semicondutores

RESUMO DO
ANTERIOR
A diversidade atmica
( ) ( )
c i
E E KT
i c
n N e

=
( ) ( )
i v
E E KT
i v
p N e

=
( )
( )
g
1 2
E 2KT
i i i i c v
n p n p N N e

= = =
( ) ( )
c F
E E KT
0 c
n N e

=
( ) ( )
F v
E E KT
0 v
p N e

=
Semicondutores Extr Semicondutores Extr nsecos nsecos
onde E
i
o nvel de Fermi no caso intrnseco
( )
g
E KT
0 0 c v
n p N N e

=
2
0 0 i
n p n =
( ) ( )
F i
E E KT
0 i
n n e

=
( ) ( )
i F
E E KT
0 i
p n e

=
Lei de Ao das Massas !
Podemos escrever:
( )
( )
velocidadededrift
v
campoeltrico
=

A condutividade resulta do movimento mdio do conjunto de eltrons,

conveniente definir uma nova grandeza que descreva a facilidade dos eltrons se
deslocarem no material sob a ao de um campo externo. mobilidade ()
(como nos metais).
x
e
v .
m

=
Pelo modelo de Drude
drift=deriva
n n
J =
Corrente de Conduo/deriva (Drift current)
2
0 e
n
e
e n
m

=
( )
( )
F i
E E KT
0 i
n n e

=

n
condutividade
devido aos eltrons.
n
0
concentrao de
eltrons no equilbrio.
Da mesma maneira temos para os buracos
2
0 p
p 0 p
p
e p
e p
m

= =
n 0 n
en =
e
n
e
e
m

=
Ento

n
mobilidade de eltrons
Mobilidade de electrons
Mobilidade
=
e d
v
e
e n =
d i t total
+ + =
Condutividade eletrica
Resistividade eletrica

e
= mobilidade do
eletron
n = o nmero de eletrons na camada
de conduo ou eletrons livres por
volume
|e| = q -> caraga eletrica absoluta d
eum eletron.
( (Matthiessen Matthiessen s s rule) rule)

t
,
i
,
d
contribuioindividual de
resistividade causada por atividade
termica, impureza e deformidade
J=n/e/v
Metais
Semicondutores
Condutividade intrseca
h e
e p e n + =
p n =
( ) ( )
h e h e
e p e n + = + =
P = nmeros de lacunas por volume

h
= mobilidade de lacunas.
Concentrao de eltrons em
funo da temperatura em
silcio tipo n com N
d
= 10
16
cm
-3
.
0
d
n
N
Ilustrao do movimento de
eltrons e buracos num material
semicondutor e no circuito
externo.
A densidade total da corrente de
deriva ser:
( )
0 n 0 p
J e n p = + =
sendo
n p
= +
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
JUNO
FIGURA (a) Variao da concentrao de
impurezas numa juno p-n. A linha
tracejada representa a variao numa
juno real enquanto a linha cheia
representa uma juno abrupta ideal. (b)
Modelo de juno abrupta unidimensional.
Dispositivos Semicondutores
Jun Jun o p o p- -n n
FIGURA (a) Semicondutores p e n separados. (b) Carga,
campo eltrico, potencial e nveis de energia na regio de
carga espacial de juno p-n.
Uma dimenso (x)
Separao p-n abrupta N
a
N
d
x < 0
x > 0
N
a
N
d
constante
Na Nd
x
Energia E = -e
E
cp
E
cn
= -e(
p

n
) = eV
0
e
E
V
g
=
0
Limite da barreira
Potencial de Contato
Nas regies afastadas da juno as concentraes so:
KT
E E
i p
f ip
e n p
) (
0

=
KT
E E
i n
f in
e n p
) (
0

=
KT
E E
n
p
in ip
e
p
p
) (
0
0

=
0
0
0
0
0
0
0
ln
ln
p
n
n
p
in ip
n
n
e
KT
V
p
p
e
KT
V
eV E E
=
=
=
KT
eV
p
n
n
p
e
n
n
p
p
) (
0
0
0
0
0
= =
No lado p buracos so majoritrios
a p
N p
0
No lado n eltrons so majoritrios
d n
N n
0
Usando a lei de ao das massas
d
i
n
N
n
p
2
0
=
Ento
2
ln
i
d a
o
n
N N
e
KT
V
Lembrando que
KT
E
v c i i i i
g
e N N p n p n
2 2
1
) (

