LUCAS MATEUS PARO RODRIGUES

Um estudo comparativo entre o conversor em matriz e o conversor VSI no acionamento de motores eltricos trifsicos

Bauru 2012

LUCAS MATEUS PARO RODRIGUES

Um estudo comparativo entre o conversor em matriz e o conversor VSI no acionamento de motores eltricos trifsicos

Monografia apresentada Faculdade de Engenharia de Bauru / UNESP para a obteno do ttulo de Especialista em Eficincia e Qualidade de Energia Eltrica.

ORIENTADOR: Prof. Dr. Luiz Gonalves Jnior

Bauru 2012

FOLHA DE APROVAO

Autor:_______________________________________________________________ Ttulo:_______________________________________________________________

Monografia defendida e aprovada em _____/_____/______, com NOTA ______ (__________________________), pela comisso julgadora:

_______________________________________________________ (Titulao/nome) (orientador) (Instituio)

_______________________________________________________ (Titulao/nome) (Instituio)

_______________________________________________________ (Titulao/nome) (Instituio)

______________________________________________ Coordenador do Curso de Especializao em Eficincia e Qualidade de Energia Eltrica

DEDICATRIA

Dedico este trabalho aos meus pais Wilson e Mara, minha doce Ana Carolina, aos meus professores, colegas de turma e todas as pessoas que contriburam para a minha formao, que por serem muitas e com contribuies no menos significativas no cabem nestas linhas. Agradeo tambm a Deus por permitir que tudo isso acontecesse e por me dar foras e sade para percorrer este caminho.

AGRADECIMENTOS

- Em primeiro lugar a Deus por me dar foras durante o caminho. - Aos meus pais por sempre me apoiarem em todas as minhas empreitadas. - A minha amada Ana Carolina por me apoiar com todo o seu amor durante as noites em claro. - Ao Prof. Dr. Luiz Gonalves Jnior, por ser meu orientador. - Aos meus colegas de curso por todas as informaes trocadas. - Aos professores do Curso de Especializao em Qualidade e Eficincia da Energia Eltrica. - Ao Departamento de Engenharia pelo auxlio concedido durante a realizao da monografia.

Cada sonho que voc deixa pra trs, um pedao do seu futuro que deixa de existir.

Steve Jobs.

RESUMO Este trabalho tem por objetivo apresentar de forma concisa, analisar e discutir de forma comparativa o conversor em matriz em relao ao conversor VSI no acionamento de um motor eltrico assncrono no que tange ao contedo harmnico gerado nas ondas de tenso e corrente bem como a distoro harmnica total nas mesmas. Apresenta-se os principais componentes de cada sistema, seus semicondutores de potncia, mdulos funcionais, seus mtodos e princpios de funcionamento, tcnicas de chaveamento e modulao, mostra alguns importantes parmetros e ferramentas de anlise de conversores estticos de potncia. feita a simulao computacional dos conversores e, tambm, a aplicao dos principais filtros utilizados para cada tipo de forma a se comparar a efetividade do conversor em matriz em relao ao conversor VSI. Palavras-chave: Eletrnica de potncia. Conversores estticos de potncia. Harmnicos.

ABSTRACT

This work aims to concisely present, analyze and discuss in a comparative way the matrix converter with the VSI converter driving an electric asynchronous motor with respect to the harmonic content generated in the voltage and current waveforms as well as the total harmonic distortion on themselves. It presents the main components of each system, their power semiconductors, functional modules, its methods and principles of operation, switching and modulation techniques, it shows some important parameters and analysis tools to static power converters. Its made computer simulation of the converters and also the application of most used filters for each type in order to compare the effectiveness of the matrix converter in relation to the VSI converter. Keywords: Power electronics. Static power converters. Harmonics.

