Analogicos 2

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y
MECATRONICA
DOCENTE: ING. MOISES LEUREYROS PEREZ
LIMA-PER 2013
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y MECATRONICA

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA II

AUTOR: ING. MOISES LEUREYROS P.
LABORATORIOS ESPECIALIZADOS / FIEM / 2011
2
PROCEDIMIENTO PARA EFECTUAR LAS EXPERIENCIAS DE LABORATORIO DEL
CURSO ELECTRONICA ANALGICA II

1.- Las experiencias constarn de las tres partes siguientes:
a) INFORME PREVIO: Consiste en el desarrollo terico de las
preguntas de la gua del experimento, de preferencia, usando un
programa de simulacin. Su finalidad es preparar al alumno para
que sepa lo que va a realizar durante la experiencia. Por ello, el
informe previo deber ser entregado al iniciarse la experiencia para
poder tener la nota respectiva
b) EXPERIMENTO: Consiste en efectuar todas las mediciones
indicadas en la gua, ms las que el alumno deseara hacer por su
cuenta. Su finalidad es obtener datos reales para confrontarlos con
los tericos calculados en el informe previo.
c) INFORME FINAL: Consiste en la respuesta al cuestionario dado en
la gua basndose en los datos obtenidos en el experimento y los
calculados tericamente. Su finalidad es llegar a un conjunto de
observaciones y conclusiones explicando los fenmenos observados
basndose en la teora estudiada. El informe final deber ser
entregado al iniciarse la siguiente experiencia para poder tener la
nota respectiva.

2.- La calificacin de los laboratorios se realizar mediante los siguientes
criterios:
PUNTUALIDAD: (1 punto) Para poder recibir esta nota, el alumno
deber estar en la entrada del laboratorio a la hora en que se inicia
la experiencia.
ASISTENCIA: (Hasta 2 puntos) La asistencia a los experimentos es
obligatoria para poder lograr los conocimientos prcticos que
sustenten los conceptos tericos.
TRABAJO: (Hasta 6 puntos) Aqu se evaluar la forma cmo los
alumnos del grupo se dividen el trabajo, sus conocimientos en el uso
de los instrumentos, las respuestas a las preguntas que haga el
profesor, el orden que tengan para hacer las mediciones, su inters,
dedicacin, etc.
INFORME PREVIO: (Hasta 5 puntos) Aqu se evaluar, adems de las
respuestas al cuestionario, el inters del alumno en profundizar sus
conocimientos incluyendo, l mismo, mayor informacin sobre la
experiencia propuesta.
INFORME FINAL: (Hasta 6 puntos) Aqu tambin se evaluar, adems
de las respuestas al cuestionario, las observaciones realizadas y la
explicacin de las mismas mediante la investigacin respectiva.



3
INTRODUCCIN A CIRCUIT MAKER 2000

Es un simulador de circuitos analgicos, digitales y mixtos, basado en
Spice.

DIBUJO Y EDICION DE ESQUEMAS:

- La herramienta ARROW permite realizar muchas funciones, tales
como:
- Editar dispositivos,
- Mover los dispositivos y conexiones,
- Seleccionar al componente, etc.

- La herramienta WIRE sirve para poner los alambres de conexin
entre dispositivos. Tambin permite hacer la conexin de buses usando
la tecla SHIFT y el botn izquierdo del ratn. Con la tecla ALT
presionada se pueden hacer lneas discontinuas.

- La herramienta TEXT permite escribir en el circuito.
Con la orden OPTIONS / SCHEMATIC se puede variar el color y tamao del
texto.

- La herramienta DELETE permite borrar componentes y conexiones.
Para borrar conexiones se la debe marcar antes con la herramienta
DELETE, haciendo clic con el botn izquierdo del ratn. Al soltarlo, se
borra la conexin.

Pueden borrarse segmentos de una conexin haciendo clic con el botn
derecho y se elige DELETE WIRE SEGMENT.

- La herramienta ZOOM permite ampliar (zoom in) o reducir (zoom out)
el esquema o grfico.

- La herramienta PROBE se emplea cuando est activada la
simulacin y sirve para observar las ondas en los puntos que se toquen
con ella y tambin los niveles de tensin.

SIMULACIN ANALGICA Y DE SEALES MIXTAS:
Debemos asegurarnos que tenemos la informacin en SPICE de todos los
dispositivos. Se pueden usar todos los dispositivos de la librera: Device
Library, los cuales tienen su representacin en Spice. En caso contrario
tendr que ingresarse su informacin en Spice.


4
Para empezar se da la orden: SIMULATION / CHECK PIN CONNECTIONS
De esta manera el programa verifica que todas las conexiones del circuito
estn bien hechas.
A continuacin se da la orden: SIMULATION / ANALYSES SETUP
Aparecer otra ventana donde se eligir el tipo de anlisis que se quiera
hacer. Haciendo clic en el tipo de anlisis deseado se ingresa a una nueva
ventana donde se pueden poner los parmetros que definen las
condiciones bajo las cuales se har el anlisis. Es importante tener cuidado
al definir estos parmetros para poder observar con detalle los resultados

En seguida se da la orden para hacer el anlisis: RUN ANALYSES
Esta orden est en la ventana de ANALYSES SETUP o puede hacerse clic en
el cono:

EJEMPLO:
Graficaremos y luego analizaremos con el simulador el circuito
amplificador clase A siguiente:
1kHz
V1
-1/1V
+
C1
10uF
+
C2
100uF
+
-
VCC
12V
R6
10k 36%
R5
10k 26%
Q1
2N2222
R4
1k
R3
100
R2
270
R1
3.9k
A
B
C
D
E

Al ingresar a CIRCUIT MAKER al lado izquierdo de la ventana aparece el
panel de componentes.
Ponemos primero el transistor: Elegimos el tem TRANSISTORS, luego BJTs y
seleccionamos: NPN Trans: B. En la parte superior del panel aparece la
imagen del transistor y, para ponerlo en el esquema, hacemos clic en
PLACE. Lo arrastramos hacia la posicin que queremos y hacemos clic
izquierdo con el mouse para que se quede fijo en ese lugar. Si queremos
que el componente gire 90 grados, antes de fijarlo hacemos clic derecho.
Cuando ya se ha fijado el componente tambin podemos activar una
ventana con comandos aplicables al mismo haciendo primero clic
izquierdo sobre el componente y luego clic derecho.


5
El mismo procedimiento aplicamos para seleccionar y ubicar el resto de
componentes
Para las resistencias y potencimetros elegimos el tem RESISTORS
Para el generador de seales elegimos el tem INSTRUMENTS / ANALOG
Para los condensadores elegimos el tem CAPACITORS / POLAR CAP
Para la fuente de alimentacin elegimos el tem SOURCES / LINEAR / V
SOURCE
Para el nudo de referencia elegimos el tem SOURCES / LINEAR / GROUND
Despus de ubicados los componentes, a continuacin procedemos a
hacer las conexiones entre ellos:
Hacemos clic en la herramienta WIRE. Llevamos el cursor al extremo de
uno de los componentes y aparecer un rectngulo rojo. En ese instante
presionamos el botn izquierdo del ratn y, sin soltarlo, lo arrastramos hasta
el terminal del otro componente al que lo queremos conectar. Cuando
aparece el rectngulo rojo soltamos el botn y la conexin queda hecha.
Si la conexin no se hiciera, debemos repetir el proceso con ms cuidado.
Se repite el proceso hasta terminar todas las conexiones. Con la
herramienta ARROW podemos cambiar de ubicacin las conexiones para
darle una mejor presentacin.
Terminadas las conexiones pasamos a editar los valores de los
componentes:
Para ello nos ubicamos con la herramienta ARROW encima del
componente y hacemos 2 clic izquierdos consecutivos. Aparecer una
ventana donde podremos cambiar el valor y nombre del componente.
Este proceso lo repetimos para cada uno de los elementos.
En el caso del transistor, podremos elegir el tipo seleccionando del men
que aparece en la ventana. Haciendo clic en el cono PROPERTIES
accedemos a otra ventana con la que podemos variar la designacin del
componente.
En el caso del potencimetro, adems de valor, podemos indicar la
posicin del terminal mvil. Esta se indica mediante un porcentaje que
aparece, dejando un espacio, junto a su valor.

Finalizado el ensamblaje del circuito, debe ponerse el nudo de tierra. Esto
es importante porque el programa exige este nudo; en caso contrario
dar error. La tierra se coloca eligiendo en el panel al tem: SOURCES /
LINEAR / GROUND.
El siguiente paso es iniciar el anlisis haciendo clic en el cono:
Aparecer la siguiente ventana:


6

Vemos que estn activados el anlisis transitorio y del punto de operacin.
Como nos interesan estos anlisis, los dejamos as. Tambin podemos
activar el anlisis en AC para obtener la respuesta en frecuencia del
circuito.
El casillero: Always set defaults for transient and OP analices activa slo el
anlisis transitorio y punto de operacin, cuando hay un check en l. Para
activar otros tipos de anlisis, borre el check.
El siguiente paso es definir los parmetros bajo los cuales har el anlisis.
Haciendo clic en TRANSIENT / FOURIER aparece la siguiente ventana:
START TIME: Es el instante en que se inicia la simulacin. En este caso se le
est diciendo que inicie en t = 0
STOP TIME: Es el instante en que termina la simulacin. Como la seal de
entrada tiene frecuencia de 1 KHz, debemos indicarle que por lo menos
termine en 1 ms para poder ver un perodo completo. En nuestro caso se le
indica 2 ms
TIME STEP: El computador hace los clculos usando mtodos numricos.
Por ello debe especificrsele cada cuanto tiempo calcular el valor de la
onda de salida. Si las seales son lentas, se le debe dar un time sep
razonable para que no demore mucho haciendo clculos y pueda verse
una onda continua. Si la seal es rpida, debe drsele un time sep
pequeo para obtener buena resolucin.
MAX. STEP : Es el mximo time sep que se le permite usar.
FOURIER: Si activamos el anlisis de Fourier, debemos especificarle la
frecuencia fundamental y el nmero de armnicas a considerar.



7

Haciendo clic en OPERATING POINT aparece la siguiente ventana:

En ella se habilita este anlisis y se hace clic en OK.
Con este anlisis se pueden obtener los voltajes y corrientes del punto de
operacin, los voltajes promedio incluyendo las seales (que no
necesariamente coincidirn con los del punto de operacin) y los valores
eficaces de las seales en los puntos que se marquen con la herramienta
PROBE.

Respuesta en Frecuencia:
Este anlisis nos permite saber cmo vara la ganancia del circuito al variar
la frecuencia. Para ello:
Se habilita el anlisis en AC y aparecer la siguiente ventana:



8

En ella habilitaremos este anlisis, indicaremos la frecuencia de inicio (en el
ejemplo est en 1 Hz), la frecuencia final (en el ejemplo est en 4 Hz). Estas
2 frecuencias definen el rango dentro del cual el programa determinar la
respuesta en frecuencia. En nuestro caso podramos definir la frecuencia
inicial en 10 Hz y la frecuencia final en 100,000 Hz.

Es importante definir bien el nmero de TEST POINTS debido a que ello
permitir obtener una grfica con buena resolucin. En el ejemplo el
nmero de test points es 3. Esto significa que el programa slo calcular 3
valores y tendremos un grfico donde estos 3 puntos estarn unidos por
segmentos. Para el rango de frecuencias propuesto (de 10 Hz a 100 KHz) 3
puntos de prueba no son suficientes. Para obtener una mejor resolucin
debemos definir ms puntos de prueba, no menos de 20 para nuestro
caso.

A continuacin veremos los resultados de cada anlisis para el circuito del
ejemplo:

PUNTO DE OPERACIN:

Parameter DC Bias DC Average AC RMS
B: c1_1 2.559 V 2.562 V 38.91mV
E: c2_1 1.881 V 1.896 V 21.33mV
D: r5_1 710.9mV 711.7mV 10.81mV
C: q1_3 6.956 V 7.194 V 3.420 V
A: r5_3 8.742 V 8.743 V 13.43mV



9
TRANSITORIO:

0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms
12.50 V
7.500 V
2.500 V
-2.500 V
A: r5_3
B: c1_1
C: q1_3
D: r5_1
E: c2_1

AC:

0.000kHz 20.00kHz 40.00kHz 60.00kHz 80.00kHz 100.0kHz
5.500 V
4.500 V
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
A: q1_3



10
LABORATORIO N 1

AMPLIFICADOR CLASE A CON CARGA EN COLECTOR

OBJETIVO:
Estudio del amplificador para lograr mxima excursin simtrica y mxima
potencia en la carga.

FUNDAMENTO TEORICO:

La cantidad de potencia que se le podr entregar a una carga, tendr un
lmite establecido por las caractersticas del transistor. De sus curvas
caractersticas podremos apreciar dichas limitaciones:
1. Limitaciones de carcter trmico: La mxima potencia promedio que el
transistor puede disipar est limitada por la temperatura que la juntura
base-colector puede soportar. Por ello, todos los diseos de circuitos
incluirn un clculo de las condiciones trmicas para asegurar que no
se exceda la mxima temperatura de juntura permitida.

Pc(W)

Pcmax
(-1/jc)
0
Tc0 Tjmax

jc= resistencia trmica entre juntura (j) y cpsula (c)

La potencia promedio (Pc) disipada en el circuito de colector es igual al
promedio del producto de la corriente del colector por el voltaje colector-
base. La mxima potencia promedio de colector permitida es
especificada por los fabricantes.
En el grfico observamos que el transistor puede disipar la potencia
mxima hasta la temperatura de la cpsula Tc0 (comnmente 25 C).
Despus de ella la disipacin de potencia debe ser reducida. La magnitud
de la inversa de la pendiente recibe el nombre de Resistencia Trmica, y
es un parmetro dado por los fabricantes.

