Tese Amplificador de Audio Classe Dprovisoria

A Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto
Amplificador de udio Classe D

Francisco Jos Amorim Pires
Verso Provisria
Dissertao realizada no mbito do Mestrado Integrado em Engenharia Electrotcnica e de Computadores Major Automao
Orientador: Prof. Dr. Armando Lus de Sousa Arajo
Janeiro de 2010
Francisco Jos Amorim Pires, 2010
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Resumo
O presente trabalho apresenta o projecto de um amplificador de potncia em classe D, tendo como objectivos conseguir uma potncia total de 30 Watts sob uma tenso de 24 Volts associado minimizao da distoro harmnica total na onda de sada. Assim, apresenta-se o projecto do circuito de potncia, em ponte H, com comando PWM bipolar, a funcionar com frequncia de comutao de 0.5 MHz. Apresenta-se o projecto do filtro de sada associado, o dos blocos de circuitos necessrios implementao do condicionamento do sinal de udio, antes da gerao da modulao por largura de impulsos. Termina o projecto com o comando dos semicondutores. O projecto baseado em computador, com utilizao de modelos apropriados para cada componente, tentando, desde logo, a previso do comportamento da sada e consequente minimizao da distoro harmnica total. O projecto simulado, aps o qual se implementam os circuitos projectados e se retiram concluses relativamente ao valor obtido da distoro harmnica total.
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Abstract
This document presents the design of a class D power amplifier having 30 watts of output power for a supply voltage of 24 V, when trying to minimize the total harmonic distortion in the resulting output waveform. It presents the design of the power circuit made by a full bridge and a PWM with bipolar voltage switching control, which operates at 0.5 MHz. It is shown the design of output filter, the design of the blocks of the audio signal conditioning circuit that are used before the Pulse Width Modulation. It finishes the design of the semiconductors command drivers. The project is computer based, using appropriate models for each component, trying to predict the output and minimize the total harmonic distortion. The project is simulated and then the circuits are built and experimented. Finally, Conclusions are drawn from the obtained values for the total harmonic distortion.
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Agradecimentos
Agradeo ao Professor Doutor Armando Lus de Sousa Arajo o apoio e disponibilidade mostrados durante a execuo deste projecto. Agradeo aos meus amigos a motivao e ajuda fornecida durante a concretizao deste trabalho, sem as quais no seria possvel chegar ao seu trmino. Agradeo aos meus pais, irm e familiares mais prximos por me terem acompanhado durante este percurso e me terem apoiado nos momentos mais melindrosos desta caminhada. A vocs todos o meu muito obrigado.
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ndice
Resumo ...........................................................................................iii Abstract ............................................................................................v Agradecimentos ................................................................................ vii ndice.............................................................................................. ix Lista de Figuras ............................................................................... xiii Lista de Tabelas ............................................................................... xix Abreviaturas e Smbolos ..................................................................... xxi Captulo 1 ........................................................................................ 1
Introduo .......................................................................................................1 1.1 - Trabalho proposto ...................................................................................1 1.2 - Organizao do documento ........................................................................1
Captulo 2 ........................................................................................ 3
Amplificao de udio - Estado da arte ....................................................................3 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 - Resumo ................................................................................................3 - O que o som e como o ouvimos .................................................................3 - Amplificao de sinais de udio ...................................................................5 - Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos ...........................7 - Andares de amplificao ......................................................................... 11 2.5.1 - Esquema tpico dos andares de amplificao nos amplificadores de udio ...... 12 2.6 - Classes de amplificao .......................................................................... 13 2.6.1 - Classe A ...................................................................................... 14 2.6.2 - Classe B ...................................................................................... 15 2.6.3 - Classe AB ..................................................................................... 17 2.6.4 - Classe C ...................................................................................... 18 2.6.5 - Classes G e H ................................................................................ 18 2.6.6 - Classe D ...................................................................................... 20 2.7 - Definio de distoro como medida da linearidade do amplificador ................... 22 2.7.1 - THD - Distoro Harmnica Total ........................................................ 23 2.7.2 - IMD Distoro de Intermodulao ...................................................... 23 2.8 - Concluso ........................................................................................... 23
Captulo 3 ....................................................................................... 25
Escolha dos componentes do amplificador Classe D ................................................... 25 3.1 - Resumo .............................................................................................. 25 3.2 - Elementos constituintes do amplificador classe D ........................................... 25 3.2.1 - Topologia .................................................................................... 25
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3.2.2 - Interruptores ................................................................................ 26 3.2.3 - Circuito de drive dos MOSFETs ........................................................... 29 3.2.4 - Modulao do sinal de udio ............................................................. 29 3.2.5 - Filtro passa baixo........................................................................... 31 3.2.6 - Altifalantes .................................................................................. 32 3.3 - Escolha dos componentes ........................................................................ 33 3.3.1 - Topologia .................................................................................... 33 3.3.2 - Escolha dos MOSFET........................................................................ 35 3.3.3 - Circuito de drive dos MOSFETs ........................................................... 36 3.3.4 - Modulao do sinal de udio ............................................................. 37 3.3.5 - Filtro LC passa baixo de segunda ordem ............................................... 38 3.3.6 - Altifalantes .................................................................................. 40 3.3.7 - Amplificador operacional ................................................................. 41 3.3.8 - Transdutor de corrente ................................................................... 41 3.4 - Concluso ........................................................................................... 41
Captulo 4 ....................................................................................... 43
Simulao ..................................................................................................... 43 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 - Resumo .............................................................................................. 43 - SPICE ................................................................................................. 43 - Simulao do Filtro Passa Baixo de segunda ordem ......................................... 45 - Simulao do circuito gerador de onda triangular ........................................... 49 - Criao do modelo do IRFI4024h-117p ......................................................... 50 4.5.1 - Clculo dos parmetros do modelo SPICE do MOSFET ............................... 51 - Componente e modelo do Driver ............................................................... 63 - Simulao do amplificador Classe D ............................................................ 64 4.7.1 - Clculo da distoro harmnica total no Multisim ................................... 66 4.7.2 - SIMULAES ................................................................................. 68 - Realimentao ..................................................................................... 72 4.8.1 - Dimensionamento do compensador ..................................................... 73 - Concluso ........................................................................................... 77
Captulo 5 ....................................................................................... 79
Implementao do circuito ................................................................................ 79 5.1 - Resumo .............................................................................................. 79 5.2 - Blocos do Circuito ................................................................................. 79 5.2.1 - Buffer de tenso ........................................................................... 79 5.2.2 - Amplificador montado em configurao inversora com acoplamento AC ........ 81 5.2.1 - Filtro passa baixo activo .................................................................. 82 5.2.2 - Amplificador de instrumentao ........................................................ 83 5.2.3 - Implementao dos Zeros ................................................................. 85 5.2.4 - Comparador, Buffer inversor e circuito gerador de tempo morto ................. 86 5.2.5 - Driver de MOSFETs e resistncia da porta dos MOSFETs. ............................ 87 5.2.6 - Esquema do Circuito completo .......................................................... 88 5.3 - Resultados prticos ................................................................................ 90 5.3.1 - Onda triangular ............................................................................. 91 5.3.2 - Sinais entrada do comparador ......................................................... 92 5.3.3 - Sinal sada do comparador ............................................................. 92 5.3.4 - Sinal sada do Buffer 4049UB .......................................................... 93 5.3.5 - Sinal sada do circuito de gerao de Tempo Morto ............................... 93 5.3.6 - Sinal de comando das portas dos MOSFETs ............................................ 94 5.3.7 - Rudo sada dos circuitos derivadores ................................................ 94 5.3.8 - Medies aos terminais do altifalante para diferentes frequncias com um ndice de modulao de 0.5 ....................................................................... 95 5.4 - Concluso ........................................................................................... 99
Captulo 6 ..................................................................................... 101
Concluses e trabalho futuro ............................................................................. 101 6.1 - Concluses ......................................................................................... 101 6.2 - Trabalho futuro ................................................................................... 102
Anexo .......................................................................................... 103 Referncias ................................................................................... 105
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Lista de Figuras
Figura 2-1 - Curvas isfonas correspondentes ao mesmo nvel de igual sensao de intensidade para sons puros realizadas por Robinson e Dadson na dcada de 1950 no National Physical Laboratory do Reino Unido [4] ..................................................4 Figura 2-2 - Caixa de ressonncia de uma guitarra clssica ............................................5 Figura 2-3 - Guitarra elctrica de corpo macio. ........................................................6 Figura 2-4 - Fongrafo de Edison [6] .......................................................................7 Figura 2-5 - Esquema da lmpada de Edison [10] ........................................................7 Figura 2-6 - Esquema do dispositivo que media a corrente gerada pelo fluir das partculas emitidas pelo filamento [10] ..........................................................................8 Figura 2-7 - Esquema da inverso da tenso e consequente no conduo de corrente [10] ....9 Figura 2-8 Vlvula de Fleming [13] .........................................................................9 Figura 2-9 - Esquema do Audion de Lee de Forest; Plate nodo; Grid- grelha; FilamentCtodo; Control Voltage - tenso de controlo [10] ............................................. 10 Figura 2-10 - Equalizador Profissional de 31 bandas da marca Peavey, no qual possvel amplificar ou atenuar a contribuio de cada uma das 31 frequncias disponveis ao sinal de sada[18]. ..................................................................................... 12 Figura 2-11 - Arquitectura de amplificao constituda por trs andares [19] ................... 12 Figura 2-12 - Arquitectura de amplificao constituda por dois andares [19] ................... 13 Figura 2-13 - Amplificador Classe A, configurao seguidora de emissor .......................... 14 Figura 2-14 - Amplificador Classe B, configurao push-pull ........................................ 15 Figura 2-15 - Tenso entrada e tenso a sada do amplificador classe B [22], na figura encontra-se indicada, dentro de uma circunferncia, a distoro que ocorre quando a tenso de entrada adquire valores perto zero ................................................. 16 Figura 2-16 - Amplificador Classe AB, configurao push-pull....................................... 17 Figura 2-17 - Esboo da corrente a circular um dos dispositivos no andar de sada. Cada dispositivo conduz corrente durante mais de metade de cada ciclo de onda [21] ........ 17
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Figura 2-18 - Amplificador Classe G [24] ................................................................ 19 Figura 2-19 - Amplificador Classe H [24] ................................................................ 20 Figura 2-20 - Sinais envolvidos na modulao por largura de impulsos. Em cima - Onda sinusoidal de 20kHz, No meio - Onda triangular de 0.5MHz; Em baixo- sinal de PWM resultante da comparao das duas ondas anteriores .......................................... 21 Figura 3-1 - Meia Ponte alimentada de forma Bipolar, composta pelos MOSFETS Q1 e Q2. Note-se a impedncia da carga, ZL, conectada do seu ponto intermdio referncia zero das fontes ........................................................................................ 25 Figura 3-2 - Ponte completa alimentada de forma Unipolar composta por dois braos. Cada brao composto por um par de MOSFETS. ZL a impedncia que se encontra ligada entre os pontos intermdios de cada brao .............................................. 25 Figura 3-3 - Sinais envolvidos na modelao por largura de impulsos [26] ........................ 30 Figura 3-4 - Gerador de onda triangular composto por um integrador inversor (bloco 1) e um comparador com histerese (bloco 2). O sinal de onda triangular retirado sada do amplificador operacional. ....................................................................... 31 Figura 3-5 - Filtro Butterworth de 2 ordem ............................................................ 32 Figura 3-6 Impedncia em funo da frequncia de um altifalante de graves de 15 polegadas [4]........................................................................................... 33 Figura 3-7 - LT1715 - esquema de alimentao unipolar e esquema de encapsulamento com disposio dos pinos [42] ...................................................................... 37 Figura 3-8 - Imagem do filtro passa baixo passivo de segunda ordem ............................. 39 Figura 3-9 - Bobina toroidal escolhida para o filtro ................................................... 40 Figura 3-10 - Condensador de polister.................................................................. 40 Figura 3-11 - Altifalante VISATON FR 10 HM 8 OHM fullrange ....................................... 41 Figura 4-1 - Interface grfica do programa NI Multisim 10 ........................................... 44 Figura 4-2 - Formas de onda obtidas atravs do osciloscpio virtual. Entrada - sinuside Vermelha. Sada sinuside Azul. .................................................................. 45 Figura 4-3 - Circuito usado para simular a resposta do filtro LC de segunda ordem. L1 e L2 representam a indutncia das bobinas presentes no filtro; C1 e C2 representam as capacidades existentes no filtro; Ra e La representam, respectivamente, a resistncia DC do altifalante e a indutncia frequncia de 1kHz. ......................... 46 Figura 4-4 - Resposta em frequncia do filtro passa baixo com altifalante no Multisim ........ 46 Figura 4-5 - Circuito usado para o clculo da funo de transferncia ............................ 47 Figura 4-6 - Traado de Bode da funo de transferncia calculada ............................... 48 Figura 4-7 - Circuito utilizado na simulao do gerador de onda triangular, composto por um amplificador operacional a funcionar como um integrador inversor e um comparador com histerese no qual variando o valor das resistncias R2 e R1 possvel definir diferentes valores de disparo. .................................................. 49
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Figura 4-8 - Resultado da simulao do circuito gerador de onda triangular ..................... 49 Figura 4-9 - Interface grfica do Model Maker do Multisim .......................................... 50 Figura 4-10 - Imagem inicial antes de se efectuar a extraco dos parmetros ................. 51 Figura 4-11 - Pontos seleccionados da curva que se pretendem extrair. .......................... 52 Figura 4-12 - IDS em funo de VDS. Valores extrados da folha de caractersticas (25C) ....... 52 Figura 4-13 - IDS em funo de VGS para um VDS = 25V: valores da folha de caractersticas (25C) .................................................................................................... 53 Figura 4-14 - Representao das zonas de funcionamento do MOSFET [48] ....................... 54 Figura 4-15 - Representao grfica dos valores envolvidos no clculo do LAMBDA [48] ....... 56 Figura 4-16 - Circuito utilizado para realizar o teste do modelo Spice obtido.................... 61 Figura 4-17 - IDS em funo de VDS com VGS= 4.5V ...................................................... 61 Figura 4-18 - IDS em funo de VDS com VGS= 5V ......................................................... 61 Figura 4-19 - IDS em funo de VDS com VGS= 5.5V ...................................................... 62 Figura 4-20 - IDS em funo de VDS com VGS= 6V ......................................................... 62 Figura 4-21 - Componente MAX5064A criado no Multisim............................................. 63 Figura 4-22 - Parmetros de simulao do Multisim ................................................... 64 Figura 4-23 - Circuito composto com modelos dos componentes: PWM com componentes ideais, Buffer de tenso complementar e gerao de tempo morto ......................... 65 Figura 4-24 - Circuito composto com modelos dos componentes (continuao): Ponte completa de MOSFETs e drivers .................................................................... 65 Figura 4-25 - Circuito utilizado na simulao do amplificador Classe D ........................... 66 Figura 4-26 - Parmetros de simulao para a anlise de Fourier .................................. 67 Figura 4-27 - Representao da resposta transitria para a frequncia de 20kHz ............... 67 Figura 4-28 Distoro Harmnica Total para a frequncia de 11kHz ............................. 72 Figura 4-29 - Resposta em frequncia da Planta em malha aberta ................................. 73 Figura 4-30 Arquitectura de controlo utilizada: C = compensador; G = Planta; H e F=1; r = sinal de entrada; u = sinal sada do compensador; y = sinal de sada do sistema em malha fechada; S1- realimentao negativa................................................. 74 Figura 4-31 Sistema sem Compensador: representao do Lugar Geomtrico das Razes (em cima esquerda); Traado de Bode em malha aberta (esquerda em baixo); Traado de Bode em malha fechada (lado direito) ............................................. 75 Figura 4-32 - Planta com Compensador: representao do Lugar Geomtrico das Razes (em cima esquerda); Traado de Bode em malha aberta (esquerda em baixo); Traado de Bode em malha fechada (lado direito) ............................................. 75
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Figura 4-33 Resposta em frequncia do Sistema com Compensador em malha fechada ...... 76 Figura 5-1- Divisor resistivo feito entre uma resistncia de 4,7k e um potencimetro de 10k seguido de um buffer de tenso ............................................................... 80 Figura 5-2 Buffer de tenso implementado ........................................................... 80 Figura 5-3 - Amplificador inversor com acoplamento AC- Sinal de udio .......................... 81 Figura 5-4 - Amplificador inversor com acoplamento AC- Onda triangular ........................ 82 Figura 5-5 - Amplificador na configurao inversora com acoplamento AC e filtro passa baixo activo ............................................................................................ 82 Figura 5-6 Filtro passa baixo com frequncia de corte de 230kHz ................................ 83 Figura 5-7 - Amplificador de instrumentao ........................................................... 84 Figura 5-8 - Amplificador de instrumentao com filtro passa baixo activo implementado laboratorialmente ..................................................................................... 84 Figura 5-9 Implementao dos zeros ................................................................... 85 Figura 5-10 Implementao dos Zeros ................................................................. 86 Figura 5-11 Comparador LT1715 mais buffer de tenso 4049UB seguidos do gerador de tempo morto ........................................................................................... 86 Figura 5-12 Comparador, Buffer inversor e circuito gerador de tempo morto implementado laboratorialmente .................................................................. 87 Figura 5-13 Circuito do driver dos MOSFETs e um brao da ponte completa ................... 87 Figura 5-14 - Driver dos MOSFETs e resistncia de porta dos MOSFETs ............................ 88 Figura 5-15 Bloco 1- Buffer de tenso; Bloco 2 circuito de condicionamento do sinal de realimentao; Bloco 3- circuito de condicionamento do sinal de entrada de udio; Bloco 4 - Amplificador de instrumentao. ...................................................... 88 Figura 5-16 Bloco 5 Filtro passa baixo sada do amplificador de instrumentao; Bloco 6 Zeros do compensador. .......................................................................... 89 Figura 5-17 Bloco 7- Circuito gerador de onda triangular; Bloco 8 amplificador com acoplamento AC; Bloco 9 - Buffer de tenso ..................................................... 89 Figura 5-18 - Bloco 10 - Comparador LT1715 e buffer de tenso 4049UB seguidos do gerador de tempo morto; Bloco 11- Driver dos MOSFETs ...................................... 90 Figura 5-19 - Circuito de condicionamento de sinal implementado ................................ 90 Figura 5-20 Filtro e Ponte completa .................................................................... 91 Figura 5-21 - Onda triangular aps condicionamento do sinal para a referncia de 1.9 V e 3.38V de pico a pico .................................................................................. 91 Figura 5-22 - Sinais entrada do comparador .......................................................... 92 Figura 5-23 - Sinal a sada do comparador com sinal de udio nulo ................................ 92
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Figura 5-24 - Sinal sada do buffer 4049UB ........................................................... 93 Figura 5-25 - Sinal sada do gerador do Tempo Morto .............................................. 93 Figura 5-26 - sinal de comando das portas dos MOSFETs ............................................. 94 Figura 5-27 - Rudo a sada do bloco correspondente aos zeros: CH1 onda entrada dos zeros; CH2 onda sada dos zeros ................................................................. 94 Figura 5-28 - Tempo morto de 20 ns ..................................................................... 96 Figura 5-29 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 10kHz .............. 96 Figura 5-30 FFT para a frequncia de 10kHz .......................................................... 97 Figura 5-31 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 15kHz .............. 97 Figura 5-32 - FFT para a frequncia de 15kHz .......................................................... 98 Figura 5-33 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 20kHz .............. 98 Figura 5-34 - FFT para a frequncia de 20kHz .......................................................... 99
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Lista de Tabelas
Tabela 2-1 - Classes de amplificao e datas do seu aparecimento ................................ 14 Tabela 3-1 - MOSFETs pesquisados e seus parmetros elctricos principais ...................... 35 Tabela 3-2 - MOSFETs pesquisados e seus parmetros elctricos principais (continuao) .... 35 Tabela 4-1 Resultados obtidos pelas duas simulaes ............................................... 48 Tabela 4-2 - IDS em funo de VGS com VDS = 6 V ........................................................ 57 Tabela 4-3 - IDS em funo de VGS com VDS = 7 V ........................................................ 57 Tabela 4-4 - IDS em funo de VGS com VDS = 8 V ........................................................ 57 Tabela 4-5 - Valores de VTO com VGS1=4,5V e mdia aritmtica dos valores totais ............... 57 Tabela 4-6 - Clculo de KP ................................................................................. 58 Tabela 4-7 - Parmetros de simulao alterados ...................................................... 63 Tabela 4-8 THD da Tenso Medida [0-50ns] ........................................................... 69 Tabela 4-9 - THD da Tenso Medida [60-100ns] ........................................................ 69 Tabela 4-10 - THD da Tenso com Alimentao de 10V [20-60ns] .................................. 70 Tabela 4-11 - THD da Tenso com Alimentao de 24V [20-60ns] .................................. 71 Tabela 5-1 - THD verificado para um dado par Frequncia/Tempo morto ........................ 99
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Abreviaturas e Smbolos
Lista de abreviaturas (ordenadas por ordem alfabtica) AC - Alternating Current BJT Bipolar Junction Transistor CI Circuito integrado CSV - Coma-Separated Values DC - Direct Current EECS - Electrical Engineering and Computer Science EMI - Interferncias Electromagnticas FFT Fast Fourier Transform IEEE- Institute of Electrical and Electronics Engineers IMD Distoro de Intermodulao IRF - International Rectifier JFET - Junction Field Effect Transistor MESFET - Metal Field Effect Transistor MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor PA Public address PCB Printed Circuit Board PDF - Portable Document Format PDM Pulse Density Modulation PNG - Portable Network Graphics PWM Pulse-width Modulation SISO - Single Input Single Output SPL - Sound Pressure Level THD Total Harmonic Distortion SMPTE - Society of Motion Picture and Television Engineers SPICE - Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis
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Lista de smbolos ndice de modulao BVDSS - tenso de ruptura entre o dreno e a fonte do MOSFET C - capacidade CGDO - capacidade entre o terminal da porta e o dreno CGSO- capacidade entre o terminal da porta e a fonte Ciss - capacidade de entrada do MOSFET Crss - reverse transfer capacitance D - Diodo frequncia frequncia de corte frequncia fundamental frequncia de amostragem frequncia de comutao corrente no altifalante corrente de dreno eficaz corrente a passar entre o dreno e a fonte corrente eficaz
corrente corrente
da porta do MOSFET de pico
Irr corrente de recuperao inversa - constante KP parmetro de transcondutncia do MOSFET L indutncia La indutncia do altifalante LAMBDA - parmetro de modulao de comprimento do canal nmero de harmnicos potncia perdas por conduo perdas na porta Q transstor carga da porta do MOSFET QGD carga entre porta e o dreno do MOSFET Qrr - Base Diode Reverse Recovery Charge R resistncia Ra resistncia do altifalante resistncia de conduo entre o dreno e a fonte do MOSFET Ron resistncia de conduo
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s varivel complexa tempo que o transstor demora a entrar em corte