LISTA DE FIGURAS

Figura 1 Diodo de Potncia ...................................................................................................... 9 Figura 2 Curva caractersticas de um diodo de potncia ...................................................... 10 Figura 3 Regio de operao de semicondutores em tenso versus frequncia.................. 11 Figura 4 Regio de operao de semicondutores em corrente versus frequncia............... 12 Figura 5 Smbolo do BJT em circuito...................................................................................... 12 Figura 6 Estrutura de um BJT planar...................................................................................... 13 Figura 7 Estrutura vertical de um BJT com quatro camadas ................................................. 13 Figura 8 Simbologia do MOSFET em circuito......................................................................... 14 Figura 9 O IGBT ...................................................................................................................... 16 Figura 10 Curvas caractersticas do IGBT............................................................................... 17 Figura 11 Retificador trifsico em ponte ............................................................................... 18 Figura 12 Formas de onda no retificador trifsico em ponte................................................ 20 Figura 13 Esquema de um ASD trifsico de trs nveis ......................................................... 21 Figura 14 Topologia do VSI trifsico ...................................................................................... 22 Figura 15 Sinais da onda portadora e de modulao ............................................................ 23 Figura 16 Onda de sada do inversor ..................................................................................... 24 Figura 17 Conversor em matriz trifsico- trifsico ................................................................ 26 Figura 18 Tenses de entradas bsicas de um conversor em matriz .................................... 28 Figura 19 Mxima tenso atingvel com a insero de 3 harmnica................................... 28 Figura 20 Modelo indireto de modulao para um conversor em matriz ............................ 30 Figura 21 Hexgono de chaveamento ................................................................................... 31 Figura 22 Modelo de simulao para o conversor VSI .......................................................... 39 Figura 23 Modelo de simulao para o conversor em matriz ............................................... 40 Figura 24 forma de onda da corrente na entrada do conversor VSI ..................................... 41 Figura 25 FFT da onda de corrente na entrada do conversor VSI ......................................... 41 Figura 26 forma da onda de tenso na sada do conversor VSI ............................................ 43 Figura 27 FFT da onda de tenso na sada do conversor VSI ................................................ 43 Figura 28 forma de onda de corrente na entrada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada ..................................................................................................................................... 45 Figura 29 FFT da onda de corrente na entrada do VSI com reatncia de 5% na entrada ..... 45

Figura 30 forma de onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada ..................................................................................................................................... 47 Figura 31 FFT da onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada ..................................................................................................................................... 47 Figura 32 forma de onda de corrente na entrada do conversor em matriz ......................... 49 Figura 33 FFT da onda de corrente na entrada do conversor em matriz .............................. 49 Figura 34 forma de onda de tenso na sada do conversor em matriz ................................. 51 Figura 35 FFT da onda de tenso na sada do conversor em matriz ..................................... 51 Figura 36 forma de onda de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada ..................................................................................................................................... 53 Figura 37 FFT da onda de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada ..................................................................................................................................... 53 Figura 38 forma de onda de tenso na sada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada ..................................................................................................................................... 55 Figura 39 FFT da onda de tenso na sada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada .................................................................................................................................................. 55

LISTA DE TABELAS

Tabela 1 Contedo harmnico genrico para a onda de tenso na sada de um inversor com modulao SPWM com um valor de mf alto e mpar ....................................................... 25 Tabela 2 Combinaes de chaveamento em conversor em matriz trifsico para trifsico .. 27 Tabela 3 Contedo harmnico da onda de corrente na entrada do conversor VSI ............. 42 Tabela 4 Contedo harmnico da onda de tenso na sada do conversor VSI ..................... 44 Tabela 5 Contedo harmnico da onda de corrente na entrada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada...................................................................................................... 46 Tabela 6 Contedo harmnico da onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada ...................................................................................................................... 48 Tabela 7 Contedo harmnico do sinal de corrente na entrada do conversor em matriz ... 50 Tabela 8 Contedo harmnico do sinal de tenso na sada do conversor em matriz .......... 52 Tabela 9 Contedo harmnico do sinal de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro na entrada ................................................................................................................ 54 Tabela 10 Contedo harmnico do sinal de tenso na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada .................................................................................................................. 56

SUMRIO

1. 2. 2.1. 2.1.1. 2.1.2. 2.1.3.