Limitaciones de carcter elctrico: Relacionadas con la forma de las
curvas, pues cuando queremos amplificar una seal con la menor
distorsin posible, (clase A), se debe hacer trabajar el elemento activo en
su zona lineal (donde las curvas pueden considerarse lneas rectas,


11
equidistantes y paralelas). De las curvas se aprecia las limitaciones de
corriente y tensin en el funcionamiento del transistor.
a. BVCEO (Break down- tensin de colector emisor base abierta):
Para grandes tensiones de colector, las caractersticas pierden
linealidad debido a la ruptura en la unin de colector (similar al
efecto Zener o avalancha). En transistores de potencia estos valores
son entre 50 100 voltios.
b. max ic (mxima corriente de colector) para grandes corrientes de
colector, las caractersticas quedan muy juntas, perdiendo
linealidad y adems sometindose a las uniones a dichas corrientes,
se puede daar fsicamente al transistor
c. max PC : En ocasiones no habr seal de entrada en el amplificador
y luego, el punto de operacin debe corresponder a una disipacin
de colector que sea segura. Del grfico anterior, adems, se puede
observar otras dos zonas:

ZONA DE SATURACION
2
Ib = 0.2A
Ic (A)
ZONA
SEGURA
PARA
110
GRADOS
25
6 Ib = 0.4A
4
Ib = 0.1A
Ib = 0.6A
Ib = 0.5A
Ib = 0.3A
5
Vce,sat
0
10 Vce (V)
Ib = 0A
ZONA DE CORTE
15 2
Pcmax = 40W a 110 grados
8
ZONA
DE
RUPTURA
Pcmax = 150W a 25 grados
ZONA
SEGURA
PARA
25
GRADOS
20
Saturacin: Para valores de VCE VCE,sat, se aprecia que la Ic es muy
grande con los resultados considerados en maxIc. Valores tpicos son:
Transistores de Baja potencia
(Pc<1w) => Vce,sat = 0.1 0.3v
Transistores de potencia
(Pc>1w) => Vce,sat = 1 2v
Corte: Es el lmite inferior de la corriente del colector, donde las curvas
tambin pierden linealidad. En nuestro estudio no se considera esta
zona.
d. El conjunto de las consideraciones anteriores, va a limitar en su
interior, la llamada regin o zona activa, donde se obtendr
amplificacin lineal.
Los lmites anteriores, comprenden las especificaciones del transistor,
las cuales sern proporcionadas por el fabricante en los manuales


12
respectivos y que debern ser tomadas en cuenta en el diseo para
una operacin adecuada.
Especificaciones:
maxIc
BVCEO
Pcmax = VCEQ ICQ
Desde luego tambin se debe especificar su , fT, etc.
Si se grafican las especificaciones anteriores:

ANTES DE CORREGIR POR TEMPERATURA
Vce
ZONA DE OPERACION SEGURA
PARA EL TRANSISTOR
BVceo
DESPUS DE CORREGIR POR TEMPERATURA
Ic

donde: Pcmax adopta la forma de una hiprbola (equiltera respecto al
origen de coordenadas), que representa el lugar geomtrico de todos los
puntos de operacin en los cuales la disipacin es exactamente Pcmax.
Hasta ahora, en las relaciones del anlisis, no se han tomado en cuenta
los lmites del transistor. La consideracin de estos lmites y especificaciones
permitirn la eleccin correcta del punto de operacin.
Debe tenerse en cuenta lo siguiente:
1. De los grficos anteriores, se observa que para operacin segura, el
punto de operacin debe ubicarse debajo o en la hiprbola de
disipacin (la ya corregida por temperatura).
2. Adems, la lnea AC con pendiente (-1/Rac), debe pasar a travs del
punto Q e intersectar el eje VCE a un voltaje menor que BVCEO y
3. Debe intersectar el eje iC a una corriente menor que max iC

o sea: 2VCC BVCEO (1)
2ICQ max iC (2)

Observacin Importante: se debe tener presente que lo anterior es para
condiciones de mxima excursin simtrica, pues las rectas de alterna,
podran cortar los ejes, ms all de dichos lmites (desde luego en forma
indeseable para nuestro caso)
Luego, particularizando, para tener condiciones ptimas, si se desea
mxima excursin simtrica, se tendr que cumplir:

IC0= (1/RL)VCEQ y con: Pc max = VCEQICQ


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El punto Q ser:
ICQ = (Pc max/RL)
1/2
(3)
VCEQ = (Pc max * RL)
1/2
(4)

Se ve que en el punto Q. La pendiente de la hiprbola es:
iC / VCE = - ICQ / VCEQ = - 1 / RL

O sea, la pendiente de la lnea AC es la misma que la pendiente de la
hiprbola y la lnea AC es tangente a la hiprbola en el punto Q cuando
es lograda la mxima excursin simtrica.
recta dc
Vce
IcQ
Pcmaz
Ic = Vce / RL
BVceo
Q
recta ac
VceQ
Ic

Estas consideraciones son tiles para el caso de diseo.
Finalmente, en el caso ms real y prctico, el otro lmite a considerar en los
clculos, es el impuesto por la regin de saturacin. En nuestra
configuracin circuital: VCE,sat.

Estabilidad del punto de operacin del transistor bipolar
Es necesario que el punto de operacin se mantenga estable porque si se
desplaza, por variacin de la temperatura, producir distorsin a la seal
de salida. Las tcnicas que permiten estabilizar el punto de operacin
pueden clasificarse en dos categoras:
1) Tcnicas de estabilizacin: Utilizan circuitos de polarizacin resistivos que
permiten que vare IB, manteniendo IC relativamente constante ante
variaciones de ICBO, VBE y .
2) Tcnicas de compensacin: Utilizan dispositivos sensibles a la
temperatura como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan
corrientes y tensiones de compensacin que mantienen al punto de
operacin prcticamente constante.
Tcnicas de estabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios
sufridos en la corriente inversa de la juntura Colector Base (ICBO), por las
variaciones de la tensin BaseEmisor (VBE) y de la ganancia ().
La variacin de la corriente de colector debido a estos parmetros
podemos expresarla aproximadamente por:


14
IC = SI ICBO + _SV VBE + S

SI = Factor de estabilidad de corriente.
SV = Factor de estabilidad de tensin.
S = Factor de estabilidad de ganancia.
IC = Variacin total de la corriente de colector.
ICBO = Variacin total de la corriente ICBO
VBE = Variacin total de la tensin Base-Emisor
= Variacin total de ganancia de corriente

Cada factor de estabilidad puede determinarse asumiendo que las
dems variables son constantes.
El factor de estabilidad SI se obtiene con la siguiente ecuacin:
SI = IC / ICBO , cuando: VBE = 0 y = 0
Mientras ms grande es SI, el punto de operacin es ms inestable. El
mnimo valor posible de SI es 1.
Los circuitos que estabilizan el punto de operacin respecto a variaciones
de ICBO, tambin se comportan satisfactoriamente ante variaciones de
VBE y . Por ello, basta obtener un buen factor de estabilidad SI.
La ecuacin general que gobierna la corriente de colector del transistor
es:
IC = IB + (1 + ) ICBO
Derivando respecto a IC obtenemos:
SI = (1 + ) / (1 dIB / dIC)
De esta ecuacin concluimos que para valores grandes de , SI se
aproxima a la unidad.
El trmino dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el
clculo de SI se considera que VBE y no varan.
Tomemos como ejemplo el siguiente circuito, cuyo equivalente de
thevenin se encuentra a la derecha:
En la malla Base-Emisor podemos plantear la siguiente ecuacin:
VBB = IB Rb + VBE + (IC + IB) Re
Derivando esta ecuacin respecto a IC obtenemos:

dIB / dIC = - (Re / (Re + Rb))

Reemplazando en la ecuacin de SI obtenemos:

SI = (1 + Rb / Re) / (1 + (Rb / (1 + )Re))


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R2
+
VBB
-
Rb
Q
R1
Rc Rc
Re
VCC VCC
Re
Q

Si hacemos: Rb = (1 + ) Re / 10,
obtenemos SI = (11 + ) / 11
Para un valor de = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo
3 el valor ptimo. Tambin observamos que si es ms grande, el factor
de estabilidad empeora. Por ejemplo, si: = 100, SI = 10.1. En este caso el
factor de estabilidad ha aumentado y tendremos que elegir otra relacin
de Rb con Re para mantener SI pequeo.

Ms adelante veremos las tcnicas de compensacin.
Los condensadores Ca1 y Ca2 sirven como acoplamiento de la seal de la
fuente ii, con el dispositivo amplificador y de la carga RL. El condensador
Ce sirve como desacoplo de la seal en el circuito de emisor, evitando la
disminucin de la amplificacin como se ver posteriormente.

Para consideraciones del anlisis matemtico se asume que las
capacidades son muy grandes (C ) , de modo que las frecuencias de
trabajo presentan una reactancia muy pequea pudiendo considerrseles
como cortocircuitos. En consideraciones prcticas o reales, los valores a
escoger deben cumplir con el criterio anterior. As, por ejemplo, el
condensador Ce debe ser tal que presente una reactancia Xce mucho
menor que la impedancia que ve, la cual es Re en paralelo con la
impedancia de entrada del transistor reflejada al emisor (se ver en
parmetros hbridos). Xce puede considerarse unas 10 a 100 veces menor,
no debiendo elegirse una capacidad excesivamente grande, pues
pueden haber problemas de tamao, transitorios, respuesta de
frecuencia, corrientes de prdida, etc.

Si se trabaja no en una frecuencia, sino en un rango (caso de AF de 20 Hz
a 20 KHz), la reactancia se calcula con la frecuencia ms baja.



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MATERIAL Y EQUIPO:

01 Transistor 2N2222 01 Osciloscopio
01 Resistor de 100, 0.5W 01 Generador de
01 Resistor de 300, 0.5W 01 Fuente de alimentacin

01 Resistor de 1K, 0.5W 03 Puntas de prueba

01 Resistor de 3.9K, 0.5W 01 Protoboard
01 Potencimetro de 1K
02 Condensadores electrolticos de 10uF y 100uF, 16V

PROCEDIMIENTO:

1.- Ensamble el siguiente circuito:
C2
100uF
R4
1K
Vg
C
+ 12 V
Q1
2N2222
E
R2
300
R6
10K
H
R5
1K
R3
100
R1
3.9K
+
Vi
-
B
C1
10uF
F
G

2.- Aplique la seal de entrada Vg con mnimo voltaje y frecuencia de 1
KHz

El potencimetro de R5, de 1K, se usar para ajustar el punto de
operacin en el centro de la recta de carga dinmica y lograr mxima
excursin simtrica aumentando Vg.


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El potencimetro R6 se usa para reducir ms la seal de entrada, debido a
que la salida mnima del generador a emplear es de 200 mV

Mida la seal de salida en el colector respecto a tierra, usando el
osciloscopio.

3.- Conecte el osciloscopio a la salida y aumente Vi hasta que ambos
picos de la onda se recorten a la vez (mxima excursin simtrica).
Si uno de ellos se recorta primero, ajuste el potencimetro de 1K para
variar el punto de operacin y conseguir que los dos picos se recorten a la
vez.
Anote los valores pico:
Vi =.................. ;

Vsalida (pico positivo) =.........................

Vsalida (pico negativo) =.........................

4.- Mediciones en DC:
Haga: Vi = 0
Mida la tensin en el punto C respecto a tierra:
VC =.......................

Mida la tensin en el punto E respecto a tierra:
VE =.......................

Mida la tensin en el punto B respecto a tierra:
VB =.......................

Mida la tensin en el punto F respecto a tierra:
VF =.......................

Mida la tensin en el punto G respecto a tierra:
VG =.......................

Mida la tensin en el punto H respecto a tierra:
VH =.......................

Halle el punto de operacin:

ICQ = (VF VC) / 300 VCEQ = VC VE VBEQ = VB - VE



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4.- Con el nivel de Vi del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del
circuito:

F
(Hz)
100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
Vsalida
(Vpico)

5.- Saque la capacidad de 100uF del emisor y observe lo que pasa con la
seal de salida.
Ajuste Vi para obtener mxima excursin simtrica y mida los voltajes pico
positivo y negativo de la seal de salida.
Vi = .................. ;

Vsalida (pico positivo) = .........................

Vsalida (pico negativo) = .........................

INFORME PREVIO:

1.- Haga los clculos empleando el simulador CIRCUIT MAKER o similar.
Ajuste la frecuencia del generador a 1 KHz.

2.- Ajuste el potencimetro de 1 K para lograr mxima excursin
simtrica.
Si requiere variar la seal de entrada, ajuste tambin el potencimetro R6,
de 10K.

3.- Determine los voltajes continuos en todos los nudos del circuito.
Determine el punto de operacin del transistor.

4.- Determine la mxima tensin de seal de salida; tambin las potencias
DC y AC que disipan todos los componentes. Determine tambin la
corriente total que consume el circuito.

5.- Usando el mismo transistor, analice con el simulador la posibilidad de
reducir la distorsin de la seal de salida variando la pendiente de la recta
de carga dinmica. Qu valores de componentes se requieren?

6.- Determine la respuesta en frecuencia del circuito.
Por qu se distorsiona la seal de entrada?



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7.- Haga una tabla con todos los valores tericos obtenidos con el
simulador.

INFORME FINAL:

1.- Haga una tabla comparando los valores tericos con los valores
experimentales.

2.- Por qu en el paso 3 las tensiones pico de salida son diferentes?

3.- Por qu en el paso 5 los voltajes pico tienden a ser iguales?

4.- Por qu la ganancia en frecuencias bajas y en frecuencias altas baja
respecto al rango de frecuencias medias?

