ELECTRONICA GRAL.

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5.A MOSFET de POTENCIA 26/06/07
MOSFET de POTENCIA

MOSFET
Un transistor bipolar de juntura (BJ T) es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de
corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector.
Un Mosfet de potencia es un dispositivo controlado por tensin, que requiere slo de una muy
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de
conmutacin del orden de los nanosegundos.
Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo
requiere de cuidados especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo condiciones de
falla por cortocircuito.

Los Mosfet son de dos tipos:
I - Los Mosfet decrementales
II - Los Mosfet incrementales.
Un Mosfet tipo decremental de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal como se
muestra en la figura 1.
La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Los tres terminales se
conocen como compuerta, drenaje, y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente.
El voltaje de compuerta a fuente, V
GS
, puede ser positivo o negativo. Si es negativo, crear una
regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms
angosto y en poseer alta resistencia de drenaje a fuente, R
DS
. Si V
GS
se hace suficientemente
negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor de R
GS
. Por lo cual el
dispositivo esta en estado apagado (OFF)
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Por otra parte, V
GS
se hace positivo, el canal se ensancha, e I
DS
aumenta debido a la reduccin
en R
DS
. De esta manera el dispositivo se encuentra en estado encendido (ON).
Con un Mosfet tipo decremental de canal p, se invierten las polaridades de V
DS
, I
DS
y V
GS
, tal
como se ve en la figura 1.
Un MOSFET de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico, como se ve en la figura 2a. Si
V
GS
es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la
superficie, bajo la capa de xido. Si V
GS
es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral o
voltaje de entrada, V
T
, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal n
virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente. Se invierten las polaridades de V
DS
, I
DS
y
V
GS
en un MOSFET de tipo incremental de canal p, como se ve en la figura 2b.

Un MOSFET tipo decremental permanece activo con voltaje cero de compuerta,
Un MOSFET tipo incremental permaneceapagado con voltaje cero de compuerta.
En general los MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutacin en la
electrnica de potencia, llamndose genricamente Power MosFet.
Cuando la compuerta tiene un voltaje lo bastante positivo con respecto a la fuente, el efecto de su
campo elctrico atrae los electrones de la capa n +hacia la capa p. Con esto se forma un canal
vecino a la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de la corriente del drenaje a la fuente.
Tambin, la capa de acoplamiento hace que sea un dispositivo asimtrico, con una capacidad
bastante baja de voltaje en sentido inverso.
Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande de
conmutacin, y bajas prdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, del orden de
10
10
ohm. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo
cuando esta activo esto es la R
DS(ON)
, por consiguiente las prdidas en estado activo, son altas. Esta
comparacin es frente a un Transistor Bipolar de J untura.

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OPERACIN :

Tensin umbral V
GS(th)
:
La tensin umbral es la tensin compuerta -
fuente requerida para llevar a cabo la
inversin superficial del canal difundido,
representado en la figura 3 (r
CH
), dando como
resultado una conduccin en el canal.
Cuanto mayor es la tensin, mayor es el canal
o menor es la resistencia r
CH
y mayor ser el
flujo de corriente por el canal. El valor de
tensin umbral es medido a un valor
especfico de corriente para mantener la
relacin de la medida, comnmente este valor
es de 1 mA.

Resistencia de encendido r
DS(on):

Esta resistencia es definida como la resistencia total
encontrada por la corriente de drenador, al fluir desde el
terminal de drenaje hasta el terminal fuente, este valor est
principalmente asociado a cuatro valores de resistencias
mostrados en la figura 3:
1. El canal de inversin r
CH
.
2. La regin de acumulamiento r
ACC.

3. La regin de agotamiento de juntura del J FET r
J FET
.
4. La regin ligeramente dopada r
D
como indica la
ecuacin :
R
DS(on)
=r
CH
+r
ACC
+r
J FET
+r
D


Tensin de ruptura o de bloqueo inverso V
(BR)DSS
:
Esta es la mxima tensin inversa que soporta el dispositivo sin que sufra dao, y est definida de
la misma manera que la tensin de ruptura para los transistores bipolares (VCE
(BR)
), la cual produce
una ruptura por avalancha.

Capacitancias internas:
Son dos los tipos de capacitancias (intrnsecas) que aparecen en el TMOS de potencia, una asociada
con la estructura MOS y la otra asociada con la juntura P-N.
- C
gs
capacidad compuerta- fuente
- C
gd
capacidad compuerta-drenador.