INTRODUO. ...................................................................................................... 7 REVISO BIBLIOGRFICA. ..................................................................................... 9 CHAVES ESTTICAS DE POTNCIA ................................................................................ 9 O diodo de potncia ............................................................................................. 9 O Transistor de Juno Bipolar (Bipolar Junction Transistor BJT)....................... 11 O Transistor de Efeito de Campo com xido Metlico (Metal-Oxide Field Effect

Transistor MOSFET) ...................................................................................................... 14 2.1.4. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 2.2.3. O Transistor Bipolar de Gate Isolado (Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) .. 15 CONVERSORES DE POTNCIA TRIFSICOS ................................................................. 18 Retificador a diodo em ponte ............................................................................. 18 Inversores trifsicos fontes de tenso (Voltage Source Inverter VSI) ................. 20 Modulao por Largura de Pulso Senoidal (Sinusoidal Pulse Width Modulation

SPWM) 23 2.2.4. Conversor em matriz (Matrix Converter MC) .................................................... 25

2.2.4.1. Introduo .................................................................................................................. 25 2.2.4.2. Operao e controle do conversor em matriz ........................................................... 28 2.3. 2.4. 2.4.1. 2.4.2. QUALIDADE DA ENERGIA ........................................................................................... 32 HARMNICAS ............................................................................................................. 33 Srie de Fourier .................................................................................................. 34 Parmetros de desempenho em conversores...................................................... 35

2.4.2.1. Distoro Harmnica Total (Total Harmonic Distortion THD)................................. 35 2.4.2.2. Fator de Deslocamento (Displacement Factor - DF) .................................................. 36 2.4.2.3. Fator de Potncia (Power Factor PF) ....................................................................... 36 2.4.2.4. Fator Harmnico (Harmonic Factor HF) .................................................................. 37 3. 4. 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 5. METODOLOGIA .................................................................................................. 37 RESULTADOS E DISCUSSO ................................................................................. 41 CONVERSOR VSI SEM FILTRO DE ENTRADA ............................................................... 41 CONVERSOR VSI COM FILTRO DE ENTRADA .............................................................. 45 CONVERSOR EM MATRIZ ............................................................................................ 49 CONVERSOR EM MATRIZ COM FILTRO DE ENTRADA ................................................ 53 CONCLUSO ....................................................................................................... 57

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ........................................................................................ 58

1.

INTRODUO.

Os conversores de potncia tem papel fundamental nos dias atuais abrangendo aplicaes desde motores fracionrios at aplicaes de vrios megawatts. Seu principal objetivo condicionar as caractersticas da fonte de alimentao s peculiaridades da carga como, por exemplo, velocidade varivel no eixo do motor, corrente fixa a se manter em processos como soldagem, continuidade no fornecimento de energia entre outros. Em praticamente todos os processos na sociedade atual h a necessidade de se realizar trabalho mecnico para as mais diversas atividades, como, por exemplo, recalcar gua de um poo para uma regio a ser abastecida. Para isso utiliza-se como fonte de energia a eletricidade e, dependendo das caractersticas da carga, utilizam-se mtodos de partida diferentes, como partida direta, estrela-tringulo, chave compensadora, estrela srie-paralelo, partida suave ou inversor de frequncia. Os popularmente conhecidos inversores de frequncia so conversores estticos de potncia do tipo Inversores Fontes de Tenso que tem por finalidade transformar uma onda de tenso continua em alternada. Como o fornecimento de energia de forma quase que totalitria feito atravs de tenso alternada h a necessidade de um retificador na entrada do inversor e um capacitor para alisar a tenso de sada do retificador. Neste trabalho nos referiremos a esta configurao como conversor VSI (Voltage Source Inverter Inversor Fonte de Tenso). Apesar de realizar de forma satisfatria seu trabalho e ser amplamente utilizado, o conversor VSI tem algumas desvantagens como a necessidade de um capacitor grande para filtrar as ondulaes do retificador e a grande distoro no sinal de corrente emitido na rede. Na dcada de 1980 foi conceituado um novo tipo de conversor esttico de potncia que diferentemente do conversor VSI que faz a converso de maneira indireta faria a converso direta a partir de uma fonte de alimentao alternada com as mesmas caractersticas que o conversor VSI, mas com as vantagens de no necessitar de elementos reativos e possibilitar maior controle sobre as ondas enviadas para a carga e as emitidas para a rede. Este conversor ficou conhecido como conversor em matriz (Matrix Converter) pelo fato de apresentar de forma semelhante a uma matriz o seu sistema de converso que possibilita a conexo de qualquer uma das fases de entrada a qualquer uma das fases da carga.