tempo tempo
que o transstor demora a entrar em conduo
de subida
TR - transstor V tenso - tenso entre o base e a emissor do transstor bipolar VDS tenso entre o dreno e a fonte do MOSFET - tenso entre o emissor e a base do transstor bipolar tenso eficaz tenso entre a porta e a fonte do MOSFET vi tenso de entrada Vo tenso de sada Vpol tenso de polarizao VTH tenso de patamar VTO tenso igual tenso de patamar quando o substrato e a fonte se encontram ao mesmo potencial Vz tenso no altifalante W largura do canal do MOSFET impedncia ZL impedncia da carga
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Captulo 1 Introduo
1.1 - Trabalho proposto
Este trabalho tem origem num desafio colocado ao Professor Doutor Armando Lus de Sousa Arajo relativo orientao de um trabalho de fim de curso na rea do udio. Assim, e partindo de uma ideia inicial, relativa ao desenvolvimento de um amplificador de udio, colocou-se a hiptese do trabalho se debruar sobre o projecto e implementao de um amplificador de udio Classe D com frequncia de comutao bem acima do espectro audvel, apontando-se, como desafio, a zona dos MHz. Assim, definiu-se como objectivo principal o estudo, projecto e implementao de um amplificador de potncia em Classe D com a potncia de 30W, para um ndice de modulao 0.9, e frequncia de comutao de 0.5 MHz, quando ligado a um altifalante com impedncia nominal de 8.
1.2 - Organizao do documento

Este trabalho est organizado do modo seguinte: Para alm do Resumo e Introduo o trabalho apresenta, no captulo 2, o estado da arte da amplificao de udio. Assim, descreve-se o que se entende por som e qual o benefcio da amplificao dos sinais de udio. Apresenta-se uma perspectiva histrica dos sinais elctricos Enumeram-se as classes de amplificao e define-se o conceito de distoro. O captulo 3 ilustra os principais blocos constituintes do amplificador classe D, quais os parmetros que so tidos em conta para o seu correcto dimensionamento e efectua-se a respectiva escolha. O trabalho prossegue, no captulo 4, com a modelao do dispositivo semicondutor escolhido. Efectua-se ainda a simulao do filtro passa baixo e do circuito gerador de onda triangular. O captulo termina com as simulaes do amplificador classe D. O captulo 5 1
Organizao do documento
apresenta a metodologia associada implementao laboratorial do amplificador classe D. tambm neste captulo que so mostrados os resultados experimentais. O trabalho termina, no captulo 6, com as concluses e a avaliao das possibilidades de trabalhos futuros.
Captulo 2 Amplificao de udio - Estado da arte

2.1 - Resumo
Este captulo pretende apresentar os conceitos fundamentais associados ao som. O que o som e como o ouvimos? Fala ainda da amplificao dos sinais de udio, a necessidade da sua existncia e a respectiva importncia em termos sociais. Apresenta tambm uma perspectiva histrica da amplificao dos sinais elctricos, andares de amplificao e as classes de amplificao que foram aparecendo com o desenvolvimento tecnolgico. O captulo encerra com a definio de distoro como medida da linearidade do circuito amplificador.
2.2 - O que o som e como o ouvimos

O som produzido quando um objecto (fonte sonora) vibra e faz com que ar que o rodeia se mova. [1] Desta forma, pode ser criado por diversos tipos de vibraes como, por exemplo, pela vibrao das cordas vocais, pela vibrao de uma corda de guitarra, pelo bater da palma de uma mo contra a outra, pelo vibrar de um altifalante, etc. No entanto o que realmente d vida a essas vibraes o facto de as conseguirmos ouvir, sendo o ouvido humano, o responsvel por esse fenmeno. O ouvido humano funciona como um transdutor de variaes de presso do meio circundante, para sinais elctricos que so processados pelo crebro e posteriormente percepcionados pelo ouvinte. As caractersticas fsicas do ouvido impem limitaes em termos de resposta em frequncia, pelo que o ouvido actua como um filtro passa banda em que apenas se conseguem percepcionar frequncias que se encontrem entre os 20Hz e os 20KHz, aproximadamente. A esta gama de frequncias d-se o nome de espectro audvel. Tambm se verifica que o aparelho auditivo no apresenta uma resposta uniforme s frequncias presentes entre os 20Hz e os 20KHz. 3
O que o som e como o ouvimos
De facto, a estrutura fsica do canal auditivo pode ser aproximada de um tubo cilndrico, que possui em mdia 0.7 cm de dimetro e 3 cm de comprimento. Sabendo que para tubos cilndricos, com uma das extremidades fechadas, se obtm uma frequncia de ressonncia cujo comprimento de onda igual a quatro vezes o comprimento do tubo, para o caso do comprimento mdio do canal auditivo isso corresponde frequncia de 2870Hz. (o que no deixa de ser interessante, pois o ouvido humano de facto mais sensvel na gama de frequncias compreendida entre 2kHz e 5kHz.) [2][3]
Figura 2-1 - Curvas isfonas correspondentes ao mesmo nvel de igual sensao de intensidade para
sons puros realizadas por Robinson e Dadson na dcada de 1950 no National Physical Laboratory do Reino Unido [4]
A intensidade sonora de um som provoca em ns uma sensao de intensidade ( loudness). Quando se diz que um som forte ou fraco estamo-nos a referir sensao que esse som origina. Ou seja, sensao de intensidade (grandeza psicolgica)[5]. A Figura 2-1 apresenta a forma como o ouvido humano percepciona o espectro audvel em termos de nvel de sensao de intensidade que medida em fones (phon), na qual se visualiza que o ouvido humano no apresenta uma resposta uniforme para frequncias diferentes. Por definio, uma sinuside de 1kHz com 20dB de nvel de presso sonora (SPLSound Pressure Level) possui 20dB em fones. Assim, para a 100Hz se possuir a mesmo nvel de sensao sonora necessrio aumentar em 17dBs o nvel de presso sonora. Para 20 Hz j preciso aumentar 62dBs [2] .
Amplificao de sinais de udio
2.3 - Amplificao de sinais de udio

A amplificao de sinais de udio veio suprir a necessidade de se conseguir fazer passar uma mensagem, seja ela de expresso artstica ou no, ao maior nmero possvel de pessoas [7]. Pensando na rea da msica, constata-se que, antes de ser possvel amplificar sinais de udio, por meios electrnicos, tornava-se necessrio realizar essa amplificao por meios acsticos. No caso dos instrumentos musicais, eles prprios tinham de possuir algo que lhes conferisse essa capacidade de amplificao do som. Eram ento construdos de forma a conseguirem aumentar o som, proveniente dos mesmos, por meios acsticos recorrendo a um sistema ressoador. Tinham ainda de possuir um sistema radiante para radiar as ondas sonoras amplificadas pelo sistema ressoador. [5] O sistema radiante de um instrumento constitudo pelos mecanismos que este possui para radiar o som, isto , transmitir vibraes ao ar circundante originando assim a onda sonora que se propaga no meio at atingir os nossos ouvidos [5]. Por exemplo no caso da guitarra clssica o sistema ressoador, e ao mesmo tempo radiante, a caixa de ressonncia que se encontra representada na Figura 2-2.
Figura 2-2 - Caixa de ressonncia de uma guitarra clssica
A capacidade de amplificar por meios elctricos as ondas sonoras captadas por intermdio de microfones ou outro tipo de transdutor veio fazer com que o sistema ressoador e radiante deixasse de ser to importante em relao amplificao e radiao do som. Isto possibilitou o aparecimento de novos instrumentos musicais como o caso da guitarra elctrica de corpo macio, que no possui qualquer tipo de componente de amplificao acstica. Como se pode ver, na Figura 2-3, a guitarra elctrica de corpo macio no possui qualquer componente de amplificao acstica, em vez disso usa fonocaptores (pickups) que captam o
Amplificao de sinais de udio
movimento das cordas metlicas e o transformam para sinais elctricos e que so amplificados e posteriormente transformados em ondas sonoras nos altifalantes.
Figura 2-3 - Guitarra elctrica de corpo macio.
Em relao voz, e graas amplificao elctrica, um cantor actualmente no precisa de ter uma grande projeco de voz para se poder fazer ouvir perante uma grande plateia. O facto de poder cantar quase sussurrando permite uma maior liberdade artstica em que os nveis possveis de dinmica so muito maiores. Isto j para no falar na possibilidade de se poderem reproduzir sons previamente gravados sem ter de se recorrer a artifcios acsticos como era o caso do fongrafo de Thomas Edison. O fongrafo de Edison apresentado na Figura 2-4 foi a primeira realizao verdadeiramente conseguida de um sistema de gravao e reproduo sonora realizada apenas mecanicamente [5]. um dispositivo que consiste num cilindro horizontal junto ao qual existe um pequeno pavilho (concha acstica) na extremidade do mesmo existe uma membrana (diafragma elstico) ligada a um estilete. Quando o cilindro roda movimentado com uma manivela, faz com que o estilete e a membrana se mexam e faam vibrar o ar, que por sua vez amplificado pela concha acstica.
Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos
Figura 2-4 - Fongrafo de Edison [6]
Se no fosse a amplificao elctrica das ondas sonoras, a nica maneira de algum poder ter acesso a msica seria se a prpria pessoa a tocasse ou se fosse a concertos, que teriam de ser dados por orquestras, ou por Big Bands, porque, de outra forma, no poderia ser ouvida por um grande nmero de pessoas. Assim, pode-se dizer que a amplificao do udio veio contribuir para um enriquecimento cultural por parte da populao, permitindo que a msica esteja acessvel a qualquer pessoa independentemente da classe social.
2.4 - Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

No final do sculo XIX, Thomas Edison tentava melhorar e desenvolver a lmpada incandescente [9]. A Figura 2-5 representa esquematicamente a composio da lmpada referida.
Figura 2-5 - Esquema da lmpada de Edison [10]
A lmpada era composta por um filamento que se encontrava no interior de um invlucro de vidro em vcuo e ficava incandescente com a passagem de corrente. A sua investigao deparava-se principalmente com dois problemas: 1- A escolha do material a utilizar no filamento, que tinha uma influncia directa no tempo de vida til da lmpada, 2- O facto de se verificar que ao fim de algumas horas de utilizao, se comeavam a depositar partculas de carbono provenientes do filamento incandescente, na parte interna das paredes do vidro, ficando estas negras e impedindo assim a sada da luz. Edison tentou ento compreender o fenmeno pelo qual as paredes ficavam escurecidas. Partindo do princpio que o carbono a ser projectado para o vidro apresentava uma carga negativa, pensou numa forma de medir essa carga e evitar a deposio de carbono no vidro.
Figura 2-6 - Esquema do dispositivo que media a corrente gerada pelo fluir das partculas emitidas pelo filamento [10]
Com a introduo de mais um elctrodo, com polaridade positiva, no interior da lmpada e ligando-o a um aparelho de medio, conseguiu provar a existncia da carga mas no obteve nenhum tipo de melhoria em relao deposio do carbono. Essa experincia encontra-se representada esquematicamente na Figura 2-6. Verificou tambm que se invertesse a polaridade do elctrodo, como mostrado na Figura 2-7, j no ocorria a passagem de corrente.
Figura 2-7 - Esquema da inverso da tenso e consequente no conduo de corrente [10]
Edison descobriu a existncia deste fenmeno em 1883 e nunca o chegou a compreender, mas o facto de o ter descoberto fez com que este ficasse conhecido como sendo o efeito de Edison [9] ou efeito termoinico. Em 1904, baseado no efeito Edison, Ambrose Fleming desenvolveu um dispositivo que servia para rectificar sinais com oscilaes de alta frequncia [11]. Como o dispositivo apenas deixava passar corrente num nico sentido deu-lhe o nome de vlvula de oscilao. Mais tarde ficou conhecida com sendo a vlvula de Fleming [12]. Na Figura 2-8 pode-se visualizar o prottipo da vlvula de Fleming. Foi o aparecimento do primeiro Dodo.
Figura 2-8 Vlvula de Fleming [13]
Em 1907 Lee De Forest patenteou um dispositivo que possua 3 elctrodos, em que um deles era em forma de grelha e se encontrava situado entre o ctodo e o nodo [14]. Variando a tenso aplicada grelha era possvel controlar a corrente que passava do ctodo para o nodo. Desta forma um sinal em tenso, de pequena amplitude, era capaz de controlar uma grande quantidade de energia, pelo que se comportava como um elemento
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amplificador. Tinha sido dado o primeiro passo para a realizao da amplificao de sinais elctricos. Forest deu o nome de Audion a este dispositivo que mais tarde ficou conhecido como o trodo. Na Figura 2-9 encontra-se representado o esquema elctrico do Audion de Lee de Forest.
Figura 2-9 - Esquema do Audion de Lee de Forest; Plate nodo; Grid- grelha; Filament-Ctodo; Control Voltage - tenso de controlo [10]
Em 1947 William Shockley, Walter Brattain e John Barteen, investigadores da companhia Bell Telephone, desenvolveram um novo dispositivo electrnico composto por semicondutores que era tambm capaz de efectuar a amplificao de sinais elctricos. - O transstor[15]. O transstor apresentava e ainda apresenta um conjunto de vantagens quando comparado com as Vlvulas[16]. - Tamanho reduzido. - Melhor eficincia em termos energticos. - Preo. - Menores nveis de tenso de funcionamento. - Maior robustez. Tendo conhecimento destas vantagens, seria de esperar que as vlvulas cassem em desuso, e acabassem por ser completamente substitudas por transstores, o que realmente aconteceu, na maior parte dos circuitos elctricos, tirando a excepo que acontece numa rea muito particular da electrnica, na qual as vlvulas ainda se encontra m vivas. - A electrnica ligada ao udio. A principal razo para este facto, explicada pelo modo como se comportam na zona de saturao. Comparativamente com os transstores, as vlvulas no saturam de uma forma to abrupta, o que corresponde a uma distoro por incluso de harmnicos pares e impares do sinal amplificado com predominncia para o segundo, terceiro, quarto e quinto harmnico.
Andares de amplificao
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Para o caso dos transstores, quando estes saturam geram principalmente harmnicos mpares, com uma forte componente do terceiro harmnico.[17] Este enriquecimento harmnico por parte das vlvulas em termos sonoros mais agradvel que o que introduzido pelos transstores [16][17]. por esta razo que as vlvulas so usadas na amplificao das guitarras, na pramplificao do sinal proveniente da voz dos cantores, ou outros instrumentos, quando se grava em estdio, microfones que j as trazem incorporadas no seu interior, etc. No entanto, se o objectivo for a amplificao de sinais sem lhes conferir qualquer tipo de enriquecimento harmnico, reproduzindo-os da forma mais fiel com a menor distoro possvel, conciliando isso com um melhor aproveitamento energtico, j so mais utilizados os transstores. Tal acontece, por exemplo, para o caso dos amplificadores de potncia usados em sistemas de PA (Public Address)1.[7]
2.5 - Andares de amplificao

