CARACTERIZACIN FET NE4210S01

Caracterizacin Terica del FET NE4210S01 para un mezclador Activo a 2.4 GHz (November 2008)
Mara Mnica Prieto Daz

AbstractCharacterizar a NE42S01 FET showing curves IDs Vs Vds , power gain and S params.

III. PARMETROS S La determinacin de los parmetros S, se hizo a travs del siguiente montaje, donde: Vdc: 1.5 V Vgs: -0.9 V (cerca del voltaje de pinch off). L: 100nH C: 100F
CHIPCAP ID=C1 C=100 pF Q=0 FQ=0 GHz FR=2.4 GHz ALPH=1

Index TermsParmetros S, Ganancia, Potencia de salida, Componente fundamental de frecuencia, estabilidad.

A caracterizacin de un dispositivo en este caso del FET NE4210S01 proporciona una fuente de datos para saber entre que rango lmite debe ser manejado un dispositivo para evitar daos al mismo y obtener buenos resultados de su desempeo en un montaje especfico en este caso para ser implementado en un mezclador activo, donde se requieren un punto de polarizacin del FET, cierto valor de ganancia en dicho punto, y cuales son los datos proporcionados por el fabricante para el dispositivo para estas figuras de mrito.

I. INTRODUCCIN
SUBCKT ID=S1 NET="NE4210S01_v116" UgwNew=0.16 NfgNew=1

PORT P=2 Z=50 Ohm PORT P=1 Z=50 Ohm

1 2

IND ID=L1 L=100 nH

3

CHIPCAP ID=C3 C=100 pF Q=0 FQ=0 GHz FR=2.4 GHz ALPH=1

DCVS ID=V1 V=1 V IND ID=L2 L=100 nH

DCVS ID=V2 V=-2 V

II. CARACTERSTICAS DEL FET NE4210S01

Fig.1. Caracterizacin Parmetros S para el NE42S01 en microwave office.

Segn la hoja de datos proporcionada por CEL: Smbo. GA NF gm IDSS Vp Parm. 2V, 10mA, F: 12GHz 2V, 10mA 2V, 10mA 2V, 100uA VGS: -3V Unida. dB dB mS mA V Valor mn. 11.0 Valor tpico .13 0.5 55 40 -0.7 Valor mximo Y la simulacin mostr el siguiente resultado:

0.70 70 -2.0

40 15 -0.2

Fig.2. Simulacin Parmetros S para el NE42S01 en microwave office.

donde a la frecuencia de 2.4 GHz, el parmetro S11 :

CARACTERIZACIN FET NE4210S01 donde el punto de polarizacin corresponde al citado anteriormente (punto P2 en la grfica). V. COMPONENTE FUNDAMENTAL DE FRECUENCIA

S11 : 0.9976 < 14.05 S12 : 0 < 0 S 21 : 0 < 0 S 22 : 1 < 173.5

Para una impedancia de entrada aproximada de :

Para ello se determin para la simulacin un bias Tee ideal de la siguiente manera:

Z IN = 4.133 j 412.231
IV. CURVAS IDS VS VDS Para la obtencin de las curvas caractersticas del NE4210S01 :
SUBCKT ID=S1 NET="NE4210S01_v116" UgwNew=0.16 NfgNew=1

IVCURVE ID=IV1 VSWEEP_start=0 V VSWEEP_stop=2.5 V VSWEEP_step=0.5 V VSTEP_start=-1 V VSTEP_stop=0 V VSTEP_step=0.1 V

Fig.5. Determinacin Componente fundamental de frecuencia en microwave office.

y el resultado de la simulacin muestra que a 2.5 GHz la componente fundamental de frecuencia para nuestro dispositivo es : 7.784 dBm.

Swp

Step

Fig..3. Determinacin Curvas IDS Vs VDS en microwave office.

donde
Fig.6. Simulacin Componente fundamental de frecuencia en microwave office.

VI. GANANCIA DEL DISPOSITIVO Se determin a travs del parmetro en potencia con el parmetro

S 21 en dB y al ganancia

G P , con el siguiente resultado:

Fig.4. Simulacin curvas IDS Vs VDS en microwave office.

CARACTERIZACIN FET NE4210S01

Fig.7. Determinacin de ganancia a travs del parmetro S21 y Gp para el NE42S01 en microwave office.

Fig.9. Potenica de salida Vs frecuencia .

S 21 = 27.27 dB GP = 9dB
VII. POTENCIA DE SALIDA VS POTENCIA D E ENTRADA Se estableci a travs del parmetro PT (potencia de transductor) Vs la potencia de entrada con un barrido en dicha seal de -10 a 10 dBm donde a 0 dBm la potencia de salida es aproximadamente de : 8.54 dBm.

VIII. PUNTO INCERCEPTO DE TERCER ORDEN Se determin con el fn de aproximar una idea acerca de la potencia lmite de entrada que se le puede inyectar al dispositivo para antes de su saturacin:

Fig.10. Determinacin Punto intercepto de tercer orden

una primera observacin nos acerca al valor de 0.219 dBm de potencia de entrada.
Fig.8. Potencia de salida Vs potencia de entrada..

De igual modo se determin la misma potencia de salida Vs la frecuencia con un resultado similar:

IX. ANLISIS DE ESTABILIDAD Se hizo a travs del modelo lineal para el NE4210S01:

Fig.11. Modelo lineal del dispositivo para clculoestabilidad

con el siguiente resultado:

CARACTERIZACIN FET NE4210S01

Fig.14. Simulacin modelo lineal con resistencia de carga. Fig.12. Simulacin de la estabilidad en microwave office.

En la grfica anterior se pueden observar los parmetros S obtenidos en magnitud para este modelo y el factor de Rollet (k) que determina la estabilidad del transistor:

donde los nuevos valores son:

S11 : 0.3921 dB S 21 : 19.23 dB S 22 : 4.267 dB K : 0.3103

Observando el valor del factor K se observa que el dispositivo es inestable y se debe pensar en una resistencia de carga que logre el efecto contrario de la siguiente forma:

S11 : 0.192 dB S 21 : 2.83 dB S 22 : 5.94 dB K : 1.01 dB

El nuevo valor de K indica que a partir de ese valor de carga el dispositivo comienza a ser estable.

X. REFERENCIAS
[1]. Maas Stephen A., The RF and Microwave Circuit Design Cookbook, Artech House, United States 1998, pp.175-210.. [2]. Datasheet NE4210S1, CEL, pp.1-7.. [3]. Herramienta de diseo microwave Office.

Fig.13. Modelo lineal para clculo de estabilidad con resistencia de carga.

Donde se sintoniz el valor de una resistencia de carga y se determin que a partir del valor de 18 el dispositivo se vuelve estable como se ve en la simulacin: