaria para una comunicacin entre los componentes se hacen a travs de interfaces (por ejemplo, la UNI y NNI previamente mencionadas). Los principales componentes del plano de control para ASON son:
Connection controller (CC). Es el responsable de la coordinacin entre todos los componentes del plano de control con el n de la gestin y supervisin del establecimiento de las conexiones.
Routing controller (RC). Este mdulo responde a las peticiones de los CC con la informacin de la ruta computada para la conexin a establecer. Link resource manager (LRM). Este mdulo es el responsable de la gestin de las conexiones entre los puertos de los elementos del plano de transporte. Adems proporciona informacin acerca de las caractersticas fsicas de los nodos pticos al CC.
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Figura 78. Componentes del plano de control para redes ASON
RC
TP
Signalling
Net CallC
CC
LRM
Signalling
PC
CC - Connection Controller TP - Trafficc Policing RC - Routing Controller NetCallC - Network Call Controller LRM - Link Resource Manager PC - Protocol Controller
Para la comunicacin entre los componentes del plano de control de los nodos de la red, se requiere una red de sealizacin. Esta red de sealizacin se llama data communication network (DCN), y entre sus requisitos es importante destacar la abilidad y la capacidad de transmisin. El primer requerimiento hace referencia a la capacidad de la red de recuperacin frente a fallos y el segundo limita el tiempo de establecimiento de las conexiones. El tiempo de establecimiento est muy relacionado, por ejemplo, con el tiempo de recuperacin en caso de fallos, que se tiene que minimizar para evitar importantes prdidas de datos. La implementacin de un canal de control (es decir, un canal unidireccional entre dos nodos adyacentes de la red de sealizacin) puede realizarse de las siguientes maneras:
Out-of-bre: la DCN se implementa con una red independiente de la red del plano de transporte; por ejemplo, puede utilizarse una red Ethernet o una red IP.
In-bre/Out-of-band: la DCN se implementa mediante el uso de uno de los canales WDM, que se dedica a la sealizacin.
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Preguntas tericas
1. Indicad las ineciencias de la actual arquitectura de las redes de transporte y comentad posibles alternativas poniendo en evidencia las ventajas de cada una. 2. Explicad qu se entiende por data communication network (DCN) y por conexin ptica conmutada (switched connection). Comentad la manera de establecer las conexiones conmutadas. 3. Denid el concepto de las redes pticas con conmutacin automtica (ASON). Por qu es necesario denir un plano de control para una ASON? Qu es el plano de control? Razonad las ventajas y desventajas que se pueden derivar de la implementacin de las redes de transporte pticas con conmutacin automtica. 4. Indicad, en la arquitectura OTN, cul es la capa que gestiona la transmisin entre 2 amplicadores pticos, 2 Mux/Demux pticos y 2 tarjetas de clientes respectivamente. 5. Describid las caractersticas bsicas de las tecnologas CWDM y DWDM. Comentad la tecnologa usada en los distintos tramos de la red y las razones de esta eleccin. Qu ventanas de transmisin se tienen que utilizar?
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Ejercicios
Fibra ptica 1. Considrese una bra ptica de salto de ndice (SI) con dimetro del ncleo 2a = 6 m y apertura numrica NA = 0,16. Calculad la longitud de onda mnima que asegura que la bra sea monomodo. Si el dimetro del ncleo fuese mayor, la longitud de onda de corte sera mayor o menor? 2. Considrese una bra ptica de salto de ndice (SI) multimodo. El ndice de refraccin del revestimiento es n2 = 1,4 y la dispersin intermodal es 10 ns/km. Calculad la apertura numrica de la bra. 3. Calculad cuntos canales DWDM, espaciados entre s 100 GHz, una bra ptica puede transmitir en el rango entre 1,5 m y 1,6 m. Considrese que se transmite cada canal con potencia PT = 1 mW y la atenuacin en bra es 0,2 dB/km. Si la sensibilidad del receptor es PR = 1 W, cul es la mxima distancia entre dos repetidores? 