Fabricacion de Semiconductores

Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad FABRICACIN DE SEMICONDUCTORES Y OTROS COMPONENTES ELECTRNICOS
GRUPO DEL BANCO MUNDIAL
Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad para la fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos
Introduccin
Las Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad son documentos de referencia tcnica que contienen ejemplos generales y especficos de la prctica internacional recomendada para la industria en cuestin 1 . Cuando uno o ms miembros del Grupo del Banco Mundial participan en un proyecto, estas Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad se aplican con arreglo a los requisitos de sus respectivas polticas y normas. Las Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad para este sector de la industria deben usarse junto con el documento que contiene las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad, en el que se ofrece orientacin a los usuarios respecto de cuestiones generales sobre la materia que pueden aplicarse potencialmente a todos los sectores industriales. En el caso de proyectos complejos, es probable que deban usarse las guas aplicables a varios sectores industriales, cuya lista completa se publica en el siguiente Guidelines. Las Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad contienen los niveles y los indicadores de desempeo que generalmente
1 Definida como el ejercicio de la aptitud profesional, la diligencia, la prudencia y la previsin que podran esperarse razonablemente de profesionales idneos y con experiencia que realizan el mismo tipo de actividades en circunstancias iguales o semejantes en el mbito mundial. Las circunstancias que los profesionales idneos y con experiencia pueden encontrar al evaluar el amplio espectro de tcnicas de prevencin y control de la contaminacin a disposicin de un proyecto pueden incluir, sin que la mencin sea limitativa, diversos grados de degradacin ambiental y de capacidad de asimilacin del medioambiente, as como diversos niveles de factibilidad financiera y tcnica.
pueden lograrse en instalaciones nuevas, con la tecnologa existente y a costos razonables. En lo que respecta a la posibilidad de aplicar estas guas a instalaciones ya existentes, podra ser necesario establecer metas especficas del lugar as como un calendario adecuado para alcanzarlas. La aplicacin de las guas debe adaptarse a los peligros y riesgos establecidos para cada proyecto sobre la base de los resultados de una evaluacin ambiental en la que se tengan en cuenta las variables especficas del emplazamiento, tales como las circunstancias del pas receptor, la capacidad de asimilacin del medioambiente y otros factores relativos al proyecto. La decisin de aplicar recomendaciones tcnicas especficas debe basarse en la opinin profesional de personas idneas y con experiencia. En los casos en que el pas receptor tenga reglamentaciones diferentes a los niveles e indicadores presentados en las guas, los proyectos deben alcanzar los que sean ms rigurosos. Si corresponde utilizar niveles o indicadores menos rigurosos en vista de las circunstancias especficas del proyecto, debe incluirse como parte de la evaluacin ambiental del emplazamiento en cuestin una justificacin completa y detallada de cualquier alternativa propuesta, en la que se ha de demostrar que el nivel de desempeo alternativo protege la salud humana y el medioambiente.
sitio
web:
http://www.ifc.org/ifcext/sustainability.nsf/Content/Environmental
Aplicabilidad
Las Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad para la fabricacin de semiconductores 1 y otros componentes
30 DE ABRIL 30 DE 2007
electrnicos incluyen informacin relevante sobre los proyectos y las instalaciones para la fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos. No incluyen informacin sobre la extraccin de materias primas, el ensamblaje de componentes generales, la fabricacin de pantallas para el ensamblaje de componentes internos dentro de la estructura plstica o la produccin de conectores estndares. El Anexo A contiene una descripcin completa de las actividades industriales en este sector. Este documento est dividido en las siguientes secciones: Seccin 1.0: Manejo e impactos especficos de la industria Seccin 2.0: Indicadores y seguimiento del desempeo Seccin 3.0: Referencias Anexo A: Descripcin general de las actividades de la industria
1.0
Manejo e impactos especficos de la industria
(galvanoplastia), y flujos de soldadura y residuos metlicos (circuitos impresos ensamblados [PCBA]). Adems de las medidas relevantes sobre gestin de materiales peligrosos que se sealan en las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad, las tcnicas especficas de prevencin de la contaminacin incluyen modificaciones del proceso y sustituciones de elementos como las siguientes 2 : Modificaciones del proceso o del equipo, como 3 : o Regenerar los baos de grabado mediante filtracin con carbn activo para eliminar los contaminantes orgnicos acumulados, lo que reduce el volumen de los baos de grabado por eliminar y reduce la necesidad de nuevas sustancias qumicas; o Adoptar sistemas automatizados de cabinas de gas para controlar las fugas de gases de los cilindros, especialmente al cambiarlos; o Sustituir las soldaduras de plomo por aleaciones de estao u otras soldaduras sin plomo;
La siguiente seccin contiene una sntesis de las cuestiones relativas al medio ambiente, la salud y la seguridad asociadas a la fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos que tienen lugar durante la fase operacional, as como recomendaciones para su manejo. Por otra parte, en las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ofrecen recomendaciones sobre la gestin de las cuestiones de este tipo que son comunes a la mayora de los grandes establecimientos industriales durante las etapas de construccin y de desmantelamiento.
1.1
Medio ambiente
Las cuestiones medioambientales en la fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos incluyen principalmente lo siguiente: Uso de materiales peligrosos y gestin de residuos Emisiones al aire Aguas residuales Consumo de energa Modificaciones generales del proceso
Sustitucin o eliminacin de materias primaspor ejemplo, sustitucin de soluciones de grabado con cianuro (por grabado con oro en la industria de PCB) por cido sulfrico de cobre, sulfuro de oro y niquelado sin electricidad, sustituyendo los cromados con Cr VI por cromado con Cr III (fabricacin de PCB, aunque el uso de baos de cromado es obsoleto);
Materiales peligrosos y residuos

