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TD n° 4 - Physique des Semi-conducteurs

Les solides connus sous le nom de semi-conducteurs sont depuis les dernières
décennies l'objet de très importantes recherches, ceci non seulement en raison de leur intérêt
propre mais encore des applications de plus en plus nombreuses et fructueuses dont ils sont
l'objet. Ces applications sont en effet innombrables : redresseurs, transistors, cellules
photoélectriques, magnétomètres, lasers...
Une des caractéristiques essentielles de certaines de ces applications est la
miniaturisation possible des dispositifs. Mais la plus spectaculaire et la plus importante des
applications des semi-conducteurs est le développement de l'informatique.
Les semi-conducteurs sont des isolants dont la bande interdite est suffisamment faible
pour que l'excitation thermique permette à un petit nombre d'électrons de peupler la bande de
conduction. Ce qui va "travailler" dans un dispositif, c'est ce petit nombre d'électrons. Il est
clair que ce petit nombre d'électrons peut être influencé par un petit nombre d'impuretés
chimiques ou même par la surface du cristal.

Les semi-conducteurs sont actuellement les solides les plus purs et les mieux contrôlés
que l'on sache élaborer.

On se propose maintenant d'étudier, à l'équilibre thermodynamique, les propriétés des


semi-conducteurs intrinsèques et dopées, en synthétisant les résultats des Travaux Dirigés
précédents. On appliquera les résultats à l’Arséniure de Gallium (GaAs), caractérisé par les
données suivantes :

me = 0,07 mo, ; mt = 0,64 mo ; Eg = 1,4 eV

Exercice n°1 - Propriétés des porteurs de charges intrinsèques dans un semi-conducteur

1°) Dans le cas où la bande de valence ne dispose que d'une place de libre, les propriétés
électriques des électrons dans cette bande se ramènent à l'étude d'une particule, appelée trou.
Préciser la charge qt , le vecteur d’onde kt , la vitesse vt , la masse effective mt et l'énergie Et
de cette particule.

2°) Donner l'expression de la densité d'états par unité de volume des électrons de conduction
ρ(E) = D(E)/V en fonction de Ec (énergie du fond de la bande de conduction) et me (masse
effective des électrons de conduction) ainsi que celle des trous, en fonction de EV (énergie du
haut de la bande de valence) et mt. Représenter la densité d'états ρ(E), la fonction de Fermi-
Dirac f(E) et la densité de porteurs (électrons et trous) en fonction de l'énergie E.

3°) Calculer la densité volumique des porteurs de charge n (électrons dans la bande de
conduction) et p (trous dans la bande de valence). Montrer que, pour :

(Ec - EF) >> kBT et (EF - Ev) >> kBT,

ces densités peuvent être mises sous la forme :

EC − E F EF − EV
− − ∞ π
n = Nc e k BT
et p = NV e k BT
. On donne : ∫ x e − x dx =
0 2

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Préciser alors NC et NV en fonction des masses effectives et de la température. On les
appelle respectivement densités d'états effectives ou équivalentes de la bande de conduction et
de la bande de valence.

Calculer leur valeur pour l’Arséniure de Gallium à température ambiante.

4°) Dans le cas d'un semi-conducteur intrinsèque, la création de paires électron - trou se fait
par activation thermique de la bande de valence vers la bande de conduction ; il y a donc
autant d'électrons que de trous.
En posant n = p, donner l'expression de la position du niveau de Fermi en fonction de Eg , NV
et NC puis de Eg , mt et me. Déterminer la concentration de porteurs intrinsèques ni .

Calculer ces valeurs pour le GaAs intrinsèque.

Exercice n°2 - Semi-conducteurs dopés

On rajoute des atomes donneurs d'électrons (concentration ND) ou accepteurs


d'électrons (concentration NA) dont les niveaux énergétiques sont situés dans la bande
interdite, proche de la bande de conduction pour les donneurs et proche de la bande de
valence pour les accepteurs.

1°) Combien y a-t-il d'électrons dans la bande de conduction (n), et de trous dans la bande de
valence (p) à température nulle ?

