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e E
Circuitos trifsicos
En un circuito monosico, como el que se muestra en la figura A.la, la corriente se expresa como sigue:
V L!!:.
/0. - e
Z
1= R donde Z
+ jX =
(A.1)
P = VI cos
(A.2)
donde cos e se llama factor de potencia, y e, que es el ngulo de la impedancia de carga, se conoce como ngulo del factor de potencia. Se muestra en la figura A.1 b. Un circuito trifsico consiste en tres voltajes sinusoidales de magnitudes iguales, y los ngulos de fase entre los voltajes individuales son 120. Una carga conectada en Y, y conectada a una fuente trifsica, se ve en la figura A.2a. Si los voltajes trifsicos son
Va
Vb
VpLQ
-120
= Vp /
Ve =
v, / -240
L
Vab = Va - Vb Vbe = Vb
-
= = =
Ve
Vea = Ve - Va
As, un voltaje VL de lnea a lnea es por un voltaje de fase, Vp' Las tres corrientes de lnea, que son iguales a las corrientes de fase, son 835
V3
836
Apndice A
Circuitos trifsicos
+
R
y y
Y<a
o k::..- __
a
--L_
FP en adelanto
Circuito monofsico.
COS
Sb
Vele cos Se
(A.3)
ao-----------~--~
+
Z =R
+ jX
I I
=Z~
-Yb
I
.(------I I I I I
Vab
I
vsv,
n
I
I I
Ya
+
e
+
(b) Diagrama fasorial
Apndice A
Circuitos trifsicos
837
= Z
= Z,
ea = eb = Se
= S e la = h
= le = lp
= h. La
= 3Y,Ip
=
cos
e e
= y
/:
3 -
VL
v3
h cos
VLh cos 8
(A.S)
En la figura A.3a se ve una carga conectada en delta, donde los voltajes de lnea son iguales a los voltajes de fase. Si los tres voltajes de fase son
Ve
0 Vea = VL /-240 _
= VP '/-240 _
0
Iab
= Z /8 =
a~
Va
Z~
a
VL
t; / -8a
a 0-------+------'
lea
Vab Vea
\
b Vbc
lb
+ - + e
120"" \
le
"
- Ta~ - - - - - - -
la
838
Apndice
la = le =
lb = Ibe - lab =
lea - Ibe
ea
- eb -
ee
Por consiguiente, en una carga conectada corriente de fase. La potencia de entrada a la carga es
de lnea es
v3 veces
una
(A6)
Para una alimentacin balanceada, Vab
= Vbe = Vea
en
(A.7)
Para una carga balanceada, (A7) se transforma en
Z = Zb
= Z = Z, ea
eb
(A8)
Nota: Las ecuaciones (AS) y (A8), que determinan la potencia en un circuito trifsico, son iguales. Para los mismos voltajes de fase, las corrientes de lnea, en una carga conectada en delta, son V3 veces las de una carga conectada en Y.
A P N D
Circuitos magnticos
En la figura B.1 se ve un anillo magntico. Si el campo magntico es uniforme y normal al rea que se considere, un circuito magntico se caracteriza con las siguientes ecuaciones:
<p = BA
B=
fJ-H
'!:F=NI=Ht donde
(B.4)
<p
B H
= =
=
=
fJ- = fJ-o =
u.,
f =
N = 1= l =
flujo, webers densidad de flujo, webers/m/ (o teslas) fuerza magnetizan te, amperes-vuelta/metro permeabilidad del material magntico permeabilidad del aire (= 4'lT X 10-7) permeabilidad relativa del material fuerza magnetomotriz, amperes-vuelta (At, de ampere-turn) cantidad de vueltas en el devanado corriente a travs del devanado, amperes longitud del circuito magntico, metros en (B.5)
= I
Hl
donde H Y t son la fuerza magnetizan te y la longitud de la i-sima seccin, respectivamente. La reluctancia de un circuito magntico se relaciona con la fuerza magnetomotriz flujo por
y el
(B.6)
839
840
Apndice
Circuitos magnticos
N A FIGURA B.1
@
del ncleo,
Anillo magntico.
m=_l_
fL,eoA
(B.7)
La permeabilidad depende de la curva caracterstica B-H y en el caso normal es mucho mayor que la del aire. En la figura B.2 se muestra una curva caracterstica tpica B-H, que es no lineal. Para un valor grande de I-L, r se vuelve muy pequea, y da como resultado un valor alto de flujo. En el caso normal, se introduce un entrehierro para limitar la cantidad de flujo. En la figura B.3a se ve un circuito magntico con un entrehierro, y su circuito elctrico anlogo se ve en la figura B.3b. La reluctancia del entrehierro es
(B.8)
y la reluctancia del ncleo es
(B.9)
donde lb le Ag Ae
= = = =
La reluctancia
Densidad de flujo, B
B
FIGURA B.2
Apndice B
Circuitos magnticos
841
-==::::NI
(a) Circuito magntico
FIGURA B.3
ffi.g
La inductancia
1 N2<l>
N<l> 1 N2 CfA
(B.l0) (B.ll)
NI
En la tabla B.l se presentan
TABLA B.1
Densidad de flujo para diversos materiales magnticos Densidad de flujo de saturacin* (tesla) 1.5-1.8 Fuerza coercitiva CD (amp-vuelta! cm) 0.5-0.75 Densidad del material
(glcm3**)
Nombres comerciales Magnesil Silectron Microsil Supersil Deltamax Orthonol ~9Sq. Mu AlIegheny 4750 Aleacin 48 Carpenter 49 Permalloy 4-79 Permalloy Sq. 80 Sq. Mu 79 Supermalloy
Composicin 3% Si 97% Fe
7.63
50% Ni 50% Fe 48% Ni 52% Fe 79% Ni 17% Fe 4%Mo 78% Ni 17% Fe 5%Mo
1.4-1.6
0.125-0.25
0.94-1.0
8.24
17.66
1.15-1.4
0.062-0.187
0.80-0.92
8.19
11.03
0.66-0.82
0.025-0.05
0.80-1.0
8.73
5.51
0.65-0.82
0.0037-0.01
0.40-0.70
8.76
3.75
" T = 104 gauss . l g/crrr' = 0.036 b/pulg.' Fuente: Arnold Engineering Company, Magnetics Technology Center, Marengo, IL http://www.grouparnoldicom/mtc/index.htm
842
Apndice
Circuitos magnticos
Ejemplo B.1
Los parmetros del ncleo de la figura B.3a son 19 = 1 mrn, le = 30 cm, Ag = Ae = 5 X 10-3 m2, N = 350 e 1 = 2A. Calcular la inductancia si a) f.L, = 3500 Y b) el ncleo es ideal, es decir, f.L, es muy grande y tiende a infinito.
Solucin
f.Lo
47T X 10-7 Y N a.
350.
mg =
159155
'
m =
e
13 641
'
m=
b. Si f.L, "'" 00,
13,641
172,796
3502/172,796
0.71 H.
= 0.77 H.
B.1
V m sen wt
Vm sen wt
que al integrar es
<1>
d<l> -N-
dt
(B.12)
= <l>m cos wt = --
Vm
Nw
cos wt
(B.13)
As, <l>m
=
-27T--N
Vm
Y2v,
=
-27T--N-
Vs -4.-44-"--- N-
(B.14)
El flujo pico, <1>"" depende del voltaje, la frecuencia y la cantidad de vueltas. La ecuacin (B.14) es vlida si el ncleo no est saturado. Si el flujo pico es alto, el ncleo se puede saturar y el flujo no puede ser sinusoidal. Si se mantiene constante la relacin de voltaje a frecuencia, el flujo permanece constante, siempre y cuando no cambie el nmero de vueltas. B.2 TRANSFORMADOR Si se agrega un segundo devanado, llamado devanado secundario, al ncleo de la figura B.3a, y el ncleo se excita con voltaje sinusoidal, se induce un voltaje en el devanado secundario. Esto se
Apndice
Circuitos
magnticos
843
r-----
I I-----~--I
1
r,
+
y
p
1 1
1,
Np
-11
q= 1
r+
1--------</>--------1
f-+-
ti +
+ N,
Y
FIGURA B.4
1 1 1
Ncleo de transformador.
ve en la figura BA. Si Np Y N, son las vueltas en los devanados primario y secundario, respectivamente, el voltaje en el primario, Vp y en el secundario, Vs se relacionan entre s mediante (B.15) donde a es la relacin de vueltas. En la figura B.5 se muestra el circuito equivalente de un transformador, en la que todos los parmetros estn referidos al primario. Para referir un parmetro secundario al lado primario, el parmetro se multiplica por a2. El circuito equivalente se puede referir al lado del secundario dividiendo todos los parmetros del circuito en la figura B.5 entre a2. Las reactancias de fuga de los devanados primario y secundarios son Xl y X2, respectivamente. Las resistencias de esos devanados son RI y R2, respectivamente, Xm es la reactancia magnetizante y Rm representa la prdida en el ncleo. El tamao del alambre para un rea desnuda especfica se ve en la tabla B.2. Las variaciones del flujo debido a la excitacin de ea causan dos clases de prdidas en el ncleo: 1) prdida por histresis y 2) prdida por corrientes parsitas. La prdida por histresis se expresa como sigue, en forma emprica: (B.16) donde Kh es una constante de histresis que depende del material, y Bmx es la densidad pico de flujo. La constante de Steinmetz es z , que tiene un valor de 1.6 a 2. La prdida por corrientes parsitas se expresa, en forma emprica, como (B.17)
jx,
av, = Y,'
FIGURA B.5
(XI
TABLA B.2
Tamaos
de alambre Resistencia 10-6 Sintticos rea cm210 55.9 44.5 35.64 28.36 22.95 18.37 14.73 11.68 9.326 7.539 6.065 4.837 3.857 3.135 2.514 2.002 1.603 1.313 1.0515 0.8548 0.6785 0.5596 0.4559 0.3662 0.2863
3
pesados Vueltas por: Vueltas por: cm2 in.2 10.73 13.48 16.81 21.15 26.14 32.66 40.73 51.36 64.33 79.85 98.93 124.0 155.5 191.3 238.6 299.7 374.2 456.9 570.6 701.9 884.3 1072 1316 1638 2095 69.20 89.95 108.4 136.4 168.6 210.6 262.7 331.2 414.9 515.0 638.1 799.8 1003 1234 1539 1933 2414 2947 3680 4527 5703 6914 8488 10565 13512
Dimetro Cir-Mil" cm 0.267 0.238 0.213 0.190 0.171 0.153 0.137 0.122 0.109 0.0980 0.0879 0.0785 0.0701 0.0632 0.0566 0.0505 0.0452 0.0409 0.0366 0.0330 0.0294 0.0267 0.0241 0.0216 0.0191
. 2" lU.
AWG
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
cm21O-3' 52.61 41.68 33.08 26.26 20.82 16.51 13.07 10.39 8.228 6.531 5.188 4.116 3.243 2.588 2.047 1.623 1.280 1.021 0.8046 0.6470 0.5067 0.4013 0.3242 0.2554 0.2011
Cir-Mil" 10384 8226 6529 5184 4109 3260 2581 2052 1624 1289 1024 812.3 640.1 510.8 404.0 320.4 252.8 201.6 158.8 127.7 100.0 79.21 64.00 50.41 39.69
cm a 20C 32.70 41.37 52.09 65.64 82.80 104.3 131.8 165.8 209.5 263.9 332.3 418.9 531.4 666.0 842.1 1062.0 1345.0 1687.6 2142.7 2664.3 3402.2 4294.6 5314.9 6748.6 8572.8
cm 3.87 4.36 4.85 5.47 6.04 6.77 7.32 8.18 9.13 10.19 11.37 12.75 14.25 15.82 17.63 19.80 22.12 24.44 27.32 30.27 33.93 37.48 41.45 46.33 52.48
lU.
2"
~
gm/cm 0.468 0.3750 0.2977 0.2367 0.1879 0.1492 0.1184 0.0943 0.07472 0.05940 0.04726 0.03757 0.02965 0.02372 0.01884 0.01498 0.01185 0.00945 0.00747 0.00602 0.00472 0.00372 0.00305 0.00241 0.00189
11046 8798 7022 5610 4556 3624 2905 2323 1857 1490 1197 954.8 761.7 620.0 497.3 396.0 316.8 259.2 207.3 169.0 134.5 110.2 90.25 72.25 56.25
0.1051 0.0938 0.0838 0.0749 0.0675 0.0602 0.0539 0.0482 0.0431 0.0386 0.0346 0.0309 0.0276 0.0249 0.0223 0.0199 0.0178 0.0161 0.0144 0.0130 0.0116 0.0105 0.0095 0.0085 0.0075
9.5 10.7 11.9 13.4 14.8 16.6 18.6 20.8 23.2 25.9 28.9 32.4 36.2 40.2 44.8 50.3 56.2 62.1 69.4 76.9 86.2 95.2 105.3 117.7 133.3
35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
0.1589 0.1266 0.1026 0.08107 0.06207 0.04869 0.03972 0.03166 0.02452 0.0202
A
31.36 25.00 20.25 16.00 12.25 9.61 7.84 6.25 4.84 4.00 B
10849 13608 16801 21266 27775 35400 43405 54429 70308 85072
0.2268 0.1813 0.1538 0.1207 0.0932 0.0723 0.0584 0.04558 0.03683 0.03165
D
44.89 36.00 30.25 24.01 18.49 14.44 11.56 9.00 7.29 6.25
E
0.0170 0.0152 0.0140 0.0124 0.0109 0.0096 0.00863 0.00762 0.00685 0.00635
F
0.0067 0.0060 0.0055 0.0049 0.0043 0.0038 0.0034 0.0030 0.0027 0.0025 G
58.77 65.62 71.57 80.35 91.57 103.6 115.7 131.2 145.8 157.4
H
149.3 166.7 181.8 204.1 232.6 263.2 294.1 333.3 370.4 400.0
2645 3309 3901 4971 6437 8298 10273 13163 16291 18957 J
17060 21343 25161 32062 41518 53522 66260 84901 105076 122272
0.00150 0.00119 0.000977 0.000773 0.000593 0.000464 0.000379 0.000299 0.000233 0.000195
L
I<
Esta notacin indica que el elemento de la columna se debe multiplicar por 10-3 . Este dato se tom de REA Magnetic Wire Datalator. Fuente: Amold Engineering Company, Magnetics Tecbnology Center, Marengo, IL. www.groupamold.comlmtc/index.htm
00
~ VI
846
Apndice
Circuitos
magnticos
de corriente
parsita, y depende
(B.l8)
En la figura B.6 se muestra la prdida magntica tpica en funcin de la densidad de flujo. Nota: Si se disea un transformador para funcionar a 60 Hz y funciona a una frecuencia mayor, la prdida en el ncleo puede aumentar en forma apreciable.
~ 10~----~~---,~--~~----F---~~----~-------------------4
.!:fl
~~
Q)
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E ~ ~
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~
'c;j
~ 1.0r-.r---7------r---+r----~L-------.r+_+_------------~
O.l~--~--~~~~~~----~~~L-~~-W~--~--~~~~~~ Ql l~ 0.01
Densidad de flujo, tesla 3 watts/kilogramo = 0.557 X 10-t<1.68)
FIGURA 8.6
Bm(1.86)
10
A P N O
(Cl) donde S(e) es la funcin de conmutacin del convertidor, como se ve en la figura C.lb. Esa funcin S(e) depende del tipo de convertidor y de la pauta de disparo de los interruptores. Si g, g2, g3 Y g4 son las seales de disparo para los interruptores Q1> Q2, Q3 y Q4, respectivamente, la funcin de conmutacin es
v(e)I(e) s(e)
[(e)
(C.2)
lo(e) (C.3)
847
= S(e)lo(e)
848
Apndice
Funciones de conmutacin
de los convertidores
Convertidor
-----Q~----i
: r----+-~~
l( O)
J ~ I~ l('J
-1
7T
7T
I I
2-d
2~0
____________
I JI
27T
Una vez conocida S(e), se puede determinar Vo(e). Si se divide Vie) entre la impedancia de carga se obtiene lo(e), y entonces I se puede determinar con la ecuacin (C.3). Fuente de corriente. En el caso de una fuente de corriente, la corriente de entrada permanece constante.J'() = l;, y la corriente de salida lo(e) se puede relacionar con la corriente de entrada I mediante
= v(e)l(e)
v(e) s(e)
C.1
S(e)Vo(e) v( e) vo(e)
=
PUENTE INVERSOR MONOFSICO COMPLETO La funcin de conmutacin de un puente inversor monofsico completo de la figura 6.2a se ve en la figura C.2. Si gl Yg4 son las seales de disparo de los interruptores Q1 y Q4, respectivamente, la funcin de conmutacin es
=
=
1 -1
para O para
del inversor,
= tot = 2TIfot
(C.7)
C2
Puente rectificador
monofsico
849
-1
r'l
Jg ~t~
7T
27T
o =wt
0=wt
7T
2l-27T
ro=wt
~
FIGURA C2
=-
Aa 2
L
n=I,2, ...
00
(An cos n8
+ Bn
Bn
=-
TI
2"
a
S(8)senn8d8
=-
nTI
4
n
1,3, ...
S(8)
i ~
TI n=I,3,5, ...
sen n8
(C.9)
Va(8)
= S(8)V(8)
4V
_s
00
sen n8
TI n=I,3,5, ...
