Electronica I

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING.
G. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I CONTENIDO APUNTE MATERIA ELECTRONICA I Capitulo 1 1-1 Anlisis de los circuitos lineales y no lineales 1-1 Repaso de la teora de los circuitos linealesPg.01 1-1 Ley de Ohm01 1-1 Unidades de tensin y corriente. .......................................................................01 1-1 Leyes de Kirchoff. .. .02 1-1 Tensiones elctricas de alimentacin de CC de los circuitos electrnicos. .02 1-1 Resolucin de un circuito lineal con dos fuentes de alimentacin opuestas y referidas a un terminal comn o masa. ..03 1-1 Caracterstica tensin-corriente (V-I) de un elemento del circuito elctrico.03 1-1 Caracterstica V-I de un circuito que posee tensin y resistencia elctrica. 03 1-1 Caracterstica de transferencia de un circuito elctrico. . .04 1-1 Circuitos elctricos con Histresis. .......05 1-1 Resolucin de circuitos lineales por mtodo de superposicin. ...05 1-1 Fuentes de alimentacin elctrica de corriente y de tensin dependientes. 07 1-1 Teorema de Millman. 08 1-1 Teorema de Thevenin. 09 1-1 Resolucin de un circuito elctrico lineal con fuentes dependientes con el mtodo de simplificacin de Thevenin...10 1-1 Determinacin de la resistencia elctrica de Thevenin con el mtodo de la corriente de cortocircuito y el mtodo de la tensin de prueba. ..10 1-1 Circuito Equivalente de Norton. ...13 1-1 Teorema de Miller. ...14 1-1 Dual del teorema de Miller. ..14 1-1 Divisor de tensin y divisor de corriente. .14 1-1 Fuentes de alimentacin elctrica de tensin y corriente reales. ..15 1-1 Propiedades bsicas de los circuitos elctricos no lineales. .16 1-1 Resolucin de circuitos elctricos con componentes no lineales. 17 1-1 Resolucin por el mtodo matemtico exacto..18 1-1 Mtodo de resolucin grafico. .19 1-1 Mtodo por modelado por segmentos lineales. . 19 1-1 Resolucin de circuitos con elementos no lineales por el mtodo de Newton de iteracin sucesiva. . .20 1-2 Diodos semiconductores Principios fsicos de los semiconductores. .01 Niveles de energa atmica. 01 Bandas de energas atmicas en los materiales 02 Materiales aisladores. ..03 Materiales conductores. ...03 Materiales semiconductores. ...03 Portadores de carga: huecos y electrones. ...04 tomos donadores y receptores. .04 Ubicacin de energa de los tomos donadores. .05 Ubicacin de energa de los tomos receptores. .06 Caractersticas fsicas de la unin PN. 06 Polarizacin directa de la juntura PN. 08 1
1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-2 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-3 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 1-4 Polarizacin inversa de la juntura PN..09 El diodo semiconductor. ..10 Caracterstica tensin-corriente10 Polarizacin directa del diodo semiconductor..11 Polarizacin inversa del diodo..12 Corriente inversa en los diodos reales...12 Resolucin de un circuito elctrico que tiene un diodo semiconductor13 Modelos aproximados lineales del diodo semiconductor..14 Modelo lineal del diodo semiconductor para corriente alterna de baja seal16 Circuito equivalente del diodo semiconductor para seales incrementales 17 Parmetros elctricos suministrados por los fabricantes para los diodos Semiconductores19 Tiempos de conmutacin del diodo semiconductor...20 1-3 Circuitos con diodos semiconductores Diodo limitador o recortador..01 Diodo rectificador de picos positivos o negativos..02 Circuito fijador o enclavador de picos positivos o negativos a masa02 Circuito duplicador de tensin03 Circuito triplicador de tensin04 Circuito cuadriplicador de tensin.04 Circuito de muestreo con diodos (puerta de discriminacin).05 Circuito detector de envolvente..06 Generadores de funciones con diodos semiconductores06 Circuitos rectificadores de corriente alterna con diodos semiconductores07 Rectificador monofsico de media onda08 Rectificadores monofsicos de onda completa.09 Filtros pasivos para los rectificadores10 Anlisis del filtro pasivo a condensador.10 Rectificador de onda completa con filtro pasivo a condensador12 Regulacin de carga de una fuente de alimentacin de corriente continua12 1-4 Diodos especiales Diodos Zener......01 Anlisis de un circuito bsico con diodo Zener.....02 Capacidad de la juntura pn.04 Capacidad de transicin Ct.04 Capacidad de difusin....05 Diodo Varicaps...05 Curvas tpicas de variacin de Ct...05 Diodo Tnel06 Caracterstica V-I del diodo Tnel.06 Diodo Schottky...07 Fotodiodos. 08 Caracterstica tensin-corriente-intensidad luminosa del fotodiodo09 El fotodiodo como foto-generador (clula fotovoltaica)10 Diodos emisores de luz... 11 Diodos de corriente constante12 Diodos de recuperacin en escaln12 Diodos invertidos...12 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I Apndice 1 Componentes pasivos Resistores lineales .01 Resistores de composicin de carbn01 Resistores de alambre arrollado.01 Resistores de pelcula de metal y pelcula de carbn.01 Valores de tolerancia..01 Tabla 1: Valores estndar para resistores de carbn y metal.02 Tabla 2: Caractersticas generales de varios tipos de resistencia...03 Tabla 3: Cdigo de colores para los resistores...03 Tabla 4: Valores estndar para los resistores de alambre arrollado04 Tabla 5: valores estndar de disipacin para los resistores lineales04 Resistores ajustables05 Tabla 6: Valores estndar para potencimetros de plstico05 Tabla 7: Valores estndar para potencimetros lineales de carbn.05 Tabla 8: Valores estndar para potencimetros CERMET.05 Valor real esperado para las resistencias elctricas lineales...06
Dibujos simplificados de los resistores de carbn, pelcula metlica y enrollados06 Resistores no lineales.07 Termistores07 Termistores NTC...07 Termistores PTC09 Resistencias elctricas con semiconductores..10 Varistores10 Las fotorresistencias11 Condensadores12 Dielctrico del capacitor.13 La reactancia capacitiva..13 Capacidad parasita..14 Perdida de energa en los capacitores..14 Modelo de circuitos equivalentes en los capacitores reales.15 El factor de disipacin D.16 Voltaje de ruptura del capacitor...16 Tipos de capacitores.16 Capacitores de cermica y vidrio.17 Capacitores de cermica...17 Capacitores de cermica SIBATIT 5000018 Capacitores de papel.18 Capacitores de pelcula plstica19 Capacitores electrolticos..19 Tabla 9: valores estndar de capacitores electrolticos de aluminio.20 Capacitores variables20 Tabla 10: Caractersticas generales de los distintos tipos de capacitores.21 Los inductores...21 Estructura de los inductores..22 Transformadores elctricos...24 Aplicacin de los transformadores25
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I Capitulo 2 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 2-1 Transistores bipolares Los transistores semiconductores..01 Clasificacin de los transistores02 El transistor de unin bipolar (BJT)..03 Smbolos de los transistores PNP y NPN..03 Configuraciones del transistor bipolar. 04 El transistor bipolar en circuito abierto 05 Polarizacin del transistor bipolar.05 Polarizacin del transistor bipolar en zona activa.06 Ganancia de corriente para grandes seales en configuracin base comn..08 Desarrollo conceptual de la amplificacin de seales elctricas...08 Caractersticas tensin-corriente del transistor en la configuracin base comn..10 Configuracin de transistor en emisor comn 10 Caractersticas tensin-corriente del transistor en emisor comn. 11 Variacin de y con la corriente con la corriente de emisor..12 Regin de corte para la configuracin emisor comn13 Consideraciones del circuito de entrada para el corte del transistor...13 Regin de saturacin para el transistor en la configuracin emisor comn 14 Resistencia de saturacin15 Ganancia de corriente continua en la zona de saturacin 15 Valores tpicos de las tensiones de polarizacin para transistores de seal16 Caractersticas de conmutacin del transistor de unin bipolar..18 Modelos aproximados para corriente continua del transistor en emisor comn.20 Mxima tensin alcanzable en los terminales del transistor 22 Anlisis de amplificacin lineal para un amplificador bsico en emisor comn 26 Polarizacin del transistor bipolar por el emisor.28 Excitacin de diodos luminosos con polarizacin por base y emisor..30 El fototransistor...32 Optoacopladores..33 Estabilidad del punto de polarizacin para un amplificador lineal.33 Estabilizacin por polarizacin con realimentacin por colector...35 Estabilizacin del punto de polarizacin por realimentacin por emisor...35 Amplificador bsico con transistor bipolar de una sola etapa (discreto)36 Polarizacin y estabilizacin de emisor con dos fuentes de tensin...37 Polarizacin y estabilizacin de amplificadores lineales en circuitos integrados...37
2-2 Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar 2-2 Modelos incrementales del transistor de unin bipolar......01 2-2 Modelo T 01 2-2 Modelo 02 2-2 Modelo hbrido del transistor bipolar para bajas frecuencias.02 2-2 Variaciones de los parmetros hbridos..04 2-2 Modelos incrementales del transistor bipolar para altas frecuencias.05 2-2 Modelo hibrido para la configuracin emisor comn05 2-2 Circuito incremental del transistor bipolar utilizando los parmetros admitancia.08 2-2 Parmetros S o de dispersin..10 2-2 Circuito elctrico equivalente incremental para frecuencias medias para un amplificador bsico discreto..10 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 2-2 Anlisis Gral. de un circuito amplificador bsico con transistor bipolar12 2-2 Amplificacin de corriente teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de alterna..13 2-2 Clculos aproximados para una etapa amplificadora de tensin con transistor Bipolar....13 2-2 Estabilidad de la ganancia de tensin en la configuracin emisor comn..16 2-2 Recta de carga esttica y dinmica.18 2-2 Anlisis de un amplificador de dos etapas..20 2-2 Etapa amplificadora bsica con transistor bipolar en configuracin colector comn22 2-2 Aplicaciones de la configuracin colector comn o Circuito seguidor de emisor25 2-2 Combinacin de una etapa en emisor comn con otra en colector comn...25 2-2 Regulacin de tensin con diodo Zener y una etapa en colector comn..26 2-2 Conexiones de transistores bipolares en forma compuesta.. 28 2-2 Conexin Darlington.28 2-2 2 par compuesto...29 2-2 3 par compuesto...29 2-3 Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin Relaciones de potencia en los amplificadores con transistores01 Disipacin de la potencia elctrica en los transistores.02 Resistencia trmica...03 Potencia mxima disipada por un transistor bipolar04 Eficiencia en los amplificadores..07 Eficiencia en el amplificador clase A con carga acoplada directamente.07 Eficiencia del amplificador clase A con carga acoplada con transformador..08 Eficiencia del amplificador clase B.10 Amplificador clase AB11 Amplificador clase C...11 Amplificadores clase D 12 Amplificador de potencia clase B en contrafase13 Distorsin por cruce por cero del amplificador en contrafase clase B14 Amplificador en contrafase clase B con transistores complementarios..15 Polarizacin del amplificador en contrafase clase AB simetra complementaria con fuente nica17 Amplificador bsico en contrafase clase AB con etapas de excitacin..17 Relaciones de potencia elctrica para el amplificador en contrafase clase B.18 Amplificador en contrafase clase AB en simetra casi complementara.20 Amplificadores de potencia en circuitos integrados...21 Caractersticas elctricas especificas de los amplificadores de potencia de audio para seales de audiofrecuencias 23 Notacin en decibeles (db).24 Nivel absoluto de potencia (dbm)...25 Nivel relativo de la potencia (dbr). 25 Nivel cero relativo de potencia ( dbr=0).25 Relacin entre niveles absoluto relativo y cero de la potencia25 Nivel absoluto de la tensin (dbu)..25 Aplicacin de los decibelios a una cascada de amplificadores..26 5
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Distorsin en los amplificadores electrnicos27 Distorsin no lineal27 Distorsin alineal por amplitud..27 Distorsin alineal por nter modulacin.28 Distorsin de fase...29 Distorsin en frecuencia.29 Consideraciones sobre la fidelidad o linealidad de un amplificador..29 Anlisis de la respuesta en baja frecuencia con el filtro pasivo pasa alto..31 Anlisis de la respuesta en alta frecuencia con el filtro pasivo pasa bajos....33 Respuesta global con la respuesta para un amplificador....34 Representacin de bode (curvas de Bode).35 Distorsin por generacin de ruido en los amplificadores.36 Ruido trmico o de Jonson.37 Efecto Shot o Schottky..38 Figura o factor de ruido..38 Ruido del transistor bipolar39 Ruido en los transistores de efecto de campo (FET)..39 2-4 Transistores de efecto de campo Los transistores de efecto de campo FET (clasificacin y tipos)...01 Transistores de efecto de campo de juntura (JFET) 02 JFET tcnica planar (circ. Integrados )..02 Anlisis de su funcionamiento...03 Caractersticas elctricas de salida para el JFET de canal N.04 Comparacin zonas de funcionamiento entre el JFET y el BJT05 Zona hmica o de trodo 05 Zona de saturacin o de contraccin.06 Zona de corte.06 Zona de ruptura.06 Zona de polarizacin directa de la juntura puerta-canal...07 Amplificador bsico con JFET.07 Auto polarizacin por resistencia de fuente.08 Modelo aproximado del JFET para grandes seales11 Circuito aproximado del JFET en zona de saturacin.11 Modelo equivalente lineal del JFET para pequea seal.12 Valores tpicos de los parmetros incrementales del JFET..13 Transistores de efecto de campo de puerta aislada (MOS o MOSFET) 14 Transistor MOS de deplexin o empobrecimiento..15 Smbolos elctricos utilizados para el transistor MOS de deplexin..16 Amplificador bsico con MOS de deplexin..16 Amplificador bsico con MOS de deplexin..16 Amplificador cascado..17 Transistor MOS de puerta aislada de enriquecimiento o acumulacin...19 Smbolos elctricos para representar el transistor MOS de enriquecimiento..20 Zonas de funcionamiento del transistor MOS de enriquecimiento canal N21 Datos tpicos del MOS de enriquecimiento.21 Aplicaciones de los MOSFET de enriquecimiento.23 Circuito inversor con resistencia pasiva..23 6
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 2-4 2-4 2-4 2-4 Circuito inversor con resistencia activa..24 El circuito inversor CMOS (inversor MOS complementario)25 Anlisis cualitativo para el comportamiento dinmico del CMOS27 Determinacin de la curva de transferencia esttica del inversor CMOS..27 2-5 La realimentacin en los amplificadores electrnicos Introduccin01 Amplificador de tensin.01 Amplificador de corriente..01 Amplificador de transconductancia........02 Amplificador de tras impedancia o trasresistencia.02 El concepto de la realimentacin02 Amplificador realimentado.03 Circuito de muestreo 04 Red comparadora o mezcladora.04 Ventajas de la realimentacin negativa..05 Inconvenientes de la realimentacin negativa05 Clculo de la ganancia de transferencia de un amplificador realimentado05 Ganancia de lazo07 Cantidad de realimentacin...07 Caractersticas grales de la realimentacin negativa.07 Estabilidad de la ganancia con realimentacin. 08 Distorsin en frecuencia... 08 Distorsin no lineal y ruido.. 08 Impedancias de entrada y salida... 09 Estabilidad de los amplificadores electrnicos realimentados. 10 Criterio Gral. de estabilidad. 11
2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5 2-5
Capitulo 3 3-1 Los circuitos integrados 3-1 Tecnologa de los circuitos integrados 01 3-1 Transistores bipolares integrados..03 3-1 Diodos integrados..04 3-1 Resistores integrados.04 3-1 Condensadores integrados.04 3-1 Tolerancias y reas ocupadas05 3-1 Aspectos econmicos06 3-1 Escalas de integracin de los circuitos integrados07 3-2 Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos 3-2 Caractersticas grales de los amplificadores electrnicos..01 3-2 El amplificador operacional 03 3-2 Etapas fundamentales que componen un amplificador operacional..03 3-2 Caractersticas principales de la etapa amplificadora diferencial..04 3-2 Comportamiento del amplificador diferencial balanceado con grandes Seales 05 3-2 Anlisis del amplificador diferencial con pequea seal.. 08 3-2 Ganancia del amplificador diferencial en modo comn.09 3-2 La relacin de rechazo en modo comn.10 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 3-2 Las fuentes de corrientes en los amplificadores diferenciales12 3-2 Espejos de corriente15 3-2 Circuito repetidor mltiple.16 3-2 Espejo de Wilson16 3-2 Cargas activas.17 3-2 Circuitos de desplazamiento de nivel.18 3-2 El diodo amplificado..19 3-2 Amplificador diferencial no balanceado20 3-2 Caractersticas elctricas de entrada del amplificador diferencial prctico...21 3-2 Tensiones diferentes VBE en el amplificador diferencial.21 3-2 Ganancias en el amplificador diferencial no balanceado..22 3-2 Anlisis en continua del amplificador diferencial no balanceado.22 3-2 Esquema simplificado de un amplificador Operacional23 3-2 Smbolos del amplificador operacional.24 3-3 El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) 3-3 Funciones de transferencia con el amplificador operacional ideal (AOI).01 3-3 Aplicaciones del amplificador operacional...01 3-3 Aplicaciones del amplificador operacional para la resolucin de operaciones matemticas en forma analgica..01 3-3 Funcin de transferencia para el AOI realimentado negativamente.02 3-3 Multiplicacin por una constante..03 3-3 Suma de varias variables de entrada multiplicadas por una constante Negativa..04 3-3 Resta de dos variables de entradas multiplicadas por constantes..05 3-3 Derivacin en el tiempo de una variable de entrada..06 3-3 Integracin en el tiempo de una variable de entrada..06 3-3 Resolucin de ecuaciones diferenciales con amplificadores operacionales...07 3-3 El amplificador operacional en la configuracin no inversora...10 3-3 Aplicacin del AO no inversor como seguidor de tensin.11 3-3 Caractersticas de los amplificadores operacionales reales12 3-3 Conexin de las fuentes de alimentacin... 13 3-3 El terminal de salida13 3-3 Terminales de entrada..13 3-3 Ganancia de tensin a circuito abierto (o a lazo abierto).14 3-3 Impedancias caractersticas de los AOR..14 3-3 Impedancia de entrada del AOR con realimentacin en configuracin Inversora...15 3-3 Impedancia de entrada del AOR con realimentacin en configuracin no inversora...16 3-3 Impedancia de salida que ve la carga con realimentacin17 3-3 Funcin de transferencia del AOR realimentado en configuracin inversora con Av finito..17 3-3 Otras caractersticas elctricas del amplificador real (AOR)...18 3-3 Las corrientes de polarizacin de entrada y su desviacin......18 3-3 Desviacin de la tensin de entrada.19 3-3 La ganancia en modo comn21 3-3 Las derivas por variacin por temperatura...22 3-3 La respuesta en frecuencia22 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 3-3 Velocidad de respuesta del AOR..25 3-3 Amplificacin de tensiones elctricas continuas dbiles con el amplificador operacional28 3-4 Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos 3-4 Los circuitos regenerativos..01 3-4 Caractersticas de los estados de las salidas de los circuitos regenerativos.01 3-4 Clasificacin de los circuitos regenerativos.01 3-4 Los circuitos biestables02 3-4 Biestable realizado con amplificador operacional 03 3-4 Circuito multivibrador monoestable04 3-4 Circuito monoestable con amplificador operacional...05 3-4 El circuito multivibrador astable.07 3-4 Circuito astable con amplificador operacional08 3-4 Los circuitos comparadores.09 3-4 Circuitos integrados comparadores de tensin10 3-4 Configuraciones de los circuitos comparadores..11 3-4 El CI comparador de precision 111/311..13 3-4 Circuitos regenerativos como comparadores de tensin (Comparador Schmitt)14 3-4 Comparador Schmitt con amplificador operacional no inversor16 Capitulo 4 4-1 Circuitos osciladores 4-1 Los circuitos osciladores..01 4-1 Aplicaciones de los circuitos osciladores.01 4-1 Clasificacin.01 4-1 Osciladores con elementos activos que presentan resistencia negativa...02 4-1 Circuito bsico practico utilizando un diodo tnel..04 4-1 Osciladores con realimentacin externa..04 4-1 Teora Gral. de la oscilacin05 4-1 Criterio de oscilacin de Barkhausen..06 4-1 Consideraciones practicas07 4-1 Mtodos grales para analizar y disear circuitos osciladores..07 4-1 Osciladores tipo RC.07 4-1 Osciladores por cambio de fase...07 4-1 Oscilador de cambio de fase con transistor bipolar.08 4-1 Oscilador por cambio de fase con transistor JFET..09 4-1 Oscilador por cambio de fase con amplificador operacional..10 4-1 Osciladores con redes de realimentacin RC de atraso-adelanto11 4-1 Circuito de atraso.11 4-1 Circuito de adelanto.11 4-1 Circuito de retardo- adelanto...12 4-1 Oscilador en puente de Wien con amplificador operacional...13 4-1 Oscilador en doble T con AO..14 4-1 Mtodo Gral. para la resolucin de los circuitos osciladores con realimentacin externa15 4-1 Tratamiento del cuadripolo de realimentacin externa...16 4-1 Osciladores con circuitos resonantes LC.18 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 4-1 Oscilador Colpitts18 4-1 Oscilador LC Hartley con transformador20 4-1 Oscilador Hartley con auto transformador con transistor bipolar en emisor comn..21 4-1 Oscilador Clapp con transistor comn en emisor comn....22 4-1 Oscilador Colpitts con amplificador operacional.22 4-1 Oscilador Hartley con auto transformador con amplificador operacional..23 4-1 La estabilidad de la frecuencia de los osciladores....23 4-1 Osciladores a cristal..24 4-1 Piezoelectricidad...24 4-1 Materiales piezoelctricos.25 4-1 Circuito equivalente elctrico del cristal piezoelctrico....26 4-1 Circuito oscilador Pierce a cristal..28 4-1 Compensacin con la variacin de la temperatura ambiente28 4-1 Osciladores controlados por voltaje (VCO)..29 4-1 Oscilador de voltaje controlado en circuito integrado CI 566...31 4-1 Generacin de una frecuencia fija con el VCO con el circuito integrado 566..32 4-1 Variacin de la frecuencia de salida del VCO con el circuito integrado 566....33 4-1 Operacin del VCO con seal de entrada modulante en frecuencia (CI566)34
4-2 Osciladores con circuitos integrados especializados 4-2 Osciladores con la tecnologa de circuitos integrados...01 4-2 El CI generador de funciones 555..01 4-2 Terminales del 555.02 4-2 Tabla de la verdad biestable RS asincrnico..03 4-2 Diagrama de la funcin de transferencia entre vi y vo(3)..04 4-2 Estados de operacin..05 4-2 Aplicaciones del CI 555.05 4-2 Retardos de tiempo al encendido05 4-2 Circuito que aplica un intervalo de tiempo una tensin elctrica...07 4-2 Oscilador de onda cuadrada (multivibrador astable)..08 4-2 Multivibrador de un disparo o circuito monoestable con CI55511 4-2 Temporizador / contador programable XR-2240...12 4-2 Breve descripcin de los terminales del XR-2240.13 4-2 Diagrama temporizado de las salidas del CI XR-2240..15 4-2 Principio de operacin del CI XR-2240.15 4-2 Programacin de las salidas16 4-2 Circuito de aplicacin del XR2240 como temporizador de precisin17 4-2 Circuito de aplicacin del XR2240 como oscilador astable con salida Sincronizadas..18 4-2 Generacin de formas de ondas especiales en los circuitos integrados..18 4-2 El circuito oscilador en los CI generadores de ondas..20 4-2 Generador de funciones monoltico XR-2206.21 4-2 Oscilador de voltaje controlado monoltico en CI XR-2207...23 4-2 Oscilador de presicin monoltico XR-220923
___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I Capitulo 5 5-1 Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional 5-1 Introduccin a la representacin de la informacin..01 5-1 Representaciones numricas.01 5-1 Representacin analgica.01 5-1 Representacin digital..01 5-1 Sistemas analgicos..01 5-1 Sistemas digitales.01 5-1 Ventajas de las tcnicas digitales.02 5-1 Limitaciones de las tcnicas digitales..02 5-1 Sistemas para representacin de cantidades numricas..03 5-1 Sistema decimal03 5-1 Sistema binario natural04 5-1 Conteo binario..05 5-1 Conversin de un nmero binario natural a decimal...05 5-1 Conversin de un nmero decimal a binario natural...05 5-1 Conversin de un n binario con parte fraccionaria07 5-1 Sistema de numeracin octal...07 5-1 Conversin de octal decimal07 5-1 Conversin de decimal a octal.07 5-1 Conversin de octal a binario..07 5-1 Conversin de binario a octal 08 5-1 Utilidad del sistema octal08 5-1 Sistema de numeracin Hexadecimal..08 5-1 Conversin del sistema hexadecimal al sistema decimal08 5-1 Conversin de un n decimal a Hexadecimal..08 5-1 Conversin de hexadecimal a binario..09 5-1 Tabla de conversin para nmeros hexadecimales y binarios..09 5-1 Conversin de binario a hexadecimal..09 5-1 Conteo decimal.09 5-1 Cdigos binarios..10 5-1 Cdigo decimal codificado en binario (BCD).10 5-1 Cdigo Gray.10 5-1 Cdigos alfanumricos.11 5-1 Representacin de cantidades numricas.11 5-1 Circuitos lgicos...13 5-1 Transmisin binaria..13 5-1 Introduccin al control de los procesos industriales14 5-1 Control automtico...15 5-1 Control informtico...16 5-1 Caractersticas principales de los automatismos combinacionales y Secuenciales...17 5-1 Automatismos combinacionales...17 5-1 Automatismos secuenciales..18 5-1 Etapas fundamentales de un automatismo lgico digital..19 5-1 Algebra de Boole...19 5-1 Presentacin e interpretacin grafica de las operaciones lgicas (diagramas de Venn).20 5-1 Operacin reunin o suma lgica..20 ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 5-1 Operacin interseccin o producto lgico.20 5-1 Operacin complementacin o inversin..21 5-1 Postulados y propiedades de lgebra de Boole.... 21 5-1 Funcin lgica...22 5-1 Tablas de la verdad22 5-1 Compuerta lgica OR23 5-1 Puerta Y (AND).25 5-1 Compuerta NOT25 5-1 Implementacin de las compuertas lgicas...26 5-1 Compuerta NOR ...27 5-1 Compuerta NAND.27 5-1 Universalidad de las compuertas NAND y NOR......29 5-1 Operaciones bsicas realizadas con la compuerta NOR...30 5-1 Operaciones bsicas realizadas con la compuerta NAND31 5-1 Representacin alternativa de las compuertas lgicas bsicas..32 5-1 Compuerta or-exclusivo33 5-1 Compuerta nor-exclusivo..33 5-1 Optimizacin de las funciones lgicas..33 5-1 Representacin de las compuertas lgicas34 5-1 Desarrollo de las funciones lgicas..35 5-1 Simplificacin de funciones.36 5-1 Simplificacin por tablas de karnaught-veitch37 5-1 Reglas para simplificacin por tabla de Karnaught.38 5-1 Resumen para desarrollar el circuito lgico de un automatismo combinacional.38 5-1 Materializacin de las funciones lgicas combinacionales.41 5-1 Utilizando lgica de contactos.41 5-1 Utilizando transistores diodos y resistencias discretas41 5-1 Utilizacin de circuitos lgicos integrados en escala media de integracin (MSI).42 5-1 Utilizacin de dispositivos de lgica programable (PLD)..43 5-1 Utilizacin de microcontroladores..43 5-1 Utilizando mdulos lgicos programables.44 5-1 Utilizacin de los denominados PLC(controles lgicos programables).45 5-2 Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos 5-2 Introduccin01 5-2 Caractersticas y terminologa utilizada en los circuitos integrados digitales02 5-2 Parmetros de corriente y tensin de los circuitos digitales..03 5-2 Factor de carga de salida (Fan out).04 5-2 Grafica de los niveles de tensin04 5-2 Inmunidad al ruido.05 5-2 Requerimientos de potencia de un circuito integrado lgico.05 5-2 Retrasos en la propagacin.05 5-2 Producto velocidad-potencia..06 5-2 Comparacin entre las familias lgicas..06 5-2 Mdulos electrnicos a semiconductores..06 5-2 Familia de circuitos integrados RTL(resistencia transistor lgico)...08 5-2 Familia TTL (transistor-transistor-lgico).08 5-2 TTL estndar (serie SN 54 / 74 de Texas).09 ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 5-2 Puerta NAND con circuito TTL de tres estados (Triestate)..10 5-2 Tabla de la verdad de una puerta NAND de tres estados (triestate)..11 5-2 Parmetros elctricos de los estados altos y bajos de las puertas lgicas TTL (serie 54/74 de Texas)....12 5-2 Puerta AND TTL12 5-2 Puerta NOR TTL13 5-2 Puertas TTL con colector abierto...13 5-2 Disparador de SCHMITT TTL...14 5-2 Elementos de propsito especial.15 5-2 TTL de baja potencia (LPTTL, serie 54/74 L)16 5-2 TTL de alta velocidad (HTTL, serie SN 54 H/ 74 H).16 5-2 TTL Schottky de baja potencia (STTL, serie SN 54 S/74 S)..17 5-2 TTL Schottky de baja potencia (LSTTL 54 LS / 74 LS)18 5-2 Familia ECL18 5-2 Familia DTL19 5-2 Familia HTL20 5-2 Familia CMOS 21 5-2 Otras familias lgicas..23 5-3 Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales 5-3 Clasificacin Gral. de los subsistemas lgicos combinacionales01 5-3 Circuitos sumadores y restadores binarios..01 5-3 Suma binaria02 5-3 Resta binaria02 5-3 Multiplicacin manual de nmeros binarios...03 5-3 Complemento a la base o al modulo de un numero03 5-3 Suma de nmeros binarios con bit de signo, correspondiente a enteros positivos y negativos05 5-3 Representacin y suma de enteros positivos..05 5-3 Representacin de un nmero entero negativo en el sistema con bit de signo..05 5-3 Nmeros binarios fraccionarios.07 5-3 Rango y resolucin en el sistema binario con nmeros reales..08 5-3 La potenciacin en cualquier base.08 5-3 Representacin en punto flotante de nmeros reales.09 5-3 Creacin del formato para la representacin estndar en punto flotante del IEE.09 5-3 Representacin en punto flotante de doble presicin.10 5-3 Codificacin y suma en BCD natural.11 5-3 Suma de nmeros en BCD natural.11 5-3 Sumador binario.12 5-3 Circuitos lgicos de suma......12 5-3 Semisumador binario (HA: Hall adder).............................................................12 5-3 Sumador completo.....13 5-3 Sumador completo para nmeros binarios de cuatro bits......14 5-3 Circuito sumador completo obtenido por tabla de la verdad y luego simplificado.....14 5-3 Elemento real / complemento, cero /uno...16 5-3 Principios del sumador restador de una UAL con indicadores de estado S Z V C..17 ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 5-3 Los indicadores de estado S Z V C18 5-3 Sumador serie.20 5-3 Circuitos decodificadores...21 5-3 Decodificadores de BCD a decimal24 5-3 Decodificadores / manejador de BCD a decimal24 5-3 Decodificadores / manejadores de BCD a 7 segmentos.25 5-3 Emisores de luz de 7 segmentos.25 5-3 Exhibidores con cristal liquido (LCD)...26 5-3 Excitacin del LCD27 5-3 Circuito excitador de un display 7 segmentos27 5-3 Smbolos IEEE/ANSI para varios decodificadores28 5-3 Decodificador con contactos a rels...29 5-3 Circuitos codificadores...30 5-3 Codificador decimal a BCD con matriz de diodos.30 5-3 Codificador de octal a decimal...31 5-3 Codificador de prioridad de decimal a BCD..32 5-3 Aplicacin del codificador de prioridad decimal/BCD..33 5-3 Multiplexores digitales (selector de datos).34 5-3 Multiplexor de dos entradas...34 5-3 Multiplexor de cuatro entradas..35 5-3 Multiplexor de ocho entradas (74151- 74LS151- 74HC151)35 5-3 Ampliacin del multiplexor de 8 a 16 entradas.36 5-3 Multiplexor cudruple de dos entradas (74157-74LS157-74HC157)...37 5-3 Aplicaciones de los multiplexores.38 5-3 Generacin de funciones lgicas...38 5-3 Conversin paralelo a a serie.38 5-3 Secuenciador de operaciones.39 5-3 Seleccin de datos con multiplexadores cudruples..40 5-3 Demultiplexores (distribuidores de datos)41 5-3 Demultiplexor de 1 a 8 lneas41 5-3 Decodificador / Demultiplex.42 5-3 Aplicacin de un multiplexor y demultiplexor para un sistema de seguridad y vigilancia..44 5-3 Circuitos comparadores de magnitud45 5-3 Comparacin digital de 1 bit.46 5-3 Generador de paridad / comprobador de paridad.47 5-4 Sistemas lgicos digitales secuenciales 5-4 Principios de los circuitos lgicos secuenciales01 5-4 Anlisis de los circuitos secuenciales...01 5-4 Clasificacin de los circuitos biestables...03 5-4 Clasificacin por la lgica de control...03 5-4 Clasificacin segn la forma de las seales de control04 5-4 Clasificacin segn el sincronismo o no de una seal patrn (reloj)...04 5-4 Seal reloj04 5-4 Entradas sincrnicas y asincrnicas04 5-4 Tabla de la verdad para las entradas lgicas de control..05 5-4 Bsculas asincrnicas (Lath)...06 5-4 Bscula R-S (Reset-Set)..06 ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 5-4 Bscula J-K08 5-4 Bscula T...08 5-4 Bscula R-S sincronizada..08 5-4 Bscula J-K sincronizada...08 5-4 Bscula D sincronizada simple..09 5-4 Bscula D con entradas asincrnicas.09 5-4 Bscula integrada D de 4 bits10 5-4 Bsculas sincrnicas activadas por flancos11 5-4 Biestable sincrnico J-K (activado con flanco descendente).12 5-4 Biestable sincrnico tipo D (activado con flanco ascendente)...12 5-4 Aplicacin de los biestables...13 5-4 Registro de desplazamiento13 5-4 Convertidor serie a paralelo14 5-4 Registro de desplazamiento Serie- Serie.15 5-4 Convertidor paralelo a serie con el registro de desplazamiento..15 5-4 Generador de secuencias..15 5-4 Contador en anillo con el registro de desplazamiento.15 5-4 Entrada paralelo y salida paralelo en el registro de desplazamiento...15 5-4 Registradores de desplazamiento a izquierda y derecha.16 5-4 Circuitos contadores16 5-4 Circuito contador binario asincrnico.16 5-4 Numero MOD..17 5-4 Contador reversible..17 5-4 Contador ascendente- descendente..17 5-4 Divisin de frecuencia con los contadores...18 5-4 Contador/divisor por N....19 5-4 Contadores asincrnicos en circuitos integrados..20 5-4 Aplicaciones del contador 74LS293.21 5-4 Contador modo 16.21 5-4 Contador modo 1021 5-4 Contador modo 1422 5-4 Contador modo 50 (divisor por 50)..22 5-4 Contadores sincrnicos (en paralelo)...23 5-4 Contadores en circuitos integrados comerciales..23 5-5 Las memorias semiconductoras 5-5 Memorias semiconductoras (introduccin).01 5-5 Terminologa bsica empleada en las diferentes memorias02 5-5 Celda de memoria...02 5-5 Palabra de memoria02 5-5 Denominacin de las agrupaciones de bits.02 5-5 Capacidad de memoria...03 5-5 Densidad.03 5-5 Direccionamiento de la memoria03 5-5 Operacin de lectura04 5-5 Operacin de escritura.04 5-5 Tiempo de acceso04 5-5 Clasificacin de las memorias semiconductoras.04 5-5 Memoria voltil...05 ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I 5-5 Memoria principal...06 5-5 Memoria auxiliar.06 5-5 Memoria de lectura y escritura (RWM)..06 5-5 Memorias de acceso aleatorio (RAM)06 5-5 Memorias RAM estticas (SRAM)06 5-5 Memorias RAM dinmicas (DRAM) 06 5-5 EDORAM (extended Data Out RAM) ..06 5-5 SDRAM (Synchronous DRAM)...06 5-5 CDRAM (Cached DRAM) o EDRAM.07 5-5 RDRAM (Rambus DRAM)..07 5-5 DRAM de video...07 5-5 Memorias de solo lectura o contenido permanente (ROM)..07 5-5 Memorias PROM (programable read only memory)07 5-5 Memorias RPROM (Reprogrammable read only memory)..07 5-5 Memorias EPROM07 5-5 Memorias EEPROM y FLASH.08 5-5 Memorias de acceso secuencial (SAM)08 5-5 Registros de desplazamiento.08 5-5 Memorias FIFO.08 5-5 Memorias LIFO.08 5-5 Memorias asociativas08 5-5 Memoria Cach (memoria oculta)09 5-5 Conexiones y operacin general de la memoria...09 5-5 Entrada y salida de datos..10 5-5 Entradas de direccin....10 5-5 La entrada R /W....11 5-5 Habilitacin de la memoria...12 5-5 Memorias RAM estticas......12 5-5 Memoria de 1 X 1......12 5-5 Memoria de 2 X 1..13 5-5 Memoria de 4 X 2..14 5-5 Memoria de 4 X 4..14 5-5 Memoria de 8 X 4..15 5-5 Organizacin interna de una RAM esttica de 64 X 4...16 5-5 Operacin de lectura...16 5-5 Operacin de escritura....17 5-5 Seleccin de chip....17 5-5 Los terminales de entrada y salida..17 5-5 Sincronizacin de la RAM esttica.....17 5-5 Celdas de memoria de las RAM estticas...18 5-5 Memoria RAM esttica MCM 6810...19 5-5 Memoria RAM esttica MCM6264C....20 5-5 RAM dinmica (DRAM)....20 5-5 Estructura y operacin de la memoria RAM dinmica...21 5-5Celda de la memoria DRAM21 5-5 Multiplexacin de las entradas de direcciones en la DRAM..22 5-5 Diagrama de conexionado de la DRAM dinmica modelo 4164 de 64Kx1...23
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-0-Contenidos y bibliografa del apunte Electrnica I MATERIAL BIBLIOGRAFICO PARA LA MATERIA ELECTRONICA I
-Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos (octava edicin) (Electrnica analgica) Autores: -Robert. L. Boylestad-Louis NasshelskyEditorial: Pearson Prentice Hall (ao 2003) -Circuitos microelectrnicas- Anlisis y diseo(Electrnica analgica) Autores: -Muhamad H. Rashid, PH.D, PENG., Fellow IEE Editorial: Internacional Thomson Editores. (Ao 2000) -Circuitos electrnicos (2 y 3 edicin) (Electrnica analgica y digital) Autor: Donald L. Schilling. Editorial: Marcombo -Principios de electrnica (3 a 5 edicin) (Electrnica analgica) Autor: Malvino Editorial: MC. Graw Hill -Microelectrnica: Circuitos y dispositivos (Electrnica analgica) Autor: Mark N. Horestein Editorial: Prentice Hall - Sistemas digitales- Principios y aplicaciones (5 a 8 edicin) (Electrnica digital) Autores: -Ronald J. Tocci-Neals S WidmerEditorial: Pearson Prentice Hall (ao 8 ed. 2003) -Electrnica integrada (Analgica y digital) Autores: Jacob Millman Cristos C Halkias Editorial: Hispano Europea
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 1: CIRCUITOS ELECTRICOS CON DIODOS (1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5) Nota: Los problemas a resolver de ste captulo estn en el subcapitulo 1-5 Repaso de la teora de los circuitos lineales: El anlisis y diseo de los circuitos electrnicos, hace uso intensivo de las leyes y teoremas que rigen sobre los circuitos elctricos de corriente continua cc y alterna ca. El tratamiento de los circuitos electrnicos en lo que respecta al tipo de seal elctrica circulante, como veremos mas adelante, hace necesario su tratamiento por separado: su comportamiento en corriente continua, y su comportamiento en corriente alterna. Los circuitos electrnicos exigen para su funcionamiento, una fuente de alimentacin elctrica de corriente continua. Por ejemplo, si analizamos un amplificador de seal de corriente alterna, el ingreso de una seal de ca en los terminales de entrada del amplificador, provocar en la salida del amplificador, la aparicin de una componente alterna (seal equivalente al de la entrada pero amplificada), superpuesta a la de corriente continua de alimentacin (corriente de polarizacin) Los circuitos electrnicos tambin pueden auto generar seales alternas como por ejemplo los denominados circuitos osciladores, utilizados en los sistemas de radiocomunicaciones. La ley de Ohm
Vab I x R
a Vab b
La ley de Ohm nos dice que la cada de tensin en los extremos de una resistencia elctrica es igual al producto de la corriente que la circula por el valor de esta resistencia. Esta ley tiene validez tanto en circuitos de CC como de CA Vab [voltios] = I[amperes] x R[ohmios] V= designa a una tensin continua. v= designa a una tensin instantnea. I= designa a una corriente continua. i= designa a una corriente instantnea ; V = designa a un fasor de tensin elctrica ; I = designa al fasor de corriente
Unidades de tensin y corriente elctrica: Tensin elctrica: Kilovoltios [Kv]=1000 voltios; milivoltios [mV]=0,001 voltios Micro voltios [V]=0,000001voltios Corriente elctrica: kilo amperes [kA]= 1000 amperes; mili amperes [mA]= 0,001amp; micro amperes [A] =0,000001 amperes. En electrnica, las unidades de tensin y corriente elctrica ms usuales son los voltios, milivoltios, micro voltios, amperes, mili amperes y micro amperes respectivamente. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Leyes de Kirchoff
Io
I1
I3
V3
I1
V1
I4 I2
V2 Io V4
I5
V5
a)- La suma de las cadas de tensin elctrica que se encuentren alrededor de cualquier lazo cerrado de un circuito, es igual a cero. (Ley de voltajes de Kirchoff) Lazo 1 : vo= v1 + v2 = R1x i1 +R2x i2 Lazo 2 : vo= v3 + v4 + v5 = R3x i3 + R4 x i4 +R5 x i5 b) La suma de todas las corrientes que ingresen en cualquier nudo (nodo) de un circuito, es igual a cero (Ley de corrientes de Kirchoff) Nudo a: io + i1 +i3 =0 Nudo b: i1 +i2 =0 Nudo c: io + i2 + i5=0 Nudo d: i3 + i4=0 Nudo e: i4 + i5=0 Fuentes de alimentacin elctricas de CC de los circuitos electrnicos Estos son los esquemas mas utilizados para la representacin de las distintas fuentes de alimentacin que utilizan los circuitos electrnicos
Fuente nica positiva
Fuente nica negativa
Fuente doble positiva y negativa
Fuente doble positiva
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Resolucin de un circuito lineal con dos fuentes de alimentacin opuestas, referidas a un terminal comn o masa
I3
I1
I2 I6 I4
En apariencia este circuito debera resolverse planteando las ecuaciones de malla y resolviendo por el mtodo de matrices. Sin embargo, si lo analizamos bien podemos ver que se puede resolver planteando cuatro ecuaciones de malla independientes Problema: Dadas las tensiones de alimentacin y las resistencias elctricas, calcular todas las corrientes y cadas de tensin del circuito anterior. Problema: Determinar la potencia suministrada por cada fuente de alimentacin y la potencia consumida por cada una de las resistencias elctricas, en el circuito anterior. Caracterstica tensincorriente (V-I) de un elemento del circuito Describe la relacin entre la corriente que pasa por el elemento del circuito y el voltaje a travs de sus i terminales. En Electrnica, se usa a menudo esta representacin dado que permite describir las di caractersticas elctricas de dispositivos lineales y no lineales, como el caso de los semiconductores en dv general. Por ejemplo la caracteristica V-I de una resistencia electrica que cumple con la ley de Ohm, es una recta que pasa por el origen, con una pendiente definida por di/dv = 1/R = tag
Caracterstica VI de un circuito que posee una tensin y una resistencia elctrica i ix

V1/R1 tag = 1/R2
vx
ix1
V1
vx1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------En ste circuito, (denominado circuito de Thevenin) formado por una fuente de tensin y una resistencia elctrica conectada en serie. Determinaremos la relacin entre la tensin vx y la corriente ix de salida, cuando conectamos cualquier elemento entre sus terminales (o puerto) xx. vx = V1 R1 . ix ix = V1/R1 (1/R1).vx. sta ltima, es la ecuacin de una recta (denominada tambin la ecuacin de la recta de carga).Para su representacin, debemos encontrar dos puntos por ejemplo los que intersectan a los ejes coordenados. Interseccin eje y Interseccin eje x vx = 0 , ix = V1/R1 ix = 0 , vx = V1
Si conectamos en xx` una resistencia elctrica de valor R2, la solucin a los valores vx e ix lo podemos obtener grficamente representando la caracterstica VI de esta resistencia en el mismo grafico. La interseccin con la denominada recta de carga nos dar la solucin del problema. Analticamente a este problema lo podemos resolver utilizando la ecuacin de la recta de carga y la ecuacin caracterstica VI del elemento Ix = V1/R1 1/R1 . vx Ix = vx/R2 ix1 = V1/ (R1+R2) vx1 = ix1 . R2
Para elementos no lineales, no siempre se puede disponer de una segunda ecuacin (la del elemento) para su resolucin analtica. Puede resultar mas adecuado la resolucin grfica Caracterstica de transferencia de un circuito elctrico + Ve (t) Circuito elctrico + Vo (t) -
La caracterstica de transferencia de un circuito elctrico, describe la relacin entre las seales elctricas de entrada y de salida. Esta caracterstica de transferencia puede utilizarse para predecir la seal de salida para cualquier valor de la seal de entrada. Ejemplo: Ve (t) + Ve (t) + Vo (t)
Vo (t) vo(t) = R2/(R1+R2) . ve(t) tg = R2/(R1+R2) = 1 / 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------En gral. En los circuitos lineales, la caracterstica de transferencia o la tensin de salida, se la puede expresar matemticamente. En circuitos con elementos alinales resulta conveniente graficarla. Ejemplo
Ve (t)
+ Ve (t) -
+ Vo (t) -
0,75 V Vo (t)
Circuitos con Histresis En gral. El valor de salida (tensin o corriente) de un circuito elctrico es funcin de un solo valor que tome la variable de entrada. Es posible en algunos circuitos electrnicos que el valor de su salida no solamente dependa del valor de entrada, sino tambin de la historia previa de su entrada. Para estos casos es posible que el valor de la salida tome distinto valores para un mismo valor de entrada. Ejemplo de un circuito analgico que presente esta caracterstica, es el disparador o comparador Schmitt. Esta caracterstica, se la conoce como histresis. Ejemplo:
Vo(t)
Ve(t)
Nota: Los voltajes estn referidos a masa
Resolucin de circuitos lineales por mtodo de superposicin Un elemento de un circuito lineal se define como uno que tenga una caracterstica VI de la forma: v = a . i1 + b . i2 Donde a,b c,d, son constantes i = c .v1 + d . v2 De una manera ms gral., los coeficientes podran ser operadores lineales como derivadas e integrales como ser: a . di1/dt + b. i2 .dt Un elemento circuital definido de esta forma, tambin es un elemento de circuito lineal y por lo tanto obedecern la propiedad muy Gral. de la superposicin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------La superposicin dice que la respuesta de un circuito lineal dado a una suma de entradas, ser igual a la suma de las repuestas de cada una de las entradas aplicadas individualmente. Esto significa que si una entrada produce una corriente i1 en respuesta a un voltaje aplicado v1, i1 = f (v1) siendo f (v1) una funcin lineal, y una tensin v2 producir una corriente i2 siendo i2 = f(v2), la corriente total resultante ser: i3 = f(v1 +v2) = f(v1) + f(v2) =i1 + i2 Problema: Para el circuito de la figura, determinar por el mtodo de superposicin, el valor de la tensin de salida vx para ix = 0 o sea para RL =oo. ix +
vx
1- Efecto de V1 sobre vx; para ello hacemos V2 = 0 ; io = 0 vx vale: vx = vx = R2 . i2 = R2 . V1/(R1 + R2) 2-Efecto de V2 sobre vx; para ello hacemos V1 = 0 , io = 0 vx vale vx = vx= R2 . i2 = R2. V2/(R1 +R2) 3- Efecto de io (fuente de corriente) sobre vx; para ello hacemos V1 = V2 = 0 En este caso nos queda R1 en paralelo con R2 por lo tanto vx vale: vx = vx = R1//R2 . io = R1 . R2/(R1 + R2) . io Finalmente la tensin vx vale para ix = 0 : Vx = vx + vx + vx= vo (tensin de salida con RL=oo) Analizaremos ahora el caso donde RL = 0. En esta condicin vx = 0 e ix = isc o sea la corriente de salida en cortocircuito. ix +
vx= 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicando el teorema de superposicin entonces la corriente de cortocircuito se determinara por la suma de las corrientes parciales aportadas por las fuentes de tensin y la fuente de corriente: Ix = isc = V1/R1 + V2/R1 + io. Con estos valores extremos para vx e ix podemos graficarla caracterstica VI del circuito y obtener los valores de vx e ix para cualquier valor de RL ix
tag=1/RL1
Vx=0 ix=isc
ix1
RL1
vx
vx1
ix=0 vx=vo
Los valores de vx1 e ix1 corresponden para una determinada RL1 La ecuacin de la recta de carga para este circuito es: Ix = isc isc/vo. vx donde isc/vo es la pendiente de la recta Problema: Con los valores del circuito anterior, calcular y graficar, utilizando el mtodo de superposicin. Fuentes de alimentacin de corriente y de tensin dependientes Son aquellas cuyos valores de corriente o tensin dependen de una variable que puede ser una tensin o una corriente, que se manifiesta dentro del circuito elctrico. Una fuente dependiente es lineal si se puede expresar de las siguientes formas: Fuente dep. de tensin: 1) v = r . i1 2) v = a . v1
Fuente dep. de corriente: 3) i = g . v1 4) i = b . i1 Las fuentes dependientes, tambin pueden ser una combinacin de 1 y 2 y de 3 y 4 respectivamente. Las fuentes dependientes, surgen en los circuitos elctricos lineales para permitir representar el funcionamiento de los dispositivos semiconductores alinales, como son los transistores bipolares y de efecto de campo. Problema: Determinaremos la caracterstica VI para los terminales de salida del siguiente circuito lineal que posee fuentes dependientes, utilizando el mtodo de superposicin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------i1 ix + .i1 vx -
Para este caso, tenemos una fuente de corriente dependiente de la variable de entrada i1, con una constante =100. Determinaremos la recta de carga del circuito, calculando los puntos de interseccin con los ejes coordenados, o sea la tensin en vaco vo, que se produce para RL =oo y la corriente de cortocircuito isc que se produce para RL = 0. a)- Determinacin de vo (RL=) 1-Hacemos v2= 0 i1= v1/R1 vx = -.i1.R2 = -.v1/R1.R2
2-Hacemos v1=0 i1=-v2/R1 vx= -.i1.R2 = -.(-v2/R1).R2= .v2/R1.R2 Finalmente la tensin en vacio vale: vo = vx = vx+vv= (v2v1). R2/R1= 10 volt. b) Determinacin de isc (RL=0); se cumple para vx= 0 1 Hacemos v2 = 0 2 Hacemos v1= 0 i1= v1/R1 i1=-v2/R1 ix=-.i1 = -.v1/R1 ix=-.i1=-.(-v2/R1) = .v2/R1
Finalmente la corriente de cortocircuito vale: ix = isc = ix+ix= (v2v1)./R1= 10 mA. Con estos valores se puede realizar el grafico de la recta de carga similar al de la pgina anterior y conjuntamente con la caracterstica VI de RL, encontrar los valores de salida para cualquier valor de RL. Analticamente tambin encontramos la solucin con la ecuacin de la recta de carga y la caracterstica VI de RL que para este caso resultan: Ix = isc 1/R2. vx Ix = vx / RL Teorema de Millman Este teorema se utiliza para simplificar circuitos elctricos que estn alimentados por varias Fuentes de tensin conectadas en paralelo, como seria el caso de un banco de bateras para un sistema de alimentacin elctrica de emergencia. El teorema de Millman, nos permite encontrar un circuito equivalente de Millman, compuesto de una tensin y una resistencia, conectadas en serie, como lo muestra la siguiente figura:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------A A
La resistencia equivalente de Millman, corresponde al paralelo de las resistencias internas de cada uno de los generadores de tensin. 1/RM = 1/R1 + 1/R2 + 1/R3 RM = (R1.R2.R3)/(R1+R2+R3)
La tensin equivalente de Millman se obtiene a partir de la siguiente expresin determinada por el mtodo de superposicin: VM = (V1/R1+V2/R2+V3/R3) / (1/R1+1/R2+1/R3) Problema: Determinar por el mtodo de superposicin, la formula para calcular la tensin equivalente de Millman y determinar el valor de RM y VM con los valores de la figura anterior. Teorema de Thevenin Este teorema es aplicable (como el de superposicin) a circuitos resistivos (lineales) y a complejos (R, L, y C) siempre que acten seales senoidales en rgimen permanente. Se utiliza para reemplazar a un circuito que posea resistores y fuentes de alimentacin complejos, por otro ms sencillo, compuesto por una fuente de alimentacin de tensin y una resistencia elctrica en serie. ix ix
X
Circuito elctrico complejo o desconocido
La tensin Vth es la que se mide o calcula cuando el circuito de salida esta abierto sin carga de tal manera que ix= 0 o RL = . La resistencia de Thevenin se puede determinar de tres formas: a)- Se cortocircuitan todas las fuentes de tensin independientes y se abren todas las fuentes independientes de corriente y se mide (con un ohmetro) la resistencia que resulta entre los terminales. b)- Hacemos un cortocircuito entre los terminales de salida y se mide la corriente de cortocircuito isc. La resistencia de Thevenin entonces la podemos hallar como: Rth =Vth / isc ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------c)- Si disponemos del circuito, cortocircuitamos todas las fuentes de tensin independientes y se abren todas las fuentes independientes de corriente; luego bajo estas condiciones, se determina la resistencia de Thevenin por clculo. d) Si no se dispone del circuito, se la puede determinar por medio de la tensin de prueba; se aplica una tensin conocida en los terminales de salida y se mide la corriente entrante. Este mtodo tambin lo podemos utilizar conociendo el circuito. Resolucin de un circuito elctrico lineal con fuentes dependientes con el mtodo de simplificacin de Thevenin
i1 .i1
i2
Elemento no lineal ZL
Rth, Vth
Determinacin del voltaje equivalente de Thevenin Determinaremos la tensin equivalente de Thevenin en los extremos de R2, cuando el punto A no esta conectado al elemento no lineal ZL, o sea la tensin en vaco del punto A. VoA = Vth = i2. R2 i2 = i1 + i1 = (1 + ).i1 Vth = (1 + ) .i1 .R2 Por otra parte la corriente i1 la obtenemos de la ecuacin de malla de entrada v1 = R1 .i1 + R2 .i2 = R1. i1 + R2 . (1 + ).i1 despejando i i1= v1 / (R1 + (1+ ). R2). Reemplazando en la expresin de Thevenin Vth = (v1.(1+ ).R2) / (R1+(1+ ).R2) Determinacin de la resistencia elctrica de Thevenin con el mtodo de la corriente de cortocircuito y el mtodo de la tensin de prueba a) Mtodo por la corriente de cortocircuito isc:Para ello cortocircuitamos el punto A con el Terminal de masa. i1 = v1/R1 isc= i1 + Bi1 = (1+ ) . i1 = (1+ ). v1/R1 Rth = Vth / isc = VoA / isc reemplazando por los valores determinados nos queda: Rth = (R1 . R2) / ( R1+ (1+ ).R2) = R2 // R1/ (1+ ) b)- Resolveremos ahora la resistencia de Thevenin por el mtodo de la tensin de prueba: Para ello entonces hacemos v1= 0, luego colocamos (hipotticamente) una tensin de prueba en el punto A y medimos la corriente que ingresa en dicho punto. La resistencia de Thevenin la obtenemos por la siguiente relacin: ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Rth = Vp (tensin de prueba) / ip (corriente de prueba que ingresa en A)
i1 .i1 .i1
ip
i2
ip= i1 + i2 + .i1 i1 = Vp/R1 i2 = Vp/R2 reemplazando en la expresin de ip: ip = Vp/R2 + (1+ ).Vp /R1 Rth = Vp / ip = 1/ (1/R2 + 1/[R1.(1+ )] = R2 // R1/(1+ ) A continuacin, resolveremos un circuito amplificador bsico con transistor bipolar aplicando el mtodo de simplificacin de Thevenin
I3 I1 IB IC I2 IE I3
Como primer paso, simplificaremos el circuito aplicando el teorema de Thevenin en los puntos BB y CC respectivamente: Rth1 = R1 // R2 = R1 . R2 / (R1+R2) Vth1 = Vcc . R2 / (R1+R2) Rth2 = R3 // R4 = R3 . R4 / (R3+R4) Vth2 = Vcc . R4 / (R3+R4) El circuito simplificado nos queda:
IB
IC
IE
___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ahora, reemplazaremos el transistor bipolar (tipo NPN) por un circuito equivalente lineal simplificado, que lo represente en su funcionamiento en Corriente continua:
El nuevo circuito nos queda:
IB
VBE
.IB
IC
IE
Plantearemos ahora las ecuaciones para calcular las corrientes y tensiones del circuito: VB-B = VBE = 0,7 volt I2 = VBE / R2 IB = (Vth1VBE) / Rth1 (ecuacin de malla circuito de entrada) I1 = I2 + IB IC = B. IB IE = IB + IC VC-C = VCE = Vth2 Rth2 . IC (ecuacin de malla circuito de salida) I4 = VCE / R4 I3 = (Vcc VCE) / R3 VCB = VCE VBE Problema Para el circuito siguiente determinar analticamente: a) La resistencia de carga Re que se le presenta a la fuente de seal de entrada vs, entre los puntos aa. b) El circuito equivalente de Thevenin que alimenta a la carga RL a travs de los puntos bb
ib ia .ib vo
Re
VTh, Rth
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Resolucin: RL = R2 // Rl y vo = -i1 . RL (1) La resistencia de entrada se la define como Re = va-a / i1 (2) Planteando la ecuacin de las tensiones en la malla de entrada: Va-a = R1 .i1+.vo = R1.i1..RL.i1 = i1.(R1 ..RL). Reemplazando en (2) Re = R1 ..RL Determinaremos ahora la resistencia equivalente de Thevenin, empleando el mtodo de la tensin de prueba; para ello debemos pasivar la fuente de tensin independiente vs vs =0. vp = tensin de prueba aplicable en los terminales bb vp= vo ip = corriente de la fuente de prueba que ingresa por el Terminal b. -i1 = vp / (Rs+R1) (3) Ip = i2 + i1 = vp / R2 . . vp /(Rs+R1) = vp.(1/R2. /(Rs+R1)) Rth = vp / ip = 1/ (1/R2. / (Rs+R1))
Vamos a determinar ahora la tensin equivalente de Thevenin que es la tensin que se mide en vaco en la salida; para ello debemos hacer RL =oo. Vth = vo = --R2. .i1 (4) i1 = ( vs .vo) / (Rs+R1) reemplazando esta expresin en (4) y operando para despejar el valor de vo obtenemos: Rth = vo = --R2..vs / ((Rs+R1) R2.B. ) Circuito Equivalente de Norton El circuito equivalente de Norton es el anlogo o dual del circuito equivalente de Thevenin. En este caso un circuito resistivo se puede representar como una fuente de corriente con una resistencia en paralelo.
Circuito elctrico resistivo
+ V -
Donde el valor de iN = isc es la corriente que circula cuando v = 0 o sea la corriente de cortocircuito de la salida. El valor de RN = Rth o sea que se calcula de la misma forma que la resistencia de Thevenin vista desde los terminales, la tensin que medimos en el circuito equivalente vale Vo = iN. RN = iN. Rth como iN = isc quiere decir entonces que conociendo el valor de Vo, isc y RN = Rth, podemos convertir un circuito equivalente de Thevenin en equivalente de Norton y viceversa. ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Teorema de Miller Este teorema se utiliza para simplificar el anlisis de los amplificadores, cuando los circuitos de entrada y salida estn interconectados por medio de una impedancia Z. El teorema permite eliminar la impedancia Z, reemplazndola por dos impedancias, una conectada entre el punto con tensin V1 y masa y la otra entre el punto con V2 y masa.
V1
I1 Circuito de entrada
K= -50
I2 Circuito de salida
V2
V1
K= -50
V2
Circuito de entrada: La corriente que sale y pasa por Z vale: I1 = (V1V2) / Z = V1. (1- K) / Z = V1 / Z/(1K) = V1 / Z1 Z1 = Z /(1--K) . El valor de K = V1/V2, es la relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada que en el caso de un amplificador representa la ganancia de tensin.En Gral., en el rgimen permanente de las frecuencias (senoidal), resulta un nmero complejo o sea una funcin de la variable S de la transformada Laplace. Circuito de salida: La corriente que sale y pasa por Z vale: I2 = (V2V1) / Z = V2 . (11/K) / Z = V2 / Z . K /(K1) = V2 / Z2 Donde Z2 = Z . K / (K1). Dual del teorema de Miller
I1 AI Circuito de entrada Circuito de salida Z1= Z/(1- AI) I2 AI Z2= Z/(AI-1)/ AI
AI= I2/ I1= -50
AI= I2/ I1= -50
Divisor de tensin y divisor de corriente

VS + V1
-
Io
I1
I2
+ V2
-
(a)
(b)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------a)- La Salida de tensin en los extremos de uno de los resistores, es igual a la tensin elctrica total aplicada, multiplicada por la relacin entre la resistencia analizada y la resistencia total. Is = Vs /(Rs+R1+R2) Vo = Vs.(R1+R2) / (Rs+R1+R2) V1 = Vo. R1/(R1+R2) V2 = Vo. R2/(R1+R2) Estas expresiones tienen validez para valores de las cargas conectadas a V1 y V2 sean valores infinitos RL1=Rl2 =. b)- En un circuito con dos resistores en paralelo, la corriente que circula por cada uno de ellos, es igual a la corriente total multiplicada por la relacin entre la resistencia no deseada y la resistencia total. Vo = io. (Ro//R1//R2) io= io Vo/Ro i1 = io. R2/(R1+R2) i2= io . R1/(R1+R2) Fuentes de alimentacin de tensin y corriente de circuitos elctricos reales
Io + Vcc=Vs + VL -
IL
Los sistemas electrnicos se alimentan, para su funcionamiento, de fuentes de tensin reales. Esta, se representa normalmente por un circuito equivalente de Thevenin, compuesto por una fuente de tensin ideal con una resistencia en serie Rs, denominada resistencia interna de la fuente Se le dan varias denominaciones a la tensin de salida como Vcc=Vs= Vss= etc. Cuando la corriente de suministro es igual a cero (RL=oo), entonces Vo= Vcc, siendo Vo el valor de la fuente ideal o sea la tensin que medimos en vaco, si el suministro de corriente Icc= IL = 0. Con suministro de corriente a la carga Vo > Vcc. La variacin de la tensin de salida de la fuente de alimentacin, con la variacin de la corriente de suministro se le denomina la regulacin de la fuente. Esta regulacin se expresa en % respecto a Vo o al valor de Vcc con corriente nominal, siendo esta ultima, la mxima corriente que puede suministrar la fuente de alimentacin en condiciones normales de diseo. Cuando el valor de Ro< 0,01.RL se dice que la fuente de tensin es fija. Las fuentes de corriente reales, se representan como un circuito equivalente de Norton, compuesto por una fuente de corriente ideal con una resistencia interna Rs en paralelo. Estas, tienen aplicaciones limitadas como ser carga de bateras con corriente constante, generacin de rampas de tensin lineales, etc. Tambin en este caso la corriente de salida io = isc cuando el valor de RL = 0 (cortocircuito). Cuando alimentamos una carga con una fuente de corriente ideal la iL = cte y si RL varia, tambin variar la tensin VL. En una fuente de corriente real cuando Ro > 100 RL, se dice que es una fuente de corriente fija. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema En el circuito de la figura, determinar: a)- el valor de RL para que pueda considerarse como fuente de tensin fija. b)- El circuito equivalente de Norton para convertirla en fuente de corriente.
Resolucin: a)- Debemos hacer Rs < 0,01RL RL>= Rs .100 = 0,2 . 100 = 20 Ohm. Con este valor de RL la cada de tensin en Rs es del 1 % del valor de VL b)- El valor de la fuente de corriente de Norton la obtenemos calculando la corriente de cortocircuito de la fuente de tensin y la resistencia a colocar en paralelo es igual al valor de Rs. isc = Vcc / Rs = 12 / 0,2 = 60 amperes y Rn = Rs =0,2 ohm Problema Partiendo de la fuente de tensin real del problema anterior, que alimenta una carga RL = 1000 ohm, convertirla en fuente de corriente rgida. Resolucin: Para que se comporte como fuente de corriente rgida la resistencia interna de Norton debe ser mayor o igual a 100 veces la resistencia de carga. Por lo tanto, deberemos conectar otra resistencia en serie con Rs para que se cumpla la condicin: Rs + Rs1>= 100 RL para el caso limite haciendo la igualdad y despejando Rs1: Rs1 = 100 . RL -Rs = 100 . 1000 0,2 = 100 kOhm El valor de la fuente de corriente lo obtenemos como isc = Vcc / (Rs+Rs1) = 12/(0,2+100.000) = 0,00012 amperes = 0,12 ma Como vemos no resulta conveniente generar una fuente de corriente partiendo de una de tensin. Las fuentes de corrientes prcticas se obtienen por medio de circuitos electrnicos que contienen elementos activos como son los transistores. Propiedades bsicas de los circuitos no lineales Las funciones tiles de un circuito electrnico, es realizado por elementos no lineales. Un circuito con estos elementos, no siempre pueden ser resueltos mediante clculos matemticos directos, aplicando una formula correcta. La electrnica requiere soluciones aproximadas utilizando estimaciones y modelos razonables, pero no exacto de los dispositivos no lineales del circuito. Los modelos de estos dispositivos, a veces estn formados por representaciones lineales del comportamiento, sobre regiones limitadas de operacin. Analizaremos a continuacin un dispositivo no lineal de dos terminales. La caracterstica VI no puede ser expresada por una ecuacin lineal significando esto que su representacin grafica no es una recta.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------is A(vs1- VT)
Vs1
VT
vs
is = A.(vs VT)2 para vs VT ; is = 0 para vs <=VT, siendo VT= voltaje umbral Un dispositivo hipottico como el que estamos presentando, se denomina dispositivo de ley cuadrtica como por ejemplo el semiconductor transistor de efecto de campo o FET. Problema Determinar la corriente que circula por un dispositivo de ley cuadrtica cuando se le aplica en sus extremos dos tensiones conectadas en serie Datos: vi = 1 Volt; v2 = 3 Volt ; A = 1mA/v2 ; VT = 0 is = A.(vs VT)2 = A.((v1+v2) VT)2 reemplazando valores Tenemos: is = 16 mA. Problema Resolver el problema anterior aplicando el mtodo de superposicin 1 v1 = 1 volt v2 =0 is1 = 1ma 2 v1 = 0 v2 = 3 volt is2 = 9 ma is = is1 + is2 = 1 ma + 9ma = 10 ma Observamos que el resultado por el mtodo de superposicin no coincide con la solucin correcta del problema. De la misma forma hubiera ocurrido con la aplicacin del teorema de Thevenin en un circuito que tenga elementos alinales. Esto se debe a que los incrementos de corriente no son constantes a medida que aplicamos tensin al dispositivo alineal. Resolucin de circuitos elctricos con componentes no lineales Tenemos varios mtodos para analizar este tipo de circuitos: a) mtodo matemtico exacto b) Mtodo grafico c) modelado por segmentos lineales d) Mtodo iterativo o tambin llamado mtodo de Newton de iteracin sucesiva
Problema Para el circuito de la figura, determinar la corriente is que circula por el dispositivo no lineal con caractersticas Is = A. Vs2 para Vs>= 0 y Is = 0 para Vs<= 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales --------------------------------------------------------------------------------------------------------
Is + Vcc Vs Dispositivo alineal A=1mA/v2 VT=0
Resolucin por el mtodo matemtico exacto Lo primero que hacemos es simplificar el circuito lineal en los puntos aa aplicando Thevenin. Vth = Vcc. R2 /R1+R2) = 6 volt ; Rth = R1 // R2 = R1. R2 /(R1+R2) = 500 Ohm Planteamos dos ecuaciones, una obtenida planteando la 1 ley de Kirchoff referente a las cadas de pensin en la malla, y la otra la de la caracterstica VI del dispositivo alineal.
Is + Vs Dispositivo alineal A=1mA/v2 VT=0
Vs = Vth Is . Rth Is = A . Vs2
(1) (2) ; reemplazando (2) en (1) ; Presentando en forma de ecuacin cuadrtica nos queda:
Vs = Vth A. Vs2 . Rth
Vs2 + Vs . 1/(A.Rth) -- Vth / (A . Rth) = 0 ; resolviendo por la formula cuadrtica: Vs1, Vs2 = ( 1/A.Rth) +-(1/A.Rth)2 + 4 . Vth/(A.Rth) ) / 2
Vs1 = 2,6 volt y Vs2 = -- 4,6 volt. La solucin correcta corresponde para Vs = Vs1 dado que el dispositivo alineal presentado, no funciona con tensin negativa. Para Vs = 2,6 volt entonces Is = A. Vs2 = 1mA/V2 . (2,6volt)2 = 6,8 mA. Este valor de corriente, tambin lo podemos obtener reemplazando Is1 en la ecuacin de las tensiones en la malla: Vs = Vth Is . Rth ; despejando Is resulta Is = Vth Vs . 1/ Rth = 6,8 mA.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Mtodo de resolucin grafico Con este mtodo, graficamos en un mismo eje de coordenadas las caracterstica VI del dispositivo alineal y del circuito equivalente de Thevenin que lo alimenta; la interseccin de ambos grficos, es la solucin del problema. Is = A . (Vs)2 caracterstica VI del elemento alineal
Is = Vth / Rth Vs . 1/Rth Caracteristica VI del circuito Is
Vth/Rth Solucin del problema Vs Vth
Mtodo por modelado por segmentos lineales Este mtodo permite obtener una aproximacin por tramos del elemento alineal.
i C B A v D
El procedimiento general, consiste en linealizar en tramos la curva dada en el grafico por segmentos como ser A-B , B-C , C-D y representar estos tramos lineales por circuitos resistivos. Para cada zona de funcionamiento, el elemento no lineal, ser representado por un circuito lineal. Este procedimiento, lo aplicaremos mas adelante para encontrar los circuitos aproximados del diodo semiconductor. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Resolucin de circuitos con elementos no lineales por el mtodo de Newton de iteracin sucesiva La exactitud del mtodo grafico, depender fundamentalmente de la precision de las herramientas de graficacin que se utilicen. Para el caso de utilizar el mtodo de aproximacin lineal por tramos, la exactitud depender del tamao del segmento considerado. Si es posible obtener la ecuacin VI del elemento no lineal como una formula continua, es posible llegar a resultados muy precisos con el mtodo de Newton de iteracin sucesiva. Este mtodo es el algoritmo utilizado en la mayora de los programas de anlisis de circuitos basados en la computadora como ser Spice, P-Spice, Micro-cap , Workbench, Circuit Maker 2000, etc. Tomemos el siguiente circuito y analicemos el procedimiento
I1 I3 I2
+ VA -
Para este caso el mtodo consiste en determinar la tensin en el nudo A o sea vA tal que la suma de las tres corrientes sea igual a cero: i1+i2+i3 = 0 (2 ley de Kirchoff). Para ello es necesario conocer la ecuacin VI de cada uno de los componentes. Con esta relacin y con otros parmetros fijos del circuito, es posible representar a las corrientes como una funcin de la tensin VA en el nudo A. Reemplazando a estas funciones en la expresin de la suma de las corrientes en el nudoA, nos quedara una nueva funcin f (vA) igualada a cero. La solucin del problema ser determinar las races de f (va) que la hacen cero.
df(vA)/dvA!v1 f (vA)[mA]
f(v1) Raiz real vA(volt)
v3
v2
v1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------En el grafico vemos una forma para encontrar la raz real que hace cero la funcin f(va), o sea el punto de interseccin de la curva con el eje de las tensiones. Este punto se puede determinar por pasos sucesivos: Primero suponemos que la solucin es v1; evaluamos f(v1) que no ser cero inicialmente. Luego determinamos la pendiente en v1 o sea df(v1)/dvA para v1. Si extendemos esta pendiente hasta que cruce el eje de las tensiones en v2, este valor ser una aproximacin de la raz buscada. El valor de v2 lo encontramos evaluando la pendiente en v1: df(vA)/dvA(para v1) = f(v1) /(v1v2) (triangulo con cateto opuesto f(v1) y cateto adyacente (v1v2). Despejando: v2 = v1 f(v1) / (df(vA)/dvA) El valor encontrado de v2 se aproxima a la raz. Con ste valor, nuevamente repetimos el procedimiento anterior, para encontrar un valor v3 que se aproxime mas al valor buscado: V3 = v2 f(v2) / (df(vA)/dvA!v2). Y as sucesivamente hasta encontrar el valor de vA que haga a f(vA) = 0. Este valor nos da la tensin en el punto A . Este mtodo puede utilizarse en forma general para circuitos ms complejos con componentes no lineales; no obstante a veces no se llega a una solucin, cuando la caracteristica VI del componente no lineal, presenta condiciones extremas. Realizar este procedimiento en forma manual, resulta engorroso y lleva mucho tiempo cuando el circuito tiene muchos componentes y varios puntos de clculos. Por ello el mtodo se adecua como procedimiento de clculo con programas de computadoras. Problema En el circuito de la figura, determinar el punto de operacin del diodo a temperatura ambiente, utilizando el mtodo de Newton de iteracin sucesiva.
+ VA -
DIODO Is=10(-)5 ma =2 vT = 25 mv
La caracteristica VI del diodo vale: id = i3 = Is( e(vd/n.vT)1). 1) i1+i2+i3 = 0 (V1vA) / R1 - VA/R2 Is.( e(vd/n.vT)1) = 0 = f(vA=Vd) 2) df(vd)/dvd = - 1/R1 1/R2Is . e(vd/n.vT)/ n. vT ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 1-1- Anlisis de los circuitos lineales y no alinales -------------------------------------------------------------------------------------------------------3) Determinamos la pendiente para vd1 = 0,7 volt, resulta: df(vd)/dvd =-240,72 mA/volt 4) Determinamos ahora f(vd1) = -10,966 mA. 5) Calculamos vd2 = vd1 f(vd1) / df(vd)/dvd!v1 = 0,654 volt. 6) Repetimos el procedimiento con el valor calculado de vd2 y obtenemos un nuevo valor de vd3 = 0,615 volt. Y as sucesivamente hasta encontrar el valor que hace a la funcin f(vd7) = 0 siendo vd7 = 0,57968 volt, que es la solucin del problema. La corriente del diodo la obtenemos aplicando la ecuacin VI del diodo.
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1-2- Diodos semiconductores. -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
DIODOS SEMICONDUCTORES
Principios fsicos de los semiconductores Daremos una explicacin resumida, sobre los aspectos ms importantes que tratan el funcionamiento interno del diodo semiconductor, que permitan tratar sin inconvenientes los temas posteriores. Para un anlisis cuantitativo de este segmento, es necesario recurrir a la bibliografa recomendada. La mayora de los dispositivos electrnicos (diodos, transistores, tiristores, etc.) utilizan como materia bsica, los materiales semiconductores. stos, as como los metales y muchos materiales aisladores son de naturaleza cristalina. Los tomos de estos materiales, forman una estructura geomtrica uniforme, denominada red cristalina. Materiales de uso comn son el germanio (Ge) y el silicio (Si). Estos, son de valencia cuatro (4). Tambin se utiliza el arseniuro de galio (GaAs), el boro (B), el fsforo (P), el indio (In) y el antimonio (Sb). ltimamente, se esta utilizando, con propiedades mejoradas en los dispositivos semiconductores, el carburo de silicio (CSi). El dibujo representa una red cristalina, donde los crculos mayores son los ncleos (iones positivos) de los tomos y los crculos menores son los electrones (negativos) perifricos o de ltima capa. Las lneas curvas, representan los enlaces covalentes que requieren cada uno de dos electrones. Estos enlaces son los que unen a los tomos vecinos para formar la estructura cristalina regular, estable y elctricamente neutra. Con esta estructura ideal, si aplicamos una pequea tensin elctrica en el material, no se producir circulacin de corriente elctrica, debido a que los electrones de valencia, estn ligados a los tomos vecinos a travs de los enlaces. La conduccin solo puede tener lugar, cuando se establece una imperfeccin en la red cristalina que rompa algunos de estos enlaces y los electrones liberados formen parte de la corriente elctrica. En la naturaleza real o la fabricacin de estos materiales, se verifica una conduccin elctrica que a igualdad de condiciones, resulta mucho menor que la de un metal; de all el nombre de materiales semiconductores. Niveles de energa atmica En los materiales, la conduccin elctrica se produce cuando los electrones perifricos tienen suficiente energa para moverse a travs de la estructura cristalina, sin estar ligados a ningn tomo. De all la conveniencia de diferenciar las caractersticas entre un conductor, un semiconductor y un material aislante, mediante consideraciones energticas. Para el caso de un tomo aislado, los electrones no pueden tener energas arbitrarias, cualquiera, sino que solo pueden tener ciertos valores discretos de energa. Si tomamos la teora del tomo de Rutherford, La energa de un electrn que se encuentra girando alrededor de su ncleo vale: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA w = - q2 / (4..o.r) (energa total), siendo q, la carga del electrn, o la permitividad del vaco, y r, el radio o distancia del electrn al ncleo. La energa es mas negativa (menor) cuando el electrn se encuentra cerca de su ncleo. El tomo de Bohr explica los espectros de emisin de luz del tomo de hidrogeno, estableciendo los niveles discretos de energa de los electrones. Cuando un electrn salta de un nivel de energa mayor a uno menor, lo hace desprendindose de esa diferencia de energa, en forma luminosa. La frecuencia de dicha radiacin vale : f = (w2w1) / h, siendo w2 el nivel de energa superior, w1 el nivel inferior y h es la constante de Planck. La teora quntica explica a travs del principio de exclusin de Pauli que en un tomo no puede haber dos electrones con el mismo valor de energa; decimos entonces que un tomo aislado tiene un conjunto de niveles de energa discretos.
Bandas de energas atmica en los materiales Cuando se renen varios tomos, los niveles de energa se desdoblan, apareciendo otros niveles de energa permitidos. Cuando tenemos muchos tomos la diferencia de energa de los niveles es pequea. A los fines prcticos se puede considerar que los niveles de energa permitidos, forman una banda continua de energa. Sin embargo en los materiales, estas bandas de energa son finitas y existen regiones continuas de energa prohibida. De all que en los materiales tenemos para sus electrones bandas de energa permitidas y bandas de energa prohibida, como lo muestra la siguiente figura para un aislador o un semiconductor(a la temperatura T = 0 K). Banda vaca permitida (Banda de conduccin) Varios eVpara aislador Del orden eV para semiconductor Banda prohibida Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida
Energa de los electrones
Banda llena
Como en realidad no son bandas continuas, encontraremos dentro de esas bandas un valor finito de electrones que estn ocupando los niveles discretos de energa, correspondiente a la banda. Cuando el nmero de electrones que tienen energa en dicha banda es el mximo, decimos que la banda esta llena. El tamao de las bandas prohibida y si las bandas ocupadas estn llenas o no, es lo que determina que un material se comporte como conductor, semiconductor o aislador. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 2

Materiales aisladores: A la temperatura del cero absoluto, todas las bandas de energa estn ocupadas y entre la banda de valencia y la banda de conduccin, existe un salto de energa de varios electrn-voltio (eV). Para este caso la banda de conduccin esta vaca. Al no tener ningn electrn con ese nivel de energa, el aislador no conduce corriente elctrica cuando se le aplica una tensin elctrica en sus extremos. Si esa tensin elctrica es de un valor muy alto, es posible entonces que se puedan energizar algunos electrones de la banda de valencia y pasen a la banda de conduccin; en esta situacin el material aislante conducira corriente elctrica.(Ejemplo, seria el caso de las descargas elctricas en los aisladores de las lneas elctricas por sobretensiones atmosfricas)
Banda parcialmente llena (banda combinada de valencia y de conduccin) Banda prohibida
Banda llena
Materiales conductores: Los conductores en el cero absoluto tienen una banda parcialmente llena denominada banda combinada de valencia y conduccin. Estas bandas consisten en niveles de energa discretos que estn muy prximos entre si. Por lo tanto algunos de los electrones de la banda parcialmente llena, requieren incrementos de energa extremadamente pequeos para elevarse a un nivel superior de energa. De aqu que la aplicacin de pequeos campos elctricos, produzcan la conduccin elctrica. Por otra parte la elevacin de la temperatura, aumenta la agitacin trmica de los electrones y tomos, aumentando la probabilidad de colisiones, haciendo crecer la resistencia elctrica del material. Materiales semiconductores : En el cero absoluto, la distribucin de bandas de energa (no los valores de energa), son equivalentes a los materiales aislantes, con la diferencia que el intervalo de energa entre la banda llena ms alta (banda de valencia) y la banda de conduccin inmediata superior, es pequeo, del orden del electrn-voltio (eV). La accin de la temperatura (calor) y la luz puede provocar el salto de algunos de los electrones de valencia y pasar a la conduccin. Estos materiales, a la temperatura ambiente, una baja conductividad elctrica, que puede incrementarse con el aumento de temperatura. La conductividad del material esta relacionada con la cantidad de portadores de carga por unidad de volumen del material. Mientras mas alta sea la densidad de los portadores, mayor ser la conductividad. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 3

Portadores de carga: huecos y electrones Electrn libre, Adems de la conduccin debida excitado por A los electrones libres, en un efecto trmico Semiconductor existe un mecanismo que da lugar a otro tipo de conduccin. Cuando un electrn se excita trmicamente, Liberndose de su enlace covalente, deja + Atrs un espacio singular llamado hueco, Hueco en el sitio del enlace. Antes que ocurra dejado por esta vacante, cada uno de los tomos del el electrn semiconductor tenan una carga neutral. Al faltar el electrn el hueco queda Cargado positivamente por la accin Combinada de todos los tomos que lo Rodean. Este hueco positivo puede contribuir a la conduccin elctrica, dado que es posible que otro electrn de la vecindad lo ocupe, desapareciendo el hueco en ese lugar, trasladndolo a la zona del tomo vecino. Este proceso continuar en forma errtica, de modo que sin la aplicacin de un campo elctrico, el hueco vaga libremente, de la misma forma que un electrn libre. Aunque la dinmica del movimiento de un hueco difiere considerablemente a la de un electrn libre (el movimiento continuado de un hueco, es una serie de movimientos de varios electrones), el anlisis de su comportamiento mediante la mecnica quntica, indica que se puede considerar al hueco como una partcula libre en el material, con carga positiva. La magnitud de su carga es igual a l a del electrn y su masa aparente es ligeramente inferior a la del electrn. Si el material es puro y la red cristalina permanece inalterable por la accin de la temperatura y la luz, el semiconductor tendr portadores de carga electrones y huecos en la misma cantidad. Tales materiales se les denominan intrnsicos. La corriente elctrica producida por estos portadores, se denomina corriente intrnseca. tomos donadores y receptores En un semiconductor se puede aumentar la cantidad de electrones libres o de conduccin, mediante el aditamento de impurezas dopantes llamadas donadores. Los tomos donadores tienen en su capa de electrones de valencia, un electrn ms que los tomos del cristal del semiconductor. Para el semiconductor de silicio o germanio, se agregan tomos donadores de fsforo, arsnico y antimonio. Para el semiconductor de arseniuro de galio, pueden incluir elementos del grupo VI de la tabla peridica (que actan como donadores para los tomos de arsnico) o del grupo IV (que actan como donadores para los tomos de galio). Cuando agregamos a un semiconductor un tomo donador, el electrn adicional de Este, se libera fcilmente por accin de la agitacin trmica, formando parte de los electrones de conduccin elctrica. El electrn liberado deja un ion positivo, fijo en el lugar del tomo de impureza donador, pero el semiconductor, mantiene la neutralidad de cargas. Un semiconductor dopado con electrones adicionales se conoce como de tipo n

UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS DONADORES
SEMICONDUCTOR TIPO N
Banda de conduccin Nivel de energa de los electrones donadores 0,01eV Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida
Banda llena
Se pueden crear huecos adicionales, en el semiconductor, aadiendo impurezas dopantes receptoras. Para el silicio y el germanio se agregan tomos receptores de boro, indio y aluminio. Para el semiconductor de arseniuro de galio, incluyen los elementos del grupo II de la tabla peridica (actan como receptores para los tomos de galio) o del grupo IV (actan como receptores para los tomos de arsnico). Los tomos receptores o aceptores, tienen en su capa de valencia un electrn menos que los tomos del semiconductor que se va a impurificar. Estos tomos se incorporan a la red cristalina y ponen a disposicin de sus tomos vecinos, un sitio de enlace covalente vaco. Con una pequea energa trmica, un electrn de enlace cercano, puede fcilmente ocupar este espacio vaco. Cuando lo hace, queda en ese lugar en forma fija, creando un ion negativo fijo y a su vez creando un hueco que queda libremente para aportar a la conduccin elctrica. Podemos decir entonces que las impurezas, del tipo receptoras, generan huecos mviles. La neutralidad del semiconductor, se mantiene. Un semiconductor que presenta abundancia de portadores de carga positiva, como lo son los huecos, se dice que es un material del tipo p

UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS RECEPTORES
SEMICONDUCTOR TIPO P
Banda de conduccin 0,01eV Nivel de energa de electrones receptores Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida
Banda llena
Un semiconductor al cual se le agreg impurezas donadoras o receptoras, se dice que es extrinsico. Cuando se agregan en forma simultanea tomos donadores y receptores al semiconductor, sus efectos tienden a cancelarse entre si. Si es igual el numero de donadores y receptores, agregados el semiconductor se convierte en intrnsico. Cuando las concentraciones de donadores y receptores no sean iguales, las concentraciones resultantes de portadores huecos y electrones no pueden ser determinadas por simple adicin algebraica de impurezas dopantes. En cualquier semiconductor a una temperatura distinta de cero, las concentraciones de huecos y electrones quedan afectadas por los procesos duales de generacin y de recombinacin. La concentracin neta de portadores esta gobernada por un efecto termodinmico conocido como accin de masas, as como el principio fsico bsico de la neutralidad de cargas. Caractersticas fsicas de la unin PN La unin pn esta formada por la aleacin metlica de un semiconductor de tipo p y uno de tipon. Normalmente es fabricada a partir de un solo cristal, por difusin, en el cual cada uno de los lados de la unin (juntura) ha sido impurificado adecuadamente. De esta forma la estructura puede ser tratada como continua. Esta estructura as concebida da lugar a discontinuidades abruptas en la concentraciones de huecos y electrones a cada lado de la juntura, limite de la zona p y zona n. El dibujo siguiente muestra el aspecto fsico de la juntura como as tambin la distribucin de las densidades de tomos donadores, tomos receptores, huecos, electrones, densidad total de la carga elctrica y distribucin del potencial elctrico

Iones receptores negativos
juntura
Iones donadores positivos
Campo elctrico interconstruido
TipoP
Tipo N
Zona de agotamiento Densidad de tomos receptores
Densidad de tomos portadores Densidad de huecos
Densidad de electrones Densidad total de carga + Distribucin potencial elctrico

Cuando la unin se forma por primera vez, debido al gradiente de portadores de carga (huecos del lado P y electrones del lado N) se produce por un proceso de difusin, una corriente de portadores que cruzan la juntura, dejando a cada lado de la misma los iones de los tomos del cristal; iones positivos del lado N e iones negativos del lado P. Este proceso se produce en una regin muy estrecha denominada regin de agotamiento o zona de la carga espacial no neutralizada.Tiene estas denominaciones dado que en esta zona no existen portadores de carga. Debido a los iones de la carga espacial, se genera un campo elctrico denominado campo nter construido o barrera de potencial. Este campo elctrico es tal que tiende a oponerse a la difusin de nuevos portadores de carga para cada lado de la juntura, haciendo que esta corriente disminuya. Cabe aclarar por otra parte que en los materiales extrnsecos, tenemos portadores mayoritarios y minoritarios. Los mayoritarios como dijimos se generan por el agregado de impurezas donadoras o receptoras. Los portadores minoritarios, se generan por efecto trmico. En un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios son los huecos; los minoritarios los son electrones. Si el material es de tipo N, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los huecos. Volviendo, despus de esta aclaracin a la circulacin de corrientes en una juntura PN, los portadores minoritarios encuentran al campo elctrico nter construido favorable para que estos puedan atravesar la juntura establecindose una corriente elctrica de portadores minoritarios. En el equilibrio y sin un campo elctrico externo aplicado a la juntura, estas dos corrientes, la de difusin de portadores mayoritarios (que genera la barrera de potencial) y la de portadores minoritarios (generados trmicamente), se igualan y como circulan en sentido opuesto, la corriente neta que atraviesa la juntura, es igual a cero. Polarizacion directa de la juntura PN: Vamos analizar ahora la polarizacion directa de la juntura PN cuando le aplicamos un potencial elctrico externo a travs de dos conectores conectados ohmicamente a los semiconductores P y N respectivamente como muestra la siguiente figura: POLARIZACION DIRECTA
TipoP
Tipo N
Contacto hmico
Contacto hmico
VD

En este caso, el potencial externo aplicado se opone al de la barrera de potencial. El potencial neto en la zona de la juntura disminuye, provocando esto, que los portadores mayoritarios puedan atravesarla (inyeccin de portadores), y de manera la corriente debido a estos portadores, se incremente. Se produce entonces una circulacin de corriente en el circuito elctrico formado por la fuente de tensin externa VCC, los conectores, los contactos ohmicos y el semiconductor PN. La corriente aportada por los portadores minoritarios, permanece inalterable(es de sentido contrario). Solo puede aumentar , si aumenta la temperatura. Las densidades de portadores mayoritarios que se inyectan a cada lado de la juntura, estn gobernadas por un principio fisico llamado relacin de Boltzman; estas, se incrementan en forma exponencial con el valor del voltaje externo aplicado. Pn = pno. e(VD/VT) np = npo . e(VD/VT) pn = concentracin de huecos. np = de electrones pno = de huecos antes de aplicar la tensin VD npo = de electrones antes de aplicar la tension VD VT = K.T/ q se denomina tensin trmica donde: K = constante de Boltzman ( 1,38 x 1(-23) J/K) T = temperatura absoluta en gradas kelvin q = la carga del electrn ( 1,6 x 10-19 coulombs) A la temperatura normal (300K) VT = 25,88 mv. Polarizacin inversa de la juntura PN POLARIZACION INVERSA
Tipo P
TipoN
Contacto hmico
Contacto hmico
VD
Si el voltaje VD aplicado a la juntura PN es inverso o negativo, el campo elctrico externo tendr el mismo sentido que la barrera de potencial y por lo tanto en la juntura el campo elctrico se incrementa. Como resultado la inyeccin de portadores minoritarios decrece, hacindose prcticamente nula. La corriente debido a estos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 9

portadores entonces se hace cero; solo queda la corriente debida a los portadores minoritarios, denominada de saturacin inversa y que no es afectada por la tensin inversa aplicada, prcticamente. Las relaciones de Boltzman se cumplen para tensin inversa dado que los exponentes se hacen negativos y las concentraciones de portadores mayoritarios decrecen hasta hacerse igual a cero. Cpsula El diodo semiconductor Esta construido por una unin PN, con dos terminales metlicos exteriores, que conectan a los materiales p y n por medio de contactos ohmico. El material utilizado para formar la unin pn puede ser el Germanio, silicio, o arseniuro de galio. De acuerdo al semiconductor que se utilice, dimensiones geomtricas y caractersticas fsicas para formar la juntura, definirn las propiedades elctricas del diodo como ser capacidad de corriente, tensin inversa que soporta, velocidad de conmutacin, etc.
Terminal nodo Anodo
Juntura PN
Terminal ctodo Catodo
SMBOLO El smbolo del diodo nos indica con el sentido de la flecha, la circulacin de la corriente directa (debida a los portadores mayoritarios), que se produce cuando polarizamos, con una fuente de tensin externa, el nodo mas positivo que el ctodo. En diodos reales tenemos varias maneras de identificar los terminales. Una forma es a traves de una banda circular prxima al Terminal de nodo; otra es la impresin sobre la capsula del smbolo del diodo. En laboratorio, utilizando un multmetro o medidor de resistencia en el que se conoce la polaridad del medidor. Cuando indique baja resistencia es que estamos polarizando en directa al diodo y el Terminal positivo del instrumento, nos indica el nodo del diodo Caracterstica tensincorriente La teora de la juntura nos lleva a formular a esta relacin VI como:
iD = Is .(e(VD/n.VT)1) donde:
Is: corriente de saturacin inversa .;es funcin de la concentracin de impurezas donadores y aceptores, como as tambin de la temperatura, rea de la unin y de otras constantes fsicas. Para diodos de Ge, su valor es del orden del micro amperes. Para diodos de silicio es del orden de los nanoamperes y para un diodo de silicio en circuito integrado, esta en el orden del micro Amper. VD: Tensin aplicada en los terminales del diodo. Es positiva cuando el nodo se polariza mas positiva que el ctodo; vd es negativa cuando se invierte la polarizacin. n: Coeficiente de emisin. Vale entre 1 y 2, dependiendo del tipo de semiconductor, la magnitud de la corriente directa y del valor de Is. Para diodos discretos de silicio,

operando con corrientes del orden de los 10 ma o menores n = 2. Para diodos integrados o discretos operando con valores mayores de 10 ma, n=2. Para diodos de Ge. n =1. VT = K.T/q : tensin equivalente trmica cuyos valores ya lo hemos definidos anteriormente. vd + id -
+id(mA) Regin polarizacin directa -vd (volt)
Regin polarizacin inversa
Vd=0,6 volt Silicio
+vd (volt)
-id(nA) Polarizacin directa del diodo semiconductor: En la formula, vemos que para vd = 115 mv la corriente del diodo se puede expresar como iD= Is. e(VD/n.VT). Por otra parte la corriente vale cero, para valores de 0<= vD => 0,5 a 0,7 volt (silicio). Superando este valor, la corriente comienza a incrementarse con caractersticas exponencial segn se muestra el grafico. La tensin directa de vd para la cual la corriente del diodo comienza a incrementarse, se le denomina tensin umbral o de activacin y la designamos como v (gama); su valor oscila en 0,5 a 0,7 volt. Para el silicio, 0,2 volt. aprox. para el germanio y 0,9 a 1,0 volt. para el AsGa. Para valores altos de corriente, prcticamente la caracterstica VI, deja de ser exponencial para convertirse en lineal; el diodo se comporta como una resistencia elctrica, predominado, la cada ohmica. La VI en directa es dependiente de la temperatura. La cada vD disminuye con el aumento de la temperatura en un valor de aproximado d(vD)/dt = -2,5 mV/C. Esto significa que si mantenemos vd = cte. La corriente del diodo id crece con la temperatura. Polarizacin inversa del diodo Si vd es negativa, el trmino exponencial de la frmula, se hace cero con valores bajos de vd. La relacin VI se transforma en id = - Is. La corriente inversa del diodo se hace muy pequea, del orden del micro Amper para Ge o nanoamper para Si. y As.Ga. Tericamente Is es debido a los portadores minoritarios a ambos lados de la juntura pn. En diodos prcticos, la corriente inversa depende no solamente de los portadores minoritarios sino que hay que agregarle la corriente de fuga superficial y a un efecto de recombinacin de 2 orden. Como los portadores minoritarios se generan por efecto ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

trmico, entonces Is es funcin de ella. En los diodos prcticos que estamos tratando, su valor se incrementa en 0,07% /C lo que significa que se duplica por cada 10 de aumento de la temperatura. Si seguimos aumentando la tensin inversa aplicada, llega un momento que los portadores minoritarios adquieren suficiente energa del campo elctrico aplicado como para romper enlaces covalentes y generar nuevos portadores de carga. Este fenmeno se vuelve en avalancha y hace que la corriente inversa comience a crecer rpidamente y por efecto de potencia disipada inversa se destruya la juntura por efecto de la temperatura. vd + id +id(ma) 40C 20C Regin polarizacin directa
-vd(volt)
20C
Regin polarizacin inversa 40C
Vd=0,6 volt Silicio
+vd(volt)
-id(na)
Corriente inversa en los diodos reales La corriente inversa medible en un diodo real ( IR o ICB0) tiene dos componentes : Is debido a los portadores minoritarios y dependiente de la temperatura e If debido a la corriente superficial y dependiente prcticamente en forma lineal de la tensin inversa aplicada. IR = Is + If (If es una corriente de huecos en la superficie de la juntura) Problema: Un diodo a la Tj = 75C tiene una corriente Is = 5 na y If = 10 na para una tensin inversa VR= -vd = 15 volt. Determinar la corriente IR para VR = 30 volt. IR1 = Is1 + If1 = 5+10 = 15 na para Tj1 = 75C y VR1 = 15 volt. Tj1=Tj2 IR2 = Is2 + If2 = 5 + 2x10 = 25 na para Tj2 = 75c y VR2 = 30 volt Is1=Is2 Problema: Determinar la corriente inversa del diodo del problema anterior si para VR2 = 30 volt., la temperatura de la juntura aumenta a Tj2 = 100 C ; Is2 = 5 na. Is3 = Is2x 1,07(Tj2-Tj3) = 5 x 5,43 = 27 na IR3 = Is3 + If3 = 27 + 20 = 47 na If3 = If2 Problema: Determinar la corriente de fuga superficial para el diodo 1N4001 en base a los datos suministrados por el fabricante. Datos: IR1 = 10 ua para Tj1 = 25C y VR1 = 50 volt. IR2 = 50 ua para Tj2 = 100C y VR2 = 50 volt. IR1 = Is1 +If = ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

IR2 = Is1x(1,07)exp.(Tj2-Tj1) + If tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas despejando: If = 9,7 ua y Is1 = 0,3 ua para Tj = 25C Problema: Determinar la resistencia inversa del diodo anterior para Tj1 = 25C Tj2 = 100C y VR1 = VR2 = 50 volt. Para Tj1 Ri1 = VR1 / IR1 = 50/10 = 5 Megohm Para Tj2 Ri2 = VR2 / IR2 = 50/50 = 1 Problema : Determinar la resistencia directa del diodo 1N4001, definida como la relacin entre la cada de tensin directa y la corriente directa que circula (denominada tambin como resistencia elctrica en continua) De los datos del fabricante tomemos para Id = 1 amper Vd = 0,93 volt a Ta = 75 C RD = Vd /Id = 0,93 /1 0,93 ohm Ta = temperatura ambiente. Resolucin de un circuito elctrico que tiene un diodo semiconductor El problema consiste en determinar la corriente que circula por el diodo y la tensin en sus extremos, cuando forma parte de un circuito lineal. Como primera medida conviene realizar una simplificacin, aplicando Thevenin en los extremos del diodo, quedando el circuito segn muestra la figura. id + vd Luego tenemos varias alternativas como ser plantear las ecuaciones VI del diodo y la de la recta de carga y resolver analticamente: iD = Is .(e(vD/n.VT)1) La resolucin de ecuaciones con trminos exponenciales es complicada; No obstante un mtodo practico es utilizar programas de computacin como las planillas de calculo (Exel o Qpro) y resolver por aproximacin. Otra alternativa (complicada para resolver manualmente) es por el mtodo iterativo. Tambin se puede resolver grficamente. Resolucin grafica: Para ello, representamos la ecuacin VI del diodo y la recta de carga del circuito equivalente de Thevenin.La interseccin en el punto Q, es la solucin del problema. Si invertimos la tensin de Thevenin del circuito, la ecuacin de la recta de carga pasa por el tercer cuadrante y la interseccin ser en el punto Q donde la corriente es prcticamente cero y la tensin del diodo (inversa) es el valor de la tensin de Thevenin. +iD(ma) Vth/Rth Q Q vD
--Vth
Vth
--Vth/Rth

Resolucin grfica cuando Vth es una tensin alterna: En este caso la tensin varia en el tiempo y de la misma forma variara la recta de carga, pero su pendiente (--1/Rth) permanece inalterada por lo que su graficacin sern infinitas rectas paralelas que intersectan a la caracterstica VI del diodo; sus valores limites, sern los que tome Vth. Modelos aproximados lineales del diodo semiconductor Se utiliza para obtener estos modelos, la tcnica de modelado lineal por tramos. De acuerdo a la aplicacin y exactitud del modelo, podemos encontrar distintas aproximaciones a saber: 1 aproximacin: Se considera al diodo id ideal. Cuando esta polarizado directamente o sea para vd>=0, el diodo conduce sin presentar resistencia alguna. Cuando se lo polariza inversamente, el diodo no conduce. Esta aproximacin se la puede utilizar para vd realizar un anlisis de funcionamiento de un circuito o para clculo preliminar cuando la tension equivalente de Thevenin del circuito asociado, es muy alta respecto a la cada de tensin directa del diodo. id 2 aproximacin: En este caso se le asigna al diodo una cada de tensin directa por ejemplo Vd = 0,7 volt. para diodos de Si. , Vd=0,7volt Vd = 0,2 volt para Ge. y Vd=0,9 volt para Si diodos de AsGa. Superada esta tensin , el diodo comienza a conducir si oponer resistencia. Esta aproximacin puede utilizarse para clculos primarios o para deteccin de fallas en circuitos prcticos. vd Polarizado inversamente, no conduce 3 aproximacin: Esta aproximacin se la utiliza para clculos mas exactos y consiste id el linealizar la curva real del diodo, teniendo en cuenta el normal de trabajo. Por ejemplo si el punto de trabajo es el punto A, la curva se puede representar con dos trminos: uno, la pendiente en el punto de trabajo did/dvd cuyo valor inverso representa a una resistencia elctrica, denominada resistencia dinmica rd. El otro trmino representa la cada de tensin directa en el momento que el diodo comienza a conducir y cuyo valor lo obtenemos por la interseccin de la pendiente en el punto de trabajo, con el eje de las tensiones Vj (tension umbral). De esta forma la tensin del punto A la obtenemos como: vdA = Vj + rdA x idA
vd
Vj(umbral)

Los circuitos equivalentes de las aproximaciones son los siguientes:
1 aproximacin
2 aproximacin
3 aproximacin
Modelo lineal del diodo semiconductor para corriente alterna de baja seal Cuando un diodo se polariza directamente en continua, circula una corriente Id constante y se produce el sus extremos, una cada de tensin continua Vd. Si la corriente cambia en una pequea cantidad +- Id en torno a Id, tambin se producir una variacin de tensin +- Vd en sus extremos; en el caso de variaciones muy pequeas Id y Vd estn relacionadas por la pendiente tangencial de la caracterstica VI del diodo en el punto de polarizacion. Debido a la curvatura, esta pendiente no es constante, sino que varia con el punto de polarizacion (Id, Vd). Resulta entonces de inters determinar la expresin matemtica para esta pendiente y su valor reciproco que tiene dimensiones de resistencia dvd / did = rd. Esta resistencia se le denomina resistencia dinmica del diodo en su punto de polarizacion. Para obtener la expresin terica de rd partimos de la ecuacin del diodo: id = Is . (e(vd/nVT) 1) donde VT= K.T/q. Para polarizacion directa y vd > 115 mv, el termino 1 en la expresin anterior, representa menos del 1% por lo que podemos despreciarlo, quedando la ecuacin: id = Is . e(vd/n.VT) = Is . e((q.vd)/(K.T)) para n=1. Diferenciando esta expresin: d(id) = q/(K.T) . Is. e ((q.vd)/(K.T)). d(vd) = q/(K.T) .id. d(vd) . la resistencia dinmica la definimos como : rd = dvd/did = (K .T) / (q .id) En esta ultima expresin vemos que rd es funcin de la temperatura y del punto de polarizacion dado por el valor de id. Si tomamos una temperatura ambiente de 20C la ecuacin de rd nos queda: rd(ohm) = 25 / id(ma) Esta ultima expresin es la que se utiliza para analizar la dependencia de la resistencia dinmica con la corriente de polarizacion en cc. Problema: Determinar la 3 aproximacin lineal del diodo en la vecindad del punto de operacin Id = 1ma para n =1,6 , Is = 10exp(-4) amper es y VT = 25,88 mv Partimos de la ecuacin: id = Is. ( e(vd/n.VT) -1) y la derivamos obteniendo: d(id)/d(vd) = Is/(n.VT) . e(vd/nVT) = 1/rd. Como id es aprox igual a Is. e(vd/nVT) entonces la inversa de la resistencia dinmica vale: 1/rd = id / e(vd/nVT) resolviendo resulta rd = 40 ohm. Para calcular Vj aplico la inversa de la ecuacin o sea aplico logaritmo en base e a ambos miembros y despejo Vd valor de la cada de tensin para Id =1ma. Vd = n .VT. Ln (id/Is + 1) = 0,74 voltios. A este valor le resto la cada de tensin en la resistencia dinmica y obtengo el valor de Vj Vj = Vd - id . rd = 0,74 volt - 10(-3)amp. . 40 ohm = 0,7 volt. Circuito equivalente del diodo semiconductor para seales incrementales El comportamiento del diodo polarizado directamente con seales alternas incrementales o de baja magnitud, se puede entonces representar mediante su resistencia dinamicard. Para altas frecuencias, es necesario incluir adems una capacitancia en paralelo con rd , denominada capacidad de difusin o de almacenamiento Cd. Mas adelante analizaremos las capacidades del diodo. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

Diodo polarizado en directo
Circuito equivalente
Ahora bien, podramos hacernos la siguiente pregunta que tan pequea es una seal incremental pequea? La respuesta es que debe ser extremadamente pequea a fin de mantener a rd constante durante la variacin de la seal en torno al punto de polarizacion. Para el caso de seales alternas distintas de cero, la pendiente de la caracterstica VI del diodo cambia, por lo que rd no se mantiene constante y la relacin tensin / corriente no es lineal. No obstante es comn utilizar el modelo anterior, suponiendo a rd = constantete, pero reconociendo al mismo tiempo que la no linealidad (llamada tambin distorsin) aumenta con la amplitud de la seal. En la regin de polarizacion inversa, rd es de un valor muy alto y en algunos casos no se la tiene en cuenta. En esta regin tambin hay que considerar una capacidad denominada capacidad de transicin Ct. Para funcionamiento en baja frecuencia el diodo puede considerarse como un circuito abierto.
+
Diodo polarizado inversamente
Circuito equivalente
Los valores de los componentes de ambos dibujos son aproximados, solamente para tener una idea del orden de los mismos. rs tiene en cuenta la resistencia serie del cuerpo (ohmica) del diodo. Problema: En el circuito de la figura, se muestra un diodo conectado con una resistencia en serie y alimentado con una fuente de tensin continua de 10,7 volt. Si la fuente de seal de ca genera una onda senoidal de 100 mv pico a pico, calcular la cada de tensin en corriente alterna, en los extremos del diodo, para Tamb = 20C
Vd(cc)+vd (ca)

Solucin: Calcularemos primero la corriente directa que circula por el diodo; para ello utilizaremos la 2 aproximacin del diodo con una cada de tensin Vd = 0,7 volt Id = (VccVd) / Rs = (10,7 0,7) / 10.000 = 0,001 A = 1 ma Para calcular la resistencia dinmica rd usamos la formula: rd(ohm) = 25 / Id(ma) = 25 / 1 = 25 ohm Para la seal va, el resistor Rs y la resistencia dinmica, forman un divisor de tensin, donde la cada de tensin (ca) en rd vale:
vd (ca)
vd(ca) = rd . va /(Rs.+rd) = 25 . 100 /(10.000+25 = 250 uvolt (pico a pico) Como vemos, en los extremos del diodo, tendremos una onda de tensin senoidal de amplitud 250 uv p.p superpuesta a un nivel de continua de 0,7 volt. Parmetros elctricos suministrados por los fabricantes de diodos semiconductores Tensiones elctricas (valores mximos): VRWM = Tensin inversa de pico de operacin (amplitud senoidal) VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva (la duracin del pico esta especificada) VRSM = Tensin inversa de pico no repetitiva no repetitiva VR = Tensin inversa de continua. VF = Cada de tensin instantnea para una determinada corriente directa. VF(av) = Cada de tensin promedio para un ciclo completo. Corrientes elctricas (valores mximos): Io (IFAV) = Mxima corriente promedio para una forma de onda senoidal con un ngulo de conduccin de 180 y determinada frecuencia (50 o 60c/seg. para diodos de baja frecuencia) IFSM = Mxima corriente de pico no repetitiva (con especificacin de su duracin) IR = Corriente inversa mxima con especificacin de la temperatura de la juntura y la tensin inversa aplicada. IR(av) = Corriente promedio inversa para una determinada corriente directa IFAV. Otros parmetros especificados: -Temperaturas mximas de almacenamiento y operacin -Resistencias trmicas de disipacin. -Curvas VI tpicas en funcin de la temperatura. -Potencia disipada por el diodo como funcin de la corriente media. -Parmetros fsicos y mecnicos. Ejemplo : Diodo 1N4001 (designacin Motorota semiconductor) VRWM = VRRM = VR =50 volt VRSM = 60 volt VF = 0,93 volt(valor tpico) para id = 1amper. Valor mximo esperado 1,1 volt. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

VF(av) = 0,8 volt. (mximo) Io IFAV = 1 amper IFSM = 30 amperes (para un ciclo) IR = 0,05ua para Tj = 25C y VR = 50 volt. (mximo esperado 10 ua) IR = 10 ua para Tj = 100C y VR = 50 volt. (mximo esperado 50 ua) IR(av) = 30 ua para IFAV 1 amper y Tj = 75C Vc o Vj = 0,7 volt (tensin de codo) Resistencia dinmica rd = (0,930,7) / 1 = 0,23 ohm para Io = 1 Amper id Id=1 A Vd=0,93 Volt
vd
Vc=0,7 volt
Tiempos de conmutacin del diodo semiconductor Cuando un diodo semiconductor pasa del estado de polarizacin directa al estado de polarizacin inversa y viceversa, el diodo pasa por un periodo de transicin hasta que recupera su estado de estabilidad. Estos tiempos de transicin, se los define de la siguiente manera: Tiempo de recuperacin directa (tfr) Este tiempo se lo define cuando el diodo pasa de la condicin inversa a la directa. El tiempo tfr se lo mide como diferencia de tiempo entre el instante que la tensin directa vale un 10% y el instante que alcanza el 90%. En la practica este tiempo no suele traer inconvenientes, salvo en los diodos de potencia Tiempo de recuperacin inversa (trr): Este tiempo se produce cuando el diodo pasa de la conduccin directa a la inversa. Suele traer inconvenientes en los diodos o en los transistores de juntura bipolar cuando trabajan con seales elctricas de alta frecuencia pn(0)
Tipo N npo np(0)
pno Tipo P
x=0 (inicio juntura) Concentracin portadores minoritarios con polarizacin directa

Tipo P np pn(0) pn
Tipo N
pno x=0 np(0) Concentracin de portadores minoritarios con polarizacin inversa np: portadores minoritarios (huecos) en el material n lejos de la juntura pn: portadores minoritarios (electrones) en el material p lejos de la juntura np(0): portadores minoritarios (huecos) en el material n en la zona de juntura pn(0): portadores minoritarios (electrones) en el material p en la zona de juntura. Cuando se le aplica polarizacin directa a la juntura pn, se produce una elevada concentracin de portadores minoritarios a ambos lados de la juntura, consecuencia de la inyeccin de portadores mayoritarios sobre la juntura. Esta concentracin disminuye al alejarnos de la juntura por un efecto de recombinacin hasta alcanzar los niveles normales ( npo y pno ) correspondientes al material tipo p y tipo n respectivamente. Cuando polarizamos inversamente, en la zona de la juntura (para x= 0 ) prcticamente no tenemos concentracin de portadores minoritarios. Vemos entonces que para pasar del estado de conduccin directa al estado inverso debemos eliminar la concentracin de portadores minoritarios en exceso hasta llegar al valor que corresponde al estado inverso. Durante esta transicin, el diodo conducir corriente elctrica, solo limitada por el circuito externo. Pasado este periodo, el diodo comienza a aumentar su tensin inversa y la corriente inversa comienza a disminuir hasta llegar al valor correspondiente Is para ese estado. En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarizacin directa, conduce la corriente id VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo t1, el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id -VR / RL. Durante el intervalo (t2t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminacin de la carga en exceso, llamada tambin carga almacenada. A partir de t2, comienza un periodo de transicin, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensin inversa, bloqueando la corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is. El tiempo Trr = ts + tt se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este valor , es generalmente suministrado por el fabricante, y depende de : la corriente directa previa a la conmutacin, de las caractersticas de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las caractersticas fsicas del diodo. Un tiempo de recuperacin largo, respecto a la frecuencia de conmutacin, produce una disipacin de energa en exceso, elevando la temperatura por encima de los valores mximos lo cual puede provocar la inutilizacin ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. npo

del diodo semiconductor. Por esta razn, cuando se debe trabajar con frecuencias de conmutacin altas, se debe seleccionar diodos que tengan un trr bajo
id
vi
VF
-VR t
+ vi -
+ vd -
(pnpno ) en la juntura
t1 id VF/RL
t2
-VR/RL ts vd Almacenamiento portadores minoritarios -VR En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarizacin directa, conduce la corriente id VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo t1, el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id -VR / RL. Durante el intervalo (t2t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminacin de la carga en exceso, llamada tambin carga almacenada. A partir de t2, comienza un periodo de transicin, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensin inversa, bloqueando la corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is. El tiempo Trr = ts + tt se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este valor, es generalmente suministrado por el fabricante, y depende de: la corriente directa previa a la conmutacin, de las caractersticas de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las caractersticas fsicas del diodo. Un tiempo de recuperacin largo, respecto a la ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. trr tt

frecuencia de conmutacin, produce una disipacin de energa en exceso, elevando la temperatura por encima de los valores mximos lo cual puede provocar la inutilizacin del diodo semiconductor. Por esta razn, cuando se debe trabajar con frecuencias de conmutacin altas, se debe seleccionar diodos que tengan un trr bajo.

1-3- Circuitos con diodos -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
PROCESAMIENTO DE SEALES ELCTRICAS CON DIODOS Veremos algunas de las aplicaciones de los diodos semiconductores en los sistemas electrnicos analgicos para procesar y acondicionar seales elctricas. En todos los casos supondremos al diodo en primera aproximacin o sea ideal, con la finalidad de facilitar el anlisis de los circuitos. Con esta consideracin, el diodo se presenta como un circuito abierto para polarizacion inversa, y un cortocircuito con vd=0 volt, con polarizacion directa. Diodo limitador o recortador:
Caracteristica de transferencia + Vs(t) + Vo(t) V2 Vo(t) V1 Vs(t)
Cuando 0 vs(t) V1, ninguno de los diodos conduce; resulta: vo(t) = vs(t). Para vs(t)>= V1, conduce el diodo D1; resulta: vo(t) = V1 Cuando 0 vs(t) -V2, ninguno de los diodos conduce; resulta: vo(t) = vs(t). Para vs(t) - V2, conduce el diodo D2; resulta: vo(t) = V2 Veamos grficamente la tensin de salida para una tensin de entrada senoidal
Vs(t) Vo(t) V1 Vs(t
Vo(t)
t
V2
Diodo rectificador de picos positivos o negativos
+ Vo(t) Vs(t)
Vm
Vs(t) t
Durantes los semiciclos positivos de la tensin de entrada, el diodo conduce y carga al condensador. En los semiciclos negativos y si RL = , el condensador mantiene su ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

carga. Despus de algunos ciclos, la tensin en el condensador es Vc = Vo = Vm, siendo esta ultima la amplitud de la tensin de entrada. Si invertimos la conexin del diodo, obtenemos el valor de Vo = -Vm. Circuito fijador o enclavador de picos positivos o negativos a masa (cambiador de nivel)
Vs(t) Vm + Vm + Vo(t) Vs(t) t
En los semiciclos positivos, el diodo conduce cargando el condensador al cabo de unos ciclos al valor de Vm, con la polaridad indicada. La tensin de salida en este caso vale: vo(t) = vs(t) Vm Vemos entonces que durante los semiciclos positivos, la tensin Vc= Vm, se resta y durante los semiciclos negativos de vs(t), se suma. Esto hace que la forma de onda de la tensin de salida, sea igual a la entrada pero desplazada Hacia abajo, en el grafico en la cantidad Vm. Los picos positivos de vs(t) se enclavan o toman el valor de cero volt(masa). Si invertimos la conexin del diodo, se enclavan a cero los picos negativos y la curva de salida en el grafico, se desplaza hacia arriba En estos circuitos la cte.= R.C deber ser por lo menos 100 veces mayor que el tiempo que permanece el diodo cortado, momento donde el capacitor se descarga, para evitar que el capacitor no altere su carga y modifique el voltaje en sus extremos. R representa el valor de la carga en la salida. Circuito duplicador de tensin:
Vs(t) + Vm - + vs(t) + 2Vm + Vot) vo(t) Vm t 2Vm
vs(t) = Vm senwt
Vs(t)
En este circuito, C1 y D1 forman un fijador de picos negativos a masa con tensin de salida vs(t) ; esta ultima fluctuara entre cero y 2Vm, con valor positivo. Luego si a vs(t) se le aplica un rectificador de picos positivos, formado por C2 y D2, obtenemos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2

en los extremos de C2 una tensin positiva que tiene un valor igual a la mxima amplitud de la tensin de vs(t) o sea igual a 2Vm Vs(t) = Vm sen t Vs(t) = vs(t) + Vm = Vm.sen t + Vm Vs(t) = 2Vm Circuito triplicador de tension : vs(t) = Vm senwt
- + Vc2= 2Vm
+ + Vc3=2Vm Vo=3Vm
+ Vc1=Vm -
D1 y C1 forman un rectificador de picos cargando a C1 con Vc1=Vm. El voltaje entre los puntos 1 y 2 vale: V1-2 = vs(t) Vm. Este voltaje se aplica a un circuito enclavador de picos positivos formado por D2 y C2, cargando al capacitor C2 con Vc2=2Vm. El voltaje entre los puntos 3 y 2 vale: V3-2 = vs(t) Vm + 2Vm = vs(t) + Vm Este voltaje se aplica a un circuito rectificador de picos formado por D3 y C3, cargando a C3 con Vc3=2Vm. El voltaje de salida sera la suma de los voltajes de los capacitores C2 y c3 o sea Vo = 3 Vm ( voltaje continuo). Cuadriplicador de voltaje
- + Vc3= 2Vm
+ Vc4=2Vm -
vo = 4 Vm - + Vc1=Vm
+ Vc2=2Vm -

Los diodos D1 y D2 junto a los capacitores C1 y C2 forman un duplicador de voltaje haciendo que C2 se cargue con 2 Vm. El voltaje entre los puntos 1 y 2 vale: V1-2 = vs(t) + Vm.- 2Vm = vs(t) Vm. Este voltaje se aplica a un circuito enclavador de picos positivos formado por D3 y C3, cargando al capacitor C3 con Vc3=2Vm. El voltaje entre los puntos 3 y 2 vale: V3-2 = vs(t) Vm + 2Vm = vs(t) + Vm Este voltaje se aplica a un circuito rectificador de picos formado por D4 y C4, cargando a C4 con Vc4=2Vm. El voltaje de salida ser la suma de los voltajes de los capacitores C4 y C2 o sea Vo = 4 Vm (voltaje continuo). Circuito de muestreo con diodos (puerta de discriminacin)
+Vc ta Vo(t) -Vc Vs(t) tc
Vo(t)
Los circuitos de muestreo se utilizan para tomar muestras de una seal elctrica analgica, durante intervalos de tiempo seleccionados y en forma peridica. Forman parte de los denominados conversores analgicos digital(A/D). Tambin se los utiliza en los sistemas de comunicaciones para transmitir varias seales por una va de comunicacin (por ejemplo fibra ptica) empleando el mtodo denominado mltiplex en el tiempo. Existen varios tipo de circuitos y semiconductores que pueden realizar esta funcin; una de ellos el la utilizacin de diodos como se muestra en el circuito. Bsicamente ,el funcionamiento es el siguiente: Cuando la tensin en el punto A es positiva(+Vc) y en el B es negativa (-Vc), los cuatro diodos conducen , las tensiones en los puntos P1y P2 son iguales porque las cadas de tensin de los diodos se cancelan, y por lo tanto, durante el periodo ta, vo(t) = vs(t) , donde vo(t) es la seal a discriminar o muestrear y vo(t) es la seal discriminada. Cuando las tensiones en los puntos A y B se invierten, los cuatro diodos dejan de conducir, y la seal vo(t) = 0 durante el periodo tc. El anlisis mas profundo de este circuito nos impone restricciones a las tensiones mnimas aplicadas en los puntos A y B siendo: En el periodo tc Vc = Vs siendo Vs la mxima amplitud de vs(t). En el periodo ta Vc = (2+RC/RL) Las tensiones de control en los puntos A y B deben ser iguales en valor absoluto pero de polaridad opuesta. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

Circuito detector de envolvente Este circuito, fue utilizado por muchos aos, en los receptores de radiocomunicaciones por amplitud modulada. En este sistema la informacin til viene incorporada a la seal de radiofrecuencia portadora como variacin de su amplitud. El circuito detector rectifica esta seal portadora, modulada con la informacin y carga un condensador con una resistencia en paralelo, de tal manera que la constante de descarga RC hace que la tensin en el condensador vari de la misma forma que la envolvente de las amplitudes de la seal de radiofrecuencia modulada. Como la informacin modifico estas amplitudes (en el transmisor) en funcin a su propia variacin, entonces la tensin del condensador resulta la informacin separada de la seal de radiofrecuencia. Hoy en dia en los sistemas modernos de comunicaciones, se utilizan otros mtodos para obtener este proceso, denominado demodulacion, como por ejemplo sistemas PLL.
Seal de RF modulada vs(t)
t Vo(t) Vo(t) Vo(t) Envolvente de la seal modulada RF Vo(t) t
Vo(t)
Generadores de funciones con diodos semiconductores Los diodos se pueden utilizar para generar y sintetizar funciones del tipo VI entre dos puntos. En la deduccin de las funciones de transferencia es importante tener en cuenta el estado de conduccin o no conduccin del diodo segn su estado de polarizacion de sus extremos. Veamos algunas de estos circuitos.
i v i v -i i -v i i i v i -v

i i v -vc v v i
-i -vc
i v -vc
i v v
-vc -v
-i
Aplicaciones de los diodos como elementos protectores Los diodos se utilizan en muy variadas aplicaciones como formas para proteger elementos y sistemas de voltajes o corrientes excesivos, inversiones de polaridad, formaciones de arco y cortocircuitos, entre otras. Proteccin contra sobretensiones por elementos inductivos Analicemos primero, las causas de sobretensiones en circuitos inductivos, siendo un caso prctico el circuito formado por una resistencia, una inductancia y un interruptor, como muestra la siguiente figura:
Interruptor cierra iL Vcc/R iL + vL _ t t 5 = 5.(L/R)
Cuando cerramos el interruptor la corriente en el circuito aumenta exponencialmente con un valor dado por: iL = (Vcc/R).(1 - e-(t/ ) ; siendo = L/R (constante de tiempo), o sea el tiempo que tarda iL en alcanzar el 63% de su valor final . Cuando pasaron aproximadamente t 5. la corriente iL toma su valor final IL = Vcc/R. Mientras aumenta la corriente en el circuito, se induce en la inductancia un voltaje que se opone a este crecimiento con un valor vL= L(di/dt) La inductancia se carga con energa magntica con un valor dado por: W = .L IL2 , W(vatios) , L (Henrios) , IL (amperes) Esta energa se mantendr almacenada en L mientras siga circulando la corriente ILen el circuito. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6

Ahora, si intentamos abrir el interruptor rpidamente, la corriente va a caer casi instantneamente a cero. Sin embargo el inductor se va a oponer a un cambio instantneo de esta corriente, provocando una elevacin grande en vL= L(di/dt) con polaridad opuesta, para evitar la disminucin de la corriente, como muestra la siguiente figura:
Interruptor abre vc iL=Vcc/R + vc vL + 0 Vcc/R t
Esto provoca una perturbacin en forma de arco elctrico en los extremos del interruptor por el elevado voltaje inducido en la inductancia y que aparece en los extremos del interruptor, cuando la misma trata de encontrar una trayectoria de descarga. Este voltaje inducido, que puede llegar a los miles de voltios, provoca arcos elctricos en los contactos del interruptor que ocasiona en el tiempo (ante reiteradas descargas elctricas), su destruccin. En los circuitos electrnicos, el interruptor mecnico suele ser un dispositivo semiconductor (diodo, transistor, tiristor) por lo cual este dispositivo se vera sometido a valores altos de voltaje que, si no se adopta algn criterio de proteccin, afectar su funcionamiento. Proteccin con capacitores Una de las formas mas econmicas pero efectivas de proteger el sistema de interrupcin e la de colocar un capacitor (denominado amortiguador) a travs de los terminales de la inductancia, como se muestra en la siguiente figura:
(a)
(b)
Cuando el interruptor se abre (circuito a), el capacitor inicialmente aparecer como un corto para la inductancia y proporcionar una trayectoria de desvo haciendo que la energa almacenada como campo magntico en la inductancia, se transfiera al capacitor como campo elctrico. Esto genera una oscilacin amortiguada de voltaje en este circuito RLC, haciendo que la energa puesta en juego desaparezca como calor en la resistencia R. Normalmente, debido a los altos voltajes de sobrecarga y a su relativo bajo costo, se utilizan capacitores de cermica, con valores tpicos de 0,01 F. La resistencia R= 100 tiene dos funciones a cumplir que son la limitacin de la

corriente y disipacin de la energa puesta en juego. En algunos casos no aparece debido a que es reemplazada por la resistencia interna del bobinado de la inductancia. En ocasiones, se suele colocar un capacitor en paralelo con el interruptor (circuito b). En este caso, las caractersticas de corto del capacitor a altas frecuencias (Xc= 1/2..C) Libraran de la corriente a los contactos del interruptor lo que extender su vida til. En Gral. podemos decir que los capacitores en paralelo con inductancias, actan como elementos de proteccin (salvo en circuitos resonantes para seales de radiofrecuencias). Proteccin con diodos
Diodo de proteccin iL +
El diodo se utiliza tambin como dispositivo de proteccin cuando se deben interrumpir corrientes inductivas, por ejemplo cuando debemos accionar sobre un relevador mediante un interruptor semiconductor (transistor, tiristor) o mecnico. Para ello el diodo se coloca en paralelo con el elemento inductivo del relevador. Cuando el interruptor se abre o la fuente de voltaje se desacopla rpidamente, la polaridad del voltaje a travs de la bobina es tal que polarizar directamente al diodo, conduciendo en la direccin indicada. Con esta accin del diodo la energa almacenada en la bobina del relevador, encuentra un camino de descarga, evitando una sobrevoltaje sobre el interruptor y sobre la fuente de alimentacin. Dado que la corriente que se estableci a travs de la bobina ahora debe circular directamente sobre el diodo, ste debe ser capaz de soportar la misma intensidad de corriente que circulaba a travs de la bobina ante de que el interruptor se abriera. La variacin en la disminucin de la corriente de descarga de la bobina, ahora depender de la resistencia directa del diodo y la resistencia interna del bobinado. La ventaja de la configuracin de proteccin con diodo sobre el de amortiguacin con circuito serie resistencia-capacitor, es que la reaccin y comportamiento del diodo no son dependientes de la frecuencia. Sin embargo, la proteccin con diodo no funcionara si el voltaje aplicado es de corriente alterna. Para los sistemas de corriente alterna la proteccin con circuito serie resistencia-capacitor, podra ser la mejor opcin. Proteccin de la juntura base-emisor y base colector de un transistor bipolar El funcionamiento normal de los transistores bipolares (zona activa), requiere una polarizacin directa de su juntura base-emisor, o sea un voltaje VBE de aprox. 0,7 Volt positivo, por ejemplo, para un transistor de silicio tipo npn. Para prevenir una situacin en que el terminal de emisor pudiera ser mas positivo que el terminal de base, por un voltaje que pudiera daar al transistor, se coloca un diodo en paralelo con esta juntura, como muestra el dibujo, en el caso (a). El diodo evita de esta forma que un voltaje de polarizacin inverso VEB exceda los 0,7 Volt.

1-3- Circuitos con diodos ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Ic Base
(a)
Colector
(b)
Base Colector
Limite a + 0,7 V
VEB +
+
VBE
Emisor
Emisor
Adems trabajando en la zona activa, la juntura colector base debe estar polarizada inversamente, o sea el terminal de colector debe ser mas positivo que el terminal de la base, o del emisor, para que se pueda establecer una corriente de colector en el sentido de la flecha punteada. Sin embargo, si se presenta una situacin donde el terminal del emisor o base resulta ms positivo que el terminal de colector, el diodo evita una conduccin inversa, caso (b). Resumiendo, los diodos se utilizan para evitar que el voltaje entre dos puntos del circuito superen los +0,7 volt 0 para impedir la conduccin inversa de corriente a la normal de circulacin. Proteccin con diodos en las entradas de los amplificadores operacionales Los amplificadores operacionales son amplificadores de alta ganancia de voltaje, utilizados mayormente en procesamientos de seales elctricas analgicas en el campo del control electrnico industrial (detalle de su funcionamiento y aplicaciones en capitulo 3). Por lo general las seales elctricas que se requieren en sus entradas, son de baja magnitud. Para limitar estos voltajes de entrada se coloca un arreglo de diodos que limitan estos voltajes, en la entrada del amplificador operacional, a valores de 0,7Volt.
0,7
+ De esta forma toda seal que supere los 0,7 V ser limitada a esos valores. En ocasiones los niveles de limitacin pueden ser ms altos como se muestra en el siguiente circuito, donde la seal de entrada queda limitada - 0,7 V y + 6,7 V, respecto al terminal de masa +
0,7
+
0,7
+ -

Proteccin por cambio de polaridad Existen equipos electrnicos que podran daarse si se les aplica una polaridad incorrecta. Para proteger estos sistemas de la polaridad incorrecta se puede aplicar un diodo en la entrada de alimentacin como se muestra a continuacin:
+ + 3V 12 V
+ 9V
Sistema electrnico sensible a la polaridad Vcc=+9V
- 11,7 V + 12 V
0,7 V
Sistema electrnico sensible a la polaridad Vcc=+9V
(a)
(b)
Para el caso (a) se aplico la polaridad correcta por tanto el diodo no conduce (esta abierto) y no influye en el correcto voltaje de alimentacin del sistema. En el caso (b) se ha aplicado un polaridad incorrecta por lo tanto el diodo conduce lo que hace que el sistema electrnico sensible a la polaridad, solamente recibe un voltaje inverso de 0,7 Volt, valor que no lo perjudica. El siguiente caso corresponde a una proteccin de un medidor analgico sensible (de Movimiento) el cual no puede soportar un voltaje errneo de polaridad mayor a 1 Volt
Polaridad correcta
Con polaridad correcta el diodo no influye en la medicin del instrumento (esta polarizado inversamente). Si se produjera una incorrecta polaridad en la conexin del instrumento, el diodo se polariza directamente y solamente recibira un voltaje incorrecto de -0,7 Volt. Conmutador para fuentes de alimentacin doble via
Fuente alimentacin primaria Vcc1 Fuente alimentacin secundaria Vcc2
+ 48,7 v
+ 48 v
+ 47,7 v
Sistema electrnico principal
Los sistemas electrnicos que requieran confiabilidad en su funcionamiento, tienen una fuente de alimentacin secundaria de respaldo, para asegurar que el sistema siga ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

operando ante una falla en el sistema de alimentacin primaria. Para que la conmutacin se realice en forma automtica se utilizan dos diodos conectados como se muestra en el dibujo (conexin lgica OR). En Funcionamiento normal, la fuente primaria provee el voltaje de alimentacin al sistema electrnico principal. Para ello, la fuente de alimentacin primaria Vcc1, debe generar un voltaje superior al de la fuente secundaria Vcc2. Esto hace que el diodo D1 est polarizado directamente y el diodo D2 inversamente. De esta manera, solamente provee energa la fuente primaria a travs de D1, quedando la fuente secundaria funcionando en vaco, en espera (stand by), por la polarizacin inversa de D2 que le impide suministrar energa. Ante una falla en el suministro de la fuente primaria D1 se polariza inversamente (separando a Vcc1) y D2 en forma directa, haciendo que Vcc2 automticamente pase a proveer la energa de alimentacin al sistema electrnico principal. Detector de polaridad con diodos
Detector de polaridad
+ Fuente de voltaje a determinar polaridad
Cuando conectamos el borne positivo al terminal 1 y el negativo al 2 del detector de polaridad, la corriente circula por la resistencia R, el diodo D1 y el diodo LED1 (rojo), encendindolo a este ltimo. Si conectamos el borne negativo al borne 1, ahora la corriente circulara por el LED2 (verde), el diodo D2 y la resistencia R, encendiendo al LED2 (verde), indicando polaridad inversa al caso anterior. Resumiendo el encendido del diodo LED rojo indica polaridad positiva y el encendido del diodo LED verde, indica polaridad negativa. Fijacin de niveles de voltajes regulados
+ 9,9 Volt
+
+0,7- +0,7- +0,7- +0,7+ 4,2 Volt +0,7+0,77,8 V
Cuando pretendemos alimentar diferentes cargas mediante divisores de voltajes resistivos, estos voltajes sufrirn variaciones notables en magnitud, frente a variaciones en las magnitudes de las cargas. Aprovechando la cada de voltaje de los diodos, y que estas cadas no se modifican substancialmente con la variacin de corriente que circulan por los diodos, se pueden establecer diferentes niveles de voltaje regulados, que alimenten cargas de valores variables en magnitud. ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Circuitos rectificadores de corriente alterna con diodos semiconductores Estos circuitos forman parte de las fuentes de alimentacin de CC de los equipos electrnicos, a partir de una fuente primaria de CA. Antes de entrar en el anlisis de estos circuitos vamos primero a desarrollar los bloques fundamentales que componen una fuente de alimentacin de CC. Fuente primaria de CA Regulador de tensin y limitador de corriente
Rectificador con diodos
Filtro pasivo
Carga
La fuente primaria suele ser la red de distribucin primaria en baja tensin 380/220 volt ca ,50 HZ. El rectificador con diodos tiene la finalidad de convertir la corriente alterna en corriente continua. El filtro pasivo cumple la funcin de atenuar las componentes alternas presentes a la salida del rectificador, dejando pasar la CC. El regulador de tensin acta manteniendo la tensin de salida constante, ante variaciones de la carga y la tensin de entrada. Suele disponer tambin limitacin de la corriente de salida a partir de un valor nominal. Monofasicos de media onda Monofasicos Clasificacin Rectificadores Polifsicos monofasicos de onda completa en puente bifsico onda
Estudiaremos solamente los monofsicos. Los polifasicos se estudian e la materia Electronica II. Rectificador monofsico de media onda
vs(t) = Vm senwt io(t) vo(t) Vo
+
Vs(t) -
+
Vs(t) -
+
Vo(t) -Vm vs(t) t
La tensin total de salida de este rectificador, la podemos obtener mediante el desarrollo de Fourier para una onda peridica: Vo(t) =Vm/ + Vm/2.senwt - Vm . 2/( . 3) . cos2wt - .......... Donde Vo = Vm/ es La tensin media sobre la carga. A los efectos de analizar y comparar el contenido de componentes alternas sobre la carga, se define un factor de rizado. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Factor de rizado () = valores eficaces de las componentes alternas /valor de la componente continua = vca(rms) / Vo para calcularlo, partimos de las ecuaciones: VrmsTotal = Vm/2 (Vrmstotal)2 = (Vo)2 +(vca(rms))2; despejando y reemplazando resulta: __________ Factor de rizado () = vca(rms)/Vo = [()2/4 1] = 1,21 (valor muy alto para aplicaciones electrnicas) Rectificadores de onda completa
D1
+ +
Vs(t) Vs(t) -
+
Vs(t)
+
Vs(t)
D4 D2
D1 D3
+
-
D2
-Vs(t)
Bifsico onda
Monofsico en puente
Ambos rectificadores, generan a la salida una onda completa en ambos semiciclos. El bifsico de onda, es alimentado por un transformador con punto medio en su bobinado secundario, que genera dos tensiones de igual magnitud pero desfasadas 180, vs1 y vs1. Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conduce el diodo D1 entregando corriente unidireccional a la carga. El diodo D2 no conduce por estar polarizado inversamente. En el semiciclo negativo, D2 es el que conduce y D1 no lo hace. El rectificador monofsico en puente, esta formado por los diodos D1, D2, D3 y D4. La alimentacin al mismo se hace entre los puntos A yB y la carga se conecta a los puntos C y D. En la grafica que sigue, tenemos la forma de la tensin sobre la carga para ambos rectificadores. Vo(t) Vo(t) Vo
Por anlisis de Fourier, la tensin de salida vale: Vo(t) = 2.Vm/ 4/( . 3) .cos2wt -- . VrmsTotal = Vm/2 (Vrmstotal)2 = (Vo)2 +(vca(rms))2. Despejando y reemplazando tenemos: __________ Factor de rizado () = vca(rms)/Vo = [()2/8 1] = 0,48 ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Este ltimo valor, para algunas aplicaciones en electrnica, puede ser alto. A los efectos de reducir aun ms el factor de rizado, se recurre a los denominados filtros pasivos como lo que muestran los siguientes circuitos:
A la salida del rectificador
A la conexin de la carga o el regulador
Filtro a condensador
Filtro LC
Filtro LC dos secciones
Filtro pi
El mas utilizado es el filtro a condensador dado que prcticamente todas las fuentes de alimentacin poseen reguladores de voltaje que mejoran no solamente la regulacin, sino tambin el factor de rizado. Anlisis del filtro pasivo a condensador: id + vs(t) vo(t) =vc(t) +ic vc(t) 1 i 2 2. + 1 id io t t io vo(t) v vo(t)
ic
Tension de entrada : vs(t) = Vm .sen t. Tension de salida : vo(t) = Vm.sent
1 t 2

Vo(t) = Vm. sen2 . e(-t/RL.C) 2 t 1 +2.
1: Angulo de inicio de la conduccin del diodo 2: ngulo de la finalizacin de la conduccin del diodo 2 1: ngulo de conduccin del diodo. Corriente en la carga RL: io(t) = vo(t)/RL io(t) = Vm/RL .sen2 . e(-t/CRL) = -ic Corriente en el condensador: ic(t) = C . dvs(t)/dt = Vm. .C.cot 1 t 2 ic(t) = -io = -Vm/RL. sen2.e(-t/C.RL) 2 t 1+2. Corriente en el diodo: Id(t) = ic(t) +io(t) para 1 t 2 Id(t) = 0 para 2 t 1+2. Corriente mxima en el diodo: La corriente mxima en el diodo es conveniente determinarla dado que es uno de los parmetros elctricos necesarios para seleccionar el diodo. Esta se produce cuando el diodo comienza a conducir en t = 1. Su valor resulta de la suma de la corriente en la carga y la corriente del condensador. Idmax.= ic + io = Vm. .c.cos1 + (Vm/Rl) . sen 1 Otro valor que necesitamos determinar es la tensin media vo va rectificada (Vo) y el factor de rizado (gama). Para ello debemos primero encontrar los valores de 1 y 2. Matemticamente Vm Vo debemos resolver una ecuacin trascendente lo cual resulta complicado. Para facilitar los t clculos hacemos la siguiente /2 5/2. simplificacin: suponemos que la tensin sobre la carga tiene una variacin lineal en forma triangular como vemos en el grafico En esta simplificacin, la tensin de salida vo(t), varia desde Vm a (Vmva). La tensin media resulta: Vo = Vm va / 2. Para encontrar el valor de va, vamos a considerar que se produce por la descarga del condensador entre /2 y 5/2 . Va = Q/C Como la tensin varia linealmente, la carga almacenada disminuir con velocidad constante ic = Q/ t = cte. = Io (corriente media sobre la carga). Como T = T (periodo) y T = 1/f entonces: Q =Io . T = Io.T = Io/f reemplazando en va tenemos Va = Io / f.C luego con esta expresin determinamos la tensin media. Vo = Vm Io / 2.f.C 1 t 2

