Vous êtes sur la page 1sur 5

Polytechnique, Physique 2 PC

Equilibres thermodynamiques en situations inhomog` enes Concours 2007

I. Equilibre thermodynamique et diffusion


I.1. (a) La tranche de uide est soumise, en projection sur la verticale ascendante ez , aux forces de pression a ` sa base P(z)S, aux forces de pression a ` son sommet P(z + dz)S et aux forces de pesanteur dP = g . gSdz. L equilibre de la tranche de uide impose dP gdz = 0 ou dz (b) L equation d etat des gaz parfaits PM = RT permet dint egrer cette e quation sous la forme Mg P ( z) Mg dP P = RT dz ou P ( z ) = exp RT ( z z0 ) . 0 (c) n =
NA M

PNA RT

s ecrit, en prenant z0 = 0 et n(z0 ) = n0 , sous la forme du facteur statistique de mgz kB T


P ( z) P ( z0 )

Boltzmann, n(z) = n0 exp

.
P P

(d) On sait que le potentiel chimique dun gaz parfait v erie ( P, T ) = ( P , T ) + RT ln peut bien e crire ( P, T ) + Mgz = cte . I.2. ( P(z), T ) ( P(z0 ), T ) = RT ln

donc

soit aussi ( P(z), T ) ( P(z0 ), T ) = Mg(z z0 ), quon

(a) La particule e tudi ee est soumise a ` son poids m g, a ` la pouss ee dArchim` ede (r esultante des contraintes normales ou forces de pression) m g et a ` la r esultante v des contraintes tangenv egime tielles. L equation du mouvement m d dt = ( m m ) g v fournit donc une solution de r permanent vd = m m g.

(b) Le courant particulaire demand e s ecrit jd = n(z)vd donc jd = n(z)

m m g.

I.3. Le courant de diffusion (qui se superpose a ` jd ) s ecrit (loi de Fick) jD = D dn dz ez et la condition d equilibre jd + jD = 0 impose D n(z) = n0 exp I.4. m m gz D .
mgz

dn m m quation diff erentielle sint` egre selon + gn(z) = 0 Cette e dz

(a) La prise en compte de la force dArchim` ede revient a ` remplacer n(z) = n0 exp k B T n(z) = n0 exp

par

(m m ) gz , en diminuant le poids apparent des particules dans le uide kB T dans lequel elles sont en e quilibre.

(b) La comparaison des deux expressions impose D = k B T . I.5. On obtient 6 aD = k B T ce quon peut e crire ln D = cte ln a ; on obtient bien une droite de pente ele d evelopp e. 1, comme sur la gure de l enonc ea ` gauche, ce qui valide le mod` 1

4 a3 , on obtient de Dans le cas dune mol ecule sph erique de rayon a et de masse molaire M = NA 3 m eme ln D = cte 1 ` la gure de l enonc ea ` droite, 3 ln M ; cette droite de pente 1/3, conforme a valide aussi le mod` ele.

I.6. On a vu que + Mgz est une constante, donc RT ln CS + Mgz est une constante, expression qui S = Mgz erente avec la relation ln C tablie plus haut lors de l etude appara t donc comme coh RT e C0 statistique de la r epartition des mol ecules de solut e dans le solvant.
S

II. Structure M etalOxydeSemiconducteur


II.1. Distribution de charges dans le silicium loin de loxyde. (II.1.1) On a pour condition de neutralit e = ne + pe Na e = 0 soit 0 = p Na e quation du second degr e
n2 n2 i p, 2 Na

qui est une

=0 de discriminant = Na p Na + conserve que la seule racine positive p = Na soit p Na . 2

p2

n2 i

n2 a

4n 2 i

> 0 ; on ne

(II.1.2) n = Nia soit n 109 m3 p : au niveau de la base B, loin de linterface, il ny a pas d electrons et la conduction est assur ee par les seuls trous. II.2. Distribution de charges dans le silicium pour VGB < 0. Accumulation. (II.2.1) Le champ e lectrique dirig e dans le sens des potentiels d ecroissants v erie E = E(z)ez avec E(z) < 0. Les charges mobiles positives subissent donc F = +eE avec F ez < 0 : ces trous sont attir es par linterface m etaloxyde.
| ` le th eor` eme (II.2.2) En pr esence dun champ uniforme, la diff erence de potentiel U v erie U = | E d ou de Gauss permet dexprimer la densit e surfacique de charges libres = ox |E| ; on en d eduit la ox . soit Cox = capacit e surfacique C = V d

(II.2.3) Loxyde e tant un isolant, on peut appliquer le th eor` eme de Gauss a ` un tube de champ qui le traverse de la grille a ` la surface de s eparation en z = 0 (ces deux surfaces incluses). Le ux du champ e lectrique a ` travers les parois lat erales dun tel tube est nul (par d enition dun tube de champ) ; les extr emit es du tube sont aussi situ ees dans des zones de champ nul.