(C.1O)
igual a la ecuacin (6.12). Para un inversor trifsico de fuente de voltaje corno el de la figura 6.5, hay tres funciones de conmutacin: S)(8) = gl - g4, Sz(8) = g3 - g6 Y S3(8) = g5 - g2' Hay tres voltajes de salida, de lnea a lnea, que corresponden a tres voltajes de conmutacin, que son Vab(8) = SI V(8), Vbc(8) = S2 V(8) Y Vca(8) S3(8) V(8). C,2 PUENTE RECTIFICADOR MONOFSICO La funcin de conmutacin de un puente rectificador monofsico es igual que la del puente inversor monofsico completo. Si el voltaje de entrada es V(8) = V m sen 8, las ecuaciones (C.1) y (C.9) definen al voltaje de salida como sigue: Va(8)
=
S(8)V(8)
=~
4V
TI
00
(C.11)
(C.12)
850
Apndice
Funciones de conmutacin
de los convertidores
2Vm[ = -TI 1
1 - cos
1 1 2e + cos 2e - - cos 4e 3 3
+ - cos
5
2Vm [2 = -1
TI
4e - -111 cos 6e
577
- - cos 3
+ - cos
cos
6e - 35
cos
8e
+ ... ...
]
(C13)
2e - -2
15
4e - -2
cos
6e -
= 2Vm
TI
4Vm
TI
~ m=1
cos 2m8 4m 2 - 1
La ecuacin (C13) es igual que la ecuacin (3.22). La primera parte de la ecuacin (C13) es el voltaje promedio de salida, y la segunda parte es el contenido de rizo del voltaje de salida. Para un rectificador trifsico como el de las figuras 3.13a y 1O.5a, las funciones de conmutacin son SI (8) = g - g4, S2(8) = g3 - g6 Y S3(8) = gs - g2' Si los tres voltajes de fase de entrada son Van(8), Vbn(8) y Vcn(8), el voltaje de salida se vuelve (C14) C.3 PUENTE INVERSOR MONOFSICOS COMPLETO CON MODULACiN SINUSOIDAL POR ANCHO DE PULSO La funcin de conmutacin de un puente inversor monofsico completo con modulacin sinusoidal por ancho de pulso (SPWM) se ve en la figura C.3. Los pulsos de disparo se generan
v
-1
al
FIGURA C.3
851
comparando una onda cosenoidal con pulsos triangulares. Si g1 Yg4 son las seales de disparo para los interruptores Q1 y Q4, respectivamente, la funcin de conmutacin es S(S)
=
g - g4
s(e)
-f
n=1,2 ...
2:
00
(An cos ne
+ B sen ne)
(C.lS)
An
==-
TI o
TI
= ~
[1:
p
cos ne de
1:
cos ne de
1:
cos ne de
+ ... ]
(C.16)
-4 2: [(-l)m sen na
nTI m=1,2,3, ...
m]
Aa
O.Sustituyendo
Ao, An Y B; en la ecuacin
s(e)
n=1,3,5 ...
2:
00
An cos ne
(C.17)
= Vs,
Vo(e) = V,
n=1,3,5, ...
2:
00
An cos ne
(C.18)
C.4
RECTIFICADO RES MONOFSICOS CONTROLADOS POR SPWM Si el voltaje de entrada es v(e) voltaje de salida:
=
Vm
COS
e, las
Vo(e)
= Vm
Vm 2
2:
00
An cos ne cos
e
+
cos(n
(C.19)
An[cos(n
- l)e
+ l)e]
852
Apndice
Funciones de conmutacin
de los convertidores
+ As(cos
= --
48
+
~
cos 68)
+ ... ] + An+l
2 cosn8
(C.20)
VmAl
2
Vm _LJ
n-2,4,6, ...
An-1
La primera parte de la ecuacin (C.20) es el voltaje promedio de salida, y la segunda parte es el voltaje de rizo. La ecuacin (C.20) es vlida siempre que el voltaje de entrada y la funcin de conmutacin sean formas de onda cosenoidales. En el caso de las ondas senoidales, el voltaje de entrada es V(S) = V m sen S, y la funcin de conmutacin es
S(8)
n=1,3,S, ...
00
An sen n8
(C.21)
v o( 8)
Vm
n=1,3,S, ...
00
An sen 8 sen n8
(C.22)
- 1)8 - cos(n
1)8]
O - cos 28)
+ A3(COS
28 - cos 48)
+ ... ]
2 cos n8 (C.23)
Vm _ LJ
An-1 - An+l
n-2,4,6, ...
APNDICE
0.1
CIRCUITO
Re CON
ENTRADA ESCALN t
=
Cuando se cierra el interruptor SI en la figura 2.12a en el momento del capacitor se puede determinar con
O, la corriente
de carga
Vs
= VR
+ Vc
=
Ri + ~Jidt
+ vc(t
O)
(D.l)
Vs
R1(s)
-e s l(s)
s+a.
a.
S2 + a.2
S
853
854
Apndice
en cd
V.
les) donde ex
=
- ---
R(s
(D.2) ex)
l/Re. La transformada
i(t) = ~ e-al
R y el voltaje a travs del capacitor se obtiene con vc(t) En el estado estable (cuando t
= =
(D.3)
1 t e lo i dt
V.(1 - e-al)
(D.4)
00), I,
= i( t = 00) = O
V.
Ve = v e (t = 00) = -R D.2 CIRCUITO RL CON ENTRADA ESCALN En las figuras 2.13a y 5.4a se ven dos circuitos RL tpicos. La corriente transitoria por el inductor, en la figura 5.4a, se puede expresar como sigue:
v. =
con la condicin inicial i(t forma en
=
VL =
VR
L-
di dt
Ri
(D.5)
O)
Vs
LsI(s)
- LIl
+ RI(s)
+-
+~
s+3
(D.6)
Ls(s+3)
+~
s+3
i(t)
= ~ (1 R
Ile-i31
(D.7)
i(t)
V
= ;
(1 - e-i3I)
(D.8)
D.3
Circuito
Le con
entrada escaln
855
0.3
CIRCUITO La corriente
iniciales: vc(t
O)
O, e i(t
O)
O. La transformada
de Laplace de la
Vs
1 L sl(s) + -les) Cs
- L(s2
donde Wm = 1I-VLC. La transformada guiente corriente de carga:
+ w~)
(D.10)
la si-
l(t) = Vs"VZsen(wmt)
y el voltaje del capacitar
re
(D.11)
es
vc(t)
1 (
(D.12)
Un circuito Le con una corriente inicial L; en inductor, y un voltaje inicial Vo en el capacitor, se ve en la figura D.1. La corriente en el capacitar es Vs L de
di
+e
.
l
de
+ vc(t
O)
(D.13)
con la condicin inicial i(e = O) = 1m, Y vc(t = O) = Vo' Nota: en la figura D.1, VO se indica igual a -2Vs)' En el dominio de Laplace de s, la ecuacin (0.13) se transforma en
-
:_'
2_V_~r"~')
FIGURA D.1
Circuito Le.
856
Apndice D
Vs - Va - L(S2 + )~)
+ ----=----"-'----=s2 + )~
sl.;
(D.14)
)m
1/VLC. La transformacin
dt + Va
(D.16)
A P N D
Anlisis de Fourier
En general, bajo condiciones de estado permanente, el voltaje de salida de los convertidores potencia es una funcin peridica del tiempo, definida por de
(E.l)
donde T es el periodo o tiempo peridico. Si f es la frecuencia del voltaje de salida, en hertz, la frecuencia angular es
(E.2)
y la ecuacin
El teorema de Fourier establece que una funcin peridica lJo(t) se puede describir con un trmino constante ms una serie infinita de trminos de seno y coseno de la frecuencia, ru, siendo n un entero. Por consiguiente, lJo(t) se puede expresar por (EA) donde a,j2 es el valor promedio del voltaje de salida uo(t). Las constantes determinar con las ecuaciones siguientes: am an y b ; se pueden
(E.S) 2
an
b.; = -
T T
21T
o
(E.6) (E.7)
857
T o
=-
21T vo(wt)
TI
858
Apndice
Anlisis de Fourier
Si 1Jo(t) se puede expresar como funcin analtica, esas constantes se pueden determinar mediante una integracin sencilla. Si 1Jo(t) es discontinua, lo cual suele ser el caso de la salida de los convertidores, st: deben hacer varias integraciones (sobre todo el periodo del voltaje de salida) para determinar las constantes ao, a.; y b.;
Se define un ngulo
bm el lado opuesto es
b~)1I2.
en
sen(nwt
+ <Pn)
en donde
(E.lO)
Sustituyendo la ecuacin siguiente forma: (E.9) en la ecuacin a (EA), la serie tambin se puede escribir en la
vo(t)
en donde
= -o +
2
00
~
n=1,2, ...