4. Considerad una bra ptica de salto de ndice (SI) con las siguientes caractersticas: dimetro del ncleo 2a = 3 m, ndice de refraccin del ncleo, n1 = 1,47, diferencia de los ndices de refraccin n = 2 % y coeciente de dispersin cromtica D = 16 ps/(km nm). Se inyecta luz procedente de un LED con longitud de onda de emisin = 1.550 nm y anchura espectral de emisin = 100 nm. Determinad la mxima distancia a la que se puede transmitir una seal digital de 155 Mb/s. Si la diferencia relativa de los ndices de refraccin fuese = 7 %, cul sera la mxima distancia? Transmisores pticos 5. Considrese una fuente ptica de tipo LED que emite potencia ptica en primera ventana ( = 850 nm). Al LED se inyecta una corriente I = 10 A. Las eciencias interna y externa del LED son int = 80 % y est = 10 % respectivamente. Al transmisor LED se acopla una bra ptica con ndice de refraccin del ncleo n1 = 1,47 e ndice de refraccin del revestimiento n2 = 1,45. Determinad la potencia ptica que se consigue inyectar en la bra. 6. Un transmisor LED de eciencia cuntica = 60 % emite potencia ptica en primera ventana ( = 900 nm). La potencia ptica emitida se modula con una corriente sinoidal de frecuencia 0 = 80 MHz; la corriente de inyeccin continua es I0 = 5 A y la potencia ptica de pico es Ppico = 7 W. Determinad el ancho de banda de modulacin del LED. 7. Un diodo lser tiene una dimensin longitudinal de la cavidad ptica L = 250 m e ndice de refraccin nsc = 3,75. En caso de suponer que la ganancia mxima en la cavidad se obtiene para la longitud de onda p = 1.500 nm y que el intervalo de longitudes de onda para el cual la ganacia es mayor que las prdidas totales es = 30 nm, determinad las longitudes de onda mxima y mnima emitidas por el lser. 8. Un transmisor ptico de tipo lser emite potencia ptica en tercera ventana (p = 1.510 nm), tiene una longitud de la cavidad L = 200 m e ndice de refraccin nsc = 2,5. La potencia ptica emitida por el lser se acopla con una bra ptica de longitud Lf = 75 km, con longitud de onda de corte c = 1.310 nm y coeciente de dispersin intramodal D = 4 ps/(km nm). Este sistema se ha diseado para transmitir a una tasa de bit (B) de 155 Mbps utilizando codicacin NRZ. Deducid el mximo nmero de modos de oscilacin del lser (Nm ) para permitir la tasa de bit deseada. 9. Una empresa dispone de un enlace interno en bra ptica de longitud L = 1 km. El sistema trabaja a la longitud de onda = 1.300 nm. Los ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento son n1 = 1,5 y n2 = 1,48 respectivamente y el dimetro del ncleo es 2a = 100 m. a) Determinad el nmero de modos que se propagan en la bra (de tipo SI) y el valor mximo de la tasa de bit. La empresa decide realizar un upgrade de su red incrementando la tasa de bit a 100 Mb/s. b) A qu distancia mxima se puede realizar el enlace con la red existente? Se decide entonces utilizar una bra monomodo y los ndices de refraccin del ncleo y revestimiento de la nueva bra son n1 = 1,47 y n2 = 1,468, el dimetro del ncleo es 2a = 13,5 m, el coeciente de atenuacin = 0,2 dB/km y el coeciente de dispersin cromtica es D = 16 ps/(nm km). c) Cul es la longitud de onda mnima para que el enlace sea monomodo? El diseador tiene que cambiar ahora, para que el sistema funcione, el transmisor. La nueva fuente ptica es un lser basado en semiconductores con longitud de onda de emisin = 1.550 nm y anchura espectral de emisin = 0,8 nm. La potencia de emisin es PTX = 0,5 mW y la sensibilidad del receptor es PRX = 35 dBm. Evaluad si el sistema estar limitado por la dispersin o por la atenuacin.
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10. Un sistema de transmisin en bra ptica entre Barcelona y Tarragona se compone de una bra de longitud L = 100 km y se ha diseado para transmitir una velocidad B = 1 Gb/s. Se utiliza una bra ptica ya disponible con D = 4 ps/(km nm) y = 0,25 dB/km (atenuacin que incluye las prdidas debidas a las fusiones). Para evaluar el loss budget considrese adems que la prdida de path penalty debida a la dispersin cromtica se puede aproximar con la siguiente frmula:
path =
L dB, 3 Lmax