= = =
onde
|
|

\
|

|
|

\
|
=
d a
v c
g
c
c
N N
N N
e
KT
e
E
V
h
KT m
N
ln
2
2
0
2
3
2
*

Ex: Considere uma juno p-n(Si) tendo concentraes de impureza N

d
= 10
16
cm
-3
e N
a
= 10
18
cm
-3
. Qual o potencial de contato da juno em T=300K ?
Dados: KT=0,026 eV
N
c
=2,6x10
19
cm
-3
N
v
=1,02x10
19
cm
-3
16 18
19 19
0
10 10
10 02 , 1 10 6 , 2
ln 026 , 0 12 , 1
x
x x x
V =
V V 85 , 0
0
=
O mximo para o Ge 0,68 V
para o Si 1,12 V
Carga e Campo na Juno de Equilbrio
lado n
d
eN + =
espessura l
n
+ +
+ +
+ +
- - -
- - -
- - -
0 -l
p
-l
n
x
Em primeira aproximao
lado p
a
eN =
espessura l
p
Como a carga total deve ser nula,
pois a juno eletricamente neutra
p n
a p n d
direita esq
l l l
A N el Al eN
V V
+ =
=
= ) ( ) (
l
N N
N
l
l
N N
N
l
d a
a
n
d a
d
p
+
=
+
=
usando = D
r
.
E D
r r
=
(s em x)

) (x
dx
dE
=
sendo:
a
d
eN
eN
=
=

em 0 < x < l
n
em -l
p
< x < 0
teremos:
0
) ( E x
eN
x E dx
eN
dE
a a
= =

onde
0
E
o valor do campo em x=0
Como

p a
p
l eN
E l x E = = =
0
0 ) (
Para a regio 0 < x < ln temos:

n d d
l eN
E E x
eN
x E = =
0 0
) (

n d
p a
l eN
l eN
=
Em x = 0:

x
-qN
A
-x
p
x
n
qN
D

x
x

V
bi
n
Si
D
p
Si
A
x
qN
x
qN

= = ) 0 (
Portanto:
n D p A
x N x N =
dx
d
x

= ) (

=
x
dx x x ' ) ' ( ) (
Potencial eltrico:
Densidade de cargas, aproximao de depleo
Regio neutra p
Regio depleo p
Regio depleo n
Regio neutra n
0 ) ( = =
A
N n p q
A
qN =
D
qN =
0 ) ( = + =
D
N n p q

x
-
+
x
n
-x
p
-qN
A
qN
D
A partir do campo eltrico, podemos obter a variao do potencial (x)
dx
d
x E

= ) (
A constante C depende da escolha do referencial.
|

\
|
=
n p n
d
l l x l x
eN
x
2
1
2
1
) (
2

Tomamos
0 ) ( = =
p
l x
Substituindo em (1) teremos:
2
) (
2
1
) (
p
a
l x
eN
x + =

De forma anloga para (x) em x 0

x
(x)
0
V
0
V
Distribuio de campo
e potencial eltrico
Pela lei de
Gauss, obtm-se:
p/ x<-x
p
:
p/ -x
p
<x<0:
p/ 0<x<x
n
:
p/ x
n
<x

=
S V
Si
S d dv
r
r
.
1

=
x
Si
dx x x ' ) ' (
1
) (

0 ) ( = x
0 ) ( = x
) ( ) (
p
Si
A
x x
qN
x + =

) ( ) ( x x
qN
x
n
Si
D
=

2
) (
2
' ) ' ( ) (
p
x
x
Si
A
p
Si
A
x x
qN
dx x x
qN
x
p
+ = + =

p/ x<-x
p
:
p/ -x
p
<x<0:
p/ 0<x<x
n
:
p/ x
n
<x:
Em x=0:
0 ) ( = x
2
) (
2
' ) ' ( ) ( x x
qN
V dx x x
qN
x
n
x
x
Si
D
bi n
Si
D
n
= =

bi
V x = ) (
(referncia arbitrria)
) 0 ( ) 0 (
+
=
bi n
Si
D
p
Si
A
V x
qN
x
qN
+ =
2 2
2 2
Desta equao e da equao N
A
x
p
=N
D
x
n
, obtm-se valores de x
p
e x
n
:
) (
2
D A D
A
bi
Si
n
N N N
N
V
q
x
+
=

) (
2
D A A
D
bi
Si
p
N N N
N
V
q
x
+
=

D A
D A
bi
Si
p n
N N
N N
V
q
x x W
+
= + =
2
V
bi =
V
0 2
ln
i
d a
o
n
N N
e
KT
V
O potencial de contato
0
V
a diferena entre os pontos x = l
n
e x = -l
p
) (
n
l x =
que exatamente
2
0
0 0
0 0
) ( 2
1
2
1
2
1
2
1
) (
l
N N
N eN
V
l E V
l E l l
eN
l V
d a
d a
n
d
n
+
=
=
= = =

p n
l l l + =
Ou seja
2
1
0
1 1
2
(
(

|
|

\
|
+ =
d a
N N e
V
l

Usando o fato que

2
0
i
d a
n
n
N N
l
e
KT
V
teremos:
2
1
2 2
1 1 2
(
(

|
|

\
|
+ =
i
d a
n
d a
n
N N
l
N N e
KT
l

com o fato que
l
N N
N
l
l
N N
N
l
d a
a
n
d a
d
p
+
=
+
=
Como a diferena de potencial entre os dois lados produzido por duas
camadas de carga, a juno tem uma capacitncia C.
l
A
dV
dQ
C