CARACTERSTICAS BSICAS DEL MOSFET DE POTENCIA:

Caractersticas de salida:
Quizs la manera ms directa de familiarizarse con la operacin bsica, es conociendo sus
caractersticas de salida. Como indica la figura 15 las curvas de salida del MOSFET de potencia
pueden ser divididas en dos regiones bsicas. Para evitar confusiones nos referiremos solamente a la
regin ON o hmica y a la regin activa. Las familias de curvas son generadas para distintos
valores de tensin de compuerta, de estas curvas podemos observar dos grandes diferencias con las
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curvas de los transistores bipolares, una es que
la pendiente en la regin hmica no es tan
grande como en las del transistor bipolar, lo
que nos indica una mayor resistencia de
encendido R
DS(on)
y la otra es que la pendiente
en la zona activa del MOSFET de potencia es
muy pequea, logrando de esta forma una
fuente de corriente ms constante.





Resistencia de encendido R(on):
Cuando conmutamos el MOSFET del estado
off al estado on, el valor de resistencia de
drenador-fuente cae al valor de encendido
R(on), el cual es relativamente bajo. Para
reducir este valor, la tensin de compuerta
para una corriente de drenador dada, debe ser
lo suficientemente grande como para
mantenerse en la regin hmica.
Normalmente este valor ronda los 15 Volt.
En las hojas de especificaciones los
fabricantes incluyen esta grfica.
A medida que la corriente aumenta por sobre
los rangos de continua, la resistencia de on
tambin aumenta. Esta resistencia tambin
depende de la temperatura de juntura T
J
,
provocando un incremento de R(on) con un
aumento de T
J
. En la figura 6 vemos la curva
de R(on) en funcin de T
J
.


Tensin umbral V
GS(th)

Es la mnima tensin para cual el dispositivo,
comienza a conducir un determinado flujo de
corriente I
DS
. Este valor de tensin es
dependiente de la temperatura como se observa
en la figura 7, este variacin es lineal con la
temperatura de juntura Tj. Con un coeficiente de
temperatura negativo, la tensin umbral cae el
10% cada 45 C de aumento de Tj.




Dependencia de la velocidad con la Temperatura:
Altas temperatura de juntura son una de las ms convenientes caractersticas del MOSFET de
potencia, ya que sus prdidas en conmutacin son mucho menores que en los transistores bipolares.
Adems las variaciones trmicas tienen menores efectos en las velocidades de conmutacin. La
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velocidad de conmutacin depende de cuan rpido puede ser cargada y descargada las capacidades
parsitas de entradas. Como estas capacidades son prcticamente invariables con la temperatura, es
que la velocidad de conmutacin del TMOS prcticamente no vara. Por eso en los MOSFET de
potencia a medida que aumenta la temperatura, las prdidas dinmica son menores y se mantienen
constante.

Causas de la perdida de potencia
Son cuatro las principales causas de disipacin de potencia en los Power Mosfet:
1. Prdidas de conduccin.
Estn dadas por la ecuacin:
) ON ( DS
2
D C
R . I P =
Es importante notar que la Resistencia ON de los Mosfet cuando estos son operados en la
regin hmica dependen de la temperatura de juntura. La resistencia ON aproximadamente
duplica su valor entre los 25C y los 150C. Las caractersticas exactas de estos componentes
se indican en su hoja de datos.

2. Perdidas de conmutacin.
Cuando un Mosfet es excitado o apagado llevan una gran corriente y soportar una gran tensin
al mismo tiempo, esto consecuentemente genera una gran potencia disipada durante la
conmutacin. Las perdidas de conmutacin son despreciables bajas frecuencias, pero son las
dominantes a alta frecuencia. Por las razones ya explicadas en las caractersticas de
conmutacin los Mosfet conmutan al estado OFF mas lento que al estado ON, de esta manera
las prdidas de conmutacin al estado OFF son mayores que las de la conmutacin al estado ON
Las prdidas de conmutacin son fuertemente dependientes de la configuracin del circuito,
mientras que el tiempo de apagado es afectado por la impedancia de la carga.
Las perdidas de apagado pueden ser reducidas por el uso de una red snubber conectados sobre el
Mosfet, la cual limitar el crecimiento del voltaje. Inductores pueden ser conectados en serie
con el Mosfet para limitar el rango de crecimiento de la corriente al encendido y reducir la
prdidas de encendido de esta manera. Con cargas resonantes la conmutacin puede hacerse en
el cruce de cero de la tensin o de la corriente y de esta manera reducir las prdidas de
conmutacin abruptamente.