donde L es la longitud del tramo de bra y Lmax es la mxima distancia a la que se puede llegar por la dispersin en el sistema. El sistema opera con BER = 1012 . Para realizar el sistema se pueden considerar los siguientes componentes: a) Transmisor ptico basado en un lser modulado externamente con potencia emitida Ptx = 0 dBm y anchura espectral de emisin = 0,9 nm. b) Transmisor ptico basado en un lser modulado externamente y potencia emitida Ptx = 6 dBm y anchura espectral de emisin = 0,9 nm. Elegid el transmisor que hay que usar teniendo en cuenta que el receptor ptico tiene una sensibilidad de Prx = 24,3 dBm. Receptores pticos 11. A un fotodiodo de tipo PIN le incide una potencia ptica Pi = 28 dBm en segunda ventana ( = 1.300 nm). Si el fotodiodo es ideal, determinad la corriente fotodetectada. Si la eciencia cuntica se reduce a la mitad, qu le occurre a la corriente fotodetectada? Si se sustituye el fotodiodo PIN por un fotodiodo APD, cul debera ser el valor del coeciente de multiplicacin para conseguir la misma corriente fotodetectada que en el caso del PIN ideal? 12. Considrese un fotodiodo de tipo PIN de silicio (Si). Calculad la responsivity del fotodiodo si le incide una potencia ptica a la longitud de onda = 850 nm y si la eciencia cuntica es = 0,7. Calculad tambin la responsivity si la potencia incidente es a la longitud de onda = 1.300 nm. 13. La relacin seal-ruido SNR a la salida de un fotodiodo PIN con eciencia cuntica = 0,65 es de 20 dB. En el caso de considerar despreciable tanto el ruido de la corriente de oscuridad como el ruido trmico y una corriente fotodetectada de 100 nA, determinad el nmero medio de fotones recibidos durante un tiempo de bit. 14. Considrese un receptor ptico con fotodiodo de tipo APD trabajando en segunda ventana (1.300 nm) cuya eciencia cuntica es = 70 % y factor de ruido en exceso F (M ) = 2. En el caso de considerar una transmisin con codicacin NRZ a 2,5 Gbps y suponiendo despreciable el ruido trmico y la corriente de oscuridad, calculad el nmero de fotones/bit necesario para conseguir una probabilidad de error de bit (BER) de 109 . 15. Un receptor ptico, con fotodiodo de tipo APD, opera en tercera ventana (1.550 nm), tiene una eciencia cuntica = 0,8, un coeciente de multiplicacin M = 10 y un factor de ruido en exceso F (M ) = 4. El dispositivo detecta una seal ideal segn un formato NRZ a la velocidad de BT = 10 Gb/s: a) Suponiendo despreciable el ruido trmico y el ruido de la corriente de oscuridad, calculad la corriente fotodetectada media (IAPD ) necesaria para obtener una probabilidad de error (BER) de 109 . b) El receptor hace parte de un sistema de transmisin por bra ptica. Calculad la potencia de emisin mnima del lser de transmisin necesaria para la probabilidad de error del apartado anterior en un sistema de transmisin por bra ptica con tramo de bra (con coeciente de atenuacin = 0,2 dB/km en tercera ventana) de 100 km. Amplicadores pticos 16. Considrese un receptor ptico de un enlace por bra ptica. En el caso de que el receptor sea ideal = 1, ruido trmico despreciable y formado por un fotodiodo PIN , le incide un nmero medio de fotones por bit igual a 50. Si en las mismas condiciones se sustituye el fotodiodo PIN por un fotodiodo APD, calculad el factor de ruido en exceso (F (M )) si la relacin seal-ruido es igual a 10 dB. 17. Calculad cuntos canales DWDM espaciados 100 GHz puede amplicar un amplicador de ganancia mxima G0 = 30 dB, sabiendo que el tiempo de vida medio de los portadores en el nivel 2 es T2 = 1 ps. Si los canales estn espaciados 50 GHz, cuntos canales puede amplicar el mismo amplicador?
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18. Calculad el ripple para un SOA con ganancia G = 30 dB y comparar este valor con el ripple de un SOA con ganancia 10 dB. Los dos SOA tienen los mismos parmetros de reectividad R1 = R2 = 3 106 . 19. Cmo vara el ripple al variar la reectividad de las supercies de un SOA? 20. Cuntos canales DWDM espaciados 100 GHz puede amplicar aproximadamente un EDFA? Considrese que la longitud de onda central de la banda de amplicacin sea 1.550 nm. Calculad el nmero de canales amplicados tambin en el caso de que estn espaciados 50 GHz.
