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Cours de dispositifs Semi-conducteurs Cycle Ingnieur : Systmes Electroniques et Tlcommunications

Chapitre 2
La jonction p-n
1- Dfinition :
Si un SC de type p et un SC de type n sont raliss dans un cristal unique sans discontinuit de matire, la rgion situe sur la frontire la limite du SC (p) et du SC (n) est appele jonction p-n.

NA = pp
np n2 = i NA

+ + + + + + + +

n + + + +

N D = nn
n i2 pn = ND

+ + + + + +

Jonction p-n Dans la rgion p les trous sont les porteurs majoritaires, et dans la rgion n les libres sont les porteurs majoritaires.

2- Jonction p-n lquilibre thermodynamique :


Au niveau de la jonction, les libres de la zone n vont diffuser vers la zone p. Une fois dans cette zone, ils vont se recombiner avec les trous majoritaires de la rgion p. Lorsquils sont recombins il y a fixation de ces en zone p, une charge ngative apparat et elle est fixe. Mme chose pour les trous de la rgion p. p + + + + + + + + n + + + + p + + ++ n

+ + + + + +

+ + + + + + +- + + + - + + + + + +- +

Il y a donc cration dune charge positive dans la zone n et dune charge ngative dans la zone p. Ces charges sont fixes et on les appelle les charges despace. Les charges despace crent entre elles, un champ lectrostatique interne dirig de la zone n vers la zone p. Ce champ repousse les vers la zone n et les trous vers la zone p. Au bout dun certain temps, un quilibre stablit et il y a formation dune zone de dpltion (zone vide de charges libres) appele aussi zone de charge despace. Cette zone a pour effet de sopposer la diffusion des charges. 16
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+ + + -+ + + +--+ + + + -+

n ++ + ++ + + + ++ + + + ++ i

+ + - i + + ++ + + + + -

+ +

n + + + + + + + + + + + +

Z.C.E Il apparat donc une d.d.p lectrostatique entre la zone p et la zone n appele aussi potentiel de diffusion d la fixation de charges dans les zones de dpltion.

Jonction p-n lquilibre thermodynamique 2- a- Charge despace : En supposant tous les donneurs et accepteurs ioniss la temprature ambiante, la charge despace dans chacune des rgions de la jonction scrit : (x) = q[ND NA + p(x) n(x)] En supposant que la ZCE est entirement dpeuple de porteurs libres. (x) = 0 (x) = q NA (x) = q ND Pour x < xp et x > xn rgions neutres. Pour xp < x < 0 . Pour 0 < x < xn.

xp et xn sont les frontires de la ZCE. 2- b- Potentiel de diffusion : La charge despace entrane lexistence dun champ lectrique et dune variation de potentiel. Ce potentiel varie dune valeur Vp dans la rgion neutre de type p une valeur Vn dans la rgion neutre de type n. La diffrence de potentiel entre ces deux rgions constitue une barrire de potentiel quon appelle potentiel de diffusion: Vd = Vn - Vp

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Ecp E Fp E vp

Ecn E Fn E vn

Ecp E vp

Ecpn = qVd EF

Ecpn = Ecp Ecn = - q (Vp Vn) = q (Vn Vp) = q Vd

Jonction p-n l'quilibre, avant et aprs contact

A lquilibre thermodynamique, le niveau de Fermi est horizontal dans toute la structure. Il en rsulte des translations gales des BV et des BC vers le haut pour la rgion p et vers le bas pour la rgion n. E Cp E F n i2 E EF = n p = N C exp n n = N C exp Cn = ND kT kT NA
n E Cp E Cn = kTLn n n p = kTLn N A N D n2 i

1 (E cp E cn ) q Do lexpression du potentiel de diffusion:

or

Vd = Vn Vp =

Vd =

kT N A N D Ln n2 q i

2- c- Potentiel et champ lectrique : La rsolution de lquation de Poisson dans chacune des rgions de la jonction p-n donne le champ et le potentiel.
div E = (x )

E = grad V E =

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dV dx

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d2V (x) = 2 dx
Une premire intgration donne le champ lectrique. Une deuxime intgration donne le potentiel lectrostatique.
ZCE

p+ + + n + + + + + + + + + + + + + + + + + + xp xj + xn 0
Vn Vp

Emax

2- d- Courant de diffusion Courant de saturation : Le champ lectrique Ei soppose au mouvement des porteurs majoritaires, seuls quelques porteurs dots dune nergie cintique suffisante pourront franchir la barrire constitue par Ei. Ce dplacement de porteurs majoritaires constitue le courant de diffusion not Id. Par contre ce champ va favoriser le passage des porteurs minoritaires qui va constituer le courant dit courant de saturation not Is, ce courant circule dans le sens inverse du courant de diffusion.
Courant de saturation