= =
rea da seo reta da juno
alterando condio de contorno de V
bi
por
(V
bi
-V
a
):
) (
) (
2
D A A
D
a bi
Si
p
N N N
N
V V
q
x
+
=

2
) (
2
) (
p
Si
A
x x
qN
x + =

) ( ) (
p
Si
A
x x
qN
x +

=
) (
) (
2
D A D
A
a bi
Si
n
N N N
N
V V
q
x
+
=

) ( ) ( x x
qN
x
n
Si
D
=

2
) ( ) ( x x
qN
V V x
n
Si
D
a bi
=

D A
D A
a bi
Si
p n
N N
N N
V V
q
x x W
+
= + = ) (
2
IxV
Desprezando
gerao e
recombinao
na regio de
depleo:
) ( ) (
p n n p
x J x J J + =
|

\
|

(
(

+ = ) 1
0 0
kT
qV
p
n
n
n
p
p
a
e n
L
D
p
L
D
q J
A
i
p
D
i
n
N
n
n
N
n
p
2
0
2
0
=
=
Tipos de variao de dopagem na juno:
N
A1
N
D1
juno abrupta
N
A2
N
D2
juno gradual
(N
A
-N
D
(
x
2
ln
ln ln ) ( ) (
i
D A
bi
i
D
i
A
i i bi
n
N N
q
kT
V
n
N
kT
n
N
kT E E qV
=
+ = =
Pela lei do diodo:
kT
qV
p p p
a
e n x n
0
) ( =
kT
qV
n n n
a
e p x p
0
) ( =
Valor da corrente de saturao ou I
0
0
0
, ,
, ,
= + =
= + =
dif n der n n
dif p der p p
J J J
J J J
Clculo da corrente aos terminais
No fim da regio de depleo
temos:
Vt
v
n n
D
e p p
0
) 0 ( =
D
i
n
N
n
p
2
0
=
0 n
p
) 0 (
n
p
P
L
A p
N p =
e
|
|

\
|
+
|
|

\
|
=

1 1 ) (
0
Vt
v
L
x
n n
D
P
e e p x p
Como nesta zona s existe corrente de difuso (o campo eltrico nulo),
temos que a componente da corrente devida s lacuna dada por:
P
Vt
v
D
i
P
n
P p
L
e
N
n
AqD
x
x p
AqD i
D
1
1
) (
2
|
|

\
|
=

=
) 0 ( v v
D
=
Como a corrente de eletrons ou de
lacunas aproximadamente
constante ao longo da juno,
juntando a corrente devida aos
eltrons livres fica:
|
|

\
|

|
|

\
|
+ = 1
2
Vt
v
N A
N
P D
P
i D
D
e
L N
D
L N
D
n q A i
0
Regio
de
depleo
Eletrosttica da
Juno pn
Polarizao
reversa:
Usar equao de difuso de minoritrios para obter p(x)
L
p
n n
p
n
G
p
x
p
D
t
p
+

2
2
'
.
p p p
L
x
kT
qV
n n n
D L onde e e p p x p
p
a
=
|

\
|
+ =

: , 1 ) ' (
'
0 0
p
a
L
x
kT
qV
n
p
p
n
p p
e e p
L
D q
dx
p d
qD x J
'
0
. 1 .
.
'
) (
) ' (

\
|
= =
n
a
L
x
kT
qV
p
n
n
p
n n
e e n
L
D q
dx
n d
qD x J
"
0
. 1 .
.
"
) (
) " (

\
|
= =
Analogamente:
Eletrosttica com polarizao da juno:
a) Sem polarizao:
b) Com polarizao:
bi P N
bi P N J
V V V
V V V V
= +
= + = 0
a bi J
P a N J
V V V
V V V V
=
+ =
Caracterstica I - V
(
(

+ =
|

\
|
=
A n
n
D p
p
i
kT
qV
N L
D
N L
D
qAn I
e I I
a
2
0
0
1
Onde A a rea da
seo transversal do
diodo
Lp a largura no
lado p da regio de
depleo
Ln a largura no
lado n da regio de
depleo
DIODOS
Juno PN
A juno PN
A juno de um material semicondutor do tipo P (com
excesso de lacunas) com um material semicondutor do tipo N
(com excesso de eletrons livres) origina uma juno PN. Na
zona da juno, os eletrons livres do semicondutor N
recombinam-se com as lacunas do semicondutor P formando
uma zona sem portadores de carga eltrica que se designa
por zona neutra ou zona de depleo.
Zona neutra
ou zona de
depleco
Eletrons livres Lacunas
Juno PN directamente e
inversamente polarizada
A juno PN est diretamente
polarizada quando o potencial
negativo da alimentao est ligado
ao semicondutor N e o potencial
positivo da alimentao est ligado
ao semicondutor P.
A juno PN est inversamente
polarizada quando o potencial
negativo da alimentao est ligado
ao semicondutor P e o potencial
positivo da alimentao est ligado
ao semicondutor N.
Quando diretamente polarizada
a juno PN conduz
Quando inversamente polarizada
a juno PN no conduz.
Principio de funcionamento
Quando polarizada diretamente a juno PN conduz porque
na juno PN a zona neutra ou zona de depleo (zona sem
portadores de carga eltrica) estreita a resistncia eltrica
diminui e a corrente eltrica passa.
Zona neutra
ou zona de
depleo
estreita
Lacunas Eletrons livres
Principio de funcionamento
Quando polarizado inversamente a juno PN no conduz
porque na juno PN a zona neutra ou zona de depleo
(zona sem portadores de carga eltrica) alarga a resistncia
eltrica aumenta significativamente e a corrente eltrica no
passa.
Zona neutra ou
zona de
depleco alarga
Eletrons livres Lacunas
A diferena de potencial devido somente a presena de ions na regio de
depleo
No existe nenhuma tenso aplicada
A regio (ou zona) de depleo age como uma barreira (resistncia alta)
impedindo a continuao da difuso dos eletrons. estabelecida uma diferena
de potencial V
o
(potencial de contacto) atravs da juno
Electrons Lacunas
Equaes aos terminais
|
|