5.- Haga el grfico de la respuesta en frecuencia y determine hasta dnde
llega el rango de frecuencias bajas y dnde empieza el rango de
frecuencias altas?

6.- Con las mediciones efectuadas, Cul es la mxima potencia de seal
entregada a la carga y cul es la eficiencia del circuito?



20
LABORATORIO N 2

AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA

OBJETIVO:

Estudio del funcionamiento del amplificador de simetra complementaria

FUNDAMENTO TEORICO:
En el amplificador push-pull (en el cual se utilizan dos transistores del mismo
tipo), se requiere para su funcionamiento de dos excitaciones desfasadas
180, una con respecto a la otra, para aplicarlas a las bases de los
transistores y as obtener una salida completa. Este desfasaje se logra con
un transformador cuyo secundario tenia dos salidas con punto comn. A
continuacin se ver cmo se evita usar transformadores en la entrada y
en la salida, a requisito de que se usen dos transistores complementarios
(uno NPN y otro PNP). Tal amplificador es llamado AMPLIFICADOR DE
SIMETRIA COMPLEMENTARIA.

Se denominan transistores complementarios (o par machado o matched
pair) a un par de transistores tipo PNP y NPN cuyas caractersticas de
ganancias, potencias, etc. son iguales o muy similares.

Las ventajas y desventajas de estos amplificadores en comparacin con
los amplificadores push-pull se enumerarn posteriormente.

CIRCUITO BASICO:
+
Vin
-
+
V1 = VCC/2
-
Q2
Parlante
+
V2 = VCC/2
-
VCC
Q1

Fig. 1: Circuito bsico de un amplificador de simetra complementaria.

La condicin que deben cumplir V1 y V2 es que polaricen de tal modo a
Q1 y Q2 que estos trabajen simtricamente y en clase B (corrientes en
reposo cero).


21
Se hace V2 = VCC/2 a fin de que VCEQ1 = VCEQ2 = VCC/2 y los dos transistores
estn al corte simultneamente (clase B). De lo contrario, si V1<V2,
entonces conducir Q1 y se cortar Q2 (ICQ1>0, ICQ2=0); y si V2<V1 entonces
conducir Q2 (ICQ2>0, ICQ1=0), lo cual nos permite una operacin simtrica
de los transistores.
La tensin en la unin de los emisores ser:
VE = VCC/2

Se puede ver con las condiciones anteriores que:

VBE1 = VBE2 = 0 e ICQ1= ICQ2 =0

Podemos ver ahora qu ocurre cuando la tensin de seal Vin toma
valores positivos y negativos.

Fig.2a. Semiciclo positivo de Vin
Q1 conduce, Q2 cortado
Fig.2b.Semiciclo negativo de Vin Q2 conduce, Q1 cortado
IL2
V1 = VCC / 2
IL1
Q1
Q2
Parlante
Q2
E
VCC
V2 = VCC / 2
E
RL
Parlante
E
+
Vin
-
RL
B B
E
V1 = VCC / 2
Q1
-
Vin
+
VCC
V2 = VCC / 2

IL2
V1 = VCC / 2
IL1
Q1
Q2
Parlante
Q2
E
VCC
V2 = VCC / 2
E
RL
Parlante
E
+
Vin
-
RL
B B
E
V1 = VCC / 2
Q1
-
Vin
+
VCC
V2 = VCC / 2

En el semiciclo positivo de Vin la tensin en bases se hace ms positiva que
la tensin en los emisores:
VB > VE
Lo cual hace que Q
1
conduzca y Q
2
permanezca en corte.
El sentido de las corrientes se indican en la fig 2a y 2b, ntese que IL1 = ie1
Para el semiciclo negativo VE>VB, lo cual abre a Q1 y hace conducir a Q2.
La corriente en la carga es: IL2 = ie2.
De este modo, la carga est alimentada medio ciclo de Vin por Q1 y el
otro medio ciclo por Q2

DISTORSION DE CRUCE: Debido a que las caractersticas de entrada base-
emisor de los transistores reales es tal que para tensiones pequeas base-
emisor, el transistor prcticamente no conduce. Recin este comienza a
hacerlo cuando se supera cierto valor (la tensin de codo o tensin


22
umbral, V), que es aproximadamente 0.2V para transistores de Ge y de
0.6V para los de Si.
La tensin de salida tiene la forma que se observa en el siguiente grfico:
0.000ms 1.000ms 2.000ms 3.000ms 4.000ms 5.000ms
6.300 V
6.100 V
5.900 V
5.700 V
A: q1_3

Fig. 3
Se puede notar en la fig.5 que existe cierta zona alrededor de los puntos
Vb = 0, para los cuales ninguno de los transistores conduce, lo que acarrea
una distorsin en la forma de onda en la salida (proporcional a la seal iB1
iB2), llamada distorsin por cruce (o de cross over). Esta distorsin se evita
polarizando directamente las junturas base-emisor de Q1 y Q2 de modo
que exista entre ellas una tensin igual a la tensin de codo.
Una forma simple de lograr esto es, colocando una resistencia (de
pequeo valor) entre las bases de Q1 y Q2 de modo que se ocasiona una
cada de tensin en ella suficiente para tener polarizados ligeramente a los
transistores (ver fig. 4).

R4
R
E
Ca1
VCC
+
Vin
-
Q3
RL
C2
Q2
E
R2
+
Vrd
-
IL1
R1
Ird
VDD
RD
Q1
Parlante

Fig. 4

Vrd = Ird RD = VBE1-VBE2



23
RD se escoge de modo que cumpla con la anterior ecuacin con: VBE1 =
VBE2 = { 0.2 (Ge) 0.7 (Si)
La eleccin de RD para polarizar adecuadamente la juntura base-emisor
de Q1 y Q2, es un poco delicada, debido a que una pequea variacin
de la tensin VBE provoca grandes cambios de corriente de colector, por
lo cual, con un valor demasiado pequeo de VRD no se eliminar
satisfactoriamente la distorsin de cruce. En cambio, si la tensin es
demasiado grande, trae como consecuencia distorsin para niveles
grandes de seal, ya que cada transistor conducir ms de medio ciclo, lo
cual har que las corrientes de conduccin se traslapen con las corrientes
que deja conducir el otro transistor.
Prcticamente entonces, el amplificador debe trabajar en clase AB. Pero
la corriente de colector, para evitar la distorsin de cruce, es tan pequea
que se puede decir que su forma de trabajo es clase B. La polarizacin de
las junturas base-emisor se hace para que cumpla dos funciones:
a) Evitar la distorsin de cruce o cross-over
b) Estabilizar la polarizacin de Q1 y Q2 contra variaciones de
temperatura.
La forma ms simple de polarizar en clase AB es mediante una red
resistiva. Este esquema no es satisfactorio debido a que si la polarizacin es
poca, la distorsin de cruce sigue siendo severa y, si es mucha, la corriente
de colector ser alta, los transistores disiparn ms potencia pudiendo
destruirse o acortar drsticamente su tiempo de vida y la eficiencia
disminuir. Este tipo de polarizacin es ms efectivo cuando la fuente de
alimentacin es regulada pero no permite la compensacin por variacin
de temperatura en las junturas base-emisor.

COMPENSACION DE LA POLARIZACION CONTRA VARIACIONES DE
TEMPERATURA
Para obtener mejor regulacin y compensacin de temperatura con la
red resistiva, se conecta uno o dos diodos entre las bases de ambos
transistores. Estos diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la
exacta cada de voltaje necesaria. Pero, si esta polarizacin cambia con
la edad del equipo, la polarizacin tambin sufrir cambios.
En la fig.4 se puede notar que la tensin base-emisor de los transistores
esta determinada por la cada de tensin en la resistencia de polarizacin
RD, lo cual dar una cierta corriente de colector pequea a Q1 y Q2 a fin
de que eviten el cross over, el cual como se mencion debe tener un valor
ptimo para evitar distorsin.
Pero, si por cualquier motivo (variacin de temperatura ambiente,
calentamiento del transistor, etc.) la temperatura del transistor vara, esto
causa una variacin de la tensin base-emisor (aproximadamente
2mV/C), lo cual ocasionar una variacin de la corriente de colector que
puede llevar a clase C al amplificador (para bajas temperaturas) o a clase


24
A (para altas temperaturas) lo cual ocasionar gran distorsin y/o
disipacin de potencia.
Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensin
VRD vare de manera similar a la variacin de VBE con temperatura, lo cual
se logra colocando en lugar de RD un termistor NTC* (Negative
Temperature Coefficient) de similar coeficiente de temperatura que el
diodo base-emisor. De esta forma la tensin en el termistor disminuir del
mismo modo como VBE disminuye manteniendo siempre la corriente de
colector (proporcional a la corriente de base) en un valor casi constante.
La fig.5 muestra 4 formas tpicas de polarizacin. En la fig. 4a se coloca
una resistencia en paralelo con el termistor con el fin de aproximar su
coeficiente de temperatura equivalente al del diodo base-emisor.
Las fig. 5b y c muestran la polarizacin por diodo, estos trabajan
polarizados en sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de
temperatura que el correspondiente a los diodos base-emisor de los
transistores. LA fig. 5d muestra el empleo de realimentacin negativa por
medio de resistencias en los emisores.

Rd1
(c)
VCC
Q1
D
VCC
Q1
Re
+
Vd
-
Q2
(a)
Rd
Q2
+
Vd
-
(b)
VCC
Q2
(e)
Q1
t
NTC
VCC
Q1
Rd2
Q2
Re
Rd

Fig. 5: Formas tpicas de polarizacin

Rd1 ayuda a conseguir la necesaria polarizacin a B-E y RD2, RD3 sirven
como divisores de tensin cuando VD es mayor que la necesaria para
polarizar la base-emisor.
Se aumenta mucho ms la estabilidad contra variaciones de temperatura
colocando resistores en los emisores de los transistores.
Las combinaciones de los casos a, b, c y d ofrecen una gran estabilidad
de la corriente de colector de los transistores contra variaciones de
temperatura.
Los problemas anteriores son eliminados en forma ms efectiva cuando se
emplea un transistor regulador. Dado que el punto de operacin,
extremadamente crtico, es difcil de mantener, podemos usar un transistor
regulador de voltaje y lograr controlar fcilmente al punto de operacin
mediante un potencimetro.


25
En la figura 6, Q1 y Q2 forman el amplificador de simetra complementaria.
El transistor Q3 se encarga de controlar en forma precisa el punto de
operacin de Q1 y Q2, actuando como regulador. Tambin compensa
automticamente contra variaciones de temperatura. El potencimetro
permite ajustar en forma precisa el punto de operacin.
La entrada es aplicada mediante dos condensadores de acoplo.
Entrada
500K
RL Q2
-VCC
10K
+VCC
10K
10uF
Q1
10uF
Q3

Fig. 6

PUNTOS DE OPERACIN
Sea el circuito:
VCC
RL
Q1
Re
Entrada
C
Q3
E
VDD
R1
R3
R2
C1
Q2
Re
R4

Hacemos las siguientes aproximaciones (justificadas en la prctica):
Re << RL (resisencia del parlante)
Q1 complementario de Q2
1 = 2 >>1
ic ~ ie
En continua:
Como VE = Vcc/2
Vcc/2 = VCE1 + IC1RL ...............(1)



26
Vcc/2 = VCE2 + IC2RL ...(2)

Pero como los transistores estn polarizados al corte:
ICQ1 = ICQ2 =0
Entonces:
De (1) VCE1Q = Vcc/2 ..... (3) Recta de carga d.c. para Q1

De (2) VCE2Q = Vcc/2 ..... (4) Recta de carga d.c. para Q2

Dado que ICQ1 = ICQ2 = 0 el punto de operacin ya esta determinado.
Las siguientes ecuaciones son vlidas para a.c.
Vce1 = -ic1Re ic1RL = -ic1 ( Re + RL) ......... (5)
Vce2 = -ic2 ( Re + RL) ................(6)
Pero poder graficar estas rectas en el plano Ic vs. Vce es necesario hacer
el cambio de coordenadas con ayuda de las siguientes relaciones.
ic = iC - ICQ ..........(7)
Vce = vCE - VCEQ (8)

(7) y (8) en (5):
vCE1 VCEQ1 = - (iC1 ICQ1)(Re+RL)

Pero como:
ICQ =0 y VCEQ = Vcc/2

Se tiene
VCE1 = (Vcc/2) iC1 (Re+RL).............(9)
Y en forma anloga:
VCE2 = (Vcc/2) iC2 (Re+RL)..(10)

En la practica se hace RL >> Re a fin de que no haya demasiada prdida
de potencia en Re. Entonces (9) y (10) se convierten en:

VCE1 = (Vcc/2) ic1Re.... (11) recta de carga a.c. para Q1

VCE2 = (Vcc/2) ic2Re.(12) recta de carga a.c. para Q2

Estas rectas de carga a.c. debern pasar por el punto Q, entonces
bastar buscar el otro punto de la recta.
Cuando
VCE1 =0 ic1 = icmax = Vcc/2RL (13)
VCE2 =0 ic2 = icmax = Vcc/2RL (14)
ic1max = ic2max
Se puede ver que Q1 conduce medio ciclo de corriente, en este medio
ciclo hay una tensin alterna en el colector emisor debido a la tensin
alterna en la carga (parte sombreada de VCE1). El semiciclo en el cual Q1


27
esta abierto, ic1 =0, pero aparece una tensin VCE1, debido a la tensin que
aparece en Rc por al corriente que conduce Q2.
Similar anlisis se hace para Q2. La parte sombreada de VCE2 se debe a la
tensin que cae a travs de RL por conduccin de Q2. El otro semiciclo se
debe a Q1.

CLCULOS DE POTENCIA

Como ya se vi, Q1 y Q2 trabajan en forma simtrica, de modo que en lo
sucesivo designaremos a las variables sin subndices.