Casi todos los procesos de fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos generan residuos peligrosos o potencialmente peligrosos, como residuos de agua destilada (que contienen cidos orgnicos), desechos de solventes y reveladores (por ejemplo, parafinas), residuos de soluciones de limpieza, lodos del tratamiento de aguas residuales, residuos de material con epoxi (fabricacin de circuitos impresos [PCB] y de semiconductores), residuos de soluciones de cianuro
Segregar, separar y preparar las sustancias y los residuos peligrosospor ejemplo, la segregacin de los lodos de aguas residuales por metales contaminantes mejora la
2 Se debe restringir o eliminar progresivamente el uso de plomo, mercurio,
cadmio, cromo (Cr VI), polibromobifenilos y polibromodifenilos, de acuerdo con lo dispuesto por la Unin Europea (2003a y 2003b). Se ha eliminado progresivamente el uso de clorfluorocarbonos y tricoloroetileno. Se estn considerando restricciones del uso de sulfonatos de pefluorooctano mediante la enmienda de la Directiva 76/769/EEC del Consejo de la UE (COM/2005/0618 final - COD 2005/0244). World Semiconductor Council (WSC) y Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) han adoptado medidas voluntarias para limitar el uso y los vertidos de sulfonatos de pefluorooctano. 3 En el Anexo A se ofrece informacin adicional.
recuperacin de residuos; almacenamiento de productos qumicos del grabado para segregar las sustancias incompatibles, como los cianuros de los cidos y los oxidantes de los combustibles; Recuperar y reciclar los metales, principalmente en los sectores de los semiconductores y los PCBApor ejemplo, recuperacin de cobre y metales preciosos mediante procesos electrolticos; eliminacin y recuperacin del cobre y el estao de las placas mediante precipitacin electroltica o qumica; recuperacin del arsnico y el galio de los residuos de procesamiento con arseniuro de galio (GaAs) (mediante la separacin trmica de los residuos slidos del GaAs y la recuperacin de los residuos del pulido con GaAs); Reduccin de los vertidos de sulfonatos de perfluorooctano (PFO) en la fabricacin de semiconductores mediante la eliminacin progresiva de los usos no esenciales de sustancias basadas en PFO, como algunas mezclas para el grabado para las que existen sustitutos. En el caso de los usos esenciales de PFO para los que no existan alternativas, como las tecnologas de onda ms corta empleadas en la fabricacin de semiconductores, se debe llevar a cabo una eliminacin controlada de los residuos, especialmente cuando se trate de incineracin 4 . Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ocupan de la gestin de los materiales peligrosos. Las medidas especficas para este sector incluyen: Debe comprobarse regularmente que no haya fugas en las reas de almacenamiento de sustancias qumicas;
Las conducciones subterrneas deben tener doble capa, con un sistema para detectar las fugas en la capa interior; Las conducciones para materiales peligrosos deben construirse con materiales compatibles y deben tener suficiente apoyo, estar claramente marcadas e instalarse con juntas de alta calidad. Las conducciones deben contar tambin con drenaje en la parte inferior, ventilacin en la parte superior y vlvulas de aislamiento, como mximo, cada 30 metros;
Se deben emplear bandejas de contencin de las fugas.
Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad tratan la gestin de los residuos slidos y peligrosos. Algunas medidas para este sector incluyen: marcar claramente todos los residuos con propiedades peligrosas (como desechos de agua destilada, desechos de solventes, desechos de soluciones de limpieza, lodos del tratamiento de aguas residuales, desecho de material con epoxi y desecho de soluciones con cianuro, entre otras) y almacenarlos por separado de los residuos generales en zonas especiales y cerradas que sean resistentes a las sustancias qumicas. El almacenamiento y la contencin seguras son esenciales dada la elevada reactividad y toxicidad de los residuos y subproductos industriales, como se explica tambin ms adelante en la seccin sobre higiene y seguridad ocupacional.
Emisiones al aire
Entre las principales emisiones preocupantes relacionadas con la fabricacin de semiconductores y componentes electrnicos se encuentran los gases de efecto invernadero, y las sustancias txicas, reactivas y corrosivas (por ejemplo, vapores cidos, dopantes, gases de limpieza y compuestos orgnicos voltiles
Los PFO estn en la lista de sustancias qumicas con propiedades txicas, persistentes y bioacumulativas, y se est considerando por lo tanto su inclusin en la lista de contaminantes orgnicos persistentes (COP) del Convenio de Estocolmo. Como se ha indicado anteriormente, las asociaciones sectoriales (WSC y SEMI) han contrado un acuerdo global voluntario que describe la eliminacin todos los usos, excepto los esenciales, de los PFO y requiere la incineracin de todas las emisiones slidas que contengan PFO. Este acuerdo puede consultarse en http://www.sia-online.org/pre_stat.cfm?ID=294
4
[VOC]), procedentes de los procesos de difusin, limpieza y electroplastia 5 . Hay tres tipos de sistemas de reduccin de las emisiones de gases txicos o peligrosos: Sistemas en el punto de uso (PDU) que son relativamente pequeos y normalmente dedicados a un nico elemento del proceso. Estos sistemas pueden eliminar hasta el 99,99 por ciento de los gases efluentes. Por ejemplo, un purificador en el PDU puede reducir la arsina hasta menos de 50 ppm. Se utilizan seis tecnologas bsicas para la reduccin en el PDU de los contaminantes gaseosos y en partculas, incluidos los compuestos perfluorocarbonados (PFC): o Depuracin hmeda en la fabricacin de semiconductores, aunque con un margen limitado de tratamiento. Los depuradores hmedos tambin se utilizan para el tratamiento de gases cidos y subproductos del tratamiento de combustin/oxidacin; o Baos qumicos calientes en la fabricacin de semiconductores; o Combustin/oxidacin mediante quemadores de combustible o cmaras de calefaccin elctricas, que suelen combinarse con depuradores hmedos (fabricacin de semiconductores y PCBA); o Reactores de plasma en la fabricacin de semiconductores, aunque tienen un margen limitado de tratamiento y requieren unidades adicionales de depuracin en la salida; o Absorcin en fro en la industria de PCBA;
Trampillas, filtros, ciclones y precipitantes en la industria del PCBA para eliminar los slidos y condensar los vapores del escape.
Sistemas generales que son relativamente mucho ms grandes y se colocan fuera de una fbrica (fundicin de semiconductores) y pueden gestionar grandes flujos de efluentes de muchas fuentes distintas; Los depuradores de emergencia, idneos para el manejo de escapes grandes y repentinos de gases txicos, suelen instalarse en las ventilaciones de las zonas de almacenamiento de cilindros de gas. El objetivo de estos depuradores de emergencia es prevenir los escapes incontrolados. Sin embargo, la mayora de los gases txicos pueden controlarse en cabinas especiales en las que se depura o filtra su salida a la atmsfera despus de controlar cuidadosamente que los gases no tengan un impacto sobre la salud o el medio ambiente.
Compuestos de perfluorocarbono y otros gases de efecto invernadero

Los PFCque incluyen CF4, C2F6 y C3F8trifluoruro de nitrgeno (NF3), HFC-23 (CHF3) y hexafluoruro de azufre (SF6) se usan en la fabricacin de semiconductores en los sistemas de deposicin qumica de vapor (CVD, por sus siglas en ingls) en el grabado con plasma, y, principalmente, en la fabricacin de pantallas de transistores de pelcula fina-cristal lquido (TFTLCD). El principal problema medioambiental asociado con los PFC es su elevado potencial de calentamiento global (GWP, por sus siglas en ingls), derivado de su larga perduracin en la atmsfera 6 .
5 La Agencia de Proteccin Ambiental de Estados Unidos ha identificado unos
30 contaminantes peligrosos de la atmsfera en la fabricacin de semiconductores, aunque se calcula que ms del 90 por ciento de las emisiones contienen cido clorhdrico, cido fluorhdrico, teres de propilenglicol y sus acetatos, metanol y xilenos.
6 En mayo de 2005, los miembros del World Semiconductor Council acordaron reducir las emisiones de PFC al menos 10 por ciento con respecto al valor base (de 1995 para las asociaciones europeas, estadounidenses y japonesas; 1997 para la asociacin coreana, y 1998 en el caso de Taiwn) antes de 2010.
Las tcnicas para la reduccin y el control de la emisin de PFC incluyen lo siguiente 7 : Optimizacin del proceso, especialmente en los procesos de limpieza por CVD; Sustitucin qumica, por ejemplo, usando c-C4F8 o NF3 como alternativa de reduccin del gas de limpieza de la cmara, en lugar de C2F6 en una cmara modificada de CVD, minimizando las emisiones a la atmsfera; Reduccin mediante disociacin de molculas para obtener subproductos sin PFC, mediante sistemas de combustin, descomposicin cataltica o destruccin con plasma (esto ltimo slo puede aplicarse a las herramientas de grabado con un mximo de 200 mm). La tecnologa de destruccin trmica puede aplicarse a los procesos de limpieza de cabinas o grabado dentro de la fbrica (dispositivos en PDU) o en toda la fbrica (dispositivos al final del proceso); Captura y reutilizacin de PFC procedente de los escapes, aunque, se trata de un proceso complicado a nivel tcnico y econmico. En las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ofrece informacin adicional sobre los gases de efecto invernadero.
Grabado, durante el que pueden desprenderse vapores de cloruro de hidrgeno; Limpieza, preparacin de la superficie, grabado con cloruro de cobre y deposicin en la fabricacin de PCB.
Las emisiones de aerosol de cido sulfrico tambin estn asociadas con el tratamiento de las obleas con compuestos cidos para el grabado. La mezcla utilizada ms habitualmente contiene cido sulfrico y perxido de hidrgeno. Las emisiones de vapores cidos se reducen mediante la instalacin de depuradores hmedos horizontales (corriente cruzada) o verticales (contracorriente). Las medidas para prevenir la contaminacin incluyen tambin lo siguiente: Uso de inhibidores del vaho en las superficies baadas y uso de humectantes (emulsionantes); Reprocesamiento del cido sulfrico usado durante la fabricacin de obleas mediante calentamiento y destilacin para purificar la corriente cida; Instalacin de tapas o mallas en los baos de grabado para eliminar el vaho.
Compuestos orgnicos voltiles