Os sinais resultantes da captao de ondas sonoras, quer seja atravs de microfones, fonocaptores (pickups), ou outro tipo de transdutor elctrico, apresentam, normalmente, valores de tenso muito baixos, na ordem da dezena de milivolts. Este nvel de tenso designado como sendo o nvel de instrumento ou nvel de microfone. Posteriormente este sinal tem de ser amplificado para o nvel de linha, que apresenta o valor normalizado de 0,775V eficazes, a que corresponde a potncia de 1mW numa carga de 600ohms [2]. Os amplificadores que realizam a funo de elevar o sinal do nvel de microfone para nvel de linha designam-se como pr-amplificadores. Para alm de elevarem a tenso para o nvel de linha costumam tambm efectuar o seu condicionamento. O sinal sada da etapa de pr-amplificao j se encontra nas condies ideais de tenso para ser amplificado pelo amplificador de potncia. Nos sistemas de udio so os amplificadores de potncia que fazem a interligao entre os altifalantes, que no so mais que transdutores de sinais elctricos para ondas sonoras, e os restantes elementos constituintes de
2
qualquer
sistema
sonoro
(microfones,
pr-
amplificadores, equalizadores, crossovers , etc)[4] . Na Figura 2-10 ilustra-se um desses elementos constituintes do sistema sonoro. Um equalizador grfico profissional de 31 Bandas [18].
Public Address sistema composto por microfones, amplificadores e altifalantes usado na amplificao sonora em grandes recintos que podem ser em espaos fechados ou ao ar livre 2 Crossovers filtros activos ou passivos que efectuam a separao do sinal em gamas de frequncias: Graves, mdios e agudos.
Andares de amplificao
12
Figura 2-10 - Equalizador Profissional de 31 bandas da marca Peavey, no qual possvel amplificar ou atenuar a contribuio de cada uma das 31 frequncias disponveis ao sinal de sada[18].
2.5.1 - Esquema tpico amplificadores de udio
dos
andares
de
amplificao
nos
Douglas Self no seu livro Audio Power Amplifier Design Handbook [19] afirma que a vasta maioria dos amplificadores de udio utilizam a arquitectura composta por trs andares para realizar a amplificao do sinal de entrada. Esta arquitectura encontra-se ilustrada na Figura 2-11.
Figura 2-11 - Arquitectura de amplificao constituda por trs andares [19]
O primeiro andar corresponde a um amplificador de transcondutncia (entrada em tenso e sada em corrente) constitudo por um par diferencial com carga activa. O segundo corresponde a um andar de transimpedncia (entrada em corrente e sada em tenso) constitudo por um emissor comum. O terceiro corresponde a um andar de ganho aproximadamente unitrio em tenso fornecendo apenas ganho em corrente e construdo com uma configurao push-pull (dois seguidores de emissor complementares). Outro tipo de arquitectura utilizada a que se encontra ilustrada na Figura 2-12 Arquitectura de amplificao constituda por dois andares [19]. Nesta arquitectura o andar intermdio foi eliminado, ficando agrupado no andar de sada.
Classes de amplificao
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Figura 2-12 - Arquitectura de amplificao constituda por dois andares [19]
O andar de entrada um andar de transcondutncia que costuma ser implementado usando um par diferencial, em que a tenso vista aos terminais de entrada passada ao andar seguinte por intermdio de corrente. Uma das principais vantagens da utilizao do par diferencial a de se verificar uma grande rejeio do modo comum, ou seja, apenas amplifica os sinais diferenciais que lhe so aplicados. O andar intermdio, de transimpedncia, , normalmente, composto por um emissor comum que recebe o sinal em corrente, na base do transstor, e transmite para a entrada do ltimo andar depois de amplificado em tenso. o ltimo andar que define o tipo de classe de funcionamento do amplificador que por sua vez deve possuir as seguintes caractersticas: - Possuir uma baixa impedncia de sada, para que a tenso aplicada impedncia da carga seja maximizada. - Possuir alta impedncia de entrada - Ser capaz de fornecer a corrente necessria para alimentar a carga com a potncia pretendida. - No introduzir rudo no sinal amplificado.
2.6 - Classes de amplificao

As classes de amplificao so descritivas de como a corrente se comporta nos dispositivos presentes no andar de sada, a partir do qual se pode retirar informao em termos de linearidade e de eficincia energtica do circuito de amplificao. A definio de classes de
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amplificao surge da necessidade de diferenciar os diversos tipos de andares de sada que foram aparecendo conforme foi evoluindo o estado da arte [4]. A primeira classe a aparecer foi a classe A, se bem que apenas foi assim denominada com o aparecimento da classe B. Sucessivamente foram surgindo as outras classes com o principal objectivo de melhorar os aproveitamentos energticos dos amplificadores sem descurar a qualidade do sinal de udio. A Tabela 2-1 ilustra as principais classes de amplificao e datas do seu aparecimento [4]:
Tabela 2-1 - Classes de amplificao e datas do seu aparecimento
1 2 * 3 * 4 5
Classe A Classe B, AB Classe C Classe D Classe E Classe G Classe H
1917 1945 Inapropriada para udio, quando aplicada sozinha 1963 No adequada para udio 1977 1983
Em seguida, so descritas, sucintamente, as classes mais utilizadas actualmente em amplificao de udio:
2.6.1 - Classe A
Figura 2-13 - Amplificador Classe A, configurao seguidora de emissor
15
Os primeiros amplificadores a serem projectados, e mesmo construdos, encontravam-se includos nesta classe. Nesta classe de funcionamento est sempre presente uma corrente de polarizao a percorrer o andar de sada mesmo que o sinal entrada seja nulo. Desta forma consegue-se baixa distoro no sinal e maior linearidade quando comparada com as outras classes (B, AB, D, G, H). Para o caso das classes B, AB, D, G e H como funcionam com dispositivos comutados introduzem uma no linearidade na altura da comutao que no existe na classe A. No entanto, o facto dessa corrente de polarizao se encontrar constantemente a percorrer o andar de sada independentemente do sinal entrada faz com que o rendimento energtico seja baixo. Para esta classe penas se conseguem obter valores de rendimento na ordem dos 20% [20]. Torna-se ento necessrio o uso de grandes dissipadores para prevenir a dissipao trmica, aumentando consideravelmente o tamanho e o peso dos amplificadores desta classe [4]. A Figura 2-13 apresenta um amplificador classe A realizada com um transstor bipolar na configurao seguidora de emissor.
2.6.2 - Classe B
Figura 2-14 - Amplificador Classe B, configurao push-pull
Na classe B de amplificadores, o problema abordado de forma diferente. Cada um dos dispositivos presentes no andar de sada apenas conduz durante metade do ciclo de onda do sinal de entrada (um conduz na arcada negativa outro na arcada positiva) funcionando em push-pull. A
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Figura 2-14 apresenta um andar seguidor de emissor com transstores bipolares, que utiliza um transstor bipolar npn e outro pnp e por isso se diz que um andar com simetria complementar [21]. Devido s tenses mnimas de polarizao de cada transstor ( o emissor do transstor Q1; em que o sinal entrada vi se situa dentro da gama de valores - tenso entre a base e > vi > os transstores - tenso entre o emissor e a base do transstor Q2), na altura
encontram-se em corte, pelo que, apesar do sinal entrada ser diferente de zero, o sinal sada nulo. Isto introduz uma no linearidade no sinal de sada que passa a apresentar alguma distoro comparado com o sinal de entrada (distoro de cruzamento Crossover Distortion).
Figura 2-15 - Tenso entrada e tenso a sada do amplificador classe B [22], na figura encontra-se indicada, dentro de uma circunferncia, a distoro que ocorre quando a tenso de entrada adquire valores perto zero
A Figura 2-15 esboa a tenso entrada, e a correspondente, tenso sada, do amplificador classe B. A existncia do patamar, na vizinhana da origem, representativo da distoro de cruzamento, notria. Para o caso da amplificao classe B j se consegue um rendimento energtico mximo de 78.5%, que obtido quando a tenso de sada tem amplitude mxima igual tenso de alimentao [21]. Assim sendo, esta classe de amplificao aumenta o aproveitamento energtico, mas aumenta tambm a distoro na onda de sada.
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2.6.3 - Classe AB
Figura 2-16 - Amplificador Classe AB, configurao push-pull
Figura 2-17 - Esboo da corrente a circular um dos dispositivos no andar de sada. Cada dispositivo conduz corrente durante mais de metade de cada ciclo de onda [21]
Como forma de resolver os problemas das perdas energticas sem diminuir a qualidade do sinal amplificado, juntaram-se as melhores caractersticas de cada uma das classes A e B, respectivamente. Juntando o princpio de funcionamento da classe A, que amplifica o sinal sem lhe introduzir no linearidades, e o princpio de funcionamento da classe B, que utiliza dois dispositivos, para amplificarem cada uma das arcadas do sinal de entrada individualmente, obtm-se a classe AB. Isto implementado deixando que os dispositivos se encontrem ligados ao mesmo tempo por um curto perodo. Assim cada interruptor conduz durante pouco mais de metade de cada ciclo de onda (ilustrado na Figura 2-17), fazendo com que o sinal amplificado continue a ser linear durante a passagem por zero no sinal de entrada. Figura 2-16 apresenta-se um amplificador classe AB no qual se ilustra a incluso de tenses de polarizaes, Vpol1 e Vpol2 que garantem as tenses mnimas de polarizao dos
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transstores Q1 e Q2. Deste modo elimina-se a descontinuidade da tenso de sada existente na classe B.
2.6.4 - Classe C
Apesar da classe de amplificao C no ser adequada para efectuar a amplificao de udio [4] aqui mencionada pois pode ser usada em conjunto com outras classes de amplificao para se obter uma nova classe de amplificao. Na Classe C de amplificao C cada um dos dispositivos presentes no andar de sada conduz menos de metade do ciclo de onda do sinal de entrada, o que origina uma grande distoro de cruzamento, que se torna inaceitvel em udio. Apenas possui utilidade em udio quando usada para complementar outras classes amplificao formando assim outra classe - a Classe G [23].
2.6.5 - Classes G e H
Estas classes de amplificao partem do princpio que o sinal de udio se encontra a maior parte do tempo numa zona de baixa amplitude e so poucas as vezes em que apresenta a amplitude mxima, no sendo ento necessrio alimentar o andar de sada sempre com a tenso mxima [24]. Pode-se assim alimentar o amplificador com o nvel de tenso estritamente necessrio. Classe G - Com este princpio em mente idealiza-se um amplificador com vrios patamares de alimentao, em que os que possuem valores mais elevados apenas so utilizados quando o sinal ultrapassa uma determinada amplitude. Pode ser visto como um amplificador que para sinais de baixa amplitude funciona em classe A, B ou AB e para os instantes em que o sinal tem maior excurso complementado com um de classe C.
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Figura 2-18 - Amplificador Classe G [24]
Na Figura 2-18 verifica-se a existncia de 4 nveis de tenso que so, V1 e V2. Para as arcadas positivas do sinal de entrada tem-se que a tenso V2 apenas utilizada quando o sinal ultrapassa o valor de V1, o que leva a que o dodo D3 fique contrapolarizado e TR6 passa a conduzir juntamente com TR3. Desta forma toda a corrente fornecida ao circuito vem de V2. Quando o nvel de tenso volta a baixar, para um valor inferior a V1, TR6 entra em corte e D3 fica directamente polarizado e toda a corrente fornecida ao circuito vem de V1. Para as arcadas negativas o comportamento anlogo. Classe H partindo do mesmo princpio usado na classe G uma outra forma de o fazer isto utilizando fontes de alimentao comutadas que aumentam o seu nvel de tenso, ou o diminuem mediante, as necessidades do sinal a amplificar. Desta forma obtm-se uma melhoria em termos de eficincia pois apenas se fornece mais potncia ao circuito quando mesmo necessria. A Figura 2-19 apresenta um amplificador classe H.
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Figura 2-19 - Amplificador Classe H [24]
2.6.6 - Classe D
Com o objectivo de optimizar o aproveitamento energtico apareceu uma nova classe de amplificao que se tem vindo a tornar popular nos ltimos anos [25]: A classe D. O amplificador classe D utiliza interruptores de potncia totalmente controlados, que so comandados, por uma modulao de largura de impulso (PWM) resultante da comparao do sinal de entrada com uma onda moduladora triangular. Esta dever ter uma frequncia fundamental no mnimo duas vezes superior ao valor de frequncia mximo do sinal de entrada (teorema de Nyquist-Shannon)[26]. A Figura 2-20 apresenta os sinais envolvidos na modulao por largura de impulsos. Mediante a comparao de amplitudes entre a onda sinusoidal e a onda moduladora triangular obtm-se uma onda quadrada, de ciclo de trabalho varivel, que adquire o valor mximo quando a sinuside apresenta uma amplitude igual ou superior da onda triangular, e adquire um valor mnimo quando ocorre a situao inversa.
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Figura 2-20 - Sinais envolvidos na modulao por largura de impulsos. Em cima - Onda sinusoidal de 20kHz, No meio - Onda triangular de 0.5MHz; Em baixo- sinal de PWM resultante da comparao das duas ondas anteriores
Desta forma o sinal sada dos interruptores apresenta uma forma de onda quadrada, com duty cycle (ciclo de trabalho) varivel que apresenta o valor mximo ou mnimo de tenso aplicado ao amplificador. Posteriormente essa onda quadrada passa por um filtro passa-baixo passivo que elimina todas as componentes de frequncias que se encontrem acima da mxima frequncia existente no sinal de entrada (20kHz) restituindo onda de sada as caractersticas no domnio das frequncias do sinal de entrada. Em termos tericos esta configurao seria capaz de apresentar um aproveitamento energtico na ordem dos 100%. Tal no porm conseguido devido aos tempos, no nulos, de comutao, bem como, ao facto de possurem uma resistncia de conduo, Ron. O facto de os semicondutores usados no possurem um tempo nulo de comutao obriga a que seja necessrio inserir um tempo morto entre comutaes dos diferentes dispositivos o que ter consequncias a nvel de distoro harmnica. Um tempo morto de 40ns pode criar 2% de distoro total harmnica (THD - Total Harmonic Distortion) que pode ser melhorada para 0.2% reduzindo para 15ns [28]. Em termos prticos esta classe de amplificao capaz de apresentar um aproveitamento energtico na ordem dos 90%.[25] Devido s comutaes dos dispositivos de potncia serem realizadas a altas frequncias (entre os 100KHz e 1MHz) no projecto dum amplificador de classe D h alguns pontos que devem ser levados em conta no dimensionamento dos mesmos e na implementao do circuito de modo a que distoro gerada seja pequena e a eficincia energtica seja a mais elevada possvel. Os principais aspectos a ter em conta so os seguintes:
Definio de distoro como medida da linearidade do amplificador
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- A necessidade de escolher os semicondutores de potncia de modo a que possuam um baixo Ron. - As capacidades intrnsecas aos dispositivos electrnicos devem ser reduzidas. - A necessidade de gerar uma corrente de comando da porta (gate) suficientemente elevada para carregar as capacidades dos semicondutores num curto espao de tempo para que seja rpida a sua activao/desactivao (nanossegundos). - O facto de haver dispositivos de potncia a comutarem a altas frequncias, implica que hajam emisses de rudo electromagntico pelo que o filtro deve ser dimensionado para diminuir/eliminar esses efeitos. - A placa de circuito impresso (PCB - Printed Circuit Board) e as ligaes carga devem ser cuidadosamente projectadas de modo a que a eficincia energtica seja maximizada e a distoro da forma de onda seja minimizada (dimensionamento das pistas, uso de cabo blindado e distncia do amplificador carga)[25]. Actualmente existem algumas solues comerciais de vrios fabricantes, sob a forma de CI (circuito integrado) que j implementam todos os blocos envolvidos na amplificao classe D. Alguns deles propem solues em que se podem implementar amplificadores de classe D sem ser necessria realimentao ou mesmo o uso dum filtro sada do circuito integrado.
2.7 - Definio de distoro como medida da linearidade do amplificador

Basicamente podem-se resumir a dois, os objectivos que se pretendem atingir quando se realiza a amplificao de sinais. O primeiro pode ser descrito como um bom aproveitamento energtico por parte do amplificador, de modo a que grande parte da energia utilizada na amplificao seja aplicada directamente na carga. O segundo pode ser apontado como a obteno da menor distoro possvel na onda de sada e representativo de como se comporta, em termos lineares, o amplificador. Quanto menor a distoro sada do amplificador melhor ser a qualidade da amplificao do sinal. Ao dizer-se que se pretende que a amplificao do sinal de udio se mantenha o mais fiel possvel ao sinal original, com a menor distoro possvel, tem de se ter um modo de quantificar a distoro o que passa por, de alguma forma, definir esse conceito. Entende-se por distoro como sendo qualquer alterao introduzida no sinal que no seja apenas e s na amplitude da onda. [29] Uma maneira de a quantificar consiste em verificar as componentes do sinal sada do amplificador, no domnio das frequncias. Se a amplificao adiciona frequncias diferentes das que inicialmente compunham o sinal original a razo entre estas e as originais indicaro, de algum modo, a distoro.
Concluso
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2.7.1 - THD - Distoro Harmnica Total

Uma das formas de medir a distoro introduzida no sinal amplificado calculando a distoro harmnica total da amplificao. A distoro harmnica total produzida por um amplificador definida matematicamente no standard do IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) [30] como sendo a razo entre a raiz quadrada da soma dos valores eficazes ao quadrado de cada harmnico individual, pelo valor eficaz da frequncia fundamental sendo esse valor apresentado em percentagem.
( 2.1)
A equao ( 2.1) representa o clculo da Distoro Harmnica Total no sinal para os primeiros n harmnicos.
2.7.2 - IMD Distoro de Intermodulao

Outra forma de medir a distoro verificando o que acontece quando se injectam dois ou mais sinais com frequncias fundamentais diferentes. Devido s no linearidades do amplificador, os diversos sinais interagem e do origem a um outro sinal, diferente, criado pela sua soma ou diferena, com componentes espectrais que inicialmente no se encontravam na entrada. Os testes para este tipo de distoro normalmente usam um sinal de baixa frequncia e grande amplitude com um sinal de alta frequncia e baixa amplitude, verificando depois o quanto a amplitude do sinal de alta frequncia modulado pelo da baixa frequncia. [4] O primeiro teste padro foi aplicado pela SMPTE (Society of Motion Picture and Television Engineers) em 1939, o qual se realizava aplicando um sinal de 60Hz e um de 7KHz com a proporo de 4:1 respectivamente para a amplitude dos sinais [4].
2.8 - Concluso
A amplificao de sinais de udio tem acompanhado a evoluo do estado da arte da electrnica. O aparecimento de novos semicondutores, com maiores velocidades de comutao possibilitaram o aparecimento de novas classes de amplificao como o caso da classe D, que em termos prticos consegue obter aproveitamentos energticos na ordem dos 90%. Por outro lado, a amplificao do udio tem ainda possibilitado um enriquecimento cultural da sociedade por permitir, no caso particular da msica, que um maior nmero de pessoas tenha acesso mesma.
Concluso
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Captulo 3 Escolha dos componentes do amplificador Classe D

3.1 - Resumo
Neste captulo apresentam-se os elementos constituintes do amplificador classe D e quais os parmetros que devem ser levados em conta quando se efectua a sua escolha, tendo em vista uma dada aplicao. Termina com a escolha dos componentes que se julgam adequados aplicao pretendida.
3.2 - Elementos constituintes do amplificador classe D