Neste trabalho objetivou-se comparar estes dois tipos de conversores estticos de potncia visando qualidade da energia principalmente o contedo harmnico gerado nas ondas de tenso e corrente sem filtro e com os filtros mais utilizados para cada tipo. A metodologia de trabalho baseou-se em intensa pesquisa bibliogrfica e simulao computacional de modelos dos conversores e atravs de suas simulaes foram levantados os parmetros a serem comparados que foram a Distoro Harmnica Total dos sinais de tenso e corrente e o contedo harmnico dos mesmos.

2.

REVISO BIBLIOGRFICA.

2.1.

CHAVES ESTTICAS DE POTNCIA

2.1.1.

O diodo de potncia

Entre todas as chaves estticas utilizadas em eletrnica de potncia, o diodo de potncia talvez a mais simples. Algumas formas construtivas do diodo de potncia podem ser vistas na Figura 1(b) e Figura 1(c). Conforme a Figura 1(a) se o terminal A (anodo) colocado em um maior potencial que o terminal K (catodo), o dispositivo dito diretamente polarizado e uma corrente direta atravs do dispositivo na direo indicada na Figura 1(a). Quando um diodo ideal inversamente polarizado ele no conduz, mas um diodo prtico conduz uma pequena corrente que flui na direo inversa chamada corrente de fuga. Tanto a queda de tenso direta (em conduo) quanto a corrente de fuga so ignorados em um diodo ideal. Normalmente em eletrnica de potncia o diodo considerado uma chave esttica ideal.
Figura 1 Diodo de Potncia

(a) Smbolo Fonte: (RASHID, 2011, p. 18)

(b) Tipo Rosca

(c) Tipo Disco

As caractersticas de um diodo prtico divergem das de uma chave ideal conforme Figura 2. Na polarizao direta uma barreira de potencial associada com a distribuio de cargas na vizinhana da juno P-N, somado a um conjunto de outros efeitos, conduz a uma queda de tenso. Na polarizao inversa, dentro da tenso normal de funcionamento, flui uma corrente muito pequena que praticamente independente da tenso. A caracterstica inversa independe das correntes de fuga e da tenso para condies normais de trabalho.

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Figura 2 Curva caractersticas de um diodo de potncia

Fonte: (BOSE, 2006, p. 31)

Dependendo de suas aplicaes, os diodos podem ser separados nas seguintes divises principais (RASHID, 2011): Diodo para pequenos sinais: eles so, talvez, os dispositivos semicondutores mais frequentemente utilizados. Em aplicaes de uso geral, eles so usados como chave esttica em retificadores, limitadores e capacitores. Alguns parmetros comuns so a tenso direta, tenso de ruptura inversa, corrente de fuga reversa, e tempo de recuperao. Diodos retificadores de silcio: so os diodos que tm capacidade de transportar altas correntes diretas, normalmente at vrias centenas de amperes. Tm geralmente uma resistncia em polarizao direta de apenas uma frao de ohm, enquanto a sua resistncia em polarizao inversa da ordem de milhes de ohms. Sua principal aplicao na converso de energia, como em fontes de alimentao, UPS, retificadores, inversores, etc. Diodo Zener: segundo muito utilizado na referncia ou regulao de tenso, no entanto, a sua capacidade para manter certa tenso depende do seu coeficiente de temperatura e a impedncia. As aplicaes de referncia e regulao de tenso dos diodos Zener so baseadas nas suas propriedades de avalanche. No modo de polarizao reversa, com certa tenso, a resistncia desses dispositivos pode cair subitamente.

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2.1.2.

O Transistor de Juno Bipolar (Bipolar Junction Transistor BJT)

O primeiro transistor foi descoberto em 1948 por uma equipe de fsicos da Bell Telephone Laboratories e logo se tornou um dispositivo semicondutor de grande importncia. Mesmo que agora existam circuitos integrados com milhes de transistores, o fluxo e controle de toda a energia eltrica ainda exigem transistores individuais. As chaves estticas de potncia semicondutoras constituem o corao da eletrnica de potncia moderna. Tais dispositivos devem ter maior tenso e corrente, caractersticas instantneas de chaveamento, queda de tenso muito baixa quando estiverem em conduo, corrente de fuga zero e robustez para chavear cargas altamente indutivas. Segundo (RASHID, 2004) a sua capacidade de operao medida em termos da rea de operao segura (Safe Operation Area em ingls SOA), capacidade de suportar altas temperatura e radiao, e alta confiabilidade. A combinao certa de cada recurso restringe a adequao das chaves estticas de potncia para determinadas aplicaes. A Figura 3 e a Figura 4 mostram faixas de tenso e corrente, em termos de frequncia, onde os dispositivos semicondutores de potncia mais comuns podem operar.