POTENCIA ENTREGADA A LA CARGA: PLac

Potencia mxima en la carga PLac mx ocurre cuando Icm alcanza su
mximo valor terico:
Icm = Vcc/2RL en (15)
PL = V
2
cc/8RL = PLacmax ..... (16)

Potencia para cualquier valor de Icm
PLac = (iLeff)
2
RL = (Icm/)
2
RL
PLac = (Icm)
2
RL/2...(15a)

POTENCIA ENTREGADA POR LA FUENTE (Pcc).

icc = corriente que circula por la fuente
Icc = Icmax/t valor medio de icc

Pcc = VccIcc = VccIcm/t ................(17)
La potencia mxima entregada por la fuente ocurre cuando:
Icm = Vcc/2RL
Luego:
Pccmax = V
2
cc/2tRL ..........(18)

POTENCIA DISIPADA EN COLECTOR (Pc).
Se puede observar que Q1 y Q2 solo disipan potencia en el semiciclo en el
cual conducen, ya que en el resto del ciclo la corriente a travs de ellos es
cero. Podemos plantear lo siguiente:

PCC = PC1 + PC2 + PL
la potencia disipada en cada colector es Pc; entonces:

2PC = PCC - PL



28
VALOR MXIMO DE Pc.
Dado que los transistores son dispositivos no lineales, Pcmax no tiene
porque ocurrir para Icm mxima. Hallamos entonces el valor Icm para el
cual ocurre la mxima disipacin de colector .

(dPc/dIcm) = (Vcc/2t) (2IcmRL/4) = 0

De donde:
Icm = Vcc/tRL ...............(20)

Reemplazando en (19) obtenemos:
Pcmax = V
2
cc/4t
2
RL ...............(21)

EFICIENCIA DEL CIRCUITO

q = PLac/Pcc = ((I
2
cmRL)/2)/ (VccIcm/ t ) (a)

En condiciones mximas, cuando: Icm = Vcc/2RL
Reemplazando en (a)

Max q = t/4 = 0.785
Max q en %= 78.5%

FIGURA DE MERITO F

F = Pcmax / PLmax (b)

(16) y (21) en (b) se tiene:
F = 1/5
Estos valores de q, F, como se recordar, son los mismos que se pueden
lograr tericamente con los amplificadores Push-Pull clase B.

En la experiencia ae utilizar un amplificador operacional para asegurar
que los transistores se polaricen con la misma tensin.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Transistor 2N3906 01 Generador de
01 Opamp LM741 01 Fuente de alimentacin

01 Resistor de 220, 1W 03 Puntas de prueba

01 Potencimetro de 10K 01 Protoboard


29
PROCEDIMIENTO:

Verifique las conexiones de las tensiones DC aplicadas al amplificador
operacional, antes de encender el circuito
- 12 V
R1
10K
+ 12 V
Q1
2N2222
-
+
LM741 3
2
6
7
4
R2
1K
R3
1K
RL
220
Vg
Q2
2N3906
E
B
R4
10K

Poner: Vg = 0
Mida la tensin en el punto E respecto a tierra:
VE = .......................

Mida la tensin en el punto B respecto a tierra:
VB = .......................

Mida la tensin en el pin 2 del 741:
V2 = .......................

Mida la tensin en el pin 3 del 741:
V3 = .......................

3.- Aplique la seal de entrada Vg con frecuencia de 1 KHz, Aumente Vg
hasta que se obtenga mxima excursin simtrica en la salida.

Vg =_______________ ; Vsalida = ____________

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E



30
4.- Con el nivel de Vg del paso 3 mida la respuesta en frecuencia del
circuito:

F
(Hz)
100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
Vsalida
(Vpico)

5.- Desconecte el resistor R4, de 10 K, del punto E y conctelo al punto B
Reduzca Vg para obtener en la salida 3 Voltios pico
Dibuje la forma de onda de salida.

Dibuje la forma de onda en el punto B.

INFORME PREVIO:


2.- Ajuste el voltaje del generador para lograr mxima excursin simtrica.


4.- Determine la mxima tensin de seal de salida; tambin las potencias
DC y AC que disipan todos los componentes. Determine tambin la
corriente total que consume el circuito.



31
5.- Conectando la resistencia de realimentacin de 10 K a la base de los
transistores en vez de a la salida, analice con el simulador la forma de
onda en la carga y comprela con la onda de entrada.

Por qu se distorsiona la onda de salida al aumentar la frecuencia?

simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Por qu la tensin pico de salida no llega a ser igual a la tensin de la
fuente?

3.- Por qu las tensiones en los pines 2 y 3 del operacional tienden a ser
iguales?

4.- Por qu la tensin de seal de salida est en fase con la entrada?

5.- Haga el grfico de la respuesta en frecuencia de la ganancia y
explique por qu tiene la forma medida?

6.- Qu conclusiones saca de las mediciones de las formas de onda en
los pasos (3) y (5)?



32
LABORATORIO N 3

REALIMENTACION NEGATIVA

OBJETIVO:
Estudio de los efectos de la realimentacin negativa

FUNDAMENTO TEORICO:
La realimentacin es, en general, un proceso que consiste en la
transferencia de energa presente en la salida de un sistema a la entrada
del mismo (o a otras entradas internas o subsiguientes). En el caso de los
circuitos electrnicos, consiste en tomar parte o toda la salida de corriente
o tensin que hay en la salida y llevarla a la entrada.
Este proceso puede realizarse de una manera externa o producirse por
efectos internos de los dispositivos y componentes empleados en el
circuito, como por ejemplo las capacidades parsitas . Es un proceso tan
fundamental en los circuitos electrnicos, como lo son la amplificacin y la
rectificacin. Adems de estar presente en muchsimos circuitos, es la base
del funcionamiento de los sistemas que emplean Amplificadores
Operacionales.

SISTEMA REALIMENTADO. DEFINICION DE TERMINOS:
Un sistema realimentado se puede representar por medio de
diagramas de bloques, como se muestra:
Xe
A
Xi M Xo
A
+/- Xf

Fig. 1

Donde:
A y B son las ganancias de transferencia directa de los bloques
respectivos.
A es la ganancia sin realimentacin.
B es la ganancia del sistema realimentador.
Af es la ganancia de transferencia directa del sistema realimentado
(ganancia con realimentacin o ganancia de lazo cerrado).


33
Xi es la variable de entrada (tensin o corriente) del sistema
realimentado. Proviene de una fuente externa.
Xo es la variable de salida del sistema realimentado (tensin o
corriente).
Xf es la variable de salida del sistema realimentador.
Xe es la variable de comparacin o error entre la variables Xi y Xf
M es el punto de muestreo de la variable de salida (punto de toma
de la variable a realimentar).
T es la ganancia de bucle. (T = AB)
En el diagrama anterior es importante tener en cuenta que se ha
asumido que los bloques son unilaterales en cuanto a sus entradas y
salidas, las cuales tienen los sentidos indicados por las flechas.

De la figura 1: Af = Xo/Xi (1)
Xf = Xi Xf (2)
A = Xo/Xe (3)
B = Xf/Xo (4)
(2) en (3): Xo = A(Xi Xf)

De (4) : Xo = A(Xi Bxo)
Xo = AXi ABXo
Xo -/+ ABXo = AXi
Xo(1 -/+ AB) = AXi

Por lo tanto: Xo/Xi = A / (1 -/+ AB)
De (1):
Af = A / (1 -/+ AB) = A / (1 T) (5)

Si A y B son funcines de la frecuencia, la expresin (5) se escribir como:

Af(jw) = A(jw) / (1 T(jw)) (6)

CLASES DE REALIMENTACION:
Se le puede clasificar como negativa o positiva.

REALIMENTACIN NEGATIVA O DEGENERATIVA:

Ocurre cuando la seal (o variable) de realimentacin produce una
disminucin de la seal o variable de salida. La expresin de la ganancia o
funcin de transferencia es:
Af = A / (1- T); donde: T < 0 (7)


34

En este caso se observa que Af < A; es decir, la realimentacin negativa
disminuye la ganancia. Adems, si se cumple AB >> 1 entonces: Af = 1 / B y
la ganancia con realimentacin se hace independiente de la ganancia
sin realimentacin. Si adems se hace a B independiente de la frecuencia,
Af tambin lo ser.

REALIMENTACIN POSITIVA O REGENERATIVA:

Ocurre cuando la seal (o variable) de realimentacin produce un
aumento de la seal o variable de salida. La expresin de la ganancia o
funcin de transferencia es:
Af = A / (1- T); donde: T > 0 (8)

En este caso se observa que Af > A; es decir, la realimentacin positiva
aumenta la ganancia.

CRITERIO DE BARHAUSEN ESTABILIDAD:
Si se est llevando a cabo una realimentacin positiva, puede llegar a
ocurrir la siguiente situacin:
De (8): Si 1 T = 0, entonces: Af = Xo / Xi =
Lo anterior significa que el sistema puede entregar una salida Xo an
cuando Xi = 0
Cuando el circuito acta de esta manera, recibe el nombre de oscilador.
En general, A, Af, T y B pueden depender de la frecuencia. Usando la
transformada de Fourier, lo anterior puede expresarse como:
( ) 1 0
o
T jw = Z

Entonces:
Si:
( ) 1 0
(8)
( ) 1 0
o
o
T jw oscila
T jw estable
> Z

`
< Z

)

Otra forma de escribir (8) es:
T(jw) = Re(T(jw)) + Im(T(jw)) =1 0 = 1 + j0



35
USOS DE LA REALIMENTACIN
La realimentacin se puede emplear para aprovechar los siguientes
efectos que produce:
1.- Altera las ganancias del amplificador al que se le aplique:
Ya se ha visto que la ganancia con realimentacin es dada con la
frmula:
Af = A / (1 T)
Donde: A = ganancia sin realimentacin.
T = ganancia de bucle.
Vemos que la ganancia sin realimentacin es dividida por la expresin (1
T) producida por el lazo de realimentacin.
2.- Alteracin de las impedancias de entrada y salida: Las
impedancias de entrada y de salida sin realimentacin son afectadas
tambin por la expresin (1 T). Pueden ser multiplicadas o divididas por
ella, segn la forma de realimentacin que se utilice.
3.- Reduccin de los disturbios internos: Esto puede notarse en el
siguiente diagrama de bloques donde ingresa un disturbio N(s)
+
Xe
A
Xi
N
M Xo
A2 A1
+
+/- Xf

La funcin de transferencia total es:

Af = [A2 / (1 T)] N + [A1A2 / (1 T)] Xi;
donde: T = - A1 A2 B
Vemos que el disturbio, N, ha sido reducido por el factor (1 T)
El disturbio interno puede ser producido por una fuente de alimentacin
mal filtrada.
4.- Reduccin de la distorsin no lineal: Esta distorsin es introducida
por los dispositivos empleados. La reduccin se logra generalmente


36
realimentando una distorsin contraria a la original de tal modo que
tienda a anularla.
5.- Reduccin de la distorsin de frecuencia: Comnmente la
ganancia disminuye al aumentar la frecuencia. Esto quiere decir que las
componentes de mayor frecuencia de la seal de entrada sern
amplificadas en menor medida que las bajas, producindose la distorsin
de frecuencia. La realimentacin negativa tiende a uniformizar la
ganancia para todas las componentes de frecuencia de la seal de
entrada, reduciendo esta distorsin.
6.- Estabilizacin de la ganancia (sensitividad): La funcin
sensitividad representa la fraccin o porcentaje de variacin producida
en Af por la variacin fraccional o porcentual de uno de sus parmetros
(x):

Af
X
S
= [d(Af)/Af]/[d(x)/x]=[x/Af]/ d(Af)/dx]

En el caso siguiente, con realimentacin negativa:
Af = [A / (1 T)] = A / (1 + AB)
Tendremos que:

Af
A
S
= [d(Af)/Af]/[d(A)/A]= 1/(1 + AB)=1/(1 T)

Se puede notar que al aumentar la realimentacin negativa, aumenta la
magnitud de T y se reduce la sensitividad de Af respecto a las variaciones
de A.
7.- Modificacin del ancho de banda (respuesta en frecuencia): A
manera de ejemplo, suponiendo una funcin de transferencia sencilla de
un solo polo:
A = K / (s + p).
El polo se tiene cuando s = -p; y el ancho de banda (BW) es definido por
el polo: BW = p.
Con realimentacin negativa:
Avf = A / (1 - T) = A / (1+ AB) = K / (s + (p + KB))
Vemos que el nuevo polo se ha incrementado en el trmino: KB; lo
que quiere decir que el ancho de banda ha aumentado.
8.- Estabilizacin del punto de operacin: Si realimentamos
negativamente las variaciones del punto de operacin por efecto de la
temperatura, dichas variaciones sern reducidas por la realimentacin.


37
FORMAS DE REALIMENTACIN
A continuacin representaremos los bloques del sistema realimentado en
forma de cuadripolos para describir las formas como puede hacerse la
realimentacin:

- SERIE PARALELO (ERROR DE TENSIN Y MUESTREO DE TENSIN):
A continuacin mostramos el esquema para este caso: El bloque B recibe
toda la tensin de salida, Vo, y entrega la tensin Vf para generar la
tensin de error, Ve, a la entrada del bloque A. En este caso, la
realimentacin hace que el circuito tienda a comportarse como un
amplificador de tensin ideal, es decir, elevar la impedancia de entrada,
reducir la impedancia de salida y disminuir la ganancia:
Avf = Av / (1-T); Zif = Zi (1 - T);
Zof = Zo / (1-T)
Donde:
Av = ganancia de tensin sin realimentacin.
Zi = impedancia de entrada sin realimentacin.
Zo = impedancia de salida sin realimentacin.
A
B
- - Vf +
+
Vg
+
Ve
-
RL
+
Vo
-

- SERIE SERIE (ERROR DE TENSIN Y MUESTREO DE CORRIENTE):
toda la corriente de salida, Io, y entrega la tensin Vf para generar la
tensin de error, Ve, a la entrada del bloque A. En este caso, la
amplificador de transconductancia ideal, es decir, elevar la impedancia
de entrada, elevar la impedancia de salida y disminuir la
transconductancia:
Gmf = Gm / (1-T); Zif = Zi (1 - T);
Zof = Zo (1-T)
Donde:
Gm = transconductancia sin realimentacin.