Esta ultima expresin nos permite determinar el valor de Vo en funcin de la corriente de la carga (es lo que se llama la regulacin de la carga) Por otra parte si reemplazamos Io = Vo / RL tenemos. Vo = Vm / (1+ 1/ 2.f.C.RL) Para encontrar el factor de rizado debemos calcular el valor eficaz de la componente alterna de una onda triangular, que vara desde Va/2 hasta Va/2, resultando: Vaef = Va / 2.3. Reemplazando en la expresin del factor de rizado, tendremos: Vm . sen 1 = Vm Va ; 1 = arc. sen (2.f.RL.C.1) / (2.f.RL.C. +1) El valor de 1 lo reemplazamos en la formula de id max. Rectificador de onda completa con filtro pasivo a condensador: El anlisis es similar al caso anterior y las formulas desarrolladas son de aplicacin con la salvedad de reemplazar la frecuencia f por 2f. En las fuentes de alimentacin que disponen de filtro a condensador y circuito regulador, el valor de va suele ser de un 10% del valor de Vm. Regulacin de carga de una fuente de alimentacin de corriente continua La regulacin de carga expresa la variacin Vo VoV=Vm de la tensin de salida de la fuente de alimentacin en funcion de la variacin de la corriente de la carga. Para el caso que hemos tratado de una fuente con filtro pasivo a condensador, la expresin matemtica esta dada por las formulas ya VoN desarrolladas: Vo = Vm Io / 2.f.C (1/2 onda) Vo = Vm Io / 2.f.C (onda completa) La regulacin de carga (RC) la expresamos como: RC : Vov VoN si la expresamos en % RC(%) = (Vov VoN ) / Von . 100 Siendo: Vov la tensin de salida en vaco ( Io = 0) VoN la tensin de salida con carga nominal (Io = IoN).
IoN Io
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------DIODOS ESPECIALES Tenemos una gran variedad de semiconductores de una juntura, con caractersticas elctricas especiales. Los ms relevantes son los siguientes: Diodo Zener, diodo varicaps., diodo tnel, diodo Schottky, diodo emisor de luz, fotodiodos, diodos de corriente constante, diodos de recuperacin en escaln, diodos invertidos. Diodos Zener iz
Polarizacin directa
Estos diodos, tienen propiedades similares a la de un diodo normal pn. La caracterstica Vzk VI, obedece en polarizacon directa, a la caracterstica exponencial donde: id = Is[ e(Vz/.VT) - 1] para vz > 0. En polarizacon vz inversa, el comportamiento es similar al diodo comn, siempre que la tensin inversa no sea excesiva. A Vz=cte partir de una determinada tensin inversa, denominada Vzk, se produce la ruptura de la juntura que hace que aumente notoriamente la Polarizacin corriente inversa, sin que aumente la tensin en sus inversa extremos. Dentro de ciertos lmites de corriente inversa, esta ruptura no es destructiva. De all la aplicacin de este elemento como tensin de referencia o de regulacin de tensin. Mecanismo de ruptura: Existen dos formas de ruptura: Ruptura por avalancha y ruptura por efecto Zener. En la primera, los portadores de carga generados trmicamente, adquieren suficiente energa a partir del potencial elctrico externo aplicado, producindose la ruptura de enlaces covalentes generando pares electrn huecos. Estos a su vez tambin adquieren energa para romper otros enlaces covalentes y as este proceso se hace acumulativo, dando lugar a un aumento de la corriente inversa. Este proceso se denomina multiplicacin por avalancha. La ruptura Zener, se produce por el propio campo elctrico en la zona de la juntura (zona de la barrera de potencial o campo elctrico nter construido) que se ve incrementado por el potencial elctrico externo aplicado. Este, provoca la separacin de los electrones de sus enlaces covalentes, generando los portadores de carga electrnhueco. Un diodo Zener esta construido, drogando fuertemente las regiones p y n de la juntura pn. Para diodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el mecanismo de ruptura es por efecto Zener. Por encima de este valor el mecanismo de ruptura es por avalancha. Cualquiera sea el mecanismo de ruptura, se les denomina diodos Zener. Caractersticas de temperatura: La tensin de Coef.+ ruptura es funcin de la temperatura. Esta 6 volt Temp. dependencia se especifica, mediante el coeficiente de temperatura, definido como el cambio de la tensin de referencia (%) por grado centgrado de variacin de la temperatura. Este valor suele estar vz comprendido entre 1% / C dependiendo de la tensin de ruptura. Para diodos Zener por debajo de los 6 volt, el coeficiente es negativo. Por arriba de 6 volt, es positivo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Resistencia dinmica: En los diodos Zener reales, en la zona de la ruptura, rd no es constante, sino que se va incrementado levemente, con el aumento de de la corriente inversa. La reciproca de la pendiente de la curva VI , en el punto de funcionamiento se le denomina como ya lo hemos tratado, resistencia dinmica del diodo Zener rd = Vz / Iz. Este valor suele estar comprendido en 5 para diodos Zener con tensiones de ruptura de alrededor de los 6 volt. Este valor, se incrementa para tensiones de ruptura mayores y menores a 6 volt. En la zona del codo de la ruptura (Izk), su valor se incrementa notablemente. Por ejemplo el diodo zener 1N957 tiene una tensin de Zener de Vz = 6,8 volt para una corriente Izt = 18,5 ma, con una resistencia dinmica rd = 4,5 . Para Izk = 1 ma la resistencia dinmica vale rd = 700 . De all la conveniencia de utilizar los diodos Zener con corrientes por encima de Izk (corriente del codo). Capacidad del diodo Zener: Estos como toda juntura pn, presentan una capacidad (capacidad de transicin) cuyo valor vara en razn inversa a la tensin aplicada Ct 10 a 10.000 pF. Anlisis de un circuito bsico con diodo Zener Generalmente en los circuitos que se utiliza un diodo Zener, la carga esta conectada en paralelo. Conviene simplificarlo utilizando Thevenin en los puntos A y B del circuito.
Vth = (RL . Vcc) / ( R1+RL) iz Rth = R1 // RL = R1 . Rl / (R1+RL) Vth/Rth Para resolver analticamente debemos encontrar el modelo aproximado por tramos del diodo Zener y plantear las siguientes ecuaciones: Izk Vth = Rth . iz + vz vz = Vzk + rd . iz Para resolver grficamente, debemos superponer la recta de carga con la curva del diodo Zener como muestra el dibujo aclarando que la zona de ruptura se la dibuja en el 1 cuadrante. Vzk
Iz,Vz Vth
vz
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Para el circuito de la figura, determinar: a)- La tensin sobre la carga b)- La corriente sobre la carga C)- La corriente del diodo Vzk = 3,0 volt rd = 0
Problema Resolver los mismos valores del problema con la diferencia de la tensin de ruptura del diodo Zener Vzk = 6,8 volt. Problema Se desea disear un circuito reductor de tensin continua para alimentar una carga con una tensin de 9 volt, teniendo en cuenta que la misma tiene un consumo mximo de 0,75 vatios. La fuente primaria, es un toma corrientes de un automvil el cual suministra una tensin nominal de 12 volt. El circuito deber mantener la tensin de suministro de 9 volt aun cuando la carga se desconecte, y deber adems hacer frente a las variaciones de la tensin primaria de entrada. Datos: Pomax = 0,75 vatios Pomn = 0 vatios V1nominal = 12 volt V1minimo = 12 volt. V1maximo = 13,6 volt
Solucin: Seleccionaremos un diodo Zener con una tensin de ruptura Vzk = 9 volt. La resistencia R1 la determinaremos teniendo en cuenta que el diodo deber estar conduciendo en todo momento en la zona de ruptura y con una corriente mnima (Izk) dada en la zona del codo. La peor condicin, respecto al voltaje de ruptura, se va a dar entonces cuando se este entregando la potencia mxima a la carga y al mismo tiempo la tensin primaria (V1) este en su valor mnimo. RL = Vo2 / Po max = 92 / 0,75 = 108 Io max = VoN / RL = Vzk / RL = 9 / 108 = 83,3 ma Io min = 0 Izk = 1ma (valor adoptado) I1 = Izk + Io max. = 1 + 83,3 = 84,3 ma ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------R1 = (V1 min vz) / I1 = (12 9) / 0,0843 = 35,6 PR1 = RL . I12 = 0,25 vatios Con este valor de R1 debemos ahora calcular la corriente mxima que va a circular por el diodo Zener. Esta condicin se va a dar cuando tengamos el mximo valor de V1 y la carga desconectada Io = 0 Iz max = (V1 max vz ) / R1 = (13,6 9 ) / 35,6 = 130 ma. Con este valor podemos calcular la mxima potencia que deber disipar el diodo Zener. Pzmax = Izmax. Vz = 1,17 vatios. Con el valor de Vzk, Iz mx. y Pzmax, se deber seleccionar el diodo que tenga la tensin de ruptura lo mas prximo y su disipacin mayor al valor calculado. Otra solucin respecto al valor mximo de iz es colocar una resistencia de drenaje para evitar que la corriente de la carga sea cero. Como aclaracin final, ste es un clculo previo dado que se deber recalcular, en base a los valores de resistencias y diodo adoptados. Diodos de capacidad variable (varicaps) La juntura pn presenta caractersticas de capacidad elctrica ante variaciones tanto de la tensin inversa aplicada, como de la tensin directa. Podemos entonces distinguir dos tipos de capacidad: la capacidad de la carga espacial o de transicin (Ct) y la capacidad de difusin o almacenamiento (Cd). Capacidad de transicin Ct : Esta capacidad aparece cuando polarizamos inversamente la juntura pn. La polarizacon inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen de la juntura dejando descubierta la denominada carga espacial debido a los tomos ionizados. El grueso de esta capa de carga espacial, aumenta con la tensin inversa. Este aumento de carga puede considerarse como un efecto de capacidad Ct =Q/V Donde Q es el aumento decaiga provocado por un aumento de V de la tensin aplicada. El valor de Ct lo podemos expresar de la siguiente forma: Ct = .A/W permitividad del material A Area de la juntura transversal W Ancho de la zona de la carga espacial El valor de W se puede expresar mediante las siguientes formula: W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cuadrado); para juntura abrupta tipo aleacin W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cubo); para juntura gradual. Vj = Vo + Vd q carga del electrn Nd concentracin de impurezas donadoras Vj Potencial de la juntura o barrera de potencial con tensin externa inversa aplicada. Vo Barrera de potencial sin tensin externa aplicada Vd Tensin externa aplicada El valor de Ct es del orden de los pF y como W aumenta con Vj, entonces la capacidad de transicin disminuye con el aumento de la tensin inversa aplicada. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Capacidad de difusin: Esta aparece cuando la juntura esta polarizada directamente. El origen de esta capacidad tiene lugar en el almacenamiento de las cargas inyectadas en la vecindad de la juntura, fuera de la regin de transicin. La variacin de esta carga inyectada, con la variacin de la tensin directa aplicad nos define una capacidad incremental: Cd Q/V = .I / .vT = .g = / r siendo g = dI / dV vT= tension termica T [K]/ 11.600 Tiempo de vida media de los portadores huecos. I Corriente directa. Coeficiente de emisin Por ejemplo si = 20 seg. , =1 resulta Cd = 20 F. Como vemos Cd >> Ct. No obstante de ser Cd un valor grande, no tiene en las aplicaciones en gral. Inconvenientes dado que rd (resistencia dinmica directa) es muy bajo y por lo tanto la constante de tiempo rd.Cd no es exesiva. Diodo Varicaps Son diodos que se utilizan como capacidad variable aprovechando la variacin de la capacidad de transicin Ct con la tensin inversa aplicada.
Smbolo Curvas tpicas de variacin de Ct Ct(pf) Circuito equivalente
20 10
-4
-12
Vd inv.(volt)
Los valores dados en el circuito equivalente son para un determinado diodo varicaps con una determinada tensin inversa. Estos diodos se los utiliza generalmente en sistemas de radiocomunicaciones para los circuitos de sintonizacin tipo LC o tambin en osciladores con frecuencias variables. Veamos un circuito bsico de aplicacin, para sintonizacin LC
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Antena
C y L forman el circuito de resonancia paralelo principal. L1 acopla la seal sintonizada a las etapas amplificadoras posteriores. C1 acopla, en paralelo al circuito LC (llamado circuito tanque), la capacidad de transicin Ct. El filtro L de Choke, impide que la seal de radiofrecuencia, presente el circuito tanque, ingrese a la fuente de alimentacin Vcc y a travs de ella, provoque inestabilidad en el resto del circuito (realimentacin positiva). La fuente de alimentacin y el potencimetro, son los encargados de aplicarle una tensin inversa y variable al diodo barricas. La variacin de Ct provoca el cambio de la frecuencia de resonancia del circuito tanque y con ello la sintonizacin. Diodo Tnel Un diodo comn tiene una concentracin de impurezas de aproximadamente 1 parte en 108 tomos del semiconductor. Con este dopado, la zona de agotamiento o regin de la carga espacial no neutralizada (zona de la barrera de potencial), es del orden de 1 micra. Esta zona es la que restringe la fluencia de portadores mayoritarios de un lado de la juntura hacia el otro. Si la concentracin de impurezas se hace una parte en 1034.. tomos del semiconductor, la caracterstica de la juntura cambia completamente. El ancho de la barrera de potencial vara inversamente con la raz cuadrada de la concentracin de impurezas, reducindose a solo un cincuentava parte de la longitud de la onda de la luz visible. Con este ancho existe una gran probabilidad de que un electrn penetre a travs de la barrera de potencial. Este comportamiento en Mecnica Quntica se lo conoce como efecto tnel. Estos dispositivos se los denominan o conocen, como diodos tnel. Smbolo id Ip 1ma Iv 0,1ma Vp 0,1 Vv 0,3 Vd(volt) 6 Regin de resistencia negativa
Caracterstica VI Cuando la tensin directa llega a aproximadamente 0,1 volt y hasta 0,3 volt, el dispositivo presenta una caracterstica de resistencia negativa es decir aumenta la tensin en los extremos con disminucin de la corriente. Vp: tensin pico Ip: corriente pico Vv: tensin de valle Iv: corriente de valle
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Una de las aplicaciones de los diodos tnel es la generacin de altas frecuencias mediante los circuitos osciladores con un rango de frecuencias muy angosto. El reducido rango de tensiones donde ocurre el fenmeno de resistencia negativa, limita sus aplicaciones. Son dispositivos de baja potencia. Las tensiones directas e inversas aplicadas es necesario limitarlas a un mnimo. Los materiales utilizados para su construccin son el Si, GaAs y Ge. Diodo Schottky Es posible lograr dos tipos de unin entre metal y semiconductor: una unin ohmica o una unin rectificante. Para la primera, es el tipo de contacto requerido cuando esta destinado a unirse a un semiconductor, como el caso de los terminales exteriores que se unen al material pn de un diodo. El segundo es un diodo metalsemiconductor (denominado barrera Schottky), con caractersticas elctricas similares a un diodo pn. Cuando se forma una unin metal semiconductor, (siendo el metal aluminio, o platino), con un semiconductor del tipo n, fuertemente impurificado (n+), la unin que se logra es ohmica. En cambio si el semiconductor esta ligeramente drogado, se forma una unin rectificante. El aluminio o el platino, actan como dopantes del tipo p (aceptor) cuando se deposita directamente sobre el silicio tipo n. 1 Al 2 SiO2
2
Juntura Rectificante
n+ Tipo n Sustrato tipo p
Smbolo
El dibujo es un diodo Schottky formado bajo la tcnica de los circuitos integrados. El Terminal 1 (nodo), forma una unin rectificante cuando se une el aluminio con el semiconductor silicio tipo p. El terminal2 (ctodo), forman una unin Ohmica cuando se une el aluminio con el semiconductor silicio fuertemente drogado tipo n+. A diferencia del diodo de juntura pn de silicio, que tiene un voltaje umbral de alrededor de 0,5 a 0,7 volt, el diodo Schottky se activa con un voltaje de 0,3 volt. La corriente de saturacin inversa Is de este diodo es mucho ms alta que los de silicio pn. Una ventaja importante, es la de poder conmutar de conduccin directa a inversa a mas velocidad que un diodo pn, debido a que no presenta prcticamente carga almacenada Q, introduciendo menos fluctuaciones de voltaje o ruido elctrico. Este diodo se utiliza frecuentemente en los circuitos integrados, siendo una de las funciones, la de limitar la cada de tensin directa o inversa de una juntura pn (fijador de tensin Schottky).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema En el circuito de la figura, determinar el voltaje del diodo pn de silicio y la corriente i1, cuando se aplica una tensin V1= 5 volt. V1(Schottky)=0,3 volt V2(silicio pn) = 0,7 volt
VD
Ambos diodos estn polarizados directamente. Cuando la tensin llegue a 0,3 volt, el diodo que comenzara a conducir ser el de menor tensin umbral, en este caso el diodo Schottky y que por lo tanto fijara en el mismo valor la tensin del diodo de juntura pn. Vd = V1 =0, 3 volt. i1 = (V1 V1) / R1 = (5 0,3) / 1 = 4,7 ma. Fotodiodos Estos elementos forman parte de la familia de los dispositivos opto electrnicos o fotonicos, siendo su aplicacin, en los procesamiento de seales analgicas y digitales. Se utilizan extensamente en redes telefnicas y de computadoras, reproductores de discos compactos (CD, DVD, etc), control a distancia sin cables elctricos, etc. Constituyen la interfase entre los medios de transmisin pticos (fibras pticas) y los sistemas electrnicos. Analizaremos el funcionamiento del fotodiodo: Luz externa Fotones de distinta Ventana Longitud de onda
SO2
Azul rojo
Infrarrojo nodo Zona de la carga espacial Zona n+
Lente convergente ip P N
+ -
zona p+ + + w
Zona n
vp
V1 RL
+ Ctodo
VL
Smbolo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------El fotodiodo tiene una estructura similar a un diodo pn con la excepcin que la juntura pn esta expuesta a la luz a travs de un lente concentrador del haz luminoso. Normalmente es operado bajo condiciones de polarizacon inversa. En ausencia de luz, solamente circula la corriente de los portadores minoritarios (denominada corriente oscura) generados trmicamente. Cuando incide la luz, con suficientes fotones de energa, se crean pares electrn huecos en la regin de la carga espacial no neutralizada, permitiendo un aumento de la corriente inversa. El nmero de pares electrn huecos excedentes generados resulta proporcional a la intensidad de luz incidente, lo que es una medida de los fotones que inciden en la unin por unidad de tiempo. Podemos decir que un fotodiodo funciona como un dispositivo de tres variables: la tensin, la corriente y la intensidad luminosa. En el grafico se puede observar la relacin entre las mismas y las caractersticas de sensibilidad luminosa: Caracterstica tensin-corriente-intensidad luminosa del fotodiodo Polariz. inversa -1/R1 L3=0,3 mw/cm2 L2=0,2 mw/cm2 2 L1=0,1 mw/cm2
ip[a] 1/R2 regin fotovoltaica 6
Polariz. directa
4 Intensidad luminosa cero
vp[volt]
Sensibilidad (%) 100
Ojo humano
Silicio GaAs
Germanio
20 0,2 Ultraviolet a 500 Luz visible 1000 Infrarrojo prximo 1500 2000 Long.onda Incidente ()
Infrarrojo medio
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------El grafico muestra la sensibilidad en por ciento (%) de: el ojo humano, el silicio, GaAs, y el germanio. Vemos que el silicio cubre y GaAs (arseniuro de galio) cubre el espectro de luz visible y el infrarrojo prximo. Los elementos emisores como el diodo luminiscente de GaAs, tiene su mxima emisin en la zona de mxima sensibilidad del silicio. Los fotodiodos se fabrican de silicio, GaAs, y de otros semiconductores llamados debanda de energa directa vaca. A diferencia del silicio, en el cual los fotones absorbidos deben crear vibraciones en la red cristalina (llamadas fonones) para generar pares electrn-huecos, los otros absorben fotones y producen pares electrn huecos, sin necesidad de producir fonones de movimiento lento. Como resultado los fotodiodos fabricados de GaAs son ms rpidos para pasar del estado activo al estado inactivo, que los fotodiodos de silicio. En las caractersticas VI, vemos que existe una zona donde para vp positivo (polarizacin inversa) la corriente ip permanece prcticamente constante y se la puede expresar de la siguiente forma: Ip = I . LI I (intensidad ) es la fotoconductividad del fotodiodo medida en [a / mw/cm2] LI intensidad de luz en [mw / cm2] Ip corriente inversa [a] La ecuacin anterior tambin se la puede expresar en funcin del flujo total de luz (Popt) incidente sobre el fotodiodo, medido en [mw]. Ip = R . Popt donde R, es la responsividad medida en [ma / mw] La ecuacin general del fotodiodo la expresamos como: Ip = Is .[ e(-vp/.vT) --1] + I . LI Donde el primer termino representa la corriente de portadores generados por la temperatura y el Segundo termino la corriente debido a la luz incidente sobre el fotodiodo. El fotodiodo como foto-generador (clula fotovoltaica) Si analizamos la caracterstica tensincorriente del fotodiodo, vemos que con luz incidente y vp =0 o sea en cortocircuito, circula una corriente inversa. Para el otro extremo ip =0 o sea en circuito abierto, aparece una tensin elctrica en los extremos del fotodiodo. Como vemos entre estos dos extremos acta como un generador elctrico fotovoltaico (zona de segmentos azules en la caracterstica VI).
Circuito como fotodiodo
Circuito como generador fotovoltaico
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Diodos emisores de luz Estos diodos se caracterizan por convertir una corriente elctrica en una radiacin luminosa, en la zona de luz visible e infrarroja. Tienen muchas aplicaciones como dispositivos de exhibicin visual, con radiacin predominantemente monocromtica (varios colores) y como emisores para la transmisin de informacin por fibras pticas o excitadores para fotodiodos. En general, podemos clasificarlos en diodos luminosos (LED), diodos infrarrojos (IRD o ILD) y diodos Lser. Los diodos emisores de luz se elaboran a Cubierta de Semiconductor partir de una unin pn de silicio, de plstico arseniuro de galio, o de otros semiconductores compuestos del grupo III y V. Estos materiales comparten la Hilo de propiedad de que al recombinarse los oro pares electrnhuecos , generan fotones de una sola longitud de onda . Los electrones libres que estn en la Bandeja banda de conduccin, con un nivel reflectora energtico alto, al pasar a la banda de los enlaces covalentes, lo hacen cediendo energa en forma luminosa. Esto se logra cuando se polariza en forma directa la unin pn. En esta condicin se inyectan electrones y huecos en Ctodo nodo direcciones opuestas a travs de la regin de agotamiento. A medida que los pares electrnhuecos se recombinan con huecos y electrones en los lados p y n de la unin, respectivamente, el diodo emite luz. El espectro de emisin no es monocromtico, aunque esta dominado por un solo color. Los materiales utilizados son: GaAs, GP, y mezclas ternarias de Ga (AsP) y As (GaAl). En proporciones adecuadas de estos elementos pueden conseguirse radiaciones visibles de longitudes de onda desde el infrarrojo prximo hasta la zona verde. (Colores rojo, naranja, amarillo, verde). Existen LED (recientemente comercializados) que emiten en azul, utilizando el SiC. La potencia ptica de salida, esta relacionada con la corriente directa: Popt = . Id emisividad del diodo en [mw/ma] o [w/ma] La corriente del diodo vale id = .[ e(-vd/.VT) -1]. La cada de tensin directa vd, vara entre 1,7 y 3,3 voltios, dependiendo del tipo de diodo, el color de su emisin y de la seccin transversal del mismo. Los diodos luminosos sufren envejecimiento con las horas de uso. La radiacin emitida disminuye. Por ejemplo, para un diodo IRD, su potencia de radiacin disminuye en promedia a la mitad, en un tiempo de 10(5) horas. La tensin inversa que soportan los diodos LED, IRD y Lser es muy baja, de alrededor de 6 volt o menos. Los requerimientos de potencia elctrica son tpicamente de 10 a 150 mW, con tiempos de vida superior a las 100000 horas
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Diodos de corriente constante A diferencia de los diodos Zener que mantienen constante la tensin en sus extremos, los diodos de corriente constante, mantienen la corriente que circula por ellos en forma constante, dentro de una amplia variacin de la tensin aplicada. Por ejemplo el diodo 1N5305 es un diodo de corriente cte. Con una corriente tpica de 2ma, en un intervalo de tensin de 2 a 100 voltios aplicados en sus extremos. Diodos de recuperacin en escaln Estos diodos tienen un perfil de impurezas infrecuente ya que la densidad de portadores, disminuye cerca de la juntura. Esta distribucin da lugar a un fenmeno llamado desplome en inverso. Durante el semiciclo positivo de una seal alterna, el diodo conduce corriente en forma similar a la de un diodo de silicio. Durante el semiciclo negativo, la corriente inversa conduce durante un tiempo muy corto, reducindose luego abruptamente a cero. Esta corriente de desplome es muy rica en componentes armnicos de la seal de excitacin, por lo que se puede filtrar y obtener ondas senoidales de frecuencia ms alta a la original. Debido a esta particularidad, estos diodos se utilizan como multiplicadores de seal. Diodos invertidos Los diodos Zener tienen una tensin de ruptura mayor a 2 voltios. Incrementando el nivel de impurezas, puede lograrse el efecto Zener con tensiones prximas a cero voltios. La conduccin con tensin directa ocurre con 0,7 volt, pero con tensin inversa, comienza a conducir con -0,1 volt o menos. Estos diodos se denominan invertidos y se utilizan para rectificar seales dbiles cuyas amplitudes no superen los +0,7 volt y -0,1 volt.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------LOS COMPONENTES PASIVOS DE USO EN ELECTRONICA Resistores lineales Los resistores, comnmente llamados resistencias, tienen la misin de limitar la corriente que pasa por una rama del circuito electrnico. Estas se fabrican con materiales que conducen la electricidad, pero que poseen una resistencia grande comparada con la resistencia de los alambres, los contactos o las pistas de la plaqueta que soportan el circuito electrnico propiamente dicho. El voltaje instantneo a travs de una resistencia pasiva, es proporcional a la corriente que pasa a travs de ella (ley de Ohm: v=R.i). Las caractersticas y parmetros ms comunes (entre otros ms) para identificar a las resistencias elctricas son: Tipo, rango disponible, tolerancia, potencia mxima disipada, coeficiente de temperatura (%/C). Los tipos de uso comercial mas difundidos en electrnica, son los resistores de composicin de carbn, de alambre arrollado, de pelcula metlica, y de pelcula de carbn. Resistores de composicin de carbn Estn fabricados con grnulos de carbn presionados en caliente mezclados con cantidades variables de material de relleno para lograr un amplio rango de valores de resistencia. Estos resistores tienen la ventaja de ser baratos, confiables y estn notablemente libres de capacitancia e inductancia parasita. Sin embargo sus tolerancias de 5%, 10% y hasta 20%, los comparan en forma desfavorable con la mayor parte de los dems tipo de resistores y sus coeficientes de temperatura, o sea el cambio porcentual del valor de resistencia por cada grado de cambio de temperatura, son relativamente altos. Resistores de alambre arrollado Las resistencias de alambre arrollado se fabrican mas que nada para tres aplicaciones: alta precision, baja resistencia y alta disipacin. No obstante en uso comercial, en la electrnica de potencia o industrial, estn difundidas estos resistores con tolerancias del 5%, con valores entre 0,008 R 150 K, y disipaciones de potencia entre 5 y 225 watios. Consisten en tramos de alambre arrollado alrededor de un ncleo cilndrico aislante. Cuando se las fabrica con metales con aleaciones de bajo coeficiente de temperatura, resultan resistencias muy precisas y estables. Resistores de pelcula de metal y pelcula de carbn En este tipo de fabricacin, se depositan sobre materiales aislantes, pelculas de metal o pelculas de carbn, para proporcionar trayectorias de corrientes con muy alta resistencia (hasta 10.000 M). Con este proceso, se logran resistores de alta exactitud y estabilidad, comparables a las resistencias de alambre arrollado. Adems, estos resistores presentan como una caracteristica a tener en cuenta como: generan bajo ruido elctrico y tienen baja inductancia parasita. Los componentes depositados en capa que se utilizan para formar los resistores son el carbn, metal (Cr/Ni), metal fino (Au/Pt), capa mixta (negro de humo en forma de laca) y oxido metlico (SnO2). Valores de tolerancia: En general los valores estndar de los resistores en lo que respecta a su tolerancia, estn comprendidos en 0,1%, 0,25%, 0,5%,1%, 10% y 20%. Para los circuitos electrnicos de uso comercial, se utilizan resistores con tolerancias con valores del 1%, 5% y 10%. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los resistores que se emplean en la instrumentacin militar o especial (industrial) como podra ser el control electrnico de equipos industriales para generacin elctrica, por ejemplo turbogas, se especifican en normas especficas como la norma americana MILR-55182. Esos resistores tienen coeficientes de temperatura e ndices de falla especficos y se fabrican bajo requerimientos especficos de control de calidad. Estos valores de tolerancia se cumplen mientras no superemos las disipaciones de potencia especificadas, dado que lo contrario los resistores sufren procesos fisicoqumicos irreversibles por efecto de la elevacin de la temperatura (oxidacin, corrosin, electrolisis, difusin y recristalizacion) Daremos a continuacin una serie de tablas generales y especificas de los resistores TABLA 1 Valores estndar, en Ohms, que se utiliza la Electrnica, para los resistores de pelcula metlica (tolerancia 1%) y resistores de carbn (tolerancia 5% y 10%). Los valores disponibles para los resistores de carbn son 1 R 100 M. Para los resistores de pelcula metlica son 10 R 10 M Los valores disponibles de los resistores, se obtienen de multiplicar los nmeros de la tabla por una potencia de 10, o sea 10-1, 100, 101, 102, 103, 104, 105 y 106 1% 10,0 10,2 10,5 10,7 11,0 11,3 11,5 11,8 12,1 12,4 12,7 13,0 13,3 13,7 14,0 14,3 14,7 15,0 15,4 15,8 16,2 16,5 16,9 17,4 17,8 18,2 18,7 19,1 19,6 5% 10% 1% 10 10 20,0 20,5 21,0 21,5 11 22,1 22,6 23,2 12 12 23,7 24,3 24,9 25,5 13 26,1 26,7 27,4 28,0 28,7 29,4 15 15 30,1 30,9 31,6 16 32,4 33,2 34,0 34,8 35,7 18 18 36,5 37,4 38,3 39,2 5% 10% 1% 20 40,2 41,2 42,2 43,2 22 22 44,2 45,3 46,4 47,5 24 48,7 49,9 51,1 52,3 27 27 53,6 54,9 56,2 57,6 59,0 30 60,4 5% 10% 1% 61,9 63,4 64,9 43 66,5 68,1 69,8 71,5 47 47 73,2 75,0 76,8 51 78,7 80,6 82,5 84,5 56 56 86,6 88,7 90,9 93,1 95,3 97,6 5% 10% 62
68
68
75
82
82
91
33
33
36
39
39 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------TABLA 2CARACTERISTICA GRAL DE VARIOS TIPOS DE RESISTENCIA
Tipo Rango disponible 1 a 22M 1 a 22k 0,1 a 10.000M 10 a 100M 0,1 a 1 0,01 a 1 Tolerancia (%) 5 a 20 0,0005 y mayor 0,005 y mayor 0,5 y mayor 20 20 Coeficiente de temperatura (%/C) 0,1 0,0005 0,0001 -0,015 a 0,05 Potencia mxima disipada 2W 225W 1W 2W 250kW >250kW
composicin de carbn De alambre enrollado De pelcula metlica De pelcula de carbn De acero Liquida (H2O + CaCO3)
Las resistencias elctricas con dimensiones fsicas grandes, su valor y tolerancia estn estampados en su cuerpo; en cambio para aquellas resistencias de dimensiones fsicas reducidas se emplea un cdigo de colores consistente en bandas de colores alrededor del cuerpo de la misma. Por ejemplo las resistencias elctricas con un 5% de tolerancia tienen 4 bandas. Las resistencias elctricas con 1% y menor de tolerancia, tienen 5 bandas. Estas bandas identifican su tolerancia y su valor absoluto, de acuerdo con la siguiente tabla. TABLA 3 CODIGO DE COLORES PARA RESISTORES
Resistores de pelcula metlica
Resistores de carbn
1 dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 _ _ _
2 dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 _ _ _
Multiplicador 100=1 101=10 102=100 103=1K 104=10K 105=100K 106=1M 107=10M
Tolerancia ----------5% 10% 20%
Color
Negro Caf Rojo Naranja Amarillo Verde Azul Violeta Gris Blanco Oro Plata Sin franja
1 dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 _ _ _
2 dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 _ _ _
3 dgito 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 _ _ _
Multiplicador 100=1 101=10 102=100 103=1K 104=10K 105=100K 106=1M 107=10M
Tolerancia -1% ------------
El valor de resistencia que indican las bandas de color, se llama valor nominal de la resistencia, o sea el valor indicado en la tabla 2 para resistencias con tolerancias de 1, 5 y 10%. Esos valores se determinan siguiendo una formula que establece que cada valor nominal es de aproximadamente (1+2.N) veces el valor nominal precedente (siendo N la tolerancia de la resistencia. Empleando esa formula, la resistencia de cada elemento fabricado, esta dentro del rango de tolerancia de cada valor nominal. En general, las formas fsicas de los resistores son tubulares e individuales. Tambin se consiguen resistencias como Chips, similar a los encapsulados de los circuitos integrados, para su montaje superficial. Tanto los resistores como para los capacitores, presentados como chips de montaje superficial como para los de uso militares, el tamao fsico y la forma, son similares . En muchos casos es imposible identificarlos, excepto midiendo el componente. Aun los ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------diodos parecen resistencias, con excepcin de la pequea banda de polaridad en un extremo. Los resistores tambin se pueden conseguir en numerosas configuraciones de red. Al seleccionar una resistencia, en primera instancia lo hacemos por su valor elctrico, (involucrando con esto a su tolerancia) y su disipacin mxima de potencia. Hay circunstancias, donde la precision, la exactitud y la confiabilidad son predominantes; Para estos casos, es necesario que en la seleccin de los resistores, se consideren fuentes de error de segundo y tercer orden. Tales fuentes son el circuito equivalente del resistor para alta frecuencia (inductancia y capacidad parasita), el ruido trmico de Johnson, la energa de ruido de corriente, la resistencia del aislamiento, el limite de voltaje de aislamiento, el cambio mximo en la resistencia debido al voltaje aplicado, los cambios trmicos de resistencia, y las probabilidades estadsticas de falla. TABLA 4 Valores estndar, en Ohm, para los resistores de alambre arrollado, con tolerancia de 5 %. Los valores de estos resistores comprenden entre 0,008 R 150 K 0,008 0,75 7,5 27 0,01 1,0 8 30 0,02 1,5 10 33 0,03 2,0 12 35 0,05 2,5 15 40 0,1 3,0 16 45 0,15 3,3 20 47 0,2 4,0 22 50 0,26 5,0 22,5 56 0,3 6 25 60 0,5 7 62 70 75 80 82 100 110 120 150 160 180 200 220 250 270 300 330 390 400 430 450 470 500 560 600 680 700 750 910 1K 4K 1,2 K 5 K 1,3 K 10 K 1,5 K 15 K 1,8 K 20 K 2K 25 K 2,2 K 40 K 2,5 K 50 K 3 K 100 K 3,5 K 150 K
TABLA 5 Valores nominales de disipacin de potencia elctrica en los resistores de uso en Electrnica
Tipo Resistores de carbn Tolerancia Disipacin nominal de potencia
5% y 10% 1/8 W 1/4 W 1/2 W 1 W 2 W Resistores de pelcula metlica 1% 1/8 W 1/4 W 1/2 W Resistores de alambre arrollado 5% 5 W 12 W 25 W 50 W 100 W 225 W
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Resistores ajustables Otro tipo de resistor utilizado con frecuencia en los circuitos electrnicos son aquellos que permiten ajustar o variar su magnitud. Estas resistencias variables tienen por lo general tres terminales: dos fijas y una mvil. Si se utiliza un terminal fijo y el terminal mvil para variar la resistencia, se dice que se la utiliza como restato; si en cambio se utilizan los tres terminales en el circuito de aplicacin, decimos entonces que se la usa como potencimetro. Los potencimetros se emplean con frecuencia como divisores de voltajes variables en los circuitos. Estn construidos en pelculas de carbn, pelculas de plstico conductor y un componente denominado CERMET. Los valores de su resistencia mxima y su disipacin mxima, por lo general estn impresas en sus cuerpos de montaje.
Aplicacin como Restato. Aplicacin como potencimetro
Esquema del restato
Esquema del potencimetro
TABLA 6 Valores estndar () para potencimetros de plstico conductor con tolerancia 10 % y disipacin nominal de potencia 1/2 W. 250 1 K 2,5 K 5 K
B C
10K 25K 50K
100K 250K 500K
1 M 2,5M 5 M
TABLA 7 Valores estndar () para potencimetros lineales de carbn con tolerancia 10 % y disipacin nominal de potencia 2,25 W. 50 150 200 250 350 500 750 1 K 1,5K 2 K 2,5K 3,5K 5 K 7,5K 10K 15K 20K 25K 35K 50K 75K 100K 150K 200K 250K 350K 500K 750K 1 M 1,5M 2 M 2,5M 3,5M 5 M
TABLA 8 Valores estndar () para potencimetros de CERMET con tolerancia 10 % y disipacin nominal de potencia 1/2 W. 50 100 200 500
1 K 2K 5K
10K 20K 50K
100K 200K 500K
1M 2M
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Valor real esperado para las resistencias elctricas lineales El valor hmico esperado de una resistencia elctrica lineal de uso en los circuitos electrnicos, depende de varios factores, siendo la tolerancia y el coeficiente de temperatura, los ms destacados a tener en cuenta, para determinar su valor. La tolerancia nos especifica el desvi mximo esperado (por razones constructivas) respecto al valor nominal de la resistencia. El valor nominal de una resistencia elctrica se especifica generalmente con el mtodo de medicin y bajo determinadas condiciones entre otras, de temperatura y humedad. El fabricante suministra este valor nominal y su tolerancia, de varias formas, como por ejemplo mediante bandas con cdigo de colores impresas en el cuerpo del resistor. El coeficiente de temperatura, nos indica la variabilidad de la resistencia elctrica con la temperatura, respecto a su valor nominal. Este coeficiente normalmente se define como R (R/RN)/T .Este valor, que tampoco es constante, se suministra como valor promedio, %/C o ppm/C (partes por millon/C). Dependiendo del tipo de resistor, R puede ser positivo o negativo. Teniendo en cuenta estos dos factores, el valor final de un resistor estar dado por la siguiente expresin: R = (RN tolerancia).(1 + R. T) Ejemplo: Determinar, para la temperatura T=+65C, los valores mximos y mnimos esperados para un resistor de W que tiene estampado en su cuerpo, 4 bandas de colores, segn muestra el dibujo:
a b c d
a: 1cifra color rojo 2 b: 2cifra color azul 6 c: multiplicador color naranja 1000 c: tolerancia color dorado 5% Otros datos: R = +0,1%/C =+1000 ppm/C, TN = 25C Solucin: T = 65C 25C = 40C RN = 26.100 = 26 k (para TN = 25C) RMAXIMO = (26 k.+ 26. 0,05). [1 + (+0,001).40] = (27,3) . [1,04] = 28,392 k RMINIMO = (26 k. - 26. 0,05). [1 + (+0,001).40] = (24,7) . [1,04] = 25,688 k
Dibujos simplificados de los resistores de carbn, pelcula metlica y enrollados
Resistor de pelcula metlica y de carbon Resistor composicin de carbn Conductor plateado
Recubrimiento Composicin de carbn Substrato de vidrio pelcula metlica o carbon sobre sustrato Ncleo tubular de cermica resistente
Resistor de alambre enrollado Devanado uniforme
Terminales de aleacin estaada
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Resistores no lineales Estos componentes resistivos presentan caractersticas de no linealidad elctrica (no cumplen la ley de Ohm) y su valor resistivo dependen variables como la temperatura (termistores), voltaje (varistores) o luz incidente (fotorresistencias). Trataremos en forma general, a cada uno de ellos. Termistores Son dispositivos semiconductores de dos terminales cuya resistencia vara con la temperatura. Aprovechando esta caracteristica, se los utiliza en aplicaciones como sensores para medicin de temperatura, proteccin por sobre temperatura, medidores de nivel de lquidos, detectores de humedad, flujo de aire, etc. Para su construccin se emplean cermicas semiconductoras que consisten en una mezcla de xidos metlicos como manganeso, nquel cobalto cobre y hierro. El rango de aplicacin de los termistores en lo que respecta a la temperatura esta en aproximadamente -100C hasta 450C. Los coeficientes de temperatura pueden ser negativos (termistores NTC) o positivos (termistores PTC). Termistores NTC Tienen coeficiente negativo de temperatura. En algunos termistores, la disminucin de resistencia puede ser del 6%/C, aunque lo usual sea del 1%/C. La disminucin de la resistencia de los termistores NTC se debe a las propiedades de los enlaces qumicos de los electrones de los materiales semiconductores. Los electrones involucrados, son los que forman los denominados enlaces covalentes. Cuando aumenta la temperatura del termistor, las vibraciones trmicas de sus tomos rompen algunos de estos enlaces y liberan electrones. Estos electrones como ya no estn ligados a los tomos vagan por la red cristalina y pueden responder a campos elctricos aplicados al moverse a travs del material. Estos electrones en movimiento contribuyen a la corriente, sumndose, cuando se aplica un voltaje elctrico en los extremos del termistor, haciendo que la resistencia elctrica del material sea menor. Como el cambio de resistencia por grado de variacin de temperatura del termistor es grande, pueden dar buena exactitud y resolucin para la medicin de temperatura. Por ejemplo, si empleamos un ampermetro para medir corriente a travs del termistor, se pueden detectar cambios de temperatura del orden de 0,1C; Si colocamos al termistor en un puente de Wheastone, el sistema de medicin puede detectar cambios de temperatura pequeos del orden de 0,005C. El cambio de resistencia de los termistores en respuesta a cambios de temperatura no es lineal como se muestra en la siguiente figura
R()
Termistor PTC
Termistor NTC
T(C)
0
La curva individual de un termistor se puede aproximar con la ecuacin de SteinhartHart y datos suministrados por el fabricante u obtenidos por medicin directa 1/T = A +B.lnR + C.(lnR)3 T=temperatura en grados Kelvin R=resistencia del termistor A, B, C, = constantes de ajuste de la curva. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Las constantes A, B y C se calculan seleccionando tres puntos de los datos del fabricante y resolviendo las tres ecuaciones simultaneas que resultan cuando se sustituyen los datos en la ecuacin. Se puede obtener una aproximacin menos exacta de la resistencia utilizando la siguiente expresin: R = R0 .e(1/T-1/To) R= resistencia a T(K) Ro= resistencia a To(K) = constante del ajuste de curva (2000 a 4000). En la prctica el fabricante suministra los datos de los termistores mediante curvas en escala logartmica de la variacin del termistor con la temperatura. Tambin suele dar tablas con valores especficos de resistencia y temperatura. Para su seleccin los datos bsicos necesarios son: la resistencia nominal, la temperatura nominal, rango de temperatura de aplicacin y potencia admisible a la temperatura nominal. Ejemplo: Termistores NTC tipoH43 de 100 k y de 1M (Siemens) Aplicacin: medicin de temperatura hasta 450 C Encapsulado: capsula de vidrio, cierre estanco Conexiones: Hilos de conexin de ferroniquel Limites de temperatura: -55C a + 450C Resistencia nominal a 25C : 100 k y 1M respectivamente Tolerancia: 20% Carga admisible: 290 mW a 25C y 270 mW a 60C
Resistencia del termistor en Ohm (Escala logartmica)
1,8 mm
5 mm
109
NTC 1M NTC 100k
Grafica aproximada
108 107 106 105 104 103 102

Temperatura a medir en C (escala lineal)
-100
101
100
200
300
400
500C
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Termistores PTC Los termistores tipo PTC tienen coeficiente de temperatura positivo. Son resistencias de titanato cermico policristalino. Poseen un coeficiente de resistencia temperatura (%/C) muy alto en un determinado intervalo de temperatura. Este aumento de resistencia con poca variacin de temperatura, en ese intervalo, se debe al efecto conjunto de la semiconduccin y de la ferroelectricidad del titanato cermico. En los limites de los granos de cristalita que constituyen el material se forman uniones cuyo potencial, y por consiguiente su contribucin a la resistencia total del conjunto, depende fuertemente de la constante dielctrica del material circundante. Por debajo de la temperatura de Curie, es decir, en el intervalo donde la constante dielctrica es alta, las uniones se manifiestan dbilmente, y el termistor PTC es de baja resistencia hmica. Por encima de la temperatura de Curie, la constante dielctrica disminuye de acuerdo con la relacin de Curie-Weisschen. Con ello se multiplica la formacin de potenciales de unin que provocan el rpido aumento de la resistencia del termistor PTC. El efecto de este mecanismo predomina sobre la dbil disminucin de resistencia que aparece en todos los semiconductores al aumentarla temperatura por la agitacin trmica de los portadores de carga. Por ello, fuera del intervalo del fuerte aumento de resistencia, el termistor PTC tiene un coeficiente de temperatura negativo. Los termistores PTC se fabrican con mezclas de carbonato de bario con xidos de estroncio y titanio mas otros materiales, cuya combinacin le confieren las caractersticas elctricas deseadas. Estos materiales se trituran y se mezclan y luego se prensan en forma de disco, de barras o de tubos, segn su utilizacin. Luego se sinterizan a altas temperaturas (100 a 1400C). Finalmente sufren un cuidadoso proceso para dotarlos de contactos y de elementos de conexin. Caracteristica resistencia temperatura del termistor PTC
R() Re
Rb Rmin 1 b e
C)
1= temperatura de salida con coeficiente de temperatura positivo Rmin= Valor de resistencia del PTC para 1. b= Temperatura de referencia o sea a partir donde comienza el rpido crecimiento de la resistencia; Normalmente, este valor se toma para Rb=2. Rmin e= Temperatura final (fin del rpido crecimiento de la resistencia) Re= Valor de la resistencia para e. El termistor PTC tiene muchas aplicaciones como sensor de temperatura, termostato auto regulado, sensor de nivel de lquidos, como elemento de conmutacin con retardo, etc. Como sensor de temperaturas, se utiliza con amplitud para proteccin de maquinas elctricas a los excesos de temperatura de los bobinados, aprovechando las caractersticas de elevacin de resistencia rpido, a partir de una determinada temperatura. A tal fin, se dispone de una gama de modelos con temperaturas de trabajo de 60 a 180 C. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Resistencias elctricas con semiconductores Estas resistencias, realizadas con fragmentos de semiconductor de silicio, se las utiliza como transductor sensor de temperatura, o compensadoras de derivas de temperatura del circuito. Son dispositivos baratos con razonable linealidad en el rango de -65C hasta +200C. Tienen una exactitud del 0,5%, con un coeficiente negativo de 0,7%/C. Fsicamente tienen el aspecto de resistencias de carbn de W, con valores nominales que va desde 10 hasta 10 k. Al igual que los detectores de resistencia, como los termistores, estas resistencias de silicio se pueden emplear en circuitos en puente Varistores Estos componentes, llamados tambin VDR (voltaje dependent resistor) son resistencias no lineales, cuyo valor resistivo dependen de la tensin aplicada en sus extremos. La caracteristica tensin corriente de estos elementos responde segn una ley exponencial dada por la siguiente ecuacin: I = K. V I:= corriente que atraviesa el varistor [A] V= voltaje en los extremos del varistor [volt] K= constante del elemento [A/volt] = exponente de no linealidad Esta caracteristica V-I resulta simtrica y cuyo valor ohmico disminuye con el voltaje aplicado. La siguiente figura muestra la curva V-I de estos componentes. I[A]
2,0 1,5 1 0,5 0 200 400 600 800 1000
MOV =30
SiC =5
-1000 -800 -600 -400 -200
V[Volt]
-0,5 1 1,5 2
Esta variacin con el voltaje aplicado se expresa mediante el exponente de no linealidad , cuyo valor es aproximadamente de 5 en los varistores tradicionales de carburo de silicio (uso en los descargadores de sobretensin de lneas areas de media tensin). En los varistores nuevos de oxido metlico, se encuentra por encima de 30. Estos ltimos, denominados SIOV o ms comnmente MOV, tienen una pendiente de respuesta de corriente como los diodos Zener, con la ventaja que pueden soportar una carga de corriente mucho mayor. Otra ventaja es la rpida respuesta en el tiempo, con un valor menor a 25 ns, los que los convierte en un elemento de proteccin casi perfecto. Con los varistores de oxido metlico MOV se dispone de un componente barato para la limitacin de tensiones e intensidades transitorias, para la absorcin de energa y para la estabilizacin de tensin de sistemas de alimentacin de equipos electrnicos y lneas de
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------comunicaciones. Los MOV se seleccionan por la tensin de respuesta o disparo y la potencia absorbida.
Estructura interna del MOV Resina epoxi Electrodos Hilo de cobre estaado Granos de oxido de cinc sinterizado Con aportacin de otros xidos metlicos Electrodo
Las fotorresistencias Las fotorresistencias son bsicamente resistencias sensibles a la luz.. Se las denomina tambin resistencias dependientes de luz (LDR) y detectores de luz sin unin. Las fotorresistencias de luz visible se fabrican generalmente de materiales semiconductores como sulfuro de cadmio (CdS) o seleniuro de cadmio (CdSe); los electrones para esos materiales requieren un salto de energa de Eg1= 2,42 eV para pasar a la banda de conduccin. Hay otros materiales que detectan los rayos infrarrojos como por ejemplo el sulfuro de plomo (PbS), el seleniuro de plomo (PbSe), el antimoniuro de de indio (InSb) y el germanio con impurezas de mercurio o de cobre (Ge). En todos los casos, la corriente trmicamente inducida, debe ser menor que la corriente pticamente inducida. En algunos casos para lograrlo, algunas fotorresistencias que actan como detectores, deben enfriarse mediante nitrgeno lquido. Las fotorresistencias de sulfuro de plomo (PbS) y seleniuro de plomo (PbSe) disminuyen su valor hmico cuando incide la luz sobre su superficie como resultado de la creacin de pares electrn-huecos cuando la energa de los fotones incidentes es mayor que la banda de energa Eg. Los electrones liberados estn disponibles como portadores de carga en la banda de conduccin. Algunos de los detectores de infrarrojo como los dispositivos compuestos con mercurio o con cobre funcionan mediante la ionizacin de los tomos aceptores provocados por los fotones incidentes. La energa de de ionizacin necesaria para los dispositivos de germanio con cobre es de solo Eg2= 0,04 eV
R(k) Esc.log. 100k 10k Valores promedios
Fotones incidentes hf1 hf2 Aceptor ionizado Eg2
1k
tomo Neutro tomo ionizado Atomo Neutro
0,1k
0,1 1,0 10 100 1000 Iluminacin en pie-candela Escala logartmica
Hueco
Generacin electrones de conduccin
Generacin huecos por ionizacion tomo aceptor
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Las fotorresistencias o fotoconductores se fabrican aplicando una capa delgada del material semiconductor sobre un substrato de cermica o de silicio. La resistencia en la oscuridad puede variar de 10 k a 200 M, dependiendo del dispositivo. La relacin de la resistencia en la oscuridad a la resistencia iluminada puede ser tan alta como 10.000. Cada fotorresistencia, dependiendo del material semiconductor que fue elaborada, tiene distintas sensibilidad espectral a la radiacin incidente. Su respuesta espectral mxima vara desde 0,5 m hasta 2,2 m. Por ejemplo para sulfuro de cadmio (CdS) esta en alrededor de 0,6m y para seleniuro de cadmio (CdSe) esta en 0,75m.
sensibilidad relativa (%) 100 Material fotoconductor Electrodos
80 60
40 20 0
4000 5000 6000 7000 8000 9000 10000 Longitud de onda incidente ()
Respuesta espectral relativa para fotorresistencia de CdSe
Smbolo de la fotorresistencia
Los tiempos de conmutacin de las fotorresistencias son relativamente lentos, desde 1ms a 100 ms, por los que se los utiliza en aplicaciones de baja frecuencia de conmutacin. Se las emplea con frecuencia, por ejemplo las fotorresistencias de sulfuro de cadmio SCd, como elementos fotosensibles en relevadores fotoelctricos para comandar el encendido y apagado de iluminaciones de calles, casas, etc. Tambin se las emplea en interruptores de proximidad. Otra aplicacin importante es su utilizacin como medidores de iluminacin (luximetros). Condensadores Los condensadores o tambin llamados capacitores son dispositivos que almacenan energa elctrica en forma de campo elctrico asociado a una carga elctrica entre dos cuerpos. Para una forma y dimensin particular de un condensador, la relacin de la carga almacenada y el voltaje en sus extremos resulta constante. Matemticamente esta relacin se expresa como: Q/v = C. La constante C se le denomina capacitancia o capacidad. Dicho de otra forma, podemos decir que la capacidad C representa la carga almacenada por el capacitor por cada volt de diferencia de potencial que tenemos en sus extremos. La unidad de capacidad es: 1 Faradio = 1 Coulomb de carga almacenada/1 volt. Como un Coulomb por cada volt de diferencia de potencial es una cantidad demasiado grande en relacin a lo que podran almacenar los capacitores reales, se utilizan submltiplos ms convenientes: 1 F (microfaradio) = 10-6Faradios = 1000 nF = 106pF 1 nF (nanofaradio) = 10-9Faradios = 10-3F = 1000 pF 1pF (picofaradio) = 10-12Faradios = 10-3nF = 10-6F ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para dar ejemplos de aplicacin, las fuentes de alimentacin de voltaje de los equipos electrnicos utilizan filtros pasivos a condensador con valores de capacidad que pueden estar comprendidos entre 100 y 1000 F y mas todava. En los equipos electrnicos de radiocomunicaciones se suelen utilizar acoplamientos sintonizados con valores de capacidad entre 25 y 500 pF. En general, los condensadores o capacitores de uso en electrnica, se construyen como capacitores de placas planas paralelas como se muestra el siguiente dibujo:
Placas metlicas con superficie A
Separacin entre placas
d
Dielctrico
Smbolos utilizados
No polarizados
Polarizados
Variables
El valor de la capacidad o capacitancia para una estructura de placas paralelas, la calculamos mediante la siguiente expresin: C = (K.o.A) / d Donde K es la constante dielctrica relativa, o es la permitividad del espacio libre (8,85x 10-12 F/m), A es la superficie de las placas (m2), y d es la distancia entre las placas (m). De esta ltima ecuacin podemos ver que para aumentar el valor de capacidad, debemos aumentar la superficie de las placas, aumentar la constante dielctrica, o disminuir la distancia entre placas. El dielctrico del capacitor El dielctrico es un material aislante que se coloca entre las placas metlicas del capacitor para aumentar el valor de capacidad. De esta forma podemos obtener diferentes valores de capacidad a partir de dos placas paralelas del mismo tamao y separacin, si utilizamos diferentes dielctricos. La constante dielctrica K, es un parmetro que nos indica en cuanto puede aumentar la capacidad, en relacin con el espacio vaco, un dielctrico introducido entre las placas del capacitor. La reactancia capacitiva Si a un capacitor le aplicamos un voltaje variable en el tiempo, de acuerdo con la formula C=Q/v, se produce un cambio en la carga almacenada en el capacitor. Este cambio de carga va acompaado de un flujo de corriente hacia o desde las placas del capacitor. Como la corriente es la velocidad del flujo de carga, esta corriente resultar entonces directamente proporcional a la velocidad de cambio del voltaje aplicado en los extremos del capacitor. Sin embargo este voltaje no puede cambiar instantneamente de ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------valor ya que un cambio discontinuo instantneo necesitara de una corriente infinita. Con este razonamiento, decimos entonces que el capacitor reacciona contra los cambios de voltaje aplicados en sus extremos. Dicho de otra manera, el capacitor presenta una impedancia o una reactancia capacitiva, que la denominamos Xc. La reactancia capacitiva tiene unidades en Ohm y es funcin de la frecuencia de acuerdo con la siguiente ecuacin: Xc = 1/ (2fC) = 1/C, siendo f, la frecuencia de la seal del voltaje aplicado Como vemos a mayor frecuencia, el capacitor presenta una menor reactancia al flujo de carga (la corriente alterna a travs del capacitor se incrementa). Siguiendo con el mismo anlisis, el capacitor se presenta como un circuito abierto para una seal de voltaje continua (f=0). Esta propiedad, se aprovecha en los circuitos electrnicos para transmitir una seal de voltaje procesada entre etapas de amplificacin con diferentes niveles de polarizacin de continua. Cuando realizan esta funcin, se les denomina capacitores de acoplamiento de seal o de desacoplamiento del nivel de continua. Capacidad parasita La capacidad o capacitancia puede existir entre dos conductores que estn a distintos potenciales sin importar su forma. Este efecto se presenta en todos los circuitos electrnicos en sus cableados, terminales de los componentes, pistas conductoras de la plaqueta de soporte del circuito; tambin en mayor o menor medida en el interior de los dispositivos pasivos y activos como los transistores semiconductores. En algunos casos esta capacitancia parasita es pequea y sus efectos son despreciables; otras veces los efectos son significativos y pueden alterar el funcionamiento del circuito electrnico diseado, sin tener en cuenta estas capacidades parasitas. El efecto de las capacidades parsitas se acenta en aquellos circuitos que trabajan son seales elctricas de elevada frecuencia. Por ejemplo debido a las capacidades parasitas, se pueden producir realimentacin de seal positiva entre etapas de amplificacin, provocando inestabilidades en el funcionamiento. Tambin pueden producir acoplamientos de seales perturbadoras (ruido elctrico) en los circuitos electrnicos. Cuando las capacidades parasitas provocan interferencias, se las debe reducir o incluir en el diseo. Se las puede reducir, seleccionando adecuadamente el cableado, la forma y disposicin fsica de las pistas de la plaqueta de soporte, disminuyendo el largo de los terminales de los componentes, seleccionando el tipo adecuado de componente sea este pasivo o activo, realizando apantallamientos a masa, etc. Prdidas de energa en los capacitores Un capacitor ideal almacena energa elctrica en forma permanente, o sea se comporta como un elemento que no tiene perdidas. En los capacitores reales siempre se producen perdidas de energa, relacionadas a su funcionamiento. Analizaremos a continuacin las diversas fuentes y mecanismos de perdidas. El dielctrico que separa las placas del capacitor, como no es un aislador perfecto, es una de las fuentes de perdida de energa. Esta prdida depende de que tan imperfecto sea el dielctrico y de la frecuencia del voltaje aplicado. Aun cuando el capacitor tenga aplicado un voltaje continuo, fluir una corriente de fuga, debido a los pocos portadores de carga libres que existen en el dielctrico. Los dielctricos de poliestireno y de mylar presentan las menores corrientes de fuga. Los capacitores electrolticos tienen las ms altas corrientes de fuga. La humedad y los defectos en el encapsulado pueden a veces originar corrientes de fuga adicionales. Por otra parte, las placas metlicas y los conductores de los terminales, como no son perfectos, provocan disipacin de energa durante el proceso de carga y descarga. Estas ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------perdidas involucran las llamadas perdidas resistivas o perdidas de placas Se deben a la resistencia del material que se fabrica las placas y terminales del capacitor. A altas frecuencias el capacitor se carga y descarga parcialmente a altas velocidades. Adems la resistencia de los conductores se hace mayor que la resistencia para corriente continua. Por lo tanto a frecuencias elevadas el efecto de prdida debido a la resistencia se hace ms significativo. Las perdidas en el dielctrico, en las de placas y conductores, se manifiestan como calor disipado en el capacitor, lo cual exige limitar a un nivel de disipacin mximo admisible, para evitar daos permanentes por calentamiento excesivo. Modelos de circuitos equivalentes de los capacitores reales Tenemos dos modelos simples que representan al capacitor real con su capacitancia y sus prdidas de energa: el modelo paralelo y el modelo serie
Modelo paralelo
Modelo serie
En el modelo paralelo, la corriente de fuga podemos la podemos suponer fluyendo a travs de la resistencia paralela Rp. Mientras menor sea la corriente de fuga para un cierto voltaje, mayor ser el valor de esta resistencia. Por ejemplo Rp100 M se considera una alta resistencia de fuga. En cambio Rp1 M se considera una baja resistencia de fuga. En el modelo serie no es tan fcil asociar una corriente de fuga, pero este modelo resulta ms fcil para analizar ciertos circuitos de medicin de capacitancia. Para ambos circuitos, los valores de los componentes dependen de la frecuencia; sin embargo en la mayora de los capacitores los valores de C y R permanecen aproximadamente constantes en un determinado rango de frecuencias. De all que los diferentes tipos de capacitores, en lo referente al tipo de construccin y dielctrico, tienen rangos de frecuencia convenientes para su aplicacin. Un 3 modelo o esquema equivalente que identifica con ms claridad las fuentes de prdidas, es el siguiente.
3 modelo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Ls: inductancia en serie parasita Rs: resistencia serie que tiene en cuenta las perdidas por los conductores y placas Rp: resistencia paralelo que tiene en cuenta las perdidas por corrientes de fuga. Cp: Capacitancia del capacitor El factor de disipacin D Este factor se define para el modelo paralelo como la relacin de la conductancia a la reactancia capacitiva de un capacitor Dp= 1/ (Cp.Rp)=cte Para el modelo serie se lo define como la relacin entre la resistencia y la reactancia capacitiva Ds (tan)= (Cs.Rs)=cte Para el tercer modelo D = 1/ (Cp.Rp) + (Cs.Rs) =cte y Ls = 0 Para cualquier modelo que se utilice D= Dp= Ds Este factor se mide a la frecuencia de aplicacin. Tambin se lo define como la relacin de la cantidad de energa disipada por cada medio ciclo con respecto a la energa promedio almacenada por cada medio ciclo. De alguna forma podemos decir que representa la eficiencia de un capacitor para almacenar y despus descargar energa. Los valores tpicos del factor de disipacin en los capacitores comerciales, van desde 0,001 hasta 0,0001. Cuanto menor sea este valor, mejor ser el capacitor y se acercar al ideal. Algunos fabricantes designan al factor de disipacin como el factor de calidad, factor de prdidaso tambin como el coeficiente de prdidas (tan ); todas ellas son denominaciones recprocas. Voltaje de ruptura del capacitor Adems de las prdidas de energa de un capacitor, tenemos que tener en cuenta otros parmetros elctricos que diferencian el capacitor real del ideal. El ms importante de ellos, es la ruptura del dielctrico. Cuando el voltaje a travs del dielctrico supera un determinado valor, se producen desprendimientos violentos de electrones de los tomos del material del dielctrico. Esto ocasiona una elevada corriente a travs del capacitor provocando la destruccin del capacitor en muchas ocasiones. El voltaje mximo que puede soportar un capacitor se le denomina voltaje de ruptura La vida til o probable desde el punto de vista estadstico, disminuyen cuanto mas se acerca a este valor el voltaje de aplicacin del capacitor. En Gral. los fabricantes identifican a los capacitores en sus cuerpos o mediante cdigos de colores el valor de capacidad y tensin nominal, entre otros. Esta tensin nominal es una tensin continua referida a una temperatura determinada del capacitor que suele ser 40C. En las especificaciones tcnicas, se suelen dar otros valores lmites de voltaje por ejemplo para corriente continua, corriente alterna y voltajes mximos de pico o de cresta para el caso de aplicaciones de conmutacin no peridicos. Tipos de capacitores La gran variedad de aplicaciones de los capacitores en todos los campos de la electrnica y del resto de la electrotecnia exige una oferta de capacitores con caractersticas diferentes. Los requisitos que deben cumplir, segn sus aplicaciones, esta referidos a su capacitancia, voltaje admisible, tolerancias, factor de perdidas, intervalos de temperatura, humedad, formas constructivas, etc. Si realizamos una clasificacin solamente desde el punto de vista del dielctrico empleado, tendremos capacitores de mica, vidrio, cermica, papel, pelcula plstica, electrolticos y aire.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Capacitores de cermica y vidrio Estos capacitores estn catalogados como capacitores de bajas prdidas y alto voltaje de ruptura. Se los utiliza en circuitos oscilantes, circuitos de sintona de frecuencias, como capacitores de acoplo y desacoplo de alto aislamiento, como capacitores de bloqueo y en tcnicas de miniaturizacin. La mica, mineral transparente, se aprovecha dado su alto voltaje de ruptura que soporta, facilidad en separarse en hojas uniformes con espesores reducidos de aproximadamente 0,00002 mm y qumicamente resulta casi inerte. Los capacitores de mica y los de vidrio se fabrican de formas redondas, rectangulares o irregulares. Los de mica se fabrican intercalando capas de hoja metlica y de mica. A veces se deposita plata sobre la mica sobre el vidrio en lugar de la hoja metlica. Se forman paquetes que se sujetan firmemente y se encapsulan en plstico. Estos capacitores, como dijimos son de baja corriente de fuga, con factores de disipacin muy bajos. Se disponen en capacidades desde 1 pF hasta 0,1 F, con tolerancias de 1% hasta 20%. Los valores mximos de capacidad estn limitados dad la poca flexibilidad de los dielctricos que no permiten enrollarlos para disminuir su tamao. Se los suministran con tensiones nominales de hasta 650 volt.
Capacitor de mica Hoja metlica Capacitor de cermica de disco Disco de cermica
Mica
Hoja metlica
Terminales de alambre
Pelcula metlica
Capacitores de cermica El concepto de capacitores de cermica, abarca a un gran grupo de capacitores que poseen caractersticas diferentes, con un elemento comn como dielctrico, que es el empleo de cermica de xidos que tienen, como dijimos diferentes propiedades. La cermica es un cuerpo slido inorgnico, no metlico y policristalino que se origina en un proceso trmico a altas temperaturas. A diferencia de los monocristales como los semiconductores, en los materiales policristalinos la disposicin geomtrica regular de los tomos se limita a unas pequeas zonas, de 1m a 100m de dimetro, denominadas cristalitas. La materia prima mas importante para fabricar los capacitores de cermica es el oxido de titanio (TiO2), que posee en estado natural una constante dielctrica relativa de 100 aprox., y por adicin de otros xidos metlicos se eleva bastante mas. De ellos, se destaca la combinacin de dixido de titanio con oxido de bario (BaO) que en la relacin 1:1 genera el metatitanato de bario (BaTiO3). Esta combinacin es el representante principal de los denominados materiales ferroelctricos que se caracterizan por su alta constante dielctrica relativa (hasta un orden de magnitud de 104). Para la fabricacin de los capacitores de cermica se prensan mezclas de xidos metlicos en formas de discos que a continuacin se sinterizan. A las altas temperaturas del sinterizado (1100 a 1400C) se desarrollan reacciones en el slido mediante las cuales se forman las estructuras cristalinas necesarias para obtener las caractersticas elctricas deseadas. Estas caractersticas estn determinadas no solo por la reaccin qumica, sino tambin por los parmetros del proceso, y en especial por el ciclo de ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------temperatura del sinterizado. Finalmente a estos elementos cermicos ya sinterizados se le agregan armaduras metlicas de paladio-plata, plata o nquel, y se los sella con envolturas plastificadas o de cermica para protegerlos mecnicamente, de la humedad y dems condiciones ambientales. Estos capacitores no requieren polaridad especial de voltaje. Comercialmente existen dos tipos diferentes de capacitores de cermica: el de baja prdida y baja constante dielctrica, y el de alta constante dielctrica. Los de baja prdida, presentan una alta resistencia de fuga (1000 M), una constante dielctrica relativa entre 13 a 470, y un coeficiente de prdidas tan de hasta 1,5 x 10-3 como mximo. La capacidad depende de la temperatura de forma casi lineal, y el coeficiente de temperatura , es casi constante. Estos capacitores se pueden emplear en alta frecuencia, casi tan bien como los capacitores de mica. Los de alta constante dielctrica, dan un valor elevado de capacitancia con volumen pequeo. Tienen una constante dielctrica relativa entre 700 a 50000, con un coeficiente de perdidas tan que se sita en el intervalo de 5 a 75 x 10-3 como mximo. El inconveniente que tienen estos capacitores es la dependencia de la capacitancia con la temperatura, en forma considerable y no lineal. Tambin esta capacidad puede cambiar con el voltaje de cc y la frecuencia. Capacitores cermicos SIBATIT 50000 Estos capacitores estn desarrollados de una masa especial de cermica, logrndose mejoras en mltiples aspectos frente a los capacitores usuales de cermica descriptos. En estos capacitores, la capacidad se forma por uniones de efecto dielctrico interior en la superficie del material cermico-semiconductor. Podemos decir en forma simple, que se producen en las zonas marginales de los granos de titanato de bario, pequeos capacitores con capas dielctricas muy finas, conectados en serie y paralelo con las zonas conductoras del grano de cermica. Esta configuracin genera un material de extraordinaria constante dielctrica relativa de aproximadamente 50000. Su independencia de la polaridad los hace adecuados para circuitos con inversin de voltaje y para tensiones alternas de baja frecuencia, como capacitores de acoplamiento, de filtraje y antiparasitarios. Tienen adems una alta estabilidad a largo plazo (-2% por dcada temporal). El coeficiente de perdidas se sita alrededor de 60 x 10-3. Tienen una resistencia de fuga 10 M. Se fabrican de un tubo de cermica de seccin rectangular permitiendo un aprovechamiento muy favorable de la superficie de la plaqueta del circuito donde va inserto. Capacitores de papel Los capacitores de papel, denominados tambin condensadores de corriente continua, son los ms usados entre los capacitores. Su popularidad se debe a su bajo costo y al hecho de que se pueden construir en un amplio margen de valores de capacitancia (0,1 F hasta 64F). Adems tiene la posibilidad de construirlos para soportar elevadas voltajes continuos (250 V a 1000 V). Las corrientes de fuga en estos capacitores es alta y su tolerancia es relativamente baja (10 a 20%).Esas limitaciones restringen su uso en algunas aplicaciones. Se los utiliza para acoplamiento y reduccin de ondulaciones. El valor de capacidad y voltaje, suele ir impreso en el cuerpo. Para unidades pequeas se utiliza una clave de colores. Cuando no presenta esta clave, , se imprime una banda, generalmente negra que indica el terminal que esta conectado al tubo metlico exterior. Este terminal debe conectarse con el terminal de menos potencial del circuito. Muchos capacitores de papel tienen formas cilndricas porque se fabrican enrollando una serie de capas de metal y hojas de papel impregnado para formar un tubo. Se fijan terminales axiales a cada lmina metlica y el tubo se encapsula en papel encerado o en plstico. ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se emplean varias sustancias como aceite, cera o plstico para empapar al papel. Si se emplea papel depositado con pelculas delgadas de metal, en lugar de hojas separadas de metal, se puede reducir el volumen por unidad de capacitancia en un 50%. Y las corrientes de fuga en un 90%. Esta ltima estructura es ms susceptible a rupturas por transitorios de voltaje, pero algunos capacitores son autorregenerativos dado que el mismo arco que se forma en la descarga disruptiva vaporiza la capa metlica en el entorno de la descarga. De esta manera los puntos deteriorados del dielctrico se aslan sin problemas ulteriores. Capacitores de pelcula plstica Estos capacitores se construyen bsicamente en forma similar a los de papel con la excepcin que se emplean como dielctrico hojas delgadas de plstico sobre las cuales se depositan por evaporacin al vaco capas metlicas que adoptan la funcin de las placas o armaduras del capacitor. El espesor de estas placas es de alrededor de 0,3 m. Estas hojas metalizadas se apilan y arrollan para ocupar menos espacio. Este dielctrico mejora las propiedades del capacitor, minimizando las corrientes de fuga aun a temperaturas altas. Sus dems caractersticas son semejantes a la de papel, aunque el costo es mayor. Como la constante dielctrica de las lminas de plstico depende de la frecuencia, la capacidad de estos capacitores disminuye al aumentar la frecuencia. Estos capacitores tienen propiedades autorregeneracin en los puntos de descarga disruptiva. La capacidad tambin varia con la temperatura en forma casi lineal; dependiendo del tipo de dielctrico, la capacidad puede aumentar o disminuir. Estos capacitores son adecuados para corriente continua pero tambin se lo puede utilizar para corriente alterna superpuesta. Otras aplicaciones se los utiliza para aplanamiento, acoplamiento desacoplamiento, etapas de deflexin de televisores, circuitos oscilantes, etc. Estos capacitores se construyen con lminas de plstico muy diversas como tereftalato de polietileno (MYLAR), policarbonato (MAKROFOL), polipropileno. Las capacidades oscilan entre 500 pF a 10 F y tolerancias de 1%,5% y 20%. Los voltajes de servicio para aplicaciones en circuitos electrnicos oscilan entre 25 y 630 Volt; Para electrnica de potencia y circuitos elctricos, se disponen de capacitores de laminas de plstico con voltajes desde 1KV hasta 40 KV. Capacitores electrolticos Estos capacitores se fabrican de aluminio o de tantalio. La estructura bsica del capacitor electroltico de aluminio consiste en dos hojas de aluminio, una de las cuales esta cubierta con una membrana extremadamente delgada de oxido. Esta capa se hace crecer sobre el metal mediante el proceso de aplicar voltaje al capacitor; este proceso se le denomina formacin. El espesor del oxido depende del voltaje de formacin. Entre las hojas se encuentra una solucin electroltica que empapa a un papel. El electroltico es conductor y sirve como extensin de la hoja no oxidad de metal. Como es un fluido se puede conectar directamente contra el dielctrico de oxido. Las dos placas cargadas con signo opuesto quedan entonces separadas efectivamente por solo una pelcula de oxido extremadamente delgada que posee una constante dielctrica muy alta. Una vez formado el oxido, se enrollan las hojas en forma de tubo y la pieza de hoja sin oxido se conecta con el empaque exterior del capacitor. El otro terminal se marca con un signo + en el cuerpo del capacitor y se debe conectar con el terminal positivo del circuito que se emplee. Esta conexin se debe respetar caso contrario se produce la ruptura del dielctrico y el capacitor se destruye. Otro detalle importante como en los dems capacitores, es no rebasar los limites de voltajes nominales. Para valores de ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------capacidad elevados, estos voltajes nominales disminuyen dado que la pelcula de oxido es muy delgada. Los capacitores electrolticos tienen mayores valores de capacidad por unidad de volumen entre todos los tipos de capacitores. Como contrapartida, presentan elevadas corrientes de fuga. Estas propiedades limitan su empleo a aplicaciones especiales, como ser filtros de fuentes de alimentacin de corriente continua. Estos capacitores se pueden conseguir con capacidades que van desde 1 F hasta 5000000 F. sin embargo, sus resistencias de fuga solo es de aproximadamente 1 M.
TABLA 9 Valores estndar para capacitores electrolticos de aluminio polarizados con tolerancias de -10% a +50& Voltaje: 10 V Capacitancia (F) 22 33 47 100 220 330 470 1000 2200 3300 4700 6800 10000 Voltaje: 25 V Capacitancia (F) 10 22 33 47 100 220 330 470 1000 2200 3300 4700 Voltaje: 50 V Capacitancia (F) 0,1 0,22 0,33 0,47 1,0 2.2 3,3 4,7 10 22 33 47 100 220 330 470 1000 2200
Capacitores variables Tenemos de varios tipos, siendo el mas comn el capacitor variable de aire. Se fabrica montando un conjunto de placas metlicas fijas (Al) sobre un eje e intercalndolas entre un conjunto de placas fijas. Cuando se hace girar el eje se crea ms o menos superficie entre las placas adyacentes y con carga opuesta. La variacin de la superficie enfrentada produce una variacin de capacidad. Estos capacitores se los utiliza en circuitos sintonizados de radios u osciladores. Actualmente se han reemplazados por otros sistemas de sintona (diodos Varicap PLL,). La variacin de capacidad de estos capacitores es de 15 a 500 pF aproximadamente. Se utilizan otros capacitores variables, denominados Trimmer que se los emplea para ajustes de una sola vez o en muy raras ocasiones. Estos capacitores son de mica y disponen de un tornillo que prensa las hojas de mica y metal. Cuando se aprieta el tornillo se ajusta la separacin de las placas de mica y metal, producindose un cambio en la capacidad. Los rangos de ajustes varan entre 50 y 40 pF o entre 20 y 100pF. A continuacin, daremos una tabla gral, donde se resume en forma aproximada, las caractersticas mas sobresaliente de los distintos tipos de capacitores que se pueden disponer en el comercio para su uso en circuitos electrnicos ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tabla 10
Caractersticas generales de los distintos tipos de capacitores
Dielctrico Capacidad disponible 1pF-0,1 F 1pF-0,001 F 100pF-0,1 F 1000 pF-50 F 500pF-10 F 5000pF-10 F 0,47F-0,7 F Desde 10 pF Hasta 500 pF Tolerancias (%) 1 a 20 5 a 20 +100 a -20 10 a 20 0,5 20 100 a -20 0,1 Resistencia De fuga (M) 1000 1000 30-100 100 10000 10000 1 Rangos de Voltajes mximo 500-75 kV 6000V 100 V o menor 100 V a 100 kV 1000 V o menor 100 V a 600 V 500 V o menor 500 V Rangos tiles de frecuencia (Hz) 103-1010 103-1010 103-108 100-108 0-1010 100-108 10-104
Mica plateado Cermica (baja perdida) Cermica (alta K) Papel(empapado en aceite Poliestireno Mylar Electroltico Aire-variable
Los inductores Los inductores son elementos que se utilizan en los circuitos elctricos y electrnicos con propiedades de reaccionar ante los cambios de la corriente que circula por ellos. Esta propiedad de reaccionar a los cambios de corriente, se le denomina inductancia El diseo de los inductores esta basado en el principio de que si un conductor se encuentra dentro de un campo magntico variable, se induce un voltaje. Los inductores, en gral se construyen mediante el arrollamiento de alambre, como muestra la figura: i
La corriente en cada espira de la bobina produce un campo magntico que pasa a travs de las espiras vecinas. Si la corriente circulante es constante, el campo magntico tambin ser constante y no se producir ningn efecto. En cambio, una variacin de la corriente producir un campo magntico variable. La energa absorbida o liberada del campo magntico variable reacciona contra el cambio de la corriente presentndose como un voltaje inducido denominado fuerza contraelectromotriz o fem (ley de Lens). La polaridad de este voltaje es contraria al voltaje que produce la circulacin de corriente. El inductor (bobinado), se presenta de esta forma como una impedancia al paso de la corriente alterna. Esta fuerza contraelectromotriz resulta directamente proporcional a la velocidad de cambio de la corriente a travs de la bobina y cuyo valor lo expresamos mediante la siguiente ecuacin: VL = L. di/dt. La constante de proporcionalidad se le denomina inductancia L y su unidad es el Henrios (H). Para un circuito elctrico con voltaje aplicado senoidal, como se muestra en la figura anterior, el inductor presenta una reactancia a la corriente alterna. Esta reactancia XL, tiene unidades en Ohms y se la define como: XL = .L = 2.f.L. Como vemos la reactancia inductiva, al igual que la reactancia capacitiva, es funcin de la frecuencia del voltaje aplicado. Para los inductores, la reactancia inductiva aumenta con la frecuencia. Tericamente para frecuencia f , la reactancia inductiva tiende a ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------infinito o sea el inductor se presenta como un circuito abierto. Por el contrario, para frecuencia cero, el inductor se presenta como un cortocircuito XL = 0. En los inductores reales, adems de presentar reactancia inductiva, presentan resistencia elctrica debido a la resistividad de los alambres del bobinado. Este valor, por lo general no se especifica. En lugar de ello, se emplea el denominado factor de calidad Q. Este factor se define como la relacin entre la reactancia inductiva a una determinada frecuencia y la resistencia que presenta el bobinado del inductor. Q = .L / R. Para R = 0 Q , el inductor se presenta como ideal, es decir cuanto mayor sea el valor de Q, el inductor se comportara de manera mas ideal. En la prctica, los valores reales de Q de los inductores se aproximan al valor de 1000. El valor de Q, se puede medir con puentes de inductancia o con un medidor de Q. Estructuras de los inductores
l A=.r2
Inductor ncleo de aire
Inductor ncleo cilndrico material ferromagntico
l=.D A=.r2 D
l: long.circ. magntico
Bobina toroidal area circular
Bobina toroidal area rectangular
Los inductores se construyen devanando alambre en varias configuraciones de bobinas. De esta forma se restringe el campo magntico dentro del espacio fsico alrededor del inductor y se crea un mayor efecto de inductancia por unidad de volumen. Para bobinas toroidales de enrollamiento estrecho, el campo magntico prcticamente esta confinado al espacio encerrado por el devanado. Las principales variables o factores que determinan la magnitud de la inductancia en una bobina son los siguientes: a) El numero de vueltas de la bobina. b) El tipo y forma del material del ncleo. c) El dimetro y el espaciamiento de las vueltas. Para lograr valores de inductancia elevados , es usual devanar las bobinas alrededor de ncleos magnticos de material ferromagntico porque esto hace que la densidad de flujo magntico dentro de la bobina sea mucho mayor que si el ncleo fuera de aire. La mayor densidad de flujo permite un aumento de la inductancia. Como inconveniente en ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------el uso de material ferromagntico en el ncleo, hace que el inductor este sujeto a corrientes secundarias o parasitas por histresis. A modo de ejemplo, y sin entrar en detalles mas especficos sobre los circuitos magnticos (tema de otra materia), podemos decir que el valor aproximado de la inductancia de las bobinas mostradas en el dibujo anterior, esta dada por la siguiente expresin: L = ( r. o.N2.A) / l r: Permeabilidad relativa del ncleo o: Permeabilidad del aire N: numero de vueltas del devanado A: area de una vuelta. L: longitud de la bobina Esta expresin tiene validez siempre que la corriente que circula por la bobina se encuentre en la parte lineal de la relacin entre la induccin magntica B y la intensidad de campo H. Adems el bobinado debe estar realizado como para que la corriente variable que circula por cada vuelta origine un efecto inductivo en las dems vueltas del bobinado. Como ejemplo de clculo, tomaremos el inductor toroidal con area circular, para calcular la inductancia con ncleo de aire y ncleo de hierro Datos: l = 6 cm.= 0,06 m; N = 100 vueltas; r = 0,5 cm.= 0,005 m; o= 4..10-7 H/m; r(Fe)= 1000 a) Ncleo de aire Laire = (. o.N2.A) / l = (12,6 x 10-7). 1002. (8 x 10-5) / 6 x 10-2 = 16 H ( micro-henrios) b)Ncleo de hierro Lhierro = . r. Laire = 1000 . 16 = 16 mH (mili-Henrios) En las aplicaciones de baja frecuencia, se utilizan inductores con valores altos de inductancia (> 5). Para ello se emplean hierro o acero al silicio laminado para el ncleo del inductor. En las aplicaciones de alta frecuencia (circuitos electrnicos para las radiocomunicaciones), se utilizan inductores con valores bajos de inductancia (10-3 a 10-6 H). Para estas aplicaciones se utilizan ncleos con pastillas de hierro en polvo y ferrites. Para algunas aplicaciones, como en los circuitos de sintonizacin, corrimientos de fase, cambios de bandas de frecuencia de los equipos electrnicos de comunicacin, se necesita que los inductores sean variables en su valor de inductancia. Esto se logra mediante dos procedimientos: a) Mediante derivaciones en la bobina, manteniendo el ncleo fijo. b) Presentando un ncleo mvil que se desplaza en el interior de la bobina. Para este ltimo caso, si se vara adecuadamente el espaciamiento de las espiras del bobinado, se logra una variacin bastante lineal entre el valor de la inductancia y el desplazamiento del ncleo.
Posicin fija del ncleo en relacin al bobinado L variable L variable Desplazamiento del ncleo en relacin al bobinado
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Transformadores electricos Sobre este tema enunciaremos los conceptos bsicos, propiedades y aplicaciones de los transformadores, como recordatorio, dado que es tema especfico de otra materia. Los transformadores son elementos que de transfieren energa elctrica de un circuito a otro, con diversas finalidades. (Alimentacin de fuentes de cc, aislamiento elctrico entre circuitos, cambios de magnitudes en la corriente, tensin o impedancia, generacin de varias tensiones alternas, etc.). El mecanismo de transferencia consiste en la aplicacin de un campo magntico que enlaza a ambos circuitos. Se emplea el fenmeno elctrico de la inductancia mutua. Esta inductancia mutua se presenta cuando el campo magntico de un elemento influye sobre otros elementos cercanos. Para el caso particular del transformador, este se construye con dos bobinas (denominadas primario y secundario) enrolladas sobre un ncleo comn de material magntico, segn muestra el siguiente circuito
Flujo magntico que concatena ambos bobinados Ncleo de material magntico
Devanado primario
Devanado secundario
Sobre el devanado primario se hace pasar una corriente alterna, que origina un campo magntico variable que esta prcticamente restringido al ncleo magntico. Sobre el mismo ncleo tambin esta enrollado otro bobinado que se le denomina bobinado secundario. Sobre este bobinado, el campo magntico variable generar un voltaje inducido que producir una circulacin de corriente secundaria si este circuito se cierra sobre una carga. Resumiendo, una corriente variable sobre el bobinado primario produce una corriente variable sobre el bobinado secundario. El valor del voltaje inducido que hace circular la corriente sobre el devanado secundario esta determinada por la le y de Faraday que dice que la magnitud de este voltaje inducido por la variacin de un flujo magntico en una bobina de N vueltas esta dado por la expresin: v = N.K.(d/dt) = M.di/dt. El valor de M se le denomina la inductancia mutua que existe entre los bobinados. Si consideramos el transformador ideal, el flujo magntico variable creado por la corriente variable que circula por el bobinado primario, concatena (abraza) al bobinado secundario, induciendo un voltaje V2 = M. di1/dt Como la inductancia depende del numero de vueltas del bobinado primario y el voltaje inducido tambin depende de la cantidad de vueltas del devanado secundario, se llega para el transformador ideal, que la relacin de los voltajes, entre ambos bobinados, dependen de la relacin del numero de vueltas V1/V2 = N1/N2 De la misma forma, considerando una transferencia ideal de potencia elctrica entre ambos bobinados tenemos (P1 = P2) I1/I2 = N2/N1 Si sobre el devanado secundario se conecta una impedancia Z2, la impedancia reflejada sobre el devanado primario estar determinada por la siguiente expresin: Z1 = (N2/N1)2. Z2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 1-6-Apndice 1: Caractersticas de los componentes pasivos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicaciones de los transformadores Los transformadores tienen diversas aplicaciones en los equipos electrnicos. Se los puede clasificar en funcin de la potencia transferida entre bobinados y frecuencia de aplicacin. Tenemos transformadores que se utilizan en las fuentes de alimentacin de corriente continua, para adaptar los niveles de voltajes de conversin de ca a cc. Estos transformadores trabajan con frecuencia industrial 50 o 60 Hz. Manejan potencias del orden de 100 W a 1 KW para fuentes de alimentacin de equipos de procesamientos de seal o de comunicaciones. Para la electrnica de potencia en equipos industriales, pueden transferir potencias de cientos de kW. En equipos de audiofrecuencia, y radiofrecuencia de hasta 500 KHz, se utilizan transformadores de potencia como adaptadores de impedancia. Por ejemplo si necesitamos conectar una cantidad variable de bocinas parlantes, con tomas intermedias del secundario, se puede lograr una impedancia reflejada ms o menos constante sobre el primario adaptndola eficientemente sobre el equipo electrnico amplificador. Con las mismas caractersticas, los equipos electrnicos de radiofrecuencia por onda portadora, adaptan la impedancia caracterstica de las lneas de transmisin utilizando transformadores. Otro tipo de transformadores, son los denominados transformadores de pulsos de alta frecuencia que reemplean para acoplar seales de corriente alterna aislando al mismo tiempo los niveles de corriente directa de los circuitos primario y secundario. En los equipos electrnicos de radiocomunicaciones, colocando capacitores en paralelo en ambos bobinados, se crean acoplamientos denominados dobles sintonizados que actan como acoplamientos o filtros de banda pasante. Los auto transformadores, son transformadores donde no se cumple el aislamiento entre los circuitos primarios y secundarios. En el auto transformador la bobina acta como primario y secundario. La bobina tiene una derivacin que se puede conectar en cualquier lugar a lo largo del devanado. Si el transformador debe aplicarse para bajar el voltaje, toda la longitud de la bobina acta como primario; la parte de la derivacin y el extremo inferior acta como secundario. Si se necesita aumentar el voltaje, toda la bobina acta como secundario. Finalmente se pueden disponer de auto transformadores variables especiales, conocidos como Variac que permiten una regulacin manual del voltaje secundario
Smbolo autotransformador reductor Smbolo autotransformador elevador Smbolo autotransformador variable (Variac)
Primario Secundario Secundario Primario
Primario Secundario
Terminal comn
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 2: TRANSISTORES Y AMPLIFICADORES (2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5) LOS TRANSISTORES SEMICONDUCTORES Se denominan transistores a los dispositivos semiconductores que utiliza la electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificacin de seales elctricas analgicas, generacin de niveles de tensin para materializar las funciones lgicas que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de potencia elctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc. En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La caracterstica VI es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a travs de una sola ecuacin matemtica o grafica. Funcionalmente se distinguen tres pares diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos como Terminal de entrada o conexin al circuito de entrada y Terminal de salida o conexin al circuito de salida
I1 (A) Conexin al circuito de entrada (+) V1 (-)
TRANSISTOR
(B) I2 (+) V2 Conexin al circuito de salida
(C)
(-)
La caracterstica tensin - corriente de dos pares principales de terminales puede modificarse, actuando sobre el tercer Terminal. Por ejemplo, si variamos la tensin o corriente en el Terminal A, podemos modificar la relacin vi existente entre los terminales B y C. Esta caracterstica permite que los dispositivos de tres terminales conectados en circuitos adecuados, lleven a cabo una amplia variedad de funciones de procesamiento de seales, incluyendo la amplificacin, conmutacin y control. Para estos dispositivos la caracterstica VI se establece entre dos terminales, para distintos valores de corriente o tensin del tercer Terminal. i2 i14 i13 i12 i11
0
v2 Por ejemplo si el terminal (C) es el terminal comn a la conexin del circuito de entrada y salida, la grafica VI del dispositivo que se conectara al circuito de salida, sern distintas curvas en funcin de los valores de corriente o de tensin del par de terminales __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------que se conectaran al circuito de entrada. Para el caso de la grafica, vemos que la relacin v2-i2 es funcin de los valores que tome la corriente i1. Clasificacin de los transistores Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento: Transistor de unin bipolar (BJT) Transistor de efecto de campo (FET) Transistor de induccin esttica (SIT) Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) Transistores de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados. Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de empobrecimiento o deplexion, MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y MESFET. Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS). Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal n y se los utiliza por su rapidez de conmutacin en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y sistemas lgicos de alta velocidad. Transistores de induccin esttica (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT): Se los utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutacin de potencia elctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------EL TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT) Este semiconductor fue el primero que se construyo como elemento amplificador slido para su uso en los circuitos electrnicos, cumpliendo las funciones equivalentes de las vlvulas de vaco (trodo, tetrodo, pentodo) Es un dispositivo de tres terminales donde las caractersticas VI de los terminales que se conectan al circuito de salida, esta controlada por la corriente que circula en los terminales que se conectan al circuito de entrada. Esta formado por dos junturas semiconductoras de silicio, germanio o AsGa, constituyendo un transistor de juntura tipo NPN o de tipo PNP. Veamos su construccin fsica simplificada, la denominacin de sus terminales y sus smbolos. Transistor tipo PNP Emisor JE E P N Base JC P C E Colecto r Transistor tipo NPN Emisor JE N P Base JC N C Colecto r
E B
E B
E: Terminal denominado emisor B: Terminal denominado base C: Terminal denominado colector JE: juntura semiconductora emisorbase JC: juntura semiconductora Colectorbase
VEB: tensin emisor--base VCE: tensin colector--emisor VCB: tensin colector--base
Smbolo transistor PNP
Smbolo transistor NPN
__________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------La direccin de las corrientes como las polaridades de los terminales marcadas en el dibujo de los smbolos, corresponde a la configuracin comn , cuando los transistores trabajan en zona activa Configuraciones del transistor bipolar El transistor bipolar tiene tres configuraciones en lo que respecta a su conexin con los circuitos de entrada y salida: Base comn: la base es comn al circuito de entrada y salida. Emisor comn: el emisor es comn al circuito de entrada y salida. Colector comn: el colector es comn al circuito de entrad y salida. Cada una de estas configuraciones, definirn los parmetros elctricos que caracterizan a un amplificador electrnico. Entre los destacados, por ejemplo, podemos mencionar para un amplificador electrnico de seales elctricas, la impedancia de entrada, la impedancia de salida, la ganancia de tensin, la ganancia de corriente, la ganancia de potencia.
Ie Fuente De seal Amplificador Electrnico con transistor bipolar
Io
(+) Ve Pe (--)
(+) Vo Po (--)
Carga
Ze
Zo
Ze: impedancia de entrada que ve la fuente de seal Zo: impedancia de salida que ve la carga. Ganancia de tensin: se define como la relacin entre la tensin de salida sobre la carga y la tensin de entrada Av Vo / Ve Ganancia de corriente: Se define como la relacin entre la corriente que suministra el amplificador, a la carga, y la corriente de entrada provista por el generador de seal. Ai Io / Ie Ganancia de potencia: Se define como la relacin entre la potencia de salida del amplificador, hacia la carga, y la potencia de entrada suministrada por la fuente de seal. Ap Po / Pe. Con la intencin de tener una idea gral, detallaremos, en forma cualitativa, las caractersticas elctricas de las configuraciones del transistor bipolar. Configuracin base comn Impedancia de entrada: es baja, del orden de las decenas a centenas de Ohm Impedancia de salida: es alta, del orden de las centenas de K __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ganancia de tensin: es alta; depende del tipo de transistor y elementos conectados. Ganancia de corriente: su valor es prximo a uno (1) Ganancia de potencia: tiene ganancia de potencia. Configuracin colector comn Impedancia de entrada: es muy alta, del orden de las centenas de K a los M Impedancia de salida: es muy baja del orden del Ohm Ganancia de tensin: Su valor es prximo a uno (1) Ganancia de corriente: es alta dependiendo del transistor y elementos conectados Ganancia de potencia: Tiene ganancia de potencia, Configuracin emisor comn Impedancia de entrada: es alta, pero menor que la de colector; del orden de los K Impedancia de salida: es alta del orden de las decenas de K Ganancia de tensin: es alta; depende del tipo de transistor Ganancia de corriente: es alta; depende del tipo de transistor Ganancia de potencia: tiene ganancia de potencia. Esta ultima configuracin, es una de la ms utilizada tanto en la electronica analgica como en la electronica digital. El transistor bipolar en circuito abierto Si no aplicamos tensin de polarizacin a las junturas JE y JC, se comporta en forma similar a dos junturas didicas, en el cual en cada juntura, por un mecanismo similar a un diodo, se genera una barrera de potencial Vo que hace que se establezca un equilibrio de corrientes entre portadores mayoritarios y minoritarios.
E B P Vo N P
E B N Vo P N
Barrera de potencial transistor PNP
Barrera de potencial transistor NPN
Polarizacin del transistor bipolar Tenemos tres formas de polarizar al transistor bipolar: a)- polarizacin en zona activa: La juntura de emisor (JE) se polariza directamente y la juntura de colector (JC) inversamente. Esta polarizacin permite utilizar al transistor como amplificador lineal de seales elctricas analgicas.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------b)- polarizacin en zona de corte: ambas junturas, JE y JC se polarizan inversamente. En esta zona, prcticamente no circula corriente por el transistor. c)- polarizacin en zona de saturacin: ambas junturas JE y JC se polarizan en forma directa. En esta zona el transistor conduce la mxima corriente que le permite el circuito con mnima cada de tensin en el circuito de salida. Por ejemplo, los transistores que se utilizan para los circuitos digitales, trabajan en la zona de corte y saturacin, alternativamente. Polarizacin del transistor bipolar en zona activa A los efectos de simplificar el anlisis del funcionamiento interno, consideraremos un transistor tipo PNP, en la configuracin base comn. Para polarizarlo en la zona activa, debemos polarizar la juntura de emisor (JE) en forma directa y la juntura de colector (JC) en forma inversa, como lo muestra el siguiente circuito:
VJE =(Vo-VEB)
VEB
VJC= (Vo+VCB)
VCB
Con esta polarizacin, la barrera de potencial decrece en JE y crece en JC. Vamos a suponer ahora que primero polarizamos JC; circulara entonces una corriente Ico debido a los portadores minoritarios, a cada lado de la juntura. (En transistores reales se denomina ICBo). Esta corriente ingresa por la base y sale por el colector. Ahora polarizamos directamente la juntura del emisor JE; circulara una corriente considerable debido a los portadores mayoritarios huecos del emisor y electrones de la base. Constructivamente, la zona fsica del emisor, esta fuertemente impurificada y la base, dbilmente impurificada y a su vez es fsicamente delgada. Por lo tanto la corriente del emisor IE esta compuesta mayoritariamente por los portadores mayoritarios huecos del emisor. Estos portadores, al ingresar a la base (en la base pasan a ser minoritarios), solamente transitan por ella, pasando directamente a la juntura del colector, dado que encuentran un campo elctrico favorable para que ello ocurra. Solamente algunos de estos portadores se recombinan con los portadores mayoritarios de la base (electrones). De esta manera la corriente del colector IC, esta compuesta por la corriente Ico y por la componente de corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor que transitaron por la base y pasaron al colector. La corriente de la base esta compuesta por la corriente entrante Ico , la corriente saliente de portadores mayoritarios de la base (electrones) que pasan al emisor, y la corriente saliente de portadores mayoritarios que se recombinaron con los portadores minoritarios que ingresaron a la base. Considerando la convencin de asignar valores positivos a las corrientes entrantes y negativo, a las salientes, podemos decir entonces que para un transistor PNP la corriente __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------del emisor resulta entrante o sea positiva y las corrientes del colector y la base resultan salientes o sea negativas. En valores numricos, prcticamente la corriente del emisor es casi igual a la corriente del colector; la diferencia, es la corriente de la base. Si consideramos al transistor como nudo de tres corrientes se verifica la 2 ley de Kirchoff +IE ICIB = 0 o de otra forma IE = IC + IB. Veamos a continuacin el dibujo donde nos muestra la circulacin de corrientes en el interior del transistor PNP:
JE
JC
(E)
IE
IpE P N (IpE-IpC1) InB IpBo InCo
IpC1 P Ico
IC (C)
VEB
IB
VBC
(B)
IpE _____: Corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor (huecos) InB _____ : de la base (electrones) InCo_____: minoritarios del colector (electrones IpBo _____: de la base (huecos) Ico _____: inversa de la juntura de colector JC Ico=InCo+IpBo IpC1 ____: debido a los portadores mayoritarios del emisor que llegaron al colector (IpE Ipc1): Corriente debido a los portadores mayoritarios de la base (electrones) que se recombinaron con algunos portadores mayoritarios del emisor en su transito por la base, camino al colector. En el dibujo podemos apreciar el valor de la corriente del colector: IC = IpC1 + Ico como IpC1 depende de IE, entonces IC depende de IE Si IE = 0 IC = Ico (en valor absoluto) Para IE 0 IC > Ico En la prctica el valor de Ico es muy pequeo, del orden de los nanoamperes para transistores de silicio por lo que se lo suele despreciar. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ganancia de corriente para grandes seales en configuracin base comn Si consideramos al colector conectado a una carga (circuito de salida) y al emisor conectado a una fuente de seal (circuito de entrada), en valor absoluto podemos definir una ganancia de corriente, como la relacin entre el incremento de la corriente del colector para IE =0(transistor en corte) y la variacin de la corriente de emisor desde IE=0 = IC - Ico IE 0 IC / IE Este valor de es muy prximo a la unidad (0,990.0, 995) debido a dos razones. Una, es que el valor de Ico es muy pequeo, y la otra es que prcticamente IpC1 IE dado que se produce poca recombinacin, de los portadores mayoritarios que salieron del emisor, en su transito por la base. De all la conveniencia de hacer delgada la zona de la base. De esta forma la corriente del colector, la podemos expresar como: IC = . IE + Ico Desarrollo conceptual de la amplificacin de seales elctricas El transistor de unin bipolar, polarizado en la zona activa y conectado en la configuracin base comn, esta capacitado para amplificar seales elctricas de tensin y potencia elctrica.
Con la finalidad de simplificar el anlisis, en el circuito de entrada polarizamos la juntura JE con la tensin VEB=0,7 volt para no agregar resistencia elctrica, en serie que limite la .corriente de polarizacin IE. (Esta corriente queda limitada solamente por el valor dado a VEB). En la salida, conectamos una resistencia RL en serie con la fuente de alimentacin VCB que polariza inversamente la juntura de colector JC. Esta resistencia no va a modificar a la corriente IC, dado que segn la ultima expresin desarrollada para la misma, es independiente de VCB. Por otra parte si provocamos una pequea variacin de tensin entre el emisor y base, por medio de la fuente conectada en serie con VEB o sea VE ; esta variacin dar lugar a un cambio relativamente grande IE de la corriente del emisor, dado que esta juntura JE, esta polarizada directamente. Como la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor, tambin sufrir una variacin IC= . IE ( 1). Esta variacin, circulara por la resistencia RL y provocara una variacin de tensin en sus extremos de valor: VL = RL. IC = RL. . IE __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de VL, puede ser varias veces mayor que VE, si hacemos a RL mayor que la resistencia de entrada de la juntura emisor base. El incremento de tensin VE, que produjo la variacin IE, IC y VL, lo podemos expresar en trminos de la resistencia de entrada re (dinmica) de la juntura JE como: VE = re. IE. La amplificacin de tensin la definimos como: Av VL / VE = RL.. IE / re. IE = .RL/re RL / re Si RL > re, la amplificacin de tensin Av, resulta mayor que la unidad. El valor de re se puede obtener con la formula desarrollada para la juntura pn como: Re [] 26 / IE [mA] siendo IE la corriente del emisor en reposo o sea sin seal aplicada. (Llamada tambin corriente de polarizacin del emisor). Por ejemplo si re = 40 , 1 y RL 3000 Av = 75. El transistor bipolar, en esta configuracin, no amplifica corriente, si tensin y potencia. La palabra transistor deriva de que la corriente se transfiere del circuito de entrada que presenta baja resistencia (re), al circuito de salida de alta resistencia (RL). Transistor Transferresistor Problema Utilizando un programa de simulacin con PC, simular el amplificador bsico desarrollado en el tema anterior, midiendo y calculando los siguientes puntos: a)- medir las corrientes de polarizacin IC, IE, IB. b)- medir las tensiones de polarizacin VEB, VCB, VCE. c)- Considerando el valor medido de VEB, y = 100, calcular los valores solicitados en los puntos (a) y (b). d)- Aplicar en serie con VEE una fuente de tensin alterna VE de 20 mV (rms) f=100HZ. Simular el circuito midiendo los valores vcb, vL , vce, veb, ie,ic,ib. e)- calcular la ganancia como Av vL / ve f)- calcular la ganancia como Av vL / VE y explicar la diferencia con el valor anterior g)- colocar un capacitor de 100 F en paralelo con RE, simular y calcular nuevamente las ganancias solicitadas en los puntos (e) y (f). h)- Calcular la resistencia incremental de entrada re midiendo las cadas de tensin en el circuito de entrada y compararla con la obtenida por la formula practica.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas tensin-corriente del transistor en la configuracin base comn Una forma ms exacta para analizar y trabajar sobre los circuitos con transistores, es por medio de sus curvas caractersticas. Para el circuito de entrada, se representa la corriente de emisor en funcin de la tensin emisor-base, y como tercer parmetro la tensin colectorbase. Para el circuito de salida, se representa la corriente de emisor en funcin de la tensin colectorbase y como tercer parmetro la corriente de emisor. Estas graficas las representaremos en el 1 cuadrante asignndoles el signo correspondiente a la tensin o corriente. Veamos para en transistor PNP VEB (V) VCB 0 -1 -20 IE(ma) 10 20 30 07 0 -10 -20 -30 IC (ma) -30 -20 -10 Regin activa IE=30mA IE=20mA IE=10mA IE=0mA IC=Ico VCB (V)
.75
Regin saturac.
Regin de corte
La caracterstica de entrada en zona activa es simplemente la de un diodo polarizado directamente para distintos valores de VCB. Se puede observar que para tener corriente de emisor, la tensin VEB debe superar una tensin umbral V=0,55 Volt aprox. En la caracterstica de salida vemos que la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor. Se distinguen tres regiones, la activa, donde IC IE (JC polarizada inversamente y JE directamente), la de corte donde IE = 0 y IC = Ico (JC y JE polarizadas inversamente), y la de saturacin donde VCB 0 Volt e IC es el valor mximo, solamente limitada por el circuito exterior (JC y JE polarizadas directamente).
Configuracin del transistor en emisor comn La configuracin anterior presenta para la fuente de seal, una impedancia baja, lo que le exige suministrar, una considerable corriente de entrada, prcticamente igual a la de salida. Como vemos no tiene ganancia de corriente, si de tensin y potencia .En alta frecuencia esta etapa puede ser conveniente por la su baja capacidad. Teniendo en cuenta estas limitaciones, surge la conveniencia de conectar al transistor en emisor comn. En estas condiciones la corriente que debe suministrar la fuente de seal, es la corriente de base que es mucho menor que la de emisor. Veamos el circuito bsico de esta configuracin:
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Caractersticas tensin-corriente del transistor en emisor comn
IB (a) 30
VCE=0 VCE=1v
Regin activa IB=25(a) IB=20(a) IB=15(a) IB=10(a) IB= 5(a) 1 10 15 20 VCE(v)
20 10
IC (ma) 20 15 10 0,2 0,6 0,8 VBE(v) V 5 0 Regin de saturacin
Regin de corte IC=Ico
En este caso la corriente de la base la podemos expresar como: IB = IBo.[e(vbe/.vT) --1]. Como vemos la caracterstica de entrada es similar a la de un diodo polarizado directamente, con una ligera dependencia de la tensin de salida VCE. El valor de V es la denominada tensin de codo o tensin umbral, valor de tensin de VBE donde comienza a producirse el aumento de la corriente de base, y con ello a circular corriente en el colector y emisor. Para diodos de silicio este valor oscila en alrededor de 0,5 volt. Para el germanio esta en alrededor de 0,15 volt. Si bien la caracterstica es similar a la de un diodo, la corriente IB es mucho menor. La corriente directa de esta juntura (JE), es en realidad IE. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11
En la caracterstica de salida tenemos IC = f(IB, VCE). Se observa que a incrementos de la corriente de entrada o sea IB, la corriente de salida, o sea la del colector, se incrementa. Tambin se puede determinar las tres zonas de funcionamiento. La zona activa, donde la corriente del colector tiene dependencia de la corriente de la base. La zona de corte donde para IE =0 IC = Ico que correspondera a la curva que esta solapada prcticamente con el eje de absisas. La zona de saturacin se verifica para valores de VCE entre 0,1 a 0,3 volt. En esta regin la JC pasa de la polarizacin inversa (en la zona activa) a la polarizacin directa o por lo menos a la tensin umbral de esa juntura. Como detalle final observamos que para un valor fijo de IB, las curvas no son paralelas al eje de absisas, tiene una pendiente positiva, significando esto, que la corriente de colector tiene una ligera dependencia con la tensin VCE . Esto se debe aun efecto de modulacin de la base, denominado Efecto Early, que consiste en una disminucin de la recombinacin de los portadores mayoritarios que salieron del emisor y transitan por la base en camino al colector. Esto produce un pequeo aumento del valor de pero un incremento significativo en la ganancia de corriente en emisor comn denominada . Vamos a continuacin a determinar analticamente la relacin entre las corrientes de la base (corriente de entrada) y la corriente del colector (corriente de salida). Para ello partimos de la ecuacin de la corriente del colector en base comn y de la ecuacin De nudo que representa el transistor respecto a sus tres corrientes: IC = . IE +Ico IE = IC + IB; este valor lo reemplazamos en la expresin anterior IC = . (IC +IB) + Ico y ahora despejamos la corriente del colector quedando IC = / (1). IB + Ico / (1+) Si hacemos = / (1) ; tambin se verifica que (+1) = 1 /(1) IC = . IB + Ico. (+1) si llamamos a (+1) = Iceo
IC = . IB + Iceo expresin final Como dijimos es la ganancia de corriente en emisor comn; por ejemplo si =0,99 Entonces =99 o sea un valor mayor que uno (1). Analizando la relacin entre y se puede ver que una pequea variacin de , produce una gran variacin de . En la expresin desarrollada para la corriente del colector no aparece la dependencia de VCE debido al efecto Early. Variacin de y con la corriente con la corriente de emisor: Los valores de y no son constantes, varan de acuerdo con el valor de la corriente de emisor. Para IE = 0 =0 y se incrementa a medida que crece IE, tendiendo a su valor mximo = 1. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 1 0,8 0,5 0,2
10-3
10-2
10-1
IE (mA)
Aclaremos finalmente que los valores de y que estamos tratando, son los que corresponden para corriente continua o de corriente estacionaria; el valor de se lo suele especificar como hFE o sea la ganancia de corriente continua para la configuracin emisor comn. Regin de corte para la configuracin emisor comn Esta zona o regin la habamos definido cuando ambas junturas JE y JC se polarizan inversamente. En primera instancia podramos suponer haciendo IB = 0; en este caso IC = . IB + Iceo = Iceo y IC= -IE; vemos que la corriente del colector pasa al emisor. De all que cuando hacemos IB=0 el transistor no esta en el corte dado que tiene que darse la situacin de IE=0; en este caso IC=Ico. Para que esto ocurra, debemos polarizar inversamente la juntura emisor-base. La teora demuestra que para un transistor de germanio, debemos aplicar una tensin en la entrada que haga a VBE=-0,1volt (transistor NPN). Para el silicio, con hacer VBE=0 voltios, aseguramos el corte. Para el silicio se cumple que cerca del corte IE 0, el valor de tiende a cero Por lo tanto IC = . IB + Iceo = Iceo = Ico / (1-) Ico. Resumiendo, para que un transistor NPN pase al corte, debemos hacer VBE 0 Volt para el silicio y VBE = -0,1 Volt para el germanio. En el corte se verifica que IE=0 IC=Ico y IB=-Ico. En los transistores reales Ico se reemplaza por IcBo valor que tiene en cuenta, la componente de corriente superficial que atraviesa a JC y adems otra componente que se genera en la zona de transicin por colisin, provocando multiplicacin por avalancha y eventual ruptura si superamos una determinada tensin inversa en la juntura JC. A 25C IcBo es del orden de los A para el Ge. y del orden de los nanoamperes para el Silicio, duplicndose este valor por cada 10C de aumento de la temperatura. En la practica, y para el caso de los transistores de Si (los mas utilizados), con IB= 0 IC = IE = Ico 0, el transistor esta cortado. El valor de IB =0 se produce prcticamente, cuando VBE < V (tensin umbral) o sea para valores menores a 0,5 volt. Consideraciones del circuito de entrada para el corte del transistor Esto se tiene en cuenta solamente para el caso de los transistores de germanio, donde la corriente ICBo es del orden de los A y la resistencia serie equivalente de Thevenin de la seal, del circuito de entrada, es de un valor elevado. En este caso como dijimos para llevarlo al corte, debemos aplicar una tensin VBE -0,1 volt. Como la ICBo circula __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------desde el colector, pasando por la base y por la resistencia serie RB, produce una cada de tensin en ella que tiene signo opuesto a la tensin de polarizacin inversa de la juntura VBE.
Aplicando la ecuacin de malla al circuito de entrada tenemos: VBE = --VBB + RB. Icbo --0,1 volt Por ejemplo para RB = 100 k y Icbo = 100 a resulta VBB = --10.1 volt; con este valor logramos IE = 0
Regin de saturacin para el transistor en la configuracin emisor comn Para que el transistor trabaje en esta zona, debemos polarizar ambas junturas en forma directa, o por lo menos a la tensin umbral. Cuando el transistor esta en la zona activa, la tensin VCB = VCE VBE, donde la VCE polariza inversamente la juntura de colector (JC). Podemos decir entonces que mientras VCE>= VBE, la juntura base colector esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa. La mxima corriente de colector en la regin activa, la podemos obtener entonces, para VCB=0, o sea para VCE=VBE En este caso la corriente IC vale: IC = VCCVCE / RC = VCCVBE / RC La corriente de base , para este valor de IC vale: IBact.minima = IC / F (corriente de base limite entre la zona activa y saturacin) Si aumentamos la corriente de base por encima de IBM, entonces VBE aumenta, la corriente de colector tambin aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Si seguimos aumentando IB, la juntura colectorbase presenta polarizacin inversa, con VCB aproximadamente de 0,4 a 0,5 volt. Entonces el transistor pasa a la saturacin. En estas condiciones la tensin VCE es de algunas dcimas de volt. Esto quiere decir que en las caractersticas VI de salida, la regin de saturacin esta muy cerca del valor cero, en el eje de las tensiones, como se ve en el grafico. En esta zona las curvas se unen y caen rpidamente al origen.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------IB (mA) 0,30 IC (mA) 20 VBEsat. 15 10 0,2 0,6 0,8 VBE (v) Vumbral VCC / RC Regin de saturacin VCEsat 5 0 1 10 15 20 VCE(v) Regin activa IB=0,25(ma)
0,20 0,10
IB=0,20(ma) IB=0,15(ma) IB=0,10(ma) IB= 0,05(ma)
VCC Recta de carga
La saturacin de un transistor bipolar, podemos definirla como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base, la corriente de colector no aumenta en forma apreciable. En esta zona, la tensin colectoremisor se identifica como VCEsat. En saturacin, la corriente de colector vale: IC = ICsat = (VCC Vcesat.) / RC VCC / RC La corriente de base vale: IB = IBsat = ICsat / F (limite mnimo de saturacin) En las caractersticas VI de salida, vemos que la zona de saturacin comienza en la zona de codo de las curvas. En el dibujo y para la recta de carga definida, comenzara para un valor de IBsat = 0,15 ma. Si seguimos aumentado IBsat. Vemos que VCEsat. Ya no disminuye significativamente. Resistencia de saturacin: En la zona de saturacin, la caracterstica VI es prcticamente lineal, (para una determinada corriente de base IB).Se define entonces a la resistencia de saturacin, como la relacin Rc sat = VCEsat. / ICsat . Este valor se debe especificar para una determinada corriente de base de saturacin. Si para IBsat=0,20 ma resulta VCEsat = 0,15 volt y Icsat = 15 ma entonces: Rcsat = VCEsat / ICsat = 0,15 / 0,015 = 10 Ganancia de corriente continua en la zona de saturacin: En esta zona la definimos como hFEsat = ICsat / IBsat.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Si conocemos ICsat VCC / RC y hFEsat, podemos determinar la corriente de base necesaria para llevar al transistor a la saturacin: IBsat = ICsat / hFEsat En gral el valor de hFEsat>F, y tiene mucha dispersin. Un valor que se podria adoptar en transistores de seal estara comprendido entre 10 y 20. En el caso normal, el circuito se disea para un valor de hFEsat menor que el valor limite. La relacion entre la corriente de base de sobresaturacin a la del limite de saturacin, se le denomina factor de sobresaturacin (ODF). ODF IB(sobresaturacin) / IB(saturacin limite) Es de aclarar que cuanto mas saturemos, al elegir valores menores de hFEsat, el transistor se vuelve mas lento cuando tenga que conmutar entre la saturacin y el corte, lo cual trae aparejado distorsin de la seal digital de salida. Otro inconveniente de sobresaturar, es el aumento de la potencia disipada en la base. Valores tpicos de las tensiones de polarizacin para transistores de seal VCEsat 0,2 0,1 VBEsat 0,8 0,3 VBEact. 0,7 0,2 V(umbral) 0,5 0,1 VBE corte 0,00 --0,1
Silicio Germanio Problema
IB (a) 100
IC (ma) 100
IB=230(a) IB=190(a)
30
IB=150(a) IB= 90(a) 0,7 1 VBE(v) 1,5 0,25 IB= 30(a) 8,5 10 VCE(v) 16
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Un transistor bipolar esta conectado en la entrada y en la salida por dos circuitos equivalentes de Thevenin segn lo muestra el dibujo, con unas caractersticas VI segn las graficas. Se solicita: a)- Determinar la corriente de base para VBB = 1 volt y VBB= 3 volt. IB1 =( VBB1 VBEact) / RB = (1 0,7) / 10k = 30 a IB2 = (VBB2 VBEact) / RB = ( 3 0,75 ) / 10k = 225 a Para encontrar grficamente IB1, debemos trazar la recta de carga sobre la caracterstica de entrada como muestra la figura: Aplicamos 1 ley de Kirchoff en el circuito de entrada VBB1 = RB . IB + VBE despejamos IB1 y obtenemos la ecuacin de la recta de carga: IB1 = VBB1/RB VBE / RB Esta recta corta a los coordenados en : VBE = VBB1 para IB = 0 IB = VBB1 / RB para VBE = 0 La interseccin con la curva, nos da el punto de polarizacin en la entrada o sea : IB1 = 30 a VBE1 = 0,7 volt. Realizando lo mismo para VBB2 = 3 voltios, obtenemos IB2 = 225 a VBE2 = 0,75 volt b)- Determinar la corriente de colector y la tensin VCE para los valores dados de VBB En este caso aplicamos la 1 ley de Kirchoff al circuito de salida y obtenemos la recta de carga, de la misma forma que hicimos con el circuito de entrad. Para graficarla tendremos que encontrar los puntos de interseccin con los ejes. Estos se dan para IC = VCC / RC 10volt / 1k para VCE = 0 VCE = VCC = 10 volt para IC = 0 Para VBB1 corresponde IB = 30 a; la interseccin con la curva correspondiente a IB = 30 a nos da el punto de operacin o polarizacin: IC = 1,5 ma y VCE = 8,5 volt Matemticamente podramos hallar el punto de operacin; para ello debemos conocer el valor de o hFE Por ejemplo si este vale = 50 entonces podramos calcular a IC como: IC = . IB + Iceo . IB 50 . 30 a = 1,5 ma En la prctica este valor de es aproximado y depende entre otras variables, del punto de operacin. Los fabricantes suelen dar un valor tpico. Para determinar VCE lo podemos despejar de la ecuacin de la recta de carga VCE = VCC RC . IC = 8,5 volt. De la misma forma procedemos para VBB2 = 3 volt donde IB =225 a En la grafica de salida vemos que corresponde a la zona de saturacin ICsat 9,7 volt y VCEsat 0,25 volt. En esta zona la ICsat ICC = VCC / RC o esa la corriente de cortocircuito del circuito de salida para VCE = 0. El valor de la tensin VCB en esta zona vale: VCB = VCE VBE = 0,25 0,75 = -0,5 volt o sea que prcticamente esta polarizada directamente, que es la condicin de la zona de saturacin. Vamos ahora determinar estos ltimos valores matemticamente y supondremos que el valor de = 50, corresponde en la zona activa. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 17
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------IC . IB = 50 . 225 = 11,25 ma y VCE = VCC RC . IC = --1,25 volt Este ltimo valor es un absurdo dado que VCE no puede ser negativo. El error surgi de haber considerado el mismo valor de de la zona activa. Si calculamos el valor de con los valores obtenidos grficamente tendremos IC / IB = 9,7 A / 225a = 43 A medida que entramos en la zona de saturacin el valor de decrece (sobresaturacin). Caractersticas de conmutacin del transistor de unin bipolar Los transistores bipolares tienen capacitancias asociadas a las junturas de emisor y colector. Para la juntura de emisor polarizada directamente, presenta una capacidad de a de almacenamiento o difusin mas una capacidad de agotamiento o de la regin de la carga espacial no neutralizada). En la juntura de colector, polarizada inversamente, tenemos solamente la capacidad de agotamiento o transicin. Bajo condiciones permanentes, estas capacidades no presentan inconvenientes. Cuando se utiliza el transistor para amplificar seales linealmente, estas capacidades asociadas a las junturas, provocan disminucin de su ganancia de tensin o corriente, con el aumento de la frecuencia de la seal aplicada, tema que lo analizaremos mas adelante. Cuando el transistor trabaja en conmutacin, por ejemplo con seales digitales, ste trabaja al corte y saturacin, solamente transita por la zona activa, durante la conmutacin. Para este caso, las capacidades asociadas tambin influyen sobre el tiempo de conmutacin, que hace que la seal digital de salida, se distorsione. La figura muestra un modelo lineal, que representa al transistor bajo condiciones transitorias, donde se pueden observar las capacitancias efectivas de la juntura de emisor (Ce) y de colector (Cc). Estas capacidades dependen de los voltajes aplicados a las junturas y de las caractersticas fsicas del transistor.
Como consecuencia de estas capacidades, ante una seal digital de excitacin en su entrada, el transistor no conmuta al instante. La figura siguiente, muestra las formas de onda y tiempos de conmutacin.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------vB V1 0 -V2 IB1 iB kT (1-kT) t
0 -IB2 t
iC Ics 0,9 Ics
0,1 Ics 0 td tr tn ts tf to t
Cuando la tensin de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado tiempo de retardo td para que la corriente de colector comience a crecer. Este retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE Ce hasta la tensin de polarizacin directa VBE 0,6 a 0,7 volt. Despus del retardo td, la corriente de colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que tarda en llegar a este valor, denominado tr depende de la constante de tiempo de carga de la capacidad de la juntura de emisor (JE). Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor (sobresaturacin) por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores minoritarios, en la regin de la base. Mientras mayor sea la sobresaturacin (ODF), mas alta ser la cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, denominada carga de saturacin, es proporcional al exceso de excitacin de la corriente de la base IBexceso= IB(sobresat.) Ics / = ODF. IBs IBs = IBs. (ODF1) Siendo IBs la corriente mnima para saturar al transistor. La carga de saturacin se determina por la expresin: Qs = s . IBexc = s.IBs. (ODF 1) El valor de (tao) se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando la tensin de entrada se invierte, pasando del valor V1 a V2, la corriente de base, tambin cambia de IB1 a IB2. La corriente de colector, no cambia hasta transcurrido un tiempo ts denominado tiempo de almacenamiento. El tiempo ts __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 19
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------es el necesario para eliminar la carga de saturacin de la base. Como la vBE todava es positiva (de valor 0,7 volt aprox.), la corriente de la base invierte su direccin debido al cambio de polaridad de la fuente de seal digital vB, desde +V1 a V2 . Esta corriente IB2 en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base. Si no tenemos a IB2 (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se elimina por recombinacin, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento ts seria mayor. Una vez que se elimino el exceso de carga, la capacidad de la juntura JE se carga hasta la tensin V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de la constante de tiempo de la capacidad de la juntura de emisor con polarizacin inversa. El tiempo de encendido o activacin es la suma del tiempo de retardo td y el tiempo de subida tr t act. = td + tr El tiempo de apagado o desactivacin es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de cada tf t apag.= ts + tf Los tiempos de conmutacin pueden ser mejorados, mediante tcnicas especiales de la excitacin de la base, como ser control al encendido, control al apagado, control proporcional en base, control por antisaturacin. Por otra parte los transistores bipolares y otros tipos de semiconductores que trabajan en el modo de conmutacin, estn limitados en lo referente al crecimiento de la corriente (di/dt) y la variacin de la tensin en sus extremos (dv/dt). Sobrepasar estos valores, provocan la destruccin del semiconductor. Se aplican circuitos asociados al semiconductor conmutador, para limitar la di/dt y dv/dt. Los temas de excitacin de la base y protecciones por di/dt y dv/dt se analizan en Electronica II Modelos aproximados para corriente continua del transistor en emisor comn 1 aproximacin : Es el circuito mas sencillo; se supone que la entrada (JE) se comporta como un diodo ideal y la salida se comporta como una fuente de corriente dependiente, con la variable IB. En este caso, no existe zona de saturacin. En la zona activa, la corriente de colector vale IC = . IB y el corte se produce para IB=0 IC = 0 Este modelo puede utilizarse cuando VBB>>VBE. B IB (+) VBE (--) Emisor IB VCE VBE IC C (+) VCE (--) IC
IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------2 aproximacin: En este caso consideramos que la juntura de emisor JE tiene una cada de tensin VBE = 0,7 volt; este valor es necesario cuando la tension VBB es de algunos voltios. El circuito de salida es similar al caso anterior B IB (+) VBE (--) Emisor IB VCE IC C (+) VCE (--) IC IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
0,7 v VBE
3 aproximacin: En esta aproximacin se debe considerar que la juntura de emisor tiene una cada de tensin resistiva que hace que VBE sea mayor que 0,7 volt VBE 0,7 v +IE . rB (emisor). Adems la juntura de colector tiene una resistencia en serie con la la fuente de corriente del colector rB(colector, que se manifiesta solamente cuando el transistor esta en saturacin; en zona activa no se la tiene en cuenta
B IB (+) VBE (--) Emisor IB
IC C (+) VCE (--)
IC
IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
VCE VCEsat=rB(c).IC 0,7v VBE=,07v+rB(e).IE __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Por ejemplo para el transistor de seal 2N3904 tenemos: rB(emisor) =1,5 rB(colector) = 2,8 para IE = 100 ma VBEsat = 0,7 + 1,5 . 0,1 = 0,85 volt y VCEsat= 2,8 . 0,1 = 0,28 volt Para el transistor de potencia 2N3055 tenemos: rB(colector) = 0.05 rB(emisor) =0,09 para IE = 10 A VBEsat = 0,7 + 0,09. 10 = 1,6 volt y VCEsat= 0,05 .10 = 0,5 volt Modelo del transistor bipolar de EBER-MOLL Este modelo fue uno de los primeros que se utilizaron para su representacin: Al utilizarlo, se hacen las siguientes aproximaciones: a)- VBE se toma igual a 0,7 volt para el silicio y 0,3 volt para el germanio. b)- Se desprecia la resistencia de dispersin de la base rb. c)- Como 1 entonces IC = IE d)- Como IE = IC entonces IB se aproxima a IB = IE /
IB=IE/ B + VBE __ E
IC=.IE C
IE
Resistencia de dispersin de la base rb Es la resistencia que aparece en la regin de la base (esta es estrecha) al paso de la corriente de la base. Teniendo en cuenta el modelo anterior, y si la tenemos en cuenta resulta: IB=IE/ B Rb IC=.IE C
(+) VBE (-)
(+) VBE (-) E IE
VBE = VBE +IB. Rb El valor de rb no supera los 1000; suele estar comprendido entre 50 y 150. En baja frecuencia se lo puede despreciar; no as en alta frecuencia.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Mxima tensin alcanzable en los terminales del transistor Como lo hemos dicho, en zona activa, la JC esta polarizada inversamente, por lo tanto existe un limite superior para la tensin colector base (similar a un diodo polarizado inversamente). Para tensiones elevadas, tenemos la posibilidad de una ruptura de la juntura JC, mediante dos mecanismos diferenciados: la ruptura por avalancha y la ruptura por perforacin. Ruptura por avalancha: Se produce por la multiplicacin de la corriente inversa Ico. La mxima tensin inversa aplicable al colector estando el emisor abierto, la llamaremos BVcBo y es caracterstico de cada transistor. Como resultado de la multiplicacin de la corriente Ico, toma el valor M.Ico siendo M el factor de multiplicacin, dado por la siguiente formula emprica aplicable a varios transistores tpicos: M =1 / [1 (VCB/BVcBo)n] El exponente n vara de 2 a 10 y determina la agudeza de la ruptura. Si una corriente IE alcanza la juntura JC y si tenemos en cuenta la multiplicacin por avalancha, el transistor se comporta como si su ganancia en base comun fuera M. ; dado que IC M..IE. El anlisis de la ruptura por avalancha, para la configuracin en emisor comn, indica que la tensin disruptiva colectoremisor con el circuito abierto de la base y designada BVcEo vale: n ______ BVcEo = BVcBo.1 /hFE Por ejemplo si n=6 y hFE = 50 entonces BVcEo = 0,52.BVcBo Si la base no esta abierta, la caracterstica disruptiva se modifica, dependiendo entonces no solo del transistor sino de la resistencia conectada en el circuito de entrada. A medida que este valor disminuya, la tensin disruptiva aumenta, hasta alcanzar el mismo valor BVcEo = .BVcBo para un cortocircuito entre la base y el emisor.
IC
VCE
BVcEo
BVcBo 23
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ruptura por perforacin: Es resultado de la ampliacin del ancho de la zona de la regin de la carga espacial en la juntura de colector JC, al incrementarse la tensin inversa aplicada (efecto Early). La perforacin difiere de la ruptura por avalancha en que tiene lugar a una tensin fija entre colector y base y no depende de la configuracin del circuito. Para un determinado transistor, el lmite de tensin esta determinado por la perforacin o por la ruptura por avalancha, segn cual sea mas bajo. En gral. Los fabricante, especifican los valores mximos de tensin en las distintas configuraciones y con distintos valores de resistencias conectados entre la base y el emisor. Como regla gral., para un correcto diseo, es necesario incluir un factor de seguridad para no acortar la vida del transistor, si se emplean con valores de tensin cercanos a los mximos. Un factor de seguridad de 2 es comn; en algunos casos se puede considerar un factor de 10. Problema Analizar y calcular el circuito amplificador bsico con transistor bipolar determinando: IB, IC, IE, VCE, VCB. Tomar como datos para el calculo VBE0,7 volt y hFE=100
Problema Para el circuito de la figura, determinar los valores de RC , RB y VCC, que permitan ubicar el punto de polarizacin Q en el centro de la recta de carga con valores de IC = 1ma y VCE = 3volt. Datos del transistor: VBE =0,7 volt y hFE = 70
Problema Para el circuito de la figura, determinar los niveles lgicos de la seal de entrada VE Que lleven al transistor bipolar al corte y la saturacin. Datos : hFEsat=20 VBEsat= 0,85
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Problema Para el circuito de la figura, se solicita: a)- Analizar si el transistor se encuentra en la zona activa, corte o saturacin. b)- Determinada la zona de funcionamiento solicitada en el punto a, encontrar los valores de VE que lo lleven a las ortas zonas de funcionamiento. Datos: act =100 sat=20 VBEact = 0,7 volt. Vesta = 0,85
Problema El circuito de la figura acta como una compuerta lgica cuando el transistor se polariza al corte y saturacin, por la aplicacin de la tensin de entrada VE. Determinar: a)- Tipo de compuerta lgica que representa. b)- Los valores de RA y RB para los siguientes datos: VCC=5volt ; ICmax=5 ma ; hFEsat=20 ; VBEsat.=0,85volt ; IB=0,1.IA VE1=0,1 volt ; VE2= 4,8 volt
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Problema Analizar el circuito de la figura y determinar que tipo de compuerta lgica representan, en el caso que los valores de V1 y V2 lleven al transistor a la zona de corte y saturacin
Problema Analizar el circuito de la figura y determinar el tipo de compuerta lgica que representa cuando los valores lgicos de V1 y V2 llevan al transistor al corte y la saturacin
Problema Disear los dos ltimos circuitos anteriores con los siguientes datos: VCC =5 volt ; ICmax = 3 ma hFE sat= 20 VBEsat= 0,85 IB=0,1.IA
Anlisis de la amplificacin lineal para un amplificador bsico en emisor comn Este anlisis es conceptual; por ello consideraremos un transistor ideal, con ganancia de corriente = 100, sin distorsin; utilizaremos el 2 modelo de aproximacin, para su representacin. Veamos el circuito del amplificador bsico prctico, para su aplicacin con componentes discretos.
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IB (a) 400 300 200
IC(ma) 60 --1/RB 50 40 30 20 0,7 VBE(v) 10 2 4 6 8
IB(a) 500 400 300 200 100 10 12 VCE(v)
En este caso se utiliza una sola fuente de alimentacin VCC, para polarizar en zona activa al transistor. Los capacitares C1 y C2 desacoplan la corriente continua respecto del circuito de entrada y salida. Las corrientes de polarizacin las calculamos como: IB = VCC VBE / RB = (12 0,7) / 37,7k 300 a IC = . IB = 100 . 0,3 = 30 ma Supondremos adems que aplicaremos una tensin alterna a travs del capacitor de acoplamiento C1 con un valor de 60 mv p.p. Esta tensin se sumara y restara a la tensin de polarizacin de base VBE ve ( 0,7v 30mv), produciendo una variacin hipottica en la corriente de polarizacin IB ib ( 300a 100a). La variacin en la corriente de base producir una variacin en la corriente de colector IC(ic) = 10 ma A su vez esta variacin en IC, provocara una variacin de VCE VCE siendo VCE = 2 volt A la salida del capacitor de acoplamiento C2, solamente tendremos la tensin alterna Vo = VCE (C2 elimino la componente continua). Para este caso ideal presentado la ganancia de tensin en ca, de la etapa amplificadora bsica resulta: Av vo / ve = 2v/30mv= 66,7 Veremos mas adelante que para calcular en forma analtica la ganancia en ca de las etapas amplificadoras, es necesario reemplazar al transistor, por un circuito equivalente para seales incrementales.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Polarizacin del transistor bipolar por el emisor Los circuitos analizados anteriormente, en la configuracin emisor comn, estn polarizados por la base, siendo muy utilizados en circuitos digitales y de conmutacin. Cuando se necesita trabajar en zona activa, para utilizar al transistor como amplificador lineal, es necesario que el punto de polarizacin (Q) se mantenga lo mas estable posible. Tres son los parmetros elctricos del transistor que pueden modificarse, por temperatura o construccin del transistor y que pueden modificar la ubicacin del punto Q. Estos parmetros son: Ico, VBE y o hFE . Ico : Se duplica prcticamente por cada 10 de aumento de la temperatura de la juntura del colector (JC). VBE : Disminuye con el aumento de la temperatura de la juntura de emisor (JE) en aproximadamente 2,5mv /C. : Varia con la temperatura para un determinado transistor, pero su mayor variacin se produce en el proceso de construccin ; por ejemplo el transistor BC547 el valor de hFE puede variar entre 180< hFE>220. Como consecuencia de estas variaciones en los parmetros elctricos, la polarizacin por base no es la ms adecuada para amplificadores lineales, dado que una modificacin del punto de polarizacin, puede llevar al transistor a una zona de funcionamiento que produzca la distorsin de la seal amplificada. De all que sea conveniente utilizar la denominada polarizacin por emisor.
En este caso la resistencia de la base RB es llevada al emisor (RE). En este caso el emisor ya nos es el terminal comn. Para determinar el punto de polarizacin, procedemos de la siguiente manera: a)- determinamos el valor de VE: VE = VBB VBE. b)- Calculamos la corriente de emisor IE IE = VE / RE c)- Calculamos la corriente de colector IC IC = . IE IE d)- Calculamos la tensin de colector VC VC = VCC -- RC . IC e)- Calculamos la tensin colectoremisor VCE VCE = VC VE De esta forma el punto de polarizacin (Q) esta determinado por los valores de VCE e IC. Veremos a continuacin el efecto de la variacin de la ganancia de corriente sobre la corriente IC cuando polarizamos por emisor. Supongamos para ello que el valor de puede variar en = 100 y =150. Calculemos IC por ejemplo para un valor de IE = 2 ma. Partimos de = / (1) y despejamos __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 28
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------= / (+1) reemplazamos los valores de y obtenemos 1 = 0,9901 y 2 = 0,993 Con estos valores calculamos la corriente de colector: IC1 = 1 . IE = 0,9901 . 2 = 1.9802 ma IC2 = 2 . IE = 0,9930 . 2 = 1,9860 ma Como vemos prcticamente IC1 IC2 IC IE , el punto Q permanece inalterable. Problema Para el circuito con polarizacin por emisor de la figura determinar: a)- las corrientes y las tensiones IE, IC, IB, VC, VB, y VE b)- el punto de polarizacin definido por IC y VCE c)- la recta de carga graficada en las caractersticas de salida del transistor
Solucin: a)- adoptaremos VBE = 0,7 volt.(Si) y 100 < > 150 VE = VBB VBE = 5 0,7 = 4,3 volt IE = VE / RE = 4,3 / 2,2 1,95 ma. 1 =1 / (1+ 1) = 100 /(1+100) = 0,9901 ; 2 = 2 / ( 1+2) =150 / (1+150) = 0,993 IC1 = 1. IE = 1,9306ma IC2 = 2 . IE = 1,936ma . promediamos IC = 1,93 ma IB = IE IC = 0,02 ma VC = VCC RC . IC = 15 1. 1,93 = 13,1 volt b)- VCE = VC VE = 13,1 4,3 = 8,8 volt El punto de polarizacin Q queda definido por VCE = 8,8 volt e IC = 1,93 ma C)-Para trazar la recta de carga , debemos encontrar la interseccin con los ejes coordenados: 1) Interseccin con el eje de la corriente Se produce cuando VCE = 0 ; en este caso entonces VC = VE entonces: ICsat = (VCC --. VE) / RC = (15 4,3) / 1k = 10,7 ma 2)- Interseccin con el eje de la tensin. Se produce cuando IC = 0; en este caso no se produce cada de tensin en RC por lo tanto VC = VCC = 15 volt y VE = 4,3 volt VCE = VC VE = 15 4,3 10,7 volt
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IC (ma) 10,7
Recta de carga Punto Q
1,93 0 8,8 10,7 VCE(volt)
Excitacin de diodos luminosos con polarizacin por base y emisor Primero analizaremos la excitacin por base segn el circuito de la figura, teniendo en cuenta que la cada de tensin de estos diodos vale 1,8 < vd < 2,5 volt
Calcularemos la corriente que el transistor suministra al diodo para el caso que el interruptor se cierre y pase a la saturacin IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (15 1,8) / 1,5 k = 8,8 ma IC2 = ID = (VCC VD2 VCEsat) / RC (15 2,5) / 1,5 k = 8,3 ma Como vemos se produce una variacin de la corriente de excitacin del LEDS que se acenta mas si la tensin de alimentacin es comparable con la cada de tensin del diodo. Ejemplo tomemos a VCC = 5 volt y RC = 0,5k IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (5 1,8) / 0,5 k = 6,4 ma IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (5 2,5) / 0,5 k = 5,0 ma Esta variacin provocara una variacin luminosa para los diodos del mismo tipo; no obstante para VCC >> Vd el circuito funciona bien. Vamos a ver la excitacin por polarizacin por emisor segn el siguiente circuito:
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Cuando el interruptor esta abierto ID = IC IE = 0 ma Cuando cerramos el interruptor ID = IC IE = (VBBVBE) / RE ID = (12 0,8) / 1,5 k = 7,47 ma y est valor se mantendr constante si cambia la cada de tensin del diodo. La ventaja de este tipo de excitacin es que cambiando el valor de RE o VBB modificamos la corriente que circula por el diodo y con ello modificamos la luminosidad. Por ejemplo si aplicamos a la polarizacin una tensin alterna superpuesta, la corriente del diodo variara de la misma forma y tambin su luminosidad. Si a este flujo luminoso variable lo direccionamos a travs de una fibra ptica, podemos transportarla. Si en el final de la fibra ptica colocamos un fotodiodo, la corriente que circula por el mismo comenzara a variar de la misma forma. Si ahora a esta corriente la hacemos circular por una resistencia, entonces hemos transportado la variacin de tensin de la fuente de seal. Este, es el principio de la transmisin por fibras pticas. Nota: Cabe aclarar que el circuito bsico presentado para polarizar por emisor, es impracticable como amplificador de seales dbiles, dado que la fuente de tensin conectada en la base (VBB), representa un cortocircuito para la seal de entrada. Mas adelante veremos que la polarizacin por emisor, se resuelve reemplazando a VBB por un divisor resistivo, que le presenta una resistencia de entrada a ve. Problema Para el circuito de la figura, determinar la corriente de emisor IE y la tensin de colector VC.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Para el circuito de la figura, determinar la tensin de salida Vo
Problema Para los dos circuitos de la figura, determinar la corriente que circula por los diodos luminosos.
El fototransistor Este dispositivo, es mucho ms fotosensible que el fotodiodo. Se conecta normalmente en la configuracin emisor comn con la base abierta y la radiacin se concentra en la regin cercana a la juntura de colector JC. Para interpretar el funcionamiento de este semiconductor, admitimos que la juntura JE esta ligeramente polarizada en sentido directo y la JC en inverso, significando esto que el transistor esta en zona activa. Supongamos adems que no hay luz incidente en JC; en estas condiciones los portadores minoritarios generados trmicamente atraviesan la juntura de colector. La corriente de colector esta dad por la formula generalizada IC = . IB + (+1). Ico Como IB = 0 entonces IC = + (+1). Ico. Si se hace incidir luz en la vecindad de JC, se fotogeneran portadores adicionales que contribuyen a la corriente de saturacin inversa, de la misma manera que los portadores minoritarios generados trmicamente. De esta manera la corriente de colector se expresa como: IC = (+1). (Ico + IL ). Vemos que por la accion del transistor, la corriente generada por radiacin es multiplicada por el factor (+1), valor considerablemente mayor a uno (1).
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------H (mw/cm2) 10 Intensidad luminosa 8 6 4 2 Ico 5 10 15 20 VCE( volt) Fuente luminosa Tungsteno con T=2870K
IC (mA) 10 8 6 4 2 0
--1/RC
En el circuito bsico, tambin es posible ingresar corriente por la base . En estas condiciones , la corriente de colector vale: : IC =.IB + (+1). (Ico + IL ). La mayor sensibilidad de un fototransistor se logra con la base abierta. Si quisiramos bajar la sensibilidad, debemos colocar una resistencia variable entre la base y el emisor La diferencia entre un fotodiodo y un fototransistor esta consiste en la mayor sensibilidad de este ltimo. El fotodiodo trabaja con corrientes del orden de los a y los fototransistores del orden de los ma. El fotodiodo tiene como ventaja, la rapidez en la conmutacin. Optoacopladores Los optoacopladores, llamados tambin optoaisladores, son combinaciones de un emisor de luz y un receptor de luz. Como emisor se utiliza normalmente un diodo LED, y como receptor, puede ser un fotodiodo o un fototransistor. La combinacin acta de manera tal que una variacin de la luminosidad del emisor (circuito de entrada) se traduce en una variacin de corriente en el receptor (circuito de salida). La ventaja __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 33
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------fundamental de este dispositivo , es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida (varios miles de M). Son tiles para aplicaciones de alta tensin donde la diferencia de tensin entre los circuitos acoplados es muy grande.
Estabilidad del punto de polarizacin para un amplificador lineal Cuando se utiliza el transistor bipolar para amplificar linealmente seales elctricas, debemos polarizarlo en zona activa. Este punto de operacin, en su representacin grafica en las caractersticas VI de salida del transistor, se encuentra ubicado en la recta de carga (esttica), entre las zonas de corte y saturacin. La ubicacin, definida por el par de valores IC y VCE debera ser fija, ante alteraciones de algunos de los parmetros que definen al transistor. De no ser as, su posible desplazamiento, lo podra llevar cerca de las zonas de saturacin o corte, provocando una marcada distorsin de la seal amplificada.
IC (ma)
Zona de corte Recta de carga Punto Q Zona de corte
IC
VCE
VCE(volt)
Los parmetros elctricos que pueden modificar la ubicacin original de diseo del punto de operacin Q son VBE, Ico y (o hFE). VBE: Es la tensin base--emisor del transistor (tensin de la juntura JE ); su valor disminuye con el aumento de la temperatura en aprox. dv/dt = --2,5 mv/C Ico: Es la corriente inversa de portadores minoritarios de la juntura colectorbase (JC) Su valor se incrementa con la temperatura en aprox. di/dt 0,07% / C. ; esto equivale a un aumento del doble, de su valor inicial , por cada 10C de aumento de la temperatura. : Representa la ganancia de corriente en continua, tambin llamada hFE, para la configuracin en emisor comn. Su valor se modifica con la temperatura, pero su variacin mas critica se produce en su proceso de construccin, que hace que en el caso de los transistores discretos, del mismo tipo, su valor vare considerablemente. Para los __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 34
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------transistores que constituyen los circuitos realizados con tcnica de integracin en pastillas semiconductoras, la variacin de hFE es menor. Para los transistores de silicio, la Ico es muy baja y su variacin, no interfiere en ubicacin del punto de polarizacin; en cambio VBE y hFE, tienen relevancia. De all la importancia del circuito elctrico asociado al transistor, en la estabilizacin del punto de polarizacin. Podemos decir entonces que segn la metodologa que se emplee, podemos a los efectos de comparacin, definir tres factores de estabilizacin: S IC/Ico IC/Ico : Se la define como la variacin o incremento de la corriente IC(del punto de polarizacin) respecto a la variacin de Ico, manteniendo constantes y VBE. S IC/VBE IC/VBE : Definido como la variacin o incremento de la corriente IC, respecto a la variacin de VBE, manteniendo constantes Ico y S IC/ IC/ : Definido como la variacin o incremento de la corriente IC respecto a la variacin de , manteniendo constantes VBE y Ico. El amplificador bsico que hemos tratado en la configuracin base comn, funciona bien cuando trabaja en corte y saturacin, como en el caso de los circuitos digitales y circuitos que utilizan al transistor para conmutar cargas elctricas. Esta configuracin, trabajando en zona activa, en su diseo, es difcil predecir donde caer el punto de operacin, ante la variabilidad de ; de all la necesidad de establecer otro tipo de polarizacin. Estabilizacin por polarizacin con realimentacin por colector
Este circuito establece un determinado grado de estabilizacin del punto de polarizacin, mediante la alimentacin de la corriente de base por VCE. Si IC aumenta, provoca (por cada de tensin en RC) una disminucin de VCE y con ello de IB, contrarrestando el aumento de IC. IB = (VCEVBE) / RB y IC .IB. Este tipo de polarizacin fue superada por la de emisor.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Estabilizacin del punto de polarizacin por realimentacin por emisor
El circuito de la izquierda muestra el principio de operacin que ya lo hemos analizado para excitacin de dispositivos conectados al colector del transistor. En este caso habamos determinado: IC IE = (VBB VBE) / RE VBB / RE Constante. En este circuito, la realimentacin negativa del emisor que estabiliza el punto Q la podemos ver, aplicando la ley de malla de Kirchoff, al circuito de entrada, luego reemplazar la corriente la corriente de emisor, y finalmente despejar la corriente de base: VBBVBEVE = 0 (1) VE = RE . IE (2) IE = IC+IB (3) Reemplazando (2) y (3) en (1) y despejando IB tenemos: IB = (VBBVBERE. IC) / RE Vemos que si se produce un aumento o disminucin de IC provocara una disminucin o aumento de IB respectivamente y como IC . IB tal variacin de IC tendera a anularse. El circuito de la derecha, muestra el circuito prctico para uso con componentes discretos. (los circuitos integrados lineales usan otros mtodos para estabilizar) Como la fuente de tensin VBB dijimos que representa un cortocircuito para la seal a amplificar, se reemplaza por un divisor resistivo formado por RA y RB. La seal de entrada, es introducida a la base de Q1 por medio de un capacitor de desacople de la CC, Para este caso la impedancia que v la seal de entrada al amplificador ya no ser un cortocircuito sino el paralelo de RA, RB y la resistencia interna medida entre base y el Terminal comn. RE = //RA//RB//Rint. Anlisis simplificado del circuito: Si el circuito esta bien diseado, IA >> IB resultando tambin IAIB IA, resultando: VB = IA . RB = VCC . RB / (RA+RB) IE = VE / RE = (VBBVBE) / RE IC VC = VCCRC.IC VCE = VCVE; con VCE e IC hemos encontrado el punto de polarizacin. Problema Utilizando el circuito con polarizacin por emisor y divisor resistivo de la figura anterior, calcular todas las corriente y tensiones continuas del mismo, teniendo en cuenta que la ganancia de corriente en emisor comn oscila 100< <400.; considerar VBE = 0,7volt. Aplicar mtodo simplificativo y, justificar. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 36
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador bsico con transistor bipolar de una sola etapa (discreto)
El circuito es similar a los ya analizados solamente con el agregado de los capacitores de desacoplo C1 C2 y CE. El capacitor C1 no deja pasar la tensin continua de la seal ve al circuito de polarizacin de entrada (puede ser el circuito de salida de otra etapa amplificadora que le antecede). El capacitor C2 no deja pasar la tensin continua de polarizacin del circuito de salida, al circuito de carga (puede ser el circuito de entrada de otra etapa amplificadora que le precede). El capacitor CE se coloca para evitar una disminucin de la ganancia en seal alterna, por la cada de tensin que producira a la seal de salida vo Estos capacitores, a las frecuencias de funcionamiento de las seales a amplificar, deben calcularse para que se comporten como un cortocircuito (Baja impedancia). Es de aclarar que este tipo de amplificador, en la practica ya no se los utiliza, reemplazndoselos por amplificadores con tecnologa integrada. El circuito de estos ltimos es diferente dado que tienen que adaptarse a las caractersticas particulares de los CI. No obstante estos circuitos tienen un valor conceptual muy importante, por lo cual se sigue desarrollando su teora para comprender mejor la amplificacin electronica de seales elctricas. Polarizacin y estabilizacin de emisor con dos fuentes de tensin
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito muestra una forma de lograr la polarizacin por emisor utilizando dos fuentes de alimentacin opuestas, referidas al terminal comn o masa. Analizando el circuito de malla de la entrada, podremos establecer: VB = --RB . IB = VBE + RE . IE VEE. Como IB IC / IE / dado que IC IE Entonces reemplazando en la ecuacin anterior y despejando IE tenemos: IE = IC = ( VEEVBE) / ( RE + RB/) si resulta RE>> RB/ tendremos finalmente: IE = IC = ( VEEVBE ) / RE Vemos que bajo las condiciones de RE>> RB/ la corriente del punto de polarizacin es prcticamente independiente de las variaciones del valor de . El calculo de VE y VC resulta: VC = VCCRC.IC VE = RE. IE VEE --VBE si despreciamos la cada de tensin en RB, producida por la corriente de base. Polarizacin y estabilizacin de amplificadores lineales en circuitos integrados. Previo al desarrollo del tema especifico, adelantaremos algunas caractersticas generales de los circuitos electrnicos construidos bajo la tcnica integrada. En temas posteriores, lo desarrollaremos con ms detalle. Los CI, estn constituidos por un monocristal, normalmente de silicio, de dimensiones muy reducidas (puede ser por ejemplo 1250 x 1250 m), que contiene los elementos activos , pasivos y sus conexiones. En el proceso de fabricacin de la pastilla semiconductora de silicio, todos los componentes del circuito electrnico, incluida sus conexiones, se fabrican durante un solo proceso. Comparando la tecnologa de los circuitos integrados con la de los componentes discretos interconectados con tcnicas convencionales, cabe observar algunas de las siguientes ventajas: 1)-Son de bajo costo (debido a las grandes cantidades de produccin) 2)-Son de tamao reducido. 3)- Elevada fiabilidad (los componentes se fabrican simultneamente, sin soldadura) 4)-Mejor rendimiento (debido a su bajo costo, se pueden emplear circuitos mas complejos, para obtener mejores caractersticas funcionales. Debido a las caractersticas propias de los CI, los circuitos desarrollados para tcnicas discretas, difieren en algunos aspectos, de los utilizados con tcnicas integradas. Algunas de estas diferencias son: a)- Por razones de dimensiones, no se integran resistencias semiconductoras de valor alto.(de 10 hasta 30 k) b)- Por la razn anterior, en algunos casos se utilizan resistencias activas desarrolladas a travs del propio transistor. c)- Los capacitores que se pueden integrar, son de pequeo valor de capacidad C 200pF d)-Las inductancias no se pueden integrar, los transformadores tampoco.(Hay circuitos que simulan inductancias; se denominan circuitos convertidores o giradores) e)- Las tolerancias de fabricacin de las resistencias y condensadores, oscilan en valor absoluto en 20% f)- Las tolerancias entre resistencias del circuito, puede llegar a 1% __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 38
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------g)-Los componentes, tienen coeficientes de temperatura elevados y pueden ser sensibles a la tensin aplicada. h)- Los diodos se construyen empleando la estructura de los transistores, por ejemplo cortocircuitando la juntura colectorbase, quedndonos un diodo entre base y emisor. i)- La respuesta a alta frecuencia, esta limitada por las capacidades parasitas. j)- La tecnologa de CI es muy costosa para producciones en pequea series. Polarizacin y estabilidad: Cuando tratamos la polarizacin por emisor dijimos que para no disminuir la ganancia de la etapa amplificadora, colocbamos un capacitor (CE) en paralelo con la resistencia de emisor (RE).El valor de CE para evitar cada de tensin de la componente alterna (seal til), debe ser de varios microfaradios (F). Estos valores de capacidad no se pueden lograr en los CI. En algunos casos el CI tiene terminales exteriores, para colocar los capacitores externamente. Otros modifican el circuito para evitar el uso de ellos, permitiendo polarizar y estabilizar al transistor en zona activa. Analicemos tres circuitos que se pueden utilizar, en la tcnica integrada. A) En el circuito de la figura los transistores Q1 y Q2 son idnticos. Ambos, soportan las mismas variaciones de temperatura. Adems la tensin aplicada a las bases, a travs de R1, son iguales.
VBE1 = VBE2 =VBE IC1 = IC2 por ser transistores idnticos y tienen igual VBE I1 = (VCCVBE) / R1 = IC1+ IB1+IB2 despejamos IC1 resultando IC1= (VCCVBE) / R1 -- IB1 -- IB2. Si consideramos que VBE << VCC y (IB1+IB2)<< IC1 resulta : IC1 = VCC / R1 constante Como los transistores son iguales entonces IC2 = IC1 = constante. De esta manera el punto de polarizacin en zona activa, del transistor Q2 permanece estable.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------B) En este circuito tambin los transistores son iguales, Q1 = Q2 (1) y RB1 = RB2(2)
IB1 = IB2 = IB (3). La corriente I1 vale: I1 = 2 . IB +IC1 (4) y tambin I1 vale: I1 = (VCCVA) / R1 (5) . Por otra parte la tensin del punto A vale: VA = VBE + RB2 . IB (6) Reemplazando en (5) por (4) y (6) tendremos: 2.IB + IC1 = (VCCVBER2.IB) / R1. Despejando IC1 tenemos: IC1 = (VCCVBE) / R1 -- (2 +RB2/R1).IB. Si hacemos ahora que VBE<<VCC y (2+RB2/R1).IB << IC1 la expresin de IC1 se simplifica: IC1 VCC / R1 = constante. Luego IC2 = IC1= cte. Por ser Q1 = Q2 y estar excitados por la misma corriente de base. Adems si hacemos RC = R1 / 2 entonces tendremos: VCE = VCC IC2. RC = VCC -- VCC/R1. R1/2 = 1/2 VCC. Como puede verse, se ha logrado ubicar al punto de polarizacin en el centro de la recta de carga. C) Este ultimo mtodo que vamos analizar utiliza diodos de polarizacin formados por la juntura baseemisor de transistores. Puede ser utilizado tanto en CI como discretos.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-1- Transistores bipolares -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el desarrollo asumiremos que IC IE adems IE = VE / RE La tensin en la base respecto al Terminal comn vale: VB =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD Luego VE vale: VE = VBVBE =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD VBE Operando esta expresin nos queda de la siguiente forma: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) + [ (R1.nVD)/(R1+R2) VBE ] Si hacemos ahora (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE entonces la expresin entre corchetes se hace igual a cero, quedndonos la expresin de VE como: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) Si en la expresin: (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE Hacemos n = 2 resulta operando: R1 = R2 lo cual VE = 1/2.VCC. Los valores son tericos, debemos tener en cuenta que la cada de tensin en los diodos deben ser idnticas y para VE = 1/2.VCC es necesario disminuir R1 para tener en cuenta la corriente adicional de base IB que circula por ella.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelos incrementales del transistor de unin bipolar Cuando un transistor bipolar se lo polariza en la regin activa, o sea JE polarizada directamente y JC polarizada inversamente, el transistor se encuentra en condiciones de amplificar seales alternas dbiles, linealmente. Cuando ingresa una seal alterna entre la base y el emisor (configuracin emisor comn), en la salida, los valores instantneos de corriente de colector y tensin colectoremisor, los encontraremos sobre la recta de carga denominada dinmica que si la carga conectada a travs del colector, (mediante una capacitor de desacople de cc) es muy grande, Coincide con la recta de carga esttica. Mas adelante trataremos este concepto. Si las variaciones incrementales v y i, alrededor del punto de polarizacion o de trabajo (Q) son de pequea magnitud, el funcionamiento del transistor es bastante lineal y por lo tanto, es posible encontrar un circuito elctrico que lo represente para las variaciones o componentes de la seal alterna. Existen varios modelos que representan al transistor bipolar en su funcionamiento con seales incrementales. En general, estos modelos, se modifican, a medida que aumenta la frecuencia de la seal alterna a amplificar. Veremos algunos modelos que representan al transistor bipolar, cuando trabaja con bajas frecuencias (< 1 MHZ). La linealidad de estos modelos se mantiene mientras las amplitudes no superen los 26 mv en transistores bipolares y 200 mv en transistores MOS. Modelo T :
En este modelo el valor de ic / ib representa la ganancia de corriente incremental para la con figuracin emisor comn. Otra denominacin es hfe El valor de re representa la resistencia dinmica de la juntura JE. Su valor esta dado aproximadamente por la expresin re [] = 25 [mv] / IE [ma]. El valor de IE corresponde al punto de polarizacin. En la practica el valor del numerador oscila entre 25 y 50 mv. En el modelo de la figura, si =100 e ib=10a, resulta ic=1ma
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelo
Este modelo deriva del modelo T. Se determina, partiendo de las siguientes relaciones: vb= re. ie en el modelo T ze=vb /ib representa la impedancia de entrada en el modelo ze=re.ie / ib como icie y ib= ic / reemplazando nos queda: ze= re. Por ejemplo si ieic=1ma y =100 entonces aplicando la formula re=25 lo cual hace a ze=rb= 25. 100 = 2500 . Modelo hbrido del transistor bipolar para bajas frecuencias Para su determinacin, tomamos en cuenta la teora de los cuadripolos i1 (+) v1 (-)
CUADRIPOLO ACTIVO
i2 (+) v2 (-)
En base a mediciones de tensin y corriente en los circuitos de entrada y salida, podemos obtener los parmetros equivalentes, que relacionan a estos valores elctricos como: v1 = h11.i1 + h12.v2 v2 = h21.i1 + h22.v2 Los parmetros h11, h12, h21, y h22 se denominan hbridos, por no tener las mismas dimensiones. Para el caso de los transistores en baja frecuencia, se utilizan estos parmetros por su conveniencia en su determinacin, mediante mediciones, o a travs de las graficas de las caractersticas VI . Veamos que representan estos parmetros: h11= v1/i1v2=0 resistencia de entrada con la salida en cortocircuito h12= v1/v2i1=0 relacin entre tensin de entrada y salida con el circuito de entrada abierto. Se denomina amplificacin inversa de tensin con el circuito de entrada abierto. ___________________________________________________________________ 2 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------h21 = i2/i1 v2=0 relacin de transferencia de corriente o ganancia de corriente con la salida en cortocircuito h22 = i2/v2 i1=0 conductancia de salida para el circuito de entrada abierto. En el caso del transistor, podemos establecer las siguientes funciones: vB = f1(iB,vC) (valores instantneos) iC = f2(iB,vC) ( ) Si hacemos un desarrollo de Taylor en torno al punto de trabajo Q, definido por las corrientes y tensiones continuas IB, IC, VB, VC y despreciando los trminos de orden superior tenemos: vB = f1/ iB . iB + f1/ vC . vC VC IB iC = f2/ iB . iB + f2/ vC . vC VC IB Prcticamente, los valores vB, iC, iB y vC, representan valores incrementales de las tensiones y corrientes de la base y el colector. Utilizando trminos convenientes, podemos expresar estas relaciones como: hie f1/ iB = vB / iB VC hre f1/ vC= vB / vC IB hfe f2/ iB = iC / iB VC hoe f2/ vC = iC / vC IB Reemplazando en las expresiones de Taylor tenemos : vb = hie.ib + hre.vc ic = hfe.ib + hoe.vc Las derivadas parciales con el subndice e nos definen los parmetros hbridos del transistor operando en la configuracin emisor comn. Veamos el circuito
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------De la misma forma, es posible obtener los parmetros hbridos para las configuraciones base comn y colector comn. Variaciones de los parmetros hbridos Como dijimos, una forma de obtener estos parmetros, es a travs de las curvas caractersticas VI de entrada y salida (si las disponemos). Los valores de estos parmetros, son funcin de la ubicacin del punto de funcionamiento.Por ejemplo, de las caractersticas de salida iC = f (vCE,iB) podramos obtener los valores de hfe y de hoe como: hfe = (iC2iC1) / (iB2iB1) vC=cte hoe = (iC2iC1) / (vCE1vCE2) iB=cte
iB (a) 100
vC1 vC2
iC (mA)
iB2=190(a) IB IC iB1= 90(a) iC1 VBE 1 vBE(v) 0 0,25 VC 8,5 10 vCE(v) iC2 IB=150(a)
De igual forma obtendramos los parmetros hie y hre de las caractersticas de salida. Como las curvas VI no estn igualmente espaciadas, los valores obtenidos de los parmetros son distintos segn donde se ubique el punto de polarizacin. En la aplicacin practica, se recurre a la informacin que suministran los fabricantes mediante grficos o valores tpicos. Los parmetros hbridos, para las distintas configuraciones estn relacionadas entre si por las siguientes formulas aproximadas: Para la configuracin colector comn: hic = hie hrc = 1 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------hfc = --(1+hfe) hoc = hoe Para la configuracin base comn: hib = hie / (1+hfe) hrb =[ (hie.hoe) / (1+hfe)] -- hre hfb = --hfe / (1+hfe) --1 hob = hoe /(1+hfe) Valores tpicos para un transistor de seal polarizado en IC =1,3 mA
parmetros h11=hi h12=hr h21=hf h22=ho 1/ho
emisor comn 1100 2,5x10(-4) 50 24a/v 40k
Colector comn 1100 1 --51 25a/v 40k
base comn 21,6 2,9x10(-4) --0,98 0,49a/v 2,04M
A los fines prcticos, a los fines de facilitar el anlisis o diseo de los circuitos, el valor de hr en la configuracin emisor comn y colector comn, no se lo tiene en cuenta. Adems si la resistencia de carga conectada al colector resulta del orden de los 2 a 3 k, el valor de ho tambin no se la tiene en cuenta. Modelos incrementales del transistor bipolar para altas frecuencias Los modelos incrementales anteriormente tratados, no tienen en cuenta los efectos de las seales elctricas de alta frecuencia. Estos modelos representan bien el funcionamiento del transistor bipolar, hasta frecuencias menores a 1MHZ. El lmite de frecuencias depende de las caractersticas constructivas. Existen varios modelos que representan el funcionamiento en alta frecuencias. Estudiaremos solamente el modelo hibrido y el modelo Y o admitancia. Modelo hibrido para la configuracin emisor comn Para determinar este modelo, debemos partir del modelo hibrido para bajas frecuencias donde no consideraremos el parmetro hre dado su bajo valor.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Adems el parmetro hie lo separaremos en dos componentes: uno que representa la resistencia ohmica de la extensin de la base rbb que representa la resistencia que Ofrece la base al paso de la corriente de base ib. El otro componente es rbe que representa la cada de tensin en la juntura emisor-base (JE); el valor de rbe es alineal. hie = rbb + rbe y hre . vce0
En este circuito, podemos hacer las siguientes transformaciones: ib = vbe / rbe, reemplazando este valor en la expresin de la fuente de corriente: hfe.ib = (hfe/rbe).vbe donde hacemos gm(hfe/rbe). Este ultimo valor se denomina transconductancia del transistor bipolar hfe.ib = gm.vbe Vemos en este caso que la fuente de corriente dependiente del circuito de salida, queda expresada en funcin de vbe. El circuito Transformado queda:
Nota: La resistencia de extensin de la base rbb es un valor que generalmente lo suministra el fabricante en transistores de potencia. Para los de pequea seal, se lo puede obtener, utilizando la teora analtica del transistor bipolar en donde se obtiene: gm 40.IC donde IC es la corriente de polarizacin del punto de trabajo ; luego tendremos: rbe[] =hfe / gm hfe / 40.IC = 25.hfe/IC donde IC se expresa enmA. Luego: rbb = hie rbe = hie 25. hfe/IC.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Los efectos de la alta frecuencia en los transistores, estn asociados con las capacidades de las junturas. A travs de la juntura de colector JC(polarizada en inversa), existe una pequea capacidad denominadas de transicin Cc. A travs de la juntura de emisor JE, tenemos una capacidad mucho mayor siendo la suma de una capacidad de transicin y una capacidad de almacenamiento, representada por Ce. Fsicamente estas capacidades actan juntas como si estuvieran conectadas directamente en la regin activa, en el interior del transistor. Incorporando estas capacidades al modelo incremental hibrido transformado, nos queda:
La resistencia rbc se agrega a los efectos de tener en cuenta la modulacin del ancho de la base; la podemos despreciar. A bajas frecuencias los capacitores Cc y Ce actan como circuitos abiertos y no afectan el funcionamiento del transistor. Para altas frecuencias, los capacitores presentan una impedancia relativamente baja y de este modo reducen la amplitud de la tensin de la seal desarrollada en vbe. Esta reduccin en vbe produce a su vez una reduccin de la corriente de la fuente controlada gm.vbe, en la salida y por ende una reduccin de la corriente de colector ic y con ello una disminucin de la ganancia del transistor en alta frecuencia. Anlisis del circuito
Vamos a analizar el comportamiento del circuito incremental del transistor en alta frecuencia. Para ello, aplicaremos en la entrada una seal con variacin senoidal y calcularemos el valor de la corriente de colector, cuando los terminales de colector y ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------emisor estn cortocircuitados para la corriente alterna. (Por ejemplo colocando un capacitor de valor suficiente entre colector y emisor). Por conveniencia, emplearemos trminos fasoriales (complejos), es decir desarrollaremos las formulas con magnitudes complejas. Designaremos a estas magnitudes complejas (tienen modulo y argumento), con los smbolos V e I para las tensiones y corrientes respectivamente. Vbe=[rbe / (1+jw(Ce+Cc).rbe)] . Ib Cuando se cortocircuita C y E , queda Ce//Cc Como Ce 100 Cc , despreciamos Cc y determinamos la corriente de cortocircuito del colector: Ic = gm . Vbe =[gm.rbe / (1+jwCe.rbe)] . Ib = [ hfe /(1+jw.Ce.rbe)] . Ib Vemos que si mantenemos constante la magnitud de la seal de entrada Iby aumentamos la frecuencia o pulsacin w =2.f, la variable compleja Ic tiende a cero a muy altas frecuencias. Por otra parte el valor 1 / Ce.rbe tiene dimensiones de una frecuencia o pulsacin que llamaremos Whfe1/Ce.rbe. Reemplazando en la ultima expresin: Ic =[ hfe /(1+jw.1/whfe)] . Ib De esta expresin si determinamos su modulo tendremos: ___________ Ic= [ hfe / 1+(w/whfe)2] . Ib Observamos entonces que si introducimos una seal con frecuencia igual a whfe, Icse reduce al valor de Ic/2 respecto a su valor de baja frecuencia. El valor de whfe se lo puede utilizar como una medida de la banda de frecuencia sobre la que el amplificador en cortocircuito, mantiene constante su ganancia de corriente. Al valor whfe se le llama frecuencia de corte superior. Determinemos ahora la frecuencia en donde se produce la situacin Ic=Ib ___________ [ hfe / 1+(w/whfe)2] = Ic/ Ib = 1 ___________ hfe = 1+(w/whfe)2 w /whfe dado que w /whfe >>1 Luego w= wT = hfe. Whfe. El valor de wT es la frecuencia de la seal de entrada donde se produce la ganancia unitaria. Este valor, resultado del producto de la ganancia de corriente en cortocircuito hfe por el valor de whfe (ancho de banda), nos da una cifra de merito del transistor. Circuito incremental del transistor bipolar utilizando los parmetros admitancia El modelo desarrollado anteriormente, es satisfactorio para la mayora de las aplicaciones hasta un valor de wT< 5 o 6 MHZ, dependiendo del tipo de transistor, pero tiene el inconveniente respecto a la representacin del defasaje entre las seales de entrada y salida. Esto se manifiesta a partir de la frecuencia whfe. En los circuitos donde se aplican los transistores que son realimentados, resulta importante definir estos defasajes. Para estos casos resulta mas conveniente aplicar el modelo incremental Y o admitancia.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------i1 (+) v1 (-)
CUADRIPOLO ACTIVO
i2 (+) v2 (-)
Este modelo surge de considerar al transistor como un cuadripolo activo y establecer las siguientes relaciones entre las corrientes y tensiones de entrada y salida del mismo: i1 = Y11.v1 + Y12 . v2 i2 = Y21.v1 + Y22 . v2 En este caso, los parmetros Y se definen como: Y11 = i1 / v1 Admitancia de entrada con salida en cortocircuito V2=0 Y12 = i1 / v2 Admitancia de transferencia inversa con la entrada en cortocircuito V1=0 Y21 = i2 / v1 Admitancia de transferencia directa con la salida en cortocircuito V2=0 Y22 = i2 / v2 Admitancia de salida con la entrada en cortocircuito V1=0 Estos parmetros admitancia los suministran los fabricantes mediante sus manuales de informacin tcnica, utilizando otro tipo de expresiones como las siguientes para la configuracin emisor comn: Y11 Yie = gie + jwCie re Y12 Yre = gre + jwCre = Yre fe Y21 Yfe = gfe + jwCfe = Yfe Y22 Yoe = goe + jwCoe El circuito equivalente que surge de estas ecuaciones, es el siguiente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Cabe aclarar que estos parmetros son funcin de la frecuencia y tambin de la ubicacin del punto de polarizacin Q. Daremos a continuacin como simple referencia los parmetros admitancia (Y), para la configuracin emisor comn, tpicos del transistor BF 198., polarizado en el punto Q con valores de IC = 4 ma y VCE = 10 volt. Parmetro Conductancia de entrada Capacitancia de entrada Admitancia de realimentacin Angulo de fase de la admitancia de realimentacin Admitancia de transferencia Angulo de fase de la admitancia de transferencia Conductancia de salida Capacitancia de salida Parmetros S o de dispersin Los parmetros admitancia son utilizados para representar el circuito equivalente del transistor bipolar hasta frecuencias no mayores a 200 MHZ. Para frecuencias mas altas, dado que resulta difcil conseguir un verdadero cortocircuito o un circuito abierto (para medir los parmetros Y), debido a las inductancias y a las capacidades parasitas que tiene un circuito abierto. Esto hace que se utilicen otros parmetros denominados S o de dispersin. Estos parmetros S relacionan las ondas electromagnticas incidentes y reflejadas del cuadripolo. La medicin de estos parmetros, exigen que el transistor este cargado con un valor de impedancia caracterstica. Circuito elctrico equivalente incremental para frecuencias medias para un amplificador bsico discreto Partimos del circuito del amplificador bsico en la configuracin emisor comn, con polarizacin por emisor, por medio de un divisor resistivo. f=35 gie 3,2 Cie 37 yre 47 re 268 yfe 105 fe 340 goe 50 Coe 1,3 f=45 4,8 35 60 268 100 340 60 1,3 MHZ ma/v pF ma/v ma/v a/v pF
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para obtener el correspondiente circuito equivalente incremental, debemos tener en cuenta lo siguiente: 1)- Las fuente de tensin independientes ideales , representan un cortocircuito frente a las seales incrementales. 2)- Las fuentes de corriente independientes ideales, representan un circuito abierto, frente a las seales incrementales. 3)-Si los capacitores de desacoplo de la CC. estn bien diseados, representan un cortocircuito para las seales incrementales, dentro de las frecuencias de trabajo normal del amplificador. Teniendo en cuenta estas consideraciones, podemos deducir lo siguiente: El generador de seal vs esta conectado directamente a la base del transistor. La carga RL esta conectada directamente al colector del transistor. Las resistencias RA y RB estan en paralelo y conectadas a la base del transistor. La resistencia de colector RC queda conectada entre el Terminal comn y el colector, en paralelo con la carga RL. Finalmente la resistencia de polarizacin RE es cortocircuitada por el capacitor CE y por lo tanto no aparece en el circuito. Finalmente, el transistor bipolar es reemplazado por su circuito incremental, que en este caso, utilizaremos el modelo incremental hibrido para bajas frecuencias. El circuito equivalente incremental del amplificador bsico, queda entonces de la siguiente forma:
Presentado el circuito incremental de esta forma, nos permite calcular los parmetros elctricos mas importantes que definen a un amplificador electrnico. Por ejemplo podemos calcular: a)- La impedancia de salida del amplificador, vista por la carga zo b)- La impedancia de entrada al amplificador, vista por la fuente de seal ze c)- La ganancia de corriente del amplificador definida como Ai iL /ie d)- La ganancia de tensin del amplificador definida como Av vL /ve Con estos valores calculados, podemos tener una representacin mas simple del amplificador y poder determinar las variables elctricas para distintas tipo de fuentes de seal y distintas cargas. En la figura siguiente vemos la simplificacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Anlisis Gral. de un circuito amplificador bsico con transistor bipolar Un amplificador bsico, en cualquier configuracin, puede quedar simplificado de la siguiente manera:
Calcularemos a continuacin los parmetros elctricos mas importantes que definen al amplificador. Para ello aplicaremos para las tensiones y corrientes notacin fasorial dado que varan senoidalmente. Amplificacin de corriente AI IL / I1 = --I2 / I1 ; IL es positiva porque es entrante a la carga; I2 es saliente Hf.I1 = I2 + V2.ho y V2= I2.ZL reemplazando V2 , despejando I2 y reemplazndolo en la expresin de AI resulta: AI = -- hf / (1+ho.ZL) Impedancia de entrada ZI = V1 / I1 V1 = hi.I1 + hr.V2 Hf.I1 = --V2 / ZL V2.ho ; despejando V2 y reemplazando en V1 y esta ultima en Z1 tendremos: Z1 = hi hr.hf / (1/ZL+ho) Amplificacin de tensin AV V2 / V1 V1 = I1. ZI y V2 = --I2.Zl ; --I2 = AI.I1 reemplazando esta ultima expresin en V2 y luego VI y V2 en AV, tendremos: AV = AI.ZL / ZI Amplificacin de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de seal AVs V2 / VS ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------V2 = AV. V1 V1 = VS.ZI / (ZS+ZI) ; reemplazando este valor en V2 y este ltimo en AVs, tendremos: AVs AV.VS.ZI / VS.(ZS+ZI) Amplificacin de corriente teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de alterna En este caso, debemos previamente convertir la fuente de tensin de alterna de la entrada, a una fuente de corriente, aplicando el teorema de Norton, resultando:
AIs IL / IS IL = AI.I1 ; por otra parte anterior: AIs = AI.RS / (ZI+RS) Admitancia de salida Para encontrar este valor, debemos cortocircuitar las fuentes activas de tensin y abrir las fuentes de corrientes activas; las fuentes de tensin y corrientes dependientes, quedan en el circuito. Para nuestro caso, hacemos VS = 0 y aplicamos una tensin de prueba en la salida VP = V2 y medimos la corriente. IL = V2.ho + hf.I1. El valor de I1 lo determinamos en el circuito de entrada, teniendo en cuenta que ahora es saliente, o sea tiene valor negativo. I1 = --hr.V2 /(RS+hi) reemplazando en la expresin de IL tenemos: IL = V2.ho --hr.V2 /(RS+hi) = V2.(ho hr / (RS+hi) finalmente : Yo = 1 / Zo = ho hr / (RS+hi). Clculos aproximados para una etapa amplificadora de tensin con transistor bipolar La resolucin, aplicando las formulas desarrolladas con el modelo hibrido, si bien son mas exactas, no asegura que los valores numricos obtenidos, reflejen las mediciones practicas realizadas sobre el circuito electrnico. Uno de esos factores que incide sobre lo dicho, es la variabilidad del valor de hfe, cuyo valor puede oscilar en una relacin promedio 3:1. Por tal motivo y tambin con la finalidad de encontrar expresiones matemticas mas sencillas (con menos parmetros intervinientes) , que permitan una ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli I1 = IS.RS / (ZI+RS) reemplazando en la expresin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------interpretacin mas conceptual, resulta conveniente aplicar los modelos Te o . Estos modelos nos darn expresiones, de los parmetros elctricos del amplificador, ms sencillos y fciles de interpretar. Por ello resolveremos un problema que nos aclarara muchos conceptos. Problema. Para el circuito de la figura, utilizando el modelo incremental del transistor bipolar, determinar los siguientes puntos: a)- La impedancia de entrada ze entre base y emisor para la seal incremental b)- La impedancia de entrada ve que v la fuente de seal incremental vo c)- La impedancia de salida que ve la resistencia de carga zo d)- La ganancia de tensin definida como Av vo / ve e)- La ganancia de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente de seal RS, definida como Avs vo / vs
ze
ze
zo
Datos: RA=10K ; RB=2.2 K ; RE=1 K ; RC= 3,6 K ; RL=10 K ; RS= 100 hFE=100 ; VBE =0,7 volt ; re= 25mv/IE(ma) hfe= =100 Simplificaremos, haciendo ICIE 1) Determinaremos la corriente de emisor IE; para simplificar despreciaremos la corriente de polarizacin de base IB y calcularemos la tensin de base VB VB = VCC.RB / (RA+RB) = 10 . 2,2 / (10+2,2) = 1,8 volt VE= VB VBE = 1,8 0,7 = 1,1 volt ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------IE = VE / RE = 1,1 / 1 = 1,1 ma NOTA: El clculo mas exacto se obtendra aplicando el teorema de simplificacin de Thevenin entre la base y el Terminal comn, para el circuito de polarizacin de base y luego establecer la ecuacin de malla del circuito de entrada y posteriormente despejar IE. Como IB IE/hFE = 1,1/100 =11a y la corriente que circula por el divisor resistivo vale IA = VCC / (RA+RB) = 10 / (10+2,2) = 0,82 ma = 820 a, vemos que la aproximacin tiene acierto. 2) Calculo del valor de re y del valor rb Estos valores son necesarios para representar el modelo . Para ello usamos la formula aproximada, desarrollada por el inventor del transistor Shockley, obtenida de la ecuacin IE=Is(e (v.q/kT) 1) por derivacin de IE respecto a la tensin. re() = 25 mv / IE(ma) valida para temperatura ambiente Ta = 25C. Para otras temperaturas, se puede utilizar la siguiente formula aproximada: re()= 25mv/ IE(ma) x (T+273)/298 siendo T la temperatura en grados Celsius. re= 25 / 1,1 = 22,7 rb = hfe . re = 100 . 22,7 = 2,27 k El circuito incremental del amplificador nos queda, suponiendo que los capacitores son cortocircuitos frente a la frecuencia de la seal de entrada:
ze
ze
zo
Con este circuito, estamos en condiciones de calcular los valores solicitados. a) ze = rb = hfe.re= 100. 22,7 = 2,27 k b) ze = rb//RA//RB = rb.RA.RB / (RA.RB+rb.Ra+rb.RB) =1k c) zo = RC = 3,6 k (obtenida para vs =0 resultando ic=hfe.ib = 0) ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------d)- Calculo de Av vo / ve Partimos de ib = ve / rb ic = hfe . ib = hfe . ve / rb Hacemos rc RC//RL = rc.RL / (RC+RL) = 3,6 .10 / (3,6+10) = 2,65 K vo = -- rc.ic = -- rc . hfe . ve /rb Luego pasando ve al primer miembro tenemos: Av = vo / ve = -- rc. hfe / rb = -- rc . hfe / hfe . re Av = -- rc / re = -- 2,65 / 22,7 = --117 El signo negativo significa para una seal alterna senoidal en la entrada, que la salida estar desfasada 180 y su amplitud ser 117 veces el valor de la amplitud de ve. e)- calculo de Avs vo / vs Para ello debemos analizar el circuito simplificado:
Vemos que ve = vs . ze / (RS+ze) despejando vs : vs =ve .(RS+ze) / ze luego reemplazando en la expresin de la ganancia: Avs = (vo/ve) .ze / (RS+ze) = Av . ze / (RS+ze) = -- 117 . 1 . /(0,1 +1).22,7 Avs = --106 Como vemos la ganancia disminuye en el factor ze/ (RS+ze). Por ejemplo si RS = ze Entonces ze/ (RS+ze) = 0,5 y por lo tanto Avs = Av.0,5 = 58,5 . De all la importancia que RS << ze para que la amplificacin no disminuya. Estabilidad de la ganancia de tensin en la configuracin emisor comn En el problema desarrollado, pudimos analizar que la ganancia total del amplificador, incluyendo la resistencia de fuente, Avs es dependiente de dos de los parmetros del transistor.: del valor de hfe a travs de la impedancia de entrada ze=rb=hfe. re y del valor de re que interviene en ze y en la expresin de la ganancia Av=rc / re Vemos entonces que como hfe depende de la temperatura y mayormente del tipo de transistor, y re tambin depende de la temperatura y de la corriente de emisor, concluimos que la ganancia de tensin del amplificador estudiado es inestable dada su dependencia de la temperatura, tipo de transistor y ubicacin del punto de polarizacin. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Una manera de solucionar este problema, es introducir el concepto de realimentacin negativa para el circuito de la seal incremental, de la misma forma que lo hicimos para la corriente de polarizacin. En este caso agregamos una porcin de la resistencia de emisor RE de tal forma que se genere una cada de tensin en oposicin a la seal de excitacin de entrada, como se muestra en el circuito:
En este caso la resistencia de polarizacin por emisor esta dad por RE=RE+rer = 1k Para comprender esta realimentacin negativa que estabiliza la ganancia, tomemos por ejemplo el caso de reemplazar en el circuito el transistor por otro que tiene un hfe mayor. En principio, para la misma seal de excitacin de entrada ve la corriente de seal del colector ic, aumentara. Provocando un aumento de la tensin de salida vo, y con ello un aumento de la ganancia de tensin Avs o Av. Este aumento de ic, tambin provoca un aumento de ie dado que ie= ib+icic. Esto hace que aumente ver(tensin de realimentacin), provocando una disminucin de vbe=vevre. Al disminuir vbe disminuir ib y con ello se compensara, en gran medida, el aumento de ic, por variacin de hfe. De la misma forma se puede analizar la variacin de los otros parmetros que tienden a inestabilizar, la ganancia de tensin. Calculemos a continuacin la ganancia de tensin Avr o Avsr con realimentacin negativa. Analicemos primero el circuito de seal con el agregado de Rer.
La resistencia re esta conectada en serie con Rer, en el emisor, por lo que esta resistencia, transferida al circuito de la base, se transforma en rbr=hfe. Rer , de igual ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------forma que rb=hfe.re . Ambas resistencias, quedan conectadas en serie en el circuito de seal de la base. El nuevo clculo de Av nos lleva a: Av= -- rc / (Rer+re) = --2,65 / (180+22,7)=13,1. En la nueva expresin de Av, vemos que una variacin de re prcticamente no modifica al valor de la ganancia, dado que Rer >> re. El mismo anlisis se puede hacer para Avs, teniendo en cuenta ahora que la impedancia de entrada ze se incremento en el valor ze= rb+rbr = 2,27 + 18 = 20,7 k, valor mucho mayor que RS. Esta mejora lograda con la realimentacin, se hace a costa de una disminucin efectiva de la ganancia de tensin. La compensacin de esta disminucin se hace colocando ms etapas amplificadoras. La realimentacin negativa, tambin disminuye la distorsin. Recta de carga esttica y dinmica Para comprender este concepto, analicemos un amplificador bsico con BJT.
Cuando introducimos una tensin alterna en su entrada ve, la corriente de base se modificara por arriba y por debajo de su valor de polarizacin fija IB. De la misma manera, se modificara la corriente de colector como lo muestra la grafica, en las caractersticas de salida.
PDmax=iC x cVE iB (a) 100 iC (ma) VCC RC --1/RC//RL Q
iB2 IB iB1 iC2
iB2 IB IC iB1 iC1 VBE 1 vBE(v) 0 vCE2 VCE vCE1