\
|
= 1
t
d
V n
v
S d
e I i
n n n
p p p
D L
D L

=
=
saturao de
corrente
S
I
|
|

\
|
+ =
A n
n
D p
p
i s
N L
D
N L
D
n q A I
2
Caracteristca de um Diodo
com Is=10e-14A
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0 0,2 0,4 0,6 0,8
Tenso (V)
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Vd~0,7V
Comprimento
de difuso
Tempo de vida mdio
mV
q
T k
V
T
25 =
Disrupo
Se a tenso inversa aplicada a um dodo for muito forte d-
se um fenmeno de disrupo, segundo o qual o dodo passa
a conduzir. Existem dois efeitos que podem dar origem
disrupo:
Efeito de Zener
O campo eltrico suficientemente forte para gerar pares
electron buraco na regio de depleo. Resulta em dodos
com esta regio bem definida.
Efeito de Avalanche
A energia cintica dos portadores minoritrios sobe a
influncia do campo eltrico suficiente elevada para
quebrar as ligaes covalentes.
Sensibilidade temperatura
V
be
varia cerca de -2mV/C para valores
semelhantes de Ic.
0
0,02
0,04
0,06
0,08
0,1
0,12
-0,1 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Vbe
i
c
-40C
27C
120C
Queda de tenso
Quando a juno PN est polarizada directamente a corrente
eltrica ao passar pela zona neutra ou zona de depleo, que
apresenta uma certa resistncia, origina uma queda de
tenso (u=RxI).
Nas junes PN de silcio essa queda de tenso pode variar
entre 0,6Volt e 1Volt.
Nas junes PN de germnio essa queda de tenso pode
variar entre 0,2Volt e 0,4Volt.
O Dodo Ideal
Um dodo consiste num
dispositivo capaz de permitir a
passagem de corrente num
sentido e impedir no sentido
oposto.
Vd
Id
+ -
corrente
nodo
Id
Vd
aberto circuito - 0
fechado circuito - 0
<
>
d
d
V
V
Smbolo do
dodo
Caracterstica
do dodo
ctodo
Modelo simplificado
Devido ao carcter exponencial da caracterstica do Diodo
Vd pode ser bem aproximado por 0.7V para um grande
gama de valores de Is e correntes.
A resistncia rd assume normalmente valores reduzidos
Id
Vd
0,7V
d
r / 1
V v 7 . 0
D

D
r
Curva caracterstica real para o dodo
A curva caracterstica de um dodo real um grfico que relaciona cada valor da
tenso aplicada (V
ext
) com a respectiva corrente elctrica que atravessa o dodo
Dodo Rectificador
Caracterstica do Dodo
(com zona de disrupo)
0.7V
Tenso de
Disrupo (Vz)
Disrupo
Id
Vd
Corrente
de
avalanche
Corrente de fuga
Corrente
direta
Ligamos os terminais da juno uma fonte e formamos um dodo
O dodo um componente eletrnico fundamental e que tem como caracterstica
mais importante, permitir que a corrente eltrica circule apenas num sentido
A representao esquemtica do dodo
Transforma tenso alternada em tenso contnua
Is = corrente de saturao inversa (tem seu valor praticamente dobrado
para cada acrscimo de 10 C )
K = 11600/ com =1 para o Ge e 2 para o Si
Tk = Tc + 273 (Tk graus Kelvin, Tc graus Celsius)
) 1 (
/
=
Tk kV
e Is I
ESPECIFICA
ESPECIFICA

O DE UM DIODO
O DE UM DIODO
(
(
Par
Par

metros destrutivos
metros destrutivos
)
)