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Soluciones
1. La frecuencia normalizada V se dene como
V=
2a NA,
(222)
y para que la bra sea multimodo se debe realizar la condicin V 2,405. Entonces, la mnima longitud de onda que asegura que la bra sea monomodo es la longitud de onda de corte
c =
2aNA 6 0,05 = m = 1,25 m. 2,405 2,405
Consideramos ahora un dimetro del ncleo mayor, por ejemplo 2a = 8 m. En este caso la longitud de onda de corte es
c =
2aNA 8 0,05 = m = 1,67 m. 2,405 2,405
Por lo tanto, al aumentar el dimetro del ncleo la longitud de onda de corte aumenta. 2. La dispersin intermodal de una bra de salto de ndice (SI) multimodo se dene como
= L
n1 c
n1 n2 n2
n1 n2 . = L c
La dispersion intermodal del ejercicio es en ns/km, por lo tanto, es ms prctico escribir la frmula anterior como
n . = L c
La diferencia entre los ndices de refraccin es
= 3 108 m/s 10 ns/km = 3 103 . n = c L
La apertura numrica NA =
q 2 n2 1 n2 , se puede escribir con una frmula aproximada como NA = p 2n2 n,
y sustituyendo los datos del ejercicio, resulta NA = 0,092. 3. Calculamos la banda correspondiente al rango de longitudes de onda 1,5-1,6 m:
c
min
c
max
= 200 THz 187,5 THz = 12,5 THz.
Por lo tanto, se pueden transmitir 125 canales DWDM espaciados 100 GHz. La ratio entre la potencia transmitida y la mnima potencia que el receptor puede detectar
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(en dB) es igual al producto L: siendo la atenuacin = 0,2 dB/km,
L = 30dB,
donde L es la mxima longitud del enlace de bra sin repetidores L = 150 km. 4. Lo primero que hay que comprobar es si con los datos que se dan, la bra tiene un comportamiento multimodo o monomodo; Aplicando la frmula de la frecuencia normalizada, se obtiene que V = 1,47 que resulta menor que 2,405; por lo tanto, el comportamiento de la bra es monomodo. Hay que considerar la dispersin intramodal, es decir:
= D L
Ahora, siendo la tasa de bit de BT = 155 Mb/s, asumiendo codicacin NRZ la mxima dispersin es
max =
1 . 2 BT
De aqu se obtiene que la mxima distancia es Lmax = 2 km. Ahora, si n = 7 % hay que comprobar que la bra sigue teniendo comportamiento monomodo; si aplicamos otra vez la frmula de la frecuencia normalizada, se obtiene que V = 2,69, es decir, mayor que 2,405, y por lo tanto, el comportamiento es multimodo. La mxima distancia a la cual se puede transmitir (Lmax = 13 m), siendo
Lmax =
n1 c
= 13 m. n1nn2
2
5. La potencia ptica interna generada por el LED a partir de la corriente de inyeccin se puede expresar como:
Pint = (int hI )/e = 11,7 W,
y por lo tanto,
Pest = est Pint = 1,17 W
Ahora la eciencia de acoplamiento entre fuentes pticas tipo LED y bras pticas es:
c = (NA)2 ,
(223)
siendo NA = 0,058; nalmente se obtiene:
Pinyectada = Pest (NA)2 = 68,3nW .
6. La potencia ptica en continua emitida por el LED es:
P0 = (I0 h)/e = 4,1 W.
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Ahora la potencia de pico emitida por el LED se puede escribir como:
" # 1 Ppico = P0 1 + p ; 1 + ( 0 )2 y por lo tanto:
1 0
(P0 )2 1 2 ns. (Ppico P0 )2
Finalmente, se obtiene el ancho de banda de modulacin:
B =
3 138 MHz. 2
7. En primer lugar se calcula la separacin entre modos que pueden ser emitidos, es decir:
2 p
2nsc L
= 1,2 nm;
siendo entonces:
Nm =
= 25 nm;
por lo tanto, siendo la curva de ganancia simtrica respecto a p , se obtiene:
max = 1.514,4 nm
min = 1.485,6 nm
8. Siendo c < p la propagacin de la seal emitida por el lser se realiza mediante un solo modo de propagacin; por lo tanto, hay que considerar la dispersin intramodal, es decir:
= DLf ,
siendo la anchura espectral de emisin del lser. Ahora, siendo B = 155 Mb/s la tasa de bit emitida y asumiendo codicacin NRZ, se obtiene:
1 , 2
es decir:
1 . 2B
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Entonces combinando con la expresin de la dispersin intramodal se obtiene:
1 . 2BDLf
Se busca el nmero de modos de oscilacin del lser para que se pueda realizar correctamente la transmisin. Ahora, el nmero de modos se puede expresar como:
Nm =
siendo:
( p )2 ; 2nsc L
por lo tanto, se obtiene:
Nm =
1 2BDLf ( p )2 2nsc L
= 5.
