INTRODUCCION.

Durante muchos aos el sector de la electrnica de potencia ha centrado su investigacin en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes velocidades de conmutacin y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las tecnologas anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya haban quedado obsoletas -como es el caso del transistor bipolar BJ !Bipolar Junction ransistor-, los "#$%& y de los 'D"#$ !D"#$%& vertical() *ara ello, los investigadores han combinado desde hace m+s de dos d,cadas las posibilidades de los transistores bipolares y los denominados "#$%& , un transistor de efecto de campo basado en la estructura "#$ !"etal #-ide $emiconductor() De esta combinacin nace en los aos ./, 01B !del ingl,s, 0nsulated 1ate Bipolar ransistor( como un dispositivo semiconductor de gran capacidad que generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 2/ 34z) 5unque no seamos conscientes de ello, los 01B nos acompaan en todo momento y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia) $us aplicaciones principales se centran en los sectores de6 control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de ba7a frecuencia y alta potencia) &st+n presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambi,n de los electrodom,sticos del hogar mediante la intercone-in de diversos 01B que controlan los motores el,ctricos) Dichos transistores 01B son la 8ltima generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin que combina los atributos del BJ y del "#$%& ) 9a combinacin de una puerta aislada tipo "#$ y un colector:emisor bipolar le permite conmutar tensiones y corrientes mucho mayores) &l flu7o de corriente se controla a trav,s de una fuente de tensin de alta impedancia que permite que se puedan controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy ba7a) De hecho, uno de los ,-itos de 01B es su ba7a necesidad de energa de control para pasar del modo conduccin al modo bloqueo y viceversa) &n resumidas cuentas para variar la velocidad de los motores de corriente alterna, por e7emplo los que llevan incorporados algunos electrodom,sticos, lo que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que mueven los arrollamientos de dicho motor) &s decir, el motor girar+ con la misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos 01B interconectados) 9a estructura de estos transistores es bastante comple7a pero de muy reducidas dimensiones, de tamao apro-imado a un sello de correos) B+sicamente podramos decir que es similar a la estructura de un "#$%& a la que se aade un nuevo sustrato * como material semiconductor deba7o de la zona ; epita-ia) &sto otorga a 01B una capacidad de conduccin ambipolar) Durante sus primeros aos 01B tuvo que hacer frente a un problema de latch-up que normalmente produca que el dispositivo se destruyera t,rmicamente que se solucion mediante la modificacin del dopado y la profundidad del sustrato)

9os 01B acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambi,n porque son tan r+pidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano) &sta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigorficos, lavava7illas, ect), en los que los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten) 9a mayor parte de los ruidos de los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado r+pidos y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas) *ero las aplicaciones de 01B van mucho m+s all+ del control de motores) 5lgunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los est+n utilizando para me7orar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades) *or e7emplo, una de las 8ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los tel,fonos mviles para dotar a sus c+maras de un flash de -enn realmente potente) &sto ha sido posible gracias a que los 01B han reducido enormemente sus dimensiones) #tro e7emplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los p-eles en las pantallas t+ctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica) 0ncluso ya e-isten algunos desfibriladores que incorporan 01B s) 9as posibilidades que nos ofrece 01B son innumerables) De hecho ha sido uno de los componentes claves en el desarrollo del tren de alta velocidad 5'&) 5 medida que esta tecnologa ha ido evolucionando, los fabricantes de dispositivos el,ctricos y electrnicos han me7orado la capacidad de conmutacin de sus soluciones para reducir las p,rdidas y me7orar la velocidad y capacidad de carga) 01B se presenta como un <supertransistor= que permitir+ avanzar en el desarrollo de la electrnica de electrodom,sticos pero tambi,n son y ser+n una de las tecnologas b+sicas de los coches el,ctricos)