Cn sen(nwt
+ <Pn)
(E.U)
Cn
= (a2n + b2n)1/2
(E.12)
en y <Pn son la magnitud pico y el ngulo de retardo del n-simo componente armnico del voltaje de salida 1Jo(t), respectivamente. Si el voltaje de salida tiene simetra de media onda, la cantidad de integraciones dentro de todo el periodo se puede reducir en forma apreciable. Una forma de onda tiene la propiedad de simetra de media onda si satisfacen las siguientes condiciones:
(E.13)
o bien
(E.14)
En una forma de onda con simetra de media onda, la media onda negativa es la imagen especular de la media onda positiva, pero tiene su fase desplazada en T/2 s( o en TI rad) respecto a la media onda positiva. Una forma de onda con simetra de media onda no tiene armnicas pares (como n = 2,4,6, ...) y slo posee armnicas impares (como n = 1,3,5, ....). Debido a la simetra
Apndice
Anlisis de Fourier
859
a =
2 1 2'Tr a.; = T lo vo(t) cos rut dt = ; lo vo(wt) cos rut d(wt), b., 2 T lo vo(t) sen rut dt
t'
1,3,5, ...
t'
00
= ; lo
2'Tr
1,3,5, ...
vo(t) =
L
n=1,3,5, ...
en sen(nwt
+ <Pn)
En general, con una simetra de media onda, a = a.; = O,Y con una simetra de cuarto de onda, a = b; = O. Una forma de onda tiene la propiedad de simetra de cuarto de onda, si satisface las siguientes condiciones:
(E.15)
o
(E.l6)
Bibliografa
Libros sobre electrnica de potencia: http://www.smpstech.com/books/booklist.htm BEDFORD, F. E., Y R. G. HOFT, Principies of In verter Circuits. New York: John Wiley & Sons, Inc.,1964. BILLINGS, K., Switch Mode Power Supply Handbook. New York: McGraw-Hill Inc., 1989. BIRD, B. M., Y K. G. KING, An Introduction to Power Electronics. Chichester, West Sussex, Inglaterra: John Wiley & Sons Ltd., 1983. CSAKI, F, K. GANSZKY, 1. IPSITS, and S. MARTI, Power Electronics. Budapest: Akademiai Kiad,1980. DATIA, S. M., Power Electronics & Control. Reston, VA: Reston Publishing Co., Inc., 1985. DAVIS, R. M., Power Diode and Thyristor Circuits. Stevenage, Herts, Inglaterra: Institution of Electrical Engineers, 1979. DEWAN, S. B., y A. STRAUGHEN, Power Semiconductor Circuits. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1984. DEWAN, S. B., G. R. SLEMON, y A. STRAUGHEN, Power Semiconductor Drives. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1975. DUBEY, G. K., Power Semiconductor Controlled Drives. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1989. General Electric, GRAFHAN, D. R., Y F. B. GOLDEN, Eds., SCR Manual, 6th ed., Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1982. GOTILIEB,1. M., Power Control with Solid State Devices. Reston, VA: Reston Publishing Co., Inc.,1985. HEUMANN, K., Basic Principies of Power Electronics. New York: Springer- Verlag, 1986. HNATEK, E. R., Design of So lid State Power Supplies. New York: Van Nostrand Reinhold Company, Inc., 1981. FISHER, M. 1., Power Electronics. Boston, MA: PWS-KENT Publishing, 1991. HINGORANI, N. G, and L. GYUGI, Understanding FACTS. Piscataway, NJ: IEEE Press, 2000. HOFT, R. G, SCR Applications Handbook. El Segundo, CA: International Rectifier Corporation,1974. 860
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CAPTULO 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 (a) (a)
QRR =
400 A
'
(a) n
lRl
7.799, (b) l,
0.347 A
= 20 mA, (b)
lR2
= 12 mA,
Para la figura P2.12c, (a) i(t) d ~ (d) dildt (b) --.!:... = _2e-IR/L dt L' Para la figura P2.12d, (a) i(t) Vo).Jfsen(wot)
=
~
= ;
e-IR/L,
R2 = 166.67 R1
VD!
kn
=
= V.IL
s =
14 mfz, R2 2575 V,
(Vs -
VD2 =
(a) lav = -2.04 A, (b) lr1 = 55.9 A, lr2 = 44.72 A, lrms = 71.59 A, (e) 500 A a -200 A (a)
lpsen(wot),
2.8
t.;
di Vs - Vo (b) -d = cos(wot), t L (d) ditdt = (V, - Vo)IL Para la figura P2.12e, dildt (a) i(t) = 11.3 X (b) tI = 807 fLs
=
V/20 NfLS A,
sen(3893t)e-22OO1
22 - 12e-2OOO1 A
(a) VD = 4620 V, (b) lo = 146.7 A, (e) 1~ = 7.3 A, (d) t2 = 2 ms, (e) W = 1.614 J
I~Sen(Wot)
- Vs cos( wot)
+ Vs
2.12 Para la figura P2.12a, (a) i(t) = VstlL, (b) dildt = V,IL, (d) dildt (att = O) = V,IL. Para la figura P2.12b, V, - Vo /RC (a) i(t) = R e-e ,
= =
864
Ved Ved
= =
378.15 V 371.34 V
= =
106.5 W
Diodos: Ip = 62.834 A, Id = 20 A, IR = 31.417 A, Transformador: ~ = 444.3 V, I, = 44.43 A, TUF = 0.8105 Diodes: Ip = 9000 A, Id = 4500 A, IR = 6363.96 A, Transformador: ~ = 320.59 V, I, = Ip = 9000 A, TUF = 0.7798
3.8
4.4 4.5
4.6 4.7
RSA
PB
13.2 W
(e) PT (e) PT
=
=
125.87 W 20.466 W
3.9
238.4 mH 11.64 mH
4.8
4.9 4.10 4.11
RSA
3.10 L
3.11 (a) 8 = 149.7, (b) R = 1.793 n, (e) PR = 488.8 W, (d) h = 1 hr, (e) 1') = 29%, PIV = 104.85 V 3.12 (a) 11 = 6.33 A, (b) Id = 8.8 A, (e) Ir = 13.83 A, (d) Irms = 19.56 A 3.13 (a) 11 = 50.6A,(b)Id = 17.46 A, (e) Ir = 30.2 A, (d) Irms = 52.31 A 3.14 (a) Ce = 315.46 jl.F, (b) Ved = 158.49 V 3.15 (a) C, = 630.92 u.F, (b) Ved = 158.49 V 3.16 (a) Ler = 12.51 rnH, IX = 37.84, Irms = 29.47 A, (b) IX = 37.84,Irms = 20.69 A 3.17 Vea
= 99.32% lo = 9.002 A,
(g) IR
15.63 A
= 27.5 mH
5.6
5.7 5.8 5.9
(b) Veh = 0.4033 n k = 0.5, 12 = 615 A, 11 = 585 A Imx = 30 A h = 1.16 A, h = 1.93 A, 111 = 0.77 A (b) L (d) Le
= V mI( 4
=
2 f R C)
166.75
H. e, = 0.63
jl.F
3.18 L1 = 1.837 mH
3.19 (b) L 11.64 mH 3.20 (b) FP = 0.9, HF = 0.4834, (e) FP = 0.6366, HF = 1.211 3.21 (b) FP (e) FP 3.22 (e) FP
= =
5.10 (e) 12 = 1.61 A, (d) Ve = 34.1 mV, (e) Le = 180 u.H, Ce = 0.5 u.F 5.11 5.U 5.13
e, =
(d) Ip
= 96 u.H,
=
=
0.68
(O 11Ve2 = 15.58 m V, (g) I1h2 = 6.25 A, i, = 7.91 A Le1 = 4.32 mH, Le2 = 0.14jl.H, Cc1 = 0.83 jl.F, Cc1 = 0.42 jl.F
=
3.23 (b)I1
5.14 Ce
6.25 jl.F, L
0.582 mH
3.24 (b) 11 = f2 J3Ial'IT, (e) FP = 0.78, HF 3.25 (e) FP 3.26 (e) FP 3.27 (e) HF
t, = la J(2/3), = 0.803
5.15 (a) G(k = 0.5) = 0.5, (b) G(k = 0.5) = 1.95, (e) G(k = 0.5) = -0.97 CAPTULO 6 6.1 (e) THD = 48.34%, (O DF = 3.804%, (g) V3
=
=
0.9549, HF 0.3108
0.3108
= 0.9549, HF = 0.3108
V1/3
seleccionados
865
= 48.34%,
(O DF = 3.804%,
t, = 3.675 A (d) Po = 134.48 W, I, = 0.612 A, (e) lp = 8.2 A, lA = 0.306 A (e) HF = 14.2%, (e) lp = 31.27 A, t, = 5.555 A Val(pico) = 140 V, Vab(pico) = 242.58 V, lal(pico) = 28 A Val (pico) = 140 V, Vab(pico) = 242.58 V, lal(pico) = 28 A Vab(pico) = 242.58 V, labl(pico) =