38
Zo =
impedancia de salida sin realimentacin.
- PARALELO SERIE (ERROR DE CORRIENTE Y MUESTREO DE CORRIENTE):
toda la corriente de salida, Io, y entrega la corriente If para generar la
corriente de error, Ie, a la entrada del bloque A. En este caso, la
amplificador de corriente ideal, es decir, reducir la impedancia de
entrada, elevar la impedancia de salida y disminuir la ganancia:
Aif = Ai / (1-T) ; Zif = Zi / (1 - T);
Zof = Zo (1-T)
Donde:
Ai = ganancia de corriente sin realimentacin.

- PARALELO PARALELO (ERROR DE CORRIENTE Y MUESTREO DE
TENSIN):
toda la tensin de salida, Vo, y entrega la corriente If para generar la
corriente de error, Ie, a la entrada del bloque A. En este caso, la
A
B
+
Ve
-
+
Vg
-
- Vf +
RL
Io
A
B
If
Ie
Ig
RL
Io


39
amplificador de transresistencia ideal, es decir, reducir la impedancia de
entrada, reducir la impedancia de salida y disminuir la ganancia:
Rmf = Rm / (1-T); Zif = Zi / (1 - T);
Zof = Zo / (1-T)
Donde:
Rm = transresistencia sin realimentacin.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Resistor de 5.6K 0.5W 01 Fuente de alimentacin

01 Resistor de 1K 0.5W 03 Puntas de prueba

02 Resistores de 10 K,0.5W 01 Protoboard
03 condensadores de 10Uf/16V

PROCEDIMIENTO:
A
B
If
Ig
Ie
RL
+
Vo
-


40
R1
10K
RE
100
R3
5.6K
Q1
2N2222
R2
10K
C1
10uF
+ 12 V
Ig
RC
1K
S1
+
Vo
-
C3
10uF
C2
10uF
+
Vg
-
R4
5.6K
+
Vi
-

Con S1 abierto, mida las tensiones DC en todos los nudos del circuito:

3.- Aplique la seal de entrada Vg con amplitud de 200 mVpp y
frecuencia de 1 KHz
A continuacin:
a) Con S1 cerrado mida la transrresistencia y la impedancia de entrada.
b) Con S1 abierto mida la transrresistencia y la impedancia de entrada.
La transrresistencia se define como: Rmf = Vo/Ig

La impedancia de entrada se halla con:Zif = Vg/Ig
Cmo har la medicin de Ig?

4.- Para cada uno de los pasos 3 a y 3 b , mida la respuesta en frecuencia
del circuito y la impedancia de entrada:
Recomendacin: Haga slo las mediciones de tensin y deje los clculos
para el informe..

F
(Hz)
20 100 200 1K 2K 5K 10K 20K 50K 70K 100K 150K
3 a Rm
3 a Zi
3 b Rmf
3 b Zif



41
INFORME PREVIO:


2.- Ajuste el voltaje del generador A 200 mVpp.


4.- Determine la corriente total que consume el circuito

5.- Determine la transrresistencia para:
a) S1 abierto;
b) S1 cerrado.

6.- Para cada uno de los casos del paso 5, determine las impedancias de
entrada y de salida mediante el simulador. En cada caso, de qu tipo es
la impedancia de entrada?

7.- Para cada uno de los casos del paso 5, determine la respuesta en
frecuencia. Comprelas entre s.

simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Indique la forma de realimentacin que se han hecho en el paso 3 del
experimento.

3.- Cul es el mtodo que ha empleado para medir la impedancia de
entrada? Explique el fundamento terico para ello.

4.- Cmo hara la medicin de la impedancia de salida?

5.- Haga el grfico de la respuesta en frecuencia de la transrresistencia
para cada caso. y explique por qu tiene la forma medida?

6.- Indique sus observaciones y conclusiones del experimento.



42
LABORATORIO N 4

OSCILADOR DE ROTACION DE FASE

OBJETIVO:
Estudio de las caractersticas de funcionamiento del oscilador sinusoidal
por rotacin de fase.

FUNDAMENTO TEORICO:

Para el estudio y diseo de osciladores sinusoidales se emplea el Criterio de
Barhausen:
Si: 1 T = 0, entonces: Af = Xo / Xi =
cuando Xi = 0, Cuando el circuito acta de esta manera, recibe el nombre
de oscilador. En general, A, Af, T y B pueden depender de la frecuencia.
Usando la transformada de Fourier, lo anterior puede expresarse como:

T(jw) = 1 0

Entonces:
Si: T(jw) 1 0 Oscila

Otra forma de escribir lo anterior es:
T(jw) = Re(T(jw)) + Im(T(jw)) = 1 + j0
Al igualar 1 la parte real de la ganancia de bucle, obtenemos los
requerimientos que debe cumplir la ganancia del circuito para que se
inicien las oscilaciones.
Al igualar 0 la parte imaginaria de la ganancia de bucle, obtenemos la
frecuencia a la que oscilar el circuito.
En el siguiente grfico mostramos un oscilador de rotacin de fase tpico:


43
R1
VCC
RC
Q

C
R2
R R
CE
P
C
RE
C

El transistor ser reemplazado por su modelo simplificado con parmetros
hbridos para analizarlo con pequea seal y determinar los requisitos que
debe cumplir para que se inicien las oscilaciones.
El modelo equivalente es el siguiente:
RB
C
P
C

ib
hie RC R R
hf e ib
C

Este modelo se adapta para hallar la ganancia de bucle:
RB
C
+
xo
-
RB
P C

ib
hie RC
xo
R R
hf e ib
hie
C

La ganancia de bucle se halla con la siguiente relacin:

T = xo/xo

Efectuando el anlisis con la teora de circuitos obtenemos:

T(s) =[-hfeRB/(RB+hie]/[3+R/RC+4/RCs+6/RCCs +

5/RRCC
2
s
2
+ 1/R
2
RCC
3
s
3
]

Aplicando el criterio de Barkhausen en el estado estacionario obtenemos:


44
wo = (1/RC)/(6 + 4RC/R)
0.5

R/RC (hf 23)/58 + [((hf 23)/58)
2
4/29]
0.5

Donde:
hf = hfe RB/(RB + hie) > 44.6

y RB = R1//R2

Las anteriores relaciones nos permiten hallar la frecuencia de oscilacin y
el requisito de ganancia para que se inicien las oscilaciones. Estos
resultados son aproximados debido a que slo se est considerando el
modelo simplificado del transistor.

MATERIAL Y EQUIPO:
01 Resistor de 5.6K 0.5W 01 Fuente de alimentacin
01 Resistor de 1K 0.5W 03 Puntas de prueba
02 Resistores de 10 K,0.5W 01 Protoboard
01 Resistor de 15 K, 0.5W
01 Resistor de 91 K, 0.5W
01 Potenciometro 10k
03 condensadores de 100nf/50V
01 Condensador electroltico de 100uF, 16V

PROCEDIMIENTO:
1.- Ensamble el siguiente circuito

C4
100nF
C2
100nF
C1
100nF
R7
10k 55%
+
C3
100uF
Q1
2N2222
+
-
Vcc1
12V
R4
10k
R3
10k
R1
91k
R2
15k
R5
5.6K
R6
1k



45
Desconecte el potencimetro para que el circuito no oscile y mida las
tensiones DC en la base, colector y emisor del transistor respecto a la
referencia.

VB =................. VC = .................

VE = .....................

3.- Conecte el potencimetro y ajuste su valor hasta que se inicien las
oscilaciones con la menor distorsin posible.
Anote los valores pico en la base y en el colector:

VB = ............... ; VC = ...............

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E

Mida la frecuencia de oscilacin. ___________________

4.- Con la seal presente, mida nuevamente las tensiones DC en la base,
colector y emisor del transistor respecto a la referencia.

VB =................. VC = ................

VE = ......................
INFORME PREVIO:



3.- Determine la corriente total que consume el circuito y la potencia que
disipa cada componente.

3.- Determine la tensin de seal de salida y su frecuencia.

4.- Cmo vara la amplitud y la frecuencia de oscilacin cuando el
potencimetro es variado entre el 1% y el 99% de su valor?


46

simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Qu diferencias observa entre las mediciones DC con sin seal y con
seal? Cmo explica esas diferencias?

3.- Cmo explica que la tensin de seal tenga el nivel medido?

4.- Qu mecanismos hay para controlar la amplitud de la oscilacin?

5.- Por qu las mediciones tienden a cambiar cuando se cambia el
transistor?

6.- Qu conclusiones saca de las mediciones efectuadas?



47
LABORAOTRIO N 5

OSCILADOR COLPITTS

OBJETIVO:
tipo Colpitts.

FUNDAMENTO TEORICO:

Barhausen:
cuando Xi = 0
T(jw) = 1 0
Entonces:

T(jw) = Re(T(jw)) + Im(T(jw)) = 1 + j0
Este es otro de los osciladores sinusoidales ms conocidos. Se le emplea en
alta frecuencia. Su seal de salida tiene menor distorsin y es ms estable
que la del de rotacin de fase. Se le puede mejorar ms cuando se le
emplea con cristal piezoelctrico (en este caso recibe el nombre de
oscilador Pierce)
En la figura siguiente se muestran variantes de este circuito.


48
Podemos observar que los elementos que determinan la frecuencia de
oscilacin son dos condensadores y una bobina, los que forman el circuito
tanque, que es el encargado de dar la selectividad necesaria.
Debido a que las oscilaciones se inician en pequea seal, podemos
utilizar los modelos lineales del transistor para obtener la ganancia de
bucle y hallar las ecuaciones que nos darn la frecuencia de oscilacin y
los requerimientos de ganancia para que se inicien las oscilaciones. Las
caractersticas no lineales del transistor determinarn la amplitud de salida.

-VCC
RF CH
Q
Salida
RE
Q
RE
L
C1
C2
Q
C) Configuracin en emisor
comn con choke de RF
y alimentacin simple
+VCC
R2
+VCC
C1
RL
C3
RE
Salida
R1
RC
C2
R2
Salida
A) Configuracin en base
comn con alimentacin
simtrica
B) Configuracin en
emisor comn con
alimentacin simple
C3
R1
L
+VCC
C4
L
C4
C1
C2

Analizaremos el circuito de la figura B utilizando el modelo simplificado de
parmetros pi-hbridos del transistor. Un criterio similar se puede emplear
para el circuito de la figura A, teniendo en cuenta que est en la
configuracin de base comn.

El modelo equivalente para seal, para hallar la ganancia de bucle, es el
siguiente:
Q
Vbe
Rb
gm Vbe
R
+
Vbe
-
Rb rx C2
R = Rb // rx
RC
C3
C
C2
L L
RC
C = C3 + Cx

Aqu tambin es conveniente abrir el lazo por la zona de base para
obtener un modelo ms sencillo.
A partir del modelo equivalente podemos determinar la ganancia de
bucle:
T(s) = Vbe / Vbe
T(s) = (-gmRCR)/[RRCCC2Ls
3
+L(RC + RCC2)s
2
+ (L +
RRCC2 + RRCC)s + R + RC]
En el estado estacionario:


49
T(jw) = (-gmRCR)/[R+RC-L(RC + RCC2)w
2
+ j w (L +
RRCC2 + RRCC - RRCCC2Lw
2
)
Aplicando el criterio de Barkhausen:
L + RRCC2 + RRCC - RRCCC2Lw
2
= 0
(- gmRCR)/[R+RC-L(RC + RCC2)w
2
) > 1
Y obtenemos la expresin para la frecuencia de oscilacin:
wo = [(L + RRCC2 + RRCC)/( RRCCC2L)]
1/2

y el requisito de ganancia:
(gmRC//R) > [L(RC + RCC2)/ (R+RC)]wo
2
- 1
MATERIAL Y EQUIPO:

01 Resistor de 5.6k, 0.5W 01 Generador de
01 Resistor de 1K 0.5W 01 Fuente de alimentacin
01 Resistor de 15 K, 0.5W 03 Puntas de prueba
01 Resistor de 91 K, 0.5W 01 Protoboard
02 condensadores de 10nf/50V
01 Bobina variable 0.5 a 0.8 uH

PROCEDIMIENTO:

L1
0.7uH
+
C4
10uF
+
C1
10uF
Q1
NPN
C3
10nF
+
-
Vs1
12V
C2
10nF
R3
15k
R1
91k
R4
1k
R2
5.6k



50
2.- Haga las mediciones en continua con el multmetro: Desconecte el
condensador C4 para que el circuito no oscile y mida las tensiones DC en
la base, colector y emisor del transistor respecto a la referencia.
VB =_________; VC = _________; VE = ___________

3.- Reconecte el condensador y verifique que se inician las oscilaciones.
Mida las seales con el osciloscopio.
Anote los valores pico en la base y en el colector:
VB = __________; VC = ___________

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E. Con el osciloscopio, mida la
frecuencia de oscilacin.


VB =__________; VC = _________; VE = ___________
5.- Ajuste la bobina a sus valores mximo y mnimo y mida en cada caso la
amplitud y frecuencia de salida.

INFORME PREVIO:



3.- Determine tambin la corriente total que consume el circuito y la
potencia que disipa cada componente.