MARCO TEORICO

El transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) &l 01B es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJ y del "#$%& ) *osee una compuerta tipo "#$%& y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada) &l gate mane7a volta7e como el "#$%& ) 5l igual que el "#$%& de potencia, el 01B no e-hibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJ ) 1eneralmente se aplica a circuitos de potencia) &ste es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin) 9a tensin de control de puerta es de unos >?') &sto ofrece la venta7a de controlar sistemas de potencia aplicando una seal el,ctrica de entrada muy d,bil en la puerta)

Caractersticas de funcionamiento 5lta capacidad de mane7ar corriente !como un bipolar( %acilidad de mane7o !"#$%& ! El I"BT se suele usar cuando se dan estas condiciones Ba7o ciclo de traba7o Ba7a frecuencia !@ 2/ A4z( 5plicaciones de alta tensin !B>/// '( 5lta potencia !B? AC(

CARACTER#$TICA$ E%&CTRICA$. D5;$0$ #D 01B ) EFD'5 E5D5E &D0$ 0E5 G $0"B#9#$)

%F;E0#;5"0&; # D&9 D5;$0$ #D 01B

E5D5E &DH$ 0E5$ D& E#;"F 5E0I; &l encendido es an+logo al del "#$, en el apagado destaca la corriente de <cola=6

%ormas de #nda Earactersticas de la ensin y Eorriente en el 5pagado de un ransistor IGBT conmutando una carga inductiva !no comienza a ba7ar Id hasta que no sube completamente Vd( 9a corriente de cola se debe a la conmutacin m+s lenta del BJT, debido a la carga almacenada en su base !huecos en la regin n-() J *rovoca p,rdidas importantes !corriente relativamente alta y tensin muy elevada( y limita la frecuencia de funcionamiento) J 9a corriente de cola, al estar compuesta por huecos que circulan por la resistencia de dispersin, es la causa del <latch up= din+mico) J $e puede acelerar la conmutacin del BJT disminuyendo la vida media de los huecos en dicha capa !creando centros de recombinacin() iene el inconveniente de producir m+s p,rdidas en conduccin) J &n los * -01B la capa nK se puede construir con una vida media corta y la n- con una vida media larga, as el e-ceso de huecos en n- se difunde hacia la capa nK dnde se recombinan !efecto sumidero(, disminuyendo m+s r+pido la corriente)

Lrea de #peracin $egura !$#5( de un ransistor 01B )

a( SOA directamente *olarizada !FBSOA( *olarizada !RBSOA(

b( SOA 0nversamente

J 0Dma- , es la m+-ima corriente que no provoca latch up) J 'D$ma- , es la tensin de ruptura de la unin B-E del transistor bipolar) J 9imitado t,rmicamente para corriente continua y pulsos duraderos) J 9a DB$#5 se limita por la M'D$:Mt en el momento del corte para evitar el latchup din+mico)

E5D5E &DH$ 0E5$ G '59#D&$ 9H"0 & D&9 01B ) J 0Dma- 9imitada por efecto 9atch-up) J '1$ma- 9imitada por el espesor del -ido de silicio) J $e disea para que cuando '1$ N '1$ma- la corriente de cortocircuito sea entre O a >/ veces la nominal !zona activa con 'D$N'ma-( y pueda soportarla durante unos ? a >/ Ps) y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta) J 'D$ma- es la tensin de ruptura del transistor pnp) Eomo Q es muy ba7a, sera 'D$ma-NB'EB/ &-isten en el mercado 01B s con valores de R//, >)2//, >)S//, 2)>// y T)T// voltios) !5nunciados de R)? A'() J 9a temperatura m+-ima de la unin suele ser de >?/UE) J &-isten en el mercado 01B s encapsulados que soportan hasta O// o R// 5mp) J 9a tensin 'D$ apenas vara con la temperatura) $e pueden conectar en paralelo f+cilmente) $e pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, !>)2// o >)R// 5mperios() &n la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios AC y un par de "C, traba7ando a frecuencias desde ? A4z a O/A4z)

a) &fecto de '1$ y la corriente de drenador sobre la cada en conduccin !*,rdidas en conduccin() Fso de '1$ ma- !normalmenteN>?'() b( &fecto de la corriente de drenador sobre la derivada de la cada en conduccin respecto a la temperatura)