3.2.1 - Topologia
Figura 3-1 - Meia Ponte alimentada de forma Bipolar, composta pelos MOSFETS Q1 e Q2. Notese a impedncia da carga, ZL, conectada do seu ponto intermdio referncia zero das fontes
Figura 3-2 - Ponte completa alimentada de forma Unipolar composta por dois braos. Cada brao composto por um par de MOSFETS. ZL a impedncia que se encontra ligada entre os pontos intermdios de cada brao
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Elementos constituintes do amplificador classe D
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Um dos primeiros passos a dar, no incio do desenvolvimento do projecto de um amplificador classe D, a escolha da topologia a ser usada. De facto essa deciso ir influenciar a posterior escolha dos restantes componentes constituintes do amplificador. Basicamente existem dois tipos de topologias a serem aplicadas em amplificadores classe D,[28]: - A topologia Meia ponte - A topologia Ponte completa A topologia de meia ponte, apresentada na Figura 3-1, mais simples do que a topologia de ponte completa, ilustrada na Figura 3-2. composta por apenas dois interruptores e pode ser alimentada quer de forma unipolar quer bipolar. No caso de se efectuar a alimentao de forma unipolar verifica-se aparecimento de uma tenso DC (Direct Current) constante a ser aplicada carga, o que corresponde a um dispndio de energia desnecessrio [25]. A topologia de ponte completa, por sua vez, composta por 4 interruptores dispostos dois a dois em cada brao, podendo tambm ser alimentada de forma bipolar ou unipolar. O nmero de interruptores a usar na topologia escolhida tem implicaes no nmero de dissipadores assim como no nmero de drivers necessrios ao circuito. Neste sentido o uso da meia ponte tem a vantagem de necessitar de menos componentes quando comparada com a ponte completa. Por outro lado se no for bem projectada pode acontecer o fenmeno de bus pumping, que acontece quando uma carga indutiva devolve a sua energia armazenada fonte de alimentao coisa que no acontece no caso da ponte completa [26]. A ponte completa para alm de no sofrer do fenmeno bus pumping possui ainda a vantagem de conseguir obter aos seus terminais de sada o dobro da tenso fornecida pela fonte de alimentao. O dobro da tenso significa que se consegue fornecer quatro vezes, mais potncia utilizando a mesma alimentao, quando comparada com a outra topologia, j que a potncia aumenta com o quadrado da tenso ( ; em que P a potncia fornecida
carga, ZL a impedncia da carga e Vef o valor eficaz da tenso de alimentao).
3.2.2 - Interruptores
Na escolha dos interruptores a utilizar tem de se ter em conta como requisitos principais a tenso mnima que tm de suportar aos seus terminais, a resistncia que apresentam quando em conduo, Ron, a quantidade de corrente mxima associada e aos tempos de comutao para a frequncia pretendida [31].
27
Escolha entre o MOSFET (Metal-Oxide Field Effect Transistor) e o BJT (Bipolar Junction Transistor). O transstor bipolar de juno (BJT) funciona como um interruptor controlado por corrente, a qual tem de ser constantemente injectada na base para que o BJT entre e se mantenha em conduo. Essa corrente pode apresentar valores de um dcimo a um quinto do valor que passa pelo colector, o que so valores relativamente elevados a serem constantemente fornecidos ao dispositivo. Torna-se tambm necessrio que o circuito que realiza a injeco de corrente na base seja tambm capaz de retirar de corrente pela mesma para que o BJT possa entrar em corte de forma rpida[32][34]. Por sua vez o transstor de efeito de campo (MOSFET) comporta-se como um interruptor que controlado por tenso. Assim, o circuito de drive deve ser capaz de fornecer uma tenso entre os terminais da porta e da fonte (VGS) de valor superior tenso de patamar (VTH) e, ao mesmo tempo, deve ser capaz de fornecer/retirar corrente at se carregarem/ descarregarem as capacidades do dispositivo para que o MOSFET possa entrar em conduo/corte. um dispositivo em que no existe armazenamento e recombinao de portadores minoritrios, como acontece no BJT, o que se traduz numa velocidade de comutao superior [34]. Sendo o MOSFET um dispositivo com uma alta impedncia de entrada, controlado por tenso, que capaz de comutar a frequncias elevadas (ordem dos MHz), acrescido do facto de exigir uma menor complexidade, e custo de implementao do circuito de drive quando comparado com o BJT, chega-se concluso que a escolha deve recair sobre os Transstores de Efeito de Campo, MOSFETS. MOSFETs A escolha adequada dos MOSFETs de potncia adequados encontra-se directamente relacionada com o desempenho do amplificador em termos de eficincia energtica, interferncias electromagnticas e THD. Assim, a escolha dos MOSFETs deve ser baseada nas especificaes tcnicas do amplificador em que vo estar inseridos, como: potncia de sada, impedncia da carga, topologia do amplificador e factor de modulao. [31] Existe um conjunto de parmetros elctricos constituintes dos MOSFETs, que devem ser tomados em conta quando se efectua a sua escolha de modo a poderem ser utilizados num amplificador classe D. BVDSS (Drain Source Breakdown Voltage ) - a tenso mxima que possvel aplicar entre o dreno e a fonte, com a porta curtocircuitada fonte, sem que o dispositivo entre em rotura por avalanche [32].
28
RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) - a resistncia de conduo, vista entre o dreno e a fonte do MOSFET que se encontra relacionada com a BVDSS [31] pela equao ( 3.1). ( 3.1) Em que uma constante que depende da geometria do dispositivo [35]. Torna-se ento necessrio escolher o menor valor possvel para a tenso de ruptura de modo a que as perdas de conduo no sejam elevadas. ( 3.2) Com a equao ( 3.2) calculam-se as perdas por conduo em que corrente de dreno e o valor eficaz da
a resistncia de conduo. Pela equao ( 3.2) torna-se bvio
que quanto menor for RDS(on) tambm menor ser o valor das perdas por conduo e como consequncia maior ser a eficincia energtica. Qg (Gate Charge) - a carga que necessria fornecer porta do MOSFET de modo a que se consigam carregar as suas capacidades internas. Este parmetro encontra-se directamente ligado velocidade de comutao do MOSFET. Menor Qg significa maior velocidade de comutao, porque necessria menos corrente para carregar as capacidades internas do MOSFET. Isto resulta em menores perdas na porta, calculadas pela equao ( 3.3), obtendo-se desta forma melhores resultados em termos de eficincia energtica.
( 3.3)
Em que
a tenso aplicada entre a porta e a fonte e
a frequncia de comutao.
Qrr (Base Diode Reverse Recovery Charge) - a carga acumulada no dodo de freewheeling enquanto este se encontra directamente polarizado e que necessrio descarregar antes de poder entrar em corte. O Qrr afecta a eficincia do amplificador e o seu comportamento em termos de interferncias electromagnticas (EMI). Pois a descarga de Q rr em cada perodo de comutao do MOSFET corresponde a um acrscimo de corrente que se apresenta sob a forma de picos associados a Irr [31]. Ou seja, desejvel que o MOSFET escolhido possua um BVDSS que seja, no mnimo, superior ao valor mximo de tenso que ir ser aplicada entre os terminais do dreno e da source (VDS), mas tambm preciso levar em conta que, para valores elevados de BVDSS aumenta tambm a resistncia de conduo, RDS(on), o que leva a maiores perdas por conduo. Qg deve ser pequena, para permitir uma frequncia de comutao elevada, e menores perdas de comutao, e Qrr deve ser pequena para se diminuir as interferncias electromagnticas resultantes das altas frequncias de funcionamento [31].
29
Aps a escolha do MOSFET, em tenso e corrente, calcula-se a corrente mnima que necessrio fornecer porta de modo a que se consiga carregar as capacidades internas no menor tempo possvel fazendo com que o dispositivo comute velocidade mxima.
3.2.3 - Circuito de drive dos MOSFETs

Com o conhecimento da corrente de gate e do tempo de mnimo de comutao do dispositivo, escolhe-se o driver de MOSFET mais adequado para o efeito. Este deve fornecer a corrente necessria para carregar as capacidades internas do MOSFET, no tempo mximo pretendido, e deve ainda ser capaz de dissipar a energia associada sem comprometer a sua integridade fsica. O acto de carregar e descarregar as capacidades da gate do MOSFET exige praticamente a mesma quantidade de energia, pelo que a capacidade de fornecer corrente pelo driver, alimentado com uma tenso constante, no afecta o valor de potncia dissipada no driver, pois o valor da carga capacitiva da porta do MOSFET mantm-se inalterada [37]. No entanto, importante que o driver escolhido tenha velocidade suficiente para fornecer essa corrente dentro do intervalo de tempo estipulado. de referir que uma das dificuldades para a implementao do circuito de drive deriva do facto de que em cada brao de MOSFETs, presente quer na topologia de meia ponte quer na ponte completa, existir sempre um MOSFET que possui a tenso VGS referenciada a um ponto de tenso varivel. No entanto j existem no mercado circuitos integrados que efectuam o comando para as portas de cada MOSFET presentes em cada brao, em que o comando da porta do MOSFET superior efectuado utilizando uma alimentao com um circuito de bootstraping.[26]
3.2.4 - Modulao do sinal de udio

Todas as tcnicas de modulao de sinal aplicadas em amplificadores classe D condensam a informao de udio num sequncia de impulsos em que normalmente a largura dos mesmos est directamente relacionada com a amplitude do sinal de udio[25]. O espectro do sinal dos impulsos, no domnio das frequncias, apresenta componentes referentes ao sinal de entrada mais um contedo de altas frequncias referentes portadora. A tcnica de modulao mais comum modulao por largura de impulsos PWM (Pulse Width Modulation). Em termos prticos a modulao por PWM compara o sinal de udio com uma onda triangular, ou em dente de serra, que possui uma frequncia fundamental que, no mnimo, tem de ser duas vezes superior frequncia mxima do sinal a modular (teorema de Nyquist). Esta comparao origina uma sequncia de impulsos frequncia da portadora, em que o seu ciclo de trabalho (duty cycle) proporcional amplitude do sinal de entrada.
30
Figura 3-3 - Sinais envolvidos na modelao por largura de impulsos [26]
A Figura 3-3 apresenta o exposto, em que se pode visualizar que durante o tempo em que amplitude da onda sinusoidal superior da triangular ocorre um impulso. Se a onda triangular for superior em amplitude tal no acontece. Outra tcnica de modulao usada a modulao por densidade de impulsos - PDM (Pulse Density Modulation), em que o nmero de impulsos num dado perodo de tempo proporcional ao valor mdio do sinal de udio. O sinal fica assim codificado em densidade de impulsos. Significa que o maior nmero de impulsos num dado intervalo de tempo representam um valor elevado de amplitude do sinal de udio e um menor nmero de impulsos representa um valor mais pequeno de amplitude [25]. Um dos elementos envolvidos na modulao por PWM, a onda triangular, ou dente de serra, que deve ter uma frequncia igual que se deseja efectuar a modulao do sinal. Deve possuir tambm uma amplitude adequada realizao da comparao com o sinal de udio. Se, por algum acaso, no for conseguida a amplitude necessria, posteriormente pode-se condicionar o sinal de modo a corrigir esse facto. O circuito de gerao de onda triangular, representado na Figura 3-4, envolve a utilizao de um amplificador operacional a operar como um integrador e um comparador com histerese. Usando realimentao positiva, com o comparador na configurao no inversora, conseguimos obter nveis de disparo para a subida e para a descida bem distintos. A sada fica com o valor de saturao positiva quando se ultrapassa o valor de disparo superior e apenas adquire o valor de saturao negativa quando ultrapassa o valor de disparo inferior. Desta forma, sada do comparador temos uma onda quadrada que, ao sofrer uma integrao no amplificador operacional origina uma onda triangular, que, por sua vez ser o sinal de entrada do comparador.
31
Figura 3-4 - Gerador de onda triangular composto por um integrador inversor (bloco 1) e um comparador com histerese (bloco 2). O sinal de onda triangular retirado sada do amplificador operacional.
Para o circuito representado na Figura 3-4 tem-se que a frequncia de oscilao pela equao ( 3.4) [38]:
dada
( 3.4)
A razo entre R2 e R1 afecta a frequncia e a amplitude da onda triangular. Desta forma a excurso do sinal pode ser controlada usando a equao ( 3.5):
( 3.5)
Em que
representa a excurso do sinal da onda triangular, e
o valor mximo da
onda quadrada e a
so as resistncias representadas na Figura 3-4. [38]
3.2.5 - Filtro passa baixo

O filtro passa baixo a parte constituinte do amplificador que realiza a desmodulao do sinal sada da parte de potncia. Deve deixar passar as frequncias que correspondem ao sinal de udio e atenuar o contedo s altas frequncias provenientes da modulao da portadora [40]. A principal funo do filtro agir como uma indutncia frequncia de comutao. Desta forma impede que a corrente oscile com a tenso que varia frequncia da portadora, limitando a corrente que fornecida pela fonte de alimentao ao amplificador e tornandose tambm um meio de diminuio das interferncias electromagnticas [41]. Normalmente usado um filtro Butterworth passa baixo de segunda ordem, pois apresenta uma resposta plana na banda passante e uma atenuao de -40dB/dcada na banda de transio.
32
Figura 3-5 - Filtro Butterworth de 2 ordem
H ainda a hiptese de o amplificador classe D poder ser implementado sem se recorrer ao uso filtros, desde que o altifalante a utilizar seja indutivo na zona de frequncia de comutao [41]. Assim, o prprio altifalante efectua a filtragem do sinal apenas deixando passar a sinal de udio. O facto da onda a aplicar aos terminais do altifalante ser uma onda quadrada, com um ciclo de trabalho varivel, poderia ser um perigo para o mesmo em termos estruturais, mas isso no se verifica visto que o movimento do cone do altifalante proporcional a [41] para as frequncias mais elevadas que as do espectro do udio. Pode-se considerar, desta forma, que o movimento do altifalante para a frequncia elevada da portadora praticamente insignificante. Por outro lado como o prprio ouvido humano se comporta como um filtro passa-banda, apenas conseguindo captar sinais que se situem na gama de frequncias que vo de 20Hz at 20KHz, tal contribui para a possibilidade de o amplificador no necessitar de filtro. No entanto, a no utilizao de um filtro para efectuar a rejeio das frequncias indesejadas do sinal acarreta alguns problemas. 1 - Verifica-se um aumento da corrente que exigida fonte de alimentao e que consequentemente atravessa o altifalante, que deve ser suportada pelo mesmo. Como consequncia h um aumento da energia dissipada, resultante da componente resistiva da impedncia do altifalante [41]. 2 - Deixam-se de eliminar as componentes de alta frequncia que geram as interferncias electromagnticas que so transmitidas pelos cabos que vo desde o amplificador at ao altifalante. Torna-se ento necessrio o uso de blindagem nos cabos e que a distncia, que vai desde o amplificador at altifalante seja reduzida, de modo a diminuir a radiao dessas interferncias [41].
3.2.6 - Altifalantes
Os altifalantes so os elementos que realizam a transduo da energia elctrica, fornecida pelo andar de sada do amplificador, em energia acstica [4]. So ento transdutores electroacsticos. So caracterizados pela sua impedncia e pela sua resposta em frequncia. Possuem ainda a particularidade de a sua impedncia variar mediante as frequncias do sinal que aplicado aos seus terminais. A ttulo de exemplo, um altifalante de
Escolha dos componentes
33
graves de 15 polegadas, pode aos olhos do amplificador apresent ar-se como uma carga de 5.5 a 450Hz e mudar para o valor 40 ao atingir sua frequncia de ressonncia, que se situa entre os valores de 20Hz e 120Hz. O exposto est ilustrado na Figura 3-6.
Figura 3-6 Impedncia em funo da frequncia de um altifalante de graves de 15 polegadas [4]
Deve-se ento saber, ao certo, durante a escolha do altifalante a acoplar ao amplificador, a gama de frequncias que vai ser reproduzida pelo mesmo e a potncia elctrica que se pretende obter. A impedncia nominal do altifalante aparece quase sempre representada, de forma simplificada, como sendo unicamente composta por um elemento resistivo, apresentando valores tpicos de 16, 8 e 4 .
3.3 - Escolha dos componentes

3.3.1 - Topologia
A topologia escolhida foi a topologia de ponte completa de forma a poder alimentar-se a mesma de forma unipolar e evitar o fenmeno de bus pumping que pode acontecer na implementao da topologia de meia ponte. De seguida apresenta-se o clculo da tenso de alimentao, que tem de ser aplicada ponte completa, para se obterem os 30W de potncia, numa carga com impedncia nominal de 8 usando um ndice de modulao de 90%:
34
( 3.6)
( 3.7)
( 3.8)
( 3.9)
( 3.10)
( 3.11)
Em que
a potncia fornecida carga,
a tenso eficaz aplicada a carga, o ndice de modulao.
impedncia do altifalante,
a tenso da alimentao e
( 3.12) Logo a tenso de alimentao deve ser de 24 Volts. Clculo da corrente mxima: ( 3.13) ( 3.14)
( 3.15) ( 3.16) Em que o valor eficaz da corrente e o valor de pico da amplitude da corrente que
circula na ponte. A corrente mxima que pode percorrer os interruptores aproximadamente 3 Amperes.
35
3.3.2 - Escolha dos MOSFET

Os MOSFETs tm de ser capazes de suportar pelo menos o dobro da tenso aplicada ponte e a conduo de pelo menos 3 Amperes. Deve se ter em conta as dimenses dos parmetros descritos em 3.2.2. Aps vrias pesquisas, foram encontrados os seguintes dispositivos que satisfazem os requisitos mnimos de corrente e de tenso pretendidos.
Tabela 3-1 - MOSFETs pesquisados e seus parmetros elctricos principais
Fabricantes IRF IRF NPX IRF IXYS FAIRCHILD NPX
MOSFET IRFI4024h-117p IRFI4019H-117P PHP3055E IRF7478QPbF DE150-101N09A FDS9945 PHD20N06T
BVDSS 55V 150V 60V 60V 100V 60V 55V
ID 6.9A 6.2A 7.3A 5.6A 9A 3.5A 13A
Qg 8.9nC 13nC 5.8nC 21nC 22nC 13nC 11nC
RDSon 48m 80m 150m 26m 160m 170m 154m
Qrr 17nC 210nC 50nC 150nC no no 120nC
Tabela 3-2 - MOSFETs pesquisados e seus parmetros elctricos principais (continuao)
MOSFET IRFI4024h-117p IRFI4019H-117P PHP3055E IRF7478QPbF DE150-101N09A FDS9945 PHD20N06T
Ciss 320pF 810pF 250pF 1740pF 800pF 420pF 422pF
ton 7.9ns 13.6ns 29ns 10.3ns 8ns 11.3ns 60ns
toff 16.4ns 16.1ns 18ns 57ns 8ns 20ns 110ns
N de MOSFETs 2 - Meia ponte 2 - Meia ponte 1 1 1 2- Separados 1
Montagem Through-Hole Through-Hole Through-Hole SMD SMD SMD SMD
Na escolha dos MOSFETs a usar na ponte completa, para alm de levar em conta os paramentos j mencionados em 3.2.2, foram tambm considerados os tempos de comutao (ton , toff) assim como a capacidade de entrada (Ciss) de cada dispositivo, apesar de estes se encontrarem directamente relacionados com a carga da porta (Qg). Foi tambm tido em conta o do tipo de montagem e a quantidade de MOSFETs que cada dispositivo j incorpora. Comparando as caractersticas e pesados os benefcios do uso de um dispositivo que j possua dois MOSFETs, no seu interior, dispostos em topologia de meia ponte, escolheu-se o MOSFET IRFI4024h-117p da International Rectifier (IRF). Assim apenas so necessrios dois CI para implementar a topologia pretendida.
36
3.3.3 - Circuito de drive dos MOSFETs