Idm: corrente direta mxima
A corrente mxima de cada diodo dada pelo fabricante em folhetos tcnicos
(datasheets). Este o valor mximo admissvel para a corrente, Sugere-se trabalhar
com valor em torno de 20%inferiores ao mximo, para garantir a vida til do
componente.
Ir: corrente reversa mxima
Vbr: tenso reversa mxima
As tenses reversas colocam o diodo em corte. Nesta situao toda tenso aplicada
ao circuito fica sobre o diodo. Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar
um determinado valor de tenso reversa, que nunca dever ser ultrapassado, sob
pena da destruio do componente.
Aqui tambm aconselhvel trabalhar-se com valores em torno de 20%inferiores
ao valor mximo.
Pdm: potncia direta mxima, onde Pdm= VD.ID (W)
Ex.: 1N914 PMAX = 250mW 1N4001 IMAX = 1A
Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais
(potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores ( PMAX > 0,5W).
RESISTOR LIMITADOR DE
RESISTOR LIMITADOR DE
CORRENTE
CORRENTE
Em um diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso
aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente.
Em geral um resistor usado em srie com o diodo para
limitar a corrente eltrica que passa atravs deles.
Rs
+
s
D1
DIODE
Resistor limitador
RETA DE CARGA
RETA DE CARGA
Mtodo para determinar o valor exato da corrente e da tenso
sobre o diodo,
Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do
resistor.
Equao da reta de carga:
Isat: condio onde Vd=0
Vcorte: condio onde Id=0
Id=(Vs-Vd)/R(A)
Extremos da reta de carga
RETA DE CARGA
RETA DE CARGA
PONTO QUIESCENTE (DE OPERA
PONTO QUIESCENTE (DE OPERA

O)
O)

APROXIMA
APROXIMA

ES DO DIODO
ES DO DIODO
1 Aproximao
Diodo ideal: Diodo representado por uma chave fechada (diodo polarizado diretamente,
em condies de conduo) e como chave aberta (diodo reversamente polarizado, onde o
diodo no conduz). Este modelo deve ser utilizado em situaes onde a tenso de barreira
(Vb) e a resistncia interna do diodo podem ser desprezados. Apesar de facilitar a anlise de
circuitos com diodos, pode inserir erros significativos.
RL
RL
RL
Vs
+
-
+
-
-
+
RL
Vs
+
-
2
2

APROXIMA
APROXIMA

O DO DIODO
O DO DIODO
Neste caso o diodo representado por uma chave em srie com uma fonte
de 0,7V, que representa a tenso de barreira natural do mesmo. Para a
maior parte das aplicaes prticas um modelo que atende.
RL
RL
+
-
-
+
Reversamente
polarizado
diretamente
polarizado
VB=0,7V
3
3

APROXIMA
APROXIMA

O DO DIODO
O DO DIODO
Neste modelo, alm da chave e da ddp, h um resistor representando a
resistncia eltrica que o corpo e os contatos do diodo oferecem passagem
da corrente.
RESIST
RESIST