VCC
--1/RC
vCE(v)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------El punto de polarizacin en la salida, lo encontramos trazando la recta de carga esttica que intersecta al eje de absisas en el valor de VCC y al eje de ordenadas en el valor VCC/RC. Esta recta, tiene una pendiente de valor 1/RC. Cuando no tenemos seal de entrada, en la base tendremos la corriente IB y la tensin VBE. En la salida tendremos, en el eje de ordenadas, la corriente de colector IC que se determina por la interseccin de la curva VI del transistor, para una determinada IB, con la recta de carga esttica. La VCE la obtenemos de la misma interseccin, punto Q, en el eje de absisas. Cuando tenemos seal de entrada ve, la corriente de base aumentara al valor iB2 y disminuir al valor iB1. Esta variacin tambin provocara una variacin en la corriente de colector instantnea iC y en la tensin instantnea de colector vCE. Sus valores, lo encontraremos en la denominada recta de carga dinmica. Para el caso de que RL = oo, esta recta, coincide con la recta de carga esttica, con una pendiente igual a --1/RC. En cambio si RL es un valor finito y , si el capacitor de desacoplo C2 acta como un cortocircuito, entonces nos queda RC//RL. De esta forma la nueva recta de carga tendr un pendiente dada por --1/RC//RL como lo muestra el dibujo anterior (recta azul). Es sobre esta recta, donde se determinaran los valores instantneos de iC y vCE, en concordancia a los valores instantneos de iB ( en la interseccin de las distintas curvas VI en funcin con parmetro iB, con la recta de carga dinmica). Para el caso presentado en la grafica, se observa que el punto de polarizacin se ubico en forma equidistante en la recta de carga esttica; Vemos que este punto Q, en la recta de carga dinmica, no lo esta. Para los amplificadores de seal, como los valores instantneos, estn prximos a Q, la modificacin de la pendiente de la recta, no traera mayores inconvenientes; en cambio para los amplificadores de potencia , y a los efectos de mejorar su eficiencia (concepto que analizaremos mas adelante), los valores instantneos llegan prcticamente, a los limites de corte y saturacin. Al no ser equidistante Q con la recta de carga dinmica, podra ocasionar dos efectos no deseados: 1) Se producira una distorsin de la seal amplificada, en este caso sobre el semiciclo positivo de la componente alterna vo dado que se superaran los limites del corte del transistor. 2) Se podra producir una sobrecarga en el transistor, si la recta de carga dinmica, corta a la hiprbola de mxima disipacin de potencia del transistor (curva con guin rojo). Esta ltima situacin se producira en la zona de saturacin, correspondiente al semiciclo negativo de la componente vo. La solucin de estos inconvenientes, es ubicar la recta de carga por debajo de la hiprbola de mxima disipacin del transistor y Q equidistante con la recta de carga dinmica y no con la esttica iC Recta de carga dinmica Q Hiprbola de mxima disip. IC Recta de carga esttica
0 VCE vCE
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Anlisis de un amplificador de dos etapas En ocasiones una simple etapa amplificadora de tensin no es suficiente para lograr la amplitud, de la seal de salida esperada. En esos casos se recurre a incorporar ms etapas amplificadoras, conectadas como se denomina en cascada
Fuente de seal vs
(+) ve1 (--)
1 etapa Av1= ve2/ve1
(+) ve2 (--)
2 etapa Av2= vo/ve2
(+) vo (--)
RL
Determinaremos a continuacin las ganancias parciales de las distintas etapas, definidas como Av1ve2/ve1 , Av2vo/ve2 y las totales definidas como Avvo/ve1 y Avsvo/vs, utilizando dos etapas amplificadoras de tensin similares a las ya calculadas:
Comenzaremos el clculo comenzando desde la carga RL hasta llegar a la fuente de seal vs. 1) Determinacin de Av2vo/ve2 rc2= RL// Rc2 = 10 . 3,6/(10+3,6) = 2,65 K vo = --rc2 . ic2 = --rc2 . hfe2 . ib2 = --rc2 . hfe2 . ve2/rb2 como rb=re2 .hfe2 Reemplazando y despejando la relacin vo/ve2 tenemos: Av2vo/ve2 = -- rc2/re2 = --2.650/22,7 = --117 2) Determinacin de Av1ve2/ve1 En este caso la resistencia de carga de la 1 etapa resulta la impedancia de entrada de la 2 etapa o sea RL(1E) = ze2. ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------ze2= RA1//RA2//rb2 = 1k (valor calculado en pag.15) rc1 = RC1// ze2 = 3,6 . 1 / (3,6+1) =0,783 k Av1ve2/ve1 = --rc1 / re1 = --783 /22,7 = --34,5 3) Determinacin de la ganancia total Av vo/ve1 vo = ve2 . Av2 y ve2 = ve1 . Av1 vo = ve1 . Av1 . Av2 remplazando en la expresin de la ganancia total y simplificando: Av Av1. Av2 = (--34,5) . (--117) = 4.036,5 Como concepto importante, podemos decir que cuando se acoplan varias etapas amplificadoras de tensin, en cascada, la amplificacin total del conjunto, es igual al producto de las ganancias parciales, calculadas con la resistencia de carga que representa la impedancia de entrada, de la etapa que le precede. Otro concepto interesante es que los defasajes que van sufriendo las seales en su paso por las etapas amplificadoras, se van sumado. Para el caso que estamos tratando de dos etapas amplificadoras, vemos que el defasaje total es de 360 o sea las seales ve1y vo estn en fase. Como aclaracin final al tema defasaje, en la practica puede no ser conveniente defasaje nulo dado que la seal de salida cuya amplitud esta muy amplificada, puede realimentarse en fase, nuevamente en la entrada, provocando la inestabilidad del amplificador. Esta realimentacin podra producirse a travs de la fuente de alimentacin VCC si el comportamiento de esta ltima no es ideal (presenta resistencia interna). 4) Determinacin de la ganancia total teniendo en cuenta RS Avsvo / vs Procedemos en forma similar al clculo que hicimos en pgina 16 resultando: Avs vo/vs = Av . ze1 / (RS+ze1) donde ze1= RA1//RB1//rb1 = 1k Avs = 4.036,5 . 1 / (0,5+1)= 2691 Por ejemplo si vs = 1mv resulta vo = 1mv . 2691 = 2,691 voltios
En la prctica generalmente no se logra esta amplificacin con dos etapas, dado que hay que atender la inestabilidad de los parmetros del transistor (ya analizada) lo cual hace que las etapas parciales tengan realimentacin negativa, y tambin realimentacin negativa el amplificador total; esto hace que la amplificacin parcial y total disminuya. Por ejemplo, si conectamos tres etapas amplificadoras con realimentacin negativa por emisor, como la de la pgina 17 donde Av = --13,1, la amplificacin total de las tres etapas valdra aproximadamente: Av = Av1. Av2 . Av3 (--13,1) . (--13,1) . (--13,1) = -- 2248
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Etapa amplificadora bsica con transistor bipolar en configuracin colector comn La ganancia de tensin de la etapa amplificadora en emisor comn que hemos analizado, puede ser afectada en su valor (o sea disminuida) por dos factores del circuito: a) Si la impedancia de carga ZL o RL resulta baja, en relacin a la resistencia dinmica del emisor re , la ganancia de tensin disminuye, dado que : Avvo/ve = -- rc / re y rc = RC//RL
Vemos que si RL es menor, tambin lo ser rc y de la misma forma lo ser Av. Esto seria el caso de una carga como el caso de un altavoz, donde un valor caracterstico de su impedancia es 8. b) Si la impedancia en serie de la fuente de seal es relativamente alta o equivalente a la impedancia de entrada ze de amplificador, entonces tambin la ganancia de tensin , incluida la resistencia RS , resulta baja, dado que : Avs vo/vs = Av . ze / (RS+ze). Vemos en la formula que cuando RS = ze, el factor de multiplicacin de Av , es 0,5 y la ganancia Avs se reduce a la mitad . Para Rs>> ze se reduce aun mas esta ganancia. Otro efecto perjudicial, es que hay fuentes de seal que no pueden suministrar corriente. Para solucionar los inconvenientes mencionados, debemos por un lado, adaptar la baja impedancia de la carga RL a la salida del amplificador de manera tal que no disminuya el valor de rc = RC//RL. Por otra parte, debemos adaptar la baja impedancia de entrada del amplificador ze, de tal forma que la fuente de seal vea como carga un valor de ze>>RS. Resumiendo, entre el amplificador y la carga se debe colocar otro circuito que adapte a RL; En la entrada, si RS>>ze, debemos tambin colocar otro circuito que adapte a ze para se invierta la relacin de impedancias y sea ze>>RS. El circuito que cumple con ambos cometidos, es utilizar al transistor, en la configuracin colector comn. En el dibujo observamos el circuito:
ze
ze
zo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------En este circuito vemos que el colector no tiene la resistencia RC, esta conectado a VCC. El emisor esta conectado a masa a travs de la resistencia RE sin capacitor de desacople. La carga RL, no esta conectada al colector, sino al emisor a travs del capacitor C2. Al no tener el capacitor RE, este circuito tiene una fuerte realimentacin negativa con la misma explicacin que hicimos en pgina 16 y 17. De esta forma la tensin incremental de base vb = ve = vbe+vo, es decir que prcticamente la tensin de salida vo, es casi igual a la entrada, disminuida en el valor de vbe. Otra caracterstica es que vb=ve, esta en fase con vo. Por los motivos expuestos, este circuito recibe el nombre de seguidor por emisor porque prcticamente la tensin desarrollada entre el emisor y masa es prcticamente igual a la tensin de entrada en fase y amplitud. Calcularemos a continuacin, la impedancia de entrada, la ganancia de tensin y la impedancia de salida de esta configuracin. Para encontrar el circuito equivalente incremental, debemos reemplazar el transistor por su circuito equivalente Te o y considerar que la fuente de tensin VCC representa un cortocircuito:
ze
ze
Como vemos el Terminal de colector es comn al circuito de salida y al de entrada; de all la denominacin colector comn. Como prcticamente icie e ic=hfe . ib, transformamos entonces la resistencia RE en re= RE.hfe por la que circula parte de la corriente de base ib, produciendo la misma cada de tensin que se produce en RE al circular parte de la corriente de emisor. De la misma forma procedemos con RL. a) Clculo de la impedancia de entrada ze = vb/ib Observando el circuito resulta: ze= rb + re//rL = 25 + 430.1000/(430+1000) =2,5k+300k 300khfe .(RE//RL) El valor de rb= hfe.re lo obtuvimos calculando la corriente de emisor de polarizacin IE= (VBVBE) / RE siendo VB VCC.RB / RA+RB. Reemplazando los valores nos da IE 1mA; luego, aplicando la formula re= 25 mv/IE(mA) = 25 b) Calculo de ze La impedancia que ve la fuente de seal, resulta del paralelo de ze, RA y RB Ze = ze//RA//RB = 4,92 k
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------c) Calculo de la ganancia de tensin de la etapa Av vo/ve Analizando el circuito incremental, calculamos vo como: vo = ve . (re//rL) / (rb+(re//rL)) Haciendo la relacin de tensiones tenemos: Av vo/ve =(430.1000/(430+1000) / ( 2,5 + (430.100/430+1000)) = 0,99 d) calculo de la ganancia de tensin teniendo en cuenta la resistencia de la fuente Avs vs/vo Aplicamos el factor de reduccin calculado en la configuracin emisor comn Avs = Av . ze / (RS+ze) = 0,99 . 4,92 / (0,5+4,92) 0,9 e) Calculo de la impedancia de salida vista por la carga Esta es la que ve la carga en el caso de que se represente el amplificador en su salida como un circuito equivalente de Thevenin. Para determinarla utilizaremos el mtodo de la tensin de prueba vp aplicable entre emisor y colector. Aplicaremos vp y calcularemos ip para las condiciones VCC=0 y vs=0 . La impedancia de salida, la determinaremos como zo= vp / ip. El circuito para realizar el clculo, es el siguiente:
RBRA//RB//RS = 0,455 k ip= iE + ie = iE + ib +ic = iE + ib.(1+hfe) dado que ic=hfe.ib iE = vp / RE ib= vp / ( rb + RB) reemplazando iE e ib en la expresin de ip tendremos: ip = vp.( 1/RE + (1+fhe) / (rb+RB) como rb=hfe.re y (1+hfe) hfe tendremos: ip = vp.( 1/RE + 1 / (re+RB/hfe) finalmente reemplazando en la expresin de zo: zovp / ip = 1/[ 1/RE + 1/ ( re+RB/hfe)] = [ RE . (re+RB/hfe)] / [RE+(re+RB/hfe)] Esta expresin nos dice que zo resulta del paralelo de RE con el resultado de la suma de re con el equivalente de toda la resistencia conectada a la base, transferida al emisor. ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------zo= RE // (re+RB/hfe). Reemplazando valores y para hfe=100 y re=22,7 zo = 4300// (22,7+4,55) = 22,55 re Como puede verse la impedancia de salida es muy baja lo cual hace que la fuente de seal equivalente a la salida de circuito en colector comn se comporte como una fuente prxima a ideal o fuente fija. Aplicaciones de la configuracin colector comn o Circuito seguidor de emisor Como hemos analizado, esta configuracin no tiene ganancia de tensin pero tiene ganancia de corriente y potencia; adems presenta una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual lo hace ideal como circuito adaptador de impedancias. Veremos a continuacin, dos aplicaciones que resaltan estas cualidades. Combinacin de una etapa en emisor comn con otra en colector comn Esta combinacin es utilizada generalmente en las etapas finales de un amplificador de potencia, tanto en tecnologa discreta, integrada o hibrida. Se aplica, cuando la carga final de una etapa amplificadora en EC resulta de un valor bajo que provocara una sobrecarga para este ultimo.(lo hemos analizado en pagina 18 y 19). Para estos casos resulta conveniente utilizar una combinacin de dos etapas: Una adaptadora de impedancia (CC) y la otra (CE), como amplificadora de tensin. Veamos un circuito tpico:
En el circuito, el transistor Q2 acta como seguidor por emisor adaptando la carga RL para la etapa amplificadora emisor comn que cumple Q1. En este caso no se necesita capacitor de acoplamiento entre etapas, dado que la tensin de polarizacin de base de Q2 es un valor alto dado por VB2= VBE2 +VE2, lo cual permite conectarse directamente al colector de Q1. Adems tampoco se necesita estabilizacin para Q1 dado que la provee el circuito de polarizacin de Q1. Si suponemos que HFE = 100 para Q2, la resistencia en continua que ve Q1 conectada entre colector y masa, es la resistencia en continua de la etapa CC y vale Re2 HFE. RL = 100 . 270 = 27 k, valor ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------alto en comparacin con RC1=3,6 k lo que hace que prcticamente no se altere el punto de polarizacin de Q1. Vemos tambin que la recta de carga dinmica de Q1 prcticamente coincide con su recta de carga esttica, dado que la carga en ca que presenta la etapa en CC vale ze2= hfe . (re+ RL) = 100 . (15,5 + 270) = 28,55 k rc = RC1// ze2 = 3,6 . 28,55 / (3,6+28,55) = 3,2 k Pendiente recta carga esttica=--1/RC=--1/3,6 Pendiente recta de carga dinmica = --1/rc =--1/3,2 Problema Para el circuito de la figura anterior se solicita determinar: a) La ganancia incremental de tensin de la etapa en CC. b) L a ganancia incremental de tensin de la etapa en EC. c) La ganancia incremental total de tensin del circuito. d) La ganancia incremental de tensin, teniendo en cuenta la resistencia RS. Problema Determinar la ganancia de tensin de la etapa en emisor comn, si se elimina la etapa en CC y se conecta la carga RL = 270 al colector de Q1 a travs de un capacitor de acoplamiento. Regulacin de tensin con diodo Zener y una etapa en colector comn En el capitulo 1, en el tem correspondiente a diodos especiales, analizamos el regulador de tensin con diodo zener (Pg. 1 a 4). Los diodos zener de uso normal, manejan corrientes del orden de las decenas de miliamperes. De la misma forma, la regulacin de tensin que permite el diodo Zener estar en variaciones de la corriente de la carga del orden de las decenas de miliamperes.
En la figura A vemos el circuito prctico regulador de tensin con diodo Zener, ya estudiado. La figura B , representa el circuito que ve la carga RL, ante variaciones de su valor (variaciones de IL). Cuando la variacin de la carga es del orden de las centenas de miliamperes o amperes, se necesita un diodo zener que pueda manejar tales corrientes. En la prctica se consiguen diodos zener de baja seal. Para mejorar la perfomance de estos diodos Zener ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------de baja seal, resulta conveniente incorporar una etapa amplificadora en colector comn entre el diodo Zener y la carga. La figura muestra el circuito regulador de tensin mejorado:
En A se muestra el circuito regulador mejorado. En B vemos el circuito equivalente que ve la carga. En este caso, la nueva tensin sobre la carga vale VL = VZVBE . Por otra parte el diodo zener tiene que soportar la variaciones de la corriente de base del transistor y no las variaciones de la corriente de la carga, que en este caso corresponde a la corriente de emisor del transistor IE = IL. Como prcticamente la corriente de emisor e igual a la corriente de la base, multiplicada por la ganancia HFE=, IE. IB, entonces sobre la carga se puede permitir variaciones veces las variaciones de la corriente que soporta el diodo Zener. Por otra parte como la impedancia de salida del circuito CC es baja y dad por zo = re+RZ/hfe hemos tambin mejorado la regulacin de tensin. Como diferencia entre el circuito original y esta modificacin, es que en este ultimo, la tensin de salida se reduce en el valor VBE. Si se deseara mantener el valor de tensin prximo al del primer circuito, se deber utilizar un diodo zener de mayor tensin de ruptura. Problema Para el circuito de la figura se solicita determinar: a) las corrientes IL, IE, IC, IB, IS, Iz, Ie b) La tensin en la carga. c) La resistencia dinmica equivalente que ve la carga.
Datos: HFE== 100 VBE = 0,75 volt ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Conexiones de transistores bipolares en forma compuesta 1) Conexin Darlington La conexin Darlington es utilizada mucho en la configuracin CC, y bsicamente consiste en dos seguidores de emisor, conectados en cascada, segn muestra la figura:
Los transistores estn conectados por el colector y entre el emisor de Q1 y base de Q2 Analizaremos el circuito partiendo de la expresin: IC = .IB + ICE0 Si despreciamos ICE00 IC = . IB IC1 = 1. IB1 IE1 = IB1+IC1 = IB1.(1+ 1) = IB2 IC2 = 2 . IB2 = 2.IE1= 2 . IB1 . (1+ 1) 1. 2 . IB1 IC = IC1+IC2 = 1 . IB1 + 1 2.IB1= (1+ 1. 2.) .IB1 1. 2.IB1 Como vemos si hacemos las aproximaciones, la conexin Q1 con Q2 es equivalente a otro transistor, en este caso npn, con una ganancia de corriente en cortocircuito igual al producto de sus ganancias parciales. = 1. 2 Como diferencia a un transistor normal es la cada de tensin total que vale VBE= VBE1+VBE2 1,4 volt. Este valor puede resultar excesivo para algunas aplicaciones con voltajes de alimentacin bajos. En el circuito vemos que la impedancia de entrada tiene un valor aproximado de ZE= 1. 2 . RE. si 1= 2= 100 y RE=0,68 k resulta: ZE= 100. 100 . 0,68 = 6800 k valor extremadamente alto. Para las componentes alternas o incrementales, el anlisis es similar. En la prctica, los fabricantes ofrecen dos transistores con esta conexin, en un solo encapsulado. Los pares Darlington se usan extensamente en amplificadores de potencia y en fuentes reguladoras de tensin y corriente. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-2- Modelos incrementales y anlisis de amplificadores con transistor bipolar. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Conexin Darlington
2) par compuesto Es posible obtener un par compuesto con una tensin VBE efectiva de aproximadamente 0,7 volt, combinando un transistor npn (Q1) y un transistor pnp(Q2), de manera tal que la ganancia global de corriente, esta dada por el producto de las ganancias individuales de los transistores. La figura muestra este tipo de conexin:
3) par compuesto Los transistores compuestos PNP con alto, se producen intercambiando los transistores de la figura anterior. Esta tcnica se usa mucho en el diseo de circuitos integrados para mejorar el valor de de los transistores PNP integrados, que son difciles de fabricar en esa tecnologa con alto. Como vemos en el dibujo, el conjunto opera como un circuito Darlington, generando un transistor PNP de alta ganancia de corriente.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Relaciones de potencia en los amplificadores con transistores Analizaremos a continuacin las relaciones existentes entre la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin, y las potencias elctricas que se disipan en el transistor y la resistencia de carga. Utilizaremos para el anlisis, una etapa bsica amplificadora de seal analgica, que utiliza un transistor de unin bipolar; no obstante estas relaciones tienen validez para cualquier tipo de transistor semiconductor que se emplee, como elemento amplificador analgico. El amplificador adems se excitar con una seal senoidal que denominaremos ve Supondremos adems, que el punto de polarizacion esta ubicado, en la recta de carga, de manera tal que se pueda amplificar linealmente toda la seal analgica senoidal, dentro de su periodo (funcionamiento en clase A) . Adems no tendremos en cuenta la potencia que entregamos para polarizar la entrada del amplificador, suponindola despreciable. Esta ultima suposicin, no es el caso para amplificadores de potencia.
Potencia elctrica entregada por la fuente de alimentacin VCC Partimos de la potencia elctrica instantnea, pcc , para luego encontrar la potencia elctrica promedio que entrega VCC. pCC = VCC . iC (potencia instantnea) T T PCC = 1 / T VCC.iC dt = VCC / T ( IC+ic) dt 0 0 T T PCC =VCC / T IC dt + VCC / T ic dt = VCC . IC (potencia promedio) 0 0 Siendo: iC = IC + ic corriente instantnea del colector IC componente continua de la corriente iC o sea la corriente del punto de polarizacion. ic componente de corriente alterna generada en el colector por la fuente de seal ve. Potencia elctrica consumida por la resistencia de carga RC 2 pR = RC .iC potencia disipada instantnea. La potencia promedio vale: T T T PR = 1 / T pR dt = 1 / T RC . iC dt = 1 / T RC .(IC+ic) dt 0 0 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------2 2 PR = RC. IC + RC ic(rms) Potencia disipada en el transistor La potencia instantnea vale: pT = vCE . iC = ( VCCRC .iC). iC = VCC . iC RC .iC2 pT = pCC pR Vemos que la potencia instantnea disipada por el transistor es igual a la diferencia entre la potencia entregada por VCC y la potencia instantnea disipada en RC. De la misma manera, resultaran las potencias promedios: PT = PCC PR De lo desarrollado, podemos sacar las siguientes conclusiones: a) La potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin VCC, es independiente de la presencia o no de la seal de entrada. b) La potencia elctrica disipada o consumida en RC, tiene dos componentes; una parte corresponde a la corriente de polarizacion IC, produciendo solamente aumento de temperatura en RC, sin ningn beneficio. La otra, corresponde a la componente alterna de la corriente de colector que al pasar por RC provoca una variacin en la tensin de colector vc y si RC RL representa la seal til aplicada sobre la carga. Esta componente alterna aparece cuando aplicamos la seal alterna de entrada ve. c) La potencia elctrica consumida en RC por la componente alterna de la corriente de colector, es funcin de su amplitud. d) La potencia elctrica disipada en el transistor (provoca aumento de la temperatura del transistor) resulta de la diferencia entre la potencia entregada por VCC y la consumida en RC. Cuando tenemos seal aplicada a la entrada del amplificador, la potencia consumida en RC, aumenta, y por lo tanto la disipada en el transistor, disminuye. e) La condicin mas desfavorable para el transistor, en lo que respecta a la potencia disipada, se produce cuando no tenemos seal de entrada aplicada. En este caso su valor lo determinamos como: PT = PCCPR = VCC.IC RC . IC .IC = ( VCCRC.IC) .IC PT = VCE . IC resultando el producto de la tensin y corriente del punto de polarizacion. Disipacin de la potencia elctrica en los transistores El anlisis que sigue, tiene validez para cualquier tipo de transistor semiconductor. La potencia elctrica instantnea disipada en el transistor la expresamos como pT= vCE .iC, siendo iC y vCE, los valores instantneos de la corriente de colector y de tensin colectoremisor, del circuito analizado. La potencia elctrica disipada promedio, en un periodo T la expresamos matemticamente como: T PT = 1 / T . pT.dt 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta potencia elctrica que se genera en el interior del transistor (en la juntura de colector) se disipa al ambiente exterior. En rgimen, se establece un circuito trmico entre la generacin de calor (en JC) y el ambiente exterior. Esto provoca una elevacin de la temperatura de la juntura de colector, respecto a la temperatura ambiente. Esta variacin T, se incrementara con el aumento de la potencia elctrica disipada en el transistor. La mxima potencia promedio disipada por un transistor, depende de sus caractersticas constructivas, pudiendo estar comprendida entre unos pocos milivatios a cientos de vatios. Para los transistores bipolares, esta potencia elctrica disipada, esta limitada por la mxima temperatura soportada por la juntura de colector JC. Para una aplicacin en particular, esta mxima potencia, se producir cuando el transistor trabaje en la zona activa. PTsat. < PTact. > PTcorte Los transistores de silicio, pueden soportar temperaturas mximas en JC entre 150C y 225C. (para Ge entre 60C y 100C). Los valores mximos, lo especifica el fabricante. La temperatura de la juntura de colector, bsicamente podemos decir que puede aumentar por tres causas: a) Por aumento de la potencia elctrica disipada, por cambio de la zona de funcionamiento del transistor (autocalentamiento). b) Por aumento de la temperatura exterior, producida por cambios en las condiciones ambientales. c) Por resistencia al paso del calor desde su generacin en JC hasta el ambiente exterior. El auto calentamiento en zona activa es mayor que en las otras dos zonas, considerndose la disipacin de energa en la base del transistor despreciable. En la zona de saturacin (vCE0) y en la zona de corte (iC0) la disipacin de potencia es prcticamente nula. No obstante los transistores que trabajan en conmutacin sufren autocalentamiento en el proceso de conmutacin, que depender del grado de saturacin, grado de corte y frecuencia de la conmutacin. En este ultimo caso, las perdidas de la base pueden ser importantes, especialmente en transistores de potencia El anlisis de las prdidas por conmutacin se analizara en la materia Electronica II. En el caso de los transistores bipolares, el autocalentamiento, puede ser regenerativo, dado que si no se toman medidas de compensacin o estabilizacin, la corriente de polarizacion de colector IC puede aumentar con la temperatura. Este aumento, puede provocar mayor potencia disipada y con ello mayor aumento de temperatura y as el ciclo se hace regenerativo hasta la ruptura del transistor por efecto trmico. Resistencia trmica Cuando se llega al rgimen permanente o equilibrio entre la potencia elctrica generada y la potencia elctrica disipada, la diferencia de temperatura entre la juntura de colector y la temperatura ambiente, resulta proporcional a la potencia elctrica disipada. Matemticamente esta relacin la podemos expresar como: T = Tj Ta = RT . PT Esta expresin, se la conoce como la ley de Ohm trmica por su similitud con la ley de Ohm elctrica donde se pueden hacer las siguientes equivalencias: T(diferencia de temperatura) V (diferencia o cada de tensin elctrica) RT(resistencia trmica) RE(resistencia elctrica) IE(corriente elctrica) PT(potencia disipada) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La resistencia trmica se expresa en C / vatios[C/w] o en C / milivatios [C/mw]. Su valor puede variar, para los transistores, en 0,2C/w para transistores de potencia a 1C/mw para transistores de seal. Potencia mxima disipada por un transistor bipolar Para encontrar este valor, debemos considerar dos aplicaciones prcticas, en el uso del transistor: Sin elemento disipador y con disipador incorporado a la carcaza del transistor. Considerando la utilizacin del transistor sin disipador, la PTmax. depender fundamentalmente de la temperatura ambiente. Los fabricantes, suelen dar informacin, mediante grficos de la potencia disipada mxima en funcin de la temperatura ambiente, como lo muestra el siguiente grafico: PTmax
25C
150C
Ta
Como puede observarse la mxima disipacin se producir para menores valores de la temperatura ambiente hasta el valor mximo de Ta =150C donde PTmax = 0 . Este valor de Ta, corresponde a la mxima temperatura de la juntura (Tj) permitida por el fabricante. Si la Tj supera dicho valor, el transistor se degrada. Otros datos tiles que se obtienen en las caractersticas tcnicas, figura la mxima temperatura de la juntura Tjmax y la resistencia trmica entre la juntura y el medio ambiente RTja . Con estos dos valores mas la temperatura ambiente, podemos, por aplicacin de la ley de Ohm trmica, encontrar la mxima disipacin de potencia del transistor. Problema De los datos tcnicos obtenidos del transistor 2N3903, determinar la potencia disipada mxima para una temperatura ambiente de 40C. Datos: Ta =40C ; Tjmax = 150C ; Rja = 0,357C/mw Aplicamos la ley de Ohm trmica, despejando la potencia disipada mxima: T = Tj Ta = RTja . PT Ptmax = (Tjmax Ta) / RTja = (15040) / 0,357 = 308 mw
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Determinar la potencia disipada por el transistor del problema anterior (2N3903), si por razones de confiabilidad, la temperatura de la juntura Tj no debe superar los 100C , para una temperatura ambiente de Ta = 40C. Otra forma de especificar la mxima potencia disipada, consiste en suministrar su valor para una determinada temperatura ambiente o sino tambin suministrar su valor mximo para una temperatura ambiente de 25C, con un termino de disminucin por cada grado centgrado de aumento de la temperatura, por encima de los 25C. Ejemplo: PTmax(PDmax) = 250 mw para Ta = 60C PTmax = 350 mw para Ta = 25C Por encima de los 25C se deber disminuir en 2,8 mw /C Por ejemplo si necesitamos determinar la potencia mxima disipada para una temperatura ambiente de 35C entonces: PTmax = 350 2,8. (3525) =322 mw Los transistores de potencia, normalmente se los utiliza con disipadores de calor adheridos firmemente a la carcasa del transistor. Su finalidad es evacuar con ms facilidad el calor generado y disipado al ambiente, por el transistor. En este caso el fabricante especifica adems, la resistencia trmica entre la juntura y la carcaza o base de montaje del disipador RTjc. Si se va a utilizar el transistor sin disipador, entonces el clculo se realizara teniendo en cuenta la resistencia trmica entre la juntura y el medio ambiente RTja. Si se lo utilizara con disipador, la potencia mxima disipada, quedara definida por las resistencias trmicas junturacarcaza, carcaza disipador y disipador medio ambiente, segn el siguiente circuito trmico:
PT
RTjc Rthj-c : Resistencia trmica entre la juntura y la carcaza. RTcdRthc-d: la carcaza y el disipador RTdaRthd-a el disipador y el medio ambiente T = RTja . PT TjTa = ( RTjc + RTcd + RTda) . PT Si el fabricante suministra la mxima potencia disipada con disipador, y si quisiramos aprovechar esa mxima disipacin, el clculo se reduce a determinar RTda ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Con el valor de la resistencia trmica del disipador, nos queda seleccionar o calcular sus dimensiones de manera tal que su valor real de RT sea igual o menor al calculado. Problema Un amplificador de pequea potencia, tiene en su salida, un transistor BC547, sin disipador, polarizado en el punto Q ubicado en el centro de la recta de carga y definido por IC=50 ma y VCE = 5 volt. El transistor, cuando tiene seal aplicada, esta excitado para los valores extremos de iC y vCE. Determinar: a) La temperatura mxima de la juntura de colector, sin seal aplicada, para Ta = 50C b) la temperatura mxima de la juntura de colector, cuando tiene seal aplicada, para Ta=50C c) La temperatura mxima de la juntura de colector, en la condicin mas desfavorable, cuando la temperatura ambiente que lo rodea llega a Ta= 85C Datos: Tjmax = 150C PDmax(PTmax) = 300 mw para Ta = 75C RTja = 0,25C/mw RTjc = 0,17C/mw Problema En las especificaciones tcnicas de los transistores 2N3903 y 2N3904 (Motorola), nos suministran la siguiente informacin: -PTmax = 1watt para temperatura de carcaza Tc = 25C; valor de ajuste para valores superior a 25C P= --8,0mw/C. -Tjmax= 150C -RTja = 357C/w -RTjc = 125C/w. Teniendo en cuenta estos datos determinar: a) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1 watt, sin disipador b) La temperatura ambiente necesaria para disipar la potencia de 1watt, con un disipador de valor RTdisip. = 125C/w c) La potencia disipada mxima, para una temperatura ambiente Ta= 40C sin disipador d) La potencia disipada mxima para Ta = 40C, con disipador de valor RTd=125C/w. Problema Un fabricante especifica lo siguiente: para el transistor TIP29 (Texas inst) -PTmax=30watt para Tc=25C (disipacin continua) -Tjmax=150C -RTjc=4,17C/w -RTja=62,5C/w Determinar: a) Mxima potencia disipada para Ta =40C con disipador de valor RTd=2,5C/w b) Mxima potencia disipada para Ta=40C sin disipador c) La temperatura ambiente necesaria para disipar 30watt con RTd=2,5C/w d) La resistencia trmica del disipador para disipar una potencia mxima de 10 watt para TJmax= 130C y Ta =40C
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Eficiencia en los amplificadores Cuando analizamos las relaciones de potencia de un amplificador con transistores, vimos que la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin, una parte se disipa como calor en el transistor y en la carga, y otra parte se convierte en seal til, en corriente alterna, sobre la carga. 2 2 PCC = PT + PR = VCE . IC + RC . IC + RC . ic(rms) = VCC . IC VCC . IC : potencia que entrega la fuente de alimentacin al amplificador, despreciando la corriente de polarizacion de base. VCE . IC : potencia promedio (CC), disipada en el transistor 2 RC . IC : potencia promedio (CC), disipada en la carga RC 2 RC . ic(rms) : potencia til (en ca) , convertida en corriente alterna til sobre la carga. Las condiciones ideales referentes a las potencias elctricas desarrolladas en el amplificador, seria que toda la potencia elctrica que entrega la fuente de alimentacin VCC, se convirtiera en potencia til de corriente alterna sobre la carga; sin embargo, parte de esa potencia que entrega VCC, se disipa como calor en el transistor y la carga. A los fines de establecer la relacin entre la potencia elctrica til y la que entrega VCC, se define la eficiencia del amplificador Potencia en ca sobre la carga (%) = -------------------------------------- x 100 Potencia que entrega VCC Para el caso del amplificador que estamos tratando esta eficiencia se define como: 2 (%) = RC . ic(rms) / VCC . IC Analizaremos a continuacin las eficiencias de los distintos amplificadores, respecto a la ubicacin del punto de polarizacion Q. Eficiencia en el amplificador clase A con carga acoplada directamente Un amplificador trabaja en clase A cuando la corriente de colector, nunca se hace cero, durante el periodo de la seal de entrada. En este amplificador el punto de polarizacion, se ubica en la recta de carga entre los valores de corte y saturacin. Es el amplificador que hemos estudiado hasta ahora Vamos a determinar el valor numrico de su eficiencia terica. Para ello resulta conveniente, ubicar el punto de polarizacion o funcionamiento, en el centro de la recta de carga. De esta manera, tendremos excursiones iguales de la corriente instantnea de colector, desde el punto Q al punto de corte y saturacin, en las intersecciones de la recta de carga con los ejes coordenados. La amplitud mxima de la componente alterna de la corriente de colector vale: ic = iCsat IC = 2IC IC = IC ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La componente alterna de la tensin sobre la carga vale: vl = VCC VCE = VCC VCC/2 = VCC/2
ic t 0
iC iCmax =2IC Q
IC
VCE 0
VCC vCE vl
t La potencia elctrica til sobre la carga vale: _ _ _ _ PR = ic/ 2 . vl/ 2 =IC / 2 . (VCC/2)/ 2 = VCC. IC /4 PCC = VCC . IC La eficiencia resulta: (%) = ( PR / PCC ) . 100 = 25 % Este valor es el mximo terico, cuando la carga esta conectada directamente al colector del transistor, y el punto de polarizacin, en el centro de la recta de carga. En la prctica, no podemos llegar a este valor, dado que tendramos que trabajar en los lmites de la saturacin y corte, lo que provocara una distorsin de la seal de alterna de salida. Eficiencia del amplificador clase A con carga acoplada con transformador En este caso la carga se acopla al circuito de colector del transistor, mediante un transformador adaptador de impedancia que hace presentar en su primario una carga reflejada de valor conveniente ( RL), que da lugar a una recta de carga dinmica, calculada en base al valor de RL, conectado al secundario del transformador, y la relacin de vueltas primario/secundario. Este tipo de conexin mejora la eficiencia del amplificador, dado que se elimina la disipacin de potencia en la carga por la circulacin de la corriente de polarizacion ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ic 2IC Recta de carga esttica Q Recta de carga dinmica --1/RL
IC
0 VCC 2VCC vCE
RL = (n2/n1) . RL _ _ _ _ PR = ic/ 2 . vl/ 2 =IC / 2 . VCC/ 2 = VCC. IC /2 PCC = VCC . IC (%) = ( PR / PCC ) . 100 = 50 % Como vemos colocando un transformador para adaptar la carga, hemos mejorado la eficiencia. Uno de los inconvenientes del transformador por ejemplo para seales de audio es la produccin de distorsin en las altas frecuencias, adems de su volumen y peso. No obstante en aplicaciones especializadas como ser la transmisin de informacin por onda portadora, aprovechando las lneas elctricas de alta tensin, el ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------uso del transformador es muy adecuado para acoplar y aislar el equipo de comunicaciones. Eficiencia del amplificador clase B Decimos que un amplificador trabaja en clase B, cuando la corriente del colector circula solamente durante medio ciclo de la seal de entrada. Para este caso, el punto de polarizacin, se fija justo en el punto de corte del transistor. En las caractersticas de salida, el punto se ubica en la interseccin de la recta de carga con el eje de absisas o de las tensiones. Veamos a continuacin, el circuito bsico y la ubicacin del punto de polarizacion en la recta de carga:
iC VCC/RC Q
0 VCC iC VCC/RC vL ve vCE
wt VCC
wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Al polarizar en el punto de corte., la corriente de colector circulara solamente durante el semiciclo positivo de la seal de entrada. La potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin vale: PCC = 1/2 . VCC . iC .dt = VCC/2. IC . sen wt dwt = VCC.IC/2.[-coswt] 0 0 0 PCC = VCC . IC / La potencia de alterna en la carga vale el producto de los valores eficaces de la tensin y corriente alterna: PR = vl(rms) . il(rms) = VCC/2 . IC/2 = VCC . IC / 4 (%)=PR/PCC . 100 = /4 . 100 = 78,54 % Trabajando en clase B , hemos logrado mejorar la eficiencia. En este caso lo logramos a costa de mucha distorsin de la seal de salida, dado que el semiciclo negativo de la seal de entrada no se amplifica. Esta distorsin se reduce como veremos mas adelante, con el amplificador en contrafase clase B. Amplificador clase AB El amplificador clase AB surge del clase B, con la diferencia que se le suministra una pequea polarizacion en la base (el valor de la tensin umbral 0,6 volt), para evitar la denominada distorsin de cruce por cero. En cuanto a la eficiencia, con esta polarizacion, su valor terico es similar al de clase B.
Amplificador clase C
Un amplificador trabaja en clase C cuando la corriente de colector circula durante un periodo menor a 180 del ciclo de la seal de entrada. Esto significa que estos amplificadores estn polarizados por debajo del punto de corte, es decir polarizados con tensin negativa. Cuando ingresa la seal de entrada, la corriente de salida muestra variaciones pulsantes menores a 180. Si la carga es una resistencia o impedancia en gral, la distorsin es muy grande; pero si la carga es un circuito tipo LC (denominado ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------circuito tanque LC) sintonizado a la frecuencia fundamental de la seal de entrada, el circuito LC acta como filtro pasa banda con la frecuencia central dada por la frecuencia resonante del circuito, w = 1/LC . De esta forma, se restaura la seal fundamental, por atenuacin de las frecuencias armnicas, aparecidas durante el proceso de amplificacin con polarizacion clase C. Los amplificadores claseC no se emplean como amplificadores de audiofrecuencias; su uso esta restringido como amplificadores de potencia de radiofrecuencias, en equipos transmisores de comunicaciones, con circuitos sintonizados. Su eficiencia es muy alta pudiendo llegar tericamente al 100% Amplificadores clase D Los amplificadores que trabajan en esta clase, se los utiliza como amplificadores de potencia para amplificar seales de audiofrecuencias con una eficiencia practica, prxima al 90%. Los elementos activos del amplificador, trabajan conmutados; Si se usan transistores bipolares, trabajan al corte y la saturacin. SI se usan transistores de efecto de campo MOS, trabajan al en la zona de corte y zona ohmica. Para amplificar seales analgicas de audiofrecuencias, previamente es necesario convertir estas seales en digitales, de ancho de pulso variable, para luego ser amplificada por el amplificador de potencia (clase D) que trabaja en conmutacin.
vs ve 0
ve t Generador Diente de sierra vs ve ve

Comparador
Amplificador de potencia pulsante
Filtro pasabajo
vo
Realimentacin ve ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura muestra una seal senoidal que luego de ser diferenciada con la seal de realimentacin, es convertida a pulsos digitales, de ancho variable, logrado, mediante la comparacin de una onda en diente de sierra. (Sistema modulacin de ancho de pulso PWM). El filtro pasabajo, convierte la seal digital amplificada por el amplificador de potencia digital, en nuevamente una seal analgica senoidal. La alta eficiencia se logra por el hecho que en corte y saturacin (o zona ohmica para los MOS), la disipacin de potencia de los transistores de potencia conmutados es muy baja. Actualmente para este tipo de amplificadores, se utilizan transistores MOSFET de potencia como los denominados V-MOS. Amplificador de potencia clase B en contrafase Habamos analizado que con el amplificador clase B, logrbamos una eficiencia terica del 78,54 %, con el inconveniente de que solo amplificaba medio ciclo de la seal de entrada lo que provocaba una fuerte distorsin. Para evitar este inconveniente y mantener la alta eficiencia, se recurre entonces al amplificador en contrafase clase B, muy utilizado como amplificador de potencia en etapas finales, tanto en circuitos discretos, hbridos e integrados. Este, bsicamente consiste de dos etapas amplificadoras, trabajando en clase B, en la cual cada una de ellas se encarga de amplificar un solo semiciclo, el positivo una, y la otra el negativo de la seal de entrada. Para mejor comprensin analizaremos el amplificador en contrafase clase B donde la carga se acopla al colector mediante un transformador con punto medio en su primario. Cabe aclarar que este tipo de amplificador ya no se usa como amplificador de potencia de seales de audio, por su volumen, precio y distorsin producida por el trafo.
Para el funcionamiento, necesitamos generar dos tensiones de excitacin iguales en magnitud pero desfasadas 180. En este caso hemos utilizado un simple transformador T1 con punto medio en su secundario (existen muchos circuitos para lograr este cometido). De esta forma tendremos en la salida de T1, dos tensiones +ve y -ve , que producen las corrientes iB1 e iB2 respectivamente. Cuando estamos en el semiciclo positivo de la seal de entrada, se activa el transistor Q1 con la corriente de base iB1 y la corriente de colector IC1. Esta ultima, al circular por uno de los bobinados del primario, induce la tensin vo en el secundario de T2, que hace circular sobre la carga RL, la corriente io. Durante este semiciclo, Q2 esta cortado, no funciona.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------ve
t ve
-ve
t iC1 iB1
iB2 iC2
vo io
Durante el semiciclo negativo el proceso es similar pero el transistor que conduce es Q2 y entonces Q1 esta cortado. Las graficas muestran las tensiones y corrientes circulantes en las distintas partes del circuito. Distorsin por cruce por cero del amplificador en contrafase clase B Este amplificador, tiene un inconveniente que produce una distorsin de la seal en la salida, en el punto de cruce por cero, dado que los transistores solamente se activan ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------cuando la tensin base emisor supera a la tensin umbral de aproximadamente 0,5 a 0,6 volt.
ve
t Distorsin Cruce cero
vo
La solucin a esta distorsin es darle una pequea polarizacion en zona activa, de valor igual a la tensin umbral de los transistores. En el dibujo que sigue se ve el circuito con las resistencias de polarizacion y estabilizacin RA, RB y RE. En estos casos no se coloca capacitor de desacople de RE, dado que la corriente alterna de emisor es unidireccional, lo cual no descargara al capacitor en paralelo con RE, llevando a los transistores al corte en unos pocos ciclos. Este amplificador polarizado a la tensin umbral de la juntura base emisor, se le denomina clase AB.
Amplificador en contratase clase B con transistores complementarios Los amplificadores de audiofrecuencias, por los motivos expuestos, no utilizan transformadores para acoplar la carga. Para ello se recurre a la conexin colector comn ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------que permite conectar y adaptar cargas de bajo valor, directamente conectadas al emisor del transistor. Los parlantes de la salida de un equipo de audio presentan impedancias entre 4 y 8 ohm. Por otra parte, se emplean dos transistores, uno NPN y el otro PNP. Estos semiconductores, tienen que tener similitudes en lo que se refiere a sus parmetros elctricos. Los fabricantes suministran estos pares denominados complementarios. Veamos el circuito bsico de esta configuracin, alimentado con dos fuentes de alimentacin, una positiva y otra negativa, respecto al Terminal comn:
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conduce corriente el transistor Q1, entregando corriente a la carga, mientras que Q2 esta cortado. Durante el semiciclo negativo se invierte la situacin y es Q2 el que conduce, mientras Q1 se encuentra cortado. Como puede verse esta etapa, no tiene ganancia de tensin pero si la tiene en cuanto a la potencia elctrica entregada a la carga. Esta etapa tambin reduce la distorsin, dado que al no tener capacitor de desacople para la carga, tiene una fuerte realimentacin negativa para la seal alterna. Veamos una modificacin de este circuito:
En este circuito, durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conduce Q1 mientras Q2 esta cortado. La corriente de emisor pasa a l carga ZL a travs del capacitor de acoplamiento Co. Este ltimo a su vez se carga elctricamente con la polaridad indicada. Durante el semiciclo negativo, ahora el que conduce es Q2 y Q1 esta cortado, En este caso el capacitor Co cumple la funcin de fuente de alimentacin de Q2, entregando corriente a la carga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Polarizacin del amplificador en contrafase clase AB simetra complementaria Con fuente nica Normalmente se utilizan dos mtodos para polarizar en clase AB, para evitar la distorsin de cruce por cero. Una es utilizando un divisor resistivo y otra es utilizar diodos de compensacin.
En el primer circuito la cada de tensin en R1 lleva a la tensin de base VB prxima a la mitad de VCC (15,7 volt). Con la cada de tensin VBE, el punto de unin de los emisores de los transistores se lo lleva a VE=VCC/2 = 15 volt. De esta manera se podr obtener en ZL, un valor de amplitud mximo terico de vl = 15 volt. Las dos resistencias iguales R2, polarizan a ambos transistores en clase AB, con una cada total Vp=2.R2.IB=2.VBE. En gral estas resistencias son ajustables para llevar el punto Q al valor deseable. Respecto a la estabilidad de Q, con relacin a la temperatura, no es buena dado que las resistencias R2, no pueden compensar las variaciones en VBE de ambos transistores, pudiendo provocar un escape trmico por aumento de la corriente de colector de los transistores que llevara a mas aumento de la temperatura. Una solucin a este inconveniente, es reemplazar las resistencias por dos diodos con cadas y variaciones de tensin, similares a las de las junturas baseemisor de los transistores. En el segundo circuito se puede ver los diodos de polarizacin. Amplificador bsico en contrafase clase AB con etapas de excitacin Veremos a modo de ejemplo, un amplificador completo bsico en tecnologa discreta, compuesto de tres etapas: el transistor Q1 actuando como amplificador de tensin (clase A) para seales pequeas. El transistor Q2, actuando como amplificador clase A para seales grandes (excitador de la etapa final), y finalmente los transistores Q3, Q4 actuando como amplificador de potencia clase AB (seguidor por emisor, con ganancia de tensin AV1)
Problema Para el circuito de la figura determinar: a) Las tensiones de polarizacion de base, colector y emisor respecto al Terminal comn. b) Las ganancias incrementales parciales de tensin y total del amplificador. c) La mxima amplitud de la seal de entrada, que no provoque distorsin en la salida d )La mxima potencia entregada a la carga ZL. NOTA: Emplear aproximaciones en los clculos. Relaciones de potencia elctrica para el amplificador en contrafase clase B De forma similar como lo hemos hecho con el amplificador clase A, determinaremos la potencia elctrica entregada por la fuente de alimentacin VCC y la potencia elctrica consumida por los transistores para el amplificador en contrafase clase B. Para determinarlo, graficaremos primero la recta de carga dinmica compuesta en ambas caractersticas de salida de los transistores: iC1 ___ IC1= VCC/ZL PT1max
Q ___ IC2= VCC/ZL
VCC
VCC
VCC=1/2 VCC
PT2max iC2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La potencia promedio que entrega la fuente de alimentacin la determinamos teniendo en cuenta la grafica de la corriente que suministra a ambos transistores para una seal de entrada senoidal: iC1 iC iC2 iC1
__ IC 0 pCC = VCC . iC iC=iC1 = iC2 2 3 wt
__ __ T PCC =1/ T. VCC.iC dt = 1 / VCC.IC . senwt dwt = VCC.IC / .[-coswt] 0 0 0 __ PCC = 2.VCC. IC / 2 La potencia promedio en la carga vale: _ __ _ __ PL = vl(rms). Il(rms) = VCC/ 2 . IC / 2 = VCC . IC / 2 La eficiencia la calculamos como : (%) = PL / PCC . 100 = / 4 . 100 = 78,54 % La potencia promedio disipada por ambos transistores la calculamos como la diferencia entre la potencia que entrega la fuente de alimentacin y la potencia convertida en corriente alterna sobre la carga: 2.PT = PCC PL Reemplazando por los valores calculados y despejando la potencia disipada por cada transistor nos queda la siguiente expresin en funcin de la potencia promedio en la carga: PT = PL . ( 2/ 1/2 ) PL . 1/7 Por ejemplo si necesitamos una potencia PL = 70 vatios sobre la carga, necesitamos entonces dos transistores que disipen 70/7 = 10 vatios cada uno de ellos. No obstante estamos hablando de potencias disipadas promedios, lo cual resulta no conveniente por el hecho que en algn momento se supera la mxima temperatura de la juntura. Un diseo conservador seria tener en cuenta la mxima potencia disipada por el transistor sin que se superen los lmites de temperatura en la juntura de colector. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Calculamos entonces la mxima potencia disipada por el transistor en la grafica de salida compuesta. Esta se va a dar en la tangente a la hiprbola con la recta de carga compuesta: __ PTmax = VCC / 2 . IC / 2 = 1 / 2 . VCC.IC / 2 = 1 / 2 PL Volviendo al ejemplo anterior para PL = 70 watios , entonces para un diseo conservador PTmax = 1/2 . 70 = 35 watios para cada transistor. Amplificador en contrafase clase AB en simetra cuasi complementara Los pares complementarios no se pueden obtener para potencias disipadas superiores a 50 watios. Para esos casos se realiza una modificacin en los transistores de salida de la etapa en contrafase. En el circuito anterior, el transistor npn Q3, se reemplaza por un par Darlington Q3 , Q5 y el transistor pnp Q4,se reemplaza por el par compuesto Q4, Q6 , de tal forma que Q3 es complementario con Q4.
El circuito modificado nos queda de la siguiente forma:
En este nuevo circuito, adems de reemplazar los transistores de salida, se le han hecho algunas modificaciones, para mejorar la estabilidad de la polarizacion frente a los cambios de temperatura y adems mejorar la distorsin causada por las alinealidades de los semiconductores reales. Para ello se recurri a la realimentacin negativa tanto en corriente continua como en corriente alterna. Con la realimentacin en CC, se mejora la estabilidad de la polarizacion; para ello el transistor Q2 se polariza con el divisor R5, ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------R6 alimentado desde la tensin continua de salida, en la unin de los emisores de los transistores Q5, Q6. Por otra parte se agrego un capacitor C3 que acta como circuito bootstrap (tirabotas) para elevar la tensin de colector de Q2 y y asimismo aumentar la polarizacion de base de Q4 para lograr el limite extremo de saturacin del par Darlington. Este capacitor tambin cumple la misin de desacoplar cualquier tensin residual de la fuente de alimentacin, proveniente de las etapas excitadoras y preexcitadoras. La resistencia R10 acta como realimentacin para la seal alterna y con esto disminuir la distorsin y mejorar la respuesta en baja frecuencias. Estas mejoras, se logran a costa de una disminucin de la ganancia efectiva de la tensin. Respecto a la ganancia de potencia, esta es funcin de la capacidad de disipacin de los transistores de salida y del valor de la tensin de la fuente de alimentacin VCC, que alimenta la etapa final. Problema Determinar la mxima potencia de salida a una carga efectiva ZL = 4 Ohm y la capacidad mxima de disipacin de los transistores de salida, para un amplificador con una etapa de salida en contrafase clase B,en simetra complementaria, que esta alimentado por una fuente de tensin nica de +30 volt. __ La mxima amplitud de tensin sobre la carga vale VL = VCC / 2 = 30 / 2 = 15 volt __ _ _ VL(rms) = VL / 2 = 15 / 2 = 10,64 volt PL (rms) = VL2(rms) / ZL = 28,4 vatios Este valor es terico, dado que la amplitud de vl se la limita a un valor menor de su mximo para no provocar demasiada distorsin en la zona de saturacin. PTmax = PL = 28,4 / 2 = 14,2 vatios Necesitamos dos transistores complementarios que puedan soportar una disipacin mxima de 14,2 vatios cada uno de ellos. Amplificadores de potencia en circuitos integrados Los circuitos vistos hasta ahora, son los empleados en la tecnologa discreta, hoy en da ya en desuso. Estos circuitos se siguen tratando a nivel educativo dado que nos da una formacin de cmo se deben analizar los circuitos electrnicos, como as tambin nos permite el tratamiento de conceptos especficos de estos circuitos, relacionados a circuitos de polarizacion y estabilizacin, circuitos equivalentes incrementales , impedancias de entrada y salida, ganancias de tensin ,corriente y potencia, eficiencia, etc. Estos conceptos, tambin estn incorporados en los circuitos desarrollados con tecnologa integrada, ms otros especficos de la misma. En lo referente a los amplificadores de potencia con esta tecnologa, se presentan problemas propios debido a la elevada disipacin de los mismos y a la necesidad de prever ajustes para minimizar la distorsin ante una excitacin y carga determinada. Como ejemplo de la gran variedad disponible comercialmente, podemos mencionar el clsico amplificador de potencia en CI MC1554, que puede entregar una potencia efectiva de 1watt sobre un parlante con ZL=8 ohm. Este circuito integrado monoltico, presenta algunos terminales para conectar capacitores que no se pueden integrar. Veamos a continuacin, su aplicacin como amplificador o excitador de audio de una etapa de mayor potencia de salida: ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
En este circuito, la red C5-R3 acta como compensadora para evitar oscilaciones de alta frecuencia en la salida. La red C3-R2 desacopla la fuente de alimentacin. Evitando que ingresen seales alternas que podran producir oscilaciones. El capacitor C4 acta como compensacin para estabilizar el circuito integrado, dado que internamente esta realimentado. El capacitor de salida Co desacopla de la CC a la carga y a su vez provee tensin de alimentacin al transistor interno pnp que forma parte de la etapa de salida en simetra complementaria. El capacitor C1 desacopla cualquier CC en la entrada. Finalmente el potencimetro me permite un control de ganancia o volumen si la carga es un parlante. Otra solucin para obtener mas potencia de salida, es la aplicacin de un CI monoltico como puede ser un amplificador operacional que trabaje como excitador de una etapa de potencia en simetra complementaria o cuasi complementaria discreta, como lo muestra el circuito bsico de la siguiente figura:
Actualmente existen en el mercado una gran variedad de circuitos electrnicos de potencia, (donde incluimos a los amplificadores de potencia), denominados circuitos integrados hbridos en tecnologa thick film o de pelcula gruesa que contienen los transistores de salida, elementos pasivos asociados (resistores y capacitores) y los operacionales de excitacin en CI monoltico, todo este conjunto, en un solo encapsulado, constituyendo un bloque funcional integrado. Algunos de estos bloques funcionales podemos citar a modo de ejemplo el SK9189 que es un amplificador de
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------potencia de audio de dos canales con una potencia de salida por canal de 25 watios, o el SK7661 de un solo canal con una potencia de salida de 50 watios. Caractersticas elctricas especificas de los amplificadores de potencia para seales de audiofrecuencias Mencionaremos a continuacin, algunas de las caractersticas elctricas que identifican a los amplificadores de potencia de audio: a) Sensibilidad: Se la define como la seal que debemos aplicar en la entrada del amplificador para que entregue su potencia nominal. Los valores normales, para este tipo de amplificador, esta comprendido entre 100 y 200 mv. Para equipos profesionales oscila entre 0,7 a 1 volt (rms), para una frecuencia de normal de 1000 Hz. b) Impedancia de entrada: Es la que presenta en la entrada para una seal alterna de audio de 100Hz. Esta impedancia debe ser mayor o igual a la impedancia de salida del circuito que excita al amplificador. c) Impedancia de salida: Es la que presenta el amplificador a la carga. Esta debe ser lo mas baja posible. Suele estar comprendida entre 2 y 32 ohm. Son comunes 4 y 8 ohm. La carga debe adaptarse a estos valores sino no entrega la potencia mxima o puede distorsionar. ) Respuesta en frecuencia: Es la banda de frecuencias a la cual amplifica por igual. Lo normal es de 10 Hz a 20 Khz. Lo mnimo exigible para reproduccin de msica de audio, es de 40 Hz a 16 Khz, con una tolerancia de 3 db en su amplitud. Cabe destacar que para transmisiones de comunicaciones telefnicas, la seales audio se restringen (por razones practicas de densidad de envo de informacin) a una banda comprendida entre 300 Hz a 3000 Hz, sin deterioro de la comunicacin. Margen dinmico: Se entiende como el margen de sonoridad o intensidad sonora dentro del cual puede fluctuar el volumen de sonido de un programa de msica. Un amplificador ha de poseer gran potencia para reproducir sin distorsin los sonidos fuertes y debe ser poco ruidoso para reproducir los sonidos dbiles (Sin seal aplicada, el ruido o zumbido debe ser menor a 50 db). f) Ancho de banda de potencia: Son las frecuencias extremas de la banda, para las cuales la potencia de salida desciende 3db, sin que se deteriore el coeficiente de distorsin no lineal. Lo mnimo se exige entre 40 Hz a 16 KHz. g) Potencia de salida: Es la potencia nominal (eficaz) que entrega el amplificador sobre la carga nominal (4-8 ohm) a una frecuencia de 1000 Hz, manteniendo la distorsin por debajo del valor limite fijado (0,1 0,5 o 1 %), durante 10 minutos. h) Potencia musical: Se designa a la potencia que el amplificador entrega al parlante, manteniendo el coeficiente de distorsin no lineal, cuando La fuente de alimentacin es constante e independiente de la carga. Cuando la fuente de alimentacin del amplificador de potencia es estabilizada, la potencia musical coincide con la potencia de salida. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------i) Potencia senoidal de pico: Es el valor de pico o cresta de la potencia senoidal eficaz, o sea el doble de esta ultima. Notacin en decibeles Es de practica usual, expresar la ganancia de los amplificadores en gral, (sea en potencia tensin o corriente), en forma logartmica. Esto ocurre en el caso particular de los amplificadores de audio, ya que el odo humano responde de manera logartmica. En gral los potencimetros de control de volumen tienen una variacin logartmica de su resistencia con el desplazamiento angular de la perilla; esta accin dada la respuesta del odo, nos da la sensacin de una proporcionalidad entre el ngulo de desplazamiento de la perilla de control de volumen y la intensidad del sonido en el parlante. Otra ventaja de expresar cantidades en forma logartmica, es la contraccin de las escalas de representacin que nos permite graficar grandes variaciones de las variables que nos interesan, en un segmento acotado de pocos centmetros. Volviendo a la ganancia de los amplificadores, si denominamos P2 a la potencia de salida, y P1 a la potencia de entrada, el nmero de belios de ganancia de potencia esta dado por: N de belios = log P2 / P1 10 El belio resulta una unidad demasiado grande, lo cual da valores de belio menores que uno (1). Por esta razn se utiliza como unidad de expresin el decibel que es la dcima parte del belio 1 belio = 10 decibeles (db) la expresin anterior dada en decibeles nos queda: N de decibeles (db) = 10. log P2 / P1 10 Si la impedancia de entrada del amplificador es puramente resistiva e igual a R1 y si la impedancia de la carga es puramente resistiva e igual a R2, tenemos que: 2 2 2 2 N de db = 10 log[ |V2| / R2] / [ |V1| R1] = 10 log[ |I2| / R2] / [ |I1| R1 Si R1 = R2 nos queda. N de db = 20 log |V2 / V1| = 20 log |I2 / I1| Como aclaracin la ultima expresin solo tiene validez cuando repetimos R1=R2. Si R1 R2 la expresin anterior no es valida y solamente expresa una relacin de tensiones o corrientes expresada en decibeles. Si denominamos como Av y Ai respectivamente la ganancia de tensin y corrientes, sus valores expresados en decibeles sern: Av (db) = 20 log Av 10 Ai (db) = 20 log Ai 10 ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Si resulta R1=R2 estos dos valores sern iguales y expresaran la ganancia de potencia en decibeles. Nivel absoluto de potencia (dbm) Aunque la notacin en decibeles es una razn de potencias, en ocasiones se modifica para indicar un nivel absoluto de potencia. En tales casos se escoge un nivel de referencia normalizado. Por ejemplo, el dbm es el nmero de decibelios por encima de un milivatio y esta dado por: Dbm = 10 log P / 1mw 10 100w -10 dbm 1mw 0 dbm 10mw 10 dbm 100mw 20 dbm 10w 40 dbm 20w 43 dbm Nivel relativo de la potencia (dbr) El dbr es obtenido de la relacin entre una seal en cualquier punto de un circuito y la seal en el origen de dicho circuito. Se usan niveles relativos y no absolutos y la unidad es simplemente el resultado neto de todas las ganancias y prdidas en un circuito desde un punto especifico de origen, al punto de medida. Nivel cero relativo de potencia ( dbr=0) : Este es el nivel absoluto de la potencia en dbm, medido en el punto definido para dbr= 0 . Relacin entre niveles absoluto relativo y y cero de la potencia Nivel absoluto = nivel relativo + nivel cero ( dbm) (dbr) (dbm) El dbr no es una potencia real susceptible de medir, sino simplemente una diferencia de niveles. Nivel absoluto de la tensin (dbu) Indica el nivel absoluto de la tensin en relacin a 775 milivoltios: V1 (dbu) = 20 log V1 / 0,775 voltios siendo V1 la tensin del punto de medida en voltios. Cuando una tensin de 775 mv es medida a travs de una resistencia de 600 ohm, una potencia de 1 mw es disipada. Los instrumentos con escala en dbu, como por ejemplo los voltmetros selectivos, estn calibrados a una carga de 600 ohm. Cuando la impedancia de carga es otra, la lectura de dbu, debe ser corregida de acuerdo a la siguiente formula: Correccin en db = 10 log 600/R ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------10 R: impedancia de la carga Ejemplo: Medida de nivel en voltios = 34,6 voltios 33 dbu 33 dbm (para R = 600 ohm) Con diferentes impedancias tenemos que hacer correcciones: Carga 600 150 125 75 50 correccion 0 db +6 +7 +9 +11 potencia +33 dbm +39 +40 +42 +44
Aplicacin de los decibelios a una cascada de amplificadores
ve
A1 (30db)
A2 (20db)
A3 (10db)
vo
ZL
Habamos determinado que la ganancia total de los mdulos de las tres etapas (tensin, corriente o potencia), resulta igual al producto de las ganancias parciales de cada una de las etapas, (calculadas con la impedancia de entrada de la etapa que le precede) |AT| = |A1| . |A2| . |A3| Podemos entonces recordar que la conexin en cascada, me permite obtener una ganancia total suficientemente grande para la aplicacin del amplificador, partiendo de etapas parciales con moderados niveles de ganancia. Veamos ahora una ventaja si trabajamos en decibelios: 20 log |AT| = 20 log (A|1| . |A2| . |A3| ) 10 10 |AT|(db) = 20 log |A1| +20 log |A2| + 20 log |A3| 10 10 10 |AT|(db) = |A1|(db) + |A2|(db) + |A3|(db) Vemos que la ganancia total de las tres etapas en decibelios es igual a la suma de las ganancias parciales de las etapas, expresadas en decibelios.
Problema Aun amplificador de tensin, esta compuesto de tres etapas con ganancias de tensin Av1= 30 db , Av2 = 20 db y Av3 = 10 db. Calcular la tensin de salida para una tensin de entrada de 1 mv Distorsin en los amplificadores electrnicos La distorsin se la define como el conjunto de modificaciones no deseadas, que introduce el amplificador a la seal de salida, respecto a la seal de entrada. En un amplificador ideal, sin distorsin, la aplicacin de una seal senoidal en su entrada, da como resultado en su salida, de otra seal senoidal proporcional, de mayor amplitud. En los amplificadores reales, la seal de salida, no resulta una replica exacta de la forma de onda de la seal de entrada; se producen una serie de distorsiones que pueden existir en forma separada o simultneamente. Estas distorsiones, segn la fuente de generacin, se pueden clasificar en los siguientes tipos: Distorsin no lineal, Distorsin por frecuencia, Distorsin por retardo o desplazamiento de fase, Distorsin por generacin de ruido interno. Distorsin no lineal Esta se produce por la falta de linealidad de los elementos activos amplificadores como lo son, los transistores en gral. Podemos distinguir dos tipos de distorsin alineal: Distorsin alineal por amplitud y distorsin alineal por nter modulacin. Distorsin alineal por amplitud Representa el grado de distorsin de amplitud, introducida por el amplificador respecto a la seal de entrada. Ante una seal de entrada por ejemplo cosenoidal, la forma de onda de salida, diferir de ella, debido a la falta de linealidad, fundamentalmente, de las caractersticas elctricas VI de salida del transistor. Por ejemplo si excitamos con una corriente de base cosenoidal ib(t) = IBcoswt, la corriente instantnea de colector, la podemos expresar como un desarrollo en serie de Fourier, de la siguiente forma: (2) (3) iC(t) = IC + G1. ib + G2 . ib + G3.ib + .. iC(t) = IC + Bo + B1.cowt + B2.co2wt + B3.co3wt + .. IC : corriente de colector del punto de polarizacion. Bo : termino independiente B1 : Amplitud de 1 armnica cuya frecuencia coincide con la seal de entrada. B2 : Amplitud de 2 armnica de frecuencia doble a la frecuencia de la seal de entrada. B3 : Amplitud de 3 armnica de valor 3f En forma practica se pueden hallar los valores de Bo, B1, B2; B3, .. Un mtodo consiste en suponer un numero finito de trminos del desarrollo anterior e igualar este desarrollo con un numero idntico de valores conocidos de iC(t), correspondientes a distintos instantes elegidos adecuadamente ( se resuelve aplicando matrices). La distorsin armnica se define como: ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------D2 = |B2| / |B1| D3 = |B3| / |B1| D4 = |B4| / |B1| La distorsin total o factor de distorsin se define como: ________________/ (2) (2) (2) D = D2 + D3 + D4 .. La potencia de salida PL, esta relacionada con la potencia proporcionada por la fundamental P1 por la siguiente expresin: _(2) _(2) _(2) PL = (B1/2). RL + (B2/2). RL + (B3/2). RL + . (2) (2) PL = [ 1 + (B2/B1) + (B3/B1) + .]. B1/2 . RL Finalmente reemplazando por las expresiones de las distorsiones armnicas y total, tenemos: (2) PL = ( 1 + D ) . P1 Por ejemplo para D = 10% PL = ( 1 + 0,01). P1 = 1,01 . P1 o sea un error del 1% Esto significa que si tenemos un factor de distorsin del 10%, el 99% de la potencia de salida, es proporcionada por la seal alterna fundamental o de 1 armnica. El factor D para una seal de audio, no esta relacionada directamente con la sensacin de molestia o indicacin subjetiva que se produce en el oyente, ya que dicha sensaciones mas desagradaba cuanto mayor es el orden del armnico distorsionante. Distorsin alineal por nter modulacin Esta se produce cuando la entrada del amplificador contiene dos o mas componentes senoidales. La alinealidad de los elementos activos, da lugar a que en la salida, se presenten seales elctricas cuyas frecuencias sean sumas y diferencias de todas las existentes en la entrad, producindose seales de alta frecuencia (agudos) desagradables. Analticamente, el proceso lo podemos explicar de la siguiente manera: ib(t) = IB1cow1t + IB2 . cow2 t + .. (2) (3) iC(t) = G1.ib(t) + G2.ib + G3. ib + (2) iC(t) = G1( IB1.cow1t +IB2.cow2t) + G2. ( IB1.cow1t +IB2.cow2t) + .. Desarrollando esta expresin y reemplazando los cosenos elevados al cuadrado por sus reemplazos trigonomtricos, se llega al siguiente desarrollo: iC(t) = G1. IB1.cow1t +G1.cow2t +G2.IB1/2 + G2.IB2/2 + G2.IB1.cos2w1t + G2.IB2.cos2w2t + G2.IB1.IB2.cos(w1+w2)t + G2.IB1.IB2.cos(w1-w2)t +......
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede observar, en la salida aparecen trminos continuos que modifican el punto de polarizacin, trminos de frecuencia de las seales de entrada y trminos con nuevas frecuencias, relacionadas a las sumas y diferencias de las seales de entrada. Distorsin de fase Esta se produce como consecuencia de que algunos de los componentes de la seal de entrada tardan mas tiempo en atravesar el circuito amplificador que otros, provocando el desfase. La causa se debe a los elementos inductivos y capacitivos del amplificador. Matemticamente, lo explicamos en el campo complejo donde el ngulo complejo de la ganancia compleja AV(wj), depende de la frecuencia. Para las frecuencias de audio no tiene ningn efecto desde el punto de vista de la sensacin auditiva. Si tiene importancia para la transmisin de imgenes por televisin, causando deformacin de ellas. Tambin el defasaje tiene importancia en la transmisin de datos por pulsos digitales codificados. Distorsin en frecuencia Esta relacionada con la distorsin que recibe una seal compuesta de varias frecuencias, debido a la variacin de la ganancia compleja A(jw) con la frecuencia. Una forma de comparar o establecer la fidelidad o linealidad en la reproduccin amplificada de una seal compuesta, por parte de un amplificador, es a travs de su denominada respuesta en frecuencias. Esto parte de las siguientes consideraciones: Cualquier forma de onda elctrica de entrada, puede desarrollarse en un espectro de Fourier. Si la onda es peridica, el espectro estar constituido por una serie de senos y cosenos cuyas frecuencias son mltiplos enteros de la frecuencia fundamental, siendo la frecuencia fundamental, la inversa del tiempo que media hasta que la onda se repite (periodo T). Si la onda no es peridica, entonces el periodo fundamental se prolonga desde un tiempo a +. Entonces la frecuencia fundamental (inversa del periodo) es infinitamente pequea. Para este caso las frecuencias de los trminos sucesivos de la serie de Fourier, difieren en su valor infinitesimal, en lugar de un valor finito y la serie de Fourier, se transforma en una integral de Fourier. Para cualquier caso (peridica o no peridica) el espectro incluye trminos cuyas frecuencias van de cero a infinito. Consideraciones sobre la fidelidad o linealidad
Vi(t) Av
Vo(t)
Consideremos una seal elctrica dada por: ___________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Vi(t) = Vm.sen (wt+) Si el amplificador tiene una ganancia de tensin Av (modulo o amplitud) y si la seal sufre un cambio de fase (Angulo de desviacin), entonces la tensin de salida del amplificador tendr la siguiente forma: Vo(t) = Av. Vm . sen (wt + + ) donde: Av. Vm : amplitud de la seal de salida : Angulo de fase de entrada para t= 0 Wt : Angulo instantneo : Angulo de desviacin Esta expresin tambin la podemos expresar como: Vo(t) = Av . Vm . sen [ w (t+/w) + ] Donde D /w resulta el tiempo de desplazamiento que tuvo la seal de entrada al pasar por el amplificador. Como conclusin, podemos decir que si el valor de Av es independiente de la frecuencia y si el desplazamiento de fase es proporcional a la frecuencia (o es nulo), el amplificador conservara la forma de onda de la seal de entrada, si bien la seal se desplaza en un tiempo D /w. Esto nos lleva a considerar que el punto hasta el cual la amplitud de la respuesta del amplificador no es uniforme y el desplazamiento del tiempo no es constante con la frecuencia, nos servir para medir la falta de linealidad o fidelidad que se espera del amplificador. En gral no es necesario especificar la respuesta de amplitud y fase. Conociendo solo uno de ellos, el otro esta determinado.
Vo Vomax 0,707 Vomax
0 f1 10f1 0,1f2 f2 f
Para una etapa amplificadora, la caracterstica o respuesta en frecuencia, se divide en tres regiones: a) La regin de frecuencias medias, donde el modulo de Av es prcticamente constante y el desplazamiento D /w = cte b) La regin de las frecuencias bajas, donde el amplificador puede compararse a un circuito pasivo pasa altos en donde |Av| aumenta con el aumento la frecuencia. c) La regin de las frecuencias altas donde el amplificador se asemeja a un circuito pasivo pasa bajos, en donde |Av| disminuye con el aumento de la frecuencia. ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura anterior muestra la curva tpica de la respuesta en frecuencia de un amplificador, respecto a la tensin de salida. En ella f1y f2 de denominan frecuencias criticas o de corte. Los valores de la s frecuencias de corte corresponden para un valor vo = 0,707. Vomax , siendo Vomax el valor de la tensin de salida para frecuencias medias. Para los valores de f1 y f2 la potencia de salida cae a la mitad del valor a frecuencias medias. Si expresamos la tensin de salida en decibelios, entonces para f1 y f2 Vomax(db) cae en - 3 db. El intervalo de las frecuencias medias, se establece entre 10.f1 y 0,1.f2. Al valor de frecuencia f1 se le denomina tambin frecuencia de corte inferior y a f2, se le denomina frecuencia de corte superior La forma de la grafica para las bajas frecuencias, se deben fundamentalmente a los capacitores de acoplamiento entre etapas y capacitores de desacoplo CE en el caso del amplificador en emisor comn con resistencia de emisor para polarizacion y estabilizacin. La respuesta en altas frecuencias se debe a las capacidades de los elementos activos e inductancias y capacidades parasitas del resto del circuito. El estudio de cada regin, requiere analizar el circuito incremental con los elementos reactivos asociados a cada circuito electrnico en particular. Para simplificar y comprender de manera mas sencilla el fenmeno, desarrollaremos el circuito pasivo pasa altos, para las bajas frecuencias y el circuito pasivo pasa bajos para las altas frecuencias Anlisis de la respuesta en baja frecuencia con el filtro pasivo pasa alto
Resolviendo con la transformada de Laplace tendremos: V2(S) = R . V1(S) / ( R + 1/SC ) La funcin de transferencia en la variable S nos da: Ab(S) = V2(S)/V1(S) = S / ( S + 1/RC ) Vemos que esta funcin tiene un cero en el origen y un polo en S= -1/RC. En el dominio de las frecuencias reales, hacemos S = jw y reemplazamos en la funcin de transferencia: Ab(jw) = V2(jw) / V1(jw) = jw / (jw + 1/RC ) = 1 / ( 1 + 1 / RC. Jw) si hacemos wb 1/RC ; fb = wb/2 ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Ab(jf) 1 / [ 1 j(wb/w)] = 1 / [ 1 j(fb/f)]
Determinando el modulo de Ab(jf) tendremos: ________ / 2 |Ab(jf) = 1 / 1 + (fb/f)| __ Para f = fb |Ab(jf)| = 1/ 2 = 0,707 (frecuencia de corte inferior) __ En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/ 2 = -3 db 10 Para f = fb/10 (fb/f) >> 1 por tanto |Ab(jf)| = 1/10 En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/10 = -20 db 10 Decimos entonces que el modulo (amplitud) cae -20 db por dcada Si calculbamos para f = fb/2 corresponda una cada del modulo de -6 db y decimos entonces que la amplitud cae en -6 db por octava La representacin grafica del modulo y del defasaje, en funcin de la frecuencia, se muestra en la siguiente figura
|Ab(jf)| 0db -3db fb/10 fb Log (f) 10
-20db +90
Defasaje = arc tg (fb / f)
45 0 fb
Anlisis de la respuesta en alta frecuencia con el filtro pasivo pasa bajos
Resolviendo con la transformada de Laplace tendremos: V2(S) = 1/SC . V1(S) / ( R + 1/SC ) La funcin de transferencia en la variable S nos da: Ab(S) = V2(S)/V1(S) = 1 / ( 1 + S.RC ) Vemos que esta funcin tiene un polo en S= -1/RC. En el dominio de las frecuencias reales, hacemos S = jw y reemplazamos en la funcin de transferencia: Ab(jw) = V2(jw) / V1(jw) = 1 / (1 + jw.RC ) = 1 / ( 1 + jw RC) si hacemos wa 1/RC ; fa = wa/2 Ab(jf) 1 / [ 1 + j(w/wa)] = 1 / [ 1 +j(f/fa)] Determinando el modulo de Ab (jf) tendremos: ________ / 2 |Ab(jf)| = 1 / 1 + (f/fa)| __ Para f = fa |Ab(jf)| = 1/ 2 = 0,707 (frecuencia de corte superior) __ En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/ 2 = -3 db 10 Para f = 10. fb (f/fa) >> 1 por tanto |Ab(jf)| = 1/10 En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 1/10 = -20 db 10 Decimos entonces que el modulo (amplitud) cae -20 db por dcada Si calculbamos para f = 2. fb, corresponda una cada del modulo de -6 db y decimos entonces que la amplitud cae en -6 db por octava
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------La representacin grafica del modulo y defasaje en funcin de la frecuencia, se muestra en la siguiente figura: |Ab(jf)| 0db -3db fa 10fa Log (f) 10
-20db 0 fa f
-45 -90
Defasaje = -arc tg (f / fa)
Respuesta global con la respuesta para un amplificador Vo Vomax 0,707 Vomax
0 fb 10fb ve A 0,1fa fa vo f
La grafica muestra la respuesta global con la frecuencia de la tensin de salida del amplificador (vo), donde fb y fa son las frecuencias de corte inferior y superior respectivamente. Previamente hemos analizado las regiones de baja y alta frecuencia, utilizando los circuitos sencillos pasa altos y pasa bajos. Un anlisis cuantitativo de las ___________________________________________________________________ 34 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------tres regiones requiere hacerlo sobre el circuito incremental real del amplificador. El resultado, nos lleva a graficas parecidas a las obtenidas con los circuitos simples antes mencionados. La diferencia sustancial surge en las frecuencias medias que si bien vo se mantiene prcticamente cte., su valor es sustancialmente mayor en los circuitos analizados de los amplificadores, dado el factor ganancia que lo afecta (vo = Av.ve) (los circuitos pasivos tienen ganancia unitaria en la regin que correspondera a las frecuencias medias) Utilizando las formulas desarrolladas anteriormente para determinar la variacin del modulo con la frecuencia, en los circuitos pasivos, podemos presentar una ecuacin global que me represente la variacin de la tensin de salida del amplificador (o en su defecto su ganancia Av) , en todo el rango de frecuencias de funcionamiento. _________ ________ / 2 / 2 | vo | = | vomax | / 1 + (fb/f) . 1 + (f/fa) Analicemos esta ecuacin en las tres regiones: a) frecuencias medias: 10 fb f 0,1 fa 2 2 En este caso se verifica que (fb/f) 0 y (f/fa) 0 | vo | = | vomax | b) Frecuencias bajas: 2 En este caso (f/fa) 0 f 10 fb
_________ / 2 | vo | = | vomax | / 1 + (fb/f) c) Frecuencias altas: 2 En este caso (f/fa) 0 f 0,1 fa
| vo | = | vomax | /
_________ / 2 1 + (f/fa)
Representacin de bode (curvas de Bode) Vimos que la respuesta en frecuencia de un amplificador, o de cualquier red lineal, se determina por medio de las graficas del modulo y del defasaje de la funcin de transferencia ( sea tensin, corriente o potencia). Estas graficas, se les denomina curvas de Bode. Estas curvas, pueden aproximarse mediante porciones lineales. Esta caracterstica de tramos lineales, interconectados, se denomina curvas de Bode idealizadas. Tanto para la representacin del modulo como la fase, se utiliza al eje X, para representar a la frecuencia. Como la variacin de esta ultima, puede comprender un rango de frecuencias desde 0Hz a cientos de KHz o cientos de MHz, resulta ___________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------prcticamente imposible su representacin en una escala lineal. Es por ello que para representar a los valores de la frecuencia, se recurre a una escala logartmica. En ocasiones, se suele representar el valor relativo de la frecuencia, respecto a alguna frecuencia de corte y en escala logartmica, y no su valor absoluto. Por ejemplo se puede representar en el eje de las X el log (f/fa) o log (fb/f). Respecto al eje Y, se representa el modulo de la funcin de transferencia, expresado en decibelios o sea 20 log |A|. Tambin se puede expresar el valor relativo del modulo respecto al valor del modulo para las frecuencias medias, como 20 log (|A| / |Am|). Para el cambio de fase o argumento de la funcin de transferencia se utiliza el eje Y en escala lineal, el valor dado normalmente en grados. Ejemplo: La funcin de transferencia de un amplificador presenta la siguiente caracterstica: _________ / 2 Modulo: | Aa(jf) | = | Am | / 1 + (f/fa) _________ / 2 1 + (f/fa)
Modulo normalizado:
| Aa(jf)| / |Am | = 1 /
Defasaje:
a = -arc tg (f/fa)
Representaremos a continuacin las curvas de Bode, incluyendo las idealizadas. Para estas representaciones, conviene utilizar papel con escala semilogaritmica donde se representar la frecuencia normalizada, respecto a la de corte fa y en ordenadas se utiliza una escala lineal pero expresado el modulo en decibelios.
Modulo 20log|A|/|Am| 0,1 0db -3db -6db 1 2 10 f / fa
-20 db Fase (grados) 0 f/fa -45 -90 ___________________________________________________________________ 36 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para determinar la curva idealizada, vemos que para frecuencias menores a fa, la curva se aproxima a la asntota que coincide con el eje de absisas (frecuencia normalizada). Para frecuencias mayores a fa, la curva se aproxima a la asuntota que tiene una cada de 20 db por dcada (10 veces la frecuencia normalizada) o 6 db por octava (el doble de la frecuencia normalizada. Por lo tanto, la curva idealizada de Bode, para una funcin que tiene un polo, esta dada por las dos asuntotas que se cruzan en la frecuencia fa. No obstante el valor real de la funcin en la frecuencia fa, esta por debajo de 3db. La curva idealizada de la fase se representa por tres asntotas: a) Una horizontal coincidente con el eje de absisas hasta f = 0,1 fa. b) Una asuntota con pendiente -45 que pasa por f =fa y f = 10.fa con una cada de 45 por dcada. c) Una asuntota horizontal que parte desde f= 10.fa hasta f = Las curvas de Bode, se utilizan para representar la respuesta en frecuencia de un amplificador y analizar la estabilidad de los amplificadores realimentados. Distorsin por generacin de ruido en los amplificadores Existe un lmite en la amplificacin de un circuito electrnico. La causa del mismo se debe a la aparicin de una pequea seal en la salida aun cuando no tengamos la seal elctrica de entrada; a este fenmeno, se le denomina ruido del amplificador. Para el caso de recepcin de pequeas tensiones, como las de radiofrecuencias de radio, televisin o radar, puede que sea imposible distinguirlas del ruido de fondo. El termino ruido proviene de la circunstancia que, en ausencia de seal en la entrada, en el parlante de salida de un amplificador de audio, con el control de volumen puesto al mximo, se escucha un chasquido o soplido. El caso de un amplificador de video, suele emplearse la palabra nieve en lugar de ruido, debido a la aparicin de una imagen parecida a la nieve en la pantalla de televisin cuando esta sintonizando una seal muy dbil. Analizaremos a continuacin las diversas causas que pueden provocar estos ruidos. Ruido trmico o de Johnson: Los electrones de un conductor poseen distintos valores de energa debido a la temperatura del conductor. Ligeras fluctuaciones de de energa en torno a los valores de su distribucin mas probable, producen pequeos potenciales de ruido dentro del conductor. Los valores eficaces de la tensin de ruido Vn debido a una resistencia a una resistencia elctrica, dentro de un margen de frecuencias fa fb vienen expresados por la siguiente ecuacin: Vn2 = 4 . K .T. R .B K : constante de Boltzman, en J/k T : temperatura de la resistencia , en k R : resistencia electrica, en, B : ancho de banda , fa fb Debe destacarse que la potencia de ruido existir en un ancho de banda dado, independiente de la frecuencia central del mismo. Tal distribucin, que nos da el mismo ruido por unidad de ancho de banda en cualquier lugar del espectro, se denomina ruido blanco ___________________________________________________________________ 37 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------Por ejemplo si consideramos la resistencia de entrada (Rs) de un amplificador ideal (sin ruido), la tensin de ruido a la entrada del amplificador, la podemos obtener con la formula anterior; para R =1 M , a temperatura ambiente y un ancho de banda de 10 KHz, la tensin de ruido Vn = 13 V. Vemos entonces que si el amplificador tiene un ancho de banda grande, entonces la resistencia de entrada, de la fuente de excitacin (Rs) debe ser baja para no tener excesivo ruido en la salida, teniendo en cuenta que la tensin de ruido tambin sufre el efecto de amplificacin. Efecto Shot o Schottky El ruido Schottky se atribuye a la naturaleza discreta de los portadores de corriente en los semiconductores. Se supone que la corriente de polarizacin es un valor constante en todo instante. Sin embargo la corriente de emisor a colector esta constituida por un flujo de electrones o huecos y solamente es constante el valor medio. La fluctuacin en el numero de portadores se denomina efecto Schottky. El valor cuadrtico medio de la corriente de ruido en un elemento ser: In2 = 2.q.Idc.B q : carga del electrn Idc : corriente continua B : ancho de banda. Si la resistencia de carga es RL, aparecer una tensin de ruido de valor In. RL a travs de la carga. Figura o factor de ruido Definamos los siguientes trminos: SPi (SVi ) Potencia (tensin ) de entrada de la seal NPi (NVi ) Potencia (tensin ) de entrada del ruido debido a RS . Nvi = Vn SPo (SVo) Potencia (tensin ) de salida de la seal NPo (SVo ) Potencia (tensin ) de salida de ruido debido a RS y a cualquier otra fuente de ruido dentro del dispositivo activo. El factor de ruido se define como: NF 10 log10 Potencia de salida del ruido total / potencia de salida del ruido debido a Rs NF = 10 log10 NPo / AP . NPi donde Ap = SPo / SPi ; reemplazando :
NF = 10 log10 NPo. SPi / SPo . NPi = 10 log10 SPi / NPi / SPo / NPo El cociente SP / NP se denomina Relacin de potencia seal-ruido El factor de ruido es la relacin de potencia seal-ruido a la entrada y la relacin de potencia seal-ruido a la salida. Expresado en decibelios resulta la diferencia, en decibelios, entre las relaciones potencia seal-ruido en la entrada y la salida. Puesto que la seal y el ruido aparecen en la misma carga, toma la forma de : ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-3- Relacin de potencia en transistores- Amplif. de potencia- Distorsin --------------------------------------------------------------------------------------------------------NF = 20 log10 SVi / NVi / SVo / NVo = 20 log10 SVi / NVi - 20 log10 SVo / NVo Donde la relacin SV / NV se denomina relacin de tensin seal-ruido Ruido del transistor bipolar Adems del ruido trmico de un transistor, existe un ruido debido al movimiento al azar de los portadores que atraviesan las uniones de emisor y colector, y a la recombinacin fortuita de huecos y electrones en la base. Hay tambin un efecto de reparo debido a las fluctuaciones casuales de la divisin de corriente entre el colector y la base. La experiencia demuestra que un transistor no genera ruido blanco, excepto en la mitad de la banda. La cantidad de ruido generada depende tambin de las condiciones de polarizacin y de la resistencia de la fuente. Por lo tanto para especificar el ruido de un transistor bipolar, hay que dar la frecuencia central, el punto de funcionamiento y Rs. Los fabricantes suministran curvas del factor de ruido para un determinado ancho de banda, y punto de polarizacin y distintos valores de la resistencia de fuente Rs. Tambin suministran curvas del factor de ruido incremental o de una sola frecuencia, para condiciones especificas de polarizacin y resistencia de fuente y distintos valores de la frecuencia de la seal de entrada. Ruido en los transistores de efecto de campo (FET) Los FET, tienen una excelente caracterstica de ruido. Las principales fuentes de ruido son el ruido trmico del canal de conduccin, el efecto Skothhky, provocado por las corrientes de fuga de puerta, y el ruido proporcional a 1/f de los efectos superficiales.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los transistores de efecto de campo FET Introduccin: Los transistores de efecto de campo son unos dispositivos semiconductores en el cual, la corriente controlada, depende de la variacin de un campo elctrico. Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de empobrecimiento o deplexion, MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y MESFET. Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS). Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal n y se los utiliza por su rapidez de conmutacin en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y sistemas lgicos de alta velocidad. El funcionamiento de los FET es ms sencillo que los transistores bipolares y se pueden observar algunas diferencias notables respecto a estos ltimos: a)- Su funcionamiento depende nicamente de la circulacin de portadores mayoritarios, o sea que es un dispositivo unipolar. b)- Es ms simple de fabricar y ocupa menos espacio en forma integrada lo que permite una alta densidad de integracin c)- Tiene una alta impedancia de entrada, normalmente de varios M. d)- Genera menos ruido interno. e)- No tiene tensin de compensacin para corriente de drenado cero lo que resulta un excelente recortador de seal. f) Los JFET (o FET simplemente), tienen relativamente menor producto de ganancia(A) x ancho de banda (B) en comparacin con los transistores bipolares). Los MOS (o MOSFET) tienen su principal aplicacin el los circuitos digitales de alta y muy alta densidad de integracin (LSI y VLSI). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Transistores de efecto de campo de juntura (JFET)
Drenador D Zona p Puerta G Canal n Zona n Puerta G
Drenador D
Canal p
S Fuente o Sumidero JFET DE CANAL N G D
S Fuente o Sumidero
JFET DE CANAL P G D
S JFET TECNICA PLANAR (circ. Integrados ) Fuente Compuerta Drenaje
SiO2
n+
P+ Canal conductor tipo n Substrato tipo p
n+
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Bsicamente el JFET esta constituido por una barra semiconductora tipo n o tipo p con dos terminales en sus extremos denominados drenador y fuente o sumidero. A los lados de esta barra, se crean dos zonas con impurezas opuestas a la de la barra, zona que se denomina puerta o compuerta. La regin que queda entre las dos zonas de puerta, se denomina canal. La corriente de este dispositivo, cuyo valor se quiere controlar, circula entre los terminales drenaje-fuente, cuando se aplica una tensin elctrica entre esos terminales. Esta corriente, atraviesa la zona denominada canal, el cual su conductividad es controlada por medio de la tensin de control puerta fuente (VGS).Si tomamos como referencia al Terminal de fuente podemos decir que la magnitud de la corriente en el terminal de drenaje (iD) es controlada por la tensin de puerta VG Anlisis de su funcionamiento
Para analizar su funcionamiento consideremos un JFET de canal n polarizado segn la figura, para la situacin VGS = VGG = 0 voltios, es decir la puerta cortocircuitada con la fuente y a su vez con el canal. Si ahora aplicamos una tensin pequea entre el drenaje y la fuente, se producir una circulacin de corriente entre estos terminales. A medida que aumenta la tensin aplicada, la corriente de drenaje ID ira creciendo en forma lineal, de acuerdo a la ley de ohm (regin resistiva). Como la puerta esta al potencial de la fuente y a medida que la corriente de drenaje va creciendo, tambin va creciendo la cada de tensin dentro del canal. Esta cada de tensin, se manifiesta como una tensin inversa aplicada entre la puerta y el canal. Como entre puerta y canal tenemos una juntura tipo pn (similar a la de un diodo pn), los portadores de carga en esta zona (electrones si el canal es n o huecos si es p), comienzan a alejarse de la juntura. Esto provoca una disminucin efectiva de portadores de carga en la zona del canal, que produce una disminucin de su conductividad. La corriente de drenaje comienza a disminuir su incremento, respecto a sus valores anteriores. Es decir ya la corriente de drenaje no aumenta en la misma proporcin que lo hace la tensin drenaje fuente. Si seguimos aumentando VDS, el canal seguir aumentando su resistencia ( se dice que se estrecha conductivamente) hasta que se llega a un valor de equilibrio, donde la corriente de drenaje prcticamente se mantiene constante, por mas que VDS siga aumentando. En zona de ID = cte. Se denomina de saturacin o regin de saturacin. Resumiendo: en la zona de saturacin, la corriente ID, no puede aumentar, debido a la cada de tensin que produce su propia circulacin por el canal que, a su vez, como el canal esta unido a la fuente y esta a la puerta por el cortocircuito, se produce una tensin inversa en la juntura puerta canal que hace que este ultimo aumente su resistencia al paso de la corriente. El termino transistor de efecto de campo, se emplea para describir el mecanismo de control de la corriente por la variacin del campo elctrico asociado a la regin de las ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------cargas no neutralizadas (iones de los tomos de Si) en la zona de la juntura puerta canal
iD
VGS= 0 volt
IDSS IDS1 VGS1= -1,5 volt

Vp1= Vp-VGS1
Vp1 Vp VDS
Si ahora aplicamos una tensin externa entre el Terminal de puerta y el de fuente que suministre una tensin inversa adicional a la provocada por la cada de tensin en el canal, la contraccin del canal se va a producir con valores menores de VDS= Vp-VGS, y la corriente de drenaje de saturacin ser menor. Si seguimos aumentando VDS, se llega a un punto donde la corriente iDS, comienza a aumentar drsticamente (sale de la zona de saturacin) por efecto avalancha que produce la ruptura del dispositivo Caractersticas elctricas de salida para el JFET de canal N Zona de saturacin iD Zona de Ruptura VGS = +0,5 volt = 0 = -1 Zona Ohmica VGS-VP vDS=VP vDS Zona de corte = -2
IDSS
IDSS: corriente que circula entre drenaje y fuente para VGS = 0 volt
vDS=VP:
Tensin de contraccin del canal. Cuando hacemos VGS = -VP, resulta ID = 0
Para VGS = 0 volt, el limite entre la zona ohmica y zona de saturacin esta dado para vDS = VP. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Normalmente para el JFET de canal N, VGS toma valores negativos. Si tomara valores positivos, modificara la corriente de drenaje, hacindola mayor, pero tendramos circulacin de corriente de puerta (para VGS > 0,5 v) lo que perderamos una de las ventajas de estos semiconductores que es la alta impedancia de entrada. Las caractersticas de salida VI del JFET de canal P, son similares pero debemos cambiar las polaridades y sentido de las tensiones y corrientes respectivamente. Comparacin zonas de funcionamiento entre el JFET y el BJT JFET BJT Zona Ohmica----------------------Zona de saturacin Zona de saturacin --------------Zona activa Zona de corte----------------------Zona de corte Zona de ruptura-------------------Zona de corte Vamos a continuacin a analizar las distintas zonas de funcionamiento y establecer matemticamente las relaciones entre los distintos parmetros intervinientes. Zona ohmica o de trodo Se la denomina as por la similitud con las caractersticas V-I de la vlvula de vaco amplificadora trodo. Esta zona comprende desde el origen para VDS = 0 volt, hasta la contraccin del canal que para VGS = 0 volt resulta VDS = Vp. La expresin matemtica de la relacin entre la corriente de drenaje iD y las tensiones intervinientes esta dada por: iD = IDSS / VP2. [ 2.( vGSVP). vDS -- vDS2] En forma aproximada, y para grandes seales, el valor de la resistencia del JFET en esta zona la podemos determinar como la relacin entre la tensin de codo y la corriente en la zona de saturacin, para un determinado valor de VGS RDS1 = Vp1/IDSS1, tomando a Vp1= (VGS-Vp) En esta expresin, IDSS y VP( vGS off) son constantes, dependiendo del tipo de transistor JFET. Por otra parte, para la aplicacin de esta formula para canal N, los valores de vGS y VP son negativos y adems tiene validez para - vGS - VP y 0 < vDS < ( vGSVP). En el origen, para valores pequeos de vDS, el JFET se comporta como si fuera una resistencia elctrica hmica lineal cuyo valor puede ser modificado , variando la tensin puerta fuente VGS, de tal forma que RDS = f (vGS). De esta forma se logran las resistencias electrnicas variables con la tensin, denominadas VDR. iD VGS = 0 volt = -1 = -2
vD La expresin matemtica que nos permite determinar el valor resistivo del JFET en esta zona, esta dada por la siguiente expresin aproximada: rds = ro/(VGS-Vp)2 , siendo ro la resistencia del JFET para VGS=0Volt y cuyo valor se puede calcular por la siguiente expresin aproximada: ro (Vp/3)/IDSS. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Zona de saturacin o de contraccin (canal n) Esta zona tambin se denomina de corriente constante ID cte y corresponde para -vGS>- VP y para vDS ( vGSVP) . La corriente de drenaje la podemos expresar como: iD = IDSS / VP2. ( vGSVP)2 = IDSS . ( vGS / VP 1)2 iD = K. ( vGSVP)2 donde K = IDSS / VP2 es el factor de transconductancia La ecuacin anterior representa la caracterstica de transferencia o sea la relacin funcional entre la variable de salida (iD) y la variable de entrada del semiconductor (vGS.) La grafica de esta funcin, es la siguiente: iD IDSS
- vGS
-Vp
vGS
Como vemos la corriente de drenaje es funcin de la tensin puerta-fuente o sea vGS. Para un JFET de canal N, la corriente de drenaje, disminuir a medida que vGS sea mas negativa y se aproxime a VP. Cuando tome este ultimo valor iD = 0. Zona de corte Esta zona corresponde para -vGS- VP (canal N). En el limite -vGS=- VP la corriente de drenaje es cero, significando ello que el canal esta cerrado. La tensin puerta fuente que cierra el canal, tambin se le denomina VGS(off). En la practica iD 0 = iD(off). Zona de ruptura Esta zona es similar al transistor bipolar, respecto a las consecuencias que provocan. A partir de un VDS(MAX), se ingresa a una regin de ruptura por avalancha, que produce la destruccin del semiconductor. Zona de polarizacin directa de la juntura puerta-canal
Funcionamiento normal
V 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para un JFET de canal N, corresponde para valores positivos de VDS. En este caso la corriente de drenaje aumenta pero tambin lo hace la corriente de puerta IGS. Para canal N esta ingresa al canal. (De all el smbolo de la flecha hacia dentro en el JFET de canal N).Para este caso, la impedancia de entrada disminuye, perdindose una de las caractersticas interesantes de los transistores de efecto de campo.
Amplificador bsico con JFET
iD VDD/RD
Q VGS = 0 volt -0,5
ID
-1 -1.5 -2
VDS
VDD
vDS
Como vemos el anlisis de su funcionamiento es similar al amplificador bsico con transistor bipolar, con la diferencia que en las caractersticas de salida, tendremos varias curvas en funcin de los distintos valores de VGS. Para que pueda amplificar ambos semiciclos de la seal de entrada, es necesario suministrarle a la puerta una tensin negativa de polarizacion, que nos ubica el punto de polarizacion en el punto Q ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso, lo logramos con VGG = -1 volt. La resistencia RG se coloca a los efectos de que para la seal alterna de entrada presente el amplificador, una impedancia de entrada alta. La seal de la fuente de seal se sumara y restara a la tensin VGG, provocando una variacin en la corriente de drenaje iD, cuyos valores los encontraremos en la interseccin de la recta de carga con las curvas caractersticas de salida. La variacin de iD, provocar una variacin en la cada de tensin sobre RD cuya componente alterna, ser proporcional a la seal de entrada (amplificada). La tensin de salida sin componente de polarizacion, la obtenemos a la salida del capacitor C2 (vo). Auto polarizacin por resistencia de fuente
iD VDD/RD
VGS = -1 volt ID
VDS
VDD
vDS
En la practica no se utiliza la fuente de tensin VGG y se la reemplaza por una autopolarizacion producida por la corriente de sumidero IS = ID que produce una cada de tensin sobre RS. Esta tensin es aplicada a la puerta a travs de la resistencia RG. VGS = RG. IG RS .ID como IG = 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------VGS = RS.ID La determinacin de la tensin de autopolarizacion por fuente, tambin la podemos determinar, utilizando la grafica de la caracterstica de transferencia y la recta de polarizacion dada por ID = -1 / RS . VGS.
iD IDSS -1/RS ID
-Vp
-VGS
vGS
En la prctica, los JFET de un mismo tipo tienen distintas curvas de transferencias. Los fabricantes suelen dar dos curvas lmites. En este caso la corriente de drenaje del punto de polarizacion estar comprendida entre los valores ID1 e ID2 segn la grafica:
iD IDSS -1/RS ID1 ID2 ID=VGG/RS-1/RS.VGS
-Vp1 -Vp2
-vGS1 -VGS 0
vGS
VGG
Para evitar esta incertidumbre, se combina la autopolarizacion por fuente con una polarizacion positiva de puerta de manera tal que la nueva recta de polarizacion, al estar ms inclinada, interfecta a las curvas lmites de transferencia en valores de corriente de drenaje muy similares.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En este caso la tensin de polarizacin de puerta positiva vale: VGG = [VDD / (R1+R2)]. R2 La tensin de polarizacin puerta fuente resulta VGS = VGG RS. ID y la recta de polarizacion vale: ID = VGG/RS - (1/RS). VGS (ID=IS)
Modelo aproximado del JFET para grandes seales
iD IDSS VGS=0 volt
IDS1 IDS2
VGS1
VGS2 VGS=-Vp 0 Vp2 Vp1 VP vDS
Las caractersticas VI de salida del JFET se pueden linealizar. En zona de saturacin la corriente de drenaje vale: IDS = IDSS / Vp2.(vGSVp)2 = K.(vGSVp)2 ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para VGS = 0 voltios IDS = IDSS Para VGS1 IDS1= IDSS / Vp2.(VGS1Vp)2 En la zona ohmica, como 1 aproximacin la resistencia elctrica del JFET la podemos tomar como una resistencia de valor constante igual a : RDS = Vp / IDSS El limite entre zona ohmica y saturacin para VGS= 0 voltios vale VDS = Vp El lmite entre zona ohmica para un valor de VGS1 vale: VDS = Vp1 = RDS. ID1 Como 2 aproximacin, la resistencia RDS es funcin de la tensin VGS; en este caso para un valor particular VGS1, la resistencia RS1 la calculamos como: RS1 = Vp1/IDS1 siendo: Vp1 = (VGS1-Vp) IDS1= (IDSS/Vp2). (VGS1-Vp)2 = IDSS.(VGS1/Vp-1)2 RS1 = RDS/Vp. (VGS-Vp) En estas condiciones, es posible encontrar dos modelos lineales aproximados del JFET para grandes seales, uno en la zona ohmica y otro en la zona de saturacin. Para la zona ohmica lo aproximamos con el siguiente circuito:
Circuito aproximado del JFET en zona de saturacin:
Modelo equivalente lineal del JFET para pequea seal El circuito equivalente lineal puede obtenerse de la misma forma que los transistores bipolares, teniendo en cuenta que la corriente de drenaje es funcin de vGs y vDS iD = f ( vDS ,vGS ) Ante variaciones o incrementos de estas tensiones, tendremos variaciones o incrementos de iD de tal forma que: ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------iD = iD / vGS |vDS=CTE . vGS + iD / vDS |vGS=CTE . vDS Si hacemos iD = id vGS = vgs y vDS = vds
Y tambin si hacemos gm = iD / vGS y 1 / rd = iD / vDS Donde gm se denomina conductancia mutua o transconductancia.(otra denominacin suele ser yfs o gfs: trans admitancia directa en fuente comn) La rd se denomina la resistencia de drenaje y su inversa es la conductancia de drenaje gd (tambin se denomina yos o gos). El circuito queda:
Para el modelo para alta frecuencia debe considerarse las capacidades entre terminales resultando:
Valores tpicos de los parmetros incrementales del JFET gm : 0,1 10 ma/v rd : 0,1 1 M rgs : > 108 rgd : > 108 Cds : 01 1pF Cgs : 1 10pF Cgd : 1 10pF Problema En las mediciones sobre un transistor JFET, se obtienen los siguientes valores Para VGS = 0 volt VDS = Vp = 4 volt e ID = IDSS = 8ma Determinar: ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) La tensin puerta- canal que hace cero la corriente de drenaje (VGSoff) b) El factor de transconductancia K. c) La resistencia de drenaje RDS para la zona Ohmica Problema Para el circuito de la figura y el JFET cuyos parmetros son los obtenidos en el problema anterior, determinar la corriente de drenaje para los siguientes valores: a)- VDD = 3 volt y VGG = -1 volt b)- VDD = 6 volt y VGG= -1,5 volt c)- VDD =6 volt y VGG = -2 volt d)- VDD = 4 volt y VGG =-4 volt
Problema Para el circuito de la figura, determinar (JFET similar a los problemas anteriores): a)- La corriente de drenaje y la tensin de drenaje para RD = 2 k b)- la Corriente de drenaje y la tensin de drenaje para RD = 5 k
Transistores de efecto de campo de puerta aislada (MOS o MOSFET) Daremos una explicacin simplificada sobre la construccin y funcionamiento interno de estos semiconductores. En gral. Podemos decir que tienen ms importancia comercial que los JFET y amplia aplicacin en los circuitos integrados digitales de muy alta densidad de integracin. Bsicamente, estn constituidos por un sustrato de base tipo P o tipo N, ligeramente drogados con impurezas con impurezas, en el que se difunden dos regiones de tipo N+ o tipo P+, fuertemente drogados, que actan como drenaje y fuente, separadas unos 10 a 20 m. Sobre la superficie se deposita una fina capa aislante de dixido de silicio (Si O2) ( 1000 -2000 A). Sobre la superficie de la estructura se practican ventanas para permitir el contacto del drenaje y la fuente. Posteriormente, se cubre la regin entera del canal con una superficie metlica que hace las veces de puerta. El rea metlica de la puerta, conjuntamente con la capa de
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------dixido de silicio y el canal semiconductor, forma un condensador de placas planas paralelas. La placa aislante proporciona una resistencia de entrada, extremadamente alta de alrededor de 1010 1015 . Las zonas que forman el drenaje y fuente, estn fuertemente drogadas, a los efectos de lograr una unin ohmica respecto al canal semiconductor. Veamos un dibujo simplificado de la estructura de un transistor MOS, implantado sobre un circuito integrado monoltico: Fuente Puerta Drenaje
n+
Zona de canal
n+
Sustrato tipo p
Transistor MOS de deplexion o empobrecimiento Se difunde un canal n entre fuente y drenaje lo cual hace circular una apreciable corriente de drenaje IDSS cuando hacemos VGS = 0 volt y aplicamos una tensin VDS entre los terminales drenaje y fuente.
Fuente
Puerta
Drenaje
n+
++++++
n+
Sustrato tipo p
Si ahora aplicamos una tensin negativa en el Terminal de puerta, respecto al canal (a travs del Terminal del sustrato unido a la fuente), se inducen cargas positivas en el canal, por debajo del bixido de silicio, en la zona que cubre el rea metlica de la puerta.( similar a la carga de un condensador). Como en el canal los portadores mayoritarios que conducen la corriente, son electrones, las cargas inducidas hacen el ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------canal menos conductor y la corriente de drenaje se hace menor, cuando VGS se hace ms negativo. La redistribucin de cargas en el canal provoca un deplexion o debilitamiento efectivo de los portadores mayoritarios. Si hacemos ahora a VGS positivo, se inducen cargas negativas en el canal lo que produce un aumento de la conductividad (enriquecimiento) aumente y con ello, aumente la corriente de drenaje. Veamos las caractersticas de transferencia y de salida VI de este tipo de transistor:
iD
iD IDSS
+2 +1 0 -1 -2 VGS
-Vp
+vGS
Vp
vDS
Smbolos elctricos utilizados para el transistor MOS de deplexion
(A)- MOS de deplexion canal N con fuente unido al sustrato (B)- MOS de deplexion canal P con fuente unido al sustrato (C)- MOS de deplexion canal N con sustrato separado de la fuente (D)- MOS de deplexion canal P con sustrato separado de la fuente
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador bsico con MOS de deplexin
Como el MOS de deplexion puede trabajar con tensin de puerta positiva o negativa, entonces se lo puede polarizar en VGS = 0 volt, Este es el nico dispositivo que se puede polarizar con VGS = 0 volt
iD
Variacin de iD con vGS
-vGS
+vGS
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los amplificadores MOS de deplexion o empobrecimiento, tienen una ganancia de tensin moderada. Como ventaja sobre otros dispositivos es la generacin de ruido interno de baja magnitud, por lo que se lo utiliza en etapas de entrada de amplificadores de radiofrecuencias como receptores de radiocomunicaciones y televisin. Otra caracterstica es la variabilidad de l a ganancia con la variacin de VGS, por lo que tambin se lo utiliza como control automtico de ganancia. Amplificador cascado Algunos MOSFET de deplexion son dispositivos de doble puerta como lo muestra la figura:
Una aplicacin de este dispositivo de doble puerta consiste en la construccin de un amplificador denominado cascado
La seal de entrada ingresa en la puerta inferior. L a puerta superior esta puesta a masa. Debido a su estructura interna, el MOSFET de doble puerta es equivalente a un MOSFET que excita a otro MOSFET. La ganancia de este amplificador, se demuestra que vale Av= gm.RD, siendo gm la transconductancia. Esta ganancia, es igual a la de un amplificador comn con FET, pero tiene la ventaja que la impedancia de entrada a altas frecuencias es mucho mayor debido a que la capacidad de entrada es menor. Por esta caracterstica, este amplificador se lo prefiere como etapa de entrada de amplificadores de alta frecuencia como ser en frecuencias de VHF (30300MHZ) y UHF (3003000 MHZ).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema: Un transistor MOS de empobrecimiento, canal N, que presenta una caracterstica de transferencia segn el grafico, es utilizado en el circuito de la figura.
iD
IDSS= 10 ma
VGS(off)=-4 volt
vGS
Se solicita determinar: a)- La corriente de drenaje ID y la tensin VDS para RD = 4,7 k y VGS= 0 volt. Para VGS =0 volt resulta ID = IDSS = 10 ma (corriente de saturacin) VDS = VDD RD. IDSS = 20 4.7. 10 = --27 volt. Este valor de VDS es un absurdo dado que no puede ser negativo. Esto nos quiere decir que estamos en zona ohmica en donde el valor aproximado de RDS = VP / IDSS VP = --VGS(off) = 4 volt RDS = 4 / 10 = 400 Luego el valor de VDS lo calculamos como un divisor resistivo con RD en serie con RDS VDS = VDD / ( RDS+RD ) . RDS = 1,56 volt b)- La corriente de drenaje y la tensin VDS para VGS = 1 volt y RD = 0 ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso la recta de carga esttica es paralela al eje de absisas y VDS = VDD= 20 volt Adems como VDS > VP=4 volt entonces estamos en zona de saturacin, por lo que para determinar la corriente de drenaje, utilizamos la formula: ID = IDSS/VP2.(vGS VP)2 = 15,63 ma. c)- La corriente de drenaje y la tensin VDS para VGS = --1volt y RD = 3000 Para este caso vamos a suponer que estamos en zona de saturacin, por ello calculamos la corriente de drenaje con la formula aplicada en el punto b ID = IDSS/VP2.(vGS VP)2 = 5,63 ma VDS = VDD RD.ID = 3,2 volt Para verificar el resultado debemos asegurarnos que estamos en zona de saturacin. Para ello determinamos la tensin de codo para la curva correspondiente a VGS = -1 volt VP = RDS. ID = 0,400 k . 5,63 ma = 2,25 volt Como VDS > VP entonces verificamos que estamos en zona de saturacin y el resultado anterior, es el correcto.
Transistor MOS de puerta aislada de enriquecimiento o acumulacin
Fuente
Puerta
Drenaje
n+
_-_-_-_-_-_-_-_-_- - .-
n+ Canal inducidon
Sustrato tipo p
A diferencia del MOS de empobrecimiento, cuando VGS = 0 volt, no existe un canal conductor entre drenaje y fuente. Ahora si colocamos el sustrato al potencial de masa (negativo), y aplicamos una tensin positiva a la puerta, aparecer un campo elctrico perpendicular a la capa aislante. Este campo elctrico, inducir cargas negativas en el sustrato, que son portadores minoritarios. Se forma una capa denominada de inversin. Cuando el valor de la tensin de puerta se hace mas positiva, la carga inducida aumenta, por lo tanto la regin debajo de la capa aislante, en la regin de la ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------puerta, presenta portadores de tipo n o sea electrones. En consecuencia en esta zona, la conductividad elctrica aumenta; si ahora en estas condiciones, aplicamos una tensin elctrica entre drenaje y fuente, se producir una circulacin de corriente que ser mayor cuanto mayor conductividad tenga el canal inducido o sea cuanto mayor sea la tensin elctrica aplicada entre la puerta y el sustrato. En los circuitos prcticos, en gral la fuente se conecta con el sustrato, por lo tanto en estas condiciones la corriente de drenaje la controlamos con la tensin puerta fuente VGS. Veamos las graficas de la caracterstica VI de salida y la de la caracterstica de transferencia para un MOS de enriquecimiento de canal N: iD [mA]
Lmite del comienzo De la saturacin
VDS= vGS-VT 8 6
VGS +15
iD ID (on)
VT VTR Tensin umbral
+10 4 2 VGS VT +5
+5 +10 +15 +20 vDS[Volt] Caracterstica de salida
0 VT VGS(on) vGS Caracterstica de transferencia
Los MOS de enriquecimiento o acumulacin, tienen amplia aplicacin en los circuitos integrados de alta y muy alta densidad de integracin. Las memorias semiconductoras, microprocesadores, etc se construyen con una variante de este semiconductor como es el caso del CMOS. Smbolos elctricos para representar el transistor MOS de enriquecimiento
A)- transistor MOS de enriquecimiento canal N con fuente unida al sustrato B)- Transistor MOS de enriquecimiento canal P con fuente unida al sustrato C)- Transistor MOS de enriquecimiento canal N con fuente separada del sustrato D)- Transistor MOS de enriquecimiento canal P con fuente separada del sustrato ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Zonas de funcionamiento del transistor MOS de enriquecimiento canal N
Zona de corte Esta se produce para una valor de la tensin de puerta-fuente VGS VT, siendo esta ultima la tensin umbral.
Zona de saturacin Esta zona se produce para VGS VT y la tensin de drenaje-fuente VDS (VGS-VT). En este caso la corriente de drenaje se puede expresar por la siguiente formula: iD = K.( VGSVT)2 siendo K el factor de transconductancia medido en [ma/volt2] Esta zona es de corriente constante tericamente; no obstante la corriente de drenaje aumenta con el aumento de VDS. Para tener en cuenta esta dependencia, se puede expresar con la siguiente formula: iD = K.( VGSVT)2 . (1 + VDS / A) siendo A una constante de valor grande.
Zona Ohmica Esta zona corresponde para valores pequeos de VDS y la corriente de drenaje se puede expresar mediante la siguiente ecuacin: iD = 2.K.(VGSVT). VDS
Zona de trodo Esta zona esta definida entre la zona ohmica y la de saturacin. La expresin de la corriente de drenaje en esta zona, es la siguiente: iD= K.[2.( VGSVT ).VDSVDS2] Datos tpicos del MOS de enriquecimiento El valor de VT, tensin umbral, vara de 1,5 a 4 volt dependiendo del tipo de MOS. El fabricante suele dar datos en la zona de saturacin como ser un valor de la corriente de drenaje con un determinado valor de la tensin puerta fuente denominados ID (on) y VGS (on). Otro valor que se suministra, es la resistencia aproximada en la zona ohmica o sea RDS. Para comprender su funcionamiento, desarrollaremos un problema.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Los datos obtenidos de las caractersticas de un MOSFET de enriquecimiento son los siguientes: ID(on) = 1ma VT = 1 volt VGS (on) = 5 volt RDS = 1 K
a) Determinar en el circuito de la figura, el valor de la tensin VDS para VGS = 0 volt Como VGS < VT, entonces el MOS no conduce corriente por lo que no se produce cada de tensin en la resistencia RD y por lo tanto la tensin VDS = VDD = 20 volt. b) Determinar la tensin drenaje-fuente VDS, cuando la tensin VGS = +5 volt En este caso tenemos los datos suministrados por el fabricante que nos dice que para VGS = +5 volt, la corriente de drenaje vale ID = 1ma, en la zona de saturacin. iD 1ma Zona de saturacin Pendiente de la recta de carga -1/ RD
Pendiente 1/RDS en zona ohmica
VDD
Vc
+5
16,4
vDS
Suponemos que estamos en la zona de saturacin entonces podemos calcular la tensin VDS como: VDS = VDD RD. ID = 20 3,6. 1 = 16,4 volt.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para verificar que el clculo sea el correcto, debemos verificar si estamos en la zona de saturacin. Para ello debemos calcular la tensin de codo Vc que limita la zona ohmica y la de saturacin. Vc = RDS . ID = 1 K. 1ma = 1 volt. Como Vc(1v) < VDS(16,4 v), entonces el calculo fue correcto. Debemos aclarar que la zona ohmica en el modelo aproximado del MOS, comprende la zona ohmica conjuntamente con la zona de trodo, del modelo ms exacto. c) Si en el circuito anterior hacemos RD = 36 K, determinar la tensin VDS para VGS = +5 volt. Supondremos primero que estamos en la zona de saturacin por lo que calcularemos a VDS como en el caso anterior VDS = VDD RD . ID = 20 36 . 1 = -16 volt. Esta solucin es un absurdo dado que en ninguna circunstancia real la tensin VDS puede ser negativa. El error se debe al hecho de suponer que estbamos en la zona de saturacin. Calcularemos a continuacin al valor de VDS en la zona ohmica. Para ello debemos considerar el siguiente circuito divisor de tensin:
VDS = [VDD / ( RD + RDS )]. RDS reemplazando valores resulta: VDS = (20 . 1 ) / ( 36 + 1 ) = 0,54 volt. Como VDS < Vc efectivamente estamos en la zona ohmica. d) Determinar la tensin VDS cuando VGS = 8 volt. Supondremos que estamos en la zona de saturacin; para calcular la corriente de drenaje, debemos utilizar la formula: ID = K (VGS-VT)2 Para ello debemos calcular el valor de la transconductancia K. Lo hacemos con los datos suministrados por el fabricante: K = ID(on) / (VGS(on)VT)2 = 1 / (51)2 = 1/16 ma/volt2 Con el valor de K aplicamos nuevamente la ecuacin para el valor de VGS = 8 volt ID = K (VGS-VT)2 = 1/16 . (8 1)2 = 3,06 ma. Con este valor calculamos la tensin VDS: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------VDS = VDD RD. ID = 20 3,6 . 3,06 = 8,98 volt. Verificamos a continuacin si estamos correctamente en la zona de saturacin, Para ello debemos calcular la tensin de codo para la curva correspondiente a VGS = 8 volt Vc = RDS . ID = 1 K . 3,06 ma = 3,06 volt. Como VDS > Vc efectivamente estamos en la zona de saturacin y el calculo anterior fue correcto. Como conclusin de la misma forma que el JFET y el MOS de deplexion, podemos aproximar al MOS de enriquecimiento con dos circuitos lineales: Uno para la zona ohmica y otro para la zona de saturacin, como lo muestra la figura:
Si quisiramos obtener resultados mas exactos, debemos recurrir a las formulas dadas anteriormente para las distintas zonas de funcionamiento. Aplicaciones de los MOSFET de enriquecimiento La mayora de las aplicaciones de estos semiconductores se encuentran en la electronica digital. Vamos a ver algunas utilizaciones bsicas que luego repetidamente, se usan para conformar circuitos mucho ms complejos. a) Circuito inversor con resistencia pasiva
En este circuito las seales son digitales binarias, es decir seales discretas que solo pueden tomar dos valores: alto (1), bajo (0). Si ve < VT (2 volt) no circula corriente de drenaje y la tensin de salida, tomada desde el Terminal de drenaje y masa, resulta vo= VDS = +VDD, ya que no se producir cada ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------de pensin sobre la resistencia RD. Si ve > VT, y RD>> RDS (resistencia ohmica del MOS en zona ohmica) entonces vo = VDS 0 volt. Este circuito, en electronica digital, se denomina inversor y su funcin de transferencia digital se la suele expresar con la denominada tabla de la verdad
ve vo 0 1 1 0 b) Circuito inversor con resistencia activa En los circuitos integrados con tcnica monoltica, las resistencias pasivas semiconductora, ocupan un espacio considerable especialmente si son de valor alto. Una solucin es la de reemplazarlas por las denominadas resistencias activas. Esta, se construye con un MOS de enriquecimiento donde el Terminal de puerta se cortocircuita con el drenador, convirtindose, en un dispositivo de dos terminales con caractersticas cuadrticas en la zona de saturacin.
iD [mA]
VGS = VDS vGS +15
8 6 4 +5 2 0 +5 +10 +15 +20 vDS +10
En este caso siempre se cumple que VDS = VGS. La caracterstica VI de este dispositivo se convierte en:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------iD =K.(vGS-VT)2 reemplazando a vGS por vDS nos queda: iD =K.(vDS-VT)2 Este dispositivo reemplaza a la resistencia pasiva RD, en el circuito inversor:
En el circuito Q1 acta como transistor conmutador y Q2 como resistencia activa. El circuito acta de la siguiente manera: Cuando la tensin de entrada ve es alta(1) >> VT, Q1 conduce corriente y pasa a la zona ohmica con un valor bajo de resistencia entre sus terminales; Q2 recibe una tensin alta en VGS = VDS y por lo tanto pasa a la saturacin con un valor alto de resistencia lo que hace que la tensin de salida vo del divisor resistivo activo , entre las resistencias de Q1 y Q2 , sea un valor bajo(0) dado que: RDS1(Q1 saturac.) << RDS2 (Q2 Ohmica). Cuando ve (0) < VT, Q1 no conduce corriente, esta bloqueado, Q2 esta en zona Ohmica lo que hace RDS1>> RDS2 y por lo tanto la tensin de salida vo VDD (1). El circuito inversor CMOS (inversor MOS complementario) En general, podemos decir que, en electronica digital, el circuito inversor, es el ncleo de todos los sistemas digitales. Comprendiendo su funcionamiento y propiedades, nos permite simplificar el anlisis y diseo de las estructuras mas complejas, como las puerta lgicas NAND, NOR o XOR, que a su vez forman los bloques componentes para mdulos como son los sumadores, multiplicadores, comparadores, multiplexores ,microprocesadores etc. El circuito inversor CMOS, esta formado por dos transistores MOS de enriquecimiento, uno de canal N y el otro de canal P, conectados en una configuracin complementaria como lo muestra la figura. Todo el conjunto tiene un tamao de aproximadamente 0,25m.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Para explicar su funcionamiento en forma simple, supondremos que los transistores trabajan como simples conmutadores y presentan una resistencia al corte infinita (para ve=|vGS| |VT) y una resistencia, en conduccin finita (para ve =|vGS| |VT).
El funcionamiento del circuito es el siguiente: Cuando ve toma valores altos (1) ve = VDD, el transistor N MOS conduce y el P MOS esta en corte. Vemos entonces que tenemos una conexin entre la salida y el Terminal de masa, a travs de la resistencia RN, lo que nos da una tensin de salida v= 0 volt. Cuando la tensin de entrada toma el valor bajo (0) ve = 0 volt, el transistor N MOS pasa al corte ( |vGS| < |VT| ) y el transistor P MOS pasa a la conduccin ( |vGS| > |VT| ) En este caso, se establece una conexin a travs de la resistencia RP, entre la tensin de alimentacin y la salida, haciendo vo= VDD. Como vemos la compuerta CMOS, trabaja como un circuito inversor. ve vo 0 1 1 0 ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------De este anlisis sencillo, podemos sacar las siguientes conclusiones: a) Los niveles de salida alto y bajo son iguales a VDD y a masa b) Los niveles lgicos no dependen de los tamaos relativos de los dispositivos, por lo que los transistores pueden tener un tamao mnimo. Las puertas que exhiben estas caractersticas se denominan absolutas, en contraste con la lgica relativa en donde los niveles lgicos estn determinados por las dimensiones relativas de los transistores componentes. c) En rgimen permanente, siempre existe un camino de resistencia finita entre la salida y VDD o masa por lo que un inversor C MOS que este bien diseado tendr una baja impedancia de salida lo que lo har menos sensible al ruido y a las perturbaciones. El valor tpico de la resistencia de salida, esta en el rango de los k. d) La resistencia de entrada es extremadamente alta ya que la puerta de un transistor MOS es un aislante casi perfecto (SiO2), por lo tanto no consume corriente continua de entrada. En teora la salida de un inversor MOS podra excitar un nmero infinito de puertas (fan-out infinito). En la prctica, incrementar el Fan-out hace que se incremente el retardo a la propagacin. El fan-out no tiene efecto en rgimen permanente pero si degrada la respuesta transitoria. e) No existe ningn camino de circulacin de corriente, entre la fuente de alimentacin VDD y masa cuando la salida y la entradas permanecen con valores constantes, por lo que podemos decir que la puerta no consume potencia en rgimen esttico. Este ltimo punto observado, tiene una importancia crucial y es una de las principales razones por las que los CMOS es la tecnologa digital actualmente preferida para desarrollar los sistemas digitales de alta complejidad, como lo son los microprocesadores. Los primeros microprocesadores que aparecieron a principio de la dcada de los aos 70 (Intel 4004) se implantaron con tecnologa N MOS exclusivamente. La falta de dispositivos complementarios (N MOS / P MOS ), hacia que resultara complicado la implementacin de inversores en dicha tecnologa, con potencia esttica igual a cero. El consumo de potencia esttica es la que impone un estricto lmite superior sobre el nmero de puertas que pueden integrarse en una sola pastilla semiconductora. Con la aparicin de la tecnologa CMOS, permiti, durante la dcada de los 80, conseguir mayores densidades de integracin. Anlisis cualitativo para el comportamiento dinmico del CMOS
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para ello debemos tener en cuenta la capacitancia de salida CL de la puerta que esta formada por las capacitancias de drenador de los transistores P MOS y N MOS, capacitancias de las pistas de conexin y capacitancias de entrada salida. Cuando la puerta pasa de bajo a alto (ve=0 ve= 1), el tiempo de respuesta depende del tiempo que tarda en cargar CL a travs de RP siendo RP la resistencia drenaje-fuente del transistor P (cuyo valor no es constante). En la transicin de alto a bajo (ve=1 ve=0) CL se descarga a travs de RN (transistor N MOS). Determinacin de la curva de transferencia esttica del inversor CMOS Se la puede obtener mediante la curva VI de ambos transistores, superponindolas en una misma grafica pero teniendo en cuenta lo siguiente: IDSP =- IDSN VGSN = ve (tensin de entrada al inversor) VGSP= ve VDD VDSP = vo VDD iDN ve=0 ve=1v Ve=2v ve=2v ve=3v Ve=1v Ve=3v vo
vDSN= vo
vo
Los puntos para determinar la curva de transferencia lo obtenemos por la interseccin de ambos grupos de curvas para valores iguales de la tensin de entrada. Problema Para el circuito de la figura determinar una tabla con todos los posibles valores binarios de las tensiones de entrada y salida
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 2-4- Transistores de efecto de campo ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Para el circuito de la figura, establecer la tabla de la verdad para valores binarios de entrada V1 y V2 , variables entre +0 volt y +VDD y definir adems la funcin lgica que representan.
Problema dem al problema anterior para las variables V1, V2 y V3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Realimentacin de los amplificadores