9. a) Para determinar el nmero de modos de propagacin, primero se tiene que comprobar que la bra tiene un comportamiento multimodo (MM). Para ello, se calcula la frecuencia normalizada, es decir:
V=
2aNA 59
que es mayor que 2,405 y por lo tanto, se conrma que la bra es MM. Siendo la bra de tipo SI, el nmero de modos de propagacin se puede aproximar como:
Nm 59
V2 = 1.740 modos 2
Para calcular la mxima tasa de bit, siendo la bra MM, hay que tener en cuenta la dispersin intermodal. Asumiendo adems codicacin NRZ, se obtiene:
1 , 2
siendo
n1 L c
n1 n2 ; n2
por lo tanto, se obtiene:
Bmax =
2n1 L
n1 n2 n2
= 7,4 Mb/s.
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146
b) Ahora se quiere poder transmitir una tasa de bit de B = 100 Mb/s. Entonces:
2n1 L c
n1 n2 n2
por lo tanto:
Lmax =
2Bn1 c
n1 n2 n2
74 m,
siendo Lmax la mxima distancia a la que se podr transmitir la seal de 100 Mb/s. c) Para determinar la longitud de onda mnima para que la bra tenga un comportamiento monomodo hay que calcular la longitud de onda de corte, es decir:
c =
2aNA = 1,35 m 2,405
y por lo tanto, para la longitud de onda de trabajo, la bra tiene comportamiento monomodo. Calculamos la mxima distancia a la que podemos transmitir por atenuacin:
Prx = Ptx L,
es decir, Lmax = 150 km. Calculamos la mxima distancia a la que podemos transmitir por dispersin:
Lmax =
1 = 390 km. 2BD
Por lo tanto, el sistema est limtado por la atenuacin. 10. En primer lugar, para considerar la atenuacin total que introduce el tramo de bra, hay que calcular la mxima distancia a la que se puede transmitir por dispersin. Asumiendo codicacin NRZ, se obtiene:
Lmax =
1 139 km, 2BD
siendo = 0,9 nm. Por lo tanto,
path = 3
L = 2,16 dB; Lmax
y entonces, la dispersin total ser:
total = path + L = 27,15 dB;
Entonces, si consideramos el balance de potencia ptica, tenemos: caso a) Ptx = 0 dBm y por lo tanto, la potencia que llega al receptor ptico es inferior a la mnima necesaria; caso b) Ptx = 6 dBm y en este caso, considerando la atenuacin total, la potencia ptica que recibe el receptor es mayor que la mnima, por lo tanto, la transmisin se puede realizar correctamente.
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147
11. Si el fotodiodo PIN es ideal, la eciencia cuntica es unitaria, es decir = 1. Por lo tanto, la corriente fotodetectada se obtiene:
Ip =
Pi e = 1,66 A. h
Si ahora la eciencia cuntica se reduce a la mitad, es decir = 0,5, la corriente fotodetectada es Ip = 0,83 A, es decir se reduce a la mitad. En caso de sustituir el fotodiodo PIN con un fotodiodo APD, asumiendo la misma eciencia cuntica, se obtiene que: IAPD = MIp , por lo tanto, hara falta que M = 2. 12. Usando la frmula de la responsivity, se obtiene:
R=
e = 0,48 A/W. h
Si ahora la potencia ptica incidente es a la longitud de onda = 1.300 nm, siendo el fotodiodo de silicio, la responsivity es nula, ya que la mxima longitud de onda fotodetectada por un fotodiodo de Si es 1,1 m. 13. En base a los datos del problema, la relacin seal-ruido:
SNR =
Ip = 100 = 20 dB 2e
Ahora, el ancho de banda del fotodiodo es = 3,12 GHz y por lo tanto, el tiempo de bit BT = 0,16 ns. Ahora, siendo la corriente fotodetectada Ip = 100 nA, el nmero de fotoportadores generados por segundo se puede obtner como: Ip /e = 6,25 1011 ; por lo tanto, el nmero de fotones por segundo es: (1/) (Ip /e) = 9,6 1011 . Por lo que el nmero de fotones recibidos por tiempo de bit es 154. 14. Usando el modelo gaussiano para el clculo de la probabilidad de error de bit, tenemos que para BER = 109 el factor Q del receptor tiene que ser Q = 6. Ahora, se puede asumir que 0 = 0, siendo 0 el nmero de portadores generados durante el bit 0 y 0 = 0 (ya que se considera despreciable el ruido trmico). Ahora, deniendo como m1 el nmero de fotones por bit que se reciben durante el bit 1 y m0 el nmero de fotones por bit que se reciben durante el bit 0 , tenemos que:
1 = Mm1
y
2 = m1 M 2 F (M ), 1
siendo 1 el nmero de portadores generados durante el bit 1 . Entonces, Q 2 = 36 = (m1 )/F (M ) y por lo tanto, m1 = 103 fotones por bit 1 y entonces ma = 52 fotones/bit. 15. a) En primer lugar, siendo la tasa de bit B = 10 Gb/s, el ancho de banda del fotodiodo se obtiene = B/2 = 5 GHz (asumiendo codicacin NRZ de la seal). Ahora, para tener una probabilidad de error de bit BER = 1010 , el factor Q del receptor deber ser Q = 6,4. El factor Q se puede escribir como:
Q=
I1 I0
1 + 0
Suponiendo que no se transmite potencia ptica durante el bit 0 , se puede deducir que la corriente fotodetectada durante ese bit sea I0 = 0; considerando adems que el ruido trmico y el de la corriente de oscuridad se pueden despreciar, la frmula anterior se puede escribir:
I1 Q= q , 2eM 2 F (M )Ip
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148
siendo Ip la corriente media fotodetectada a partir de los fotones incidentes. A partir de aqu se obtiene que:
Q = I1 = 2Ip = Q 2 eF (M ),
es decir, IAPD = MIp = 650 nA. b) En base a los datos del ejercicio, la atenuacin total introducida por el tramo de bra ptica es L = 20 dB. En base a los resultados del apartado anterior, la potencia ptica que incide en el fotodiodo viene dada por:
Pi =
Ip h = 65nW = 42 dBm e
Por lo tanto, la mnima potencia ptica que el transmisor tiene que emitir es 22 dBm. 16. Si denimos con ma el nmero de fotones por bit que el fotodiodo PIN recibe, entonces ma = 50 fotones/bit. Entonces, la corriente media fotodetectada se puede escribir como:
Ip = 2ma e.
Ahora, si se sustituye el PIN por un APD, siendo la SNR de este ltimo 10 dB, tenemos que:
SNR = 10 =
Ip , 2eF (M )
ya que se puede despreciar la varianza del ruido trmico. Entonces, combinando las dos expresiones se obtiene:
SNR = 10 =
ma , F (M )
es decir,
F (M ) =
ma = 5. SNR
17. Antes de todo, hay que calcular el ancho de banda de amplicacin del dispositivo, que est relacionado con el FWHM de la curva de ganancia g = 2/T2 :
A = g
ln2
0 ln G 2
2 = T2
ln2
0 ln G 2
Por lo tanto, se obtiene que el FWHM es g = 2 THz y, al sustituir la ganancia mxima del amplicador, el ancho de banda de amplicacin resulta
A = 2
ln2 ln 1.000 2
THz = 667 GHz.
Entonces, si los canales DWDM estn espaciados 100 GHz, el amplicador puede amplicar hasta 6 canales. Si los canales estn espaciados 50 GHz, el amplicador puede amplicar hasta 13.
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18. La frmula para calcular el ripple de un SOA es 2 1 + G R1 R2 . 1 G R1 R2
ri =
En el caso del SOA con ganancia 30 dB el ripple es
(1) ri
!2 p 1 + 1.000 (3 106 )2 p = 1,012 = 0,05 dB. 1 1.000 (3 106 )2
Si la ganancia disminuye de 30 dB a 10 dB (de 1/3), el ripple, calculado con la misma frmula, (2) (1) (2) es ri = 0,0005 dB. Por lo tanto, comparando ri y ri , observamos que el ripple aumenta al aumentar la ganancia del SOA. Como se ha comentado en el subapartado 4.3. 19. Si consideramos una ganancia de 30 dB y los parmetros de reectividad iguales a R1 = R2 = 3 105 , el ripple se puede calcular como 2 1 + G R1 R2 = 1 G R1 R2 !2 p 1 + 1.000 (3 105 )2 p = 1,12 = 0,5 dB. 1 1.000 (3 105 )2
ri =
Ahora comparamos este valor de ripple con el ripple calculado para un SOA con el mismo valor de ganancia y parmetros de reectividad menores de un orden de magnitud R1 = R2 = 3106 (vase el ejercicio anterior), que es ri = 0,05 dB. Se puede observar que el ripple aumenta al aumentar la reectividad. 20. La banda de amplicacin de un EDFA es = 35 nm. Sabiendo que la longitud de onda central es = 1.550 nm, se puede calcular la frecuencia central equivalente con la frmula
3 108 m/s c = = 193,5 THz. 1.550 109 m
La ratio entre la banda en nm y la longitud de onda central es igual a la ratio entre la banda en GHz y la frecuencia central
Por lo tanto, podemos calcular la banda en GHz
193,5 35 THz = 4,37 THz. 1.550
Si los canales estn espaciados 100 GHz, el EDFA puede amplicar 43 canales. Si los canales estn espaciados 50 GHz hasta 87 canales sern amplicados por el EDFA.
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150
Glosario