+ + + +

+ +

n n

Ei

+ +

+ + + +

+ + + + + + +
Courant de diffusion

Remarque : Lorsque la jonction est en circuit ouvert, un tat dquilibre stablit dans lequel lintensit du courant de diffusion est gale lintensit du courant de saturation. IT = 0. 19
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3- Jonction p-n polarise :


Lorsquon applique une tension V (V = Vp Vn) aux extrmits dune jonction p-n, on modifie lquilibre qui stait tablit. Deux cas sont envisager: Polarisation directe; lorsque Vp > Vn Polarisation inverse; lorsque Vp < Vn p p+ + + + + + + + + + ++ n n + + + + + + + ++ + p p+ + + + + ++ ++ + ++ n n + + + + + + + ++ +

Polarisation directe

Polarisation in erse

Vp " Vn 3- a- Polarisation directe :

Vp ! Vn

En appliquant une tension extrieure, on cre un champ lectrique qui soppose au champ interne Ei. Ce champ lectrique va diminuer la hauteur de la barrire de potentiel. Les de la zone n vont pouvoir traverser la zone de dpltion et diffuser dans la zone p. De mme les trous de la zone p vont diffuser dans la zone n. Il y aura conduction libre dans la jonction do un courant total dans la jonction donn par la somme du courant de trous et du courant d. Ce courant est essentiellement celui des porteurs majoritaires appel courant direct ou courant de diffusion. pp Er Eext Ei
n

Vp " Vn

Remarque : Lorsque le champ lectrique est diminu, la barrire de potentiel entre la rgion n et la rgion p est diminue et par consquent la ZCE devient plus troite.

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p Eext Er

Ei

n n

Va Vn Vd Vd - Va Vp #p # p # n #n

Va est le potentiel appliqu avec Va = Vp Vn > 0. 3- b- Polarisation inverse : En appliquant une tension extrieure telle que Vp < Vn, on cre un champ extrieur de mme sens que le champ interne Ei. Ce champ lectrique va augmenter la hauteur de la barrire de potentiel et bloque le passage des porteurs majoritaires travers la jonction, mais favorise le passage des porteurs minoritaires dans les deux zones. Les trous de n p et les de p n. Le courant rsultant est essentiellement celui des porteurs minoritaires appel courant inverse ou courant de saturation. p $in
p

Ei Er Eext

Vp ! Vn

Remarque : En polarisation inverse la ZCE slargit. Le courant de saturation est prpondrant mais garde toujours une valeur trs faible.

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p p Eext Ei

Er

n n

Va

Vn Vp Vd Vd + Va

# p

#p

#n

# n

Va est le potentiel appliqu avec Va = Vp Vn < 0. Rsum :

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3- c- Caractristiques I(V) : i - Polarisation directe : Lexpression gnrale du courant en fonction de la tension V est donne par:

qV I = I d = IS exp nkT 1
Is est le courant de saturation, indpendant de la temprature avec: Dp Dn + I s = qSn i2 L N L N n A p D polarisation, mais dpend de la

n est le coefficient didalit dpend de la temprature et des dfauts dans le matriau SC, en gnral: 1 < n < 2. la temprature ambiante; n=1. Lorsque V augmente (qlq 1/10 de volts), 1 devient ngligeable devant lexponentielle:

qV I = Id = IS exp nkT
Remarque : La jonction p-n polarise dans le sens direct laisse passer un courant important do sa rsistance interne est faible.
$%'& p n

$
V% olt&

V"0

ii - Polarisation inverse :

qV I = Ii = IS exp nkT 1

avec V > 0

Lorsque V augmente (qlq 1/10 de volts), le terme exponentiel devient ngligeable devant 1:

Ii = IS
Ce courant circule dans le sens contraire celui du courant direct. 23
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$%'& V% olt&

$i

$(
V"0

Remarque : Le courant Ii est trs faible; (courant des minoritaires). Il existe une zone de charge despace assez large due la prsence du champ lectrique assez important do la rsistance interne devient trs grande leffet de redressement. Conclusion: $%'&

-V V% olt& $( Caractristique exprimentale:


$%'& P=,-r

V*+

) E Effet Zener V% olt&

Effet da alanc.e

E0 : Tension de coude ou seuil de redressement Constat : Ecart entre mesure et calcul d la G-R dans la ZCE. Phnomne de saturation pour les grandes tensions directes d aux rsistances de contact.