NCIA CC DO DIODO
NCIA CC DO DIODO
a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo.
Pode-se considerar dois casos:
RD - Resistncia cc no sentido direto
resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo.
varivel, pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear.
Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais
existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente
correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de
50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada:
RD1 = 0,65/10mA = 65
RD2 = 0,75/30mA = 25 RD3 = 0,85/50mA = 17 Nota-se que a resistncia
cc diminu com o aumento da tenso
RR- Resistncia cc no sentido reverso
Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de -20V a corrente ser de
25nA, enquanto uma tenso de -75V implica numa corrente de 5A. A resistncia reversa
ser de: RS1 = 20/25nA = 800M RS2 = 75/5A = 15M A resistncia reversa diminui
medida que se aproxima da tenso de ruptura.
APLICAES
VI P =
ou
Smbolo
O electro no fundo da banda de conduo cai na lacuna do topo da banda de
valncia:
processo de recombinao electro-lacuna
Energia libertada = E
g
O Diodo Emissor de Luz (LED: Light-Emitting Diode)
p
p
g g
E
hc
h E
c
f
c
= = =
/
n
Recombinao
Corte de um LED (detalhe)
Dentro do dodo emissor de luz
Transistor de juno bipolar
Smbolo
O emissor emite lacunas que atravessam
a base e chegam ao colector
O emissor emite electres que atravessam a
base e chegam ao colector
As setas indicam o sentido convencional da corrente
(a mesma das lacunas)
O emissor mais dopado que o
colector e a base
Transistores de efeito de
campo
Diodo PIN
A regio I tem baixa condutividade(alta
resistncia). Mas vir a se tornar uma regio de
elevada condutividade sob polarizao direta.
Em polarizao reversa praticamente no
conduz, oferecendo uma alta tenso de
ruptura, da ordem de centenas de volts
atuando como um capacitor.
Em polarizao direta comporta-se como uma
resistncia varivel de baixo valor.
Os diodos PIN so geralmente usados nos circuitos
de comunicao microondas e RF. formado por um
material intrnseco (puro) colocado entre um material
tipo P e um material tipo N,
Dispositivos GUNN
Consiste de um cristal homogneo de
arsenieto de glio sem a juno PN, no
sendo polarizado como os demais diodos
devido a ausncia da juno.
Basicamente formado por uma regio N,
sobre uma base cristalina. O efeito GUNN
foi apresentado em 1964 e refere-se a
circulao de zonas de campo eltrico de
valor elevado, chamados de domnios, que
se movimentam atravs do cristal, quando
o dispositivo convenientemente
polarizado.
Os domnios so agrupamentos de eltrons
entre nodo e ctodo, resultando num ciclo
de pulsos de corrente de transio,
determinado pela Iargura da camada N. O
valor da tenso aplicada, tambm tem
influncia no ciclo de domnios. O
dispositivo utilizado na gerao de
oscilaes (pulsos) em torno de 40GHz.
Trabalhando em freqncias da ordem de
300GHz, tem um desempenho superior aos
dispositivos GUNN, porm com tenses elevadas,
da ordem de uma centena de volts.
A tenso aplicada de modo reverso faz com que o
diodo trabalhe na ruptura, resultando numa
corrente de avalanche.
So dispositivos de quatro camadas, sendo uma P
e outra N, fortemente dopadas, uma N
intermediria e uma camada intrnseca. A regio
de depleo formada com a regio N e a camada
intrnseca. Devido a alta tenso reversa, a
dissipao de potncia muito elevada.
Para gerar sinais na faixa de microondas de 3 a
100 GHz com muita facilidade sem a necessidade
de muitos componentes o torna ideal para
aplicaes em alarmes, radares, equipamentos de
telecomunicaes que operem nesta faixa de
frequncias.
IMPATT (Impact Avalanche and
Transit Time)
TRAPPAT (Trapped Plasma Avalanche
Triggered Transit)
So diodos IMPATT, que requerem altssimos campos eltricos
aplicados quando usados com correntes externas convenientes, a
ionizao se estende por toda a regio de depleo, ento ser
desenvolvido um plasma e portadores.
DIODO TUNNEL (ou ESAKI)
Para correntes cujos valores esto
compreendidos entre Iv e Ip, podemos obter o
mesmo valor de corrente para 3 diferentes
valores de tenso aplicada. Esta caracterstica
de valores mltiplos faz com que o diodo-tnel
seja til em circuitos de pulso digitais.
Outra aplicao como chave, operando em
velocidade muito altas, como o tunelamento
ocorre velocidade da luz.
Vantagens: baixo custo, baixo rudo,
simplicidade de fabricao, alta velocidade(o
tempo de chaveamento da ordem de
Nanossegundos ), imunidade ao meio
ambiente e baixa potncia.
Desvantagens: baixa variao na tenso de
sada e o fato de ser um dispositivoi com dois
terminais, com isso no existe isolao entre a
entrada e a sada, provocando assim srias
dificuldades em projetos de circuitos.
DIODO TUNNEL
DIODO SCHOTTKY
Tambm chamado de diodo HCT
(Hot carrier Diode.), muito
utilizado na fabricao de circuitos
integrados.
Quando em polarizao direta, essa
diferena provoca, o aparecimento
de uma corrente no sentido do
semicondutor para o metal. Em
polarizao reversa o aumento da
barreira de potencial impede a
conduo de corrente.
Devido a ausncia de portadores
minoritrios, a resposta do
SCHOTTKY muito rpida
podendo trabalhar em freqncias
da ordem de 70GHz.
A tenso de incio de conduo
depende dos materiais escolhidos na
fabricao do diodo, podendo variar
de 0,25 a 0,75volts.
DIODO SCHOTTKY
DIODO VARICAP (VARACTOR)
Os VARICAPS so diodos otimizados
para trabalharem em polarizao
reversa, apresentando maiores variaes
de capacitncia, em funo do potencial
reverso aplicado.
Para baixas freqncias so fabricados
com silcio, sendo usado a arsenieto de
glio para freqncias mais elevadas.
A figura a seguir mostra o
comportamento da capacitncia em
funo da polarizao e o smbolo do
diodo varicap.
FOTODIODO
A incidncia de energia luminosa numa
juno PN libera eltrons da camada de
valncia para a camada de conduo.
A corrente reversa de um diodo devido a
movimentao de portadores minoritrios
que surgem em ambos os lados da juno.
Num fotodiodo, a corrente reversa
controlada atravs da incidncia da luz na
juno, atravs de encapsulamentos
especiais.
A K
OPTOACOPLADOR ELETRNICO
(FOTOACOPLADOR)
Existem diversos tipos de fotoacopladores. O mais simples utiliza um diodo emissor de
luz (LED) e um fotodiodo num mesmo encapsulamento.
A passagem de corrente no LED, produz radiao infravermelha, que absorvida pelo
fotodiodo, produzindo corrente. O acoplador tico tem como caracterstica principal
proporcionar a isolao entre dois circuitos.
Diodos de emisso de luz orgnicos
um dispositivo semicondutor de estado
slido com espessura de 100 a 500
nanmetros e aproximadamente 200
vezes menor que um fio de cabelo
humano
(OLEDs)
Os OLEDs podem fornecer ecrs mais
ntidos e brilhantes em dispositivos
electrnicos e usam menos energia do que
os LEDs convencionais ou ecrs de cristal
lquido (LCDs) usados actualmente.
DIODO DE CONTATO DE PONTO
Uma pequena haste de metal pressionada contra uma regio do tipo N. Por um
processo de fuso criada no ponto de contato uma regio do tipo P.
A utilizao desse dispositivo grande em circuitos de freqncia elevada,
porm com baixos nveis de potncia. A figura a seguir, mostra um diodo de
contato de ponto.
CIRCUITO COM DIODOS
O Diodo Retificador
p p
n n
Circuito Retificador
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O retificador de meia onda converte a tenso de
entrada (USECUNDRIO ) ca numa tenso pulsante
positiva UR.