48.52 A
6.21 ~ = 102.07 6.22 Para M = 0.5, al = 7.5, a2 = 31.5, a3 = 40.5, a4 = 67.5, a4 = 76.5, V(l) = 95.49%, THD = 70.96%, DF = 3.97% 6.23 Para M = 0.5, al = 4.82, a2 = 20.93, a3 = 30.54, a4 = 48.21, as = 54.64, V(l) = 92.51%, THD = 74.56%, DF = 3.96% 6.24 Para M = 0.5, al = 90, a2 = 28.13, a3 = 42.75, a4 = 66.38, as = 77.63, V(l) = 83.23%, THD = 81.94%, DF = 3.44% 6.25 Para M = 0.5, al = 201.3, a2 = 33.47, a3 = 63.73, a4 = 79.10, as = 93.21, V(l) = 72.05%, THD = 95.51%, DF = 1.478% 6.26 6.27 6.28 6.29
al a4 al a4 al a3 al
~
I
I
Vab(pico) = 242.58 V, labl(pico) = 48.52 A, lal(pico) = 84.04 A 6.10 ls = 0.345 A, lA = 0.345/2 = 0.1725 A 6.11 8 = 102.07 6.U Para M = 0.5, V(l) = 48.72%, V(3) = 39.31%, DF = 10.83% Para M = 0.8,8 = 72, al = 9, 6.13 a2 = 99, V o(pico) = 232.84 V, lol(pico) = 2.315 A 6.14 Para M = 0.5, Vol = 70.71%, V(l) 32.45%, THD = 111.98%, DF = 1.58% 6.15 Para M = 0.5, V(l) = 45.3%, V(3) = 15.9%, DF = 4.11% 6.16 Para M = 0.5, Vol = 55%, V(l) = 25%, THD = 111.94%, DF = 0.27% 6.17 Para M = 0.5, V(l) = 35.36%, V(3) = O,DF = 11.06% 6.18 Para M = 0.5, V(l) = 58.67%, V(3) = 14.65%, DF = 15.39% 6.19 Para M = 0.5, Vol = 84.1%, V(l) = 56.7%, THD = 26.9%, DF = 0.52% 6.20 8 = 23.04
= = = = = = =
a2
a2
= 46.12,
a2 a4 a2
6.30 Tl(e) = MTs sen(7r/3 - e) 6.31 V, = 0.8L29.994 6.32 (a) Gcd = 0.833, Gca = 2.5, Vm = 1.667 6.33 Vol(pico) = 235.177 V, lol(pico) = 9.42 A, lp = 9.44 A
= 2799.7 Hz 6.35 Vol (pico) = 229.77 V, lol(pico) = 4.04 A, lp = 4.04 A 6.36 C, = 38.04 .LF
6.34 fe CAPTULO 7
7.1 7.2
CJ2
dv/dt
= 15 pF = 1.497 V/.LS
= lOpF (a) es = 0.0392 .LF, (b) duidt = 375.5 V/.LS (a) dv/dt = 66009 V/s, 10 = 3.15 mA Ir = 999.5 A (a) R = 222.22 kn, (b) el = 0.675 .LF R, = 4.545 mft, R2 = 3.7037 mn
9.4 9.5
CAPTULO 8 8.1 (b) f mx =. = 10,772 Hz, (e) Vpp = 239.86 V, (d) lp = 29.65 A, (i) Ipk = 29.65 A, IR = 8.28 A
9.6 9.7
= 20.981% para m = 5 = 1.25 kV, VD! = 3.75 kV, VD2 = 2.5 kV, VD3 = 1.25 kV la(rms) = 8.157 A, h(rms) = 12.466 A, lCl(av) = 4.918 A, lC2(av) = 9.453 A, ICl(rms) = 11.535 A, IC2(rms) = 17.629 A THD = 20.981% para m = 5 Ysw = 1.25 kV, VD! = 1.25 kV, VD2 = 1.25 kV Para m = 5, 4 capacitores para sujecin
THD
Vsw
8.2 8.3
= 35.34 A, (b) lA = 15.57 A, = 29.26 A (a) Ip = 852 A, (b) t; = 198 A, (e) IR = 364 A, (d) Vpp = Vel - Ve = 440 V (a) lp = 94.36 A, (b) lA = 6.07 A, (e) IR = 21.1 A, (e) I, = 12.14 A (a) Ip = 114.6 A, (b) lA = 17.12 A, (e) IR = 39.2 A, (e) I, = 23.22 A (a) lp = 187.7 A, (b) lA = 8.42 A, (e) IR = 35.14 A, (e) Is = 33.69 A (b) Qs = 3.85, (e) L = 245.1 .LH, (d) e = 0.1654 .LF (a) V;(pk) = 112.3 V, (b) L = 21.66 .LH, (d) e = 1.871 .LF (a) I, = 15.7 A, (b) Qs = 3.85, (e) e = 2.45 .LF,(d) L = 16.54 .LH (a) Le = 12.74 .LH, ee = 0.69 .LF, L = 222.82 .LH,e = 0.0479 .LF (a) e = 14.29 .LF,(b) IL(rms) = 394 mA, 1 L(cd) = 200 mA, IC(rms) = 339.4 mA, IC(cd) = O e = 0.1018 .LF,L = 162.88 .LH (a) Vp = 32.32 V, t, = 200 mA, (b) h3 = -100 mA, t5 = 13.24 .Ls k = 1.5, fJfk = 7,653
(a) (e)
Ips IR
= 75 A, Irms = 47.746 A lSl(av) = 7.377 A, IS2(av) = 14.032 A, IS2(av) = 19.314 A 9.9 al = 12.834, a2 = 29.908, a3 = 50.993 Y a4 = 64.229 9.10 al = 30.653, a2 = 47.097, a3 = 68.041ya4 = 59.874, THD = 38.5%,DF = 4.1%
Irms
9.8
n =
= 0.1797 = 0.3126
(e) Iav = Idc = 1.35 A, IR = rms = 3.75 A, (d) FP 11 = 5.745 A (b) DF (e) Iav (d) FP
= 0.866, (e) FP = 0.827 = 1.35 A, IR = 3.75 A, = 0.442 10.6 (e) lz = 5.5 A (b) DF = 0.5, (e) FP = 0.45 10.7 (e) lav = 1.35 A, IR = 8.49 A, 10.8 (d) FP = 1.0 lz = 6.3 A 10.9 10.10 t, = 20 A, 44.12 A 10.11 (a) al = 0, a2 = 90, (b) Irms = 18.97 A, (d) FP = 0.79 10.12 (a) HF = 37.26%, (b) DF = 0.9707, (e) FP = 0.9096
seleccionados
867
10.13 (b) Irrns = 21.53 A, (d) Po = 4635 W, FP = 0.897 10.14 (a) HF = 31.08%, PF = 0.827 (en retraso) 10.15 (a) HF = 109.2%, (b) DF = 0.5, (e) FP = 0.3377 10.16 (d) Tj = 35.75%, (e) TUF = 10.09%,
(1) FP = 0.2822
11.6 11.8 11.10 11.11 11.U 11.13 11.14 11.15 11.18 11.19 11.20 11.21 11.23 11.24 11.26 11.27 11.28
(a) a = 62.74, (e) FP = 0.88, (d) i, = 26.25 A, (e) IR = 49.99 A (e) lA (b) FP (e) FP (b) FP (b) FP (b) a
= = = = =
0.8045
10.17
13
62, (e) FP
=
0.8333
1.16 A
10.18 (a) HF
(e) FP
109.2%, (b) DF
= = = = =
(b) FP (d) FP (b) IR! (d) FP (e) FP (e) FP (e) FP (e) FP (b) IAM (e) IAM (b)
= 0.3377
10.19 (e) TUF = 0.1488, (1) FP 10.20 (d) Tj = 103.7%, (e) TUF
(1) FP = 0.8430
= = = =
26.31 A
10.45 A,
10.21 t, = 2.29 A 10.22 (a) HF = 31.08%, (b) FP 10.23 (d) Tj = 41.23%, (e) TUF
(1) FP
0.478 0.1533,
= 0.3717
=
=
294.1 V
10.24 10.25
16 = 2.48 A
= 3252.7 V
t, =
31.11 A
2070.5
10.26 10.27 10.28 10.29 10.30 10.31 10.32 10.33 10.34 10.35
10.36
= 74.4 A, (v) Icd = 67.25 A (iv) Irrns = 58.71 A, (v) Icd = 55.74 A
(iv) Irms (iv) Irms = 93.88 A, (v) t. HF = 31.08%, FP = 0.827 HF
=
CAPTULO 12
54.2 A
31.08%, FP
0.827
196.42 A,
=
=
25.84
0.7797 0.6753
18.35
IR = 98.21 A, i, = 196.42 A, t.; = 62.52 A Diodos: Ip = 196.42 A, t.; = 62.52 A, IR = 98.21 A, Tiristores: IR = 138.89 A, Ip = 196.42 A, Iav = 125.04 A 180n + 25.84, para n = 0,1,2 Ip = 43.16 A, Iav = 13.74 A, IR = 21.58 A
<1>
= 30.68
= = = =
24.92 A, Iav = 7.93 A, 24.92/2 = 12.46 A 43.16 A, Iav 21.58 A
0.8333, (b) FP
0.91
(b) FP
=
= =
=
=
U.9
= 100.3
2.7 A,
Ip IR Ip IR
13.74 A,
(b) FP
(d) IR
U.10 (a) Ip = 220 A, (b) t1 = 8.05 p.s U.11 t = 950 us a i(t) = 0.992 A
868
seleccionados
12.12 (a) Para el tiristor TI. Ip = 311.23 A, Iav = 55 A, Irms = 77.78 A. Para el tiristor T3, Ip = 311.23 A, i; = 2.12 A, Irms = 22.718 A. Para el tiristor T2, Ip = 311.23 A, Iav = 4.728 A, Irms = 22.718 A. (b) Irms = 22.718 A tf = 2100 f-LS a 12.13 tI = 20.442 f-LS, i(t) = 0.946 A, t3 = tI + tf = 2120 f-LS
CAPTULO 13
14.5 14.6
(a) I, = 14.4 A, (e) Ip (e) Voe = lis = 50 V (a) Is = 14.4 A, (d) IR (e) Voe = 50 V
= 45.24 A, = 11.31 A,
14.7 h = 60.32 A 14.8 h = 14.18 A 14.9 Np = 132, Ns = 44, t; = 3.178 A 14.11 N = 87, Ap = 12.202 crrr' 14.12 Ac = 1.32 crrr', N = 32
CAPTULO 15
13.1
13.2
13.3
13.4
13.5 13.6
13.7