4.- Determine la frecuencia de oscilacin y la amplitud de salida.

5.- Cmo varan la amplitud y la frecuencia si se duplica el valor de la
inductancia?

simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Qu diferencias observa entre las mediciones DC sin seal y con



51
3.- Qu mecanismos hay para controlar la amplitud de la oscilacin?

4.- Por qu las mediciones tienden a cambiar cuando se cambia la
inductancia?




52
LABORATORIO N 6

OSCILADOR HARTLEY

OBJETIVO:
tipo Hartley.

FUNDAMENTO TEORICO:
Barhausen:
cuando Xi = 0
T(jw) = 1 0
Entonces:

T(jw) = Re(T(jw)) + Im(T(jw)) = 1 + j0

OSCILADOR HARTLEY: El oscilador Hartley es otro de los osciladores
sinusoidales de alta frecuencia ms conocidos. A continuacin se
muestran algunas versiones de este circuito:


53
L
Q
R2
Cb
L
Q
VCC
C
L
CH
R1
C
L
Cb
VCC
Cb
Rb

MATERIAL Y EQUIPO:
01 Resistor de 220k, 0.5W 01 Fuente de alimentacin
02 Bobina variable 0.7uH 02 Puntas de prueba
01 condensadores de 1uF/16V 01 Protoboard
01 Condensador electroltico de 100nF, 50V

PROCEDIMIENTO:
L2
0.7uH
L1
0.7uH
Q1
2N2222
+
-
Vcc
12V
C1
100nF
C2
1uF
R1
220k

2.- Haga las mediciones en continua con el multmetro: Desconecte el
condensador C2 para que el circuito no oscile y mida las tensiones DC en
la base, colector y emisor del transistor respecto a la referencia.
VB =____________; VC = __________; VE = ____________

3.- Reconecte el condensador C2 y verifique que se inician las
oscilaciones.
Mida las seales con el osciloscopio.
Anote los valores pico en la base y en el emisor:


54

VB = ____________; VE = _______________

Dibuje las formas de onda en los puntos B y E. Con el osciloscopio, mida la
frecuencia de oscilacin.


VB =___________; VC = _________; VE = ___________

5.- Ajuste la bobina L2 a sus valores mximo y mnimo y mida en cada caso
la amplitud y frecuencia de salida.

INFORME PREVIO:


Determine tambin la corriente total que consume el circuito y la

3.- Determine la frecuencia oscilacin y la amplitud de salida.

4.- Cmo varan la amplitud y la frecuencia si se duplica el valor de la
inductancia L2?

simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Qu diferencias observa entre las mediciones DC sin seal y con

3.- Cmo explica que la tensin de seal tenga el valor medido y no una
mayor o menor?

4.- Por qu las mediciones tienden a cambiar cuando se cambia la
inductancia?



55
LABORATORIO N 7

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

OBJETIVO:
Estudio de las caractersticas de funcionamiento del amplificador
diferencial.

FUNDAMENTO TEORICO:
El amplificador diferencial es uno de los circuitos analgicos ms
importantes y se caracteriza porque su salida es proporcional a la
diferencia de las seales de entrada, es decir:
Vs = Ad (V1 V2)
Ad es la ganancia en modo diferencial
V1 y V2 son las seales de entrada.
La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin
embargo, los A.D. reales presentan una salida dada por la ecuacin
siguiente:
Vs = Ad (V1 V2) + Ac (V1 + V2) / 2
Ac es la ganancia en modo comn y generalmente se busca que sea lo
ms pequea posible. Idealmente debera ser cero.
Se define:
Modo diferenial = Vd = V1 V2
Modo comn = Vc = (V1 + V2) / 2
Debe indicarse que el modo comn no est formado solamente por el
promedio de las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no
deseada (ruido, interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez.
Si ello sucede, el amplificador tender a elminarlas de su salida.
Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a
eliminar las seales no deseadas que se presenten en sus entradas.
Para efectuar el anlisis del circuito se expresan las seales de entrada
mediante el modo comn y el modo diferencial.
V1 = Vc + Vd / 2
V2 = Vc - Vd / 2

Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de
cuadripolo lineal del transistor.


56
Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no
lineal del transistor (por ejemplo, las ecuaciones de Ebers Moll).

FACTOR DE RECHAZO AL MODO COMUN (CMRR):
Este es un parmetro muy til para saber la calidad del A.D. Se le define
como:
CMRR = |Ad| / |Ac|
Tambin se acostumbra expresarlo en decibeles:

CMRRdb = 20 log(|Ad| / |Ac|)

Idealmente el CMRR debe ser infinito.
En un A.D. real conviene que sea lo ms alto Posible.
La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para
conseguir una ganancia en modo comn muy pequea y, por tanto, un
alto factor de rechazo al modo comn.
En el circuito de la experiencia, el transistor Q3 es usado como fuente de
corriente constante.
C2
100uF
R8
220K
C3
100uF
RC
1K
R4
220
R5
10K
RC
1K
R9
1K
R1
1K
+ 12 V
R6
4.7K
Q1
2N2222
R3
1K
Q3
2N2222
Q2
2N2222
C1
100uF
R7
220K
R2
100
Vg

ANALISIS CON PEQUEA SEAL:
Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo
diferencial y en modo comn para pequea seal. Utilizaremos el modelo
de parmetros hbridos simplificado. El circuito equivalente es el mostrado
en la siguiente figura


57
La fuente de corriente continua se hace cero para seal lo que queda es
su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en AC que
ofrece la fuente de corriente.
Rc
Rb
ib2
-
Vd/2
+
Rb
hie
Vs1 Vs2
hie
hf e ib1
+
Vd/2
-
Z(1+hf e)
Ve
+
Vc
-
+
Vc
-
ib1
hf e ib2
Rc

Para simplificar el circuito hemos utilizado las tcnicas de transformacin
de fuentes del anlisis de la teora de circuitos.
Adicionalmente, se han representado las seales de entrada (V1 y V2)
mediante el modo comn (Vc) y el modo diferencial (Vd).
Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposicin y hallaremos la
ganancia en modo diferencial haciendo cero la seal en modo comn
(Vc = 0); luego hallaremos la ganancia en modo comn haciendo cero la
seal en modo diferencial (Vd = 0)

Ganancia en modo diferencial: Aplicando superposicin, se hace cero el
modo comn (Vc = 0) y, debido a la simetra, la tensin Ve es cero y este
nudo se comporta como tierra virtual (porque su voltaje es cero sin estar
conectado a tierra)
Para el modo diferencial: ib1 = Vd/(2hie)
Ib2 = -Vd/(2hie)
1) A continuacin:
Vs1 = - hfe Rc ib1 = - [(hfe Rc) / (2hie)] Vd
Luego: Ad1 = - hfe Rc / 2hie


58
Ad1 es la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida
desbalanceada en el colector de Q1
2) Si tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2:
Vs2 = - hfe Rc ib2 = + [(hfe Rc) / (2hie)] Vd
Luego: Ad2 = + hfe Rc / 2hie
Aqu vemos que la salida est en fase con el modo diferencial y Ad2 es la
ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada
en el colector de Q2.
3) Si tomamos la salida balanceada entre los colectores de Q1 y Q2:
Vs1 Vs2=-hfe Rc ib1+hfeRc ib2=-[(2hfe Rc/(2hie)]Vd
Luego: Ad12 = - hfe Rc / hie
Aqu vemos que la salida es el doble que en los casos anteriores y Ad12 es
la ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada
entre los colectores de Q1 y Q2.

Impedancia de entrada en modo diferencial:
En el circuito de entrada vemos que para el modo diferencial:
Zid = 2 (Rb//hie)

Ganancia en modo comun: Aplicando superposicin, se hace cero el
modo diferencial (Vd = 0) y vemos que en este caso la tensin Ve no es
cero (para el modo comn no es tierra virtual).
Para el modo comn: ib1 = Vc/(hie + 2(1+hfe)Z)
Ib2 = Vc/(hie + 2(1+hfe)Z)
1) A continuacin:
Vs1 = - hfe Rc ib1 = -[(hfeRc)/(hie+2(1+hfe)Z) Vc
Luego: Ac1 = - hfe Rc / (hie + 2(1+hfe)Z)
Ac1 es la ganancia en modo comn cuando tomamos la salida
desbalanceada en el colector de Q1. Vemos que depende inversamente
de la impedancia en AC de la fuente de corriente. Si esta impedancia es
muy elevada, podemos minimizar la ganancia en modo comn.
2) Si tomamos la salida desbalanceada en el colector de Q2:
Vs2 = - hfe Rc ib2 = -[(hfe Rc)/(hie + 2(1+hfe)Z)Vc
Luego: Ac2 = - hfe Rc / (hie + 2(1+hfe)Z)


59
Aqu vemos que la salida es igual en amplitud y signo que en el colector
de Q1 e, igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos
minimizar la ganancia en modo comn.
3) Si tomamos la salida balanceada entre los colectores de Q1 y Q2:
Vs1 Vs2 = - hfe Rc ib1 + hfe Rc ib2 = 0
Luego: Ac12 = 0

Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos
disminuir ms la ganancia en modo comn (idealmente se hace cero).

Impedancia de entrada en modo comun:
En el circuito de entrada vemos que para el modo comn:
Zic = (Rb// (hie + (1 + hfe) Z)

Vemos que si deseamos tener una alta impedancia de entrada en modo
comn Rb debe ser elevado o no debemos colocar esta resistencia.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Resistor de 220, 0.5W 01 Fuente de alimentacin
01 Resistor de 100, 0.5w 01 Generador de Funciones
05 Resistor de 1k, 0.5W 03 Puntas de prueba
01 Resistor de 4.7k, 0.5kW 01 Protoboard
01 Resistor de 10k, 0.5W
02 Resistor de 220k,0.5W

PROCEDIMIENTO:



60
C2
100uF
R8
220K
C3
100uF
RC
1K
R4
220
R5
10K
RC
1K
R9
1K
R1
1K
+ 12 V
R6
4.7K
Q1
2N2222
R3
1K
Q3
2N2222
Q2
2N2222
C1
100uF
R7
220K
R2
100
Vg

2.- Mediciones en DC usando el multmetro:
Haga: Vg = 0
Mida la tensin en cada nudo del circuito.

3.- Conecte el osciloscopio a la salida y aplique Vg = 200 mVp-p.
Anote los valores pico en la entrada y de las tres formas de salida:

Vi = ___________; Vs(colector1)= _____________

Vs(colector2)= _____________; Vs(colectores 1y2)=_________

circuito:

F
(Hz)
100 500 1K 2K 5K 10K 20K 30K 50K 70K 100K
Vsalida
(Vpico)

5.- Mida la relacin de fases entre las salidas desbalanceadas en el
colector 1 y en el colector 2

INFORME PREVIO:



61

2.- Determine los voltajes continuos en todos los nudos del circuito..

3.- Determine los puntos de operacin de los transistores.

4.- Determine la ganancia de tensin del circuito


simulador.

INFORME FINAL:

experimentales.

2.- Por qu las salidas desbalanceadas estn desfasadas?

3.- Por qu es posible evitar que los transistores se saturen? Qu ventaja
tiene ello?

4.- Haga el grfico de la respuesta en frecuencia y determine hasta dnde
llega el rango de frecuencias bajas y dnde empieza el rango de
frecuencias altas?

5.- Haga una lista de sus observaciones y conclusiones



62
LABORATORIO N 8

OSCILADOR PUENTE DE WIEN

OBJETIVO:
puente de wien con opamp.

FUNDAMENTO TEORICO:
Este tipo de oscilador emplea una red tipo puente, de tal forma que su
funcin de transferencia produce un par de polos complejos con un alto
factor de calidad, Q, lo cual permite una buena estabilidad de la
frecuencia. Este tipo de circuito se usa cuando se quiere variar la
frecuencia en un rango amplio conservando una onda con baja distorsin
y buena estabilidad, sin emplear bobinas. Comnmente tiene una
capacidad de variacin de su frecuencia, de 10 1 y puede trabajar en
rangos de frecuencias comprendidos aproximadamente entre 2Hz y
10MHz.
Estos osciladores contienen tres elementos principales:
- Un circuito tipo puente
- Un amplificador lineal
- Un circuito o elemento que balancee el puente
Los beneficios de este tipo de circuito son obtenidos slo si se le mantiene
tan cercano como sea posible al balance.
A continuacin se muestra un esquema bsico
R4
R3 R1
R2
C2
C1
-
+

La frecuencia de oscilacin de obtiene con:
o = 1/(R1R2C1C2)
1/2

Para su construccin se pueden emplear FET, amplificador operacional,
etc. En baja frecuencia es preferible usar amplificadores diferenciales con
FET de manera que tenga alta ganancia con alta impedancia de entrada
para que no cargue al puente.