Este processo de converso de AC para cc,

conhecido como retificao.
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
VALOR CC OU VALOR MDIO
O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao
retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e
normalmente ele chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga.
VALOR CC OU VALOR MDIO
A tenso mdia de um retificador de meia onda mostrada por um voltmetro
dado por:
VCC = 0.318 U
P
diodo ideal
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tenso do
secundrio, enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo
negativo da tenso do secundrio.
As duas tenses denominadas de U2/2 so idnticas em
amplitude e fase.
Diodos Especiais
O transformador ideal pode ser,
portanto, substitudo por duas fontes
de tenso idnticas, sem alterao no
funcionamento eltrico da rede.
Quando U2/2 positiva, D1 est
diretamente polarizado e conduz
mas D2 est reversamente
polarizado e cortado.
Analogamente, quando U2/2
negativa, D2 conduz e D1 cortado.
A freqncia de sada
de onda completa o
dobro da freqncia de
entrada,
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM
PONTE
Durante o semiciclo positivo da
tenso U2, o diodo D3 recebe um
potencial positivo em seu anodo, e o
D2 um potencial negativo no catodo.
Dessa forma, D2 e D3 conduzem, D1
e D4 ficam reversamente polarizado e
o resistor de carga R recebe todo o
semiciclo positivo da tenso U2.
Durante o semiciclo negativo
da tenso U2, o diodo D4
recebe um potencial positivo
em seu anodo, e o diodo D1
um potencial negativo no
catodo, devido inverso da
polaridade de U2. Os diodos
D1 e D4 conduzem e os
diodos D2 e D3 ficam
reversamente polarizado.
Com o uso de quatro diodos
no lugar de dois, elimina-se
o uso da tomada central do
transformador.
Comparao entre os trs tipos de
retificadores
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido.
Portanto a tenso UR sempre positiva.
Formas de ondas sobre o resistor
de carga e os diodos
VALOR CC OU VALOR MDIO
A tenso mdia de um retificador de meia onda
mostrada por um voltmetro similar o do
retificador de onda completa com a observao de
que agora tem-se um ciclo completo e o valor ser o
dobro. dado por:
VCC = 2 * 0.318 (U
P
/2) = 0,318U
P
diodo ideal
DOBRADOR DE TENSO DE MEIA ONDA
No pico do semiciclo negativo, D1 est
polarizado diretamente e D2 reversamente,
isto faz C1 carregar at a tenso Vp.
No pico do semiciclo positivo, D1 est
polarizado reverso e D2 direto. Pelo fato da
fonte e C1 estarem em srie, C2 tentar se
carregar at 2Vp. Depois de vrios ciclos, a
tenso atravs de C2 ser igual a 2Vp.
DOBRADOR DE TENSO DE ONDA
COMPLETA
TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE
TENSO
Circuitos Limitadores
o Retiram tenses do sinal acima ou abaixo de
um dado nvel.
o Servem para mudar o sinal ou para proteo.
LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR)
LIMITADOR POLARIZADO
ASSOCIAO DE LIMITADORES
USO COMO PROTEO DE CIRCUITOS
1N914 conduz quando a tenso de
entrada excede a 5,7V.
Este circuito chamado grampo de
diodo, porque ele mantm o sinal
num nvel fixo.
GRAMPEADOR CC
O grampeador cc soma
uma tenso cc ao sinal
(no confundir com
grampo de diodo).
Por exemplo, se o sinal
que chega oscila de -10V
a +10V, um grampeador
cc positivo produziria
uma sada que
idealmente oscila de 0 a
+20V (um grampeador
negativo produziria uma
sada entre 0 e -20V).
Circuitos limitadores
V2
12V
Circuito de clamping Duplicador de tenso
2Vpp
Modelo SPICE
Corrente de Saturao IS
10e-14
A
Coeficiente de emisso N 1
Resistncia ohmica RS 0
Tenso intrinseca VJ 1 V
Capacidade da juno
com polarizao nula
CJ0 0 F
Coeficiente de gradiente M 0,5
Tempo de transito TT 0s
Tenso de disrupo BV inf
Corrente inversa na
saturao
IB
V
1e-10A
RS
Cd
Id
-
+
Vd
S
I
n
S
R
O
V
0 J
C
m
T