= 140.208 A, = 25.267 kW, Q = 17.692 kW I = 140.012 A, P = 30.846 kW, Q = 19.451 kW (a) B = 44.05, (b) I = 203.75 A, (e) Qp = 37.363 kW, (e) L = 8.48 mH, (O a = 18.64 (a) Veo = 28.47 kV, (b) Vepp = 56.94 kV, (e) le = 2.96 A, (d) Iep = 5.121 A. (a) I = 46.74 A, (b) Pp = 8.42 kW, (e) Qp = 8.27 kW (a) r = 0.852, (b) Xcomp = 13.6360, (e) I = 261.081 A, (d) a = 79.7 (a) r = 0.869, (b) Xcomp = 15.6360, (e) e = 169.64 f-LF, (d) a = 80.04
I P
(a) la = 143.99 A, (b)h = 294.64Nm (a) la = 148.4 A, (b) TL = 294.64 N m (a) Eg = 132.28 V, (b) Va = 141.97 V, (e) lEsp' = 50.86 A, (d) regulacin de
15.4
15.5 15.6
15.7 15.8
CAPTULO 14
15.9
T)
(a) I, = 30 A, (b) (e) IR = 21.21 A, (a) Is (e) IR (a) (e) (a) (e)
= 94.87%,
15.10 15.11 15.13 15.14
(O Voe = 101.2 V
= 30 A, (b) T) = 94.87%, = 42.43 A, (O Voe = 101.2 V L, = 15 A, (b) T) = 94.87%, h = 21.21 A, (O Voe = 101.2 V L, = 30 A, (b) T) = 92.66%, IR = 21.21 A, (O Voe = 51.8 V
velocidad = 7.32 % (a) Eg = 280.28 V, (b) Va = 287.88 V, (e) hsp = 149.2 A (a) If = 0.851 A, (b) aa = 100.96, (e) FP = 0.55 (a) Td = 21.2 N . m, (b) = 2599.75 rpm, (e) FP = 0.6455 (a) af = 180, (b) o = 145.78, (e) P = 4258 W (a) aa = 21.69, (b) 0)0 = 2063.8 rpm, (e) regulacin = 14.66% (a) aa = 30.87, (b) 0)0 = 2063.8 rpm, (e) regulacin = 14.66% (a) aa = 49.58, (b) = 1172.7 rpm, (e) af = 49.34 (a) o = 72.73, (b) = 1172.7 rpm, (e) af = 72.35 = 157.17 k - 1.8768 (b) Req = 1.7780, (e) = 575.35 rpm, (d) Td = 3092.18 N m
O) O) O) O)
seleccionados
869
15.15 (e)
15.16
15.26 15.27
= 0.937 n, = 63.67 rpm, (Umx = 1427.84 rpm, (O (U =745.75 rpm (e) Req = 2.08 n, (d) (U = 1418.75 rpm, (e) Vp = 1250 V Imx = 17.68 A Irnx = (440/8) tanh [2/(3u)] t., = 5.53 A hs = 112.54/[1 + (u X 250/113.68)2] (b) (U = 2990 rpm (b) (U = 1528.6 rpm (U = 2326.3 rpm (b) V, = 18.818 V, (e) = 1747 rpm (b) (U = 1575.2 rpm, (e) (U = 1397.9 rpm, (d) regulacin = 2.67% (e) regulacin = 0.172% (b) (U = 2808 rpm (b) (U = 2887.2 rpm
Req
(d) (e)
(Umn
16.5
16.6
16.7 16.8 16.9 16.10 16.11 16.12 16.13 16.14 16.15 16.16 16.17
CAPTULO 16
16.1
16.2
16.3
16.4
(b) s = 0.056, (e) I = 137.86/-52.2 A, (d) P = 67,357 W, (e) PFs = 0.613, (1) Sm = 0.0648, (m) Tmm = 692.06 N m, (o) Tmr = -767.79 N m (a) (us = 94.25 rad/s, (e) I = 141.13/-52.9 A, (d) P = 67,874 W, (e) FPs =0.604, (k) l., = 172.9 A, (m) Tmm = 728.94 N m, (o) Tmr = -728.94 N m (e) I = 28.85/-52.2 A, (j) Po = 18450 W, (k) t., = 117.4 A, (1) Sm = 0.1692, (m) Tmm = 90.85 N m (e) Va = 217.6 V, (d) I = 85.91/-69.01 A,
16.18
(g) Ir(max) = 80.11 A, (i) T, = 82.73 Nm (d) I = 85.86/-74.19 A, (g) Ir(mx) = 80.11 A, (i) T = 82.73 N m (d) I = 78.71/-59.3 A, (g) Ir(mx) = 91.47 A, (i) T = 55.93 N . m (a) R = 4.94 n, (e) k = 0.6505, (e) T) = 75.5%, (O FPs = 0.9 (a) R = 7.959 n, (e) T) = 75.5%, (O FPs = 0.9 (a) R = 2.791 n, (e) k = 0.547, (d) T) = 79.5%, (O FPs = 0.794 (e) a = 112, (d) T) = 94.4%, (e) FPs = 0.621 (e) a = 102, (d) T) = 94.4%, (e) FPs = 0.476 (b) Id = 67.46 A (a) = 58.137 Hz, (b) (Um = 1524.5 rpm (a) Td = 114.25 N m, (b) Cambio de par = 117.75 N m (a) Tm = 850.43 N m, (b) Tm = 850.43 N m (a) Tm = 479 N . m, (b) Tm = 305.53 N . m (b) s = 0.08065, (e) (Um = 551.6 rpm, (d) Va = 138.62 V, (e) FP m = 0.6464 (b) s = 0.04053, (e) (Um = 1151.3 rpm, (d) Va = 270.94 V, (e) FP m = 0.64 (b) la = 83.17 A, (d) 8 = -18.48, (e) Tp = 2218 N m (a) 8 = -9.65, (b) Vi = 65.44 V, (e) Td = 265.25 N m (a) 8 = -3.67, (b) la = 7.76 A, 8m = 72.25, (e) FP = 0.3049 (a) Tp = 60, (b) SL = 10 (a) Tp = 60, (b) SL = 10 (a) TL = 72, (b) SL = 7.2
870
seleccionados (d) R = 5.04 n, (e) dv/dt = 112 V/f.LS (b) Vp = 226.52 V, (e) d = 0.0632, (d) dv/dt = 4.5 V/f.LS (a) Vp = 273.2 V, (b) dv/dt = 49.5 V/f.LS, (e) mxima dv/dt = 0.23 V/f.LS (a) e = 3.872 f.LF, (b) R = 1.82 n
18.5 18.6
17.5 17.6
17.7
(a) e = 14.5 f.LF, (b) R = 0.95 (b) 10 = 111.47 A, (e) e = 754.94 f.LF 18.10 8 = 0.75, (b) Vp = 235.34 18.11 N = 15 diodos 18.12 t, = 125.45 A 18.13 18.14 lp lp
= =
18.4
5.5 ms) = 125C TAt = 10 ms) = 3C TAt = 20.01 ms) = 35.13C (b) 8 = 0.27, (e) e = 0.2296 f.LF,
TJ(t
=
0
tm
= 7.64 s,
ndice
A Accionamientos ca,692 esttico de Kramer, 704 esttico de Scherbius, 704 Accionamientos de cd, 640, 738 control de, en ciclo cerrado, 673 control de, por microcomputadora, 685 control de interrupcin peridica, 662 control de lazo de seguimiento de fase, 684 control monofsico, 648 control monofsico con semiconvertidor, 650 control monofsico de convertidor de media onda,649 control monofsico de convertidor dual, 652 control monofsico de convertidor total, 651 control trifsico, 656 control trifsico de convertidor de media onda, 657 control trifsico de convertidor dual, 658 control trifsico de convertidor total, 657 control trifsico de semiconvertidor, 657 Accionamientos de interruptor rotatorio, 662 control de la potencia de, 662 dos/cuatro cuadrantes, 669 freno regenerativo, control de, 664 freno reosttico, control de, 667 Acondicionamiento de potencia, 209 Aislamiento de excitadores de compuerta y base, 767 fotoaislamiento, 565 fotovoltaico, 565 Amortiguadores, 152, 803 diseo ptimo de, 806 no disipa tivos, 806 Anlisis de Fourier, 857 Anlisis de transitorios, cd, 853 ngulo conmutacin o traslape, 117 desplazamiento, 71 disparo, 433 extincin, 510 factor de potencia, 71, 835 par, 740 retardo, 433, 436 Armnicas orden mnimo, 231 reduccin, 280 B Balanceo de .voltaje, 425 Beta forzado, 128
e
Cambiadores de conexiones/terminales monofsicos,522 sncronos, 524 Carga de saturacin, 129 Carga recuperada, 36 Cl alto voltaje, 784 Cl de accionamiento en compuerta, 777 para accionamientos de motor, 784 para convertidores, 781
871
872
ndice Constante de tiempo, 675 almacenamiento, 129 Control accionamiento base, 763 adaptativo,721 ngulo de extincin, 456 ngulo simtrico, 457 antisaturacin,765 apagar, 764 base proporcional, 764 caractersticas de los dispositivos, 10, 14 circuito cerrado, 673, 721, 745 circuito de corriente, 679 circuito de seguimiento de fase, 684 conexin, 516 convertidor cd-cd, 662 corriente, 716 desplazamiento de fase, 258 encender, 763 encendido-apagado, 501 fase, 503 frecuencia, 711 freno regenerativo, 664 freno reosttico, 667 microcomputadora,685 modo de corriente, 627 modo de voltaje, 627 . modulacin de ancho de impulso, 461 modulacin de ancho de pulso sinusoidal, 463 motor de pasos, 749 orientado a campo, 726 potencia, 662 potencia de deslizamiento, 704 vector,721 voltaje de estator, 701 voltaje de rotor, 703 voltaje y frecuencia, 713 volts/hertz,713 Control vectorial, 726 directo, 736 indirecto, 734 Controladores conectados a punto neutral, 520 flujo unificado de potencia, 596 monofsicos, 509 monofsicos bidireccionales, 506 trifsicos bidireccionales, 518