O facto de se ter escolhido uma topologia em ponte completa faz com que sejam necessrios quatro sinais de comando de porta para se controlar os MOSFETs que a compem. No entanto, como j foi referido em 3.2.3, existem no mercado circuitos integrados que realizam os comandos de porta necessrios para fazer o drive de cada MOSFET existente em cada brao da ponte. Tornou-se ento necessrio calcular a quantidade de corrente que preciso fornecer porta dos MOSFET de modo a que possam comutar velocidade mxima indicada na folha de caractersticas. O clculo da corrente de pico mnima o seguinte:
( 3.17)
Em que a corrente internas do mosfet,
a corrente que entra na porta para carregar as capacidades e a capacidade de entrada do MOSFET e perodo de tempo que
ocorre aps a tenso da porta ter chegado ao valor de patamar que demora a carregar a carga entre a porta e o dreno (QGD). Olhando para a folha de caracterstica do MOSFET escolhido, retirou-se que . Sabendo que a tenso de patamar do MOSFET e igual a 4 Volts, que a corrente
de dreno mxima igual 3A e que gfs (transcondutncia) igual a 6.5 Siemens obtm-se uma tenso VGS mnima para esta aplicao de 4.46V. Assim estipulou-se uma tenso de porta . Usando a equao ( 3.17) calcula-se o valor da corrente que deve ser aplicada na porta do MOSFET: ( 3.18)
Aps alguma pesquisa decidimos utilizar um drive de MOSFETs que apresentava as caractersticas pretendidas. O MAX5063 da Dallas Maxim, capaz de realizar o drive de meia ponte de MOSFETs, tem a capacidade de fornecer e absorver uma corrente de pico de 2A, pode ser alimentado com nveis de tenso entre 8 e 12.6 Volts, capaz de suportar tenses at 125V, possui entradas com histerese e j implementa o circuito de bootstrapping.
37
3.3.4 - Modulao do sinal de udio

Para a implementao da modelao por PWM optou-se pela frequncia de modulao de 0.5MHz que 25 vezes superior frequncia mxima do sinal de udio o que permitir aliviar o projecto do filtro de sada. Tendo em conta que uma das razes pela qual se escolheu a topologia de ponte completa foi o facto de esta poder ser alimentada de forma unipolar, decidiu-se alimentar o circuito de condicionamento do sinal de udio tambm unipolarmente. Assim, para a implementao do circuito gerador de onda triangular foi necessrio encontrar componentes que pudessem funcionar da forma pretendida sendo alimentados com uma nica tenso. O comparador a utilizar deve ser suficientemente rpido para conseguir gerar uma onda quadrada frequncia desejada, 0.5MHz e, ao mesmo tempo, encontrar um amplificador operacional que tivesse largura de banda suficiente para realizar a integrao da onda quadrada gerando assim uma onda triangular. O comparador escolhido foi o comparador da Linear Technology LT1715 que possui: - frequncia mxima de comutao de 150Mhz; - 4mV de histerese interna; - funcionamento em modo comum que vai desde os com - taxa de variao (Slew Rate) de - possui dois comparadores; ; - possui tempos de subida ( ) e descida ( ) de at se alimentado
Figura 3-7 - LT1715 - esquema de alimentao unipolar e esquema de encapsulamento com disposio dos pinos [42]
O amplificador operacional escolhido foi o AD8041 da Analog Devices que possui as seguintes caractersticas: - largura de banda de 160Mhz;
38
- alimentao de
ou
; ;
- taxa de variao (Slew Rate) de
Optou-se para o gerador de forma de onda triangular uma excurso de 1V de pico a pico com a frequncia de 0.5MHz e, caso fosse necessrio, far-se-ia uma amplificao posterior para poder ser utilizada na parte da comparao com o sinal de udio. Usando a equao ( 3.5) estipulou-se a excurso de 1V pico a pico com e . ,
( 3.19)
Usando os valores de fosse 0.5MHz.
em ( 3.4) e arbitrando um valor para a resistncia que necessrio para que frequncia da onda triangular
calculou-se o valor da capacidade
( 3.20)
Para a gerao do PWM optou-se tambm pelo uso de outro comparador LT1715 para gerar o sinal PWM negado e no negado utilizado na comutao complementar dos MOSFETs de cada brao integrante da ponte.
3.3.5 - Filtro LC passa baixo de segunda ordem

O filtro usado foi um filtro LC passa baixo passivo de segunda ordem com uma resposta plana na banda passante e uma atenuao de -40dB/dcada na banda de transio. Para se calcularem os valores das indutncias e capacidades constituintes do filtro com uma frequncia de corte ( ) de 30kHz utilizou-se [43]:
( 3.21)
( 3.22)
Em que primeiro se calcula o valor da indutncia , que o mesmo para as duas bobinas do filtro e, de seguida, utiliza-se esse valor para se encontrar o valor de equivalente impedncia nominal do altifalante. Ou seja 8 . que tambm comum aos dois condensadores do filtro. O valor da impedncia da carga considerado foi o
39
( 3.23)
( 3.24)
( 3.25)
( 3.26)
Figura 3-8 - Imagem do filtro passa baixo passivo de segunda ordem
A Figura 3-8 apresenta o filtro passa baixo LC de segunda ordem, no qual L1, L2, C1 e C2 so os seus elementos constituintes. Z representa a impedncia nominal do altifalante. Escolha das bobinas e dos condensadores As bobinas escolhidas foram do tipo toroidal para se tentarem minorar os efeitos electromagnticos, criados pela passagem de corrente frequncia de comutao. O valor para a resistncia da bobina foi tido como um parmetro relevante para se efectuar a escolha pois um valor elevado teria implicaes no aumento das perdas por efeito de joule. Procurou-se tambm que o valor de corrente suportado pela bobina fosse bastante superior ao valor mximo que a iria percorrer de modo a evitar a saturao magntica [44]. Na Figura 3-9 exibe-se a bobina escolhida para a realizao do filtro passa baixo. Caractersticas da Bobina -
40
Figura 3-9 - Bobina toroidal escolhida para o filtro
Escolheram condensadores de polister com capacidade normalizada de 1.5F com 100V para a tenso mxima de funcionamento. O condensador escolhido encontra-se ilustrado na Figura 3-10.
Figura 3-10 - Condensador de polister
3.3.6 - Altifalantes
Tendo em vista que o amplificador classe D projectado seria capaz de funcionar desde 20 a 20kHz, com uma potncia mxima de 30Watts, escolheu-se o altifalante apresentado na Figura 3-11, que possua as seguintes caractersticas. VISATON FR 10 HM 8 OHM, fullrange: - 30Watts de potncia mxima; - Impedncia nominal de ; - Resposta em frequncia desde 95 ate 22000Hz; - Frequncia de ressonncia nos 120Hz - Resistncia DC de - Indutncia do altifalante =
Concluso
41
Figura 3-11 - Altifalante VISATON FR 10 HM 8 OHM fullrange
3.3.7 - Amplificador operacional

Escolheu-se o OPA2350 para se implementar o condicionamento dos sinais antes da comparao com a onda triangular. O opa2350 possui a seguintes caractersticas: - Entradas e sadas Rail-to-Rail - Largura de banda de 38Mhz - Alimentao unipolar at 7V - Corrente de sada de 10mA
3.3.8 - Transdutor de corrente

Para se implementar a medida do sinal de corrente no altifalante foi necessrio escolher um transdutor que tivesse uma gama de medida adequada corrente que iria circular nos altifalantes. Escolheu-se o LEM LT 25-NP que possui as seguintes caractersticas: - Alimentao bipolar de 15V - Corrente nominal de 25A - Sada em corrente - Possibilidade de configurao para 5A de corrente nominal - Frequncia mxima de medio de 150kHz
3.4 - Concluso
A correcta escolha dos componentes usados no amplificador Classe D um requisito obrigatrio quando se pretende um bom resultado final em termos de udio. Assim neste captulo, tendo em conta a potncia do amplificador, o ndice de modulao mximo e gama de frequncias de funcionamento, escolheram-se os componentes que se julgaram ser os mais adequados realizao do objectivo pretendido.
42
Captulo 4 Simulao
4.1 - Resumo
Neste captulo recorrendo a simulaes efectuadas atravs de programas orientados simulao de circuitos elctricos, valida-se o dimensionamento do filtro passa baixo e simulase o circuito gerador de onda triangular. Apresenta-se o procedimento usado para se obter o modelo Spice do MOSFET escolhido e efectuam-se simulaes do amplificador classe D das quais se conclui sobre as distores harmnicas, para diferentes frequncias, e diferentes tempos mortos. Calcula-se ainda, um compensador recorrendo ferramenta matemtica SISOTOOL existente no Matlab.
4.2 - SPICE
Pressupe-se como simulao o acto de imitar a realidade [45]. Assim, emulando o comportamento de sistemas possvel analisar como seria a sua resposta caso fossem concretizados fisicamente. Consegue-se desta forma prever o seu comportamento e realizar uma anlise pormenorizada do mesmo, pelo que a simulao torna-se ento numa ferramenta til ao projecto de sistemas sejam eles elctricos ou de outro tipo. O SPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis ) um programa de simulao de circuitos elctricos, originalmente desenvolvido no departamento da EECS (Electrical Engineering and Computer Science) da Universidade da Califrnia em Berkeley, que permite, entre outras, a realizao de anlises em regime transitrio, DC (Direct Current) e AC (Alternating Current). Os circuitos simulados podem ser compostos por diversos tipos de componentes, como: resistncias, condensadores, bobinas, fontes independentes e dependentes de tenso e corrente, dispositivos semicondutores como, dodos, BJTs, JFETs (Junction Field Effect Transistor), MESFETs (Metal Field Effect Transistor), e MOSFETs.[46] 43
SPICE
44
No presente trabalho o programa utilizado para se efectuarem as simulaes foi o desenvolvido pela empresa de software National Instruments, Multisim verso 10. Este programa consegue integrar numa nica aplicao a parte da representao e construo esquemtica de circuitos elctricos com a parte de simulao realizada atravs do Spice [47].
Figura 4-1 - Interface grfica do programa NI Multisim 10
A ttulo de exemplo, na Figura 4-1 encontra-se representada a interface grfica do Multisim na qual est montado o circuito de um amplificador operacional na configurao inversora com ganho unitrio. O sinal entrada fornecido por uma fonte de tenso AC e o sinal a sada encontra-se aplicado a uma resistncia de 100k. Para se realizar a anlise das formas de onda entrada e sada recorre-se a um osciloscpio virtual que permite visualizar as tenses nos ns em que as suas pontas de prova se encontram ligadas.
Simulao do Filtro Passa Baixo de segunda ordem
45
Figura 4-2 - Formas de onda obtidas atravs do osciloscpio virtual. Entrada - sinuside Vermelha. Sada sinuside Azul.
Na Figura 4-2 vem-se as formas de onda obtidas pelo osciloscpio virtual no n 3 (sinal entrada) e no n 2 (sinal sada). Verifica-se desta forma a inverso do sinal e o ganho unitrio da montagem. Pelo exposto demonstram-se as vantagens da simulao de circuitos elctricos. No exemplo da montagem inversora do amplificador operacional confirmaram-se os pressupostos tericos sem se ter que recorrer implementao do circuito.
4.3 - Simulao do Filtro Passa Baixo de segunda ordem

Aps o dimensionamento dos componentes constituintes do filtro passa baixo, foi necessrio valid-lo. Na Figura 4-3 representa-se esquematicamente o circuito do filtro passa baixo, com os valores dos componentes calculados anteriormente, ao qual se encontra aplicada de forma diferencial uma fonte de tenso alternada. Para simular a impedncia do altifalante assumiu-se que esta era equivalente soma da sua resistncia DC e o valor da indutncia medida frequncia de 1kHz.
46
Figura 4-3 - Circuito usado para simular a resposta do filtro LC de segunda ordem. L1 e L2 representam a indutncia das bobinas presentes no filtro; C1 e C2 representam as capacidades existentes no filtro; Ra e La representam, respectivamente, a resistncia DC do altifalante e a indutncia frequncia de 1kHz.
Realizou-se o seguinte procedimento para se efectuar a validao do dimensionamento do filtro. Comeamos por realizar uma anlise AC ao circuito da Figura 4-3 considerando o valor de 1 V de amplitude para a fonte tenso. Assim, obteve-se a resposta em frequncia do filtro (Traado de Bode) apresentada na Figura 4-4.
Figura 4-4 - Resposta em frequncia do filtro passa baixo com altifalante no Multisim
47
Tornou-se ento necessrio comprovar os resultados da simulao do Multisim. A maneira de realizar essa verificao passou pelo clculo da funo de transferncia do sistema filtro e altifalante, para posteriormente se compararem os ganhos obtidos atravs de cada um dos mtodos (Multisim e aplicao de Matlab). Funo de transferncia do filtro mais Altifalante
Figura 4-5 - Circuito usado para o clculo da funo de transferncia
Apresentam-se em seguida os passos efectuados para se calcular a funo de transferncia , no domnio das frequncias, para o circuito esboado na Figura 4-5.
( 4.1)
( 4.2)
( 4.3)
( 4.4)
( 4.5) Fazendo: ( 4.6) Em que Z corresponde a impedncia do altifalante. ( 4.7)
48
Calculada a funo de transferncia, representada na equao ( 4.7), criou-se posteriormente, uma aplicao em MATLAB (cdigo em anexo) a qual, especificando a frequncia de teste, retornava o valor do ganho em dBs (decibis). Os resultados obtidos pelas duas diferentes metodologias encontram-se representados na Tabela 4-1.
Tabela 4-1 Resultados obtidos pelas duas simulaes
Ganho em dBs Frequncias Testadas 5kHz 10kHz 15kHz 20kHz 30kHz 33kHz 50kHz 80kHz 100kHz 200kHz 300kHz 500kHz
se o dimensionamento do filtro.
Matlab -0,5807 -0,4456 0,5572 2,4553 13,6204 28,8765 -3,9378 -15,4172 -19,9125 -32,7169 -39,8981 -49,0176
Multisim -0,580100 -0,443000 0,562800 2,468811 13,7115 28,75441 -3,954300 -15,4416 -19,939000 -32,7396 -39,9134 -48,8613
Erro em Mdulo 0,0006 0,0026 0,0056 0,013511 0,0911 0,12209 0,0165 0,0244 0,0265 0,0227 0,0153 0,1563
Dada a proximidade dos valores obtidos para as mesmas frequncias de teste comprovou-
Figura 4-6 - Traado de Bode da funo de transferncia calculada
Simulao do circuito gerador de onda triangular
49
4.4 - Simulao do circuito gerador de onda triangular

Realizou-se tambm a verificao relativa ao dimensionamento do circuito gerador de onda triangular, de modo que esta apresentasse uma excurso do sinal de 1 Volt de pico a pico com uma frequncia de 500KHz. Para a realizao da simulao utilizou-se o circuito ilustrado na Figura 4-7
Figura 4-7 - Circuito utilizado na simulao do gerador de onda triangular, composto por um amplificador operacional a funcionar como um integrador inversor e um comparador com histerese no qual variando o valor das resistncias R2 e R1 possvel definir diferentes valores de disparo.
Figura 4-8 - Resultado da simulao do circuito gerador de onda triangular
Na Figura 4-8 podem-se ver os resultados da simulao. Verificou-se que quer o valor da frequncia assim como o da excurso do sinal eram ligeiramente inferiores ao previsto. Obteve-se assim uma onda triangular com excurso de sinal de 941mV e uma frequncia de
Criao do modelo do IRFI4024h-117p
50
0.489MHz. No entanto considerou-se que os resultados obtidos eram satisfatrios visto que a frequncia se aproximava bastante dos 0.5MHz e o sinal posteriormente iria ser amplificado.
4.5 - Criao do modelo do IRFI4024h-117p

Escolhido o Mosfet constatou-se que fabricante no disponibilizava um modelo para o mesmo. Assim, foi necessrio desenvolver um modelo SPICE para se poder realizar a simulao do circuito. A primeira tentativa de modelao do IRFI4024h-117p usou a ferramenta Model Maker existente no programa Multisim destinada a esse propsito. Esta mediante o preenchimento de uns campos, correspondentes a parmetros elctricos retirados da folha de caractersticas, do dispositivo em questo, permite criar um modelo que depois poder ser usado nas simulaes pretendidas.
Figura 4-9 - Interface grfica do Model Maker do Multisim
No entanto, aps vrias tentativas, inglrias, de criao do modelo, recorrendo a essa metodologia, decidiu-se desenvolver o mesmo usando a metodologia apresentada nos captulos 4 e 6 do livro Semiconductor Device Modeling [48], referentes ao transstor MOS (Metal Oxide Semiconductor) e ao clculo e modo de medio dos parmetros elctricos do mesmo.
51
4.5.1 - Clculo dos parmetros do modelo SPICE do MOSFET
Extraco das curvas caractersticas existentes na folha de caractersticas Em primeiro lugar foi preciso extrarem-se os valores das curvas com a temperatura de juno a 25 Celsius (VDS, IDS) e (VGS, IDS) existentes na folha de caractersticas do transstor. Para se realizar essa extraco utilizou-se o Engauge Digitizer, que um programa freeware que permite, mediante a escolha do tipo de escala dos eixos do grfico (logartmica ou linear), seleccionar um conjunto de pontos contidos numa curva e fazer a sua exportao para um ficheiro CSV (Coma-Separated Values), que posteriormente pode ser importado e tratado no Excel.
Figura 4-10 - Imagem inicial antes de se efectuar a extraco dos parmetros
Na Figura 4-10 representa-se o aspecto da imagem correspondente caracterstica I DS em funo de VDS antes de se iniciar o tratamento da mesma. De seguida apresenta-se na Figura 4-11 a mesma imagem aps a eliminao da grelha ficando apenas os eixos e as formas de onda desejadas. Representa ainda os pontos seleccionados (com cruzes azuis) da curva referente a VGS igual a 4,5V, que foram exportados para um ficheiro CSV.
52
Figura 4-11 - Pontos seleccionados da curva que se pretendem extrair.
Para se poder utilizar o Engaude Digitizer teve de se converter a pgina de interesse, que se encontra no formato PDF (Portable Document Format), para PNG (Portable Network Graphics) que um dos formatos suportados pelo programa. Para se realizar essa converso utilizou-se o programa freeware IrfanView. Na Figura 4-12 e na Figura 4-13 podem-se ver, respectivamente, as curvas (VDS, IDS) e (VGS, IDS) que foram traadas utilizando os valores extrados pelo processo descrito.
50 45 40 35 Corrente IDS(A) 30 25 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 Tenso VDS (V) 25 30 VGS4_5 VGS5 VGS5_5 VGS6 VGS7 VGS8 VGS10_15
Figura 4-12 - IDS em funo de VDS. Valores extrados da folha de caractersticas (25C)
53
50 45 40 Corrente IDS (A) 35 30 25 20 15 10 5 0 0 2 4 6 8 10 IDS
Tenso VGS (V)

Figura 4-13 - IDS em funo de VGS para um VDS = 25V: valores da folha de caractersticas (25C)
Com os valores extrados das curvas caractersticas (V DS,IDS) e (VGS,IDS) pde-se, no Excel, retirar os parmetros correspondentes ao modelo. Modelo do MOSFET O modelo do mosfet nvel 1 em SPICE usa que: (largura-width) e (length-comprimento) representa as dimenses fsicas do canal do ) quando o substrato se encontra ao mesmo MOSFET. representa a tenso de patamar ( potencial da fonte. representa o parmetro de transcondutncia do MOSFET. representa o parmetro de modulao de comprimento do canal. representa a capacidade entre o terminal da porta e a fonte. representa a capacidade entre o terminal da porta e o dreno. Como os parmetros retirados com o transstor numa dada zona de funcionamento (linear ou saturao) simulam com mais preciso o seu comportamento nessa mesma regio [48], foram utilizadas as equaes que so descritivas do comportamento do transstor na zona de saturao para se criar o modelo a utilizar para esta aplicao. A Figura 4-14 ilustra as diferentes zonas de funcionamento do MOSFET. , , , , , e em
54
Figura 4-14 - Representao das zonas de funcionamento do MOSFET [48]
As condies de tenso para o MOSFET funcionar na zona linear ( 4.8) so:

( 4.8)
A equao da corrente de dreno na zona linear ( 4.9).