Introduccin: En este captulo vamos a tratar la realimentacin de los amplificadores, introduciendo el concepto de la realimentacin negativa, mejoras de las caractersticas del amplificador realimentado, como as tambin los criterios de estabilidad que es necesario tener en cuenta al realimentar negativamente los amplificadores electrnicos. La realimentacin de los amplificadores negativamente, la trataremos en forma general para cualquier tipo de circuito amplificador; para ello, debemos previamente recordar la clasificacin de los amplificadores en relacin a los valores de sus impedancias de entrada y salida, en relacin a las impedancias de la fuente de seal y de la carga respectivamente.De otra forma tambin, respecto al tipo de funcin de transferencia. Amplificador de tensin: Este amplificador suministra una tensin de salida proporcional a la tensin de entrada y su funcin de transferencia o factor de proporcionalidad resultan independientes de la resistencia de fuente (Ri) y carga (RL). En el circuito equivalente de Thevenin de este amplificador, para que se cumplan las caractersticas mencionadas, debe ser Ri>>Rs y Ro<<RL. De esta manera se cumple que: VsVi Vo Av.Vi Av.Vs
Para el amplificador ideal de tensin Ri Ro = 0 Amplificador de corriente: El amplificador de corriente, suministra una corriente a la carga, proporcional a la corriente de la seal de entrada, siendo la funcin de transferencia o factor de proporcionalidad, independientes de las resistencias de fuente (Ri) y carga (RL). Para este amplificador, conviene su representacin, en el circuito equivalente de Norton, como muestra la figura. Para que se cumplan las caractersticas deseables debe ser Rs >>Ri y Ro>>RL. Con estas caractersticas, se cumple: Ii Is IL Ai.Ii Ai.Is ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el amplificador ideal de corriente, se cumple Ri = 0 Ro
Amplificador de transconductancia: Este amplificador entrega una corriente a la carga proporcional a la tensin de de la seal de entrada. Este amplificador, se representa como un circuito equivalente de Norton, teniendo la fuente de corriente, caracterstica de transconductancia. Para que este amplificador, cumpla con las condiciones deseadas, debe ser Ri >> Rs y Ro >>RL. Con estas caractersticas se cumple: Vi Vs IL Gm.Vi Gm.Vs En condiciones ideales Ri
y Ro
Vs Vo=VL
Amplificador de tras impedancia o trasresistencia: Este amplificador, entrega una tensin a la carga RL, proporcional a la corriente de la seal de entradas. Para su representacin circuital, se lo hace con un circuito equivalente de Thevenin donde la fuente de tensin dependiente, tiene caractersticas de trasresistencia Rm. El cumplimiento de estas caractersticas, exige Rs>>Ri y Ro << RL. Con estas condiciones se cumple: Is Ii Vo Rm.Ii Rm.Is ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
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En condiciones ideales Ri =0 y Ro = 0
El concepto de la realimentacin: Esta metodologa, se puede aplicar a cualquiera de los amplificadores definidos anteriormente, y consiste en tomar una muestra de tensin o corriente (mediante un circuito de muestreo) y combinarla con la seal de entrada (en un circuito de realimentacin), para luego a este conjunto de seales, introducirla a la entrada del amplificador base. El siguiente dibujo, muestra el diagrama de bloques de un amplificador base, realimentado, con ganancia de transferencia A (que puede ser Av, Ai, Gm o Rm)
Ii I Fuente de seal externa Red mezcladora + Vi Amplificador base A Red de muestreo
Io=I R L
Vo
If Red de Realimentacin
+ Vf -
Fuente de seal: Representa la seal elctrica que se necesita amplificar, proveniente generalmente de un transductor; De acuerdo al tipo de fuente, se la puede representar como un circuito equivalente de Thevenin (una tensin elctrica Vs, seguida de una resistencia elctrica Rs), o un circuito equivalente de Norton (una fuente de corriente elctrica Is, en paralelo con una resistencia elctrica Rs). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Red de realimentacin : Este bloque representa un cuadripolo constituido por una red pasiva formada por resistencias, capacitores e inductancias. Lo normal, es una configuracin de resistencias. Amplificador bsico: En este bloque, el smbolo A representa la relacin, entre las seales elctricas de salida y entrada. Cuando el termino A representa una relacin de tensiones o de corrientes, representa una ganancia de tensin o corriente respectivamente. Cuando esta expresada como relacin entre V / I o entre I / V, no representa una amplificacin en el sentido usual de la palabra. No obstante, se la denomina como la ganancia de transferencia del amplificador base sin realimentacin y representa a las relaciones Av, Ai, Gm y Rm en forma gral. Amplificador realimentado: Cuando consideramos la relacin entre las seales elctricas de salida y entrada del amplificador realimentado, definindola con el smbolo Af, se le denomina ganancia de transferencia del amplificador realimentado. En este caso Af puede representar Aif Io / Is, Gmf Io / Vs o Rmf cualquiera de las relaciones Avf Vo / Vs, Vo / Is. Mas adelante estableceremos la relacin entre A y Af. Circuito de muestreo:
Muestreo de tensin Io + Vo -
Muestreo de corriente Io + Vo -
Amplificador Base A
R L
Amplificador Base A
R L
Red de Realimentacin
El muestreo de la seal de salida puede ser de tensin o corriente. Cuando se muestra la tensin de salida, el circuito de realimentacin se conecta en paralelo con el circuito de salida, como muestra el diagrama de la izquierda. Cuando se muestrea la corriente de salida, el circuito de realimentacin se conecta en serie.(diagrama de la derecha). Es posible encontrar otros tipos de conexiones para tomar una muestra de la seal de salida para realimentar.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Red comparadora o mezcladora: Comparador serie
Fuente de seal
Comparador paralelo + Vi _
+ Vi _
Fuente de seal
Los tipos de comparadores ms comunes son el tipo serie y el paralelo. Para el primer caso, se utiliza cuando la fuente de seal se representa como un circuito equivalente de Thevenin y el segundo, cuando se representa la fuente de seal por un circuito equivalente de Norton. Otro circuito importante que se usa como comparador de seales, es el denominado amplificador diferencial cuya salida resulta proporcional a la diferencia entre las seales a comparar.
Ventajas de la realimentacin negativa Decimos que un amplificador realimentado tiene realimentacin negativa, cuando para cualquier aumento o disminucin de la tensin de salida, la realimentacin hacia la entrada, provoca una disminucin o aumento de la seal de salida, respectivamente. La realimentacin negativa, en cualquiera de los cuatro amplificadores definidos anteriormente, segn su relacin de transferencia, mejora sus caractersticas elctricas. Por ejemplo, si tomamos al amplificador de tensin, la realimentacin, tiende a llevarlo a sus condiciones ideales: Aumenta su resistencia de entrada y disminuye la resistencia de salida que ve la carga. Otra mejora producida es mayor estabilidad de la ganancia de transferencia Af frente a las variaciones de los parmetros elctricos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------de los elementos activos que componen al amplificador bsico. Tambin se obtiene una mejor respuesta en frecuencia, para un amplificador realimentado, que otro sin realimentar. Inconvenientes de la realimentacin negativa Todos los beneficios mencionados, se logran a costa de una disminucin de la ganancia de transferencia con realimentacin Af, respecto a la ganancia de transferencia sin realimentar A. Adems el amplificador realimentado negativamente, debido a elementos reactivos indeseables del circuito, pueden cambiar la realimentacin, volvindola positiva; el amplificador se vuelve inestable y puede entrar en oscilacin. (Genera una seal alterna en su salida, sin seal en su entrada). Por ello, para el amplificador realimentado, se deben tomar precauciones para evitar efectos indeseados. (Anlisis de estabilidad y acciones de compensacin). Clculo de la ganancia de transferencia de un amplificador realimentado Para realizar el clculo cuantitativo, debemos reemplazar los elementos activos por sus modelos elctricos equivalentes para seal incremental para luego plantear las ecuaciones de malla o nudos de Kirchoff. A los efectos de obtener una aproximacin que nos permita poner en evidencia las caractersticas ms importantes de la realimentacin, lo analizaremos en forma mas Gral., independientemente del tipo de amplificador y forma de realimentacin, utilizando los bloques funcionales con las variables intervinientes generalizadas.
Xs
Xd=Xi
Amplificador bsico A
Xo=A.Xi
Mezclador
--
R L Red de realimentacin
Xf=.Xo
Xs: Seal de entrada. Xf: Seal de realimentacin. Xd: Seal diferencia entre la seal de entrada y la seal de realimentacin Xi: Seal de entrada del amplificador bsico. (Xi = Xd) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Xo: Seal de salida del amplificador Este esquema, corresponde a cuatro tipos de realimentacin que son: a) Realimentacin de tensin en serie, b) Realimentacin de corriente en serie, c) Realimentacin de corriente en paralelo y d) Realimentacin de tensin en paralelo. Segn sea el tipo de realimentacin, los valores de Xs, Xd, Xf, Xi y Xo pueden representar corrientes o tensiones, segn sea el caso.
Tipo de realimentacin Seal o relacin Tensin en serie Corriente en serie Corriente en paralelo Tensin en paralelo
Xo Xs, Xf, Xd A
tensin tensin Av Vf/Vo
corriente tensin Gm Vf/Io
corriente corriente Ai If/Io
tensin corriente Rm If/Vo
Io Vi +Amplificador de tensin R L Vi +Amplificador de transconductan cia R L
Vs
+ Vf -
+ Vo -
Vs
+ Vf =.Io -
Realimentacin de Tensin serie
Realimentacin de Corriente en serie
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Ii Amplificador de corriente Is Is If=.Io If =.Vo + Realimentacin de Corriente en paralelo Io R L Ii +Amplificador de transresistencia R L
Realimentacin de tensin en paralelo
En la red comparadora o mezcladora, se suman la seal de entrada (Xs) y la seal de realimentacin, con el signo correspondiente, obtenindose en la salida de este bloque, la denominada seal diferencia o de comparacin (Xd). Xd = Xs Xf = Xi Esta seal diferencia, ser la seal de entrada del amplificador base (Xi). La ganancia de transferencia o funcin de transferencia del amplificador realimentado, se define como: Af Xo / Xs El factor de transmisin inversa se define como: Xo / Xf La ganancia de transferencia del amplificador base, sin realimentar, se define como: A Xo / Xi (en su calculo, incluye la carga debido a RL y a ) Reemplazando valores, obtenemos como expresin de ganancia de transferencia con realimentacin, la siguiente expresin: Af = A / (1 + .A) Esta expresin generalizada, nos permite deducir muchos de las caractersticas importantes de la realimentacin: a) Cuando |Af| < |A|, la realimentacin se denomina negativa o degenerativa. En el caso expuesto la ganancia con realimentacin negativa se obtiene de la divisin de la ganancia del amplificador bsico ideal, con el valor |1+.A|, que resulta mayor a la unidad.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando |Af| > |A| decimos entonces que la realimentacin es positiva o regenerativa. Esta situacin se presenta solamente en los circuitos osciladores de ondas senoidales o, en los amplificadores realimentados no compensados. Pretender usar la tcnica de la realimentacin positiva para aumentar la ganancia de un amplificador lineal, lo hace inestable, provocando seales oscilatorias indeseables en su salida. Ganancia de lazo: La seal Xd=Xi se multiplica por A al pasar por el amplificador base, luego se multiplica por , en la red de realimentacin y finalmente se multiplica por -1 en la red mezcladora o diferenciadora. Como vemos en todo este recorrido Xi se multiplica por .A , valor que se denomina ganancia de lazo o relacin de retorno. La diferencia entre la unidad y la ganancia de lazo, se denomina diferencia de retorno D=(1+.A) Cantidad de realimentacin: La cantidad de realimentacin se le denomina a la relacin entre la ganancia con realimentacin y la ganancia sin realimentacin, expresada normalmente en decibelios: N = dB de realimentacin = 20 log10 |Af / A| = 20 log10 |1 / (1+.A)| Como vemos, si la realimentacin es negativa, N resulta un nmero negativo. Caractersticas grales de la realimentacin negativa A continuacin, vamos a desarrollar algunas de las caractersticas ms importantes de la realimentacin negativa, con la aclaracin que a los efectos de simplificar los desarrollos siguientes, tendremos que hacer algunas suposiciones a saber: 1) La seal de entrada se transmite solamente por el amplificador bsico, de ganancia A y no por la red de realimentacin , de tal manera que si A se hace cero, la seal de salida tambin se hace cero. Este supuesto nos dice que transmite seal solamente de retorno, hacia la entrada.(en los amplificadores reales suele ser bidireccional) 2) La seal de salida, se transmite hacia la entrada solamente por la red y no por el amplificador de ganancia A. 3) El factor de realimentacin es independiente de las resistencias de carga RL y de la fuente de seal Rs . Estabilidad de la ganancia con realimentacin: En el amplificador bsico sin realimentar, la ganancia A puede sufrir variaciones debido a envejecimiento, temperatura, sustitucin de componentes, variaciones paramtricas de los componentes activos, etc. En el amplificador realimentado negativamente, la variacin de A repercute en menor medida sobre Af. La demostracin surge, derivando la ecuacin anterior respecto al valor de A y acomodndola para obtener una expresin en funcin de las variaciones relativas: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------|dAf/Af|=1 /|1+.A|. |dA/A| Vemos que la variacin relativa |dAf/Af| esta disminuida respecto a la variacin relativa |dA/A| en la cantidad 1 /|1+.A|. Por ejemplo si este ltimo valor (llamado sensibilidad) vale 0,1, la variacin relativa de Af, provocada por la variacin de A, se reduce a la dcima parte. Otra forma de ver la insensibilidad de Af respecto de A es hacer que el producto |.A|>>1 entonces tendremos: Af = A / (1 + .A A / .A = 1 / De esta forma la ganancia Af se hace totalmente dependiente de la red de realimentacin. Como sta, esta compuesta con elementos pasivos estables, de la misma forma se comportara Af. Distorsin en frecuencia: Si la red de realimentacin no contiene elementos reactivos, la ganancia Af no ser funcin de la frecuencia, logrndose una mejora en la disminucin de la distorsin de frecuencia y fase (dentro de ciertos lmites de frecuencia).En los amplificadores prcticos realimentados, la curva de respuesta en frecuencia, se hace ms plana, para un rango mayor de frecuencias. Por otra parte si hacemos que tenga una dependencia especial y conveniente con la frecuencia, de la misma manera responder el amplificador realimentado, como podra ser el de un amplificador selectivo en frecuencia.(sintonizado). Distorsin no lineal y ruido: En trminos grales y con acotaciones en los valores de ruido y distorsin no lineal, podemos decir que la realimentacin negativa reduce los niveles de estas tensiones elctricas indeseables. El ruido y la distorsin presentes en la salida de un amplificador pueden considerarse como consecuencias de la introduccin de una tensin espuria en alguna seccin del amplificador y que es amplificada por la parte del amplificador comprendida entre el punto de inyeccin y la salida. Merced al circuito de realimentacin, esta tensin vuelve al punto de origen y, si la realimentacin es negativa, llega a este con fase opuesta a la original y tiende a anular la que le dio origen Por ejemplo, si B2 es la tensin espuria de origen, debido al efecto de realimentacin, aparecer una componente B2f, en la salida del amplificador, cuyo valor lo podemos determinar de la siguiente manera: Aplicando la superposicin, en la salida tendremos el termino B2 y el termino A..B2f obtenido de la componente .B2f que alimenta nuevamente la entrada. El valor de B2f lo obtenemos como suma de estos dos trminos: B2 A..B2f = B2f ; despejando B2f B2f = B2 / 1+.A Como (1+.A)> 1 entonces B2f < B2. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Impedancias de entrada y salida: La realimentacin negativa, mejora las caractersticas de las impedancias de entrada y salida del amplificador realimentado, respecto del amplificador sin realimentar. Por ejemplo para el caso de un amplificador de tensin, es deseable que presente una alta impedancia de entrada para la fuente de seal y una baja impedancia de salida para la carga. La alta impedancia de entrada, evita la sobrecarga y la cada de tensin en la impedancia interna de la fuente de seal. La baja impedancia de salida, tiende a idealizar el equivalente de thevenin de la salida del amplificador, evitando las variaciones de tensin de la salida, por cada de tensin en esta impedancia, ante variaciones de la carga. Para desarrollar este concepto, tomaremos como ejemplo, el caso de un amplificador de tensin que esta realimentado en serie por la tensin de salida. En primer termino determinaremos la impedancia de salida y a los efectos de simplificar los clculos, despreciaremos la impedancia de la fuente de seal (Rs) y la impedancia de salida del amplificador sin realimentar (Ro); adems consideraremos que la red de realimentacin , transmite en forma unidireccional desde su entrada, con la tensin vo, hacia su salida, con la tensin .Vo. Veamos el siguiente circuito que nos permitir realizar los clculos con las aproximaciones mencionadas:
Zs
Ze Calcularemos la impedancia de entrada que ve la fuente de seal como: ze vs / is vs = vi + .vo vo = vo= Av.vi vi = Ri.is Con estas expresiones reemplazando valores y haciendo la relacin vs/is tendremos: zevs/is = Ri. (1+ Av.)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Como (1+Av.) > 1 entonces la impedancia de entrada con el amplificador realimentado se incrementa. Por ejemplo, para el caso del ejemplo del circuito si considerado si que Av =1000, y Ri=50k vf / vo = R1/ (R1+R2) = 0,0476 ze= 50.000.(1+1000.0,0476) = 2,38 M Para la determinacin de la impedancia de salida zo que ve la carga RL, cuando el amplificador esta realimentado, aplicaremos el mtodo de la corriente de cortocircuito. En este mtodo, la impedancia zo la podemos calcular como: zo vo / ioc Siendo vo, la tensin de salida del amplificador de salida en vaco, o sea con RL = y ioc representa la corriente de cortocircuito de salida, o sea para RL = 0 Para calcular la tensin en vaco, aplicamos la relacin de transferencia determinada para el amplificador realimentado: vo = Av.vs / (1+.Av) En el clculo de la corriente de cortocircuit tenemos que tener en cuenta que vo=0 y por lo tanto no tenemos realimentacin, por lo que la tensin en la fuente de tensin del circuito equivalente de Thevenin del circuito de salida vale: Voc = Av.vs La corriente de cortocircuito la calculamos como: ioc = voc / Ro = Av.vs / Ro Con los valores calculados de voc y ioc podemos determinar la impedancia de salida: zo vo / (Av.vs)/ Ro = [Av.vs / (1+.Av)] / [(Av.vs)/ Ro] = Ro / (1+.Av) Como (1+.Av) > 1 entonces la impedancia de salida del amplificador realimentado resulta menor que la impedancia de salida del amplificador sin realimentar. Para el caso del ejemplo si Ro= 1k , Av = 1000 y = 0,0476 zo = Ro / (1+.Av) = 1k / (1+ 0,0476 . 1000 ) = 27,57 Como vemos, se redujo de 1000 a 27,57 Estabilidad de los amplificadores electrnicos realimentados Vimos que la funcin de transferencia de un amplificador realimentado negativamente, se expresa como: Af = A / (1+.A) ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso de realimentacin negativa |1+.A | >1. Si este valor resultara menor a uno (1), se dice que la realimentacin es positiva y para este ultimo caso, resultara: |Af|>|A|. En primera instancia parecera ser un mtodo para aumentar la amplificacin de seales elctricas. En la prctica no resulta conveniente dado que un amplificador con realimentacin positiva, se comporta en forma inestable. La inestabilidad se manifiesta como la posibilidad de que el amplificador comience a oscilar, es decir a generar una seal alterna indeseable en su salida, sin necesidad de aplicar una seal en su entrada. Esta posibilidad, la podemos explicar con el siguiente ejemplo: Supongamos que tenemos un amplificador al cual no se lo alimenta con una seal de entrada, o sea Xs=0; debido a una perturbacin, puede aparecer en la salida una seal Xo que por realimentacin, una parte de esta seal (.Xo) ingresara al circuito de entrada y aparecer en la salida, una seal incrementada de valor .A.Xo. Si este ultimo valor, iguala exactamente al valor Xo, entonces se ha regenerado la salida (espuria) por si misma o sea .A.Xo = Xo (.A = 1). En esta condicin, el amplificador comenzara a oscilar, decir a generar una seal alterna indeseable. Por lo tanto si se intenta obtener una gran ganancia, haciendo |.A| prximo a la unidad, existe la posibilidad de que el amplificador comience a oscilar. Criterio Gral. de estabilidad Habamos visto que si en la expresin Af = A / (1+.A), hacemos |.A| > 1 resulta: Af 1/ . De este resultado, podramos pensar que la ganancia de transferencia con realimentacin puede hacerse enteramente dependiente de la red de realimentacin; adems, si resulta constante y estable, por estar formada con elementos pasivos e independiente de la frecuencia, tambin resultara el comportamiento de Af. En la prctica esta condicin no se cumple enteramente, dado que la ganancia A no es constante, por ser una funcin de la frecuencia. Esto significa que, para ciertos valores altos o bajos de frecuencia, el valor |.A| puede no ser mayor que la unidad. Si tenemos un amplificador con realimentacin negativa para un determinado margen de frecuencias, pero oscila a alguna frecuencia mas alta o mas baja, no se lo puede utilizar como amplificador. Un amplificador realimentado, debe ser estable para todas las frecuencias, es decir frente a una perturbacin transitoria, la respuesta debe desaparecer espontneamente. Un amplificador es inestable, cuando una perturbacin transitoria, persiste indefinidamente o aumenta hasta que queda limitada tan solo por la alinealidad del circuito. Como las relaciones de amplitud y fase del amplificador base y su red de realimentacin, son funciones de la frecuencia, por la presencia de elementos reactivos (condensadores e inductancias) del circuito, y la dependencia con la frecuencia, de los parmetros incrementales de los elementos activos, es posible que para alguna frecuencia, el desplazamiento de fase de este circuito (-.A) denominado ganancia de lazo, sea de 360. Si una seal de esta frecuencia se aplica al amplificador, la seal realimentada, estar en fase con la seal que se quiere amplificar y por lo tanto la seal neta que ingresa al amplificador base ser la suma efectiva de ambas seales, dando lugar a una ganancia resultante de realimentacin mayor que la del amplificador base, dando lugar a una realimentacin positiva, con el consiguiente riesgo de que el amplificador realimentado comience a oscilar; el amplificador entonces se torna inestable. ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 2-5- La realimentacin en los amplificadores electrnicos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para lograr la estabilidad contra la oscilacin, deben ser satisfechas dos condiciones importantes: 1) Cuando la ganancia de lazo (producto .A) es mayor a la unidad, el desplazamiento total de fase del circuito debe ser menor de 360. 2) Cuando el desplazamiento de fase del circuito es de 360, la ganancia de lazo debe ser menor de la unidad. La cantidad por la cual el desplazamiento de fase es menor de 360, para la frecuencia de ganancia unitaria, se denomina margen de fase. La cantidad de ganancia menor de uno para la frecuencia de 360, se conoce como margen de ganancia. Estas magnitudes proporcionan el grado de estabilidad de un amplificador. Los valores dependern de las aplicaciones. Por ejemplo un amplificador lineal que requiere una buena estabilidad, necesitara un margen de ganancia de por lo menos 10 dB y un margen de fase de 50, pero un amplificador de pulsos con un ancho de banda limitado, requerir valores menores, para tener una buena respuesta a transitorios. Otra forma que determina la estabilidad de un amplificador realimentado Negativamente, es analizando su funcin de transferencia en la transformada de Laplace que introduce la variable compleja s = j.w. Para el anlisis, se expresa la transformada en s de funcin de transferencia del amplificador realimentado como la razn de dos polinomios en la variable s. Estos polinomios se los expresa en trminos de sus races y de un multiplicador constante. Las races del polinomio del numerador se les denominan ceros (hacen cero a Af(s)) y la del polinomio del denominador, se le denominan polos (hacen infinita a Af(s)). Estas races pueden ser reales o complejas. Estudiando la ubicacin de los polos en el plano complejo, se puede determinar la estabilidad del amplificador realimentado y su compensacin para estabilizarlo. Por ejemplo si uno de los polos se presenta con parte real positiva, ello da lugar como resultado, un aumento en la magnitud de cualquier perturbacin, en forma exponencial con el tiempo. Por ello la condicin de estabilidad se establece para la condicin de que los polos de la transformada de la funcin de transferencia Af(s), estn todos ellos situados en la mitad izquierda del plano de frecuencia complejo. La estabilidad, como dijimos exige que los polos de Af(s) estn situados en la mitad izquierda del plano complejo, o de otra forma podemos decir que los ceros de la transformada de 1+ (s).A(s) estn todos ellos situados en la mitad izquierda del plano de frecuencia complejo. Otro mtodo para determinar la estabilidad de un amplificador realimentado es representando en el plano complejo (diagrama de Nyquist), la transformada del denominador de la funcin de transferencia con realimentacin 1+(s).A(s) denominado diferencia de retorno.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 3: AMPLIFICADOR DIFERENCIAL Y OPERACIONAL (3-1, 3-2, 3-4) LOS CIRCUITOS INTEGRADOS Un circuito integrado, o tambin llamado circuito monoltico, esta construido sobre una pequea porcin de material silicio, ocupando un rea que varia entre 1 a 5 mm2 y un espesor de aprox. 0,25 mm. Dentro del mismo y sin variacin de su estructura fsica o mecnica, se crean miles de componentes semiconductores, destinados a llevar a cabo desde la simple lgica combinacional, pasando por la amplificacin analgica, hasta la de generar las funciones lgicas muy complejas como la que se requieren en los microprocesadores. Estos circuitos, denominados Chips, no se fabrican en forma individual, sino que se procesan por millares sobre obleas de silicio con dimetro que oscila entre 50 a 150 mm Una vez procesadas y probadas las obleas, se dividen en Chips individuales para luego encapsularlos y realizarles las pruebas elctricas finales. El proceso planar La posibilidad de hacer circuitos integrados, se debe por completo al proceso planar, que, como su nombre lo indica, implica el procesamiento de un solo lado de la oblea de silicio. Este proceso esta compuesto de tres operaciones fundamentales: Oxidacin, Difusin y mentalizacin. Oxidacin: La superficie del silicio se oxida con facilidad a altas temperaturas para formar una delgada capa aislante de oxido de silicio (O2 Si). Por medio de un protector fotogrfico y tcnicas selectivas de grabado se crean ventanas en el oxido, para exponer el rea deseada de la superficie del silicio. Oxidacin: A travs de esas ventanas abiertas, que exponen al area interesada del silicio (el resto de la superficie queda protegida por la mascarilla del oxido), se difunden impurezas de otro material, como por ejemplo el Boro para formar el semiconductor tipo P o el fsforo para generar el semiconductor tipo N. En este proceso las impurezas se presentan en forma gaseosa sobre la oblea caliente, para facilitar la difusin. Esta difusin, de impurezas, se produce tanto en forma vertical hacia el interior de la superficie expuesta de silicio, como en forma lateral, formando una juntura o unin bajo el oxido protector. El enmascaramiento sucesivo, seguidos de las difusiones tipo P y tipo N, hacia el interior del silicio, produce estructuras verticales de diodos y transistores. Este proceso de difusin, actualmente esta siendo reemplazado por la tcnica de implantacin de iones, donde los iones del contaminante, acelerados por un potencial elctrico muy alto, penetran la superficie del cristal de silicio. Metalizacin: Una vez completadas todas las difusiones y formadas las estructuras del dispositivo, se conectan para configurar el circuito, mediante el metalizado de la superficie, con una delgada capa de aluminio, seguido por grabado (como en la fabricacin de circuitos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------impresos pero a escala microscpica), para eliminar todo, excepto el patrn de interconexin entre las estructuras (diodos, transistores, resistencias, capacitores). Por el proceso planar, es posible fabricar muchos tipos de componentes electrnicos como los diodos, transistores bipolares (BJT), transistores de efecto de campo (FET), resistores y condensadores. A la fecha, no se han podido fabricar con xito inductores integrados. Los inductores se los puede simular con circuitos electrnicos especiales (giradores de impedancia). En el dibujo que sigue, vemos una seccin, fuera de escala, de un transistor bipolar y una resistencia integrada:
Aluminio
(Transistor BJT) E B C
(Resistencia)
Oxido de silicio
n+ p
n+ n
p+ n Sustrato tipo P
p+
Difusin de base p
Capa epitaxial tipo n
Las estructuras integradas, como muestra la figura, se encuentran aisladas entre si. El aislamiento es esencial en los circuitos integrados para minimizar la interaccin no deseada entre los componentes, logrndose de la siguiente forma: El punto de partida es, por lo general una oblea de silicio con contaminante tipo P, llamada sustrato. Sobre este sustrato se hace crecer una capaepitaxial cristalina de silicio tipo N. Una difusin P+ profunda a travs de la capa tipo N, se une al sustrato formando pozos tipo N que se aslan unos de otros mediante la polarizacin inversa de sus uniones con el sustrato (el sustrato esta conectado al potencial mas negativo del circuito). En estos pozos, se fabrican los transistores, diodos, resistencias y capacitores. Veamos el dibujo esquemtico de un capacitor integrado:
n Sustrato tipo P
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Metalizacin aluminio
(Capacitor)
Oxido de silicio
P+
n+
p+
Capa Epitaxial n
Transistores bipolares integrados Los BJT tipo npn se fabrican efectuando una difusin de base tipo P seguido de una difusin de emisor tipo N+. Una combinacin de tiempo, temperatura y concentracin de contaminante, determina los perfiles de impurezas. La difusin N+, tambin se aplica al area de contacto del colector, porque la metalizacin de aluminio, que hace la interconexin, es una impureza tipo P (grupo 3) y de otra manera creara una unin rectificadora indeseable en el contacto. Adems de los parmetros de difusin mencionados, el rendimiento de un BJT del tipo planar, esta determinado por su geometra planar de superficie, es decir por las mascarillas que abren las ventanas para realizar el proceso de difusin profunda en el silicio. Si tenemos dos transistores con geometras idnticas y se fabrican adyacentes uno del otro (prximos unos 0,1mm), estn sujetos a condiciones de procesamiento prcticamente idnticas en trminos de ganancia de corriente () y tensin base-emisor (VBE), para una determinada corriente de colector IC. Como los transistores estn muy cercanos desde el punto de vista trmico, sus parmetros variaran prcticamente en la misma medida con la variacin de la temperatura. A esta caracteristica se le denomina comportamiento trmico. En la practica los BJT tienen VBE coincidentes dentro de los 5 mV con menos de 10 v /C de desviacin y sus ganancias de corriente, , coinciden dentro de un 10 % El dibujo siguiente, muestra un transistor integrado tipo PNP.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Colector emisor base
p+
p+
Capa epitaxial tipo n
Sustrato tipo p
Difusin de aislamiento
Es bastante mas difcil producir transistores bipolares PNP, en un proceso esencialmente NPN que esta controlado para producir valores de ganancia de corriente y voltajes de ruptura para dispositivos NPN. Es posible utilizar el sustrato en una estructura PNP vertical que combine el sustrato como colector, el pozo tipo N como base y la difusin de base tipo P como emisor. Esta estructura tiene dos desventajas: La regin de la base es mas bien ancha, lo que da un valor bajo de , y el sustrato (el colector del PNP) se debe conectar al potencial negativo del circuito a fin de lograr el aislamiento de los otros dispositivos. Se puede crear una estructura lateral para el transistor PNP, como la figura anterior, difundiendo al mismo tiempo el colector tipo P y el emisor (la difusin de base para los dispositivos NPN). Este transistor lateral, presenta un rendimiento pobre y variable debido a las tolerancias de la mascarilla y procesamiento. Con frecuencia, los no valen ms de 10. La ganancia en corriente de un transistor lateral PNP se puede mejorar si se combina con un transistor NPN de alta como se muestra en el dibujo:
Diodos integrados
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede fabricar un diodo de juntura con voltaje de ruptura relativamente alto (30 volt) usando la juntura colector base de un BJT integrado. La difusin de emisor resulta innecesaria. Como alternativa, se puede usar la juntura base-emisor (BV7 volt) para aplicaciones de bajo voltaje o de diodo de ruptura. Ninguno es estos dispositivos iguala la caracteristica de entrada de un BJT, a la que se aproxima mucho ms una juntura base-emisor con el colector en corto con la base como muestra el dibujo:
Este transistor conectado como diodo, se usa mucho en circuitos integrados tanto lineales como digitales. Resistores integrados El valor en Ohm de un resistor integrado se logra definiendo con cuidado la geometra de superficie de una difusin de base (o de emisor) que tiene una profundidad y una resistividad controlada. El aislamiento de la regin resistiva, lo proporciona la polarizacin inversa de la juntura con el pozo del colector (o regin de base). La difusin de emisor, con su baja resistividad, es la preferida para resistencias de bajo valor (10 a 10K), mientras que la difusin de base, resulta apropiada para resistencias de valores altos (hasta 50 K). Los valores de las resistencias integradas se calculan mediante el concepto de resistividad de hoja : El material resistivo tiene una resistividad masiva ( en ohmcm) que relaciona la resistencia R con las dimensiones del resistor, longitud (l), ancho (w) y espesor (t) R = . (l / w.t) Si se supone una geometra cuadrada (l = w) la resistencia entre caras opuestas vale: Rs = . (l / l.t) = / t Donde Rs se define como la resistividad de hoja (en Ohm por cuadrado), independiente del tamao del cuadrado. Una resistencia de valor n . Rs, se logra empleando una forma de superficie con n cuadrados de largo, una razn de aspecto n:1(larga y delgada). En forma alternativa, una resistencia menor que Rs, tiene una razn de aspecto menor que la unidad (corta y ancha). En teora, el ancho real de la resistencia carece de importancia pues lo nico que cuenta es la razn de aspecto (para una Rs dada). En la practica, debido a limitaciones fotogrficas, los anchos de los resistores no son menores que 0,025 mm(1milesima de pulgada). Problema Determine la longitud de un resistor integrado recto con difusin de base, con un valor de 8 K, si la resistividad de hoja de la difusin de base es de 200 Ohm por cuadrado. El ancho es de 25 m. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------8000 / 200/cuadrado 40 cuadrados 40 . 25 m = 1000 m Problema: Calcular la razn de aspecto de un resistor de difusin de base con un valor de 50. La resistividad de hoja de difusin de base es de 200/cuadrado 200 / 50 = 4 1: 4 (corta y ancha) Debido a variaciones en los procesos, el valor absoluto de un resistor integrado tiene una amplia tolerancia (20%) pero a igual que los BJT fabricados muy cercanos entre ellos, la tolerancia es de 1% de desvo, del valor de diseo. As mismo, aunque el valor de los resistores integrados varia con la temperatura (+0,2% / C), los resistores fsicamente adyacentes, tienen el mismo coeficiente de temperatura y estn sujetos a la misma temperatura. El efecto de esta caracteristica es que, si bien los valores de los resistores individuales estn sujetos a variaciones de temperatura y tolerancias, las razones entre los valores de los resistores corresponden estrechamente a una geometra de diseo y permanecen constantes con la temperatura. Un problema importante de los resistores integrados, es el area que ocupan; un resistor de 50 K (en difusin de base, ancho de 50 m) ocupa un area de 0,625mm2, en comparacin con los aproximadamente 0,05 mm2 de un BJT representativo de baja potencia. Las imperfecciones de la estructuras del cristal estn distribuidas de manera aleatoria sobre el area de una oblea de silicio y, como cada imperfeccin puede provocar un chips defectuoso, entonces el area del chips debe minimizarse, con el fin de maximizar la produccin de chips funcionales. En vista de lo valioso del area del chips, la resistencia total de chips esta limitada a un mximo absoluto de unos 500 k, pero lo que es mas importante, se utilizan tcnicas especiales de diseo de circuitos, para reducir la resistencia del chips sin preocuparse por el numero de transistores. Esto es lo opuesto a la economa de diseo de circuitos con componentes discretos, donde el costo de un transistor es por lo comn de 5 a 10 veces el de un resistor, cualquiera sea un valor en Ohm.
Condensadores integrados Nosotros sabemos que una juntura PN con polarizacin inversa presenta una capacitancia de transicin. Esta se puede utilizar en los circuitos integrados para obtener condensadores, pero tenemos varis desventajas. El valor de la capacitancia de transicin depende del voltaje inverso y estos condensadores estn polarizados. De igual manera la capacitancia por unidad de area es muy pequea. Una alternativa consiste en crear un condensador no polarizado con electrodos formados por difusin de emisor de baja resistividad y la metalizacin de aluminio separadas por un dielctrico muy delgado (500 A ) de oxido de silicio. Esta estructura tambin tiene una capacitancia muy baja por unidad de area (aprox. 400 pF / mm2) y , por esta razn, la capacitancia total del chips esta limitada por lo general a un mximo de 100 pF. Por lo tanto es imposible integrar condensadores con valores de nanofaradios, lo que implica que las tcnicas de diseo de los circuitos integrados, eviten en lo posible el uso de condensadores. Cuando no se puede evitar el uso de condensadores de alto valor, estos se agregan al circuito externamente. Sin embargo es posible incluir condensadores de condensadores de ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-1- Los circuitos integrados --------------------------------------------------------------------------------------------------------compensacin interna de 3 a 10 pF como en el caso de los amplificadores operacionales que se usan para compensar o estabilizar frente a oscilaciones. Aspectos econmicos A pesar del uso intensivo de apoyos computacionales, el diseo de un circuito integrado, es un proceso largo y costoso. Para que los circuitos integrados sean econmicos, deben producirse en masa y servir a un mercado amplio. Aunque es posible disear circuitos integrados para satisfacer casi cualquier especificacin concebible, si se fabrican en cantidades pequeas, su costo seria prohibitivo, anulando las ventajas de tamao pequeo, bajo peso, alto rendimiento y confiabilidad. Sin embargo, el desarrollo a la medida de circuitos integrados especiales en ocasiones, resulta viable para lograr la seguridad de un producto y una mayor confiabilidad, en particular para equipos militares y espaciales. Los circuitos integrados que es posible conseguir comercialmente, proporcionan una sola funcin, que ha de usarse en grandes cantidades, como los circuitos digitales( compuertas lgicas, contadores microprocesadores, chips de memoria , microcontroladores, etc.) y circuitos de consumo (amplificadores de audio, procesadores de seal de televisin y circuitos para juegos electrnicos) o bien una funcin universal como la de un amplificador operacional que, con unos cuantos componentes externos al circuito integrado, pueden tener muchas aplicaciones en los circuitos y equipos electrnicos.
Escalas de integracin de los circuitos integrados Esta clasificacin esta basada en la densidad de integracin de los componentes que forman la estructura circuital del circuito integrado. Circuitos SSI : ( baja escala de integracin). 10 puertas lgicas hasta 100 transistores. Circuitos MSI: (media escala de integracin). 10 a 100 puertas lgicas ò 100 a 1000 transistores. Circuitos LSI: (alta escala de integracin). 100 a 1000 puertas lgicas 1000 a 10000 transistores. Circuitos VLSI: (circuitos de muy alta escala de integracin).Mas de 10000 puertas lgicas mas de 10000 transistores. Circuitos ULSI: (circuitos de ultra escala de integracin) Mas de 100000 puertas lgicas mas de 1000000 (1 milln) de transistores Circuitos GSI: (circuitos de giga escala de integracin) Corresponde a aquellos que tienen integrado mas de 1000000 de transistores. Como ultimo dato obtenido, respecto al grado de integracin de componentes en un solo circuito integrado, podemos decir que el microprocesador para computadoras Pentium 4 tiene aproximadamente 60 millones de transistores integrados. A la fecha, todava hay signos que muestran que esta cantidad de componentes integrados, siga en aumento Durante el ao que corre, 2007, se public la fabricacin de un circuito integrado que super la barrera de los 100 millones de transistores.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Caractersticas grales de los amplificadores electrnicos De acuerdo al tipo de variables que definen la funcin de transferencia de los amplificadores electrnicos, estos, se pueden clasificar en los siguientes tipos: Amplificador de tensin, amplificador de corriente, amplificador de trans impedancia y amplificador de trans admitancia. Amplificador de tensin: Las caractersticas principales que definen a un amplificador de tensin real son: La ganancia de tensin, la impedancia de entrada y la impedancia de salida
Smbolo del amplificador de tensin
vi
Av
vo
El circuito simplificado, es el siguiente:
vi= v1v2 : tensin de entrada vo : tensin de salida en vaco Zi : impedancia de entrada (es conveniente que sea lo mas alta posible ) Av : ganancia de tensin (para ZL = Av = vo / vi ) Zo : impedancia de salida (es conveniente que sea lo mas baja posible La tensin de salida del amplificador vale: Para ZL = vo = Av . vi Para ZL vo = Av . vi Zo . iL El amplificador de tensin, suministra en su salida, una tensin proporcional a la tensin de entrada.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador de corriente: Suministran en su salida, una corriente proporcional a la corriente de entrada.
Smbolo del amplificador de corriente
Ii
Ai
Io
El circuito simplificado del amplificador de corriente real, es el siguiente:
Yi : admitancia de entrada (es conveniente que sea lo mas alta posible) Yo : admitancia de salida (es conveniente que sea lo mas baja posible) Ii : corriente de entrada Io : corriente de salida en cortocircuito Ai : ganancia de corriente Amplificador de trans impedancia: Suministran en su salida una tensin proporcional a la corriente de entrada
Yi : admitancia de entrada (es conveniente que sea lo mas alta posible) Zo : impedancia de salida (es conveniente que sea lo mas baja posible) Ii : corriente de entrada Vo : tensin de salida en vaco ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Az : ganancia de trans impedancia (medida en valores de impedancia ) Amplificador de trans admitancia: Suministran en su salida una corriente proporcional a la tensin de entrada.
Zo : impedancia de entrada ( es conveniente que sea lo mas alta posible) Yo : admitancia de salida (es conveniente que sea lo mas baja posible) Vi : tensin de entrada Io : corriente de salida en cortocircuito Ay : ganancia de trans admitancia (medida en valores de admitancia mho) El amplificador operacional. El amplificador operacional es un amplificador de tensin. Su denominacin, surge por haberse diseado originalmente (con vlvulas electrnicas), para su aplicacin en los denominados calculadores analgicos, con el fin de resolver elctricamente operaciones aritmticas de suma de variables, resta, derivacin, integracin, multiplicacin, etc. Actualmente se lo usa en numerosos circuitos como generador de funciones trigonomtricas, logartmicos, comparador, instrumentacin par medicin, limitador, oscilador, filtros activos etc. En control de procesos lineales, se lo utiliza en circuitos de control de temperaturas, velocidad, gradientes etc. Fue diseado como originalmente como amplificador electrnico valvular (trodo), luego se lo diseo con circuitos, con transistores bipolares discretos y finalmente se lo construye como un nico modulo o parte de un circuito mas complejo, aplicando la tcnica integrada. Tambin, el AO esta incorporado como parte de un circuito integrado ms complejo Etapas fundamentales que componen un amplificador operacional
vi
Etapa inicial Amplificador diferencial
Etapas de ganancia y desplazamiento nivel de continua
Etapa final amplificador en contrafase clase B
vo
El amplificador operacional fue diseado para amplificar seales elctricas de tensin desde corriente continua hasta varios cientos de Khz. de seales alternas, por lo tanto las etapas de amplificacin (amplificador diferencial) se conectan entre ellas directamente sin condensador de desacoplo de continua (a travs de etapas de desplazamiento del nivel de continua). El amplificador diferencial es la etapa de amplificacin de tension ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------y resulta la ms adecuada a las caractersticas que debe poseer el amplificador operacional y que describiremos mas adelante. La etapa de salida es por lo general un amplificador en contrafase en configuracin colector comn denominado tambin seguidor de emisor. Esta etapa si bien no tiene ganancia de tension, si la tiene como ganancia de potencia y adems tiene una eficiencia terica del 78,5% (en la practica 60%). Otra caracteristica que provee esta ltima etapa es la baja impedancia de salida (zo), que hace que el Amplificador operacional (AO) se aproxime a las caractersticas ideales. Caractersticas principales de la etapa amplificadora diferencial El dibujo que sigue, muestra el circuito bsico del amplificador diferencial balanceado:
Este amplificador tiene las siguientes ventajas con respecto a las otras configuraciones: a) No sufre errores por efecto de la temperatura. Recordemos que un transistor bipolar, el punto de funcionamiento puede modificarse por variacin de los parmetros vBE, Ico y hFE. Como el amplificador amplifica la diferencia de las tensiones de entrada (v1-v2) y si los transistores son idnticos y sufren las mismas derivas de temperatura, ambos puntos de funcionamiento se desplazaran en la misma cantidad y por lo tanto no aparecer como tension diferencial este desplazamiento. b) Por lo explicado en el punto anterior, es posible acoplar directamente dos etapas diferenciales, sin necesidad de capacitores de desacople de la continua, lo que permite amplificar seales elctricas de corriente continua. c) Es un amplificador muy verstil lo que permite utilizarlo en varios modos de funcionamiento a saber: 1) Entrada diferencial------Salida diferencial 2) Entrada diferencial------Salida simple con inversin (defasaje 180) 3) Entrada diferencial------Salida simple sin inversin (defasaje 0) 4) Entrada simple ----------Salida diferencial ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------5) Entrada simple ----------Salida simple con inversin 6) Entrada simple-----------Salida simple sin inversin Entrada diferencial: Las tensiones elctricas en la entrada, se aplican a cada una de las bases de los transistores y masa. Salida diferencial: La seal amplificada, se toma entre los colectores de los transistores. Entrada simple: La tension de entrada se aplica a una de las bases de los transistores; la otra base, se conecta a masa. Salida simple: La tension amplificada se toma de uno de los colectores de los transistores y masa. Comportamiento del amplificador diferencial balanceado con grandes seales Observando el circuito del amplificador diferencial, consta de dos transistores idnticos, acoplados de manera simtrica en sus emisores, con corrientes de polarizacion, suministrada por una fuente de corriente constante (Io). La s tensiones de entrada, v1 y v2, se aplican en las bases de los transistores, y las corrientes de salida, estn disponibles en los colectores. La conversin a las tensiones de salida, se logra mediante la incorporacin de resistores de carga en colector, RC1 = RC2, que estn conectados a la tension de alimentacin +VCC. Del circuito vemos lo siguiente: v1vBE1 = vE = v2vBE2 ; despejando la diferencia v1v2 tenemos v1v2 = vBE1vBE2. Por otra parte se cumple: iE1 = iE2 = Io / 2. Si las ganancias de corriente son iguales (1 = 2 = ) entonces se cumple: iC1 = iC2 y vo1 = vo2. Este equilibrio se altera si mantenemos por ejemplo constante a v2 y variamos v1. Aumentar v1 por encima de v2, hace que vBE1 exceda a vBE2, por lo tanto Q1 conduce mas corriente que Q2, pero la fuente de corriente constante Io, obliga a que siempre la suma de las corrientes de los emisores sea constante. De esta forma iC1 aumenta a costa de una disminucin de iC2. De la misma manera, si v1 disminuye por debajo de v2, la conduccin de Q1 se reduce y la de Q2 aumenta. Las variaciones en las tensiones de entrada en torno al estado de equilibrio, hacen que la corriente de polarizacion (en CC), vare de un transistor a otro, dependiendo del sentido de la diferencia entre los voltajes de entrada (v1-v2). Las corrientes de colector de Q1 y Q2, as como los voltajes que generan en RC1 y RC2, son medidas de la diferencia entre los voltajes entre v1 y v2. Como veremos, esta relacin no es lineal para grandes seales, pero si lo es para pequeas seales. Analizaremos primero el comportamiento para grandes seales, partiendo de la ecuacin generalizada del diodo iE = Is [1+e(q.vBE / K.T) ] Is . e(q.vBE / K.T) para conduccin directa q: carga del Electronica ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------K : constante de Boltzman T : temperatura absoluta en K Aplicando esta ecuacin a Q1 y Q2 tendremos: iE1 = Is1 . e(q.vBE1 / K.T) iE2 = Is2 . e(q.vBE2 / K.T) Si suponemos a los dos transistores idnticos (con tecnologa integrada prcticamente se logra) tendremos: Is1 = Is2 = Is T1 = T1 = T 1=2 = Como a su vez se cumple: Io = iE1 + iE2 = cte. Reemplazando en esta expresin los valores de las corrientes de emisores por sus formulas respectivas tendremos: Io = Is.[ e(q.vBE1 / K.T) + e(q.vBE2 / K.T) ] Operando esta expresin llegamos a lo siguiente. Io = Is. e(q.vBE1 / K.T)[ 1 + e(q.vBE2 / K.T) / e(q.vBE1 / K.T) Io = .iE1.[ 1 + e(q.vBE2 / K.T) / e(q.vBE1 / K.T) e(q.vBE1 / K.T) ] Io = iE1.[ e(q.vBE1 / K.T) ] + e(q.vBE2 / K.T) ] /
] = iE1.[ e(q.vBE1 / K.T)
+ e(q.vBE2 / K.T) ] / e(q.vBE1 / K.T)
IE1/Io = [ e(q.vBE1 / K.T)] / [ e(q.vBE1 / K.T) + e(q.vBE2 / K.T) ] IE1/Io = 1 / 1+ [e q.(vBE2-vBE1)/KT ] Teniendo en cuenta adems: iC1 = .iE1 y iC2 = .iE2 ( vBE2vBe1) = (v2v1) reemplazando en la expresin anterior: iC1 = .Io / 1+ [e q.(v2v1)/KT ] iC2 = .Io / 1+ [e q.(v1v2)/KT ] Para v1 = v2 iC1 = iC2 = 0,5 . .Io que representa el estado de equilibrio. Estas ltimas ecuaciones son aproximaciones al comportamiento en CC para grandes seales, aplicadas al amplificador diferencial. La relacin como se puede observar, no es lineal entre las corrientes de los colectores y la diferencia de la s tensiones de entrada ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------v1 y v2, pero si graficamos estas ecuaciones, podemos hacer algunas observaciones interesantes:
iC2/ Io
iC / Io
iC1 / Io
0,5
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
(v1-v2)/(K.T/q)
1) La caracteristica de transferencia es mas o menos lineal a lo largo del voltaje diferencial de entrada KT/q (aprox. 50 mv pico a pico). 2) La pendiente de las curvas de transferencia depende de la corriente Io; se puede entonces variar la ganancia (transconductancia), variando Io, sin afectar la linealidad en la regin central. Este efecto se aprovecha en los controles automticos de ganancia, moduladores en radiocomunicaciones, en los multiplicadores lineales que multiplican dos seales analgicas, funcin muy til para los sistemas de comunicaciones e instrumentacin. 3) El amplificador diferencial es un limitador natural; vemos que no se producen cambios en la salida para excursiones de la entrada superior a KT/q o 100 mv. Esta es la base de los circuitos comparadores de tension y de los circuitos lgicos de cambio de corriente como los de lgica con acoplamiento por emisores (ECL). 4) La salida se puede tomar del colector de cualquiera de los dos transistores (salida nica o simple), o en forma diferencial entre los dos colectores (salida diferencial). 5) Si v1 aumenta en relacin a v2, iC1 aumenta y vo1 cae, por lo tanto con respecto a esta salida, la base de Q1 es una entrada inversora y la base de Q2, es una entrada no inversora. De la misma forma pero a la inversa, si tomamos como referencia la salida vo2.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------6) La seal de salida, es solo funcin de la diferencia de las entradas y de Io. Si conectamos entre si las bases, el circuito se encontrar en equilibrio con las corrientes de emisores y colectores iguales, suministrada por Io. Si Io no cambia al variar la tension en modo comn, la tension de salida en los colectores, no cambia. 7) Este amplificador no necesita condensadores de acoplamiento; la conexin se hace en forma directa, dado que depende de la diferencia de tensiones de entrada y estas pueden conectarse a diferentes tensiones continuas. Los transistores discretos no resultan convenientes para amplificar tensiones continuas, inclusive utilizando un amplificador diferencial, dado que no es posible encontrar transistores iguales que tengan los mismos parmetros elctricos e iguales derivas con la temperatura. Si se puede logra aplicando la tecnologa integrada. No obstante vemos que la pendiente de la caracteristica de transferencia (transconductancia), es funcin de la temperatura como vemos al diferenciar la funcin: diC1/d(vi-v2) = q..Io / 4.K.T = gm (transconductancia diferencial). Como vemos este valor resulta igual a la mitad si consideramos un solo transistor. Anlisis del amplificador diferencial con pequea seal Para el anlisis del amplificador diferencial con pequea seal de corriente alterna, utilizaremos el modelo incremental mas simple (modelo pi) para los transistores. Para encontrar el circuito para el anlisis, debemos recordar que las fuentes de tension independientes son cortocircuitos a mas y la fuentes de corrientes independientes son circuitos abiertos (resistencia interna infinita). Supondremos adems que los dispositivos son idnticos y soportan la misma temperatura, y los resistores de carga RC son iguales
Sumando las corrientes en el nudo X tenemos ib1+hfe.ib1+ib2+hfe.ib2 = 0 operando llegamos a lo siguiente: ib1 = - ib2 Aplicando la ecuacin de malla: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------v1-ib1.rbe + ib2.rbe v2 = 0 v1 v2 = 2.ib1.rbe Por otra parte Vo1 = -RC.hfe.ib1 reemplazando el valor de ib1 de la expresin anterior tenemos: Vo1 = - hfe.RC / 2.rbe. (vi- v2 ) De esta forma la ganancia de tension Av vo1/(v1-v2) resulta: Av1 = - hfe.RC / 2. rbe como re rbe/hfe siendo re la resistencia de emisor, tenemos Av1 = - RC / 2.re. De manera similar podemos obtener Av2 Av2 = + RC/ 2. re La ganancia de tension diferencial la obtenemos como Av ( vo1vo2)/ ( v1v2) Av = -RC / re Vemos que la ganancia Av1 y Av2 resulta la mitad que la del amplificador en emisor comn, dado que ambos transistores comparten la mitad de la tension de entrada. Cuando tomamos la ganancia diferencial, se restaura el valor de la ganancia respecto al circuito en emisor comn. La resistencia de entrada diferencial la obtenemos como Re = (v1v2) / ib1 = 2 . rbe Ganancia del amplificador diferencial en modo comn Operando esta expresin tenemos:
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Los amplificadores diferenciales deben responder nicamente a la diferencia entre las dos seales de entrada (v1-v2). Si hacemos iguales a v1 y v2, conectando entre si las dos bases, la tension de salida no deber cambiar en respuesta a la seal en modo comn V= V1 = V2. Para que se de esta condicin de rendimiento ptimo como amplificador diferencial, que no amplifique las seales en modo comn, la fuente de corriente que suministra Io, debe ser ideal, es decir debe suministrar siempre Io = cte. Esto se cumple si su resistencia equivalente paralelo, tiene un valor infinito Ro Vamos a analizar, con el circuito anterior, la situacin donde Ro es un valor finito y conectado a una fuente de alimentacin negativa (masa para las seales incrementales). En esta condicin, en el modo de salida simple existe una respuesta en la salida, cuando aplicamos en la entrada una tension en modo comn V; es posible entonces definir una ganancia de tension en modo comn (GMC) como: GMC vo1 / V o GMC vo2 / V En este caso, como el circuito es simtrico, cuando aplicamos la tensin de entrada V resulta: ib1 = ib2 y vo1 = - hfe. ib1. RC. Por otra parte, la tensin en modo comn V, la podemos expresar mediante el desarrollo de la ecuacin de malla como: V = rbe.ib1 + Ro. (1+hfe). ib1 + Ro.(1+hfe). ib2 = rbe.ib1 + 2.Ro.(1+hfe).ib1 Con los valores obtenidos de vo1 y V calculamos la ganancia en modo comn: GMC vo1 / V = (-hfe.RC) / (rbe+2.(1+hfe).Ro -RC /(re+2Ro para hfe>>1 y Rbe = (1+hfe).re Finalmente si Ro>> re la ganancia en modo comn se puede expresar: GMC -RC / 2.Ro Resumiendo, lo ideal es que GMC = 0 y esto se logra haciendo que la fuente de corriente constante Io, sea constante,; para ello Ro debera ser infinito. La relacin de rechazo en modo comn Se la define como la relacin entre la ganancia diferencial y la ganancia en modo comn. Esta relacin es til para estimar las caractersticas de un amplificador diferencial, para rechazar las tensiones de modo comn. (RRMC o CMRR). RRMC Av1 (ganancia diferencial) / GMC (ganancia en modo comn) Reemplazando por los valores obtenidos, tendremos: RRMC = (RC/2re) / (RC/2Ro) = Ro /re Este valor por lo general se expresa en decibeles: RRMC (db) = 20 log10 RRMC El resultado demuestra la necesidad para el rechazo alas tensiones en modo comn que la fuente de corriente sea ideal o sea Io = cte. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------En el modo de salida doble o diferencial, si el circuito es simtrico, ambos tensiones de colector variaran el la misma medida, por lo que el voltaje diferencial es cero, lo que da una ganancia en modo comn cero. No obstante la simetra en la prctica no es posible, por lo que siempre, aparecer una tensin de salida diferencial en modo comn. Problema Para un amplificador diferencial balanceado, se solicita: Determinar la ganancia de tensin para salida nica (simple) y la impedancia de entrada diferencial, teniendo en cuenta que Io = 5 ma , RC = 4,7 K y hfe()=100 1) calculamos las corrientes de emisores: IE1 = IE2 = 0,5 .Io = 0,5 . 5 =2,5 mA. 2) Con este valor calculamos la resistencia incremental del emisor: Re () = 25 / IE (mA) = 25 / 2,5 = 10 3) Con el valor de re y RC calculamos la ganancia diferencial con salida simple: |Av1| = |Av2| = RC / 2.re = 4700 / 2.10 = 235 4) Calculamos a continuacin la impedancia de entrada diferencial Re = 2.rbe = 2. (1+hfe).re = 2.(1+100).10 = 2,02 K Problema Para el amplificador diferencial del problema anterior, calcular la ganancia en modo comn y la relacin de rechazo en modo comn, si la impedancia de la fuente de corriente constante Io, tiene una valor de resistencia interna Ro =2,2K. 1) Calculamos la ganancia en modo comn: |GMC| = RC / 2.Ro = 4,7 / 2. 2,2 = 1,066 2) Calculamos ahora la relacin de rechazo en modo comn: |RRMC| Av1 / GMC Ro / re = 2200 / 10 = 220 RRMC (db) 20 log10 |RRMC| = 46,85 decibeles Realimentacin por emisor del amplificador diferencial balanceado Con la finalidad de aumentar la linealidad del amplificador, respecto a la amplitud pico a pico de la tension de entrada diferencial (v1-v2), mejorar la estabilidad de la ganancia, y a su vez aumentar la impedancia de entrada diferencial Re, se le incorporan resistencias RE en los emisores de los transistores. Estas mejoras se consiguen sacrificando el valor numrico de la ganancia del amplificador. Calcularemos primero la impedancia de entrad diferencial
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Re = 2.(1+hfe).re ( sin resistencia RE) Re = 2.(1+hfe).re +2.(1+hfe).RE = 2.[rbe + 2.(1+hfe).RE] (con resistencia RE) Calculemos ahora la ganancia de tension diferencial con salida simple: Av1 vo1 / (v1-v2) = - RC / 2.re (para hfe>>1 y sin resistencia RE) Av1 vo1 / (v1-v2) = - RC / 2.(RE +re) (para hfe>>1 y con resistencia RE) Si RE >> re entonces la expresin de la ganancia nos queda: Av1 - RC / 2.RE En este ultimo caso vemos que la ganancia de tension diferencial con salida simple, depende de los valores de las resistencias externas conectadas al circuito y no de los parmetros elctricos de los transistores, que dependen de factores como la temperatura, que lo pueden modificar (re). Veamos el circuito modificado:
Si quisiramos aumentar mas la impedancia de entrada diferencial, entonces resulta conveniente reemplazar los transistores Q1 y Q2 por pares Darlington. En este caso la impedancia de entrada diferencial se puede expresar como: Re 2. (hfe.re + hfe2.RE) Las fuentes de corrientes en los amplificadores diferenciales Las fuentes de corrientes, son circuitos electrnicos que proporcionan las corrientes de polarizacion del par diferencial u otras aplicaciones como por ejemplo la de generar rampas lineales de tension, para generar ondas no senoidales. Una fuente de corriente ideal, suministra una corriente constante, independiente de las ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------variaciones de la impedancia de carga y del voltaje aplicado. Las fuentes de corrientes reales, se pueden representar, utilizando el circuito equivalente de Norton, que esta formado por una fuente de corriente ideal en paralelo con una resistencia.
Como vemos una fuente de corriente real, se acerca a la ideal, cuanto mayor sea el valor de Ro. Para el caso del par diferencial es conveniente que Ro sea lo mas alto posible para de esta forma disminuir al mximo la ganancia en modo comn GMC y aumentar as la relacin de rechazo en modo comn RRMC. La fuente de corriente mas sencilla, la logramos usando un simple resistor cuyo valor se calcula aplicando la ley de Ohm con base a la corriente requerida y tensin, a travs de la resistencia
Si quisiramos lograr una fuente de corriente de 1ma con una resistencia interna equivalente en paralelo de 1M, necesitamos entonces aplicar una tension V = R. I = 1mA. 1 M = 1 Kvolt Esta tensin tiene un valor muy alto para una aplicacin practica, por lo que es necesario recurrir a una fuente de corriente activa , como la que puede suministrar la corriente de colector de un transistor bipolar.
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para este caso IE IC VE = VB VBE VB = VCC / ( RA +RB ) . RB IC IE = VE / RE = (VB-VBE) / RE CTE El inconveniente de este circuito es que no tiene estabilidad con la temperatura por la variabilidad de VBE con la temperatura (aprox. varia en -2 mv/C). Esto se puede compensar mediante la introduccin de diodos en la cadena de polarizacion, como muestra el circuito modificado:
Si despreciamos la corriente de base podemos plantear las siguientes expresiones: VE = VB-VBE VB = [RB / (RA+RB)] . (VCC-nVD) + nVD VE = [RB / (RA+RB)] . (VCC-nVD) + nVD VBE operando tenemos: VE = [ RB /(RA+RB)].VCC + [ RA / ( RA+RB)] . nVD VBE Para que VE y por lo tanto IC sea independiente de la temperatura, debemos hacer que los dos ltimos trminos de la expresin anterior se anulen o sea: [ RA / ( RA+RB)] . nVD = VBE Esta igualdad deber cumplirse para todo el rango de variacion de la temperatura. De esta manera la tension VE nos queda: VE = [RB / (RA+RB)]. VCC IC IE = VE / RE CTE En el caso de circuitos integrados, se puede lograr que VD = VBE en la cadena de diodos para todas las temperaturas. El numero de diodos n determina la razn RB / RA requerida. Por ejemplo si n = 2 , deber ser RA = RB para que se anulen los trminos requeridos de la expresin anterior. Si n = 3 RB = 2.RA. ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para los circuitos discretos, un mtodo alternativo es reemplazar la resistencia RB por un diodo Zener de ruptura que posea la misma variacin de temperatura (VZ) que la juntura base-emisor del transistor . Esto se logra con diodos Zener con VZ 3,9 volt. En circuitos integrados no se utiliza esta tcnica. Espejos de corriente Esta tcnica es utilizada en los circuitos integrados, para suministrar corriente constante a varios bloques del circuito completo.
El circuito de la figura es el esquema bsico del espejo de corriente en la versin npn. Se aplica una corriente de referencia de entrada suministrada por el transistor Q1, conectado como diodo de valor I1 = (VCC-VBE) / R1. Con este valor de corriente, se fija un valor apropiado para VBE1, obligando a Q2 a tener el mismo valor en su juntura base-emisor VBE2 = VBE1. Si los transistores son iguales y tienen infinita, la corriente que fluye por Q2 es igual a la corriente de Q1. Entonces I1 = I2 si los son infinitos. Si no lo son I1 I2. I1= hfe.IB1 +IB1 + IB2 = hfe.IB + 2IB = IB.( +2) Como I2 = .IB1 = .IB resulta: I2 / I1 = / (2+) Como vemos, el circuito es sencillo y solo requiere una cada de tension VBE. Sin embargo, este circuito posee una resistencia de salida, como fuente de corriente, moderadamente alta y adems depende de la relacin de hFE que puede variar con la temperatura. Adems la relacin de corrientes depende tambin de la diferencia entre las tensiones bases emisores de los transistores. Un anlisis, nos lleva a la siguiente expresin: I2 / I1 = Is1 / Is2 = e q.VBE / K.T . Por ejemplo para T= 290K y VBE = 1mv el error es del 4%. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli para IB1 = IB2
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito repetidor mltiple
Podemos agregar transistores de espejo adicionales a fin de proporcionar varias fuentes de corrientes. Si usamos n transistores incluido el dispositivo de referencia, conectado como diodo, se puede demostrar que, en ausencia de errores de desigualdad, las corrientes de las fuentes valen: I2 = I3 = In = I1. ( / ( +n). En estos circuitos, se pueden obtener otras relaciones de corriente, colocando en paralelo los transistores, resulta I2 + I3 2. I1. En algunos casos los errores de desplazamiento VBE, se minimizan, colocando resistencias en emisor. Espejo de Wilson
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Es un circuito ms complejo. Este, reduce la dependencia de la razn de corriente respecto a y eleva la resistencia de salida con solo aadir otro transistor y otra cada de tension VBE a travs del circuito: I1 = (VCC2VBE) /R1 El anlisis de este circuito conduce a: I 2/ I1 = (2 +2. ) / (2 +2. + 2) 1 La resistencia de salida aumenta por realimentacin serie, y el transistor Q3 conectado como diodo, al emisor de Q2, proporciona una corriente de salida I2 menos dependiente del voltaje de colector de Q2 que en el circuito bsico. Problema Calcular la reduccin de la dependencia de del circuito Wilson, con respecto al circuito bsico, para = 10 y = 100 Espejo de corriente bsico I 2/ I1= 0,833(=10) I 2/ I1= 0,98(=100) Espejo de corriente Wilson I 2/ I1= 0,984(=10) I 2/ I1= 0,9998(=100) Cargas activas En los diseos de los circuitos integrados, por razones de espacio y economa, resultan ms barato y reducido los componentes activos (transistores y diodos), que los componentes pasivos. Por lo tanto, la tcnica integrada trata de minimizar las resistencias y si es posible reemplazarlos por componentes activos. Lo mismo en lo que respecta a condensadores. De all que resulta excelente, el amplificador diferencial para su integracin dado que no utiliza condensadores y la fuente de corriente se puede generar por un espejo de corriente. Tambin se pueden reemplazar los resistores conectados en colector RC por transistores conectados como diodos como muestra la figura:
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Con n diodos, la resistencia dinmica equivalente es n .re En este caso, la ganancia de tension con salida nica para pequea seal vale: |Av1| = |Av2| = RC / 2.re = n.re / 2.re = n / 2 Como solo podemos conectar una limitada cantidad de diodos (dada la cada vBE0,75 volt de cada uno de ellos) entonces las ganancias son limitadas pero como ventaja tenemos una mayor linealizacin, con poca distorsin, al anularse re. La capacidad total de diferenciacin de un amplificador diferencial, se puede mejorar, utilizando un espejo de corriente como lo muestra la figura:
El espejo de corriente lo forman los transistores pnp Q3 y Q4. El transistor Q1 proporciona la corriente I1 para el espejo de corriente y no se usan resistores. Como I3I2, la corriente de salida ID = I2I3 en un nivel de impedancia aproximadamente igual a rce de Q4 en paralelo con la resistencia de salida de Q2. Despreciando el efecto de carga de los circuitos subsecuentes, podemos lograr altas ganancias de tensin entre la entrada diferencial y la salida.. Se puede demostrar que la resistencia de salida de Q2 es 2rce, con lo que la ganancia diferencial, con salida simple, se puede calcular como: |Av | = 2.rce//rce / 2.re 1500. Circuitos de desplazamiento de nivel A pesar que el amplificador diferencial no requiere de condensador de acoplamiento, se necesita desplazar el nivel de cc, cuando se conecta dos etapas diferenciales, sin que se produzca atenuacin de la seal a amplificar. El acoplamiento ideal, utiliza un voltaje de desplazamiento en cc utilizando una batera con resistencia interna cero (resulta poco practica esta solucin). En las figuras vemos varios mtodos alternativos
En el circuito (a), la resistencia de emisor dividida (R1 y R2), acta como divisor resistivo bajando el nivel de la tensin continua en la salida. Sin embargo R1 y R2 tambin atenan la seal de corriente alterna. Si reemplazamos R2 por una fuente de corriente constante, como el circuito (b), con alta resistencia de salida, la atenuacin ser mnima y la cada de tensin continua ser V = I . R1.Es posible sustituir R1 por un diodo Zener, como en el circuito (c), pero esta tcnica no se utiliza en los circuitos integrados lineales (no es practico la construccin de los diodos Zener en la tecnologa integrada). Otro inconveniente de estos diodos es que la ruptura Zener produce ruido elctrico que se agrega a la seal til. En los circuitos integrados digitales si se utiliza esta tcnica, con desplazamientos de nivel de hasta 7 volt. Otra alternativa, consiste en utilizar una cadena de diodos en serie de n transistores polarizados directamente y conectados como diodos, como muestra la figura (d). Estos n diodos, producen una cada de tensin aproximada V n . 0,75 volt. La impedancia en serie en este acoplamiento, es Rn = n. re, que se puede minimizar si la corriente directa que circula por los diodos, es alta. (del orden del mA). El inconveniente de esta ultima tcnica, es que el desplazamiento de tension, esta limitado a un numero entero de cadas de tensin directa de los diodos. El diodo amplificado
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------Un mtodo efectivo para generar un desplazamiento de tension superior a VBE, es utilizar el denominado diodo amplificado. La corriente I circula por la red formada por Q R1 y R2. Q conduce y su corriente IE esta determinada por VBE. S i consideramos el un valor alto y despreciamos IB tendremos: VR2 = I2 . R2 = VBE siendo I2 = IIE y IE IC entonces tendremos: VR1 = I1.R1 = I2 .R1 = R1 / R2 . VBE. El voltaje total a travs del circuito vale: Vt = VR1 + VR2 = Vbe + R1/R2. VBE = ( 1+R1/R2). VBE De esta manera Vt depende de la relacin entre R1 y R2 y de la tension VBE. El voltaje Vt tambin es dependiente de la temperatura como vemos al diferenciar la expresin anterior: dVt/dT = (1+R1/R2). dVBE/dT Vemos que esta dependencia tambin es funcin de una relacin de resistencia que resulta conveniente en algunos circuitos. En los circuitos discretos, el diodo amplificado se suele utilizar en la etapa amplificadora de potencia, para eliminar la distorsin de cruce por cero y lograr la simetra de la seal. La resistencia R1 en estos casos se hace ajustable para solucionar problemas de tolerancias de componentes. El clculo de la resistencia dinmica de este circuito es un poco complicado su determinacin. Su valor esta determinada por la siguiente expresin: Rd = v /i ( R1.R2+rbe(R1+R2)) / (rbe + (1+).R1) R1/ + (1+R1/R2).re Por ejemplo si I = 2,7 ma R1 =4,7 K R2 =1 K VBE = 0,7 volt y = 10 resulta: Rd = 116 y Vt = 3,99 volt. Amplificador diferencial no balanceado
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura muestra el circuito del amplificador diferencial no balanceado, aplicable generalmente en los CI, como etapa de entrada de los amplificadores operacionales. Vamos a continuacin a analizar su funcionamiento y a determinar algunas de sus caractersticas elctricas, que caracterizaran de la misma manera, al amplificador operacional. En el circuito, la resistencia de colector de Q2 RC, representa normalmente a una resistencia activa. La resistencia Ro, representa la resistencia de la fuente de corriente que suministra la corriente a los emisores de los transistores. Por ejemplo, si v1 se incrementa, aumenta la corriente de emisor de Q1; esto hace elevar la tensin en el nudo superior de la resistencia Re (E), lo que equivale a disminuir la tensin VBE2 de Q2 y por lo tanto hace disminuir la corriente de colector IC2. Esta disminucin de corriente, provoca un aumento en la tensin de salida vo, por disminucin de la cada de tensin en RC. Podemos decir entonces que la entrada conectada a la tensin v1, es la entrada no inversora, dado que la tensin de salida, esta en fase con v1. Por otra parte si aumentamos v2, se incrementa la corriente de colector IC2, disminuyendo la tensin de salida (vo). La corriente IC1 disminuye. Decimos entonces que la entrada conectada a v2, es La entrada inversora. En este ultimo caso, la tensin de salida esta desfasada 180 respecto a la entrada v2 (inversora). Caractersticas elctricas de entrada del amplificador diferencial prctico Aun siendo vi = v2 = 0 volt (conectados a masa), circulan las corrientes de polarizacion de entrada IB1 e IB2. Si ambos transistores son iguales IB1 = IB2 . En la prctica no son iguales. Se define entonces la corriente de error de entrada (offset de entrada) como IIo = IB1IB2 El valor promedio de estas corrientes se la define como la corriente de polarizacion de entrada, siendo su valor: Ien (polariz.) = (IB1+IB2) / 2 Las corrientes IB1 e IB2, se pueden definir en base a IIo y Ien (polariz.) como: IB1 = Ien (polariz.) + IIo /2 IB2 = Ien (polariz.) - IIo /2 Por lo general Ien (polariz.) e IIo se obtienen por mediciones o es suministrada por el fabricante de CI. La corriente de polarizacion de entrad tiene importancia, cuando las bases de los transistores tienen conectadas resistencias desiguales. Estas corrientes al circular hacia las bases de Q1 y Q2, pueden provocar una tensin diferencial en la entrada, dando lugar a una tensin en la salida del amplificador aun cuando v1 y v2 sean iguales a cero. Tensiones diferentes VBE en el amplificador diferencial Suponiendo que las bases de los transistores estn puestas a masa, sin ninguna resistencia conectada a ellas, igualmente puede aparecer una tensin de error en la salida, debido a las diferentes tensiones bases emisor (VBE) de los transistores. En la prctica, los efectos combinados de la corriente de polarizacion y las diferentes ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------VBE, provocan una salida de error (offset), aun en el caso que V1 y v2 sean iguales a cero. Estos errores, en los amplificadores operacionales, se corrigen aplicando una tensin diferencial en la entrada, de polaridad tal que anule el error. En algunos AO disponen de terminales apropiados para colocar un potencimetro de ajuste del error. Ganancias en el amplificador diferencial no balanceado Estas son las mismas que hemos desarrollado para el AD balanceado: Av vo / vi RC / re ganancia de tensin diferencial para salida simple donde: vi = v1v2 Am vo / Vm RC / 2 Ro ganancia en modo comn donde Vm es la tensin comn aplicada a los terminales de entrada. RRMC (db) = 20 log10 (Av / Am) : Relacin de rechazo en modo comn en decibeles. Anlisis en continua del amplificador diferencial no balanceado
A continuacin vamos a determinar las corrientes de polarizacion del amplificador diferencial no balanceado, con salida en uno de los colectores (Q2) de los transistores. Para ello resulta conveniente analizar el siguiente circuito:
UTN REG. SANTA FE - ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 3-2- Amplificadores operacionales, caractersticas Grales, circuitos internos --------------------------------------------------------------------------------------------------------En el circuito aplicamos la ecuacin de malla de Kirchoff y luego despejamos Io VEE RB1.IB1 VBE Ro.Io = 0 Io = (VEE RB1.IB1 VBE) / Ro La corriente que circula por los emisores de los transistores vale IE1 = IE2 = IE = Io / 2 como IC =.IB y IE = IC +IB resulta: IE = .IB +IB = IB.( +1) = Io / 2 despejando Ib tenemos: IB = Io / 2.( +1) = IB1 Reemplazando IB en la expresin de Io y nuevamente despejamos Io obtenemos: Io = (VEE RB1. Io / 2.( +1) VBE) / Ro Io = (VEE VBE) / (Ro + RB1/2.(+1)) VEE / Ro = cte. Reemplazando por los valores del circuito tendremos: Io = (15v0,7v) / ( 1M + 1M/2.(100+1)) = 14 a Io VEE / Ro = 15v / 1M = 14 a Aplicamos a continuacin la ecuacin de malla en el circuito de salida y despejamos Vo Vo = VCC RC. IC2 como IC2 = IC1 = IC IE = Io / 2 reemplazando
Vo = VCC RC.Io/2 = 15v 1M.15a/2 = 8 volt La tension Vo es la tension de salida en cc en el colector del transistor Q2, respecto a masa. Calcularemos ahora la tension del punto de polarizacin, o se a el valor de VCE. Para ello debemos calcular la tension en el punto E o sea VE. VE = Io.Ro VEE = 15A. 1M -15v = 0 volt VCE = Vo VE = 8 volt. Calcularemos ahora las corrientes de base considerando IB1= IB2 = IB IB = IC/ Io / 2. = 14 / 2. 100 = 0,07 A = 70 nA
Esquema simplificado de un amplificador Operacional Con los circuitos bsicos de las etapas de un AO, que hemos desarrollado, y que utilizan las tcnicas de los circuitos integrados, realizaremos un esquema simplificado, de un amplificador operacional. En el, resaltando los terminales mas importantes para representar el esquema simblico de este amplificador, muy utilizado en la electronica de control e instrumentacin. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
Los transistores Q1 y Q2 constituyen la etapa amplificadora diferencial, siendo sus bases los terminales de entrada inversora (-) para Q1 y no inversora (+) para Q2. Los transistores Q1 y Q2 tienen en sus colectores las cargas activas formadas por Q3 y Q4. La salida de esta etapa, es amplificada por el para Darlington Q5, Q6, que posee como carga, una fuente de corriente constante Q7 que es una seccin del espejo de corriente mltiple Q7,Q8,Q9, que adems proporciona una corriente constante al par diferencial Q1, Q2. La etapa de salida, es un amplificador en contrafase complementario, tipo seguidor emisor, formado por los transistores Q11 y Q12. Estos transistores estn polarizados en clase AB por medio del diodo amplificado Q10. Smbolo del amplificador operacional En la figura que sigue se muestra el smbolo del amplificador operacional, donde en la figura ( a), se presenta solamente con tres terminales, los dos de entrada ,entrada inversora (-) y entrada no inversora (+) y el ultimo Terminal es la salida con la tension vo. La figura (b) muestra al amplificador operacional con dos terminales ms, que son los correspondientes a las fuentes de alimentacin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Funciones de transferencia con el amplificador operacional ideal (AOI)

Un amplificador operacional ideal se define bajo las siguientes condiciones: a) Debe poseer una ganancia de tensin diferencial elevada ( Av ) para todo el rango de frecuencias de la seal de entrada. b)-La impedancia de entrada diferencial debe ser elevada ( Zi ) c) La impedancia de salida debe ser nula (Zo = 0 ) d) No debe producirse corrimiento de fase entre la seal de salida y la de entrada. e) Debe poseer una entrada que permita un defasaje entre la seal de salida y la de entrada de 180 (inversin del signo para cc). f) La frecuencia de trabajo o el ancho de banda B de la amplificacin debe ser elevado ( B ). Aplicaciones del amplificador operacional: Son muchas las aplicaciones del AO y en casi todas ellas, se lo utiliza realimentado ya sea negativamente o positivamente, aclarando que la realimentacin de un circuito electrnico, es el proceso de introducir nuevamente en la entrada parte de la seal de salida, a travs de una red denominada de realimentacin. Cuando hablamos de realimentacin negativa, significa que la seal realimentada, esta desfasada 180 respecto a la seal original de entrada. Si la realimentacin es positiva, el defasaje es 0. Dentro de las variadas aplicaciones, veremos en primer trmino las que dio origen al AO que es la resolucin de operaciones matemticas en calculadores analgicos. Aplicaciones del amplificador operacional para la resolucin de operaciones matemticas en forma analgica Para el desarrollo de esta y futuras aplicaciones, consideraremos al amplificador operacional ideal (AOI). En la aplicacin, se lo realimenta negativamente, generando funciones de transferencia lineales, mientras funcione en la zona lineal de su caracteristica de transferencia sin realimentar (o a lazo abierto ). vo Zona de saturacin vi=v2-v1
Zona lineal
Zona de saturacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Antes de comenzar el desarrollo del tema propuesto es conveniente recordar el circuito equivalente del amplificador operacional, teniendo en cuenta que es un amplificador de tensin y sus parmetros elctricos caractersticos tienen los valores que definen a un AOI. +VCC - VCC
Las tensiones de alimentacin +VCC y --VCC estn referidas a un Terminal comn o masa. Funcin de transferencia para el AOI realimentado negativamente Vamos a continuacin a determinar la funcin matemtica que nos relaciona la seal de salida (vo) con respecto a la seal de entrada, aplicada como seal simple, al terminal inversor , estando el otro (no inversor) puesto a masa, como lo muestra el siguiente circuito:
En el nudo s denominado nudo de suma del AOI, de acuerdo a la ley de Kirchoff de la suma de las corrientes en el nudo, se cumple: i1(t) + ir(t) + io(t) = 0 Como el AOI tiene impedancia de entrada elevada (Zi ) entonces io(t) 0 i1(t) + ir(t) = 0 Por otra parte, las corrientes se pueden expresar en funcin de las cadas de tensin: [ve(t)--vi(t)] / Z1+ [vo(t)vi(t)] / Zr = 0. Como la ganancia de tensin es muy elevada (Av ) y la impedancia de salida baja (Zo = 0 ), la tensin de salida vale: Vo(t) = Av.vi(t) Zo.io(t) Av.vi(t) despejando la tension diferencial de entrada vi(t) : vi(t) = vo(t) /Av 0. La expresin de las corrientes nos queda: ve(t) / Z1+ vo(t) / Zr = 0. Despejando la tensin de salida tendremos: La funcin de transferencia nos queda: g(t) vo(t) / ve(t) = -ZR / Z1 y la tensin de salida la expresamos como : vo(t) = g(t).ve(t) = -Zr/Z1 . ve(t) Estas expresiones tambin se pueden desarrollar por medio de la transformada de Laplace quedando: Vo(s) = G(s). Ve(s) = - Zr(s) / Z1(s). VE(s). Como conclusin, observamos que podemos generar distintos tipos de funciones de transferencia (modificando Zr y Z1), independientes de las caractersticas elctricas del AO y sus derivas, siempre que su comportamiento sea ideal o prximo a serlo. Aplicaciones del AO en los calculadores analgicos Multiplicacin por una constante Para este caso, la tensin de salida debe valer: Vo(t) = - b.ve(t) donde 1 | -b | 1 Lo resolvemos con el circuito anterior haciendo Zr = Rr y Z1 = R1 quedando: Vo(t) = - Rr / R1 . ve(t) siendo : | -b | > 1 para Rr > R1 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------| -b | = Rr = R1 | -b | < 1 Rr < R1 Por ejemplo si necesitamos que - b = 10 , podemos resolverlo haciendo: R1= 12 K y Rr = 120 K Problema Determinar la tensin de salida del AOI con los siguientes datos: Rr = 68 K ; R1 = 12 K ; ve = 0,5 volt vo = - b. ve = - Rr / R1 . ve = - 68 K / 12 K . 0,5v = - 2,833 volt.
Suma de varias variables de entrada multiplicadas por una constante negativa Se desea que la tensin de salida tenga la siguiente expresin: Vo(t) = - [b1.v1(t) + b2.v2(t)+..bn.vn(t)] Para ello lo realizamos con el siguiente circuito:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Teniendo en cuenta todas las consideraciones de un AOI, tenemos: i1(t) + i2(t) + .vn(t) 0. Reemplazando las corrientes, por las cadas de tensin que las generan, tendremos: v1(t) / R1 + v2(t) / R2 + vn(t) / Rn 0 Despejando la tensin de salida, tendremos: vo(t) = - [Rr / R1.v1(t) + Rr / R2.v2(t) + Rr / Rn.vn(t) ] donde las constantes valen : b1 = Rr / R1 ; b2 = Rr / R2 ; .......bn = Rr / Rn. Problema Determinar la tensin de salida del circuito anterior pero solamente con dos variables de entrada, con los datos del circuito para las tensiones v1= 10 mV y v2 = 5 mv vo(t) = - [Rr / R1.v1(t) + Rr / R2.v2(t)] vo = - ( 22 /6,8 . 10 + 22 / 12 . 5 ) = -41,52 mV Resta de dos variables de entradas multiplicadas por constantes Para este caso particular, con entrada a travs del Terminal inversor, debemos primero invertir una de las variables, para luego aplicarlas al circuito sumador de dos entradas analizados anteriormente. La figura muestra el circuito restador:
El primer AO invierte en 180 la seal v1, resultando vo1 = - R1/R1 = -v1 El segundo amplificador suma las variables vo1 y v2 resultando: Vo(t) = -[Rr / R2.v2(t) + Rr / R1.(-v2(t))] Vo(t) = -[Rr / R2.v2(t) - Rr / R1.v2(t)]
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Mas adelante veremos que la diferencia de dos variables de entrada, se puede tambin realizar con un solo AO. Derivacin en el tiempo de una variable de entrada Deseamos realizar la siguiente operacin: Vo(t) = T. dve(t) / dt Para realizar esta operacin recurrimos al siguiente circuito bsico:
Partimos de la ley de Kirchoff de las corrientes en el nudo y tenemos en cuenta ademas todas las caractersticas del AOI iC + iR + Ii = 0 iC + iR = 0 tendremos: como Ii 0 resulta:
Reemplazando las corrientes por las cadas de tensin que las generan
iC = C.[ d( ve(t)vi(t) ) / dt] C. dve(t) / dt iR = vo(t) vi(t) / R vo(t) / R C. dve(t) / dt + vo (t) / R 0 despejando la tension de salida : vo(t) = - C. R . dve(t) / dt = T. dve(t) / dt donde : T = -C.R
Integracin en el tiempo de una variable de entrada Deseamos realizar la siguiente integral: t Vo(t) = - 1 / T . ve(t) .dt 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para ello entonces debemos realizar el siguiente circuito bsico:
El proceso para determinar vo(t) es similar al caso anterior quedando. Ve(t) / R + C. dvo(t) / dt 0 Luego despejando la tensin de salida vo(t) tendremos: dvo(t) = - 1/ C.R. . ve(t) integrando ambos miembros tenemos: t vo(t) = - 1 / C.R . ve(t) .dt = 0 t vo(t) = - 1 / T . ve(t) .dt donde T = C.R 0 Vemos que la tensin de salida es la integral definida entre 0 y t respecto a la seal de entrada, multiplicada por 1/T (ganancia de integracin) Combinando estas operaciones, el AO se lo utiliza para resolver , en calculadores analgicos, ecuaciones diferenciales de procesos fsicos reales. Las ecuaciones diferenciales pueden ser del tipo: d2y /dt2 + A. dy / dt + B.y = f(t)
Resolucin de ecuaciones diferenciales con amplificadores operacionales Como dijimos los AO fueron diseados originalmente para resolver analgicamente (en forma elctrica) ecuaciones diferenciales lineales de procesos reales. A modo de ejemplo resolveremos una ecuacin diferencial lineal, con coeficientes constantes de un proceso fsico. Supongamos que deseamos estudiar el comportamiento de un sistema mecnico dinmico, como podra ser la rueda de un automvil, que al rodar por un pavimento
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------irregular, esta sometida a la aplicacin (de manera brusca) de fuerzas que pueden ser constantes o funciones del tiempo.
La figura que sigue, muestra el dibujo equivalente de esta rueda, que tiene una cierta masa, que esta soportando la accin de una fuerza F = f(t) y como reaccin a esta ultima, se le opone la fuerza de inercia, la fuerza de un resorte y la fuerza de un amortiguador.
F= f(t)
Masa
Resorte
Amortiguador
Para el caso propuesto la ecuacin diferencial de equilibrio ser: m d2y /dt2 + C. dy / dt + K.y = f(t) donde cada termino representa lo siguiente : md2y /dt2 : fuerza debido a la inercia C. dy / dt : Fuerza que opone el amortiguador K.y : fuerza que opone el resorte f(t) = -F fuerza aplicada en sentido opuesto a las fuerzas de reaccin. Por conveniencia reordenamos esta ecuacin de la siguiente forma: d2y /dt2 = -C / m. dy / dt - K / m.y + f(t) d2y /dt2 = -A. dy / dt - B.y + f(t) Adems para simplificar, consideraremos condiciones iniciales nulas , o sea que el sistema se encuentra en reposo donde dy(0) / dt = 0 ; y(0) = 0 Debe entenderse en este caso que lo que genera la solucin y(t) , as como sus derivas ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------d2y /dt2, dy / dt, es la funcin excitante f(t) , si las condiciones iniciales son nulas. Si no lo son, y sin excitacin externa, el sistema es sacado del reposo, por lo menos por una condicin no nula. En general, el sistema, sale de su estado de equilibrio inicial, por la aplicacin simultanea de una excitacin conjunta de f(t), y(0) e y(0). Vamos a analizar el circuito electrnico con AO, que resuelve la ecuacin diferencial:
Supondremos primero que no esta realizada la conexin entre los puntos (a) y (b) y que disponemos de un generador Igual al valor de la incgnita d2y /dt2, el cual se conecta al punto (a). El calculador analgico, debe proporcionar un medio para generar la funcin excitatriz f(t). Por ejemplo si la fuerza que aplicamos es constante y hacia abajo f(t) = -F ; en este caso debo representar a F con una tensin elctrica continua de valor negativo respecto a masa. Si dispongo de d2y /dt2 en el punto(a), a la salida de AO1 (1 integrador), obtengo dy /dt ; si a esta seal la hacemos pasar por AO2 (2 integrador), obtenemos la solucin de la ecuacin en el punto (c) o sea y(t). Para obtener la excitacin inicial en el punto (a) (d2y /dt2 ), sumamos dy/dt y f(t) en AO3 segn el circuito y obtenemos a la salida de AO3, la seal dada por f(t)+A.dy/dt. A esta ultima seal, le sumamos y(t), a travs del AO4 (sumador), obteniendo en su salida el valor f(t) B.y A.dy/dt = d2y /dt2 , punto (b). Como vemos hemos obtenido la derivada segunda de y respecto al tiempo dos veces, que es el valor que necesitamos en el punto (a). Entonces eliminamos el generador que nos provea inicialmente d2y /dt2, y conectamos el punto (a) con el (b), obteniendo la tensin requerida para iniciar el proceso nuevamente. La incgnita y (t) la obtenemos en el punto (c) , como as tambin podemos obtener su derivada 1 y su derivada 2 en la salida de AO4 y AO1 respectivamente. Si en el anlisis tenemos condiciones iniciales no nulas, de y (t) y de dy/dt, estas, se establecen por medio de tensiones apropiadas que cargan con tensin inicial los condensadores de los AO integradores. (Con las llaves conmutadoras electrnicas). Entonces para t = 0, se abren las llaves conmutadoras y se aplica f (t) que iniciara el proceso analgico. Este circuito se puede simular y analizar con programas de PC que nos permita realizar el CAD y CAE. Como vemos de esta forma apera un calculador analgico que resulta una alternativa para resolver problemas del campo de la fsica, con la salvedad que debemos establecer factores de escala, dado que las salidas de los AO son tensiones elctricas. Estos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------factores de escala, deben transformar una variable fsica, en una variable elctrica. Por ejemplo si y(t) es un desplazamiento entonces ey = k.y donde k[volts / metros].
El amplificador operacional en la configuracin no inversora Algunas aplicaciones requieren un amplificador cuya seal de salida este en fase con la seal de entrada. Para satisfacer esta necesidad, se puede utilizar al AO de manera tal que la seal excitante ingrese a travs del Terminal no inversor. La realimentacin se mantiene negativa y se lo hace a travs del Terminal inverso como lo muestra el prximo circuito:
Para encontrar la funcin de transferencia, partimos de la ecuacin de las corrientes de Kirchoff en el nudo s ir(t) i1(t) io(t) = 0 como io(t) 0
ir(t) i1(t) = 0 reemplazo las corrientes por las cadas de tensin que las generan, teniendo en cuenta que la tensin del punto s vale: vs = ve(t) + vi(t) como vi(t) 0 (tensin diferencial de entrada) resulta. vs ve(t) entonces las corrientes nos quedan: [vo(t) vs(t)] / Rr - vs(t) /R1 = 0 De esta ultima expresin podemos obtener la funcin de transferencia como: g(t) vo(t) / ve(t) = ( 1 + Rr / R1) La tension de salida vale : vo(t) = g(t) . ve(t) = ( 1 + Rr / R1). Ve(t) Una aplicacin importante del amplificador no inversor es como circuito seguidor de tensin".
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicacin del AO no inversor como seguidor de tensin Si al circuito anterior hacemos Rr = 0 y a R1 el trmino Rr /R1 se hace igual a cero y por lo tanto, la tensin de salida del circuito no inversor vale: vo(t) = ve(t) Esta expresin significa que la tensin de salida sigue a la tensin de entrada. En apariencia, con esta igualdad, no modificamos la seal de entrada. Pero en la prctica, los amplificadores tienen una impedancia de entrada tal que hace que la fuente de excitacin, deba entregar corriente al circuito de entrada del amplificador. Si esta fuente de excitacin tiene una resistencia interna elevada, condicin que normalmente se da en todas las fuentes de seal (por ejemplo los transductores de variables fsicas), su tensin de salida disminuir por cada de tensin interna. En cambio el seguidor de tensin. Presenta una impedancia de entrada Ze muy elevada y una impedancia de salida muy baja Zs. Aproximadamente estas impedancias valen: Ze zi. ( 1+ Av ) zi . Av 2 M. 200.000 400.000 M Zs zo / (1+Av) zo / Av 75 / 200.000 0 Siendo Av la ganancia diferencial, zi la impedancia de entrada y zo la impedancia de salida, todos del amplificador operacional a circuito abierto (sin realimentar). De esta forma, el circuito seguidor de tensin, no toma corriente de la fuente de excitacin y la salida del mismo se comporta como una fuente de tensin ideal, cuyo valor, es igual al valor de la seal de excitacin. Resumiendo se comporta como un circuito adaptador de impedancia, haciendo que la seal de entrada vea una impedancia de entrada alta y la impedancia de carga ZL se vea alimentada por una fuente de tensin ideal. Problema Determinar la tensin de salida de dos circuitos realimentados, que utilizan AO, uno en la configuracin inversora, y el otro en la configuracin no inversora, tipo seguidor de tensin. La fuente de seal es la misma para ambos circuitos y los valores del mismo, se presentan en la figura:
Resolucin para el circuito A Este circuito es un amplificador inversor donde la tensin de salida vale:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo(t) = - Rr / R1 . ve(t) = - 10 / 10 = -ve(t) vemos que la salida sigue a la entrada ve(t). Vamos ahora a determinar el valor de ve(t), teniendo en cuenta que la impedancia de entrada de esta configuracin vale prcticamente Ze R1 , dado que el punto s es una masa virtual porque vi(t) 0 . Entonces para calcular ve(t) procedemos a resolver el siguiente circuito:
Ve(t) =[ vs / (Rs + R1)]. R1 = 0,1 volt .
La tensin de salida del amplificador vale :
Vo(t) = - Rr / R1. ve(t) = - 10 / 10 . ve(t) = - 0,1 volt Como vemos si bien la ganancia del circuito inversor resulta unitaria, por los valores de las resistencias agregadas, la salida vo(t) es menor a la de la fuente de seal vs(t), debido a la cada de tensin interna como consecuencia del valor bajo de su impedancia de entrada, Ze, respecto a Rs. Resolucin utilizando el circuito B El circuito B es un seguidor de tensin que presenta ganancia unitaria, altsima impedancia de entrada, respecto a Rs y muy baja impedancia de salida; por lo tanto tendremos: Como Rs<< Ze resulta ve(t) = vs(t)
Como vo(t) = ve(t) entonces vo(t) = vs(t) = 1 volt Caractersticas de los amplificadores operacionales reales Terminales: Vamos a ver a continuacin los terminales de un AOR en circuito integrado en un encapsulado tipo mini DIP de 8 pines, especficamente el clsico 741 terminales:
8 1
7 2
6 3
5 4
AO 741
1 --- 5 : terminales para la compensacin de la tensin de error (offset) de salida ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------2 : Terminal entrada inversora 3 : Terminal entrada no inversora 4 : Terminal de alimentacin de la fuente de tensin negativa _VCC 6 : Terminal de salida de tensin del AOR (vo(t) 7 : Terminal de alimentacin de la fuente de tensin positiva +VCC 8 : Terminal que no se utiliza. Conexin de las fuentes de alimentacin
Valores tpicos de tensiones de alimentacin: 6 volt; 12 volt ; 15 volt Valores mximos de tensin de alimentacin: +36 volt ; 18 volt El terminal de salida: La tensin de salida vo (t) se toma entre el terminal (6) y masa. El limite de corriente que puede tomarse, es de 5 a 10 ma. Tambin tenemos lmites para la tensin de salida y estn determinados por los valores de las tensiones de alimentacin y por los transistores de salida. Estos transistores, necesitan de 1 a 2 voltios entre colector y emisor, para asegurarse que estn trabajando en la zona lineal. Por ejemplo si alimentamos con 15 volt, vo(t) no debera superar 13 volt para funcionamiento lineal. Superada esta tensin el amplificador entra en saturacin con una tensin mxima prxima a 15 volt. Terminales de entrada: Como ya lo hemos dicho, tiene dos terminales de entrada, el (2) con inversin y el (3) sin inversin. La tensin de salida vo (t) es funcin de la diferencia entre los voltajes aplicados a los terminales de entrada. Veamos la siguiente figura que muestra esta condicin:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Ganancia de tensin a circuito abierto (o a lazo abierto) La tensin de salida, queda determinada por la tensin de entrad y la ganancia de tensin en circuito abierto Av ;vo(t) = Av. vi(t). El los AOR la ganancia Av, si bien no es infinita, tiene un valor muy grande; para el AO 741, el valor tpico es de 200.000. Si lo estamos alimentando con 15 volt, la tensin de salida no debe superar los 13 volt; por lo tanto los limites de vi(t) son: +vi max = +vo max / Av = +13 / 200.000 = +65 v -vi max = +vo max / Av = -13 / 200.000 = -65 v Estas tensiones de entradas, son difciles de medir y se interfieren con seales de tensin de ruido externo que hacen que el AOR a circuito abierto, este saturado en su salida Vo(t) = Vo sat 15 volt. Como conclusin, para mantener a vo(t) dentro de los limites de linealidad , es necesario utilizarlo realimentado para obligar a vo(t) que dependa de elementos de precision como resistencias y fuentes de seal, y no de los valores de Av y vi. Adems como vi es tan pequeo y difcil de medir, a los fines prcticos se considera que vi = 0 volt. Impedancias caractersticas de los AOR En los terminales de entrada, el AOR, presenta impedancias, respecto a masa, y entre ellos . El circuito de salida, se presenta como un circuito equivalente de Thevenin, por lo que presenta una impedancia de salida. La figura que sigue, muestra la ubicacin de las impedancias mencionadas:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Zm: Es la impedancia que aparece entre los terminales de entrada y masa; su valor , es de varios megohm. En gral no se la tiene en cuenta. Se denomina impedancia en modo comn. Zi : Es la impedancia que aparece entre los terminales de entrada, a lazo abierto; su valor es de aproximadamente 2M, para el clsico 741. Se denomina impedancia diferencial de entrada. Zo : Es la impedancia de salida que ve la carga a lazo abierto, o sea sin realimentacin. Su valor es de aproximadamente 75 para el AO tipo 741.
Impedancia de entrada del AOR con realimentacin en configuracin inversora
IR I1 Ii
Ze
Es la impedancia que ve la fuente de excitacin como carga, con el AOR realimentado. Realizaremos su determinacin sin tener en cuenta la impedancia de salida Zo y la impedancia de carga del AOR (ZL). Para ello se parte de las siguientes consideraciones: Ze Ve / I1 Ii = vi /Zi y I1 = Ii +IR IR = (vi + Av. vi ) / ZR
Reemplazando estos valores y despejando la relacin que me da la impedancia de entrada tenemos:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Ze = Z1 + ( Zi.ZR ) / (ZR+ Zi.(1 +Av)) Z1 + ZR / (1+Av) Z1 Impedancia de entrada del AOR con realimentacin en configuracin no inversora En este caso para facilitar los clculos y para que los resultados nos den expresiones fciles de interpretar, no consideraremos Zo, Zm y la tensin del punto de realimentacin s supondremos solamente producida por la corriente de realimentacin IR a travs de la impedancia Z1. Bajo esas condiciones, que prcticamente no afectaran al resultado final calcularemos la impedancia de entrada, segn el siguiente circuito:
IR I1
I1 = IR +Ii IR Vi = (ve vs) / Zi
Vs = Z1.IR = Av.vi . Ii / (1+ZR/Z1)
Ze = ve / Ii = Zi.[1 + Av / (1+ZR/Z1)] = Zi. (1 + Av/g(t)) Como se puede ver en la formula, la impedancia de entrada es siempre mayor que Zi El valor de g(t) es la ganancia a lazo cerrado de esta configuracin; para el caso del seguidor de tensin g(t) = 1 entonces la expresin de la impedancia nos queda: Ze = Zi. (Av+1) valor extremadamente alto.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Impedancia de salida que ve la carga con realimentacin IR
Io
Para calcular la impedancia de salida podemos utilizar el mtodo de la tensin de prueba. Para ello debemos cortocircuitar las fuentes activas (ve). De acuerdo al circuito anterior, llegamos a la siguiente expresin: Ip = Io + IR = Vp. [1/(ZR+Z1) +1/ Zo + Av / Zo. (ZR/Z1 +1)] + Av / Zo. (ZR/Z1+1) Zs vp / ip Zo . ( ZR/Z1 + 1) / Av expresin valida para ambos tipos de configuraciones. Por ejemplo para el AOR tipo 741 Zo = 75 y Av = 200.000 Zs resulta: Zs = 0,038 Como por lo gral ZL>> Zs , podemos decir entonces que la carga ZL esta viendo como fuente de alimentacin de carga, una tensin elctrica ideal de valor -ZR/Z1 para la configuracin no inversora, y (ZR/Z! +1) para la configuracin no inversora. Funcin de transferencia del AOR realimentado en configuracin inversora con Av finito iR i1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Consideraremos Zm = Zi y Zo = 0; solamente tendremos en cuenta la ganancia de tensin Av con un valor finito y calcularemos la funcin de transferencia, a lazo cerrado (con realimentacin). i1+ iR + io = 0 i1 +iR 0 [ve (-vi/Av)] / Z1 + vo [(-vi/Av)] / ZR 0 Operando esta ltima expresin tendremos: g(t) vo(t) / ve(t) = -ZR / Z1 . [1/ ( 1+ 1/Av (1+ZR/Z1)] Por ejemplo si Av = 200.000 y ZR/Z1 = 100 la funcin de transferencia resulta : g(t) = -Zr / Z1 . 0,9995 -ZR / Z1. Otras caractersticas elctricas del amplificador real (AOR) El AOR presenta ciertas caractersticas elctricas que se deben tener en cuenta para que no afecte su funcionamiento como amplificador de seales de corriente continua y seales de corriente alterna. Las caractersticas que afectan el comportamiento como amplificador de cc, son las siguientes: 1)- Las corrientes de polarizacin de entrada. 2)- La desviacin de las corrientes de entrada. 3)- La desviacin de las tensiones de entrada. 4)- La ganancia de tensin en modo comn. 5)- Las derivas por la variacin de la temperatura. Cuando al AOR se lo emplea para amplificar seales elctricas de corriente alterna, los capacitores de acoplamiento, eliminan el error de tensin en corriente continua en la salida; por ello, las caractersticas enumeradas anteriormente, no tienen efecto sobre el funcionamiento en ca. No obstante, en esta aplicacin, aparecen otras caractersticas, que influyen sobre el amplificador. Estn son: 6)- La respuesta en frecuencia. 7)- La velocidad de respuesta A continuacin, vamos a tratar cada una de estas caractersticas. 1) y 2) las corrientes de polarizacin de entrada y su desviacin: En los AOR, por los terminales de entrada, circulan las corrientes de polarizacin, correspondientes a la etapa diferencial de entrada. Estas corrientes, IB1 e IB2, en gral no son iguales. Esta diferencia surge de los diferentes de los transistores. El fabricante, define la corriente de error de entrada (offset), como la diferencia entre las corrientes IB1 e IB2. Iio = IB1 IB2 . si IB1 = 85 a y IB2 = 75 a Iio = 10 a ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------La corriente de polarizacin de entrada se define de la siguiente manera: Ien = ( IB1 + IB2 ) / 2 = 85 + 75 / 2 = 80 a (la suministra el fabricante) Con este dato se puede determinar las corrientes IB1 e IB2 como: IB1 = Ien + Iio / 2 IB2 = Ien Iio / 2. Las corrientes de polarizacin de entradas IB1 e IB2 pueden producir una tensin de salida en el AOR si las entradas no tienen conectadas impedancias equivalentes (esto para ve = 0 ) . Por ejemplo, en el circuito inversor, aparece en la entrada una tensin diferencial aun para ve = 0 volts, de valor vi = IB1. R1 // Rr. Una forma de compensar este error, es colocar una impedancia equivalente de valor R2 = R1 //Rr en el terminal no inversor, como lo muestra el siguiente circuito:
En este caso para ve = 0 volt y vo = 0 volt entonces vi debe ser igual a cero. Si coloco impedancias equivalentes la tensin diferencial de entrada vale: Vi = IB1. R1//Rr Ib2. R2 siendo R2 = R1 //Rr
Vi = Iio . R1 // Rr . Como Iio es pequea, tambin lo ser vi. En la practica si quisiramos compensar exactamente, tendramos que colocar un potencimetro para hacer: IB1 . R1 // Rr = IB2 .R2 3) Desviacin de la tensin de entrada Esta se manifiesta con una tensin en la salida (tensin de error de offset) para ve = 0 volt y sin impedancias conectadas a los terminales de entrada. Esto se produce por la desigualdad en las caractersticas VI de los transistores de entrada de la etapa diferencial. Se corrige aplicando una tensin (del orden de los milivolt) a uno de los terminales de entrad ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------En la prctica, algunos AOR, tienen terminales especficos, para corregir la tensin offset de salida. Por ejemplo el 741 tiene los terminales 1 y 5 (encapsulado mini dip 8 terminales) para colocar un potencimetro de 10 k. El cursor del potencimetro, se coloca a VCC. Se cortocircuitan los terminales de entrada y moviendo el cursor, se verifica con un instrumento que vo = 0 volt.
En otros AOR, se aplica una pequea tensin, del orden de los mv, a uno de los terminales de entrada, mediante un divisor resistivo con potencimetro de ajuste, alimentado en sus extremos por dos tensiones elctricas VCC, referidas al terminal Comn o masa, segn muestra el siguiente circuito:
En gral podemos decir que el mejor mtodo para corregir estos errores, lo suministra el el diseador del AOR (o fabricante), mediante un circuito de compensacin , dado en las hojas de los manuales que suministran los datos con las caractersticas elctricas y ejemplos de aplicacin. ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------4)- La ganancia en modo comn Este tema ya lo hemos desarrollado para el amplificador diferencial. El AOR, como tiene etapas diferenciales, posee tambin ganancia en modo comn:
La ganancia en modo comn la definimos como: GMC vo(MC) / ve(MC) Donde vo(MC) es la tensin de salida cuando aplicamos una tensin comn a ambas entradas, de valor ve(MC). El valor de GMC siempre debe ser un valor mucho menor que uno (1) GMC <<1 Esta ganancia, tiene relevancia cuando se necesita amplificar tensiones diferenciales de pequea magnitud. Los fabricantes de AOR con tecnologa integrada, a los efectos de tener en cuenta esta ganancia en modo comn y compararla con la ganancia diferencial Av, establecen la relacin de rechazo en modo comn, abreviadamente RRMC RRMC Av / GMC = ganancia diferencial / ganancia en modo comn = Avd / AVmc Esta expresin se suele dar en decibelios resultando: RRMC (db) = 20 log10 Avd/ Avmc En la practica el RRMC (db), oscila entre 80 y 120 db; lo ideal seria infinito. El RRMC se define para ciertos limites de la tensin en modo comn como 10 volt , 6 volt, etc. Pasados esos lmites de tensiones en modo comn, las caractersticas de funcionamiento del AOR, se degradan. La RRMC tiene importancia en los circuitos con configuracin no inversora. En este caso la tensin de entrada es prcticamente comn a ambos terminales. ve ve(mc) dado que vi 0 la configuracin inversora la RRMC no tiene prcticamente aplicacin dado que la tensin en modo comn es prcticamente cero. Veamos un ejemplo de cmo puede afectar la RRMC: v1 = 1,00001 volt = 1 volt + 0,01mv v2 = 1,00000 volt = 1 volt vi = v1 v2 = 0,01 mv : tensin diferencial de entrada ve (mc) = 1 volt : tensin de modo comn. ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Supongamos que Av = 50000 y RRMC (db) = 100 Con estos datos, calcularemos la tensin de salida debido a vi y a ve(mc) Vo = Av . vi = 50000 . 0,001 mv = 500 mv = 0,5 volt Este ultimo valor corresponde a la tensin de salida debido a la tensin diferencial vi Calcularemos seguidamente la tensin de salida debido a la tensin de modo comn. Para ello nos sirve la RRMC (db) = 20 log10 Av/ GMC = 100 Despejamos la ganancia en modo comn GMC = Av(mc) Av/GMC = antilog RRMC / 20 = antilog 100/20 = 100000 GMC = Av / 100000 = 50000 / 100000 = 0,5 Vo(mc) = ve(mc) . GMC = 1 volt . 0,5 = 0,5 volt Como vemos la tensin de salida en modo comn, que es una tensin de error, es igual a la tensin til de salida, debido a la tensin de entrada diferencial, lo que provoca un error en la salida del amplificador. 5)- Las derivas por variacin por temperatura Los valores de la corriente de polarizacin de entrada, la desviacin de la corriente de entrada, impedancia de entrada, ancho de banda, etc, estn expresados para un determinado AOR, a una temperatura ambiente, generalmente 25C. Estos valores mencionados, no son constantes y varan con la temperatura ambiente. Los fabricantes suministran curvas de comportamiento de estos parmetros en funcin de la temperatura. Mas adelante trataremos este tema con detalle. 6)- La respuesta en frecuencia Como dijimos, este parmetro afecta al AOR cuando se lo utiliza para amplificar seales alternas. En los AOR, la ganancia diferencial (Av) tiene un valor finito y no es constante, sino es funcin de la frecuencia de la seal diferencial de entrada. La obtencin terica de esta funcin, es complicada. La respuesta en frecuencia de la ganancia, se la puede obtener por mediciones de laboratorio. El fabricante suministra una grafica de la curva tpica. Analizando esta funcin en el campo complejo (en transformada de Laplace), vemos que esta funcin de transferencia es la resultante de varios polos con ceros de frecuencia mas elevada que los polos. Obteniendo la curva en forma experimental y trazando las asntotas a la misma y representndola en un diagrama de Bode ( Av en decibelios, en funcin de la frecuencia expresada en logaritmo decimal), podemos obtener los polos de esta funcin. Av(db)
w1
w2
w3
log w
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Av(S) = Av / (1+T1.S) . (1+T2.S).(1+T3.S) T1 = 1 / w1 ; T2 = 1 / w2 ; T3 = 1 / w3 Como al AOR se lo utiliza realimentado negativamente como amplificador de seales lineales, puede ocurrir que para una determinada frecuencia, la ganancia total del lazo abierto, puede tomar un valor de -1, o sea amplitud unitaria y defasaje 180. En este caso el circuito se vuelve inestable y puede comenzar una oscilacin indeseable. Por ello, para evitar esta oscilacin, se hace necesario compensar al AOR, con el agregado de polos y ceros a la funcin de transferencia de lazo abierto. Esto se logra, a travs de terminales especiales del circuito integrado, con el agregado de capacitores o resistencia y capacitor en serie, con valores dados por el fabricantes, mediante grficos, en funcin de la ganancia del AOR realimentado. Algunos AOR, para evitar incertidumbre en el comportamiento en alta frecuencia, se los compensa internamente (como el 741), agregndole un capacitor de compensacin interno, en paralelo con la salida de la etapa amplificadora diferencial. De esta forma se predice la frecuencia de corte superior del AOR
Donde fc= 1 / 2.R.C es el valor de frecuencia que hace que la ganancia a frecuencias medias, se reduzca a 0,707 de su valor o el valor de la potencia aplicada sobre la carga. Se reduzca a la mitad. En este caso para un amplificador con una sola frecuencia de corte superior (fc), la ganancia de tensin en funcin de la frecuencia nos queda: __________ |Av(f)| = Av(media) / 1 + (f / fc)2 Podemos ver que para f = fc resulta: |Av(f)| = 0,707. Av(media) Si expresamos esta ganancia en decibelios tendremos: ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
(modulo de la ganancia)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------_________ Av(db) = 20.log10 |Av(f)| =20.log10 Av(m) /1 + (f / fc)2 Av(db) = 20.log10 Av(m) 20 . 1/2. log10 [1 + (f / fc)2] Av(db) = Av(m)(db) 20 . 1/2. log10 [1 + (f / fc)2] Para frecuencias mas alta a la de corte, la ultima expresin se puede aproximar a la siguiente expresin: Av(db) = Av(m)(db) 20 . 1/2. 2 . log10 (f / fc) Para f = 10 fc (una dcada) la expresin de la ganancia en decibelios nos queda: Av (db) = Av (m)(db) 20 db Decimos entonces que la ganancia de tensin del AOR cae en 20 db por dcada Av(db) Av(m)(db)-3db Av(m)(db) Av(m)(db)-20db
Av1(db)
fc
f1=10.fc
log f
Calculemos ahora la frecuencia para la cual la ganancia Av cae a la unidad: __________ 1 = Av(m) / /1 + (fu / fc)2 Av(m) / fu / fc dado que (fu / fc)2 >> 1 fu= Av(m) . fc A este ultimo valor se le denomina factor de merito o cifra de merito del AOR, dado que esta dado por el producto de la ganancia para frecuencias medias (a lazo abierto) y el ancho de banda fc (similar al caso que habamos definido en el transistor bipolar) El valor de fu, tambin esta definido como el ancho de banda con ganancia unitaria fu B (ancho de banda) para Av = 0 db(a lazo cerrado) Para otros valores de Av (a lazo cerrado) podremos determinar la frecuencia de corte como: f1. Av1 = fc. Av(m)= B donde f1 = B / Av1 Por ejemplo para el AOR 741 Av(m) = 200000 y fc= 5 Hz por lo tanto: B = fc . Av(m) = 5 . 200000 = 1 MHz
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Esto significa que si realimentamos el AOR para obtener una ganancia unitaria, la frecuencia de corte superior es de 1 MHZ Para otro valor de ganancia, por ejemplo Av = 50 su frecuencia de corte superior ser: fc1= B / Av = 1MHZ / 50 = 20 KHZ Problema Para el AOR realimentado de la figura (LM741), determinar la frecuencia de corte superior
Teniendo en cuenta los valores tpicos del AOR 741 tenemos: fc =5 HZ Av(m) = 200.000 106 db Con los valores de las resistencias y la formula de ganancia realimentado tendremos: Av1 = - Rr / R1 = - 150 / 10 = -15 Luego con el ancho de banda unitaria (factor de merito) calculamos la frecuencia de corte para la ganancia Av1 fc1 = B / |Av1| = 5 HZ . 200000 / 15 = 66,6 KHZ
7)- Velocidad de respuesta del AOR La velocidad de respuesta (Slew rate) se la define como: SR dvo / dt = Vo(tensin de cresta) / tr Este valor indica la facilidad o rapidez que puede el AOR modificar su tensin de salida. tr, es el tiempo de subida (rise time) y se lo define como el tiempo que tarda la tension unitaria de salida del amplificador en elevarse, cuando se le aplica una tensin en escaln, en la entrada
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------vi
vo Vo=1v 0,9.Vo
0,1.Vo tr Este tiempo se mide para una tensin de salida unitaria entre el 10% y el 90% del valor final Vo. Para el caso de amplificadores cuya funcin de transferencia en transformada Laplace, presentan un solo polo dominante , el valor de tr esta relacionado con la frecuencia de corte superior (ancho de banda) del AOR por la siguiente expresin: tr 0,35 / fc Siendo fc la frecuencia donde la ganancia cae en -3db |Av| Avm Avm-3db
fc
Cuando estamos amplificando seales senoidales, la velocidad de respuesta SR, puede provocar distorsin de la tensin de salida, cuando la pendiente inicial de esta ultima (vo), es mayor que la SR de AOR. Por ejemplo si la pendiente inicial es de 4V/s y el SR= 2 v/ms, la tensin de salida se asemejara a una onda triangular, como se ve en el dibujo:
Vi vo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para evitar esta distorsin, debemos limitar la velocidad de crecimiento mxima en la tensin de salida, limitando la mxima frecuencia de la seal de excitacin de entrada. Ese valor lo podemos obtener derivando la expresin de la tensin de salida y calculando su mximo valor que se producir para t= 0 e igualando al SR del amplificador vo = Vm . sen wt dvo/dt = W.Vm.coswt para t= 0 dvomax / dt = Wmax.Vm = SR Como Wmax = 2.fmax
fmax = SR / 2.Vm Como podemos observar en la formula, la frecuencia de funcionamiento mximo que no produce distorsin depende del SR del amplificador operacional y de la mxima excursin de la tensin de salida (Vm). Como dato ilustrativo, el AOR 741 tiene un RS tpico de 0,5 v/s y el AD518 tiene un SR tpico de 80 v/s Problema Un amplificador operacional, tiene un limite de velocidad de respuesta SR = 1 V / seg y se utiliza como amplificador inversor con una ganancia de -10. La tensin que se desea amplificar es de corriente alterna, con una amplitud de 1 volt. Determinar: La mxima frecuencia de la seal de entrada, limitada por la SR sin que provoque distorsin en la tensin de salida amplificada. Solucin: ve = Ve.senwt = 1. senwt (tensin de entrada)
vo = Vo. Senwt = -10 senwt (tension de salida) Determinamos la variacin o rapidez mxima de cambio en la tensin de salida ; para ello debemos determinar su derivada respecto al tiempo y luego encontrar su valor mximo dvo / dt = d( Vosenwt) / dt = Vo.w.coswt = -10.w.cowt. Esta expresin nos da la rapidez del cambio de la tensin de salida; su mximo, en valor absoluto, se producir para t = 0 o sea: dvo / dtmax = |10.w| = |10.2.f| Igualando esta ultima expresin al valor del SR del AOR y despejando la frecuencia , obtendremos la maxima frecuencia que el AOR puede amplificar, sin que se produzca distorsin por variacin mxima de la tensin de salida SR = 20..fmax
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------fmax= SR / 20. = 15.926 HZ 16 KHZ. Amplificacin de tensiones elctricas continuas dbiles con el amplificador operacional Uno de los errores mas importantes de un AOR, cuando se lo emplea para amplificar seales elctricas continuas (de pequea magnitud), es la desviacin de cero (offset), definida como la tensin que tenemos que aplicarle en la entrada del AOR para obtener cero voltios en su salida. Su origen radica en las diferencias constructivas de los transistores que constituyen la 1 etapa diferencial de entrada. La compensacin de este error, es sencilla para una determinada temperatura ambiente. La mayora de los AOR tienen dos terminales para la correccin del error (offset), mediante un potencimetro multivuelta. Pero, esta tensin de error es generalmente variable con la temperatura ambiente, por lo que, para otra temperatura ambiente distinta a la que fue corregido el error, aparecer nuevamente una tensin en la salida del amplificador aun con tensin de entrada diferencial igual a cero. Esta variacin recibe el nombre de deriva del error o deriva del offset.; su valor se mide en voltios por grado centgrados [v / C]. Esta deriva, puede ser positiva o negativa. En relacin a esta variacin del error con la temperatura, los AOR prcticos, se pueden clasificar en cuatro categoras a saber: a). AOR con coeficientes de temperaturas definidos (LM208 -15v/C ; CA308 30v/C ; OP02 - 10v /C) b)- AOR con coeficientes de temperaturas no definidos (741, 709 , etc.) c)- AOR estabilizados por Chopper ( TL0891 0,2 v / C) d)- AOR ajustados activamente ( CA3193 5 v / C) e) AOR de auto.cero ( ICL7605/06 -0,2 v /C o 0,5 v / ao ) Si tenemos un AOR que hemos corregido el Offset para una determinada temperatura, la tensin de error en la salida para otra temperatura la podemos determinar como: Verror offset = (v/C) . Av . t (v/C) : es la deriva mxima que especifica el fabricante del AOR Av : Ganancia a lazo cerrado ( Av = Rr/R1 para el inversor y Av= Rr/R1+1) para el no inversor) t : Incremento de temperatura (C) desde la temperatura de ajuste. Problema Calcular la tensin de error mxima terica para un amplificador con ganancia Av=1000, teniendo en cuenta que trabajara desde 10C a 55C, siendo su deriva de 15 v/C y teniendo en cuenta que se ajusta a una temperatura ambiente de 20C Verror (10C) = 15 v/C . 1000 . 10C = 15000 v = 150 mv Verror(55C) = 15 v/C. 1000 . (55C -20C) = 525 mv = 0,525 volt ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta tensin de error en la salida, puede ser importante por ejemplo si estamos utilizando al AOR para introducen seales tiles para medicin o control analgico o digital, a travs de una tarjeta de interfase de PC Resolucin de problemas con amplificadores operacionales ideales y reales Problema Determinar la ganancia de tensin de un AOI realimentado en configuracin no inversora con R1 = 4,7 K y Rr = 81 K Problema Determinar los resistores adecuados con valores estndar y tolerancia 5 %, para un AOI realimentado en configuracin no inversora que presente una ganancia de tensin lo mas prxima a g(t) = 50. Problema Determinar la ganancia de tensin y la mxima tensin de entrada para funcionamiento lineal para un AOr realimentado en configuracin inversora, alimentado con dos fuentes de tensin de valor 10 volt Problema Utilizando un circuito con AOI realimentado en configuracin inversora, disear un sumador (denominado tambin mezclador) para tres seales elctricas provenientes de micrfonos, para disponer de una sola seal compuesta. La seal de uno de los micrfonos, debe ser amplificada dos veces mas que la de los otros dos.El circuito debe disearse de tal forma que el amplificador operacional no se sature incluso cuando se recibe la seal pico mxima de los tres micrfonos, siendo esta de 10 mv. Se deber tener en cuenta la bobina magntica de los micrfonos que contribuyen con una resistencia en serie de 500 . Las tensiones de alimentacin del AO es de 15 volt y la Rr = 650 K. Problema Utilizando el circuito integrador con AOI, graficar la tensin de salida vo(t) si se le aplica un pulso rectangular de tensin en la entrada, de magnitud VE=4 volt y duracin t = 10 ms . Datos: R1 = 5 K , Cr = 1 F Ve(t) 4 volt
0 Vo(t) 0
t=10 ms
t t
Problema Utilizando el circuito integrador con AOI, graficar la tensin de salida vo(t) cuando se aplica en la entrada tres pulsos rectangulares de tensin de magnitud 2 volt, duracin 10 ms e intervalo de tiempo entre pulsos de 10 ms. Datos : R1 = 5 K Cr = 1F Problema Graficar la tensin de salida para un circuito integrador con AOI cuando se le aplica una tensin alterna de onda cuadrada con magnitud pico a pico 8 volt y periodo T = 20 ms. Datos: R1= 5 K Problema Disear un circuito bsico con AOI diferenciador capacitivo para que presente en la salida una tensin Vo = -1volt, cuando se le aplica en la entrada una tensin creciente (en rampa) de 2 v / ms. Problema Graficar la tensin de salida para el circuito diferenciador con AO de la figura cuando se le aplica en la entrada una tensin alterna de onda cuadrada con una tensin pico a pico de 1 volt y frecuencia 200 HZ Cr = 1F
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema
El circuito de la figura, representa el medidor de nivel del tanque de combustible de un automvil. La salida, se conecta al indicador del tablero (voltmetro). El sensor dentro del tanque, esta formado por un potencimetro de 200 ohm, cuyo brazo central esta conectado a un flotador. Cuando el automvil se mueve, el combustible en su superficie crea olas que mueven el brazo hacia arriba y hacia abajo, en relacin al nivel medio del combustible. Para esta variacin del brazo transductor, supondremos que se genera una seal de tensin alterna de ruido de valor 0,5 volt de amplitud y frecuencia f= 10 HZ. Determinar: a) La expresin del voltaje de salida, basado en la posicin del brazo del flotador. b)- Los valores de R1 y R2 para que el circuito provea una ganancia unitaria para el nivel del liquido del tanque y una atenuacin de por lo menos 100 veces de la componente alterna que resulta del movimiento del liquido 0,5 volt f=10 HZ ve(t)
VE t
c)- La conexin del capacitor, dado que su valor de clculo, exigir un capacitor electroltico que requiere una polaridad determinada. Problema En el circuito de la figura el AO funciona en la regin lineal y la tensin diferencial de entrada es muy baja por lo que supondremos un corto virtual entre los terminales de entrada. Determinar: ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------a)- El voltaje y la corriente a travs de R1 b)- La corriente a travs de R2. c)- La tensin de salida .
Problema El circuito de la figura, se utiliza en la mayora de los multmetros para medir corriente, convirtiendo la seal de corriente en tensin elctrica. Para las fuentes de corrientes reales, es conveniente que la carga sea RL = 0 o sea un cortocircuito. Teniendo en cuenta las caractersticas de corto virtual determinar: a)- La resistencia de entrada que presenta el circuito a la fuente de corriente Ie b)- La trayectoria de la corriente Ie c)- La tensin de salida si Ie= 5 ma y R = 500
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-3- El amplificador operacional ideal (AOI) y real (AOR) --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Disee un medidor de energa luminosa, utilizando un voltmetro de alta impedancia de entrada y un fotodiodo que genera 0,2 a por W de radiacin de luz incidente. La escala mxima del voltmetro ser de 10 volt para una radiacin mxima de luz incidente de 1 mW. Utilizar como circuito de conversin el presentado en el problema anterior. Problema Un AOR tiene un producto ganancia x ancho de banda de 4 x 105 HZ y es prcticamente constante; Determinar: a)- El ancho de banda del amplificador, si la ganancia a lazo abierto vale Av= 80.000 b)- El ancho de banda del amplificador si esta realimentado negativamente con una ganancia de lazo cerrado de 100. c)- El ancho de banda si funciona como seguidor de voltaje en config. No inversora Problema Disear con el AOR anterior un amplificador inversor con ganancia unitaria determinando el ancho de banda, la impedancia de entrada y de salida que ve la carga RL.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL REALIMENTADO POSITIVAMENTE Los circuitos regenerativos Estos circuitos, estn caracterizados por presentar en sus terminales de salida, valores binarios de tension elctrica (nivel bajo, nivel alto), es decir que se presentan con caractersticas de circuitos digitales. Son circuitos realimentados positivamente, significando ello que parte de la seal de salida se introduce nuevamente en la entrada con defasaje cero. Esta realimentacin se lleva a cabo a travs de un acoplamiento entre la salida y la entrada en forma externa o por un mecanismo de realimentacin en el propio transistor o elemento activo, como puede ser el efecto de multiplicacin por avalancha. Cualquiera sea el proceso, la caracteristica fundamental es la realimentacin positiva. Como consecuencia de este proceso, el valor binario de la salida, no solamente va a depender del valor binario de la entrada, sino tambin de la secuencia de sus valores anteriores o dicho de otra forma de su historia, por lo que podemos decir que estos circuitos presentan memoria. Caractersticas de los estados de las salidas de los circuitos regenerativos De acuerdo al tipo de transicin binaria de las salidas, los estados binarios se pueden clasificar en los siguientes: estable y meta estable (o inestable) Estado estable: En cualquiera de los dos estados que se encuentre el sistema, la red pasiva que rige el mismo, no permite que varen en el tiempo las tensiones y o corrientes, salvo a travs de una excitacin externa es posible la transicin de un estado bajo a alto o viceversa. Estado inestable: En cualquiera de los dos estados que se encuentre el sistema, la red pasiva que rige el mismo, permite que varen en el tiempo las tensiones y o corrientes, sin una excitacin externa, pasando de este estado inestable, a otro estado estable
Clasificacin de los circuitos regenerativos Atendiendo al grado de inestabilidad y componentes utilizados, podemos realizar la siguiente clasificacin: A) Acoplamiento externo de la salida con la entrada:
A-1 Dos transistores o elementos activos. A-2 Amplificador operacional
-biestable - monoestable - Astable -comparador Schmitt o bascula
A-3 Un transistor + un transformador
Oscilador de bloqueo
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------B) Mecanismo interno de realimentacin: -transistor unijuntura (oscilador relajacin) -diodo tnel -Diac -SCR -PUT
Circuitos con elementos De resistencia negativa
Nota: todos estos circuitos actualmente se disponen en tecnologa integrada o formando parte de circuitos ms complejos Los circuitos biestables Los circuitos biestables son aquellos que tienen dos estados estables y para cambiar su estado binario en la salida, necesitan una perturbacin exterior para cambiar la zona de funcionamiento de los transistores o elementos activos.
Disparo (vi) BIESTABLE
Salida (vo)
Alimentacin A modo de ilustracin, mostramos el circuito discreto biestable con transistores bipolares, denominado tambin Flip Flop o memoria de un bit, sin explicar su funcionamiento
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Biestable realizado con amplificador operacional
vo
+VCC
Funcin transferencia AO +VCC t vo
-VCC
Pulsos disparo t -VCC
V1-V2
La realimentacin del circuito es positiva y se realiza desde el terminal de salida, al terminal de entrada sin inversin, a travs del divisor resistivo formado por R1 y la resistencia de uno de los diodos rd que esta en conduccin. El AO debido a sus caractersticas ideales presenta la curva de transferencia mostrada en el dibujo. La tensin V2 es siempre nula ya que no circula corriente por el AO por tener impedancia de entrada infinita. La tensin de salida vo depende por lo tanto de la polaridad de V1. Por ejemplo, si en ausencia de pulsos de disparo es V1 > 0, la salida valdr vo = + VCC; y se reforzara la polaridad de V1 por el lazo de realimentacin. Para V1 < 0 ser vo =- VCC, por lo tanto por realimentacin V1 mantendr su valor y lo mismo la salida. Como vemos cualquiera sea el estado binario de la salida, mantendr en forma permanente su valor, salvo que acte un disparo de tensin externo. Para realizar la conmutacin se aplican pulsos de tension a la entrada no inversora con una polaridad contraria a la existente (por realimentacin) en esta entrada. La amplitud del pulso deber ser por lo menos V = [Rd / (rd+R1)]. Vo. Si rd es pequea, la amplitud del pulso de disparo, tambin lo ser. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito multivibrador monoestable Pulsos disparo Circuito monoestable Alimentacin
Salida
vo T T
+VCC
VCEsat t Pulsos disparo t
Podemos decir que el circuito monoestable es un circuito biestable al cual se le ha suprimido, mediante una red exterior reactiva, un estado estable. Tambin se lo conoce como circuito de un solo disparo de ciclo nico, univibrador o multivibrador monoestable. En su versin discreta con transistores bipolares, como muestra el dibujo, esta compuesto por dos circuitos inversores acoplados, donde una de las redes, es del tipo RC o RL. Mediante una seal de disparo, el circuito cambia del estado estable al estado metaestable o inestable, mantenindose en este estado un tiempo T , ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------dependiendo de los valores de R.C o R.L , para luego regresar, por si solo al estado estable. En el estado estable permanecer en forma indefinida hasta que nuevamente se le aplique un pulso de tension que lo lleve al estado inestable. Analizaremos con ms detalle la versin del circuito monoestable realizado con amplificador operacional Circuito monoestable con amplificador operacional
Pulsos disparo V2 +VCC .VCC
-VD Vo(V1) +VCC +VCC t
0 -.VCC -VCC t
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para iniciar el anlisis del circuito, primero debemos determinar cual es el estado estable de la tension de salida del AO. Supongamos que es para vo = -VCC; en esta condicin el valor de V1 vale: V1 = (vo.R1) / (R1+ R2) = -VCC.R1 / (R1+R2)= .(-VCC) Como vemos toma un valor negativo respecto a masa Con tensin negativa en la salida el diodo D1 conduce, por lo que V2 tomara un valor negativo igual a V=Vd- 0,7 volt Por los valores de las resistencias R1 y R2 resulta V2 > V1 y por lo tanto la diferencia V2- V1 < 0 o sea resulta un valor negativo y por la funcin de transferencia del AO la salida estar efectivamente en VCC en forma permanente. Si ahora aplicamos un pulso positivo en la entrada de pulsos con valor absoluto mayor a |vp| > ( .VCC vd ), se producir un cambio en la tension diferencial de la entrada del AO y por lo tanto tambin cambiara la tension de salida , pasando a valer +VCC. En esta condicin el diodo D1 se polariza inversamente a travs de la resistencia R1, permitiendo que el capacitor comience a cargarse con la polaridad indicada. La tensin V2 aumenta exponencialmente con una constante de tiempo = R.C. Por otra parte, al cambiar la tensin de salida, por realimentacin, tambin cambia la tensin en la entrada V1, tomando un valor positivo dado por: V1 = (VCC. R1) / (R1+R2) Cuando V2, en su crecimiento exponencial, supera al valor de V1, nuevamente se produce un cambio de la tensin diferencial del AO, producindose el cambio de su tension de salida, pasando a su valor de vo =-VCC. Como este es su valor estable, permanecer con este valor hasta tanto no se aplique otro pulso de disparo. Tiempo de conmutacin: Para calcular el tiempo de conmutacin, procedemos de la siguiente forma: En el grafico de la tensin V2, modificamos el eje de absisas, trasladndolo al valor -Vd ; De esta forma, la tensin de carga del capacitor C nos queda: VC = V2 = (VCC+Vd). ( 1 e t / R.C ) Cuando la tensin VC alcance el valor de la tensin V1 = . VCC, se producir la conmutacin al estado estable del circuito, que se producir en un tiempo T .VCC = (VCC+Vd). ( 1 e T/ R.C ) A continuacin despejamos de la expresin el valor de T resultando: T = R.C. Ln [(VCC+VD1) / (VCC.(1-) VD1)] En el caso de que VCC >> VD1 y R1 = R2 la expresin anterior se simplica quedando: T = R.C . Ln VCC / 0,5 . VCC = R.C Ln 2 T = 0,69 . R.C Una de las aplicaciones importantes del circuito monoestable, es la de generar retrasos de tiempo o temporizaciones. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito multivibrador astable Estos circuitos se caracterizan por presentar en su salida dos estados metaestable o inestable. Son generadores de tension elctrica de corriente alterna, con una forma de onda cuadrada. El circuito Bsico discreto, esta compuesto por dos inversores, acoplados mediante redes reactivas RC o RL. Este circuito no necesita pulso de disparo, actuando como oscilador de relajacin (no lineal), generando como dijimos una onda cuadrada en la salida.
Salida Circuito astable Alimentacin
vo T1 T2 T1
+VCC
VCEsat t
En estos circuitos la onda de salida puede ser simtrica o asimtrica
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito astable con amplificador operacional
V2 +VCC .VCC
-VCC Vo(V1) +VCC +VCC
0 -.VCC -VCC
Segn el valor de la tensin de salida (+VCC o VCC), la tension en V1 cambia, segn el divisor de tension formado por R1 y R2, entre los valores +.VCC y -VCC, siendo = R1 / (R1+R2). De la misma manera el capacitor C se carga y descarga a travs de la resistencia R, tendiendo al valor +VCC y VCC; cuando llega al valor +.VCC o -VCC, segn sea el caso, se produce el cambio en la polaridad de la tension diferencial de entrada del AO (V2-V1) y por lo tanto tambin se producir el cambio de la tensin de salida. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Determinacin del tiempo de conmutacin En la grafica de la variacin de V2, hacemos una traslacin del eje de absisas en VCC y aplicamos la formula de carga exponencial de un capacitor con una tension constante de valor (VCC+VCC) resultando: VC = V2 = (VCC+VCC). ( 1 e-t / R.C ) La conmutacin en el tiempo T, se producir cuando el capacitor llegue a la tensin (relativa al eje de absisas desplazado) de valor 2..VCC 2..VCC= (VCC+VCC). ( 1 e-T/ R.C ) En la expresin anterior despejamos el tiempo T, resultando: T = 2.R.C. Ln [(1+) / (1-)] Si = 0,462 T = 2.R.C Si analizamos el tramo descendente de la tensin del capacitor y si las tensiones +VCC y VCC son iguales en valor absoluto el periodo T ser igual por lo que la tensin de salida, resulta simtrica. Los circuitos comparadores Estos circuitos se caracterizan por cambiar el nivel de tensin de salida, cuando la seal de entrada, con cualquier forma de onda, pasa de un cierto valor de referencia VR, ya sea en subida o en bajada. Los circuitos comparadores se utilizan para generar ondas de voltaje o corriente con propsitos de control e interfase. Veamos un comparador sencillo realizado con un diodo y una tension de referencia:
En este circuito cuando ve aumenta y siendo ve <VR, la tensin de salida vale: vo= VR. Cuando ve VR, el diodo se polariza directamente y comienza a conducir; la tensin de salida ahora pasa a valer: vo = ve (suponemos al diodo ideal con vd = 0)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------De esta forma la tensin de salida modifica su valor, cuando la la tensin de entrada llega a la tensin de comparacin VR. El dibujo que sigue muestra las graficas de la variacin en el tiempo de las tensiones de entrada y salida: ve
VR
t vo VR
t1
El inconveniente en la aplicacin de este circuito, radica en la demora en producir el cambio del nivel de la tensin de salida cuando la entrada llega al nivel de la tensin de comparacin. Como vemos, el cambio en el nivel de la tensin de salida, depende de la rapidez del cambio del nivel de la tensin de entrada. Circuitos integrados comparadores de tensin Estos circuitos integrados, comparan en nivel de tensin de una seal ve, aplicada a un terminal de entrada, con un voltaje conocido, denominado como dijimos, tensin de comparacin o de referencia VR. Esta ultima tambin se le suele llamar voltaje umbral o de cruce. La salida del comparador cambia, cuando la seal a comparar (ve) toma el valor del voltaje de comparacin, referencia, umbral o de cruce (VR).
ve
(V+)
vo + VH VH ve
VR VL VL
vo ve
VR
vo
Comparador
VR
( V -) Smbolo del comparador
Caracteristica de transferencia ideal Tiempo de propagacin: 0 ns
Caracteristica de transferencia real Tiempo de propagacin: 10ns a 1s
De alguna forma, podramos considerar al comparador, como un convertidor (A/D) de una seal analgica (ve) a una seal digital simple de un bit, que producir una salida ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------1 (vo=VH), cuando el voltaje de entrada supera al voltaje de referencia o comparacin y una salida 0 (vo=VL), si el voltaje de entrada es menor a VR. Los niveles VH y VL pueden ser de polaridad opuesta (uno positivo y el otro negativo) o pueden tener la misma polaridad pero que se puedan diferenciar en sus valores de voltaje. Los amplificadores operacionales, como los de propsito general. (Como el 741, 301,etc), pueden utilizarse en circuitos comparadores de voltaje, pero presentan algunas limitaciones, especialmente en las aplicaciones como interfase entre seales analgicas y digitales. Una de ellas, es la baja velocidad de cambio del voltaje de salida del AO, cuando se detecta el nivel de voltaje de comparacin. Otro inconveniente esta relacionado a los cambios de salida entre los limites fijados por los voltajes de saturacin +Vsat. y -Vsat., en forma tpica 3V, para tensiones de alimentacin del integrado de 5V. Por tanto, su salida no puede impulsar dispositivos, tales como CI digitales de tecnologa TTL, que requiere niveles de voltaje entre +0 y +5V. Estas desventajas se eliminan con CI diseados especficamente para actuar como comparadores. Un comparador real, tiene una ganancia finita comprendida entre 3000 y 200000, y puede realizar una transicin en su salida de un nivel a otro (de VL a VH ) en un tiempo de 10ns a 1 s. La figura anterior muestra la caracteristica ideal y real de un comparador. La excursin del voltaje de entrada requerida para producir la transicin de niveles en la salida, esta en el rango de 0,1mV a 4 mV. Un CI comparador, debe tener un ancho de banda grande para permitir una mayor velocidad de conmutacin. La velocidad de conmutacin, esta relacionada al retardo de propagacin, tema que abordaremos mas adelante. Los CI comparadores estn diseados para funcionar bajo condiciones de lazo abierto, por lo general como dispositivo de conmutacin; en cambio los CI operacionales normalmente funcionan en condiciones de lazo cerrado (realimentados) como amplificador lineal. Por lo dems los comparadores son muy similares a los amplificadores operacionales. Configuraciones de los circuitos comparadores Utilizando los CI comparadores o los CI operacionales, es posible disear circuitos comparadores de umbral con diferentes caractersticas de transferencias, ya sea para aplicaciones a lazo abierto o lazo cerrado (comparadores Schmitt). Analizaremos a continuacin estas variantes. Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR negativa
Vo VH VR 0 ve
VL Caracteristica de transferencia
Para este caso, el comparador cambiar su salida, cuando V+= 0. Para determinar la tensin de comparacin de ve, debemos encontrar la expresin de la tensin V+ e ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------igualarla a cero. Para ello aplicamos el teorema de superposicin en la entrada no inversora resultando: V+= (R1/(R1+Rr)).Vref + (Rr/(R1+Rr)).ve = 0 R1.Vref + Rr.ve = 0 ve = VR = (-R1/Rr).Vref Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR negativa
Vo VH VR 0 ve
Este caso es similar al anterior salvo que la seal a comparar ingresa por el terminal inversor del comparador Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR positiva
Vo VH 0 VR VL Caracteristica de transferencia ve
Para este caso la seal ve ingresa por el terminal inversor y la salida cambia cuando la seal de entrada iguala al valor de voltaje de la entrada inversora, o sea al valor de V+. Este valor se calcula como: V+=VR = (R1/(R1+Rr)).Vref Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR positiva
Vo VH 0 VR ve
___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------La seal ve ingresa por el terminal no inversor y el cambio en la salida se producir La seal de entrada supere a V- cuyo valor vale: V-=VR = (R1/(R1+Rr)).Vref NOTA: denominamos configuracin inversora o no inversora si la seal de salida del comparador pasa de un valor alto a un valor bajo o a la inversa, respectivamente; a su vez llamamos comparador umbral inversor o no inversor, si la seal a comparar ve, ingresa por el terminal inversor o por el no inversor, respectivamente. El CI comparador de precision 111/311 El comparador 111 (militar) o el 311 (comercial) es un CI que ha sido diseado y optimizado para un rendimiento superior a los AO, en las aplicaciones como detector de nivel de voltaje. El 311 conmuta con mayor velocidad que un 741 o 301 pero no es tan veloz como los comparadores de alta velocidad 710 y NE522. Algunos parmetros tpicos de este comparador, son los siguientes: - Funciona con una sola fuente de alimentacin en su salida (por ejemplo Vcc= +5 V) - Corriente de entrada: 150 nA (mximo) - Corriente de offset: 20 nA (mximo) - Voltaje de entrada diferencial mxima: 30V -Ganancia en voltaje: 200V/mV - Tiempo de respuesta para sobreimpulso de 5 mV El comparador 311 es muy verstil en lo referente a la interconexin con otros circuitos de diferente tensin de alimentacin. Su salida esta diseada para que no vare entre Vsat. La tensin de salida puede cambiarse con bastante facilidad. Por ejemplo si tenemos una interfase con un sistema con diferente alimentacin de voltaje, simplemente se conecta la salida de la nueva alimentacin de voltaje a travs de un resistor apropiado. Veamos a continuacin la funcin de los correspondientes terminales del comparador 311 o el 111 y su funcionamiento.
8 +Vcc=15 V Vcc=5V Resistor de Elevacin R=500
Terminales de entrada 2 3 Vref

