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Cours de physique des composants semi-conducteurs

 Exercice I
Rappels de Physique des Semi-conducteurs

TD n 1 :

On considre un modle simpli de semi-conducteurs dans lequel les densits d'nergie dans les bandes de conduction et de valence sont respectivement donnes par les quations :
gc (E ) = Rc E Ec gv (E ) = Rv Ev E

(1) (2)

On note Ef l'nergie de Fermi. On admet que les hypothses suivantes sont vries : Ec Ef >> kT et Ef Ev >> kT avec k la constante de Boltzmann et T la temprature. 1) L'nergie de Fermi ayant une valeur donne, calculer la densit d'lectrons libres n dans la bande de conduction et la densit p de trous libres dans la bande de valence. On posera Ec Ev = W . Expliciter la densit de porteurs intrinsque ni . 2) Sachant que le matriau est un semi-conducteur intrinsque, calculer n, p et trouver une relation permettant de calculer le niveau de Fermi l'quilibre thermique en fonction de Rc , Rv et kT . Calculer Rc et Rv .

Donnes : n = 2,5 10 Exercice II


i

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m3 ; Ef (T ) Ef (0) = 4,3 103 eV pour T = 300K ; W = 0,7 eV.

1) Quelle est la concentration en lectrons dans un cristal de silicium (Si) ayant une concentration de donneurs de 1,4 1016 atomes/cm3 T =300 K ? Quel est le rapport des concentrations en lectrons et en trous? 2) Montrer que pour un semi-conducteur ayant un dopage quelconque, la densit de porteurs se met ( la temprature ambiante) sous la forme suivante :
x= N + 2 n2 i + N2 4

(3)

2 avec x = n,p et N une quantit que l'on explicitera. 3) Montrer que pour un semi-conducteur ayant un dopage quelconque la position du niveau de Fermi est donne par la relation :
EF = EFi + kT n ln 2 p

(4)

avec EFi le niveau Fermi d'un semi-conducteur intrinsque.

Exercice III

Dans un semi-conducteur intrinsque, la concentration en porteurs libres est donne par la relation :
ni = pi = A.T 3/2 exp[(Ev Ec )/2kT ]

(5) 1) A la temprature ambiante, la concentration des porteurs et la bande interdite valent :


T = 300 K ni (cm3 ) Ec Ev (eV)

Silicium (Si) Germanium (Ge) Arsniure de Gallium (GaAs) 1,6 1010 2,4 1013 1,1 107 1,12 0,66 1,43

Calculer le facteur A. On donne maintenant les valeurs suivantes de mobilits : Semi-conducteur Temprature (K) n Si 300 Si 1200 Ge 300 GaAs 300 Ec Ev (eV) 1,12 (cm2 /V.s) p 1500 25 4000 8500 0,66 (cm2 /V.s) 500 7 2000 400 1,43

Calculer la conductivit des dirents semi-conducteurs aux tempratures donnes. 2) Quelle nergie minimum doit avoir un photon pour provoquer une transition lectronique entre un niveau plein de la bande de valence et un niveau vide de la bande de conduction? En dduire le domaine spectral d'absorption de ces matriaux?

Exercice IV

Le tableau ci-dessous regroupe un ensemble de semi-conducteur, et la longueur d'onde relative leur bande interdite. 1) Dterminer pour chacun des matriaux l'nergie de bande interdite. 2) L'nergie de bande interdite de tous les semi-conducteurs varient avec la temprature, selon une loi empirique (la loi de Varshni), dont l'expression est la suivante :
Eg (T ) = Eg (0) T 2 T +

(6)

3 Nitrure de Gallium (GaN) Silicium (Si) Arseniure de Gallium (GaAs) Germanium (Ge) Phosphure d'Indium (InP) Antimoniure d'Indium (InSb)
g =0,360m g =1,097m g =0,871m g =1,87m g =0,922m g =5,39m

Reprsenter la variation de Eg (T ) du silicium en supposant une rampe de temprature de 20 K 1000 K. 3) Dterminer la concentration de porteurs intrinsques ni aux tempratures de 20 K, 77 K, 300 K et 500 K. Comparer ces valeurs avec une concentration extrinsque (impurets, dopants, ) de 1015 cm3 . Conclure. C, h =6,626 1034 J/s. Pour le silicium on prendra : Eg (0K)=1,175 eV, =4,73 104 eV.K1 , =636 K, Nc =0,64 1015 T 3/2 cm3 .K3/2 , Nv = 1,22 1015 T 3/2 cm3 .K3/2 .
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Donnes : q = 1,602 10

Soit un cristal de silicium T =300 K. Le niveau de fermi est situ 0,25 eV au-dessous de la bande de conduction. Calculer la concentration l'quilibre en lectrons et en trous. : Eg (Si) =1,12 eV, Nc =2,8 1019 cm3 , Nv =1,04 1019 cm3 .

Exercice V

Donnes Exercice VI

Pour doper un chantillon de silicium, on peut utiliser des composs tels que le phosphore (P) ou bien encore le bore (B). 1) Dterminer quel est le type de dopage induit par ces composs, ds lors qu'on les introduit dans un monocristal de silicium. 2)Pour chacun des trois cas suivants, dterminer les concentrations (et le type) des porteurs majoritaires, minoritaires ainsi que la position du niveau de Fermi dans le gap (dessin). Cas 1 : dopage au phosphore 1016 cm3 , Cas 2 : dopage au bore 1015 cm3 , Cas 3 : codopage au phosphore 1016 cm3 et au bore 1015 cm3 . cm .
3

Donnes : n

(300 K)=1 1010 cm3 , Nv (300 K) = 1,04 1019 cm3 , Nc (300 K) = 2,8 1019

Dterminer dans chacun des cas suivants la concentration en lectrons et trous ainsi que la rsistivit d'un chantillon de silicium : Cas 1 : intrinsque (non dop intentionnellement), Cas 2 : dop au bore 1015 cm3 , Cas 3 : dop au bore 5 1015 cm3 , au phosphore 2 1019 cm3 . Conclure sur l'eet du dopage sur la rsistivit du silicium.

Exercice VII :

Donnes : n (300 K)=10 Exercice VIII


i

10

cm3 , e =1350 cm2 .V1 .s1 , p =450 cm2 .V1 .s1 .

1) La rsistivit du germanium intrinsque est 0,44 .m 300 K. Les mobilits des lectrons et des trous dans le germanium sont respectivement de 0,4 m2 /V.s et 0,19 m2 /V.s. Calculer la densit des lectrons et des trous. 2)Le germanium est dop avec des impurets d'antimoine de telle sorte qu'il y ait un atome d'impuret pour 106 atomes de germanium. La densit des atomes de germanium est de 4,4 1028 m3 . Le matriau dop sera t-il de type n ou de type p ? Calculer la densit des lectrons et des trous. Quelle est la rsistance du matriau dop? (on supposera que tous les atomes d'antimoine sont ioniss 300K).

On cherche faire passer des lectrons le plus rapidement possible travers un barreau de matriau semi-conducteur (cf. gure ci-dessous). La dimension latrale du barreau est de 10m et on applique une tension de 10 V entre les lectrodes (pour des tensions suprieures, on observerait un claquage du composant). Calculer le temps de transit pour les lectrons pour passer d'une lectrode l'autre dans les trois cas suivants : Cas 1 : silicium (Si), e =1350 cm2 .V1 .s1 , Cas 2 : germanium (Ge), e =3500 cm2 .V1 .s1 , Cas 3 : arsniure de gallium (GaAs), e =8500 cm2 .V1 .s1 .

Exercice IX