Los compuestos orgnicos voltiles (COV) se emplean principalmente en la fabricacin de semiconductores y la industria de PCBA. Se pueden generar COV durante la mayora de los procesos de limpieza y fotolitografa, durante las operaciones de secado de fotoresistores, desarrollo y eliminacin de fotoresistores. Normalmente, los sistemas de carbn activo absorben las emisiones de COV para facilitar la recuperacin y/o tratamiento con oxidantes trmicos. Las tcnicas aplicables de control de la contaminacin o los dispositivos adicionales para controlar las emisiones consisten en lo siguiente:
Vapores cidos
Las posibles emisiones de vapores cidos (principalmente, cido clorhdrico y cido fluorhdrico) estn relacionadas con los siguientes procesos en la fabricacin de semiconductores y PCBA: Operaciones de limpieza, grabado y disolucin de fotoresistores en la fabricacin de semiconductores;
7 El Grupo Intergubernamental de Expertos sobre el Cambio Climtico (2000)
ofrece informacin adicional sobre las reducciones de emisiones de PFC mediante una variedad de tecnologas de control de las emisiones.
Oxidantes trmicos regenerativos, que suelen ser prcticos cuando la tasa de flujo volumtrico del escape de los procesos supera los 1,4 m3/s (3.000 scfm, pies cbicos estndar por minuto);
la fabricacin de semiconductores pueden generar ciertas cantidades de polvo, lo mismo sucede con la fabricacin de dispositivos magnticos y componentes pasivos. Entre las medidas de control recomendadas se encuentran: Sistemas de sedimentacin del agua Depuracin con filtros de bolsa o precipitantes electrostticos
Absorbentes giratorios de zeolita con oxidantes trmicos recuperativos, que se usan para concentrar los flujos diluidos de COV antes de pasarlos por un dispositivo de eliminacin o recuperacin;
Lecho fijo de carbn absorbente con separacin por gradiente del vapor para la recuperacin de COV (para su reutilizacin o reciclaje fuera de las instalaciones);
Consumo de energa
Dado que existen muchos procesos trmicos y el manejo de las obleas es altamente mecanizado, la fabricacin de semiconductores conlleva un consumo significativo de energa, que exige un uso ptimo de la misma. Se debe emplear un equipo especial, que combine la mejora de la eficiencia del proceso con la eficiencia energtica, por ejemplo: Equipo de tratamiento del aire que controle la humedad y la temperatura, lo que permite un ahorro de hasta el 25 por ciento de energa; Enfriadores de alto rendimiento; y La recuperacin del calor de los condensadores de agua que utilizan intercambiadores de calor puede permitir que un centro industrial moderno ahorre hasta un 40 por ciento de la energa que necesita. Las tecnologas avanzadas para la reduccin de las emisiones tambin mejoran la eficiencia y reducen el consumo de energa de los nuevos equipos.
Lecho fluido de carbn absorbente con desorcin por nitrgeno caliente y recuperacin de COV (para su reutilizacin o reciclaje fuera de las instalaciones);
Lecho fluido de polmeros absorbentes con regeneracin por nitrgeno caliente y recuperacin de COV, cuando sea prctico, o con oxidantes trmicos recuperativos.
xidos de nitrgeno
Como ocurre en otros sectores industriales, las emisiones de NOx en la fabricacin de semiconductores incluyen los subproductos de los procesos de combustin. Estos subproductos son generados por las calderas del sistema de calefaccin, los generadores de energa de emergencia y los oxidantes trmicos que reducen las emisiones de COV. En las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se presenta informacin relevante sobre tecnologas para la prevencin y el control de las emisiones.
Polvo
Los procesos de perforacin y grabado durante la fabricacin de PCB generan cantidades significativas de polvo, mientras que las industrias de semiconductores y PCBA no emiten cantidades importantes de polvo. El cortado y recortado con lser, el pulido qumico mecnico y los procesos de rebajado en 30 DE ABRIL 30 DE 2007
Aguas residuales Aguas residuales de procesos industriales

Los efluentes de aguas residuales pueden contener componentes orgnicos e inorgnicos, como metales, cidos, lcalis, cianuros y slidos en suspensin. Para minimizar tanto
el uso de agua como los posibles impactos de los vertidos, el agua procedente de los lavados debe recuperarse para que el agua tratada pueda reciclarse en el proceso. Las aguas residuales del proceso pueden incluir componentes orgnicos, especialmente solventes no clorados (por ej., resistores a base de pirrol, amina, flor/ter; isopropil alcohol, hidrxido de tetrametilamonio) para una serie de fases en la fabricacin de semiconductores y PCBA, como la limpieza, el secado de fotoresistores, el desarrollo y la eliminacin de fotoresistores; metales de la metalizacin y los procesos de CMP; cidos y lcalis de los desechos de soluciones de limpieza y operaciones como grabado, limpieza y metalizacin, entre otras; cianuros de los procesos de metalizacin, y slidos en suspensin de los residuos de las pelculas y partculas metlicas (procedentes de los procesos de fotolitografa, metalizacin, rectificado posterior y cortado).
Pueden ser necesarios controles de ingeniera adicionales para i) la eliminacin avanzada de metales mediante filtracin con membranas u otras tecnologas de tratamiento fsico/qumico, ii) eliminacin de materias orgnicas recalcitrantes y halogenadas mediante carbn activo y oxidacin qumica avanzada, iii) reduccin de la toxicidad del efluente mediante tecnologa adecuada (como osmosis reversa, intercambio de iones, carbn activo, etc.), y iv) contencin y tratamiento de materias orgnicas voltiles procedentes de varias operaciones especficas en el sistema de tratamiento de aguas residuales. Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ocupan de la gestin de las aguas residuales industriales y presentan ejemplos de estrategias de tratamiento. Las instalaciones industriales deben cumplir los valores orientativos para el vertido de aguas residuales, mediante el uso de estas tecnologas y las buenas prcticas para la gestin de aguas residuales, como se indica en el cuadro relevante de la seccin 2 de este documento.
Tratamiento de aguas residuales del proceso industrial

Dado que en las operaciones de fabricacin de semiconductores y componentes electrnicos se utilizan una gran variedad de materias primas, sustancias qumicas y procesos, el tratamiento de las aguas residuales puede exigir el uso de operaciones especficas para el proceso de fabricacin y el contaminante en cuestin. Las tcnicas para el tratamiento de las aguas residuales del proceso industrial en este sector incluyen i) segregacin de fuentes y tratamiento previo de las corrientes de aguas residuales con altas concentraciones de compuestos no biodegradables mediante la separacin por fases con recuperacin de solventes, eliminacin por aire, oxidacin qumica, procesos de absorcin, etc. ii) reduccin de metales pesados mediante precipitacin qumica, coagulacin y floculacin, recuperacin electroqumica, intercambio de iones, etc. iii) oxidacin qumica de cianuros; y iv) desecado y desecho de residuos en vertederos designados para residuos peligrosos. 30 DE ABRIL 30 DE 2007
Otras corrientes de aguas residuales y consumo de agua

Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad ofrecen orientacin sobre la gestin de aguas residuales no contaminadas de los servicios, aguas pluviales no contaminadas y aguas de alcantarillado. Las corrientes contaminadas deben canalizarse al sistema de tratamiento de las aguas residuales de los procesos industriales. En las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ofrecen recomendaciones para reducir el consumo de agua, especialmente cuando pueda tratarse de un recurso natural limitado.
Fabricacin de circuitos impresos (PCB)