Aplicaciones "enerales I"BT 9os 01B acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambi,n porque son tan r+pidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano) #tro e7emplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los p-eles en las pantallas t+ctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica) &stos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores EE:E5, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos el,ctricos hbridos, equipos de soldadura) Aplicaciones de I"BT en control por modos desli'antes &l control en modo deslizante !'$E( aplicado a sistemas de estructura variable !'$$( fue introducido en los aos ?/ en la antigua Fnin $ovi,tica por &melyanov y otros colaboradores) $eg8n la definicin de $ira-Damrez V$iraDamirez, >W..X una superficie en el espacio de estado de un sistema din+mico representa una relacin entre las variables de estado que describen el comportamiento del sistema) $i ,ste es forzado a evolucionar sobre esta superficie, las relaciones est+ticas de la din+mica resultante quedan determinadas por los par+metros y ecuaciones que definen la superficie) 9a teora de sistemas de Eontrol por "odo Deslizante ! CMD( representa una parte fundamental de la teora de sistemas no lineales) &sta teora consiste en el empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias superficies de conmutacin) Fno de los principales inconvenientes asociados a la t,cnica de E"D es la intensa actividad que debe e7ercer la seal de control, lo que resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia)

Caso particular: Seales de referencia peridicas con valor medio nulo &n el caso de poseer una seal de referencia con valor medio nulo, la tensin de salida deber+ adquirir polaridad positiva y negativa en r,gimen deslizante) &n el apartado anterior se mostr que cuando 8nicamente se utiliza un interruptor bidireccional en corriente e-isten inconvenientes, determinados por las inecuaciones que ofrecen la e-istencia de r,gimen deslizante, para garantizar el deslizamiento cuando la tensin adquiere polaridad opuesta a la tensin de entrada) Decu,rdese, por otra parte, que en el convertidor Boost el dominio de e-istencia de r,gimen deslizante impona vB&, por lo que al invertir la polaridad de la tensin de entrada se conseguir+n dos zonas de e-istencia de r,gimen deslizante sin interseccin entre ellas, lo que implica que no podr+ lograrse seguimiento de seal con valor medio nulo mediante control en modo de deslizamiento en este convertidor)

Fna solucin, ampliamente utilizada, que permite abordar esta problem+tica consiste en variar la polaridad de la fuente de entrada adecuadamente mediante la utilizacin de un puente completo de interruptores) 9a figura 2)O muestra un esquema circuital de un puente completo implementado con interruptores 01B , mientras que la ley de conmutacin, denominada de dos estados, viene dada seg8n la tabla 2)W) *ara ello, se define la variable s que indicar+ la polaridad de dicha fuente, de este modo cuando eNl la fuente de entrada tiene polaridad positiva y cuando eN -l la fuente de entrada adquiere polaridad negativa)

5plicacin del 01B en *C"6 9a "odulacin por 5ncho de *ulso !*C"( es un sistema de control para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y seg8n sea la aplicacin se puede optar por una salida de par+metros fi7os o variables6 J 'ariacin de la tensin de salida) J 'ariacin de la frecuencia) J 'ariacin a relacin constante ensin Y %recuencia) &l circuito de potencia es el puente, en este caso monof+sico, normalmente implementado con transistores "#$ o 01B , debido a que en general traba7a con una frecuencia de conmutacin del orden de los >? 34z) $eg8n la aplicacin, en *C" se lo utiliza entre >34z y O/ 34z y de hecho los elementos operan en conmutacin)

