Departamento de Fsica

Laboratorio de Electricidad y Magnetismo

ESTUDIO DEL EFECTO HALL EN UN
SEMICONDUCTOR DE Ge
1 Obj etivos

Estudiar y comprender el Efecto Hall.
Medir el voltaje de Hall como funcin de la corriente que circula por un semiconductor
de Germanio de conductividad tipo n o p, y como funcin del campo magntico que lo
atraviesa.
Determinar el coeficiente de Hall.
Identificar el signo de los portadores de carga en funcin de la polaridad del voltaje de
Hall, de la direccin del campo magntico y el sentido de la corriente en el
semiconductor.

2 Fundamentos tericos

El Efecto HALL fue descubierto por el fsico Edwin Herbert Hall en el ao 1879. Este consiste en
la aparicin de un campo elctrico E perpendicular a la direccin de la corriente I que
atraviesa un material (conductor o semiconductor) que se encuentra en el seno de un campo
magntico B perpendicular a dicha corriente.

2.1 Semiconductores. Generalidades.

Atendiendo a las propiedades electrnicas de los materiales relacionadas con la conductividad
, stos pueden clasificarse en tres grandes grupos: aislantes, semiconductores y conductores.
Para que un material conduzca electricidad es necesario que existan electrones libres, es decir,
portadores de carga en la banda de conduccin (BC), de forma que no todos los portadores
estn ligados al cristal (tomos e iones), como ocurre en la banda de valencia (BV). La
separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se llama banda prohibida (BP),
porque en ella no puede haber portadores. Segn la estructura de bandas:

o los conductores (metales) son aquellos en los que ambas bandas de energa se
superponen.
o los aislantes son aquellos en los que el ancho de la BP es mayor o igual que 6 eV, lo que
hace imposible que a temperaturas moderadas (E = kT) se produzcan saltos de
electrones entre BV y BC, por lo que no hay portadores libres en BC.
o los semiconductores (SC) son aquellos en los que el ancho de BP es del orden de 1 eV.
Por ejemplo, en el germanio es 0.66 eV. En este caso, la conductividad es muy
dependiente de la temperatura: a temperaturas moderadas (T~350K) los portadores
tienen suficiente energa para saltar de BV a BC, aumentando as la concentracin de
portadores libres en BC, mientras que a bajas temperaturas se comportan como
aislantes perfectos, al no haber energa suficiente para crear portadores libres en BC.

Atendiendo al nivel de impurezas contenidas en los semiconductores stos pueden clasificarse
en intrnsicos, con concentraciones de impurezas despreciables, y en general no deseadas, y
extrnsecos, con altos niveles de impurezas creados de manera intencionada en el proceso de
fabricacin. Dependiendo del tipo de impureza con que intencionadamente se dope, un SC
puede tener una conductividad extrnseca por huecos (semiconductor tipo p, SCp) o por
electrones (semiconductor tipo n, SCn).
1


En la dependencia de la conductividad en un SC
extrnseco con la temperatura podemos diferenciar
tres posibles regmenes: a bajas temperaturas
tenemos conduccin extrnseca (R-I) , es decir, a
medida que la temperatura aumenta, los portadores
de carga se ionizan desde las impurezas, pasando a
la BC. A temperaturas moderadas (R-II) hablamos
de agotamiento de impurezas, puesto que casi todas
las impurezas han sido ya ionizadas y un incremento
en la temperatura no conlleva un aumento de
portadores en la BC. A temperaturas elevadas (R-
III) la conduccin que predomina es la intrnseca
(ver figura 3); los portadores que llegan a la BC
proceden de la BV, es decir, son tomos ionizados
del propio material SC, no de las impurezas. En este
ltimo rgimen, la conductividad en funcin de la
temperatura se puede expresar como:


kT
E
p
e
2
0

= [1]

donde E
p
es el ancho de energa de la BP del SC, k=8.62510
-5
eV/K es la constante de
Boltzmann y T la temperatura absoluta (en K).

Recordemos que:

o la conductividad es el inverso de la resistividad , y sus unidades son (m)
-1
.
o la densidad de corriente (corriente por unidad de rea) es J = qnv, donde n es la
concentracin de portadores, y segn la ley de Ohm: J = E.
o la velocidad promedio de los portadores es v = E, donde es la movilidad de los
portadores.


Por tanto:

E E J = = qn [2]

de donde

qn = [3]



2.2 Efecto Hall en un semiconductor.

Si un material SC de forma rectangular con una anchura h, un espesor d y una longitud l por
el que circula una corriente estacionaria I es colocado en el seno de un campo magntico
homogneo B como muestra la figura 2, los portadores de carga negativa (electrones, q=-e) o
positiva (huecos, q=e), que se mueven con una velocidad promedio v, sienten la accin de la
fuerza magntica o de Lorentz dada por F = q (v x B). Esta fuerza hace que los portadores se
desven, acumulndose en la regin superior (canto trasero) o inferior (canto frontal) del SC,
dependiendo del tipo de conductividad n o p de ste (ver figura 3) y del sentido de I y B.