+ Etapas de _ entrada _
Comparador 111/311
Q Puerta And
Terminal de salida
7 Carga digital 0-5V
Ve
6 Terminal 1 4 de -Vcc=15V habilitacin. (Abierto )
terminal comn o masa
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Terminal 1: Este terminal esta conectado interiormente al emisor del transistor bipolar de salida Q; exteriormente, debe conectarse al terminal comn o masa de la aplicacin. En aplicaciones donde se requiera que vo conmute con los valores positivos y negativos, se conecta a Vcc. Terminal 2: Es el terminal de entrada no inversor. Cuando este terminal presenta una tensin positiva mas alta que el terminal 3, el transistor Q esta cortado y como su colector esta conectado al terminal de salida 7, este ultimo toma el valor de Vcc, o sea nivel alto de tensin. Terminal 3: Es el terminal de entrada inversor. Por ejemplo, cuando este terminal tiene una tensin positiva ms alta que el terminal 3, el transistor Q pasa a la saturacin, haciendo circular corriente por el resistor de elevacin externo, provocando un nivel bajo de tensin en el terminal de salida 7. Terminal 4: En este terminal se conecta la fuente de alimentacin negativa (-Vcc) similar a un AO Terminal 6: Este terminal permite que la salida (7) del comparador responda ya sea a las seales de entrada o bien sea independiente de las seales de entrada. De esta manera, este terminal acta como habilitacin de su funcionamiento como comparador. Para habilitar la comparacin este terminal debe quedar abierto o conectado a +Vcc. Para inhabilitarlo se debe conectar a masa a travs de un resistor limitador de corriente que no supere los 3 mA (por ejemplo una resistencia de 10 K). Terminal 7: Es el terminal de salida y como muestra el esquema, es a colector abierto. Este terminal conjuntamente con el 1, acta como interruptor de corriente a travs del transistor Q. Normalmente este terminal se debe conectar a travs de un resistor a cualquier voltaje externo (Vcc) de magnitud hasta 40 V mas positivo que el terminal de alimentacin negativo Vcc (4). Terminal 8: En este terminal se conecta la fuente de alimentacin positiva (+Vcc) similar a un AO. El dibujo muestra el esquema simplificado del comparador 111 o del 311, en una aplicacin sencilla como comparador del nivel de tensin de la seal ve aplicado a lazo abierto, como interfase de un circuito digital, conectado en su salida. En esta aplicacin, si la seal de entrada resulta ve< +Vref, entonces vo=+Vsat, que en el caso ideal seria +Vcc= 15 V. Cuando ve iguala y supera a +Vref, la salida del comparador bascula y toma el valor vo= VCEsat 0V. Circuitos regenerativos como comparadores de tensin (Comparador Schmitt) Estos circuitos, denominados comparadores o disparadores Schmitt, estn caracterizados por una fuerte realimentacin positiva, cambiando bruscamente (en tiempo muy breve) el nivel de la tension de su salida, cuando la tensin de entrada toma el valor de la tensin de comparacin. Esta caracteristica, es aprovechada en diversos circuitos, como: generadores de onda cuadrada a partir de ondas senoidales, comparadores de tensin para circuitos temporizadores, reduccin de la incertidumbre del nivel de tensin en circuitos digitales, etc.Una caracteristica importante de estos circuitos, es que presentan histresis en el cambio del nivel de tensin de salida como lo muestra el dibujo:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------vo vo2 ve Comparador Schmitt vo vo1
ve2
ve1
ve
Esto significa que el cambio del nivel de la tensin de salida, no se produce en el mismo nivel de tensin de referencia, cuando la tensin de entrada esta en subida o en bajada. En la grafica, vemos que la tensin de salida, pasa de un nivel bajo a uno alto, cuando la tensin de entrada en subida, llega al nivel ve1. Superado este valor y cuando la tensin ve esta en bajada, la tensin de salida cambia su nivel de tensin (de alto a bajo), recin cuando la tensin de entrada toma el valor ve2. La ventaja de estos detectores o comparadores de nivel de tensin con realimentacin positiva, radica en la disminucin de la interferencia del ruido (presente en la seal a comparar) respecto al funcionamiento propio del comparador. Otra ventaja, es la rpida transicin de un estado a otro de la salida llevndola a la saturacin ya sea positiva o negativa, cuando se utilizan CI operacionales o comparadores. Tambin se evitan las oscilaciones, que por lo general ocurren en la transicin cuando se transita por la regin activa y durante poco tiempo. La grafica anterior, representa la funcin de transferencia del comparador Schmitt con transistores bipolares discretos, como se muestra en el dibujo siguiente: ve
vo vo1 vo2 t
El circuito se disea de manera tal que con tensin baja o cero en la entrada, Q2 esta conduciendo (en saturacin) y Q1 esta cortado. Cuando ve se incrementa, Q1 se mantiene cortado hasta tanto no se supere la tensin umbral en subida dada por : Ve1 RE.IE2sat + V(Q1) A partir de este valor, Q1 entra en conduccin, haciendo que disminuya su tensin de colector y esto hace que Q2 pase al corte dado que su base esta alimentada por el divisor resistivo formado por RA y RB. A su vez al disminuir la corriente IE2, lleva rpidamente
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------a Q1 a la saturacin (realimentacin positiva) y Q2 al corte. Cuando ve esta en bajada, la conmutacin nuevamente al estado anterior se producir con el valor: Ve2 RE.IE1sat + V(Q1) Como IE1sat IE2sat, dado que RC1 RC2, entonces el circuito presentara histresis en la comparacin.
Comparador Schmitt con amplificador operacional (no inversor)
Ve VEB VEA
vo
+VR
vo VCC
ve
VEA VEB
-VCC
Para el anlisis del circuito partimos de que vo = +VCC; por realimentacin, la entrada no inversora vale: ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 3-4- Aplicaciones del AO en circuitos regenerativos ------------------------------------------------------------------------------------------------------V1 = VEB = (R1.VR) / ( R1+R2) + (R2. VCC) / ( R1+R2) Si ve < VEB la salida permanece en +VCC. Cuando ve> VEB se produce la conmutacin y vo toma el valor de VCC. En esta conmutacin, el nuevo valor de la entrada no inversora vale: V1 = VEA = (R1.VR) / ( R1+R2) - (R2. VCC) / ( R1+R2) Si ahora la entrada ve decrece, deber llegar a este ultimo valor para producir la conmutacin y tomar nuevamente el valor de +VCC. El valor de la diferencia de tensiones de comparacin, denominada tensin de histresis vale: VH = VEB VEA = (2.R2.VCC) / (R1+R2) Con este circuito, modificando el valor y signo de VR, podemos modificar la grafica de la funcin de transferencia, respecto a los ejes coordenados vo vo
VR=0
ve
-VR
ve
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------LOS CIRCUITOS OSCILADORES (4-1, 4-2) Introduccin Los osciladores que utiliza la electronica, son circuitos que producen tensiones elctricas alternas, con una determinada frecuencia (o periodo). Los osciladores pueden ser autosuficientes, significando ello que no requieren de seal externa para oscilar (operan independientemente). Hay osciladores que requieren de una seal externa, para modificar la forma de la seal de salida, denominndose a estos osciladores de un disparo. Nosotros, trataremos primero los autosuficientes. Comenzaremos con una clasificacin, teora de funcionamiento, circuitos bsicos y finalmente circuitos integrados especiales que se utilizan para generar tensiones elctricas alternas de diversas frecuencias y formas de onda. La forma de onda de un oscilador, puede ser senoidal o no senoidal. En los osciladores senoidales, los elementos activos (transistores) trabajan en Gral. en zona lineal. Los osciladores que generan ondas no senoidales (de relajacin), los elementos activos trabajan en las zonas lmites de corte y conduccin mxima; estos osciladores generan seales elctricas con formas de onda cuadrada, triangular o pulsante. Los generadores de ondas elctricas de circuitos integrados, partiendo de un bloque oscilador de relajacin, son capaces de generar ondas elctricas senoidales y no senoidales, de diversas formas, como as tambin tienen la capacidad de generar seales elctricas moduladas analgicamente y digitalmente, que son muy usadas en los circuitos de comunicaciones. Lo esencial de todo circuito oscilador, es contar con un elemento que sea capaz de almacenar energa elctrica (a travs de un campo magntico o elctrico). De all la necesidad de contar con inductancias y condensadores, como as tambin de elementos almacenadores mecnicos como son los cristales piezoelctricos y materiales cermicos. Aplicaciones del circuito oscilador: Es el elemento esencial de los sistemas de comunicaciones electrnicas por radiofrecuencias analgico y digital; genera la onda elctrica portadora, onda piloto, frecuencia intermedia, etc. En electronica industrial se lo utiliza para producir calentamiento por induccin (a travs de campo magntico variable) y por perdidas dielctricas (a travs de campo elctrico variable). En los sistemas de computacin, genera la seal de sincronismo de todos los bloques que lo componen. En televisin, generan los barridos horizontales y verticales del haz electrnico que barre la pantalla. En los osciloscopios, generan la base de tiempo horizontal para el eje de tiempos. Otra aplicacin, es la generacin de trenes de pulsos para disparos de tiristores, etc. Dada la gran variedad de circuitos, tipos de aplicaciones, niveles de la seal de salida, frecuencia de salida, elementos activos utilizados, etc. Realizaremos una clasificacin de tipo gral. Clasificacin por la frecuencia de salida: Bajas frecuencias: ELF, VF , VLF , LF , MF Alta frecuencia : HF, VHF , UHF, SHF, EHF
ELF : frecuencia extremadamente baja; 30 ---------300 Hz VF : de voz (audio) ; 0,3 -----------3 KHZ VLF : muy bajas ; 3 ----------30 KHZ LF : bajas ; 30 --------300 KHZ ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------MF : medias ; 0,3 -----------3 MHZ HF : frecuencias altas ; 3 ------------- -30 MHZ VHF : muy altas ; 30 ------------ 300 MHZ UHF : ultra altas ; 0,3---------------- 3 GHZ SHF : sper altas ; 3 ---------------30 GHZ EHF : extremadamente alta ; 30 --------------300 GHZ Clasificacin por el principio de funcionamiento: -Osciladores con resistencia negativa. -Osciladores por realimentacin externa -Osciladores por regeneracin o relajamiento. Clasificacin por los elementos activos utilizados: -Elementos activos con resistencia negativa (ejemplo, diodo tnel) -Vlvulas electrnicas de baja y alta potencia (triodos, pentodos) - Transistores semiconductores (BJT, JFET, MOSFET, MESFET, - Amplificadores operacionales en circuito integrado. - Compuertas lgicas semiconductoras integradas. - Circuitos integrados especficos (CI555, XR2206, PLL, etc.) Desarrollaremos a continuacin los osciladores senoidales desarrollados con elementos que presentan caractersticas de resistencia negativa y aquellos realimentados externamente. Osciladores con elementos activos que presentan resistencia negativa En este caso, el elemento almacenador, se presenta como un dipolo, lo mismo con respecto al elemento activo.
Circuito almacenador de energa elctrica
G: elemento activo con resistencia negativa Para explicar su funcionamiento, conviene recordar algunos aspectos del comportamiento de los circuitos oscilantes LC conectados en paralelo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito, tenemos un condensador C, que almacena energa elctrica como campo elctrico, una inductancia L que almacena energa elctrica como campo magntico, una conductancia Gd, que representa las perdidas dielctricas del condensador y perdidas de conductancia del arrollamiento del alambre del inductor L; El valor de G, representa la conductancia del elemento activo que conectamos en paralelo con el circuito
Aplicando la 1 ley de Kirchoff en el nudo A tenemos: i1+ i2 + i3 + i4 = 0 Expresando las corrientes en trminos de la tension v y los parmetros circuitales: Gt.v + C.dv/dt + 1/L . v.dt = 0 Donde Gt = Gd + G Introduciendo los parmetros = Gt / 2.C y o= 1 / L.C
Derivando y ordenando trminos tendremos: d2v/dt2 + 2..dv/dt + o.v = 0 La forma gral de esta ecuacin lineal puede escribirse en la forma: V = B. e-.t. cos( a.t + ) Donde B y son constantes que dependen de las condiciones iniciales (t=0) y _______ a = o22 Resulta evidente que en la expresin de la tensin, para que resulte oscilatoria permanente o estacionaria, el termino amortiguante e-.t debe ser igual a 1, condicin que se cumple para = 0. Esta ultima condicin exige que Gt = 0, dado que = Gt / 2.C La condicin Gt = 0, se cumple si la conductancia negativa del elemento conectado en paralelo con el circuito es igual en modulo a la conductancia de perdida Gd pero con ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------valor negativo. Cabe aclarar que el comportamiento de una conductancia (o resistencia) negativa, significa que ante un aumento o disminucin de la tensin en sus extremos, la corriente disminuye o aumenta respectivamente. Circuito bsico practico utilizando un diodo tnel
id
Punto de operacin
vd
t Osciladores con realimentacin externa
Amplificador Electrnico (Activo)
Red de Realimentacin (Pasivo)
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Estn compuestos por un amplificador con elementos activos y una red de realimentacin que se presenta como un cuadripolo bien definido. Tenemos una gran variedad de circuitos. Se los puede clasificar en relacin a la constitucin de la red de realimentacin pasiva, en los siguientes tipos: RC y LC Osciladores RC: cambio de fase Puente de Wien Tipo T
Osciladores LC : Hartley con autotransformador Hartley con transformador Colpitts Clapp Pierce (cristal piezoelctrico) Otros.
Teora Gral. de la oscilacin El oscilador con realimentacin externa, se lo puede considerar como un amplificador realimentado positivamente. Xi Red mezcladora Amplificador Base A
Xs
Xo
Xf Realimentacin
La ganancia con realimentacin la habamos determinado como: Af Xo / Xs = A / (1+.A). En donde dijimos que si Af < A, la realimentacin resulta negativa y si Af> A la realimentacin resulta positiva. En el caso del circuito oscilador no tenemos seal externa Xs. Para interpretar el funcionamiento, conviene modificar el circuito anterior de la siguiente forma:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Fuente externa Xs + Red mezcladora Xf - 2 Xi 1 Amplificador Base A Xo=A.Xi
Xf=.A.Xo Realimentacin
Supongamos que para t = 0-, Xs = 0, Xf= 0 , Xi = 0, Xo=0 , Xf = 0 Para t= 0+, aplicamos brevemente una seal elctrica Xi, a travs de una fuente externa como por ejemplo una perturbacin que se produce cuando conectamos la fuente de alimentacin al circuito (simulamos esta situacin con una fuente externa). Esto dar lugar a una salida Xo = A.Xi. Para que esta seal de salida se mantenga permanentemente, debemos mantener el valor de Xi. Si ahora unimos la entrada del amplificador con el circuito mezclador, entonces Xf= Xi, donde Xf es la seal que sale del bloque mezclador y que proviene de la seal realimentada a travs de la red ( en este caso el mezclador se convierte en un circuito inversor dado que Xs = 0). En este caso el amplificador no distinguir la procedencia de la seal aplicada a su entrada, por lo que si desconectamos la seal aplicada externamente (perturbacin) y unimos los puntos 1 y 2, el amplificador continuara dando la misma seal de salida. La ganancia total de lazo Xf/Xi = 1 para mantener las oscilaciones; como Xf= -Xi entonces se cumple: Xf/Xi = -Xf/Xi = 1 = -.A Esta condicin, se denomina criterio de oscilacin de Barkhausen que nos dice que la ganancia total de lazo debe ser igual a la unidad. Criterio de oscilacin de Barkhausen: Si un amplificador funciona en su zona lineal y la red de realimentacin presenta elementos reactivos (capacitores e inductancias), la nica onda peridica que podr mantener su forma es la senoidal. Para que una onda senoidal cumpla la condicin Xf= Xi, equivale a la condicin de que la amplitud, frecuencia y fase sean idnticas. Teniendo en cuenta estas condiciones, podemos establecer las siguientes condiciones de oscilacin: a) La frecuencia a la cual funcionara un oscilador senoidal, ser aquella en que el defasaje total introducido a la seal que ingresa por la entrada del amplificador y se transmite por la red de realimentacin, retornando nuevamente a su entrada, debe ser cero o mltiplo de dos pi (2). Dicho de otra forma mas simple, la frecuencia de un oscilador senoidal, esta determinada por la condicin de que el defasaje del lazo, sea cero. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------b) Las oscilaciones no se sostendrn, si a la frecuencia del oscilador, la magnitud del producto de la ganancia de transferencia del amplificador, por el factor de realimentacin de la red (ganancia de lazo) |.A| sea menor a la unidad. Consideraciones practicas: De acuerdo a las consideraciones anteriores, la amplitud de la ganancia de lazo debe ser igual a la unidad. Esto es prcticamente imposible de realizar y poco conveniente, porque debido a los cambios en el amplificador (variacin de la ganancia por tensin, temperatura, etc.) puede disminuir y si no se cumple |.A|<1, entonces las oscilaciones se detendrn. En la prctica se hace la ganancia de lazo ligeramente superior a la unidad para evitar el inconveniente mencionado. Ahora en esta nueva instancia, la seal de salida comenzara a incrementarse tericamente hasta hacerse infinito (en la practica se llegara a los extremos de funcionamiento de los elementos activos, o como mximo al valor de su tensin de alimentacin). Esto no ocurre porque cuando aumentan las amplitudes de la oscilacin, el amplificador entra en una zona alineal donde la ganancia de transferencia comienza a disminuir; en algunos osciladores, se le adiciona un circuito adicional para que la amplitud de salida, se estabilice con la disminucin de A. Basado en estas consideraciones, podemos decir: En todo oscilador practico, la ganancia de lazo es ligeramente mayor a la unidad y las amplitud de las oscilaciones quedan limitadas por la falta de alinealidad del circuito. Mtodos grales para analizar y disear circuitos osciladores Existen diversas metodologas. Todas ellas, parten del establecimiento del criterio de Barkhausen para su resolucin. Un mtodo es resolviendo los circuitos elctricos por mallas (Kirchoff) y estableciendo la relacin de corrientes o tensiones del lazo de realimentacin. Otro mtodo, utiliza la teora de cuadripolos y resuelve por determinantes. En todos los mtodos de resolucin, el clculo es largo y engorroso. A continuacin, analizaremos diversos circuitos osciladores clsicos, comenzando con los de tipo RC. Osciladores tipo RC En Gral. este tipo de osciladores se utilizan para bajas frecuencias, inferiores a 100 Khz. Los ms conocidos son: El oscilador por cambio de fase con transistor bipolar y FET, el oscilador de puente de Wien y el oscilador T.
Osciladores por cambio de fase Estn basados en un amplificador inversor (defasaje 180) y ganancia de amplitud determinada por la atenuacin de la red de realimentacin . La red de realimentacin esta compuesta por tres celdas tipo RC, conectadas en cascada. Cada celda RC produce un defasaje parcial de 60. El total de la red RC produce un defasaje de 180 El defasaje total de la funcin de trasferencia de lazo abierto resulta .A =360. Y su ganancia de transferencia |.A| 1. Veamos sus diagramas de bloques:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Xi A=1/ -180 Xf Red -180 Xo
Oscilador de cambio de fase con transistor bipolar
El circuito equivalente incremental es el siguiente:
El amplificador esta formado por una etapa clsica discreta clase A con polarizacin por resistencia por emisor y divisor resistivo. (En la prctica ya no se lo utiliza). La red de realimentacin esta compuesta por tres celdas R.C. La resistencia R de la ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------ltima celda por donde circula la corriente i3 (de salida de la red), esta formada por R3 y la impedancia incremental de entrada del transistor (hie). En el circuito incremental, despreciamos hre y supondremos que R1, R2, Y RE no afectan el funcionamiento. Aplicando las leyes de Kirchoff para las tensiones, a las tres mallas y estableciendo la condicin segn la cual la fase de I3/Ib sea igual a cero, se llega a una expresin para la frecuencia de oscilacin: f = (1/2.R.C) . ( 1 / 6+4.K ) Donde K = Rc/R La condicin de que la magnitud | I3/Ib | sea igual o exceda la unidad para asegurar el comienzo de las oscilaciones, nos lleva a la desigualdad: Hfe > 4.K +23 +29/K El valor de K que da el mnimo fhe gira en torno de 2,7. Para este valor de K, hfe=44,5. Por lo tanto no podemos emplear para este circuito, un transistor cuya ganancia de corriente en cortocircuito en emisor comn sea menor a 44,5. Resumiendo, debemos elegir un transistor con hfe >44,5. Oscilador por cambio de fase con transistor JFET
El amplificador es un JFET que se lo hace trabajar en claseA en fuente comn. Produce un defasaje de 180. La red RC lo mismo que el circuito con transistor bipolar, produce otro defasaje de 180, logrando que el defasaje total sea de 360. Resolviendo por mallas, se llega a la condicin: - = vf/vo = 1 / (15.2 j(6.3) donde = 1/ R.C Para que el defasaje sea de 180 la parte imaginaria del denominador debe ser igual a cero. Esto se cumple para 2 = 6. Despejando la frecuencia, resulta: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------_ F = 1 / (2.R.C.6) El modulo de la red de defasaje vale: || = 1 / ( 15.6 ) = 1/29 Por lo tanto para que la ganancia de lazo sea igual a 1, la fuente equivalente de tension del JFET debe valer = gm. rd 29 (factor de amplificacin). Oscilador por cambio de fase con amplificador operacional
Este circuito es similar al anterior con la diferencia que utiliza un amplificador operacional cuya ganancia esta dado por: A = -Rr / R1 El signo negativo significa que produce un defasaje de 180 y una ganancia en amplitud de |A| = Rr / R1. La red de defasaje tambin consiste en tres celdas RC iguales. Dado que vi 0 y R1 = R , estas celdas producen un defasaje de 180. El clculo matemtico, igual que los casos anteriores, es engorroso. Daremos la formula final de la funcin de transferencia de la red en funcin de la frecuencia: = (jwRC).(jwRC)2 / {[1-6(wRC)2]+jwRC[5-(wRC)2]} La oscilacin ocurre para el valor de w que hace la parte imaginaria igual a cero, haciendo que sea real. Esto se cumple para: _ W = 1 / 6.R.C Para esta frecuencia resulta: |(w)| = 1/29. Por lo tanto la ganancia total de lazo vale:
___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------|(w).A(w)|= 1/29. Rr/R1 por lo que se debe cumplir: |A| > 29 para que se cumpla que |.A| > 1 Osciladores con redes de realimentacin RC de atraso-adelanto La red de realimentacin de estos osciladores, esta realizada con un circuito cuya fase esta atrasada en bajas frecuencias y adelantada en altas frecuencias. Para una determinada frecuencia, el defasaje es 0. Si utilizamos un amplificador con defasaje nulo y ganancia suficiente para compensar la atenuacin producida por la red (red pasiva de atraso-adelanto), entonces podemos lograr la oscilacin. Analicemos el circuito analgico de atraso y el de adelanto: Circuito de atraso:
Ve
Vs Vs /Ve = -jXc/ (RjXc) ______ | Vs /Ve | = Xc / R2+Xc2 = - arc.tang R/Xc
Circuito de Adelanto: Vs
Ve
Vs/Ve = R / ( RjXc) ______ |Vs/Ve | = R / R2+Xc2 = arc. Tag (Xc/R R/Xc) / 3 ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
Circuito de retardo-adelanto
Vs/Ve = [R// (-jXc)] / [R jXc + R//(-jXc) ] _________________ |Vs/Ve| = 1 / 9 + (XC/RR/Xc)2 = arc. Tag. (XC/RR/Xc)/ 3 Analizando la funcin de transferencia, vemos que para bajas frecuencias (el capacitor en serie es un circuito abierto), |Vs/Ve| 0. Para altas frecuencias ( el capacitor en paralelo es un cortocircuito,), tambin se cumple |Vs/Ve| 0. Para un valor de Xc= R, tenemos la mnima atenuacin de la red |Vs/Ve| =1/3. La frecuencia para este valor la obtenemos de: Xc = R = 1/wC fr = 1 / 2.R.C. (se denomina frecuencia de resonancia) |Vs/Ve| 1/3 +90
f=fr
f -90
f= fr
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------De los resultados obtenidos, resulta evidente que para lograr la oscilacin, el amplificador, para f = fr, debe tener un defasaje nulo y una ganancia de amplitud no inferior a 3. Oscilador en puente de Wien con amplificador operacional
El oscilador puente de Wien, esta conformado por una red de realimentacin de atraso-adelanto y un amplificador, en este caso operacional en configuracin no inversora. Los valores de Rr/R se hacen por lo menos igual a 2, a sea |A|=3, por lo que Rr= 2.R. Se denomina puente de Wien dado que redibujando el circuito de otra manera, vemos que la oscilacin se produce cuando se equilibra el puente de Wien:
Oscilador en doble T con AO El circuito es similar al de puente de Wien, con la diferencia que la red de realimentacin esta formado por un circuito de atraso-adelanto en doble T como muestra la siguiente figura: Red de realimentacin:
El circuito oscilador es el siguiente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Mtodo Gral. para la resolucin de los circuitos osciladores con realimentacin externa Tenemos varios mtodos resolutivos para los osciladores que utilizan realimentacin externa; Por ejemplo uno de ellos es el que aplica la teora de cuadripolos. Veamos como se resuelve por este mtodo:
i1 + v1 -
i2
Amplificador Base A
+ v2 -
i1 + v1 -
i2
+ v2 -
Para el amplificador base, podemos plantear las siguientes ecuaciones, utilizando los parmetros hbridos vi = h11.i1 + h12.v2 i1 = h21.i1 + h22.v2 (1) (2)
Si el amplificador base esta compuesto por un transistor bipolar, entonces podemos reemplazar por los parmetros hbridos del transistor: vi = hi.i1 + hr.v2 i1 = hf.i1 + ho.v2 (3) (4)
Para la red de realimentacin tambin planteamos las siguientes ecuaciones: v1 = h11.i1 + h12.v2 (5) i2 = h21.i1 + h22.v2 (6) Se verifica adems: |v1|=|-v1|=|v1| |v2|=|-v2|=|v2| i1 =i1 =i1 i2 =i2 =i2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Teniendo en cuenta estas consideraciones, sumamos a la expresin (3) la (5) obteniendo: 0 = ( hi + h11). i1 + (hr h12).v2 Si restamos a la expresin (4) la (6) tendremos: 0 = ( hf h21). i1 + (ho +h22).v2 Tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas. Resolviendo por determinantes tendremos: |0 (hrh12) | | | |0 (ho +h22) | 0 i1 = ---------------------- = --------- 0
El resultado de la expresin anterior debe ser distinto de cero dado que el circuito en funcionamiento (oscilando) resulta: i1 0 Por lo tanto, para que la expresin matemtica anterior exprese el resultado real, debemos igualar el determinante a cero. De esta manera el determinante igualado a cero, constituye la ecuacin fundamental de los osciladores con realimentacin externa (hi + h11). (ho + h22) (hf h21). (hr h12) = 0 La ecuacin anterior, se resuelve en el dominio de las frecuencias, por lo que estar compuesta por una parte real y otra imaginaria. La parte imaginaria igualada a cero, nos permitir calcular la frecuencia natural de oscilacin. La parte real igualada a cero, nos permitir determinar las condiciones que debe tener el elemento activo para que las oscilaciones se produzcan en forma peridica; en este caso (transistor bipolar) nos va a dar el valor mnimo de hf (ganancia en cortocircuito) para que el circuito oscile. Tratamiento del cuadripolo de realimentacin externa: Cuando analicemos los osciladores tipo LC, veremos que el cuadripolo de realimentacin externa lo podemos presentar de la siguiente forma:
Calculando este circuito y para ello utilizando las relaciones, que nos proporcionan los parmetros hbridos para el cuadripolo, tendremos: a) h11 = v1/ i1 | | v2=0 Esta relacin representa la impedancia de entrada con la salida en cortocircuito, resultando: h11 = Z1//Z2 = (Z1.Z2) / (Z1+Z2) b) h12 = v1/ v2 | | i1=0 Esta relacin representa la funcin de transferencia inversa con la entrada a circuito abierto, resultando: Como v1 = (v2.Z1) / (Z1+Z2) h12 = Z1 / (Z1+Z2) c) h22 = i2 / v2 | | i1=0 Esta relacin representa la admitancia de salida con la entrada a circuito abierto, resultando: h22 = (Z1+Z2+Z3) / [(Z1+Z2).Z3] d) h21 = i2 / i1 | | v2=0 Esta relacin representa la funcin de transferencia directa de corriente con la salida en cortocircuito, resultando: h21 = -h12 = - Z1 /(Z1+Z2) Con estos parmetros determinados y los del amplificador, se puede determinar la frecuencia de oscilacin y la ganancia necesaria del elemento activo del amplificador, para que el circuito tenga una oscilacin permanente. El clculo final puede resultar engorroso, si tenemos en cuenta que los parmetros del elemento activo (transistor), resultan nmeros complejos, especialmente en alta frecuencia. En general, los circuitos osciladores, se disean para que la frecuencia de oscilacin dependa exclusivamente del cuadripolo de realimentacin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Osciladores con circuitos resonantes LC Los circuitos resonantes o sintonizados LC, se los ha utilizado y en la actualidad en menor medida, en los sistemas de radiocomunicaciones, por presentar caractersticas de amplificadores de banda pasante. Estos, tienen la particularidad de rechazar componentes armnicos. Para el caso de los osciladores, tenemos una gran variedad de circuitos con esta caracteristica. Vamos a presentar los circuitos bsicos fundamentales, identificados por los nombres de sus creadores. La diferencia entre ellos, esta en el tipo de circuito que conforma la red de realimentacin externa . Todos los otros circuitos, son derivaciones de los bsicos. Oscilador Colpitts Bsicamente, el circuito de realimentacin externa de este oscilador, esta conformado por una inductancia y dos capacitores, como muestra la siguiente figura:
Los circuitos bsicos con transistor bipolar son los siguientes:
Como demostracin en el uso de la ecuacin fundamental de los osciladores con realimentacin externa, resolveremos para el oscilador Colpitt en base comn ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para este caso, el circuito para seales incrementales, lo podemos presentar de la siguiente forma:
Z1 = 1/ jwC1 ;
Z2 = 1/ jwC2
Z3 = jwL1
Reemplazando estos valores en los parmetros hbridos del circuito de realimentacin Tenemos: h11 = 1/ jw.(C1+C2) h12 = C2 / (C1+C2) h21 = -C2 / (C1+C2) h22 = j.[(w.C1.C2)/(C1+C2) 1/wL1] Reemplazando ahora en la ecuacin Gral. y utilizando los parmetros hbridos del transistor bipolar en la configuracin base comn tendremos: [hib+1/jw.(C1+C2)].{hob+j.[(w.C1.C2)/C1+C2)-1/w.L1]}[hrb-C2/(C1+C2)].[hfb+C2/(C1+C2)] = 0 Igualando la parte imaginaria a cero: -j.hob/w.(C1+C2) + j.[w.C1.C2/(C1+C2)].hib = 0 Simplificando, haciendo C = C1.C2/(C1+C2) y despejando w tenemos: W2 = 1/L1.C + [hob/hib . 1/(C1+C2)] ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Hemos encontrado la frecuencia natural de oscilacin. Dado que el 2 trmino de esta ecuacin depende de los parmetros hbridos del transistor y que a su vez son dependientes de variables como la temperatura, tensin elctrica, punto de operacin, envejecimiento, etc., entonces conviene para independizar la frecuencia de oscilacin que el 1 termino sea mucho ms grande que el 2. 1/L1.C >> hob/hib.(C1+C2) De esta manera, eligiendo convenientemente los valores de C1, C2 y L1, la frecuencia del oscilador depender exclusivamente de estos ltimos valores. ____ ____ w2 = 1/L1.C w = 1/ L1.C f = 1/2. L1.C Como vemos, esta frecuencia es la frecuencia natural de resonancia del circuito paralelo L1C, siendo C el equivalente serie de C1 y C2. La parte real igualada a cero nos da: hib.hob + [1/w.(C1+C2)].(w.C 1/w.L1) hrb.hfb hrb.[C2/(C1+C2)] + hfb.[C2/(C1+C2)] + [C2/(C1+C2)]2 = 0 Para la frecuencia de oscilacin w2 = 1/L1.C w.C = 1/L1 ( w.C -1/wL1)=0 Adems en los cuadripolos se cumple que: hob.hib hrb.hfb Tambin para tener en cuenta hfb >> hrb Teniendo en cuenta todo esto, podemos simplificar y llegamos a lo siguiente: hfb = -[C2/(C1+C2)] o lo que es lo mismo |hfb| = |C2/(C1+C2)|
Esta ltima expresin resulta la condicin mnima de oscilacin. Para que el circuito arranque debemos hacer: |hfb| > |C2/(C1+C2)| Aclarando que el valor de hfb es la ganancia de corriente en base comn para el transistor bipolar, que tambin se lo simboliza como . Oscilador LC Hartley con transformador Este oscilador, tambin se le denomina Amstroms; veamos su red de realimentacin :
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------A modo de ilustracin presentamos el circuito oscilador con transformador con transistor bipolar sintonizado en colector. El anlisis y diseo del mismo, es similar al que hemos desarrollado para el oscilador Colpitts
Oscilador Hartley con auto transformador con transistor bipolar en emisor comn En este oscilador, si esta bien diseado, la frecuencia de oscilacin vale: _________ fo 1/ 2..C.(L1+L2)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Oscilador Clapp con transistor comn en emisor comn _____ fo 1/ 2..L.C3
Oscilador Colpitts con amplificador operacional
El anlisis de este circuito demuestra que la frecuencia y ganancia del amplificador operacional valen: ____ fo 1/ 2..L.C
C = (C1.C2) / (C1+C2)
- Rr / R1 C2/C1 Donde el valor de Ro representan las prdidas del circuito sintonizado LC ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Oscilador Hartley con auto transformador que utiliza un amplificador operacional
El circuito es similar con la diferencia que en el circuito sintonizado, se intercambian los elementos reactivos L y C. La frecuencia de oscilacin y la mnima ganancia del amplificador operacional valen: ____ fo 1/ 2..L.C L = L1+L2 - Rr / R1 L1/L2 La estabilidad de la frecuencia de los osciladores La estabilidad de la frecuencia de un oscilador, esta relacionada con la variacin de la frecuencia que puede producirse en relacion a la frecuencia nominal del oscilador Estabilidad (fof ) / fo = f /fo Por ejemplo si un oscilador tiene una frecuencia nominal de fo = 3 x 106 Hz y se mide una variacin de su frecuencia de f = 30 Hz, su estabilidad vale: Estabilidad = 30 / 3 x 106 = 10-5 Como ejemplo de la importancia de la estabilidad, podemos mencionar a las emisoras de radio, que al efecto de no interferir con emisoras vecinas, la radiodifusin FM deben mantener sus frecuencias portadoras dentro de 2KHz (tolerancia aprox a 0,002%) y en AM no deben superar los 20 Hz. La estabilidad en frecuencia se determina bajo condiciones especificas, por ejemplo el tiempo que se produce f o si se produce por variaciones de temperatura ambiente. Con estas condiciones, la estabilidad la podemos expresar como: (f/fo) / T [Hz/ MGHz/ C] ppm /C (partes por milln por C)
Si las condiciones se determinan por la variacin de la tensin de alimentacin del circuito (Vcc) la estabilidad se expresa como: (f/fo) / V ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------En ocasiones la estabilidad se puede expresar bajo condiciones relativas como por ejemplo la variacin relativa de temperatura: (f/fo) / T/To Para el caso particular de los osciladores tipo LC, debido a las variaciones de la capacidad e inductancia con la temperatura, presin, humedad, etc. Estos, presentan baja estabilidad relativa. Utilizando capacitores cermicos se mejora la estabilidad, dado que estos presentan una variacin relativa de capacidad del orden C/C/T 750 x 10-6 / C Estos capacitores, tienen adems un coeficiente negativo, contrarrestando al coeficiente positivo de las inductancias que estn en el orden de: L/L/T 100 x 10-6 / C Otro punto importante respecto a la estabilidad, esta dado por el factor de mrito del circuito sintonizado LC, o sea el valor de Qo: ____ Qo = wo.L / R = 1 / wo.R.C = (1/R). L/C Cuanto mayor es el valor de Qo, el oscilador es ms estable, dado que pequeas variaciones de la frecuencia del oscilador respecto a la frecuencia de resonancia del circuito LC, provoca que el oscilador se aleje de las condiciones de oscilacin, establecidas por el criterio de Barkhausen. Cuando se necesita generar una frecuencia muy estable, como la requerida por los equipos de radiocomunicaciones o sistemas sincrnicos programables, se prefiere utilizar osciladores a cristal piezoelctrico, dado que su circuito de realimentacin, presenta un elevado valor de Qo. Osciladores a cristal Es posible lograr un alto grado de estabilidad, en particular sobre largos periodos de tiempo, reemplazando el circuito resonante LC por medio de un cristal piezoelctrico vibrante y utilizando el efecto piezoelctrico para establecer un vnculo entre los circuitos elctricos y las vibraciones del cristal. Varios son los materiales que se pueden utilizar al efecto. Uno de ellos es el cristal de cuarzo. Piezoelectricidad: Si de un cristal de cuarzo, se corta una lamina plana de tal manera que sus caras planas y de mayor extensin sean perpendiculares al denominado eje elctrico por ejemplo el eje X (corte X) del prximo dibujo, se comprueba que aplicando un esfuerzo mecnico en la direccin del eje Y, denominado eje mecnico, (en este caso eje Y), de la lamina, aparecen cargas elctricas sobre las caras planas de la misma. De esta forma aparece un campo elctrico sobre el eje elctrico. Si el sentido de este esfuerzo se invierte (de extensin a compresin o viceversa), tambin se produce una inversin de la polaridad de las cargas elctricas y por ende un cambio de polaridad del campo ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------elctrico generado en el sentido del eje elctrico. De la misma manera si aplicamos un campo elctrico (cargas elctricas) por medio de una tension elctrica externa, aparecer una deformacin del cristal en la direccin del eje mecnico (eje Y). Este fenmeno que vincula las propiedades elctricas del cristal con sus propiedades mecnicas, se denomina efecto piezoelctrico. x y y x y z
Corte perpendicular al eje ptico
z Cristal de cuarzo z-z: eje ptico
x , x , x : ejes elctricos y , y , y : ejes mecnicos
Materiales piezoelctricos Cuarzo Substancias cristalinas Sal de Rochelle Tourmalina
ADP (fosfato dihidrico de amonio) Substancias sintticas EDT (tartrato diamino etilenico) DKT (tartrato dipotasico)
Cuarzo: Presenta dureza y piezoelectricidad intermedia; se utiliza para circuitos osciladores y filtros. Sal de Rochelle: Mnima dureza y mxima piezoelectricidad; Se utiliza para micrfonos, agujas fonocaptores, audfonos y altavoces. Tourmalina: mxima dureza y mnima piezoelectricidad; es un material costoso y se lo utiliza en osciladores de alta frecuencia. ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Substancias sintticas: Se lo aplica en filtros y transductores. Circuito equivalente elctrico del cristal piezoelctrico Un cristal piezoelctrico para ser utilizado en circuitos elctricos, se forma colocando electrodos capacitivos a ambos lados del cristal. Son pelculas metlicas finas formadas directamente sobre el cristal por pulverizacin y horneado de una solucin de plata o evaporacin de oro, plata o aluminio. El cristal se sostiene por medios de alambres flexibles, soldados en puntos nodales de manera tal que el cristal pueda vibrar. El conjunto, se encierra en un recinto hermtico para protegerlo de los agentes ambientales (humedad, etc.)
Smbolo Del oscilador La impedancia del cristal la encontramos como:
Circuito Equivalente Electrico
Zc = (1/jwCp) // (jwL+1/jwCs) = (1/jwCp) .[ (jwL +1/jwCs) / (1/jwCp+1/jwL+1/jwCs)] Si despreciamos a Rs y operamos algebraicamente, la ecuacin nos queda: Zc=1/jwCp.[1/(L.Csw2) / (Cs+Cp) / (L.Cs.Cpw2)] =1/jwCp.[(ws2w2)/(wp2w2)] _____ ________________ Donde: ws = 1/LCs refleja la resonancia serie y wp= (Cs+Cp) / L.Cs.Cp refleja la Resonancia de L con Cp y Cs
Reactancia inductiva wp
ws
Reactancia capacitiva
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Resumiendo, en la frecuencia fs (ws), el cristal tiene una resonancia en serie con L y Cs, con una reactancia cero (si despreciamos Rs). En la frecuencia fp (wp), el cristal tiene una resonancia paralelo con L, Cs y Cp(tericamente reactancia infinito). El valor de wp, siempre es mayor que ws para cualquier valor de Cs y Cp. Para valores de w < ws y w >wp , el cristal tiene impedancia capacitiva de la forma: 1/jwC. Para ws < w < wp, el cristal presenta impedancia inductiva de valor: jx(w) = j 1/w.Cp|.[(ws2w2)/(wp2w2)]| Por ejemplo si en el oscilador Colpitts, reemplazamos el inductor del circuito tanque (sintonizado) por el cristal, la oscilacin puede ocurrir en las frecuencias donde presenta caractersticas inductivas (entre ws y wp). Con el cristal conectado, las capacitancias Cp y Cs tambin forman parte del circuito sintonizado. Como Cs<< Cp y menor que las capacitancias externas del oscilador, y adems teniendo en cuenta que las capacitancias resuenan en serie con el inductor, el circuito sintonizado queda dominado por Cs y entonces la oscilacin se producir a una frecuencia que es independiente de los elementos externos. Una de las ventajas del oscilador a cristal es la estabilidad en frecuencia, dado que el Q del cristal es elevado. Como desventaja podemos decir que no se puede variar la frecuencia del oscilador; no obstante la asociacin de un oscilador a cristal con un circuito denominado de fase cerrada, abreviadamente PLL es posible obtener una amplia variacin en frecuencia con prcticamente la misma estabilidad en frecuencia del cristal. A continuacin, daremos los valores que representan los parmetros elctricos equivalentes del cristal: Lp: Es el equivalente elctrico de la masa del cristal que esta en vibracin. Cs: Es el equivalente elctrico de la compliancia efectiva. Rs: Es el equivalente elctrico del frotamiento mecnico. Cp: Representa la capacitancia electrosttica entre los electrodos que soportan el cristal. Ejemplo: fp =430,1 KHz fs = 427,4 KHz Cs = 0,042 pf Cp = 5,8 pf Lp = 3,3 Hy Rs = 4 K
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito oscilador Pierce a cristal Este oscilador, es una modificacin del circuito Colpitts, donde se ha reemplazado el inductor L en el circuito sintonizado, por el cristal
En el circuito, c y c son capacitores de acoplamiento. El inductor CH.RF (Choke de radiofrecuencia), conectado en serie con VCC acta de choque o filtro para evitar que la seal del oscilador circule por la fuente de alimentacin y evite interferir sobre otros bloques del sistema electrnico. El circuito presentado, es uno de la gran variedad de osciladores a cristal que es posible disear, dependiendo el circuito, del elemento activo y de las frecuencias de oscilacin entre otros factores. El orden de las frecuencias generadas est entre los cientos de KHz y 100 MGHz. Para frecuencias mayores, se recurre a la multiplicacin de la seal generada por un oscilador de baja frecuencia o a osciladores con elementos activos especiales (Klistrn, Magnetrn diodo tnel, etc.). Compensacin con la variacin de la temperatura ambiente: En las aplicaciones practicas, a los efectos de mejorar la estabilidad de la frecuencia generada, los circuitos osciladores estn compensados en temperatura, con circuitos adicionales que disponen de elementos sensibles a la temperatura como pueden ser los termistores. Estos ltimos actan modificando una tension elctrica que es aplicada a un diodo de capacidad variable denominado varactor conectado en el circuito de resonancia del cristal, y cuya variacin compensa los posibles corrimientos de frecuencia del oscilador. Estos circuitos, mas complejos, denominados mdulos de oscilador a cristal estn contenidos en una capsula de metal, y tienen la posibilidad de realizar pequeos ajustes de la frecuencia de oscilacin. Estos mdulos de osciladores compensados, pueden compensar la estabilidad de la frecuencia en un porcentaje de 0,0005% para una variacin de temperatura desde 30 a +80C. ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Osciladores controlados por voltaje (VCO) La frecuencia de los osciladores controlados por tension elctrica, denominados abreviadamente VCO, se modifica, con la aplicacin de un voltaje variable. En Gral., este circuito forma parte de funciones monolticas complejas, de alta densidad de integracin (VLSI), como son los moduladores en fase y frecuencia, sistemas de fase cerrada (PLL), etc. Todas estas funciones que involucran al VCO, son ampliamente utilizadas, en los sistemas de comunicaciones analgicas y digitales modernos. Los VCO, convierten proporcionalmente una tension elctrica de entrada, en una frecuencia de salida. Vamos a ver el principio de funcionamiento:
vi
Circuito Integrador
Comparador con Histresis
vo
El circuito consta de un integrador, un comparador con histresis con tension de referencia constante y un transistor que trabaja como conmutador controlado por tension. En el bloque integrador, se genera una corriente constante y proporcional a la tension de entrada vi, que a su vez se convierte en una tension que crece linealmente y es aplicada a la entrada de un comparador con histresis, con tension de referencia cte. Cuando se llega a la tension de comparacin, la salida del comparador conmuta y opera sobre el transistor que permite que el integrador proporcione una corriente, tambin cte, pero de sentido inverso a la inicial. El resultado, es una tensin de onda cuadrada a la salida del comparador. La frecuencia, de esta onda cuadrada, resulta proporcional a la tension de entrada vi. Analicemos un circuito prctico, realizado con amplificadores operacionales:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para comenzar el anlisis, suponemos que AO2 se encuentra en saturacin negativa, por lo que el transistor bipolar Q (npn), se encuentra cortado y la tension de salida de AO1 tiene valor alto positivo (viH de la entrada del comparador); en estas condiciones si igualamos las corrientes de los componentes conectados al Terminal inversor de AO1 resulta: vi =[ R3 / (R2+R3)].vi = vi / 2 i1 = (vivi) / R1 = vi / (2.R1) ic = C. (dvi/dt dvo/dt) = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt) Como Q esta cortado entonces i1 = ic vi / (2.R1) = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt) A medida que ic carga al condensador, la tension de salida vo se hace mas negativa hasta que llega al valor de saturacin positiva de AO2 o sea viL del comparador. Por lo tranto si hacemos la integral de la expresin anterior tenemos: t1 (.R1).vi.dt = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt).dt (.R1).vi.t1 = C.[1/2vi (viLviH)] Donde t1 es el tiempo que tarda AO1 en cambiar su tension de salida desde viH a viL ; adems : viH -- viL = VH siendo este ultimo valor la tension de histresis. Despejando el tiempo t1 tendremos: Ti = R1.C.(2.vH + vi) / vi En t1, AO2 bascula desde la saturacin negativa a positiva, momento que el transistor comienza a conducir. Si aplicamos ahora la ley de Kirchoff al Terminal inversor de AO1 tendremos: iR4 = iR1+iC donde iR1 = vi / 2.R1 y iR4 = vi /R1 Despejando, tenemos: ic = iR4 iR1 = vi / 2.R1 Por otra parte la corriente que circula por C vale: ic = C. (dvo/dt .dvi/dt) igualando ambos trminos: vi / 2.R1= C. (dvo/dt .dvi/dt) La tension final sera viH por lo que integrando ambos miembros tenemos: (v1.t2) / (2.R1) = C.(vH 1/2.vi) despejado t2: ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. guarnaschelli dado que R4 .R1.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-1- Circuitos osciladores --------------------------------------------------------------------------------------------------------t2 = [R1.C.(2.vHvi)] / vi El proceso se repite con un periodo correspondiente a : T = t1+t2 = [R1.C.(2.vH+vi+2.vH-vi)] / vi La frecuencia de la onda cuadrada a la salida de AO2 vale : f = 1 / T = vi / R1.C.4.vH Como vemos, para determinados componentes, depende exclusivamente de la tensin de entrada vi. Esta dependencia es bastante lineal razn por la cual el circuito es un excelente VCO.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CIRCUITOS INTEGRADOS ESPECIALES

Osciladores con la tecnologa de circuitos integrados En los ltimos aos, el uso de circuitos integrados a gran escala, para la generacin de formas de ondas y frecuencias, se ha incrementado notablemente, porque los osciladores para circuitos integrados tienen una excelente estabilidad en frecuencia y un rango amplio de sintonizacin, adems de su facilidad de uso. Los generadores de formas de ondas y funciones se usan extensamente en sistemas de comunicaciones, y laboratorios de mediciones y control. De hecho, los circuitos integrados tienen una gran ventaja respecto a los circuitos discretos, como la posibilidad de obtener circuitos electrnicos complejos de un gran numero de dispositivos activos en un solo chip. En la actualidad, es posible disponer comercialmente circuitos integrados como osciladores y generadores de funciones que proporcionan un funcionamiento comparable a los circuitos discretos complejos, con la ventaja de su bajo costo. EL CI GENERADOR DE FUNCIONES 555 Este circuito integrado es muy popular, similar al de los amplificadores operacionales de propsitos generales. Lo introdujo al mercado la empresa Signetics Corporation. Hoy en da lo fabrican varias empresas de la especialidad. Su nombre genrico es 555. Tiene aplicaciones como oscilador de relajacin, generador de pulsos, generador de rampas u onda cuadrada, multivibrador de un disparo (monoestable), monitoreo de voltajes, modulador de pulsos y muchas otras aplicaciones que requieran producir intervalos de tiempos medidos(temporizador). Este CI, puede trabajar con tensiones de alimentacin de +5 V a +18 V, lo que lo hace compatible con circuitos digitales de lgica TTL y amplificadores operacionales. Bsicamente, el conjunto funcional, esta compuesto por dos comparadores, dos transistores bipolares, tres resistencias iguales, un biestable (flip flop) RS, y una etapa de salida inversora, todos ellos interconectados como muestra el siguiente esquema:
_________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------El 555 tiene dos modos de funcionamiento, como multivibrador astable (oscilador onda cuadrada libre) o como multivibrador monoestable (un disparo de entrada) 555 Astable vi vi 555 Monoestable vo T1 T2 T1 t vo T t
El periodo de tiempo para un solo 555, se puede extender a un mximo de aproximadamente 15 minutos. Para tiempos mayores, se puede recurrir a la conexin en cascada de varios circuitos similares; Otra solucin para aumentar el tiempo, es la de excitar con un 555, contadores digitales conectados en cascada. Existe un circuito integrado (XR-2240) que agrupa un 555 con un contador digital, lo que permite tiempos de varios das, incluso de meses y aos con la conexin en cascada. Terminales del 555 El 555 se lo ofrece comercialmente en dos encapsulados el TO 99 (encapsulado metlica) y DIP (encapsulado plstico doble en lnea). Los terminales de acceso al interior del CI estn numerados del 1 al 8, con las siguientes funciones: Terminales de alimentacin: El Terminal (1) corresponde a masa, comn o tierra. El Terminal (8) corresponde al suministro de tensin positiva Vcc. Esta tension puede estar comprendida entre +5 y +18 volt, lo cual le permite interactuar con circuitos digitales TTL (+5 v) , circuitos lineales con AO (+15 v) y circuitos alimentados por bateras de automviles (+12 v). El consumo interno es de aproximadamente 0,7 mA x volt de tension de alimentacin; para Vcc=+15 volt, consume aprox. 7ma. La disipacin mxima, es de 600 mw. Terminal de salida: Corresponde al Terminal (3). La tensin de salida puede tomar dos valores (alto o bajo) Este puede actuar como fuente (entrega corriente) o como sumidero o drenador (absorbe corriente). En ambos casos esta corriente prcticamente no supera los 40 mA. La tensin de salida en su valor mas alto es de aprox. Vcc=5 volt. En el estado bajo es de aprox. 0,1 volt. Terminal de restablecimiento: Corresponde al Terminal (4). Este, inhabilita el control del Terminal de salida, de la entrada de disparo (reset). Con tension baja (<+0,4 v) de este terminal, la salida (3) y el Terminal de descarga (7), pasan a un estado de baja tension, independientemente de los valores de los terminales de entrada. Cuando no se lo utiliza, se lo debe conectar a la tension de alimentacin +Vcc.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Terminal de descarga: Este Terminal (7), cumple la misin de descargar un capacitor externo que cumple la misin de base de tiempo RC y fija el periodo T, en sus variadas aplicaciones. Cuando el Terminal (7) esta en el estado alto, permite la carga del condensador a travs de una resistencia R. Cuando pasa al estado bajo, descarga el condensador, fijando el periodo T. Esto modifica el estado del Terminal de salida (3). Terminal del voltaje de control: El terminal (5), se usa para modular la forma de onda de la salida (3). Modifica las tensiones de comparacin de los comparadores AO1 y AO2, respecto a las tensiones de entradas disparo (2) y umbral (6), que si no se acta sobre este terminal de control, estn fijadas en +Vcc/3 y 2/3.Vcc respectivamente. Cuando se utiliza este terminal ya sea conectando una resistencia a masa o aplicando una tensin elctrica, se modifica la relacin de la tensin de disparo y umbral, respecto a +Vcc. Cuando no se lo utiliza, se lo conecta a masa a travs de un capacitor de filtro de 0,01 F. Terminales de disparo y de umbral: El 555 tiene dos estados posibles de operacin y de memoria. Esos estados, estn determinados tanto por el Terminal de disparo (2), como por el Terminal umbral (6). Si la entrada de control (5) no esta activada, el voltaje que ingresa por el Terminal disparo (2) se la compara en AO1 con +Vcc/3 .El voltaje que ingresa por el Terminal umbral (6)se lo compara en AO2 con +Vcc.2/3. Si ambas entradas estn en un nivel bajo de tensin y menor a 1/3 de +Vcc, El AO1 tiene un nivel de tensin alto (1logico) y el AO2, un nivel bajo (0 lgico). Las salidas de AO1 y AO2 son entradas lgicas del biestable tipo SR, por lo que para esta condicin, el Flip Flop esta reseteado, la salida Q esta en un nivel bajo, la salida (3) que proviene de un inversor esta en un estado alto (1) de tension y el Terminal descarga (7), que es el colector del transistor npn esta abierto, dado que este transistor presenta en su base una tensin baja, proveniente de la salida Q del biestable. A medida que aumentan los niveles de tensin de las entradas (2) y (6), cuando llegan a los valores de las tensiones de comparacin (1/3 y 2/3 de Vcc) se modifican los valores lgicos de las salidas de los comparadores y tambin los valores lgicos de Q y con ello los valores de las salidas (3) y (7). La lgica que cumple este Biestable RS, es la siguiente:
Tabla de la verdad biestable RS asincrnico (NOR) R 0 0 1 1 x : indeterminacin S 0 1 0 1 Q Q(t) 1 0 1(x) Q Q(t) 0 1 1(x)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Los dems estados del circuito, se pueden analizar en el siguiente esquema: Vcc vc2 vc1 vi t Vo3 Vcc A B C 0 D E F (6) (2) vi +Vcc (4) (8) Res Des. Disp. Sal. Umb. Cont. (7) (3) (5)
(1) t 0
0.01f
___ ___ B-C y D-E : recuerda el estado anterior
vc1=tension de comparacin de AO1 =Vcc/3 vc2= AO2 = 2/3.Vcc
Diagrama de la funcin de transferencia entre vi y vo(3)
vo(3) A (Vcc) vi en bajada B C
vi en subida
0 F E D O (Vcc)
vi
Estados de operacin: _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------La tensin de entrada vi en subida AB: vo(3) esta en estado alto y des.(7) abierto; en B se produce la comparacin con vc1. BC: vo(3) recuerda el estado de salida alto y Desc.(7) sigue abierto. Cuando llega a C, se produce la comparacin con vc2. CO: vo(3) pasa al estado bajo y Desc(7) toma el potencial de masa. Cuando se llega al punto O, vi llega a +Vcc y a partir de all comienza a disminuir su voltaje. La tensin de entrada vi en bajada OD: vo(3) mantiene el estado bajo y Desc.(7) sigue con el potencial de masa. En D se produce la comparacin con vc2 DE: vo(3) recuerda el estado de baja salida y Desc.(7) sigue con el potencial de masa. En En el punto E, se produce la comparacin con vo1. EF: vo(3) pasa al estado alto y Desc.(7) pasa al estado abierto. En F, vi tiene 0 volt, finalizando el ciclo. En la ltima grafica, vemos que se tiene una caracteristica de histresis, es decir que el circuito tiene memoria, significando ello que no se puede determinar el estado de la salida con el valor de la entrada, sino tambin interviene el estado previo. A continuacin daremos algunos circuitos prcticos de aplicacin del CI555 en sistemas de control.
Aplicaciones del CI 555

Retardos de tiempo al encendido
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Encendido=+Vcc Interrup. Apagado= 0 t +Vcc v(2)=v(6) vc2 vc1 0 Vo(3)+Vcc T t 0 2/3.Vcc 1/3.Vcc t
En ocasiones se requieren dos tipos de eventos en el momento de aplicar el voltaje de alimentacin a un sistema de control: una parte del circuito, que requiere en forma inmediata la tensin de suministro y el otro que necesita esperar un intervalo corto antes de comenzar a funcionar. Esta aplicacin se puede lograr con el circuito anterior en donde en el momento de cerrar el interruptor, se le suministra inmediatamente energa ; por la salida (3) de CI555 se le suministra energa , despus de un tiempo previsto, dado por los elementos externos R y C del circuito. El funcionamiento es el que sigue: Antes de cerrar el interruptor la vo(3) esta en nivel bajo y el condensador C esta descargado. Cuando se cierra se aplica la tension +Vcc al terminal (2)(disparo) y de acuerdo a la lgica del circuito vo(3) se mantendr en nivel bajo. El condensador comienza a cargarse con una constante de tiempo RC y por lo tanto la tensin del Terminal (2), comienza a disminuir; cuando llega a vc2, vo(3) mantiene su estado bajo. Cuando se llega a la tensin de comparacin vc1 la salida, vo(3) cambia de estado pasando al nivel alto y de esta forma puede suministrar energa al sistema de control que lo necesite, lgicamente con una corriente de suministro, limitada por la que pueda entregar el CI555. Para determinar el intervalo de tiempo T lo hacemos teniendo en cuenta el tiempo que tarda el condensador en cargarse con 2/3.Vcc que, para el terminal disparo (2) y umbral 6), corresponde a una tensin respecto a masa de 1/3.Vcc. Vc = Vcc (1et/RC) formula de la tensin de carga de un condensador para el caso particular tratado, tendremos: 2/3.Vcc = Vcc(1eT/RC) despejando el tiempo T resulta : T = R.C.ln(12/3) = 1,1.R.C
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito que aplica un intervalo de tiempo una tension elctrica
La diferencia con el circuito anterior es que se han intercambiado la ubicacin de la resistencia y el capacitor que fijan la base de tiempo RC. El funcionamiento es el siguiente: Cuando cerramos el interruptor el condensador se encuentra descargado por lo que la tensin disparo (2) y umbral (6) valen 0 volt; en estas condiciones la tension de salida vo(3) esta en un nivel alto. Cuando el condensador comienza a cargarse y llega a la tensin de vc2 o sea 2/3.Vcc se produce el cambio de la tensin de salida, pasando a un nivel bajo, concluyendo con esto el intervalo de tiempo T. El calculo de T es similar al caso anterior es decir debemos determinar el tiempo que tarda el condensador descargado, en cargarse a la tension 2/3.Vcc. T = 1,1.R.C
Encendido=+Vcc Interrup. Apagado= 0 0 +Vcc v(2)=v(6) vc2 vc1 0 Vo(3)+Vcc T 0 t 7 2/3.Vcc 1/3.Vcc t t
Oscilador de onda cuadrada (multivibrador astable)
+Vcc vc2
El capacitor se descarga por R2
El capacitor Se carga por R1+R2 2/3.Vcc 1/3.Vcc t
vc1 0 Vo(3)+Vcc T1 T2
t Como podemos observar en las graficas, este circuito genera una onda cuadrada asimtrica en la salida (3). Como diferencia de los circuitos anteriores, se ha conectado el Terminal descarga (7) en la conexin de las resistencias R1 y R2. Para comprender su funcionamiento, debemos partir de un punto, por ejemplo en el momento que la tensin del condensador esta en 1/3.Vcc, la salida esta en alta y el Terminal descarga (7) se encuentra abierto; en estas condiciones, el condensador comienza a cargarse exponencialmente con una constante de carga dado por (R1+R2).C. Cuando la tensin _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------del capacitor llega a vc2=2/3.Vcc se produce la conmutacin, pasando la salida (3) a un valor bajo y el Terminal descarga (7) a potencial de masa; esta ultima accin, hace que el capacitor a partir de este momento, comience a descargarse, a travs de R2, con una constante de descarga, dado por R2.C. Ahora, cuando al tensin en cada del capacitor llega al valor de vc1=1/3.Vcc, se produce nuevamente la conmutacin, pasando la salida 3) al estado alto y la descarga (7) queda abierta. Esta ultima condicin, permite la carga del capacitor a travs de R1+R2 y asi se repite el ciclo nuevamente, obtenindose en el terminal de salida (3) una onda cuadrada asimtrica. Durante la carga o descarga del capacitor, la salida mantiene su valor alto o bajo, dado que el circuito entre los valores de vc1 (1/3Vcc) y vc2 (2/3Vcc), memoriza el estado anterior. Frecuencia de oscilacin Para encontrar la frecuencia de oscilacin, debemos calcular los tiempos T1 y T2. El tiempo T1 corresponde a la carga del condensador entre las tensiones 1/3.Vcc y 2/3.Vcc. El clculo determina: T1 = 0,695.(R1+R2).C El tiempo T2 se determina para la descarga del capacitor entre las tensiones 2/3.Vcc y 1/3.Vcc. El clculo determina: T2 = 0,695.R2.C T = T1+T2 f = 1/T = 1,44 / (R1+2.R2).C Ciclo de trabajo del oscilador Se define a la siguiente relacin: D T2 / T = T2 / (T1+T2) = R2 / (R1+2.R2) Problema: Para el circuito oscilador del esquema anterior, calcular la frecuencia de trabajo y la relacin de ciclo. Frecuencia de trabajo: f =1,44 / (R1+2.R2).C =1,44 / (6,8K+2. 3,3K).0,1F f = 1,07 Khz. D = R2/(R1 +2. R2) = 3,3 / (6,8+2 . 3,3 ) = 0,25 Esto significa que el oscilador esta en nivel bajo en su salida el 25% del periodo total. Vemos que en la ecuacin del ciclo de trabajo, para obtener una relacin de 0,5, para que la forma de onda sea simtrica, tendramos que hacer R1=0 pero esto es imposible porque cuando el terminal de descarga (7) se conecte a masa travs del transistor npn, se producira un cortocircuito y una falla del CI. Para evitar este inconveniente, el fabricante recomienda que por este terminal (7), la corriente no deba superar los 200mA. _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Por esta razn, la resistencia R1, tiene que ser igual o superior a: R1[K] Vcc[volt] / 200 Si quisiramos obtener un oscilador de onda simtrica tendremos que hacer la siguiente modificacin:
En este caso hemos agregado un diodo en paralelo con R2, de manera tal que durante el tiempo de carga del capacitor C, anule a la resistencia R2. De esta forma los intervalos de tiempo parciales, periodo y frecuencia valen: T1 = 0,695.R1.C T2 = 0,695.R2.C T = T1+T2 f = 1/T = 1,44 / (R1+R2).C Si hacemos R1 = R2 entonces el ciclo de trabajo resulta: D T2 / T = T2 / (T1+T2) = R2 / (R1+R2) = 0,5 Vemos adems que si hacemos R2 > R1 el ciclo de trabajo es > 0,5 Problema: Determinar la frecuencia y la relacin del ciclo de trabajo, para el oscilador astable del esquema anterior, los siguientes valores: a) R1 = R2 = 6,8 K b) R1 = 3,3 K , R2 = 6,8 K _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 10
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Multivibrador de un disparo o circuito monoestable con CI555
El multivibrador monoestable se caracteriza por tener un estado estable, significando ello que puede estar en forma indefinida, en ese estado, y un estado inestable, es decir puede permanecer un cierto tiempo y luego regresar al estado estable. Para el caso del circuito del esquema anterior el estado estable , corresponde a la salida (3) en estado bajo, para ello, el terminal disparo (2) o sea la entrada vi debe estar en estado alto y umbral (6), en estado bajo; como descarga (7), esta conectado a masa, por estar la salida (3) baja y a su vez conectado con (6), entonces logramos el estado estable (entre 0 y t1) , si alimentamos a vi(2), con una tension como muestra el grafico:
Vi (2)
t 0 Vo(3) Vcc T=1,1.R.C t 0 t1 t3 Como vemos de 0 a t1 vi(2) esta en estado alto y la salida vo(3) en estado estable bajo. Esto hace que (7) y (6) estn con tension de masa. Si ahora aplicamos un pulso negativo a vi(2), en este caso en el tiempo t1 lo hacemos caer a masa, las salida (3) pasa a alto, la _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11 t1 t2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------descarga (7) se abre y permite al capacitor cargarse a travs de +Vcc y R. Cuando la tensin llega a vc2 (2/3.Vcc), a travs de (6), cambia la lgica del Flip Flor RS y nuevamente la salida pasa al estado bajo. El tiempo que la salida (3), esta en estado alto (inestable), es el tiempo que tarda el condensador en cargarse a 2/3.Vcc. Este tiempo resulta: T= 1,1.R.C El siguiente circuito muestra como podemos lograr un pulso breve negativo:
En este caso, C1 y R1 actan como un circuito diferenciador generando en su salida dos pulsos: uno negativo y el otro positivo. El pulso positivo se anula con el diodo D. TEMPORIZADOR / CONTADOR PROGRAMABLE XR-2240 El circuito integrado XR2240, es un controlador monoltico con capacidad de producir retardos de tiempos ultra largos, sin perdida de la exactitud (aprox. 0,5%). Genera retrasos de tiempos y frecuencias programables, con periodos desde microsegundos hasta cinco das. Pueden conectarse en cascada dos circuitos temporizadores para generar retardos de tiempo hasta 3 aos. Bsicamente consta de un temporizador modificado 555, un contador digital de 8 bits, y un circuito de control biestable. Todos estos componentes contenidos en un paquete doble en lnea nico de 16 terminales, con encapsulado plstico o cermico El periodo o retardo de tiempo se establece por un circuito externo R-C y puede programarse a cualquier valor desde 1.R.C hasta 256.R.C. En la operacin astable, el circuito puede generar 256 frecuencias separadas o patrones de pulso con un circuito RC nico y puede sincronizarse con seales externas de reloj. La tensin de suministro, puede estar comprendida entre 4 y 15 volt. Con estos valores, tanto las entradas como las salidas del control, son compatibles con los circuitos digitales TTL y DTL. La disipacin de potencia es de 725 mW para el encapsulado cermico, valor que se reduce para temperaturas ambientes superiores a los +25,en 6 mw/C. Para la versin con encapsulado plstico, es 625 mW con una reduccin para temperaturas mayores a +25, en 5 mw/C. La temperatura ambiente de operacin, es de 0 a+25C para el XR2240C (comercial) y de -55 a +125C para el 2240| (militar). Tiene aplicaciones como temporizador de precision, generacin de largos retrasos de tiempos, temporizador secuencial, generacin de frecuencias patrones binarias, sintetizador de frecuencias, conteo/suma de pulsos, conversin analgica digital, etc. Veamos su diagrama en bloques simplificado, para comprender su funcionamiento: _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------o 12 control
o14 salida (base de tiempo) salidas 1 (1T) 2 (2T) 3 (4T)
Disparo 11 o
XR 2240 Contador Binario de 8 bits
Control FF o 10 reset o16 +Vcc +V R
555 Oscilador Base de tiempo
4 (8T) 5 (16T) 6 (32T) 7 (64T) (128T)
o 13
o9
o 15 voltaje regulado masa
T = Rx C Breve descripcin de los terminales del XR-2240 Salidas del contador binario (1 a 8): Las salidas del contador, estn reforzadas por etapas de tipo colector abierto como muestra la figura:
(10) reset Lgica de control (11) disparo
13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Cada salida puede absorber aprox. 5 mA de la corriente de carga. En la condicin de restablecimiento (reset) todas las salidas (8 en total) estn en el estado alto o estado no conductor. Ante una entrada de un pulso en (11), disparo, todas las salidas pasan al estado bajo. (Ver luego diagrama temporizado de las salidas).Las salidas pueden conectarse en forma individual o conectadas juntas en una configuracin y alambradas (ver programacin de las salidas). Entradas de restablecimiento y disparo (terminales 10 y 11): El circuito se reestablece o se dispara con pulsos de control que van a positivo ( 1,4 volt), aplicados en los terminales 10 y 11 respectivamente. Una vez disparado es inmune a sucesivos disparos hasta que se termina el ciclo de temporizado. Entrada de modulacin y sincronizacin (Terminal 12): El periodo T puede modularse por la aplicacin de un voltaje de continua en este Terminal. Tambin es posible sincronizar el circuito, con un oscilador externo, por la aplicacin de pulsos, en este Terminal. Terminal de temporizado (13): El periodo, base de tiempo T, se determina por el circuito externo R-C conectado a este Terminal. Cuando la base de tiempo se dispara, el capacitor externo C se carga exponencialmente, con una constante de tiempo R.C. Los comparadores 1 y 2 fijan el tiempo T = 1. R.C. Salida base de tiempo (14): Esta salida es una etapa del tipo colector abierto y requiere una resistencia de 20K, conectada entre (14) y (15), para la operacin adecuada del circuito. En el estado de restablecimiento (reset), esta salida esta en el estado alto. Subsiguiente al disparo, se producen pulsos que van a negativo, con un periodo T, que se aplican al contador binario interno. Este Terminal, tambin puede servir como entrada de una seal de reloj, cuando se opera el circuito con una base de tiempo externa. La entrada del contador se dispara con una bajada a negativo (masa) de los pulsos del temporizador o reloj, aplicados a (14). Si se desea anular el contador binario interno, el Terminal (14) se coloca a masa. Salida del regulador (15) : Este Terminal, puede servir como un suministro de tensin regulada +V, a los circuitos adicionales del XR-2240, cuando se instalan en cascada varios circuitos temporizadores, con la finalidad de minimizar la disipacin de potencia. Cuando se lo usa con base de tiempo externa, se puede disminuir la potencia consumida del XR-2240 alimentando el circuito por este Terminal (se anula la base de tiempo interna). Cuando +V 4,5 volt, el Terminal 15 debe ser unido al (16).
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Diagrama temporizado de las salidas del CI XR-2240: (11) entrada Disparo t (14) salida base de tiempo T t (1) salida Contador 2T t (2) salida Contador 4T t (3) salida Contador 8T t (4) salida Contador 16T t (5) salida contador t Principio de operacin: El ciclo de temporizado para el XR-2240, comienza con la aplicacin de un pulso de disparo, en su flanco ascendente a positivo, aplicado en el Terminal (11). La entrada de disparo hace que acte el oscilador base de tiempo, habilite la seccin del contador y establece todas las salidas al estado bajo. El oscilador base de tiempo, genera pulsos temporizadores con su periodo T = 1.R.C, donde R y C son elementos externos. R se conecta entre +V (16) y temporizado (13) y C se conecta entre temporizado (13) y masa (9). Los pulsos reloj, se cuentan por la seccin del contador binario. El ciclo de temporizado se completa cuando se aplica un pulso positivo, durante su flanco ascendente, en el Terminal restablecimiento (10). En el diagrama temporizado, se da la secuencia de las formas de onda de salida en las diversas terminales de salida. Como vemos, la salida base de tiempo es un pulso negativo de corta duracin desde un valor alto (+V) a un valor bajo (masa). Este pulso se repite cada T= 1.R.C. En el Terminal (1) la tension pasa de alto a bajo y viceversa, en un tiempo T, dando lugar a una onda cuadrada con periodo 2T. En el Terminal (2) el cambio de tension se da para el doble de tiempo del cambio en el Terminal (1), o sea cada 2T, resultando el periodo de esta onda cuadrad de 4T. As se da en los otros terminales de salida, finalizando con el Terminal (8), donde el cambio de tensin se da para un tiempo 128T, con un periodo de la onda cuadrada de 256T. _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 15
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando el circuito esta en el estado restablecido o reset, tanto las secciones de base de tiempo como de contador estn inhabilitados y todas las salidas en estado alto o abiertas. En la mayora de las aplicaciones como temporizador, una o ms salida del contador se conecta devolvindolas al Terminal de restablecimiento (10). De esta manera, el circuito iniciara la temporizacin con un pulso positivo de disparo en (11) y se restablecer por si mismo automticamente, para completar el ciclo de temporizacin, cuando se complete un conteo programado. Si ninguna de las salidas se conecta al Terminal restablecimiento (10), el circuito opera como astable o de oscilacin libre, despus de una entrada de disparo por (11). Programacin de las salidas
Las salidas del contador binario (terminales 1 a 8), pueden conectarse juntas a un mismo resistor de carga, por ser etapas en colector abierto. Esta conexin, forma lo que se denomina Y alambrada, en donde la salida comn puede ser baja, en tanto que cualquiera de las salidas este baja. De esta forma los retrasos de tiempo asociados con cada salida del contador, pueden sumarse al ponerlas simplemente en corto juntas. v(11) Pulso de disparo aplicado en (11) t v(3) 4T
t v(4) 8T t vo 4T+8T=12T t
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso del dibujo, se han conectado se han conectado juntas las salidas (3) y (4) que corresponden a los retrasos 3T y 4T respectivamente. El retraso total sobre la carga RL vale: Tt = 4T+8T = 12T. La grafica anterior clarifica la suma indicada Circuito de aplicacin del XR2240 como temporizador de precision
En este circuito la base de tiempo, esta fijada por T = 1.R.C. El resistor de 20K se coloca para que funcione apropiadamente la base de tiempo. El capacitor de 0,01F se coloca en la entrada Terminal de control (12), a los efectos que actu como filtro ante una seal espuria y no active este Terminal. El resistor de 51 K acta como restablecimiento automtico, cuando se llega a la cuenta final del contador programada por las salidas. El circuito se dispara con un pulso positivo de aprox. 1,5 volt y se puede resetear con otro pulso positivo similar al disparo o como dijimos, automticamente por las salidas La salida en estado normal, esta en alta y va a baja, cuando se produce el disparo. Permanece en baja hasta el tiempo programado To y entonces regresa al estado alto. La duracin del ciclo de temporizado vale: To = N.T donde T=1.R.C y el valor de N vale 1 N 255 El valor de N, se selecciona realizando la conexin Y alambrada Por ejemplo si R = 1M y C = 1F resulta: T = 1M . 1F = 1segundo Si programamos la salida conectando los terminales (1) y (8) el tiempo de temporizado vale: To = (1+128).T = 129 segundos.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito de aplicacin del XR2240 como oscilador astable con salidas sincronizadas
En este circuito, el XR2240 opera como oscilador libre. Para ello, el Terminal de restablecimiento se ha conectado a masa, de modo que el CI permanecer en su ciclo temporizador una vez que arranca. El arranque se lo puede hacer con un pulso positivo externo, aplicado en el Terminal (11) o se puede generar un pulso de arranque, en el momento de aplicar la tensin de alimentacin, por medio del circuito Rr y Cr conectados entre (11) y (10) y alimentado con +V. GENERACION DE FORMAS DE ONDAS ESPECIALES EN LOS CIRCUITOS INTEGRADOS De manera simplificada, podemos decir que un generador de forma de onda especiales, es un oscilador que genera formas de ondas definidas y estables, con la posibilidad de que se puedan modular (modificar) su amplitud o variar su frecuencia, externamente. Esta formado por cuatro bloques bsicos que son: a) Un oscilador (de relajacin), con caractersticas de VCO para generar la forma de onda bsica peridica y a su vez modular angularmente, frecuencia (FM) y fase (PM), para seales modulantes analgicas y digitales. b) Un formador de ondas a senoidal, triangular, cuadrada, pulsante, y rampa lineal. c) Un modulador de amplitud (AM), para seales modulantes analgicas. d) Un amplificador bfer de salida, para aislar al oscilador de la carga y proporcionar la corriente de carga. Adems esta etapa, proporciona los niveles de continua, controlables externamente, para la seal de salida. La salida de sincronizacin, se puede utilizar como una fuente de onda cuadrada o pulsos de sincronizacin para otros circuitos externos.
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Salida sincronizada Oscilador Formador De onda
+Vcc
-Vcc
Modulador AM,FM (Opcional)
Amplificador bfer
Seleccin onda Seno, cuadrada Triangular, etc.
Control Nivel de Continua En salida
Salida
De manera simplificada, podemos decir que un generador de forma formas de onda, es un oscilador que genera formas de ondas definidas y estables, con la posibilidad de que se puedan modular (modificar) su amplitud o variar su frecuencia, externamente. Esta formado por cuatro bloques bsicos que son: a) Un oscilador (de relajacin), con caractersticas de VCO para generar la forma de onda bsica peridica y a su vez modular angularmente, frecuencia (FM) y fase (PM), para seales modulantes analgicas y digitales. b) Un formador de ondas a senoidal, triangular, cuadrada, pulsante, y rampa lineal. c) Un modulador de amplitud (AM), para seales modulantes analgicas. d) Un amplificador bfer de salida, para aislar al oscilador de la carga y proporcionar la corriente de carga. Adems esta etapa, proporciona los niveles de continua, controlables externamente, para la seal de salida. La salida de sincronizacin, se puede utilizar como una fuente de onda cuadrada o pulsos de sincronizacin para otros circuitos externos.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito oscilador en los CI generadores de ondas
Vo(t)
Va(t)
Vb(t)
Va-Vb
Los circuitos osciladores usados en los CI, son los tpicos de relajacin. Estos osciladores utilizan la carga y descarga, con corriente constante, de capacitores de sincronizacin, externos. La figura anterior, muestra un circuito simplificado del oscilador, que consiste en un multivibrador astable acoplado por emisor, que es capaz de generar ondas cuadradas as como formas de onda triangulares y de rampa lineal. El circuito funciona de la siguiente forma: Cuando el transistor Q1 y el diodo D1 estn conduciendo, el transistor Q2 y el diodo D1 estn cortados y viceversa. Esta accin provoca la carga y descarga en forma alterna del capacitor Co, desde una fuente de corriente constante I1=I2. El voltaje a travs de D1 y D2, es una forma de onda cuadrada simtrica, con amplitud pico a pico de 2.VBE. Cuando Q1 esta activado, Va es _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 20
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------constante, pero se convierte en rampa lineal con una pendiente -I1/Co, cuando Q1 se desactiva. La salida Vb(t) es idntica a Va(t), excepto que se retrasa por medio ciclo. La salida diferencial Va(t)Vb(t) resulta una onda triangular. Actuando sobre las fuentes de corriente, a travs de una tension de control vc, es posible modificar el valor de la frecuencia del oscilador. GENERADOR DE FUNCIONES MONOLITICO XR-2206
Entrada de AM (1) Salida (2) +1 Multiplicador de salida (3) +Vcc(4 ) Multiplicador y formador Senoidal
(16) Ajuste de (15) simetra
(14) Ajuste Forma (13) de onda (12) masa
(5) Capacit. sincroni zacin (6)
XR-2206 VCO
Resist. (7) sincroni zacin (8)
(11)salida de sincronizacin. (10) desvo (9) entrada FSK
Interruptores De corriente
El XR-2206 es un circuito integrado generador de funciones, fabricado por corporacin EXAR. Genera formas de ondas seno, cuadradas, triangulares, de rampa y de pulsos, con alta calidad, alto grado de estabilidad y exactitud. Las formas de onda, pueden modularse tanto en amplitud como en frecuencia, por una seal externa de modulacin y se puede seleccionar externamente la frecuencia de operacin sobre un rango de 0,01 Hz a ms de 1 MHz. Este CI, es ideal para sistemas de comunicaciones, instrumentos y aplicaciones de generacin de tono senoidal (onda portadora) para AM y FM. La estabilidad tpica de la frecuencia generada es de 20 ppm/C y puede barrerse de manera lineal sobre un rango de frecuencias de 2000: 1, utilizando una tension de control. El diagrama en bloques del XR-2206, abarca cuatro bloques funcionales a saber: Un oscilador controlado (VCO), un multiplicador analgico (para modulacin) y un _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------formador de seno, un amplificador bfer con ganancia unitaria, y un conjunto de interruptores (transistores) de corriente de entrada. El oscilador de voltaje controlado, es un oscilador operando libremente con un a frecuencia de oscilacin estable que depende de un capacitor de sincronizacin externo, de una resistencia y un voltaje de control externo. La salida del VCO es una tension con determinada frecuencia y su entrada es una tension de control que puede ser CC o CA. La frecuencia de salida del VCO, en realidad es proporcional a una corriente de entrada producida por un resistor conectado desde los terminales de sincronizacin, (7) u (8) y masa. Los interruptores de corriente, seleccionan la corriente de uno de estos terminales de sincronizacin. La corriente seleccionada, depende del nivel de tension en el Terminal (9), denominada entrada del desplazador de frecuencias. Es posible entonces producir dos frecuencias que se seleccionan a travs de (9). Si este Terminal esta abierto o tiene conectado una tensin 2 Volt, se selecciona la corriente que pasa por la resistencia conectada al Terminal (7). En forma similar, si la tensin elctrica de (9) es 1 volt, se selecciona la corriente que pasa por la resistencia conectada a (8). De esta manera, la frecuencia de salida, puede transmitirse entre dos valores f1 y f2, cambiando simplemente el nivel de tensin del Terminal (9). Las formulas para determinar estas frecuencias son: f1= 1 / R1.C f2 = 1 / R2.C, donde R1 esta conectado a (7) y R2 conectado a (8).
De esta manera el XR-2206 me permite modular digitalmente en frecuencia FSK. Tambin es posible modular analgicamente en frecuencia, haciendo que la frecuencia dependa de una tensin de control, como la muestra el siguiente circuito:
La frecuencia de oscilacin, varia linealmente con una corriente por encima de un rango de valores entre 1A a 3mA, entonces con el circuito anterior la podemos hacer depender de la tension de control vc, llamada tambin tensin de barrido. La relacin de vc y la frecuencia resultan: f = 1 / R.C {1+[R.(1-vc) / 3.Rc]}[Hz] La ganancia K de voltaje a conversin de frecuencia vale: K = f / vc = -0,32 / Rc.C [Hz]
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OSCILADOR DE VOLTAJE CONTROLADO MONOLITICO EN CI XR-2207
+Vcc (1) A1 (2) Capacit. sincroni zacion (3) R1 (4) Resist R2 (5) Sincro nizacion R3 (6) VCO
(14) salida onda triang. (13) salida onda cuadrad (12)VEE
A2 XR-2207 Interruptores De corriente
polarizacion (11) (10) masa
R4 (7)
(9)entradas de caracter binario (8)
Este oscilador VCO tiene una excelente estabilidad en frecuencia (tpico 20 ppm/C) y un amplio rango de sintonizacin (puede pasarse linealmente sobre un rango 1000 : 1). Esta sintonizacin, se logra con un voltaje de control externo. El circuito proporciona salidas simultneas de ondas triangulares y cuadradas en un campo de frecuencias de 0,01 Hz a 1 MHz. El ciclo de trabajo de las salidas, se puede variar de 0.1% a 99,9%, generando un pulso estable y formas de onda irregulares. Este oscilador se utiliza en radiocomunicaciones para frecuencia modulada (FM), modulacin digital de fase (FSK) y generacin de tonos de barrido, as como para aplicaciones de circuitos de fase cerrada (PLL). La figura anterior muestra su diagrama de bloques; el circuito es un multivibrador astable, acoplado al emisor modificado, que utiliza cuatro bloques funcionales principales para la generacin de la frecuencia: un oscilador de voltaje controlado (VCO), cuatro interruptores de corriente que se activan por entradas de transmisin binaria y dos amplificadores bfer. Las entradas binarias (8) y (9) determinan cual de las cuatro corrientes de sincronizacin se canalizan al VCO. Estas corrientes, se derivan a masa a travs de resistores de sincronizacin, conectados en (4), (5), (6) y (7). El bfer de salida triangular, proporciona una impedancia baja de salida (tpico 10), mientras que la salida de onda cuadrada es a colector abierto. OSCILADOR DE PRESICION MONOLITICO XR-2209 Este oscilador monoltico en CI es un circuito que genera frecuencias variables con excelente estabilidad a la temperatura y un rango amplio para cambios de frecuencia
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 4-2- Osciladores con circuitos integrados especializados --------------------------------------------------------------------------------------------------------lineal, desde 0,01Hz a 1MHz. El circuito proporciona salidas simultneas de ondas triangulares y cuadradas. La frecuencia, se establece por un producto R.C externo. Se lo utiliza como modulador en frecuencia (FM), para la conversin de voltaje en frecuencia, la generacin de tonos y barrido as como en las aplicaciones del circuito de fase cerrada cuando se lo utilizan en conjuncin con un comparador de fase apropiado multiplicador). La siguiente figura muestra su diagrama en bloques y la funcin de sus terminales:
+Vcc (1) A1 (2) Capacit. sincroni zacin (3) Resistor (4) Sincro nizacin
(8) salida onda triangular (7) salida onda cuadrada (6)VEE(-)
VCO XR-2209
polarizacin (5)
El oscilador, esta formado por tres bloques funcionales: un oscilador de frecuencia variable que genera las formas de ondas peridicas bsicas y dos amplificadores bfer para las salidas de ondas triangulares y cuadradas. La frecuencia del oscilador se determina con un capacitor externo y un resistor de sincronizacin. Puede operar con ms de 8 frecuencias, cubriendo el rango de 0,01 Hz a 1MHz. Sin una seal externa de barrido o voltaje polarizado, la frecuencia de oscilacin esta dada por f= 1 / R.C. La frecuencia de operacin de este oscilador, es proporcional a la corriente de sincronizacin excitada del Terminal (4). Esta corriente puede modularse, aplicando un voltaje de control vc al Terminal de sincronizacin (4) por medio del siguiente circuito:
Si vc es negativo en relacin el Terminal (4), se excita una corriente adicional io , haciendo que se incremente la corriente total de entrada, produciendo un incremento en la frecuencia de oscilacin. De forma contraria, si vc es positiva y mayor al Terminal (4), se reduce la frecuencia de oscilacin. Como vemos vc modula en frecuencia la seal de salida del CI. _________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 24
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------CAPITULO 5: SISTEMAS LGICOS DIGITALES (5-1, 5-2, 5-3, 5-4, 5-5) INTRODUCCIN A LA REPRESENTACIN DE LA INFORMACIN
Representaciones numricas: La ciencia, la tecnologa, la administracin, etc. Manejan cantidades. Estas cantidades, se miden, se monitorean, se registran, se manipulan aritmticamente, se aplican en procesos fsicos etc. A las cantidades, las necesitamos representar con valores que permitan obtener eficiencia y exactitud, Existen dos maneras de representar los valores numricos de estas cantidades: la representacin analgica y la representacin digital. Representacin analgica: En esta representacin las cantidades se presentan como una tensin elctrica, una corriente elctrica, movimiento de un indicador, etc. La caracterstica principal de esta representacin, es que las cantidades o variables, pueden variar gradualmente sobre un intervalo continuo de valores. De otra forma podemos decir que una variable analgica puede tomar infinitos valores. Ejemplo: seal analgica de tensin elctrica de la voz humana captada por un micrfono y reproducida linealmente por un parlante, usando como medio amplificador, un circuito electrnico analgico o lineal. Representacin digital: En la representacin digital, las cantidades no se representan por valores proporcionales, sino por smbolos denominados dgitos, siendo estos valores discretos. Como ejemplo, tenemos a los sistemas digitales binarios que utilizan dos (2) dgitos representados en forma nemnica con los smbolos 0 y 1. Los circuitos electrnicos que trabajan con este sistema de representacin, lo hacen utilizando dos niveles de tension elctrica diferenciados. Una representacin analgica, me permite con frecuencia interpretar su variacin. Por ejemplo la temperatura captada por una termocupla, genera una tensin elctrica que aumenta o disminuye en funcin de la temperatura que esta detectando. En cambio en una representacin digital, no es fcil su interpretacin dado que previamente debemos conocer el sistema y cdigo empleado. Sistemas analgicos: Son conjuntos de dispositivos que manejan cantidades en forma analgica, es decir trabajan con variables continuas. Ejemplos de ellos, son los transmisores y receptores electrnicos de radiofrecuencia, amplificadores de audio, odmetros de aguja, etc. Sistemas digitales: Son combinaciones de dispositivos diseados para manipular cantidades fsicas o informacin, en forma digital (discreta). La mayora de las veces son electrnicos, pero tambin pueden ser elctricos, mecnicos neumticos o magnticos. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo de ellos son las calculadoras de bolsillo, computadores personales, equipos digitales de audio y video, etc. Ventajas de las tcnicas digitales: A- Son mas fciles de disear. Como trabajan con dispositivos de conmutacin, los valores exactos de corriente o tensin no interesan; solamente un rango de sus valores extremos (alto, bajo). B- Fciles para almacenar informacin. Permiten almacenar informacin y retenerla el tiempo que sea necesario, utilizando por ejemplo memorias magnticas o electrnicas. C- Mayor exactitud y precisin. Los sistemas digitales pueden manejar el nmero de dgitos de precisin que se necesite, agregando mayor cantidad de circuitos de conmutacin. En los sistemas analgicos, en general esta limitado a tres o cuatro dgitos, ya que los valores de tensin y de corriente, dependen directamente de los circuitos empleados. D- Programacin de la operacin. Es relativamente sencillo disear sistemas cuya operacin este controlada por medio de un grupo de instrucciones archivadas denominados programa (software). Los sistemas analgicos se pueden programar pero la variedad y complejidad de las operaciones disponibles, estn limitadas. Ejemplo de esto ltimo, es la computadora analgica. E- Ruido elctrico. Los circuitos digitales son afectados en menor medida por el ruido elctrico, dado que trabajan solamente con dos valores de tensin elctrica, que no se requiere que sean precisos en su magnitud; solamente se necesita diferenciar el valor alto de tensin, sobre el valor bajo. E- Construccin. Se pueden fabricar ms circuiteria digital sobre pastillas de circuito integrado. En este caso, los circuitos analgicos tambin se benefician utilizando las tcnicas integradas, pero como necesitan capacitores de gran tamao, resistencias de precisin inductores y transformadores, han impedido que alcancen un grado de integracin similar a los digitales.
Limitaciones de las tcnicas digitales La principal desventajas de los sistemas digitales, es que las cantidades o variables a procesar, en muchos casos son analgicas. La temperatura, la presin, la velocidad, la posicin, los niveles, etc., varan en Gral., en forma continua y su interpretacin y uso, en Gral. Tambin es analgica. Ejemplos de de estos casos, tienen la variacin de velocidad de un motor elctrico, cambio de posicin de una vlvula etc. Para aprovechar las tcnicas digitales cuando se tienen entradas y salidas analgicas, se deben realizar tres procesos 1) Convertir las entradas analgicas del mundo real a la forma digital 2) Procesar la informacin digital a travs de un sistema lgico combinacional o secuencial cableado o a travs de un sistema programable, como lo es una computadora. 3) Convertir las salidas digitales a la forma analgica del mundo real, para aplicarla o interpretarla.
_____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Veamos el diagrama en bloques de un control de temperatura digital:
Temperatura
Seal Analgica Convertidor analgico digital DAC
Seal digital Procesamiento digital del algoritmo de control
Seal digital
Dispositivo de medicin, transductor
Temperatura Controlador variable de salida
Seal analogica
Convertidor digital analgico ADC
SISTEMAS PARA REPRESENTACIN DE CANTIDADES NUMRICAS Sistema unario: I I I I I I I I I I I I .. Sistema Romano: I V X L C D M .......... Sistemas de numeracin posicional
Binario: 0,1 (dos smbolos) Octal: 0,1,2,3,4,5,6,7,8 (ocho smbolos) Decimal: 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9 (diez smbolos) Hexadecimal: 0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F (16 smbolos)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Sistema decimal Es el mas conocido y utilizado en el mundo real. Se compone de 10 smbolos. Al utilizar estos smbolos como dgitos de un nmero, podemos expresar cualquier cantidad. Es un sistema de valor posicional, en el cual el valor de cada dgito, depende de su posicin dentro del nmero. Ejemplo: 5: representa cinco centenas; es el digito ms significativo 576 7: representa siete decenas 6: representa seis unidades; es el digito menos significativo En este sistema los nmeros representan una serie de potencias en base diez. 2 1 0 576 = 5x 10 + 7x 10 + 6 x 10 2 1 0 -1 -2 256,37 = 2 x 10 + 5 x 10 +6 x 10 +3 x 10 + 7 x 10 La coma (punto), separa las potencias positivas de 10 de las potencias negativas. Conteo decimal: Se comienza a contar con el cero en la posicin de las unidades tomando cada numero en progresin hasta llegar al nueve; luego colocamos un uno (1) a la siguiente posicin mas alta a la izquierda de las unidades y volvemos a empezar con el cero en la primera posicin. Cuando llegamos al 99 colocamos un 1 a la tercera posicin y se empieza de nuevo con ceros en las dos primeras posiciones. Con dos espacios decimales contamos hasta 100 (0 al 99) N En Gral. con N espacios, podemos contar hasta 10 nmeros diferentes siendo el mayor N Numero 10 1 Sistema binario natural: Utiliza dos smbolos, el 0 y el 1 para representar cantidades numricas. Es un sistema de valor posicional donde cada digito binario tiene su valor propio, expresado en potencias en base 2 10011 = 1 x 24 + 0x 23 + 0 x 22 +1 x 21 +1 x 20 = 19 2 10 Dgito binario menos significativo (LSD) = bit menos significativo Dgito binario mas significativo (MSD) = bit mas significativo Valor posicional Numero binario 24 23 22 21 1 0 0 1 20 1 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Veamos otro ejemplo: 4 3 2 1 0 -1 -2 -3 1 1 0 1 1 , 0 1 1 = 1 x 2 +1 x 2 + 0 x 2 + 1 x 2 + 1 x 2 + 0 x 2 + 1 x 2 + 1 x 2 2 = 27,375 10 Conteo binario: Es similar al sistema decimal. Por ejemplo vamos a contar con nmeros de 4 bits, (3) (2) (1) (0) 2 2 2 2 dec. 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 2 0 0 1 1 3 ................. ................. ................ 1 1 1 1 15 (8)(4) (2) (1) 0---------15
Valor posicional
Valor posicional
Con una representacin de 4 bits podemos contar hasta 16 N 4 Nmero de conteo: 2 si N=4 2 = 16 8 N=8 2 = 256 Conversin de un nmero binario natural a decimal Ejemplo: 11010 (binario)
4 3 2 1 0 1 x 2 +1 x 2 + 0 x 2 + 1 x 2 + 0 x 2 = 16 + 8 + 0 + 2 + 0 = 2 6 10 11010 = 26 2 10 Conversin de un nmero decimal a binario natural Tenemos dos mtodos: A)-Proceso inverso: Se expresa el nmero decimal como una suma de potencias en base 2 comenzando por el de mayor valor que se resta al n decimal; del resultado, se busca la potencia que corresponde y as sucesivamente. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional ------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ejemplo: 96 - 64 = 32 ; 32 - 0 = 32 10 96 = 1100000 10 2 Ejemplo: 45 10 45 - 32 = 13 ; 13 - 8 = 5 5 - 4 = 1 ; 1 - 0 = 1 5 45 10 1 45 = 10 101101 2 0 1 1 0 1 4 3 2 1 0 + 2 1 > 6 5 4 3 2 1 0 96 = 2 + 2 + 0 + 0 + 0 + 0 + 0 1 1 0 0 0 0 0
= 32 + 0 + 8 + 4 + 0 + 1 = 2 + 0 + 2 + 2 +
B ) Divisin repetida: El nmero decimal se divide por 2; el resto , es el bit menos significativo. El resultado nuevamente se divide por 2 ; el resto es el bit ms significativo que el primero y as sucesivamente hasta finalizar la divisin. Los restos de la divisin forman el n binario comenzando por el LSB y terminando por el MSB. Ejemplo: Convertir a binario el n decimal 37 37/2 = 18 + resto de 1 18/2 = 9 + 0 9/2 = 4 + 1 4/2 = 2 + 0 2/2 = 1 + 0 = 0+ 1
37 = 100101 10 2
Ejemplo: Convertir a binario el n fraccionario 0,375 de base decimal 0,375 x 2 = 0,750 --------0 0,750 x 2 = 1,500 --------1 0,500 x 2 = 1,000 --------1
0,375 = 10
0,011 2
Problema: Convertir el n decimal real 37,62 a binario natural. El procedimiento consiste en separar la parte entera y la parte fraccionaria y convertirla a binario segn los procedimientos que hemos visto: _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------= 100101,10011 10 2 Conversin de un n binario con parte fraccionaria: Se convierten en forma separada la parte entera binaria de la fraccionaria Ejemplo: convertir a decimal el n binario 11101,0111 2 4 3 2 1 0 parte entera 11101 = 1x2 + 1x2 + 1x2 + 0x2 + 1x2 =16+8+4+1=29 2 -1 -2 -3 -4 parte fraccionaria 0,0111 = 0x2 +1x2 +1x2 +1x2 = 0+1/4 +1/8 +1/16 = 0,4375 11101,0111 2 = 29,4375 10 Resultado: 37,62
SISTEMA DE NUMERACIN OCTAL Es un sistema importante para el trabajo que se realiza con la confeccin de los programas de los sistemas programables, en el lenguaje de instrucciones.. Este sistema tiene base 8 o sea que tiene 8 dgitos para la representacin numrica: 0,1,2,3,4,5,6,7 Conversin de octal decimal 2 1 0 375 = 3x8 + 7x8 + 5x8 = 3x64 + 7x8 + 5x1 = 192 + 56 +5 = 253 8 10 Conversin de decimal a octal Usamos la divisin repetida por ocho (8) . Ejemplo: 266/8 = 33 + resto 2 33/8 = 4 + resto 1 266 = 412 4/8 = 0 + resto 4 10 8 Conversin de octal a binario La conversin se realiza convirtiendo cada dgito al sistema binario natural. Ejemplo: Convertir el nmero octal 375 al sistema binario 8 3 7 5 > 375 = 011111101 011 111 101 8 2 Conversin de binario a octal Es la operacin inversa. Los dgitos binarios (bits) se agrupan de a tres y se convierten a octal. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: Convertir el binario 1110010 al sistema octal 001 110 010 > 1 6 2 Utilidad del sistema octal 1110010 = 2 162 8
Es un medio taquigrfico para simplificar nmeros binarios, expresndolos en el sistema octal. Es de aclarar que los sistemas digitales de cualquier ndole, trabajan en el sistema binario. Por ejemplo un numero binario en una computadora esta materializado como una tensin elctrica de valor alto o bajo para el bit 1 y el bit 0 respectivamente. Estos nmeros binarios pueden representar desde el punto de vista del programa en ejecucin (software), datos numricos reales, direcciones de memoria o registros, un cdigo de instruccin, un cdigo que represente caracteres alfanumricos y otros no numricos o un grupo de bits que representen las condiciones en que se encuentren los dispositivos internos o externos al sistema programable.
SISTEMA DE NUMERACIN HEXADECIMAL
Este sistema emplea base 16 o sea tiene 16 smbolos para representar un nmero en este sistema: 0123456789ABCDEF Conversin del sistema hexadecimal al sistema decimal El procedimiento es similar a los casos anteriores Ejemplo: 2 1 0 356 = 3x16 +5x16 +6x16 = 768 + 80 + 6 = 854 16 10 Ejemplo: convertir el n hexadecimal 2AF al sistema decimal Rta: 2AF = 687 16 10 Conversin de un n decimal a Hexadecimal Utilizamos la divisin repetida. Por ejemplo vamos a convertir el n decimal 423 al sistema hexadecimal: 423/16 = 26 + resto 7 26/16 1/16 = = 1 + resto 10 0 + resto 1 423 = 1A 7 10 16
Conversin de hexadecimal a binario Se convierte cada digito hexadecimal al sistema binario segn la tabla prxima.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: Convertir el n hexadecimal 3 7 A al sistema binario. 3 7 A 0011 0111 1010 > 3 7 A = 001101111010 16 2 Tabla de conversin para nmeros hexadecimales y binarios
Hex 0 1 2 3 4 5 6 7
binario 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111
Hex 8 9 A B C D E F
binario 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111
Conversin de binario a hexadecimal Es el proceso inverso. Se agrupan los bits de a cuatro (4), comenzando por los menos significativos. Ejemplo: convertir el n binario 10011111010 a un n hexadecimal.
0100 4
1111 1010 F A
>
10011111010 = 4FA 2 16
Conteo decimal Ejemplos: a) - 38 39 3 A 3B 3C 3D 3E 3F 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4 A 4B ......... b) - 6F8 6F9 6FA 6FB 6FC 6FD 6FE 6FF 700 701 702................................... La aplicacin del sistema hexadecimal es similar al octal. Se utiliza para simplificar las expresiones digitales binarias con gran nmero de bits. Por ejemplo un microprocesador PENTIUM que trabaja con datos externos de 64 bits, su expresin en smbolos hexadecimales, queda reducida 16 dgitos.
CDIGOS BINARIOS Cuando se representan nmeros, letras o palabras por medio de un grupo de smbolos, se dice que se encuentran codificados. Al grupo de smbolos se le llama cdigo. Por ejemplo, el sistema de conversin de n decimales a n binarios que hemos visto, se denomina cdigo binario directo o natural. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Cdigo decimal codificado en binario (BCD): En este cdigo cada digito decimal se lo convierte al sistema binario utilizando el cdigo binario directo, aprovechando para ello 4 bits para codificar cada dgito decimal. Ejemplo: 8 7 4 n decimal n codificado en BCD
1001 0111 0100
El cdigo BCD no es un sistema como el binario directo, octal hexadecimal o decimal, sino que es el sistema decimal en donde cada digito decimal es codificado en binario directo. Ejemplo: 137 = 10001001 n binario directo 10 2 137 = 000100110111 n BCD 10 En apariencia el cdigo BCD es ms engorroso porque necesita mas bits para representarlos. La ventaja principal de este cdigo, es la relativa facilidad de conversin al y desde el sistema decimal. La facilidad radica primordialmente en los circuitos electrnicos (hardware) que lo llevan a cabo. Cdigo Gray Se llama tambin cdigo de cambio mnimo. E n este cdigo cuando se pasa de una posicin a otra solo se cambia un bit dentro del grupo de cdigo. No tiene valor especifico. Se lo utiliza en transductores digitales de entrada de posiciones o desplazamiento. Dec. Binario GRAY Dec. Binario GRAY 0 1 2 3 4 5 6 7 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 0000 0001 0011 0010 0110 0111 0101 0100 8 9 10 11 12 13 14 15 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 1100 1101 1111 1110 1010 1011 1001 1000
En el cdigo binario, para pasar de 3 a 4 cambian dos bits. En cambio en el cdigo Gray siempre se cambia un solo bit. Esto disminuye los errores en el momento de pasar de una posicin a otra por lectura errnea.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Cdigos alfanumricos Los sistemas digitales, adems de procesar datos numricos, deben ser capaces de manejar informacin no numrica, como son las letras del alfabeto, signos de puntuacin y otros caracteres especiales. Para trabajar con estos caracteres, se los codifica en el sistema binario denominados cdigos alfanumricos. El cdigo ASCII (American Standard code for information interchangeCCITT N5), utiliza 7 bits. Por lo tanto se tienen 128 grupos de posibles cdigos.
Ejemplo: A = 1000001 ---- 101 -----41 2 8 16 Espacio en blanco = 0100000 ----- 040 ------20 2 8 16 < RETURN > = 0001101 ----- 015 ------0D 2 8 16 Ejemplo: Cuando en una computadora introducimos la instruccin en lenguaje BASIC GOTO 25, esta instruccin se guarda en la memoria RAM en el sistema binario con el cdigo alfanumrico ASCII: G O T O Espacio 2 5 > 1000111 > 1001111 > 1010100 > 1001111 > 0100000 > 0110010 > 0110101
Actualmente esta tambin el cdigo ASCII extendido con 8 bits lo que posibilita codificar 256 smbolos 7 8 2 = 128 2 = 256
REPRESENTACIN DE CANTIDADES BINARIAS
Dado que los sistemas binarios utilizan dos bits ( 0 y 1), es posible representar cualquier cantidad binaria con dispositivos que presenten dos estados posibles de operacin. Por ejemplo si utilizamos un sistema de interruptores o contactos elctricos, podemos asignar al contacto cerrado el 1 y al contacto abierto el 0. (Podra ser al revs).
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Otros dispositivos con dos estados, puede ser un rel energizado o desenergizado, un diodo activado o desactivado, una fuente luminosa encendida o apagada. Los sistemas electrnicos digitales utilizan niveles de tensin elctrica para representar la informacin binaria. Estos niveles se presentan y se miden en las entradas y salidas. Por ejemplo en los sistemas que trabajan con lgica positiva, cero voltios representa el binario cero ( 0 ) y cinco voltios representa el binario uno ( 1 ). En la prctica estos niveles no son exactos y dependen de la tecnologa electrnica empleada en la construccin del sistema digital. Tcnicamente hablando depende del tipo de familia lgica empleada. En trminos grales podemos decir que el cero binario puede valer entre 0 y 0,8 voltios. El uno binario puede estar comprendido entre 2 y 5 voltios. La tensin intermedia entre 0,8 y 2 voltios, no se utiliza; los dispositivos digitales solamente transitan por esta zona en su transicin de un estado al otro.
5V 4V NIVEL LOGICO 1 3V 2V } 1V NIVEL LOGICO 0 0V 0V No se utiliza
Circuitos lgicos: A los circuitos digitales de cualquier ndole tambin se les denominan circuitos lgicos, dado que la respuesta de estos circuitos frente a entradas binarias, _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------responde a un conjunto de reglas lgicas. Hoy en da la mayora de los circuitos digitales son electrnicos, utilizndose para ello los circuitos integrados (CI). Estos, responden a niveles binarios ( 1 o 0) y no a valores reales de tensin.
vi Circuito digital
vo
vi
vo
TRANSMISION BINARIA La informacin binaria se transmite de dos formas diferentes: la transmisin paralela y la transmisin serie. Transmisin paralela: En este caso todos los bits de una informacin, se transmiten al mismo tiempo por conductores elctricos, en cantidad similar a los bits a transmitir. Este tipo de transmisin se utiliza entre los distintos mdulos que componen el interior de un sistema programable (PC, microcontroladores, etc). Tambin se lo utiliza en la transmisin con sistemas externos como por ejemplo una impresora a travs del denominado puerto paralelo. Este sistema se destaca por la alta velocidad de transmisin. Como inconveniente, requiere un nmero considerable de conductores elctricos.
Circuito A
Circuito B
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Transmisin serie: En este caso la informacin binaria se transmite en trenes de pulsos bit a bit sobre dos conductores. Ejemplos de transmisin serie la tenemos en el Mouse de una PC y la conexin de esta ltima a una lnea telefnica a travs de un moden. En este sistema la velocidad de transmisin es ms lenta pero dispone de menor cantidad de conductores elctricos.
Circuito A
Circuito B
INTRODUCCIN AL CONTROL DE LOS PROCESOS INDUSTRIALES
En la industria, podemos encontrar diversas tcnicas para controlar variables fsicas, inherentes a un determinado proceso tecnolgico. Por ejemplo se puede dar el caso de mantener lo mas constante posible, o dentro de ciertos limites variables, la temperatura de un horno, la presin de una caldera, la velocidad de rotacin de un motor o generador elctrico, etc. En todos estos casos, cuando por efecto de las perturbaciones del proceso, las variables se apartan del valor deseado, se debe actuar sobre el sistema o elementos que generan esas variables, de modo que estas ltimas tiendan al valor deseado. En todos los casos, la accin ejercida puede ser continua, aumentando o disminuyendo la variable controlada por medio de una seal continua, o puede ser discreta (todo o nada, uno / cero tren de impulsos etc.). Para el primer caso, decimos que el control es analgico. Para el segundo, el control es digital. Desde el punto de vista de los elementos tecnolgicos utilizados para desarrollar el control de procesos, podemos dividirlos en tres grados: MANUAL, AUTOMATICO e INFORMATICO. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 14
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Control manual: Variable controlada Amplificador Motor Proceso
Punto de consigna y deteccin de error
Medidor de la variable controlada
En este caso, el operador conoce los valores deseados para cada una de las variables y los que realmente tienen en todo momento. El mismo operador aplica las correcciones en el caso de que haya discrepancia. Si es el caso de una maquinaria que realiza un proceso en varios pasos, el operador es el que se encarga de hacerlos cumplir. Control automtico: La accin de control se realiza sin la intervencin del operario. Se pueden distinguir tres tipos principales: a) La regulacin, donde la accin de control la genera un aparato regulador y es una funcin del error o diferencia entre el valor deseado o de consigna y el valor real que se suministra al regulador. Este tipo de control es similar a los denominados SERVOMECANISMOS. La diferencia conceptual, reside en que en estos ltimos, el valor deseado o de referencia, varia sensiblemente con el tiempo. En la regulacin, la referencia, permanece constante. Error referencia Algoritmo de regulacin Amplificador Motor
Transductor de la variable controlada
Variable controlada Proceso
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b) Control automtico lgico: La accin de control, normalmente discreta, se determina tomando unas decisiones lgicas sobre el estado de ciertas variables (sistemas digitales combinacionales).
N Variables De entrada
Control lgico combinacional
M Variables de salida
N M
En este tipo de control el estado de las variables discretas de la salida, dependen del estado discreto de las, variables de entrada. c) Control automtico secuencial: En este caso, adems de las decisiones lgicas, el tiempo interviene como variable importante. Podemos decir que los estados discretos de las variables de salida, no solamente dependen de los estados actuales de las variables discretas de entrada, sino tambin de sus estados anteriores (circuitos con memoria).
Control informtico La accin de control se toma sin la intervencin del hombre y sus caractersticas principales son: a)-Unifica los tres tipos de control b)- Normalmente es multivariable (varias salidas controladas por varias entradas) c)- Permite la optimizacin y la toma de decisiones. d)- Se puede aprender de la experiencia y mejorar o adaptarse a nuevas situaciones. e)- Se relaciona con otras categoras de control, por ejemplo con el de gestin. La informtica es la ciencia de los sistemas centrados en un ordenador. Se distinguen dos tipos de informtica, la de gestin y la de control. Se entiende por informtica de gestin, la utilizacin de un sistema de proceso de datos para fines administrativos, enseanza o cientficos tcnicos, en el que la informacin de entrada y salida puede ser proporcionada y utilizada por el hombre, o sea los datos pueden ser escritos por una persona y los resultados tambin ledos por una persona. Por informtica de control, entendemos la utilizacin de un sistema con un ordenador unido fsicamente con un proceso real en el que no toda la informacin de entrada / salida _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 16
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------puede ser proporcionada y/ o utilizada directamente por el hombre. En este caso es el proceso quien por medio de los instrumentos o interfaces adecuadas, proporciona los datos y / o utiliza los resultados.
CARACTERSTICAS PRINCIPALES DE LOS AUTOMATISMOS COMBINACIONALES Y SECUENCIALES
Segn los elementos lgicos empleados para su implementacin estos pueden ser: Mecnicos: Formados por engranajes, palancas levas etc. (son antiguas). Hidrulicos y neumticos: Funcionan con lquidos comprimidos aire comprimido respectivamente. Emplean cilindros, vlvulas hidrulicas, vlvulas neumticas, electro vlvulas, etc. Utilizan elementos elctricos y mecnicos tambin. Electrnicos: Basan su funcionamiento en los circuitos electrnicos discretos e integrados. Utilizan tambin elementos mecnicos hidrulicos, neumticos, elctricos incluyendo los modernos sistemas de lgica programada.. Segn su capacidad de trabajo, los automatismos lgicos combinacionales y secuenciales electrnicos pueden ser: Automatismos cableados: Son aquellos que solo sirven para la funcin para la que fueron diseados, teniendo que variar los elementos que lo componen de forma parcial o total para que puedan realizar otra funcin. Automatismos programables: Estn basados en el uso de los circuitos electrnicos integrados denominados microprocesadores y microcontroladores. La funcin lgica en estos sistemas vara segn el programa grabado en su memoria externa o interna. Ejemplos de estos desarrollos con interfases amigables entrada/ salida, son los controles lgicos programables denominados PLC y los mdulos lgicos universal denominado LOGO. AUTOMATISMOS COMBINACIONALES Son circuitos que dan un resultado en sus salidas en funcin de los valores de las variables de entrada. Para cada combinacin de las variables de entrada, el sistema da como respuesta, una determinada combinacin de valores digitales en las variables de salida. Los valores que toman los sistemas digitales binarios son: nivel alto de tensin / nivel bajo de tensin elctrica. A B C Circuito combinacional F1 F2
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Estos sistemas, se pueden representar mediante una tabla denominada de la verdad, en la que se indican los valores digitales (uno o cero) de las variables de salida, para todas las combinaciones de las variables de entrada.
A 0 0 0 0 1 1 1 1
B 0 0 1 1 0 0 1 1
C 0 1 0 1 0 1 0 1
F1 1 1 0 0 1 1 0
F2 0 1 0 0 1 0 0
Existen varias formas de realizar fsicamente un circuito combinacional: a)- Mediante los contactos de los denominados rels elctricos. b)- Mediante circuitos electrnicos de niveles de tensin elctrica, denominados compuertas o puertas lgicas bsicas, como por ejemplo las puertas NAND y las puertas NOR. Estas puertas conectadas adecuadamente, cumplen con la tabla de la verdad del automatismo. c)- Mediante la conexin de puertas bsicas y circuitos combinacionales complejos como los decodificadores multiplexores etc. En todos estos casos el cumplimiento de la tabla de la verdad del automatismo planteado, depende del cableado de los elementos que lo constituyen y por ello reciben el nombre de circuitos lgicos cableados. d)- Mediante un conjunto de clulas de memoria electrnica (flip Flop) cuyo contenido se puede modificar y conseguir de esta forma el cambio de la tabla de la verdad. Estos circuitos combinacionales se les denomina PROGRAMABLES.
AUTOMATISMOS SECUENCIALES Desde el punto de vista del circuito elctrico, podemos decir que estn formados por un circuito combinacional sencillo y utilizado de forma repetida en instantes sucesivos. Las operaciones que realiza en cada instante el circuito combinacional, se denominan operaciones elementales y el proceso se ejecuta mediante una secuencia de estas.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Desde el punto de vista de sus entradas / salidas, estos circuitos se caracterizan por el hecho de que un mismo valor de las variables de entrada, no hace corresponder, un mismo valor de las variables de entrada. El estado presente de un circuito secuencial, depende de los valores actuales y anteriores de las variables de entrada. El tiempo o la secuencia del evento, juega un rol de importancia.
ETAPAS FUNDAMENTALES DE UN AUTOMATISMO LGICO DIGITAL Un automatismo lgico digital esta constituido por tres etapas fundamentales que son: INFORMACIN, DECISIN y EJECUCIN
INFORMACIN
DECISIN
EJECUCIN
La etapa de informacin es la encargada de dar las seales de entrada, las cuales pueden provenir de diferentes elementos tales como pulsadores o teclas, fines de carrera, interruptores, captores fotoelctricos, captores termoelctricos, captores magnticos, sensores ultrasnicos etc. La etapa de decisin, esta constituido propiamente por los circuitos lgicos digitales sean de lgica cableada o lgica programable. Esta etapa tiene la finalidad de dar las diferentes rdenes de mando a los rganos o etapas de ejecucin, en funcin de las diferentes seales recibidas de la etapa de informacin y del algoritmo de control establecido. Los rganos de ejecucin, reciben las diferentes rdenes de mando y gobiernan los diferentes elementos puestos a su custodia, tales como lmparas de sealizacin, rels, contactores tiristores, motores, etc. LGEBRA DE BOOLE El anlisis y diseo de los sistemas digitales, requiere de una herramienta matemtica, que permita determinar las propiedades de las variables lgicas, susceptibles de tomar un nmero finito de valores. Para nuestro caso, el sistema binario, solamente toman dos valores, simbolizados con el cero (0 ) lgico y el uno ( 1 ) lgico. Esta herramienta matemtica es la denominada LGEBRA DE BOOLE. sta, se define a partir de tres operaciones fundamentales: LA REUNION O SUMA LOGICA (smbolo: + )
LA INTERSECCIN O PRODUCTO LGICO (smbolo:
^)
_
LA COMPLEMENTACIN, NEGACIN o INVERSIN (smbolo:
)
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Presentacin e interpretacin grafica de las operaciones lgicas (diagramas de Venn) El diagrama de Venn es una representacin grafica de las relaciones definidas en la teora de conjuntos que permiten interpretar fcilmente las operaciones del algebra de Boole Operacin reunin o suma lgica A+B= Y Dados dos sub-conjuntos A y B pertenecientes al conjunto E, la operacin reunin o suma lgica define el subconjunto C formado por todos los elementos del sub-conjunto A y todos los elementos del sub-conjunto B Veamos la representacin grafica de esta operacin:
A B
Plano E
El conjunto E esta representado por el plano E Los sub-conjuntos A y B estn representados por la superficie interior de los crculos A y B. El sub-conjunto Y, esta representado por toda la superficie rayada Operacin interseccin o producto lgico A.B=Y Dados dos sub.-conjuntos A y B pertenecientes al conjunto E, la operacin interseccion o producto lgico define al subconjunto Y formado por los elementos comunes a los sub-conjuntos A y B.
Plano E B
El subconjunto Y esta representado por la superficie rayada comn a los crculos A y B
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Operacin complementacin o inversin _ A=B Dado un subconjunto B perteneciente al conjunto E, la operacin complementacin define el subconjunto A formado por todos los elementos de E que no pertenecen a B. E B
El subconjunto A representa la superficie rayada del plano E exterior al circulo B. Postulados y propiedades de lgebra de Boole A+A=A A .A=A Leyes de conmutacin: A+B=B+A A.B=B.A Leyes de asociacin: A+(B+C)=(A+B)+C=A+B+C A . ( B . C ) = (A . B ) . C = A . B . C Leyes de distribucin: A.(B+C)=A.B+A.C A + ( A. B ) = ( A + B ) . ( A + C ) Leyes de complementacin: _ A+A = 1 _ A . A = 0 _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ley de involucin: == ( A ) = A Leyes de Morgan: ______ _ _ (A + B ) = A . B _____ _ _ (A.B) = A + B Otras relaciones: A+1 = 1 _ _ _ Demostracin: A + 1 = A + ( A + A ) = ( A + A ) + A = A + A = 1 A.0 =0 _ _ _ Demostracin: A . 0 = A . ( A . A ) = ( A . A ) . A = A . A = 0 A.1=A _ _ Demostracin: A . 1 = A . ( A + A ) = A . A + A . A = A A+A:B = A Demostracin: A + A . B = A .( 1 + B ) = A A.(A+B) =A Demostracin: A . ( A + B ) = A . A + A . B = A + A . B = A . ( 1 + B ) = A Considerando los valores que toman las variables binarias, podemos enunciar las siguientes propiedades: _ 0 = 1 _ 1 = 0 0+0=0 1.1=1 0+1=1+0=1 1.0=0.1=0 1+1=1 0.0=0 _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 22
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------FUNCION LGICA Dadas n variables lgicas : X1 , X2 , X3 , ........Xn , cuyos valores pueden tomar 0 o 1 , es posible definir una funcin lgica f ( X1 , X2 , X3 , .....Xn ) que valdr 0 o 1 , de acuerdo con los valores que tomen las variables y con la operacin que realicen ,al definir la funcin. Una caracterstica del lgebra de la conmutacin, es la existencia de un nmero finito de funciones de un nmero determinado de variables. 2x(n de variables) N de funciones = 2 Tendremos, por consiguiente 4 funciones de una variable, 16 funciones de 2 variables ,64 funciones de 4 variables , etc.
TABLAS DE LA VERDAD Dado que una variable lgica solo puede tomar el valor 0 o 1 , y la funcin lgica ,los mismos valores, es posible entonces representar a esta ultima por medio de una tabla denominada de verdad. Para ello consideramos todas las combinaciones posibles de las variables lgicas y el valor de la funcin para cada caso; entonces podemos escribir una tabla que contenga toda la informacin definida en la funcin. Ejemplo: Tomaremos la funcin suma lgica de dos variables, denominada tambin funcin OR . Y =f(A , B) = A + B Tabla de verdad: A B Y 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1
COMPUERTAS PUERTAS LOGICAS Las compuertas lgicas ,son circuitos electrnicos que operan con niveles de tensin materializando las funciones lgicas definidas por el lgebra de Boole. Estos circuitos, estn construidos con diferentes tecnologas, donde intervienen resistencias electricas, diodos y transistores. Tambin es posible materializar las funciones lgicas, con lgica de contactos. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 23
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------COMPUERTA LOGICA OR Define a la operacin suma lgica por ejemplo para el caso anteriormente descrito de la suma lgica de 2 variables Y = A + B Nos dice que la variable de salida tomara el valor 1 si una o la otra variable de entrada ,tienen el estado alto de tensin. La tabla de la verdad, es laque se muestra mas arriba.
a) Smbolo tradicional (Norma Mill USA ) para dos entradas
b) I E E/ ANSI
c) Compuerta OR con contactos
La lmpara se enciende si A o B estn cerrados. 1: contacto cerrado. 0: abierto Ejemplo de aplicacin de una compuerta OR Transductor de temperatura vt A OR Vref1 Transductor de presion vp Comparador Vref2 _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 24 B B=0vp< Vref2 B=1vp Vref2 Alarma A=0 vt Vref1 A=1 vt Vref1
Comparador
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema: Determinar la variacin lgica de la salida para el circuito de la figura, en funcin de la variacin en el tiempo de los estados lgicos de las variables de entrada observados en la grafica. A Entrada A B Entrada B Salida Y=A+B
PUERTA Y(AND)
Esta compuerta define el producto lgico del lgebra de Boole. La salida de una compuerta AND o Y toma el estado alto cuando una y las otras entradas estn en el estado alto. Para dos variables de entrada tenemos: Y = A . B Smbolos: a) Tradicional b) IEE/ANSI &
Tabla de la verdad A B A.B 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 Compuerta AND con tecnologa de contacto
La lampara se enciende si A y B estan cerrados _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 25
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------COMPUERTA NOT (INVERSORA) La compuerta NOT define la complementacin o inversin del lgebra de Boole. La salida de una compuerta NOT estar en el estado alto cuando la entrada este en el estado bajo y viceversa.
Smbolos: a) Tradicional b) IEE/ANSI
Tabla de la verdad A Y 0 1 1 0 c) Con contactos:
__ A y A se mueven simultneamente. Cuando A esta abierto, A esta cerrado y viceversa. Resumen de las operaciones bsicas del lgebra de boole que realizan las compuertas bsicas OR AND y NOT:
OR A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y . A 0 0 1 0 1 1 1 1
AND B 0 1 0 1 Y 0 0 0 1
NO A Y 0 1 1 0
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------IMPLEMENTACION DE FUNCIONES LOGICAS Las funciones lgicas que responden al lgebra de boole, pueden ser materializadas, utilizando las compuertas bsicas OR , AND y NOT. Ejemplo: Y = A. B + C
Ejemplo:
_ _______ Y = A. B. C (A+ D)
Problema: Determinar la funcin lgica que exprese el funcionamiento lgico del circuito de la siguiente figura
Vamos a ver a continuacin otras compuertas lgicas que se utilizan extensamente en los circuitos digitales .Estas compuertas se caracterizan por la combinacin de las operaciones bsicas AND , OR , y NOT
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------COMPUERTA NOR Es una combinacin de una compuerta OR seguida de una NOT a) Smbolo tradicional b) Smbolo IEEE/ANSI
Tabla de la verdad A 0 0 1 1 B A.B A.B 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0
COMPUERTA NAND Es una combinacin de una compuerta AND seguida de una NOT. a) Smbolo tradicional b) Smbolo IEEE/ANSI
&
Tabla de la verdad A 0 0 1 1 B A:B A:B 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: Determinar el estado de la salida en funcin del tiempo, para una compuerta NOR y NAND con dos variables de entrada que varan en el tiempo segn las graficas:
Y1
Y2
UNIVERSALIDAD DE LAS COMPUERTAS NOR Y NAND
Las funciones lgicas en Gral. se expresan con las combinaciones de las operaciones bsicas OR , AND y NOT, aplicadas a las variables lgicas. Sin embargo es posible prescindir de la operacin OR o de la operacin AND y expresar una funcin lgica en trminos de: a) La inversin mas la suma lgica (NOT y OR ) b) La inversin mas el producto lgico (NOT y AND ) Esto es posible, aprovechando las transformaciones producidas con la aplicacin de los teoremas de Morgan que, recordando, nos dice para el caso de dos variables: ___ _ _ a) A+B = A . B ___ _ _ b) A.B = A + B De esta manera, es posible reemplazar las sumas lgicas por productos lgicos o los productos lgicos por sumas lgicas. _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 29
Ejemplo: Realizar la suma lgica de dos variables utilizando las operaciones de producto lgico y la inversin Y = A+B Y = (A+B) Realizo una doble inversin; la funcin no cambia Y = (A. B) Aplico la ley de Morgan
Ejemplo: Realizar el producto lgico de dos variables utilizando las operaciones de suma lgica e inversin Y = A.B Y = (A.B) Realizo una doble inversin; la funcin no cambia
Y = (A+ B) Aplico la ley de Morgan Dado que las compuertas NOR y NAND involucran en sus operacin los operadores OR y NOT y AND respectivamente, es posible realizar las operaciones basicas OR , AND y NOT , solamente con un solo tipo de compuerta , sea NAND o NOR. Operaciones bsicas realizadas con la compuerta NOR
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Operaciones bsicas realizadas con la compuerta NAND
Ejemplo: Implementar la funcin lgica Y = (A+B).(A+D) con compuertas NOR de dos entradas Y = (A+B). (C+D) = (A+B) . (C+D) Realizo doble negacin, la funcin no cambia. Y= (A+B) + (C+D)
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: Implementar la misma funcin lgica del ejemplo anterior pero con compuertas lgicas NAND. Y = (A+B). (C+D) = (A+B).(C+D) Realizo doble negacin. La funcin no cambia. Y = (A+B) . (C+D) = A . B . C . D
REPRESENTACION ALTERNATIVA DE LAS COMPUERTAS LOGICAS BASICAS
Y=A.B=(A.B)=[ (A)+(B)]
Y=A+B=(A+B)=[ (A).(B)]
Y=(A.B)=A+B
Y=(A+B)=A.B
Y=A
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta representacin se logra, aplicando la ley de Morgan a las compuertas bsicas. Se puede utilizar para cualquier nmero de entradas. En la representacin estndar, las entradas no tienen crculos que representen negacin, como lo es en esta nueva representacin alternativa. La representacin estndar y la alternativa representan la misma funcin lgica. La ventaja de la representacin alternativa consiste en la facilidad para interpretar la lgica del circuito prctico. COMPUERTA OR-EXCLUSIVO _ _ Esta compuerta responde a la siguiente funcin lgica: Y = A . B + A . B
Esta compuerta produce el estado alto cuando las entradas estn en niveles opuestos Smbolo IEEE/ANSI Tabla de verdad A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Y 0 1 1 0
COMPUERTA NOR-EXCLUSIVO Acta en forma opuesta a la anterior o sea cuando las entradas son niveles opuestos, la Salida es baja: _ _ Y = (A. B + A. B)
OPTIMIZACION DE LAS FUNCIONES LOGICAS En los desarrollos de las funciones lgicas con compuertas lgicas NOR, NAND o tambin puede ser OR-EXCLUSIVA, se puede observar, que una de las alternativas, requiere de menor cantidad de compuertas. En la prctica, la solucin ms efectiva, es la de utilizar el mnimo de compuertas por dos razones importantes: _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 33
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Econmica, al requerir menor cantidad de circuitos integrados y mas sencilla la placa que los contiene. b)-Menor tiempo de propagacin de las seales elctricas lgicas sobre el circuito. Por ejemplo puede ocurrir que la propagacin de dos seales de breve duracin propagndose por dos ramas que tienen diferentes compuertas, al tener distintos tiempos de propagacin, puede ocurrir que en la compuerta final, donde se unen con determinada lgica, por un breve periodo de tiempo, no se cumple la funcin lgica implementada. REPRESENTACIN DE LAS COMPUERTAS LOGICAS Tenemos diferentes normas para su representacin. Estas son las ms importantes: ______________________________________________________________________ Funcin NEMA DIN MILL IEC IEEE/ANSI | 40700 (USA) Internacional 91 1984 Y AND O OR NOT
NAND
NOR
XOR
NOXOR ______________________________________________________________________
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------DESARROLLO DE LAS FUNCIONES LOGICAS La escritura explcita o algebraica de una funcin lgica, resulta de mucha utilidad para realizar la sntesis de un sistema, pero como en Gral. los datos del problema se obtienen en forma de tabla de verdad, se hace necesario transformar la informacin contenida en la tabla de verdad, por una expresin algebraica. Consideremos el siguiente ejemplo: Tenemos tres sensores de radiacin ultravioleta, que detectan la presencia de llama, en el interior de una caldera. Asociemos a cada sensor, una variable lgica Xi que valdr cero (0) si detecta llama y valdr uno (1) si no la detecta. Definamos tambin una variable de salida Y que actuar sobre la electro vlvula de inyeccin de combustible a los quemadores de la caldera, cerrndola, si por lo menos dos de los sensores detectan falta de llama (Y = 1) Para ste caso, Y es una funcin lgica de tres variables X1, X2, X3 y que valdr cero o uno de acuerdo a la siguiente tabla de la verdad: X1 0 0 0 0 1 1 1 1 X2 0 0 1 1 0 0 1 1 X3 0 1 0 1 0 1 0 1 Y 0 0 0 1 0 1 1 1
1) Desarrollo : Suma de productos La funcin Y valdr uno (1) cuando se verifique: (X1=0, X2=1, X3 = 1) (X1 =1, X2 =0, X3 =1) (X1 =1, X2 =1, X3 =0) (X1 =1, X2 =1, X3 =1). Luego la funcin lgica la podemos escribir de la siguiente forma: __ __ __ Y = X1. X2. X3 + X1.X2. X3 + X1. X2 . X3 +X1. X2 .X3 2 desarrollo: productos de suma: la funcin Y valdr cero (0) cuando se verifique: (X1 =0, X2 =0, X3 =0) (X1 =0, X2 =0, X3 =1) (X1 =0 X2 =1, X3 =0) (X1 =1, X2 =0, X3 =0) _____________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 35
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Luego la funcin lgica la podemos expresar de la siguiente forma: __ __ __ Y = (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) El desarrollo en suma de productos de una funcin, se realiza a partir de los valores uno(1) de la funcin, complementando en cada producto las variables que toman el valor cero(0) y escribiendo sin complementar las variables que toman el valor uno(1). El desarrollo en productos de suma de una funcin, se realiza a partir de los valores cero(0) de la funcin, complementando en cada suma las variables que toman el valor uno(1) y escribiendo sin complementar las variables que toman el valor cero(0). Simplificacin de funciones: Las funciones lgicas desarrolladas por ambos procedimientos, tienen trminos redundantes, por lo cual resulta conveniente simplificarlas. Tenemos dos mtodos para su simplificacin: Aplicando las propiedades del lgebra de Boole o utilizando las tablas de Karnaught- Veitch. Aplicaremos primero la simplificacin por lgebra de boole, considerando las siguientes propiedades: A = A+A+A _ _ A.B+A.B = A.(B+B) = A Con estas propiedades, simplifiquemos la funcin desarrollada como suma de productos __ __ __ Y = X1. X2. X3 + X1.X2. X3 + X1. X2 . X3 +X1. X2 .X3 __ X1.X2.X3+X1.X2.X3 = X2.X3 __ X1.X2.X3+X1.X2.X3 = X1.X3 __ X1.X2.X3+X1.X2.X3 = X1.X2. La funcin simplificada nos queda: Y = X2.X3+X1.X3+X1.X2 Para simplificar la funcin desarrollada como productos de sumas (valores que hacen cero la funcin), debemos aplicar las siguientes propiedades del algebra Boole: A= A+A+A A+ (B.C) = (A+B). (A+C)
Con estas propiedades, simplifiquemos la funcin desarrollada como productos de sumas
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------__ __ __ Y = (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) __ (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) = (X1+X2) __ (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) = (X1+X3) __ (X1+X2+X3) . (X1+X2+X3) = (X2+X3) La funcin simplificada ahora nos queda: Y = (X1+X2) . (X1+X3) . (X2+X3) SIMPLIFICACIN POR TABLAS DE KARNAUGHT-VEITCH: \ X1 X2 X3 \ 00 0 A 1 E
01 B F
11 C G
10 D H
En sta tabla, cada casilla es adyacente a otra que difiere en su codificacin de un solo digito binario. Por ejemplo, la casilla B (codificada X1=0, X2=1,X3=0) es adyacente a las casillas A,C,F. La casilla D, es adyacente a las casillas C,A, y H, etc. Como en una tabla de verdad, se escribe en cada casilla el valor de la funcin, para la combinacin de valores de las variables de dicha casilla. __ __ __ La funcin: X1.X2.X3+X1.X2.X3+X1.X2.X3+X1.X2.X3 La representamos en la tabla como: \ X1 X2 X3 \ 00 0 0 1 0
01 0 1
11 1 1
10 0 1
La agrupacin de dos casillas como en la observada en la figura, equivale a realizar la operacin: __ X1.X2.X3.+X1.X2.X3. = X1.X2 O sea que define un componente con las caractersticas de un producto de 2 variables, donde ha sido eliminada la variable que toma simultneamente los valores 0 y 1 en la representacin grfica del componente.(en este caso X3). En el caso del ejemplo considerado, podemos definir tres agrupaciones:
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------\ X1 X2 X3 \ 00 01 11 10 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 En cada agrupacin, se eliminan las variables X3, X1 y X2 Ejemplos de funciones representadas por la tabla de Karnaught: a) \ X1 X2 X3 \ 00 01 11 10 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 __ Y = X1 b) \ X1 X2 X3 \ 00 0 1 1 1
01 0 0
11 0 1
10 1 1
__ Y = X2+X1.X3 Reglas para simplificacin por tabla de Karnaught: 1)- Cada lazo debe contener el mayor nmeros de 1 posibles, debiendo contar con 8,4,2 , en ltimo caso un simple 1 y entonces no habr simplificacin de dichos trminos. 2)- Los lazos pueden quedar superpuestos y no importa que haya cuadriculas de valor 1 que correspondan a la vez a dos lazos diferentes. 3)- No se pueden formar lazos entre parejas de 1 situados en diagonal. 4)- Debe tratarse de conseguir el mnimo nmero de lazos y que tengan la mayor cantidad de 1. 5)- La columna ms a la derecha se considera adyacente con la que esta ms a la izquierda y la primera fila del diagrama se considera adyacente a la ltima. Resumen para desarrollar el circuito lgico de un automatismo combinacional. El proceso de diseo de un circuito digital que debe cumplir con determinadas condiciones de funcionamiento exige: 1)- Obtener la tabla de la verdad que representa la funcin lgica a implementar, a partir de las condiciones fsicas de funcionamiento del automatismo. 2)- Determinar la funcin lgica que se realizar, partiendo de la tabla de la verdad expresndola como suma de productos o productos de suma de las variables intervinientes.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------3)- Simplificar la funcin lgica obtenida de la tabla de la verdad, aplicando las propiedades del lgebra de Boole o las tablas de Karnaught-Veith (hasta 5 variables). Tambin se pueden utilizar las tablas de Quine Mc Cluskey (para mas de 5 variables) 4)- Construir el automatismo lgico con: contactos (reles) , semiconductores discretos, circuitos integrados digitales en escala MSI, utilizando dispositivos integrados de lgica programable(PLD), utilizando mdulos lgicos programables ( LOGO, PLC etc.) o utilizando los Microcontroladores. Ejemplo: Se dispone de cuatro (4) motores conectados a una misma barra de alimentacin. Por razones de limitacin de carga elctrica, se deber accionar sobre un enclavamiento u alarma, cuando por la conexin de los motores se supere los 18 Kva de potencia. Barra de alimentacin elctrica
A = 4 KVA, B = 6 KVA, C = 8 KVA, D = 12 KVA Tabla de la verdad 4 A 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 6 B 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 8 C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 12 D 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 ---Y 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 Y = 1 si Potencia conectada > 18 KVA
Y = 0 si potencia conectada < 18 KVA
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Tabla de Karnaught_Veitch
\ AB CD \ 00 00 0 01 11 10 0 1 0
01 0 1 1 0
11 0 1 1 1
10 0 0 1 0
La expresin simplificada nos queda: Y = B.D + C.D + A.B.C
Implementado ste circuito con compuertas AND y OR nos queda:
Para implementarlo con compuertas NAND, debemos transformar la funcin lgica aplicando las leyes de Morgan: _____________ ============ ___ ___ ____ Y = B.D+C.D+A.B.C = B.D+C.D+A.B.C = B.D .C.D. A.B.C
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MATERIALIZACIN DE LAS FUNCIONES LGICAS COMBINACIONALES A) Utilizando lgica de contactos:
En la actualidad, ste sistema solamente se utiliza para funciones lgicas simples, cuando los niveles de tensin y o corriente son relativamente elevados, en relacin a los que manejan los otros mtodos. Las desventajas de esta tecnologa son: elevado consumo de energa elctrica, costos en mantenimiento, baja confiabilidad, desgaste prematuro de los contactos y considerable volumen ocupado. No obstante stos inconvenientes, todava los automatismos con contactos todava se siguen utilizando especialmente en etapas de manejo de potencias elctricas considerables.
B)-Lgica con semiconductores
B-1) Utilizando transistores diodos y resistencias discretas: Esta tecnologa signific un avance importante respecto a la de contactos, mejorando significativamente las desventajas apuntadas para esta ltima.
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Esta opcin, se justifica actualmente para funciones lgicas sencillas, que deban manejar corrientes del orden de los cientos de mili amperes o amperes, en etapas de salida con excitacin a reles o como interfases entrada / salida de circuitos ms complejos realizadas con tcnicas de integracin. Para circuitos lgicos con apreciable cantidad de compuertas, el consumo es excesivo, el volumen ocupado es relativamente grande y tiene baja confiabilidad debido al elevado nmero de soldaduras, al circuito impreso que lo soporta. B-2)-Utilizacin de circuitos lgicos integrados en escala media de integracin (MSI): Esta tecnologa represent un avance muy importante respecto a las anteriores, dado que permiti implementar funciones lgicas ms complejas con reducido volumen y consumo. Tambin mejor la confiabilidad, al reducir el nmero de conexiones con soldadura. Existen en el mercado, una gran cantidad de tipos de compuertas lgicas integradas en escala MSI, con diferentes tecnologas y prestaciones. Estn agrupadas en denominadas familias lgicas (TTL CMOS, ECL etc.).
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------El dibujo representa la pastilla semiconductora integrada DM 7400, lgica TTL la CD 4011 en lgica CMOS y presenta cuatro (4) compuertas NAND de dos (2) entradas. Los diferentes mtodos analizados hasta ahora, se le denomina de lgica cableada. Una vez que se ha realizado el circuito, ste no se puede alterar, sino reemplazarlo por otro. B-3) Utilizacin de circuitos lgicos integrados en escala media de integracin (MSI): Es posible sintetizar funciones lgicas combinacionales con circuitos integrados de escala media (MSI combinacionales), como los subsistemas Multiplexores, que analizaremos mas adelante. B-4) Utilizacin de dispositivos de lgica programable (PLD): Este mtodo, utiliza circuitos integrados en escala de alta integracin (HSI) . En su interior, la pastilla contiene decenas o centenares de compuertas lgicas bsicas (NOT, AND y OR), conectadas adecuadamente, de tal forma que por medio de entradas especiales al chips, denominadas entradas de programacin, se puede implementar la funcin lgica deseada.
A travs de las entradas de programacin (conectada a una PC, con un programa a los efectos indicados),es posible seleccionar las compuertas ms adecuadas (quemando fusibles), para implementar la la funcin deseada. Por ejemplo si se queman los fusibles conectados a las salidas A.B y A.B, se podr implementar la funcin Y = A.B+ A.B(funcin XOR). B-5) Utilizacin de microcontroladores: Los microcontroladores, son circuitos integrados programables en una sola pastilla o chips. Se utilizan para controlar una tarea especfica. Un microcontrolador es un computador dedicado: Posee una unidad central de proceso llamada UCP, memoria para instrucciones y datos, registros especiales, temporizadores, dispositivos de entrada y salida analgicos y digitales etc. La tarea especifica que puede desarrollar un microcontrolador se hace a travs de un programa que se guarda en la memoria del dispositivo.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Con muy pocos elementos externos al microcontrolador para adaptar las entradas /salidas (fotoisladores, transistores etc.) se puede disponer de un automatismo de pequea y mediana complejidad, de bajo costo, reducido volumen y alta confiabilidad. A modo de ejemplo presentaremos un posible programa de ejecucin para resolver el ltimo problema propuesto sobre el control de cuatro motores, cuya funcin lgica modificada, en la denominacin de las variables, resulto: Y = A2.A3 + A1.A3 + A0.A1.A2
; ; MOTORES1.ASM ===============
;Programa que permite controlar la cantidad de motores que se conectan ;a una barra de alimentacin de energa, que tiene limitaciones respecto ;a la maxima potencia elctrica entregada.
LIST RADIX
P=16C84 HEX
ORG goto ORG
0 INICIO 5
INICIO
clrf clrf bsf movlw movwf clrf bcf
0x05 0x06 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5
;llevo a cero r05 (entradas) ;llevo a cero r06 (salidas) ;selecciono el banco uno ;ff>w ;w>trisa A son entradas ;B son salidas ;selecciono el banco cero
BUCLE
movf movwf movwf rrf rrf movwf rrf movwf andwf movwf movf andwf
0x05,0 0x0C 0x0D 0x0D,1 0x0D,0 0x0E 0x0E,0 0x0F 0x0E,0 0x10 0x0F,0 0x0D,0
;entradas A>w ;w>0C direccin memoria datos.Entrada "Ao" ;w>0D " " " ;desplazo A1 a la columna Ao y lo deposito ;en 0D.Entrada "A1" ;desplazo A2 a la columnna A0 resultado>w ;w>0E direcc.mem datos Entrada A2 ;desplazo A3 a la columna Ao resultado>w ;w>0F direcc.mem datos Entrada A3 ;A2.A3>w ;w>10 direcc.mem datos producto "A2.A3" ;0F>w ;A1.A3>w
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-1- Sistemas lgicos digitales. Lgica combinacional -----------------------------------------------------------------------------------------------------------movwf movf andwf andwf iorwf iorwf andlw movwf goto end 0x11 0x0C,0 0x0D,0 0x0E,0 0x11,0 0x10,0 0x01 0x06 BUCLE ;w>11 direcc.mem datos producto "A1.A3" ;0C>w ;Ao.A1>w ;Ao.A1.A2>w ;Ao.A1.A2+A1.A3>w ;Ao.A1.A2+A1.A3+A2.A3>w ;10 producto logico con w resultado wo ;w>06 puerta B salida ;fin del programa
El programa, redactado en lenguaje Ensamblador (u otro lenguaje), es ensamblado o compilado. stos, son programas de PC, que se encargan de convertir en unos y ceros para grabarlos en el interior del chip, en la memoria de instrucciones. B-5) Utilizando mdulos lgicos programables: Ejemplo de ste tipo de mdulo es el LOGO de la firma Siemens. Son dispositivos que resuelven automatismos de mando y maniobras lgicas con temporizaciones, con aplicacin directa tanto de las entradas como de las salidas. Son mdulos compactos que admiten tensiones de entrada de +24 volt cc. 220 volt ca., segn el modelo. Las salidas estn realizadas a travs de contactos (que abren o cierran, segn la lgica implementada) o con salida a transistores. La programacin de estos dispositivos, puede realizarse directamente sobre el mismo equipo (a travs de botonera y pantalla de cristal lquido) o por medio de una PC conectada al equipo, utilizando la interfase RS 232C. B-6) Utilizacin de los denominados PLC(controles lgicos programables): Son dispositivos clasificados dentro de los autmatas programables computadoras industriales. Se utilizan para vigilar entradas, tomar decisiones en base a su programa o lgica y para controlar salidas para automatizar un proceso o mquina. Un PLC consta de los siguientes componentes primordiales: a-) La unidad central de proceso (UCP), que constituye el cerebro del sistema y toma decisiones en base a la aplicacin programada. b-) Las entradas y salidas (E/S) que son los puntos de control del sistema. Las entradas supervisan dispositivos de campo tales como interruptores y sensores, mientras que las salidas controlan otras unidades, como ser motores electro vlvulas etc. c-) La interfase de programacin que es la conexin para la unidad de programacin, siendo este un ordenador o PC o una programadora porttil. Estos dispositivos admiten por lo general dos lenguajes de programacin: Lista de instrucciones y esquema de contactos. La lista de instrucciones (AWL) comprende operaciones binarias de lgica de Boole. El esquema de contactos (KOP) es un lenguaje que utiliza smbolos electromecnicos.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------FAMILIAS LOGICAS EN LOS CIRCUITOS DIGITALES Introduccin: La realizacin de sistemas de control y de gestin, mediante el uso de las compuertas lgicas electrnicas (de nivel elctrico), ha tenido un desarrollo tecnolgico muy importante, a medida que fue avanzando el tiempo a partir de su aplicacin, a principios de la dcada del 60. De all que aparecieron diferentes tecnologas para la realizacin de las funciones lgicas, desde las bsicas (and, not, or, nor, nand, en escala de integracin SSI), hasta las mas complejas (sumadores, codificadores, memorias, microprocesadores, etc.) a partir de las escalas de integracin MSI en adelante. El desarrollo de la tecnologa de los circuitos digitales integrados, basados en la realizacin fsica de las funciones lgicas mediante la interconexin de resistencias, diodos y transistores sobre un solo sustrato, permiti una sustancial disminucin de los costos de produccin y un aumento de la fiabilidad. Los circuitos integrados contienen muchos mas circuitos en un pequeo encapsulado, de tal forma que todos los sistemas digitales modernos, son de tamao reducido. Esto da lugar a una baja drstica en los costos de produccin, si se acompaan con la economa de produccin en masa, creando grandes volmenes de dispositivos similares. Otra de las ventajas de los CI, es que han hecho a los sistemas ms confiable, debido a la reduccin del nmero de interconexiones externas de un dispositivo a otro (menor conexionado por soldadura). Otro logro importante de los CI, esta relacionado a una disminucin del consumo de potencia, reduciendo las fuentes de alimentacin y sistemas de enfriamiento. Como desventaja, podemos mencionar la poca capacidad de manejo de corrientes y tensiones, como as tambin la del hecho de que no se pueden integrar elementos como inductores, transformadores y grandes capacitores. Por estas ltimas razones, los circuitos integrados se emplean principalmente para realizar operaciones en circuitos de baja potencia que comnmente se denominan procesamiento de la informacin. Las operaciones que requieren niveles altos de potencia o dispositivos que no se pueden integrar, todava se manejan con componentes discretos. El desarrollo de los circuitos integrados digitales, dio lugar a la creacin de diversos circuitos con diversos componentes semiconductores, lo que dio lugar a clasificarlos en familias lgicas. A su vez, dentro de cada familia, se hicieron nuevos desarrollos para su mejoramiento, dando lugar a la aparicin de subfamilias. Las familias ms comunes, son las siguientes: RTL: lgica resistencia-transistor TTL: transistor-transistor ECL: de acoplo de emisor CMOS metal semiconductor con transistores complementarios DTL: diodo-transistor HTL: de alto nivel de entrada En general, podemos decir que cada familia, fue diseada para una aplicacin diferente y cada una tiene sus ventajas e inconvenientes. Por ejemplo en un computador resulta adecuado que el paso por el nivel lgico uno (1) a cero (0) o viceversa sea lo mas rpido posible. En otros sistemas, como estar alimentado por bateras, resulta conveniente el mnimo consumo. En ambientes industriales, con alto nivel de ruido elctrico, es conveniente que los circuitos electrnicos presenten una alta inmunidad al ruido. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas y terminologa utilizada en los circuitos integrados digitales Los fabricantes de CI, para definir las caractersticas de las diferentes familias en que se clasifican los circuitos digitales integrados, definen algunos parmetros de comparacin: - Velocidad. - Retardo de la propagacin. - Potencia de disipacin. - Fan out (abanico de salida o n de puertas que pueden conectarse en la salida). - Fan in (abanico de entrad o n de puertas que pueden conectarse en su entrada). - Inmunidad al ruido. Velocidad Mide la frecuencia con la que un Flip Flop, de esa familia, puede cambiar de estado sin cometer errores. Este parmetro es dependiente del retardo a la propagacin; su valor se mide en MHZ. Retardo a la propagacin Es el tiempo que tarda en producirse un cambio en la salida (de 0 a 1) de la compuerta, al producirse un cambio en su entrada (de 0 a 1); Su magnitud se mide en nano segundos (nseg.). Potencia de disipacin Es la potencia que consume cada puerta; su valor se mide en mw ( miliwatt). La suma de las potencias de los elementos de un circuito completo, determina la potencia de la fuente de alimentacin. Fan out Este parmetro indica la cantidad de carga que puede conectarse a la salida de una puerta. El fan out, viene dado normalmente por el nmero de elementos lgicos (de la misma familia) que puede conectarse a la salida del elemento (puerta); su traduccin literal significa abanico de salida. Fan in Su traduccin literal indica abanico de entrada y significa el mximo de entradas que puede aceptar un elemento lgico. Inmunidad al ruido Mide la cantidad de ruido elctrico que puede superponerse a una seal lgica aplicada al elemento (puerta) sin que cambie de estado incorrectamente. Este valor se especifica en mV (milivolt) o en voltios. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Parmetros de corriente y tension de los circuitos digitales La terminologa empleada para definir los parmetros de tensin y corriente de los circuitos digitales, en gral. Esta estandarizada entre los fabricantes de estos componentes. Parmetros de tension: VIH (min) (voltaje de entrada de nivel alto) : Representa el nivel de tension para un uno (1) lgico en una entrada. Cualquier tension por debajo de este valor, no ser aceptado como alto por el circuito lgico. VIL (max) (voltaje de entrada de nivel bajo) : Nivel de tension que se necesita para un cero (0) lgico en la entrada. Cualquier tension por encima de este valor, no ser aceptado como bajo por el circuito lgico. V0H (min) (voltaje de salida de nivel alto) : Nivel de tension mnimo a la salida de un circuito logico en estado alto, bajo condiciones de cargas definidas. V0L (max) (voltaje de salida de nivel bajo) : Es el mximo nivel de tension a la salida de un circuito lgico para el nivel lgico de cero (0); esta definido bajo determinadas condiciones de carga . Parmetros de corriente: IIH (corriente de entrada de nivel alto) : Corriente que fluye en una entrada cuando se aplica una tension de nivel alto especifico a dicha entrada. IIL (corriente de entrada de nivel bajo) : Corriente que fluye en una entrada cuando se aplica un nivel de tension bajo especifico a dicha entrada I0H (Corriente de salida de nivel bajo) : Corriente que fluye desde una salida en el estado alto o uno (1) lgico en condiciones de carga especifica. I0L (corriente de salida de nivel bajo) : Corriente que fluye a partir de una salida en el estado bajo o cero (0) lgico en condiciones de carga especifica.
I0H
+
IIH
+
I0L
+
IIL
+
V0H
-
VIH
-
V0L
-
VIL
-
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Es de destacar que los sentidos de corriente I0L y IIL son opuestos a los dibujados para aquellas familias lgicas que tengan accin de disipacin de corriente (por ejemplo TTL). Factor de carga de salida (Fan out) : Representa el nmero de cargas normales que pueden conectarse a la salida de la compuerta lgica. Por ejemplo si el fan out = 10, significa que pueden conectarse a la salida 10 compuertas normales. Si se conectan mas de 10 entradas lgicas, no hay garantia del valor lgico de la tension de salida Ejemplo: Familia lgica TTL estndar Tension de alimentacin nominal: Vcc = +5 volt VIH (min) = 2,0 volt VIL (max) = 0,8 volt V0H (min) = 2,4 volt V0L (max) = 0,4 volt I0H = -0,4 mA (corriente saliente) IIH = 16 mA (corriente entrante)
IIH = 40 A (corriente entrante) IIL = -1,6 mA (corriente saliente)
Como vemos la relacin entre las corrientes entrantes y salientes en los niveles altos y bajos es de 10. Grafica de los niveles de tension
1 lgico V0H (min) Intervalo no permitido V0L (max) 0 lgico VNH
1 Logico VIH (min) Intervalo indeterminado VNL 0 lgico
VIL (max)
Valores de tension de salida
Requerimientos de Tension de entrada
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Inmunidad al ruido Los circuitos digitales estn expuestos al ruido elctrico provenientes de campos elctricos y magnticos de su vecindad. Este ruido elctrico puede alterar los valores de las tensiones lgicas que funcionan en situaciones normales. La inmunidad al ruido de un circuito lgico, esta referido a la capacidad del circuito para tolerar tensiones de ruido, sin alterar su estado lgico. Una medida cuantitativa de la inmunidad al ruido y que se la denomina margen de ruido es la siguiente: VNH = V0H (min) - VIH (min) : margen de ruido para el nivel alto VNL = VIL (max) - V0L (max) : margen de ruido para el nivel bajo Requerimientos de potencia de un circuito integrado lgico En general, para un circuito integrado con varias puertas lgicas en su interior, el consumo de potencia ser distinto segn los valores lgicos presentes en las entradas. Para determinar el consumo de potencia, se toma el promedio para la situacin entre todas las entradas bajas y todas las entradas altas. Este dato en gral. Lo suministra el fabricante. Icc H(mA) : consume de corriente del CI para entradas altas Icc L(mA) : consume de corriente del CI para entradas bajas Icc (promedio) = (Icc H + Icc L) / 2 P D(promedio) = Vcc . Icc Retrasos en la propagacin 1 Entrada 0 tPHL 1 tPLH
Salida 0 E S
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El dibujo anterior muestra las variaciones de las tensiones de entrada y salida para una puerta lgica NOT. La seal lgica experimenta un retraso al recorrer el circuito. Los dos tiempos de retraso de propagacin se definen como: tPHL: Tiempo de retraso al pasar del estado lgico uno (1) al cero (0) tPLH :Tiempo de retraso al pasar del estado lgico cero(0) al uno (1) En gral. Se especifican para condiciones de carga y pueden ser distintos: tPHL tPLH Por ejemplo, para la familia TTL estndar, el CI 7400 comprende cuatro compuertas lgicas NAND de dos entradas el valor de tPHL(tpico)=7 nseg. y tPLH(tpico)=11 nseg. Los valores de los tiempos de propagacin se utilizan como una medida de la velocidad relativa de los circuitos lgicos. Producto velocidad-potencia Este factor se utiliza para medir y comparar el desempeo global de una familia lgica. Se determina como el producto del consumo promedio de potencia por el tiempo de propagacin de la compuerta lgica. Producto velocidad-potencia: retraso propagacin x consumo de potencia Si tP(promedio)= 10 nseg. y PD (promedio) =5 mW 10 nseg. x 5 mW = 50 x10-12 Watt-seg. = 50 pico Joules (PJ) Comparacin entre las familias lgicas No hay una familia que rena las mejores caractersticas. En gral., existen familias lgicas que son aconsejables en algunas aplicaciones y desechables en otras porque a menudo la propia naturaleza de los circuitos electrnicos, exige la preponderancia de uno sobre otra. La aceptacin de una familia lgica, se debe mucho, a veces, a la posible ampliacin y modernizacin que tiene el fabricante en esa lnea y el ofrecimiento de servicio de asesoramiento y literatura tcnica. Otro motivo, puede ser la amplia gama de productos auxiliares que se crean alrededor de esa familia, como puede ser fuentes de alimentacin, convertidores A/D, teclados, memorias, etc. A continuacin, desarrollaremos los aspectos grales mas importantes de seis familias lgicas, mostrando en cada caso el circuito del elemento lgico fundamental y sus caractersticas predominantes. Previo a ello y con carcter histrico para evocar el desarrollo de los circuitos lgicos realizados con semiconductores, trataremos brevemente, a los primeros circuitos lgicos integrados en mdulos con conectores, que aparecieron comercialmente a finales de la dcada del 50 y principios del 60. Mdulos electrnicos a semiconductores Estos mdulos, fueron los primeros conjuntos electrnicos que precedieron a los circuitos integrados con tcnica planar, para competir y reemplazar a los sistemas de ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------control con vlvulas electrnicas (triodos, pentodos , tiratrones, etc) y sistemas con reles. Se denominaban mdulos logitrnicos y se distribuan comercialmente con las marcas LP, NORBIT, UNISTATIC, etc. Estaban construidos con circuitos electronicos digitales discretos, y cumplan las funciones lgicas bsicas (NOT, AND, OR, NOR, NAND) y otros elementos como amplificadores lgicos, Flip Flop, temporizadores, etc.
Modulo LP90N
Conectores
Por ejemplo la serie LP90N tena la siguiente caracteristica: Tecnologa RTL, encapsulados en resina epoxi con forma paraleleppedo de 60x28x26 mm, con conexionado por patilla en doble lnea (dual-in-line) 7 conectores. Interconecionado por circuito impreso (wire-wrap) ; tension de trabajo: 24 V20%; Elevada fiabilidad (para la poca, respecto a los otros sistemas); Velocidad de conmutacin elevada (superior a 10 KHZ). Estaban concebidos para aplicaciones domesticas e industriales. Como se puede observar, estos mdulos fueron la base del desarrollo posterior de los sistemas lgicos electrnicos con circuitos integrados en tcnica planar. Veamos algunos de estos elementos lgicos: NOR 4 entradas NAND 4 entradas
Doble NOT
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Familia de circuitos integrados RTL(resistencia transistor logico) Esta familia es la mas antigua de todas dentro de los circuitos integrados con tcnica planar en un solo substrato. Apareci comercialmente a mediados de la dcada del 60, como reemplazo de los mdulos logitrnicos, desarrollados con tcnica discreta. En la actualidad, esta familia ya no se la utiliza, reemplazndosela por otras familias con mejores prestaciones. El circuito bsico de la familia RTL es una puerta NOR como muestra el siguiente circuito:
NOR 2 entradas
De este circuito existen variantes; una de ellas se basa en resistencias y otro en capacidades conectadas en paralelo con las resistencias de las bases. El retraso a la propagacin de la RTL es de 12 nseg. Con un consumo de potencia razonable del orden de los 10 mw por puerta. Los principales inconvenientes de la familia RTL son su baja capacidad de fan out y la pequea variacin entre sus niveles cero y uno, que con lleva un margen de ruido bajo. Como ventaja, es su alta densidad de integracin, y costo reducido.
Familia TTL (transistor-transistor-lgico) Es una de la ms usada y popular con amplia difusin comercial. En gral., todos los fabricantes de CI tienen una lnea de productos TTL. Esta familia, consta a su vez de subfamilias lgicas, siendo las siguientes: -TTL estndar -TTL de baja potencia o bajo consumo. -TTL de alta velocidad. -TTL Schottky. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ----------------------------------------------------------------------------------------------------------TTL Schottky de baja potencia.
TTL estndar (serie SN 54 / 74 de Texas)
ENTRADA
CONMUTACION
SALIDA
A 0 0 1 1
B 0 1 0 1
C 1 1 1 0
La figura muestra el circuito de un elemento lgico TTL de una puerta NAND; este circuito, consta de tres etapas. Una etapa de entrada asociada a un transistor multiemisor Q1, una etapa de conmutacin a travs del transistor Q2 y una etapa de salida por medio de los transistores Q3 y Q4. La funcin NAND la realizan los transistores Q1 y Q2 y los transistores Q3 y Q4 se encargan de hacer pasar la salida (C) de uno (1) a cero (0) o viceversa. El circuito funciona con una alimentacin de + 5 volt 5% y es compatible con todos los circuitos de las otras subfamilias TTL, as tambin con la familia lgica DTL. Por lo gral. Los niveles lgicos que se emplean con la tecnologa TTL son positivos, correspondiendo el nivel alto o uno (1), a la tensin positiva mas elevada, que oscila entre 2 y 5 volt y el nivel bajo o cero (0), a un voltaje comprendido entre + 0 y + 0,8 volt. Los aspectos ms importantes de la puerta TTL NAND son los siguientes: 1)- El transistor multiemisor Q1 responde a los cambios lgicos de las entradas, suministrando corriente de base a Q2, en unos casos, y en otros retirando carga almacenada en la base de Q2 y en la capacidad parasita CCS existente entre el colector de Q1 y el substrato. 2)- El transistor Q2 trabaja como amplificador saturable y su misin consiste en suministrar alternativamente corriente a las bases de Q3 y Q4. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------3)- El transistor Q3, junto con el diodo CR1 y el transistor Q4, funciona como seguidor de emisor dando lugar a una impedancia baja, lo que permite poder funcionar con altas cargas capacitivas y conservar la velocidad; adems el diodo evita que Q3 conduzca cuando Q4 esta en saturacin, al ofrecer una alta impedancia de carga a su colector. 4)- Cuando Q4 esta saturado, deriva a masa la corriente saliente de las entradas de otras puertas TTL a las que se le aplica un cero. 5)- La resistencia R4 tiene por objeto retirar en el momento de la conmutacin, desde la saturacin al corte, la carga almacenada en la base de Q4. El circuito TTL estndar permite mayor rapidez en la conmutacin con cargas capacitivas, dad su baja impedancia de salida pero, presenta dos inconvenientes: 1)- En el cambio de estado, se produce un alto consumo y esto provoca perturbaciones. 2)- Al conectar entre si dos salidas de dos puertas, si estas estn en distintos estados (una en alto y la otra en bajo), provoca el paso de corriente de una a otra lo que puede destruir el circuito. Puerta NAND con circuito TTL de tres estados (Triestate) Para evitar el ultimo inconveniente mencionado, se modifica el circuito bsico NAND, agregando un nuevo transistor que puede bloquear a los dos transistores de la etapa de salida Q3 y Q4, cuando se le aplica una tension alta a su entrada. Esta entrada se denomina disable o inhibicin. De esta forma es posible conectar sin peligro varias salidas entre si, siempre y cundo las entradas de inhibicin estn en estado alto para todas las puertas conectadas entre si a la salida menos la que esta habilitada.. La orden introducida por disable o inhibicin, realiza la funcin de desconectar la puerta, actuando el circuito en tres estados: alto, bajo y alta impedancia. El circuito clsico NAND TTL de tres estados, es el siguiente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando se aplica un nivel lgico uno (1) a la entrada de inhibicin, conduce Q8 lo que provoca la saturacin de Q7 dado que le llega corriente a la base a travs de la juntura colector-base de Q8. La conduccin de Q7, hace que aparezca una tension en RE7 que polariza directamente la base de Q6 y lo satura llevando a baja tension su colector y tambin uno de los emisores de Q1. Por otro lado a travs del diodo, independientemente de los niveles que existan en las entradas A y B, Q3, Q4, y Q5 quedan bloqueados con lo que la impedancia que pueda existir en estas condiciones entre la salida y tierra o la alimentacin +Vcc, es muy grande, consiguindose un tercer estado diferente del alto y bajo, al que se le denomina de alta impedancia y que permite que las salidas de las puertas puedan unirse entre si , sin peligro. Cuando hay varias puertas de este tipo, con sus salidas conectadas, solo existir una puerta con su entrada de inhibicin en bajo, con lo que dicha puerta se comporta normalmente ya que conduce Q6 y sus entradas sern las que controlen el estado de la salida comn. Tabla de la verdad de una puerta NAND de tres estados (triestate) A B 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 Conexin I C F: Flotante 0 1 0 1 0 1 0 0 1 F 1 F 1 F 1 F con salida comn
Salida comn
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Parmetros elctricos de los estados altos y bajos de las puertas lgicas TTL (serie 54/74 de Texas) Estado lgico alto: Voltaje de entrada de nivel alto: VIH debe ser 2 V o ms Corriente de entrada de nivel alto: IIH no exceder de 40 A (entrante al circuito) Voltaje de salida de nivel alto: VOH sera de 2,4 V o mas Corriente de salida de nivel alto: IOH no debe superar los 400 A (saliente del circuito) Estado lgico bajo: Voltaje de entrada de nivel bajo: VIL no debe exceder de 0,8 V Corriente de entrada de nivel bajo: IIL un mximo de 1,6 mA (saliente del circuito) Voltaje de salida de nivel bajo: VOL no debe exceder de 0,4 V Corriente de salida de nivel bajo: IOL no debe superar los 16 mA (entrante al circuito) Inmunidad al ruido: Este parmetro determina el mximo nivel de tension de ruido que puede incorporarse a los niveles de tension en alto o bajo de las compuertas, sin que se afecte el estado lgico de las mismas. Para la familia TTL vemos que el margen de ruido resulta: VNH = V0H VIH = 2,4 2,0 = 400volt VNL = VIL - V0H = 0,8 0,4 = 400volt Corrientes de entrada y salida De acuerdo a los valores de las corrientes entrantes y salientes en los estados altos y bajos deducimos lo siguiente: La mxima corriente que puede absorber (sumidero) la salida en nivel bajo es de 16 mA y las entradas para el nivel bajo drenan como mximo 1,6 mA; por lo tanto el valor mximo de compuertas que puede excitar la salida (fan out) En el nivel bajo, resulta de 10 entradas. De la misma forma se analiza el nivel alto. Estos valores no se deben superar porque repercute en otras caractersticas y determina la carga que puede ser conectada a la salida de cualquier elemento lgico. Otros elementos lgicos TTL Adems de la compuerta NAND bsica, la familia TTL tiene otros elementos tales como las puertas AND, OR, NOR y XOR o o-exclusiva. Todas ellas son modificaciones de la NAND clsica y tienen las mismas caractersticas fundamentales. Puerta AND TTL El circuito es esencialmente el mismo que el de una puerta NAND, excepto que el transistor Q5 se aade entre Q2 y la salida Q3-Q4, con el propsito de invertir la seal que sale del colector de Q2. El transistor Q6 acta como una baja impedancia de base ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------para Q5. De esta forma, en la etapa extra inversora Q5, la salida C no esta invertida, como sucede en la NAND bsica.
Puerta NOR TTL La puerta NOR difiere de la NAND en que el transistor Q1 multiemisor, se ha reemplazado por 2 transistores independientes Q1A y Q1B, y el transistor Q2 esta reemplazado por el par diferencial Q2A y Q2B. Un nivel alto en cualquiera de las entradas A o B, hace conducir a Q2.
Puertas TTL con colector abierto Cuando se desea interconectar varias salidas entre si de varios circuitos, se usan puertas con el transistor de salida sin resistencia de carga; a este circuito, se le denomina de ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------colector abierto. Si utilizramos puertas con salidas normales, la conexin entre si provocara una disminucin de la resistencia y un aumento de la corriente. Usando circuitos de colector abierto, una vez conectadas las salidas entre si, en este nudo se coloca una resistencia exterior conectada a la fuente de alimentacin. La siguiente figura muestra el circuito de una puerta NAND con colector abierto y una aplicacin de cuatro de estas puertas conectadas sus salidas entre si
Como podemos apreciar el transistor Q3 tiene el colector abierto. En la aplicacin, el nudo comn N, acta como una puerta AND dado que la salida estar en estado alto solo si sus entradas estn en estado alto. En este caso para proveer la fuente de corriente del estado alto, es necesaria la resistencia exterior RL Esta configuracin se la denomina Wired And o Y conexionado. Disparador de SCHMITT TTL Este dispositivo es una puerta especial donde el estado alto o bajo es funcin de un determinado valor de la tension de entrada. De esta forma la salida ser baja si la entrada es menor que un determinado valor especificado para el disparo y ser alta si es mayor de dicho valor. El esquema bsico de un circuito de disparo esta constituido por dos inversores y un par de resistencias de interconexin como se muestra en el dibujo:
En este caso existe una realimentacin de la salida hacia la entrada que, depende de los valores de RA y RB; de forma que cuando la tension de entrada sube y comienza a ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------bajar el nivel en la salida de U1 y a subir en la salida de U2, eleva la entrada a causa de la realimentacin, disparndose y basculando el circuito. Segn los valores entre RA y RB queda determinado el valor de la tension de referencia en que se produce el cambio de niveles de tension. Estos circuitos integrados se utilizan como generadores de impulsos, detectores de nivel, conformadores de pulsos, interfaces entre familias lgicas etc. Las puertas Schmitt se usan cuando los niveles cambian rpidamente; as un cambio rpido de seal no puede aplicarse a la entrada de una puerta TTL estndar, porque puede causar una operacin incorrecta y salidas no definidas. Un disparador Schmitt colocado delante de una puerta lgica origina una respuesta de disparo en niveles diferentes y fijos, que los de la seal de entrad, por lo que proporcionan la compatibilidad con otros CI digitales. Tambin se emplean para transformar seales analgicas en rectangulares. En el siguiente dibujo, se aprecia la conmutacin de un disparador Schmitt a una tension de referencia:
Entrada
Salida Elementos de propsito especial Adems de los elementos clsicos que describimos, en la familia TTL tenemos una gran variedad de elementos de propsito especial. Entre estos, se destacan las puertas ANDOR-INVERSOR (AOI) que utilizan el mismo circuito de las puertas NOR TTL, excepto que los transistores Q1A y Q1B tienen emisores mltiples para poder realizar funciones NAND. Por ejemplo veamos el diagrama lgico del AOI 74S64(N):
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------________________________ Este elemento desarrolla la funcin Y = A.B.C.D + E.F + G.H.I + J.K . Estas puertas se pueden utilizar en reemplazo de las puertas independientes. Otros elementos importantes son los DRIVERS (etapas excitadoras) o BUFFER (amplificadores tampn), capaces de proporcionar una corriente de salida de 40 mA, siendo circuitos AND o NAND de mltiples entradas que se usan , por ejemplo en la conversin de las salidas de un circuito TTL a niveles logicos MOS o en el acoplo con altas corrientes de carga. Los Buffer, en este aspecto, referente a la interfase entre diversas familias lgicas presentan un desempeo importante. Por ejemplo si deseamos acoplar la salida de una puerta CMOS a la entrada de un circuito TTL, no tenemos problema, dada la posibilidad de alimentar la CMOS con un margen grande tensiones (por ejemplo con +5 volt), pero si tenemos problema en lo referente a la corriente de salida del CMOS, que resulta insuficiente para la entrada TTL, por lo que ser necesario usar un buffer como puerta CMOS de salida. Finalmente, se pueden nombrar entre varios de los dispositivos especiales, los expansores de entradas para aumentar el nmero de entradas en una puerta, dispositivos para aumentar la inmunidad al ruido y las interfaces de la familia TTL para acoplar familias de mayor tension de alimentacin (como la HTLK que necesita +15 volt). TTL de baja potencia (LPTTL, serie 54/74 L) El circuito TTL de baja potencia es idntico a la serie estndar, a excepcin del diodo CR1, que en esta familia se ha suprimido, y los valores de las resistencias se han incrementado a R1= 40 K, R2 = 20 K, R3 = 12 K y R4 = 500 , dando como resultado una corriente menor, asi como un consumo reducido. El retraso a la propagacin tpico es de 33 ns, una potencia de consumo por puerta de 1mW y una frecuencia mxima de 3 MHZ de funcionamiento para los Flip Flor. Se utiliza en aplicaciones de bajo consumo y mnima disipacin. TTL de alta velocidad (HTTL, serie SN 54 H/ 74 H)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito TTL de alta velocidad, tiene una ligera modificacin respecto al estndar. Se han agregado un par de transistores, Q3/Q4, y se han disminuido los valores de las resistencias. El par de transistores Darlington incrementa la velocidad con la que se puede interrumpir la corriente a travs de Q4, lo cual, combinado con la reduccin del valor de las resistencias, permite la conmutacin mas rpida de Q4 de un estado lgico al otro. Los parmetros lgicos de esta subfamilia son : retraso a la propagacin por puerta de 6 ns, consumo de 22 mW por puerta y frecuencia operativa mxima de Flip Flor de 50 MHZ. TTL Schottky de baja potencia (STTL, serie SN 54 S/74 S)
El circuito TTL Schottky, es uno de los ltimos desarrollados y constituye el mas rpido de las subfamilias TTL, aproximndose su velocidad a la familia lgica ECL. El circuito de esta subfamilia esta desarrollado en base a diodos y transistores Schottky, que se caracterizan por su rapidez, ya que no almacenan cargas y porque son muy sencillos de fabricar.. El circuito es muy similar al TTL de alta velocidad, pero la base de cada transistor esta conectada al colector a travs de un diodo Schottky. El diodo acta como desviador del exceso de corriente de base cuando el transistor se activa y guarda una carga almacenada, evitando la saturacin de los transistores. La ausencia de una carga almacenada reduce el tiempo del cambio del transistor y aumenta la velocidad del circuito. Esta subfamilia tiene un tiempo de propagacin tpica de 3 ns, un consumo de 19 mW y una frecuencia mxima de 125 MHZ.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------TTL Schottky de baja potencia (LSTTL 54 LS / 74 LS) El circuito TTL Schottky de baja potencia es el mas reciente de la familia TTL y con el se ha intentado llegar a un compromiso entre la velocidad y el consumo. El circuito es prcticamente el mismo que el anterior, con los valores de las resistencias R1, R2 y R4 incrementados, para reducir la corriente de flujo y se ha variado el circuito de entrada, suprimiendo el transistor multiemisor por un circuito tipo DTL. Esta subfamilia tiene un tiempo tpico de propagacin de 10 ns y un consumo de solo 2 mW, con una frecuencia mxima de Flip Flop de 35 MHZ. Familia ECL La familia de acoplo por emisor, abreviadamente ECL, constituye una gama de circuitos lgicos de alta velocidad por excelencia y, junto con la TTL, la de mayor produccin. La ECL se clasifica en las siguientes subfamilias: -ECL de 8 ns: propagacin por puerta de 8 ns; frecuencia de funcionamiento mxima para Flip Flop de 30 MHZ. -ECL de 4 ns: Propagacin por puerta de 4 ns y frecuencia de funcionamiento mxima para Flip Flop de 75 MHZ. -ECL de 2 ns: Propagacin por puerta de 2 ns y frecuencia de funcionamiento mxima para Flip Flop de 125 MHZ. -ECL de 1ns: Propagacin por puerta de 1 ns y frecuencia mxima de funcionamiento para Flip Flop de 400 MHZ. La subfamilia de mas uso es la de 2 ns; en ella se optimiza la velocidad y el consumo de potencia, hacindola la mas simple de utilizar. La siguiente figura muestra un elemento lgico de la ECL de 2 ns, que puede realizar las funciones OR y NOR:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La base de la lgica del circuito, es el amplificador diferencial Q3, Q4, Q5 , que conduce la corriente de una a otra parte, dependiendo del estado de las lneas de entrada A y B, controlando la activacin de Q7 y Q8 para producir una salida NOR u OR. El circuito emplea una tension de alimentacin de -5,2 volt, aplicada a VEE, con lo que los niveles lgicos de 1 y 0 son aproximadamente de -0,9 y 1,7 v. Un voltaje fijo en la base de Q5 cambia al circuito del estado lgico 1 al 0. Contrariamente a la TTL, el cambio entre los niveles lgicos no ocasiona transitorios, pero el consumo de la ECL es mayor que la TTL. Dada la rapidez de la familia ECL, se utiliza en grandes computadoras, sistemas de comunicaciones de alta densidad digital, como satlites etc. Sin embargo la alta velocidad de la ECL crea problemas. As, la ECL de 2ns y, en especial la de 1ns, requieren placas de circuitos impreso mas avanzadas y complejas que las utilizadas en la TTL. La alta velocidad de la ECL produce modificaciones en las seales de entrada. Las ondas de seal pueden oscilar en magnitud temporalmente en un cambio de nivel lgico y las seales presentes en las lneas paralelas de otros circuitos pueden ser activadas; esto supone que un cambio en una de las lneas puede originar la aparicin de un voltaje en otra. Los problemas de transmisin en las lneas obligan a trabajar con esta familia con el mximo cuidado, desechndose en el diseo de sistemas lgicos lentos.
Familia DTL Una de las familias mas antiguas es la que emplea la lgica diodo transistor, de la cual existen varias generaciones introducidas por diferentes fabricantes, siendo de resaltar que hubo un tiempo en que la familia DTL fue la mas popular. En los nuevos diseos, la preponderancia de la TTL fue reemplazando a la familia DTL. Al ser compatible los niveles lgicos y la alimentacin de la DTL y la TTL, ambas familias pueden emplearse en el mismo circuito. El circuito lgico bsico de esta familia es una puerta NAND, como se muestra en la siguiente figura:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Si las dos entradas A y B estn a nivel 1 (con lo que el voltaje de estas seales ser +Vcc), los diodos quedan polarizados inversamente y no dejan pasar corriente. Esto permite que conduzca D3 polarizando a Q1 a la saturacin, causando un nivel lgico 0 en la salida. Si una de las entradas pasa a un nivel lgico cero (aprox. Al nivel de masa) el diodo correspondiente conduce y desva la corriente de la base de Q1, con lo que se bloquea el transistor y el voltaje d salida pasa al nivel alto (+Vcc). Las caractersticas de la DTL son peores que la TTL: su velocidad de propagacin es de 30 ns y su fan out esta limitado. Tambin tiene baja inmunidad al ruido.
Familia HTL Esta familia se desarrollo para un propsito especial y su caracteristica predominante es su alta inmunidad al ruido, por lo que se emplea principalmente en la industria y sobre todo para el mando de dispositivos electromecnicos, donde se producen amplias transiciones de voltajes. Tambin se lo utiliza en lneas de conduccin, con interruptores telefnicos y en circuitos con tiristores. Veamos el circuito bsico NAND de un elemento HTL:
Como se puede observar, el circuito es similar al correspondiente a la familia DTL, pero los valores de R1, R2, y R3 son mucho ms altos y la Vcc tpica es de +15 voltios. El diodo Tener D3 eleva el nivel lgico (de bajo a alto) aproximadamente 7 v por encima de la DTL, por lo que la inmunidad al ruido entre los niveles lgicos bajo y alto , es de unos 5 V. El retraso de propagacin es el mas bajo de todas las familias y vale unos 150 ns. Familia similar a la HTL es la HLL (High Level Logic), caracterizada por su alta inmunidad al ruido, pudindose alimentar con tensiones desde 10,8 hasta 20 V. Es muy usada en sistemas con gran nivel de ruido y donde no se precise rapidez.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Familia CMOS La familia de MOS complementario esta caracterizada por su bajo consumo. Es la ms reciente de todas las grandes familias y la nica cuyos componentes se construyen bajo el proceso MOS. El siguiente circuito nos muestra el elemento bsico de esta familia que es el circuito lgico inversor:
Este circuito esta formado por dos transistores MOS complementarios uno de canal N y otro de canal P. Durante su funcionamiento, en cualquier estado lgico, uno u otro esta activado, produciendo a la salida el voltaje de alimentacin Vcc o el de masa. Este par complementario, se le denomina CMOS. Los transistores CMOS tienen caractersticas que los diferencian notablemente de los transistores bipolares: 1) Bajo consumo, puesto que una puerta CMOS solo consume 0,01 mW en condiciones estticas (cuando no cambia de nivel ). Si opera con frecuencias comprendidas entre 5 y 10 MHZ, el consumo es de 10 mW 2) Los circuitos CMOS poseen una elevada inmunidad al ruido, normalmente sobre un 30 y 45 % del nivel lgico entre el estado 1 y el 0. Este margen alto solo es comparable con la familia HTL. Con las ventajas enunciadas, la familia CMOS se emplea en circuitos digitales alimentados con bateras y en sistemas especiales que tienen que funcionar durante largos periodos de tiempo, con bajos niveles de potencia. La elevada inmunidad al ruido es la ventaja principal para su aplicacin en los automatismos industriales. Las desventajas que sobresalen en esta familia, son su baja velocidad, con un retardo tpico de 25 a 50 ns o mas, especialmente cuando la puerta tiene como carga un elemento capacitivo. Tambin hay que destacar que el proceso de fabricacin es mas caro y complejo y, finalmente la dificultad del acoplamiento de esta familia con las restantes. ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Una caracteristica muy importante de la familia CMOS es la que se refiere al margen de tensiones de alimentacin, que abarca desde los 3 a los 18 volt, lo que permite la conexin directa con los componentes de la familia TTL, cuando se la alimenta con 5 volt. No obstante, se recomienda la colocacin de buffer amplificadores entre las salidas de los elementos CMOS y las entradas TTL. Como quiera que en la entrada al de un transistor CMOS se forme una pequea capacidad, inferior a pF, es conveniente protegerla con una red de resistencia y diodos en paralelo, para evitar que se cargue con una alta tension electrosttica, capaz de destruir al dielctrico. Esta es la razn por la que se aconseja no tocar con las manos o con la punta del soldador, directamente las patitas de un circuito integrado CMOS. A continuacin expondremos las caractersticas ms relevantes de la familia CMOS y los de la TTL, para su comparacin: PARAMETRO Tiempo de propagacin Frecuencia de cambio de estado Fan out Potencia por puerta Inmunidad al ruido TTL CMOS (+5V) 10 ns 40 ns 35 MHZ 8 MHZ 10 10 mW 0,4 V 50 10 nW 2V
La serie 4000 de circuitos integrados CMOS es muy popular y consta entre otros de los siguientes modelos: 4000 4001 4002 4011 4012 4013 4015 4017 4020 4023 4025 4027 4028 4035 4042 4043 4044 4049 4051 4052 4068 4069 4070 4071 4072 Dos puertas NOR de 3 entradas y un inversor 4 puertas NOR de 4 entradas 2 puertas NOR de 4 entradas 4 puertas NAND de 2 entradas 2 puertas NAND de 4 entradas 2 biestables tipo D 2 registros de desplazamiento de 4 bits Divisor- contador de dcadas con 10 salidas Contador binario de 14 etapas 3 puertas NAND de 3 entradas 3 puertas NOR de 3 entradas 2 biestables J-K Decodificador BCD/decimal Registro de desplazamiento con entrada serie/paralelo y salida paralelo 4 registros D 4 RS con puerta NOR 4 RS con puerta NAND 6 buffer inversores Multiplexor/ demultiplexor analgico de 8 canales 2 multiplexores de 4 canales Una puerta NAND de 8 entradas 6 inversores 4 puertas EOR de 2 entradas 4 puertas OR de 2 entradas 2 puertas OR de 4 entradas
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-2- Familias lgicas en los circuitos integrados digitales electrnicos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------4081 4 puertas AND de 2 entradas Dentro de la familia CMOS, la serie 4000 se caracteriza por tener una tension de alimentacin de 3 a 18 volt, un consumo de 2,5 nW y un tiempo de propagacin por puerta de 40 ns. En este mismo grupo hay dos subfamilias, cada vez mas empleada, que son: HCMOS: (CMOS de alta velocidad), con una tension de alimentacin entre 2 y 6 volt, consumo de 2,5 ns y tiempo de retraso de 9ns. Es la serie 74HC. HCMOS: (CMOS de alta velocidad y compatible con TTL), con tension de alimentacin de 5 V, consumo de 2,5 nW y tiempo de retraso por puerta de 9 ns. Esta serie esta denominada 74HCT. As como cuando se trabaja con puertas TTL si una entrada no se utiliza se deja sin polarizar acta como nivel alto, en la tecnologa CMOS se deben unir directamente a la tension de alimentacin o a masa, segn se desee se comporten con nivel alto o bajo, respectivamente. OTRAS FAMILIAS LOGICAS Se destacan entre las familias lgicas de ltima aparicin la de lgica de inyeccin integrada, abreviadamente IIL o bien I2L, de tipo bipolar y derivada de la familia DCTL, en la que se introducen transistores multiemisores. Tiene la ms alta densidad de integracin bipolar por la que se la utiliza para construir microprocesadores. Por otro lado es ms lenta que la TTL, con la que es compatible, aunque con menor consumo. Finalmente para trabajos en muy alta frecuencia, que superen las velocidades de la familia ECL, se usa en los circuitos integrados una combinacin de As-Ga, para sustituir al silicio, en los transistores de efecto de campo, con lo que se han logrado MESFET de As-Ga, con frecuencias superiores a los 15 GHz.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SUBSISTEMAS COMBINACIONALES Se denominan subsistemas combinacionales a una serie de funciones lgicas complejas, implementadas como unidades, ya sea ubicada en un solo circuito integrado, o formando parte de sistemas lgicos mas complejos, como lo es un sistemasncrono programable, denominado comnmente computadora. Los chips que integran una computadora, (unidad central de proceso, memorias, interfases, etc.) y en especial el microprocesador (UCP), podemos decir que en trminos grales, se disean en base a la agrupacin de subsistemas, con funciones lgicas determinadas, que trabajan sincrnicamente, al ritmo de un reloj (oscilador). A su vez estos subsistemas, estn formados por funciones lgicas bsicas como lo son la OR, Y, y la NOT Los subsistemas que vamos a estudiar en primer trmino, son del tipo combinacional, significando esto, que existe una relacin biunvoca entre las variables lgicas de salida y las de entrada. Clasificacin Gral. de los subsistemas lgicos combinacionales Se clasifican en circuitos aritmticos y circuitos de comunicaciones. a)-Circuitos aritmticos: Realizan operaciones aritmticas y lgicas con los datos binarios que procesan. Tenemos los sumadores, restadores, comparadores, complemento real, cero/uno. b)-Circuitos de comunicaciones: Se utilizan para modificar la estructura de la informacin y transmitirla por una lnea de comunicacin. Tenemos los codificadores, decodificadores, convertidores de cdigo, multiplexores, demultiplexores, generadores de paridad, detectores de paridad. Los subsistemas desarrollados como un solo circuito integrado, pertenecen a la escala de integracin MSI. CIRCUITOS SUMADORES Y RESTADORES BINARIOS Antes de analizar los circuitos que me permiten realizar las operaciones de suma y resta en forma binaria, primero vamos a ver los principios bsicos del aritmtica digital binaria. Para ello partimos de la representacin de los nmeros decimales en el sistema binario natural: binario | decimal natural | 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 2 0 1 1 3 1 0 0 4 1 0 1 5 1 1 0 6 1 1 1 7 La cantidad mxima de combinaciones posibles de 0 y 1 se determina con la expresin: 2n, siendo n la cantidad de bit que se representara al nmero binario. Por ejemplo, si ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------n=3 resulta 23 = 8 combinaciones posibles. Esto significa que si queremos representar los nmeros decimales desde el cero al nueve, el numero binario natural debe tener por lo menos 4 bits. Con un nmero binario natural de 8 bits podemos representar los nmeros decimales desde el 0, hasta el 255. El peso de los bits segn su posicin en el nmero binario natural, es la siguiente: 128 64 32 16 8 4 2 1 128+64+32+16+8+4+2+1 = 255 (decimal) 1 1 1 1 1 1 1 1 (binario natural) Suma decimal: 376 +461 837 La operacin de suma decimal, requiere operar primero con el digito menos significativo: 6+1=7; luego los que estn en la 2 columna: 7+6=13 , debajo se coloca el 3 y el 1 se denomina acarreo y hay que sumarlo en la 3 columna : 3+4+1=8 Suma binaria: Es similar a la suma decimal; sin embargo solo se pueden dar cuatro condiciones: 0+0=0 1+0=1 1+1=10 =0 mas el acarreo 1 que tengo que sumarlo a la columna siguiente 1+1+1=11=1 mas el acarreo 1 que tengo que sumarlo a la columna siguiente Ejemplos de suma con nmeros binarios de un solo bits: 1 0 1 0 1 1 +0 +0 +1 +1 +1 0 1 1 10 11 011 (3) +110 (6) 1001(9) Resta binaria Es similar a la resta decimal; los nmeros se restan encolumnados. Cuando el numero del minuendo es menor al numero del sustraendo, en una determinada columna entonces se pide un 1 a la siguiente columna. 0-0 = 0 1-0 = 1 1-1 = 0 0-1 = 1 para este caso se pide un 1 a la siguiente o sea 10 -1=1 1001 (9) +1111 (15) 11000 (24) 11,011 (3,375) +10,110 (2,750) 110,001 (6,125)
0110 (6) --0011 (3) 0011 (3)
1010 (10) --0111 (7) 0011 (03) 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Multiplicacin manual de nmeros binarios Se realiza en forma similar al multiplicacin decimal, teniendo en cuenta las siguientes operaciones bsicas: 0x0 = 0 0x1 = 0 1x0 =0 1x1 =1 11011 x 101 11011 11011 10000111 (27) x (5)
(132)
La operacin de divisin manual tambin es similar a la de los nmeros decimales. En las operaciones electrnicas, las operaciones de resta, multiplicacin y divisin siempre, por razones practicas, se realizan sumando los nmeros binarios. Para interpretar esta afirmacin debemos primero desarrollar lo que se llama el complemento a la base o al modulo de un numero Complemento a la base o al modulo de un numero Se llama complemento de un nmero, a la diferencia entre la base y el nmero. Ejemplo: El complemento de 2 en base 10 es 8 3 9 es 6 1 2 es 1 1 1 es 0 El uso de los complementos se utiliza para expresar nmeros negativos y realizar las operaciones de resta, mediante operaciones de suma. Tomemos el siguiente ejemplo: Consideremos un cuentavueltas circular que puede girar hacia delante o hacia atrs, impreso con nmeros enteros del 000 al 999. Si estos nmeros se desarrollan en lnea recta, tendremos:
-4
-3
-2
-1
996 997 998 999 000 001 002 003 004 005 006 En este caso el 3 se representa con 003 y el 3 con el 997 Entonces decimos que el 997 es el complemento de 3 a la base de 1000. De esta manera una forma de representar a un nmero negativo, es tomar el complemento a la base de su magnitud. Con esto logramos convertir una resta de nmeros en una suma ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: 4 3 = 1 Vamos a realizar esta operacin por medio de una suma del complemento a la base de la magnitud del numero negativo que en este caso es el 3 4 + (complemento de 3 a la base 10) = 4 + 7 = 1 1 resultado de la resta: 1 Si no tengo en cuenta el nmero que representa las decenas o sea el 1, entonces el resultado por este mtodo coincide con el resultado de la resta tradicional Ejemplo: 256168 = 88 (mtodo con nmeros negativos) Resolveremos ahora este ejemplo, con la suma del complemento a la base de la magnitud del nmero negativo; el resultado de esta operacin de suma, ser el resultado de la resta, si desprecio el numero de mayor ponderacin. 256 + (1000168) = 256 + 832 = 1 088; resultado de la resta: 088 = 88 Como vemos reemplazamos el nmero negativo por el complemento a la base 1000 de su valor numrico 3 o sea el nmero 832. Resumiendo: una operacin de resta, se puede convertir en una operacin de suma, haciendo lasuma del minuendo mas (+) el complemento del sustraendo; al resultado se le desprecia el primer termino de la izquierda (numero con mayor valor ponderado). Para el caso de los nmeros binarios naturales, el complemento de un numero binario, se obtiene invirtiendo los unos por los cero y viceversa. Esta operacin se le denomina complemento a 1. Luego de obtenido, se le suma un 1, para obtener el complemento a 2. Este ltimo valor, es el que se va a utilizar para realizar la operacin de resta, por el mtodo de la suma de complemento. Ejemplo: Obtener el complemento a 1 y luego el complemento a 2 del siguiente numero binario: 0111 : numero binario 1000 : complemento a 1 del numero binario. 1000 +0001= 1001: complemento a 2 del nmero binario. Ejemplo: Resta de dos nmeros binarios naturales, sumando al minuendo el complemento del sustraendo (complemento a 2). A= 1100 (12) B= 0111 ( 7) AB = 1100 + (1000 +0001) = 1100 + 1001 = 10101; resultado: 0101 (5) Esta operacin se cumple para A B. La unidad aritmtica y lgica de un microprocesador realiza las operaciones de suma y resta, de la manera que la hemos desarrollado.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Suma de nmeros binarios con bit de signo , correspondientes a enteros positivos y negativos 1) Representacin y suma de enteros positivos Como ejemplo, tomaremos para representar como nmeros binarios, un formato de 8 bits. Los microprocesadores, pueden tomar formatos con cantidad de bits variable. El microprocesador 486 puede trabajar con formatos de 8, 16, y 32 bits, para operaciones no signadas y 8, 16, 32 y 64 bits, para operaciones con nmeros con bit de signo. En esta representacin, el bit de extrema izquierda, nos indica el signo (+ -). Si es un numero entero positivo, corresponder el bit 0. Los restantes bits, corresponden con la equivalencia de los nmeros naturales decimales con los de los nmeros binarios naturales. Ejemplo: + 76D 1001100B 01001100 Nmero nmero nmero binario Entero binario con bit de signo Positivo natural (el cero de la izquierda indica el signo+) Ejemplo: 76D 1001100B +16D 10000B 92D 1011100B 01001100 + 00010000 01011100
Si en la operacin de suma, el resultado excede el valor mayor que se puede representar con el formato dado (en nuestro caso con 8 bits es 255), la unidad aritmtica y lgica de un microprocesador, tiene circuitos lgicos, denominados indicadores de estado, que detectan esta situacin, denominada desborde (overflow). El programa de una computadora, que esta trabajando con esta unidad, atiende la indicacin de de desborde y mediante una bifurcacin (salto condicional) al programa principal (subprograma), atiende la situacin planteada. 2) Representacin de un numero entero negativo en el sistema con bit de signo La operacin para transformarlo, es la siguiente: -16D - (10000)B - (00010000)B Nmero nmero nmero binario Entero binario en formato de 8 bits Negativo natural 11110000 Representacin binaria Con bits de signo ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5 ( 1110111 +1) complemento a la base del nmero binario
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------(El uno de la izquierda indica el signo -) Luego con el nmero negativo transformado, si necesitamos restarlo a uno positivo (resta de nmeros enteros), hacemos simplemente una suma. Ejemplo: 76D + (-16)D 60 D 11110000 100111100 ( ) 01001100 (formato de 8 bits)
En el resultado de esta suma, aparece un noveno bit que no lo tenemos en cuenta. El octavo bit (0), que aparece en negrita, es un cero, lo que me indica que el resultado de la operacin es positivo y cuyo numero equivalente en decimal, corresponden al numero binario natural de los ltimos 7 bits de la derecha. Ejemplo: Suma de dos nmeros enteros (uno positivo y el otro negativo), siendo el minuendo menor que el sustraendo 76D 01001100 (bits de sino n positivo) + (-79)D -(01001111) (01001111 +1) 10110001 (bits de signo n negativo) -03D 11111101 El resultado de la operacin, tiene un 1 en el octavo bits (en negritas), por lo tanto esto nos esta indicando que el numero es negativo. Para poder hallar el equivalente en binario natural, hacemos su complemento a uno y Luego le sumamos 1 (complemento a dos) Resultado (-3)D 11111101 Complemento 00000010 + 00000001 Sumamos 1 00000011 representacin binaria natural del numero decimal 3 Un circuito de la unidad aritmtica y lgica, abreviadamente UAL, es el que se encarga de detectar el signo del resultado de la conversin y si resulta negativo (detecta un 1 en el octavo bits) se realiza la conversin al complemento a 2; por otra parte el programa en ejecucin se encarga de indicar el signo + -. La UAL de un computador, solo opera aritmticamente con nmeros binarios naturales. Los nmeros con cdigo con bit de signo, al igual a los nmeros con cdigo BCD, son sumados como naturales, siendo los nmeros negativos interpretados de otra forma. Son los programas de computacin los que se encargan de interpretar los resultados de una u de otra forma. Ejemplo: 11010101 + 11111000 = 111001101 (-43) + (-8) = -51 (representacin con bit de signo) 213 + 248 = 461 (suma de nmeros binarios naturales) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Un programa desarrollado para enteros, considerara el resultado como 11001101 y en el caso de tener que convertir este numero en decimal (para mostrarlo en pantalla o imprimirlo), al detectar que el numero empieza con el bit 1, generara el cdigo ASCII del signo menos; luego calculara la magnitud binaria natural del mismo, hallando el complemento al modulo (complemento a 2) y determinara que numero decimal es ,para luego generar el cdigo ASCII correspondiente a ese numero (-51). Si el programa hubiera sido para decimales, el resultado 111001101 lo interpretara como nmeros binarios naturales o sea 461 y lo codificara en ASCII para su correspondiente presentacin en pantalla o impresin. Las instrucciones para sumar y restar nmeros naturales o nmeros enteros, son las mismas. En el caso de definirse datos con nmeros reales (enteros + fraccionarios), existen instrucciones para operar en punto flotante. En este ultimo caso, interviene el coprocesador matemtico del computador. Nmeros binarios fraccionarios En el sistema decimal (base 10), un numero fraccionario, es menor a la unidad y se puede expresar como un cociente o mediante una coma: = 0,25. Para este caso particular el nmero que sigue a la coma, hacia la izquierda, representa la cantidad de decimos de la unidad. El siguiente numero, representa la cantidad de centsimos de la unidad y as sucesivamente. Para el caso del ejemplo tenemos: 0,25 = 2. 1/10 + 5.1/100 = 2. 10-1 + 5.10-2 Si tomamos ahora como ejemplo: 40/3 = 13,33. En este caso los nmeros a la derecha de la coma, representan las cantidad de unidades, donde el primer numero a la derecha de la coma, representa la cantidad de unidades y el siguiente, la cantidad de decenas. Los que estn a la izquierda de la coma, las fracciones de la unidad. Cualquier nmero, con parte fraccionara, puede ser representado por una serie de potencia en base 10 con exponente positivo para los enteros y exponente negativo para los fraccionarios 40/3 = 13,33 = 1.10+1 + 3.100 + 3.10-1 + 3.10-2 = 10 + 3 + 0,3 + 0,03 = 13,33 En el sistema binario natural, con base 2 o en otra, tambin podemos representar con una simbologa semejante, un nmero que sea menor a la unidad, o que presente una parte entera y otra que es una fraccin de la unidad. Si tenemos un nmero fraccionario binario y queremos determinar la correspondiente fraccin de los nmeros decimales, entonces debemos desarrollar la fraccin binaria como una serie de potencias negativas en base 2. Veamos un ejemplo: 0,1101 = 1. 2-1 + 1.2-2 + 0.2-3 + 1.2-4 = 1/2 + 1/4 + 0.1/8 + 1/16 =0,5 + 0,25 + 0 + 0,0625 0,1101 0,8125 El proceso inverso, o sea tenemos el nmero fraccionario en el sistema decimal, debemos obtener la correspondiente fraccin en el sistema binario natural, lo realizamos de la siguiente forma: 0,8125 x 2 = 1,625 0,625 x 2 = 1,25 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------0,25 x 2 = 0,5 0,5 x2= 1 0,8125 0,1101 Rango y resolucin en el sistema binario con nmeros reales En este sistema, cuando debemos operar con nmeros binarios que representen parte entera y fraccionaria, en un determinado formato, la coma, se deber ubicar fija, segn la conveniencia del calculo a realizar. Si en particular, la ubicamos en el extremo derecho de los bits del formato (8, 16,32, etc.), entonces se trata de un numero entero, sin parte fraccionaria. Por ejemplo si tratamos con un formato de 8 bits, estos enteros tendrn un rango de representacin que va desde 0 a 255, con una resolucin de una unidad entre una combinacin y la siguiente. Si ahora ubicamos la coma a la izquierda del bits mas significativo, todos los nmeros de dicho formato sern fracciones, con una resolucin de 2-8 = 1/ 256, pero el rango estar solo entre 0 y 1. Esto quiere decir que para un formato fijo, el aumentar el rango se pierde en resolucin y viceversa. Una representacin que permite amplio rango y alta resolucin es la denominada representacin en punto flotante. La potenciacin en cualquier base Cualquiera sea la base que consideremos , si tenemos p factores iguales de un numero n, se podr escribir n x n x n x .. n x n = np; segn sea la base, variara la representacin de n y p. Ejemplo: (1100 x 1100 x 1100)B = 110011B = 123D = C3H 10100B = 24D = (2 x 2 x2 x2)D = 16D = 10H = 24 (10 x10 x10 x 10)B = 10000B = 10100B 1000D = 103D = 101011B = (1010 x 1010 x 1010)B = 1111101000B 103D = A3H = (A x A x A)H = 3E8H 103H = (10 x 10 x 10)H = 1000H = 163D = 4096D 103H = 1000011B = (10000 x 10000 x 10000)B = 1000000000000B Cualquiera sea la base que estamos trabajando, la unidad seguida de p ceros, puede ser expresada como la base a la potencia p, donde la base se puede simbolizar con 10, en cualquier sistema numrico Ejemplo: 100000B = (10 x 10 x 10 x 10 x 10)B = 10101B Siendo 10B = 2D ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------100H = (10 x 10)H = 102H Siendo 10H = 16D Representacin en punto flotante de nmeros reales De la misma forma como se defini la representacin de nmeros enteros positivos y negativos, con el bit de signo, situado en el extremo izquierdo y utilizando el complemento a 2, la representacin en punto flotante (o coma flotante) me permite representar en forma binaria los nmeros reales (positivos, negativos, enteros y fraccionarios). Esta representacin, permite realizar operaciones (en los sistemas de cmputo binario) con magnitudes y resultados, dentro de un amplio rango de valores y con alta resolucin. Tiene aplicaciones desde las comerciales, tcnicas y cientficas. Adems como es obvio, puede trabajar con enteros. Se trata de una representacin de tipo exponencial, semejante a la notacin cientfica decimal: N = m x 10p En esta representacin, se hace que cualquier numero binario quede representado en la forma 1B m < 10B , donde m" es de la forma m= 1,f , siendo f la parte fraccionaria de m. Ejemplo: 5D = 101B = (1,01 x 100)B = (1,01 x 1010)B 20D = 10100B = (1,01 x 10000)B = (1,01 x 10100)B (-4101,25)D = (-1000000000101,01)B = (-1,00000000010101 x 1000000000000)B = (-1,00000000010101 x 101100)B Como se puede ver, en el ultimo ejemplo, hemos corrido la coma 12 lugares 12D=1100B, que es el valor que tiene el exponente. Su denominacin, se debe a que la posicin de la coma (o punto) se desplaza tantos lugares segn se exprese m", quedando este corrimiento expresado en el exponente p. Los circuitos electrnicos que operan en punto flotante (el coprocesador matemtico de las computadoras), determinan en forma automtica el lugar donde va la coma, en cada resultado, desentendindose de ello, el programador. Cuando un computador no posee coprocesador matemtico, cuando debe operar con nmeros reales, debe recurrir a la unidad aritmtica y lgica (UAL) y a un programa especfico que tenga en cuenta donde debe ubicarse la coma o punto. Este procedimiento da lugar a una muy baja velocidad de procesamiento de datos. Creacin del formato para la representacin estndar en punto flotante del IEE a) La representacin es de la forma N = m x 10p = 1,f x 10p ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b) En simple presicin, cualquier nmero requiere 32 bits 4 bytes c) Solo se representa la parte fraccionaria f de la mantisa m", utilizando los ltimos 23 bits, sobreentendindose que la parte entera es siempre 1 y que existe una coma antes de f (el coprocesador, cuando debe operar con este formato, lo incorpora). d) El signo de la mantisa ser un bit de signo (s) que vale cero si es positivo y uno si es negativo. Dicho bit se encuentra ubicado en el extremo izquierdo de la representacin (separado de la mantisa). e) Al exponente p, se le suma 127D (exceso o desplazamiento 127) resultando un numero e=p + 127, para el cual se reservan 8 bits a continuacin del bits de signo. Ejemplos:
S
10
5D = 1,01x10
+ 0
p+127 (8 bits) 2+127=129 10000001
f (23 bits) 01000000000000000000000
S 20D = 1,01x10100 + 0
p+127 (8 bits) 4+127=131 10000011
f (23 bits) 01000000000000000000000
S + 1
-4101,25D = -1,00000000010101x 101100
p+127 (8bits) 12+127=139 10001011
f (23 bits) 00000000010101000000000
f) El numero cero puede representarse con los 32 bits iguales a cero (+0) o con el bit de signo de valor 1 (-0) y los 31 restantes iguales a cero. g) Existe una convencin para representar el + y el -: Con 11111111 y f=0 se representa el infinito (+ o segn el signo) Con 11111111 y f0 se usa para indicar operaciones no validas como 0x Con 00000000 y f0 el nmero esta desnormalizado: tiene magnitud menor que el valor mnimo que se representa en el formato normalizado. Representacin en punto flotante de doble presicin En esta representacin, se utilizan 64 bits: 11 para el exponente excedido en 1023D , 52 bits para la presicin de la parte fraccionaria f de la mantisa , y uno (1) para el signo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Codificacin y suma en BCD natural Hemos visto que para pasar del sistema decimal al sistema binario, debemos realizar una serie de pasos como la de dividir sucesivamente por dos. En el cdigo BCD (decimal codificado en binario), se pasa directamente, sin calculo, nmeros decimales en combinaciones binarias, segn determinadas convenciones, donde cada digito decimal le corresponden cuatro bits. El cdigo natural o BCD 8421, le atribuye a los smbolos decimales la misma combinacin que el sistema binario natural. Por ejemplo, si tenemos un nmero cualquiera en base 10, para convertirlo a BCD natural, debemos reemplazar cada digito decimal por la correspondiente combinacin de cuatro bits.
(decimal)
0010 0100 0110 (BCD natural) Para realizar el proceso inverso, debemos agrupar de a cuatro bits y asignarle a cada grupo el correspondiente digito decimal del sistema binario natural:
0101 0011 0100 0010 (BCD natural)
2 (decimal)
La desventaja del cdigo BCD, es que 1 byte solo representa nmeros del 00 al 99, respecto al binario natural donde 1byte puede representar nmeros del 0 al 255. El formato BCD tiene la ventaja de que las sumas y restas son mas rpidas y adems los circuitos para su representacin visual, mas sencillos (representacin con 7 segmentos.) Suma de nmeros en BCD natural El mtodo consiste en sumar los cuartetos que lo constituyen, como si fueran nmeros naturales y luego sumar 6 0110B, si la suma parcial de dos cuartetos supera el 9 1001B. El desborde 1, se lo debe sumar a la columna inmediata superior Ejemplo: 1 1 1 37853 0011 0111 1000 0101 0011 + 12776 0001 0010 0111 0111 0110 ---------- ---------------------------------------------------50629 0101 1010 10000 1100 1001 0110 0110 0110 --------- ------- -------1 0000 1 0110 1 0010 5 0 6 2 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Sumador binario Las computadoras realizan como los calculadores de mano, realizan como funcin esencial, operaciones aritmticas. En las computadoras, estas operaciones se realizan en un modulo denominado Unidad aritmtica y lgica (UAL). Este modulo consta bsicamente de dos registros (memorias reducidas) que guardan transitoriamente los operandos, provenientes por lo gral de la memoria principal o de la unidad de control (UC). Un circuito lgico se encarga de realizar la suma de ambos operandos, ordenados mediante instrucciones que operan la unidad de control.
Registro acumulador Memoria principal
Circuitos logicos de suma
Unidad de control
instrucciones
Registro auxiliar
ALU En la unidad aritmtica y lgica, mediante instrucciones, se pueden realizar cualquier tipo de operaciones (suma, resta, multiplicacin, divisin, etc.), mediante operaciones de suma de nmeros naturales en forma binaria. Los resultados son interpretados por los programas de aplicacin. Tambin en esta unidad se realizan operaciones binarias lgicas y de comparacin. Circuitos lgicos de suma a) Semisumador binario (HA: Hall adder) Smbolo A B
HA
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tabla de la verdad: A B suma S C 0 0 00 0 0 0 1 01 1 0 1 0 01 1 0 1 1 10 0 1 La salida S, nos da la suma de A y B siempre que pueda ser representada por un solo digito. Si la suma contiene mas de un digito, S representa el digito de la suma correspondiente al mismo lugar significativo de los sumandos. Cuando sumamos en el sistema decimal 1+1 = 2, se traduce en el sistema binario como 01+01 = 10. Por lo tanto S representa la ultima cifra (menos significativa), o sea S=0. El 1, deber ser tenido en cuenta en la cifra significativa inmediata superior, que en este caso es la columna de arrastre C (C=1). b) Sumador completo Con el semisumador podemos sumar dos nmeros binarios que se representan con un solo bit. Cuando tenemos que sumar dos nmeros binarios de n bits, debemos sumar el arrastre (o acarreo) de la suma de la columna inmediata inferior (o menos significativa). Necesitamos entonces un circuito con tres entradas y dos salidas. Lo podemos realizar de la siguiente forma:
An
Bn
Cn-1
HA
Cn HA
An Bn Cn-1
Sn
simbolo
SC
Cn
Sn
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Veamos como podramos realizar un circuito lgico que sume en forma binaria operandos representados por 3 bits.
A0 B0 A1 B1 A2 B2
HA
HA HA
C0
HA
C1 C2
HA HA
S0 S1 S2
Sumador completo para nmeros binarios de cuatro bits: A3 B3 A2 B2 A1 B1 A0 B0
SC
SC
SC
SC
C3
S3
C2
S2
C1
S1
C0
S0
Circuito sumador completo obtenido por tabla de la verdad y luego simplificado Como el sumador es un circuito combinacional, podemos obtener su tabla de la verdad, para luego encontrar sus funciones simplificadas del acarreo C y la suma S resultando: C = B.C-1 + A. C-1 + A.B _ _ _ _ _ S = A. ( B. C-1 + B. C-1) + A. ( B. C-1 + B. C-1) La expresin de S se puede transformar llegando a una expresin en trminos de la funcin lgica OR-Exclusivo S = A + [B + C-1] ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
El circuito final nos queda:
El smbolo del sumador total de dos bits y cuatro bits (segn IEEE/ANSI), es el siguiente:
Sumador 2 bits A
entradas
Sumador 4 bits
C1
Suma Entrada A
0 3
0 Salidas 3
B
Acarreo entrada Acarreo salida
0
Entrada B
3
Acarreo entrada Acarreo salida
C1
Existen varios sumadores paralelos disponibles en escala media de integracin (MSI). Uno de los ms conocidos es el sumador paralelo de 4 bits como el CI7483A, CI74LS83A, CI 74283 y el 74LS283, todos en la familia TTL. En la familia CMOS de alta velocidad, tenemos la versin 74HC283.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Elemento real / complemento, cero /uno Este circuito permite seleccionar el bit A, su complemento o la salida puede ser uno (1) o cero (0).
Entradas de salida control L M Y 0 0 A 0 1 A 1 1 0 1 1 0
Para el caso de operando de mas bit, por ejemplo 4 bits, necesitamos cuatro circuitos idnticos (en MSI, se encapsulan en cantidades de 4) Este bloque, junto a un circuito sumador, me permite realizar sumas y restas, utilizando el complemento a 2 (bit de signo) por ejemplo, con el sistema siguiente: B3 B2 B1 B0 A3 A2 A1 A0 TI74H87 Y3 Y2 Y1Y0 Unidad real/complemento M L M
Sumador 4 bits C3 S3 S2 S1 C-1 S0
C3 M
__ M
(EAC) Arrastre de retorno
En este circuito, si hacemos M=1, a la salida de la unidad real/complemento tenemos el operando A sin complementar; el sistema realiza la suma de los operandos B y A, obteniendo el resultado en la salida S. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Si hacemos M = 0 entonces a la salida de la unidad real /complemento el complemento a uno de A o sea A, el resultado de esta operacin hace que aparezca un acarreo en la salida del sumador, que se aprovecha para introducirlo (a travs del circuito lgico) en el acarreo de entrada, (complemento a2), completndose la operacin de resta. Este sistema solamente realiza operaciones de resta siempre y cuando B>A, caso contrario no se produce acarreo en la salida del sumador y no podemos realimentarlo en la entrada. Para esos casos es necesario modificar el circuito, (por ejemplo realimentar tambin por S3. Cuando se da la situacin de B< A y podemos realimentar con un uno (1) la entrada C-1 el resultado de esta resta resulta negativo y lo obtenemos haciendo el complemento a 2 de la salida S. Principios del sumador restador de una UAL con indicadores de estado S Z V C B3 A3 M
M=1 resta M=0 suma
B2 A2
B1 A1
B0 A0
__ A3/ A3 C
__ A2/ A2
__ A1/ A1
__ A0/ A0 C-1
SC
SC
SC
SC
C3
C2
C1
C0
S3
S2
S1
S0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito anterior acta como sumador- restador de cuatro bits , con indicadores de estado C V S Z , necesarios para los programas de las computadoras. Estos indicadores se denominan tambin banderas o flags. Se utilizan, en las denominadas instrucciones de salto condicionado; reflejan, el estado del resultado de la operacin que se ha llevado a cabo en el sumador-restador. Cuando operamos con nmeros naturales, como vimos, la resta la obtenemos sumando el complemento a 2 del substraendo. Para este circuito, debemos hacer M=1 y a la salida de las compuertas X-OR, obtenemos el complemento a uno (1) del operando A, o sea A. Si en la operacin, sumamos el acarreo del bloque sumador menos significativo, C-1(cuando M=1), obtenemos el complemento a 2 y el resultado ser la resta : B(B3 B2 B1 B0) -- A(A3 A2 A1 A0) = S(S3 S2 S1 S0) Cuando lo usamos como sumador, hacemos M=0 Para el caso de nmeros enteros con bits de signo, el circuito los trata como nmeros naturales. Sern los programas, a travs de los indicadores S Z V C, que interpretaran los resultados. La UAL de un computador no sabe si el programa en ejecucin es para nmeros enteros o naturales, y tanto la suma o la resta para ambos tipos de nmeros los realiza de igual forma. Luego de cada operacin que se efecta, la UAL genera los indicadores S Z V C y sern las instrucciones de salto condicionada , de los programas que se estn ejecutando , que preguntaran por el valor (0 o 1) de S V Z si es para enteros y C Z si es para naturales. Los indicadores de estado S Z V C Como dijimos, en los microprocesadores de las computadoras o en los microcontroladores, cada vez que se realizan operaciones aritmticas y lgicas en la UAL, el circuito sumador genera, entre otros, 4 bits indicadores (flags) principales, relacionados con el resultado obtenido, y denominados con las iniciales inglesas SZVC. Estos bits, forman parte del denominado registro de estado.Ellos pueden indicar, por ejemplo si un resultado alcanzado fue cero o no, si fue positivo o negativo, si entro o no en el formato de operacin (8, 16 , 32, 64 bits) y otras caractersticas. Describiremos a cada uno de estos indicadores. Indicador S de signo: Este indicador interesa solamente cuando para operaciones con nmeros enteros (con bit de signo. El indicador de signo S, corresponde al ultimo bit del extremo izquierdo, sin considerar el ultimo acarreo, o sea en el caso de nuestro sumador de cuatro bits corresponde S = S3. Cuando S=0 el resultado de la operacin es positivo (+). Si resulta de valor 1, el resultado es negativo y su valor numrico se obtiene haciendo el complemento a 2 de S. Indicador Z de resultado cero: Ser Z=1 si el resultado de una operacin es igual a cero; caso contrario Z=0 o sea el resultado no es igual a cero. Para lograr este indicador, lo hacemos con una compuerta NOR donde las entradas son los valores e las salidas del sumador ____________ Z = S3 +S2 +S1 +S0 ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Indicador V de overflow: Este indicador se utiliza en las operaciones con enteros o sea con bit de signo cuando los sumandos son de igual signo y el resultado (el bit de signo) resulta opuesto; en este caso, nos indica que el resultado excede el mayor valor positivo o negativo que se puede representar en el formato dado. Ejemplo. 0 110 (6D) + 0 100 (4D) -----------01010 1010 (-6D) + 1100 (-4D) ---------10110
Lo podemos obtener si hacemos la operacin X-OR con los dos ltimos acarreos o sea V = C3+ C2 (operacin x-or) Indicador C de acarreo: Ser C=1 si el resultado de una suma aparece un uno fuera del formato o sea existe acarreo (carry) hacia la posicin n+1. De no ser as, C=0. Como al realizar la resta sea en naturales o enteros aparece un 1 en C, entonces es necesario invertir este valor cuando se esta restando. En nuestro circuito sumador el valor de C lo obtenemos del acarreo del ltimo sumando de la izquierda. Para tener en cuenta la inversin en la operacin de resta, agregamos el segundo circuito X-OR con entradas C y : _ Si M=1 (resta) C = C Si M=0 (suma) C = C En lenguaje ensamblador, estos indicadores (ubicados en el registro de estado de las computadoras) tienen la siguiente denominacin: S=1 (signo negativo) NG S=0 (signo positivo) PL Z=1 (resultado cero) ZR Z=0 (resultado no cero) NZ V=1 (existe desborde) OV V=0 (no existe desborde) NV C=1 (existe acarreo) CY C=0 (no existe acarreo) NC Para los microcontroladores de Microchip 16X84, en el registro de estado, tienen los sealizadores: C: sealizador de acarreo en el octavo bit C=1 acarreo en la suma y no en la resta C=0 acarreo en la resta y no en la suma ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------DC: Sealizador de acarreo en el cuarto bit (operaciones en BCD) DC=1 acarreo en la suma y no en la resta DC=0 acarreo en la resta y no en la suma Z: Sealizador de cero Z=1 el resultado de una operacin fue cero Z=0 el resultado de una operacin no fue cero. Sumador serie El sumador anterior se denomina sumador paralelo con acarreo en serie. Todos los bits de los operandos se procesan simultneamente, menos el acarreo de cada columna que sigue una trayectoria serie. En la sumadora serie, las entradas A y B, consisten en una serie de trenes de impulsos de voltaje sincronizados en dos lneas del calculador. La salida de este sumador tambin ser un tren de pulsos sincronizados que representara el resultado de la operacin. Para implementar este sumador, necesitamos un sumador completo de 1 bit ms una unidad de retardo: 1 0 1 1 0 A 1 B 0 Suma 1 resta 00010 (2D) t
TD
01101 (13D) 1 0 1 0 01011 (11D) 0 0 1 1 11000 (24D)
An Bn Cn-1
SC
Cn
Sn
El procedimiento de suma en serie es el siguiente: El 1 bit que aparece es el menos significativo tanto en A como en B (el sistema trabaja sincronizado con un oscilador patrn). Si aparece un resto se lo retarda un tiempo T (periodo de sincronismo) para luego sumrselo cuando aparezcan los bits ms significativos de los operandos. Finalmente en Sn aparece un tren de pulsos que representa la suma de loas operandos A y B. TD (retraso de un periodo) es un flip flop tipo D. Los operandos A y B as como el resultado Sn, pueden ser guardados en un registro de inscripcin o de desplazamiento. La desventaja de este sumador es que resulta mas lento que el sumador paralelo en una cantidad de tiempo proporcional a la cantidad de bits que posean los operandos. Problema Utilizando un programa de simulacin de PC, simular un sumador- restador de 4 bits con los indicadores de estado SZVC. Simular diferentes operaciones. ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DECODIFICADORES Los decodificadores son circuitos lgicos donde una sola combinacin de las entradas binarias activa a una sola de las salidas. Si N representa el nmero de entradas, la cantidad de salidas que puede seleccionarse ser: M = 2N; si N=3 entonces M = 23 = 8 salidas No obstante se construyen decodificadores que presentan menos salidas de las que se podran obtenerse en funcin a la cantidad de entradas. Por ejemplo el decodificador BCD / Decimal que tiene cuatro entradas y diez salidas. En los decodificadores prcticos presentan tambin una entrada de habilitacin que autoriza el proceso segn su valor sea 0 o 1. A0 A1 A2 AN-1
2 cdigos de entrada
N
N Entradas
Decodificador
Q0 Q1 Q2 QM-1
M Salidas
Solo una salida Cambia de estado
E (habilitacin)
Q0 = C.B.A Q1 = C.B.A Q2 = C.B.A Q3 = C.B.A
Q4 = C.B.A Q5 = C.B.A Q6 = C.B.A Q7 = C.B.A
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tabla de la verdad del decodificador del circuito presentado C B A Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1
En el circuito anterior, se habilita con E = 1 . Las salidas seleccionadas (activas) presentan un nivel alto (1), mientras que el resto permanece en estado bajo (0). Tenemos decodificadores donde el nivel bajo se presenta con nivel bajo. Para esto es necesario reemplazar las compuertas AND por NAND como el siguiente circuito:
E1 0 1 X X
E2 0 X 1 X
E3 Salidas 1 Responde al cdigo de entrada A2 A1 A0 X Deshabilita , todos ALTOS X 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Las entradas de habilitacin del decodificador 74LS138, estn dadas con E1 E2 E3. Esto es as para poder armar un banco de decodificadores de mayor numero de entradas y lgicamente de salidas. E1 E2 E3 A2 A1 A0
74LS138 Decodificador 1 de 8
__ __ __ __ __ __ __ __ Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0 El 74LS138 es un decodificador de tres entradas y ocho salidas. Es de tecnologa TTL con diodos Schottky, para alta velocidad y bajo consumo. La versin CMOS de alta velocidad es el 74HC138. Acoplando dos decodificadores, podemos seleccionar 16 salidas como se muestra en la figura:
A0 A1 A2 A3
E1 E2 E3 A2 A1 A0 A2 A1 A0
E1 E2 E3
74LS138 Decadificador 1 de 8
74LS138 Decadificador 1 de 8
__ __ __ __ __ __ __ __ Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0
__ __ __ __ __ __ __ __ Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0
Seleccin con A3=1
Seleccin con A3=0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Decodificadores de BCD a decimal: Tienen cuatro entradas y utilizan las primeras 10 combinaciones del sistema binario natural para seleccionar una de las diez salidas posibles. Para el CI 7442, la salida es activa en nivel bajo; el resto permanece en estado alto. Tabla de verdad D C B A D 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 C 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 A 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 salida Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 Q8 Q9 NO NO NO NO NO NO
Decodificador 1 a 10 7442
Q9 Q8 Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0
El 7442 es un decodificador (en MSI) TTL estndar; su equivalente en TTL de bajo consumo y alta velocidad es el 74LS42. En la familia CMOS tenemos el equivalente 74HC42. Estos decodificadores no tienen entradas de habilitacin, pero es posible convertirlo de 3 a 8 , utilizando como habilitacin la entrada D. Decodificadores / manejador de BCD a decimal Estos decodificadores tienen salidas a colector abierto y pueden trabajar con niveles de corrientes y tensiones superiores a los anteriores. Ejemplo de este tipo de decodificador es el 7445 que puede consumir hasta 80 ma en el estado bajo y ser llevado hasta 30 volt las salidas en el estado alto. Estas caractersticas lo hacen adecuado para manejar cargas directas como ser diodos LEDS lmparas, relevadores motores, etc. Los decodificadores trabajan en combinacin con registros y contadores. Se utilizan ampliamente en los sistemas de memoria de los computadores; las direcciones para localizar un dato o una instruccin, son las entradas del decodificador de direcciones de la memoria, que le permite localizar un Byte dentro de la memoria. Veamos una aplicacin de un decodificador trabajando en conjunto con un contador por 16 para generar una temporizacin y una secuencia de operacin, mediante la excitacin de dos reles. El contador, es un circuito secuencial por el que ingresan pulsos que son contados en forma binaria y su valor se presenta en las salidas Qo Q1 Q2 Q3 (contador hasta 16; en el pulso n 16, el contador vuelve a cero) ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------+vcc
1pps
CTR div16
Cp1
Q9 Q3 Q2 Q1 Q0
Cp0
74LS293 MR1 MR2
Decodificador/ manejador 7445 de BCD a decimal
+vcc
Q0 En el cuarto impulso de entrada se excita el primer rel hasta que llega el quinto impulso que lo desexcita. En el noveno impulso se excita el segundo rel hasta el dcimo pulso que lo desexcita. Contados 16 pulsos la operacin se repite. Decodificadores / manejadores de BCD a 7 segmentos Se los suele llamar tambin excitadores BCD a 7 segmentos o convertidores de cdigos BCD a 7 segmentos. Estos , se utilizan para excitar indicadores de informacin que permita ser interpretada por el operador de los equipos electrnicos.. Esta informacin, se presenta como nmeros o alfanumrica. El mtodo normal, es usar una configuracin de 7 segmentos emisores o reflectores de luz. Como emisores de luz, se utilizan diodos LEDS, encapsulados en un solo bloque. Como reflectores de luz se utilizan exhibidores o pantallas con cristal liquido, denominadas LCD. Emisores de luz de 7 segmentos: Se presentan como 7 diodos Leds conectados en ctodo comn o nodo comn. Se necesita aproximadamente unos 10 ma para excitar cada uno de estos diodos, con una caida de tension directa de unos 2,7 volt. A la salida del circuito excitador, se deber por lo tanto agregar una resistencia elctrica, cuyo valor se calcula como: R = (Vcc+2,7) / 10 mA 220
Emisor de Luz 7 Segmentos Ctodo comn
Emisor de Luz 7 Segmentos nodo comn
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Con estos dispositivos, y un decodificador BCD / 7segmentos es posible representar los nmeros 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 y las letras A B C D E F
D C B A
Decodificador/ Manejador de BCD a 7 segmentos
(7446 0 7447)
Conexin del emisor de luz 7 segmentos en nodo comn
Exhibidores con cristal liquido (LCD) Son dispositivos de reducido consumo de energa. Estn basados en la anisotropa de las caractersticas pticas de ciertos componentes orgnicos. La forma lineal de estas molculas y sus propiedades polares, hacen que en fase liquida presenten estructura cristalina. La anisotropa elctrica de las molculas hace que pueda alterarse su ordenacin al aplicar un campo elctrico. Para la realizacin de indicadores numricos mediante cristales lquidos, se disponen de dos placas de vidrios que contienen los electrodos transparentes, generalmente formados por capas de oxido de Indio y Estao y situados a una distancia comprendida entre 10 y 25 m, que encierran al componente orgnico. Los paneles actan por reflexin de una superficie metalizada posterior o por transmisin de una fuente luminosa colocada posteriormente. La activacin de los distintos electrodos produce zonas transparentes y opacas que producen las distintas estructuras numricas. El consumo de energa requerido es menor a 0,1 mw/cm2 pero presenta el inconveniente de no poseer luz propia; necesita luz ambiente o luz de una fuente externa. Existen dos mtodos para efectuar el cambio de transparente a opaco: por reflejo dinmico y por efecto de campo. Los cristales lquidos por reflejo dinmico se basan en la interaccin de las cargas libres producidas por la adicin de determinadas proporciones de elementos dopantes a ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------un cristal lquido en fase temtica. En ausencia de tensiones de polarizacion, el lquido presenta una estructura ordenada y es transparente. Si se aplica un voltaje alterno (entre 25 y 60 Hz) entre los electrodos, se produce un desplazamiento de cargas libres originadas por la presencia del dopante. El movimiento de las cargas produce un desorden de la estructura cristalina, produciendo una deflexin difusa de la luz. Excitacin del LCD: Como debemos aplicar tension alterna entre el segmento y el plano posterior, una forma de realizarlo es aplicando una seal de onda cuadrada en defasaje 180, al plano posterior y al segmento. Esto lo podemos hacer, utilizando una compuerta or-exclusivo como muestra el siguiente circuito: 74HC86 (CMOS) Control Seal 40Hz Segmento
Plano posterior Cuando la entrada de control vale uno (1) y la seal uno (1), aplicamos un uno (1) al plano posterior y un cero (cero volt) al segmento. Cuando la seal vale cero, la tension del plano posterior vale cero y la del segmento vale uno (+VCC); de esta manera al segmento se le aplica tension alterna. Si la seal de control vale cero, la salida de la XOR esta en fase con la seal alterna que en este caso es de 40 Hz y la tension entre el segmento y el plano posterior es cero. Circuito excitador de un display 7 segmentos
D C B A
Decodificador manejador BCD/7 segmentos
LCD
40 Hz
Plano Posterior
El circuito anterior muestra un decodificador manejador a 7 segmentos 4511(CMOS); este CI tiene salidas activas en alto y proporciona las seales de control a los segmentos. ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El 74HC86 (C MOS) acepta el cdigo de entrada de BCD y produce las salidas para la excitacin directa de los segmentos del LCD. Los cristales lquidos de efecto de campo tienen la ventaja de operar con corriente continua y poseen una vida mas larga. Se basan en la propiedad que presentan las estructuras nemticas de los cristales lquidos de producir un giro de un plano polar, al aplicar un campo elctrico ya que se produce un alineamiento de las molculas perpendicular al campo aplicado. Si los cristales que contienen el cristal liquido son polarizados y estn situados a 90 , en ausencia de tension no se producir el paso de la luz mientras que al aplicar un campo elctrico, se producir una rotacin ptica que permite el paso de la luz polarizada. En estos indicadores, el tiempo de respuesta es lento. Smbolos IEEE/ANSI para varios decodificadores 7442/LS42/HC42 BCD/DEC Denota un buffer manejador 7445 BCD/DEC 0 1 2 A0 A1 A2 A3 Denota colector abierto 1 2 4 8 3 4 5 6 7 8 9
0 1 2
A0 A1 A2 A3
1 2 4 8
3 4 5 6 7 8 9
A0 A1 A2 E1 E2 E3
1 2 4
BCD/DEC 0 1 2 3 4 5 6 7 74LS138/HC138
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------DECODIFICADOR CON CONTACTOS A RELS El siguiente circuito, es una parte de un decodificador realizado con contactos de rels auxiliares, que se utilizo para comandar a distancia a travs de cables de comunicacin, interruptores de energa elctrica, para el comando de apertura y cierre. Para el comando, desde un extremo del cable, se utiliz un codificador realizado con una matriz de diodos. Para el ejemplo, con cuatro lneas (mas una lnea comn de masa), se pueden seleccionar hasta 15 interruptores. Con el agregado de una lnea ms, se determina la apertura o el cierre del interruptor seleccionado. El dibujo solamente muestra la conexin de contactos, para seleccionar cuatro interruptores, con los cdigos (0001), (0010), (0011) y (0100).
A0 A1 A2 A3 +Vcc _ A1 A1 _ A1 A1 _ A1 A1 _ A1 A1 _ A0 A0 +Vcc _ A0 A0 _ A0 A0 _ A0 A0
_ A2 A2
_ A2 A2
_ A2 A2
_ A2 A2
+Vcc _ A3 A3 _ A3 A3 _ A3 A3 _ A3 A3
I4(0100) I3(0011) I2(0010) I1(0001) N
Cierre interruptor 1 (A4= 1) Apertura interruptor 1 (A4= 0)
A4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS CODIFICADORES Los codificadores son subsistemas combinacionales (se disponen en MSI) encargados de codificar una serie de seales lgicas binarias de entrada (sin codificar), en un conjunto de seales de salida (binarias) que responde a un cdigo determinado. Un codificador, tiene varias seales de entrada y cuando solamente se activa una de ellas, un cdigo de N seales binarias aparece en los terminales de salida. El valor de la salida, depender de cual de la seales de entrada se activo y del cdigo que se diseo el circuito. A0 A1 A2 Codificador
M entradas Solo se activa una a la vez
Q0 Q1 Q2
Cdigo de N salidas simultaneas
AM-1
QN-1
Codificador decimal a BCD con matriz de diodos
Este codificador es el mas sencillo y uno de los primeros en su implementacin. En el dibujo, solamente esta realizado para presentar el cdigo BCD para las entradas 1, 3 , 7 y 9. Por ejemplo si cerramos el contacto n 7 se cierran los circuitos elctricos a travs de los diodos, apareciendo un voltaje en las salidas Q0 Q1 y Q2; Q3= 0. Si pulsamos dos teclas a la vez dar un error. Se dice entonces que es un codificador sin prioridad. ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Codificador de octal a decimal
Este codificador es de ocho entradas y tres salidas. Tambin es sin prioridad y la activacin es con niveles bajos y se debe activar solo una de las entradas a la vez. La tabla de la verdad de este codificador, es la siguiente A0 X X X X X X X X A6 1 1 1 1 1 1 0 1 A7 1 1 1 1 1 1 1 0 Salidas Q2 Q1 Q0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1
A1 1 0 1 1 1 1 1 1
A2 1 1 0 1 1 1 1 1
Entradas A3 A4 A5 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1
Por ejemplo si A4 = 0 entonces Q0=0
Q1=0
Q2=1
si A2 = 0 entonces Q0=0 Q1=1 Q2=0 Si pulsamos ambas teclas tendremos: entonces Q0=0 Q1=1 Q2=1 A4 = 0 A2= 0 ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vemos que no corresponde el cdigo de ninguna de las dos entradas. Codificador de prioridad de decimal a BCD
MSB A1 A2 Nueve entradas A8 A9 74147 Codificador de prioridad de decimal A binario Q3 Q2 Q1 Q0 BCD invertido
A1 1 X X X X X X X X 0
A2 1 X X X X X X X 0 1
A3 1 X X X X X X 0 1 1
A4 1 X X X X X 0 1 1 1
A5 1 X X X X 0 1 1 1 1
A6 1 X X X 0 1 1 1 1 1
A7 1 X X 0 1 1 1 1 1 1
A8 1 X 0 1 1 1 1 1 1 1
A9 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1
Q3 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1
Q2 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1
Q1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1
Q0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
X= significa que puede ser 1 o 0 74147: codificador de prioridad decimal a BCD TTL Standard 74LS147: TTL alta velocidad y bajo consumo 74HC147: codificador decimal a BCD en tecnologa CMOS El circuito tiene nueve lneas activas en nivel bajo que representan los dgitos 1 al 9 y produce como salida el cdigo BCD negado correspondiente a la entrada activa que tiene el mayor numero. Esto quiere decir que si se activan a nivel bajo dos entradas simultneas, solamente se presentara o tendr prioridad la que presente el cdigo ms alto. Ejemplo: si A3 = 0 y A4 =0 resulta Q0 = 1 Q1 =1 Q2 =0 Q3=1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicacin del codificador de prioridad decimal/BCD
+5 V
1K
Resistencia activa en nivel alto. Todas las entradas tienen esta resistencia Salida normal Q3 Q3 Q2 Q1 Q0
A9 A8 A7
Codificador A6 de prioridad Q2 A5 decimal a BCD Q1 A4 74147 A3 A2 A1 Q0
El circuito muestra como se utiliza el 74147 cuando se lo activa por medio de interruptores (teclado). Si no se cierra ningn interruptor, todas las entradas estn en nivel alto a travs de +Vcc y las resistencias de 1 K. Si pulsamos un interruptor, por ejemplo al correspondiente a la entrada A5, esta pasa a nivel bajo y por lo tanto las salidas pasan a Q0 = 0 Q1 =1 Q2 =0 Q3=1 Smbolo IEE/ANSI 74147/LS147/HC147 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 1 HPRI/BCD 1 2 3 2 4 5 6 7 8 9 2 8
Q0 Q1 Q2 Q3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------MULTIPLEXORES DIGITALES (selector de datos) Un multiplexor o selector de datos, es un circuito lgico que presenta varias entradas de datos digitales y solo permite alcanzar la salida a uno solo de ellos. La direccin deseada de los datos hacia la salida, es controlada por las entradas de seleccin (llamadas tambin entradas de direccin), que resulta un cdigo binario. I0 I1 Entrada de datos Salida Z MUX
IN-1
Cdigo de entrada de seleccin que determina que entrada se transmite a la salida Z
El multiplexor acta como un interruptor de posiciones mltiples controlado digitalmente a travs de las entradas de seleccin (direccin. Un multiplexor selecciona una entre N fuentes de datos de entrada y transmite los datos seleccionados a un solo canal de salida. Este proceso se llama multiplexaje. Multiplexor de dos entradas
I1 Entrada de datos Z= I0. S + I1. S I0
S 0 1
salida Z= I0 Z= I1
S Entrada de seleccin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este circuito, vemos que desarrollando su funcin lgica resulta: Z= I0. S + I1. S Si S= 0 entonces Z= I0 Si S= 1 Z= I1 Por ejemplo, si por I0 ingresa una frecuencia digital f0 y por I1 una frecuencia digital f1, por medio de la entrada de seleccin, podemos seleccionar a f0 o a f1. Multiplexor de cuatro entradas I0 I1 I2 I3 Z S1 0 0 1 1 S0 0 1 0 1 salida Z= I0 Z= I1 Z= I2 Z= I3
Problema: Determinar la funcin lgica combinacional del multiplexor de cuatro entradas Multiplexor de ocho entradas (74151- 74LS151- 74HC151)
I0 S2 S1 S0 E
I1
I2
I3
I4
I5
I6
I7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Entradas E H L L L L L L L L S2 X L L L L H H H H S1 X L L H H L L H H S0 X L H L H L H L H Salidas Z H I0 I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 Z L I0 I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 I0 I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7
S2 S1 S0 E
MUX de 8 entradas 74151
L0
H1
Ampliacin del multiplexor de 8 a 16 entradas
I7 Datos de entrada S3 S2 S1 S0
. . .
1 74151 MUX Z
I0 E S2 S1 S0
I7 Datos de entrada
. . .
2 74151 MUX Z
I0 E S2 S1 S0
En la tabla de la verdad de este multiplexor vemos que E es la seleccin del chips dado que para E= H(1), las salidas Z=H y Z=L(0) permanecen inalterables para cualquier valor de los datos de entrada (I0.. I7). En este caso, las entradas son S0, S1, S2 y S3 Cuando S3=L(0) se selecciona el MUX n1 y para S3=H(1) se selecciona el MUX n2 (a travs de un inversor). ___________________________________________________________________ 36 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Multiplexor cudruple de dos entradas (74157-74LS157-74HC157) 74157 S I1a I0a I1b I0b I1c I0c I1d I0d
Za
Zb
Zc
Zd
E H L L
S X L H
Za L I0a I1a
Zb L I0b I1b
Zc L I0c I1c
Zd L I0d I1d E
I1a I1b I1c I1d
I0a I0b I0c I0d
74157 E S I1a I0a I1b I0b I1c I0c I1d I0d EN G1 1 1 MUX
74157 MUX
Za Za Zb Zc Zd
Zb
Zc
Zd
Este multiplexor selecciona un grupo de cuatro entradas a la vez para presentarlas en la salida, de acuerdo con la tabla de la verdad Smbolo IEE/ANSI
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicaciones de los multiplexores a) Generacin de funciones lgicas +Vcc 1K C 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 A 0 1 0 1 0 1 0 1 Z 0 1 1 0 0 0 0 1
E A B C
I0 I1 S0 S1 S2
I2 I3 I4 I5 I6 74HC151 MUX
I7
Variables logicas de entrada
Z=A.B.C+A.B.C+A.B.C.
El presente circuito es un ejemplo que permite generar la funcin lgica de tres variables (a travs de las entradas de seleccin), segn la tabla de la verdad. Vemos que para la combinacin de valores binarios de A,B,C estamos seleccionando a las entradas I0 .I7 ; por lo tanto si a estas entradas le damos el correspondiente valor de Z de la tabla, estamos generando la funcin lgica correspondiente. Por ejemplo para A=1, B=1, C=1 deber ser Z=1; como con esta combinacin, estamos seleccionando a I7 entonces lo hacemos igual a uno, conectndolo a +Vcc. As se resuelve para los otros trminos de la funcin lgica. b) Conversin paralelo a a serie
X0 X1 X2 X3 X4 X5 X6 X7
I0 I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7
MUX 8 entradas 74HC151
Registro de almacenamiento C J reloj K
S2
S1
S0
B J reloj K
Entrada de pulsos a contar
1 1
1 1
A J reloj K
1 1
Contador de pulsos en cdigo binario natural
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Reloj 1 0 1 Z 0 1
X0
0
X01
1
X2
0
X3
1
X4
1
X5
0
X6
1
X07
La informacin a convertir de paralelo a serie (8 bits) esta contenida en el registro de almacenamiento (memoria de 8 bits). Las salidas de este registro se conectan con las entradas de informacin del multiplexor. Las entradas de seleccin de este ltimo, estn conectadas a las salidas de un contador binario (formado por tres Flip Flop). A medida que ingresan los pulsos reloj al contador, este cuenta en forma binaria y va seleccionando las entradas del multiplexor pasando su valor secuencialmente a su salida Z" C)- Secuenciador de operaciones Pulso de inicio 1 1 1 Q2 J Q1 J Q0 J Puesta reloj reloj Reloj 1 1 1 RES K RES K RES K a cero
+5v A2 A1 A0
S0 S1 S2
I0 I1 I2 I3 I4 I5 multiplexor de 8 entradas 74HC151
I6
I7
Decodificador de 3 a 8 lineas 74HC138 E
Z sensores 1 2 3 4 5 6 7 6 7
Q7
Activadores
Q0 1 2 3 4 5
Proceso fisico
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este sistema, el contador se pone a cero con un pulso negativo en los terminales RESET de los Flip Flop. Se reinicia colocando un uno (1) en el contador. En este estado, se selecciona la entrada I1 del multiplexor que es la salida del sensor n1 del proceso fsico; esta salida, durante el desarrollo del proceso fsico, esta en un valor bajo. Cuando finaliza, pasa al estado alto (1). Por otro lado, la salida del contador es entrada del decodificador de 3 a 8 lneas, selecciona la salida Q1 que, por medio de los amplificadores (buffer) actan sobre los activadores para iniciar el primer proceso fsico de la secuencia n1. Cuando finaliza el primer proceso fsico, el sensor n1 pasa a alto (1) que hace que pase a bajo la salida Z del multiplexor. Este cambio, provoca el cambio en la salida del contador, pasndose a la secuencia n2 y as sucesivamente hasta finalizar con la secuencia n7, donde nuevamente se reinicia el proceso. D)-Seleccin de datos con multiplexadores cudruples Decenas Contador BCD Contador 1 unidades Contador BCD
Reloj 1
decenas Contador BCD
contador 2 unidades Contador BCD