Figura 3 Regio de operao de semicondutores em tenso versus frequncia

Fonte: (RASHID, 2011, p. 30)

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Figura 4 Regio de operao de semicondutores em corrente versus frequncia

Fonte: (RASHID, 2011, p. 30)

Os grficos do, na verdade, um quadro geral onde semicondutores de potncia so normalmente aplicados na indstria: Dispositivos que suportam alta tenso e corrente permitem aplicaes em motores grandes, fornos de induo, inversores para fontes renovveis de energia, conversores de alta tenso, compensadores estticos e filtros ativos. Para semicondutores que operam em baixa tenso e alta frequncia algumas aplicaes so fontes chaveadas, conversores ressonantes, e sistemas de controle de movimento. Chaves estticas feitas para operar em baixa frequncia e alta corrente e tenso so restritos a acionamentos de milhares de quilowatts alimentados por cicloconversores. Transistores bipolares de potncia NPN Figura 5(a) ou PNP Figura 5(b) so usados como o acionamento tradicional de vrias dessas aplicaes industriais.

Figura 5 Smbolo do BJT em circuito

(a) NPN Fonte: (RASHID, 2011, p. 31)

(b) PNP

A tecnologia dos IGBT e MOSFET tem progredido de modo que eles esto substituindo os transistores bipolares.

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O BJT consiste, como se pode ver na Figura 6, de uma estrutura de trs regies semicondutoras (Base, Coletor e Emissor) que podem ser do tipo P ou do tipo N. Sua configurao pode ser construda como NPN ou PNP.

Figura 6 Estrutura de um BJT planar

Fonte: (RASHID, 2011, p. 30)

Um transistor de potncia requer uma grande tenso de bloqueio no estado desligado, uma capacidade de corrente elevada no estado ligado e, por isso, segundo (RASHID, 2011) uma estrutura verticalmente orientada de quatro camadas (N+, P, N+ e N-) prefervel porque aumenta a rea da seco transversal atravs da qual a corrente flui, melhorando a resistncia em conduo e a dissipao de energia no dispositivo.

Figura 7 Estrutura vertical de um BJT com quatro camadas

Fonte: (RASHID, 2011, p. 31)

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Segundo (RASHID, 2004) o transistor normalmente concebido para maximizar a periferia do emissor por unidade de superfcie do silcio, a fim de obter o maior ganho de corrente. A maioria dos fabricantes de transistores usa a metalizao de alumnio, uma vez que tem muitas vantagens atraentes, como a facilidade de aplicao por deposio de vapor e facilidade de definio por fotolitografia. Um dos principais problemas com o alumnio que apenas uma fina camada pode ser aplicada por tcnicas de deposio de vapor normais, assim, quando so aplicadas altas correntes ao longo das pernas do emissor, uma queda de tenso ocorre ao longo delas e a eficincia de injeo nas partes da periferia, que esto mais afastados do contato do emissor, reduzida.

2.1.3.

O Transistor de Efeito de Campo com xido Metlico (Metal-Oxide Field Effect Transistor MOSFET)

Ao contrrio do transistor de juno bipolar (BJT), que so controlados por corrente, o dispositivo MOSFET pertence famlia dos dispositivos unipolares, seu controle feito por tenso (KULARATNA, 2006). O desenvolvimento da tecnologia de semicondutores de xido de metal para circuitos microeletrnicos abriu o caminho para o desenvolvimento do dispositivo transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico de potncia (MOSFET) em 1975. Na Figura 8 esto as variedades e as respectivas representaes em circuito dos MOSFET.

Figura 8 Simbologia do MOSFET em circuito

(a) (b) (c) (d) (a) tipo intensificao canal-n (b) tipo intensificao canal-p (c) tipo depleo canal-n (d) tipo depleo canal-p Fonte: (RASHID, 2011, p. 50)

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2.1.4.