Ciclo de trabajo, 20, 168, 170 Circuito crticamente amortiguado, 52 de barra, 822 de disparo de tiristores, 770 LC,46 LRC,49 RC,46 sobreamortiguado, 52 subamortiguado,52 Compensacin ngulo de fase, 592 en paralelo, 573 potencia reactiva, 422 Compensadores ngulo de fase, 594 comparacin de, 597 conmutados por tiristor, 577, 585 controlados por tiristor, 575, 586 de conmutacin forzada, 587 en paralelo, 573 var estticos, 580, 581, 589 Condiciones en la frontera, 85, 97 Conmutacin, 117 ngulo, 117 caractersticas, 128 circuitos, 7 con corriente cero, 388 con voltaje cero, 393 corrientes, 424 de diodos, 74 funcin de, 80, 247 lmites, 135 natural o de lnea, 431 reactancia, 117 Conmutadores bidireccional, 508 caractersticas de, 16 caractersticas ideales de, 16 diseo de conmutadores estticos, 566 especificaciones de, 18 esttico ea, 22, 551 esttico cd, 22, 557 monofsicos de ea, 551 potencia inteligente, 558 trifsicos de ea, 554 trifsicos reversibles, 554
Indice trifsicos de onda completa, 514 unidireccionales, 504 voltaje de ea, 500 Conversin en varias etapas, 625 Convertidores ea-ea, 20 ca-cd,20 cd-ca,21 cd-cd, 20, 166 circuitos de control de, 626 clasificacin de, 182 controlados monofsicos,432 cuarto cuadrante, 185 de bajada, 166, 171,176 de dos cuadrantes, 431 de medio puente, 613 de subida, 176 de un cuadrante, 431 de varias etapas, 625 diseo de, 221 duales, 440, 453 en avance, 606 en contrafase, 611 en puente total, 616 funciones de conmutacin de, 847 monofsicos duales, 440 monofsicos en serie, 480 monofsicos semi, 467 monofsicos totales, 438 multifsico, 670 primer cuadrante, 182 primero y segundo cuadrante, 184 retorno, 602 segundo cuadrante, 182 semi-,431 tercero y cuarto cuadrante, 185 totales, 431, 434, 447 trifsicos duales, 453 trifsicos semi, 474 trifsicos totales, 447 Convertidores cclicos monofsicos, 527 trifsicos, 530 Corriente de estado apagado, 305 Corriente de falla con fuente de ea, 822 con fuente de cd, 824 prospectiva,815 Corriente de mantenimiento o enganche, 305 Corriente de retencin, 306 Corriente ondulatoria residual, 173 D Deslizamiento, 693 Desplazamiento de fase, 280 Devanado, retroalimentacin, 58 Diodos,31 aplicacin general, 38 carctersticas de, 33 carburo de silicio, 39 conectado en serie, 42 conectados en paralelo, 45 conmutacin de, 74 corriente de fuga, 34 diodo de retroalimentacin, 228 ecuacin, 33, 34 marcha libre, 48, 56, 228 modelo en SPICE, 40 polarizado directamente, 34 polarizado inversamente, 35 potencia, 5, 31 recuperacin rpida, 38 resistencia de la masa de, 40 Schottky, 39 tipos de,38 voltaje al encender de, 34 voltaje de ruptura, 35 voltaje umbral de, 34 Disminucin de potencia nominal, 135 Dispositivos de potencia, 5 capacidades, 11 caractersticas de conmutacin, 15 caractersticas de control, 10 caractersticas ideales, 16 clasificaciones, 13 eleccin de, 19 smbolos, 12 Distorsin armnica total, 230, 268 factor, 230
873
E
Efecto Miller, 129 Efecto perifrico, 24 Electrnica de potencia, 1
874
Indice no amortiguada natural, 804 operacin constante, 168 operacin variable,168 resonante, 53 Frenado dinmico, 647 frenado regenerativo de conexin, 647 regenerativo, 645 Fusibles caractersticas corriente/tiempo de, 817 hoja de datos de, 818
aplicaciones de, 1 historia, 2 revistas y conferencias sobre, 28 Energa atrapada, 58 Energa de admisin de paso, 817 Enfriamiento, 791 lquido, 794 por aire forzado, 792 por tubos de calentamiento, 693 Estados transitorios lado de suministro y de carga, 810 recuperacin inversa, 804 F Factor armnico, 71, 230 correccin de potencia, 208 cresta, 71 desplazamiento, 71 distorsin, 230 forma, 70 ondulacin, 70 potencia de entrada, 71 saturacin, 127 utilizacin de transformador, 70 Factor de amortiguamiento, 52 Factor de potencia, 71, 456, 835 ac modo conmutado, 623 ac resonante, 623 bidireccional,619 ea bidireccional, 624 ca,621 cd modo conmutado,602 cd resonante, 619 cd,602 correccin, 208 Fuentes de poder, 601 Impulsos de potencia, 795 Factor de suavidad, 36 Filtros ca,102 cd,102 tipo C, 106 tipo LC, 108, 111 Frecuencia amortiguada natural, 805 de llamada, 53 de resonacia, 52
G
Ganancia de corriente, 125,308 de base comn, 308 GTO,318 caractersticas de, 319 circuito amortiguador de, 338 1
Indice semipuente resonante en serie, 357,363 tipos de, 227 varios niveles, 406 lnversores en resonancia, 352 clase E, 383 conmutacin con corriente cero, 388 conmutacin con voltaje cero, 393 corriente inversa, 306 en paralelo, 374 en serie, 353 enlace de cd, 399 lnversores multinivel, 406 comparacin de, 428 concepto de, 407 de capacitores voladores, 414 en cascada, 417 fijacin con diodo, 409 propiedades de, 428 tipos de, 408 M Magntico circuitos, 839 diseo, 630 saturacin, 635 MCT,325 Modelo SPICE BJT,155 diodo, 40 GTO,343 IGBT,158 MCT,345 MOSFET,155 SITH,345 tiristor,342 Modo de bloqueo, 5, 68 Modulacin ancho de impulso, 168,250,461 ancho de impulso mltiple, 250 ancho de impulso sinusoidal modificado, 257 ancho de impulso sinusoidal, 253, 265, 463 ancho de impulso uniforme, 251 avanzada, 260 delta, 264 escalera. 261 escalonada, 262