( 4.9)
Em que:
( 4.10)
As condies de tenso para o MOSFET funcionar na zona de saturao ( 4.11) so:

( 4.11)
A equao da corrente de dreno na zona de saturao ( 4.12).
( 4.12)
Usando a metodologia apresentada no capitulo 6 do livro Semiconductor Device Modeling [48], assume-se que o comprimento e largura do canal do MOSFET a modelar so iguais e de valor . Pelo que e consequentemente .
55
A partir de duas medies de iguais, possvel calcular .
com diferentes
, efectuadas com valores de
( 4.13)
Pondo
em evidncia obtm-se,
( 4.14)
No entanto de modo a utilizar-se esta relao ( 4.14) . Para calcular o
necessrio que no mnimo
, torna-se necessrio realizar a substituio dos valores na equao.
( 4.15)
Para o Clculo de
tem-se que,
( 4.16)
Em que
corresponde ao declive da caracterstica do MOSFET na zona de saturao e
corresponde corrente do dreno no ponto em que as rectas que definem a zona de saturao e zona linear se interceptam. O exposto encontra-se ilustrado na Figura 4-15.
56
Figura 4-15 - Representao grfica dos valores envolvidos no clculo do LAMBDA [48]
Para a obteno dos valores de igual ao valor de e para
utilizou-se a metodologia usada na seco igual diferena entre
8.7 do livro Spice for Power Electronics and Electric Power [49] na qual se assume que (reverse transfer capacitance) e que medido com nulo.
( 4.17)
( 4.18)
Para se efectuarem os clculos que determinam o valor de curvas caractersticas (VDS,IDS) medidas com igual a , ,
e de e
, usaram-se as em detrimento das
outras, visto que, por mera inspeco visual as restantes curvas apresentavam declive negativo na zona de saturao, o que se pode traduzir num comportamento diferente do esperado. Clculo de Usando uma regresso linear para os valores de VDS iguais a 6, 7 e 8 Volts para as curvas com igual a , , e obtiveram-se os seguintes valores de .
57
Tabela 4-2 - IDS em funo de VGS com VDS = 6 V
(V) 4,5 5 5,5 6
(A)
1,06163632 4,266225728 9,287268 15,45013
(V) 4,5 5 5,5 6
(A) 1,072443271 4,315543084 9,359741 15,52172
(V) 4,5 5 5,5 6
(A) 1,083250223 4,36486044 9,432214 15,59331
Com estes valores e usando a equao ( 4.14), com facto de total. , obteve-se o valor de cada seguida realizou-se a mdia dos valores calculados para cada
, e tendo em ateno o correspondente a cada . De e posteriormente a mdia
Tabela 4-5 - Valores de VTO com VGS1=4,5V e mdia aritmtica dos valores totais
Mdia de VTO por 6 7 8 3,989200022 3,988290292 3,987394517 3,967113134 3,965120509 3,963147727 3,978156578 3,9767054 3,975271122 Mdia total VTO 3,976711034 V
58
Clculo de KP Aplicando os valores retirados da curva caracterstica apresentada na Figura 4-13 equao ( 4.15) calculou-se o valor de KP correspondente a cada par VGS , IDS. Realizou-se em seguida a mdia aritmtica dos KP obtidos.
Tabela 4-6 - Clculo de KP
VGS 4,6422
IDS 1,96597
KP 8,878204885 8,973692434 9,585613235 9,446790857 9,439415766 9,24580051 9,746754072 9,426114549 9,482672165 10,00217823 9,252997909 9,124014142 8,707132381 8,484888554 8,325478931 7,939172069 7,173667091 7,199764133 6,671922263 6,428257045 5,954604605 5,356148832 4,847598355 4,422615637 4,167782554 3,731914426 3,388427392 Mdia total KP 7,607541593 A/V
2
4,75229 2,69894 4,78899 3,16228 4,86239 3,70516 4,93578 4,34125 5,00917 4,92788 5,08257 5,95977 5,15596 6,55411 5,22936 7,43977 5,33945 9,28731 5,48624 10,5423 5,59633 11,9669 5,74312 5,9633 13,584 16,4284 5,85321 14,9387 6,11009 18,0668 6,33028 19,8685 6,44037 21,8499 6,66055 24,0289 6,84404 26,4252 7,10092 29,0605 7,43119 31,9586 7,72477 34,0494 8,09174 37,4451 8,42202 41,1793 8,82569 43,8735 9,22936 46,7439
59
Clculo de LAMBDA Para o clculo do LAMBDA realizaram-se duas regresses lineares a cada curva IDS em funo VDS. Uma para os valores na zona de funcionamento de saturao e a outra para a zona linear. VGS = 4,5V Zona linear ( 4.19) Zona Saturao ( 4.20) VGS = 5V Zona linear ( 4.21) Zona Saturao ( 4.22) VGS=5,5V Zona linear ( 4.23) Zona Saturao ( 4.24) VGS=6V Zona linear ( 4.25) Zona Saturao ( 4.26) Posteriormente calculou-se o ponto de interseco das rectas e o correspondente valor de IDS,sat. Com o declive da recta obtida para a zona de saturao ( valor do LAMBDA para cada VGS atravs da equao ( 4.16). VGS = 4,5V ( 4.27) ) pde-se calcular o
60
( 4.28)
VGS = 5V ( 4.29) ( 4.30)
VGS=5,5V ( 4.31) ( 4.32)
VGS=6V ( 4.33) ( 4.34)
Calculou-se ento a mdia aritmtica de todos os valores de LAMBDA obtidos. ( 4.35)
Clculo de CGSO e CGDO Com os valores de e retirados da folha de caractersticas calcularam-se CGDO E CGSO usando as equaes ( 4.17) e ( 4.18). ( 4.36) ( 4.37) Ajuste dos parmetros do modelo do MOSFET Usando a anlise DC Sweep existente no Multisim, para variar a tenso VDS aplicada ao MOSFET, apresentado na Figura 4-16, verificou-se o comportamento do modelo desenvolvido.
61
Figura 4-16 - Circuito utilizado para realizar o teste do modelo Spice obtido
Aps um pequeno ajuste de 3 dcimas no valor do KP calculado (de 7,607541593 para 7,307541593) obtiveram-se os seguintes resultados. 1,4 1,2 1 IDS(A) 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0 10 V (V) 20 DS 30 Datasheet Multisim
Figura 4-17 - IDS em funo de VDS com VGS= 4.5V
6 5 4 IDS(A) 3 2 Datasheet Multisim
1
0 0 10 VDS(V) 20 30
Figura 4-18 - IDS em funo de VDS com VGS= 5V
62
12 10 8 IDS(A)
6
4 2 0 0 10 VDS(V)
Figura 4-19 - IDS em funo de VDS com VGS= 5.5V
Datasheet Multisim
20
30
20 15 IDS(A) 10 5 0 0 10 VDS(V) 20 30
Datasheet
Multisim
Figura 4-20 - IDS em funo de VDS com VGS= 6V
Da Figura 4-17 at Figura 4-20 comparam-se os valores extrados da folha de caractersticas com os valores obtidos pela simulao do modelo. Como se verifica os valores obtidos, para tenses VGS de 4.5, 5, 5.5 e 6 Volts apresentaram um erro mximo na ordem dos 10%. O ficheiro de texto do modelo final obtido o seguinte: M1 1 2 3 3 MM L=100u W=100u .MODEL MM NMOS LEVEL=1 +VTO=3.976711034 +KP=7.307541593 +LAMBDA=0.0089625 +CGSO=289e-12 +CGDO=31e-12
Componente e modelo do Driver
63
4.6 - Componente e modelo do Driver

Para alm das caractersticas elctricas do driver escolhido corresponderem s desejadas, uma vantagem adicional da escolha do MAX5063 foi o facto do fabricante, MAXIM, fornecer um modelo Spice para um driver idntico a este. O MAX5064A. Assim e partindo deste modelo foi necessrio criar o componente no Multisim de modo a que se pudesse efectuar a simulao do seu funcionamento.
Figura 4-21 - Componente MAX5064A criado no Multisim
No entanto, para que o modelo funcionasse, tiveram de se alterar alguns parmetros referentes s iteraes da simulao. Este procedimento foi retirado da informao que acompanhava o modelo Spice de outro driver: o IR2010 da International Rectifier.[50] Na Tabela 4-7 encontram-se representados os valores predefinidos para tolerncias de erros no Multisim e os valores que foram usados para se realizar a simulao.
Tabela 4-7 - Parmetros de simulao alterados
Nome ABSTOL (Absolute error tolerance) RELTOL (Relative error tolerance) ITL4 (Upper transient iteration limit) METHOD (Integration Method)
Valor predefinido A
Valor Usado A
TRAPEZOIDAL
GEAR
Na Figura 4-22 ilustra-se a interface onde se podem alterar os parmetros de simulao no Multisim, onde se pode ver os parmetros ABSTOL e o RELTOL alterados.
Simulao do amplificador Classe D
64
Figura 4-22 - Parmetros de simulao do Multisim
4.7 - Simulao do amplificador Classe D

Apesar da criao dos modelos SPICE decidiu-se aps algumas simulaes, efectuar-se a simulao com componentes ideais, visto que o tempo de durao das simulaes era incomportvel para a quantidade de simulaes que se pretendia fazer. Na Figura 4-23 e Figura 4-24 apresenta-se o circuito usado para realizar as simulaes com o modelo calculado para o MOSFET e drive. Na Figura 4-23 usaram-se dois geradores de forma de onda e um comparador virtuais para se obter o sinal de PWM, um buffer complementar para se obter sinal negado e no negado de comando para as portas dos MOSFETs e dois circuitos geradores de atraso, compostos por um condensador, uma resistncia e um dodo. Na Figura 4-24 representa-se o resto do circuito que composto pelos 4 MOSFETs, dodos de free-wheeling, dois drivers de MOSFETs, resistncias usadas para limitar a corrente fornecida s portas dos MOSFETs e filtro mais impedncia do altifalante.
65
Figura 4-23 - Circuito composto com modelos dos componentes: PWM com componentes ideais, Buffer de tenso complementar e gerao de tempo morto
Figura 4-24 - Circuito composto com modelos dos componentes (continuao): Ponte completa de MOSFETs e drivers
Com a deciso de se efectuar a simulao com componentes ideais, teve de se arranjar algo que substitusse o funcionamento do MOSFET e o driver. Assim foi utilizado um interruptor ideal controlado por tenso. Este interruptor possua a opo de introduo de histerese aos nveis de tenso de entrada e a possibilidade de se definir o valor de resistncia interna de conduo. Pde-se ento simular a histerese existente no driver escolhido e a resistncia RDS(ON) do MOSFET. No entanto continuou a ser necessria a incluso um dodo de free-wheeling ligado aos terminais de sada de cada um dos interruptores. Por sua vez para a modelao PWM continuaram-se a utilizar os dois geradores de forma de onda mas em vez de se usar um buffer complementar utilizou-se outro comparador virtual para gerar o sinal negado. O descrito encontra-se representado na Figura 4-25.
66
Figura 4-25 - Circuito utilizado na simulao do amplificador Classe D
4.7.1 - Clculo da distoro harmnica total no Multisim
Para encontrar o valor da distoro harmnica total para cada frequncia testada recorreu-se anlise de Fourier existente no Multisim, cuja interface se apresenta na Figura 4-26. Nesta anlise, mediante a escolha da frequncia fundamental a analisar, do nmero de harmnicos a simular e respectivo tempo inicial e final de simulao, obtm-se o valor da distoro harmnica total. No entanto tem de se garantir que a frequncia de amostragem obedea equao ( 4.38). ( 4.38) Em que a frequncia de amostragem, a frequncia fundamental e o
nmero de harmnicos. O clculo realizado usando a definio do standard do IEEE na equao ( 2.1).
67
Figura 4-26 - Parmetros de simulao para a anlise de Fourier
Procedimento adoptado para as simulaes Aps a realizao de algumas simulaes, a diversas frequncias fundamentais, verificouse que era necessria a passagem de um certo tempo at que a forma de onda estabilizasse. Por mera inspeco visual, chegou-se concluso que a partir de 1milissegundo esse regime transitrio j teria sido ultrapassado, pelo que se usou esse tempo como sendo o tempo inicial de simulao. Na Figura 4-27 representa-se a tenso aos terminais do altifalante para a simulao realizada frequncia de 20kHz, onde se consegue ver a resposta transitria referida.
Figura 4-27 - Representao da resposta transitria para a frequncia de 20kHz
68
Outro ponto de destaque o facto de se ter verificado que a distoro harmnica total variava com a mudana do tempo total de simulao. No entanto no se verificava uma correspondncia directa do valor da distoro com o valor do tempo de simulao. Ou seja, com o aumento do tempo de simulao tanto se podia obter um aumento da distoro como uma diminuio. Por esse motivo tentou-se arranjar uma forma de uniformizar as simulaes, pelo que se estipulou que o tempo total de simulao ( frequncia de interesse. ( 4.39) ) seria o equivalente a 10 perodos completos
Em que simulao.
o tempo total de simulao e
a frequncia fundamental da
4.7.2 - SIMULAES
A realizao das simulaes foi dividida em duas fases. Numa primeira fase tentou-se simular o efeito do tempo morto na distoro da forma de onda obtida sada. Foi ento considerado um ndice de modulao 1 e tenso de alimentao de 24V. Para cada frequncia testada variou-se o valor do tempo morto na comutao do circuito desde 0ns at 100ns com incrementos de 10ns. A gama de frequncias utilizada variou desde 1kHz at 20 kHz usando incrementos de 1kHz. Numa segunda fase realizou-se a simulao do circuito considerando os parmetros usados no circuito real. Ou seja ndice de modulao 0.5 utilizando-se a tenso igual a 10V. Considerou-se ainda a variao do tempo morto desde 20ns at 60ns com incrementos de 10ns. A gama de frequncias usada foi a mesma que na primeira fase de simulaes. Em cada fase obteve-se a distoro harmnica total (THD) para a tenso aos terminais da impedncia do altifalante.
69
RESULTADOS DAS SIMULAES Primeira fase ( ):
A Tabela 4-8 e a Tabela 4-9 apresentam os valores obtidos da distoro harmnica para diferentes frequncias e tempos mortos simulados com um ndice de modulao 1 e com 24 V de alimentao.
Tabela 4-8 THD da Tenso Medida [0-50ns]
Frequncia Em kHz 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
0ns 1,12% 16,59% 7,77% 13,42% 12,56% 16,49% 19,85% 20,73% 32,83% 68,40% 27,17% 16,64% 14,25% 13,40% 13,32% 16,21% 14,14% 5,13% 3,25% 2,89%
10ns 1,91% 14,81% 10,39% 23,00% 12,45% 16,76% 15,62% 24,00% 17,12% 45,28% 13,11% 9,93% 17,67% 13,07% 25,64% 14,82% 15,16% 7,32% 3,64% 3,22%
Tempo Morto 20ns 30ns 2,98% 11,98% 5,55% 9,23% 14,05% 21,91% 22,17% 21,61% 33,59% 132,74% 37,27% 25,27% 12,02% 13,00% 13,51% 20,61% 13,11% 10,32% 6,26% 6,12% 14,99% 9,92% 19,67% 20,06% 4,80% 11,37% 24,80% 21,91% 20,13% 115,18% 21,12% 13,47% 13,49% 22,49% 13,94% 14,98% 12,39% 7,07% 5,90% 5,41%
40ns 2,76% 3,64% 7,25% 19,22% 4,42% 8,52% 27,24% 9,74% 17,77% 67,96% 11,83% 25,72% 17,79% 8,20% 23,57% 14,77% 21,81% 13,09% 6,66% 4,85%
50ns 11,71% 7,33% 5,62% 13,53% 9,46% 10,61% 14,80% 13,66% 14,38% 100,94% 41,56% 14,94% 13,17% 19,35% 17,69% 17,19% 15,22% 8,86% 6,83% 4,87%
Tabela 4-9 - THD da Tenso Medida [60-100ns]
Tempo Morto Frequncia Em kHz 20 19 18 17 16 15 14 60ns 0,92% 13,72% 9,20% 11,24% 10,76% 9,32% 12,45% 70ns 80ns 90ns 100ns
3,82% 5,60% 2,94% 2,89% 6,69% 13,30% 5,33% 11,23% 4,29% 3,36% 10,31% 13,24% 6,30% 6,08% 3,22% 14,59% 6,75% 10,69% 6,94% 7,24% 9,38% 6,70% 9,92% 3,61% 6,20% 11,90% 12,60% 6,15%
70
13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
Segunda fase ( )
9,82% 22,58% 61,11% 25,01% 13,19% 12,10% 13,13% 16,18% 20,78% 12,93% 6,71% 5,54% 5,41%
11,94% 23,48% 26,62% 18,63% 9,26% 11,90% 9,26% 6,90% 13,37% 10,77% 9,64% 4,46% 4,20%
10,65% 9,69% 29,39% 22,27% 16,01% 15,56% 23,23% 9,85% 20,04% 13,75% 6,84% 6,04% 4,69%
11,34% 6,05% 22,45% 18,07% 18,56% 10,50% 13,73% 15,29% 18,35% 19,64% 10,82% 5,69% 4,97%
10,21% 7,34% 16,14% 18,99% 13,34% 21,17% 10,21% 16,91% 16,50% 14,71% 7,93% 4,63% 3,85%
As Tabela 4-10 e Tabela 4-11 apresentam os valores obtidos da distoro harmnica total para diferentes frequncias e tempos mortos simulados com um ndice de modulao 0.5 e com 10 V e 24V alimentao, respectivamente.
Tabela 4-10 - THD da Tenso com Alimentao de 10V [20-60ns]
Tempo Morto Frequncia 20ns 30ns 40ns 50ns 60ns Em kHz 20 12,13% 16,13% 13,23% 6,60% 6,88% 19 22,45% 31,55% 17,54% 5,57% 6,49% 18 12,86% 21,24% 18,97% 3,41% 15,16% 17 74,69% 57,82% 6,62% 10,97% 15,32% 16 52,65% 47,27% 13,52% 6,94% 12,95% 15 46,78% 63,25% 46,51% 40,56% 17,68% 14 44,39% 35,11% 21,05% 21,79% 14,02% 13 54,63% 50,82% 40,38% 25,45% 18,30% 12 47,33% 60,80% 30,58% 39,88% 16,37% 11 104,53% 49,82% 70,13% 46,10% 13,29% 10 82,38% 46,81% 54,65% 46,18% 27,33% 9 59,80% 43,08% 26,52% 17,58% 35,43% 8 91,47% 68,67% 23,80% 23,48% 13,99% 7 49,58% 58,13% 34,89% 35,58% 33,11% 6 17,42% 39,98% 33,42% 29,46% 28,28% 5 15,34% 37,55% 24,41% 35,71% 22,23% 4 34,15% 63,25% 27,50% 60,11% 24,77% 3 16,89% 14,49% 25,38% 18,67% 15,63% 2 10,65% 6,32% 11,07% 8,49% 8,73% 1 5,98% 4,74% 11,93% 4,62% 7,79%
71
Tabela 4-11 - THD da Tenso com Alimentao de 24V [20-60ns]
Tempo Morto Frequncia Em kHz 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 20ns 13,68% 21,72% 38,48% 59,11% 59,16% 32,42% 41,96% 43,60% 46,80% 91,92% 61,06% 78,00% 34,19% 21,22% 34,56% 22,89% 75,64% 18,66% 7,14% 7,15% 30ns 43,71% 13,53% 11,10% 43,10% 20,51% 37,98% 71,94% 42,67% 36,61% 72,53% 55,13% 67,62% 59,41% 28,57% 69,21% 53,72% 25,24% 12,97% 11,07% 4,08% 40ns 17,69% 13,53% 13,09% 15,52% 11,75% 39,74% 25,68% 14,24% 54,62% 96,02% 44,17% 45,55% 26,15% 89,79% 48,62% 38,54% 34,94% 18,51% 9,87% 10,97% 50ns 14,15% 5,36% 9,35% 9,03% 14,68% 12,55% 16,79% 39,75% 53,85% 73,74% 48,23% 21,74% 53,53% 20,78% 40,27% 29,00% 39,63% 6,70% 7,44% 5,20% 60ns 9,25% 7,82% 6,07% 18,84% 11,05% 23,83% 8,78% 18,34% 17,71% 35,28% 16,39% 19,63% 19,59% 48,29% 34,96% 32,76% 25,84% 16,57% 8,54% 7,63%
Aps uma anlise dos resultados obtidos, para diferentes simulaes, no foi possvel chegar a uma concluso definitiva, relativamente influncia do tempo morto na distoro total harmnica resultante. No entanto, verificou-se que em todas as simulaes se obtinha um valor mximo de distoro harmnica total para a frequncia de 11kHz. O que pode ser explicado pelo facto do seu terceiro harmnico ficar situado frequncia de ressonncia do filtro chegando mesmo a ultrapassar em valor, a amplitude do primeiro harmnico. O exposto encontra-se ilustrado na Figura 4-28.
Realimentao
72
Figura 4-28 Distoro Harmnica Total para a frequncia de 11kHz
4.8 - Realimentao
Para dimensionar as partes necessrias implementao da realimentao do amplificador, tendo como referncia o sinal de corrente no altifalante, recorreu-se a um estudo baseado em simulaes do sistema, realizadas em MATLAB. Para esse fim usou-se uma ferramenta que o software referido possui: O SISOTOOL. O SISOTOOL uma ferramenta existente no MATLAB que permite simular sistemas que possuam uma nica entrada e uma nica sada (SISO - single input single output )[51] e mediante a escolha do tipo de arquitectura de controlo, de configurao da malha de realimentao e sistema a simular, permite efectuar o dimensionamento do compensador. Tem ainda a funcionalidade de se poder realizar esse dimensionamento inserindo plos, zeros e/ou variando o ganho do compensador directamente sobre o grfico da anlise feita ao sistema (Traado de Bode, Lugar Geomtrico das razes e Traado de Nyquist) no qual se v o
Realimentao
73
efeito imediato dessa alterao. Torna-se assim num instrumento til ao dimensionamento pretendido.
4.8.1 - Dimensionamento do compensador