Se han desarrollado varias medidas para la prevencin de la contaminacin en el proceso de fabricacin de PCB, descrito en el Anexo A. Estos son algunos ejemplos de modificaciones de los procesos beneficiosas para el medio ambiente:
1.2
Higiene y seguridad ocupacional
Los peligros para la higiene y la seguridad ocupacional en los proyectos de fabricacin de semiconductores y otros componentes electrnicos incluyen principalmente lo siguiente: Exposicin a los materiales emitidos por los sustratos durante el manejo o la manipulacin mecnica; Exposicin a sustancias qumicas peligrosas, lo que incluye polvos metlicos; Riesgos de origen fsico y exposicin a peligros energticos hidrulicos); Exposicin a radiaciones ionizantes y no ionizantes y lser. (cinticos, elctricos, neumticos e
Fabricacin de placas: tecnologa de montaje superficial (SMT) en lugar de insercin en orificios, sustrato moldeado de inyeccin, grabado aditivo;
Limpieza y preparacin de la superficie: uso de limpiadores no quelantes, prolongacin de la vida del bao, mejora de la eficiencia del enjuague, limpieza contracorriente, y reciclaje/reutilizacin de aguas de lavado y enjuague;
Impresin de patrones y mscaras: fotoresistores procesables con agua, serigrafa en lugar de fotolitografa, impresin con chorro de tinta, fotoresistor seco, reciclaje/reutilizacin de reveladores de fotoresistores, segregacin de flujos y recuperacin de metales;
Sustratos
Aunque los sustratos de los semiconductores de silicio (dixido de silicio) no son txicos, el polvo producido en su fabricacin y uso puede ser peligroso. No obstante, los sustratos de GaAs y fosfato de indio (InP) plantean un mayor riesgo fsico y para la salud. La va de exposicin ms habitual al GaAs y el InP es la inhalacin de partculas. Dada la alta toxicidad del arsnico y el indio, el nivel de exposicin a estos componentes en el trabajo es bajo. El InP es inflamable y puede reaccionar con el vapor de agua y los cidos para formar fosfamina, un gas txico e inflamable. El GaAs es peligroso cuando se rebaja, corta o pule. La prevencin y el control de estos riesgos conllevan la adopcin de controles de ingeniera y administracin para proteger a los trabajadores. Normalmente se adoptan las siguientes precauciones en el uso: Uso de extraccin local para el rebajado o lapeado hmedo. Estas operaciones deben realizarse en condiciones de humedad y los residuos deben enjuagarse cuidadosamente. Debe evitarse el rebajado o lapeado en seco del GaAs; 9
Galvanoplastia y revestimiento sin electricidad: sustituir por la produccin mecnica de placas, baos sin cianuro, prolongacin de la vida del bao, mejora de la eficiencia del enjuague, limpieza contracorriente, segregacin de corrientes, y reciclaje/reutilizacin de aguas de lavado y enjuague.
Grabado: uso de grabado diferencial, decapantes no quelantes y sin cromo, grabado con mscara en lugar de panel, proceso aditivo en lugar de sustractivo, y reciclaje/reutilizacin de decapantes;
La recuperacin de metales mediante tecnologas de electrodeposicin regenerativa e intercambio de iones produce una descarga casi nula de efluentes de las corrientes segregadas portadoras de metales. Los metales pesados se recuperan en capas de metal, que eliminan el 95% del sedimento. Los lodos no tratados para la recuperacin de metales deben desecharse en vertederos seguros.
Se debe utilizar extraccin y ventilacin en todos los procesos con estos sustratos, incluidas las operaciones de corte, rebajado, pulido o grabado;
semiconductores, instalacin de sistemas integrados de alarma con fijacin de detectores de gases y alarmas en los niveles de seguridad establecidos por la ley o la industria; Uso de sistemas aislados y automatizados de fabricacin para prevenir la exposicin de los trabajadores cuando no sea posible la sustitucin qumica en la industria de semiconductores y de PCBA; Uso de controles de ingeniera como extraccin de polvo y vapor e instalacin de sistemas de ventilacin para eliminar las materias suspendidas en el aire del rea de trabajo, tanto en la industria de semiconductores como de PCBA.
Se debe limpiar peridicamente la ropa de trabajo para prevenir la contaminacin y se deben promover buenas prcticas de higiene;
Se debe evitar el calentamiento excesivo, y se debe tener especial precaucin de que los fuertes reductores cidos no produzcan arsina o fosfina altamente txicas;
La materia prima de la arsina y la fosfina debe guardarse en contenedores con presin reducida.
Sustancias qumicas peligrosas

El proceso de fabricacin de semiconductores y componentes electrnicos puede conllevar el uso de numerosas sustancias qumicas potencialmente peligrosas 8 . Tambin puede haber presencia de polvos metlicos en la fabricacin de componentes pasivos y dispositivos magnticos. Se deben desarrollar y aplicar programas de proteccin qumica para materiales especficos, como se describe en detalle en las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad. Los trabajadores deben estar protegidos de la exposicin a sustancias qumicas derivadas del proceso como: cidos, bsicos, solventes, polvos y sedimentos metlicos, adems de gases txicos, criognicos y pirofricos. Otras recomendaciones especficas para el sector incluyen: Sustitucin de materias peligrosas, como teres de glicol a base de etileno, por compuestos menos peligrosos en la fabricacin de semiconductores; Si se emplean silano (SiH4) u otros gases potencialmente peligrosos (por ej., HF, H2) en la fabricacin de
8 Una lista de ejemplos incluira: acetona, cido clorhdrico, cido fluorhdrico, cido fosfrico, cido sulfrico, amonaco, arsnico de galio, arsina, dixido de cloro, diclorosilano, disilano, fluorina, fosfina, germanio, hidrxido de amonio, xido de nitrgeno, ozono, oxicloruro de fsforo, silano, tetrafluoruro de metano, triclorosilano, trifluoruro de boro, trifluoruro de cloro, trimetilarsnico, trimetilindio.
Riesgos de origen fsico y energtico

Los riesgos de origen fsico que pueden ocurrir en la fabricacin de semiconductores y componentes electrnicos incluyen el movimiento de objetos pesadospor ejemplo, transporte de grandes obleas (especialmente para las obleas de 300 mm) y productos finales empacados, o el trabajo cerca de equipo automatizado. En las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se presentan recomendaciones generales para la prevencin y el manejo de riesgos de origen fsico y energtico (incluidos los cinticos, elctricos, neumticos e hidrulicos) en el lugar de trabajo.
Radiacin ionizante y no ionizante y lser