ADM Add and drop multiplexers ANSI American National Standards Institution APD Avalanche photoDiode ASE Amplied spontaneous emission ASON Automatically switched optical network ATM Asynchronous transfer mode AU Administrative unit BER Bit error rate CC Connection controller CP Control plane CWDM Coarse wavelength division multiplex DBR Distributed bragg reector DCF Dispersion compensating ber DCN Data communication network DFB Distributed feedback laser D Decisor DWDM Dense wavelength division multiplexing DXC Digital cross-connects EDFA Erbium doped ber amplier EF Electric lter (ltro elctrico) ETSI European Telecommunications Standards Institute FWHM Full width at half maximum FWM Four-wave mixing GI Graded ndex (ndice de gradiente) GFP Generic frame procedure HOVC High order virtual container IP Internet protocol ISI InterSymbol interference (interferencia intersimblica) ITU-T International Telecommunication Union - Telecommunication Standardization Sector (Sector de Estandarizacin de las Telecomunicaciones de la Unin Internacional de Telecomunicaciones) LAN Local area network LASER Light amplication by stimulated emission of radiation LCAS Link capacity adjustment scheme LED Light emitting diode L-I Output light vs. input current LOVC Low order virtual container LRM Link resource manager MAN Metropolitan area network MSOH Multiplex section overhead
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MSR Mode supression ratio MMF Multiple mode ber (bra multimodo) NA Numerical aperture (apertura numrica) NEP Noise equivalent power NMS Network management system NNI Network-to-network interface NRZ Non-return-to-zero OADM Optical add-drop multiplexer OA Optical amplier (amplicador ptico) OCh Optical channel layer ODU Optical data unit OEIC OptElectronic integrated circuit technology OF Optical lter (ltro ptico) OSI Open system interconnection OMS Optical multiplex section OPU Optical payload unit OTN Optical transport network OTS Optical transmission section OXC Optical cross-connect PD PhotoDiode (fotodiodo) PDG Polarization dependent gain PDH Plesiochronous digital hierarchy PMD Polarization mode dispersion (dispersin de modo de polarizacin) PON Passive optical network RC Routing controller RSOH Regeneration section overHead RZ Return-to-zero S Sampler (muestreador) SC Switched connection SDH Synchronous digital hierarchy SI Step ndex (ndice de salto) SMF Single mode ber (bra monomodo) SNR Signal-to-noise ratio (relacin seal a ruido) SPM Self-phase modulation SOA Semiconductor optical amplier SONET Synchronous optical network SPC Soft permanent connection TE Transverse electric TM Transverse magnetic TMN Telecommunication management network
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TU Tributary unit TUG Tributary unit group UNI User network interface VC Virtual container VCAT Virtual concatenation VCG Virtual concatenation group WAN Wide area network WDM Wavelength division multiplexing XGM Cross-gain modulation XPM Cross-phase modulation
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153
Bibliografa
Agrawal, Govind P. (2001). Applications of nonlinear ber optics. Academic Press. Bass, Michael; Van Stryland, Eric W. (2002). Fiber optics handbook: ber, devices, and systems for optical communications. McGraw-Hill Professional. G.7041/Y.1303 (2008). Generic framing procedure (GFP). ITU-T. G.7042/Y.1305 (2006). Link capacity adjustment scheme (LCAS) for virtual concatenated signals. ITU-T. G.803 (2000). Architecture of transport networks based on the synchronous digital hierarchy (SDH). ITU-T. G.872 (2001). Architecture of optical transport networks. ITU-T. G.709/Y.1331 (2009). Interfaces for the Optical Transport Network (OTN). ITU-T. Keiser, Gerd (2003). Optical communications essentials. McGraw-Hill Professional. Prat, Llus; Calderer, Josep (2002). Dispositivos electrnicos y fotnicos. Barcelona: Edicions UPC. Saleh, Bahaa E. A.; Carl Teich, Malvin (1991). Fundamentals of photonics. Wiley. Senior, John M. (1992). Optical Fiber Communications: Principles and Practice. Edimburgo: Prentice Hall International Series in Optoelectronics. Shen-chie Chang, William (2005). Principles of lasers and optics. Nueva York: Cambridge University Press. Sivarajan, R.; Ramaswami, K. N. (2002). Optical Networks: A Practical Perspective. Burlington (USA): Morgan Kaufmann Publishers. Takahiro Numai (2004). Fundamentals of semiconductor lasers. Nueva York: Springer.