O Transistor Bipolar de Gate Isolado (Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT)

O Transistor Bipolar de Gate isolado, que foi introduzido no incio da dcada de 1980, est se tornando um dispositivo bem sucedido por causa de suas caractersticas superiores (RASHID, 2011). Antes do advento do IGBT, transistores de juno bipolar de potncia (BJT) e transstores de efeito de campo de xido metlico de potncia (MOSFET) foram amplamente utilizados em baixa at mdia potncia e alta frequncia, aplicaes onde a velocidade de um tiristor comutvel pelo Gate (Gate Turn-Off Thyristor GTO) no era adequada. Eles so dispositivos controlados por corrente com ganho de corrente reduzido devido aos efeitos do alto nvel de injeo e ampla largura de base necessria para evitar a ruptura da capacidade de bloqueio de tenso. Por isso, eles exigem circuitos complexos para acionamento da base para fornecer a corrente de base durante o estado de conduo, o que aumenta a perda de potncia no eletrodo de controle. Por outro lado os MOSFET de potncia so dispositivos controlados por tenso que requerem uma corrente muito pequena durante o perodo de comutao e da eles tm requisitos simples para acionamento do Gate (KULARATNA, 2006). Os MOSFET de potncia so dispositivos controlados por tenso, que apresentam velocidades muito altas de comutao. Entretanto com os aumentos da tenso nominal o diodo inerente ao corpo do dispositivo mostra caractersticas inferiores de recuperao reversa, o que leva a maiores perdas de comutao. A fim de melhorar o desempenho do dispositivo de potncia, vantajoso que a resistncia no estado de conduo seja baixa como a do BJT com um Gate isolado como o do MOSFET (RASHID, 2007). Uma abordagem interessante para obter os mximos benefcios do controle de Gate do MOS e conduo de corrente bipolar a integrao da fsica do MOSFET e do BJT dentro da mesma regio de semicondutores. Como na Figura 9(b), este conceito deu origem aos IGBT comercialmente disponveis com caractersticas de estado superiores, boa velocidade de comutao e excelente rea de funcionamento seguro (SOA). Como as topologias suaves de comutao oferecem inmeras vantagens sobre as topologias de comutao bruscas, sua utilizao crescente na indstria. Aplicao de IGBT em conversores de potncia os sujeita a altas solicitaes devidas a transientes eltricos, tais como curtos-circuitos e comutao sob cargas altamente indutivas e, portanto, a robustez dos IGBT sob severas condies de solicitao so um importante requisito.

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A seo transversal vertical de meia clula de uma das clulas paralelas de um IGBT mostrada na Figura 9(a). Segundo (RASHID, 2004) operao do dispositivo pode ser explicada por um BJT com sua corrente de base controlada pela tenso aplicada porta MOS. Aplicando uma tenso negativa no coletor, a juno PN entre o substrato P+ e a regio de deriva N- reversamente polarizada. Isto evita qualquer fluxo de corrente e o dispositivo fica em seu estado de bloqueio reverso. Se o terminal de Gate mantido em potencial de terra, mas um potencial positivo aplicado para o coletor, a base da juno PN entre a base P e a regio de deriva N- inversamente polarizada. Isto evita qualquer fluxo de corrente e o dispositivo fica em seu estado de bloqueio direto at que a tenso de ruptura para terminal aberto do transistor PNP seja atingida.

Figura 9 O IGBT

(a) (b) (a) seo transversal vertical de meia clula (b) circuito equivalente Fonte: (RASHID, 2011, p. 74)

Quando um potencial positivo aplicado no Gate excede-se a tenso de limiar necessrio para inverter a regio de MOS sob o Gate e um canal n formado, o que fornece um caminho para os eltrons flurem na regio de deriva N-. A juno PN entre o substrato P+ e a regio de deriva N- diretamente polarizada e lacunas de carga so injetadas na regio de deriva. Os eltrons na regio de deriva recombinam-se com estas lacunas de carga