El proceso de fabricacin puede incluir fuentes de radiacin ionizante como rayos X, rayos gamma y partculas alfa y beta, cuyas caractersticas son onda corta y elevada energa. Los tipos posibles de radiacin no ionizante en el proceso de fabricacin pueden incluir radiofrecuencias (usadas para la produccin de plasma), rayos UV, infrarrojos o espectro visible. Algunos tipos de calentadores, equipo de pruebas o antenas de alta potencia pueden producir radiacin no ionizante.
10
El lser se clasifica en funcin del dao que pueda provocar a los ojos o la piel. Si se dirige o refleja contra un objeto, el lser puede ser absorbido parcialmente, provocando un aumento de la temperatura y una alteracin del material expuesto. La exposicin a las fuentes de radiacin debe prevenirse mediante el uso de cierres protectores y bloqueos de corriente para el equipo generador, y la formacin de los trabajadores sobre la importancia y el mantenimiento de estos cierres y bloqueos. En las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad se ofrece informacin adicional sobre la exposicin a la radiacin.
buena prctica internacional en la industria, de acuerdo con las normas relevantes de los pases con marcos regulatorios establecidos. Estos valores son posibles con condiciones normales de funcionamiento en instalaciones adecuadamente diseadas y operadas, mediante la aplicacin de las tcnicas de prevencin y control de la contaminacin que se explican en las secciones anteriores de este documento. Estos niveles pueden lograrse, sin dilucin, al menos el 95 por ciento del tiempo de operacin de la planta o la unidad. La desviacin de estos niveles en funcin de condiciones especficas y locales del proyecto deben justificarse en la evaluacin ambiental. Las guas sobre efluentes son aplicables a los vertidos directos
Se deben instalar controles de ingeniera, como el resguardo con bloqueos, los filtros de proteccin y los bloqueos de corriente en el sistema, para prevenir los riesgos derivados del uso de lser.
de efluentes tratados a las aguas superficiales para uso general. Se pueden establecer niveles especficos de vertido para cada lugar en funcin de la disponibilidad y las condiciones de uso de los sistemas de recoleccin y tratamiento del alcantarillado pblico o, si el vertido se realiza directamente a las aguas superficiales, en funcin de la clasificacin del uso del agua receptora, tal como se describe en las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad. Las guas sobre emisiones son aplicables a las emisiones de los procesos industriales. Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad ofrecen directrices sobre las emisiones de fuentes de combustin en las actividades de calentamiento o generacin de energa, en las que las fuentes de calor tienen una capacidad mxima de 50MWth. Las Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad para Centrales Trmicas se ocupan de las emisiones de fuentes ms potentes. Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad ofrecen orientaciones sobre las consideraciones ambientales basadas en la carga total de emisiones.
1.3
Higiene y comunidad
seguridad
en
la
Las consecuencias que la construccin y el desmantelamiento de las instalaciones de fabricacin de semiconductores y componentes electrnicos pueden acarrear para la higiene y seguridad en la comunidad son comunes a la mayora de los establecimientos industriales, y se explican en las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad.
2.0
2.1
Indicadores y seguimiento del desempeo

Medio ambiente
Guas sobre emisiones y efluentes

En los cuadros 1 y 2 se presentan las guas sobre efluentes y emisiones para este sector. Los valores orientativos para las emisiones y los efluentes del proceso industrial indican una 30 DE ABRIL 30 DE 2007 11
Cuadro 1. Niveles de efluentes

Contaminantes pH DQO DBO5 Slidos totales suspensin Aceite y grasa Azufre total Fluoruro Amonaco Cianuro (total) Cianuro (libre) AOX (halgenos orgnicos absorbibles) Arsnico Cromo (hexavalente) Cromo (total) Cadmio Cobre Plomo Mercurio Nquel Estao Plata Selenio Zinc Aumento de la temperatura
a
Unidades
mg/L mg/L
Valor referencia
69 160 50 50 10 2 5 10 1 0,1 0,5 0,1 0,1 0,5 0,1 0,5 0,1 0,01 0,5 2 0,1 1 2 <3a
de
Cuadro 2. Niveles de emisiones al airec

Contaminantes COVa HAP orgnicosb HAP inrganicosb Cloruro de hidrgeno Fluoruro hidrgeno Fosfina Arsina y compuestos de As Amonaco Acetona de Unidades
mg/Nm3 Ppmv Ppmv mg/Nm3 mg/Nm3 mg/Nm3 mg/Nm3 mg/Nm3 mg/Nm3
Valor de referencia
20 20 0,42 10 5 0,5 0,5 30 150
en
mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L mg/L C
NOTAS: a Aplicable a los procesos de limpieza de superficies. b Los contaminantes peligrosos para la atmsfera (HAP) especficos de la industria incluyen: compuestos de antimonio, compuestos de arsnico, arsina, tetracloruro de carbono, catechol, cloro, compuestos de cromo, etilacrilato, etilbenzeno, etileno glicol, cido clorhdrico, cido fluorhdrico, compuestos de plomo, metanol, metilisobutil cetona, cloruro de metileno, compuestos de nquel, percloroetileno, fosfina, azufre, tolueno, 1,1,1tricloroetano, tricloroetileno (retirado), xilenos. En la prctica actual de la industria no se emplean etilbenzeno, tolueno, xileno, cloruro de metileno, tetracloruro de carbomo, compuestos de cromo, percloroetileno, 1,1,1tricloroetano ni tricloroetileno. c Con 3 por ciento de O2.
Uso de recursos y generacin de desechos

En el cuadro 3 se ofrecen ejemplos de indicadores sobre el consumo de recursos de energa y agua, adems de la generacin de desechos en este sector. Los valores de referencia de la industria se ofrecen solamente con fines comparativos y los proyectos individuales deben tener como objetivo la mejora continua en estas reas.
Al borde de una zona de mezcla cientficamente establecida que tiene en cuenta la calidad del agua ambiente, el uso del agua receptora, los receptores potenciales y la capacidad de asimilacin.
12
Cuadro 3. Consumo de agua y energa y generacin de desechos

Insumos por producto unidad de Unidad
l/oblea de 300mm l/oblea de 200mm l/cm2 l/cm2
utilizar un equipo adecuadamente calibrado y mantenido. Los datos de seguimiento se analizarn y revisarn con regularidad, y se compararn con las normas vigentes para as adoptar las medidas correctivas necesarias. Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad contienen orientaciones adicionales sobre los mtodos de muestreo y anlisis de emisiones y efluentes.
Valor de referencia de la industria

42
Uso de agua Agua ultrapura para grabados hmedos Consumo de agua ultrapura Uso neto de corriente de agua Uso de agua ultrapura en fbrica Energa Total para herramientas de fbrica Total para sistemas de apoyo de fbrica
4 0008 000 810 46
2.2
Higiene y seguridad ocupacional
Guas sobre higiene y seguridad ocupacional

Para evaluar el desempeo en materia de higiene y seguridad en el trabajo deben utilizarse las guas sobre la materia que se publican en el mbito internacional, entre ellas: guas sobre la concentracin mxima admisible de exposicin profesional (TLV) y los ndices biolgicos de exposicin (BEIs) publicados por la American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH) 9 , la Gua de bolsillo sobre riesgos qumicos publicada por el Instituto Nacional de Higiene y Seguridad en el Trabajo de los Estados Unidos (NIOSH) 10 , los lmites permisibles de exposicin publicados por la Administracin de Seguridad e Higiene en el Trabajo de los Estados Unidos (OSHA) 11 , los valores lmite indicativos de exposicin profesional publicados por los Estados miembros de la Unin Europea 12 u otras fuentes similares.
kWh/cm2 oblea
de
0.30.4 0.50.6
Generacin por unidad de producto Desechosa Reciclaje y reutilizacin de residuos lquidos peligrosos Reciclaje y reutilizacin de residuos slidos
Unidad
% %
Valor de referencia de la industria

80 85
NOTAS: a El objetivo de los fabricantes de semiconductores debe ser una planta con sin desechos. Fuente: International Technology Roadmap for Semiconductors (2005).
Seguimiento ambiental
Se llevarn a cabo programas de seguimiento ambiental para este sector en todas aquellas actividades identificadas por su potencial impacto significativo en el medio ambiente, durante las operaciones normales y en condiciones alteradas. Las actividades de seguimiento ambiental se basarn en indicadores directos e indirectos de emisiones, efluentes y uso de recursos aplicables al proyecto concreto. La frecuencia del seguimiento debera permitir obtener datos representativos sobre los parmetros objeto del seguimiento. El seguimiento deber recaer en individuos capacitados, quienes debern aplicar los procedimientos de seguimiento y registro y
Tasas de accidentes y letalidad

