LE TRANSISTOR

LE TRANSISTOR Etude du transistor NPN 2N2219 A : a. Montage : A IC RB A EB K V VBE IE ENTREE b. Tableau de mesures : SORTIE IB VCE V 1k VCC

I LE TRANSISTOR BIPOLAIRE :
I.1. Description et symboles : Le transistor bipolaire NPN : Le transistor bipolaire NPN est schmatiquement constitu de trois rgions semiconductrices diffrentes formes dans un petit bloc de silicium monocristallin. On distingue : une rgion N : le collecteur C. une rgion P ( troite ) : la base B. une rgion N : lmetteur E. C Base Emetteur N N Isolant IB ( A ) IC ( mA ) IC / IB = VBE ( mV) VCE ( V )

Symbole :

0 0 0 15

Collecteur Transistor NPN Le transistor bipolaire PNP :

E La flche indique le sens passant de la jonction base - metteur.

50 7,03 141 690 8,07

60 8,45 141 695 6,62

70 9,87 141 700 5,17

80 112 141 705 3,81

90 126 141 710 2,46

100 138 138 716 1,20

200 148 74 736 0,17

300 149 50 747 0,14

Le transistor est bloqu

Le transistor est satur

IB commande IC C Base Emetteur P P Isolant c. Rseaux de caractristiques : Symbole : B Il y a quatre grandeurs qui caractrisent le comportement du transistor : deux grandeurs dentre : IB et VBE. deux grandeurs de sortie : IC et VCE. On reprsente les diffrentes caractristiques dans le systme daxes suivant : Transistor PNP I.2 Leffet transistor : Lorsque la jonction Base - Emetteur est polarise en direct et la jonction Collecteur - Base en inverse, la quasi - totalit des charges libres de lmetteur de retrouve dans le collecteur : cest leffet transistor. On a donc le courant dans le collecteur ( IC ) et le courant dans lmetteur ( IE ) trs voisins et le courant dans la base ( IB ) trs petit devant les autres courants. I.3 Convention : Pour les deux types de transistors bipolaires ( PNP et NPN ), on adopte les mmes conventions et les grandeurs sont : positives pour le transistor NPN . ngatives pour le transistor PNP. C IC C
IC IB IB

IB ne commande plus IC

Collecteur

E La flche indique le sens passant de la jonction base - metteur.

IC

Hyperbole de dissipation maximale : PM

Rseau de transfert en courant : IC = f ( IB ) pour VCE = cste. IC = .IB

IB = IB1 Rseau de sortie : IC = f ( VCE ) pour IB =cte

IB = 0 VCE

IB

Rseau dentre VBE = f ( IB ) pour VCE = Cste

Rseau de transfert en tension. Ne prsente pas dintrt pratique.

B VBE
IE

VCE E NPN

B VBE E PNP

VCE
IE

IE = IC + IB VBE d. Interprtation : 1re STI2 Adaptation Anne 1996 - 1997 Lyce polyvalent 89100 SENS Page 2 1re STI2 Adaptation Anne 1996 - 1997

I.4 Proprits fondamentales dun transistor NPN, rseaux de caractristiques : Lyce polyvalent Page 1 89100 SENS

LE TRANSISTOR Caractristique de transfert en courant : IC = f ( IB ). Pour VCE > 1 V, elle est pratiquement linaire et admet pour quation :

IC = .IB
: Coefficient damplification statique en courant ( 20 < < qq centaines ). Caractristique dentre : IB = f ( VBE ). Cette caractristique dentre est identique celle dune diode lorsque VCE > 1 V. Pour la partie linaire de la caractristique, VBE = VBE0 + r .IB et

0,6 V < VBE < 1 V

Caractristique de sortie : IC = f ( VCE ). Pour VCE > 1 V et pour un courant de base IB fix, la caractristique est sensiblement horizontale, le transistor se comporte comme un gnrateur de courant presque parfait dont lintensit IC est command par le courant de base IB. Etat bloqu : Lorsque IB est nul, le courant IC lest aussi : le transistor est bloqu, il se comporte comme un interrupteur ouvert donc :

VCE = VCC
Etat satur : A partir dune certaine valeur du courant de base IB, le courant IC reste constant ( ne varie plus ) mme si IB continue augmenter : le transistor est satur, il se comporte comme un interrupteur ferm soit :

VCE # 0 V
Valeurs limites du composant : En gnral, le constructeur donne : La tension VCE MAX. Tension au - del de laquelle le transistor risque dtre dtruit ( phnomne davalanche) . Le courant IC MAX. La puissance maximale PMAX que peut dissip le composant. PMAW = VCE.IC + VBE.IB # VCE.IC Le courant IB MAX.

I.5 Transistor NPN sur charge rsistive :

RC = 1 k A IC VCC
VCE

a. Caractristiques : RB : Resistance variable. RC : 1 k. = 130.

RB = 100 k IB VB

VBE

Lyce polyvalent 89100 SENS

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