Reloj 2
S E
Za
I1
74157 MUX (decenas)

Zb Zac Zad
I0 74157 MUX (unidades)

Zb Zac Zad
Contador seleccion Decodificador/manejador de BCD a 7 segmentos (7447)
S E
Za
I1
I0
Decodificador/manejador de BCD a 7 segmentos (7447)
DECENAS
UNIDADES
Dispositivo exhibidor LED
Dispositivo exhibidor LED
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La aplicacin de los multiplexores cudruples del circuito anterior, tiene la finalidad de compartir los exhibidores de 7 segmentos LED, para permitir que se presente, en forma selectiva, los valores de las unidades y decenas contados por los contadores n 1 y n 2. DEMULTIPLEXORES (distribuidores de datos) El demultiplexor realiza la operacin inversa al multiplexor. Presenta una sola entrada de datos y la distribuye a solo una de entre N salidas. El canal de salida de la informacin, se selecciona mediante entradas binarias de seleccin. DEMUX Q0 Q1 Entrada de datos I Salidas de datos QN-1
Cdigo binario que selecciona la salida de datos
Demultiplexor de 1 a 8 lneas Este circuito distribuye selectivamente la entrada de datos I hacia las 8 salidas, Q0 ,Q1 Q2 ,Q3 ,Q4 ,Q5 ,Q6 y Q7 seleccionadas mediante 3 entradas de seleccin S0 ,S1 y S2 . Un demultiplexor es similar a un circuito decodificador con la diferencia que tiene la entrada de datos. Por ejemplo seleccionamos el cdigo S0 =0,S1 =1y S2 =0 , solamente la compuerta AND n2 ser la nica habilitada y la salida valdr: Q2 =I. ( S2 .S1 .S0 ). Cuando ingresen los datos por I, solamente por la salida Q2 se canalizaran estos datos. La tabla de la verdad, es la siguiente: S2 0 0 0 0 1 1 1 1 S1 0 0 1 1 0 0 1 1 S0 0 1 0 1 0 1 0 1 Q7 0 0 0 0 0 0 0 I Q6 0 0 0 0 0 0 I 0 Q5 0 0 0 0 0 I 0 0 Q4 0 0 0 0 I 0 0 0 Q3 0 0 0 I 0 0 0 0 Q2 0 0 I 0 0 0 0 0 Q1 0 I 0 0 0 0 0 0 Q0 I 0 0 0 0 0 0 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito que cumple con la tabla de la verdad del decodificador, es el siguiente:
Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) S2 S1 Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 ) Entrada de datos I Decodificador / Demultiplex Los decodificadores que hemos analizado como el CI 74LS138, se lo puede utilizar tambin como demultiplexor.(a este circuito integrado, los fabricantes lo llaman decodificador/demultiplex). Entrada de datos I E1 E2 +5 v E3 Entradas de habilitacin del CI Q0 =I.(Q2 .Q1 Q0 )
S0
Cdigos de seleccin
A2 Decodificador de 3 a 8 lneas 74HC138 A1 A0
E1 Q0
Q7 Q6 Q5 Q4 Q3 Q2 Q1 Q0
Q1
__
Q7 (uno lgico)
Formas de onda para A0 ,A1 ,A2=0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La entrada de habilitacin E1, se usa como entrada de datos I , en tanto que las otras dos entradas de habilitacin, se mantienen en estado activo o sea E2=0 y E3 =+5 volt. Las entradas de cdigo, se utilizan como cdigo de seleccin. Por ejemplo si A2=0, A1 =0 y A0 =0, con estos valores seleccionamos la salida Q0 . Para este caso, cuando I=0 sera Q0=0 (Q0 queda seleccionado con valor cero) y si I = 1, ser Q0=1(Q0 queda inhabilitado con valor uno). De esta manera, a medida que ingresan los datos por I, solamente se repiten por Q0, mientras que el resto de las salidas permanece en estado alto. Aplicacin: Este multiplexor, por ejemplo se puede utilizar como seleccionador de una entrada reloj hacia un destino deseado Entrada reloj E1 E2 +5 v E3
Cdigos de seleccin
A2 Decodificador de 3 a 8 lineas 74HC138 A1 A0 Hacia otros registros, contadores, etc. Registro de desplazamiento Contador
74LS138/HC138 A0 A1 A2 Smbolo IEE/ANSI 0 G0/7 2 0 1 2 3 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
E1 E2 E3
4 5 6 EN 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicacin de un multiplexor y demultiplexor para un sistema de seguridad y vigilancia
I0 74HC151 I1 I2 I3 MUX Z
Puerta 0
De las puertas 2-6
I7 E S2 S1 S0
Puerta 1
Puerta 7
Q2 MOD-8 Q1 RES Q0 Pulsos reloj E1 E2 +5 v E3
A2 Decodificador de 3 a 8 lineas 74HC138 A1 A0
Panel de vigilancia
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este sistema, los interruptores de las ocho puertas son las entradas del multiplexor; estas, producen un estado alto(1) cundo las puertas estn abiertas (interruptores abiertos) y pasan al estado bajo (0) cuando las puertas estn cerradas. El contador en modo 8 (cuenta hasta ocho en modo binario y luego repite la cuenta), selecciona la entrada del multiplexor y tambin del multiplexor, de manera tal que cada salida del demultiplexor conecta a los diodos LED de vigilancia de cada puerta Cuando el demultiplex selecciona una salida (en nivel bajo) el diodo LED correspondiente es iluminado y esta situacin se produce, cundo para una determinada seleccin del MUX y del DEMUX el contacto correspondiente de la seleccin este en posicin abierta. CIRCUITOS COMPARADORES DE MAGNITUD Son circuitos lgicos combinacionales que comparan dos cantidades binarias de entrada y genera salidas que indican que palabra tiene la mayor magnitud. Los datos o palabras no tienen signo. Veamos un comparador para palabras de cuatro bit: Entradas de datos Smbolo IEE/ANSI A3 A2 A1 A0 IA>B IA<B IA=B B3 B2 B1 B0 P0 P1 P2 P3 P<Q P=Q P>Q Q0 Q1 Q2 Q3 0 COMP P 3 < = > 0 Q 3 74HC85 P<Q P=Q P>Q
Comparador de magnitud de cuatro bits 74HCC85
Entradas en cascada
QA>B QA<B
QA=B
Salidas
Tabla de la verdad Comparacin de entradas

A3, B3 A3> B3 A3< B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A3= B3 A2, B2 X X A2> B2 A2< B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A2= B2 A1, B1 X X X X A1> B1 A1< B1 A1= B1 A1= B1 A1= B1 A1= B1 A1= B1 A1= B1 A1= B1 A0, B0 X X X X X X A0> B0 A0< B0 A0= B0 A0= B0 A0= B0 A0= B0 A0= B0
entradas en cascada
IA> B IA< B IA= B X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X X H L L L H L X X H L L L H H L
salidas
QA> B QA< B QA= B H L L L H L H L L L H L H L L L H L H L L L H L H L L L H L L L H H H L L L L
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para comprender el funcionamiento del circuito, veremos las funciones logicas de comparacin de un bit y el circuito digital que lo resuelve. Comparacin digital de 1 bit A= B E = 1 A B E= 0 A> B C = 1 A= B C= 0 A<B D = 1 A= B D= 0
E = (A.B+A.B)
C = A.B
D = A.B
Circuito para comparacin del bit n Dn =An.Bn
An Bn En = (An Bn + An Bn)
Cn =An An
Para comparar nmeros binarios de mas de un bit debe cumplirse: A=B E = E3 .E2 .E1 .E0 (producto logico de la comparacin de los bits) E = 1 para A = B ; E = 0 para A B C = A3 B3 +E3 A2 B2 +E3 E2 A1 B1 +E3 E2 E1 A0 B0 C = 1 si A > B. si A< B o A = B C = 0 D = A3 B3 +E3 A2 B2 +E3 E2 A1 B1 +E3 E2 E1 A0 B0 D = 1 si A< B. si A> B o A = B D = 0
A> B
A< B
Los comparadores se utilizan como parte de la circuiteria para la decodificacin de direcciones, empleada en las computadoras para seleccionar un dispositivo especifico de entrada/ salida o un area de memoria para guardar o recuperar un dato. Estos dispositivos comparan la direccin generada por la CPU con la que esta conectado; si ___________________________________________________________________ 46 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ---------------------------------------------------------------------------------------------------------son iguales, la salida A = B del comparador activa el dispositivo correspondiente a esa direccin. Tambin se aplican en sistemas de control, donde el numero binario que representa una variable fsica sobre la que se ejerce el control (posicin, velocidad etc. ) se compara con un valor de referencia. Las salidas del comparador se emplean para accionar la circuiteria que maneja la variable fsica con la finalidad de llevarla hacia el valor de referencia. GENERADOR DE PARIDAD / COMPROBADOR DE PARIDAD Este sistema se utiliza en la transmisin de datos binarios para detectar si hubo errores (ruido) durante la transmisin por el canal de comunicaciones. El sistema consiste en detectar la paridad (par o impar) de los bits de datos y agregar o no un bit en el canal de comunicaciones. Por ejemplo si tenemos el dato 1010 y si el sistema adoptado es de paridad par, entonces como el dato tiene paridad par, solo se agrega un bit con valor 0. Si hubiramos adoptado el sistema con paridad impar , tendramos que haber agregado al dato, un bit con valor 1. dato Bit de paridad Tipo de paridad 1010 0 Paridad par 1010 1 Paridad impar Vamos a desarrollar un circuito que genera el bit de paridad (quinto bit) para una informacin de palabras de cuatro bits.
A0 A1 A2 A3 P'
Quinto bit P1
Si transmitimos con paridad par, entonces hacemos P = 1 resulta P1 = 0 Si transmitimos con paridad impar, hacemos P = 0 resultando P1 = 1 En este caso con cada palabra de cuatro bits, agregamos un bit mas que resulta el bit de paridad. Del lado del receptor tenemos como comprobador de paridad un circuito similar con cinco entradas A0 A1 A2 A3 P1. Si no hay errores, entonces en la salida P2= 1. Si durante la transmisin la paridad par de los cinco bit cambio en uno de ellos, entonces P2= 0 y detecta un error de transmisin. Si hubiramos transmitido con paridad impar, la transmisin correcta se detecta con P2= 0 y si P2= 1, detecta un error de transmisin. ___________________________________________________________________ 47 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-3- Subsistemas digitales en circuitos integrados combinacionales ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
En la prxima figura, se representa bsicamente el sistema de transmisin con el agregado del quinto bit de paridad
Generador de informacin
Receptor de informacin
P=0 (impar) P =1 (par) P
A0 A0 A0 A0 P
P1
A0 A0 A0 A0 P
P2
Generador de bit de paridad
Comprobador de bit de paridad
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------LOS CIRCUITOS LGICOS SECUENCIALES Los principios de los circuitos lgicos secuenciales Se conocen por circuitos secuenciales, a circuitos lgicos cuya salida no esta condicionada por la combinacin de las variables de entrada, sino que esta condicionada por el orden de las mismas. En los circuitos secuenciales, la salida sigue una secuencia preestablecida y cada secuencia constituye una fase. Un ejemplo clsico, de un circuito secuencial, lo tenemos en el rel electromecnico auto excitado, que posee pulsadores de mando, marcha y paro, y un contacto de mantenimiento o excitacin
Podemos decir que un circuito secuencial posee salidas que estarn en uno o cero lgicos dependiendo no solo del valor actual de las variables de entrada, sino tambin de la historia del sistema. De otra forma, decimos que un circuito secuencial posee memoria en su interior. Anlisis de los circuitos secuenciales: stos, se analizan por medio de un cuadro de valores. ste cuadro de valores, esta formado por dos columnas bsicas: fases (orden de sucesin de las variables) y variables (estado de las entradas y salidas). Para una mejor compresin, tomaremos el siguiente problema: Un rgano S (motor, bobina, electro vlvula, etc.) es gobernado por dos pulsadores (M y P); el pulsador M hace activar el rgano S y se mantiene en ese estado. El pulsador P hace desactivar el rgano S. Para su mejor razonamiento, hacemos el siguiente cuadro de valores: FASE 1 2 3 4 5 6 7 (ACCIONES) Estado inicial Accin sobre M Activacin del rel Desactivacin de M Accin sobre P Desactivacin del rel Desactivacin de P MARCHA M 0 1 1 0 0 0 0 PARADA P 0 0 0 0 1 1 0 REL S 0 0 1 1 1 0 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Podemos ver que las fases 1 y 7 se corresponden mutuamente, dado que la fase 7 da origen al estado inicial (fase 1). Para establecer la expresin lgica que cumpla estas condiciones, formamos otro cuadro de valores, en el cual se adjunta la columna E(S). En esta columna, situamos los valores de S, pero desfasados una fase. En consecuencia tendremos el siguiente cuadro de valores o tabla de la verdad: FASE M P S E(S) 1 0 0 0 0 2 1 0 0 1 3 1 0 1 1 4 0 0 1 1 5 0 1 1 0 6 0 1 0 0 7 0 0 0 0 La variable S constituye la salida, pero el establecimiento de la expresin en circuitos secuenciales, se considera como salida a E(S) y a S como variable de entrada. Para encontrar la expresin lgica que cumpla con la tabla anterior, donde M, P y S son las entradas y E(S) la salida, aplicamos el mtodo de la suma de productos o el mtodo del producto de suma _ _ _ _ _ Mtodo de SP: S = M . P . S + M . P . S + M . P .S _ _ _ __ S = M . P . S + P . S . (M + M) __ __ __ S=M.P.S+P.S __ S = P . ( M+ S ) _ _ __ Mtodo de PS: S = ( M+P+S ) . ( M+P+S ) . (M+P+S ) _ _ _ _ _ S = (M+ S) . ( M+P+S ) = M+M .P + M .S + S . M + S.P __ S=M+S.P Estas dos expresiones no son iguales pero realizan las mismas condiciones lgicas, por lo que son equivalentes. Los esquemas de nivel y de contactos de estas funciones lgicas, son los siguientes:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Como podemos ver, estos circuitos bsicos secuenciales, memorizan el estado de excitacin del rel en forma permanente, utilizando una realimentacin de la salida hacia la entrada. Este tipo de circuitos se les denomina regenerativos. Analicemos otro ejemplo para comprender la naturaleza de los circuitos secuenciales: Una prensa tiene dos movimientos: uno de bajada (B) para comprimir una pieza, y el otro de subida (S), una vez realizado el trabajo, para volver a su posicin inicial, segn se muestra en el siguiente esquema:
Pulsador de marcha Posicin de partida Posicin final de compresin Pistn de compresin
M P F
Baja. B
Sube S
Pieza a comprimir
Las fases de funcionamiento de la maquina, son las siguientes:

Fase Accin M P F B S 1 Posicin de partida 0 1 0 0 0 2 Se pulsa C y comienza a bajar el pistn 1 1 0 1 0 3 Se desactiva P y sigue bajando el pistn 1 0 0 1 0 4 Se deja de pulsar M y sigue bajando el pistn 0 0 0 1 0 5 Se activa F y el pistn comienza a subir 0 0 1 0 1 6 Se desactiva F y el pistn sigue subiendo 0 0 0 0 1 7 Se llega a la posicin de reposo y se para 0 1 0 0 0
Para este caso necesitaremos dos funciones lgicas que acten una sobre el movimiento de bajada E(B), y la otra, sobre el movimiento de subida E(S) Para establecer la expresin lgica que cumpla las condiciones impuestas, aplicamos la misma metodologa del primer ejemplo, o sea formamos otro cuadro de valores, en el cual adjuntamos las columnas E(B) y (S). En esta columna, situamos los valores de S, pero desfasados una fase. En consecuencia tendremos el siguiente cuadro de valores o tabla de la verdad (incompleta).
FASE 1 2 3 4 5 6 7 8=1
M 0 1 1 0 0 0 0 0
P 1 1 0 0 0 0 1 1
F 0 0 0 0 1 0 0 0
B 0 0 1 1 1 0 0 0
E(B) 0 1 1 1 0 0 0 0
S 0 0 0 0 0 1 1 0
E(S) 0 0 0 0 1 1 0 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------A continuacin resolveremos aplicando el mapa de Karnauch para cada funcin, involucrando cuatro variables de entrada M, P, F, B para la funcin de bajada E(B) y tres variables P, F, S, para la funcin de subida E(S). Para ello debemos considerar las otras condiciones no previstas en el cuadro anterior \ MP FB \ 00 00 0 01 11 10 1 0 0
01 0 1 0 0
11 1 1 0 0
10 0 1 0 0
La funcin de subida simplificada nos queda _ _ _ E(B) = F.B + F. M.P = F.(B + M.P) Para la funcin de subida tendremos (La variable M no interviene) \ FS P \ 00 01 11 10 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 La funcin de subida simplificada nos queda _ _ _ E(S) =S = S.P + F.P = P. (S+F) Para estas dos funciones lgicas con memoria, su implementacin circuital, con compuertas AND, NOR y NOT, resulta:
Existen diversa metodologas para tratar analticamente los sistemas digitales (autmata de Moore, autmata de Mealy, etc.). Nosotros trataremos solamente los mdulos circuitales secuenciales que nos provee la electrnica, y con ellos realizar sistemas secuenciales de mayor complejidad
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. -------------------------------------------------------------------------------------------------------
Los circuitos biestables

La Electrnica, utiliza otros tipos de circuitos regenerativos, denominados tambin biestables bsculas o flip flop, y se caracterizan por presentar dos salidas complementarias denominadas Q y Q. Estas salidas, presentan dos estados estables (cero o uno), significando ello que pueden permanecer en forma indefinida en estos estados, aun cuando haya desaparecido la causa que origin su cambio. El cambio en la salida de estos circuitos, se produce a travs de entradas de control. El circuito bsico de un biestable realizado con transistores es el siguiente:
Clasificacin de los circuitos biestables Existen una gran variedad de biestables con distintas particularidades en relacin a la lgica de control o disparo, forma de la seales de control (niveles o flancos ascendentes o descendentes), sincrnicos o no sincrnicos, con entradas sincrnicas o asincrnicas. Veamos su clasificacin y sus caractersticas principales. Clasificacin por la lgica de control: Esta clasificacin surge de la forma lgica de cambio de las salidas del biestable (Q y Q) por cambio en los valores lgicos de las entradas de control , por ejemplo en el dibujo anterior, A y B . Se clasifican en los siguientes tipos: R S (Reset set) JK D T Nota: En los biestables de nivel, las entradas de control R-S se le denomina tambin cl-s (clear-set) y a las J K se las llama P- Q. Clasificacin segn la forma de las seales de control: Los que producen el cambio lgico de sus salidas (disparo) mediante niveles de tensin en las seales de control. Estos biestables se les denomina basculas o 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Lath. Adems de las entradas de control, tienen una entrada de habilitacin que habilita las entradas de control mediante un nivel de tensin. Los que producen el cambio de sus salidas (disparo) mediante el cambio del nivel de tensin de la entrada de disparo. Estos biestables se les llama FlipFlop. El disparo (entrada pulsante de sincronismo), habilita a las entradas de control, mediante su flanco de subida o flanco de bajada.
Clasificacin segn el sincronismo o no de una seal patrn (reloj) Asincrnicos: Funcionan sin el control de una seal de frecuencia patrn. Sincrnicos sencillos: Son biestables de nivel que funcionan con una frecuencia patrn. Sincrnicos, Edge-Trigered: Son biestables cuyas salidas se modifican por el cambio de nivel de las seales de control sincronizadas con una frecuencia patrn Sincrnicos Master- Slave: Son biestables cuyas salidas se modifican por el cambio de nivel de las seales de control sincronizadas con una frecuencia patrn (obsoletos).
Seal reloj: Es un generador de pulsos elctricos (oscilador de onda rectangular o cuadrada) que se utiliza para sincronizar el funcionamiento de los circuitos secuenciales complejos. Entradas sincrnicas y asincrnicas: Los biestables disponen de entradas de control que pueden estar en sincronismo o no con la seal reloj de sincronismo. Por ejemplo las seales de entrada de control R-S, J-KJ, D o T, son sincrnicas. Existen otras seales de control que modifican las salidas Q y Q que no estn sincronizadas con la seal reloj. Estas entradas son puesta a uno (preset) y borrado o puesta a cero (clear). Veamos la representacin de un biestable con todas las entradas y salidas: _ ___ P (PRE) Ck
_ ___ C (CLR)
Q y Q son las salidas del biestable (Flip Flop) Ck (Cp o CL) es la entrada del pulso reloj o pulso de sincronismo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------- J y K Son las entradas lgicas de control que actan en sincronismo con el pulso reloj. Sus valores lgicos modifican las salidas, recin cuando ingresa el pulso de sincronismo. - P es la entrada asincrnica de puesta a uno ( Q=1 y Q= 0) . Para este caso (tiene un circulo) la puesta a uno se lleva a cabo con P=0. - C es la entrada asincrnica de puesta a cero ( Q=0 y Q=1). Para este caso (tiene un crculo) la puesta a cero se hace con C=0. P La activacin de P o C se hace con el nivel cero de tensin (entradas asincrnicas)
: Smbolo para la activacin con el flanco de bajada del pulso reloj
: Smbolo para la activacin con el flanco de subida del pulso reloj
Tabla de la verdad para las entradas lgicas de control Estas tablas son validas para cualquier tipo de biestable sincrnico o asincrnico, de nivel o cambio de de nivel. Lgica R-S (NOR) S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 Q(t+1) Q(t) 0 1 X
Q(t): Significa el estado de la salida Q, antes de producirse el nuevo cambio de las seales de control R-S Q(t+1) : Significa el estado de la salida Q despus de producirse el cambio de las seales de control o del pulso reloj. X: Significa que las salidas Q y Q toman el mismo valor lgico lo cual es una condicin lgica indeterminada algebraicamente, cuando las seales de control tomen los valores opuestos. En la practica, al salir de esta situacin, Q y Q toman valores opuestos definidos Para el periodo Q(t+1), si la salida Q vale Q(t), esto significa que no se produce cambio y su valor permanece en 0 o en 1.
Lgica R-S (NAND) S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 Q(t+1) X 1 0 Q(t)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Lgica J-K Esta lgica elimina la indeterminacin, haciendo que la salida tome el valor opuesto J 0 0 1 1 K 0 1 0 1 Q(t+1) Q(t) 0 1 Q(t)
Lgica P-Q (no es de uso normal) Esta lgica tambin elimina la indeterminacin, haciendo que la salida mantenga su valor P Q Q(t+1) 0 0 Q(t) 0 1 0 1 0 1 1 1 Q(t) Lgica D Esta lgica acta como una unidad de retardo haciendo que la salida Q siga a la entrada D pero retrasada un periodo de tiempo Q(t+1) = D(t) D(t) Q(t+1) 1 1 0 0 Lgica T (Toggle) Esta lgica acta como un interruptor y cambia su salida para T= 1 T(t) Q(t+1) 1 Q 0 Q Basculas asincrnicas (Lath) Son circuitos biestables, asincrnicos es decir no tienen entrada de pulso reloj y son activadas por niveles de tensin en sus entradas de control.
Bascula R-S (Reset-Set) Estas bsculas se pueden realizar con compuertas NOR o NAND. La indeterminacin X, en la prctica, no debe presentarse.
R-S NOR S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 Q(t+1) Q(t) 0 1 X
X Q=Q=0
R-S NAND S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 Q(t+1) X 1 0 Q(t)
X Q=Q=1 Ejemplo de una aplicacin: Conmutador sin rebote
Cualquiera de los dos circuitos elimina las salidas falsas por el rebote de los contactos de conmutador, evitando entradas falsas transitorias indeseables Para la bascula S-R NAND el rebote del contacto coloca a S=R=1 Q(t+1)=Q(t) Para la bascula S-R NOR el rebote del contacto coloca a S=R=0 Q(t+1)=Q(t)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Bascula J-K Esta bascula elimina la indeterminacin; se realiza partiendo de una bascula R-S a la que se le agregan en sus entradas dos puertas NAND. Veamos el circuito de la bascula J-K activada por niveles de tensiones aunque en la practica esta compuerta se presenta como sincrnica. J Q
K J 0 0 1 1 Bascula T K 0 1 0 1
`Q Q(t+1) Q(t) 0 1 `Q(t)
Esta bscula ofrece la cualidad de variar el estado de las salidas a cada variacin en las entradas. La obtenemos partiendo de la bscula J-K
T Q(t+1) 0 Q(t) 1 `Q(t)
`Q
Bascula R-S sincronizada (activada por nivel de tensin tipo NOR) R 0 0 0 0 1 1 1 1 Cp= E (Enable) entrada de habilitacin con 1 lgico S 0 0 1 1 0 0 1 1 Cp 0 1 0 1 0 1 0 1 Q(t+1) Q(t) Q(t) Q(t) 1 Q(t) 0 ? ?
Bascula J-K sincronizada (activada por nivel de tensin)
J Cp K J 0 0 1 1 K 0 1 0 1 Q(t+1) Q(t) 0 1 `Q(t)
`Q
La tabla de la verdad se cumple recin cuando la entrada Cp pasa al nivel 1 Bascula D sincronizada simple (activada por nivel de tensin) A este tipo de bscula se le suele llamar tambin cerrojo o LATCH. La podemos construir utilizando una R-S sincrnica de nivel y un inversor.
dato Clock (Cp)
`Q
Cp
`Q
D Q(t+1) 0 0 1 1 Como vemos cuando D vale cero o uno, despus que se aplica la seal en Cp, la salida Q toma el valor de D. Mientras no se aplique seal en Cp, la salida Q mantiene el ultimo valor de D o sea mantiene el dato en memoria. Bascula D con entradas asincrnicas: Adems de las entrada D cuyo valor modifica a las salidas cuando se activa Cp, las basculas tienen otras entradas denominadas asincrnicas, que no dependen de Cp que pueden modificar las salidas Q y `Q. Estas entradas se les denominan puesta a uno (preset) y puesta a cero (clear).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Estas entradas, para el funcionamiento normal de la bascula, deben estar en el mismo valor lgico (cero o uno), dependiendo del tipo de bascula. El cambio de una de estas entradas, llevan la salida Q al valor cero (con clear) o al valor uno (con preset). Veamos el smbolo de una bscula D con entradas asincrnicas que se activan con el valor cero:
Pr
Cp
Cl
`Q
Pr 1 1 0 1 0
Cl 1 1 1 0 0
D 0 1 x x x
Q(t+1 0 1 1 0 1*
Control E. sincrnicas Control E. sincrnicas Control Asincrnicas Control Asincrnicas Indeterminado
En la indeterminacin las salidas Q y `Q toman el mismo valor lgico y el biestable deja de comportarse como tal. Bascula integrada D de 4 bits
D3 SN 7475 D2 4-bit D1 D-LATH D0
`Q3 Q3 `Q2 Q2 `Q3 Q3 `Q3 Q3
E2,3
E0,1
Esta bscula se la puede utilizar como registro de almacenamiento (BCD) en contadores o frecuencimetros digitales con presentacin visual de 7 segmentos. Se la ubica entre la salida del contador y el decodificador/excitador de 7 segmentos con la finalidad de retener la informacin visual hasta tanto cuente los pulsos el contador o frecuencimetro. En la prxima figura se puede observar un diagrama en bloques simplificado de su aplicacin:
Contador digital
LATH 4-bit
Decodificador
BCD a 7 segmento
Control
Bsculas sincrnicas activadas por flancos Para estas bsculas, denominadas tambin Flip Flop", las salidas se activan segn el cambio de las entradas de control y pulso reloj. La activacin, segn el tipo de bscula, puede ser con el flanco de bajada o subida del pulso reloj. Pulso reloj
Existen dos sistemas para construir este tipo de Flip Flop: la configuracin EdgeTrigered y la Master-Slave. La configuracin Edge-Trigered tiene la particularidad que las entradas de control activan las salidas cuando se produce el flanco ascendente o descendente del pulso reloj. Actualmente son las que predominan en el mercado. La configuracin Master-Slave, el cambio de la salida se produce en dos fases. En la primer fase, cuando el pulso reloj toma el nivel de tensin (sincronizada simple) o cambio de nivel (positivo), las seales de control pasan al master. Cuando el pulso reloj cambia de nivel o durante su flanco de bajada, la informacin del Master se transfiere al Slave (salida). J Cl K Q Master Slave `Q
Esta configuracin ya prcticamente no se utiliza en nuevos diseos Veremos a continuacin Flip Flop activados con flancos con entradas sincrnicas y asincrnicas con la correspondiente tabla de la verdad: ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Biestable sincrnico J-K (activado con flanco descendente)
Preset | Clear | J | K | Clock | Q | Q 1 1 x x x 1 1 inestable 1 0 x x x 1 0 0 1 x x x 0 1 0 0 0 0 --- -- no cambia 0 0 0 1 -0 1 0 0 1 0 -1 0 0 0 1 1 ---- cambia al valor opuesto Este biestable (flip flop) tiene una entrada reloj para sincronizar las entradas de control J y K. Las salidas de flip flop responden a la lgica de estas entradas, cuando ingresa el flanco descendente del pulso reloj, segn la tabla. Las entradas preset (puesta a uno) y clear (puesta a cero) son asincrnicas, significando esto, que las salidas cambian segn la tabla, independiente del pulso reloj. Cuando el biestable acta sincrnicamente segn las entradas de control J-K, las entradas asincrnicas son llevadas a cero (0). Este flip flop es similar al anterior, con la diferencia que acta Sincrnicamente con las entradas de control J K, las entradas asincrnicas, Pr y Cl son llevada a uno (1).
Biestable sincrnico tipo D (activado con flanco ascendente)
Pr | Cl | D | Ck | Qn+1 | ---------------------------1 1 0 -- 0 1 1 1 -- 1 Ambos biestables son sincrnicos, con la diferencia que el segundo tiene entradas asincrnicas que se activan con el nivel bajo. Cuando acta con la entrada de control sincrnica, las entradas asincrnicas Pr y Cl deben estar en nivel alto (1). Cuando la entrada D vale cero o uno, la salida Q sigue a D ,despus que se aplica el pulso reloj (flanco ascendente).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicacin de los biestables: Tienen numerosas aplicaciones, como memorias activas contadores binarios, registros de desplazamientos sistema secuencial para activar micro ordenes en unidades de control de microprocesadores (autmatas programables) etc. Como ilustracin, desarrollaremos los circuitos registrador de desplazamiento y contador binario: Registro de desplazamiento Las bsculas o Flip Flop al ser circuitos biestables, permiten almacenar en forma permanente un digito o tambin llamado bit (cero o uno lgico). Un registro de desplazamiento es una combinacin de n Flip Flop capaz de almacenar n bits. El circuito tpico de un registro de desplazamiento realizado con Flip Flop S-R es el siguiente:
Datos paralelo para cargar en el registro Habilitacin entrada datos paralelo Uno (1) habilita Salida serie Entrada serie
FF4 FF3 FF2 FF1 FF0
D4
D3
D2
D1
D0
Borrado (0) Entrada Reloj (ck)
TTL 7496 TTL 74LS94
Este circuito me permite memorizar y operar una informacin (dato, carcter alfanumrico, etc.) formada por un conjunto de n bits, que, para el caso del circuito de la figura n= 5 bits. El registro de desplazamiento puede operar con la informacin de diferentes modos a saber: a)-Entrada de informacin binaria serie con una determinada frecuencia, y salida en serie con otra frecuencia. b)- Entrada de informacin binaria serie y su memorizacin, con posibilidad posterior de salida serie o convertirla a informacin de salida paralelo c)- Entrada de informacin binaria paralelo, memorizacin y posterior salida paralelo o serie. El registrador de desplazamiento representa un bloque funcional importante en la Unidad central de proceso de los computadores, como por ejemplo en la unidad receptora / transmisora asincrnica universal, abreviadamente UART y en la unidad receptora / transmisora sincrnica universal, abreviadamente USRT. Explicaremos a continuacin, el funcionamiento del registro de desplazamiento para algunas de sus aplicaciones ms importantes. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidor serie a paralelo Para explicar su funcionamiento, debemos primero interpretar la tabla de la verdad de sus entradas asincrnicas Pr y Cl
Tabla de verdad FF para entradas asincrnicas Cl Pr Tabla de verdad FF para entradas asincrnicas Cl Pr
Ck Habilitacin 1 Borrado 0 Puesta a 1 0
Cl 1 0 1
Pr 1 1 0
Q * 0 1
CL=1, Pr=1
Ck 1 0 1 0 1 0 1 0
J 0 0 1 1
K 0 1 0 1
Q(t+1) Q(t) 0 1 Q(t)
* significa que esta es la condicin que deben tener las entradas asincrnicas para el funcionamiento normal del registro activado por sus entradas sincrnicas J-K. Antes de comenzar a registrar (guardar) la informacin de entrada (informacin seriada), debemos borrar el contenido del registro; lo borramos colocando un cero (0) en la entrada de borrado y un cero (0) en la entrada de habilitacin. Esto hace Cl=0 y Pr=1 en todos lo Flip Flop. De esta forma todas las salidas Q0, Q1, Q2, Q3, Q4 pasan a cero. Luego hacemos borrado=1 y mantenemos habilitacin= 0, para habilitar los Flip Flop de registro, dado que en todos se produce Cl=1 y Pr=1 A continuacin aplicamos el tren de pulsos de datos en serie que ingresan con los impulsos del reloj en sincronismo. El bit menos significativo lo introducimos en FF4 cuando Ck cambia de 1 a 0, por la accin de un Flip Flop tipo D. Despus del impulso reloj Q4 tiene el valor del primer dato de entrada, mientras que el resto de las salidas estn en cero. Cuando llega el segundo impulso reloj, el estado de Q4 se transfiere a Q3 por la accin de un Flip Flop tipo j-k; simultneamente el siguiente bit de informacin ingresa a FF4. Por ejemplo si el dato esta formado por los bits 01011, en esta etapa tendremos Q4=1, Q3=1 y el resto de las salidas estarn en cero. As sucesivamente para el 3 impulso donde Q3 pasa la informacin a Q2, Q4 a Q3 y el tercer bit (0) ingresa a FF4 haciendo para este caso particular Q4=0. Tambin en el cuarto impulso Q2 pasa la informacin a Q1, Q3 a Q2 Q4 a Q3 y entra el cuarto bit en FF4. En el quinto impulso, Q4 pasa la informacin a Q3, Q3 a Q2, Q2 a Q1 y Q1 a Q0 y ingresa el ltimo bit de la informacin a FF4, completndose el proceso, donde el dato queda almacenado en el registro de desplazamiento. La siguiente tabla muestra la carga de los Flip Flop del registro en las sucesivas etapas Para el dato formado por los bits 01011
Impulso reloj 1 2 3 4 5
dato 1 1 0 1 0
Q4 1 1 0 1 0
Q3 0 1 1 0 1
Q2 0 0 1 1 0
Q1 0 0 0 1 1
Q0 0 0 0 0 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Registro de desplazamiento Serie- Serie Este registro procesa la informacin serie serie cuando tomamos la salida Q0 y aplicamos n impulsos (para nuestro ejemplo 5 impulsos) reloj. Despus del ensimo impulso todos los Flip Flop quedan en cero, o sea la informacin que ingres en serie en el registro y se almacen, con n impulsos reloj se la sac en forma serie , en la salida Q0, quedando el registro vaco. Convertidor paralelo a serie con el registro de desplazamiento Supongamos que necesitamos transformar la informacin paralelo 01011 a serie. Para ello la presentamos en las entradas paralelo Pr, colocando el bit 20 en Pr0=1, el bit 21 en Pr1=1, el bit 22 , en Pr2=0, el bit 23 , en Pr3 =1y finalmente el bit 21 en Pr4=0. Primero borramos el registro con Cr=0,( Pr=1); luego mantenemos Cr=1 y ponemos un 1 en la entrada de habilitacin. De esta forma habilitamos todas las compuertas NAND cuyas salidas sern el complemento aplicado a toda la Pr de los Flip Flop de las entradas paralelo Pr0, Pr1 Pr2 Pr3 Pr4. En consecuencia aquellos Flip Flop que tengan Pr=1 cambian sus salidas a 1 quedando registrada la informacin. Luego aplicamos 5 impulsos tenemos la informacin serie en la salida de FF0 o sea en Q0 . Generador de secuencias En ciertos casos se desea repetir un cdigo continuamente; esto se puede realizar realimentando la entrada con la salida Q0. El cdigo se introduce en forma similar al registro paralelo serie. Al introducir 5 impulsos tenemos en la salida Q0 el cdigo en serie pero tambin queda el mismo registro en las salidas de los Flip Flop, por la realimentacin y as sucesivamente. Contador en anillo con el registro de desplazamiento Se puede realizar realimentando la salida Q0 con la entrada. Con esta conexin si ahora introducimos un uno (1) en Q0 y luego aplicamos impulsos reloj, el uno de Q0 se va trasfiriendo a Q1 Q2 Q3 Q4 y retorna nuevamente a Q0. El registro trabaja como una llave conmutadora rotativa o como un divisor por N, que para nuestro caso N=5. Entrada paralelo y salida paralelo en el registro de desplazamiento Los datos paralelos lo introducimos como lo hemos explicado, pudindose guardar (memorizar) en el registro. Si deseamos leer el registro en un determinado momento, lo hacemos a travs de las salidas Q, previo paso por una compuerta AND (Y) de dos entradas, una de ellas con el valor de Q y la otra se la activa con un impulso (1) que llamaremos lectura.
Habilitacin Lectura salida paralelo
Con Uno (1) lgico se habilita la lectura
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Registradores de desplazamiento a izquierda y derecha Algunos registradores comerciales estn previstos para desplazar la informacin de derecha a izquierda o viceversa. Una aplicacin de tales sistemas es la de multiplicar o dividir por potencias de 2. Supongamos que en el registro tenemos solamente 1 bit almacenado en el Flip Flop FF0 (los otros FF estn con Q=0). En esta condicin, el numero decimal que representa es el 1. Si ahora aplicamos un impulso reloj que lo traslada hacia la izquierda, a FF1, el nuevo numero almacenado es el 2. Como vemos hemos multiplicado por 2. De la misma forma si trasladamos el bit hacia la derecha, entonces dividimos por 2. 0 0 0 1 1 3 traslado hacia la izquierda y resulta :
0 0 1 1 0
Circuitos contadores Son circuitos digitales realizados con Flip Flop conectados en serie y cuya finalidad es la de contar impulsos, en distintos cdigos, como por ejemplo el BCD. El objetivo de estos circuitos es la de contar eventos, medir tiempos, medir frecuencias, medir rotaciones, etc. Se disponen por la forma de funcionamiento de dos tipos de contadores: asincrnicos y sincrnicos. Circuito contador binario asincrnico La aplicacin de este circuito es la de contar pulsos en el sistema binario natural o BCD El bloque cuenta hasta 16. Los pulsos a contar, ingresan por la entrada de pulsos. La cuenta binaria la obtenemos en las salida paralelo Q0,Q1,Q2,Q3.
Los pulsos que van a ser contados, se introducen en la entrada reloj de FF0. Todas las entradas J-K se conectan al valor lgico 1, lo cual hace que los Flip Flop J-K se conviertan en tipo T. Para T=1 los Flip Flop cambian de estado cuando se le aplican pulsos a Ck en el momento que se pasa del estado alto (1) al bajo (0) o sea en el flanco de bajada. La tabla de la verdad del contador a medida que ingresan los pulsos, es la siguiente: ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Pulsos 1
pulsos 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Q3 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 Q2 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 Q1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 Q0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1
3 4
9 10 11 12 13 14 15 16
Q0 Q1 Q2 Q3
Este contador de cuatro etapas puede contar hasta 24 = 16. Si fuera de N" etapas cuenta hasta el valor 2N. En gral se llaman contadores de modulo N. La lectura del contador esta dada en el cdigo binario decimal (BCD). Para visualizarlo en un display de 7 / segmentos, debemos aplicar a las salidas Q0 Q1 Q2 Q3 un decodificador excitador BCD/ 7 segmentos Numero MOD: Indica la cantidad de estados que pasa el contador. En el caso de nuestro ejemplo es n MOD = 2N = 24 = 16 N: numero de Flip Flop del contador. Contador reversible
Este contador digital cuenta al revs. Cuando llega el primer pulso, debido a la conexin entre Flip Flop (se hace a travs de la salida `Q y la entrada Ck), todos los Flip Flop pasan al valor 1 en Q0 Q1 Q2 Q3 . Para los pulsos sucesivos, las transiciones de los FF hacen que comiencen a contar en forma descendente hasta hacerse cero las salidas Q0 Q1 Q2 Q3 con la llegada del pulso n 16. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Veamos el diagrama temporal del contador reversible: Pulsos 1
pulsos 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Q3 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 Q2 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 Q1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 Q0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 1
3 4
9 10 11 12 13 14 15 16
Q0 Q1 Q2 Q3
Contador ascendente- descendente En un contador asincrnico es posible revertir el estado de cuenta de ascendente a descendente y viceversa, colocando entre las conexiones de cada FF el siguiente circuito lgico de seleccin:
Vemos que si la entrada de seleccin X=1, la compuerta A1 habilita la conexin (a travs de la OR) de la salida Q a Ck del siguiente FF; en este caso A2 debido a la inversin de X por la NOT, deshabilita a `Q. Para esta situacin, el contador trabaja en forma ascendente. Si X=0, la compuerta A2 queda habilitada para transmitir el estado logico de `Q a la entrada Ck; el contador en este caso trabaja como descendente. Divisin de frecuencia con los contadores En los contadores asincrnicos analizados, vemos que para una determinada frecuencia (f)de los pulsos de entrada, la salida Q0 cambia cada dos pulsos; por lo tanto la ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------frecuencia de cambio de Q0 es f0 = f/2. Para Q1 es f1= f/4; para Q2 es f2 = f/8 y para Q3 es f3=f/16. Entonces los contadores son utilizados tambin como divisores de frecuencia en valores dado por 2N siendo N = 1..cantidad de FF del contador que a su vez determinan la cantidad de estado (n MOD). Contador/divisor por N Los contadores descriptos anteriormente cuentan o dividen en base 2. Si deseamos contar en base distinta de 2, por ejemplo en base 10, debemos hacer una modificacin a los circuitos. Si queremos contar en base 10, o sea el contador vuelve a cero en el dcimo pulso. Necesitamos n Flip Flop de manera tal que 2n > N. Si N = 10, entonces necesitamos 4 FF. El circuito se realiza en forma similar a los anteriores, agregando una realimentacin que acte sobre las entradas de borrado (asincrnicas) o clear de los FF, cuando este cuente el dcimo pulso (o pulso N).
En este caso vemos que cuando se llega al dcimo pulso, Q1 y Q3 pasan aun valor alto (cuenta ascendente); la salida de la NAND pasa a un estado bajo (0) y por lo tanto borra a los FF a travs de las entradas asincrnicas. Si el tiempo de borrado de los FF es distinto, puede ocurrir que cuando llegue la cuenta a N, aparece la seal en la NAND (0) y si el primer FF que se borra es el que corresponde a Q1, la seal de borrado pasa a uno (1) y los otros FF no alcanzan a borrarse. Para eliminar este inconveniente, se intercala entre P1 y P2 un circuito de memorizacin del pulso de borrado que dura el tiempo entre pulsos de conteo (periodo del pulso de entrada).
Nota: Los contadores que cuentan en BCD hasta mod. 10 (10) se les denomina contadores de dcada (decenas). Cuentan desde 0000 (0 decimal) hasta 1001 (9 decimal).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Contadores asincrnicos en circuitos integrados Tenemos una gran variedad de circuitos contadores integrados, en diversas familias (TTL, CMOS, etc.). Analicemos por ejemplo el contador integrado TTL 74LS293:
+Vcc 14 `Cp1 11 74LS293
`Cp0 10
12
13
9 Q0 salidas
Q3 Q2 Q1 MR1 MR2
Este contador presenta las siguientes caractersticas: a) Dispone de 4 FF con cuatro salidas Q0 Q1 Q2 Q3. b) Cada FF tiene entrada de pulsos de sincronismo (pulso reloj) de las cuales solamente dos son accesible externamente del exterior `Cp0 y `Cp1. Estas entradas se activan con el flanco descendente del pulso reloj. c) Cada FF dispone de una entrada asincrnica CD CLR. Estas, estn conectadas entre si y son accesibles externamente a travs de las entradas MR1 y MR2, previo paso por una compuerta NAND. MR significa reiniciacin maestro. Para llevar las salidas al valor cero (resetear el contador), MR1 y MR2 deben valer uno (1) (tensin alta) simultneamente. d) Los FF Q1 Q2 Q3 estn conectados internamente. El FF0 no esta conectado internamente para que el usuario pueda disponer el uso del contador para tres bits o 4 bits (FF0 se conecta a FF1).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Aplicaciones del contador 74LS293 Contador modo 16
`Cp1 11
Vcc (+5 volt) 14
`Cp0 10 10 KHz 12 13
74LS293
9 Q0 salidas 10Khz/16=625 Hz
MR1 MR2
Q3 Q2 Q1
En este caso se necesitan los 4 FF por lo que se debe conectar la salida Q0 con la entrada `Cp1 (entrada pulso reloj de FF1). Para anular las entradas asincrnicas de borrado CD, se deben conectar a masa MR1 (12) y MR2 (13). Por ejemplo si introducimos por `Cp0 una seal de onda cuadrada de frecuencia 10 Khz, podemos obtener en la salida Q3 (8) una seal pulsante de 625 Hz. Contador modo 10
`Cp1 11
Vcc (+5 volt) 14
`Cp0 10 10 KHz 12 13
74LS293
9 Q0 Salidas
Q3 Q2 Q1
MR1 MR2 10Khz/10=1 KHz Para este caso necesito 4 FF (24>10) por lo que debo habilitar el FF0 mediante la conexin de Q0 con `Cp1. Cuando la cuenta llega a 10 se deben resetear todos los FF entonces se deben colocar las entradas MR1 y MR2 en nivel alto; esto se logra con la conexin de estas entradas a las salidas Q1 y Q3 que pasan al valor alto cuando la cuenta llega a 10. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------Contador modo 14
`Cp1 11
Vcc (+5 volt) 14
`Cp0 10 10 KHz 12 13
74LS293
9 Q0 Salidas
Q3 Q2 Q1
MR1 MR2 10Khz/14=714 Hz AND externa Tambin en este caso necesito 4 FF. Conecto entonces `Cp1 con Q0. Para que cuente hasta 14 debo activar en valor alto (1) MR1 y MR2 cuando la cuenta llegue a este valor. Aprovecho entonces el nivel alto de Q3 conectndolo a MR2 y Q1 y Q2, a travs de una compuerta externa NAND para conectar a MR1 Contador modo 50 (divisor por 50) Vcc(+5 volt)
+Vcc 14 `Cp1 11 74LS293
+Vcc 14 `Cp1 11
`Cp0 10
1 modo 10
4 5 9
`Cp0 10
74LS293
2 modo 5
4 5 9 Q0
12
13
12
Q3 Q2 Q1 Q0
13
Q3 Q2 Q1
f ent.(50 c/seg.)
f = 1 c/seg.
Este contador lo puedo realizar con 2 circuitos integrados 74 LS 293; uno que cuente en modo 10 (unidades) seguido de otro en modo 5 (decenas). El primer contador cuenta hasta 10 y retorna a cero (reset); el segundo contador cuenta hasta 5 (los 5 reset del n 1) contando las decenas del 1 contador. Cuando la cuenta llega a 50, ambos contadores pasan a cero (reset). Por lo tanto si quisiramos obtener una salida de 1 Hz, podemos obtener como frecuencia de entrada la de la alimentacin ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 5-4- Sistemas lgicos digitales secuenciales. ------------------------------------------------------------------------------------------------------de energa de 50 Hz (previamente convertida a onda cuadrada, por ejemplo con un comparador Smhitt). El primer contador necesita 4 FF; se conecta entonces `Cp1 con Q0. El segundo contador necesita 3 FF por lo que se descarta el FF0; los pulsos ingresan por `Cp1. Contadores sincrnicos (en paralelo) La velocidad de conteo de un contador asincrnico esta limitada por el tiempo de propagacin, siendo este ultimo el tiempo requerido en el contador para completar su respuesta a un impulso de entrada. El mayor tiempo de propagacin se va a dar cuando todos los FF pasen al estado uno (1) en la salida Q. Este tiempo puede ser mayor que el periodo de los impulsos de entrada a ser contados, lo cual que el conteo no sea correcto. Esto limita la frecuencia mxima de conteo de los contadores asincrnicos. Para aumentar esta frecuencia de conteo, se utilizan los contadores sincrnicos o en paralelo, en los cuales todos los FF se disparan simultneamente (en paralelo) mediante los pulsos de entrada a ser contados. Como los pulsos llegan a todos los FF, se utiliza un circuito lgico para determinar cual de los FF debe cambiar segn vaya avanzando la cuenta. Veamos el circuito para un contador sincrnico de 4 bits:
Como vemos el contador esta compuesto por 4 FF sincrnicos con lgica de control T (J=K=T). Si T=0 el FF no cambia su salida cuando llega el impulso reloj. (pulso a ser contado). Cuando T=1 la salida Q del FF se complementa (cambia) con cada pulso reloj. Q0 cambia con cada pulso. T0= 1 (siempre) Q1 cambia si Q0 = 1 T1= Q0 Q2 cambia si Q0=Q1 =1 T2=Q0.Q1 Q3 cambia si Q0=Q1=Q2=1 T3 = Q0.Q1.Q2.Q3 Contadores en circuitos integrados comerciales Contadores sincrnicos de decenas: 74ALS160/162 (TTL) 74HC160/162 (CMOS) Contadores sincrnicos MOD-16 : 74ALS161/163 (TTL 74HC161/163 (CMOS)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------MEMORIAS SEMICONDUCTORAS INTRODUCCION: Una de las ventajas ms importantes de los sistemas desarrollados con tcnicas digitales, respecto a los sistemas analgicos, es la posibilidad para almacenar grandes cantidades de informacin y datos digitales, tanto durante periodos largos o cortos. Esta capacidad de memoria, hace que los sistemas digitales sean tan verstiles y adaptables a muchas aplicaciones. Los sistemas de proceso sncrono programable, denominados comnmente computadoras, disponen de una memoria interna, denominada principal que almacena instrucciones y datos que le dicen que hacer ante determinada circunstancias de modo de hacer el trabajo especifico, con una participacin mnima de intervencin humana. Este capitulo lo dedicaremos al estudio de los tipos de dispositivos y sistemas de memorias semiconductoras de uso mas difundido. En el capitulo anterior hemos estudiado una memoria bsica como lo es el Flip Flop y su uso en los llamados registros que permiten almacenar informacin y transferirla a otra ubicacin en forma paralela o serie. Los registros realizados con FF, son elementos de alta velocidad que se usan ampliamente en las operaciones internas de una computadora digital, donde la informacin se mueve de manera continua de una ubicacin a otra. Los avances en la tecnologa de circuitos integrados LSI y VLSI, han posibilitado obtener gran cantidad de FF en un solo encapsulado, configurado en varios formatos de matriz de memoria. Estas memorias semiconductoras, con transistores bipolares y de efecto de campo (MOS), son los dispositivos de memoria ms rpido disponibles y su costo ha disminuido constantemente a medida que a mejorado la tecnologa de los circuitos integrados. La informacin digital, tambin es posible almacenarla como cargas electrostticas en capacitores. Este principio se aplica en una muy importante memoria semiconductora como lo son las Ram dinmicas que permiten un almacenamiento de alta densidad con bajo consumo. Sistema de proceso sncrono programable (computadora)
Unidad aritmtica y lgica
Unidad de control
Memoria principal (Semiconductor)
Procesador central o microprocesador (CPU)
Memoria auxiliar masiva (disco rgido, cinta, Disco, etc.)
_______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El esquema anterior muestra un sistema de proceso sncrono programable (computadora), donde se muestra tres bloques diferenciados: la unidad aritmtica y lgica, la unidad de control y la memoria principal. Las memorias semiconductoras, se usan en la memoria principal de las computadoras, donde es importante tener una operacin rpida. Esta memoria, denominada tambin memoria de trabajo, esta en comunicacin constante con la unidad central de procesamiento (UCP) mientras ejecuta un programa de instrucciones. El programa y los datos empleados, residen en la memoria principal. La memoria principal, esta compuesta por una memoria voltil (RAM) y una memoria permanente (ROM). Mas adelante, definiremos con precision, estos ltimos conceptos. Los bloques formados por la unidad aritmtica y lgica y la unidad de control se denomina Unidad central de procesamiento (CPU) y cuando estn incluidos en una sola pastilla de circuito integrado, se le denomina Microprocesador. Las computadoras, adems de la memoria principal, tienen una memoria auxiliar,(fuera de la computadora) denominada de almacenamiento masivo, que tiene la capacidad de almacenar grandes cantidades de datos y diferentes programas, sin necesidad de consumo elctrico. La memoria auxiliar opera a una velocidad mucho menor que la principal almacenando programas y datos que en ese momento no utiliza la UCP. Esta informacin se transfiere a la memoria principal cuando la computadora la necesita. Algunos de estos dispositivos de memoria auxiliar comunes son el disco magntico (rgido, diskette) cinta magntica, disco compacto (CD, DVD) y Pen Drive(memoria semiconductora). TERMINOLOGA BASICA EMPLEADA EN LAS DIFERENTES MEMORIAS Celda de memoria Es un dispositivo o circuito elctrico capaz de almacenar un solo bit (0 o 1). Ejemplos de celdas de memoria incluyen un Flip Flop, un capacitor cargado, y un solo punto en una cinta magntica o en un disco. Palabra de memoria Se define como un grupo de bits en una memoria que representa instrucciones o datos de algn tipo. Por ejemplo un registro formado por 8 FF se puede considerar como una memoria que esta almacenando una palabra de 8 bits. Los tamaos de la palabra en las computadoras modernas por lo comn varan de 4 a 64 bits, dependiendo del tamao de la computadora. Denominacin de las agrupaciones de bits 1 nyble 1 byte = agrupacin de 4 bits = agrupacin de 8 bits
En Gral., cuando se habla de palabra (Word) de memoria o longitud de palabra de una computadora, se hace referencia a la mxima cantidad de bytes (o de bits) que la unidad central de proceso (UCP) puede leer o escribir en cada acceso a la memoria principal. La empresa INTEL define para sus microprocesadores: Palabra 2 bytes = 16 bits (Word) _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Palabra larga 4 bytes = 32 bits (doble Word) En Gral. para todos: 1024 bytes = 1 kbyte (1 kb) = 8.192 bits. = 1.048.576 bytes = 1024x1024x1024 bytes = 1024x1024x1024x1024 bytes
1 Mbytes (1MB)
= 1024 Kbytes
1 gbyte (1 GB) = 1024 mbyte 1 tbyte (1TB) = 1024 gbyte
Capacidad de memoria Es la forma de especificar cuantos bits se pueden almacenar en un dispositivo especfico de memoria o sistema de memoria completo. Por ejemplo una memoria que puede almacenar 1024 palabras de 14 bits, es una memoria con una capacidad de 14.336 bits. El nmero de palabras en una memoria, a menudo es un mltiplo de 1024. De all que es comn emplear la designacin 1K para representar 1024 = 210 cuando se refiere a la capacidad de memoria. Para el caso anterior, entonces podemos decir que es una memoria de 1Kx 14 significando que es una memoria de 1024 x 14 bits. Para capacidades de memorias mayores se emplea 1M o 1 mega para representar 1.048.576 = 220. Esto significa que una memoria de 2M x 8 tiene una capacidad de 1.048.576 x 8 bits. De la misma manera se designa 1 giga = 230 = 1.073.741.824. Densidad Es otro trmino que se designa para la capacidad de memoria. Por ejemplo si decimos que un dispositivo tiene mayor densidad que otro, significa que puede almacenar mas bits en la misma cantidad de espacio.
Direccionamiento de la memoria Es un nmero binario que identifica la ubicacin de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada en un dispositivo o sistema de memoria tiene una direccin nica. Generalmente el nmero binario de dicha direccin, normalmente se expresa en el sistema binario natural, octal, hexadecimal o decimal. El siguiente ejemplo ilustra las direcciones de una memoria en los distintos sistemas para direcciones de hasta 4 bits: Direcc. Binario natural 0000 0001 0010 0011 0100 0101 0110 0111 Direcc. Direcc. octal Hexadecimal 00 0 01 1 02 2 03 3 04 4 05 5 06 6 07 7 Palabras Memorizadas Palabra 0 Palabra 1 Palabra 2 Palabra 3 Palabra 4 Palabra 5 Palabra 6 Palabra 7 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------1000 10 8 Palabra 8 1001 11 9 Palabra 9 1010 12 A Palabra 10 1011 13 B Palabra 11 1100 14 C Palabra 12 1101 15 D Palabra 13 1110 16 E Palabra 14 1111 17 F Palabra 15 Operacin de lectura Es la operacin mediante la cual la palabra binaria almacenada en una ubicacin fsica de memoria (direccin) se detecta y transfiere a otro dispositivo. Otro trmino similar al anterior es operacin de bsqueda. Operacin de escritura Es la operacin mediante la cual se coloca en la memoria una palabra nueva en una direccin especfica. Esta operacin tambin se denomina almacenamiento. Cuando una nueva palabra se escribe en una ubicacin de memoria, reemplaza a la palabra que previamente estaba almacenada all. Tiempo de acceso Es una medida de la velocidad de operacin de una computadora. Representa el tiempo para llevar a cabo una operacin de lectura o sea es el tiempo entre la recepcin en memoria de una nueva entrada de direccin y la disponibilidad de los datos en la salida. Clasificacin de las memorias semiconductoras Tenemos una gran variedad de memorias semiconductoras en la cual podemos realizar una clasificacin segn diversos parmetros como ser: Acceso a la informacin, forma de almacenamiento, tecnologa empleada en su construccin, velocidad de acceso, consumo, etc. En Gral., podemos decir que el objetivo comn en todas ellas es una alta velocidad de acceso a la informacin, poco consumo, posibilidad de almacenar gran cantidad de datos en forma transitoria o permanente y precio bajo o accesible. M E M O R I A S S E M I C.
Bipolar Acceso aleatorio RAM (Lectura y escritura) Esttica
MOS
MOS Dinmica
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Bipolar MOS M E M O R I A S S E M I C O N D U C T O R A S Contenido permanente ROM (acceso aleatorio, solo lectura) No programable ROM Programables Programables una vez PROM (OTP) Bipolar MOS
Programables varias veces RPROM (MOS)
EPROM
EEPROM
FLASH
Bipolar MOS Acceso secuencial serie SAM Lectura y escritura Registro de desplazamiento FIFO (MOS) LIFO (MOS) Asociativas CAM Lectura y escritura, direccionable por contenido
Memoria voltil Se designa a cualquier memoria que requiere la aplicacin de la tension de alimentacin Elctrica para almacenar informacin. Si se interrumpe el suministro elctrico, la informacin almacenada se pierde. Muchas memorias semiconductoras son voltiles en cambio las memorias magnticas (disco rgido, disco 3 ) no son voltiles, es decir no se pierde la informacin con la interrupcin del suministro elctrico. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Memoria principal Tambin se la designa memoria de trabajo de la computadora. Almacena instrucciones y datos con lo que la UCP trabaja en el momento. Es la memoria de mayor velocidad y siempre es una memoria semiconductora.
Memoria auxiliar Tambin se la denomina memoria de almacenamiento masivo porque almacena grandes cantidades de informacin fuera de la memoria principal. Su velocidad de acceso es menor a la principal y siempre es no voltil. Los discos magnticos (rgido) y los discos compactos son dispositivos de memoria auxiliar comunes.
Memoria de lectura y escritura (RWM) Se denomina a cualquier memoria de la que se puede leer o escribir con la misma facilidad Memorias de acceso aleatorio (RAM) Se la definen a aquellas memorias donde el tiempo de lectura o escritura es el mismo, independientemente de la posicin de la informacin, dentro de la memoria. Son memorias RWM. Memorias RAM estticas (SRAM) Estas memorias se caracterizan por el hecho de que se pierde la informacin contenida cuando se quita la fuente de alimentacin elctrica (memoria voltil). Son RWM. Estn implementadas mediante FLIP FLOP. Son ms rpidas que las memorias dinmicas. (Si una DRAM tiene un tiempo de acceso de 60 nseg., una esttica, SRAM, tiene 20nseg.) No se las utiliza en la memoria principal de los computadores por su costo por ser de menor densidad o capacidad por chips. Se las utiliza en la memoria Cache del computador. Memorias RAM dinmicas (DRAM) Son similares a las anteriores con la diferencia que la informacin queda almacenada por la carga de un capacitor. Aun con la tension de alimentacin conectada, necesita peridicamente una tension de refresco para evitar que dicho capacitor se descargue. (se aprovecha como capacitor la capacidad parasita entra la puerta y canal de un MOS). Cuando se quita la tension de alimentacin, lo mismo que las RAM estticas, la informacin contenida se pierde (memoria voltil). Son RWM y se las utiliza en la memoria principal del computador. Estas memorias tienen a su vez varias subclases de DRAM: EDORAM (extended Data Out RAM) o Burst mode RAM o Fast Page Mode (FPM RAM): provee una respuesta ms veloz que una DRAM cuando los datos corresponden a direcciones sucesivas de memoria. SDRAM (Sychronous DRAM): DRAM sincrnica rpida, que funciona en sincronismo con los pulsos reloj de la UCP. As, cada dato ledo llega a la UCP en sincronismo con un pulso reloj. Una DRAM comn es asincrnica: en el momento que pone un dato en las lneas de datos, activa una lnea que va a la UCP. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CDRAM (Cached DRAM) o EDRAM (Enhanced RAM) : Es una DRAM que en su chip incorpora una pequea SRAM que se usa para cache, resultando un conjunto de gran velocidad. RDRAM (Rambus DRAM) : Los chips estn diseados para minimizar los problemas de retardo en la transmisin elctrica de seales binarias, obtenindose as una mayor velocidad de respuesta. DRAM de video: Los chips de memoria VRAM (video RAM) forman parte de la memoria principal, pero estn en la plaqueta de video. Guardan la informacin que sale hacia la pantalla. Estos chips tienen casi el doble de patas que los de cualquier RAM. Esto se debe a que una VRAM tiene un bus de direcciones y datos para ser escritos por la UCP, y otro bus para direcciones y datos para ser ledos por los circuitos de la plaqueta de video, que manejan el monitor. Por eso se dice que la VRAM es una memoria de dos puertas dado que simultneamente que es escrita por la UCP, puede ser leda por los circuitos de la plaqueta. Tambin existen EDOVRAM, SVRAM y CVRAM semejantes a las subclases DRAM antes citadas. Otras RAM para las plaquetas de video son : La WRAM (Windows RAM) que acelera la generacin de grficos, dado que ha sido pensada para anticipar las operaciones tpicas que se realizan en video; y la 3D RAM, especialmente creadas para manejar grficos en tres dimensiones; estas memorias contienen varias UAL en su interior.
Memorias de solo lectura o contenido permanente (ROM) Una clase extensa de memorias semiconductoras estn diseadas en aplicaciones donde la relacin de operaciones de lectura a las operaciones de escritura es muy alta. En trminos tcnicos en una ROM (read only memory) se puede escribir una sola vez, operacin que por lo general se hace en la fabrica del dispositivo (ROM con mascara).
Memorias PROM (programable read only memory) Son memorias donde su contenido se mantiene inalterable al quitar el suministro elctrico, con la diferencia que salen de fabrica virgen, con la posibilidad de que el usuario las programe una sola vez (OTP). Memorias RPROM (Reprogrammable read only memory) Esta memorias construidas con tecnologa MOS, permiten ser programadas varias veces por el usuario, sin ser destructivo el proceso. Tenemos varios tipos de memorias RPROM.
Memorias EPROM Son memorias RPROM, en las cuales la grabacin se realiza en forma elctrica, mediante un programa de computacin (software) y un circuito especial (hardware). Para el borrado y posterior regrabado, se le aplica radiacin ultravioleta, mediante una ventana de acceso al integrado. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
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Memorias EEPROM y FLASH Son memorias RPROM con la posibilidad de grabarlas y borrarlas elctricamente, varias veces, mediante un programa de computacin (mediante una PC) y circuito especial.
Memorias de acceso secuencial (SAM) Es un tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que varia dependiendo de la direccin de memoria. Determinada palabra almacenada se encuentra por sucesin a travs de todas las ubicaciones de direcciones hasta que se encuentra la direccin deseada. Esto produce tiempos de acceso mucho mayores que las memorias de acceso aleatorio. Un ejemplo equivalente de este tipo de memoria seria el casette de audio, donde para escuchar un determinado tema, debemos rebobinar la cinta hasta encontrarlo; en este caso el tiempo de seleccin, depende de la ubicacin del tema de audio, en el interior de la cinta. Como contraparte, un ejemplo de acceso aleatorio, seria el de un CD de audio, donde se puede seleccionar rpidamente y prcticamente en igual tiempo, cualquier meloda ( al introducir el cdigo apropiado). Son indicadas en aplicaciones en las que se necesite leer y escribir parte o el contenido total de la memoria, en forma secuencial y por orden de situacin o direccin de memoria. De esta manera el tiempo para leer o grabar una posicin, depende de la ubicacin fsica en el interior de la memoria. Ejemplo de este tipo de memoria, es la memoria de video que debe dar salida a su contenido en el mismo orden una y otra vez para mantener la imagen regenerada en la pantalla de CRT o LSD. Registros de desplazamiento Son memorias de acceso serie en los que en cada orden externa de lectura o escritura, desplaza la informacin una posicin en el interior de la misma (la orden externa esta dada por impulsos reloj). Memorias FIFO Son memorias de acceso serie en los que la primera informacin que ingresa y se almacena, es la primera en salir (First Infirst Out). Memorias LIFO Son memorias de acceso serie en donde la informacin que ingreso en la ltima escritura, es la primera que sale en una operacin de lectura (Last Infirst Out). Esta memoria tambin se le denomina memoria PILA.
Memorias asociativas Esta memorias son indicadas para aplicaciones en las que se necesite saber si una informacin esta o no esta contenida, sin necesidad de leer y sin saber en que posicin se halla. Cuando se presenta el dato, la memoria contesta si ese dato esta all o no y si esta, la direccin en que se encuentra. Estas memorias se conocen como asociativas o memorias direccionales por su contenido (CAM). _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
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Memoria Cache (memoria oculta) La memoria cache o ante memoria de una computadora es una pequea memoria rpida SRAM, ubicada entre la UCP y la memoria principal DRAM, que sirve para simular una memoria principal con un tiempo de acceso semejante al de la SRAM. Por ejemplo si tenemos una memoria principal DRAM de capacidad 4 MB y 60 nseg de acceso y si se tiene un cache SRAM de 32 KB y 30 nsg. de acceso, el conjunto, puede simular, frente a la UCP, una memoria principal de 4 MB con tiempo de acceso de 30 nseg. Del conjunto de instrucciones de un programa y los datos a procesar que estn en memoria principal, la memoria cache contendr una copia de las prximas instrucciones que probablemente ejecutara la UCP, y los datos que estas ordenan procesar. Esta informacin, es mayormente la que fue accedida recientemente, pues la estadstica indica que es la que con mayor probabilidad ser accedida una y otra vez. De este modo la UCP leer del cache instrucciones y datos mas rpidamente que de la memoria principal sin necesidad de acceder a ella. Un subsistema circuital denominado controlador de cache asegura que lo anterior se cumplir, en mas del 90 % de los accesos (depende del programa ejecutado), o sea que la UCP solo acceder la memoria principal en un 10 % de todos los accesos requeridos. Este porcentaje se logra, almacenando con anticipacin en el cache, instrucciones y datos que la UCP solicitara prximamente.
CONEXIONES Y OPERACION GENERAL DE LA MEMORIA Si bien cada tipo de memoria es diferente en su operacin interna, presentan similitudes, respecto a sus conexiones y principios bsicos de operacin de los mismos, para todos los sistemas de memoria. Las memorias, requieren de terminales de entrada y salida para realizar las siguientes funciones: 1) Seleccionar la direccin en memoria a la que se tiene acceso para una operacin de lectura o escritura. 2) Seleccionar una operacin de lectura o escritura para su ejecucin. 3) Suministrar los datos de entrada que se almacenaran en la memoria durante una operacin de escritura. 4 Retener los datos de salida que provienen de la memoria durante una operacin de lectura. 5) Habilitar o deshabilitar la memoria de modo que responda o no a las entradas de direccin y al comando de lectura-escritura.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la siguiente figura, se ilustran estas funciones bsicas en un diagrama simplificado de una memoria de 32 x 4 que almacena 32 palabras de cuatro bits : Entrada de datos
I3 A4 A3 Entrada de direcciones A2 A1 A0 Q3
I2
I1
I0
---____
R/W Memoria 32 x 4 ME
Comando de Escritura-lectura
Habilitacin de la memoria
Q2
Q1
Q0
Salida de datos
Entrada y salida de datos Como el tamao de la palabra es de cuatro bits, hay cuatro lneas de entrada de datos, I0 I1 I2 I3 y cuatro lneas de salida de datos Q0 Q1 Q2 Q3. Durante una operacin de escritura, los datos que se almacenan en memoria, se deben aplicar a las lneas de entrada de datos. Durante una operacin de lectura, la palabra que se lee de la memoria aparece en las lneas de salida de datos. Cabe aclarar que en casi todas las memorias de lectura-escritura (RWM), los terminales de entrada y salida de datos, son los mismos (salvo en las memorias DRAM de video).
Entradas de direccin Como esta memoria almacena 32 palabras, tiene entonces 32 ubicaciones de almacenamiento diferentes que cuyas direcciones, en el sistema binario natural, varan desde el 00000 hasta el 11111 (de 0 a 31 en decimal). Por ello necesitamos cinco lneas de direccin de A0 a A4. Para tener acceso a una de las ubicaciones de memoria, en una operacin de lectura o escritura, se debe aplicar el cdigo de direccin de 5 bits para esa ubicacin en particular, en las entradas de direccin. En Gral., se deben disponer de N entradas de direccin, para una memoria que tenga una capacidad de 2N palabras. En Gral., las memorias estn organizadas en bits o en palabras de 2, 4,4,16,32,etc., bits Por ejemplo, una memoria de 32x1 guarda 32 bit y se direcciona con N=5, dado que 2N= 32. Una memoria de 32 x 4 tambin se direcciona con N=5 , pero en este caso estamos seleccionando grupos de 4 bits1 nyble, con una capacidad de almacenamiento total de 32x4 = 128 bits. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 10
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Una memoria de 1K x 8 es una memoria que guarda 1024 palabras de 8 bits (1 byte) y se selecciona con N=10 lneas de direccin, dado que 210=1024. Esta memoria guarda en su interior 1024 x 8 = 8192 bits. Una memoria de 64 Kbytes, guarda 64 x 1024 bytes = 65.536 bytes, se direcciona con N=16 lneas de direccin, dado que 216=65.536; en este caso se seleccionan palabras de 1 byte. Una memoria de 64 Kbits , guarda 64 x 1024 = 65.536 bits y se direcciona con N=16, dado que 216=65.536; en este caso , seleccionamos bits. La memoria de dibujo anterior, se puede visualizar como una configuracin de 32 registros, donde cada uno de ellos puede retener una palabra de cuatro bits, como mostraremos en la prxima figura. En la misma se observa que para cada direccin, le corresponden cuatro celdas de memoria, las cuales retienen unos y ceros que constituyen la palabra de datos almacenada en esa ubicacin. Por ejemplo en la direccin 00001, esta almacenada la palabra 1010. En la direccin 0011, la palabra 1111, y as sucesivamente en las otras direcciones.
Direccin
Celdas de memoria
00000 00001 00011 00100 00101 00110
1 1 1 0 0 0
0 0 1 0 1 0
1 1 1 0 1 1
1 0 1 1 1 1
11110 11111
La entrada R /W Esta entrada controla cual operacin se llevara a cabo en la memoria: lectura (R) o escritura (W). La barra sobre W indica que para escribir la memoria, debemos aplicar a esta entrada un cero. Al no tener barra R significa que para leer la memoria, debemos aplicar un uno __ R /W = 1 se escribe la memoria __ R /W = 0 se lee la memoria
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tambin se suele denominar a esta entrada de otras formas como W y WE interpretndose que con un cero se escribe la memoria y un uno (tension alta) se lee.
Habilitacin de la memoria Muchos sistemas de memoria tienen una entrada para habilitar o deshabilitar por completo o parte de la memoria. Esta entrada se indica con de diversas maneras como habilitacin del chips CE o seleccin del chips CS. En ambos casos, al no tener barra la etiqueta, se interpreta que para la habilitacin, debemos colocar en este terminal un nivel alto de tension (1). Este tipo de entrada es til cuando varios mdulos de memoria se combinan para formar una memoria mayor o banco de memoria.
MEMORIAS RAM ESTATICAS Con la finalidad de interpretar la arquitectura interna de una memoria RAM esttica y comprender como los distintos terminales de la memoria realizan las funciones comentadas, desarrollaremos los circuitos bsicos de la memoria. Para ello, utilizaremos las compuertas lgicas combinacionales y dispositivos lgicos secuenciales, aprendidos hasta el presente. Memoria de 1 X 1 Esta memoria bsica solamente puede guardar un bit (un cero o un uno). La entrada de datos y la salida de datos, estn conectadas a una lnea comn que en el caso de las computadoras se llama bus de datos. La celda de memoria es un FF tipo D, de tal manera que el valor presente en D se transmite a Q recin cuando ingresa el pulso reloj Ck (en este caso en subida):
Para habilitar esta memoria, debemos hacer CE=1, que establece una de las condiciones para tener salida alta en A1 y A2. CE=0 deshabilita la memoria. Si queremos escribir la memoria, hacemos R/`W=0 ; de esta manera tenemos la 2 condicin de A1 y en la salida de A2 tenemos un cero, o sea T=0. Esta ultima condicin 12 _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------desactiva al buffer tri-state que separa (alta impedancia) la salida Q de la lnea de datos. Cuando ingresa el pulso reloj Ck, tenemos un pulso de salida en A1, entrada del pulso reloj de la celda de memoria tipo D; el dato presente en la entrada D, se transfiere entonces a Q, completndose la operacin. Como vemos esta memoria solamente puede guardar un dato o una palabra de solamente un bit (un cero o un uno). Para leer la memoria, hacemos R/`W=1; de esta manera habilitamos el buffer tri-state lo cual conecta (baja impedancia) la salida Q de la celda de memoria a la lnea de datos. Por otra parte la compuerta A1 queda inhabilitada, no pudiendo ingresar el pulso de sincronismo en Ck, lo cual hace que no pueda ser escrita. Algunas memorias tienen otra entrada OE permiso de lectura que acta como tercer entrada de la AND A2, de manera tal que para leer, habr que hacer adems del procedimiento anterior, OE=1. Memoria de 2 X 1 Esta memoria que vamos a desarrollar, permite guardar dos palabras de un Bit cada una de ellas (un cero o un uno)
Para habilitar todo el circuito, debemos hacer Cs=1, de esta manera, a travs de las compuertas ACs0 y ACs1 habilitamos la entrada de direcciones A. La entrada de direcciones puede tomar dos valores cero, para habilitar el FF0 o uno para habilitar el FF1. De esta manera podemos leer o escribir a FF0 o a FF1, mediante la entrada A.Por lo dems el funcionamiento para escritura o lectura, seleccionable por la entrada R/`W y el pulso de sincronismo, es similar al acaso anterior. A continuacin, vamos a desarrollar una memoria de mayor capacidad, como ser con una capacidad de cuatro palabras de dos bit cada una de ellas. Para este caso tendremos por lo menos dos lneas de direccin A0 y A1, de tal manera de tener cuatro combinaciones posibles de unos y ceros para seleccionar las palabras en el interior de la memoria
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Memoria de 4 X 2
La seleccin del circuito, se hace con Cs=1; de esta manera se establece una de las condiciones para habilitar las compuertas A. Las otras dos condiciones que le faltan, se determinan mediante el cdigo de direcciones A0 A1. Por ejemplo con Cs=1 A0=1 y A1 = 0, seleccionamos la columna de Flip Flop formada por FF2 y FF3. Estos dos FF seleccionados, me permitirn guardar o leer un dato de dos bits, presentados el la lneas de datos D0, D1. Respecto a la lnea R/`W y Ck, es similar que el primer caso. El circuito formado por las entradas de direccin A0 A1 y las compuertas AND, de cada columna de FF, resulta ser un circuito decodificador de columnas Memoria de 4 X 4 Para este caso el circuito es similar, con el agregado de dos FF mas por columna; de esta forma podremos almacenar cuatro palabras de cuatro bits. Estos dos FF por columna, debern conectarse ahora a dos lneas de datos nuevas D2 y D3 y a las salidas del decodificador de columna. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 14
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Memoria de 8 X 4 Utilizando dos bloques de memoria de 4 X 4 podemos almacenar 8 palabras de cuatro bits. Con las direcciones A0 y A1, direccionamos el interior de los bloques; con el agregado de una lnea mas de direcciones A2, conectada a la entrada Cs de cada bloque (uno de ellos previa conexin con una puerta inversora), seleccionamos la Memoria 0 o la memoria 1. De esta forma con tres lneas de direccin podemos almacenar 8 palabras de cuatro bit. D3 D2 D1 D0 Linea o bus de datos
MEMORIA0 4x4
MEMORIA1 4x4
A0 A1 Cs R/`W Ck
A0 A1 Cs R/`W Ck Lineas o bus de direcciones
A2 A1 A0 R/`W Ck
Mapa de los datos en memoria A2 0 0 0 0 1 1 1 1 A1 0 0 1 1 0 0 1 1 A0 0 1 0 1 0 1 0 1 UBICACION MEMORIA 0 MEMORIA 0 MEMORIA0 MEMORIA 0 MEMORIA 1 MEMORIA 1 MEMORIA 1 MEMORIA 1
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Organizacin interna de una RAM esttica de 64 X 4 __ 0= escritura Entrada de datos R/W 1= lectura D3 D2 D1 D0 Bferes de entrada E
Entradas de direcciones 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0 1 Decodifica dor de 6 lneas a 64 lneas 2
Registro 0 Registro 1 Registro 2 Seleccin de chip __ CS __ CS = 0 habilita todo el chip Para leer o escribir
62 63
Registro 62 Registro 63
Selecciona un registro
Bferes de salida E
Salida de datos
El esquema anterior, es una representacin ms real de las memorias RAM estticas, en donde las palabras de datos se guardan en registros que son identificados mediante un decodificador de 6 a 64 lneas. Estas memorias por lo Gral., vienen con capacidades de palabra de 1K, 4K, 128K y 1024K, con tamaos de palabra de 1, 4 u ocho bits. Si tomamos la de mayor tamao, en bytes (8), esta memoria tiene una capacidad: 1024 X 1024 = 1.048576 bytes = 8.388.608 bits (celdas de memoria). Operacin de lectura El cdigo de direccin elige un registro en el chip de memoria para lectura o escritura. Con el fin de leer el contenido del registro seleccionado, la entrada LECTURAESCRITURA (R/`W) = 1. Adems, la entrada de SELECCIN DE CHIP (`CS) debe estar activada (0). La combinacin de (R/`W) = 1 y `CS=0 habilita los bferes de salida, 16 _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------de modo que el contenido del registro seleccionado aparecer en las cuatro salida de datos. Asimismo R/`W deshabilita los bferes de entrada de manera que la entrada de datos no afectan la memoria durante la operacin de lectura. Operacin de escritura De la misma que en la operacin de lectura, mediante el cdigo de seleccin, presente en la entrada de direcciones, se elige el registro que va a ser escrito. La combinacin (R/`W) = 0 y `CS=0 hace que se habiliten los bferes de entrada de modo que la palabra de cuatro bits presente en la entrada de datos, se cargue en el registro seleccionado. La condicin (R/`W) = 0 tambin deshabilita los bferes de salida, que son triestados (Hi-Z), es decir quedan en un estado de alta impedancia, durante la operacin de escritura. Los datos anteriores que estaban guardados en el registro seleccionado, son reemplazados por los nuevos datos. Seleccin de chip La mayora de los chip de memoria tienen una o mas entradas de seleccin CS que se usan para habilitarlo o deshabilitarlo. En este ultimo modo, las entradas y salidas quedan en alta impedancia de modo que no se lo puede leer y escribir. La razn de tener varias entradas CS (algunos fabricantes la denominan CE) es a los efectos de formar bancos de memoria mayores. Los terminales de entrada y salida Con la finalidad de disminuir la cantidad de pines de un chip de memoria, los fabricantes combinan las funciones de entrada y salida usando pines comunes. La entrada R/`W es la encargada de controlar la funcin de estos pines de entrada/salida (E/S). En estos casos, la E/S del chip, se conecta al bus de datos bidireccional, o sea un bus donde los datos pasan de la UCP (unidad central de proceso de la computadora) a la memoria en una operacin de escritura o de la memoria a la UCP. En una operacin de lectura. Algunas memorias RAM tienen separados las entradas y salidas de datos; se les denomina RAM de puerto dual. Se usan en aplicaciones donde la velocidad es muy importante y los datos provienen de un dispositivo distinto al que va a la salida de datos, como por ejemplo la RAM de video de la PC. Esta RAM se debe leer repetidamente por medio de la tarjeta de video para refrescar o regenerar la pantalla, y modificarla de manera constante con nueva informacin actualizada del bus de sistema. Sincronizacin de la RAM esttica Estas memorias con mucha frecuencia son utilizadas como memoria interna de las computadoras. En este caso la CPU realiza de manera continua operaciones de lectura y escritura en esta memoria, con gran velocidad. De all que la memoria debe responder rpidamente a estas operaciones (tiempo de acceso bajo). No todas las RAM estticas tienen las mismas caractersticas de sincronizacin pero la mayora son similares. La sincronizacin fundamentalmente la establece la CPU, cuando por ejemplo comienza un ciclo de lectura o de escritura. En estos casos la primera de las seales que se enva a la memoria, son las direcciones para seleccionar los registros (palabras). La entrada R/`W, normalmente esta en un estado alto, lo que hace que la memoria este en un estado de alta impedancia. Si va a realizar un ciclo de lectura, R/`W permanece en alto y paso seguido se activa la entrada `CS al estado bajo, lo que hace que los bferes de salida queden habilitados (baja impedancia) y los de _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 17
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------entrada, en estado de alta impedancia. A partir de este momento las datos del registro seleccionado se transfieren al bus de datos de la CPU siendo decepcionados por esta ultima; finalmente la CPU lleva la Seal `CS al estado alto, cerrndose el ciclo de lectura. Para el ciclo de escritura, el procedimiento es similar con la diferencia, que establecida las direcciones donde se va a guardar el dato, paso seguido las seales R/`W y `CS pasan al estado bajo, se establece entonces la baja impedancia de los bferes de entrada, momento que la CPU enva los datos por el bus de datos, y como el chip esta seleccionado, se guardan en el registro indicado por el cdigo de direcciones. Paso seguido la CPU pasa a R/`W y `CS al estado alto , cerrndose el ciclo de escritura de la memoria, en sincronismo con la CPU. Celdas de memoria de las RAM estticas Las celdas de memoria de la RAM esttica, como dijimos son Flip Flop (biestables) que permanecern en un estado especfico, almacenando un bit (0 o 1) indefinidamente, con la condicin que no se interrumpa el suministro elctrico de la memoria. Las RAM estticas (SRAM), se fabrican con tecnologas bipolares, MOS y Bichos. En las mayoras de las aplicaciones se usan RAM NMOS o CMOS. La tecnologa bipolar tiene mayor velocidad pero poca capacidad y mayor consumo. La tecnologa MOS de canal N (NMOS) tiene mayor capacidad y menor consumo. La tecnologa CMOS (MOS complementarios) tiene bajo consumo pero mayor complejidad del circuito. En la prxima figura, se muestra el circuito de una celda de memoria con tecnologa bipolar y otra con tecnologa NMOS
La celda bsica de memoria CMOS es similar a la celda NMOS donde se reemplaza los transistores Q3 y Q4 por transistores PMOS. A continuacin, pasaremos a describir algunas memorias Ram estticas reales.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Memoria RAM esttica MCM 6810
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
GND D0
+5 V A0
24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
RAM MCM6810 128 x 8 D7 CS0 `CS1 `CS2 A6 R/`W `CS5 `CS4 CS3
El circuito integrado MCM6810 es una memoria RAM de lectura / escritura, esttica, compatible con TTL y con estado de alta impedancia (tri-state). Esta fabricada en tecnologa NMOS, almacena 128 palabras de 8 bits (128 bytes). El chips, tiene 24 pines. Los pines 2 al 9 (D0 al D7) corresponden a las lneas de datos que se conectan al bus de datos de la UCP de una computadora. Los pines 17 al 23 (A6 al A0 ) corresponden a las lneas de direccin interna de la memoria, atizadas para seleccionar una palabra (1 byte) en el integradazo elegido. Si el sistema incluye mas de una memoria, se conectan todas las lneas A0 en paralelo con la lnea de la UCP, todas las lneas A1de los integrados con la lnea A1 de la UCP y as sucesivamente. Este circuito de memoria tiene adems seis lneas de seleccin de integrado de modo que pueda seleccionarse solo un integrado a la vez. La seleccin de un integrado requiere un 0 lgico en cuatro de sus entradas y un 1 lgico en las otras dos. (es una memoria de la dcada del 70/80) Memoria RAM esttica MCM6264C Esta memoria es mas reciente que la anterior fabricada en tecnologa CMOS con una capacidad de 8 K x 8 es decir puede almacenar 8 x 1024 = 8192 palabras de un byte. Tiene tiempos de ciclo de lectura y escritura de 12 nseg., y un consumo de potencia en modo de espera de solo 100 mw. Por la capacidad de almacenamiento, tiene 13 lneas de entradas de direccin ( 213= 8192=8K) y ocho lneas de datos. Tiene cuatro entradas de control que determinan el modo de operacin del dispositivo de acuerdo con la tabla que se adjunta ms adelante. La entrada de lectura escritura esta simbolizada como `WE R/`W. Con un cero en esta entrada se escribirn los datos en la RAM, siempre y cuando este seleccionado el dispositivo. Con un 1 lgico en `WE se procede a leer la memoria con la condicin que este seleccionado el chips y habilitados los bferes de salida, mediante ÒE=0. La seleccin del integrado se logra con los terminales `CS1 y CS2, ambos deben ser activos, es decir deben estar presentes con `CS1=0 y CS2=1. _______________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 19
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Estas memorias, estn disponibles a travs de varios fabricantes con iguales capacidades pero diferentes especificaciones. No obstante a travs de las normas de la industria JEDEC, se han normalizados la ubicacin de las funciones de los pines, de manera tal de permitir la nter cambiabilidad entre los dispositivos de memoria. Mostramos a continuacin el smbolo de la memoria descripta y la tabla de los modos de funcionamiento:
A12 A11 A1 A0 `WE `CS1 CS2 ÒE
SRAM 8K x 8 MCM 6264C &
E/S7 E/S6 E/S5 E/S4 E/S3 E/S2 E/S1 E/S0
Modo Lectura Escritura Deshabilit. salida No selec(Apagado)
`WE `CS1 CS2 ÒE Pines E/S 1 0 1 0 Datossal Datosent 1 X X 1 Alta Z X X 1 X X 0 X X
RAM DINAMICA (DRAM) Estas memorias se fabrican con tecnologa MOS con alta capacidad, baja potencia y velocidad de operacin media. Los bits unos y ceros se almacenan como cargas electrostticas en un capacitor MOS pequeo (algunos pico faradios). Dado que estos capacitores presentan fugas, requieren peridicamente ser recargados, operacin denominada regeneracin o refresco. El los chips DRAM modernos, el periodo de regeneracin, oscila entre 2, 4 o 8 ms, caso contrario, los datos almacenados se pierden. Esta es una desventaja frente a las SRAM dado que las DRAM requieren una circuiteria de control externa o interna, adicional. Esto hace que el diseo con estas memorias y su uso sea ms complejo que con SRAM. Sin embargo sus capacidades mucho mayores y consumo menor de potencia la hacen preferibles en sistemas donde se prioriza, consumo, tamao y precio. En aplicaciones donde sea importante la velocidad, complejidad menor y baja capacidad, sin importar el precio y consumo, son preferibles las SRAM. Por ejemplo en el caso de los microprocesadores y microcontroladores dedicados al control de electrodomsticos o automatismos de mediana complejidad, son ms ventajosas las SRAM. Tambin en los instrumentos electrnicos de medicin como ser el osciloscopio de almacenamiento digital y los analizadores lgicos, donde prima la alta velocidad, son convenientes las memorias SRAM. En cambio, en la memoria principal interna de la mayora de las microcomputadoras personales (PCs) se usa DRAM debido a su alta capacidad y bajo consumo de potencia. Sin embargo, en estas computadoras algunas veces se usan pequeas cantidades de SRAM para funciones que requieren mxima velocidad, como graficas de video, tablas de consulta y memoria Cache.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Estructura y operacin de la memoria RAM dinmica Entrada de direcciones de columnas Entrada de direcciones de filas
A7 A8 A9 A10 A11 A12 A13
Decodificador de columnas de 1 de 128
Selecciona 1 de 128 columnas
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Decodificador de filas 1 de 128
Celda de memoria
Selecciona 1 de 128 filas La arquitectura interna de una RAM, se puede observar como una matriz de celdas de un solo bit. Para el caso ilustrado, tenemos 16.384 celdas de memoria, configurada en una matriz de 128 x 128. Cada celda ocupa una nica fila y columna. Por lo tanto se necesitan 14 lneas de direccin para seleccionar las celdas ( 214= 16.384); 7 lneas de direccin para seleccionar 1 de 128 filas y 7 lneas de direccin para seleccionar 1 de 128 columnas. Esta memoria DRAM, es de 16 K x1. Los chips DRAM en gran, estn disponibles con capacidades de hasta 64 Mbits. Se disponen con palabras de 1, cuatro y ocho bits. Celda de la memoria DRAM
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura anterior muestra la representacin simblica de una celda de memoria dinmica y su circuiteria asociada. (Esquema simplificado). Los interruptores SW1, SW2, SW3 y SW4 son MOSFETs que se controlan mediante varias salidas del decodificador de direcciones y por la seal R/`W. El capacitor, es la celda de almacenamiento de bits. Para escribir datos en la celda, las seales del decodificador de direcciones y de la lgica de lectura escritura cierran los interruptores SW1 y SW2, manteniendo abiertos SW3 y SW4. Esto conecta los datos de entrada a C. Un 1 lgico en la entrada de datos carga al capacitor y un cero lgico, lo descarga. Luego se abren los interruptores de modo que C se desconecta del resto del circuito. De manera ideal, C mantendra la carga indefinidamente, pero siempre tenemos fugas, a travs de los interruptores, de manera que C, gradualmente perder su carga. Para leer datos de la celda, se cierran los interruptores SW2, SW3 y SW4 y SW1 se mantiene abierto. Esto conecta el voltaje almacenado del capacitor al amplificador de deteccin. Este amplificador, compara el voltaje con un valor de referencia para determinar si es un cero (0) o uno (1) lgico, produciendo un voltaje de salida de +0 volt o +5 volt para la salida de datos. Esta salida de datos tambin esta conectada al capacitor ( a travs de SW4 y SW2 que estn cerrados) y regenera el voltaje del capacitor, recargndolo (con 1 lgico) o descargndolo (con 0 lgico). En otras palabras el bit de datos en una celda de memoria, se regenera o refresca, cada vez que es ledo. Mltiplexacin de las entradas de direcciones en la DRAM Con el objeto de reducir el numero de pines dedicados al direccionamiento, se multiplexan en el tiempo la direccin de fila y la de la columna, es decir se usan la mitad de lneas de direccin. Para el caso de nuestro ejemplo (memoria de 16K), solo necesitamos 7 lneas para direccionar las filas y las columnas de la matriz de la DRAM.
Direccin de filas y columnas 7
Habilitacin direccin de columna ___ CAS
Decodificador de columnas de 1 de 128
Decodificador de filas 1 de 128 Habilitacin direccion de fila
___ RAS 22
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA ING. ELECTRICA 5-5- Las memorias semiconductoras ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para determinar cuando se enva la direccin de fila por las 7 lneas comunes, existe una seal auxiliar RAS (Row Adress Strobe: habilitacin de la direccin de la fila) que se activa (con cero lgico). Otro tanto sucede con la seal CAS (Colum Adress Strobe: habilitacin direccin de la columna) que se activa (con cero lgico) cuando por las 7 lneas comunes se transfiere la direccin de la columna. En los ciclos normales de acceso a la memoria, se activa la seal `RAS, y controla la salida del multiplexor que se llena con la direccin de la fila que llega por el bus de direcciones. Mas tarde se activa `CAS que deja pasar por el multiplexor la direccin de la columna.
Diagrama de conexionado de una DRAM dinmica modelo 4164 de 64K x 1
No usada Entrada datos DIN __ Lec-escrit. R/W ___ Direcc.fila RAS A0 Lneas de direccin A2 A1 (+5V) Vcc
1 2 3 4 5 6 7 8 DRAM 4164 64K x 1
16 15 14 13 12 11 10 9
Vss (masa) ___ CAS direcc. Columna Dout salida datos A6 A3 A4 A5 A7 Lneas de direccin
Esta memoria presenta una matriz de celdas de 128 filas y 512 columnas. Utilizando el multiplexado de direcciones, esta DRAM de 64K x 1 se presenta en un encapsulado de 16 pines. Esta memoria consume 275 mw con tiempo de acceso de 200 ns. La seleccin del chips, cuando se la utiliza en un banco de memoria, se lo hace a travs de las seales `CAS y `RAS. Por su capacidad, esta memoria ha sido superada por otras de mejores prestaciones.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problemas a resolver para el capitulo 1