Deben adoptarse medidas para reducir a cero el nmero de accidentes entre los trabajadores del proyecto (ya sean empleados directos o personal subcontratado), especialmente los accidentes que pueden causar la prdida de horas de trabajo, diversos niveles de discapacidad e incluso la muerte.
9 10 11
12
Disponibles en: http://www.acgih.org/TLV/ y http://www.acgih.org/store/. Disponible en: http://www.cdc.gov/niosh/npg/. Disponibles en: http://www.osha.gov/pls/oshaweb/owadisp.show_document? p_table=STANDARDS&p_id=9992. Disponibles en: http://europe.osha.eu.int/good_practice/risks/ds/oel/.
13
Como punto de referencia para evaluar las tasas del proyecto puede utilizarse el desempeo de instalaciones en este sector en pases desarrollados, que se obtiene consultando las fuentes publicadas (por ejemplo, a travs de la Oficina de Estadsticas Laborales de los Estados Unidos y el Comit Ejecutivo de Salud y Seguridad del Reino Unido) 13 .
Seguimiento de la higiene y la seguridad en el trabajo

Es preciso realizar un seguimiento de los riesgos que pueden correr los trabajadores en el entorno laboral del proyecto concreto. Las actividades de seguimiento deben ser diseadas y realizadas por profesionales acreditados 14 como parte de un programa de seguimiento de la higiene y la seguridad en el trabajo. En las instalaciones, adems, debe llevarse un registro de los accidentes y enfermedades laborales, as como de los sucesos y accidentes peligrosos. Las Guas generales sobre medio ambiente, salud y seguridad contienen orientaciones adicionales sobre los programas de seguimiento de la higiene y la seguridad en el trabajo.
13
14
Disponibles en: http://www.bls.gov/iif/ y http://www.hse.gov.uk/statistics/ index.htm. Los profesionales acreditados pueden incluir a higienistas industriales certificados, higienistas ocupacionales diplomados o profesionales de la seguridad certificados o su equivalente.
14
3.0
Referencias
fuentes
adicionales
Australian National Pollutant Inventory. 1999. Emission Estimation Technique Manual for the Electronics and Computer Industry. Queensland, Australia. Comisin Europea. 2005. Documento de referencia sobre las mejores tcnicas disponibles para el tratamiento de superficies metlicas y plsticas. Sevilla, Espaa. Eastern Research Group. 1999. Preferred and Alternative Methods for Estimating Air Emissions from Semiconductors Manufacturing. Prepared for US EPA, Point Sources Committee. Morrisville, Carolina del Norte. Geng, Hwaiyu. 2005. Semiconductor Manufacturing Handbook. McGraw-Hill. New York, New York. Gobierno Federal Alemn. 2002. Primer reglamento administrativo general relativo a la Ley Federal de Control de Emisiones (Instrucciones tcnicas sobre el control de la calidad del aire TA Luft). Berln, Alemania. Grupo Intergubernamental de Expertos sobre el Cambio Climtico (IPCC). 2000. Orientacin del IPCC sobre las buenas prcticas y la gestin de la incertidumbre en los inventarios nacionales de gases de efecto invernadero. Disponible en http://www.ipccnggip.iges.or.jp/public/gp/spanish/gpgaum_es.html (consultado en junio de 2006). Ministerio de Medioambiente de Alemania, Conservacin de la Naturaleza y Seguridad Nuclear. 2004. Promulgacin de una nueva versin de la orden sobre requisitos para el vertido de aguas residuales en el agua - AbwV) del 17 de junio de 2004. Berln, Alemania. Harper, C.A. 1997. Passive Electronic Component Handbook. McGraw-Hill. Nueva York, Nueva York. Helsinki Commission (Helcom). 2002. Reduction of Discharges and Emissions from the Metal Surface Treatment. Recommendation 23/7. Helsinki, Finlandia. Intel. 2004. Environmental, Health and Safety Report. Available at http://www.intel.com/intel/other/ehs/ (consultado en marzo de 2006). International Technology Roadmap for Semiconductors. 2005. Environmental, Safety and Health. Disponible en http://public.itrs.net/ (consultado en marzo de 2006). Ireland Environmental Protection Agency. 1996. Integrated Pollution Control Licensing. Batneec Guidance Note for the Manufacture of Integrated Circuits and Printed Circuit Boards. Ardcavan, Irlanda. McLyman, Colonel Wm. T. 2002. High Reliability Magnetic Devices: Design and Fabrication. CRC Edition. Londres, Reino Unido. New York State Department of Environmental Conservation, Pollution Prevention Unit. 1999. Environmental Compliance and Pollution Prevention Guide for the Electronics and Computer Industry. Nueva York, Nueva York. Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI). Guideline F5-90. Guide for Gaseous Exhaust Emissions. Disponible en http://wps2a.semi.org/wps/portal/_pagr/118/_pa.118/190 (consultado en marzo de 2006).
Semiconductor Industry Association. 2000. Occupational Health System 2000 Annual Survey of Work Injuries and Illnesses. San Jos, California. Unin Europea. 2003a. Directiva 2002/95/EC sobre restricciones a la utilizacin de determinadas sustancias peligrosas en aparatos elctricos y electrnicos. Bruselas, Blgica. Unin Europea. 2003b. Directiva 2002/96/EC sobre residuos de aparatos elctricos y electrnicos (RAEE). Bruselas, Blgica. US Environmental Protection Agency (EPA). 1995. Electronic and Computer Industry, Sector Notebook Project. Washington, DC. US EPA. 1998. Reduction of Arsenic Wastes in the Semiconductor Industry. EPA/600/R-02/089. Washington, DC. US EPA. 2001. Proposed Air Toxics Rule for Semiconductor Manufacturing. Fact Sheet. Washington, DC. US EPA. 2002. 40 CFR Part 63 National Emission Standards for Hazardous Air Pollutants for Semiconductor Manufacturing. Washington, DC. US EPA. Design of the Environment. Printed Wiring Board. Section A, Clean Air Act Requirements. Washington, DC. Disponible en http://www.epa.gov/oppt/dfe/pubs/index.htm#pwb (consultado en marzo de 2006) US EPA. 40 CFR Part 413. Electroplating Point Source Category. Washington, DC. US EPA. 40 CFR Part 433. Metal Finishing Point Source Category. Washington, DC. US EPA. 40 CFR Part 469. Electrical and Electronic Components Point Source Category. Washington, DC. World Semiconductor Council (WCS). 1999. Position Paper Regarding PFC Emissions Reduction Goal, 26 de abril de 1999. Fiuggi, Italia. World Semiconductor Council (WSC). 2005. Joint Statement on the Ninth Meeting. 19 de mayo de 2005, Kyoto, Japn. WSC y SEMI. 2006. Agreement for PFOS. Voluntary Semiconductor Industry Commitment. Disponible en http://www.sia-online.org/pre_stat.cfm?ID=294 (consultado en abril de 2007)
15
Anexo A: Descripcin general de las actividades de la industria