3. Prdidas en el diodo.
Estas prdidas solo ocurren en circuitos en los cuales se use el diodo en antiparalelo inherente a
la estructura del Mosfet.
Una buena aproximacin de la disipacin en el diodo es el producto del la tensin del diodo, la
cual es tpicamente menor a 1,5 Volt, por la corriente promedio que circula por el diodo. Este
diodo puede ser aprovechado en distintos circuitos de control de motores, control de steppers,
etc.

4. Prdidas de compuerta.
Las prdidas en la compuerta estn dadas por la siguiente ecuacin:
( )
DR G
G
2
GSD IP
G
R R
R . f . V . C
P
+
=
Donde R
G
es la resistencia de compuerta interna.
R
DR
es la resistencia externa del driver.
V
GSD
es la tensin Gate drive.
C
IP
es la capacidad que se ve desde la compuerta a fuente, esta capacidad varia en forma
amplia con la tensin V
GD
. De esta manera la expresin mas utilizada es:
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( )
DR G
G GSD G
G
R R
R . f . V . Q
P
+
=

Donde Q
G
es el pico de carga de Compuerta (gate).

Circuitos de excitacin para Power Mosfet
Generalidades
Minimizar las prdidas de potencia en los interruptores electrnicos es un importante
objetivo a la hora de disear circuitos electrnicos de potencia. Las prdidas de potencia en
conduccin se producen a causa de que la tensin en bornes del interruptor semiconductor no es
cero cuando este se halla en estado ON. Las prdidas de conmutacin ocurren porque un
dispositivo no hace una transicin de un estado a otro instantneamente transitando e esta manera
por la regin activa del dispositivo. En muchos equipos electrnicos de potencia, las prdidas por
conmutacin son mayores que las de conduccin.
Veremos a continuacin como disminuir las perdidas en conmutacin de los Mosfet de
potencia

Circuitos de excitacin
El Mosfet es un dispositivo controlado por tensin. El estado de conduccin se consigue cuando la
tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin de umbral, lo que fuerza al Mosfet a
entrar en la regin de trabajo hmica. Normalmente, la tensin puerta-fuente del Mosfet para el
estado activado en circuitos conmutados est entre 10 y 20 Volt. El estado desactivado se consigue
con un tensin menor que la tensin umbral. Las corrientes de puerta para los estados de encendido
y apagado son esencialmente cero. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada
parsita para poner al Mosfet en conduccin, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de
conmutacin vienen determinadas bsicamente por esto..
Un circuito de excitacin Mosfet debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rpidamente, para conseguir una conmutacin de alta velocidad. El circuito de excitacin
elemental de la Figura 8, la excitar al transistor, pero el tiempo de conmutacin puede que sea
inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Adems, si la seal de entrada proviene de
dispositivos lgicos digitales de baja tensin, puede que la salida lgica no sea suficiente para poner
al Mosfet en conduccin.
En la figura 8b, se muestra un circuito de excitacin mejor. El doble seguidor de emisor o
salida en Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la
tensin de excitacin de entrada est a nivel alto, Q
1
conduce y Q
2
, est apagado, haciendo conducir
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al Mosfet. Cuando la seal de excitacin de entrada est a nivel bajo, Q
1
est al corte y Q
2
conduce,
eliminado la carga de la puerta y apagando el Mosfet. La seal de entrada puede provenir de un
circuito TTL de colector abierto usado como control, con el totem-pole utilizado como buffer para
suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas, como se indica en la Figura 8c.


Conclusiones.

El Power Mosfet es uno de los mejores elementos semiconductores de potencia.
Sus principales caractersticas son
Rapidez en la conmutacin.
Muy apto para alta frecuencia
Funciona muy bien en baja tensin.
Tiene una resistencia de entrada muy grande.
Su impedancia de entrada no es muy alta.
Su circuito de excitacin es muy simple.
Muy fcil la adaptacin de elementos en paralelo.
Algunas de sus principales aplicaciones:
o Fuentes conmutadas
o Control de velocidad de motores de CC por PWM
o Control de distintos elementos en electrnica automotriz (dimers, motores de agua,
etc).