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para manter a neutralidade de carga no espao e as lacunas restantes so recolhidos pelo Emissor, causando um fluxo de corrente vertical entre o Emissor e Coletor. Para valores pequenos de potencial no coletor e tenses de Gate maior do que a tenso de limiar as caractersticas de estado podem ser definidas por um BJT de potncia. Com os aumentos de densidade de corrente, a densidade injetada de portadores de carga excede a baixa dopagem da regio de base e torna-se muito maior que a dopagem de fundo. Esta modulao de condutividade diminui a resistncia da regio de deriva e, por conseguinte, o IGBT tem uma densidade de corrente muito maior do que um MOSFET de potncia e reduzida queda de tenso em conduo. A juno Base-Coletor do BJT PNP no pode ser polarizada e, portanto, este transstor no ir funcionar na saturao. Mas quando a queda de potencial em toda a camada de inverso se torna comparvel diferena de tenso entre Gate e Threshold, aparecem brechas no canal. A brecha limita a corrente de eltrons e como resultado as lacunas so injetadas na camada P+. Portanto, a saturao da corrente de base faz com que o coletor de corrente sature.
Figura 10 Curvas caractersticas do IGBT

(a) (b) (a) caracterstica em conduo direta (b) caracterstica de transferncia Fonte: (RASHID, 2011, p. 75)

As caractersticas tpicas de um IGBT so mostradas na Figura 10. As caractersticas de transferncia do IGBT e do MOSFET so semelhantes. O IGBT no est em conduo se o potencial entre Emissor e Gate est abaixo de um limiar. Para tenses de sada maior que a tenso de limiar, a curva de transferncia linear ao longo das correntes de Dreno. Conforme (RASHID, 2011) para desativar o IGBT, o Gate e o Emissor so colocados em curto-circuito de forma a remover o canal MOS e a corrente de Base do transistor PNP. A corrente de Coletor subitamente reduzida porque a corrente de eltrons do canal

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removida. Em seguida, os portadores de carga excedentes na regio de deriva n- sofrem decaimento por recombinao eltrica entre eltrons e lacunas, que provoca um decaimento gradual na corrente de Coletor. A fim de manter a queda de tenso em conduo baixa, a vida til dos portadores de carga em excesso deve ser mantida alta. Portanto, semelhante a outros dispositivos de portadores de carga minoritria h uma ponderao entre perdas em conduo e tempos mais rpidos de comutao.

2.2.

CONVERSORES DE POTNCIA TRIFSICOS

2.2.1.

Retificador a diodo em ponte

Os retificadores trifsicos em ponte so comumente utilizados para aplicaes de elevada potncia porque tm o maior fator de utilizao de transformador (Transformer Utilization Factor TUF) possvel para um sistema trifsico (RASHID, 2011). O circuito de um retificador trifsico em ponte mostrado na Figura 11.

Figura 11 Retificador trifsico em ponte

Fonte: (RASHID, 2011, p. 155)

Os diodos esto numerados na Figura 11 pela sequncia de conduo com um ngulo de conduo de 120. possvel utilizar qualquer combinao de ligao entre primrio e secundrio do transformador uma vez que as correntes associadas ao secundrio do transformador uma vez que as correntes no secundrio so simtricas. O valor da tenso mdia na sada do retificador dada por:

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Onde: Vm : Vdc:

( )

(1)

Valor de pico da tenso de entrada Valor mdio na sada do retificador

De forma similar pode-se encontrar o valor eficaz da tenso de sada atravs de:

( )]

(2)

Onde: Vm : VL: Valor de pico da tenso de entrada Valor eficaz na sada do retificador

Em adio, a corrente em cada secundrio do transformador pode ser calculada por:

(3)

Onde: Im: IS: Valor de pico da corrente na sada do retificador Valor eficaz da corrente na entrada do retificador

Este tipo de retificador muito popular aonde necessrio altas correntes e valores mdios de tenso como se pode ver na Figura 12. Em muitas aplicaes no nem necessria a utilizao de filtros adicionais, uma vez que a ondulao de tenso de apenas 4,2% e mesmo que seja necessrio filtro, este relativamente pequeno em relao s outras topologias de retificadores pelo fato da corrente ter uma frequncia igual a seis vezes a de entrada.

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Figura 12 Formas de onda no retificador trifsico em ponte

Formas de onda de tenso e corrente Fonte: (RASHID, 2011, p. 155)

2.2.2.