Comeou-se por calcular a funo de transferncia do sistema composto pelo filtro e impedncia do altifalante que possui como parmetro de entrada a tenso aplicada ao sistema e como parmetro de sada a corrente no altifalante. Dividindo a equao ( 4.7) pela impedncia do altifalante, obtm-se a funo de transferncia desejada. A funo de transferncia do sistema : ( 4.40)
Em que
a corrente que percorre a impedncia do altifalante; La e Ra correspondem
respectivamente indutncia e resistncia do altifalante; L a indutncia de cada bobina do filtro e C a capacidade de cada condensador do mesmo. Verificou-se seguidamente a resposta em frequncia do sistema associado equao ( 4.40).
Figura 4-29 - Resposta em frequncia da Planta em malha aberta
Realimentao
74
Analisando a resposta em frequncia, representada graficamente na Figura 4-29, constatou-se a existncia de um atraso de fase em relao tenso de entrada. A ttulo de exemplo, para a frequncia de 20KHz obteve-se sada um atraso de fase de 75. Escolheu-se ento uma arquitectura de controlo adequada a realizar a realimentao do sistema, com o intuito de melhorar a resposta em frequncia do mesmo. Pretendia-se que no ramo de realimentao apenas fosse inserido um ganho e o compensador fosse inserido no ramo de aco directa.
Figura 4-30 Arquitectura de controlo utilizada: C = compensador; G = Planta; H e F=1; r = sinal de entrada; u = sinal sada do compensador; y = sinal de sada do sistema em malha fechada; S1realimentao negativa
Com a arquitectura escolhida, ilustrada na Figura 4-30, seguiu-se o dimensionamento do compensador, o qual deveria obedecer a alguns requisitos de projecto predeterminados. Sabe-se que um sistema de fase mnima que possua uma margem de fase situada entre 30 e 60 e que tenha ainda uma margem de ganho superior a 6dB, tem estabilidade garantida, mesmo que o ganho em malha aberta e as constantes de tempo dos componentes variem dentro de certos limites. Um sistema de fase mnima um sistema que no possua plos ou zeros no semiplano direito do plano s [52].
Realimentao
75
Figura 4-31 Sistema sem Compensador: representao do Lugar Geomtrico das Razes (em cima esquerda); Traado de Bode em malha aberta (esquerda em baixo); Traado de Bode em malha fechada (lado direito)
Pela anlise do traado de Bode em malha aberta, presente na Figura 4-31, retira-se a margem de fase de valor infinito e a margem de ganho de valor 3.68 dB. Olhando para a representao do Lugar Geomtrico de Razes observa-se que, aumentando o ganho em malha aberta, as razes se deslocam para o semi-plano direito do plano s o que faz com que o sistema se torne instvel.
Figura 4-32 - Planta com Compensador: representao do Lugar Geomtrico das Razes (em cima esquerda); Traado de Bode em malha aberta (esquerda em baixo); Traado de Bode em malha fechada (lado direito)
Realimentao
76
Com o compensador implementado, usando dois zeros reais, um situado frequncia de 11,92kHz e o outro situado frequncia de 41,11kHz conseguiu-se que o lugar geomtrico das razes ficasse no semi-plano esquerdo do plano s. O exposto encontra-se ilustrado na Figura 4-32. O sistema a malha aberta passou a apresentar uma margem de fase de 49 e uma margem de ganho infinita pelo que se garantiu desta forma a sua estabilidade. Por sua vez, como era pretendido, conseguiu-se uma melhoria da resposta em malha fechada em termos de fase. Para a frequncia de 20kHz passou a apresentar um avano de fase de 6 que se contrape aos anteriores -75. Na Figura 4-33 representa-se a resposta em frequncia obtida do sistema com compensador, na qual se pode verificar a melhoria em termos de fase do sistema.
Figura 4-33 Resposta em frequncia do Sistema com Compensador em malha fechada
O compensador obtido ficou com a seguinte forma: ( 4.41)
Concluso
77
4.9 - Concluso
Apesar de se terem criado um modelos Spice para o MOSFET e driver utilizados, acabou por se realizar a simulao do amplificador classe D recorrendo a componentes ideais pois de outra forma os tempos de simulao seriam incomportveis para a quantidade simulaes pretendida. Quanto influncia da quantidade de tempo morto, includa na comutao do circuito no correspondente valor da distoro harmnica total, no possvel chegar a uma concluso definitiva, pois no se nota uma correspondncia directa entre as duas. Para se chegar a uma concluso seria necessrio desenvolver um estudo centrado volta desse tema. Validou-se o bom dimensionamento do filtro passa baixo de segunda ordem confrontando os valores obtidos atravs de uma aplicao desenvolvida em Matlab com os resultados da simulao efectuada no Multisim. Verificou-se tambm o bom funcionamento do circuito gerador de onda triangular, cujos valor de frequncia e amplitude se aproximavam bastante dos valores esperados. Por ltimo, usando a ferramenta do Matlab SISOTOOL, foi possvel chegar a uma expresso para o compensador que seria o mais indicado para melhorar a resposta em frequncia do sistema desenvolvido.
78
Captulo 5 Implementao do circuito

5.1 - Resumo
Neste captulo descrevem-se os blocos constituintes do circuito implementado e a razo da sua escolha. Efectuam-se medies da distoro harmnica total para diferentes frequncias e tempos mortos. Termina-se com apresentao de resultados prticos obtidos.
5.2 - Blocos do Circuito

O LT1715 usado para gerar o sinal de PWM possui um funcionamento em modo comum para entradas que vai desde -100mV abaixo da alimentao VEE at 1.2V abaixo de VCC. Ao ser alimentado unipolarmente com 5 V necessrio referenciar os sinais, que vo ser comparados, a uma tenso positiva que se situe entre esses dois limites. Neste caso como o limite mximo de tenso fica igual a 3.8V referenciaram-se todos os sinais a metade desse valor. Isso foi realizado usando um divisor resistivo composto por uma resistncia de 4.7k e um potencimetro multivolta de 10k. Para se evitar que o divisor resistivo variasse o seu valor em tenso, devido a algum efeito de carga dos circuitos a que seria ligado, usou-se um buffer de tenso.
5.2.1 - Buffer de tenso

O buffer de tenso foi implementado usando um amplificador operacional (opa2350) no inversor em que a malha de realimentao negativa realizada por um curto-circuito entre a sada e a entrada inversora. Como o amplificador operacional apresenta um curto-circuito virtual aos seus terminais de entrada, qualquer tenso que seja aplicada entrada no
79
Blocos do Circuito
80
inversora aparecer na entrada inversora e na sua sada. O circuito referido encontra-se ilustrado na Figura 5-1.
Figura 5-1- Divisor resistivo feito entre uma resistncia de 4,7k e um potencimetro de 10k seguido de um buffer de tenso
A Figura 5-2 apresenta o circuito do Buffer de tenso implementado. Na referida figura consegue-se visualizar o divisor resistivo realizado entre a resistncia de 4.7k e o potencimetro de 10k cuja tenso estabilizada usando condensadores de desacoplamento. V-se ainda o amplificador operacional montado na configurao inversora com condensadores de desacoplamento inseridos nos seus terminais de alimentao.
Figura 5-2 Buffer de tenso implementado
Blocos do Circuito
81
5.2.2 - Amplificador montado em configurao inversora com acoplamento AC
A Figura 5-3 apresenta o circuito utilizado. Com esta montagem foi possvel eliminar a componente DC do sinal entrada e referenci-lo tenso que se encontra aplicada no terminal no inversor do amplificador operacional [39]. O circuito da Figura 5-3 a resistncia R6 e a condensador C5 implementam um filtro passa alto que possui uma frequncia de corte que pode ser calculada usando ( 5.1): ( 5.1) Dentro da banda passante esta montagem apresenta um ganho igual a operacional consegue-se alterar o valor DC do sinal a amplificar. Esta montagem foi usada para a entrada do sinal de udio, para a entrada da onda triangular e ia seria usada para efectuar o acoplamento AC do sinal vindo da malha de realimentao. .
Aplicando a tenso de referncia do buffer entrada no inversora do amplificador
Figura 5-3 - Amplificador inversor com acoplamento AC- Sinal de udio
Como o sinal de udio e o sinal de realimentao podem apresentar o valor mnimo de 20Hz procurou-se que a frequncia de corte do filtro passa alto fosse muito inferior a esse limiar. importante no dimensionamento deste filtro que de R1 possua um valor elevado. Escolheram-se ento os valores de C5 = 470nF e R6 = 330k para o dimensionamento do filtro com frequncia de corte de 1.02Hz. Para o caso da onda triangular, montagem na Figura 5-4, visto a frequncia ser constante e de valor elevado, usaram-se valores de C14=33nF e R39=5.6k o que d uma frequncia de corte de 861Hz.
Blocos do Circuito
82
Figura 5-4 - Amplificador inversor com acoplamento AC- Onda triangular
A Figura 5-5 apresenta o circuito do amplificador na configurao inversora com acoplamento AC mais filtro passa baixo activo usado para o sinal de udio.
Figura 5-5 - Amplificador na configurao inversora com acoplamento AC e filtro passa baixo activo
5.2.1 - Filtro passa baixo activo

Devido ao rudo a alta frequncia existente no circuito provocado pelas comutaes dos comparadores, tornou-se necessria a insero de um filtro passa baixo activo logo aps o bloco do amplificador, com acoplamento AC, para o sinal de udio, e aps o bloco do amplificador, de instrumentao, com o intuito de se minimizar esse rudo. A Figura 5-6 apresenta o filtro passa baixo realizado por um amplificador operacional montado na configurao inversora, que possui no ramo de realimentao negativa uma impedncia composta por uma resistncia em paralelo com um condensador ( 5.2).
Blocos do Circuito
83
Figura 5-6 Filtro passa baixo com frequncia de corte de 230kHz
( 5.2)
Pelo que a funo de transferncia apresenta a seguinte forma (equao ( 5.3)): ( 5.3)
Como se pretendia que filtro possusse ganho unitrio escolheram-se valores idnticos para R4 e R3, obtendo-se a seguinte expresso de ganho: ( 5.4)
Como o sinal de udio pode apresentar um valor mximo de 20kHz dimensionou-se o filtro passa baixo para que a frequncia de corte fosse no mnimo uma dcada acima desse valor. Garantia-se assim que o sinal de udio no fosse afectado em termos de fase pelo plo existente na funo de transferncia do filtro. Usando 1k para as resistncias em conjunto com uma capacidade de 680pF obteve-se uma frequncia de corte de 230kHz.
5.2.2 - Amplificador de instrumentao

Para se obter a diferena entre os sinais de udio e o da malha de realimentao pensouse em usar um amplificador de instrumentao [53] apresentado na montagem existente na Figura 5-7.
Blocos do Circuito
84
Figura 5-7 - Amplificador de instrumentao
Considerando R1=R11, R2=R12=R13, R3=R14=R16 e R4=R15=R17, e que Vi a diferena entre a tenso no n 12 menos a tenso no n 50 obtm se a seguinte funo de ganho:
( 5.5)
Para o circuito representado na Figura 5-7 o ganho aproximadamente unitrio visto que R1 mil vezes superior a R2 e todas as outras resistncias so iguais a 1k. A Figura 5-8 apresenta o circuito do amplificador de instrumentao e filtro passa baixo activo implementado.
Figura 5-8 - Amplificador de instrumentao com filtro passa baixo activo implementado laboratorialmente
Blocos do Circuito
85
5.2.3 - Implementao dos Zeros
Para a implementao de cada zero usou-se um amplificador operacional montado na configurao inversora com impedncia de entrada igual ao paralelo entre uma resistncia e um condensador.
Figura 5-9 Implementao dos zeros
Calculando a funo de transferncia da montagem do amplificador operacional representado esquerda na Figura 5-9 tem-se: ( 5.6)
( 5.7)
Fazendo R19 = R20, ( 5.8)
Pelo que se obtm assim um zero com frequncia de corte (
) igual a: ( 5.9)
Blocos do Circuito
86
Calculando os zeros para as frequncias desejadas de 11.92kHz e 41.11kHz usando resistncias de 1kHz obtiveram-se 13.35nF e 3.87nF, respectivamente. O que fez com que se usasse os valores normalizados de 15nF e 3.9nF para a implementao dos mesmos.
Figura 5-10 Implementao dos Zeros
A Figura 5-10 apresenta o circuito dos zeros no qual se podem ver os condensadores desacoplamento ligados aos terminais de alimentao do CI, esquerda do mesmo v-se a parte referente ao zero com frequncia de corte de 41kHz e direita o zero para a frequncia de 11kHz.
5.2.4 - Comparador, Buffer inversor e circuito gerador de tempo morto
Figura 5-11 Comparador LT1715 mais buffer de tenso 4049UB seguidos do gerador de tempo morto
Blocos do Circuito
87
Como cada LT1715 possui dois comparadores usou-se um nico integrado para gerar o sinal de PWM negado e no negado. Colocou-se um buffer inversor a sada do mesmo para fornecer corrente suficiente ao circuito gerador de tempo morto. O LT1715 e o buffer inversor 4049UB tm sadas em colector aberto pelo foi necessria a incluso de resistncias de pull-up sada dos mesmos. Para o circuito gerador de tempo morto usou-se um potencimetro multi-volta de 10k e um condensador de 6.8pF de forma a se poder variar o valor da constante de tempo desde 68ns at 0ns. O dodo 1n4148 serve para descarregar a carga do condensador nas alturas em que o buffer apresenta sada o nvel lgico de 0V. O descrito encontra-se exposto na Figura 5-11. Na Figura 5-12 visualiza-se, direita da mesma, o circuito usado para gerar o sinal de PWM, ao centro, o buffer de tenso inversor e esquerda os circuitos geradores de tempo morto.
Figura 5-12 Comparador, Buffer inversor e circuito gerador de tempo morto implementado laboratorialmente
5.2.5 - Driver de MOSFETs e resistncia da porta dos MOSFETs.
Figura 5-13 Circuito do driver dos MOSFETs e um brao da ponte completa
Blocos do Circuito
88
Para o circuito de driver dos MOSFETs usou um condensador de Bootstraping de 100nF, como recomendado na folha de caractersticas do mesmo, e usou-se uma resistncia de porta de 5 de forma a garantir que a corrente mxima fornecida pelo driver no ultrapassasse os 2A de pico (10V/5). A Figura 5-13 ilustra metade da ponte completa com o respectivo driver para os MOSFETs. Na Figura 5-14 apresenta-se o circuito dos dois drivers de MOSFETs mais resistncias de porta referidos. Vem-se ainda os condensadores de 100nF usados no circuito de Bootstraping.
Figura 5-14 - Driver dos MOSFETs e resistncia de porta dos MOSFETs
5.2.6 - Esquema do Circuito completo
De seguida representa-se esquematicamente o circuito implementado. Na Figura 5-15 apresenta-se a montagem do condicionamento do sinal de udio no bloco 3 e do sinal vindo da referncia para a realimentao no bloco 2. O bloco 1 representa a montagem do buffer de tenso e o bloco 4 referente ao amplificador de instrumentao.
2 1 4
Figura 5-15 Bloco 1- Buffer de tenso; Bloco 2 circuito de condicionamento do sinal de realimentao; Bloco 3- circuito de condicionamento do sinal de entrada de udio; Bloco 4 Amplificador de instrumentao.
Blocos do Circuito
89
Na Figura 5-16 encontra-se representado no bloco 5 o filtro passa baixo existente sada do amplificador instrumentao e no bloco 6 a montagem referente aos zeros do compensador.
Figura 5-16 Bloco 5 Filtro passa baixo sada do amplificador de instrumentao; Bloco 6 Zeros do compensador.
8 7 9
Figura 5-17 Bloco 7- Circuito gerador de onda triangular; Bloco 8 amplificador com acoplamento AC; Bloco 9 - Buffer de tenso
Na Figura 5-17 representa-se a montagem do circuito gerador de onda triangular no bloco 7. O bloco 9 corresponde montagem do buffer de tenso e no bloco 9 encontra-se o circuito do amplificador com acoplamento AC usado para a onda triangular. Na Figura 5-18 ilustram-se no Bloco 10 o circuito de comparao do sinal de udio com a onda triangular, o buffer inversor 4049UB e o circuito gerador de tempo de morto. No bloco 11 representa-se o circuito de drive dos MOSFETs de um brao da ponte completa.
Resultados prticos
90
11 10
Figura 5-18 - Bloco 10 - Comparador LT1715 e buffer de tenso 4049UB seguidos do gerador de tempo morto; Bloco 11- Driver dos MOSFETs
5.3 - Resultados prticos

