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Introduccin a los Semiconductores

ETSII Curso 2013-2014

Resistividad en los materiales

Conductores o metales
Resistividad baja: 10-8 a 10-6 m Aumenta con T: = 0 (1+T)

Semiconductores
Resistividad media Disminuye con T: = 0e/T

Aislantes o dielctricos
Resistividad alta: 1010 a 1020 m Disminuye con T: = 0e/T

Estructura atmica
Modelo de Bohr

El electrn del tomo de Hidrgeno slo se mueve en ciertas rbitas circulares, no radiantes, denominadas estados estacionarios. Si Ei y Ef son las energas de dos rbitas, la frecuencia de la radiacin emitida al pasar del estado inicial al final ser: f=(Ei-Ef)/h (h=cte de Planck). El momento angular del electrn en una rbita estable es igual a un nmero entero de h/2.

Configuracin electrnica
Valores de los nmeros cunticos (n,l,m,s ) de un electrn: N c. principal (n). Corresponde al nivel orbital Enteros positivos: {1,2,3,4,...} Se denota por las letras K,L,M,N,... N c. del momento angular orbital (l) Caracteriza el tipo o forma del orbital Enteros de 0 a (n-1): {0,1,2,...,(n-1)} Se denota por las letras s,p,d,f,g,h,... N c. magntico (m) Indica la orientacin espacial del orbital Enteros de -l a +l: { -l,-l+1,...,0,...,l} N c. de espn (s) - Regla de exclusin de Pauli: no puede haber dos fermiones con todos sus n.c. idnticos

Tabla peridica

Enlace qumico

Enlace inico tomos con electronegatividad muy diferente Electrones ligados al in negativo no conducen Iones + y - en nudos de la red cristalina Enlace covalente tomos con electronegatividad elevada pero similar Orbitales moleculares con electrones compartidos nada o poco conductores Slo iones + en nudos de la red cristalina Enlace metlico tomos electropositivos Electrones formando una nube o gas electrnico muy conductores Slo iones + en nudos de la red cristalina

Slidos cristalinos
Celda unidad

Del apilamiento de estas celdas se obtienen las redes en 3D. Existen 14 tipos diferentes de redes 3D (redes de Bravais) que se agrupan en 7 sistemas cristalinos diferentes.

Gas de electrones libres


Modelo de Drude
El metal est formado por una red de iones con electrones de conduccin (valencia) movindose en su interior como las molculas de un gas ideal (ver teora cintica de los gases). Los electrones no interaccionan entre ellos, se mueven atrados por los iones y colisionan con ellos. El tiempo medio entre colisiones es . En ausencia de campo elctrico aplicado, los electrones se mueven al azar debido a la agitacin trmica, por lo que la velocidad promedio es cero. Al aplicar un campo elctrico E, los electrones sufren una aceleracin en sentido opuesto, que hace que adquieran una velocidad promedio y por tanto generndose una corriente. Fallos: Dependencia incorrecta de la resistividad con la temperatura

No predice la gran diferencia de resistividad entre unos materiales y otros

Bandas electrnicas
Efecto de la red cristalina: Regla de exclusin de Pauli: max 2 e- por nivel. Con 2 tomos, cada nivel se divide en 2 Con N tomos (N~1023), cada nivel se divide en N niveles muy cercanos = una banda Para que haya conduccin elctrica... ... el e- debe adquirir energa cintica, ... con lo que aumenta su energa total, as que deben haber niveles libres en bandas con mayor energa. Para la CONDUCCIN ELCTRICA, debe haber NIVELES DE ENERGA LIBRES en bandas de energa superiores.

Se denomina BANDA DE VALENCIA a la ltima banda ocupada o semiocupada Se denomina BANDA DE CONDUCCIN a la primera banda vaca

Energa de Fermi: Representa la energa ms alta ocupada por los electrones a cero kelvin.

Bandas electrnicas (II)


Banda de conduccin Banda de valencia

El tipo de material depende del gap (diferencia) de energa entre las bandas

Semiconductores intrnsecos
Material que se comporta como semiconductor sin tener defectos cristalinos o impurezas aadidas, por ejemplo:

Elementos del grupo IV de la tabla peridica (Si, Ge,) Compuestos binarios entre los elementos de los grupos III y V (GaAs, InP, AlSb) y entre elementos de los grupos II y VI (CdSe, CdTe) Compuestos ternarios, como: AlxGa1-xSb, InxGa1-xAs, con x entre 0 y 1 Compuestos orgnicos: antraceno, naftaleno, cristales lquidos

Semiconductores intrnsecos(II)

A T=0K banda de valencia llena, banda de conduccin vaca Cuando T>0K , algunos e- adquieren suficiente energa para saltar el gap

Por cada enlace roto (generacin/recombinacin): 1 electrn libre 1 enlace incompleto (hueco)
2 tipos de electrones: Electrones libres se mueven por la banda de conduccin Electrones que ocupan enlaces incompletos se mueven por la banda de valencia (conduccin por huecos)

Semiconductores extrnsecos

Material que se comporta como semiconductor sin defectos cristalinos pero con impurezas aadidas (semiconductor dopado) Tipo n: Dopados con impurezas dadoras (1 electrn ms en la ltima capa) Ejemplo: Ge (4s2, 4p2) dopado con Sb (5s2, 5p3) Hay ms electrones que huecos: los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos minoritarios Tipo p: Dopados con impurezas aceptoras (1 electrn menos en la ltima capa) Ejemplo: Ge (4s2, 4p2) dopado con Al (3s2, 3p1) Hay ms huecos que electrones: los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones minoritarios

Semiconductores extrnsecos(II)

Tipo n: e- libre sin necesidad de romper enlace nivel extra ED cerca de la banda de conduccin La energa necesaria para conducir es EC ED << Eg Tipo p: enlace incompleto (hueco) sin necesidad de generar e nivel extra EA cerca de la banda de valencia La energa necesaria para conducir es EA EV << Eg

Unin P-N (sin polarizar)


Monocristal semiconductor dopado con impurezas dadoras y aceptoras

Zona tipo P: impurezas aceptoras, alta concentracin de huecos Zona tipo N: impurezas dadoras, alta concentracin de electrones zona de transicin o regin de agotamiento ( 1 m).

Barrera de potencial
En la zona de transicin: Se produce difusin (corriente de difusin) de huecos de P hacia a N de electrones de N hacia a P Por lo que quedan: Iones en la zona P Iones + en la zona N Se origina una diferencia/barrera de potencial V0 entre los extremos NyP V0 arrastra huecos hacia la zona P, y e- hacia la zona N (corriente de arrastre) Las dos corrientes se compensan

Polarizacin directa

Disminuye la barrera de potencial Aumenta la corriente de difusin Disminuye el tamao de la zona de transicin Aparece una corriente en el circuito, proporcional a la V de la batera, debida a los portadores mayoritarios

Polarizacin inversa

Aumenta la barrera de potencial Disminuye la corriente de difusin Aumenta el tamao de la zona de transicin Subsiste una pequea corriente en el circuito, independiente de la V de la batera, debida a los portadores minoritarios (corriente de saturacin).

Ecuacin caracterstica I(V)

Tensin umbral o barrera de potencial Corriente mxima Corriente inversa de saturacin Corriente superficial de fugas Tensin de ruptura (efecto avalancha) Resistencia directa Resistencia inversa

Circuitos con diodos


Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

Rectificador de onda completa con puente de diodos

Idem, con filtro

Material de apoyo
Fsica para estudiantes de Informtica III, A. Belndez, C. Pastor y A. Martn. Universidad Politcnica de Valencia (1990). ISBN: 84-7721-125-6 Cap. 4 Estructura de los solidos Cap. 5 Semiconductores Cap. 6 Conduccin en semiconductores Cap. 7 Primeros dispositivos electrnicos Cap. 8 Diodo de unin http://goo.gl/048Ie
Material de clase de la asignatura Fundamentos Fsicos de la Informtica Carmen Martnez Toms y Nuria Garro. Universidad de Valencia. 2009-2010 http://ocw.uv.es/ingenieria-y-arquitectura/1-4/1-4/material-de-clase/ Wikipedia: http://es.wikipedia.org

ETSII 2013-2014

Polarizacin directa
Interruptor cerrado

Polarizacin inversa
Interruptor abierto

Polarizacin directa
Pila de 0.7V (Si)

Polarizacin inversa
Interruptor abierto

Polarizacin directa
Pila + Resistencia

Polarizacin inversa
Interruptor abierto