63
Analizaremos el circuito de la experiencia:
C2
0.1uF
- 12V
+ 12V
R2
22K
R1
22K
+
Vo
-
P1
100K
C1
0.1uF
-
+
UA
LM741
3
2
6
4
7
R3
22K

Obtendremos la ganancia de bucle abriendo el lazo por la salida ya que
ella se comporta como una fuente de tensin y la impedancia de salida
es pequea. Emplearemos el siguiente modelo:
R3 V+
R2
+
Vo
-
C2
+
Vo
-
C1
P1
R1
-
+

Empleando la ecuacin de ganancia del amplificador no inversor
obtenemos:
Vo = (1+P1/R1)V
+
Ahora determinamos V
+
en funcin de V:

V
+
= V (R2C2 s)/[R2R3C1C2 s
2
+ (R2C1 + R2C2 + R3C2) s + 1]

Finalmente obtenemos la ganancia de bucle:
T = Vo/V = (1+P1/R1)(R2C2 s)/[R2R3C1C2 s
2
+ (R2C1 +
R2C2 + R3C2) s + 1]

En el estado estacionario, aplicamos el criterio de Barkhausen:


64

T = Vo/V =(1+P1/R1)(R2C2 )/[R2R3C1C2 j +(R2C1 + R2C2 +
R3C2) + 1/j]

Segn el criterio, la parte imaginaria debe ser cero:
R2R3C1C2 j + 1/j =0

De aqu obtenemos la frecuencia de oscilacin:
o = 1/[ R2R3C1C2]
1/2

Y la parte real debe ser igual o mayor que 1:
(1+P1/R1)(R2C2 )/[R2C1 + R2C2 + R3C2] 1

En nuestro experimento se cumple:R2 = R3 y C1 = C2

Luego: (1+P1/R1)/3 1

De donde se obtiene: P1/R1 2 Para que se inicien las oscilaciones

MATERIAL Y EQUIPO:
01 OPAMP LM741 01 Osciloscopio
01 Potencimetro de 100k,0.5W 02 Puntas de prueba
02 condensadores cermico
0.1uF/50V
01 Protoboard
PROCEDIMIENTO:

- 12 V
C2
0.1uF
C1
0.1uF
R1
22K
+
Vo
-
P1
100K
R2
22K
+ 12 V
R3
22K
-
+
LM741
3
2
6
4
7



65
PONGA ESPECIAL CUIDADO AL CONECTAR LAS FUENTES DE ALIMENTACIN:

Pin 7 : + 12 Vdc Pin 4 : - 12 Vdc
2.- Encienda el circuito y mida, con el osciloscopio, la forma de onda y el
nivel DC presente en la salida
Amplitud del pico positivo: .........................................
Amplitud del pico negativo: ........................................
Perodo de la onda: .........................................
Frecuencia: ..........................................

NOTA Si las oscilaciones no se inician, aumente el potencimetro para que
comiencen con la menor distorsin posible.

3- Mida, con el osciloscopio, los niveles de seal de entrada en los pines 2 y
3.

4.- Apague el circuito y mida el valor ajustado en el potencimetro.
Igualmente, mida los valores de los dems componentes para verificar sus
clculos tericos.

INFORME PREVIO:



3.- Determine la corriente total que consume el circuito y la potencia que
disipa cada componente.

3.- Determine la tensin de seal de salida y su frecuencia.

4.- Cmo vara la amplitud y la frecuencia de oscilacin cuando el
potencimetro es variado entre el 1% y el 99% de su valor?

simulador.



66
INFORME FINAL:

1.- Haga una tabla comparando los valores tericos con los
experimentales y explique las razones de las diferencias que hubieren.

2.- Busque un mtodo para determinar tericamente la amplitud de las
oscilaciones.

3.- Cmo construira un oscilador de este tipo empleando slo un
transistor?




67
LABORATORIO N 9

FILTRO ACTIVO PASA BAJO

OBJETIVO:
Estudio del amplificador operacional como filtro activo pasa bajo y
medicin de su respuesta en frecuencia.

FUNDAMENTO TEORICO:
Los filtros activos se caracterizan por tener la posibilidad de tener una
ganancia mayor que la unidad, adems de seleccionar el rango de
frecuencias.
El amplificador operacional permite explotar ms fcilmente estas
caractersticas, adems de conseguirse un tamao reducido del filtro. Con
l, un mtodo de diseo consiste en emplear simultneamente
realimentacin negativa y positiva, manteniendo un comportamiento
lineal, como es el caso del circuito de la experiencia.
Para su estudio y diseo debemos obtener su funcin de transferencia y lo
haremos para el circuito de la experiencia:
R
3K3
C
0.1uF
+ Vcc
- Vcc
C
0.1uF
+
Vo
-
Vi
V+
R
3K3
V
R1
10K
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R2
10K

La tensin de salida la podemos hallar en funcin de V
+
empleando la
ecuacin de ganancia del amplificador no inversor:
Vo = (1 + R2/R1)V
+
= A V
+

A = (1 + R2/R1)
A continuacin hallamos V en funcin de Vi y Vo
En el nudo V
+
:
(V
+
- Vi)/R + s C(V
+
- V) = 0

De aqu: V = [(1 + RC s)/(ARC s)]Vo - Vi/(RC s)


68

En el nudo V:
(V - V
+
)C s + V C s + (V Vo)/R = 0

De aqu: V(2RC s + 1) = (RC s)V
+
+ Vo
Reemplazando V y despejando la funcin de transferencia:
2 2 2
A(1+2RCS)
H(S)=
R C S +(3-A)RCS+1

El denominador de la funcin de transferencia corresponde a la ecuacin
diferencial en el dominio del tiempo y podemos identificar la frecuencia
natural y el factor de atenuacin:
frecuencia natural: o = 1/RC
factor de atenuacin : = (3 A)/2RC
Factor de calidad: Q = o/2 = 1/(3 - A)
Relacin de amortiguacin: = /o = (3 - A)/2

Si queremos una respuesta sub amortiguada con poco sobreimpulso,
podemos elegir una relacin de amortiguacin cercana a 0.7,
requeriremos de una ganancia A = 1.6

MATERIAL Y EQUIPO:

02 Resistor de 5.6k, 0.5W 01 Generador de funcin
02 Resistores de 10k,0.5W 01 Fuente de alimentacin
0.1uF/50V
03 Puntas de prueba
01 Protoboard

PROCEDIMIENTO:


69
- 12 V
C1
0.1uF
+
Vi
-
C2
0.1uF
+
Vo
-
R1
10K
R2
10K
R3
5.6K
+ 12 V
R3
5.6K
-
+
LM741
3
2
6
4
7

Ponga especial cuidado al momento de conectar las tensiones de
alimentacin:
Pin 7 : + 12 Vdc Pin 4 : - 12 Vdc

2.- Ajuste el voltaje del generador a Vi = 1 voltio pico, con frecuencia de 1
KHz, onda sinusoidal.

3.- Vare la frecuencia del generador y mida el voltaje de salida en cada
caso y anote los resultados en la tabla tabla siguiente. Tambin determine
la ganancia de tensin para cada caso:
F
(Hz)
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 1K 2K 5K 10K
Vo
Av

4.- Mida la frecuencia correspondiente al punto de media potencia.
Cul es el ancho de banda del filtro?

5.- Apague el circuito y mida con el multmetro el valor real de los
componentes para verificar sus clculos tericos.

INFORME PREVIO:




70

3.- Determine la respuesta en frecuencia y la frecuencia de corte en el
punto de media potencia.

4.- Cmo vara la amplitud y la frecuencia de corte si se duplica la
ganancia del amplificador?

simulador.

INFORME FINAL:


2.- Halle los diagramas de Bode empleando MATLAB.




71
LABORATORIO N 10

FILTRO ACTIVO PASA BANDA

OBJETIVO:
Estudio del amplificador operacional como filtro activo pasa banda y
medicin de su respuesta en frecuencia.

FUNDAMENTO TEORICO:
Los filtros activos se caracterizan por tener la posibilidad de tener una
ganancia mayor que la unidad, adems de seleccionar el rango de
frecuencias.
El amplificador operacional permite explotar ms fcilmente estas
caractersticas, adems de conseguirse un tamao reducido del filtro. Con
l, un mtodo de diseo consiste en emplear simultneamente
realimentacin negativa y positiva, manteniendo un comportamiento
lineal, como es el caso del circuito de la experiencia.
Para su estudio y diseo debemos obtener su funcin de transferencia y lo
haremos para el circuito de la experiencia:
V
R
3K3
C
0.1uF
+ Vcc
- Vcc
+
Vo
-
Vi
V+
R
3K3
R1
10K
C
0.1uF
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R2
10K

La tensin de salida la podemos hallar en funcin de V
+
empleando la
ecuacin de ganancia del amplificador no inversor:

Vo = (1 + R2/R1)V
+
= AV
+

A = 1 + R2/R1
A continuacin hallamos V en funcin de Vi y Vo

En el nudo V
+
:
(V
+
- Vi)/R + s C(V
+
- V) = 0
De aqu: V = (1/A)[(1 + RC s)/(RC s)]Vo - Vi/(RC s)

En el nudo V:
(V -V
+
)C s + (V - Vi)C s + (V Vo)/R = 0


72
De aqu:V(2 RC s + 1) = Vo[(RC s)/A + 1] + Vi(RC s)

Reemplazando V y despejando la funcin de transferencia:

Vo A[R
2
C
2
s
2
+ 2RC s + 1]
H(s) = --- = -------------------------
Vi R
2
C
2
s
2
+ (3 A)RC s + 1

El denominador de la funcin de transferencia define la ecuacin
diferencial en el dominio del tiempo y podemos identificar los siguientes
parmetros:
frecuencia natural: o = 1/RC
factor de atenuacin : = (3 A)/2RC
Factor de calidad: Q = o/2 = 1/(3 - A)
Relacin de amortiguacin: = /o = (3 - A)/2

La frecuencia natural define la frecuencia central de sintona del filtro
Podemos hacer ms selectivo al filtro aumentando su factor de calidad.
Ello lo logramos cuando ajustamos la ganancia del amplificador a un valor
cercano a 3. El ancho de banda (en radianes/segundo) a 3 db se puede
hallar con la relacin:
BW = 2 = (3 A)/RC

MATERIAL Y EQUIPO:

02 Resistor de 10k, 0.5W 01 Generador defunciones
02 Resistores de 3.3k,0.5W 01 Fuente de alimentacin
0.1uF/50V
03 Puntas de prueba
01 Protoboard
PROCEDIMIENTO:



73
- 12 V
C
0.1uF +
Vi
-
+
Vo
-
V+
R1
10K
C
0.1uF
R2
10K
R
3.3K
+ 12 V
R
3.3K
-
+
LM741
3
2
6
4
7

alimentacin:
Pin 7 : + 12 Vdc Pin 4 : - 12 Vdc

2.- Ajuste el voltaje del generador a Vi = 1 voltio pico, con frecuencia de 1
KHz, onda sinusoidal.

3.- Vare la frecuencia del generador y mida el voltaje de salida en cada
caso y anote los resultados en la tabla tabla siguiente. Tambin determine
la ganancia de tensin para cada caso:

F
(Hz)
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 1K 2K 5K 10K
Vo
Av

4.- Mida la frecuencia correspondiente a los puntos de media potencia.
Cul es el ancho de banda del filtro?

5.- Apague el circuito y mida con el multmetro el valor real de los
componentes para usarlos en sus clculos tericos.

INFORME PREVIO:





74
3.- Determine la respuesta en frecuencia y el ancho de banda definido
por los puntos de media potencia.

4.- Cmo vara la amplitud y las frecuencias de corte si se duplica la
ganancia del amplificador?

simulador.

INFORME FINAL:






75
LABORATORIO N 11

FILTRO ACTIVO PASA TODO O DESFASADOR

OBJETIVO:

Estudio del amplificador operacional como filtro activo pasa banda o
desfasador y medicin de su rango de desfasaje con la frecuencia.

FUNDAMENTO TEORICO:

El filtro pasa todo, como su nombre lo indica, debe dejar pasar todas las
frecuencias. En los circuitos reales, este comportamiento est limitado por
las caractersticas de respuesta en frecuencia del amplificador. Su
caracterstica ms til es que puede desfasar un ngulo entre 0 y a180.
Para ilustrar ello, analizaremos el circuito de la experiencia:

R3
10K
C
0.1uF
+ Vcc
- Vcc
+
Vo
-
Vi
V+
R1
22K
P
10K
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R2
22K

La seal de entrada ingresa tanto por la entrada inversora como por la no
inversora. Como el circuito funciona en forma lineal, podemos aplicar
superposicin y las ecuaciones de las ganancias como amplificador
inversor y no inversor:



76
Luego: Vo = - (R2/R1) Vi + (1 + R2/R1)V
+

Ahora hallamos V
+
en funcin de Vi:

V
+
= [(R3 + P)C s]/[1 + (R3 + P)C s]

Hallamos la funcin de transferencia reemplazando V
+
en la expresin de
Vo

(R2/R1)[(R3 + P)RC s 1]
H(s) = ---------------------------
(R3 + P)C s + 1

En el estado estacionario, la fase es dada por la expresin:

= 180 2arctan[(R3 + P)C

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Resistor de 10k, 0.5W 01 Generador de funciones
02 Resistor de 22k,0.5W 01 Fuente de alimentacin
01 Potenciometro de 10k 03 Puntas de prueba
0.1uF/50V

01 Protoboard

PROCEDIMIENTO:



77
R3
10K
C
0.1uF
+ Vcc
- Vcc
+
Vo
-
Vi
V+
R1
22K
P
10K
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R2
22K

alimentacin:
Pin 7 : + 12 Vdc
Pin 4 : - 12 Vdc

2.- Ponga el generador con onda sinusoidal, frecuencia de 60 Hz y
amplitud de 2 voltios pico y conctelo a la entrada del circuito.

3.- Ajuste el potencimetro para obtener un desfasaje de 120 grados en la
seal de salida.

4.- Encienda el osciloscopio y ponga el canal 1 con la entrada (Vi) y el
canal 2 con la salida (Vo).

5.- Llene la siguiente tabla anotando los voltajes de salida y el desfasaje de
la seal de salida respecto a la de entrada:

F(Hz) 20 30 60 100 200 500 1K 2K 5K
Vo

6.- Apague el circuito y mida, con el multmetro, el valor ajustado en el
potencimetro.

Igualmente, mida los valores de los dems componentes para verificar sus
clculos tericos.


78
INFORME PREVIO:



3.- Determine la respuesta en frecuencia y el ancho de banda definido
por los puntos de media potencia.

4.- Cmo vara la fase de la seal de salida con la frecuencia?

simulador.