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Claquage de la jonction en polarisation inverse du lEffet Zener (ionisation des porteurs) et leffet davalanche (multiplication des porteurs par ionisation par impact). Phnomne davalanche: Pour des champs lectriques forts (> 2 105 V/cm)

E/ c.amp 0lectrique fort

ZCE

Il y a multiplication des porteurs de charges en traversant la zone de fort champ lectrique (ZCE). 3- d- Influence de la temprature : Laction de la temprature est beaucoup plus importante en polarisation inverse quen polarisation directe car le courant inverse ou de saturation est essentiellement d aux porteurs minoritaires dont la concentration croit trs vite avec la temprature. 2, 21 " 2,

$%'&

21

-V $(, $(1

V(volt)

Pour le (i $s dou le qu!nd " Pour le 3e $s dou le qu!nd "

de #$ de %0$

3- e- Limites dutilisation : Le constructeur prcise les valeurs limites quil ne faut pas dpasser lors de lutilisation dune diode, il sagit dun courant direct maximum et dune polarisation inverse maximale que lorsque ces valeurs dpasses, la diode serait dtruite. Cette limite peut tre aussi en puissance.

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$%'& $max Pmax = Vmax.$max 6 ne pas d0passer. -V V&!x -V&!x V% olt&

3- f- Modlisation ou circuit quivalent : (Modle grands signaux ou DC) Les modles sont donns par comparaison avec une diode idalise ou idale: Une diode idale se comporte comme un circuit ouvert en polarisation inverse et comme un court circuit en polarisation directe.
$ V V ! 05 $ = 0 V = 05 $ " 0 0 4iode id0ale V $

$ V E0

$ r

$ r E0

0 V = E0

E0

V 0 V = r.$

0 V = r.$ + E0

E0

Remarque : En polarisation inverse, il circule dans la jonction un courant trs faible de lordre du nA ou A et par consquent la diode est quivalente un circuit-ouvert (bloque) ou une rsistance trs grande (~ M). Le modle quivalent choisi dpendra de la grandeur du signal lectrique. 26
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3- g- Capacit de la jonction : i- Polarisation directe : Capacit de diffusion : En rgime variable de petits signaux lorsque la frquence du signal est faible (basses frquences) le courant i qui circule dans la diode est en phase avec v et on a : v = rd . i. En hautes frquences (>MHz), les signaux ne sont plus en phase et ceci sexplique par lexistence dune capacit en parallle avec une rsistance pure rd. i i i i
rd

Cd

rd

*asses fr0quences

7autes fr0quences

rd

Cd : capacit de diffusion; Cd 1000pF

est le temps de transit ou temps ncessaire pour que les porteurs minoritaires traversent la ZCE (cest aussi la dure de vie des porteurs minoritaires ou temps de charge ou de stockage du condensateur. ii- Polarisation inverse : Capacit de transition : En rgime variable de petits signaux et lorsque les frquences sont leves (hautes frquences), la diode jonction sera modlise par lassociation en parallle dune rsistance pure trs grande et dune capacit Ct appele capacit de transition.
i i

Ct

ri

Ct : capacit de transition; elle est de lordre de Ct 10pF avec:


Ct = dQ .S = d W

Ct est la capacit dun condensateur plan, W tant la largeur de la ZCE. Remarque : Quand v ; W et Ct diminue on obtient une capacit variable lectriquement et non pas mcaniquement (Varactor ou Varicap) utilis pour la ralisation des circuits oscillants. 27
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C%pF& ,0

-,0

-1

4- Autres types de diodes :


4- a- Diode Zener : Une diode Zener est une diode jonction dopage lev o la tension de claquage est connue avec prcision. (UZ0: tension de Zener), varie de qlq volts qlq dizaines de volts suivant le dopage. i - Caractristique I(V) :

p ou

n -V Zone utile $max $Z%m'& )80 $min V% olt&

(c.0ma 0lectrique

Utilisation de la diode Zener en polarisation inverse aprs claquage comme stabilisateur de tension. ii Schma quivalent (aprs claquage) :
p $Z )Z0 VZ n $Z rZ

VZ = rZ.$Z + )Z0

VZ

La rsistance interne rZ varie de 1 10 .

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4- b- Diode tunnel : Une diode tunnel est une jonction p-n dont les rgions n et p sont dgnres c..d dopes avec des concentrations telles que le niveau de Fermi dans chacune des rgions est situ lintrieur de la bande permise correspondante. La concentration en impuret est beaucoup plus importante que les diodes classiques : 1019 1020 cm-3 au lieu de 1014 1015 cm-3 la ZCE est trs troite. i Schma lectrique et schma de bandes dnergie :
*C p

*V E V=0 n

ii Caractristique I(V) :
$%m'&

$pic $

all0e

V% olt&

La caractristique I(V) de la diode tunnel prsente une pente ngative entre Ipic et Ivalle (rsistance diffrentielle ngative) mise profit dans les oscillateurs, les circuits logiques rapides et en commutation.

dV 0 dI

Interprtation : 1- Les passent travers la jonction par effet tunnel, le courant croit avec la tension. 2 - Le courant diminue avec la polarisation jusqu ce que le bas de la BC occupe slve au dessus du sommet de la BV vide. 3 - Le courant augmente par injection thermique (courant direct normal). 29
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, p p p n n 1

n Polarisation directe a ant $pic

Polarisation directe a ant $ all0e

'pr>s $

all0e

4- c- Diode Schottky: Une diode Schottky est une jonction mtal semi-conducteur. Un ct de la diode est un mtal, lautre ct est un SC gnralement de type n. : (C %n& Schma lectrique

Contact m0tal - (C / sc.0ma de ;andes d<0ner9ie

C.ar9es et c.amp 0lectrique /

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Les ont tendance se dplacer du ct o le travail de sortie est faible vers le ct o il est le plus grand. Dans ce cas, du SC vers le mtal. i- Courant dmission : Le courant travers la jonction est du un effet thermoonique, il est donn par: qV I = Is exp kT 1 O : q n Is = A T 2 exp kT

A* est la constante de Richardson n est la hauteur de la barrire de potentiel l'quilibre. ii- Caractristique I(V) :
$%m'&

V% olt& 0.1V

Le seuil de redressement nettement infrieur (0.3 0.5 V) celui dune jonction pn normale ( 0.7V) iii- Intrt des diodes Schottky : Les temps de commutation sont trs infrieurs ceux d'une jonction PN, la diode Schottky est donc utilise en Hautes Frquences comme dispositif de commutation rapide.
V e t e V t Circuit redresseur *asses fr0quences

Aux basses frquences, une diode ordinaire se bloque instantanment lorsquon passe de la polarisation directe la polarisation inverse. En hautes frquences, la diode ne se bloque pas assez vite pour empcher la circulation dans la diode dun courant inverse durant lalternance ngative du signal. 31
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t
7autes fr0quences

Ceci sexplique par le stockage par la jonction dune charge trs importante due aux trous (vitesse trs lente) lorsque ces derniers traversent la ZCE de la diode polarise en directe.
ZCE p n p ZCE n

Polarisation directe

Polarisation in erse

Lorsquon commute la diode de la conduction au blocage, les charges stockes circulent dans le sens inverse, ce qui explique la prsence dun courant inverse pendant un temps trs court qui correspond au temps pour que les charges stockes traversent la ZCE. Ce temps est appel temps de recouvrement trr ou temps de rcupration inverse. Il correspond au temps que prend une diode polarise en directe pour se bloquer. Ce temps nintervient que pour des frquences suprieures 100MHz Pour liminer ce temps de rcupration inverse, on utilise la diode Schottky. Lorsque la jonction est polarise en directe, les libres de la zone n traversent la jonction et passent dans le mtal. Comme il ny a pas de trous dans le mtal, il ny aura pas de stockage de charges dans la ZCE. Les diodes Schottky sont donc trs rapides par rapport aux jonctions pn et seront trs utilises en commutation rapide (circuit numrique). iiii- Applications des diodes Schottky : Calculateurs numriques (vitesse de calcul dpend de la vitesse de commutation des diodes et des transistors). Dispositifs numriques (T.T.L Schottky) Dans la mme famille des diodes Schottky : - Mtal - isolant - SC : MIS - Mtal - oxyde - SC : MOS

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+
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Le codage JEDEC des diodes est un code couleur qui ressemble celui des
rsistances. La diode possde de 2 4 bagues, le nom de la diode se dtermine de la faon suivante : Le prfixe est gnralement 1N Le suffixe se dtermine avec la couleur des bagues.

La bague la plus prs du bord et la plus paisse indique le 1er chiffre ainsi que la cathode.

'nneau noir pour rep0rer la cat.ode

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