ZK
V
ZK
I
|
|

\
|
= 1
t
d
V n
v
S d
e I i
m
O
R
j
d
T
T
d D
V
V
C
I
V
C C C
|
|

\
|
+
+ = + =
1
0
j

Fonte linear
Fonte com tenso DC de 5V e capaz de fornecer 25mV de corrente. Diodo de Zener tem 10 para
Iz=20mA que necessita de uma corrente de cerca de 5mA para funcionar correctamente.
Escolhendo uma tenso de pico no secundrio de 12V de forma a distribuir cerca de 3V para
oscilao no condensador, 3V para queda de tenso na resistncia, e 1 V de queda de tenso nos
diodos temos:
C1 = I t / V = (25mA+5mA) / 50 Hz / 3 V = 200uF
A resistncia R2 deve ser suficientemente pequena para fornecer os 30mA carga mas deve limitar
ao mximo a corrente no zener (a 30mA) quando a carga de impedncia elevada e a tenso no
condensador toma valores mximos, para limitar a potencia dissipado por este, ou seja devemos ter
R2=3V/ 30mA= 100 . Mas este assunto no inteiramente desta cadeira.
26:1
Ajuste final num
programa de simulao
V1
311.13V 50Hz
R1
0.5ohm
T1
D1
D2
220 V rms
C1
200uF
R2
100ohm D3
R3
500ohm
A resistncia R2 responsvel por perdas na fonte.
Fonte comutada
Um exemplo muito simples de uma fonte comutada
(conversor AC/DC).
Sempre que o a tenso em C2 baixe dos 5V J1 liga e desliga
quando subir acima dos 5V. O interruptor liga e desliga com
uma frequncia elevada de forma a manter uma tenso
continua de 5V na sada.
V1
311.13V 50Hz
R1
0.5ohm
T1
D1
D2
220 V rms
C1 R3
500ohm
J1
C2
Portas lgicas
D1
R1
D2
D3
D1
R1
D2
D3
5V
VDD
Porta OR Porta AND
Circuitos limitadores
Multiplicador de
tenso
Formatador de Seno
etc
Modelo de pequenos sinais
D1
Vd
id(t)
vd(t)
d D D
v V v + =
d D D
i I i +
Desde que:
D d
V v <<
Vd
vd(t)
Id
id(t)
d
r / 1
D
T
d
I
V n
r =
Modelo de pequenos sinais
d D D
v V v + =
d D D
i I i + =
) ( 1
D
V n
v
S D
v f e I i
t
D
=
|
|

\
|
=
Frmula de Taylor
( ) ( )( ) +
D D D D D
V v V f V f i '
( )
d t
D
t
V n
v
S
D
r V n
I
V n
e I
V f
t
D
1
1
' = =
|
|

\
|

=
+
d d D D
r v I i /
( )
d D D
v V v =
D
t
d
I
V n
r =
d d d
r v i / =
Anlise de pequenos sinais (CA)
Passos
Anlise de grande sinais (CC- corrente continua) para
calcular o Ponto de Funcionamento em Repouso, PFR
(Id)
Clculo dos parmetros do modelos de pequenos sinais,
rd.
Anlise de pequenos sinais
Anular as componentes de CC das fontes, ou seja
remover as fontes de corrente e curto circuitar as
fontes de tenso.
Substituir os componentes no lineares pelos seus
equivalente lineares para pequenos sinais
Fazer uma anlise do circuito resultante
Opcional: somar as componentes de pequenos sinais
(CA) com as componentes CC.
Modelo de alta-frequncia
Capacidade da juno
Capacidade de difuso
d
t
d
I
V n
r =
m
O
R
j
j
V
V
C
C
|
|

\
|
+
=
1
0
0
2
j j
C C =
n n P P
I I Q + =
I Q
T
=
I
V
C
T
|
|

\
|
=
T
d

p p P
D L =
Regio de
depleo
) (x p
) (x n
Tipo-p Tipo-n
0 p
n
0 n
p
p
x
n
x
Carga
armazenada
Polarizao inversa Polarizao directa
Rd Cj Cd
A capacidade da juno
(em polarizao inversa)
Largura varivel da regio de depleo:
O
R
j
j
V
V
C
C
+
=
1
0
Para pequenos
sinais:
( )
R O
D A
s
dep
V V
N N q
+
|
|

\
|
+
|
|

\
|
=
1 1 2

V
q
j
C
|
|

\
|
=
2
ln
i
D A
T O
n
N N
V V
dep s j
A C / =
A carga armazenada no proporcional tenso. De facto a
tenso aumenta aproximadamente com o quadrado da carga.
( )
1
1
1 1
0
2

+ =
O D
s
j
V N N
q
A C
A

O Laser Semicondutor
p
g g
E
hc
h E
c
f
c
= = =
/
n
Recombinao
Coerente
Espelho
Espelho semi-
transparente