Problema n 1 Para el circuito de la figura siguiente, determinar la corriente y las cadas de tensin en las resistencias, expresando los resultados en las distintas unidades. Resaltar las unidades de tensin y corriente ms convenientes para el circuito. I
Problema n 2 Dadas las tensiones de alimentacin y las resistencias elctricas del siguiente circuito, calcular todas las corrientes y cadas de tensin, expresando los resultados en las unidades ms convenientes.
Problema n 3 En el circuito anterior, determinar la potencia suministrada por cada fuente de alimentacin y la potencia consumida por cada una de las resistencias elctricas, expresando los resultados en la unidad ms conveniente. Problema n 4
Para el circuito anterior, determinar: 1) la funcin de transferencia ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------2) La grafica de la funcin de transferencia 3) La funcin (tg ) de la pendiente de la curva de transferencia. Problema n 5 Para el circuito de la figura, determinar por el mtodo de superposicin, el valor de la tensin de salida vx para ix = 0, o sea para RL =
Problema n 6 Para el circuito del problema n 5, determinar por el mtodo de superposicin la corriente de salida de cortocircuito, o sea para RL = 0 (ix = isc). Problema n 7 Con los resultados de los problemas n 6 y 7 determinar: a) La ecuacin de la recta de carga del circuito. b) La grafica de la ecuacin de la recta de carga. c) El valor de la corriente y cada de tensin en la carga para RL= 1K, valores obtenidos en forma grafica y analtica. Problema n 8 Determinar la caracterstica VI para los terminales de salida del siguiente circuito lineal que posee fuentes dependientes, utilizando el mtodo de superposicin.
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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 9
Para el circuito de la figura, determinar por el mtodo de superposicin, la formula para calcular la tensin y resistencia equivalente de Millman (VM y RM). Problema n 10 Para el siguiente circuito, determinar el circuito equivalente de Thevenin, utilizando los tres mtodos propuestos en la teora
Problema n 11 Determinar en el puente desequilibrado de Wheastone, utilizando el mtodo de simplificacin de Thevenin, el valor de la tensin Vxx y la corriente circulante sobre RL.
Problema n 12
Vth Y Rth
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el circuito lineal con fuente de corriente dependiente, conectado a un elemento no lineal, determinar un circuito equivalente, empleando el mtodo de simplificacin de Thevenin, que permita encontrar los valores de VL y IL. Problema n 13 Resolver un circuito amplificador bsico con transistor bipolar aplicando el mtodo de simplificacin de Thevenin determinando los valores numricos de las corrientes y tensiones (ver teora)
Problema n 14 Para el circuito de la figura determinar: a) La tensin entre los bornes aa b) La corriente que circula entre los terminales aa cuando se los cortocircuita
Problema n 15 Utilizando el mtodo de superposicin y Thevenin, determinar la tensin entre los bornes aa.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 16 Determinar el circuito equivalente de Thevenin que alimenta al diodo D1
Problema n 17 Para los tres circuitos que se muestran, determinar analticamente el circuito equivalente de Thevenin. a)
b)
c)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 18 Para el circuito siguiente determinar analticamente: a) La resistencia de carga Re que se le presenta a la fuente de seal de entrada vs, entre los puntos aa. b) El circuito equivalente de Thevenin que alimenta a la carga RL a travs de los puntos bb i1 .i1
Re Resolucin: (ver teoria)
Rth, Rth
Problema n 19 Para el siguiente circuito de la figura, encontrar el circuito equivalente de Norton y luego convertirlo al equivalente de Thevenin.
Problema n 20 En el circuito de la figura, demostrar que la relacin entre la tensin Vs y la corriente Is , es lineal y que la totalidad del circuito se comporta como resistivo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 21 a) b)
Para los circuitos anteriores, determinar: a) las tensiones v1 y v2 para el divisor resistivo del circuito anterior (a), para los siguientes valores; analizar los resultados. 1 Vo = 10 volt, Rs = 0 Ohm, 2 Vo = 3 4 Rs = 500 Ohm Rs = 0 Ohm Rs = 500 Ohm R1 = 2 kohm ; R2 = 3 kohm ; ix = 0 ma. ix = 1ma
b) Las corrientes circulantes I1 e I2 correspondientes al circuito b Problema n 22 En el circuito de la figura, determinar: a)- el valor de RL para que pueda considerarse como fuente de tensin fija. b)- El circuito equivalente de Norton, para convertirla en fuente de corriente.
Problema n 23 Partiendo de la fuente de tensin real del problema anterior, que alimenta una carga RL= 1000 ohm, convertirla en fuente de corriente rgida.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 24 Determinar la corriente que circula por un dispositivo de ley cuadrtica cuando se le aplica en sus extremos dos tensiones conectadas en serie Datos: vi = 1 volt; v2 = 3 volt ; A = 1mA/v2 ; VT = 0 is = A.(vs VT)2 = A.((v1+v2) VT)2 Problema n 25 Resolver el problema anterior aplicando el mtodo de superposicin; analizar los resultados 1 v1 = 1 volt v2 =0 2 v1 = 0 v2 = 3 volt is1 = is2 =
is = is1 + is2 = Problema n 26 Para el circuito de la figura, determinar la corriente is que circula por el dispositivo no lineal con caractersticas Is = A. Vs2 para Vs>= 0 y Is = 0 para Vs<= 0
Nota: Resolver por mtodo analtico exacto y mtodo grfico (ver teoria) Problema n 27 En el circuito de la figura, determinar el punto de operacin del diodo a temperatura ambiente, utilizando el mtodo de Newton de iteracin sucesiva. DIODO Is=10(-)5 ma =2 vT = 25 mv
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 28: Un diodo a la Tj = 75C tiene una corriente Is = 5 na y If = 10 na para una tensin inversa VR= -vd = 15 volt. Determinar la corriente IR para VR = 30 volt. Problema n 29: Determinar la corriente inversa del diodo del problema anterior si para VR2 = 30 volt., la temperatura de la juntura aumenta a Tj2 = 100 C. Problema n 30: Determinar la corriente de fuga superficial para el diodo 1N4001 en base a los datos suministrados por el fabricante. Datos: IR1 = 10 ua para Tj1 = 25C y VR1 = 50 volt. IR2 = 50 ua para Tj2 = 100C y VR2 = 50 volt. Problema n 31: Determinar la resistencia inversa del diodo anterior para Tj1 = 25C Tj2 = 100C y VR1 = VR2 = 50 volt. Problema n 32: Determinar la resistencia directa del diodo 1N4001, definida como la relacin entre la cada de tensin directa y la corriente directa que circula (denominada tambin como resistencia elctrica en continua), con los datos que suministra el fabricante. Problema n 33: Para el circuito de la figura, determinar la corriente y la tensin del diodo, por el mtodo grafico, suponiendo que se dispone la caracterstica VI del diodo. iD
vD
Problema n 34: Para el circuito de la figura, se solicita determinar: a)- La corriente que circula por el diodo y la carga, tomando en cuenta las tres aproximaciones. b)- el error porcentual de las dos primeras aproximaciones respecto a la tercera.
Datos del diodo: vd2 = 0,93 Volt, para id2 = 1Amper; vd1= 0,7 Volt, para id = 0 ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA 1 ING. ELECTRICA 1-5-Problemas 1: Anlisis circuitos lineales y no lineales. Circuitos con diodos ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 35: Determinar la 3 aproximacin lineal del diodo en la vecindad del punto de operacin Id = 1mA para n =1,6, Is = 10exp(-4) Amper es y VT = 25,88 mV Problema n 36: Calcular la resistencia dinmica de un diodo de silicio con n=1 a ta= 20C Polarizado en directa con valores de corriente continua de 10uA 500 uA ,1ma, 5 mA. Problema n 37: En el circuito de la figura, se muestra un diodo conectado con una resistencia en serie y alimentado con una fuente de tensin continua de 10,7 volt. Si la fuente de seal de ca genera una onda senoidal de 100 mV pico a pico, calcular la cada de tensin en corriente alterna, en los extremos del diodo, para Tamb = 20C
Problema n 38 En el circuito siguiente, determinar las corrientes ID1, ID2, ID3 y I1, considerando la segunda aproximacin en los diodos con VD1silicio = VD2silicio = 0,7 volt y VD3Ge = 0,3 volt.
Problema n 38 Para el siguiente circuito determinar la tensin de salida Vo y la tensin en los extremos de los diodos, teniendo en cuenta que los mismos, D1 (silicio) y D2 (germanio), estn conectados en paralelo, con caractersticas V-I de 2 aproximacin
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Problema n 39 Para el circuito de la figura, determinar la tensin de salida teniendo en cuenta las distintas combinaciones de valores en las tensiones de entrada, segn muestra la tabla. Los diodos son de silicio y su caracteristica V-I se considerara como 2 aproximacin.
+Vd1-
V1 0 0 10 v 10 v
V2 0 10 v 0 10 v
Vd1
Vd2
V0
+Vd2-
Problema n 40 Para el circuito de la figura, determinar la tensin de salida teniendo en cuenta las distintas combinaciones de valores en las tensiones de entrada, segn muestra la tabla. Los diodos son de silicio y su caracteristica V-I se considerara como 1 aproximacin.
V1 0 0 10 v 10 v
V2 0 10 v 0 10 v
Vd1
Vd2
V0
Problema n 41 Para los siguientes circuitos limitadores, determinar grficamente: a)-La funcin de transferencia. b)-La tensin de salida vo(t) para una tensin de entrada vs(t) = Vm senwt, para Vm=6 volt c) Verificar los resultados aplicando un programa de PC de simulacin. Nota : Los diodos operan como ideales (1 aprox.)
Problema n 42 (abierto) Partiendo de una fuente primaria de voltaje 220 CA, obtener una tensin CC de 12 Volt, para alimentar una carga resistiva que tiene un consumo mximo de 100 mA La variacin de voltaje, en los extremos de la carga, no deber superar el 10 % de su valor medio. Problema n 43 Para el circuito de la figura, determinar: a)- La tensin sobre la carga b)- La corriente sobre la carga C)- La corriente del diodo Vzk = 3,0 volt rd = 0
Problema n44 Resolver los mismos valores del problema anterior,con la diferencia de la tensin de ruptura del diodo Zener Vzk = 6,8 volt. Problema n 45 (abierto) Se desea disear un circuito reductor de tensin continua para alimentar una carga con una tensin nominal de 9 volt, teniendo en cuenta que la misma tiene un consumo mximo de 0,75 vatios. La fuente primaria, es un toma corrientes de un automvil el cual suministra una tensin nominal de 12 volt. El circuito deber mantener la tensin de suministro de 9 volt aun cuando la carga se desconecte, y deber adems hacer frente a las variaciones de la tensin primaria de entrada. Datos: Pomax = 0,75 vatios Pomin = 0 vatios V1nominal = 12 volt V1minimo = 12 volt. V1maximo = 13,6 volt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------REGULADORES DE VOLTAJE LINEALES Introduccin En general, los circuitos electrnicos de bajo consumo, utilizan tambin como fuente de alimentacin de voltaje de corriente continua, la obtenida a travs de la red primaria de distribucin alterna. La conversin de CA. a CC. se logra mediante la combinacin de transformadores reductores, rectificadores con diodos (media onda, bifsico de media onda o monofsico en puente) y filtros pasivos. Estas fuentes de alimentacin, compuesta por los elementos mencionados, pueden presentar inconvenientes para algunos circuitos electrnicos, frente a la variabilidad de su tensin de salida por diferentes causas. Para reducir este efecto, se utilizan los reguladores de tensin. Se denomina regulador de tensin al circuito que se coloca entre la fuente de alimentacin clsica mencionada y la carga. La funcin de un regulador de tensin es reducir al mnimo las variaciones de la tensin de salida ante las variaciones de la tensin de entrada, de la corriente de carga y de la temperatura. Ello implica que un regulador de tensin es un dispositivo con muy baja impedancia de salida y que posee un elemento de referencia, que permite regular el voltaje sobre la carga. En lo que respecta al modo de funcionamiento de los dispositivos semiconductores, los reguladores de tensin se clasifican en dos grande grupos: Reguladores lineales y reguladores conmutados. En los primeros, los semiconductores trabajan en zona lineal (zona activa para transistores bipolares). En los segundos, los semiconductores trabajan como interruptores (conmutacin entre el corte y saturacin, para los transistores bipolares). En este apndice, solamente trataremos los reguladores de tensin lineales. Los conmutados, se tratan en la materia Electrnica II. Las mejoras obtenidas con un regulador de voltaje lineal, respecto a una fuente de alimentacin clsica (sin regulador), se logran a costa de una sensible reduccin de la tensin til de salida del regulador respecto a la de la entrada y de un consumo de energa extra por parte del mismo.
Fuente de alimentacin cc. clsica sin regulacin Fuente Primaria ca.
Trafo reductor
Rectificador con diodos
Filtro pasivo
Vi
Regulador De voltaje
Vo
Carga (ZL)
Fuente de alimentacin cc. con regulacin
La figura anterior, muestra los componentes en bloques fundamentales de una fuente de alimentacin clsica y una fuente que posee regulador de tensin. A estos bloques fundamentales, es necesario agregarles otros componentes de proteccin y limitacin, para el caso de fuentes de alimentacin ms elaboradas, como ser: Proteccin por sobretensiones, cortocircuitos, limitacin por sobrecorriente, sobretemperaturas, etc. Suelen tambin disponer de indicaciones de puesta en conexin, como tambin medicin del voltaje y corriente de salida. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Las fuentes de alimentacin utilizadas en los laboratorios suelen disponer de salidas especiales con voltajes fijos y variables. Los voltajes fijos pueden ser +5 volt, para alimentacin de circuitos integrados de la familia TTL y compatibles. Tambin pueden disponer de voltajes fijos dobles de 12volt 15 volt (respecto a un terminal comn o masa) para alimentacin de amplificadores operacionales en CI. Las salidas con voltajes variables, permiten ajustar la tension de salida mediante una perilla; tambin tienen la posibilidad de ajustar la limitacin de su corriente (el voltaje comienza a disminuir cuando se supera el valor limite de la corriente fijado). Parmetros elctricos caractersticos de los reguladores de voltaje de las fuentes de alimentacin de corriente continua Las caractersticas ideales de un regulador de voltaje, es mantener en el tiempo, la tensin sobre la carga lo mas constante posible, ante variaciones de la tensin de entrada, variaciones de la corriente de carga en cualquier condicin y variaciones de la temperatura ambiente. Para poder evaluar un regulador de tensin practico, se definen una serie de parmetros caractersticos, que nos darn una idea de cuan cerca o lejos estamos de un regulador ideal. Estos parmetros, son los siguientes: 1-Impedancia interna de salida Se la define con la siguiente expresin: Zo = Vo/Io Este parmetro esta definido para tensin de entrada (Vi) y temperatura de operacin constantes. Por lo general, es funcin de la frecuencia. Mide la independencia de la tensin de salida (Vo) respecto a las variaciones de la corriente de carga. En lo posible debe ser pequeo y constante con la frecuencia. 2- Regulacin de salida Representa la variacin porcentual de la tensin de salida respecto al rango mximo de variacin de Io. Se lo define como: Ri(%) = (Vo/VoN).100 ( para tensin de entrada y temperatura constante) Siendo Vo la variacin de la tensin de salida para una variacin de la corriente de salida (o de la carga) entre Iomin e Ionominal. El valor de VoN es el valor de la tensin de salida para corriente de salida nominal. 3-Regulacin de entrada Este parmetro nos una idea del cambio en la tensin de salida cuando la entrada varia entre su valor mnimo y mximo Rv(%) = (Vo/Vi).100 (se mide para corriente de carga y temperatura constantes). Este parmetro tambin se lo suele definir para un cambio en la tensin de lnea de alimentacin de la fuente y se lo llama regulacin de lnea 4-Estabilidad trmica Este parmetro nos da una referencia de la variacin de la tensin de salida respecto a la variacin de la temperatura de funcionamiento. Se lo definido como: RT(%) = (Vo/T).100 ( se mide para la corriente de carga y tensin de entrada constantes). 5-Tiempo de recuperacin Es el tiempo que necesita el regulador para que su tensin de salida retorne a valores preestablecidos cuando la impedancia de carga vara bruscamente (cambio en escaln de la corriente de carga).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------6-Relacin de rechazo al zumbido Es la relacin pico a pico, medida en decibeles, entre la componente de tension alterna de salida de primer armnico y la componente alterna de entrada al regulador. RRZ(db) = 20 log10 (vcao/vcai) Este valor se especifica para el doble de la frecuencia industrial (50 o 60 Hz), correspondiente a la 1 armnica que genera un rectificador monofsico de onda completa. Nos da una idea de la atenuacin que produce el regulador al rizado o zumbido.Valores tpicos es de alrededor de 50 a 60 db para reguladores integrados. 7-Tensin de ruido de salida Es la tensin de ruido presente en la salida (medido para frecuencias entre 10 Hz y 100 kHz) medidos para tensin de entrada y corriente de carga constantes. Este valor se mide microvoltios, con valores tpicos de alrededor de 100 v para reguladores integrados. 8-cada de tensin Representa la menor diferencia entre la tensin de entrada y salida en el cual el circuito deja de regular con una posterior reduccin de la tensin de entrada. 9-Corriente de polarizacin Es la diferencia entre la corriente de entrada y salida del regulador. Representa la corriente que necesita el regulador para su funcionamiento. 10-Rendimiento Esta definido como la relacin en porciento entre la potencia de salida del regulador y la potencia de entrada (%) = (Po/Pi).100 Nos indica la eficiencia de la regulacin o de dicho de otra forma, la cantidad porcentual de potencia regulada que pasa a la carga respecto a la potencia que entrega el rectificador con su filtro. 11-Corrimiento o estabilidad temporal Representa la variacin de la tensin de salida con respecto a un valor inicial en un periodo de tiempo. Tipos de reguladores de voltaje lineales De acuerdo a la forma en que opera el elemento activo de potencia que controla la tensin de salida, los reguladores lineales se clasifican en reguladores paralelos y reguladores serie. En las siguientes figuras, se muestran ambos esquemas de circuito:
It=Ireg.+Io
Rs
Io Ireg. Regulador + Vo carga -
Rectificador y Filtro pasivo
Vi -
Esquema en bloques del regulador paralelo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Io Io Regulador + Vo carga -
Rectificador y Filtro pasivo
Vi -
Ip
Esquema en bloques del regulador serie
Caractersticas destacables de los reguladores de voltaje paralelo 1)- El elemento regulador absorbe la mxima corriente cuando la corriente en la carga es mnima, y viceversa. 2)- La corriente que entrega el rectificador es prcticamente constante para cualquier condicin de la carga. 3)- El resistor en serie con la carga Rs, absorbe las variaciones de la tensin de salida del rectificador. 4)- Tiene rendimiento bajo, siendo su valor aproximado el siguiente: (%) = {(Vo.Io) / [Vo.(Io+Iz) + Rs.(Io+Ireg.)]}.100 5)- El resistor Rs acta como elemento limitador de corriente en el caso que se produzca una sobrecarga o cortocircuito en la salida, evitando que se destruya el regulador y rectificador. Caractersticas destacables de los reguladores de voltaje serie 1)- La corriente que circula por la carga es prcticamente la misma que circula por el regulador. 2)- El transistor de paso, en serie con la carga, absorbe las variaciones de la tensin de alimentacin a la salida del rectificador. 3)- El rendimiento es prcticamente independiente de las variaciones de la corriente de la carga. Su valor aproximado esta dado por la siguiente expresin: (%) = [(Vo / Vi)] . 100 4)- Este regulador no tiene proteccin natural contra cortocircuito, como en el regulador paralelo; es necesario agregarle dispositivos protectores que detecten y limiten la corriente de sobrecarga o cortocircuito, en los extremos de la salida. Regulador de voltaje con diodo Zener en paralelo El regulador ms simple que se puede implementar se logra colocando un diodo Zener en paralelo con la carga, como se muestra en el siguiente esquema:
+ Vi -
+ Vi=Vz -
En este caso el diodo Zener provee la referencia de voltaje con la baja impedancia de salida. Debido a su sencillez y poco costo, se utiliza cuando las necesidades de regulacin no son tan exigentes. Como la resistencia interna Rz del diodo Zener disminuye con el aumento de la corriente que circula por l, a la carga no se le presenta una impedancia de salida ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------constante. Con el aumento de la impedancia de carga ZL, la impedancia de salida disminuye. Para una misma familia de diodos Zener, se consigue la ms baja impedancia interna alrededor de los 7 volt y para una misma tensin de trabajo, los Zener de mayor potencia poseen menor Rz. En ocasiones para disminuir la impedancia de salida del regulador, suele ser conveniente colocar varios diodos de valor bajo en serie, cuya suma de resistencias internas es menor que la de un solo Zener cuya tensin de trabajo sea igual a la suma de tensiones de los diodos Zener en paralelo. Para este tipo de regulador, el voltaje aplicado a la carga, es funcin tambin de la temperatura, dado que la temperatura de la juntura del diodo Zener afecta la caracteristica tensin-corriente de ruptura. Para una misma familia de diodos Zener el coeficiente de variacin trmica no es constante. Segn lo hemos mencionado, resulta negativo para valores bajos de tensiones de ruptura, y positivos para valores altos, pasando por cero para diodos Zener con tensiones de ruptura de alrededor de 6 volt. En ocasiones, cuando se desea regular tensiones altas, por encima de 6 volt, puede resultar conveniente obtenerlas conectando en serie varios diodos de bajo coeficiente trmico, en lugar de uno solo de mayor tensin. Para este ltimo caso el nuevo coeficiente de variacin lo podemos obtener como: KT. (1/C) = (KT1.VZ1 +..+ KTn . VZn) / (VZ1 +..+ VZn) Donde KTi es el coeficiente de variacin trmica del diodo Zener i, expresado en (1/C) y VZi su voltaje de trabajo o ruptura. Analizando el circuito de aplicacin, vemos que la variacin de la corriente en la carga, se manifiesta tambin como una variacin de la misma cuanta en el diodo Zener. Por ejemplo, para mnima corriente en la carga, tendremos la mxima corriente en el diodo Zener; de igual forma para mxima corriente en la carga, tendremos mnima corriente en el diodo Zener. Por lo tanto ante variaciones de la corriente de carga, la tensin de salida tendr variaciones en un valor aproximado a: VL= Rz. IZ = Rz. IL. Dado que los diodos Zener son de bajo nivel de manejo de potencia Pzmax = Vz. ILmax (normalmente 1 a 2 Watt mximo), se podra pensar en aumentar la potencia de operacin conectando en paralelo varios diodos Zener de las mismas caractersticas elctricas. Esta ultima solucin, no es aconsejable. Ante variaciones de la tensin de alimentacin, las variaciones de tensin que aparecen en la carga, estn en relacin aproximada a la relacin de la resistencia Rz y la resistencia en serie Rs, o sea VL / Vi = Rz / Rs Por lo tanto, si quisiramos disminuir ms esta variacin, podramos conectar en cascada dos diodos Zener segn muestra el siguiente circuito:
+ Vi _ + Vz=VL _
Esta ultima configuracin tiene el inconveniente que la tensin sobre la carga VL resulta bastante menor que la tensin de entrada Vi. Una particularidad de los reguladores con diodo Zener, es la de estar autoprotegido contra cortocircuitos dado que la resistencia en serie Rs, que limita la corriente del diodo, tambin limita la corriente de falla. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Para finalizar, daremos las formulas de calculo para la resistencia Rs y seleccin del diodo Zener, sin considerar las tolerancias y variaciones por temperatura de los componentes del circuito. Calculo de Rs: Lo hacemos teniendo en cuenta la mnima corriente del diodo Zener (corriente de codo Izk), la mnima tensin de alimentacin (Vimin) y la mxima corriente en la carga (ILmax) Rs = (Vimin - Vz) / (Izk + ILmax) PRmax = (Vimax - Vz)2 / (Rs) Seleccin del diodo Zener: Lo determinamos teniendo en cuenta dos parmetros: la tensin de Zener que debe ser igual aproximadamente a la tensin el la carga y la mxima corriente que tiene que soportar. Vz = VL. La mxima corriente que va a circular por el diodo Zener se va a producir para mxima tensin de entrada y mnima corriente en la carga IZmax = (Vi max - Vz) / Rs - ILmin Con este ltimo valor se calcula la mxima disipacin que tiene que soportar el diodo Zener. PZmax = IZmax. Vz En todos los clculos hemos supuesto que la tensin del diodo Zener no cambia. Reguladores de tensin con transistor bipolar en paralelo Para aumentar la potencia que puede entregar un regulador de tensin con diodo Zener en paralelo, se puede crear un un Zener de potencia utilizando un transistor bipolar de potencia con un diodo Zener de baja disipacin, como se muestra en la siguiente figura n1:
Fig1
+ Vi
+ Vo=VL
Fig.2
Fig.3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso la corriente de colector del transistor absorbe las variaciones de la corriente de la carga, mientras que por el diodo Zener circula solamente la corriente de base, veces menor, disminuyendo as la disipacin del diodo Zener. La regulacin de la tensin aumenta dado que la impedancia de salida equivalente Zo del regulador resulta mas baja que la resistencia dinmica del diodo Zener, por la accin de la ganancia de corriente del transistor. La tensin en los extremos de este conjunto, esta dada por la suma de la tensin de trabajo del diodo Zener mas la tensin base emisor del transistor bipolar. Vo= VL = Vz +Vbe Esta combinacin tiene la ventaja de poca variacin de la tensin de salida con la temperatura para tensiones de trabajo superiores a los 6 volt, dado que se compensan los coeficientes de variacin trmica (son de signo opuesto) del diodo Zener (positivo) con el de la tensin base emisor del transistor (negativo). El circuito de aplicacin, mostrado en la figura n2, presenta los mismos inconvenientes bsicos de los reguladores paralelos, relacionados a la elevada perdida de potencia en la resistencia Rs por lo cual presentan un rendimiento bajo, especialmente en aquellos casos de gran variabilidad en la corriente de carga. En el diseo de este regulador, es conveniente evitar que cuando el regulador este entregando la mxima corriente en la carga, el transistor se quede con un mnimo de corriente de colector, para mantener de esa forma las ventajas de la amplificacin del dispositivo. Esto se logra colocando la resistencia RB cuya cada de tensin asegura la mnima tensin base emisor tensin. Para disminuir aun mas la disipacin de potencia del diodo Zener, se reemplaza el transistor simple por una configuracin Darlington como se muestra en la fig 3. En la actualidad, este circuito prcticamente no se lo utiliza; se lo presenta a los fines tericos para un mayor entendimiento del funcionamiento de los circuitos electrnicos, y otras posibles aplicaciones. Regulador de tensin con transistor serie y diodo Zener en paralelo Estos reguladores serie simples, han sido los mas utilizados entre los circuitos reguladores sencillos (sin realimentacin), por su buena eficiencia, mejor estabilidad y regulacin que los reguladores paralelos. Representan la base circuital de los reguladores lineales disponibles actualmente como circuito integrado.
Fig.1 Fig.2
+ Vi
+ Vo
+ Vi
+ Vo
En esta configuracin el transistor de paso trabaja como seguidor emisivo (colector comn) donde la seal de entrada es la tensin de Zener y la impedancia del emisor es la carga misma. De esta forma el transistor absorbe las variaciones de la tensin de ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------alimentacin. Algunos circuitos suelen tener una resistencia en serie con el transistor para disminuir la potencia disipada por el transistor. Como el transistor esta en serie con la carga, toda la corriente de carga pasa por l. Bajo este punto de vista, esta ms exigido que en la configuracin paralelo, donde solo aguanta en principio las variaciones de carga. Sin embargo, si la corriente de carga es bastante variable, la configuracin serie resulta mejor dado que por el transistor solo pasar el mximo de la corriente de carga y no mas, como en el caso del regulador paralelo. Por ello, esta configuracin tiene una mejor eficiencia. La tensin de salida del regulador serie simple esta dada por la suma de la tensin del Zener menos la tensin base emisor del transistor Vo = Vz -VBE Vemos que la variacin de la tensin de Zener por la variacin de la corriente que circula por el mismo, se ve reflejada directamente en la salida. Como solucin es aumentar el valor de RB para que se comporte como una fuente de corriente. Para el caso de la fig. 2 conviene entonces conectar RB directamente a la tensin de entrada Vi. Para todos los casos, lo ideal seria alimentar el diodo Zener con una fuente de corriente constante, en lugar de RB. Para este regulador, la impedancia de salida resulta menor que la del diodo Zener, debido a la ganancia de corriente del transistor. ro = r + Rz/ r : resistencia dinmica del emisor Rz: resistencia dinmica del diodo Zener Otro inconveniente a observar, es que la variacin de la tensin base emisor debido a la corriente en la carga (que es la corriente de emisor) se ve tambin reflejado en la salida. Estos reguladores tienen la ventaja de que los coeficientes de variacin trmica de la juntura base emisor del transistor y del diodo Zener (para tensiones de ruptura mayores a 6 volt) son de signos opuestos, compensndose parcialmente los posibles corrimientos trmicos individuales de cada semiconductor. Comparando este circuito con el regulador simple con diodo Zener, vemos que tenemos dos ventajas importantes: 1) La impedancia de salida que ve la carga es menor 2) Se aumenta la capacidad de manejo de corriente en la carga en un factor de El circuito equivalente aproximado que ve la carga, es el siguiente:
Regulador
+ Vo -
Seleccin del diodo Zener: a) Se selecciona en primera aproximacin segn la tensin de Zener con la formula: Vz = Vo + VBE En 2 aproximacin se deber tener en cuenta la tolerancia de fabricacin (suelen ser 10% y 5%) y su variacin con la temperatura. b) Se elige para el diodo Zener la mnima corriente Iz para que funcione dentro de las caractersticas de ruptura con Vz constante; por ejemplo Izmin = 5 mA. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------c) Se deber verificar en las peores condiciones la mxima corriente del Zener que se producir para un determinado valor de RB, Vi mx., Iomn (Icmn), hFEmn y Vzmn. Calculo del valor del resistor: Para ello debemos tener en cuenta que por RB circula del diodo Zener ms la corriente de base del transistor. Por lo tanto calculamos este resistor para la peores condiciones que se den en el circuito y no se produzca una corriente de Zener por debajo de la mnima. Estas condiciones se producirn para Vimn, Iomx (Icmx) y hFE. RB = (Vimn Vz) / (Izmn - (Icmx/hFEmn)) Si se requiere mas exactitud habr que tener en cuenta la variabilidad de la tensin de Zener (Vz mxima), la resistencia interna o de salida de la tensin de entrada (Ri) y la tolerancia del resistor Seleccin del transistor El transistor deber soportar la mxima corriente de la carga por lo tanto: Icmx > Iomx Adems deber soportar la mxima disipacin de potencia: PTmax > (Vimx (Vzmn+ VBE)). Iomx Un diseo completo implica adems la verificacin de la temperatura mxima de la juntura del transistor, clculo del disipador, potencia disipada en el diodo Zener y la resistencia RB, variabilidad de la tensin de salida, etc. Reguladores de tensin con transistores discretos realimentados Para mejorar el rendimiento en Gral. de los reguladores de tensin, se utilizan circuitos amplificadores realimentados (negativamente). De esta forma se logra disminuir aun ms los valores de la impedancia o admitancia internas, regulacin y tiempo de recuperacin. Por otra parte disponiendo de una tensin de referencia estable de bajo valor (con coeficiente de temperatura cero como un diodo Zener con tensin de ruptura alrededor de los 6 volt) y un amplificador realimentado, podemos obtener una tensin de salida en el regulador de mayor valor con la misma estabilidad. Analizaremos en primer trmino un regulador de tensin discreto tipo serie como se muestra en el siguiente circuito:
+ +
Vi + Vf VBE
-
Vo
Vz
En este circuito, el diodo Zener acta como tensin de referencia. Q1 acta como transistor de salida en serie con la carga (seguidor de emisor) absorbiendo las variaciones de la tensin que se producen sobre RL. El transistor Q2 acta como amplificador de la tensin de error dada como diferencia entre la tensin de realimentacin Vf y la de referencia Vref = Vz. El divisor de tensin R2, R3 suministra la tensin de realimentacin Vf ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Por ejemplo, si la tensin en la carga Vo tiende a aumentar, la tensin de realimentacin Vf aumenta, aumentando la tensin de error (Verror= Vf-Vz= VBE); esto hace aumentar la corriente de colector de Q2, produciendo una mayor cada de tensin en R3. Como Q1 trabaja como seguidor de tensin, esta cada de tensin se reflejara en la salida, contrarrestando el aumento inicial de la misma. De forma similar si la tensin de salida tiende a disminuir, habr menor tensin de base en Q2, mayor tensin de base en Q1 y mayor tensin de salida. Con la finalidad de interpretar los circuitos electrnicos realimentados, recordaremos el esquema general de los sistemas realimentados lineales, determinando su correspondiente funcin de transferencia a lazo cerrado:
Xs + _ Xi Amplificador base A Xo=A.Xi
Xf=.Xo
Red de realimentacin
Xo
ALC Xo/Xs : Funcin de transferencia a lazo cerrado. Xi = Xo/A =Xs-Xf : Seal de error de entrada al amplificador base A: Funcin de transferencia (ganancia) a lazo abierto del amplificador base. Xs=Xi+Xf: Seal de entrada, exterior al sistema realimentado. : funcin de transferencia inversa de la red de realimentacin Xf = .Xo : seal de realimentacin, a travs de la red , proveniente de la seal de salida del sistema realimentado. ALC Xo/Xs =Xo/(Xi+Xf) = Xo/((Xo/A)+(.Xo)) = 1/ ((1/A)+) = A / (1+ A.) Si la ganancia A es mucho mayor a 1 (A>>1) tendremos: ALC 1/ Como vemos la funcin de transferencia del amplificador realimentado resulta funcin de la red de realimentacin . Modificaremos a continuacin el circuito regulador de tensin discreto serie para adaptarlo a los bloques generales de los sistemas realimentados: Vi=VBE
Av
+
Vo _
Vs
+
_ Vf _
+
Vo _
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Las equivalencias de las seales de tensin del circuito real, respecto al diagrama en bloques, es la siguiente: Vs Xs= Vz Vf Xf= .Vo Vi Xi= Vf-Vs= Vf-Vz= -VBE Vo Xo Av A = Vf/Vo = R2 / (R1+R2) Para este circuito, podemos determinar la tensin de salida, partiendo de la expresin de la funcion de transferencia inversa de la red de realimentacin: Xf/Vo Vf/Vo= = R2 / (R1+R2). Como Vf = (Vz+VBE), reemplazando valores y despejando la tensin de salida Vo, tendremos: Vo =(Vz.+VBE) .((R1/R2) + 1) Podemos llegar al mismo resultado con la expresin general de los sistemas realimentados, reemplazando los valores de A y y luego despejando la tensin de salida Vo: A Av = Vo/(-VBE) = R2 / (R1+R2) ALC = Vo/Vz = A / (1+ A.)= 1/((1/Av)+)=1/((-VBE/Vo)+) Vo = (Vz.+VBE) .((R1/R2) + 1) Como vemos la tensin de salida Vo tiene cierta dependencia con la temperatura debido a la tensin base emisor del transistor Q2, que representa la tensin de error del sistema realimentado (Xi= VBE). Reguladores de tensin con amplificadores operacionales realimentados El circuito anterior, puede ser mejorado notablemente, si reemplazamos el transistor Q2, que amplifica la seal de error, por un amplificador operacional de alta ganancia. Para este caso resulta Xi 0, por lo que la expresin de la tensin de salida nos queda: Vo =Vz. .((R1/R2) + 1) El regulador ms sencillo realizado con AO es utilizando la configuracin realimentada no inversora como se muestra a continuacin:
+ Fuente de Alimentacin no regulada
Vcc + Vo=VL -
En este circuito, ante variaciones de la tensin de alimentacin (del AO) o de la corriente de carga, la tensin de salida regulada Vo (de salida del AO) esta determinada por la tensin de referencia Vref. y los resistores R1 y Rr, segn la expresin conocida para esta configuracin: Vo = ((Rr/R1) + 1). Vref. Nota: RrR1 y R1R2 para el circuito con transistor discreto ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos, con esta disposicin circuital, la menor tensin de salida del regulador ser la tensin de referencia, situacin que se da para Rr= 0 y R1= (AO seguidor). La variacin de la tensin de alimentacin, as como su rizado, son absorbidos por el AO. Para el AO 741, la tensin de alimentacin aplicada entre sus terminales Vcc, no debe superar los 36 voltios. La diferencia de tensin entre los terminales +Vcc y Vo no debe ser inferior a 2 voltios (el AO se satura y deja de regular). Una caracterstica interesante de este regulador es la posibilidad de cambiar el voltaje de salida Vo (modificando el valor de R1 o de Rr), manteniendo su valor constante e independiente de la corriente de carga. La tensin de referencia se la puede obtener mediante un diodo Zener alimentado por la propia tensin de salida Vo como se muestra en el siguiente circuito
Fuente de alimentacin no regulada
En este caso la resistencia Rs se calcula para que circule una corriente por el diodo Zener por encima de codo, por ejemplo Iz = 5 mA RS = (Vo Vz) / Iz Por ello la tensin de salida deber estar por encima de la tensin del Zener para asegurar que este ltimo se encuentre trabajando en la zona de ruptura. Los pasos para disear esta fuente de alimentacin regulada son los siguientes: 1) Seleccionamos el AO por ejemplo el clsico 741 2) Seleccionamos el diodo Zener con una tensin de ruptura de valor 1/3 a de Vo 3) Calculamos la resistencia limitadora de la corriente del diodo Zener: Rs = (Vo Vz) / Iz para Iz = 5 mA 4) Tomamos el valor de (R1 + Rr) para que tome una corriente de 1 mA o sea: (R1 + Rr) = Vo / 1mA 5) Se selecciona un potencimetro de valor cercano al calculado y se ajusta para obtener la tension de salida Vo. Si colocamos resistores fijos, los calculamos de la siguiente manera: R1= (R1 + Rr) . (Vref/Vo) siendo Vref = Vz Rr = (R1 + Rr) R1 6) El voltaje mnimo de la fuente no regulada deber ser superior a Vi Vo + 2 V Es de notar que debido a las limitaciones en la corriente mxima que puede entregar el AO, la mxima corriente que se puede entregar a la carga no supera los 5 mA ILmax IAOmax Iz ( Vo/(R1+Rr)) ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Regulador de tensin con AO con transistor de paso (como seguidor emisivo)
Transistor de paso 2N3055
Vo=(Rr/R1+1).Vz
Este circuito es una variante del anterior con AO, donde se ha agregado un transistor de paso, en configuracin colector comn o seguidor de emisor, para amplificar la corriente de salida del AO y aumentar la capacidad de carga del regulador, en un factor de aproximadamente 100. En este caso es el transistor de paso el que entrega corriente a la carga a travs del terminal de emisor. Por ejemplo si la corriente de carga vale IL=500mA y hFE= 100, el amplificador operacional solo debe entregar una corriente Io=IL/ hFE =500/100= 5 mA. Los cambios en el voltaje de la fuente de alimentacin no regulada debido al rizado o a la pobre regulacin del voltaje de cc, son absorbidos por el colector del transistor de paso. El transistor de paso se deber seleccionar para un corriente de colector ICmax ILmax y una disipacin de potencia PDmax (Vi Vo). ILmax. El transistor de paso puede reemplazarse por dos transistores en configuracin Darlington, para aumentar la capacidad de corriente de carga, como se muestra en la siguiente figura para una conexin tpica
Ala fuente no regulada Transistor de paso Transistor reforzador de corriente
Al terminal (6) de salida del AO
Resistor para desviar la corriente de fuga del 2N3904 fuera de la base del 2N3055
A la carga RL, Rr y Rs
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso, la ganancia del transistor reforzador de paso permite una corriente de emisor o de carga superior a 1 A. En la prctica, las limitaciones en la potencia disipada por el transistor reforzador, limitan la corriente de carga a unos pocos amperes. Para mayor corriente de carga deberan aadirse ms transistores reforzadores conectados en paralelo. En la practica, estos reguladores se utilizan hasta corriente de carga no superiores a 5 A, siendo uno de los factores adversos, el rendimiento bajo frente a los reguladores de tensin conmutados, que son de alto rendimiento. Proteccin del regulador de tensin frente a sobrecargas o cortocircuitos Como hemos notado, los reguladores serie no tienen proteccin contra las sobrecargas o cortocircuitos, por lo cual es imprescindible agregarle un tipo de proteccin frente a estos acontecimientos. Se disponen de varios mtodos para realizar este tipo de proteccin, siendo en todos ellos es necesaria la deteccin de la corriente de falla. En el circuito de la siguiente figura se muestra un mtodo sencillo de realizar esta proteccin:
Vo=(Rr/R1+1).Vz
El circuito limitador esta compuesto por el transistor limitador de corriente Qs y la resistencia sensora de corriente RI por el cual circula la corriente de carga IL. Cuando esta corriente supera un valor mximo (ILmax) especificado en el diseo del regulador, sobre la resistencia RI se produce una cada de tensin de alrededor de 0,6 volt, valor suficiente para polarizar el transistor Qs a la conduccin haciendo que por su colector se derive la corriente de salida del AO fuera de la base del transistor de paso. Una vez que el transistor Qs conduce, la corriente de emisor del transistor de paso y por ende la corriente de carga se mantiene en un valor constante a ILmax., con una disminucin de la tensin de salida Vo El valor de RI que limita la corriente de carga a ILmax se calcula aproximadamente con la siguiente expresin: RI = 0,6 V/ILmax.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Reduccin automtica de tensin y corriente
Vo=(Rr/R1+1).Vz
El circuito anterior produce una disminucin automtica tanto de voltaje como de la corriente de salida, protegiendo a la carga y al regulador de un exceso de corriente La reduccin automtica la proporciona la red adicional de divisor de voltaje R3 y R4 Que esta censando la tensin de salida (emisor) de Q1. Cuando IL se incrementa a su valor mximo, el voltaje a travs de RI se vuelve lo suficientemente grande para activar a Qs proporcionando limitacin de corriente. Si la resistencia de carga se hace ms pequea, el voltaje que activa a Q2 se vuelve mayor (disminuye la polarizacin inversa de R3), de forma que IL cae cuando VL tambin lo hace. Cuando la resistencia de carga regresa a su valor nominal, el circuito reanuda su accin de regulacin de voltaje. Los siguientes esquemas muestran la limitacin de corriente para el primer circuito y la reduccin de corriente y tensin del segundo circuito
Vo Vo
Io=IL Limitacin de corriente
Io=IL Reduccin de corriente y tensin
Otras configuraciones de los reguladores de tensin lineales realimentados El circuito regulador analizado, con AO realimentado, denominado seguidor de emisor es el mas utilizado, dada la facilidad de implementacin. El transistor de paso, en serie con la carga, trabaja como seguidor emisivo (colector comn). La seal amplificada de error (salida del AO) entra por la base y sale por emisor. Cuando la tensin regulada de salida es elevada, esta configuracin no resulta conveniente. Dado que el nivel de comparacin se efecta al valor de Vref. (Voltaje bajo), resulta evidente que la ultima etapa del AO debe trabajar con tensiones altas porque la base del transistor de paso esta prcticamente al valor de la tensin de salida. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Esta situacin puede acarrear problemas de diseo, exigiendo semiconductores que trabajen con niveles altos de voltajes. Para evitar estos casos, no comunes, se pueden utilizar reguladores serie en configuracin Emisor comn no inversor y reguladores serie en configuracin Emisor comn inversor Regulador serie emisor comn no inversor
Vo
Vo
Figura 1 Figura 2
La figura 1 muestra el esquema del regulador serie no inversor y la figura 2 muestra el mismo esquema redibujado para mostrar el principio no inversor en que trabaja el amplificador, considerando como entrada a la tensin de referencia Vref. En este caso el amplificador total esta formado por el AO y el transistor de paso, que como podemos observar trabaja en emisor comn. Como este transistor desfasa la seal 180 , el terminal de entrada inversor del AO se convierte en no inversor para el conjunto AOtransistor. De la misma forma cambia el terminal no inversor del AO. Por ello esta configuracin es similar a un amplificador no inversor con entrada en Vref. y salida Vo. La tensin de salida regulada, esta dada por la expresin conocida del AO no inversor: Vo = (Rr/R1 +1).Vref. Regulador serie emisor comn inversor
Vo
Vo
Figura 1 Figura 2
La figura 1 muestra el circuito regulador serie en emisor comn inversor y la figura 2 muestra el mismo regulador pero redibujado, donde se aprecia que resulta similar a la configuracin del AO realimentado inversor. En este caso el amplificador esta formado por el conjunto AO ms el transistor de paso, que esta conectado en emisor comn. Como el transistor desfasa 180, en esta conexin, las entradas del amplificador total estn invertidas en relacin a los desfasajes que producen las entradas del AO. ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------La tensin de salida del regulador, para la configuracin inversora va a estar dada por la conocida expresin Vo = -(Rr/R1).Vref El signo, nos indica el desfasaje de Vo en relacin a la tensin de referencia Vref. (180) Los circuitos descriptos, son prcticos cuando se debe regular tensiones elevadas. Esto se debe al hecho el AO trabaja como si estuviera colgado del potencial de salida, dado que si se toma a este potencial como referencia, el amplificador operacional trabaja con niveles bajo de tensin, ya sea a Vref. o prcticamente cero en la entrada (sea no inversor o inversor). Tambin la salida del AO trabaja con niveles bajos (tensin base emisor del transistor de paso), independientemente del valor de tensin que el regulador este entregando a la carga, por mas alta que ella sea. De los dos circuitos analizados, el que ms resulta conveniente es la inversora, dado que me permite variar la tensin de salida en un amplio rango, a partir de cero, con solo variar la resistencia (potencimetro) Rr desde el valor cero. Las fuentes reguladas comerciales con AO y transistor de paso, con variacin de la tensin de salida, utilizaron ste esquema inversor. Reguladores de tensin paralelo con AO realimentados Estos reguladores no son tan comunes como los anteriores, dada su baja eficiencia, pero presentan como ventaja su sencillez para circuitos simples de regulacin. En la siguiente figura, se esquematizan tres configuraciones para los reguladores de tensin paralelo donde utilizan un amplificador operacional para amplificar el error, antes de comandar el transistor paralelo con la carga.
a) Regulador de tensin paralelo no inversor Vo= ((Rr/R1)+1).Vref
b) Regulador de tensin paralelo inversor Vo= -(Rr/R1).Vref
c) Regulador de tensin paralelo seguidor emisivo Vo= ((Rr/R1)+1).Vref
Las disposiciones circuitales en lo que respecta a la posicin relativa del AO, son iguales a la de los reguladores serie analizados, por lo cual las ventajas y problemas, son similares. Es de destacar que la menor tensin de salida de un regulador paralelo esta dado por un valor cercano al de saturacin del transistor paralelo, valor que permita garantizar que el circuito trabaje en la zona lineal. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------LOS REGULADORES DE VOLTAJE EN CIRCUITOS INTEGRADOS Actualmente los diseos de reguladores de voltaje con circuitos discretos, como los analizados, presentan desventajas frente a los reguladores realizados con circuitos integrados, disponibles comercialmente. Estas desventajas son alto costo, mayor volumen, menor eficiencia y menor confiabilidad. Los reguladores de voltaje de ltima generacin, comprenden una clase de circuitos integrados ampliamente utilizados. Tienen solo tres terminales: uno para la tensin de entrada no regulada, otro que suministra el voltaje regulado y el ltimo para la conexin de masa.
Voltaje diferencial Salida-entrada + Voltaje de entrada no regulado Ve _ Entrada Salida Corriente de carga + Voltaje de Salida Carga regulado Vo _
Regulador De voltaje masa
Rango especfico del voltaje de entrada
Variacin de Vo (Vo) especificado por la regulacin de lnea y regulacin de carga
La construccin interna del circuito, es un tanto diferente a los reguladores discretos, pero desde el punto de vista de su esquema en bloques simplificado y su funcionamiento externo, son similares. Ve Entrada
Proteccin trmica y limitacin de corriente R1 Transistor de paso
Vo Salida
_
R2
+
Amplificador
Vref.
Masa La tensin de referencia interna ingresa en la entrada no inversora de un amplificador. La regulacin de la tensin de salida es similar prcticamente a lo analizado en los reguladores discretos. El amplificador consta de varias etapas de ganancia de tensin. Debido a esta alta ganancia, la tensin diferencial de entrada (tensin de error en la aplicacin) es prcticamente cero. Las resistencias R1 y R2 son internas de valor fijo. El voltaje de salida se determina por el siguiente anlisis: ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------La corriente que circula por R2 vale: I = Vref./R2 dado que la tensin diferencial es prcticamente cero. Como esta corriente tambin circula por R1, entonces podemos determinar el valor de la tensin de salida regulada Vo Vo = I.(R1+R2) = (Vref/R2).( R1+R2) Esta ecuacin nos demuestra que el valor de la tensin de salida de los reguladores en CI puede ser ajustada con precision, ajustando los valores de R1 y R2. Un esquema en bloques mas ajustado al circuito interno real, es el siguiente.
Entrada (Ve) Transistor de paso Generador Corriente cte. Salida (Vo)
Proteccin sobrecorriente
Circuito de arranque
Voltaje de referencia
Amplificador de error
Proteccin trmica Comn (GND)
Circuito interno real de la serie LM140A/LM140/LM340A/LM340/LM7800C
Los reguladores de voltaje en CI se ofrecen comercialmente en varios voltajes de salida fijos positivo o negativo y tambin con voltajes de salida ajustables. ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Reguladores de voltaje fijo positivo LM140A/LM140/LM340A/LM340/LM7800C Son circuitos integrados monolticos de voltaje positivo de tres terminales. Emplean una circuiteria interna con proteccin trmica y limitacin de corriente que los hace prcticamente indestructible. Tambin disponen de una proteccin por mnima tensin de entrada (dejan de regular). Con adecuada disipacin de calor, pueden entregar ms de 1 Amper de corriente de salida. Estos CI, resuelven en un solo integrado de una placa electrnica compleja, todos los problemas de regulacin de voltaje de alimentacin de la misma. En el diseo de esta serie de reguladores, se ha realizado un considerable esfuerzo para que sea su uso fcil y reducir al mnimo la cantidad de componentes externos que deben agregarse. Para mejorar la respuesta transitoria de la tensin de salida regulada, se usa un condensador de disco cermico de 0,1F, conectado entre los terminales de salida del regulador. Cuando el CI esta conectado a unos cuantos centmetros del filtro capacitivo de la fuente de alimentacin no regulada, la inductancia de los terminales de conexin puede producir oscilaciones dentro del integrado. Para evitar este inconveniente, se agrega a los terminales de entrada un condensador de valor 0,33 a 0,22 F (segn el modelo de la serie). Adems de su uso como reguladores de voltaje fijos, estos dispositivos se pueden, con componentes externos, obtener voltajes ajustables de voltaje y corriente. La serie de reguladores LM140A /LM140 vienen con tensiones de salida regulada de 5, 12 y 15 Volt, para aplicaciones militares y aeroespacial. Soportan un rango de temperatura mayor (-55C a 150C), con mejores prestaciones en sus parmetros elctricos. El sufijo A indica menor tolerancia. La serie LM340A/LM340 se proveen con tensiones reguladas de 5, 12 y 15 Volt, para aplicaciones comerciales. Soportan un rango de temperatura de trabajo menor de 0C a 125C, respecto a la serie LM140A/LM140. La serie LM140A y LM340A tienen similares caractersticas elctricas, dentro de su rango operativo de temperaturas. La serie LM340 se disponen en tensiones reguladas de salida de 5, 12 y 15 Volt, para aplicaciones comerciales con un rango de temperatura de operacin de 0C a 125C. Tienen menores prestaciones elctricas que la serie LM340A. La serie LM7800C se disponen en tensiones reguladas de salida de 5, 6, 8 12, 15, 18 y 24 Volt. Tienen aplicaciones comerciales con temperaturas de trabajo de 0C a 125C. La serie LM340 y LM7800C en las tensiones 5, 12 y 15 Volt, tienen prestaciones elctricas similares. Nota: hay fabricantes de semiconductores que comercializan la serie 7800 (con el mismo circuito interno) con valores de voltajes fijos regulados de 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20 y 24 Volt nominales. Existen versiones de estos reguladores para corrientes menores y mayores a 1 Amper. Los LM78Lxx, disponibles en capsula TO-92, entregan una corriente mxima de 100 mili amperes, y proveen tensiones de salida de 3.3; 5; 6; 8; 9; 12; 15; 18 y 24V. Luego del nombre llevan un sufijo, que puede ser AC o C, que indican el error mximo en su salida, que es de +/-5% en el primer caso y de +/-10% en el segundo. As, un LM78L05AC es un regulador de voltaje positivo, de salida 5 volts/100mA, con un error mximo del 5%. En caso de necesitar manejar corrientes mayores, las versiones en capsula TO-3 soportan una corriente de salida mxima de 5 A.(LM138/238/338).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------TIPOS DE ENCAPSULADOS DISPONIBLES Los encapsulados disponibles para estos integrados son los TO-3 (metlico K), TO-220 (plstico de potencia T) y TO-263 (plstico de potencia para montaje en la superficie de cobre de la placa de soporte)
dispositivo Voltaje de salida Tipo de encapsulado LM140A/LM140 5, 12, 15 TO-3(K) LM340A/LM340 5, 12, 15 TO-3(K), TO-220(T) LM7800C 5, 6, 8, 12, 15, 18, 24 TO-220(T) LM7800C 5, 12 TO-263(S)
LM340-5 Entrada
Salida Masa ENCAPSULADO TO-220
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------ENCAPSULADO METALICO TO-3 (Terminal 1: masa o Adjust. Terminal 2: Entrada. Capsula: salida
ENCAPSULADO PLASTICO PARA MONTAJE EN SUPERFICIE TO-263
ENCAPSULADO TO-92
Salida Entrada Comn
Nota: El encapsulado TO-92 se utiliza en los reguladores de la serie LM78L00 que pueden suministrar hasta 100 mA de corriente de salida. Estos ltimos, proveen tensiones de salida nominal de 3.3; 5; 6; 8; 9; 12; 15; 18 y 24V.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Resistencia trmica de los encapsulados Este dato es importante dado que nos permite determinar la mxima potencia disipada del integrado, para cualquier temperatura ambiente (TA), en funcin de la mxima temperatura admisible interior (Tjmax=150C o Tjmax 125C) y de la resistencia trmica juntura-ambiente (RTJA). PDmax = (Tjmax - TA) / (RTJA) Si excedemos esta mxima disipacin, las especificaciones elctricas suministradas por el fabricante no se cumplen y por otra parte acta la proteccin trmica bloqueando el dispositivo (cae el voltaje de salida regulado). Para el encapsulado TO-3(K) es RTJA= 39C/W, sin disipador. Cuando se utiliza disipador, la RTJA es la suma de la resistencia trmica juntura-carcaza (RTJC= 4C/W) ms la resistencia trmica del disipador (RTD). Para el encapsulado TO-220(T) es RTJA= 54C/W, sin disipador. Cuando se utiliza disipador, la RTJA es la suma de la resistencia trmica juntura-carcaza (RTJC= 4C/W) ms la resistencia trmica del disipador (RTD). Si se utiliza el encapsulado TO-263(S), usado en los integrados LM7805C (Vo=+5 V) y LM7812C (Vo=+12 V), la resistencia trmica RTJA se puede reducir aumentando el area de cobre de la placa, que esta en contacto con el encapsulado, en los siguientes valores: S= 1,61 cm2 RTJA = 50 C/W S= 6,45 cm2 RTJA = 37 C/W S= 16,51 cm2 RTJA = 32 C/W El encapsulado TO-92 (plstico) se lo utiliza sin disipador; presenta una resistencia trmica promedio RTJA = 0,25 C/mW. Potencia elctrica consumida por el regulador La ecuacin que nos determina la potencia disipada en el regulador de tres terminales, esta compuesta por dos trminos: a) La potencia que se disipa en el transistor de paso, dado por el producto entre la diferencia de la tensin de entrada salida y la corriente de salida (de la carga) PTP = (Ve-Vo). Io b) La potencia que consume el resto del circuito integrado y que se calcula como el producto entre la tensin de entrada y la corriente de polarizacin o reposo (IQ). PQ = Ve. IQ La potencia total elctrica consumida vale: PD = PTP + PQ= (Ve-Vo). Io + Ve. IQ La corriente de polarizacin IQ, es la que circula entre el terminal comn del regulador y masa Para la serie LM140A/LM340A la corriente de polarizacion puede valer IQ 6,5 mA Para la serie LM140 la corriente de polarizacion puede valer IQ 7 mA Para la serie LM340/LM7800C la corriente de polarizacion puede valer IQ 8,5 mA Mxima corriente de salida Para determinar la mxima corriente de salida que estos dispositivos pueden entregar, sin que se degraden sus parmetros elctricos o que actu la proteccin de mxima temperatura, debemos tener en cuenta lo siguiente. a) La mxima temperatura admisible interior (Tjmax=150C o Tjmax 125C) b) La mxima temperatura ambiente de trabajo que soportar el CI (TAmax) c) La resistencia trmica RTJA, valor que depender del tipo de encapsulado, si se utiliza o no disipador y tipo de disipador si se lo utiliza. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Con los puntos a, b y c se determina la mxima potencia que puede disipar el dispositivo como: PDmax = (Tjmax - TAmax) / (RTJA) siendo: RTJA: dato dado por el fabricante para el tipo de encapsulado y sin disipador RTJA= RTJC+ RTCD + RTD cuando se utilice disipador RTJC= Resistencia trmica juntura-carcaza (suministrado por fabricante de acuerdo al tipo de encapsulado) RTCD= Resistencia trmica carcaza-disipador (depender del tipo de unin entre la carcaza y el disipador) RTD: Resistencia trmica del disipador que se utilice d) Determinada la mxima potencia disipada se puede determinar la mxima corriente de salida como: PDmax = PTPmax + PQ= (Vemax-Vo). Iomax + Ve. IQ Ejemplo 1 Determinar la mxima corriente de salida de un CI regulador de voltaje LM340-5, con encapsulado TO-220, funcionando sin disipador sin, bajo las siguientes condiciones: Tjmax = 125C (temperatura en el interior del regulador) TAmax= 45C (temperatura mxima del ambiente) Ve = 10 V (voltaje mximo previsto de entrada al regulador) De las especificaciones tcnicas del regulador obtenemos los siguientes datos: RTJA = 54C/W (encapsulado TO-220) IQ = 8 mA (corriente mxima previsible de polarizacin del regulador) Vo = 5 Volt (voltaje nominal de salida del regulador) Solucin: De la ley de Ohm trmica determinamos la mxima potencia disipada, para no sobrepasar la mxima temperatura del interior de regulador PDmax = (Tjmax - TAmax) / (RTJA) = (125C-45C) / 54C/W = 1,48 W Con la expresin elctrica de la potencia consumida por el regulador, determinamos la mxima corriente de salida para no sobrepasar Tjmax PDmax = PTPmax + PQ= (Vemax-Vo). Iomax + Ve. IQ Iomax = (PDmax - Ve. IQ) / (Vemax-Vo) = (1,48 W- 8,5 V.0,008 A) / (10 V- 5 V) Io mx. = (1,48 W 0,068 W) / 5 V 1,48/5 = 0,296 A = 296 mA Ejemplo 2 Determinar la corriente de salida mxima del regulador del ejemplo n1 pero con una tensin de entrada Vemax = 15 Volt Solucin: Iomax = (PDmax - Ve. IQ) / (Vemax-Vo) PDmax / (Vemax-Vo) Iomax 1,48 / 10 = 0,148 A = 148 mA Ejemplo 3 Determinar la corriente de salida mxima del regulador del ejemplo n1 si se lo utiliza con un disipador plano de aluminio color negro con un area S= 30 cm2, en posicin vertical. Solucin: Para resolverlo, debemos conocer: la resistencia trmica entre el interior del regulador y la carcaza (RTJC), La resistencia trmica de contacto entre la carcaza y el disipador (RTCD) y finalmente la resistencia trmica del disipador (RTD). ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------La RTJC la obtenemos de los datos suministrados por el fabricante para el tipo de encapsulado especifico; para nuestro caso RTJC = 4C/W (encapsulado TO-220). Otro dato que necesitamos conocer, es RTCD. Este valor depender si el contacto es directo o lleva material aislante (mica), si lleva grasa siliconada o no lleva, y del torque mximo de ajuste del tornillo de sujecin. A modo de orientacin recurrimos a la siguiente tabla suministrada por un fabricante de reguladores en CI de la serie 7800 con encapsulado TO-220 encapsulado modelo torque mica RTCD (con grasa) RTCD (sin grasa) TO-220AB KIA78xxAP 6kg.cm no 0,3-0,5C/W 1,5-2,0C/W si 2,0-2,5C/W 4,0-6,0C/W Adoptaremos el valor RTCD = 0,5C/W (para contacto directo con grasa siliconada) Finalmente debemos determinar la resistencia trmica del disipador, valor que depender de varias variables como ser: tipo de material, area, color, espesor, posicin y potencia disipada. Este valor, se obtiene en general de curvas experimentales de disipadores como la que se muestra en la siguiente figura:
Disipador plano Dimetro de asiento: 11 mm Roscado 10-32 UNF Dimetro agujero disipador: 5,2 mm Color: Negro Conveccin libre
RD C/W 10 9 8
1W 3W 6W 10 W 30W 1m/s 2m/s 5m/s
Aire forzado
0 0
20 30
40
60
80
100
120
140
160 area (cm2)
De las curvas experimentales obtenemos la resistencia trmica resulta RTD = 9C/W. La resistencia trmica total entre el interior y el ambiente resulta: RTJA= RTJC+ RTCD + RTD = 4C/W + 0,5C/W + 8C/W = 13,5C/W La mxima potencia disipada, en las condiciones previstas (problema1) resulta. PDmax = (Tjmax - TAmax) / (RTJA) = (125C 45C) / 13,5C/W = 5,93 W La potencia elctrica consumida no deber superarla, por lo que la corriente de salida no deber sobrepasar el siguiente valor: Iomax = (PDmax - Ve. IQ ) / (Vemax-Vo) = ( 5,93 W- 8,5 V.0,008 A) / ( 10 V- 5 V) Io mx. = (6,4 W 0,068 W) / 5 V 5,93/5 = 1,18 A Nota: En la practica se aconseja trabajar con los valores lmites inferiores de temperatura interior para aumentar la confiabilidad y vida til. ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas elctricas de los reguladores en CI Voltaje de salida regulado: Por ejemplo para el regulador 7812 el voltaje de salida regulado nominal es de 12 Volt con una tolerancia que puede llegar a un valor mnimo de 11,5 volt de voltaje regulado, a un valor mximo de 12,5 volt. de voltaje regulado. (Vo4%). Este valor se especifica para Tj =25C y 5mA IO 1 A. Para la serie LM340-12, es similar; en cambio para la serie LM340A-12 es Vo2%. Regulacin de lnea: especifica la variacin del voltaje de salida regulado ante variaciones de la tensin de entrada del regulador. Por ejemplo para el 7812 con un corriente de salida Io= 500mA, Tj = 25C, el voltaje regulado de salida tiene una variacin tpica de 4 mV, con un valor mximo de 120 mV, para una variacin de la tensin de entrada 14,5 VIN 30 V. Regulacin de carga: La regulacin del voltaje de salida para el 7812 tiene un valor tpico de 12 mV, hasta un mximo de 120 mV para una variacin de la corriente de carga 5mA IO 1,5 A (Tj=25C). Corriente de polarizacin (IQ): Es la corriente que circula por el terminal de masa y se puede obtener como la diferencia entre la corriente de entrada y salida del regulador. El valor mximo para el 7812 es de 8mA. Voltaje de ruido en la salida: Para un ancho de banda 10 Hz f 100 kHz, a una temperatura ambiente TA= 25C el valor tpico para el 7812 es de 75 V. Rechazo al rizado: Este parmetro nos expresa la reduccin de la tensin de rizado en la salida del regulador, respecto a su valor de entrada. El rechazo al rizado se define como la relacin entre el rizado en la entrada y la salida, expresado en decibeles. RRR (db) = 20 log10 (VIN/VO). Para el 7812 el rechazo al rizado para Tj=25C y IO 1 A vale tpicamente 75 db, con un valor mnimo de 55 db. Diferencia de voltaje: La diferencia de voltaje, tpicamente de 2 v, es la cantidad mnima de voltaje a travs de los terminales entrada-salida que deber mantenerse para que el CI opere como regulador. Si el voltaje de entrada desciende demasiado o si la salida se eleva de forma que no se mantienen al menos 2 V a travs de la entrada-salida del CI, ste ya no ser capaz de proporcionar una regulacin de voltaje. Por lo tanto se deber mantener un voltaje suficientemente grande para asegurar que siempre se proporcione la diferencia de voltaje. Por otra parte, el voltaje de entrada no debe ser muy grande, respecto al voltaje de salida regulado, dado que a mayor diferencia de estos voltajes, aumentar la disipacin del CI, limitando la mxima corriente de carga que puede suministrar. Resistencia dinmica de salida: Expresa la resistencia de salida del regulador para una frecuencia f= 1 kHz. Para el 7812, su valor tpico es de 18 m. Corriente de salida de cortocircuito: Es la cantidad de corriente que entrega el regulador cuando la salida esta en cortocircuito (presumiblemente por accidente o debido a un componente defectuoso en la carga. Para el 7812, su valor tpico es de 1,5 A para Tj= 25C. ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Corriente de salida pico: Durante un breve periodo transitorio, el regulador puede entregar una corriente mayor a la mxima especificada en la regulacin de carga (1,5 A). Para el 7812 esta corriente pico es de 2,4 A. Variacin de Vo con la temperatura: Para 0C Tj + 125 C y Io = 5mA la tensin de salida regulada presenta una variacin que para el 7812 es de -1,5 mV/C. Valores mnimo y mximo de la tensin de entrada: Se especifica el voltaje mnimo requerido en la entrada del regulador para mantener la regulacin de lnea; igualmente se especifica su valor mximo permitido por condiciones propias de aislamiento interno del CI. Para el 7812, estos valores son: 14,6 VIN 30 V. Ejemplo 4 Para las condiciones de funcionamiento de la fuente de alimentacin regulada con CI, verificar que el valor mnimo de la tensin de entrada al regulador sea superior la tensin mnima exigida por el CI para mantener el voltaje de salida regulado.
Entrada Salida Vi Vo 7812 Masa f= 50 Hz Vm Vm 1000F Vo Io
Solucin: a) Determinaremos la tensin de rizado en la entrada del regulador (capitulo 1 circuitos con diodos) Io = Vo/RL = 12 /24 = 0,5 A Va (pp.) = Io/(2f.C1) = 0,5 /(2.50.1000.10-6) = 5 Volt. b) La tensin mnima de entrada la determinamos como diferencia entre la mxima tensin de carga del condensador de filtro (C1) y la tensin de ondulacin o rizado pico a pico Vm = vs(rms).2) = 18. 1,41=25,38 V Vm = Vm 2.Vd = 25,38 2.0, 75 = 23,88 V (mxima tensin de carga del condensador C1). Siendo Vd la cada de tensin en cada diodo Vi min. = Vm Va (pp) = 23,88 5 = 18,88 V > 14,6 V. Como vemos la tensin de entrada cumple con los requisitos mnimos. Ejemplo 5 Para el circuito regulador del ejemplo 4, determinar la mxima corriente de carga que cumpla con los requisitos mnimos de la tensin de entrada. Solucin. Para resolverlo tomaremos la condicin lmite de regulacin o sea 14,6 v de tensin de entrada y con este valor calcularemos Va (pp.) para luego determinar IoMax. ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Va (pp.) = Vm - Vi min. = 23,88 14,6 = 9,28 V IoMax. = Va (pp.) . (2.f.C1) = 9,28. (2.50.1000.10-6) = 0,928 A RTJA= RTJC+ RTCD + RTD = 4C/W + 0,5C/W + 8C/W = 13,5C/W Ejemplo 6 Para la condicin del ejemplo 4 verificar la temperatura del interior del CI (Tj), que permita funcionar en esas condiciones de carga, sin que acte la proteccin propia por sobre temperatura. Para ello tomar los mismos valores de TA y y resistencias trmicas del ejemplo 1. TA = 45C RTJC = 4C/W RTCD = 0,5C/W RTD = 8C/W Solucin: a) Debemos calcular en primer trmino la tensin promedio en la entrada del regulador: VI = Vm Io / 4.f.C = 23,88 (0,928/4.50. 1000. 10-6) = 23,88 4,64 = 19,24 V. b) Calculamos ahora la potencia promedio disipada: PD = Io. (VI Vo) = 0,928. (19,24 12) = 6,72 W c) determinamos a continuacin la temperatura promedio en el interior de CI utilizando la ley de Ohm trmica: RTJA= RTJC+ RTCD + RTD = 4C/W + 0,5C/W + 8C/W = 13,5C/W PD = (Tj - TA) / (RTJA) Tj = PD . RTJA + TA = 6,72.13,5 + 45 = 135,7 C Como vemos hemos superado el limite permitido para este CI, que es de Tjmax= 125 C por lo que actuar la proteccin por sobre temperatura. d) para evitar la posible actuacin de la proteccin de temperatura, necesitamos limitar la corriente de carga, para disminuir la potencia disipada: PDmax = (Tj - TA) / (RTJA)= (125 45)/ 13,5 = 5,92 W Iomax= PDmax/(VI Vo) = 5,92/(19,24 12) = 0,818 A = 818 mA. Ejemplo 7: Para el ejemplo 4 determinar: a) La tensin de ondulacin o rizado en la salida del regulador. b) El factor de rizado en la entrada del regulador. c) el factor de rizado en la salida del regulador. Solucin: a) Para encontrar este valor nos remitimos a la especificacin del fabricante respecto al parmetro rechazo al rizado, cuyo valor mnimo es de 55 decibeles. 55 = 20 log10 [va(pp)/vao(pp)]. Despejando el trmino entre corchetes: [va(pp)/vao(pp)] = antilogaritmo10 (55/20) = 562 vao(pp) = va(pp)/562 = 5/562 = 9 mV(pp) b) Aplicamos la formula determinada en el capitulo aplicacin de los diodos (rectificadores con filtro a condensador): I(%) = 100 / (2 . 3 .2 f . RL .C1)= 100/2.3.2.50.24.1000.10-6 = 12 % c) Para ello debemos determinar el valor eficaz de la componente de ondulacin que vale para una onda triangular: vao(rms)= vao(pp)/2. 3 o(%) =100. ( vao(rms)/ Vo) = 100.(vao(pp)/2. 3)/Vo =100. (9.10-3./2.3) / 12 = 0,022 % ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Regulacin de tensin ajustable con reguladores de tensin fijos Es posible obtener una fuente de alimentacin regulada con la tensin de salida variable, dentro un determinado rango. Esto se logra, mediante el siguiente circuito:
LM340 xx 7800 IQ Ve 0.22 F
+ + I Vreg _ Vo
_ _
Por la resistencia externa R1 circula la corriente I de valor cte. I = Vreg./R1 Esta corriente tambin circula por R2, por lo que la tensin de salida vale, si despreciamos la corriente de polarizacin: Vo = (Vreg. /R1). (R1+R2) Si tenemos en cuenta a la corriente de polarizacin, la tensin de salida vale: Vo = (Vreg. /R1). (R1+R2) + IQ.R2 Aplicar una frmula u otra, depender de las relaciones de valor entre las corrientes I e IQ. Si Esta ltima resulta un 5% de I, podemos utilizar la primera frmula. Fuente de corriente constante con un regulador de tensin fijo
LM340 xx 7800 IQ
+ I Vreg _
Ve 0.22 F _
+ Vo _
Io RL
En esta aplicacin el regulador fijo acta como fuente de corriente constante, suministrando a la carga RL la corriente Io = IQ + I I = Vreg./R1 = cte. Este circuito, visto desde los terminales de entrada acta como sumidero de corriente constante, es decir como una carga que ante variaciones de la tensin Ve, la corriente que absorbe siempre es constante ___________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Aumento de la corriente de salida para los reguladores de voltajes fijos
Q1
VI LM340-XX 0.22 F 0.1F + Vo

_
El circuito anterior me permite aumentar la salida de corriente por encima del valor que puede suministra el CI regulador. Por ejemplo, cuando la corriente de carga supera l A, se produce una cada de tensin de 0,6 volt en la resistencia R1, que hace que el transistor externo Q1 suministre la corriente de carga extra por encima de 1 A. Por ejemplo si la corriente de la carga es de 8 A, 1 A lo suministra el regulador y el resto, o sea 7 A lo suministra el transistor externo Q1. Para corrientes de carga inferiores a 1 A solamente trabaja el regulador y por encima de este valor, ambos Q1 y el CI. El valor de la corriente de carga por el cual comienza a trabajar el transistor externo, esta dada por la expresin aproximada: I =(0,6V)/R1. Limitacin de la corriente de carga Una mejora al circuito anterior, consiste en aadir una limitacin de corriente, segn se muestra en el siguiente circuito
LM340-xx
0.22 F 0.1F
En este circuito, Q1 y R1 trabajan de la misma forma como se describi previamente. Q2 y R2 se encargan de limitar la corriente de carga cuando esta ltima se hace demasiado grande. Para corrientes de carga por debajo de 1 A trabaja solamente el CI regulador. Por encima de 1 A comienza a conducir Q1 aportando a la carga el exceso de corriente. Cuando la corriente que pasa por Q1 supera los 10 A, comienza a conducir Q2, dado que se produce sobre R2 una cada de tensin de valor: V = R1. IE = 0,06. 10 A = 0,6 V ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Esta cada de tensin es la que hace conducir a Q2, cuya corriente ingresa al terminal 1 de entrada del circuito regulador LM340, haciendo activar su proteccin trmica. La tensin de excitacin VBE de Q1 esta dad por la diferencia de tensiones en las resistencias para detectar las corrientes: VBE = I1.R1 I2. R2 Cuando no hay corriente I2, entonces la VBE = I1. R1. Pero cuando la corriente I2 es mayor a cero VBE es la diferencia de las cadas de tensiones en ambas resistencias. Esta ltima ecuacin nos indica algo muy importante en el comportamiento del circuito. En efecto cuando se produce un cortocircuito accidental sobre la carga, la corriente a travs de R2 tiende a infinito; esta cada de tensin bloquea a Q2 haciendo que la corriente de falla circule por Q2 hacia el terminal de entrada del regulador, provocando a su vez un aumento de la corriente I1 que circula a travs de R1. La cada de tensin sobre R1 provoca a su vez una disminucin notable de la tensin de entrada del regulador que hace que este se deje de regular cuando la tensin de entrada esta por debajo de 2 a 3 volt mas que la tensin de salida. Esto hace que la tensin de la carga caiga a cero. Reguladores de voltaje fijo negativo La serie de circuitos integrados7900 son reguladores de voltaje negativo similares a los que proporcionan voltajes positivos de la serie 7800; de la misma manera la serie LM 320 es un grupo de reguladores de tensin negativa con valores fijos de -5, -l2 y -15 Volt similares a la serie LM340 que proporcionan voltajes regulados positivos. Estos reguladores fijos de tensin negativa tienen capacidad de corriente de hasta 1,5 A con un adecuado disipador, tienen limitacin de corriente, proteccin trmica y excelente rechazo al rizado
Regulador 7800 7805 7806 7808 7810 7812 7815 7818 7824 Regulador LM340 LM340 5 LM34012 LM34015 Voltaje nominal de salida (V)4% +5 +6 +8 +10 +12 +15 +18 +24 Voltaje nominal de salida (V)4% +5 +12 +15 Voltaje mnimo de entrada (V) 7,3 8,3 10,5 12,5 14,6 17,7 21,0 27,1 Voltaje mnimo de entrada (V) 7,5 14,6 17,7 Regulador 7900 7905 7906 7908 7910 7912 7915 7918 7924 Regulador 7900 LM320 5 LM32012 LM34015 Voltaje nominal de salida (V)4% -5 -6 -8 -10 -12 -15 -18 -24 Voltaje nominal de salida (V)4% -5 -12 -15 Voltaje mnimo de entrada (V) -7,3 -8,3 -10,5 12,5 -14,6 -17,7 -21,0 -27,1 Voltaje mnimo de entrada (V) -7,5 -14,6 -17,7
Fuentes de alimentacin reguladas simtricas Con la aplicacin conjunta de los reguladores positivos y negativos es posible construir circuitos de alimentacin de voltaje dobles simtricos Vcc. Veamos tres posibles configuraciones: ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales ------------------------------------------------------------------------------------------------------
LM340XX
LM320XX
LM340XX
LM320XX
LM340XX
LM340XX
El primer circuito consiste de dos fuentes de alimentacin independientes, una provee el voltaje positivo y la otra el voltaje negativo unidas en el terminal de masa. En el segundo circuito (mas econmico), los diodos D1 y D4, conjuntamente con el condensador de filtro C1, proveen el voltaje positivo de entrada al regulador LM340XX; ste ltimo suministra en su salida el voltaje regulado +VCC. Los diodos D2, D3 y C4 proveen el voltaje negativo de entrada al regulador LM320XX; ste ltimo suministra en su salida el voltaje regulado VCC. El tercer circuito utiliza dos reguladores positivos similares, donde la masa o terminal comn se logra con la unin del terminal negativo con el terminal positivo de las salidas de voltajes de los reguladores. ___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Los condensadores de entrada C2 y C5 evitan las oscilaciones y los condensadores C3 y C6 mejoran la respuesta transitoria. En las caractersticas suministradas por los fabricantes, recomiendan que se coloquen dos diodos D1 y D2, para asegurar que ambos reguladores entren en conduccin bajo cualquier condicin de funcionamiento. Reguladores de voltaje en CI con salida simtrica Los fabricantes de CI proveen reguladores de voltaje con salida simtrica en un solo circuito integrado, como el RC4194 y el RC4195. Estos reguladores suministran en sus salidas voltajes regulados iguales positivos y negativos, respecto a un tercer terminal (masa). El circuito integrado RC4195 suministra dos voltajes de salida regulados de 15 Volt con valores iguales en corriente de suministro de 150 mA, regulacin de lnea (LR) de 3 mV, regulacin de carga (SR) de 2 mV y relacin de rechazo al zumbido de 70 dB. Necesita dos tensiones de entrada no reguladas que pueden variar entre +18 y +30 V, para la entrada positiva y -18 y -30 V, para la entrada negativa. La siguiente figura muestra el conexionado de las entradas y salidas.
+18 a +32 V Entradas -18 a -32 V +15 V Salidas -15 V
RC4195
El circuito integrado RC4194 suministra dos voltajes de salida ajustable desde 0,05 a 32 V con un suministro de corriente en ambas salidas de 150 mA, una LR de 0,2%, una SR de 0,2% y un RR de 70 dB En ambos circuitos integrados, la diferencia de tensin mnima, entre la entrada y la salida, debe ser de 3 V para asegurar la regulacin de los voltajes de salida. Circuito regulador con alto voltaje de entrada Cuando el voltaje de entrada supera al mximo admisible del CI, ser necesario bajar este voltaje de entrada para evitar una falla. La siguiente figura muestra dos posibles soluciones:
IE LM340XX
VE= Re.IE VE= Vz+VBE IE LM340XX
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------En el primer circuito, el voltaje de entrada se disminuye con el agregado de una resistencia en serie (Re) que provoca una cada de tensin cuando circula la corriente de entrada al regulador. Esta solucin se aplica en general cuando la corriente de entrada tiene poca variacin. El segundo circuito utiliza un transistor npn (Q) cuya cada de tensin resulta independiente del valor de la corriente de entrada dado que el valor de cada esta fijado por el diodo Zener segn la expresin Ve = VCE = Vz + VBE. Consideraciones complementarias que deben tenerse en cuenta a) Cuando se utilizan grandes condensadores en la salida de estos reguladores se recomienda colocar un diodo de proteccin conectado entre la salida y la entrada, si el circuito de entrada permite descargar la corriente a masa (resistencia de drenaje). Sin la proteccin de este diodo, cuando se quita la alimentacin del voltaje al regulador, la tensin Vo debido a la carga almacenada en el condensador de salida se descargara a travs del circuito de salida interno del CI a masa. Esta corriente de descarga pasa por los diodos, transistores y elementos parsitos. Si la energa descargada por el condensador es lo suficientemente grande, el regulador puede ser destruido. Para evitar este inconveniente se coloca un diodo rpido como se muestra en la siguiente figura.
LM340XX
En Gral. no es necesario este diodo de proteccin para valores de capacitancia de salida iguales o menores a 10 F. b) El aumento de la tensin de salida por encima de la de entrada puede causar daos por descargas de corriente hacia el interior del regulador desde la salida. En este caso el diodo de proteccin acta de manera similar a lo que acabamos de describir en el tem anterior. c) Cuando el pin de masa del regulador se desconecta, la tensin de salida se aproxima al voltaje de entrada no regulado, provocando posibles daos a otros circuitos conectados a Vo. Si la conexin a masa lo hacemos con la fuente de alimentacin encendida, tambin se puede producir un dao al CI regulador. Este fallo es mas probable que se produzca al conectar o desconectar los CI reguladores de sus zcalos de conexin. Previo al remover o colocar el CI de su zcalo de conexin, la fuente de alimentacin debe ser desconectada.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales ------------------------------------------------------------------------------------------------------
LM340XX
d) Voltajes transitorios: Si transitorios de voltajes supera el mximo voltaje nominal de entrada del dispositivo, o llegar a ms de 0.8V bajo tierra y tienen suficiente energa, pueden daar el CI regulador. Para esta situacin es recomendable utilizar en la entrada circuitos de proteccin RC, cadena de diodos de descarga, inductancias de Chone, varistores o combinacin de ellos. Reguladores de voltajes ajustables Estn disponibles comercialmente reguladores en circuito integrados con tensin de salida ajustable como el LM317 (LM117), LM338 y LM350. De esta manera le permite al usuario establecer el voltaje de salida regulado al valor deseado. Por ejemplo el CI LM317 (LM117), es un regulador de tensin positiva de tres terminales que puede operarse dentro de un rango de voltaje de salida de 1,25 a 37 Volt. Este regulador puede entregar hasta 1,5 A de corriente de carga con una regulacin de carga de 0,1 %. La regulacin de lnea es del 0,01%, significando esto que la tensin de salida cambia en 0,01 V por cada 100 V de cambio en la tensin de entrada.. El rechazo al rizado tiene un valor tpico de 80 dB significando esto que la ondulacin de salida se reduce en una cantidad de 10.000 respecto a la entrada. Veamos a continuacin una fuente de alimentacin con tensin ajustable y regulada con todos los componentes utilizables:
LM317
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Determinacin de la tensin de salida El LM 317 presenta una tensin de referencia fija Vref= +1,25 V entre el terminal de salida (2) y el terminal comn o masa (3). En consecuencia la corriente que circula por R1 vale. I= Vref./R1 La tensin de salida estar dada por la cada de tensin que produce esta corriente sobre las resistencias en serie R1 +R2 Vo = I.(R1+R2) = Vref./R1.(R1+R2) = Vref.(1+R2/R1) = 1,25.(1+R2/R1) En esta ltima expresin no se tiene en cuenta la cada de tensin adicional de la corriente de ajuste (sale por el terminal de masa) del CI regulador, sobre R2. Si la tenemos en cuenta, la expresin ms exacta resulta: Vo = Vref . (1+R2/R1) + IADJ.R2 Si la resistencia R2 es variable podemos entonces fijar, a nuestra necesidad, el valor final de la tensin de salida de la fuente de alimentacin regulada.
Ejemplo 8 Para el circuito anterior determinar: a) El voltaje de salida Vo para R1 = 240 y R2 = 2,4 k. (Despreciar IADJ). b) El voltaje de salida para valores iguales en R1 y R2 pero considerando la corriente de polarizacin del CI regulador, cuyo valor tpico resulta IADJ = 100A Solucin: a) Vo = Vref . (1+R2/R1) = 1,25 . (1+ 2400/240) = 13,75 Volt. b) Vo = Vref. (1+R2/R1) + IQ.R2 = 1,25. (1+ 2400/240) + 100A. 2,4 k = 13,99 Volt. Funcin de los capacitores externos capacitores externos En referencia al circuito anterior, el capacitor C1 acta como filtro pasivo para disminuir la tensin de ripple a la salida del rectificador monofsico en puente El capacitor C2 (recomendado 0.1F disco cermico 1F tntalo) sobre la entrada del regulador es adecuado para evitar inestabilidad en casi todos las aplicaciones, especialmente cuando intervengan inductancias parasitas generadas por distancias de varios cm. entre la conexin de la salida del rectificador y la entrada del regulador. El terminal de ajuste puede ser conectado a masa, a travs de C3, en el LM317 (117) para disminuir la ondulacin en la salida, por rechazo al ripple. Con un capacitor de 10F de Tntalo, se mejora el rechazo al ripple de 66 a 80 dB en cualquier nivel de la tensin de salida. Un aumento ms de 10 F no se aprecia una mejora significativa en el rechazo al ripple a frecuencias por encima de 120 Hz. Cuando se utiliza este capacitor, a veces es necesario incluir la proteccin de diodos para impedir la descarga a travs de la baja impedancia de salida del regulador y daar el dispositivo. En general, el mejor tipo de condensadores para este uso son los de tntalo. Los capacitores de tntalo slido tienen muy baja impedancia para las altas frecuencias. Dependiendo de construccin, se necesita unos 25 F en capacitor electroltico de aluminio a la igualdad de 1F de tntalo slido, a altas frecuencias. Los condensadores de cermica tambin son buenos en frecuencias altas, pero algunos tipos tienen una disminucin de la capacidad de frecuencias en torno a 0,5 MHz.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------A pesar de que el LM117 es estable sin capacitor de salida (C4), como cualquier circuito de retroalimentacin, algunos valores de capacitancia externa pueden mejorar las prestaciones. Esto se produce con valores entre 500 pF y 5000 pF. Un 1F de tntalo slido (o 25 F aluminio electroltico) en la salida del regulador asegura la estabilidad, la respuesta a transitorios ante variaciones de la tensin de entrada o la corriente de salida y la disminucin de la impedancia de salida. Todo aumento de la capacidad de carga de ms de 10 F se limita a mejorar el bucle de la estabilidad y la impedancia de salida. Consideraciones a tener en cuenta para la regulacin de carga El LM117 es capaz de proporcionar muy buena regulacin de carga de acuerdo a sus especificaciones, pero algunas precauciones son necesarias tener en cuenta para obtener el mximo rendimiento. El conjunto de resistencias R1 y R2 conectado entre el terminal de ajuste y de la terminal de salida (normalmente 240 Ohm) debe estar vinculado directamente a la terminal de salida del CI regulador, en lugar de estar conectado cerca de la carga. La finalidad es eliminar una posible resistencia efectiva de lnea, en serie con la resistencia de referencia (R1) que degradara la regulacin del voltaje de salida. Por ejemplo, para un voltaje de salida de 15V (con Vref=1,25 V) con una resistencia de lnea Rs=0,05 , la regulacin de carga ser V= 0,05 x IL. Si el conjunto R1 y R2 est conectado cerca de la resistencia de la carga RL, la lnea de resistencia efectiva de lnea ser Rs=0.05 . (1 + R2/R1) o sea en este caso, 12 veces mayor. Ejemplo 9 Para el circuito de la figura siguiente determinar: a) El voltaje de salida regulado en la carga considerando la conexin del conjunto R1 y R2 prximo al terminal de salida del CI, con una resistencia de lnea Rs= 0,05 , para Vref= 1,25 V; R1= 240 ; R2= 2,64 k y IL= 1 A b) El voltaje de salida regulado en la carga considerando la conexin del conjunto R1 y R2 prximo al terminal de la carga, para las mismas condiciones del punto a. (Rs= 0,05 ; Vref= 1,25 V; R1= 240 ; R2= 2,64 k y IL = 1 A) c) El cambio equivalente de la resistencia de lnea, en relacin al voltaje de salida sobre la carga, entre el punto a y b. d) La regulacin porcentual de carga para las situaciones consideradas en a y b Nota: En los clculos, despreciar la corriente IADJ.
LM317 + Vref=1,25V -
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Solucin: a) En este caso, el conjunto R1 y R2 estn conectados a la terminal de salida del CI por lo cual el voltaje de salida vale: Vo = Vref.(1+R2/R1) = 1,25 . ( 1+ 2,64/0,24) = 15 V El voltaje sobre la carga lo determinamos como: VL = Vo Rs. IL = 15 0,05 . 1 A = 15 0,05 = 14,95 V b) Como el conjunto R1 y R2 estn conectados prximos a la carga, VL se calcula como: VL = (Vref. Rs.IL).(1+R2/R1) = Vref.(1+R2/R1) - Rs.(1+R2/R1).IL VL = 1,25.(1+2,64/0,24) 0,05.(1+2,64/0,24) = 15 0,6 = 14,4 V c) Como vemos para el caso b, la resistencia equivalente en serie se incrementa en un valor: Rs.(1+R2/R1), o sea 12 veces el valor de Rs d) Tomando como referencia la tensin sobre la carga para RL= (Vo= VL) tendremos: Reg1 (%) = (VL/Vo).100 = (0,05.100)/15 = 0,33 % Reg2 (%) = (VL/Vo).100 = (0,05.(1+R2/R1).100)/15 = 3,96 % Como conclusin de este ejemplo, vemos que para obtener una buena regulacin de carga, del orden del CI regulador es necesario disminuir al mximo la resistencia de lnea Rs entre la salida del regulador y la carga; adems debemos tener en cuenta la conexin del conjunto R1, R2 sobre el terminal de salida del CI regulador Diodos de proteccin Cuando condensadores externos son utilizados con cualquier CI regulador, a veces es necesario aadir diodos de proteccin para evitar que los condensadores descarguen corrientes a travs de los circuitos de baja impedancia del regulador. Los capacitores de 10 F en adelante tienen una baja resistencia interna lo suficiente para entregar 20 A cuando se cortocircuitan sus terminales. Aunque el aumento de esta corriente es de corta duracin, hay suficiente energa para daar las partes internas de un CI. Para evitar estos inconvenientes, se agregan diodos de descarga a travs de los circuitos de entrada o salida del regulador. En los circuitos analizados para el LM317, el diodo D1 permite la descarga del capacitor de salida C4 a travs del circuito de baja impedancia de entrada, para el caso donde la carga RL este desconectada. El diodo D2 permite la descarga del capacitor conectado al terminal ADJ a travs de la carga RL o el circuito de entrada, por medio del diodo D1. Esta proteccin con diodos no es necesaria para voltajes regulados de salida menores a 25 V con capacitor de salida (C4) menor a 25 F y capacitor conectado al Terminal de ajuste (C3) menor a 10 F. Reguladores de voltaje positivo LM138/LM238/LM338 Estos reguladores de voltaje positivo son de tensin de salida ajustable (similares a los LM117/LM217/LM317) con la caracteristica principal de asegurar un suministro de corriente de salida Io = 5 A. Estos reguladores dada la elevada potencia que tienen que disipar, vienen solamente en el encapsulado TO-3. Las aplicaciones y prevenciones a tomar respecto a la estabilidad, respuesta a transitorios de la tensin de entrada y la corriente de salida, son similares a los de la serie LM317. De la misma manera, respecto a las corrientes de descarga de los condensadores mediante la colocacin de diodos de proteccin. Daremos a continuacin algunas de las caractersticas ms sobresalientes de estos reguladores de voltaje positivo de potencia: Tensin de salida ajustable de 1,2 a 32 Volt ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA 3-6-Apndice 2: Reguladores de voltaje lineales -----------------------------------------------------------------------------------------------------Corriente de salida garantizada Io= 5 A Corriente pico 7 A (12 A de corriente pico en breve periodo) Regulacin tpica de lnea: 0,005 %/V (3 V a 35 V) Regulacin de carga tpica: 0,1 % (5 mA a 5 A) Proteccin trmica. Limitacin de corriente con la temperatura. Rechazo al ripple: 60 dB Rechazo al ripple con capacitor Cadj= 10 F: 75 dB Tipo de encapsulado: T0-3 RTJC: 1,4 C/W (resistencia trmica juntura-carcaza) RTJA: 35 C/W (resistencia trmica juntura-ambiente) Temperaturas de trabajo: LM138: -55C a +150C (aplicacin militar y aeroespacial) LM238: -25C a +125C (aplicacin industrial) LM338: 0C a +125C (aplicacin comercial masiva)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales --------------------------------------------------------------------------------------------------------
PROCESOS DE SEALES ELECTRICAS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------PROCESOS DE SEALES ELECTRICAS ANALOGICAS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES CONTENIDO Breve resea del amplificador operacional (Pg.5) El amplificador inversor (Pg.6) Circuito sumador de seales elctricas analgicas (Pg.7) Circuito mezclador de seales de audio (Pg.8) Circuito sumador inversor con ganancia (Pg.8) Amplificador inversor promediador (Pg.9) Amplificador inversor con alta impedancia de entrada (Pg.9) Amplificador inversor diferenciador (Pg.11) Amplificador inversor integrador (Pg.11) Operacin logartmica con el AO (Pg.12) Operacin exponencial con el AO (Pg.13) Amplificador operacional no inversor (Pg.13) Circuito sumador no inversor (Pg.14) Sumador no inversor de N entradas (Pg.14) Circuito seguidor de voltaje (Pg.14) Seguidor de voltaje con entrada en ambos terminales del AO (Pg.15) Amplificador no inversor de corriente alterna con alta impedancia de entrada -(Pg.15) Amplificador diferencial bsico (Pg.16) Voltaje de modo comn en el amplificador diferencial (Pg.17) Inconvenientes del amplificador diferencial bsico (Pg.17) Amplificador de instrumentacin (Pg.19) Voltaje de salida referencial (Pg.19) Mediciones con el amplificador de instrumentacin (Pg.20) Medicin de voltaje y corriente con el amplificador de instrumentacin (Pg.21) Control de la corriente de carga con el amplificador de instrumentacin (Pg.21) Amplificador de instrumentacin en circuito integrado (Pg.22) Amplificador en puente bsico (Pg.23) Amplificador en puente prctico (Pg.24) Amplificador en puente con transductores conectados a masa (Pg.25) Amplificador en puente con transductores de alta corriente (Pg.25) Medicin de pequeos cambios de resistencia (Pg.26) Filtros activos con amplificadores operacionales-Introduccin (Pg.28) Filtro pasa bajo bsico (Pg.29) Circuitos de filtrado pasa bajo de mayor atenuacin (Pg.31) Filtro de Butterworth pasa bajo de -60 dB/dcada (Pg.32) Atenuacin de los filtros pasa bajo Butterworth (Pg.33) Defasaje de los filtros pasa bajo Butterworth 29 (Pg.33) Filtros Butterworth pasa alto (Pg.34) Filtro pasa alto de -20 dB/dcada (Pg.34) Filtro pasa alto de Butterworth de -40 dB (Pg.36) Diseo practico del filtro de -40 dB/dcada (Pg.37) Filtro pasa alto de -60 dB/dcada (Pg.37) Atenuacin de los filtros pasa alto Butterworth (Pg.38) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Defasaje de los filtros pasa alto Butterworth (Pg.38) Filtro pasa banda (Pg.38) Filtros de ranura o eliminacin de banda 36 (Pg.40) Circuitos comparadores de voltaje con amplificadores operacionales (Pg.41) Configuraciones de los circuitos comparadores (Pg.42) Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR negativa (Pg.42) Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR negativa (Pg.43) Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR positiva (Pg.43) Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR positiva (Pg.43) Comparador de ventana con AO (Pg.44) El CI comparador de precisin 111/311 (Pg.45) Circuitos regenerativos como comparadores de tensin (Comp. Schmitt) (Pg.46) Comparador Schmitt con amplificador operacional (inversor) (Pg.48) Comparador Schmitt con amplificador operacional (no inversor) (Pg.49) Comparador Schmitt con ajuste independiente de la tensin de histresis y del voltaje de centrado (Pg.50) Control del voltaje de salida en los comparadores con amplificadores operacionales (Pg.51) Voltmetro de CC de alta impedancia con AO (Pg.51) Voltmetro universal de alta impedancia (Pg.52) Convertidores de voltaje en corriente (Pg.53) Convertidor de voltaje diferencial a corriente con carga conectada a masa (Pg.54) Convertidor de voltaje a corriente con la carga conectada a masa (Pg.55) Fuente de alta corriente constante (Pg.56) Conversin de corriente a voltaje (Pg.57) Medicin de corriente en fotodetectores (Pg.58) Medicin en fotorresistencias (Pg.58) Medicin en fotodiodos (Pg.58) Amplificador de corriente (Pg.59) Medicin de energa en celdas fotovoltaicas (Pg.59) Medicin de la corriente de cortocircuito de una celda fotovoltaica con microamperimetro (convertidor de corriente en corriente) (Pg.60) Circuitos modificadores de fase con amplificadores operacionales (Pg.61) Compensador de fase (Pg.61) Circuito partidor de fase (Pg.61) Circuito desviador de fase con AO (Pg.62) Introduccin a los rectificadores de precisin (Pg.63) Rectificador inversor lineal de media onda con salida positiva (Pg.64) Separador de polaridad de seal (Pg.65) Introduccin a los rectificadores de precisin de onda completa con AO (Pg.66) Rectificador de precisin de onda completa con resistores iguales (Pg.67) Rectificador de precisin de onda completa con AO con alta impedancia de entrada (Pg.68) Rectificador de precisin con entradas de sumas conectadas a masa (Pg.69) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito de valor medio absoluto (MAV) (Pg.70) Rectificador de precisin con puente de diodos y AO (Pg.71) Circuito detector de picos (Pg.72) Seguidor de picos positivos y retenedor (Pg.73) Circuito limitador con AO (Pg.74) Circuito limitador doble con AO (Pg.75) Circuitos de zona nula con salida negativa (Pg.75) Circuito de zona nula con salida positiva (Pg.77) Circuito de zona nula con salida bipolar (Pg.77) Circuito limitador de precisin con AO (Pg.78) Convertidor de onda triangular en onda senoidal (Pg.79) Circuito multivibrador monoestable (Pg.80) Circuito monoestable con AO (Pg.80) Tiempo de conmutacin del circuito monoestable (Pg.82) El circuito multivibrador astable (Pg.82) Determinacin del tiempo de conmutacin del circuito astable (Pg.84) Principios para la generacin de ondas triangulares con AO (Pg.84) Circuito generador de rampa (Pg.85) Temporizador ajustable con un generador rampa (Pg.86) Generador de onda triangular bsico (Pg.87) Generador de onda triangular prctico (Pg.89) Generador de onda diente de sierra (circuito bsico (Pg.90) Generador de onda diente de sierra con transistor unijuntura programable (Pg.91) Introduccin a los osciladores de onda senoidal (Pg.92) Consideraciones practicas en los osciladores senoidales (Pg.93) Mtodos grales para analizar y disear circuitos osciladores (Pg.93) Oscilador senoidal tipo RC con AO (Pg.94) Osciladores con redes de realimentacin RC de atraso-adelanto (Pg.94) Circuito de atraso (Pg.95) Circuito de Adelanto (Pg.95) Circuito de retardo-adelanto (Pg.95) Oscilador en puente de Wein con amplificador operacional (Pg.96) Oscilador con puente de Wein prctico para una frecuencia de 1 Khz. (Pg.97) Convertidor de voltaje en frecuencia (VCO) (Pg.98) Convertidor de impedancia generalizado GIC (Pg.100)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------PROCESOS DE SEALES ELECTRICAS ANALOGICAS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES Este apndice, tiene la finalidad de ampliar los conocimientos generales sobre las diversas aplicaciones de los amplificadores operacionales, tema tratado para su estudio, en el capitulo 3 de la materia ELECTRONICA I. La aplicacin prctica de los circuitos tratados, requiere del conocimiento del funcionamiento de los amplificadores operacionales reales, tema tratado en el apunte de referencia. Breve resea del amplificador operacional Un amplificador electrnico es un circuito que recibe una seal en su entrada y suministra a la carga una seal incrementada, sin distorsin, de la seal recibida en su entrada. El amplificador operacional cumple con esta caracteristica, donde su nombre fue dado a los primeros amplificadores de alta ganancia diseados para llevar a cabo operaciones aritmticas que permitieran resolver ecuaciones integro diferenciales de procesos fsicos. El AO es un amplificador que puede trabajar tanto en c.c como en c.a. Otra facultad interesante es su capacidad de entrada diferencial, lo cual permite utilizarlo como inversor, no inversor o diferencial. Sumado a esto la elevada ganancia en lazo abierto, nos permite mediante sencillas realimentaciones exteriores, controlar con gran exactitud la ganancia total del circuito en funcin de los componentes de realimentacin. Los primeros AO fueron valvulares, con voltajes de alimentacin 300 volt; siguieron los construidos con elementos discretos y actualmente se los dispone en circuito integrado, como una unidad o formando parte de un circuito integrado de mayor complejidad. Por su bajo costo, versatilidad y simplificacin su uso se ha extendido mas all de las aplicaciones de su diseo original, utilizndose para el tratamiento de las seales elctricas en los campos de control de procesos, comunicaciones, computacin, fuentes de seal, sistemas de prueba y medicin etc. Un amplificador operacional ideal se define bajo las siguientes condiciones: a) Debe poseer una ganancia de tensin diferencial elevada ( Av ) para todo el rango de frecuencias de la seal de entrada. b)-La impedancia de entrada diferencial debe ser elevada ( Zi ) c) La impedancia de salida debe ser nula (Zo = 0 ) d) No debe producirse corrimiento de fase entre la seal de salida y la de entrada. e) Debe poseer una entrada que permita un defasaje entre la seal de salida y la de entrada de 180 (inversin del signo para cc). f) La frecuencia de trabajo o el ancho de banda B de la amplificacin debe ser elevado ( B ). Los circuitos con aplicaciones del amplificador operacional, lo trataremos como ideal (AOI). En la mayora de las aplicaciones se lo utiliza realimentado negativamente. Con esta realimentacin se generan funciones de transferencia lineales, mientras trabaje en la zona lineal de su caracteristica de transferencia sin realimentar (o a lazo abierto ). En las zonas de saturacin, tiene aplicaciones en circuitos comparadores y circuitos regenerativos.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------vo Zona lineal Zona de saturacin vi=v2-v1
Zona de Saturacin
Previo al desarrollo de las aplicaciones, resulta conveniente recordar el circuito equivalente del amplificador operacional, teniendo en cuenta que es un amplificador de tensin y sus parmetros elctricos caractersticos tienen los valores que definen a un AOI. En el anlisis de los circuitos presentados se considerara al AO ideal. +VCC - VCC
Las tensiones de alimentacin +VCC y --VCC estn referidas a un Terminal comn o masa. El amplificador inversor
Ir I1 + V1 vi0 i i 0
+ Vr
Ir Io Vo + Il
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el anlisis del circuito, consideraremos al punto s, terminal inversor del AO, una masa virtual dado que vi 0. Por tanto, la corriente entrante I1, estar determinada por el voltaje de entrada V1. I1= v1/R Por otra parte por caractersticas del AO, la corriente de entrada al terminal inversor es prcticamente nula (Ii0); Esto hace que la corriente de realimentacin sea, por ley de Kirchof, igual a la corriente entrante IR = I1. Como, vi 0 el voltaje de salida del AO ser la cada de voltaje en la resistencia de realimentacin Rr, siendo Vo = - Ir.Rr = - I1.Rr Sustituyendo las corriente entrante por las expresin del voltaje que la genera, tendremos: vo = - (V1/R1).Rr = - V1.(Rr/R1) Como conclusin del anlisis de este circuito, tendremos: a) La corriente de realimentacin Ir no depende de Rr sino de el voltaje entrante V1 y el resistor entrante R1. b) Como vi 0, el voltaje de salida del circuito resulta prcticamente igual a la caida de voltaje en el resistor Rr y por lo tanto su valor depender del voltaje de entrada V1. c) La ganancia del AO en circuito cerrado (realimentado) no dependera de los elementos activos del AO, sino de los resistores externos, dado que Avc Vo/V1 = - Rr/R1. d) El signo menos en la ecuacin nos dice que el voltaje de salida Vo, tendr polaridad opuesta al voltaje de entrada V1. para el caso de voltajes alternos, decimos que el voltaje de salida esta desfasado 180 respecto al voltaje de entrada. e) La corriente en la carga IL, estar determinada solamente por el voltaje de salida Vo y RL y estar suministrada por el terminal de salida del AO. De la misma forma , la corriente de realimentacin Ir deber ser suministrada (absorbida) por el AO. Por lo tanto la corriente total que deber suministrar o absorber por el terminal de salida del AO ser Io = Ir + IL. El mximo valor de Io de los AO reales en circuito integrado oscila entre 5 y 10 mA aprox. Circuito sumador de seales elctricas analgicas I1 IR = I1+ I2+ I3 I2 I3 Ii0 vi0 v vo=v1+v2+v3
Para el anlisis del circuito debemos tener en cuenta que en el punto s, terminal inversor del AO, respecto a masa tendremos un corto virtual por lo que vi 0. Por tanto, las corrientes entrantes I1, I2 , e I3 estarn determinadas por los voltajes de entrada v1, v2, y v3 . ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------I1= v1/R ; I2= v2/R ; I3= v3/R ; Por otra parte por caractersticas del AO, la corriente de entrada al terminal inversor es prcticamente nula (Ii0); Esto hace que la corriente de realimentacin sea, por ley de Kirchof, la suma de las corrientes entrantes: IR = I1+ I2+ I3. Como, vi 0 el voltaje de salida del AO ser la cada de voltaje en la resistencia de realimentacin Rr, siendo vo =-( I1+ I2+ I3 ).Rr Sustituyendo las corrientes entrantes por las expresiones de los voltajes que la generan, tendremos: vo =-( v1/R+ v2/R + v3/R ).Rr Si hacemos R = Rr reemplazando y simplificando, nos queda vo=v1+v2+v3. Si necesitamos eliminar un voltaje de salida, simplemente hacemos un cortocircuito a masa en la entrada del voltaje en cuestin. Si por otra parte necesitamos agregar otra seal, simplemente agregamos otro resistor R entre la seal de entrada y el punto s. Circuito mezclador de seales de audio El circuito sumador de seales analizado, puede utilizarse como mezclador de seales de audio. Como las corrientes entrantes, a travs de los resistores R son generadas por fuentes de seales, que estn referenciadas a una masa comn, ven en s, punto de suma, el potencial de tierra o masa (virtual). Esto hace que las seales elctricas de entradas no presenten interferencias entre si. Esta caracteristica es fundamentalmente deseable en los circuitos mezcladores de audio. Por ejemplo, las seales v1, v2 y v3 pueden provenir de micrfonos, las cuales se mezclaran a la salida del circuito sumador. Los niveles parciales de estas seales entrantes que ingresan al sumador, se pueden modificar en forma independiente y de esta manera ajustarse sus volmenes relativos. Para ello se puede instalar un potencimetro control de volumen (100 k) entre cada micrfono y su resistencia asociada de entrada
Circuito sumador inversor con ganancia