ox

Si

Tube de champ

La charge totale dans le tube est donc nulle ; on en conclut que la grille porte la charge par unit e de surface Q G = < 0 (en z = d) ; la tension aux bornes de ce condensateur e tant ox Vox Vox = ( G ) (0) < 0, on peut e crire Q G = . Dautre part, dans le silicium rest e ici d neutre, l equation de Poisson impose (z) = 0 donc (z) = z + (0) est afne. Comme par ailleurs au niveau de la base (z ) = 0, on a forc ement = 0 donc (z) = 0 pour tout ox VGB z > 0. Finalement, Vox = VGB donc Q G = d (II.2.4) Compte tenu de la relation entre n(z) et p(z), il vient (z) = e p(z) Na
n2 i p( z)

; toutefois, si
n2 i p( z)

on peut n egliger la densit e d electrons libres comme on la afrm e plus haut, Na

donc

(z) e [ p(z) Na ] . On remarquera que ce r esultat, vrai a ` proximit e de la base, lest a fortiori au fur et a ` mesure quon sapproche de la grille, puisque le potentiel diminue, les trous devenant plus nombreux. 2

(II.2.5) Il sagit a ` nouveau du facteur statistique de Boltzmann : la probabilit e de pr esence dune particule mobile augmente lorsque son e nergie potentielle E p = +e(z) diminue. La r epartition est normalis ee au niveau de la base, ou ` p(z) = Na reste e gal a ` sa valeur de repos du fait de la grande dimension du barreau de Silicium. Dans le cas ou ` VGB < 0, on aura bien sur (z) < 0 dans tout le barreau : les trous, attir es par la grille, sont partout en plus grand nombre quau niveau de la base et p(z) Na . (II.2.6) On a e tabli lexpression de , donc (z) = par (z), cette e quation sint` egre selon la base, on peut e crire 0 =
eNa VT Si 2 ( z ) 2

eNa ( z) exp Si VT
eNa VT Si

es multiplication 1 . Apr`

lectrique loin de linterface ; on [1 + cte] en labsence de champ e 2eNa VT ( z) exp Si VT

exp

( z) VT

( z) VT

+ cte ; au niveau de
( z) 1 . VT

en d eduit bien lexpression demand ee, 2 (z) =

(II.2.7) Le th eor` eme de Gauss afrme QS = Si (0) puisque E = grad = (z)ez ; (z) > 0 puisque cro t dune valeur n egative vers sa limite 0 atteinte en z au niveau de la base,
V2

permettant d ecrire, au moyen des notations de l enonc e, (0)2 = 2 LT 2 [ exp( u ) (1 + u )] donc Si VT QS = 2 exp(u) (1 + u) . La neutralit ee lectrique de la zone oxyd ee, qui forme un L condensateur, permet dafrmer que Q G = QS
u2 2

(II.2.8) u reste ici faible donc exp(u) 1 + u + CSi =

et Q G =

Si VT u L

donc Q G =

Si (0) avec donc L

Si . Lassociation des deux condensateurs (zone isolante oxyd ee et zone silicium) en L ox Si 1 = C1 + C1Si ou C = s erie m` ene a ` C . ox ox L + Si d (II.2.9) Sans difcult e, Cox = 8, 85 104 F m1 , L = 13, 1 nm donc CSi = 8, 08 103 F m1 . On a aussi CSi (0) = CVGB donc VGB = (0) 1 +
CSi Cox

qui s ecrit encore VGB = uVT 1 +

CSi Cox

II.3. Distribution de charges dans le silicium pour VGB > 0. D epl etion.

VGB = 0, 26 V pour u = 1 , VGB = 0, 79 V pour u = 2 et VGB = 1, 32 V pour u = 5 .

ae (II.3.1) On a maintenant (z) = N z zD et (z) = 0 pour z > zD . Dans ce second cas, Si pour 0 lint egration est imm ediate et fournit une fonction afne, avec ( B) = 0 et, la base B e tant suf samment loin de linterface, on admet encore ( B) = 0 pour trouver (z) = 0 pour z zD .

Lint egration pour z

zD fournit dabord (z) =

Na e Si ( z

zD ) (continuit e du champ (z) en


Na e (z zD )2 pour 0 2Si z zD (conti-

z = zD en labsence de charges surfaciques) puis (z) = nuit e du potentiel)

(II.3.2) Puisque = Na e sur une e paisseur zD , on a bien sur QSi = NaezD . On applique ici encore le th eor` eme de Gauss a ` un tube de champ comportant la charge Q G et la charge QSi , tube qui s etend de z < d a ` z > zS . Le ux du champ E reste nul a ` travers un tel tube.