INFORME FINAL:






79
LABORATORIO N 12

MEDICION DE PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR
OPERACIONAL

OBJETIVO:
Estudio de circuitos que permiten medir algunos de los parmetros ms
importantes DEL amplificador operacional.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Resistor de 100,0.5W 01 Generador de funcin
01 Resistores de 10k,0.5W 03 Puntas de prueba
02 Resistores de 100k,0.5W 01 Protoboard

PROCEDIMIENTO:
1.- Medicin de la ganancia sin realimentacin.
Ensamble el siguiente circuito:
- 12V
Ry
100
-
+
U1
LM741
3
2
6
7 1
4 5
V1
+
Vo
-
+
Vg
-
Rx
100K
RL
1K
+12V
Ri
10K
Rf 100K

alimentacin:
Pin 7 : + 12 Vdc
Pin 4 : - 12 Vdc


80
2.- Encienda el circuito y aplique, con el generador, una seal de entrada,
Vi, de 5 Hz y ajuste su amplitud hasta que se pueda medir la tensin V1
con el osciloscopio.
Al ajuste Vi verifique tambin que la seal de salida no se distorsiona.
Amplitud pico-pico de V1: ....................................................
Amplitud pico- pico de Vo: ....................................................
La ganancia puede calcularla con la expresin: A = (Vo / V1) (Rx / Ry)
3.- Medicin del voltaje offset de tensin.
+ 12V
+
Vo
-
-
+
U1
LM741
3
2
6
7 1
4 5
R1
1K
- 12V
R2 100K

Mida con el multmetro la tensin DC de salida
Calcule Vos = Vo (R1 / (R1 + R2))

4.- Medicin de las corrientes de polarizacin de entrada y del offset de
corriente.


81
+
Vo
-
-
+
U1
LM741
3
2
6
7 1
4 5
- 12V
+ 12V
R1
10K

Cortocircuite R1 y mida la tensin DC de salida:

Vo = _________________

Quite el cortocircuito y mida nuevamente la tensin DC de salida:
Vo1 = _________________

Calcule Ibias+ = (Vo1 Vo) / R1

Cortocircuite R1 y mida la tensin DC de salida:

Vo = ___________________

Quite el cortocircuito y mida nuevamente la tensin
DC de salida:

Vo1 = _________________

Calcule Ibias - = (Vo1 Vo) / R1



82
R1
10K
+
Vo
-
-
+
U1
LM741
3
2
6
7 1
4 5
- 12V
+ 12V

Calcule la corriente de offset: Ios = Ibias+ - Ibias -

INFORME:

1.- Adjunte el informe previo al informe final.

2.- Obtenga la informacin tcnica del amplificador operacional LM741.

3.- Haga una tabla comparando los valores del manual con los

4.- Qu mtodos recomienda el fabricante para eliminar el offset?.

5.- Qu grficos del opamp entrega el fabricante y para qu sirven?

6.- Indique sus conclusiones y observaciones.



83
LABORATORIO N 13

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA

OBJETIVO:
Estudio de un amplificador transistorizado para determinar su respuesta en
baja frecuencia.

FUNDAMENTO TEORICO:
En lneas generales, el estudio de los amplificadores en el dominio de la
frecuencia (al excitar al amplificador con seales sinusoidales) se divide en
tres partes:

Respuesta en baja frecuencia: Un amplificador puede variar su ganancia
en frecuencias bajas (desde frecuencia 0 ( DC) hasta una frecuencia fL)
debido principalmente a las reactancias externas del circuito (por
ejemplo, capacidades de acoplo y bypass). La frecuencia fL ( wL) recibe
el nombre de frecuencia de corte inferior. Aqu, para realizar el anlisis, se
utilizan los modelos de baja frecuencia del transistor junto con las
reactancias externas, que no deben despreciarse.
Una excepcin es el amplificador operacional, que puede responder con
su mxima ganancia desde DC.

Respuesta en frecuencias medias: En esta regin el amplificador acta
con su mxima ganancia y sus parmetros pueden considerarse como
nmeros reales. Aqu se utilizan los modelos de baja frecuencia del
transistor. Las reactancias externas pequeas pueden ser consideradas
como cortocircuitos y las reactancias grandes como circuitos abiertos.

Respuesta en alta frecuencia: En esta regin el amplificador disminuye su
ganancia al aumentar la frecuencia (desde el valor fH). La frecuencia fH
( wH) recibe el nombre de frecuencia de corte superior. Este fenmeno
se debe a las reactancias internas de los transistores. En general, el
amplificador no puede aumentar o mantener constante su ganancia
indefinidamente al aumentar la frecuencia. Siempre habr alguna
frecuencia alta a la cual la ganancia empieza a disminuir. Esto nos indica
que siempre habrn ms polos que ceros en su funcin de transferencia

Puntos de media potencia y ancho de banda:
Comnmente las frecuencias fL ( wL) y fH ( wH), anteriormente
mencionadas, se determinan en los puntos en que la seal de salida
corresponde a la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias.


84
Cuando la ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media
potencia se determinan restando 3 db a la ganancia en frecuencias
medias.
El ancho de banda de un amplificador se define como la diferencia entre
las frecuencias de corte superior y de corte inferior:

BW = fH fL (usando la frecuencia cclica)
BW = wH - wL (usando la frecuencia angular)
Hay casos en los cuales el ancho de banda se define con diferente
criterio, como es el caso de los amplificadores de vdeo, donde se
determina en base a restar slo 1 db a la ganancia en la regin de
frecuencias medias debido a que la vista puede detectar variaciones ms
pequeas de los niveles de iluminacin.

A continuacin analizaremos con pequea seal al circuito de la
experiencia, cuyo esquema se muestra a continuacin:
Q
2N2222
RL
10K
Vi
C2
0.33uF
+ 12 V
RC
3K3
R2
2K
+
Vo
-
R1
22K
C1
0.33uF
RE
220 CE
1uF

Para estudiar la respuesta en baja frecuencia hallaremos la funcin de
transferencia (ganancia de tensin) considerando slo las capacidades
externas y asumiremos que las capacidades internas del transistor son
circuitos abiertos a estas frecuencias.
A continuacin representamos al circuito con su modelo para seal:


85

C1
CE
Rb
Q
Vi
RC
RE
C2
RL
+
Vo
-

Rb = R1//R2
A continuacin reemplazamos al transistor por su modelo simplificado para
pequea seal y baja frecuencia. Vemos que en este caso las
capacidades de desacoplo y bypass no se desprecian.
RC
hie
RE
RL
C2
CE
Vg
C1
+
Vo
-
hf e ib
Rb
ib

Planteamos las ecuaciones de Kirchoff para obtener la funcin de
transferencia:
En el circuito de salida:
Vo = - (hfe RC RL C2 s)ib / [1 + (RC + RL)C2 s]
En el circuito de entrada:
ib = (RbC1 s)(1+RECE s)/[(1+hfeRE)(1+RbC1 s) +
(1+RECE s)(1+RbC1 s)hie + (1+RECE s)Rb]
Finalmente:

0
g
V (s) hfe RC (RL C2 s)(RbC1 s)(1 RECE s)
Av(s)=
V (s) [(1 hfeRE)(1 RbC1 s) (1 RECE s)(1 RbC1 s)hie (1 RECE s)Rb](1 (RC RL)C2 s)
+
=
+ + + + + + + + +

Hacer el clculo manual de una funcin como la mostrada (o de otras
ms complejas) es un trabajo largo y tedioso. Sin embargo, podemos
observar la funcin de transferencia y sacar algunas conclusiones que nos
permitan obtener una idea de la forma de la respuesta en baja frecuencia
con clculos ms sencillos aunque aproximados.


86
Observamos que esta funcin de transferencia tiene 3 ceros:
- Dos en el origen: s = 0 y
- Uno en: s = -1/ RECE
Podemos decir que el cero producido por CE se obtiene multiplicndolo
por la resistencia que tiene en paralelo. Este producto es la constante de
tiempo en el emisor.

Observamos tambin que la funcin de transferencia en baja frecuencia
tiene 3 polos:
- Uno en: s = -1/(RC+ RL)C2
En este caso podemos decir que el polo de salida se obtiene con la
resistencia que ``ve C2 cuando los dems condensadores se comportan
como cortocircuitos y no hay seal de entrada.
- Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin
embargo, podemos aplicar el criterio anterior para determinar
aproximadamente los otros dos polos mediante valores reales:
Podemos hallar aproximadamente el polo introducido por C1
determinando la resistencia que ``ve dicho condensador cuando los
dems se comportan como cortocircuito y no hay seal de entrada:
Segn esto, la resistencia que ``ve C1 es: Rb//hie
Luego, el polo aproximado producido por C1 es:
s = -1/(C1)(Rb//hie)
Al polo introducido por lo CE tambin podemos determinarlo
aproximadamente mediante la resistencia que ``ve dicho condensador
cuando los dems se comportan como cortocircuito y no hay seal de
entrada:
Segn esto, la resistencia que ``ve CE es:
RE//(hie/(1 + hfe)) = RE//hib
Luego, el polo aproximado producido por CE es:
s = -1/(CE)( RE//(hie/(1 + hfe))
Donde hib es la resistencia de entrada del transistor en base comn.
Supongamos ahora que a la funcin de transferencia anterior podemos
factorizarla y expresarla en la forma siguiente:
Av(s) = Vo(s)/Vi(s)=-Ao[(s)**2](1 + s/zE)/[(1 +
s/p1)(1 + s/pE)(1 + s/p2)]
Multiplicando el numerador y el denominador por:


87
[p1pEp2] / [(s)**3] y desarrollando
Obtenemos en el estado estacionario:

( )
( ) ( ) ( )
Ao (1/ jw 1 / zE) (p1 p2 pE)
Av jw
1 1/ jw (p1 p2 pE) 1/ jw **2 (p1p2 p1pE p2pE_) 1/ jw **3 p1p2pE
+
=
+ + + + + + + ( (

Si queremos determinar la frecuencia de corte inferior (wL), debemos notar
que, por lo general, p1, p2 y pE sern menores que wL; entonces, a
frecuencias cercanas a wL los trminos cuadrticos y cbicos sern ms
chicos que el trmino con 1/jw.
Cumplindose lo anterior, podremos afirmar que la frecuencia de corte
inferior puede ser hallada aproximadamente por la expresin:
wL = p1 + p2 + pE
A su vez, p1, p2, y pE se pueden hallar bajo el criterio anterior,
determinando la resistencia que ``ve cada condensador cuando los
dems se comportan como cortocircuito y la seal de entrada se hace
cero.

MATERIAL Y EQUIPO:

01 Transistor 2N2222A 01 Osciloscopio
01 Resistor de 220,0.5W 01 Generador de funcin
01 Resistores de 3.3k,0.5W 03 Puntas de prueba
01 Resistores de 22k,0.5W 01 Protoboard
01 Potencimetro de 5k
02 Condensadores electroltico de 10uF y 100uF, de 16V

PROCEDIMIENTO:


88
Q1
2N2222
RL
10K
Vi
Co
0.33uF
+ 12 V
RC
3K3
R2
2K
+
Vo
-
R1
22K
Ci
0.33uF
RE
220 CE
1uF

Poner: Vi = 0
Mida la tensin en el Colector respecto a tierra:

VC = _____________
Mida la tensin en el Emisor respecto a tierra:

VE = _______________
Mida la tensin en la Base respecto a tierra:

VB = _________________
Mida la tensin en la Fuente respecto a tierra:

VF = ______________
Halle el punto de operacin:

ICQ = (VF VC) / 3.3K VCEQ = VC VE VBEQ = VB - VE

3.- Aplique la seal de entrada Vi con mnimo voltaje y frecuencia de 1
KHz. El potencimetro de 5K se usar para ajustar la seal de entrada en
caso que la amplitud mnima del generador sea muy grande.

4.- Conecte el osciloscopio a la entrada y a la salida y aumente Vi hasta
que la seal de salida aumente 2 voltios pico-pico.

Vi =____________; Vo = ___________

Dibuje la forma de onda en la salida anotando los voltajes de los picos
positivo y negativo.



89
circuito:

F
(Hz)
10 50 100 200 300 500 1K 2K 3K 5K 6K
Vsalida
(Vp-p)

INFORME PREVIO:

Determine tambin la corriente total que consume el circuito y la potencia
que disipa cada componente.

3.- Determine la respuesta en baja frecuencia y la frecuencia de corte
inferior 3 db.

4.- Repita el paso 3 utilizando MATLAB.

simulador.

INFORME FINAL:
experimentales.

2.- Grafique la ganancia de tensin vs. frecuencia, con los datos del paso
5 de la experiencia.

3.- Determine, con las mediciones, la frecuencia de corte inferior, wL.

4.- Por qu la ganancia en frecuencias bajas disminuye respecto al rango
de frecuencias medias?

5.- Haga una lista de sus observaciones y conclusiones.



90

INDICE

REGLAMENTO DE LABORATORIO

LAB 01. AMPLIFICADOR CLASE A CON CARGA EN COLECTOR
LAB 02. AMPLIFICADOR DE SIMETRIA COMPLEMENTARIA
LAB 03. REALIMENTACION NEGATIVA
LAB 04. OSCILADOR DE ROTACION DE FASE
LAB 05. OSCILADOR COLPITTS
LAB 06. OSCILADOR HARTLEY
LAB 07. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
LAB 08. OSCILADOR PUENTE DE WIEN
LAB 09. FILTRO ACTIVO PASA BAJO
LAB 010. FILTRO ACTIVO PASA BANDA
LAB 011. FILTRO ACTIVO PASA TODO O DESFASADOR
LAB 012. MEDICION DE PARAMETROS DEL AMPLIFICADOR
PERACIONAL
LAB 013. RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA

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