Implementado o circuito referente parte de condicionamento de sinal at ao driver dos MOSFETs foi possvel verificar o comportamento das diversas montagens descritas anteriormente. A Figura 5-19 ilustra o circuito implementado.
Figura 5-19 - Circuito de condicionamento de sinal implementado
A parte do circuito referente ao filtro e ponte completa apresentado na Figura 5-20, no qual se pode ver o transdutor de corrente escolhido (LEM LT 25-NP) e os CI de cada brao da ponte de MOSFETs e respectivo dissipador. Visualiza-se ainda o filtro composto por duas bobinas toroidais e pelos dois condensadores de polister.
Resultados prticos
91
Figura 5-20 Filtro e Ponte completa
Mediante o uso de ondas sinusoidais com 1V de pico a pico (nvel de linha) geradas por uma fonte de sinal simulou-se o sinal de udio. De seguida apresentam-se as formas de onda obtidas na realizao do trabalho prtico.
5.3.1 - Onda triangular

Como era previsto, na sada do circuito gerador de onda triangular obteve-se uma amplitude de sinal de 1V pico a pico com uma componente DC de 2.5V. O sinal passou posteriormente pelo amplificador, com acoplamento AC, sendo condicionado para uma tenso DC igual da sada do buffer de tenso. A amplitude pretendida ajusta-se variando o ganho com o potencimetro existente na montagem. Na Figura 5-21 pode-se ver a forma de onda obtida aps o condicionamento descrito.
Figura 5-21 - Onda triangular aps condicionamento do sinal para a referncia de 1.9 V e 3.38V de pico a pico
Resultados prticos
92
5.3.2 - Sinais entrada do comparador

Aps o tratamento do sinal de udio, e do sinal da onda triangular em termos de valores DC, e amplitudes pretendidas, visualizou-se o sinal entrada do comparador. Na Figura 5-22 apresenta-se o sinal com um ndice de modulao em amplitude igual a 0.5.
Figura 5-22 - Sinais entrada do comparador
5.3.3 - Sinal sada do comparador
Figura 5-23 - Sinal a sada do comparador com sinal de udio nulo
Para se ajustarem os valores dos tempos mortos, e comprovar-se o correcto funcionamento dos restantes componentes, usou-se um sinal de entrada nulo, a que
Resultados prticos
93
corresponde entrada do comparador, a um sinal DC, com valor igual 1.9V, e sada a uma onda quadrada, com ciclo de trabalho igual a 0.5. O exposto apresenta-se na Figura 5-23.
5.3.4 - Sinal sada do Buffer 4049UB

sada do buffer inversor obteve-se, como era esperado, um sinal similar ao da entrada mas negado. O sinal referido encontra-se ilustrado na Figura 5-24.
Figura 5-24 - Sinal sada do buffer 4049UB
5.3.5 - Sinal sada do circuito de gerao de Tempo Morto
Figura 5-25 - Sinal sada do gerador do Tempo Morto
Na Figura 5-25 representa-se o sinal sada do circuito gerador de tempo morto, que devido sua constante de tempo no ser nula, origina um atraso na resposta do mesmo. Isso traduz-se num aumento do tempo de subida da forma de onda.
Resultados prticos
94
5.3.6 - Sinal de comando das portas dos MOSFETs
Figura 5-26 - sinal de comando das portas dos MOSFETs
A Figura 5-26 apresenta o resultado da introduo do atraso entre comutaes, o qual evita a sobreposio dos sinais de comando dos MOSFETs. Este atraso usa-se para se impedir que dois MOSFETs dum mesmo brao estivessem em conduo ao mesmo tempo. Desta forma apenas se d comando on a um MOSFET depois do outro estar off.
5.3.7 - Rudo sada dos circuitos derivadores
Figura 5-27 - Rudo a sada do bloco correspondente aos zeros: CH1 onda entrada dos zeros; CH2 onda sada dos zeros
Como os zeros tm a caracterstica do ganho aumentar com a frequncia, tornam-se mais susceptveis aos efeitos do rudo resultante da alta frequncia de comutao dos comparadores. Facto que se pode verificar na Figura 5-27, em que se vem as formas de onda entrada e sada dos zeros implementados com amplificadores operacionais.
Resultados prticos
95
5.3.8 - Medies aos terminais do altifalante para diferentes frequncias com um ndice de modulao de 0.5
Realizaram-se medies aos terminais do altifalante, a diferentes frequncias, e variando o tempo morto. Usaram-se tempos mortos de 60ns, 40ns e 20ns, para as frequncias de 1Khz, 5Khz, 10Kz, 15Khz e 20Khz. Utilizou-se a funcionalidade, existente no osciloscpio digital Tektronix TDS-20014B, de realizao de Transformada de Fourier (FFT Fast Fourier Transform) e consequente exportao dos dados num ficheiro CSV. Posteriormente pde-se calcular o valor da distoro harmnica total para as frequncias testadas. Os valores da FFT obtidos no osciloscpio correspondem aos valores eficazes das tenses de cada harmnico em dBs. Clculo da distoro harmnica total em dBs: Equao para o clculo da tenso eficaz ( ) em dBs.
( 5.10) Fazendo a operao inversa tem-se, ( 5.11)
Para o valor quadrtico da tenso fica, ( 5.12)
Usando os valores eficazes da tenso em dBs para os n primeiros harmnicos, possvel calcular valor da THD mediante o uso da equao ( 5.13).
( 5.13)
Em que dB1, dB2 at dBn correspondem ao valor em dBs para as tenses eficazes de cada harmnico e dBF corresponde ao valor em dBs para a tenso eficaz da frequncia fundamental.
Resultados prticos
96
Recorrendo ao programa Excel, calcularam-se as distores harmnicas para cada frequncia de teste utilizando os valores contidos no ficheiro CSV gerados pelo osciloscpio.
Figura 5-28 - Tempo morto de 20 ns Na Figura 5-28 ilustra-se a medida do tempo morto inserido entre comutaes dos sinais comando das portas dos MOSFETs.
Figura 5-29 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 10kHz A Figura 5-29 ilustra a forma de onda sada do amplificador para um sinal sinusoidal de 10kHz entrada. Efectuando a FFT, no osciloscpio, obteve-se o resultado representado na Figura 5-30, a partir do qual se calculou a THD para esta frequncia.
Resultados prticos
97
Figura 5-30 FFT para a frequncia de 10kHz
Na Figura 5-31 apresenta-se o resultado da aplicao de uma sinuside de 15kHz entrada do amplificador. Na Figura 5-32 pode-se ver o resultado da FFT realizada ao sinal sada do amplificador para a frequncia de 15kHz.
Figura 5-31 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 15kHz
Resultados prticos
98
Figura 5-32 - FFT para a frequncia de 15kHz
Na Figura 5-33 ilustra-se o sinal a sada do amplificador quando lhe aplicada uma sinuside de 20kHz entrada. Verifica-se uma aumento da amplitude da onda quando comparada com as amplitudes obtidas para outras frequncias. Este aumento resulta do facto desta frequncia se aproximar da frequncia de ressonncia do filtro passa baixo (33kHz).
Figura 5-33 - Forma de onda sada do amplificador para a frequncia de 20kHz
Concluso
99
Figura 5-34 - FFT para a frequncia de 20kHz A Figura 5-34 apresenta a FFT realizada onda sada do amplificador para a frequncia de 20kHz. A Tabela 5-1 representa os valores da THD calculados para as frequncias e tempos mortos testados.
Tabela 5-1 - THD verificado para um dado par Frequncia/Tempo morto
Tempo Morto Frequncia em kHz 1 5 10 15 20 60ns 12.93% 12.90% 9.15% 7.94% 3.079% 40ns 10.28% 10.70% 5.60% 5.66% 2.48% 20ns 6.09% 6.30% 6.68% 5.65% 1.62%
5.4 - Concluso
Aps a implementao do circuito surgiram alguns problemas causados pelo rudo das comutaes a alta frequncia dos dispositivos comparadores. Tentou-se minimiza-lo: - Colocando condensadores electrolticos e cermicos de desacoplamento directamente sobre os terminais da alimentao dos circuitos integrados usados e entre os barramentos de alimentao; - Referenciando todas alimentaes o mais perto possvel umas das outras e fazendo o mesmo a todas as massas;
Concluso
100
- Evitando a formao de malhas de massa; -Inserindo filtros passa baixo activos, a seguir a cada bloco constituinte do condicionamento do sinal de udio. Desta forma filtrou-se o rudo antes de entrar no prximo bloco. Aps se ter realizado o procedimento descrito o rudo foi minimizado, apenas se tornando notrio, como seria de esperar, na implementao dos zeros do compensador. Outro tipo de rudo presente no sinal de sada foi introduzido pelas fontes de alimentao. Este rudo era do tipo Gaussiano e no pde ser filtrado do sinal de udio. Pelos resultados obtidos experimentalmente verificou-se que diminuindo o tempo morto inserido entre comutaes se obtinha uma diminuio da distoro harmnica total. Obtendose uma melhor prestao para os 20ns. Verificou-se tambm que para a frequncia de 20kHz ocorria um aumento da amplitude da forma de onda quando comparada com outras frequncias, facto que pode ser explicado pela frequncia de ressonncia do filtro se situar aos 33kHz. Outra observao retirada dos valores calculados foi o facto da distoro harmnica total ter diminudo com o aumento da frequncia da sinuside de entrada.
Captulo 6 Concluses e trabalho futuro

6.1 - Concluses
Este trabalho apresentou o projecto e implementao de um amplificador de udio classe D com frequncia de comutao de 0.5MHz. Aps a escolha dos componentes adequados concretizao do projecto, efectuou-se uma verificao do seu comportamento mediante o uso de simulaes em SPICE. Relativamente a simulao do filtro e do circuito gerador de onda triangular comprovouse o correcto dimensionamento dos mesmos, sendo os resultados obtidos aproximados dos valores esperados. Foi desenvolvido um modelo para o MOSFET IRFI4024h-117p, que apresentou para os valores obtidos por simulao um erro mximo de 10%, comparativamente com os valores retirados da folha de caractersticas do MOSFET. Como a simulao do amplificador classe D efectuada com os modelos do MOSFET e driver eram bastante morosas (30minutos para simulao mais rpida), optou-se por se efectuarem as simulaes substituindo os mesmos por um interruptor controlado por tenso. Tentou-se verificar qual o efeito da insero do tempo morto no valor da distoro harmnica total, no entanto os resultados no foram conclusivos, pelo que seria necessrio um estudo mais elaborado volta do problema para se poder chegar a alguma concluso. Dimensionou-se um compensador utilizando a ferramenta SISOTOOL existente no MATLAB, e com a sua simulao verificou-se uma melhoria em termos de fase para a resposta em frequncia do sistema. Na implementao do amplificador constatou-se a existncia de rudo proveniente da comutao dos dispositivos comparadores e rudo gaussiano introduzido pelas fontes de alimentao. Utilizando filtros passa baixo activos sada dos diversos blocos de circuitos envolvidos no condicionamento do sinal de udio, foi possvel atenuar os efeitos do rudo proveniente da comutao dos comparadores, no entanto no se encontrou forma de fazer o mesmo relativamente ao rudo Gaussiano.
101
Trabalho futuro
102
Pelos resultados obtidos experimentalmente verificou-se que diminuindo o tempo morto inserido entre comutaes se obtinha uma diminuio da distoro harmnica total para a qual se obteve uma melhor prestao com 20ns de tempo morto. Para as frequncias de 1, 5, 10 e 15kHz obteve-se o valor aproximado de 6% de THD, diminuindo para 2% para a frequncia de 20kHz. Outra concluso retirada dos valores calculados foi o facto da distoro harmnica total ter diminudo com o aumento da frequncia da sinuside de entrada.
6.2 - Trabalho futuro

Em termos de trabalho futuro aponta-se a implementao do circuito em placa de circuito impresso bem como a realimentao com referncia em corrente.
Anexo
% % verificaco da resposta em frequncia para o sistema a entradas sinusoidais
clear; clc; close all; %Clculo dos valores das bobinas e condensadores a utilizar no filtro passa %baixo de segunda ordem com frequncia de corte nos 30kHz f =50000 % frequncia da sinuside de entrada
Ra = 7.2 La = 0.2e-3 freqcorte = 30e3 periodos=1000; temposimulacao= periodos/f; tensao=1 Lvalue = (8/(2*pi*freqcorte)); Cvalue = (1/(((2*pi*freqcorte)^2)*Lvalue)); L = Lvalue/2; C = Cvalue*2;
num = [(La*C*L) (L*Ra*C) (La) Ra]/(L^2*C^2*La); den = [(L^2*C^2*La) (L^2*Ra*C^2) (2*L*C*La+2*L^2*C) (2*L*Ra*C) (2*L+La) Ra]/(L^2*C^2*La); sys = tf(num,den); bodeplot(sys) % traado de Bode da funo de transferncia sys fs = 20*4*500e3; % frequncia de amostragem t = [0:1/fs:temposimulacao]; % varivel de tempo independente A = 1; % amplitude da onda sinusoidal a aplicar ao sistema sys x = A*sin(2*pi*f*t);% criao da onda sinusoidal de amplitude A e frequncia f resp=lsim(sys,x*tensao,t); %inicializao de maxsyssin com o valor do incio da ltima sinuside maxsyssin=resp(length(t)-round(fs/f)-1,1);
103
Trabalho futuro
104
tinicio=length(t)-round(fs/f); for temp = 1 : round(fs/f) if (resp(tinicio+temp-1,1) < resp(tinicio+temp,1))&& resp(tinicio+temp,1)>maxsyssin maxsyssin=resp(tinicio+temp,1); end end maxsyssin maxsyssindB = 20*log10(maxsyssin)
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A Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Amplificador de udio Classe D

Orientador: Prof. Dr. Armando Lus de Sousa Arajo

Francisco Jos Amorim Pires, 2010

Captulo 6 ..................................................................................... 101

Anexo .......................................................................................... 103 Referncias ................................................................................... 105

da porta do MOSFET de pico

s varivel complexa tempo que o transstor demora a entrar em corte

que o transstor demora a entrar em conduo

1.2 - Organizao do documento

Captulo 2 Amplificao de udio - Estado da arte

2.2 - O que o som e como o ouvimos

O que o som e como o ouvimos

Amplificao de sinais de udio

2.3 - Amplificao de sinais de udio

Figura 2-2 - Caixa de ressonncia de uma guitarra clssica

Amplificao de sinais de udio

Figura 2-3 - Guitarra elctrica de corpo macio.

Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

Figura 2-4 - Fongrafo de Edison [6]

2.4 - Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

Figura 2-5 - Esquema da lmpada de Edison [10]

Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

Figura 2-7 - Esquema da inverso da tenso e consequente no conduo de corrente [10]

Figura 2-8 Vlvula de Fleming [13]

Breve perspectiva histrica da amplificao de sinais elctricos

2.5 - Andares de amplificao

2.5.1 - Esquema tpico amplificadores de udio

Figura 2-11 - Arquitectura de amplificao constituda por trs andares [19]

Figura 2-12 - Arquitectura de amplificao constituda por dois andares [19]

2.6 - Classes de amplificao

Classe A Classe B, AB Classe C Classe D Classe E Classe G Classe H

Em seguida, so descritas, sucintamente, as classes mais utilizadas actualmente em amplificao de udio:

Figura 2-13 - Amplificador Classe A, configurao seguidora de emissor

Figura 2-14 - Amplificador Classe B, configurao push-pull

Figura 2-16 - Amplificador Classe AB, configurao push-pull

Figura 2-18 - Amplificador Classe G [24]

Figura 2-19 - Amplificador Classe H [24]

Definio de distoro como medida da linearidade do amplificador

2.7 - Definio de distoro como medida da linearidade do amplificador

2.7.1 - THD - Distoro Harmnica Total

2.7.2 - IMD Distoro de Intermodulao

Captulo 3 Escolha dos componentes do amplificador Classe D

3.2 - Elementos constituintes do amplificador classe D

Elementos constituintes do amplificador classe D

carga, ZL a impedncia da carga e Vef o valor eficaz da tenso de alimentao).

Elementos constituintes do amplificador classe D

Elementos constituintes do amplificador classe D

a resistncia de conduo. Pela equao ( 3.2) torna-se bvio

a tenso aplicada entre a porta e a fonte e

Elementos constituintes do amplificador classe D

3.2.3 - Circuito de drive dos MOSFETs

3.2.4 - Modulao do sinal de udio

Elementos constituintes do amplificador classe D

Figura 3-3 - Sinais envolvidos na modelao por largura de impulsos [26]

Elementos constituintes do amplificador classe D

representa a excurso do sinal da onda triangular, e

so as resistncias representadas na Figura 3-4. [38]

3.2.5 - Filtro passa baixo

Elementos constituintes do amplificador classe D

Figura 3-5 - Filtro Butterworth de 2 ordem

Escolha dos componentes

Figura 3-6 Impedncia em funo da frequncia de um altifalante de graves de 15 polegadas [4]