QG

ox

QSi

Si

Tube de champ

On en d eduit que Q G = QSi mais Q G = (II.3.3) VGB = Vox + (0) =


Na edz D ox N ez2

ox Vox d

donc Vox =

Na edzD . ox

+ 2aSiD peut e tre consid er e comme une e quation du second degr e 2Si VGB Si 2 quation a toujours deux solutions pour zD , quon e crit aussi zD + 2 ox dzD Na e = 0. Cette e
Si de signe contraire et on ne conserve que la solution positive, zD = d+ ox Si ox d 2

2Si VGB Na e

qui prend bien la forme demand ee, a ` condition de poser V0 =


Si d (II.3.4) Apr` es substitution, Q = Na e ox

Na eSi . 2 2Cox
dQ dVGB
a e Si d = N Ox V0

1+

VGB V0

1 donc CMOS =

1 1+
VGB V0

ou

CMOS =

Cox 1+
2

VGB V0

Si d donc V0 = 40, 2 103 V . On a alors le tableau des valeurs et la courbe de varia(II.3.5) V0 = eN2a 2 ox tion de la page ci-apr` es.

CMOS /Cox 1 1/ 2

VGB 40 mV 120 mV 321 mV

zD 49, 7 nm 120 nm 240 nm

C MOS /Cox 1/ 2 0, 71 1/2 = 0, 50 1/3 = 0, 33

V0

VGB

On peut donc utiliser ce circuit comme une capacit e variable (varicap) permettant de r ealiser par exemple un oscillateur a ` fr equence propre controle e lectriquement (pour la modulation de fr equence). II.4. Distribution de charges dans le silicium toujours avec VGB > 0. R egime dinversion. (II.4.1) On reconna t ici encore une distribution statistique proportionnelle au facteur de Boltzmann exp ( E/k B T ) avec pour e nergie potentielle des e lectrons E = e(z), dou ` la premi` ere forme n(z) = n( B) exp
e ( z) kB T

avec = 0 au niveau de la base B. De plus, n( B) =

n2 i Na

dans lapproxi-

mation ou ` p( B) Na (cf. plus haut). Cette densit ee lectronique est maximale l` a ou ` (z) est maximale donc en z = 0 . a. Il faut imposer
n2 i Na

(II.4.2)

exp

S VT

= Na donc S = 2VT ln

Na . ni Na Si VT ln . Na e ni

b. (z) =

eNa 2Si

(z zD )2 et (0) = S imposent zD = zS avec zS = 2

c. On trouve S = 0, 838 V et zS = 105, 5 nm . d. zS =


Si ox d

1+

VGB V0

1 donc VGB = V0

1+

ox zS Si d

1 = 101 mV .

(II.4.3)

a. Il suft de reprendre le raisonnement fait plus haut en tenant compte de la charge suppl ementaire qS au niveau de la surface z = 0. Lorsque VGB = VS , on a vu que la grille portait la charge Q = Cox (VS S ), le silicium portant (en volume entre z = 0 et z = zS ) la charge Q. Lorsque VGB > VS , il appara t une charge qS au niveau de la surface de contact en z = 0, donc la grille porte la charge Q + qS , ce qui permet d ecrire Q + qS = Cox (VGB S ). La comparaison des deux r esultats montre que qS = Cox (VGB VS ) .
dQ b. On pose CMOS = dV ou ` la nouvelle charge Q port ee par la grille peut s ecrire Q = Q + qS GB tant suppos ee inchang ee, on aura toujours donc Q = Cox (VGB S ) ; la valeur de S e Cox CMOS = . GB 1+ V V0

II.5. Courant transversal dans une structure MOS. (II.5.1) La gure ci-apr` es pr esente le d eplacement des charges form ees a ` linterface sourceoxyde ; pendant la dur ee dt, les charges de surface de densit e surfacique qS avancent de vx dt et la quantit e de charge qui se d eplace dans le sens de laxe (Ox) est dq = qS vx dt W , ce qui permet d ecrire Ix = vx WqS donc Ix = mob Ex WqS . oxyde qS source
SD (II.5.2) Il vient enn Ix = mob VL WCox (VGB VS ) ; avec VDS = VSD , il vient pour conductance WCox VS . Le dispositif est apparente entre drain et source Gc = mob (VGB VS ) , pour VGB L donc un interrupteur command e , puisquon peut en faire passer la conductance apparente de z ero a ` une valeur e lev ee en controlant la tension de commande VGB : cest une des applications du transistor a ` effet de champ (FET). D

vx

Grille de commande G

Ix

VDS

Solutions propos ees par paul.roux@fauriel.org