2°) A température moyenne, lorsque l'énergie thermique kBT est plus grande que les potentiels
d'ionisation EC - ED et EA - EV , pratiquement tous les donneurs ont "vu s'échapper" leurs
électrons vers la bande de conduction et portent donc une charge positive, pendant que tous
les accepteurs ont capturé un électron en provenance de la bande de valence et portent une
charge négative.

Donner le nombre total de charges négatives (électrons de conduction et accepteurs


ionisés) et positives (trous et donneurs ionisés). Quelle relation est imposée par le fait que le
matériau soit électriquement neutre ? En utilisant la loi d'action de masse np = ni2 , où ni est le
nombre de porteurs intrinsèques, déduire une équation quadratique pour n et p en fonction de
ni , ND et NA. L'une des solutions de ces deux équations décrit la réalité physique, laquelle et
pourquoi ?

3°) On se place tout d'abord dans le cas où le nombre de porteurs intrinsèques ni est petit
devant ND et NA. Calculer n et p, ainsi que la position du niveau de Fermi, pour un semi-
conducteur dopé n (ND >>NA), puis dopé p (NA >>ND), en ne retenant que le premier terme
significatif.

Calculer ces valeurs pour un cristal de GaAs dopé n avec ND = 1016 cm-3.

4°) Que se passe-t-il à haute température ? Tracer de façon qualitative les variations
logarithmiques de n et p en fonction de l'inverse de la température (1/T) pour les différents
régimes étudiés.

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Exercice n°3 - Semi-conducteur intrinsèque et dopé « p »

On considère un semi-conducteur caractérisé par un densité d’état constante et égale à


C aussi bien dans la bande de valence que dans la bande de conduction. Ces bandes, séparées
par Eg, ont comme largeur respective Ev et Ec (voir figure).

E 1°) Sachant que le niveau de Fermi EF se trouve dans la bande


Ec + Eg interdite (5kBT < EF < Eg – 5kBT) ce qui permet de faire la
simplification habituelle pour f(E), établir l’expression littérale
du nombre n d’électrons dans la bande de conduction en
fonction des données et de la température absolue.
Eg
Même question pour le nombre de trous t dans la bande de
EF valence.
C
0
g(E) 2°) En déduire l’expression de la densité volumique des porteurs
intrinsèques ni à la température ambiante (kBT = 25meV) et celle
donnant la position du niveau de Fermi EF(i).
-Ev
A. N. : Eg = 0,7eV, Ec = Ev = 5eV et C = 2 x 10 21 électrons / cm3 / eV.

3°) Quelle est, à cette même température, la conductivité électrique intrinsèque du matériau ?
On prendra µ t = µ e = 1000 cm2 / V.sec.

4°) Le matériau est dopé « p » avec N0 impuretés toutes ionisées. Donner les expressions et les
nouvelles valeurs de n(d), t(d), σ(d) et EF(d) avec N0 = 1012 imp / cm3 puis N0 = 1014 imp / cm3.

Exercice n°4 - Transitions optiques dans les semi-conducteurs

Par absorption d'un photon d’énergie ηω, un électron peut être excité du maximum de
la bande pleine (dite bande de valence) vers le minimum de la bande de conduction. Dans le
cas d'une transition directe, le minimum et le maximum se trouvent à la même valeur de k
dans l'espace réciproque. Pour une transition indirecte, les extrema sont séparés par ∆k ; cette
quantité de mouvement est fournie par un phonon qui est créé au cours de l'absorption
optique.

1°) Dessiner de façon qualitative les deux bandes dans le plan (E,k) pour les transitions directe
et indirecte.

2°) Discuter les lois de conservation de l'énergie et de la quantité de mouvement. Utiliser la


notation ω et k pour le photon, et Ω et K pour le phonon ; la largeur de la bande interdite est
Eg = 1 eV.

3°) Calculer la quantité de mouvement k du photon. Comparer cette valeur avec l'écart des
extrema pour une transition indirecte, ∆k ≈ 1/Å. Déduire la quantité de mouvement du phonon
K requise pour satisfaire la loi de conservation. Calculer la fréquence du phonon Ω pour une
vitesse du son de v = 3000 m/sec.

4°) Comparer Ω / ω et K / k. Commentaires. Quelles sont les conséquences pour les lois de
conservation ?