Circuitos Electrnicos

Ingeniera de Telecomunicacin 2 Curso (6 crd.)

tecnun

CIRCUITOS ELECTRNICOS
1. Amplificadores de uno y dos transistores
1.1 Repaso de etapas amplificadoras bsicas con un solo transistor 1.2 Repaso de etapas amplificadoras con dos transistores 1.3 Amplificador diferencial

2. Fuentes de corriente y cargas activas

2.1 Fuentes de corriente 2.2 Fuentes de corriente como cargas activas

3. Etapas de salida
3.1 Clasificacin de las etapas de salida. 3.2 Etapa de salida clase A. 3.3 Etapa de salida clase B. tecnun

CIRCUITOS ELECTRNICOS
3.4 Etapa de salida clase AB. 3.5 Disipacin de potencia en transistores. Transistores de potencia.

4. Amplificador operacional
4.1 Anlisis de los amplificadores operacionales 4.2 Desviaciones respecto a la idealidad de amplificadores operacionales reales

5. Respuesta en frecuencia de amplificadores

5.1 Diagramas de Bode 5.2 Respuesta en frecuencia de un amplificador de una etapa 5.3 Respuesta en frecuencia de amplificadores multietapa tecnun

CIRCUITOS ELECTRNICOS
6. Realimentacin en circuitos electrnicos
6.1 Ecuaciones ideales de realimentacin 6.2 Propiedades de la realimentacin negativa en el diseo de amplificadores 6.3 Configuraciones bsicas de realimentacin 6.4 Estabilidad de amplificadores realimentados 6.5 Osciladores sinusoidales

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TEMA 1
Ideas bsicas: Dispositivos Modelos de transistores en pequea seal Anlisis de pequea seal Etapas amplificadoras bsicas con un solo transistor Etapas amplificadoras con dos transistores Amplificador diferencial

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TRANSISTOR BIPOLAR
VCB
B C

VEB IC IE VBC
B

IE IB
C

VBE

IB

IC pnp

npn

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TRANSISTOR BIPOLAR
VCE VBE iC iC
Saturacin

VCE IB

Regin Activa

iB4 iB3 iB2 iB1

vBE (V)
0 0.5 0.7
BE

vCE

0 VCE sat

Corte

iC=ISev
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/VT

iB=iC/

TRANSISTOR BIPOLAR
Dependencia de iC respecto de la tensin de colector Efecto Early

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TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin activa iC = ISev
BE

/VT

VBE~0.7 V
BE

iB= iC/ = (S/ )ev

/VT

= / (1 ) iE = ( + 1) iB

iE= iC/ = (S/ )ev

BE

/VT

iB = (1 ) iE = iE / ( + 1)
Para un transistor pnp sin ms habra que cambiar vBE por vEB. tecnun
IS = Corriente de saturacin -- VT = Voltaje trmico=kT/q~25 mV a temperatura ambiente = ganancia en corriente en emisor comn -- = ganancia en corriente en base comn

TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin de saturacin

VCE ~ VCE,sat 0.2 V ; VBE ~ 0.7 V

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TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin de corte

iC = iB = iE = 0

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

De puerta aislada De puerta de unin MESFETs JFETs

MOSFETs

Enrequecimiento Canal n
D G

Empobrecimiento Canal n
D G G S S

Canal p
D G

Canal p
D

Canal n
D G S

Canal p
D G S

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TRANSISTOR MOSFET
VDG
G D

VSG ID IS VGD
G

IS IG=0
D

VGS

IG=0
S

ID

NMOS

PMOS

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TRANSISTOR MOSFET
VDS VGS iD iD VGS VDS

Regin hmica

Regin Saturacin

VGS4 VGS3 VGS2 VGS1

Corte

Vt 0 1 3

vGS (V)
0 VDS sat

vDS

iD=
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kW (V -V )2 2L GS t

iD=is iG=0

TRANSISTOR MOSFET
Dependencia de iD respecto de la tensin VDS Modulacin de la longitud de canal

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TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin de saturacin vGS>Vt vDG>-Vt iD= kW (v -V )2 2L GS t iG=0

Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun
W = Anchura de canal -- L= Longitud de canal -- Vt = Tensin umbral = Transconductancia del transistor (A/V2)

TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin hmica vGS>Vt vDG<-Vt iD= v kW (vGS-Vt- DS )vDS L 2 iG=0

Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun
W = Anchura de canal -- L= Longitud de canal -- Vt = Tensin umbral = Transconductancia del transistor (A/V2)

TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin de corte vGS<Vt vDS>0 iD= 0 iG=0

Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun

TRANSISTOR JFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor JFET Regin de saturacin iD= (vGS-Vp)2 Regin hmica iD= [2(vGS-Vp) vDS-v2DS] Regin de corte iD= 0
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iG<<0

vGS>Vp vDG> -Vp vGS>Vp vDG< -Vp vGS<Vp<0 vDS> 0

iG<<0

iG=0

= Corriente de drenador a fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente (A/V2) Vp = Tensin de estrangulamiento

TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal

IC Rc IB + -

VDD

VBE

VCE

IE

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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal
iC Rc iB + + iE

VDD

vbe VBE

vCE

tecnun

TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal
vBE=VBE+vbe iC=IsevBE/VT=Ise(VBE+vbe)/VT=IseVBE/VTevbe/VT=ICevbe/VT iC Rc iB + iE Si vbe<<VT (vbe<10 mV) iC=IC(1+vbe/VT)

vbe
VBE

vCE

VDD

ic=(IC/VT) vbe=gm vbe gm =IC/VT Transconductancia

+ -

iB=iC/=IC/+ICvbe/(VT)=IB+ib ib= ICvbe/(VT)=gmvbe/ r=vbe/ ib = /gm

tecnun

r resistencia de entrada a pequea seal entre base y

emisor, mirando la base.

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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Modelo hbrido
B
ib + vbe r ie r0 ic

C B gm =IC/VT r=/ gm E

gmvbe

E
ic

B
+ vbe -

ib r r0

ib ie

tecnun

TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Modelo T
C B
ib + vbe ie ic i e r0 re

C B
ic ib + vbe re ie gmvbe r0

C B

E E

tecnun

gm =IC/VT re=/ gm ~VT /IC

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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Tabla resumen

tecnun

TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal
vGS=VGS+vgs iD Rc iG + iS iD=(W/2L)k(VGS+vgs-Vt)2 =(W/2L)k(VGS-Vt)2+(W/L)k(VGS-Vt)vgs+(W/2L)kv2gs

VDD

Si vgs << 2(VGS-Vt) iD=(W/2L)k(VGS-Vt)2+(W/L)k(VGS-Vt)vgs~ID+id id=(W/L)k(VGS-Vt)vgs=gm vgs gm =(W/L)k(VGS-Vt)= 2kWID/(L) iG=0 r=

Transconductancia

vgs
VGS

vDS

+ -

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r resistencia de entrada a pequea seal entre puerta y

fuente, mirando la puerta.

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TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal

D G

ig + vgs r0

id

gmvgs is

S gm = 2kWID/(L) r= tecnun

TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal Efecto de Cuerpo
G
ig + vgs is r0 id + vbs -

D B

gmvgs

gmbvbs

S
vDS=Cte.

D G B S tecnun

gmb = iD/vBS| vGS=Cte. gmb = gm

0.1 0.3

gmb = Vt/VSB=/(2 2f+VSB) f = potencial superfcial en fuerte inversin = parmetro de proceso

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TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal Tabla resumen

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Ejercicio Hallar el circuito equivalente a pequea seal de:

D C

tecnun

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