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Figura 1. Sistema de transmisin ptico

Seal elctrica a la salida

Figura 2. Estructura de una bra ptica

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Figura 3. Las leyes de la propagacin de Snell

Superficie de separacin de los medios Rayo incidente

i t Rayo refractado (o transmitido) Rayo reflejado ndice de refraccin n1 ndice de refraccin n2

El ngulo incidente es igual al ngulo reejado:

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sen i > 1, no existe

lim = arc sen

i < lim n1 > n2

i > lim n1 > n2 n2

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Figura 5. Determinacin de la apertura numrica (NA)

Revestimiento Ncleo n1 > n2

donde M es el ngulo que el rayo refractado por la interfaz entre el ncleo y el

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cos M = sen lim =

cos2 + sen2 = 1 y por lo tanto, sen =

es posible desarrollar la expresin de la apertura numrica (NA)

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donde a es el radio de la bra. Si la longitud de onda que se propaga () es tal que:

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n2 d Rev. Ncleo a. Rev.

n2 d Rev. Ncleo b. Rev.

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Figura 7. Propagacin de la luz en una bra: a. SI; b. GI

n2 a. n1 > n2 n2 n1 n1 creciente desde el centro hacia los extremos

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Figura 8. Curva de la atenuacin en la bra ptica

Hay tres ventanas donde la atenuacin presenta valores mnimos:

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Figura 9. Fenmeno de la dispersin multimodo

Revestimiento n2 Ncleo n1 > n2

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Como muestra la gura, el rayo ms rpido es

y el rayo ms lento es aquel que i = lim .

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Figura 11. Efecto de las diferentes velocidades de los rayos

Modo ms rpido (i = /2)

Modo ms lento (i = lim)

Teniendo en cuenta que en las bras multimodo SI n2 n1 , se puede aproximar por

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Figura 13. Pulso Non-Return-to-Zero (NRZ) y Return-to-Zero (RZ)

Tiempo de bit Valores lgicos 1

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