Figura 1. Dependencia de la conductividad
con la temperatura en un SC.
2





Figura 2. Efecto Hall en un semiconductor tipo n.
La acumulacin de portadores en estas regiones genera un campo elctrico denominado
campo de Hall E
H
,

que es perpendicular a B y I y que se opone a que ms portadores se
acumulen, alcanzndose el equilibrio para valores dados de I y B. Ligada a E
H
aparece el
voltaje de Hall, V
H
= E
H
d, que se puede medir conectando un voltmetro como se muestra en
la figura 2. Dependiendo de si la lectura del voltmetro es positiva o negativa, y conociendo el
sentido del B y de la corriente I que circula por el circuito proporcionada por la batera,
podemos deducir si los portadores de carga en el material SC son las cargas positivas (huecos)
o las negativas (electrones). Como se puede comprobar en el caso de figura 2 los portadores
son los electrones, as como en la figura 3a), mientras que en la 3b) los portadores son los
huecos.




Figura 3. a) SC tipo n: los portadores son electrones. b) SC tipo p: los portadores son huecos.

En el equilibrio, es decir, cuando la fuerza elctrica debida al campo de Hall F
H
se iguala a la
fuerza de Lorentz F
L
tenemos:
vB E qvB qE
H H
= = =
L H
F F

ya que
H H H H
F E F qE q = =
y
B v F B v F
L L
= = si , qvB ) q(

Como el espesor de la muestra SC es d entonces el voltaje de Hall V
H
ser:
vB E V
H H
d d = =

Sabiendo que la densidad de corriente es:

qnv J =
3


y que adems, J=I/A, donde A es el rea de la muestra (A=dh), entonces:
nqA
I
nq
J
v qnv J = = = = J
y podemos escribir V
H
como:


nq
IB
B
nq
I
V
H
h
d
dh
= =


Si denotamos por R
H
al coeficiente de Hall, cuya expresin viene dada por 1/qn, y que tiene
valor positivo en el caso de huecos y negativo en el caso de electrones, tenemos finalmente:


h
I
B R V
H H
= [4]


Por tanto podemos rescribir la ecuacin [3] utilizando el coeficiente de Hall como



H
R

= [5]





3 Para saber ms...

TIPLER P.A. y MOSCA, G., Fsica para la Ciencia y la Tecnologa, Vol 2. 5 edicin.
Ed. Revert, Barcelona, 2005. Captulo 26. Pginas 783-785.

SERWAY, R.A y JEWETT, W. Fsica, Vol 2, 3 edicin. Ed. Thomson-Paraninfo,
Madrid, 2003. Captulo 2. Pginas 843.


En internet

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hframe.html

http://www.eeel.nist.gov/812/effe.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Hall

http://personales.upv.es/jquiles/prffi/magnetismo/ayuda/hlphall.htm






4

4 Material

1. Mdulo de Hall
2. Placa portadora del semiconductor (germanio tipo p o n)
Dimensiones del SC: d = 1 mm, h = 10 mm y l =20 mm
3. Electroimn
4. Fuente de alimentacin
5. Teslmetro
6. Polmetro digital
7. Sonda para medir el campo magntico tangencial
8. Cables de conexin


Figura 4.Puesto de trabajo e instrumentacin.






















4
5
1
6
3
7
2
8
5

5 Mtodo experimental

5.1 Medida del potencial de Hall V
H
como funcin de la intensidad de la corriente que circula
por la muestra.
5.1.1 Con la fuente apagada (interruptor en el panel trasero del equipo) comprobar
que:
- el selector de salida de voltaje en CA (puente 1) se encuentra en la posicin de
12 V.
- la posicin de los controles de voltaje (2) y corriente (3) se encuentran al
mnimo.



Figura 5. Fuente de voltaje en CC y CA.


5.1.2 Conectar la salida de voltaje en CA de la fuente (4) a la entrada del mdulo de
Hall (5), marcada con 12V~ y que se encuentra en la parte trasera del mismo.



Figura 6. Mdulo de Hall. Vista frontal y trasera.

5.1.3 Conectar la salida de voltaje en CC de la fuente (6) a los dos extremos libres del
electroimn (uno a cada lado) (7a y 7b). Tener en cuenta que la polaridad que
se elija cambia el sentido de la corriente en las bobinas del electroimn y con
ello el sentido del campo magntico.

1
2
3
4
6
5
14
18
17
16
15
6




Figura 7. Electroimn.