9as altas frecuencias de conmutacin son deseables para motores de corriente alterna, ya que permiten la operacin del equipo con una corriente en el estator pr+cticamente senoidoal y un r+pido control de corriente para un alto rendimiento din+mico) 5dem+s el ruido puede ser reducido a una frecuencia del orden de los 2/3hz) Decientemente los BJ y los "#$%& s han sido cmodamente usados para esto, pero como una tercera posible alternativa los 01B han emergido recientemente) 0B1 ofrece ba7a resistencia y requiere poca energa para la activacin) E% IN(ER$OR PUENTE TRI)*$ICO 9a figura T-. nos muestra el circuito que puede cumplir con los requisitos solicitados por la ecuacin !T-O() *or lo tanto el motor 5E puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor nominal y a8n conservar las caractersticas nominales de su torque) 9a 8nica forma de poder conseguir una onda de volta7e que cumpla con el requisito de cambiar proporcionalmente su volta7e y frecuencia al mismo tiempo, es por medio de un circuito 0nversor) &n la figura T-. se muestran las partes que conforman la etapa de potencia de todo tipo de variador de velocidad de motor 5E en la actualidad)

9a alimentacin de entrada es '5E monof+sico o trif+sico dependiendo de la potencia del motor 5E a controlar) Dicho volta7e 5E es rectificado por medio de un puente de diodos) 9uego tenemos la etapa de filtrado compuesta de filtro de corriente !bobina( y filtro de volta7e !capacitor(, con el ob7etivo de disponer de una barra de volta7e DE lo m+s continua posible !bornes KDE:-DE()

Dicha barra DE es la entrada al circuito inversor, el cual por medio del traba7o conmutado de los 01B la convierte en un volta7e de salida !bornes F, ', C( denominada <$eno-*C"=, que cumple con el requisito de mantener la relacin ':f a proporcin constante)

(O%TA+E $ENO,P-M 9a figura T-W muestra en forma detallada la onda <$eno-*C"= de salida del inversor trif+sico en puente) 9a amplitud !'d( de dicha onda es igual a la barra de volta7e DE !bornes KDE:-DE de entrada al circuito inversor() &l motor recibe dicha onda de volta7e por los bornes de salida F,',C y la filtra obteniendo corrientes !0F, 0') 0C( casi senoidales) &l promedio de volta7e eficaz <'= depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva <f= vista por el motor es >: ) 9a velocidad de conmutacin de los transistores 01B es >:t denominada <frecuencia portadora=) &l resultado es que el motor recibe la relacin <':f= proporcional a sus valores nominales, consiguiendo que desarrolle su traba7o a8n a velocidades menores que lo normal y sin p,rdida de torque)

Bibliografica .ttp //ccpot.0aleon.com/enlaces1232112..tml .ttp //444.i5ercom.net/User)iles/)ile/industrial/I"BT.pdf .ttp //almade.errero.5lo0spot.com/6717/71/transistores,i05t..tml Control difuso por modo desli'ante para la resoluci8n del pro5lema de $e0uimiento en $istemas No %ineales *or J#$Z "5;F&9 5;DD5D& D5 $)[ *&DD# 5; #;0# &**5 1) G J#$Z J&$\$ %&DD&D $) Fniversidad $imn Bolvar) $artene7as Y &stado "iranda, 'enezuela) Control en modo deslizante aplicado a la generacin de seal en convertidores conmutados C! C" esis doctoral presentada para la obtencin del ttulo de doctor de Domingo Biel Sol. #ublicacin I$$$" *O-ER E%ECTRONIC$) 45;DB##3 &D0 #D-0;-E40&%) "F45""5D 4) D5$40D) *h)D), %ello] 0&&, %ello] 0&&&) *rofessor and Director) Fniversity of %lorida) Fniversity of Cest %lorida Joint *rogram and Eomputer &ngineering Fniversity of Cest %lorida) *ensacola, %lorida

CONC%U$IONE$
$oto 'erduzco &dgar &mir &l 01B es interesante, implementando caractersticas de los BJ y de los "#$%& , que generalmente se usan para sistemas de potencia con capacidad de comulacin o s]itcheo de 2/3hz seg8n le, y tambi,n dice que se puede aplicar en grandes volta7es de mas de >///', cosa que me pareci realmente sorprendente) &s asi como pienso que por sus caractersticas reemplaz a los BJ y a los "osfet en algunas aplicaciones ya sea por que ocupaban mayor frecuencia de conmutacin, necesitaban soportar mayor volta7e o ocupaban soportar mayor potencia, y asi progresar con el desarrollo de la tecnologa)