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Le transistor effet de champ

LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP


1. Les transistors unipolaires Il existe deux types de transistors unipolaires les transistors effet de champ (T.E.C.) jonctions les transistors M.O.S. (Mtal Oxyde Semi-conducteur)

Nous limiterons notre tude au premier type.

1.1. Le transistor effet de champ 1.1.1. Constitution Un tel composant repose sur un support (un substrat) de silicium dop (par exemple de type P) dont lpaisseur est de quelques dixime de millimtre. Sur ce support ont t diffuses une couche N relativement peu dope et puis dans cette couche N une zone de type P ayant la forme dun paralllpipde et que lon appelle grille. La zone N est en contact avec deux lectrodes mtalliques situes de part et dautre de la grille, lune appele drain et lautre source. La rgion de semiconducteur situe entre le substrat et la grille est extrmement mince et est appel le canal.

Figure1 Constitution du transistor effet de champ Son symbole est le suivant :

Cours dlectronique

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Le transistor effet de champ

Figure2 symboles du transistor effet de champ

1.1.2. Caractristiques

Figure3 montage du transistor effet de champ

1. Caractristique d'entre. Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative, soit VGS < 0. La caractristique correspondante est donc celle d'un interrupteur ouvert : courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de fuite caractristique d'une jonction diode polarise en inverse. Ce courant double tous les 6C pour le silicium. A temprature ambiante, il sera infrieur au A, et plutt de l'ordre de quelques nA. 2. Caractristiques de sortie et de transfert. La figure 5 reprsente les caractristiques de transfert IDS = f (VGS) gauche, et de sortie IDS = f (VDS , VGS) droite.

TEC

Le transistor effet de champ

Figure4. Caractristiques du FET jonction. La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones : la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui servira l'amplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor bipolaire. la zone ohmique (en gris sur la figure 5.) : dans cette zone, le FET est assimilable une rsistance dont la valeur est fonction de la tension VGS . On ne reprsente que la partie positive de la caractristique, mais en fait, le canal conducteur peut laisser passer le courant dans les deux sens (c'est juste un barreau de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul dfaut qui limite les valeurs ngatives de VDS est le fait qu'au del d'une certaine tension ngative de drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal tant alors polarise en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Nanmoins, et condition de rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines quelques centaines de mV), on peut considrer le FET comme une rsistance dont la valeur est pilote en tension. On notera que les caractristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du transistor bipolaire. La principale diffrence provient du mode d'attaque, comme indiqu en introduction : le FET est command en tension, et non en courant, comme l'est le bipolaire. Ce rseau de courbes est born en bas (ID = 0, VGS = VP ), et en haut (ID = IDSS , VGS = 0). IDSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur est de l'ordre de quelques mA quelques dizaines de mA pour

TEC

Le transistor effet de champ les FETs courants. La tension de pincement VP est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 -8V). La zone ohmique est sensiblement diffrente de la zone de saturation du transistor bipolaire. La fonction rsistance commande est spcifique au FET et ne peut pas tre ralise de cette faon avec un transistor bipolaire. Pour une mme rfrence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de IDSS et VP sera trs importante, plus encore que la dispersion observe pour les caractristiques des transistors bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront pas tre utiliss sans prcautions dans des montages pointus, ni plus forte raison, dans des montages de prcision. La caractristique de transfert IDS = f (VGS) rsume bien les limites du FET : courant de drain nul pour une tension VGS gale la tension de pincement VP, et courant maxi IDSSpour une tension VGS nulle. La courbe est assez bien approxime par une parabole d'quation :

La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier : en effet, pour un courant IDS donn, la drive (qu'on appelle judicieusement la pente du FET) va tre gale :

Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (IDS ) et du paramtre d'entre (VGS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un signal d'entre. La valeur maximum, atteinte pour VGS = 0, vaut :

On peut alors exprimer l'quation [4] sous la forme condense suivante :

TEC

Le transistor effet de champ 2. Comparaison des deux types de transistors

Caractristiques Le courant dentre

Transistor bipolaire Faible ngligeable mais

Transistor T.E.C. non Ngligeable La tension dentre VGS

Le courant de sortie est Command par

Le courant IB

Les TEC prsentent les avantages suivants : Rsistance dentre leve (puisque IG est ngligeable) Faible influence de la temprature Fabrication plus simple Les TEC prsentent les inconvnients suivants : Leur performances aux frquences leves sont moins bonne Leur puissance reste limite Les TEC sont utiliss comme tage dentre dans les amplificateurs afin de leur assurer une rsistance dentre leve.

Les transistors bipolaires sont utiliss sous forme intgre dans les circuits logiques dits TTL et dans les amplificateurs comme les amplificateurs oprationnels . Sous forme discrte pour raliser soit des interfaces soit dans des montages mettant en uvre des puissances relativement leves.

TEC