5.1.4 Colocar la parte superior del ncleo de hierro del electroimn (8).

5.1.5 Calibracin del teslmetro:

- Conectar la sonda (medidor del campo magntico
tangencial) en la clavija correspondiente del
teslmetro (9) y encender ste mediante el
interruptor en la parte trasera del equipo.
- Comprobar que el selector de campo magntico
(10) est en continuo (Direct Field).
- Alejar la sonda del electroimn lo mximo
posible.
Colocar el selector de escala (11) en la escala de
1000 y ajustar con el control fino (12) hasta que
la medida del campo sea cero. Bajarlo de escala
progresivamente (a 200 y a 20) y realizar el
mismo ajuste. En caso de que no se consiga
ajustar la lectura del campo a cero, utilizar el
botn rojo (13) situado bajo el sel
-
ector de escala.
Mover este botn delicadamente.
Figura 8. Teslmetro.

5.1.6
electroimn. Atencin! La sonda no debe quedar
presionada contra la muestra.
5.1.7
H
en el mdulo de Hall, encenderlo y
seleccionar la escala de 200 mV en CD.
5.1.8
rario,
seleccionar con el botn (16) marcado con Display la medida de corriente.


Retirar la parte superior del ncleo de hierro del electroimn situada frente al
semiconductor, insertar delicadamente la sonda en la ranura del mdulo de Hall
hasta el final, con la etiqueta del mando de espaldas al observador, y comprobar
que la punta del sensor queda justo enfrente de la muestra semiconductora.
Volver a colocar la cabeza del

Conectar el polmetro como voltmetro respetando la polaridad en la salida del
voltaje de Hall (14), etiquetado con U

Encender la fuente y comprobar que en el mdulo de Hall, la lectura de la
pantalla corresponde a corriente (led mA (15) encendido). En caso cont

8
7a
7b
8
10
9
11
12
13
7


5.1.9
etro sea de 300mT. El
selector de escala del teslmetro ha de estar en 1000.
5.1.10
metro, en la escala de
200 mV, sea lo ms cercana a cero posible. Ver figura 9.

Ajustar el control de corriente (3) en la fuente a 2A; no sobrepasar este valor.
Aumentar V con el control de voltaje (2) de la fuente hasta conseguir que la
lectura del valor del campo magntico en el teslm

Con el control de corriente (17) en la muestra semiconductora, marcada con I
p

en el mdulo de Hall, ajustar hasta que la lectura de la corriente en la pantalla
del mdulo sea 0, y con el control (18) marcado con U
H
comp (voltaje
compensador de Hall), ajustar hasta que la lectura del pol

Figura 9. Montaje para la medida de V
H
frente a I.
5.1.11
e de Hall para cada
paso. Con estos valores construir una tabla de V
H
frente a I.
5.1.12 grficamente V
H
frente a I. Realizar un ajuste por mnimos
cuadrados.
5.1.13
de la concentracin de portadores n o p a partir de los
parmetros de ajuste.



Variar la corriente en la muestra utilizando el control I
p
(17) desde 60 mA
hasta 60 mA en pasos de 10 mA. En ningn caso superar estos valores y mover
el control con mucha delicadeza. Tomar la lectura del voltaj

Representar

Interpretar los valores de los parmetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuacin [4]. Decir cul es el signo del portador de carga. Obtener el valor del
coeficiente de Hall R
H
y












8


5.2 Medida del potencial de Hall V como funcin de la intensidad del campo magntico.
.2.1 Fijar el valor de la corriente en la muestra con el control I (17) a 20 mA.
5.2.2
ara
cada paso. No sobrepasar en ningn caso el valor de 350 mT. Ver figura 10.


H

5
p

Con el control de V de la fuente (2) aumentar la intensidad del campo magntico
en la muestra hasta 350 mT, en pasos de 50 mT y tomar la lectura de V
H
p

Figura 10. Montaje para l da de V frente a B
5.2.3.
e lo ha hecho el signo de V
H
. Repetir el paso 5.2.2. desde 0
hasta 350 mT.
.2.4 Construir una tabla de V frente a B.
5.2.5 grficamente V
H
frente a B. Realizar un ajuste por mnimos
cuadrados.
5.2.6
ste y compararlo con el obtenido en el apartado 5.1.13.
Comentar el resultado.

a medi
H

Invertir el sentido del campo magntico en el electroimn. Para ello,
intercambiar los cables en las entradas (7a) y (7b). Comprobar que el signo en
la lectura del campo magntico en el teslmetro ha cambiado, y
consecuentement

5
H

Representar

Interpretar los valores de los parmetros de ajuste, utilizando para ello la
ecuacin [4]. Obtener el valor de la concentracin de portadores n o p a partir
de los parmetros de aju












9