La industria de la electrnica incluye la fabricacin de semiconductores, circuitos impresos (PCB, por sus siglas en ingls), circuitos impresos ensamblados (PCBA, por sus siglas en ingls), pantallas, componentes pasivos y dispositivos magnticos. La fabricacin de semiconductores incluye dos series bsicas de operaciones: fabricacin de obleas y ensamblaje, empaquetado y pruebas (APT, por sus siglas en ingls), que consiste en el ensamblaje de las obleas para formar circuitos integrados. En la grfica A.1 (ltima pgina) se resumen los principales pasos en la fabricacin de semiconductores, subrayando la utilizacin de sustancias qumicas y otros fluidos, y los puntos de emisiones y generacin de efluentes y desechos. La fabricacin de obleas de semiconductores necesita una estructura uniforme y cristalina de silicio con mltiples capas (oblea de silicio), que se obtiene mediante tcnicas controladas, como la deposicin qumica en fase de vapor (CVD, por sus siglas en ingls) o el crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE, por sus siglas en ingls). Seguidamente, se forma una capa fina de dixido de silicio, que asla y protege el silicio, sobre la oblea mediante un tratamiento de calor en un horno de alta temperatura (900C a 1.200C). Despus se aplica una capa uniforme y fina de resina sensible a la radiacin, denominado fotoresistor (positivo o negativo), y se expone a la luz ultravioleta o los rayos X a travs de mscaras de cristal o una plantilla creada previamente con el patrn del circuito. El proceso de fabricacin conlleva cientos de operaciones que se realizan capa a capa sobre un material slido cristalino, principalmente silicio, y ms recientemente carburo de silicio (SiC). El arseniuro de galio (GaAs) se emplea para muchas aplicaciones militares y comerciales como los lseres, los diodos emisores de luz (LED, por siglas en ingls), y dispositivos de comunicacin (por ejemplo, los telfonos El fotoresistor positivo se vuelve soluble en las zonas expuestas y se puede eliminar mediante reveladores qumicos, revelando el dibujo hecho con la mscara sobre el dixido de silicio (desarrollo). El dixido de silicio se elimina mediante aguafuerte o grabado en seco: para el primer tratamiento se emplean soluciones cidas, bsicas o custicas; el segundo, tambin denominado grabado con plasma, emplea gas reactivo ionizado 30 DE ABRIL 30 DE 2007 16 celulares tienen osciladores microondas compuestos de chips de GaAs).
Fabricacin de semiconductores
En la fabricacin de semiconductores se utiliza silicio, carburo de silicio (SiC), arseniuro de galio (GaAs), metales, sustancias qumicas, agua y energa. La pureza de todos los materiales tiene que ser muy alta, por lo que son esenciales los sistemas de gases especiales, los sistemas automatizados de manejo de sustancias qumicas y los sistemas de aire limpio y seco en las salas blancas, especialmente en la fotolitografa. Tambin es necesario un sistema de destilacin del agua porque la fabricacin de semiconductores requiere una gran cantidad de agua destilada, especialmente en los procesos de limpieza en hmedo, pero tambin en el aguafuerte, los procesos con solventes y los procesos de limpieza de herramientas. Muchas nuevas fbricas estn reduciendo el consumo de agua mediante el reciclaje de una parte importante de las aguas residuales procedentes de los procesos de enjuague. Este proceso no contribuye significativamente a la contaminacin del agua. Dado que los circuitos integrados son cada vez ms pequeos, el control de la vibracin y el diseo de los cimientos del centro de trabajo han cobrado ms importancia.
y ofrece mayor resolucin y menos desechos. El exceso de resina fotoresistente se elimina finalmente con solventes o plasma. Al repetir los pasos (hasta 25 o 30 veces) desde la oxidacin del silicio hasta la eliminacin del fotoresistor y el uso de diferentes mscaras, se forman diferentes regiones en las capas que quedan aisladas unas de otras. Este proceso se denomina fotolitografa o microlitografa. El uso del grabado con plasma del nitruro de silicio, un proceso en seco, en la tecnologa de estructura MOS (Metal Oxide Semiconductor), permite reemplazar el proceso hmedo en caliente de corrosin mediante cido fosfrico (H3PO4), y disminuir los residuos generados y mejorar la seguridad de los trabajadores, a la vez que se reduce el nmero de pasos en la fabricacin. Para cambiar la conductividad de las regiones del silicio, se introducen dopantes mediante difusin o implantacin de iones. La difusin puede ser gaseosa o no gaseosa, y se realiza a altas temperaturas. La implantacin de iones consiste en un bombardeo acelerado de iones sobre las reas expuestas del silicio. La interconexin selectiva de diferentes regiones y capas de la oblea se obtiene mediante la metalizacin: se deposita un material dielctrico damasquinado y se rellena el patrn con aleaciones de aluminio en vaco o cobre mediante galvanoplastia o deposicin electroqumica (ECD, por sus siglas en ingls). El exceso de cobre se elimina a travs de un pulido o aplanado qumico mecnico (CMP, por sus siglas en ingls). Otras tcnicas de metalizacin incluyen la deposicin fsica en fase de vapor (PVD, por sus siglas en ingls) y la deposicin de capas atmicas (ALD, por sus siglas en ingls). Finalmente, se aplica una capa de xido o poliamida a la superficie de la oblea mediante pasivado para ofrecer un sello protector al circuito. En las nuevas aplicaciones se necesitan semiconductores muy finos; por lo tanto, se reduce el grosor de la oblea mediante el rebajado posterior o distensin. Cada oblea acabada puede 30 DE ABRIL 30 DE 2007
contener cientos de chips que se prueban elctricamente (miden) antes de cortarlos en chips individuales con una cuchilla diamantada ultrafina (corte) y marcarlos. Una vez probado, cada chip se monta en un marco metlico o cermico, conectado con finos hilos dorados y encapsulado para su soporte mecnico y proteccin contra el ambiente externo. El paquete final puede contener uno o varios chips encapsulados.
Nanotecnologa microelectromecnicos
sistemas
La nanotecnologa consiste en la creacin de estructuras funcionales a escala atmica o molecular, en las que al menos una dimensin caracterstica se mide en nanmetros. La evaporacin de algunos polvos de xido metlico (ZnO, Ga2O3, SnO2, etc.) a altas temperaturas permite la sntesis de nanocinturones y nanocables de los mismos xidos metlicos. Los semiconductores resultantes suelen usarse como sensores, transductores o en otras aplicaciones para dispositivos electrnicos u optoelectrnicos. Los sistemas microelectromecnicos (MEM) estn compuestos esencialmente de microtransductores (por ejemplo, microsensores de temperatura, presin, sustancias qumicas o radiacin). Sus tcnicas de fabricacin son similares a las que se emplean para los chips. Los materiales utilizados para la produccin de MEM son diversos y tienen propiedades elctricas especficas, pero tambin tienen caractersticas mecnicas y trmicas o qumicas especiales. El silicio es el material que se emplea con ms frecuencia. La tecnologa ms habitual para la produccin de dispositivos MEM consiste en la deposicin y el grabado de una capa de xido de silicio, seguidos de la deposicin y el grabado de una capa de polisilicio y la eliminacin de la capa oxidada, lo que permite que la capa de polisilicio sirva de mnsula, que se suele realizar con compuestos de cido fluorhdrico.
17
Los procesos de corte y separacin son fundamentales, dado que las partes mviles del dispositivo MEM son frgiles. Las pruebas son especficas para la aplicacin, y el ensamblaje de dispositivos MEM suele exigir mucho esfuerzo debido a su fragilidad. El empaquetado tambin es especfico para la aplicacin, pero el objetivo siempre es proteger el grabado de los efectos ambientales, sin impedir su sensibilidad a parmetros ambientales esenciales para su funcionamiento adecuado (por ejemplo, aplicacin para un sensor de presin en airbags-bolsas de aire). Los dispositivos MEM se utilizan en muchos sectores industriales, entre ellos los sectores del automvil, control industrial, equipo de oficina, aeroespacial, mdico y comunicaciones.
Fabricacin de circuitos impresos ensamblados

Los PCB estn esencialmente formados por una base, compuesta por resina de epoxi prensada, Teflon, fibra de vidrio o cermica sobre la que se montan los semiconductores (silicio, carburo de silicio o GaAs) y los componentes pasivos. Se conectan o sueldan los componentes elctricos especficos sobre el PCB. Normalmente se utiliza un flujo qumico para limpiar la placa y facilitar la soldadura posterior de conexiones. La soldadura se puede realizar mediante diferentes tcnicas, como la soldadura de ola, la tecnologa de montaje superficial (SMT, por sus siglas en ingls) y la soldadura a mano. En el proceso de ensamblaje de PCB, existen alternativas que no agotan la capa de ozono para la limpieza del circuito impreso como, por ejemplo, otros solventes orgnicos, mezclas de hidrocarburos/tensoactivos, alcoholes y combinaciones de solventes orgnicos), y procesos acuosos o semiacuosos. En la actualidad, el residuo del flujo se elimina con agua destilada; anteriormente se usaban fren 113 (CFC-113) y tricloroetanol (TCA), que ahora estn prohibidos. La industria ha demostrado que se pueden realizar incluso ensamblajes sofisticados sin limpieza y usando flujos con escaso residuo, que dejan muy pocos contaminantes en las placas.
Fabricacin de circuitos impresos (PCB)