1
I1 IR = I1+ I2+ I3
I2 I3
Ii0 vi0 v vo=v1+v2+v3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------En el circuito sumador de tres entradas analizado, posible darles ganancias de voltajes diferentes a cada una de las seales suma Para ello las resistores de entrada debern poseer diferentes valores; R1 R2 R3 Realizando el mismo anlisis para el clculo de la seal de salida del sumador, el voltaje de salida con diferentes resistores de entrada, resultar: Vo = -[ v1(Rr/R1)+ v2(Rr/R2)+ v3(Rr/R3)] Por ejemplo si Rr= 100 k, R1= 10 k, R2= 20 k, R3= 50 k Las ganancias parciales resultaran: Av1 = Rr/R1 = 100/10 = 10 Av2 = Rr/R2 = 100/20 = 5 Av3 = Rr/R3 = 100/50 = 2 Amplificador inversor promediador Un amplificador promediador nos suministra en su salida un nivel de voltaje que resulta el promedio de todos los voltajes de entrada. El circuito es similar al sumador inversor. La diferencia se encuentra en los resistores de entrada que se hacen iguales a un cierto valor conveniente de R y la resistencia de realimentacin se iguala al valor de R dividido el nmero de entradas. Por ejemplo si tenemos que promediar tres seales elctricas de entrada Rr = R/n donde n=3. Ejemplo: Determinar el promedio de tres seales de entrada cuyo valor instantneo en un determinado tiempo valen: v1= 2 volt v2 = -6 volt v3 = 1 volt los resistores de entrada valdrn: R1= R2 = R3 = R = 100 k Rr = R/n = R/3 El valor de salida del circuito sumador vale: vo = -[ v1(Rr/R1)+ v2(Rr/R2)+ v3(Rr/R3)] Reemplazando por los valores de los resistores: vo = -[ v1(R/3/R)+ v2(R/3/R)+ v3(R/3/R)] = -[ v1+ v2+ v3]/3 vo = - [2+(-6)+1]/3 = +1 volt Amplificador inversor con alta impedancia de entrada
VA
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------En el amplificador bsico con AO inversor, la impedancia de entrada, definida como la relacin entre el voltaje de entrada y la corriente de entrada resulta Zi Vi/Ii = V1/I1 R1 debido al corto virtual en el punto s. Como la ganancia del amplificador inversor vale Avc Vo/V1 = - Rr/R1, vemos que cuando necesitamos una elevada ganancia con realimentacin negativa podemos hacerlo aumentando Rr hasta un limite practico (1M no mas). De otra manera se deber disminuir R1 con lo cual se disminuye la impedancia de entrada del circuito amplificador, el resultado puede ocasionar un posible inconveniente de adaptacin, en la etapa o circuito de entrada de seal. El circuito anterior de la figura, nos permite presentar un amplificador inversor de alta ganancia variable y alta impedancia de entrada. Esto es posible gracias a la adicin de dos resistores y a la variacin del punto de donde se toma la realimentacin del circuito. Aplicando Kirchoff a la malla formada por R2, R4, y Rp, obtenemos el valor del voltaje VA VA= (R2// R4).I I = vo./[ (R2// R4)+ Rp] Reemplazando y operando VA= (R2. R4. vo.)/( R2. Rp+R2. R4+ R4. Rp) Por otra parte se cumple: VA= - I2. R2 = - vi.( R2/ R1) Igualando ambas expresiones y determinando la ganancia, tendremos:
VA
- vi.( R2/ R1) = (R2. R4. vo.) / (R2. Rp+R2. R4+ R4. Rp) Av vo/vi = -.( R2/ R1).( R2. Rp+R2. R4+ R4. Rp) / (R2. R4) Finalmente reacomodando trminos y simplificando, tendremos: Av = - [(R2/ R1). (Rp/ R4 +1) + Rp/ R1] De esta manera el valor de R1 puede ser bastante alto (alta impedancia de entrada) y el amplificador tambin puede tener alta ganancia. Calculando los valores de ganancia de voltaje e impedancia de entrada segn el circuito presentado, resulta Av= -102 y Zi = 1 M. Este amplificador puede utilizarse tanto en c.c como en c.a. Para esta ltima aplicacin se deber colocar los capacitores de bloqueo de c.c en serie con los terminales de entrada y salida, con la restriccin de que la capacidad de entrada sea suficientemente grande como para poder despreciar su reactancia frente a R1, para la menor frecuencia de trabajo del circuito. Cuando un amplificador trabaja en c.a se deber tener en cuenta su limitacin en frecuencia. Esta limitacin puede tener dos lmites. La primera respecto a mximo ancho de banda que ira disminuyendo a medida que se aumente su realimentacin negativa, lo cual se puede expresar diciendo que el producto de la ganancia de voltaje por el ancho de banda ha de ser constante e igual una cantidad expresada por el fabricante, que por ejemplo para el AO 741 vale 1 MHZ. Av.B = cte = 1 MHZ Por ejemplo para el caso del amplificador con una ganancia mxima de Av= 102, el ancho de banda mximo que puede trabajar resulta: Bmax = 1MHZ/102 10 Khz. Por lo tanto si quisiramos aumentar la frecuencia de trabajo por encima de este valor, lo podemos hacer pero a costa de una disminucin de su ganancia. ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------La otra limitacin respecto a la mxima frecuencia de trabajo, esta referida a su mxima velocidad de crecimiento de la seal a la salida del amplificador. Esta limitacin esta suministrada por el fabricante del AO y la define como La velocidad de respuesta (Slew rate) SR dvo / dt = Vo(tensin de cresta de salida) / tr Siendotr, el tiempo de subida (rise time) y se lo define como el tiempo que tarda la tension unitaria de salida del amplificador en elevarse, cuando se le aplica una tensin en escaln, en la entrada. Si no tenemos en cuenta esta limitacin para la mxima frecuencia, la seal de salida se vera distorsionada. Amplificador inversor diferenciador + ir
i1
Circuito basiso
Circuito practico
La figura muestra el circuito amplificador bsico que realiza la operacin diferenciacin de la seal de entrada vo = K.dvi/dt Para analizar el circuito partimos de considerar vi0 e ii0; de esta forma las corrientes i1= C.dvc/dt = C.dvi/dt = ir Por otra parte la seal de salida vo, es igual a la cada de voltaje en el resistor de realimentacin, resultando: vo = -ir.Rr = -i1.Rr = -C.R.dvi/dt El principal problema de diseo prctico de este circuito es que su ganancia aumenta con la frecuencia, (R1=0) resultando muy susceptible al ruido de alta frecuencia. La solucin clsica de este efecto es colocar un pequeo resistor en serie con el capacitor de entrada para disminuir la ganancia a elevada frecuencia. Amplificador inversor integrador
Ir I1
Circuito bsico
Circuito practico
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Haciendo el razonamiento similar l circuito diferenciador tendremos: I1 = vi/R1 Ir = -C.dvo/dt I1 = Ir vi/R1 = -C.dvo/dt; despejando dvo/dt dvo/dt = - vi/ (C.R1) Despejando vo para lo cual integramos ambos miembros: dvo/dt.dt = - vi/ (C.R1).dt vo = -(1/C.R1). vi.dt Vemos que el voltaje de salida resulta proporcional a la integral de la seal de entrada. La resistencia en paralelo con el capacitor suministra un camino de cc para evitar que por un voltaje de desajuste (error) cargue al capacitor en forma permanente y el amplificador llegue a la saturacin. El valor de este resistor es tal que la constante de tiempo sea suficientemente grande respecto a las frecuencias de trabajo del amplificador. Operacin logartmica con el AO El siguiente circuito, puede realizar la operacin logartmica, para una seal elctrica que se aplica en su entrada.
Id Vo I1
Como vemos, en el circuito clsico inversor con AO, se ha reemplazado la resistencia de realimentacin Rr por un diodo, lo cual va producir una variacin considerable en su funcionamiento. Por la conexin realizada, el voltaje de salida del AO sera el voltaje en los terminales del diodo (vd = -vo). Como el diodo conduce en un solo sentido, este circuito responde solamente a seales positivas de entrada, con seal de salida invertida, o sea negativa respecto al terminal de masa. En estas condiciones, el diodo esta polarizado directamente, siendo su corriente: id = Is.(evd/.VT 1) . Is: corriente inversa de saturacin del diodo. Si tomamos el equivalente en voltaje de la temperatura (VT = T/11600), el valor de 26 mV a la temperatura ambiente y haciendo = 1, la expresin nos queda: id Is. evd/0,026 . Haciendo la relacin: id/Is. = evd/0,026 y luego tomando logaritmo decimal a ambos miembros, tendremos: log (id/Is). = (vd/0,026).log e. Despejando vd y siendo vd = -vo tendremos: vd = -vo = 0,06. loge (id/Is). Como id = i1 = vi/R1, reemplazando: vo = - 0,06. loge (vi/R1.Is) ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Operacin exponencial con el AO Si invertimos las posiciones del diodo y la resistencia en el circuito anterior, obtenemos la operacin exponencial con la seal elctrica de entrada al mismo:
I1 Id
Como vi es la cada de voltaje del diodo, sustituyendo tendremos: vi = vd = 0,06. log (id/Is). Como vo = - R1.i1 y i1 = id resulta: id = -vo/Is reemplazando en la expresin de vi vi = vd = 0,06. log (- vo/R1.Is). Operando:
vo = -R1.Is. 10vi/0,06
Amplificador operacional no inversor
I1 Ii0 vi0
Ir IL Io
El circuito nos ilustra el amplificador no inversor con AO. En este circuito el voltaje de salida Vo, tiene la misma polaridad que el voltaje de entrada Vi. Como el voltaje de entrada se realiza directamente sobre la entrada positiva, la resistencia de entrada vista por la seal de entrada, es muy alta ( 100 M). Dado que para los fines prcticos se tiene voltaje 0 (vi0) entre los terminales (+) y (-) del AO, ambos estn al mismo potencial Vi. Por lo tanto Vi aparece a travs de R1, provoca una circulacin de corriente I1, siendo I1= Vi/R1. Por otra parte la corriente que fluye a travs del resistor de realimentacin vale Ir = (Vo Vi)/Rr. Como Ii 0, la corriente Ir resulta igual a la corriente I1. I1= Ir reemplazando sus valores por los voltajes que las generan tendremos: Vi/R1= (Vo Vi)/Rr Despejando ahora de esta ultima expresin el voltaje de salida, tendremos: Vo = (Rr/R1 +1).Vi Si ordenamos esta ecuacin para expresar la ganancia de voltaje del amplificador: Av Vo/Vi = (Rr/R1 +1) ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sumador no inversor Ei I1 Ir vi0 I1 Ei I2 Ii0
El circuito nos muestra un sumador no inversor de dos entradas. El voltaje Ei en la entrada (+) del AO lo encontramos por medio de la ecuacin nodal: I1+I2 = Ii 0 (V1-Ei)/R+ (V2-Ei)/R = 0 ; despejando Ei tendremos: Ei = (V1+V2)/2 Como vi0 tambin ser el voltaje de la entrada (-) del AO Como Rr = R, el voltaje de salida sera igual a Ei multiplicado por 2 Vo = 2 Ei = 2. (V1+V2)/2 = V1+V2 Sumador no inversor de N entradas Si se aaden mas de dos seales de entrada, los resistores se hacen todos iguales, excepto el resistor de realimentacin Rr cuyo valor de hacerse igual a Rr=(n-1).R, siendo n el numero de entradas. Por ejemplo si n=3, el voltaje Ei = (V1+V2+V3)/3 Como I1 = Ir = Ei/R Vo = Ei + Ir .Rr = Ei + (Ei/R).(3-1).R = Ei + Ei = 3 Ei reemplazando Ei, resulta: Vo = 3. (Vi+V2+V3)/3 = V1+V2+V3 Circuito seguidor de voltaje Ir= 0
Ii = 0
Io =IL
IL
El circuito de la figura se denomina seguidor de voltaje, o tambin amplificador seguidor de fuente, amplificador de ganancia unitaria o amplificador de aislamiento. Si tomamos la expresin del amplificador no inversor con AO y hacemos Rr = 0 y R1 = resulta: Vo = (Rr/R1+1).Vi = (0/ + 1) = Vi ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Observamos que el voltaje de salida es igual al voltaje de entrada tanto en magnitud como en signo. Se dice, que el voltaje de salida sigue al voltaje de entrada o fuente. El seguidor de voltaje se utiliza dada su alta impedancia de entrada; por lo tanto prcticamente no extrae corriente a la fuente de seal (Ii 0). De esta forma si esta ltima tiene una impedancia interna elevada, prcticamente el voltaje de la fuente no sufrir atenuacin por cada interna de voltaje. Otra ventaje de este circuito representa la baja impedancia de salida (Ro 0) lo que hace que el amplificador se comporte como una fuente de voltaje ideal y no sufra prcticamente prdida de voltaje para cargas (RL) de bajo valor. Por ello, cuando se amplifican seales elctricas de bajo voltaje y alta impedancia interna, previo a su amplificacin, pasan por un seguidor de voltaje que produce lo que se denomina una adaptacin de impedancias, haciendo que el valor alto de Ri se convierta en un valor bajo (Ro 0) a la salida del seguidor. Seguidor de voltaje con entrada en ambos terminales del AO
El voltaje de entrada esta prcticamente aplicado en los puntos A y B, a travs del cortocircuito virtual del AO en sus terminales de entrada. Esto hace que no tengamos cada de voltaje en R1 y por lo tanto la corriente que puede circular I1 0. (V1 ve una alta impedancia de entrada). Por otra parte al ser I1 nula no se producir cada de voltaje en R2, resultando entonces que el voltaje de salida Vo sea igual al voltaje en el punto B que es igual al voltaje de la seal de entrada V1 Amplificador no inversor de corriente alterna con alta impedancia de entrada
+ Vo -
En los amplificadores de corriente alterna, cuando se necesita bloquear las componentes de continua de polarizacin de las etapas precedentes, se utilizan capacitores de bloqueo ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------en la entrada y salida del amplificador. Para el caso del amplificador no inversor con AO, el capacitor de entrada podra provocar derivas en CC. con la posibilidad de llegar rpidamente la salida a la saturacin. En el circuito presentado, la estabilidad en CC. la proporcionan los resistores R1 y R2 de bajo valor que establecen una conexin a masa de la corriente de polarizacin del terminal no inversor del AO. El condensador C2 de alta capacidad, constituye una impedancia de muy bajo valor, razn por la cual los puntos A y B estn prcticamente al mismo potencial, pero como el potencial de A es la seal de entrada Vi, debido al cortocircuito virtual entre los terminales de entrada del AO, se consigue que en los extremos de R1 no exista prcticamente cada de voltaje, apareciendo ante Vi como una resistencia de muy alto valor y, por tanto, presentando el circuito una alta impedancia de entrada. Respecto a la ganancia de este circuito, es similar al amplificador no inversor, y esta dado por la expresin ya deducida: Av Vo/Vi = (1 + P/R2) La mayor ganancia la logramos para P = 1 M, siendo: Av Vo/Vi = (1 + 1000/10) = 101 Respecto al mximo ancho de banda, lo determinamos si conocemos su factor de merito, dado por su producto Ganancia x ancho de banda; por ejemplo: Av.B = 1 MHz B = 1 MHz/Av = 1 MHz/101 10 KHz. Amplificador diferencial bsico
Entrada
Entrada
V1 Vo= m.(V1-V2
El amplificador diferencial con AO puede medir y tambin amplificar seales de baja magnitud que estn incorporadas en seales mucho mas intensas. El circuito consta de cuatro resistores de precision (1%) y un AO, como muestra la figura. Para calcular el voltaje de salida Vo, lo determinamos por medio del teorema de superposicin. Primero hacemos Vi = 0 y calculamos la salida para V2; luego hacemos V2 = 0 y determinamos la salida para la entrada V1. El valor final de vo ser la suma de los valores parciales, con su correspondiente signo; veamos: V1 = 0; Vo= - mR/R.V2 = -m.V2 V2 = 0 ; V1= [m/(m+1)].V1 ; Vo = [(mR/R)+1]. V1 Vo= [(mR/R)+1]. [m/(m+1)].V1 = mV1 . Vo = Vo+ Vo = m(V1-V2) Esta ultima expresin nos muestra que el voltaje de salida del amplificador diferencial (Vo) es proporcional a la diferencia en voltaje aplicado a las entradas (+) y (-). El multiplicador m se denomina ganancia diferencial y se establece por la razn de los ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------resistores. Para el caso de que m= 1 (todos los resistores iguales), el voltaje de salida resulta igual a la diferencia de los voltajes de entrada (restador de voltaje). Voltaje de modo comn en el amplificador diferencial Como puede observarse, en la ecuacin del voltaje de salida del amplificador diferencial, cuando aplicamos dos voltajes de entrada iguales (V1=V2), resulta Vo=0. Esto es as siempre que los resistores que involucran al circuito sean del mismo valor; caso contrario Vo 0. Como en la prctica nos interesa que el amplificador amplifique solamente la diferencia, este desajuste en los resistores, nos darn un error. Para subsanar este inconveniente, el resistor mR en el terminal de entrada se hace ajustable mediante un potencimetro en serie, como muestra el siguiente circuito:
Vo 0 mR
Se aplica un seal de modo comn y se ajusta el potencimetro hasta que Vo = 0. De esta forma el amplificador no amplificar la seal de modo comn, permitindonos amplificar una seal dbil que esta dentro de una seal de mayor magnitud. Inconvenientes del amplificador diferencial bsico El amplificador diferencial bsico que hemos presentado tiene dos inconvenientes importantes como lo son la baja impedancia de entrada, en la entrada (-) y el cambio de ganancia, que requiere mantener la razn en sus resistores. El primer inconveniente mencionado lo solucionamos aislando ambas entradas con seguidores de voltaje:
V2
Vo = V1-V2
V1
La salida del amplificador AO1 respecto a masa es V1 y la de AO2 es V2. El voltaje de salida sobre RL ser Vo = V2 V1, denominado voltaje diferencial dado que no esta ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------referido al potencial de masa; en este caso la carga RL no tiene ningn extremo conectado al potencial de masa. El voltaje de salida Vo se mide sobre RL. El segundo inconveniente, del amplificador diferencial bsico, la falta de ganancia ajustable, se soluciona agregando tres resistores como se muestra en el siguiente circuito:
V2 I Vo V1
En este caso la alta impedancia de entrada se mantiene por los seguidores de voltaje. Como el voltaje diferencial es de los AO vale cero (vi0), entonces los voltajes de entradas V1 y V2 estarn aplicados sobre los extremos del resistor aR; aR es un potencimetro que se utiliza para ajustar la ganancia. La corriente que circula a travs de este resistor vale: I = (V2-V1)/aR Cuando V2 > V1, la corriente circula segn se muestra. Esta corriente circula por ambos resistores R y por lo tanto el voltaje a travs de los tres resistores vale: Vo = I. (R + aR +R ) = [(V2-V1)/aR]. (R + aR +R ); simplificando, nos queda: Vo = ( V2 V1).(1 + 2/a) Av Vo/( V2 V1) = (1 + 2/a) Como conclusin, la ganancia del amplificador la podemos ajustar con un potencimetro de valor aR. Por ejemplo para a= 1 Av = 3; para a = 0,1 Av = 21 No obstante de lograr alta impedancia de entrada y ganancia ajustable con un solo resistor, este amplificador solamente se puede aplicar a cargas flotantes, o se cargas que no tienen ningn terminal a masa. Para alimentar cargas con un terminal a masa, debemos agregar una etapa ms que convierta el voltaje diferencial de entrada en un voltaje de salida referenciado a masa. El circuito que nos permite realizar este cambio, es el amplificador diferencial bsico que ya hemos estudiado. El circuito resultante, se denomina amplificador de instrumentacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador de instrumentacin
Entrada negativa (-) (-)
Salida
Entrada positiva (+) Para eliminar el voltaje en modo comn
Vo
El amplificador de instrumentacin es uno de los amplificadores ms utilizados en la electrnica de baja frecuencia de los procesos industriales por su precision y versatibilidad. Como se muestra en el circuito, consta de tres AO y siete resistores. Esta realizado por dos etapas, una de alta impedancia seguida de un amplificador diferencial bsico de ganancia unitaria. Este amplificador presenta en ambas entrada muy alta impedancia y el voltaje de salida solo responde a las diferencias de los voltajes de entrada (diferencial). Para establecer la ganancia, se utiliza un solo resistor aR, en la etapa de alta impedancia resultando: Av = Vo/(V1 V2) = (1 + 2/a) donde a= aR/R Voltaje de salida referencial Antes de proseguir con el estudio de las caractersticas de medicin con el amplificador de instrumentacin, veremos como podemos desplazar el nivel de voltaje de la salida a un nivel de referencia distinto de cero; para ello, analizaremos la etapa diferencial bsica con un voltaje de referencia en su terminal no inversor:
Vo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Si determinamos el voltaje en la entrada no inversora del AO (V+), este resulta: V+ = [Vref/(R+R)].R = Vref/2 Luego aplicamos la formula ya determinada del voltaje de salida del amplificador AO en configuracin no inversora: Vo = V+. (R/R +1) = Vref/2. (1+1) = Vref Como vemos con seal diferencia nula (V1=0, V2=0) el valor de la seal de salida resulta el voltaje de referencia. En este caso, cuando tengamos una seal diferencial de entrada, el voltaje de diferencial de salida lo obtendremos superpuesto sobre un voltaje de referencia Vo= Vref + Vo, siendo Vo el correspondiente valor de salida dado por el voltaje diferencial de entrada. Mediciones con el amplificador de instrumentacin Con la finalidad de mejorar la versatilidad y rendimiento en las aplicaciones del amplificador de instrumentacin, se modifica el alambrado del circuito del AO3, correspondiente a la etapa del amplificador diferencial bsico. Para ello, se sacan tres terminales denominados terminal sensor, terminal de salida y terminal de referencia, segn se muestra en la siguiente imagen:
Rp10
La finalidad de esta modificacin, tiene dos objetivos importantes: El primero, poder alimentar corrientes de cargas que superen la capacidad del A03; esto se logra colocando un transistor reforzador, como se muestra en el circuito. El segundo objetivo resulta importante cuando la carga a alimentar esta lejana a la salida del amplificador de instrumentacin. La resistencia de los cables de conexin a la carga (Rp), modifican el equilibrio de los resistores que forman el amplificador bsico diferencial. Para eliminar este inconveniente el terminal sensor se conecta al extremo de la carga y el terminal referencia a la masa de la carga. De esta forma se anulan los efectos de la resistencia de los cables de conexin, detectando el voltaje de realimentacin en la carga y no en la salida del amplificador.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Medicin de voltaje y corriente con el amplificador de instrumentacin
+
I1 Vo
AI -
AI: Amplificador de instrumentacin S: terminal sensor R: terminal de referencia O: terminal de salida El esquema muestra el circuito para medir diferencias de voltaje (V1-V2) y tambin corrientes (I1). En el caso de mediciones de voltaje, partimos de la expresin de la ganancia del AI, siendo Av = Vo/(V1 V2) = (1 + 2/a). Despejando (V1-V2) resulta: (V1 V2) = Vo/(1 + 2/a). Para el caso de medir corrientes, se intercala un pequeo resistor en el circuito a medir, de manera tal que no modifique el funcionamiento normal del mismo y se mide la cada de voltaje en sus extremos. La corriente medida la obtendremos con la siguiente expresin: I1 = (V1 V2)/ R1 = Vo/R1.(1 + 2/a). El voltaje de salida del AI, o sea Vo,se deber realizar con un voltmetro de alta impedancia de entrada como por ejemplo, un voltmetro digital. Control de la corriente de carga con el amplificador de instrumentacin
AI
IL
El circuito nos muestra como podemos alimentar una carga con una corriente controlada, donde el AI acta como una fuente de corriente constante. La corriente que entrega el AI a la resistencia serie vale: Io = IL = Vo/Rs = Vi.(1 + 2/a)/Rs ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta corriente de carga, la podemos controlar mediante el potencimetro aR, conectado al amplificador de instrumentacin; dicho de otra forma, con este esquema tenemos una fuente de corriente controlada por voltaje. Por ejemplo si Rs = 5 , a = y Vi = 1 mV resulta Io = 1 mA. Si ahora hacemos Vi = 2 mV, resulta Io = 2 mA. Amplificador de instrumentacin en circuito integrado Desde hace varios aos el amplificador de instrumentacin se lo dispone como un dispositivo analgico en un solo encapsulado, como circuito integrado. Tal es en caso del amplificador de instrumentacin AD521, disponible en un encapsulado de 14 pines, como se muestra en el siguiente esquema.
Rs
(+)
AD521
(-)
Rp
Vo
El empleo de este amplificador de instrumentacin, es el siguiente: a) La ganancia de voltaje se establece mediante los denominados resistores de establecimiento de ganancia Rs(Rescala) y RG (Rganancia). Esta ganancia se establece mediante la razn RS/ RG. Por ejemplo si RS= 100 k y RG= 100 la ganancia de voltaje del AI resulta Av = 1000. b) El ajuste de desviacin de voltaje se realiza con un potencimetro de 10 k conectado en los terminales 4, 6 y Vcc, como se muestra en el circuito. Una vez colocados los resistores RS y RG se conecta a masa los terminales de entrada 1 y 3; luego se ajusta el potencimetro de desviacin del Amplificador de instrumentacin para obtener cero volt en la salida (Vo=0). C) Para determinar la ganancia, se introduce un voltaje conocido V1 V2, por ejemplo 5 mV y se mide el voltaje de salida Vo Av = Vo/(V1-V2) Por ejemplo si Av = 1000 y (V1-V2) = 5 mV deber resultar Vo = 5 Volt.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador en puente bsico
Transductor I Vi0 E
Vo
Como se muestra en la figura, el amplificador bsico en puente esta formado por una fuente estable E, un AO, tres resistores iguales de valor R y un transductor con caracteristica resistiva R+R. El transductor convierte la variable fsica a medir en una variacin R de su resistencia elctrica. En equilibrio, o sea todas las resistencias iguales (R=0), la salida del circuito ser igual a cero (Vo=0). Cuando se produce una variacin R en el transductor, por una variacin de la variable fsica a medir, el puente se desequilibra, obtenindose un voltaje en la salida del AO proporcional a la variacin R. A continuacin vamos a determinar la relacin matemtica entre Vo y R : Partimos determinando el voltaje en el terminal no inversor del AO, o sea E E= [E./(R+R)]. R; como R= R simplificando: E= E/2; Como vi0 tambin ser el voltaje del terminal inversor del AO. Ahora calcularemos el valor de la corriente I generada por Ey la cada de voltaje E en el terminal inversor. I = (E E)/ R. Esta corriente circula por el transductor de valor R+R conectado como resistencia de realimentacin. El valor del voltaje de salida del AO, lo obtendremos partiendo de la cada de voltaje en los extremos del transductor: (E- Vo) = (R+R). I . Reemplazando el valor de I y despejando Vo, tendremos: Vo = - E .(R/2.R) El signo menos significa que Vo resulta negativo cuando R es positivo. Como ejemplo de aplicacin de este circuito tenemos la medicin de la variacin de temperatura utilizando como transductor un termistor NTC, cuya resistencia disminuye acorde a la disminucin de la temperatura. Por ejemplo si tomamos valores de un termistor tpico tendremos: R = 10.000 para una temperatura de referencia de 25C Un cambio de +1C o sea de 25C a 26C, el termistor modifica su resistencia en R = 9573 El valor de R resultar: R(26C) = R(25C) + R 9573 =10.000 + R R = - 427 Si equilibramos el puente para 25C es decir todas las resistencias iguales R = 10.000 , resulta R = 0 y por lo tanto Vo = 0 Volt. Para 26C y si consideramos E = +12 volt, el voltaje de salida valdr: Vo = - E .(-R/2.R) = + 12 . (427/2.10000) = +0,256 Volt ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Otro ejemplo practico que puede aplicarse, es mediante la utilizacin un transductor de variacin de iluminacin como es el caso de las fotorresistencias, cuyo valor resistivo disminuye con el aumento de la intensidad de la luz. La fuente de voltaje E puede ser de continua o de alterna. Su valor debe establecerse lo mas grande permitido por la aplicacin. Valores tpicos de E estn entre 5 y 15 Volt. Para mejorar la exactitud en las mediciones, es necesario tambin una buena estabilidad en la fuente de voltaje E, es decir su resistencia interna deber ser lo mas baja posible. Esto deber ser as dado que la variacin de R, provocar una variacin en la corriente de suministro I, y E se deber mantener constante. El modo mas sencillo para generar E con la estabilidad necesaria, es utilizando el siguiente circuito:
Como vemos tenemos un seguidor de voltaje con AO donde el voltaje de entrada lo obtenemos por medio de un divisor de voltaje resistivo alimentado en sus extremos por dos fuentes + Vcc y Vcc. El voltaje E se podr ajustar entre esos dos valores. Amplificador en puente prctico
Transductor
En la construccin efectiva del amplificador en puente, resulta difcil disponer de tres resistores iguales del valor de referencia del transductor. De all que se utilice un circuito mas practico como muestra la figura. Los resistores R1 son iguales y de distinto valor a la resistencia de referencia del transductor. El resistor R esta formado por un resistor fijo R2, en serie con el potencimetro Rp. Para calibrar el puente, se coloca un resistor de valor igual a la resistencia del transductor (R) a la temperatura de referencia; luego se ajusta el potencimetro para dar una salida de Vo= 0. En estas condiciones El resistor R tendr el mismo valor del resistor de referencia (R). Para este caso, y ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------operando de igual forma que el amplificador en puente bsico, el valor del voltaje de salida del AO resulta: Vo = - E .[R/(R1+R)] Amplificador en puente con transductores conectados a masa Para algunas aplicaciones el transductor debe estar conectado a masa. En ese caso se utiliza el siguiente circuito amplificador en puente con AO
Vo
Transductor puesto a masa
De la misma forma como hemos realizado el anlisis del circuito en puente bsico, el valor de Vo resulta: Vo = E. [R/(R1+R+R)] Como puede observarse Vo tendr polaridad positiva con el aumento de la resistencia del transductor. El resistor R se hace ajustable para equilibrar el puente o sea igualar la resistencia del transductor al valor de referencia para Vo = 0. Amplificador en puente con transductores de alta corriente En el circuito anterior, la corriente que circula sobre R y suministrada por el AO, es igual a la corriente que pasa por el transductor. Cuando esta corriente es superior a la mxima que puede suministrar el AO (5 mA), es conveniente utilizar el siguiente circuito:
Vo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Como puede observarse, la corriente al transductor es suministrada por la fuente E a travs del potencimetro de equilibrio R= R (igual a R del transductor). En la otra rama del puente colocamos dos resistores iguales de mayor valor (mR) de manera tal que el AO suministre como valor practico 1 a 2 mA; para ello mR podr valer entre 5 y 10 k. Para este caso, la corriente que pasa por el transductor vale I = E/(2R+R) y el voltaje de salida del circuito resulta: Vo = E . [R/(2.R+R)] Todos los circuitos que hemos presentado se ajustan para transductores que presenten cambios considerables en sus valores resistivos (termistores, fotorresistencias, etc) Medicin de pequeos cambios de resistencia Los circuitos en puente con AO que hemos presentado, se ajustan para aplicaciones con transductores que presenten cambios considerables en sus valores resistivos (termistores, fotorresistencias, etc). Si debemos medir pequeas variaciones de resistencia, el cambio del voltaje de salida, ser de poca magnitud. Esta situacin se presenta cuando se utilizan transductores de deformacin donde es importante medir las variaciones de orden de los m. Con estos cambios tendramos en la salida del circuito, variaciones algunos micros voltios. Peor aun va a ser la condicin si a estas variaciones pequeas de voltaje tiene superpuesto un voltaje alto de continua. Por ello para estos casos siempre es necesario detectar solamente la variacin de resistencia del transductor, como una variacin de un voltaje diferencial (E1-E2). La solucin para estos casos se encuentra en el puente de resistencias (puente de Wheastone), cuyo circuito bsico se muestra en la siguiente figura: Cuando el puente esta balanceado y los resistores son iguales, los voltajes valen: E2 = E/2 E1 = E/2 E1 E2 = 0 Cuando el puente esta desbalanceado por una compresin del transductor, los voltajes valen: E2 = E/2 E1 = E. [(R+R)/(2R+R)] E1 E2 = E.(R/4R)
Sensor de deformacin
El circuito bsico muestra la aplicacin para medir alargamiento o compresiones en metales con un transductor de deformacin cuyo valor tpico de resistencia es de 120 En la prctica no se pueden lograr resistores iguales iguales a R. para solucionar este inconveniente se coloca un potencimetro para balancear el puente. Otro inconveniente a salvar en la medicin, es la variacin de resistencia del transductor por variacin de temperatura. Esto se soluciona reemplazando el resistor R1 por un sensor de temperatura similar en construccin y ubicacin al transductor de deformacin pero sin modificar su resistencia por deformacin del metal a medir. Otro inconveniente del circuito bsico resulta del bajo voltaje de salida diferencial para una variacin R = 1 m > E1-E2 = 10.(1.10-3/4.120) = 20,8 V. De all la necesidad ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------de amplificar el voltaje diferencial del puente E1-E2 mediante un amplificador electrnico. En este caso, el amplificador ideal para ese cometido es el amplificador de instrumentacin, como se observa en el siguiente circuito:
Amplificador de instrumentacin con Av = 1000
Circuito de balance Sensor de temperatura Sensor de trabajo R+ R
Vo = E.(R/4.R)
En este circuito los resistores RB1 y RB2 actan como resistores de balanceo del puente dado que resulta difcil lograr que los resistores que forma el puente sean iguales. Las magnitudes de estos resistores de balanceo se determinan experimentalmente. RB2 siempre es mayor a RB1 en una cantidad de 10 veces o mas para evitar modificar el funcionamiento del puente. Su finalidad es la de aplicar en E1 un pequeo voltaje que haga Vo = 0 Volt cuando R = 0. (RB1 2 a 2,5 k y RB2 10 k a 100 k). El resistor R1 = R es un sensor de temperatura; es igual al sensor de trabajo y esta ubicado en el mismo lugar pero no sufre deformacin cuando el puente esta midiendo. Compensa los cambios de resistencia por temperatura del sensor de trabajo R + R. dado que los cambios a medir en el sensor de trabajo son del orden de los m el voltaje diferencial del puente (E2-E1) esta en el orden de los microvoltios. Por ello el amplificador que mas ase adapta para amplificar esta diferencia, es el amplificador de instrumentacin con una ganancia de por lo menos 1000 veces. Otra opcion para obtener un voltaje diferencial E2-E1 ms alto es colocar dos sensores de deformacin que trabajen al mismo tiempo como muestra el circuito:
Sensor de trabajo R+ R
Sensor de temperatura
Amplificador de instrumentacin con Av = 1000
Circuito de balance Sensor de temperatura Sensor de trabajo R+ R
Vo = E.(R/4.R)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos en este caso se reemplaza el resistor R2 del puente por otro sensor de deformacin de trabajo y R3 por un sensor de temperatura. Ambos sensores son similares en sus caractersticas fsicas y ubicacin respecto a los otros sensores de la otra rama del puente. Filtros activos con amplificadores operacionales Introduccin: Los denominados filtros en electrnica, son circuitos que dejan pasar una determinada banda de frecuencias de seales elctricas y atenan las seales fuera de esta banda. Los circuitos elctricos que pueden desempear esta funcin, pueden ser pasivos o activos. Los circuitos de filtrados pasivos estn realizados solamente con resistores, inductores y capacitores. Los filtros activos, derivados de los pasivos, utilizan transistores, amplificadores operacionales, resistores inductores y capacitores. Los inductores en los filtros activos no se aplican prcticamente dado su volumen, costo y elevado componente resistivo interno. La sntesis de los filtros elctricos, dio lugar a distintas funciones de transferencia cuya identificacin se dio por los apellidos de los matemticos que las desarrollaron como ser: Butterworth, Bessel, Legendre, Tchebyscheff, Cauer, etc. Cada funcin de transferencia, desarrollada por estos matemticos, para un filtro pasivo en particular, presenta diferentes caractersticas en relacin a su atenuacin y defasaje de las seales elctricas transmitidas a travs de los diferentes filtros. De acuerdo a las frecuencias de las seales que componen la banda pasante, los filtros se clasifican en cuatro tipos: filtros de pasa bajo, de pasa alto, de pasa banda y de eliminacin de banda, este ltimo, tambin llamado de rechazo de banda o filtro ranura. El mdulo del voltaje de salida (Vo) en funcin de la frecuencia, denominada respuestas en frecuencia, se ilustra en las siguientes graficas, para los cuatro tipos de filtros:
Respuesta filtro real 2 orden Vo Banda pasante fc a) Filtro pasa bajo Banda de corte frec. fc b) Filtro pasa alto Respuesta filtro real Respuesta filtro real 1 orden Respuesta filtro real 1 orden Respuesta filtro real 2 orden
Vo Banda de corte Banda pasante frec.
Vo Banda de corte fl
Banda pasante
Respuesta filtro real Vo Banda de corte frec. fh Banda pasante
Banda de corte
Banda pasante frec. fl fh
c) Filtro pasa banda
d) Filtro de rechazo de banda
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El filtro pasa bajos (grafica a), es un circuito que presenta un voltaje de salida (mdulo de Vo) constante desde cc (f=0) hasta una frecuencia de corte (fc); a medida que la frecuencia aumenta por sobre fc, el voltaje de salida disminuye de amplitud. En los diferentes esquemas, la lnea continua representa la grafica ideal para el filtro de pasa bajos, en tanto que las lneas punteadas nos indican las curvas de los filtros reales de 1 y 2 orden. El alcance de las frecuencias que se pueden transmitir, se denomina banda pasante, y el alcance de las frecuencias que se atenan, se denomina banda de corte. En los filtros prcticos, en la frecuencia de corte (fc) el mdulo del voltaje de salida se atena en 0,707 o en 3db de su valor respecto a la banda de paso. Pa esta frecuencia, la potencia de la seal, cae a la mitad. La grafica b) nos muestra la respuesta en frecuencia del filtro pasa alto. En este filtro, la magnitud del voltaje de salida se mantiene constante por arriba de la frecuencia de corte y se atena por debajo de esta frecuencia. La grafica c) nos muestra la respuesta en frecuencia del filtro pasa banda. Los filtros pasa banda permiten pasar solo una banda de frecuencias y atenan todas las dems frecuencias por debajo de la frecuencia de corte inferior fl y por arriba de la frecuencia de corte superior fh. La grafica d) nos muestra la respuesta en frecuencia del filtro rechazo de banda. Estos filtros, se comportan de manera opuesta al filtro pasa bandas, o sea rechazan una banda de frecuencia y dejan pasar las que se encuentran fuera de esta banda. Filtro pasa bajo bsico
Vi=0 Vo=(1/1+jw.RC).Ve
Vo/Ve 1 0,707
Grfica ganancia del filtro en funcin de la frecuencia
Vo/Ve(dB) 0 -3 -6
0,1
-20
-40 0,01 0,1wc wc 2wc 10 wc 100 wc
El circuito de la figura es un filtro activo de 1 orden pasa bajo de mucha aplicacin en frecuencias de audio. El filtro lo desempea el circuito RC. El AO se utiliza como ___________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------amplificador de ganancia unitaria con alta impedancia de entrada. El resistor Rr es igual a R para cargar con la misma resistencia ambas entradas y corregir la desviacin en cc. Como vi0 entonces el voltaje de salida ser igual al voltaje en los extremos del capacitor C, debido a que este circuito es un seguidor de voltaje. Por otra parte el voltaje de entrada Vi se divide entre R y C resultando Vo = Vc = [(1/jwC)/(R+1/jwc)].Vi = 1/(1+jwRC).Vi Donde w es la frecuencia en radianes por seg. (w = 2.f) y j=-1. La ganancia del filtro resulta: Av = Vo/Vi = 1/(1+jwRC) ________ Av= 1/ [1+(wRC)2] La frecuencia de corte se define para wc= 1/RC resultando __________ Av= 1/ [1+(w/wc)2] Si hacemos w = wc resulta: ___ Av= 1/ (2) = 0,707 La ganancia definida en decibeles en la frecuencia de corte es: ______ Av (db) = 20 log10 Av= 20 log10( 1/ 1+(1)2 = -3 dB Para w = 2wc ______ ___ Av (db) = 20 log10 Av= 20 log10( 1/ 1+(2)2 20 log10( 1/(2)2 = -6 dB Para w = 10wc ______ ___ Av (db) = 20 log10 Av= 20 log10( 1/ 1+(10)2 20 log10( 1/(10)2 = -20 dB Para una frecuencia 2 veces mayor a la frecuencia de corte w = 2.wc la ganancia se atena en 0,5 veces la ganancia de la banda de paso; en decibeles se atena en 6 dB y se dice que el filtro disminuye su ganancia a partir de la frecuencia de corte en 6 dB por octava. Para una frecuencia 10 veces mayor a la frecuencia de corte w = 10.wc, la ganancia se atena en 0,1 veces la ganancia de la banda de paso; en decibeles se atena en 20 dB y se dice que el filtro disminuye su ganancia a partir de la frecuencia de corte en 20 dB por dcada. Por otra parte, tomando la funcin compleja de la ganancia del filtro y calculando el ngulo de fase, tendremos: = -arc tg (w/ wc) = - arc tg (f/fc)
fc
-45 -90 ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos el defasaje en la frecuencia de corte resulta de -45 es decir la seal de salida Vo para esa frecuencia esta retrasada 45 de Vi. El diseo de un filtro pasa bajo requiere tres pasos: 1) se selecciona la frecuencia de corte wc = 2.f 2) Se elige la resistencia de entrada, por lo comn entre 10 a 100 k 3) Se calcula el valor del capacitor como C= 1/wc.R = 1/2.f .R Circuitos de filtrado pasa bajo de mayor atenuacin El filtro analizado, presenta como lo hemos observado, una atenuacin en la banda de corte de -20 db/dcada. Si quisiramos una mayor atenuacin podramos acoplar dos de estos filtros en serie para dar una atenuacin de -40dB/dcada. Para ello necesitaramos dos amplificadores operacionales. Tenemos circuitos que producen ese nivel de atenuacin utilizando un solo AO. Como podemos disponer de varios circuitos con el mismo cometido, solamente presentaremos el filtro activo pasa bajo, ms comn, del tipo Butterworth. Este filtro tambin se le denomina filtro mximo plano o planoplano, dado que la ganancia a lazo cerrado dentro de la banda pasante esta muy prxima a uno (1).
Vo
Vo/Ve 1 0,707
Grfica ganancia del filtro -40dB en funcin de la frecuencia
Vo/Ve(dB) 0 -3
0,1
-20
0,01 0,1wc wc
-40 10 wc
El AO se conecta de modo que su ganancia es igual a 1. Para obtener la funcin de transferencia de este filtro, se puede partir de la ecuacin de nudos en el punto A y el punto B. Si la planteamos en transformada de Laplace, tendremos: ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------[(Vi vA)/R1] + [(vB vA)/R2] + [(Vo vA).C1.p] = 0 vB.C2.p + (vB vA)/R2 = 0 p =jw
Dado que el AO presenta ganancia unitaria, resulta vB = Vo. Adems para su simplificacin se hace R1= R2 = R. El resistor Rr se coloca para compensar la desviacin en cc y por tanto su valor se hace igual a Rr = 2.R, para que de esta forma ambas entradas de AO queden cargadas igualmente. Resolviendo este sistema de ecuaciones, tendremos: F(p) = Vo(p)/Vi(p) = 1/[(R2.C1.C2. p2) +(2.R.C2.p) + 1] Como podemos observar en la ecuacin de transferencia, es un filtro de 2 orden. El diseo del filtro pasa bajos de -40dB/decada (2 orden) exige cuatro pasos: 1) Se elige la frecuencia de corte Wc o fc. 2) Se hace R1 = R2 = R, seleccionando el valor de este resistor entre 10 y 100 k. 3) Se calcula C1 mediante la ecuacin: C1 = 0,707/Wc.R 4) Se selecciona C2 = 2.C1 El defasaje del filtro de Butterworth de -40 dB varia de 0 para w=0 a -180 para w=; a la frecuencia de corte, wc, el defasaje es de -90 . Filtro de Butterworth pasa bajo de -60 dB/dcada La funcin de transferencia de un filtro con una cada en la banda de corte de -60 dB/dcada resulta de 3 orden por lo cual es complicada su sntesis. Tenemos un mtodo de sntesis mas simplificado, si empleamos un filtro pasa bajo de -40 dB/dcada en cascada con otro de -20 dB/dcada, lo cual nos brindara una atenuacin resultante de -60 dB/dcada. La siguiente figura nos muestra el circuito resultante:
40 dB/dcada 20 dB/dcada
En este caso la ganancia total la obtenemos a travs del producto de la ganancia del 1 filtro con el 2 del filtro: Avf = Vo/Vi = Vo1/Vi . Vo/ Vo1 ___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo/Ve 1 0,707 0,1 Grfica ganancia del filtro -60dB en funcin de la frecuencia Vo/Ve(dB) 0 -3 -20
0,01
-40 -60
0,001
0,1wc
wc
10 wc
Para el diseo simplificado de este filtro y que resulte plana la respuesta en frecuencia el la banda de paso, se deben seguir los siguientes pasos: 1) Se determina la frecuencia de corte wc o fc 2) Se eligen los resistores de entrada iguales (R1 = R2 = R3 = R). Los valores tipicos adoptados son entre 10 a 100 k. 3) El capacitor C3 se calcula mediante la expresin: C3 = 1/wc.R = ..fc.R 4) Se hace C1 = .C3 5) Se hace C2 = 2.C3 El defasaje del filtro de Butterworth de -60 dB varia de 0 para w=0 a -270 para w=; a la frecuencia de corte, wc, el defasaje es de -135 . En las siguientes tablas, se aprecia la atenuacin y defasaje, en funcin de la frecuencia, de los tres tipos de filtro analizados: Atenuacin de los filtros pasa bajo Butterworth
-20dB/dcada -40dB/dcada -60dB/dcada w 0,1wc 1,0 1,0 1,0 0,25wc 0,97 0,998 0,999 0,5wc 0,89 0,97 0,992 wc 0,707 0,707 0,707 2wc 0,445 0,24 0,124 4wc 0,25 0,053 0,022 10wc 0,1 0,01 0,001
Defasaje de los filtros pasa bajo Butterworth

-20dB/dcada -40dB/dcada -60dB/dcada w 0,1wc -6 -8 -12 0,25wc -14 -21 -29 0,5wc -27 -43 -60 wc -45 -90 -135 2wc -63 -137 -210 4wc -76 -143 -226 10wc -84 -172 -256
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Filtros Butterworth pasa alto Los filtros pasa alto son circuitos que atenan todas las seales cuyas frecuencias estn por debajo de una frecuencia especifica de corte wc y dejan pasar todas las seales cuyas frecuencias estn por arriba de dicha frecuencia de corte. Para estos filtros, la atenuacin, por encima de wc, se mantiene muy cercana a 0 dB. Como vemos, estos tipos de filtro realizan la operacin opuesta a la de los filtros pasa bajo. En la siguiente figura, se representan, para comparacin y sin escala, las curvas de atenuacin en funcin de la pulsacin w (frecuencia), para los tres tipos de filtros de Butterworth:
V0/Vi Banda de corte Banda pasante
0 dB 1,0 -3dB 0,707 -20dB -40dB -60dB -dB w 0 0 0,1wc wc 10wc
-20dB
0,1
En la frecuencia de corte para el circuito con atenuacin de 20 dB/dcada el defasaje es de +45; para el de -40 dB es de +90 y para el de atenuacin -60 dB es de135. Filtro pasa alto de -20 dB/dcada El circuito de la figura es un filtro activo de 1 orden pasa alto. El filtro lo desempea el circuito RC. El AO se utiliza como amplificador de ganancia unitaria con alta impedancia de entrada. El resistor Rr es igual a R para cargar con la misma resistencia ambas entradas y corregir la desviacin en cc. Como se puede observar se ha intercambiado C y R respecto al circuito pasa bajo Como vi0 entonces el voltaje de salida ser igual al voltaje en los extremos del resistor R, debido a que este circuito es un seguidor de voltaje. Por otra parte el voltaje de entrada Vi se divide entre C y R resultando en transformada de Laplace:
Vi
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo(p) = R . Vi(p) / ( R + 1/pC ) La funcin de transferencia en la variable S nos da: Av(S) = Vo(p)/Vi(p) = R / ( R + 1/pC ) = p / ( p + 1/RC ) Vemos que esta funcin tiene un cero en el origen y un polo en p= -1/RC. En el dominio de las frecuencias reales, hacemos p = jw y reemplazamos en la funcin de transferencia: Av(jw) = Vo(jw) / Vi(jw) = jw / (jw + 1/RC ) = 1 / ( 1 + 1 /jw.RC) si hacemos wc 1/RC ; fc = wc/2 Av(jf) = 1 / [ 1 j(wc/w)] = 1 / [ 1 j(fc/f)] Determinando el modulo de Ab(jf) tendremos: ________ |Ab(jf) = 1 / 1 + (fb/f)2| __ Para f = fc |Ab(jf)| = 1/ 2 = 0,707 (frecuencia de corte ) __ En decibelios |Ab(jf)| = 20 log 101/ 2 = -3 db Para f = fc/10 (fc/f) >> 1 por tanto |Av(jf)| = 1/10 En decibelios |Av(dB)| = 20 log10 (1/10) = -20 db Decimos entonces que el modulo (amplitud) cae -20 db por dcada cuando la frecuencia cae por debajo de fc Si calculamos para f = fc/2 corresponde una cada del modulo de -6 db y decimos entonces que la amplitud cae en -6 db por octava La representacin grafica del modulo y del defasaje, en funcin de la frecuencia, se muestra en la siguiente figura
0 dB 1,0 -3dB 0,707 -6dB 0,5,0 -20dB -40dB 0,1 0,01 w 0 0,01wc 0,1wc 0,5wc wc 10wc -20dB/decada
+90
Defasaje = arc tg (fc / f)
45 0 fc
Como vemos el defasaje en la frecuencia de corte resulta de +45 es decir la seal de salida Vo para esa frecuencia esta adelantada 45 de Vi. El diseo de un filtro pasa alto requiere tres pasos: ___________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------1) se selecciona la frecuencia de corte wc = 2.fc = 1/2.R.C 2) En el filtro pasa alto por lo comn se elige el capacitor conveniente 3) Se calcula el valor del resistor como R= 1/wc.C = 1/2.fc .C Filtro pasa alto de Butterworth de -40 dB Este filtro presenta una funcin de transferencia de 2 orden. La funcin de transferencia se presenta en forma general (en transformada de Laplace) de la siguiente forma: Av(p) = k.[a.p2/(a.p2+b.p +c)] Siendo los parmetros caractersticos: k: Ganancia del amplificador (en nuestro caso k = 1) Q = a/b Coeficiente de sobre tensin wo = 1/a Frecuencia propia o de corte Se puede obtener un filtro pasa alto de 2 orden sustituyendo los resistores por capacidades y viceversa en el esquema del filtro pasa bajo resultando el siguiente circuito:
V0/Vi
Banda de corte
Banda pasante
0 dB 1,0 -3dB 0,707 -40dB/decada -40dB 0,01
w -60dB 0,001 0,01wc 0,1wc wc 10wc
La funcin de transferencia resulta: Av(p) = (R1.R2.C2.p2)/( R1.R2.C2.p2+ R2.C.p + 1) donde en el plano frecuencial p= jw
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Diseo practico del filtro de -40 dB/decada Para satisfacer las condiciones de este filtro, de 40 dB/decada debajo de la frecuencia de corte, la respuesta en frecuencia debe ser 0,707 a wc y estar a 0 dB en la banda de paso. Estas condiciones se pueden cumplir con el siguiente procedimiento: 1) Se determina la frecuencia de corte wc o fc. 2) Se hace C1 = C2 = C y se elige un valor conveniente. 3) Se calcula R1 como R1 = 1,414/(wc.C) 4) Se hace R2 = .R1 5) para disminuir la desviacin en cc se hace Rr = R1 Filtro pasa alto de -60 dB/dcada En forma similar al filtro pasa bajo de 60 dB/dcada puede construirse una configuracin en cascada con un filtro de 40 dB/dcada con uno de 20 dB/dcada. El circuito se disea como filtro Butterworth, para tener una respuesta en frecuencia como se muestra en el grafica. Para su logro, se deben seguir los siguientes pasos: 1) Se determina la frecuencia de corte wc o fc. 2) Se hace C1 = C2 = C3 = C y se elige un valor conveniente. 3) Se calcula R3 mediante R3 = 1/wc.C 4) Se hace R1 = 2.R3 5) Se hace R2 = .R3 6) Para disminuir la desviacin en cc, se hace Rr = R3.
0 dB 1,0 -3dB 0,707 -60dB/decada -60dB 0,01 w 0,1wc 40 dB/decada wc 20 dB/decada
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Las siguientes tablas comparan las magnitudes de la ganancia y defasaje de los tres tipos de filtros: Atenuacin de los filtros pasa alto Buterworth
-20dB/dcada -40dB/dcada -60dB/dcada w 0,1wc 0,1 0,01 0,001 0,25wc 0,25 0,053 0,022 0,5wc 0,445 0,24 0,124 wc 0,707 0,707 0,707 2wc 0,89 0,97 0,992 4wc 0,97 0,998 0,999 10wc 1,0 1,0 1,0
Defasaje de los filtros pasa alto Butterworth

-20dB/decada -40dB/decada -60dB/decada w 0,1wc 84 172 256 0,25wc 76 143 226 0,5wc 63 137 210 wc 45 90 135 2wc 27 43 60 4wc 14 21 29 10wc 6 8 12
Filtro pasa banda Los filtros pasa banda estn diseados para dejar pasar seales elctricas de una determinada banda de frecuencias y rechazar todas las otras seales cuyas frecuencias estn fuera de esta banda. Estos filtros tienen un voltaje mximo de salida Vomax. O una ganancia de voltaje mximo Avmax. A una determinada frecuencia denominada frecuencia resonante wr. Si la frecuencia varia respecto a la de resonancia, el voltaje de salida disminuye. Tenemos una frecuencia por encima y por debajo de wr donde la ganancia de voltaje vale 0,707.Avr. Estn frecuencias se denominan frecuencia de corte superior wh y frecuencia de corte inferior wl. La banda de frecuencias entre wh y wl es el ancho de banda del filtro B B = wh wl . Los filtros pasa banda se clasifican ya sea como de banda estrecha o como de banda ancha. Un filtro de banda estrecha es el que tiene menos de un dcimo de la frecuencia resonante (B< wr). Si el ancho de banda es mayor de un dcimo de la frecuencia resonante (B>0,1. wr), el filtro es de banda ancha. La razn de la frecuencia resonante al ancho de banda se conoce como factor de calidad Q del circuito. Q nos indica la selectividad del circuito. Mientras ms alto sea el valor de Q, ms selectivo ser el filtro. Q = wr /B B= wh / Q [rad/seg.] ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para filtros de banda estrecha, la Q del circuito es mayor de 10, y para filtros de banda ancha, Q es menor de 10.
Vo/Vi Avr 0,707 Avr Respuesta en frecuencia del filtro pasa banda
Ancho de banda B = wr/Q
w wl wr wh
El circuito de la figura puede disearse ya sea como filtro banda ancha (Q<10) o como filtro banda angosta (Q>10). A diferencia de los filtros pasa alto y pasa bajo, este filtro puede disearse para una ganancia en lazo cerrado mayor a 1. La mxima ganancia se da a la frecuencia resonante, como se muestra en el grafico anterior, normalmente en el diseo se elige la frecuencia resonante wr y el ancho de banda B y se determina el valor de Q como Q= wr/B. En algunas circunstancias se selecciona wr y Q y el ancho de banda se calcula como B = wr/Q. La funcin de transferencia de 2 orden, en transformada de Laplace, para el filtro pasa banda, es del tipo: Av(p) = b.p/a.p2 + bp + 1 donde p es la variable de Laplace Para el circuito presentado, la funcin resulta: Av(p) = (-C1.R2.p)/( R1. R2. C1.p2 +2. R1. R2.p + 1+ R1/ R3 Para simplificar el diseo y reducir los clculos, se elige C1 = C2 = C Av(p) = (-C.R2.p)/( R1. R2. C.p2 +2. R1. R2.p + 1+ R1/ R3 Los valores de los resistores R1, R2 y R3 se calculan mediante las siguientes expresiones: R2 = 2/B.C ; R1 = R2/2.Avr , R3 = R2/(4.Q2 2.Avr) (B en rad/seg) Para garantizar que R3 tenga un valor positivo, deber ser 4.Q2 > 2.Avr. ___________________________________________________________________ 39 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Estas expresiones sirven tanto para banda ancha como banda angosta teniendo siempre la premisa del valor de Q respecto si es mayor o menor del valor de 10 y que se cumpla 4.Q2 > 2.Avr Cuando el filtro debe cumplir un requerimiento de una banda de paso muy ancha, la solucin es conectar un filtro pasa bajo a uno pasa alto. Por ejemplo si conectamos en serie dos filtros pasa bajo y pasa alto con atenuacin 60 dB/dcada, el circuito estar compuesto por cuatro amplificadores operacionales con una respuesta en frecuencia que nos brindara una atenuacin de 60 dB tanto en las frecuencias bajas como altas. El la banda de paso, la ganancia de esta combinacin ser igual a 1. La siguiente figura nos muestra la respuesta en frecuencia de esta combinacin:
Vo/Vi Avr 0,707 Avr -60dB/decada -60dB/dcada
w wl wh
Filtros de ranura o eliminacin de banda El filtro ranura se caracteriza por rechazar una determinada banda de frecuencia, dejando pasar todas las dems. Se utiliza para atenuar frecuencias indeseables como por ejemplo seales de ruido de 50 o 400 Hz inducidas en un circuito por motores generadores.
El diseo de este filtro se lleva a cabo en cinco pasos. Por lo general se parte estableciendo el ancho de banda requerida o Q y la frecuencia resonante wr. El procedimiento es el siguiente: 1) Se elige C1 = C2 = C ___________________________________________________________________ 40 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------2) Se calcula R2 con la expresin: R2 = 2/B.C (B en rad/seg) 3) Se determina R1 con la expresin: R1 = R2/4.Q2 4) Se elige para Ra un valor conveniente como Ra = 1 k 5) Se calcula Rb como: Rb = 2.Q2 .Ra. Cuando se construye este filtro, resulta conveniente seguir los siguientes pasos: 1) Se pone a tierra el terminal positivo (+) del AO. El circuito resultante es un filtro pasa banda como el que hemos analizado pero sin el resistor R3. La ganancia para este filtro en wr es 2.Q2. Luego se ajusta R1 y R2 para la sintonizacin fina de wr y B. 2) Se elimina la tierra en la entrada (+) y se ajusta Rb al valor obtenido por la ecuacin Rb = 2.Q2 .Ra. Tambin para el diseo de los filtros tratados y otros, existen curvas, tablas y programas de computacin que permiten calcular todos los componentes del circuito para satisfacer los requerimientos exigidos respecto al ancho de banda, frecuencia de corte, atenuacin, etc Circuitos comparadores de voltaje con amplificadores operacionales Estos circuitos integrados, comparan en nivel de voltaje de una seal ve, aplicada a un terminal de entrada, con un voltaje conocido tensin de comparacin o de referencia VR. Esta ultima tambin se le suele llamar voltaje umbral o de cruce. La salida del comparador cambia, cuando la seal a comparar (ve) toma el valor del voltaje de comparacin, referencia, umbral o de cruce (VR).
ve
(V+)
vo + VoH VoH ve
VR VoL VoL
vo ve
VR
vo
Comparador
VR
( V -) Smbolo del comparador
Caracteristica de transferencia ideal Tiempo de propagacin: 0 ns
Caracteristica de transferencia real Tiempo de propagacin: 10ns a 1s
De alguna forma, podramos considerar al comparador, como un convertidor (A/D) de una seal analgica (ve) a una seal digital simple de un bit, que producir una salida 1 (vo=VH), cuando el voltaje de entrada supera al voltaje de referencia o comparacin y una salida 0 (vo=VL), si el voltaje de entrada es menor a VR. Los niveles VH y VL pueden ser de polaridad opuesta (uno positivo y el otro negativo) o pueden tener la misma polaridad pero que se puedan diferenciar en sus valores de voltaje. Los amplificadores operacionales, como los de propsito general. (Como el 741, 301,etc), pueden utilizarse en circuitos comparadores de voltaje, pero presentan algunas limitaciones, especialmente en las aplicaciones como interfase entre seales analgicas y digitales. Una de ellas, es la baja velocidad de cambio del voltaje de salida del AO, cuando se detecta el nivel de voltaje de comparacin. Otro inconveniente esta ___________________________________________________________________ 41 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------relacionado a los cambios de salida entre los limites fijados por los voltajes de saturacin +Vsat. y -Vsat., en forma tpica 3V, para tensiones de alimentacin del integrado de 5V. Por tanto, su salida no puede impulsar dispositivos, tales como CI digitales de tecnologa TTL, que requiere niveles de voltaje entre +0 y +5V. Estas desventajas se eliminan con CI diseados especficamente para actuar como comparadores. Un comparador real, tiene una ganancia finita comprendida entre 3000 y 200000, y puede realizar una transicin en su salida de un nivel a otro (de VL a VH ) en un tiempo de 10ns a 1 s. La figura anterior muestra la caracteristica ideal y real de un comparador. La excursin del voltaje de entrada requerida para producir la transicin de niveles en la salida, esta en el rango de 0,1mV a 4 mV. Un CI comparador, debe tener un ancho de banda grande para permitir una mayor velocidad de conmutacin. La velocidad de conmutacin, esta relacionada al retardo de propagacin, tema que abordaremos mas adelante. Los CI comparadores estn diseados para funcionar bajo condiciones de lazo abierto, por lo general como dispositivo de conmutacin; en cambio los CI operacionales normalmente funcionan en condiciones de lazo cerrado (realimentados) como amplificador lineal. Por lo dems los comparadores son muy similares a los amplificadores operacionales. Configuraciones de los circuitos comparadores Utilizando los CI comparadores o los CI operacionales, es posible disear circuitos comparadores de umbral con diferentes caractersticas de transferencias, ya sea para aplicaciones a lazo abierto o lazo cerrado (comparadores Schmitt). Analizaremos a continuacin estas variantes. Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR negativa
Vo VoH VR 0 ve
VoL Caracteristica de transferencia
Para este caso, el comparador cambiar su salida, cuando V+= 0. Para determinar la tensin de comparacin de ve, debemos encontrar la expresin de la tensin V+ e igualarla a cero. Para ello aplicamos el teorema de superposicin en la entrada no inversora resultando: V+= (R1/(R1+Rr)).Vref + (Rr/(R1+Rr)).ve = 0 R1.Vref + Rr.ve = 0 ve = VR = (-R1/Rr).Vref ___________________________________________________________________ 42 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR negativa
Vo VoH VR 0 ve
VoL Caracteristica de transferencia
Este caso es similar al anterior salvo que la seal a comparar ingresa por el terminal inversor del comparador Configuracin inversora para el comparador de umbral inversor con VR positiva
Rr Vo VoH 0 VR ve
VoL R1 Caracteristica de transferencia
Para este caso la seal ve ingresa por el terminal inversor y la salida cambia cuando la seal de entrada iguala al valor de voltaje de la entrada inversora, o sea al valor de V+. Este valor se calcula como: V+=VR = (R1/(R1+Rr)).Vref Configuracin no inversora para el comparador de umbral no inversor con VR positiva
Rr Vo VoH 0 VoL R1 Caracteristica de transferencia VR ve
La seal ve ingresa por el terminal no inversor y el cambio en la salida se producir La seal de entrada supere a V- cuyo valor vale: V-=VR = (R1/(R1+Rr)).Vref ___________________________________________________________________ 43 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------NOTA: denominamos configuracin inversora o no inversora si la seal de salida del comparador pasa de un valor alto a un valor bajo o a la inversa, respectivamente; a su vez llamamos comparador umbral inversor o no inversor, si la seal a comparar ve, ingresa por el terminal inversor o por el no inversor, respectivamente. Comparador de ventana con AO
Vo= V2 V1
Vi
t Vo
VHref VLref
La funcin de este circuito es comparar una seal de entrada entre dos valores de voltaje de referencia VLref (voltaje de referencia bajo) y VHref (voltaje de referencia alto) con total independencia entre ellos. Esta formado por dos comparadores a circuito abierto que comparan los niveles de referencia VLref (AO1) y VHref (AO2). El AO3 acta como restador de voltaje, siendo su salida Vo = V2 V1. Supongamos que el voltaje de entrada Vi esta en un nivel creciente, partiendo de cero volt; mientras no se supere a los voltaje de referencia, las salidas V1 y V2 estarn en un nivel mximo positivo (saturacin) y por lo tanto la salida en AO3 estar en cero volt. Cuando Vi supera a VLref , V1 pasa a un nivel negativo y la salida en AO3 pasa a un nivel alto positivo. Cuando Vi supera a VHref, V2 tambin pasa a un nivel negativo y la salida en AO3 nuevamente pasa a cero volt. En definitiva este circuito detecta el paso del nivel de voltaje de Vi entre los valores VLref y VHref.. Cuando Vi esta en nivel decreciente (por encima de Vhref) tambin se producir el mismo efecto de comparacin, siendo ahora el voltaje VHref el primer nivel en ser detectado
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El CI comparador de precision 111/311 El comparador 111 (militar) o el 311 (comercial) es un CI que ha sido diseado y optimizado para un rendimiento superior a los AO, en las aplicaciones como detector de nivel de voltaje. El 311 conmuta con mayor velocidad que un 741 o 301 pero no es tan veloz como los comparadores de alta velocidad 710 y NE522. Algunos parmetros tpicos de este comparador, son los siguientes: - Funciona con una sola fuente de alimentacin en su salida (por ejemplo Vcc= +5 V) - Corriente de entrada: 150 nA (mximo) - Corriente de offset: 20 nA (mximo) - Voltaje de entrada diferencial mxima: 30V -Ganancia en voltaje: 200V/mV - Tiempo de respuesta para sobreimpulso de 5 mV El comparador 311 es muy verstil en lo referente a la interconexin con otros circuitos de diferente tensin de alimentacin. Su salida esta diseada para que no vare entre Vsat. La tensin de salida puede cambiarse con bastante facilidad. Por ejemplo si tenemos una interfase con un sistema con diferente alimentacin de voltaje, simplemente se conecta la salida de la nueva alimentacin de voltaje a travs de un resistor apropiado. Veamos a continuacin la funcin de los correspondientes terminales del comparador 311 o el 111 y su funcionamiento.
8 +Vcc=15 V Vcc=5V Resistor de Elevacin R=500
Terminales de entrada 2 3 Vref

+ Etapas de _ entrada _
Comparador 111/311
Q Puerta And
Terminal de salida
7 Carga digital 0-5V
Ve
6 Terminal 1 4 de -Vcc=15V habilitacin. (Abierto )
terminal comn o masa
Terminal 1: Este terminal esta conectado interiormente al emisor del transistor bipolar de salida Q; exteriormente, debe conectarse al terminal comn o masa de la aplicacin. En aplicaciones donde se requiera que vo conmute con los valores positivos y negativos, se conecta a Vcc. Terminal 2: Es el terminal de entrada no inversor. Cuando este terminal presenta una tensin positiva mas alta que el terminal 3, el transistor Q esta cortado y como su colector esta conectado al terminal de salida 7, este ultimo toma el valor de Vcc, o sea nivel alto de tensin. Terminal 3: Es el terminal de entrada inversor. Por ejemplo, cuando este terminal tiene una tensin positiva ms alta que el terminal 2, el transistor Q pasa a la saturacin, ___________________________________________________________________ 45 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------haciendo circular corriente por el resistor de elevacin externo, provocando un nivel bajo de tensin en el terminal de salida 7. Terminal 4: En este terminal se conecta la fuente de alimentacin negativa (-Vcc) similar a un AO Terminal 6: Este terminal permite que la salida (7) del comparador responda ya sea a las seales de entrada o bien sea independiente de las seales de entrada. De esta manera, este terminal acta como habilitacin de su funcionamiento como comparador. Para habilitar la comparacin este terminal debe quedar abierto o conectado a +Vcc. Para inhabilitarlo se debe conectar a masa a travs de un resistor limitador de corriente que no supere los 3 mA (por ejemplo una resistencia de 10 K). Terminal 7: Es el terminal de salida y como muestra el esquema, es a colector abierto. Este terminal conjuntamente con el 1, acta como interruptor de corriente a travs del transistor Q. Normalmente este terminal se debe conectar a travs de un resistor a cualquier voltaje externo (Vcc) de magnitud hasta 40 V mas positivo que el terminal de alimentacin negativo Vcc (4). Terminal 8: En este terminal se conecta la fuente de alimentacin positiva (+Vcc) similar a un AO. El dibujo muestra el esquema simplificado del comparador 111 o del 311, en una aplicacin sencilla como comparador del nivel de tensin de la seal ve aplicado a lazo abierto, como interfase de un circuito digital, conectado en su salida. En esta aplicacin, si la seal de entrada resulta ve< +Vref, entonces vo=+Vsat, que en el caso ideal seria +Vcc= 15 V. Cuando ve iguala y supera a +Vref, la salida del comparador bascula y toma el valor vo= VCEsat 0V. Circuitos regenerativos como comparadores de tensin (Comparador Schmitt) Estos circuitos, denominados comparadores o disparadores Schmitt, estn caracterizados por una fuerte realimentacin positiva, cambiando bruscamente (en tiempo muy breve) el nivel de la tension de su salida, cuando la tensin de entrada toma el valor de la tensin de comparacin. Esta caracteristica, es aprovechada en diversos circuitos, como: generadores de onda cuadrada a partir de ondas senoidales, comparadores de tensin para circuitos temporizadores, reduccin de la incertidumbre del nivel de tensin en circuitos digitales, etc.Una caracteristica importante de estos circuitos, es que presentan histresis en el cambio del nivel de tensin de salida como lo muestra el dibujo:
vo vo2
ve Comparador Schmitt
vo
vo1
ve2
ve1
ve
Esto significa que el cambio del nivel de la tensin de salida, no se produce en el mismo nivel de tensin de referencia, cuando la tensin de entrada esta en subida o en bajada. En la grafica, vemos que la tensin de salida, pasa de un nivel bajo a uno alto, cuando la tensin de entrada en subida, llega al nivel ve1. Superado este valor y cuando la tensin ve esta en bajada, la tensin de salida cambia su nivel de tensin (de alto a bajo), recin cuando la tensin de entrada toma el valor ve2. ___________________________________________________________________ 46 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------La ventaja de estos detectores o comparadores de nivel de tensin con realimentacin positiva, radica en la disminucin de la interferencia del ruido (presente en la seal a comparar) respecto al funcionamiento propio del comparador. Otra ventaja, es la rpida transicin de un estado a otro de la salida llevndola a la saturacin ya sea positiva o negativa, cuando se utilizan CI operacionales o comparadores. Tambin se evitan las oscilaciones, que por lo general ocurren en la transicin cuando se transita por la regin activa y durante poco tiempo. La grafica anterior, representa la funcin de transferencia del comparador Schmitt con transistores bipolares discretos, como se muestra en el dibujo siguiente: ve
vo vo1 vo2
El circuito se disea de manera tal que con tensin baja o cero en la entrada, Q2 esta conduciendo (en saturacin) y Q1 esta cortado. Cuando ve se incrementa, Q1 se mantiene cortado hasta tanto no se supere la tensin umbral en subida dada por : Ve1 RE.IE2sat + V(Q1) A partir de este valor, Q1 entra en conduccin, haciendo que disminuya su tensin de colector y esto hace que Q2 pase al corte dado que su base esta alimentada por el divisor resistivo formado por RA y RB. A su vez al disminuir la corriente IE2, lleva rpidamente a Q1 a la saturacin (realimentacin positiva) y Q2 al corte. Cuando ve esta en bajada, la conmutacin nuevamente al estado anterior se producir con el valor: Ve2 RE.IE1sat + V(Q1) Como IE1sat IE2sat, dado que RC1 RC2, entonces el circuito presentara histresis en la comparacin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Comparador Schmitt con amplificador operacional ( inversor)
Ve
VeH VeL vo +Vref Vo +Vosat Vctr
ve t
-Vosat VeL VeH
Para el anlisis del circuito partimos de Ve = V1 < V2, por lo que Vo = +Vosat. Por realimentacin, la entrada no inversora (V2) por superposicin vale: Ve=V2 = VeL = (R1.Vref) / ( R1+R2) + (R2. Vosat) / ( R1+R2) Si hacemos R2 = R y R1 = n.R, en forma general nos queda: Ve=V2 = VeL = (n.R.Vref) / ( n.R+R) + (R. Vosat) / ( n.R+R) Ve=V2 = VeL = (n.Vref) / ( n.+1) + Vosat / ( n.+1) Si ve < VeL la salida permanece en +VCC. Cuando ve> VeL se produce la conmutacin y Vo toma el valor de Vosat. En esta conmutacin, el nuevo valor de la entrada no inversora vale: ___________________________________________________________________ 48 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ve=V2 = VeH = (R1.Vref) / ( R1+R2) - (R2. Vosat) / ( R1+R2) Ve=V2 = VeH = (n.R.Vref) / (n.R+R) - (R. Vosat) / ( n.R+R) Ve=V2 = VeH = n.Vref / (n+1) - Vosat / ( n+1) Si ahora la entrada Ve decrece, deber llegar a este ltimo valor para producir la conmutacin y tomar nuevamente el valor de +Vosat. El valor de la diferencia de tensiones de comparacin, denominada tensin de histresis vale: VH = VeH VeL = (2.R2.Vosat) / (R1+R2) VH = VeH VeL = (2.R.Vosat) / (n.R+R) VH = VeH VeL = 2.Vosat / (n+1) La tensin de centrado de la tensin de histresis la determinamos como: Vctr = (VeL + VeH)/2 = (R1.Vref) / ( R1+R2) Vctr = (VeL + VeH)/2 = (n.R.Vref) / ( n.R+R) Vctr = (VeL + VH)/2 = n.Vref / ( n+1) Como vemos, con este circuito tenemos una dependencia entre el valor de la tensin de centrado y la tensin de histresis, dado que ambos dependen del valor de n Modificando el valor y signo de Vref, podemos modificar la grfica de la funcin de transferencia, respecto a los ejes coordenados vo
Vref=0 vo +Vref
vo
-Vref
Vctr
Vctr
ve ve
VeL VeH
ve
Comparador Schmitt con amplificador operacional ( no inversor) A diferencia del circuito anterior, en este caso la seal a comparar se aplica en la entrada no inversora. El circuito sigue realimentndose positivamente a travs del resistor nR = R1. Aplicando el mtodo de superposicin podemos obtener los valores de los voltajes de comparacin VeH y VeL, la tensin de histresis VH, y el voltaje de centrado Vctr., resultando: ___________________________________________________________________ 49 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Ve = VeH = n.Vref / (n+1) + Vosat / n Ve= VeL = n.Vref / (n+1) - Vosat / n VH = VeH VeL = 2.Vosat / n Vctr = (VeL + VH)/2 = n.Vref / ( n+1) Tambin en este caso los voltajes de histresis y centrado son dependientes dado que dependen de n Comparador Schmitt con ajuste independiente de la tensin de histresis y del voltaje de centrado
V1 Vo,Ve Ve VH Vctr. VL Io V2 Vo Ie Ir t
Para analizar este circuito partimos de Ve con valor cero y creciendo en magnitud. En este caso el voltaje de salida del AO valdr vo = -Vosat., dado que al ser Vref negativa, el voltaje en V2 es negativo respecto a masa y menor a V1 que vale cero. Previo al voltaje de comparacin que se va a dar cuando V2 = V1 = 0 y luego pase a valer positivo, establecemos la ecuacin de Kirchoff de las corrientes en V2, resultando: Ie + Ir + Io = 0 VeH/R + (-Vref.)/mR + (-Vosat)/nR = 0 VeH= -[(-Vref).(R/mR)] - (-Vosat).R/nR = -[(-Vref).(1/m)] - (-Vosat).1/n VeH = Vref/m + Vosat/n Una vez superado el voltaje de comparacin Vo cambia de valor a positivo Vo= +Vsat. Cuando Ve comienza a decrecer, el nuevo valor de comparacin se dar cuando nuevamente V2 llegue a cero. Haciendo el mismo anlisis ahora para VeL, resulta: VeL = Vref/m + Vosat/n Los valores de los voltajes de histresis y centrado resultan: VH = VeH VeL = 2.Vosat / n Vctr = (VeL + VH)/2 = Vref /m Como vemos, la calibracin de ambos voltajes es independiente. ___________________________________________________________________ 50 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Control del voltaje de salida en los comparadores con amplificadores operacionales
Io Rs Iz Io IL RL
+Vosat
Vo1
Vo2
Vo3
-Vosat
Los comparadores con AO tienen voltajes de salida Vosat del orden aprox. de la fuente de alimentacin. Por ejemplo para una alimentacin del AO de 15 Volt resulta Vo 13 Volt. Si necesitamos modificar ya sea la amplitud como la polaridad del voltaje de salida del comparador, en el circuito mas arriba vemos tres posibilidades utilizando diodos Zener. Los voltajes de ruptura elegidos, sern los indicados por los voltajes de salida requeridos para Vo1, Vo2 y Vo3. La resistencia Rs tiene la funcin de limitar la corriente que circula por el diodo Zener y la que se extrae del AO. Su valor lo calculamos como: Rs = (Vosat Vz)/ Iomax, Iomax. : Corriente mxima de salida del AO. A su vez se tendr que tener en cuenta que Iomax = Iz + IL, donde Iz es la corriente que circula por el diodo Zener y IL es la corriente que toma la carga. Voltmetro de CC de alta impedancia con AO
mA
Im = Vi/R1
Voltaje a medir
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito, denominado convertidor de voltaje a corriente muestra como podemos lograr un voltmetro de alta impedancia de entrada, fcil de realizar, pero muy efectivo. Para ello se puede utilizar un miliampermetro como elemento medidor (por ejemplo utilizando un multmetro analgico en la funcin mA). El voltaje a medir se aplica al terminal no inversor (+) del AO. Dado que el voltaje diferencial es prcticamente cero (vi0), Vi se aplica a travs de R1. La corriente que mide el medidor, la establecemos como: Im = Vi/R1 Por ejemplo si el medidor esta calibrado a fondo de escala en 1 mA y si R1 = 1 k entonces para Vi = 1 Volt, Im = 1V/1 k = 1 mA , el mA medir hasta ese valor a fondo de escala. Una ventaja de este circuito es que Vi v la impedancia de entrada muy alta de la entrada (+), por lo tanto el valor a medir no modificara su valor por la despreciable carga que toma (por ejemplo en el caso de fuentes de voltaje a medir con alta impedancia de entrada). Otra ventaja de colocar el miliampermetro en el circuito de realimentacin es que si la resistencia del medidor varia o se aade otra resistencia en serie , no se tendr ningn efecto en el medidor de corriente, dado que la corriente que fluye sobre el medidor es la que se establece sobre R1. Esto ultimo tendr validez mientras el AO trabaje en su zona lineal y Vo no llegue a la zona de saturacin (Vo=Vosat ). Si quisiramos modificar la escala de voltaje a medir, debemos cambiar el valor de R1. Por ejemplo si necesitamos medir a fondo de escala del miliampermetro hasta 10 Volt, entonces debemos colocar una valor de R1 = 10 V/1 mA = 10 k. Como el voltaje de salida del AO esta dado por la expresin del amplificador no inversor: Vo = (Rm/R1 + 1). Vi y como Rm<< R1, entonces Vo Vi; por lo tanto el voltaje a medir no debe superar al de las fuentes de alimentacin del AO para evitar su saturacin. Como valor practico se puede tomar un limite de Vi = 10 volt cuando el AO esta alimentado con 15 Volt. Si necesitamos medir voltajes con alta impedancia de entrada mayores a los limites impuestos, entonces resulta conveniente colocar un divisor de voltaje entre el voltaje a medir y el circuito medidor. La salida del divisor se aplica a la entrada (+) de AO. Voltmetro universal de alta impedancia
Im=50 A + D3 D1 D2 D4
+ Vi: voltaje a medir -
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito bsico nos permite medir voltajes de cc positivo o negativo, pico o de pico a pico de una onda senoidal. Para cambiar de un tipo de voltmetro a otro, solamente debemos cambiar el valor del resistor, mediante la llave conmutadora. El voltaje a medir se aplica en la entrada no inversora (+) del AO, por lo cual el circuito medidor presenta una alta impedancia de entrada. Cuando Vi es positiva, la corriente ingresa al microamperimetro por el diodo D1 y sale por D2. Cuando Vi es negativa, la corriente ingresa por D3 y sale por D4. Como vemos por la accin de estos diodos (rectificador monofsico en puente) la corriente fluye en la misma direccin a travs del microamperimetro ya sea positivo o negativo el voltaje a medir. La aguja indicadora del medidor mide el valor promedio de la corriente. En este caso si tomamos un microamperimetro con valor a plena escala de 50 A y quisiramos medir voltajes a plena escala de 10 Volt tanto para cc, rms, pico o pico a pico, los resistores a colocar se calcularn de la siguiente forma: R1 = (Vcc/Vcc). plena escala para Vicc/Im = 10V/50 A = 200 k R2 = (Vcc/Vrms). (plena escala para Virms/Im) = 0,898 .10V/50 A = 180 k R3 = (Vcc/Vp). (plena escala para Vip/Im) = 0,636 . 10V/50 A = 127,2 k R2 = (Vcc/Vp-p). (plena escala para Vip-p/Im) = 0,318 .10V/50 A = 63,6 k Los factores de relacin que afectan al clculo de los resistores, corresponden a la forma de onda de salida de un rectificador de onda completa senoidal: Vcc = 2.Vm/ ; Vrms = Vm/2 ; Vp = Vm ; Vp-p = 2.Vm El microamperimetro deber ser calibrado en Volt de 0 a 10Volt Como detalle importante a tener en cuenta, es que ni la impedancia interna del medidor (5 k) ni la cada de voltaje en los diodos (0,7 V si) afectan la corriente promedio que se mide, dado que por las caractersticas del AO, esta corriente la determina el voltaje a medir Vi y el resistor que esta conectado por la llave conmutadora. Convertidores de voltaje en corriente
Diodo Zener de carga Iz Id Io I1 Circuito A I1 Io Diodo rectificador de carga
Circuito B
La figura A muestra un circuito probador de diodos Zener con corriente constante y el circuito B un probador de diodos rectificadores tambin con corriente constante. Para el primer caso (A) se da para probar varios diodos Zener con una misma corriente constante, suministrada por el voltaje Vi, siendo esta: I1 = Vi/R1 = Iz = Io ___________________________________________________________________ 53 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------La cada de ruptura Zener la podemos obtener midindola en los extremos del Zener o midiendo el voltaje de salida del AO, mediante: -Vo = -Vi Vz ; Vz = Vo Vi El segundo circuito (B), lo podemos utilizar para probar varios diodos, para su seleccin, hacindoles circular una misma corriente constante para luego medir la cada de voltaje en sus extremos, que tambin la podemos medir como el voltaje de salida del AO: Vo = Vd. En ambos casos la corriente de prueba es suministrada por el AO, por tanto no debemos superar la mxima permitida (Iomax = 10 mA). Un valor practico de prueba puede ser I1= 5 mA. Podemos proporcionar una corriente de carga mayor a la suministrada por el AO, si conectamos en la salida un transistor reforzador, como muestra el circuito
Diodo Leds como carga IL= I1=20 mA
Io=IB0,2 mA I1=Vi/R1=20 mA Transistor reforzador con =100
IE= I1=20 mA =100 IC20 mA
En este caso se pueden probar diodos luminosos Leds con una corriente fijada por el voltaje Vi y el resistor R1: I1 = IL = Vi/R1 = IE IC La corriente del AO (Io = IB) ser en este caso la corriente de base del transistor siendo veces menor que la que fluye entre el colector y emisor y tambin por el diodo Leds. Como la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor, la carga a medir tambin puede ser colocada entre los terminales A-A. Convertidor de voltaje diferencial a corriente con carga conectada a masa
vi0
I3 IL
I4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito se denomina convertidor de voltaje diferencial a corriente, debido a que la corriente de carga IL depende de la diferencia entre los voltajes de entrada V1 y V2 y los resistores R. Determinamos primero Vo, teniendo en cuenta que R1=R2=R. Vo = V2 R1.I R2.I = V2 -2.R.I. Por otra parte VL = V2 R.I; reemplazando resulta: Vo = 2.VL V2. En el terminal no inversor se cumple: IL = I3 +I4 = (V1 VL)/R + (Vo VL)/R = (V1 VL +2.VL V2 VL)/R IL = (V1 V2)/R Si V1 > V2 la corriente fluye hacia RL, resultando VL positivo respecto a masa Si V1< V2 la corriente tiene sentido opuesto resultando VL negativo. El valor de VL esta dado por VL = IL.RL y el voltaje de salida Vo = 2.VL V2 Este circuito acta como fuente de corriente siempre que el AO no entre en saturacin, por lo tanto se deber cumplir: Vo = 2. VL V2 < Vosat Convertidor de voltaje a corriente con la carga conectada a masa
I3
I1 I5 IL
S I2 I4
El circuito corresponde a un convertidor de voltaje a corriente con AO, donde la carga esta conectada a masa. A diferencia del circuito anterior, (voltaje diferencial), la conversin se realiza con un solo voltaje referido a masa. Determinaremos a continuacin la expresin de la corriente IL que alimenta la carga RL Partimos primero en la determinacin del voltaje de salida del AO, que depender de los resistores R1, R3 y Vi; para ello debemos calcular las corrientes I1 e I2 I1 = (Vi Vi)/R1 I3 = (Vi - Vo)/R3 Ambas corrientes son iguales por propiedad del AO: I1 = I3 (Vi Vi)/R1 = (Vi - Vo)/R3; despejamos el voltaje de salida. Vo = Vi (R3/R1).Vi + (R3/R1).Vi = -(R3/R1).Vi + (1 + R3/R1).Vi Por otra parte en el nudo S se cumple: IL = I5 - I4 La corriente I4 resulta ___________________________________________________________________ 55 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------I4 = I2 =Vi/R2 La corriente I5 la determinamos como: I5 = (Vo VS )/R5 donde: VS = VL = Vi + R4 . I4 = Vi + R4 . I2 = Vi + (R4/R2).Vi = ( 1 + R4/R2 ).Vi Reemplazamos los valores de Vo y VS en la expresin de la corriente I5, resultando: I5 = - (R3/R1.R5).Vi + [[R2.(R1 + R3) R1.(R2 + R4)/R1.R2.R5]].Vi Reemplazando los valores de I5 e I4 en la expresin de IL obteniendo: IL = - (R3/R1.R5).Vi + [[R2.(R1 + R3) R1.(R2 + R4)/R1.R2.R5]-1/R2].Vi Si hacemos R1 = R2 y R3 = R4 + R5, la expresin de IL se reduce a: IL = - (R3/R1.R5).Vi Como podemos observar la corriente de salida es proporcional al voltaje de entrada Este circuito tambin acta como fuente de corriente siempre que el AO no entre en saturacin, por lo tanto se deber cumplir: Vo = VL + I5 .R5 < Vosat Fuente de alta corriente constante
+ Vz=5 V vi0 Io IL/100 =100 2N3791 IL=Vz/Rs=0.1A
Este circuito permite suministrar una corriente constante, a una carga conectada a tierra, mayor a los 500 mA, siempre que se seleccione adecuadamente el transistor. Este, deber suministrar la corriente de carga por lo cual deber tener una ganancia de corriente grande (>100) para no cargar demasiado a AO. Adems deber disponer de un buen disipador, dado que la potencia que tendr que disipar estar por arriba de los 5 Watt. La corriente constante se logra por el voltaje de ruptura Zener aplicado a los extremos del resistor Rs, dado que vi0. La corriente constante ( IE = Vz/Rs) del emisor de transistor es prcticamente igual a la del colector, siendo esta ultima la suministrada a la carga IE IC = IL. La corriente de base del transistor la suministra (absorbe) el AO siendo su valor Io = IB = IC/ = IL/. Como vemos si el AO puede alimentar una corriente de base de mas de 5 mA y el transistor tiene una ganancia mayor a 100, entonces IL puede exceder el valor de 5 x 100 = 500 mA. Debemos tener en cuenta que el voltaje a travs de la carga no debe exceder la diferencia entre el voltaje de alimentacin y el voltaje del diodo tener, dado que de la otra manera el transistor y el AO llegaran a la saturacin degradndose el funcionamiento del circuito. ___________________________________________________________________ 56 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Conversin de corriente a voltaje Los transductores de variables fsicas, convierten estas variables en seales elctricas. Por conveniencia, se pueden representar como un circuito equivalente de Thevenin o equivalente de Norton. Para aquellos transductores que presenten una alta impedancia interna, resulta mas conveniente su representacin en Norton, o sea como una fuente de corriente con su resistencia interna en paralelo. Para realizar esta representacin, es necesario medir la corriente de cortocircuito. Para ello, el circuito clsico de medicin, con un microamperimetro, seria el que muestra la siguiente figura:
45,5 A 4,55 A
0 50 A
Circuito equivalente de Norton para el transductor
Circuito equivalente para del medidor
Debido a la resistencia interna del medidor, la medicin de la corriente de cortocircuito, para determinar el circuito equivalente del transductor, se vera afectada de un error por la derivacin de corriente (4,55 A) por la conductancia (Gi = 1/Ri). Este error, en la medicin de la corriente de cortocircuito, lo podemos anular prcticamente si utilizamos un AO en el siguiente circuito:
Isc Isc + Vo = -Isc.Rr Im
Vi 0
Io = Im+Isc
Rm: resistencia interna del medidor de voltaje
Como vi 0, la fuente de corriente v un cortocircuito (virtual) y por lo tanto toda la corriente circulara por el resistor de realimentacin. El voltaje de salida del AO vale en este caso: Vo = - Isc. Rr. Midiendo este voltaje con un voltmetro u osciloscopio, podemos encontrar la corriente de cortocircuito del transductor como: Isc = Vo/Rr Como vemos la resistencia del medidor de voltaje no afecta a la medicin de esta corriente, mientras no se supere la mxima corriente de AO. Resumiendo, el circuito coloca, en forma efectiva, a la fuente de corriente en un cortocircuito, dado que el terminal inversor (-) del AO esta a potencial de masa por ser vi 0. de esta forma ambos terminales de la fuente de corriente estarn a al mismo potencial (corto virtual), suministrando toda la Isc al terminal (-) y a la Rr que la convierte en el voltaje de salida del AO, mostrndonos que este circuito es un convertidor de corriente a voltaje. ___________________________________________________________________ 57 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Medicin de corriente en fotodetectores
Fotorresistencia
ILs
1 2
Ir Vo
Fotodiodo
Celda solar
El circuito presentado nos permite medir la corriente que circula o se genera en los fotodetectores como las fotorresistencias, fotodiodos y celdas solares, dispositivos sensibles a la luz. Medicin en fotorresistencias Estos dispositivos, tambin se denominan fotoconductores o resistores sensibles a la luz (LSR). Presentan muy alta resistencia en la oscuridad (> 500 k) y cuando son iluminadas por la luz solar su resistencia disminuye a unos 5 k. Para la medicin, el conmutador se conecta en la posicin 1, conectando en serie al terminal (-) del AO y a una fuente de voltaje Vi. Al estar conectadas a Vi, circula una corriente que pasa por la fotorresistencia al terminal (-) y de alli a la resistencia de realimentacin Rr dando lugar a un voltaje en la salida del AO dado por Vo = Ir.Rr. Como Ir = ILS = Vi/RLSR Resulta: Vo = Rr. Vi/RLSR Como vemos el circuito convierte la corriente que pasa por la fotorresistencia en un voltaje de salida, o de otra forma, el voltaje de salida del AO es inversamente proporcional a la resistencia de la fotorresistencia. Por ejemplo si la resistencia de la celda es de 500 k en la oscuridad y 5 k estando iluminada, para un valor de Rr = 10 k, el voltaje Vo resulta: Vo = Rr. Vi/RLSR = 10 . 5/500 = 0,1 Volt (en la oscuridad) Vo = Rr. Vi/RLSR = 10 . 5/5 = 10 Volt (iluminada) Medicin en fotodiodos Los fotodiodos, en la operacin normal trabajan polarizados inversamente, poseen una ventana con un lente ptico donde la luz incidente se direcciona sobre la zona de la juntura, generando portadores de cargas minoritarios. En la oscuridad el fotodiodo conduce muy poca corriente de fuga del orden de los nanoamperes. Cuando incide la energa radiante sobre el fotodiodo aumenta esta corriente inversa a unos 50A o mas. Esta corriente generada, no depende de la fuente Vi sino del valor de la energa luminosa que incide sobre el fotodiodo. Esta corriente es convertida en voltaje en el AO por lo que midiendo el voltaje de salida, es una escala conveniente, nos da una medida de la intensidad de la luz incidente. Por ejemplo si la luz incidente produce una variacin de la corriente desde 1 A a 50A y el resistor de realimentacin vale Rr = 100 k, el voltaje de salida medido tendr una variacin de Vo = 1 A/100 k = 0,1 Volt a Vo = 50 A/100 k = 5,0 Volt. ___________________________________________________________________ 58 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Amplificador de corriente
mIsc 0V Isc
IL=(1+m).Isc
A la carga de alto voltaje
Fuente de seal de corriente
0V Acoplador optico
Este circuito tiene aplicacin cuando la fuente de seal (circuito equivalente de Thevenin) presenta una muy alta impedancia interna; visto desde el circuito equivalente de Norton esta fuentes se caracterizan por presentar un valor bajo en la corriente de seal ( Is = Vt/Rt).Para estas fuentes de seal necesitamos que trabajen en cortocircuito para suministrar toda la corriente. Lo logramos con la tierra virtual del AO. Toda esta corriente circula por la resistencia mR siendo el voltaje mR. Is. (el resistor mR se conoce como resistor multiplicador siendo m el multiplicador). Dado que R y mR estad en paralelo (por la tierra virtual del terminal (-)), el voltaje a traves de R tambin vale mR.Is. Por lo tanto la corriente que pasa por R vale: IR = mR.Is/R = m.Is, o sea m veces la corriente de la fuente de seal. Ambas corriente se suman para formar la corriente de carga IL siendo finalmente su valor: IL = (1+m).Is. Para el caso del circuito presentado, esta corriente acciona un acoplador optico utilizado en aplicaciones donde se necesita aislar altos voltajes. Por ejemplo si R = 1k y mR = 99 k, resultara m= 99/1 = 99. Para una corriente de seal Is = 100 A, la corriente de la carga vale: IL = (1+m). 100 A= 10 mA En este circuito, es importante observar que la corriente de carga no la determina la carga sino el multiplicador m y la fuente de seal de corriente, Si quisiramos tener un valor variable del multiplicador podemos reemplazar R y mR por un potencimetro donde un extremo fijo se conecta a masa y el otro al terminal (-) del AO; el terminal variable del potencimetro se conecta a la carga. Medicin de energa en celdas fotovoltaicas Las celdas fotovoltaicas (tambin llamadas celdas solares) son dispositivos que convierten la energa de la luz directamente en energa elctrica. El mejor modo de registrar la cantidad de energa recibida por la celda fotovoltaica es midiendo su corriente de cortocircuito. Para ello la mejor manera de medirla, es convirtiendo esta corriente en voltaje. El circuito presentado para medir las fotorresistencias y los fotodiodos tienen el inconveniente que la corriente a convertir es del orden de los cientos de mA y por lo tanto el AO no la puede suministrar. Para solucionar este inconveniente la mejor solucin es colocar un transistor amplificador a la salida del AO, como muestra el siguiente circuito:
Celda fotovoltaica Isc 0 a 0,5 A
Vo=Isc.Rr VRr=Isc.Rr 2N3055 con disipador Io=Isc/(+1).
vi0V
En este circuito vemos que la celda fotovoltaica conectada al terminal (-) del AO esta viendo un cortocircuito virtual a travs de masa. Por lo tanto en esta condicin la celda suministrara la corriente de cortocircuito. Esta corriente circula por el resistor Rr por que se convierte en cada de voltaje midindose entre el emisor del transistor y masa. Por otra parte el AO solamente suministra la corriente de base del transistor que resulta +1 veces menor que la corriente de emisor (corriente de corto de la celda solar). Por ejemplo si quisiramos medir una variacin de voltaje de 0 a 10 Volt para una corriente de cortocircuito que varia de 0 a 500 mA, el resistor Rr deber tener un valor dado por la siguiente expresin: Rr = Valor de Vo a plena escala/ Isc max = 10 v/500 mA = 20 En este caso el transistor reforzador deber suministrar esta corriente y su amplificacin de corriente , deber ser mayor a 100 para no sobrecargar al AO. La medicin del voltaje de salida deber realizarse con un voltmetro de alta impedancia como el que presentan los voltmetros digitales y los osciloscopios. Medicin de la corriente de cortocircuito de una celda fotovoltaica con microamperimetro (convertidor de corriente en corriente)
A() 0 -100
Im Resistor interno Resistor de medidor Rm escala Re Vdm=Im.dRr Isc Isc+Im Vo=Isc.Rr Vdm=VRr Im
Celda fotovoltaica Isc 0 a 0,5 A vi0V
VRr=Isc.Rr
Io=Isc/(+1).
Este circuito opera como un convertidor de corriente en corriente. Con l es posible medir la corriente cortocircuito de la celda solar con un microamperimetro de baja ___________________________________________________________________ 60 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------corriente. La resistencia dRr divisora de corriente esta formada por la resistencia interna del instrumento medidor ms el resistor de escala R. La corriente de cortocircuito Isc desarrolla una cada de voltaje en el resistor Rr igual al voltaje de salida Vo, que tambin es el voltaje a travs de la resistencia d.Rr. El divisor de corriente se puede determinar igualando los voltajes a travs de Rr y dRr: d.Rr = Rm + Re VRr = Vdm = Vo Isc.Rr = Im.dRr d = Isc/Im Por ejemplo si tenemos que medir con un microamperimetro a plena escala Im =100 A una corriente de cortocircuito Isc = 0,5 A, debemos calcular el valor del resistor Re. Para ello partimos determinando la divisin de corriente d d = Isc/Im = 0,5 A/100 A = 5000 d.Rr = 5000 . 20 = 100 k = Rm + Re despejando Re : Re = 100 k Rm = 100 k 0,8 k = 99,2 k Circuitos modificadores de fase con amplificadores operacionales Compensador de fase Este circuito tiene aplicacin en canales de comunicacin (lneas telefnicas) para transmisin digital, corrigiendo la distorsin por retraso de fase. Un corrector de fase consiste en un circuito de paso total (pasa banda), cuya funcin de transferencia es de la forma: Av Vo/Vi = (R jX)/(R +jX), donde la amplitud resulta: _______ ______ Av= R2 + X2/ R2+X2= 1, o sea Vo=Vi Para este circuito la amplitud resulta unitaria y defasaje vale: = -2.arc. tang. X/R El circuito con AO es el siguiente: Aplicando el mtodo de superposicin, Z1 Z4 la funcin de transferencia generalizada resulta: Av = (Z1.Z3 Z2.Z4)/ (Z1.Z3 Z2.Z4) Si hacemos: Z1 = Z4 = R1 = R4 Z3 = R3 Z2 = jX Av Vo/Vi = (R jX)/(R +jX).
Z2 Z3
Circuito partidor de fase Los circuitos partidores de fase (fhase-splitter) presentan una nica entrada y dos salidas simtricas desfasadas 180 . Si la amplitud de las salidas es igual, se dice que el circuito esta equilibrado. Presentaremos un circuito con estas propiedades: El AO1 opera como AO realimentado no inversor con ganancia variable entre 1 y 101. El AO2 trabaja como AO realimentado en configuracin inversora con ganancia unitaria al ser R4 = R3. ___________________________________________________________________ 61 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para Av1 = 1 debe ser P = 0 ; Para Av1 = 101, debe ser P = 10 k
Vo1 =Vi Vo2 = -Vo1
wt
Circuito desviador de fase con AO
Vi = Vm sen wt Vi, Vo Vi =-90 0 90 180 Vo
Vo = Vm sen (wt-)
Vm :ngulo de fase en grados
270
360
450
Los circuitos desviadores de fase deben transmitir la onda de la seal de entrada sin cambio de amplitud, pero transformando su ngulo de fase por una cantidad preestablecida. Por ejemplo una onda senoidal Vi de f= 1 kHz, de amplitud Vm y =0 al pasar por el desviador de fase obtenemos en la salida Vo con igual amplitud, frecuencia pero su fase esta desviada en = -90, significando esto que Vo pasa por cero Volt 90 despus que lo hizo Vi. ___________________________________________________________________ 62 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito que se muestra, es un excelente desviador de fase con la condicin que los resistores R sean iguales, con un valor conveniente desde 20 a 220 k. El ngulo de fase solo depende de Ri y Ci, y la frecuencia f de Vi. La relacin de fase de los voltajes vale: = 2 arc.tan 2fCiRi En donde esta en grados, f en Hertz, Ri en ohm y Ci en faradios. Con esta ecuacin, conociendo f, Ri y Ci obtenemos el desfasaje entre Vo y Vi. Si conocemos el ngulo de desfasaje deseado, eligiendo un valor de Ci podemos con la ecuacin anterior despejar el valor de Ri adecuado. Por ejemplo si necesitamos un desfasaje = 90 entre Vo y Vi con Ci = 0,01 F, determinamos Ri como: tan /2 = tan (-90/2) = tan(-45) = -1 = 2.Ri.Ci Ri = 1/( 2.Ci ) = 1/ (2.1000.0,01.10-6) = 15,9 k Con este valor de Ri obtenemos el desfasaje que muestra la grafica anterior. Otro ejemplo: Si Ri = 100 k el valor de vale para f= 1kHz y Ci = 0,01 F : = 2 arc.tan 2fCiRi = 2 arc.tan 2.103. 100. 1003.0,01. 10-3 = 162 Como el AO desfasa 180 grados por lo tanto el desfasaje entre Vi y Vo ser de -162 grados: Vo = Vm /-162 Se demuestra en la ecuacin de que para un desfasaje de 90 el valor de Ri iguala al valor de la reactancia de Ci (Xci=1/2.Ci). A medida que Ri varia de 1 k a 100 K el ngulo varia de desde -12 a -168. Por lo tanto el desviador de fase puede modificar ngulos de fase en un valor que se aproxima a 180. Si se intercambia Ci con Ri en el circuito, el ngulo de fase es positivo y el circuito se convierte en un desviador de fase en adelanto. La magnitud de se encuentra con la misma ecuacin, pero la salida esta dada por: Vo = Vm /180- Introduccin a los rectificadores de precision Los rectificadores son circuitos convertidores de corriente alterna en corriente continua (ca a cc). Transmiten solo medio ciclo de una seal y eliminan la otra mitad, con salida en cero Volt. Los circuitos rectificadores ms sencillos son realizados solamente con diodos de silicio. La mayor limitacin de estos diodos es que no pueden rectificar voltajes por debajo de los 0,6 Volt debido a su cada de voltaje relativamente elevada, para pequeas seales.
Diodo de silicio Vo 0 t -1 -0,5 -0,5 -0,5 -1 -1 Vi, Vo 1 Vo 1 0,5 0 0 0,5 1 Vi
0,5
La figura anterior nos muestra la grafica en funcin del tiempo y de transferencia de un circuito bsico rectificador de media onda con diodo. Se puede observar la deformacin ___________________________________________________________________ 63 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------de la seal (sin linealidad), durante el semiciclo positivo. Si se comportar como un diodo ideal, sin cada de voltaje en sus extremos Vi = Vo (lineal) durante el semiciclo positivo de la seal de entrada. Un circuito que acte como diodo ideal se puede disear con un Amplificador operacional y dos diodos comunes. Este circuito sencillo y de bajo costo, nos permite ser utilizado en rectificadores de media y onda completa lineales, y muchas otras aplicaciones. Rectificador inversor lineal de media onda con salida positiva
Vi (V) +2 Circuito 1 0 + Vd Id1 Io Ii Vo=-0,7 V -2 (V) +2,7 +2 Grafica a t
Circulacin corriente para el semiciclo positivo de vi
Vo Vo
0 -0,7 Grafica b
-2 Circuito 2 Ir Vo,Vo Io -Ii Id2 Vo=(-Rr/Ri).Vi-vd2 Io Vo Vo=(-Rr/Ri).Vi
Grafica c Vi
Circulacin corriente para el semiciclo negativo de vi
Vo
El amplificador inversor se puede convertir en un rectificador de precision de media onda lineal aplicando dos diodos al circuito como se muestra en la figura. Cuando el voltaje alterno senoidal de entrada pasa por el semiciclo positivo (circuito 1), circula una corriente entrante de valor Ii = Vi/Ri. Esta corriente circula por el diodo D1 provocando una cada de voltaje Vd1 que ser igual al voltaje de salida del AO Vo = -Vd1 0,7 volt. Este voltaje negativo polariza inversamente al diodo D2, por lo tanto el voltaje de salida sobre la carga vale Vo= 0. En este caso, por el resistor Rr no circula corriente. ___________________________________________________________________ 64 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando la seal de entrada Vi pasa por su semiciclo negativo (circuito 2), el voltaje de salida del AO es positivo. Esto dar lugar a una polarizacion directa de D2 e inversa en D1. En este caso una corriente sale por el AO circulando hacia la carga y hacia el resistor de realimentacin Io= IL+Ir. La corriente Ir vale Ir = -Ii = -Vi/Ri. Por otra parte el voltaje de salida sobre la carga vale: Vo=(-Rr/Ri).Vi Si Rr = Ri resulta entonces que Vo = -Vi Como vemos, durante el semiciclo negativo el circuito acta como un diodo ideal sin cada de voltaje, como un circuito clsico rectificador de media onda con diodo. Lo significativo es el desfasaje de 180 entre la seal de entrada y salida y cada de voltaje cero. Si hacemos Rr > Ri la seal de salida estar amplificada por el factor Rr/Ri Cabe tambin destacar que el voltaje de salida Vo se mantendr en cero Volt, durante el semiciclo positivo, siempre que la carga sea resistiva, caso contrario, si es inductivo o capacitivo, el voltaje de salida ser distinto de cero. Lo interesante de este circuito es que me permite rectificar seales con amplitudes del orden de los milivoltios dado que el circuito elimina los voltajes umbrales de los diodos. Esto es as dado que cuando ingresa una seal pequea, en principio los diodos no conducen corriente (abiertos); por lo tanto el AO, en el cruce por cero de la seal de entrada, se encuentra en lazo abierto y como su ganancia es muy alta, en esta condicin, rpidamente la salida del AO eleva su voltaje obligando a conducir a los diodos, en las cercanas del cruce por cero. La grafica a muestra la variacin en el tiempo de la seal de entrada; la grafica b la variacin del voltaje sobre la carga vo y el voltaje de salida del AO. La grafica c nos muestra la funcin de transferencia del circuito para Vo y Vo. Separador de polaridad de seal
D1
Vo1= 0 Cuando Vi es positivo Vo= Vo1 VD2 Vo1 0,7 V
D2 Circuito a Vo2=- Vi Cuando Vi es positivo
D1
Vo1=-(- Vi) Cuando Vi es negativo Vo= Vo1 + VD1 Vo1 + 0,7 V
D2 Vo2= 0 Cuando Vi es negativo
Circuito b
Este circuito es una aplicacin del rectificador de precision de media onda que nos permite separar, por polaridad, la seal de entrada Vi. ___________________________________________________________________ 65 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando Vi es positiva (ver circuito a) la corriente ingresa por la resistencia de entrada Ri, pasa por el resistor de realimentacin Rr2= R, el diodo D2 e ingresa al AO. En el terminal de salida Vo2 se reproducir la seal de entrada Vo2 = Vi. En el terminal Vo1 la seal vale cero Volt (Vo1 = 0V). En el terminal de salida del AO la seal vale Vo = Vo1 Vd1. Cuando Vi es negativa (ver circuito b) la corriente egresa por la resistencia de entrada Ri, pasa por el resistor de realimentacin Rr1= R, el diodo D1 y sale por el AO. En el terminal de salida Vo2 se reproducir la seal de entrada Vo2 = Vi. En el terminal Vo1 la seal vale cero Volt (Vo1 = 0V). En el terminal de salida del AO la seal vale Vo = Vo1 Vd1. Introduccin a los rectificadores de precision de onda completa con AO Un rectificador de precision de onda completa transmite una polaridad de una seal de entrada alterna e invierte la otra. Ambos semiciclos de la seal se transmiten pero convertidos en una sola polaridad (conversin de ca a cc). Los rectificadores de precision de onda completa pueden rectificar voltajes de entrad del orden de los milivoltios. Tienen aplicacin en circuitos multiplicadores voltajes promedios, demodulacion, voltmetros digitales, etc.
Vi (V) +2
Vi t
Rectificador de precisin
Vo
-2
(+Vo) +2
Vo (V) +2 (-Vi) -2 0 t (-Vi) +2 (+Vi)
-2
El rectificador de precisin, tambin se lo denomina circuito de valor absoluto, dado que el valor de la salida tiene una sola polaridad. En estos rectificadores de precision, la polaridad de la salida depender como se conecten los diodos involucrados. Fundamentalmente tenemos tres tipos de circuitos que operan como rectificadores de precision. El primero es de bajo costo, debido a que utiliza dos AO, dos diodos y cinco resistores iguales; tiene baja impedancia de entrada. El segundo es de alta impedancia de entrada pero requiere resistores de valores diferentes. El tercero tiene los nodos de suma conectados a masa virtual, permitiendo obtener el promedio del voltaje de salida.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Rectificador de precision de onda completa con resistores iguales
(2) -Vi = -1 V (b) (1) (a) Conduce + Vo = Vi (d) No conduce (5) 0V IL = Vo/RL (3) (c) Circulacin corriente para Vi positivo (4)
Vi/3 (b) 1/3 I (a) I= Vi/R
Vi/3 (c)
Vi/3
No conduce + IL = Vo/RL Conduce (d) -2/3(-Vi) =+2/3Vi -
Circulacin corriente para Vi negativo
Vo = -(-Vi) = Vi
2/3 I
Este circuito utiliza tres resistores iguales y tiene una resistencia de entrada de valor R. Cuando la seal de entrada es positiva el diodo Dp se polariza directamente y Dn negativamente. Por el resistor 1 circula una corriente I = Vi/R, dado que el nudo a esta a masa virtual. Esta corriente circula por el resistor 2, pasa por Dp e ingresa al AO1. Por la igualdad de los resistores, en el nudo b tendremos un voltaje de valor -Vi. Por otra parte, como no circula corriente por Dn, tampoco lo har por el resistor 5 y por lo tanto el nudo d estar al potencial de masa (0 V). El AO2 tambin trabaja como amplificador inversor con ganancia unitaria con seal de entrada provista por el nudob, o sea Vi. Por lo tanto el voltaje de salida valdr: Vo = -(R/R).Vb = - (1).(-Vi) = Vi Esto significa que el voltaje de salida sigue a la seal, durante todo el semiciclo positivo. Durante este semiciclo, el AO1 debe absorber una corriente de valor Io1 = 2.I = 2.Vi/R. El AO2 suministra una corriente de valor Io2 = I = Vi/R. Durante el semiciclo negativo de la seal de entrada, circula por el resistor 1 una corriente similar pero en sentido contrario de valor I = Vi/R. El diodo Dn se polariza positivamente y el Dp negativamente. En esta condicin la corriente I se reparte en 2/3 I suministrada por el AO1 y 1/3.I suministrada por AO2. la corriente de AO2 circula por los tres resistores en serie 2, 3 y 4, provocando en sus extremos una cada de voltaje de ___________________________________________________________________ 67 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------valor Vi/3.Como por el resistor 5 circula una corriente de valor 2/3 I entonces sobre el terminal no inversor de AO2 el voltaje valdr 2/3Vi e igual valor tendr el nudo c Ahora el voltaje de salida del AO, (o sea la salida del circuito rectificador) valdr: Vo = 2/3 Vi + 1/3 Vi = Vi. Como vemos el voltaje de salida sigue al voltaje de entrada, durante el semiciclo negativo, pero con valor positivo. Rectificador de precision de onda completa con AO con alta impedancia de entrada
Vi I=0 Vi Conduce I=Vi/R1 No conduce Circulacin corriente para Vi positivo I=0
Vo1=Vi+Vd
+ IL = Vo/RL Vo= +Vi
2Vi = -2 V Vi Vi
Vi = -1 V 2 Vi -Vi= 2V
I2=Vi/R=I
Circulacin corriente para Vi negativo
No conduce I=Vi/R1
Conduce
Vo1 = 2Vi-Vd
+ Vo = -(-Vi) = +Vi IL = Vo/RL -
En este segundo rectificador de precision, la seal de entrada esta conectada a las entradas no inversoras de ambos AO, para obtener alta impedancia de entrada. Cuando la seal Vi esta en su semiciclo positivo, el diodo Dp conduce y Dn esta cortado. La corriente que circula por Dp y R1 vale I =Vi/R1. Como el voltaje diferencial de ambos AO vale prcticamente cero Volt, en los nudos a y c el voltaje vale Vi; por lo tanto por los resistores R2, R3 y R4 no fluye corriente. Al no producirse cada de voltaje en R4 (I = 0), el voltaje de salida Vo = Vi para todos los voltajes positivos de Vi. ___________________________________________________________________ 68 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando estamos en el semiciclo negativo de Vi, el diodo Dn conduce y el Dp esta cortado. La corriente que circula por R1, R2 y Dn vale I = Vi/R1. El voltaje en el nudo a vale Vi = 1 V, y por ser R2= R1= R, el voltaje en el nudo c vale -2Vi = 2 V. por otra parte el voltaje en el nudo d vale Vi = 1 V, por estar el terminal no inversor de AO2 conectado a Vi. La corriente que circula por R3= R, depender de la diferencia de estos voltajes y y su valor, siendo: I2 = (2Vi Vi)/R3 = Vi/R. Esta corriente la suministra el AO2, y pasa por R4 = 2R, produciendo en sus terminales una cada de voltaje de valor +2Vi. El valor del voltaje respecto a masa del terminal de R4 conectado a la salida del circuito y a AO2 vale Vo = - Vi + 2 Vi = Vi. Como vemos cuando Vi es negativo el voltaje de salida del circuito vale +Vi. El voltaje mximo de Vi depender del voltaje mximo de saturacin de los AO. Rectificador de precision con entradas de sumas conectadas a masa
I =Vi/R
Circulacin corriente para Vi positivo I 2I
I =Vi/R No Conduce Conduce Vo= +Vi
Circulacin corriente para Vi negativo no Conduce Conduce Vo= -(-Vi)=+Vi
Para el semiciclo positivo, Vi suministra una corriente entrante que se divide en partes iguales en el nudo a, por las masas virtuales en b y d y los valores iguales de R1 y R3. Esto da lugar a un voltaje invertido (-Vi) en el nudo c. El AO2 suma los voltajes de los nudos a y c resultando en la salida: ___________________________________________________________________ 69 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo = - (R5/R2).(Vi) (R5/R4).(-Vi) = - Vi + 2.Vi = +Vi Como vemos el voltaje de salida Vo sigue al voltaje de entrada, en todo el semiciclo positivo, con la misma polaridad Para el semiciclo negativo de Vi el diodo Dp no conduce por lo tanto el nudo c esta a potencial cero Volt. El voltaje de salida vo ahora solo depende de AO2 que opera como Amplificador inversor siendo su valor: Vo = -(R5/R2).(-Vi) = -(R/R).(-Vi)= +Vi Se puede observar que durante el semiciclo negativo, la salida sigue a la entrada pero con polaridad opuesta o sea +Vi. Circuito de valor medio absoluto (MAV)
Este circuito, llamado de valor medio absoluto (MAV) o convertidor de ca a cc, es un rectificador de precision con entradas conectadas a masa (ya analizado), con la variante que se le ha colocado un capacitor en paralelo con R5; esta modificacin convierte al AO2 en un circuito sumador integrador por lo tanto en la salida se obtiene el valor promedio de la seal alterna rectificada. Este valor promedio, ser diferente, segn sea la forma de onda de la seal alterna, como se puede observar en los diferentes grficos:
Vm T Onda senoidal Vp Vm T T Onda triangular Vm T Onda cuadrada Promedio Voltaje rectificado Vp T T MAV=Vm Promedio Voltaje rectificado T MAV=(1/2)Vm Promedio Voltaje rectificado Vp T T MAV=(2/).Vm
Cuando se aplica el voltaje inicial, toma aproximadamente unos 50 ciclos (para una fi=50c/s de Vi) para que el capacitor tome la carga final y fije el MAV en Vo. ___________________________________________________________________ 70 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito se utiliza en voltmetros digitales comerciales para medir valores eficaces de voltaje en seales alternas, dado que el MAV es muy prximo al valor medio cuadrtico (VCM).Solo se deber corregir por el factor de forma, que para seal senoidal y rectificacin de onda completa vale: _ _ FFv = Vo(rms) / Vo = (Vm/2)/(2/).Vm = /(2.2 ) En el circuito, se puede realizar haciendo la relacin R5/R2 = 1,11 y R5/R4 = 2,22; de esta manera el nuevo MAV en Vo coincidir con el VCM (valor eficaz) del voltaje de la seal de entrada. Cabe destacar que la medicin obtenida mide el valor eficaz siempre y cuando la seal de entrada sea senoidal. Para otros tipos de formas de seales (triangular, cuadrada u otra forma), la medicin no coincidir con el valor eficaz. Para medir el valor eficaz de cualquier seal necesitamos un circuito que eleve al cuadrado la seal de entrada, luego determine su valor promedio y finalmente calcule la raz cuadrada. Esto se puede lograr con los denominados multiplicadores analgicos que son arreglos complejos de AO y otros elementos de circuitos, disponibles en la actualidad en forma de circuitos integrados o mdulos funcionales; por ejemplo el multiplicador AD534.Es una electrnica mas compleja y mas cara que se aplica en los denominados voltmetros analgicos de verdadero valor eficaz. Tambin el valor eficaz de una seal alterna se puede obtener mediante sistemas electrnicos programables utilizando sistemas con microprocesadores o microcontroladores. Rectificador de precision con puente de diodos y AO
+ Vo -
En este circuito el amplificador operacional trabaja como inversor donde la realimentacin se efecta mediante un puente de diodos. La corriente de entrada vale para ambos semiciclos Ii = Vi/R1; esta corriente circula por RL en la misma direccin por la accin del puente de diodos. El valor del voltaje de salida vale: Vo = (RL/R1). Vi; si RL = R1 resulta Vo = Vi para ambos semiciclos. El inconveniente que presenta este circuito es que dispone de una salida flotante, no pudindose conectar la carga a masa. Como contrapartida utiliza un solo AO, siendo posible adems obtener cualquier ganancia de voltaje sin ms que modificar la relacin RL/R1. Si quisiramos medir el voltaje referido a masa deberamos agregar una etapa mas, el amplificador diferencial que ya hemos analizado en el amplificador de instrumentacin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito detector de picos
AO Voa Dp C Vi
El circuito esta basado en un seguidor de voltaje modificado de tal forma que el diodo Dp esta ubicado dentro del lazo de realimentacin. La salida dispone de un capacitor de elevada capacidad que ser el encargado de almacenar la mxima tensin de de entrada. Para el semiciclo positivo de Vi, la modificacin del lazo de realimentacin es necesaria para que el AO con su elevada ganancia Av (el AO esta prcticamente a lazo abierto hasta que supere el voltaje umbral del diodo) permita reducir la tensin umbral y el diodo conduzca; como su resistencia interna es baja el condensador se cargara inmediatamente hasta el valor pico del voltaje de entrada. Si dicho voltaje aumenta, el diodo seguir polarizado en directo, permitiendo con ello que la carga almacenada por el condensador aumente en consecuencia. Una vez cargado C con un valor determinado de voltaje, si el voltaje de Vi disminuye, el diodo se polariza en inverso, pasando a ser prcticamente un circuito abierto, con lo que la carga almacenada por C no encuentra camino de descarga, representando, por tanto el mximo valor de voltaje que ha alcanzado la seal de entrada Vi. Para el semiciclo negativo de Vi, por ser un seguidor de voltaje, el diodo Dp se encontrara polarizado en inverso, por lo que no tendremos voltaje de salida (Vo = 0). En esta circunstancia, si no existiese R2, el AO quedara en lazo abierto, pudiendo ocasionar que en su salida (Voa) apareciese un voltaje elevado que podra ser perjudicial. Por otra parte el resistor R2 debe ser elevado, para que la constante de tiempo de descarga del condensador C a travs del resistor y la salida del AO sea elevada, consiguiendo que la carga perdida por el condensador, para voltajes negativos de Vi, sea despreciable. Para finalizar el anlisis de este circuito, el resistor R1 es necesario, para evitar que el AO tenga derivas de cc. Como inconveniente, este resistor produce una disminucin de la resistencia de entrada, razn por la cual dicha resistencia debe ser de un valor elevado. Si invertimos la conexin del diodo, ahora el capacitor se cargara en forma opuesta, es decir se cargara con los valores picos del voltaje negativo de entrada. Para este caso, debemos invertir la conexin del condensador si es del tipo polarizado, como los condensadores electrolticos; caso contrario se producir un cortocircuito en el condensador perjudicando al AO. ___________________________________________________________________ 72 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Seguidor de picos positivos y retenedor
Rr No conduce Vo=Vc=Vi vi=0 conduce Vo1= Vi+Vdp=+2,7V Restablecimiento Vc=2 V + + - Vo=Vc=Vi=2 V Io=Vo/RL vi=0 Circulacin corriente para Vi positivo
Rr conduce Circulacin corriente para Vi negativo vi=0 vi=0 Vo1= -Vi-Vdp=-1,7 V Restablecimiento Vi<Vc Vc=2 V + + - Io=Vo/RL
Vi=-1 V
No conduce
Vo=Vc=Vi=2 V
En este circuito, AO1 opera como rectificador de media onda y AO2 como seguidor de voltaje, con alta impedancia de entrada, evitando la descarga del capacitor. Adems posee una llave electrnica (transistor) de reestablecimiento, para repetir la lectura, una vez que el capacitor se cargue al valor pico del voltaje de entrada Vi. Analizando la operacin, durante los picos positivos de Vi y cuando se supere el valor de Vc, el diodo Dp conduce cargando a C hasta su valor mximo de pico. EL diodo Dn queda polarizado negativamente. El AO2 repite su valor de entrada en su salida por lo tanto durante este semiciclo Vo = Vc = Vi = 2 Volt. Cabe destacar que AO1 sigue realimentado a travs de la salida de AO2 y el resistor de realimentacin Rr; por lo tanto el voltaje Ao1 = Vi + Vdp, con lo cual siempre C se carga al valor mximo de Vi. Durante el semiciclo negativo y si Vi aumentara o disminuyera su valor valor absoluto Dp siempre esta bloqueado por lo tanto no pierde su carga, mantenindose el valor Vo=Vc, obtenido durante el semiciclo positivo. En este caso AO1 esta realimentado a travs del Diodo Dn, siendo su salida Vo1 = -Vi. Para optimizar el funcionamiento de este circuito, resulta conveniente que el diodo Dp presente muy bajas fugas inversas y el AO2 requiera muy bajas corrientes de ___________________________________________________________________ 73 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------polarizacin por lo que resulta conveniente utilizar un Amplificador con entrada con transistores de campo (BIFET) como por ejemplo el TL081. La llave de reestablecimiento estando abierta debe poseer bajas perdidas (transistor cortado) y cuando se produce la repeticin de la lectura, debe suministrar una va de descarga, a travs de un resistor con una constante de descarga RC mayor al medio ciclo de la seal de entrada. Si necesitamos detectar el pico negativo de la seal de entrada, debemos invertir las conexiones de los diodos; respecto al capacitor como no es polarizado, no es necesario invertir su conexin. Circuito limitador con AO
Vo Circuito A -0,7 V = Vdp + Vdp=0,7 V Vi 0,7 V
Vo Circuito B -0,7 V = Vd - Vdp =0,7 V + 0,7 V Vi
El circuito limitador o recortador, limita todas seales por arriba de un voltaje positivo o negativo, tomado como referencia. En el caso de los circuitos de la figura, el circuito A limita todos los voltajes positivos de la seal de entrada, a partir de 0,7 Volt, que representa la cada de voltaje del diodo Dp. Efectivamente, cuando Vi es positivo, Dp conduce haciendo que Vo = -Vdp - 0,7 Volt. El circuito B (se invirti el diodo), lo hace con los voltajes negativos de Vi; en este caso Vo = +Vdn + 0,7 Volt. A la derecha de cada circuito, se observan las graficas de las funciones de transferencias, teniendo en cuenta que el voltaje de Vo esta invertido. Si quisiramos aumentar el nivel del voltaje de limitacin, debemos reemplazar los diodos por fuentes de voltaje mayores o diodos Zener. ___________________________________________________________________ 74 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito limitador doble con AO
Vo Vd+Vz Vd+Vz Vi
El funcionamiento de este limitador es muy sencillo; mientras no se superen los limites de los voltajes de limitacin, el amplificador se comporta como inversor que responde a la expresin Vo = -(Rr/Ri). Vi. Cuando se superan los voltajes de ruptura Zener los diodos, conectados en serie pero en oposicin, circulan la corriente de realimentacin; el voltaje de salida queda limitado a Vo = (0,7 V+Vz), en ambos semiciclos. Circuitos de zona nula con salida negativa Estos circuitos indican determinan que cantidad una seal esta mas abajo o arriba respecto a un voltaje de referencia. La diferencia respecto a un circuito comparador es que este ultimo solamente me indica si una seal esta por arriba o por debajo de un voltaje de referencia. Analizaremos el circuito de zona nula con salida negativa
Circulacin corriente Para Vi positivo y negativo mayor a -Vref
Rr2=
Rr1=
I = +V/mR
Ii = +Vi/R Vo1 = -Vdn Vo1 = 0 Vo2 =VL= 0
Para valores positivos de Vi el diodo Dn conduce corriente (I+Ii) por tanto la salida del Ao1 vale Vo1= -Vdn -0,7 V; en consecuencia el diodo Dp tiene polarizacin inversa haciendo que Vo1= 0 volt. Como Vo1 es el voltaje de entrada de AO2, resulta:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo2=0 V. Esta situacin se mantendr aun con valores negativos de Vi, hasta tanto la corriente que circule por el diodo se haga igual a cero. Esto se producir cuando las corrientes generadas por +V y Vi sean iguales y opuestas: I + Ii = 0 +V/mR + Vi/R = 0; despejando Vi: Vi = -V/m = Vref.
Rr1= Rr2 =
Circulacin corriente Para Vi negativo y menor a Vref -Vi<-Vref
Vo1
Vo1 Vo2=VL
A partir de este punto el diodo Dn no conduce, la salida de AO1 se hace positiva y obliga a conducir a Dp, cerrando el lazo de realimentacin a travs de Rr. En estas condiciones, la salida del ctodo de Dp toma el valor de un amplificador sumador inversor, cuyo valor resulta: Vo1= -[ Rr1/R.Vi + (Rr/mR).V] = -Vi (1/m).V = -Vi Vref (Rr1 = R) El voltaje de salida de AO1 toma el valor: Vo1 = Vo1+Vdp Vo1 + 0,7 V. Como AO2 trabaja como amplificador inversor la salida vo2 valdr: Vo2 = -(Rr2/R).Vo1 = -Vo1 (Rr2 = R) Como vemos, la salida toma el valor de Vi para valores negativos, pero con polaridad opuesta, menos el voltaje de referencia Vref. Las graficas siguientes, muestran las variaciones de los voltajes, en funcin del tiempo, y las respectivas graficas de las funciones de transferencia de Vo1 y Vo2
Vi Zona nula Vo1 Vo2
+Vref -Vref
Vo1 Vi Vref=+V/m
Vo2 Vref=+V/m Vi
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito de zona nula con salida positiva Si en el circuito anterior invertimos la conexin de los diodos y reemplazamos +V por un voltaje negativo -V, el resultado es un circuito de zona nula. En este caso los voltajes involucrados valdrn: Vref = -V/m Vo1 = -Vi Vref = -Vi (-V/m) = -Vi + Vref Vo1 = Vi + Vref = Vi + (-V/m) = Vi Vref Vemos qe siempre que Vi supere a Vref = -(-V/m) = vref, la salida Vo2 indica que tanto Vi excede a Vref.. La zona nula existe para todos los valores de Vi debajo de Vref.
Vi Zona nula Vo1 Vo2
-Vref Vref
Vo1
Vref=-V/m Vi
Vo2 Vi Vref=+V/m
Circuito de zona nula con salida bipolar Los circuitos de zona nula con salida positiva y negativa pueden combinarse para indicar que tanto una seal esta por arriba de un voltaje positivo de referencia y que tanto esta por debajo de un nivel negativo de referencia. Para ello, las salidas Vo1 de ambos circuitos se suman en un amplificador inversor con ganancia unitaria, como muestra la siguiente figura:
Vo1
Vo3=VL
Vo2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Vi -(-V/m) t -(+V/m) t Vo3=VL
Zona nula
Circuito limitador de precision con AO
Vref1=7,5V +15 V
El resistor RC convierte el circuito de zona nula en un limitador de precision Vo1
Vo3=VL -15 V
Vref1=-5V
Vo2
Vi recorte -Vref2 t -Vref1 recorte
Vo3 Vo1
Vo3
Vi Vo2
El circuito limitador o recortador limita todas las seales arriba de un voltaje positivo de referencia, y de la misma manera todas las seales debajo de un voltaje negativo de referencia. Los voltajes de referencia pueden ser simtricos o no simtricos, respecto de masa. Como puede verse en el circuito, esta formado por un circuito bipolar de zona nula mas la suma de la seal Vi mediante un resistor Rc. Las salidas Vo1 y Vo2 estn conectadas a cada un de las entradas de un sumador inversor. La seal de entrad Vi se conecta a la tercer entrada del sumador inversor, a travs del resistor Rc. Sin esta entrada, el circuito se comporta como de zona nula bipolar. Con la entrada Vi en Rc, este voltaje se sustrae de la salida del circuito de zona nula y el resultado es un limitador de precision. ___________________________________________________________________ 78 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidor de onda triangular en onda senoidal Los osciladores de onda senoidal de frecuencia variable son mucho ms difciles de construir que los generadores de onda triangular de frecuencia variable. Tal es as, que en circuitos integrados especiales para comunicaciones, las frecuencias portadoras se generan, en forma primaria, en osciladores de relajacin, cuya frecuencia se suele controlar, modificando solamente una la base de tiempo, formada por un resistor y capacitor en serie. Una vez obtenida la onda triangular, esta seal primaria, se pasa por un conformador de onda senoidal. Este circuito la modifica, obtenindose en la salida una seal portadora, con forma de onda senoidal, de frecuenta variable. El siguiente circuito que presentamos, convierte la salida de un generador de onda triangular en una onda senoidal que puede ajustarse con menos del 5% de distorsin. El convertidor de onda triangular en senoidal es un amplificador cuya ganancia vara en forma inversa con la amplitud del voltaje de salida. R1 y R3 establecen la pendiente Vo a bajas amplitudes cerca de los cruce por cero. Conforme Vo aumenta, el voltaje a travs de R3 aumenta para principiar a dar una polarizacin directa a D1 y D3 para salidas positivas, o D2 y D4, para salidas negativas. Cuando estos diodos conducen, conectan como realimentacin la resistencia R3, disminuyendo la ganancia. Esto tiende a formar la salida triangular arriba de 0,4 Volt en una onda senoidal. Con objeto de obtener ondas planas para la senoide de salida, R2 y los diodos D5 y D6 se ajustan para hacer que la ganancia del amplificador se aproxime a cero en los picos de Vo. El circuito se ajusta con los potencimetros R1, R2 y R3 y la amplitud pico de Vi, por la comparacin de una onda senoidal patrn, de 1 Khz., y la salida del convertidor, mediante un osciloscopio de doble trazo. Estos ajustes se realizan en secuencia hasta obtener la mejor onda senoidal. Los ajustes mencionados interactan, por lo que deben repetirse segn sea el caso.
Pendiente de cruce
Centrador de pendiente
Ajuste de pico
Vi = 0,5 a 1,0 V pico Vo 1V
Vi 0,7V 0 t
0 t
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito multivibrador monoestable Pulsos disparo Circuito monoestable vo T Alimentacin (Vcc) Vo+VCC T t Vo 0 Salida
Pulsos disparo t Podemos decir que el circuito monoestable es un circuito biestable al cual se le ha suprimido, mediante una red exterior reactiva, un estado estable. Tambin se lo conoce como circuito de un solo disparo de ciclo nico, univibrador o multivibrador monoestable. Sin aplicacin de pulsos de disparo, el circuito permanece en forma indefinida en su estado estable, 0 sea para este caso la salida se mantiene en Vo 0 Volt. Cuando aplicamos un pulso de disparo, el circuito pasa a su estado inestable durante un tiempo T cuyo valor depender de una constante de tiempo definida por un resistor y un capacitor. Tenemos varios tipos de circuitos monoestables con distintos componentes electrnicos; nosotros desarrollaremos un circuito que emplea un amplificador operacional que permite una operacin no crtica en su funcionamiento. Circuito monoestable con AO
Ingreso pulsos de disparo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Pulsos disparo
V2 +VCC .VCC
t
-VD Vo(V1) +VCC +VCC
t
0 -.VCC -VCC
Para iniciar el anlisis del circuito, primero debemos determinar cual es el estado estable de la tension de salida del AO. Supongamos que es para vo = -VCC; en esta condicin el valor de V1 vale: V1 = (vo.R1) / (R1+ R2) = -VCC.R1 / (R1+R2)= .(-VCC) Como vemos toma un valor negativo respecto a masa Con tensin negativa en la salida el diodo D1 conduce, por lo que V2 tomara un valor negativo igual a V=Vd- 0,7 volt Por los valores de las resistencias R1 y R2 resulta V2 > V1 y por lo tanto la diferencia V2- V1 < 0 o sea resulta un valor negativo y por la funcin de transferencia del AO la salida estar efectivamente en VCC en forma permanente. Si ahora aplicamos un pulso positivo en la entrada de pulsos con valor absoluto mayor a |vp| > ( .VCC vd ), se producir un cambio en la tension diferencial de la entrada del AO y por lo tanto tambin cambiara la tension de salida , pasando a valer +VCC. En esta condicin el diodo D1 se polariza inversamente a travs de la resistencia R1, permitiendo que el capacitor comience a cargarse con la polaridad indicada. La tensin V2 aumenta exponencialmente con una constante de tiempo = R.C. Por otra parte, al cambiar la tensin de salida, por realimentacin, tambin cambia la tensin en la entrada V1, tomando un valor positivo dado por: V1 = (VCC. R1) / (R1+R2) Cuando V2, en su crecimiento exponencial, supera al valor de V1, nuevamente se produce un cambio de la tensin diferencial del AO, producindose el cambio de su tension de salida, pasando a su valor de vo =-VCC. Como este es su valor estable, permanecer con este valor hasta tanto no se aplique otro pulso de disparo. ___________________________________________________________________ 81 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiempo de conmutacin: Para calcular el tiempo de conmutacin, procedemos de la siguiente forma: En el grafico de la tensin V2, modificamos el eje de absisas, trasladndolo al valor -Vd ; De esta forma, la tensin de carga del capacitor C nos queda: VC = V2 = (VCC+Vd). ( 1 e t / R.C ) Cuando la tensin VC alcance el valor de la tensin V1 = . VCC, se producir la conmutacin al estado estable del circuito, que se producir en un tiempo T .VCC = (VCC+Vd). ( 1 e T/ R.C ) A continuacin despejamos de la expresin el valor de T resultando: T = R.C. Ln [(VCC+VD1) / (VCC.(1-) VD1)] En el caso de que VCC >> VD1 y R1 = R2 la expresin anterior se simplica quedando: T = R.C . Ln VCC / 0,5 . VCC = R.C Ln 2 T = 0,69 . R.C Una de las aplicaciones importantes del circuito monoestable, es la de generar retrasos de tiempo o temporizaciones. El circuito multivibrador astable Estos circuitos se caracterizan por presentar en su salida dos estados metaestable o inestable. Son generadores de voltaje elctrico de corriente alterna, con una forma de onda de tipo cuadrada. El circuito Bsico discreto, esta compuesto por dos inversores, con transistores, acoplados mediante redes reactivas RC o RL. Estos circuitos no necesitan pulsos de disparo. Actan como osciladores de relajacin (no lineal), generando como dijimos una onda cuadrada en la salida. La onda de salida puede ser simtrica o asimtrica
Circuito astable Alimentacin VCC Vo +VCC T1 T2 T1 Vo = Vcesat t Salida Vo
vo
Vo
vo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Desarrollaremos a continuacin el multivibrador astable, realizado con amplificador operacional:
V2 +VCC .VCC
-VCC
Vo(V1) +VCC +VCC 0 -.VCC -VCC
Segn el valor de la tensin de salida, Vo +VCC o Vo VCC), la tension en V1 cambia, segn el divisor de tension formado por R1 y R2, entre los valores +.VCC y -VCC, siendo = R1 / (R1+R2). De la misma manera el capacitor C se carga y descarga a travs de la resistencia R, tendiendo al valor +VCC y VCC; cuando llega ___________________________________________________________________ 83 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------al valor +.VCC o -VCC, segn sea el caso, se produce el cambio en la polaridad de la tension diferencial de entrada del AO (V2-V1) y por lo tanto tambin se producir el cambio de la tensin de salida. Determinacin del tiempo de conmutacin En la grafica de la variacin de V2, hacemos una traslacin del eje de absisas en VCC y aplicamos la formula de carga exponencial de un capacitor con una tension constante de valor (VCC+VCC) resultando: VC = V2 = (VCC+VCC). ( 1 e-t / R.C ) La conmutacin en el tiempo T, se producir cuando el capacitor llegue a la tensin (relativa al eje de absisas desplazado) de valor 2..VCC 2..VCC= (VCC+VCC). ( 1 e-T/ R.C ) En la expresin anterior despejamos el tiempo T, resultando: T = 2.R.C. Ln [(1+) / (1-)] Si = 0,462 T = 2.R.C Si analizamos el tramo descendente de la tensin del capacitor y si las tensiones +VCC y VCC son iguales en valor absoluto el periodo T ser igual por lo que la tensin de salida, resulta simtrica. Principios para la generacin de ondas triangulares con AO Para generar un voltaje con caractersticas de onda triangular, debemos primero dar una teora sobre la generacin de un voltaje que pueda crecer linealmente en el tiempo (generador rampa lineal). Para ello analicemos primero la carga de un capacitor: Si cargamos el capacitor con una fuente de voltaje constante, el voltaje en los extremos del capacitor crecer en el tiempo segn una ley de tipo exponencial
Interruptor cerrado para t =0 Vc
+ Vc _
Vcc Vc crece segn una rampa exponencial 0
Vc = Vcc.(1 e-t/R.C) Si en cambio cargamos al capacitor con una fuente de corriente constante, el voltaje del capacitor crecer segn una ley lineal:
Interruptor cerrado para t =0 Vc
+ Vc _
Vcc Vc crece segn una rampa lineal 0
La fuente de corriente constante cargara al capacitor con un valor dado por: Q=I.t ___________________________________________________________________ 84 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Por otra parte, el voltaje en los extremos del capacitor es proporcional a su carga almacenada, segn la expresin: Vc = Q/C; reemplazando el valor de Q por la expresin anterior nos queda: Vc = (I/C) . t En donde Vc esta dado en Voltios, I en amperes y C en Faradios. Por ejemplo si partimos con el capacitor descargado para t = 0, siendo C = 1 F, I = 1 A y t = 5 seg., el voltaje Vc al cabo de 5 segundos valdr: Vc = (1 A/1 F). 5 s = 5 Voltios El valor de Vc representa una cuenta continua de que tanta carga se ha almacenado en el capacitor. Por ejemplo, despus del primer segundo, Vc = 1 V y el capacitor ha almacenado 1microcoulomb (C) de carga. Para cada segundo subsiguiente el capacitor agrega otro microcoulomb. De modo que Vc representa la suma de la carga almacenada sobre un periodo de tiempo. En matemticas este tipo de proceso se le denomina integracin. Por lo tanto este tipo de circuito recibe el nombre de integrador. La forma creciente de Vc se le denomina rampa creciente lineal. Tambin podemos lograr una rampa de voltaje decreciente lineal, descargando el capacitor con una corriente constante. Circuito generador de rampa Con un AO podemos generar una rampa lineal. La fuente de corriente constante la logramos con un voltaje de entrada Vi y una resistencia de entrada R1, como se muestra en el siguiente circuito:
5 Vc = Vo 0 5 10 Vsat 15 Vo I = Vi/R1 = 1 A Pendiente determinada por Vi, R1,y C 10 15 t
+ Vc -
Como podemos observar es un circuito integrador bsico ya estudiado. Debido al cortocircuito virtual, la corriente de entrada vale I = Vi/R1. El voltaje de carga del capacitor vale: Vc = (I/C) . t = Vi . (1/R1.C) .t El voltaje de salida vo resulta igual al voltaje del capacitor, siendo con respecto a masa negativo: Vo = -Vc = - Vi . (1/R1.C) .t ___________________________________________________________________ 85 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Podemos observar que la alimentacin a la carga se hace a travs de Vo, por lo tanto el capacitor no se descarga. En este circuito tenemos dos desventajas. La primera es que Vo solo puede pasar a negativo hasta el Voltaje de saturacin del AO. La segunda es el hecho de que no permanecer en cero Volt cuando Vi = 0 V. La razn de esto es la presencia inevitable de pequeas corrientes de polarizacin que cargaran al capacitor. Un mtodo para evitar que el capacitor se cargue es colocar un cortocircuito a travs del capacitor y de esta forma Vo permanecer en cero. Cuando se inicia la rampa, se elimina el cortocircuito. Si necesitamos generar con este circuito una rampa positiva, con respecto a masa, simplemente invertimos Vi. Temporizador ajustable con un generador rampa
Interruptor de control Inicio Restablecimiento
Tantalio
AO2 Rampa +
AO1
Establece tiempo de 1volt por minuto 0 Voltaje -5 de salida -10 AO1 -Vsat (Vo) Vo Vo 15 10 5 Voltaje 0 de salida -5 AO2 (Vo) -10 -15 Intervalo temporizado +Vsat. t (minutos) t (minutos)
-Vsat.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Un temporizador de tiempo variable se puede realizar con un circuito generador de rampa lineal seguido de un comparador de voltaje. En el circuito, el AO1 genera una rampa que va ha negativo cuando el interruptor de control se coloca en la posicin de inicio. El AO2 es un comparador, a lazo abierto, que monitorea el voltaje de rampa con su entrada negativa. Un voltaje de referencia negativo ajustable se aplica en la entrada no inversora (+) del AO2. Si este voltaje negativo de referencia es mayor (en valor absoluto) al voltaje de rampa, la salida de AO2 resulta negativa (Vo= Vsat). Cuando el voltaje de rampa cruza el nivel de referencia, la salida de AO2 pasa a Vo = +Vsat. Esta ltima accin se producir en un cierto tiempo, desde el momento que el interruptor de control paso a la posicin de inicio, Anterior a la accin de temporizar el capacitor se debe descargar con el interruptor de control, puesto en la posicin de restablecimiento. El intervalo de tiempo a medir lo obtenemos cuando el voltaje de rampa (Vo) iguala al voltaje de referencia: Vo = -(1/C.R).Vi . t = - Vref. t = (Vref/Vi). C.R El valor de Vi determina la cada de voltaje de la rampa en relacin al tiempo. Por ejemplo si tomamos los valores de Vi, C y R del circuito tendremos: Vi = -1 Volt, C = 60 F , R = 1 M Vo/t = - (1/CR) = - 1/ 60 [Volt/seg] = - 1 Volt/minuto Esto significa que Vi modifica a escala del temporizador y Vref establece el tiempo a temporizar dentro de la escala seleccionada. Para el circuito dado, el mximo tiempo a temporizar estara dado para el valor mximo de voltaje que pueda llegar Vo = Vsat. -13 Volt, con Vref = - Vsat. tmax= (Vref/Vi). C.R (- 13/-1). 1 M . 60 x 10-6 Faradios = 780 seg. = 13 minutos Generador de onda triangular bsico
Interruptor de control Rampa arriba
Rampa abajo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Para comprender mejor el funcionamiento de un generador de onda triangular practico, primero desarrollaremos este generador operado manualmente. Cuando el interruptor de control esta colocado en la posicin superior Vi = - 15 V, por lo tanto el voltaje rampa de salida Vo, sube. Cuando el interruptor de control esta en la posicin inferior, Vi = +15 V, por lo tanto Vo varia segn una rampa decreciente. La variacin en el tiempo de Vo valdr: Vo/t = - Vi/R.C = - 15 V/(1 M .1 F) = - 15 V/seg para Vi = +15 V Vo/t = - Vi/R.C = -(- 15 V)/(1 M .1 F) = 15 V/seg para Vi = -15 V En la siguiente grafica puede observarse como pueden convertirse los voltajes rampas Vo, en una onda triangular:
(Volt) VUT 10 5 0 -5 -10 VLT Cambio de la posicin interruptor al valor Vi = -15 V 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 Cambio de la posicin interruptor al valor Vi = +15 V
t (seg.)
Arriba Vi = -15 V Posicin interruptor de control Abajo Vi = +15 V
t (seg.)
0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5
En el tiempo t = 0, se aplica con el interruptor Vi = + 15 V, generndose en Vo una rampa decreciente con una cada de -15 V/seg. Cuando Vo llega a un voltaje seleccionado VLT, denominado umbral inferior, se cambia la posicin del interruptor de control para suministrar en la entrada Vi = - 15 Volt. Esto genera una rampa creciente en Vo con una variacin de +15 V/seg. Cuando Vo llega a un voltaje seleccionado de umbral superior VUT, se cambia la posicin del interruptor de control volviendo a la situacin de Vo decreciente. De aqu en adelante la posicin del interruptor de control debe cambiarse cada vez que el voltaje rampa Vo llega a uno de los voltajes umbral. ___________________________________________________________________ 88 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Generador de onda triangular prctico En el circuito anterior, para que la operacin del interruptor de control sea automtica, es necesario reemplazarlo por un circuito comparador. En el siguiente circuito prctico la salida del comparador se conecta con la entrada del circuito generador rampa y a su vez la salida de este generador rampa, se conecta con la entrada del comparador, creando un lazo cerrado.
Generador rampa Comparador
V+
+Vsat= 15 V VUT = 7,5 V 0 VLT = -7,5 V t2 -Vsat= 15 V t1 t3
Salida comparador Vo t (seg.)
Salida generador rampa Vo
La operacin del generador de onda triangular se analiza observando el grafico, en los tiempos t1, t2 t t3. Cuando Vo (rampa) esta en subida y llega al valor VUT (t1) el comparador cambia su salida negativa (Vo) a positiva. Esto provoca que la salida del generador rampa siga ahora una rampa en bajada hasta que llegue al valor VLT (t2), donde nuevamente el comparador pasa a negativo (Vo), obligando nuevamente que Vo cambie a una rampa positiva hasta VLT (t3), repitindose el ciclo. Para determinar los voltajes de comparacin VLT y VUT, debemos tener en cuenta que se producen cuando el terminal no inversor se hace igual a cero (V+= 0). Para ello aplicamos el teorema de superposicin en la entrada no inversora resultando: V+= [(R/(R+nR)].Vsat + [nR/(R+nR)]. VLT = 0 V+= [(1/(1+n)].Vsat + [n/(1+n)]. VLT = 0 , despejando VLT, tenemos: VLT = - Vsat/n. si n= 2 y Vsat = 15 V, resulta VLT = - 7,5 V V+= [(R/(R+nR)].(-Vsat) + [nR/(R+nR)]. VUT = 0 V+= [(1/(1+n)].(-Vsat) + [n/(1+n)]. VUT = 0 , despejando VUT, tenemos: VUT = +Vsat/n. si n= 2 y Vsat = 15 V, resulta VUT = + 7,5 V ___________________________________________________________________ 89 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Si las magnitudes de + Vsat y Vsat son iguales, la frecuencia de oscilacin la podemos determinar partiendo de la determinacin del tiempo que tarda la rampa desde cero hasta uno de los voltajes de comparacin: Vo = (Vi/R.C).t (formula general) Vsat/n = (Vsat/R.C).(T/4) T = (4.R.C)/n f = 1/T = n/(4.R.C) Generador de onda diente de sierra (circuito bsico) Los generadores de onda de diente de sierra actan como convertidores lineales de la variable tiempo en voltaje elctrico. Tienen aplicaciones en pantallas de osciloscopios, televisores, radares, mediciones de tiempos entre dos eventos, etc. Tenemos varios tipos de circuitos para generar este tipo de onda. Tomaremos el generador de rampa nica que utilizamos para realizar un temporizador, con ligeras modificaciones. Si reestablecemos continuamente al temporizador puede convertirse en un generador de onda en diente de sierra:
Interruptor de descarga del capacitor
8 1 30 pF
Vo(Volt) 6 5 4 3 2 1 t (ms) 0 50 T = 50 ms Interruptor abierto 100 Interruptor cerrado por ms
En el caso del circuito de la figura, el voltaje Vo tendra una elevacin dada por : Vo/t = -Vi/(R.C) = -1V/(100 k . 0,1 F = 1 V/10 ms. Este valor nos indica que el voltaje de salida se elevara 1 Volt poca 10 mseg. De tiempo transcurrido. Si cerramos el interruptor, cuando Vc = Vo = Vp, el capacitor se ___________________________________________________________________ 90 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------descargara rpidamente y Vo toma el valor de cero Volt. Si abrimos el interruptor, el capacitor vuelve a cargarse y Vo tambin se incrementa en la misma cantidad a 1 V/10 ms. Repitiendo la operacin cuando se llega al voltaje de pico Vp, se generara la onda de diente de sierra, como se muestra en el grafico. El periodo y frecuencia la determinamos como: Vp/T = Vi/(R.C) T = Vp.(R.C/Vi) f = 1/T = (Vi/R.C) . (1/Vp) = (1 V/10 ms). (1/5 V) = 20 Hz (reemplazando los valores del circuito) Para generar la onda diente de sierra en forma automtica, se necesita un dispositivo o circuito que realice cuatro operaciones en el siguiente orden: 1) Detectar cuando el voltaje del capacitor alcanza el valor deseado Vp. 2) Establecer un cortocircuito a travs del capacitor. 3) Detectar cuando el capacitor este prcticamente descargado. 4) Eliminar el cortocircuito para comenzar nuevamente otro ciclo. Un dispositivo de bajo costo que cumpla con estas operaciones, es el transistor unijuntura programable, abreviadamente PUT. Generador de onda diente de sierra con transistor unijuntura programable
PUT
8 1
30 pF
Vo(Volt)
Vp= 6 V 5 4 2 VF1V 0 T= 50 ms 50 100 150
t (mseg)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El PUT es un dispositivo de tres terminales que acta como un interruptor sensible al voltaje. La corriente circula solamente desde el nodo positivo (A) hacia el ctodo negativo (K). En general, estos terminales del PUT actan como un circuito abierto. Cuando el voltaje entre estos terminales alcanza un valor denominado Vp, estos terminales actan prcticamente como un cortocircuito. El voltaje Vp se determina aplicando un voltaje (respecto al ctodo) prcticamente igual sobre un tercer terminal de PUT, denominado compuerta (G). Una vez producido el cortocircuito ste se mantiene de manera independiente del terminal de compuerta, hasta que la corriente del nodo cae por debajo de un valor mnimo de mantenimiento, denominada IH (2 a 3 mA). A partir de esta situacin los terminales de nodo y ctodo actan abruptamente como un circuito abierto. El voltaje Vp se puede controlar mediante una fuente de voltaje variable, como por ejemplo un divisor resistivo con potencimetro. El generador de onda diente de sierra presentado, funciona de la siguiente manera: La fuente Vi carga con corriente constante, a travs de R al capacitor C, mientras el PUT se mantiene en circuito abierto. Esto hace que Vo se incremente en forma lineal (rampa en subida). Cuando el voltaje del capacitor, y por lo tanto el voltaje nodo ctodo del PUT, supere en unas dcimas al voltaje Vp, aplicado en la compuerta G, el PUT pasa a la fase de cortocircuito descargando al capacitor hasta el voltaje VF 1Volt. Cuando esta corriente de descarga se hace menor a la de mnima de mantenimiento IH el PUT pasa a la fase de circuito abierto, permitiendo nuevamente la carga del capacitor, repitindose el ciclo y generando la onda de diente de sierra en Vo. Para calcular el periodo de repeticin de esta onda diente de tenemos que tener en cuenta que la carga del capacitor se repite desde VF hasta Vp. (Vp- VF )= (Vi/R.C) .T T = (Vp- VF )/ (Vi/R.C) = (6 V 1 V)/ (1 V/ 100x103 . 0,1x10-6 F) = 5x10-2 seg T = 5x10-2 seg = 50 mseg La frecuencia de la onda diente de sierra vale: f = 1/T = (Vi/R.C) /(Vp- VF )= 1/50 mseg = 20 Hz. Introduccin a los osciladores de onda senoidal Los osciladores, son circuitos que producen tensiones elctricas alternas, con una determinada frecuencia (o periodo). Los osciladores son en general autosuficientes, significando ello que no requieren de seal externa para oscilar. Lo esencial de todo circuito oscilador, es contar con un elemento que sea capaz de almacenar energa elctrica (a travs de un campo magntico o elctrico). De all la necesidad de contar con inductancias y condensadores, como as tambin de elementos almacenadores mecnicos como son los cristales piezoelctricos y materiales cermicos. El esquema en bloque de un oscilador senoidal con realimentacin externa es el siguiente:
+ Vi -
Amplificador activo con ganancia A
+ Vo -
+ Vf -
Red de realimentacin pasiva con factor de transferencia
+ Vo -
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El oscilador con realimentacin externa, se lo puede considerar como un amplificador realimentado positivamente. Para obtener un voltaje de salida Vo en el amplificador activo, mediante una red pasiva de realimentacin se genera el voltaje de entrada Vi Para que las oscilaciones se produzcan, se debe cumplir con el criterio de oscilacin de Barkhausen, que dice: Si un amplificador funciona en su zona lineal y la red de realimentacin presenta elementos reactivos (capacitores e inductancias), la nica onda peridica que podr mantener su forma es la senoidal. Para que una onda senoidal cumpla la condicin Vf= Vi, equivale a la condicin de que la amplitud, frecuencia y fase sean idnticas. Teniendo en cuenta estas condiciones, podemos establecer las siguientes condiciones de oscilacin: a) La frecuencia a la cual funcionara un oscilador senoidal, ser aquella en que el defasaje total introducido a la seal que ingresa por la entrada del amplificador y se transmite por la red de realimentacin, retornando nuevamente a su entrada, debe ser cero o mltiplo de dos pi (2). Dicho de otra forma mas simple, la frecuencia de un oscilador senoidal, esta determinada por la condicin de que el defasaje del lazo, sea cero. b) Las oscilaciones no se sostendrn, si a la frecuencia del oscilador, la magnitud del producto de la ganancia de transferencia del amplificador, por el factor de realimentacin de la red (ganancia de lazo) |.A| sea menor a la unidad. Consideraciones practicas: De acuerdo a las consideraciones anteriores, la amplitud de la ganancia de lazo debe ser igual a la unidad. La ganancia A del amplificador activo es un valor mayor a la unidad, siendo la red un valor menor a la unidad, es decir es una red pasivo que produce atenuacin. Para que se verifiquen las oscilaciones se debe cumplir: Vf= A.Vi= Vi, significando esto que A= 1. Esto es prcticamente imposible de realizar y poco conveniente, porque debido a los cambios en el amplificador (variacin de la ganancia por tensin, temperatura, etc.) puede disminuir y si se cumple |.A|<1, entonces las oscilaciones se detendrn. En la prctica se hace la ganancia de lazo ligeramente superior a la unidad para evitar el inconveniente mencionado. Ahora en esta nueva instancia, la seal de salida comenzara a incrementarse tericamente hasta hacerse infinito (en la practica se llegara a los extremos de funcionamiento de los elementos activos, o como mximo al valor de su tensin de alimentacin). Esto no ocurre porque cuando aumentan las amplitudes de la oscilacin, el amplificador entra en una zona alineal donde la ganancia de transferencia comienza a disminuir; en algunos osciladores, se le adiciona un circuito adicional para que la amplitud de salida, se estabilice con la disminucin de A. Basado en estas consideraciones, podemos decir: En todo oscilador practico, la ganancia de lazo es ligeramente mayor a la unidad y las amplitud de las oscilaciones quedan limitadas por la falta de alinealidad del circuito. Mtodos grales para analizar y disear circuitos osciladores Existen diversas metodologas. Todas ellas, parten del establecimiento del criterio de Barkhausen para su resolucin. Un mtodo es resolviendo los circuitos elctricos por mallas (Kirchoff) y estableciendo la relacin de corrientes o tensiones del lazo de realimentacin. Otro mtodo, utiliza la teora de cuadripolos y resuelve por determinantes. En todos los mtodos de resolucin, el clculo es largo y engorroso. ___________________________________________________________________ 93 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------A continuacin, analizaremos dos circuitos osciladores clsicos, realizados con AO, que son el oscilador tipo RC y el oscilador en puente de Wien. Ambos osciladores son utilizados para frecuencias inferiores a 100 kHZ. Oscilador senoidal tipo RC con AO
Amplificador Av
Red de realimentacin
1 Este circuito, la ganancia del amplificador esta dado por: Av = -Rr / R1 (AO realimentado en configuracin inversora) El signo negativo significa que produce un defasaje de 180 y una ganancia en amplitud de |A| = Rr / R1. La red de defasaje tambin consiste en tres celdas RC iguales. Dado que vi 0 y R1 = R , estas celdas producen un defasaje de 180. El clculo matemtico, es engorroso. Daremos la formula final de la funcin de transferencia de la red en funcin de la frecuencia: VF/Vo = (jwRC).(jwRC)2 / {[1-6(wRC)2]+jwRC[5-(wRC)2]} La oscilacin ocurre para el valor de w que hace la parte imaginaria igual a cero, haciendo que sea real. Esto se cumple para: _ W = 1 / 6.R.C Para esta frecuencia resulta: |(w)| = 1/29. Por lo tanto la ganancia total de lazo vale: |(w).A(w)|= 1/29. Rr/R1 por lo que se debe cumplir: |Av| > 29 para que se cumpla que |.A| > 1 Osciladores con redes de realimentacin RC de atraso-adelanto La red de realimentacin de estos osciladores, esta realizada con un circuito cuya fase esta atrasada en bajas frecuencias y adelantada en altas frecuencias. Para una determinada frecuencia, el defasaje es 0. Si utilizamos un amplificador con defasaje nulo y ganancia suficiente para compensar la atenuacin producida por la red (red ___________________________________________________________________ 94 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------pasiva de atraso-adelanto), entonces podemos lograr la oscilacin. Analicemos el circuito analgico de atraso y el de adelanto: Circuito de atraso:
Ve
Vo
Vs /Ve = -jXc/ (RjXc) ______ | Vs /Ve | = Xc / R2+Xc2 = - arc.tang R/Xc Circuito de Adelanto:
Vo
Ve
Vs/Ve = R / ( RjXc) ______ |Vs/Ve | = R / R2+Xc2 = arc. Tag (Xc/R R/Xc) / 3 Circuito de retardo-adelanto
Vs/Ve = [R// (-jXc)] / [R jXc + R//(-jXc) ] ___________________________________________________________________ 95 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------_________________ |Vs/Ve| = 1 / 9 + (XC/RR/Xc)2 = arc. Tag. (XC/RR/Xc)/ 3 Analizando la funcin de transferencia, vemos que para bajas frecuencias (el capacitor en serie es un circuito abierto), |Vs/Ve| 0. Para altas frecuencias ( el capacitor en paralelo es un cortocircuito,), tambin se cumple |Vs/Ve| 0. Para un valor de Xc= R, tenemos la mnima atenuacin de la red |Vs/Ve| =1/3. La frecuencia para este valor la obtenemos de: Xc = R = 1/wC fr = 1 / 2.R.C. (se denomina frecuencia de resonancia) |Vs/Ve| 1/3 +90
f=fr
f -90
f= fr
De los resultados obtenidos, resulta evidente que para lograr la oscilacin, el amplificador, para f = fr, debe tener un defasaje nulo y una ganancia de amplitud no inferior a 3. Oscilador en puente de Wien con amplificador operacional
Amplificador Av=3
Red de realimentacin = 1/3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------El oscilador puente de Wien, esta conformado por una red de realimentacin de atraso-adelanto y un amplificador, en este caso operacional en configuracin no inversora. Los valores de Rr/R se hacen por lo menos igual a 2, a sea |Av|=3, por lo que Rr= 2.R. Se denomina puente de Wien dado que redibujando el circuito de otra manera, vemos que la oscilacin se produce cuando se equilibra el puente de Wien:
AO
VF = Vi Vo
Oscilador con puente de Wein prctico para una frecuencia de 1 Khz.
Vo
fr = 1 / 2.R.C = 1 / 2.1k .0,15F 1 kHz
Para limitar el voltaje de salida del oscilador, por la condicin practica de A.>1, se agregaron dos diodos Zener que limitan la ganancia del amplificador cuando la amplitud del voltaje de salida Vo, supere un nivel especificado. Estos actan conduciendo corriente derivndola del resistor de 10 k, haciendo que la ganancia disminuya. El potencimetro de 25 k permite el ajuste de Vo desde valores pico de cerca 1,5 Vz (8 V) a Vsat. La salida de onda senoidal resultante tiene muy poca distorsin. Adems para un funcionamiento correcto la salida del oscilador debe conectarse a un seguidor de voltaje para evitar una sobrecarga indebida. ___________________________________________________________________ 97 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidor de voltaje en frecuencia (VCO) Este circuito convierte una seal elctrica de voltaje en una frecuencia proporcional. En Gral., este circuito forma parte de funciones monolticas complejas, de alta densidad de integracin (VLSI), como son los moduladores en fase y frecuencia, sistemas de fase cerrada (PLL), etc. A este circuito se le conoce, generalmente, como VCO, siglas en ingles correspondientes a Oscilador Controlado por Voltaje. Todas estas funciones que involucran al VCO, son ampliamente utilizadas, en los sistemas de comunicaciones analgicas y digitales modernos. Los VCO, convierten proporcionalmente una tension elctrica de entrada, en una frecuencia de salida. Analicemos la expresin de la frecuencia del generador en diente de sierra ya estudiado: f = 1/T = (Vi/R.C) /(Vp- VF ) = (Vi/R.C) . 1/(Vp- 1) VF =1 V La ecuacin muestra que la frecuencia depende de dos factores: Vi y Vp. Si hacemos Vp = cte. Vemos entonces que el generador en diente de sierra tiene un comportamiento similar a un convertidor voltaje frecuencia, donde Vi (voltaje de entrada), es el voltaje de control lineal de la frecuencia de la onda diente de sierra. Analizaremos a continuacin un VCO con amplificadores operacionales, que generan una onda cuadrada cuya frecuencia es controlada por el voltaje de entrada. Veamos primero su principio de funcionamiento, mediante su esquema de bloques:
Vi
Circuito Integrador
Comparador con Histresis
Vo
El circuito consta de un integrador, un comparador con histresis con tension de referencia constante y un transistor que trabaja como conmutador controlado por tension. En el bloque integrador, se genera una corriente constante y proporcional a la tension de entrada vi, que a su vez se convierte en una tension que crece linealmente y es aplicada a la entrada de un comparador con histresis, con tension de referencia cte. Cuando se llega a la tension de comparacin, la salida del comparador conmuta y opera sobre el transistor que permite que el integrador proporcione una corriente, tambin cte, pero de sentido inverso a la inicial. El resultado, es una tensin de onda cuadrada a la salida del comparador. La frecuencia, de esta onda cuadrada, resulta proporcional a la tension de entrada vi. Analicemos un circuito prctico, realizado con amplificadores operacionales: ___________________________________________________________________ 98 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
AO1 AO2
Para comenzar el anlisis, suponemos que AO2 se encuentra en saturacin negativa, por lo que el transistor bipolar Q (npn), se encuentra cortado y la tension de salida de AO1 tiene valor alto positivo (ViH de la entrada del comparador); en estas condiciones si igualamos las corrientes de los componentes conectados al Terminal inversor de AO1 resulta: vi =[ R3 / (R2+R3)].vi = vi / 2 i1 = (vivi) / R1 = vi / (2.R1) ic = C. (dvi/dt dvo/dt) = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt) Como Q esta cortado entonces i1 = ic vi / (2.R1) = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt) A medida que ic carga al condensador, la tension de salida vo se hace mas negativa hasta que llega al valor de saturacin positiva de AO2 o sea viL del comparador. Por lo tanto si hacemos la integral de la expresin anterior tenemos: t1 (1/2.R1).vi.dt = C. (1/2.dvi/dt dvo/dt).dt (1/2.R1).vi.t1 = C.[1/2vi ( ViL ViH)] Donde t1 es el tiempo que tarda AO1 en cambiar su tension de salida desde ViH a ViL ; adems : ViH - ViL = VH siendo este ultimo valor la tension de histresis. Despejando el tiempo t1 tendremos: t1 = R1.C.(2.VH + vi) / vi En t1, AO2 bascula desde la saturacin negativa a positiva, momento que el transistor comienza a conducir. Si aplicamos ahora la ley de Kirchoff al Terminal inversor de AO1 tendremos: iR4 = iR1+iC donde iR1 = vi / 2.R1 y iR4 = vi /R1 dado que R4 .R1. ___________________________________________________________________ 99 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Despejando, tenemos: ic = iR4 iR1 = vi / 2.R1 Por otra parte la corriente que circula por C vale: ic = C. (dvo/dt .dvi/dt) igualando ambos trminos: vi / 2.R1= C. (dvo/dt .dvi/dt) La tension final de AO1 ser ViH (entrada de AO2) por lo que integrando ambos miembros tenemos: (v1.t2) / (2.R1) = C.(VH 1/2.vi) despejado t2: t2 = [R1.C.(2.VHvi)] / vi El proceso se repite con un periodo correspondiente a : T = t1+t2 = [R1.C.(2.VH+vi+2.VH-vi)] / vi La frecuencia de la onda cuadrada a la salida de AO2 vale : f = 1 / T = vi / R1.C.4.VH Como vemos, para determinados componentes, depende exclusivamente de la tensin de entrada vi. Esta dependencia es bastante lineal razn por la cual el circuito es un excelente VCO. Convertidor de impedancia generalizado GIC
GIC AO2
Ii V1 Vi I1 I2 I3 I4 I5 V2 V3 V4
AO1
Este circuito me permite simular el comportamiento de cualquier tipo de impedancia, eligiendo conveniente los componentes asociados a l. Por ejemplo simular inductancias, proporcionando un excelente mtodo de integracin de estos componentes mediante el empleo de resistencias y capacitores. Presenta el inconveniente de no poder obtener inductancias flotantes, es decir que estn referidas a masa. Analicemos su valor, definido como Zi = Vi/Ii Debido al cortocircuito virtual de AO1 la tensin V2 ser igual a vi . De forma similar V4 = V2 = Vi, con lo que la corriente en Z5 ser: ___________________________________________________________________ 100 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------I5 = V4/Z5 = Vi/Z5 La corriente I4 ser igual a I5, ya que no fluye corriente hacia el terminal positivo de AO2, luego: I4 = I5 = Vi/Z5 La tensin V3 se determinar como: V3 = V4 + I4 . Z4 = (1 + Z4/Z5). Vi Y la corriente I3, corresponde por lo tanto, a: I3 = (V3 V2)/Z3 = [Vi.(1 + Z4/Z5) - Vi]/Z3 = (Vi/Z3) . (Z4/Z5) Lo cual nos permite encontrar V1, ya que I2 es igual a I3, resultando: V1 = V2 I2 . Z2 = Vi [(Vi/Z3) . (Z4/Z5) . Z2] Con lo que I1 se puede determinar como: I1 = (Vi V1)/Z1 = (Vi/Z3). (Z4/Z5). (Z2/Z1) Para finalizar, la corriente de entrada Ii es igual a I1, ya que no fluye corriente hacia el terminal positivo de la entrada de AO1, con lo que: Ii (vi/Z3) . (Z4/Z5) . (Z2/Z1) Obtenindose finalmente: Zi = Vi/Ii = (Z1 . Z3 . Z5)/(Z2 . Z4) A continuacin veremos una aplicacin prctica del GIC, mediante el cual es posible simular el comportamiento de una inductancia empleando exclusivamente resistencias y capacitores.
Vi
R5=100 k Circuito equivalente
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA I 6-4-Apndice 4: Procesos de seales elctricas con amplificadores operacionales -------------------------------------------------------------------------------------------------------Si en la expresin de la impedancia de entrada de un GIC, obtenida anteriormente hacemos: Z1 = R1 , Z2 = 1/(j . w . C1), Z3 = R2, Z4 = R4, y Z5 = R4 Obtenemos como resultado:
Zi = (Z1.Z3.Z5)/(Z2.Z4) = (R1.R2.R4)/(1/j.w.C1).R3 = j.w.C1. (R1.R2.R4/R3 Lo cual representa una inductancia de valor: L = R1.R2.R4.C1/R3 Aplicando los valores de los componentes obtenemos el valor de L L = 103 . 103 . 103100-9/1,5.103 0,067 H Tomando la salida entre el nudo A y el terminal de masa, la funcin resultante del circuito es un filtro pasa bandas, cuya pulsacin resulta: ____ _____________________ wo = 1/L.C2 = 1/ C1.C2.R1.R2.R4.(R4/R3). Es decir la frecuencia central del filtro esta dada por : ____________________ fo = 1/2. (C1.C2.R1.R2.R4.(R4/R3)). El factor Q resulta: ___________________ Q = wo.C2.R5 = R5.((C2.R3)/(C1.R1.R2.R4)) Como el puno A es de alta impedancia, razn por la cual, si lo tomamos como salida se podra producir un desequilibrio del GIC. Este inconveniente lo podemos solucionar tomando como salida, el terminal de salida del AO1, cuyo voltaje mantiene la siguiente relacin con respecto al punto A: Vo1 = [(R3 +R4)/R4]. VA.

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___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

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___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

Fuente nica positiva

Fuente nica negativa

Fuente doble positiva y negativa

Fuente doble positiva

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Caracterstica VI de un circuito que posee una tensin y una resistencia elctrica i ix

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Vo (t) vo(t) = R2/(R1+R2) . ve(t) tg = R2/(R1+R2) = 1 / 2

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Nota: Los voltajes estn referidos a masa

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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Circuito elctrico complejo o desconocido

___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

El nuevo circuito nos queda:

___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Circuito elctrico resistivo

AI= I2/ I1= -50

AI= I2/ I1= -50

Divisor de tensin y divisor de corriente

___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Is + Vcc Vs Dispositivo alineal A=1mA/v2 VT=0

Vs = Vth Is . Rth Is = A . Vs2

Vs = Vth A. Vs2 . Rth

___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Is = Vth / Rth Vs . 1/Rth Caracteristica VI del circuito Is

Vth/Rth Solucin del problema Vs Vth

f(v1) Raiz real vA(volt)

___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

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Energa de los electrones

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Banda parcialmente llena (banda combinada de valencia y de conduccin) Banda prohibida

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UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS DONADORES

Energa de los electrones

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UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS RECEPTORES

Energa de los electrones

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Iones receptores negativos

Iones donadores positivos

Campo elctrico interconstruido

Zona de agotamiento Densidad de tomos receptores

Densidad de tomos portadores Densidad de huecos

Densidad de electrones Densidad total de carga + Distribucin potencial elctrico