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frecuencia de, 168,262 impulso nico, 246 ndice, 170,261,248,464 inyeccin armnica, 262 sobremodulacin, 267, 278 trapezoidal,260 uriipolar,282 vector de referencia, 274 Mdulos, 26 corriente inteligente, 27 inteligentes, 26 potencia, 26 MOSFET,144 accionamiento de compuerta de, 138 caractersticas de conmutacin de, 142 caractersticas de estado estable de, 144 modelo en SPICE, 155 Motor(es) ca,692 reluctancia, 743 reluctancia conmutada, 744 sin escobillas, 747 Motor de pasos control,749 imn permanente, 753 reluctancia variable, 750 Motores de cd, 640 caractersticas de magnetizacin de, 643 caractersticas de, 641 control de voltaje de, 643 control del campo de, 643 en serie, 643 velocidad base de, 643 zona muerta, 356 Motores de induccin, 693 caractersticas de desempeo de, 694 control de corriente de, 716 control de frecuencia de, 711 control de potencia de deslizamiento de, 704 control de voltaje de estator de, 701 control de voltaje y frecuencia de, 713 control de voltaje, corriente y frecuencia de, 720 control del voltaje del rotor en, 703 debilitamiento de campo de, 712 Motores sncronos, 738 control en lazo cerrado de, 745
876
ndice imn permanente, 743 motores de reluctancia combinada, 744 polos salientes, 741 reluctancia,743 rotor cilndrico, 738 monofsicos de media onda, 68 monofsicos en puente, 77, 78, 849, 851 multifsicos en estrella, 87 refuerzo, 208 trifsicos en puente, 92 Recuperacin inversa, 35 carga, 36 'Reguladores anlisis estado-espacio de, 217 ::omparacin de, 205 (;:k,198 {levador, 190 inversor, 194 .imitaciones de, 204 modo de conmutacin, 166, 186 reductor y elevador, 194 reductor, 166, 186 retroceso, 610 varias puntas, 206 Relacin amortiguamiento, 53, 804, 806 frecuencia, 251 rectificacin, 70 vueltas, 59 Relevadores de lengeta, 562 estado slido, 561 fotovoltaicos, 563 microelectrnicos, 563 Resistencia trmica, 136,792 Ruptura por avalancha, 305
o
Onda cuasi-cuadrada, 378 Optoacopladores, 769, 770
p
Par ngulo, 740 desarrollado, 695 mximo de arranque o de desenganche, 697, 740 Parmetros de desempeo, 24 convertidor cd-cd, 181 de diodo rectificador, 69 inversores, 230 Periodo de circuito tanque, 402 Potencia de deslizamiento, 704 Propulsores de ea, 692 fuente de corriente, 718 motores de induccin, 693 motores sncronos, 738 Protecciones, 791 corriente, 815 de barra, 822 Tasa dildt, 338 Tasa dv/dt, 339 voltaje, 813 R Radiadores, 791 Reactancia conmutante, 117 corriente circulante, 442 sncrona, 738 Rectificadores,68 clase E,383 comparacin de, 101 controlados, 20, 431 diseo del circuito, 101 eficiencia, 70 en puente, 78
s
Saturacin de transistor, 127 Semi conductor dopado,32 intrnseco, 32 tipo n, 32 tipo p,32 Sinusoidal amortiguado, 53 Sistemas flexibles de transmisin en ca, 570 controlador, 570 SIT (transistor de induccin esttica), 145 SITH,328 Sobremodulacin, 256
Indice
877
T
Tasa di/dt proteccin. 162,338 Tasa dv/dt proteccin, 151, 339 Trmico circuito equivalente, 800 constante de tiempo, 795 impedancia, 795 modelado, 777 resistencia, 136,792 voltaje, 34 THD,71,230 TIempo almacenamiento, 129 cada, 144 desconexin, 6, 7, 311 encendido, 37,130,310 recuperacin directa, 37 recuperacin inversa, 36 retardo, 129,310 retardo de desconexin, 144 subida, 144,310 Tiristores,6 activados por luz, 316 aislados conmutados en compuerta, 324 apagado asistido en compuerta, 6 apagado en compuerta, 318 apagado por emisor, 323 asimtricos, 316, 317 caractersticas de, 304 circuitos de disparo de, 770 circuitos de proteccin de compuerta, 772 comparacin de, 330 conductores inversos, 317 conmutacin rpida, 315 control de fase, 314 controlado por FET, 322 controlados por MOS, 323,325 desconexin de, 311, 356 encendido de, 309 induccin esttica, 5, 328 modelo de ea en SPICE, 341, 542 modelo de cd en SPICE, 342 modelo de. con dos transistores, 307
operacin en paralelo, de, 337 operacin en serie de, 330 tipos de, 313 triodo bidireccional, 316 Transconductancia, 129, 141 Transformacin directa y eje de cuadratura, 728 Transformador, 842 diseo de, 630 Transformador de impulsos, 769, 771 Transistor( es) accionamientos en compuerta y en base de, 763,767 bipolar, 5, 11, 122, 123 caractersticas, 124 comparacin, 160 de polarizacin directa, 135 en polarizacin inversa, 135 IGBT,147 MOS fro, 144 MOSFET, 5, 11, 137 NPN,123 operacin de, en serie y en paralelo, 150 PNp, 123 potencia, 9, 122 ruptura secundaria, 135 saturacin, 127 SIT, 5, 11, 145 Tasa dv/dt o di/dt, 151 tipos de, 122 Transistor de unin nica, 772 programable,775 Transistores bipolares de unin (BJT) caractersticas de conmutacin de, 128 caractersticas de estado estable de, 124 control de accionamiento en la base de, 763 ganancia de corriente de, 125 modelo SPICE, 155 parmetros de funcionamiento de, 124 Transmisin flexible de ea, 570 potencia, 571 TRIAC,316 U UPFC,596 UPS,623
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ndice Velocidad base, 643, 711 nominal, 643 sncrona, 693 Voltaje de codo, 138 Voltaje de ruptura, 136 Voltaje de umbral, 139 Voltaje directo de ruptura, 305
v
Valor cuadrtico medio (RMS) , 24 VAR estticos, 571,580,589 VAR,571 Vector en el espacio, 27,273 conmutadores, 275 secuencia, 276 transformacin, 271
-A
sen cos - senA cosA
90 A
180 A
=+=
270 A
360 k A
cosA
=+=
senA
- cosA
senA
senA cosA
senA
- cosA
sen (A B) cos (A B)
sen Asen B
sen 2A cos 2A
= 2 sen A cos A
sen A + sen B
sen A - sen B
sen
cos A + cos B
cos
cos A - cos B
1
2 sen
sen
sen Asen B
seo A cos B
J J
sen nx dx
= --nx 2
-
cos nx
2 d sen nx x
= -
sen 2nx 4n
J J J J J
sen mx sen nx dx
para m
cos nx dx
X
sen nx --nsen 2nx 4n sen (m - n)x 2(m - n) sen2nx 2n cos (m - n)x _ cos (m + n)x 2(m _ n) 2(m + n) para m # n
cos/ nx dx
= - + --2
para m
ALGUNAS UNIDADES Y CONSTANTES Cantidad Longitud Masa Fuerza Par Momento de inercia Potencia Energa Unidades 1 metro (m) 1 kilogramo (kg) 1 newton (N) 1 newton-metro (N.m) 1 kilogramo-metro/ (kg.m/) 1 watt (W) 1 joules (1) Equivalente 3.281 pies (ft) 39.36 pulgadas (in) 2.205 libras (lb) 35.27 onzas (oz) 0.2248 libras fuerza (lbf) 0.738 libra pie (lb ft) 23.7 Iibras-pie/ (lbJe) 0.7376 pies-libra/segundo 1.341 X 10-3 caballos de fuerza (hp) 1 watt-segundo 0.7376 pies-libra 2.778 X 10-7 kilowatt-hora (kWh) 746 watts 108 maxwells o lneas (1weber/metro? Wb/m2) 104 gauss 1.257
X
Caballo de fuerza Flujo magntico Densidad de flujo magntico Intensidad de campo magntico Permeabilidad del espacio vaco
102 oersted
9 789702 605324