La fabricacin de PCB conlleva el grabado y el revestimiento de circuitos sobre materiales base, que suelen colocarse en capas. Los PCB pueden tener una cara, dos caras o varias caras y flexibles. Se pueden usar tecnologas aditivas, semiaditivas o sustractivas, aunque la tecnologa sustractiva es la ms empleada. La preparacin de la placa consiste en la limpieza, laminacin y perforacin; es necesaria una limpieza qumica y mecnica antes del revestimiento anaeletroltico. La fase de impresin permite la transferencia de la forma del circuito a la placa mediante fotolitografa o serigrafa; a continuacin se usa la galvanoplastia (normalmente con cobre) para engrosar las capas conductivas y protegerlas de la corrosin o la erosin. En el caso del revestimiento por soldadura (o aplicacin de capas de soldadura por aire caliente), el PCB se sumerge en una soldadura fundida, normalmente una aleacin fusible (por ejemplo, aleaciones de estao sin plomo). El exceso de soldadura se elimina con el nivelado con aire caliente. Las fases finales de la fabricacin de PCB consisten en pruebas elctricas, inspecciones dimensionales y visuales, empaquetado y etiquetado.
Fabricacin de pantallas
Las pantallas planas se dividen entre pantallas de retroproyeccin y de visin directa, que se subdividen a su vez en emisivas y no emisivas. La pantalla plana ms conocida es la pantalla de cristal lquido (LCD, por sus siglas en ingls), en la que un campo elctrico controla la disposicin del cristal lquido (LC, por sus siglas en ingls). Lo que se ve depende de la organizacin molecular del LC. Hay un filtro de color y un transistor de pelcula fina (TFT, por sus siglas en ingls) que estn alineados, pegados y separados por un espacio; se inyecta el LC y se forma el sellado final. Finalmente, se ensamblan el polarizador, el encapsulado en cinta, la retroiluminacin y el chasis.
18
Las pantallas de diodos orgnicos de emisin de luz (OLED, por sus siglas en ingls) tienen una estructura simple en estado slido, ya no tienen vaco, lquido ni gas en el interior. Los OLED emplean molculas de material luminoso que se depositan por evaporacin al vaco. Los polmeros de LED (PLED) utilizan polmeros de materiales luminosos que se depositan normalmente mediante impresin con tinta o cobertura por centrifugado (spin coating). Se agrega un TFT para mejorar su rendimiento. Los OLED tienen ventajas como un proceso simple de produccin, elevada eficiencia ptica y una fuente de alimentacin de bajo voltaje, pero tienen un corto perodo de vida.
Fabricacin de dispositivos magnticos

Los procesos de fabricacin de dispositivos magnticos se basan en la combinacin de polvos magnticos (hierro o elementos raros) para obtener pelculas o cintas magnticas para almacenamiento en la industria informtica, y cermica o metales sinterizados con mayores propiedades magnticas, que se emplean en la fabricacin de pequeos transformadores de impulsos o imanes especiales superpotentes para la industria automovilstica o para los equipos de resonancia magntica.
Fabricacin de componentes pasivos

La principal tecnologa empleada para la fabricacin de componentes pasivos es el prensado y/o la sinterizacin de polvosalmina (Al2O3), nitrato de aluminio (NIA), etc.para obtener cermicas con propiedades aislantes, conductivas y piezoelctricas. Los productos ms habituales son los sustratos de cermica aislantes (Al2O3, NIA) para los microcircuitos integrados. En el caso de los sustratos de gran potencia, se utilizan combinaciones de aluminio o estao y carburo de silicio (AlSiC o CuSiC) para mejorar la conductividad trmica, en comparacin con la habitual Al2O3 . Se producen resistencias de cualquier dimensin y resistencia elctrica (ohmios) mediante la combinacin de aditivos con carbono o silicio. Las caractersticas piezoelctricas se utilizan principalmente en todo lo relacionado con sensores de presin (automviles), sensores de tensin, y limpiadores ultrasnicos, o para la emisin de ultrasonidos para las ecografas. Los compuestos cermicos especiales de xido de zinc (ZnO) se utilizan para los limitadores de picos de voltaje (varistores).
19
Grfico A.1: Visin esquemtica del proceso de fabricacin de semiconductoresr

Deposicin de compuesto de silicio OBLEA DE SILICIO
Aplicacin de fotoresistor 2-20 / 30 VECES
Exposicin a la luz UV
Reveladores qumicos
Revelacin
Residuos lquidos
Gas reactivo ionizado cido/bsico (soda custica)
Grabado
(reduccin de residuos) desechos cidos alcalinos
Agua desionizada
Enjuague con agua desionizada
Aguas residuales
Gas POCI3 AsH3
Dopaje Difusin Implantacin de iones Escape
Solvente cido
Enjuague con cido/solvente*
Desecho de cido solvente
Material dielctrico Cobre (Cu)

* Paso intermedio que puede realizarse durante diferentes fases del proceso.
Deposicin de metal
Pasivado
Cortado en chips
Polvo de silicio
(Para nuevas aplicaciones) Rebajado posterior
Pruebas, marcado
SEMICONDUCTOR ACABADO
Ensamblaje
Fuene: Adaptado de Australian National Pollutant Inventory (1999)
20
21

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Guas sobre medio ambiente, salud y seguridad FABRICACIN DE SEMICONDUCTORES Y OTROS COMPONENTES ELECTRNICOS

GRUPO DEL BANCO MUNDIAL

Manejo e impactos especficos de la industria

Materiales peligrosos y residuos

2 Se debe restringir o eliminar progresivamente el uso de plomo, mercurio,

Se deben emplear bandejas de contencin de las fugas.

Compuestos de perfluorocarbono y otros gases de efecto invernadero

5 La Agencia de Proteccin Ambiental de Estados Unidos ha identificado unos

Compuestos orgnicos voltiles

Aguas residuales Aguas residuales de procesos industriales

Tratamiento de aguas residuales del proceso industrial

Otras corrientes de aguas residuales y consumo de agua

Fabricacin de circuitos impresos (PCB)

Higiene y seguridad ocupacional

Sustancias qumicas peligrosas

Riesgos de origen fsico y energtico

Radiacin ionizante y no ionizante y lser

Indicadores y seguimiento del desempeo

Guas sobre emisiones y efluentes

Cuadro 1. Niveles de efluentes

Cuadro 2. Niveles de emisiones al airec

Uso de recursos y generacin de desechos

Cuadro 3. Consumo de agua y energa y generacin de desechos

Valor de referencia de la industria

4 0008 000 810 46

Higiene y seguridad ocupacional

Guas sobre higiene y seguridad ocupacional

Valor de referencia de la industria

Tasas de accidentes y letalidad

Seguimiento de la higiene y la seguridad en el trabajo

Anexo A: Descripcin general de las actividades de la industria

Fabricacin de circuitos impresos ensamblados

Fabricacin de circuitos impresos (PCB)

Fabricacin de dispositivos magnticos

Fabricacin de componentes pasivos

Grfico A.1: Visin esquemtica del proceso de fabricacin de semiconductoresr

Aplicacin de fotoresistor 2-20 / 30 VECES

Gas reactivo ionizado cido/bsico (soda custica)

(reduccin de residuos) desechos cidos alcalinos

Enjuague con agua desionizada

Gas POCI3 AsH3

Dopaje Difusin Implantacin de iones Escape

Enjuague con cido/solvente*

Desecho de cido solvente

Material dielctrico Cobre (Cu)

(Para nuevas aplicaciones) Rebajado posterior

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