Inversores trifsicos fontes de tenso (Voltage Source Inverter VSI)

O principal objetivo dos inversores de potncia produzir uma onda de tenso alternada a partir de uma fonte contnua de tenso. Estes so os tipos de onda requeridos em drives de velocidade ajustveis (Adjustable Speed Drive ASD), fontes de alimentao ininterruptas (Uninterruptable Power System UPS), compensadores estticos de VAR, filtros ativos, sistemas flexveis de transmisso (Flexible Alternating Current Transmission Line FACTS) e compensadores de tenso, que so apenas algumas aplicaes. Segundo (RASHID, 2011) em funo do tipo de onda alternada de sada, estas topologias podem ser consideradas como inversores fontes de tenso (VSI), onde a sada de tenso alternada independentemente controlada. Essas estruturas so as mais utilizadas porque naturalmente se comportam como fontes de tenso como exigido por muitas aplicaes industriais, tais como ASD, a aplicao mais popular de inversores. Da mesma forma, estas topologias podem ser encontradas como inversores fonte de corrente (Current Source Inverter CSI), onde a sada de corrente alternada independentemente controlada. Os conversores estticos de potncia, especificamente os inversores, so construdos de chaves estticas e as ondas sondas de sada so, portanto, constitudas de valores discretos. Este comportamento deve ser assegurado por uma tcnica de modulao que controla a quantidade de tempo e a sequncia utilizada para comutar as chaves de potncia.

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As tcnicas de modulao mais utilizadas so a tcnica baseada em uma onda portadora, por exemplo, modulao por largura de pulso senoidal, espacial vetorial, e a tcnica de eliminao seletiva de harmnicos. O VSI gera uma onda de tenso alternada na sada composta de valores discretos (com altas variaes de tenso em relao ao tempo); portanto, a carga deve ser indutiva nas frequncias harmnicas a fim de produzir uma onda de corrente suave. Uma carga capacitiva, por sua vez, ir gerar picos de corrente.

Figura 13 Esquema de um ASD trifsico de trs nveis

Fonte: (RASHID, 2011, p. 358)

Ondas de tenso em trs nveis no so recomendadas para ASD de mdia tenso devido s altas variaes de tenso em relao ao tempo que seriam aplicveis aos terminais do motor (DUGAN, 2004). O princpio bsico construir a onda alternada de sada pretendida a partir de diversos nveis de tenso e diversas clulas de modo a obterem-se variaes temporais de tenso menores. Embora estas topologias sejam bem desenvolvidas em ASD, elas tambm so adequadas para compensadores estticos de VAR, filtros ativos e compensadores de tenso. Em muitas aplicaes necessrio enviar energia do lado AC do inversor para o lado DC. Por exemplo, sempre que um ASD necessitar ser freado ou reduzir a velocidade do motor, a energia cintica enviada para o link DC (Figura 13). Se um capacitor for usado para manter a tenso no link DC (como em um ASD padro) a energia deve ser dissipada ou enviada de volta para o sistema de distribuio, caso contrrio, a tenso do link DC aumentar continuamente. Segundo (RASHID, 2011) h duas abordagens para contornar este problema. A primeira abordagem exige que o capacitor do link DC seja ligado em

22

paralelo com um resistor, o qual deve ser devidamente ligado apenas quando a energia flui do motor para o link DC. Uma alternativa melhor seria enviar a energia de volta para a rede de distribuio, mas isso requer uma topologia de corrente reversvel entre a rede de distribuio e o capacitor do link DC. Uma abordagem moderna do tema requer um retificador com active front-end, onde a regenerao da energia para a rede ocorre de maneira natural. Os VSI monofsicos abrangem aplicaes de baixa gama de potncia e os trifsicos cobrem aplicaes de mdia e alta potncia. O principal objetivo destas topologias fornecer fonte de tenso trifsica, quando a amplitude, fase e frequncia das tenses deve ser sempre controlvel. Embora a maior parte das aplicaes exija ondas senoidais de tenso (p. ex. ASD, UPS, FACT, compensadores de Var), tenses arbitrrias so tambm necessrias em algumas aplicaes emergentes (por exemplo, filtros ativos, compensadores de tenso). Como em VSI monofsicos, os interruptores de qualquer perna do inversor (S1 e S4, S3 e S6, S5 e S2) no pode ser ligados simultaneamente porque isto resultaria em um curto-circuito entre a alimentao de tenso do link DC. Assim, as linhas de sada de tenses AC resultantes consistem de valores discretos de tenses que so V i, 0, -Vi para a topologia indicada na Figura 14. A seleo dos estados a fim de gerar a onda dada feito pela tcnica de modulao que deve assegurar a utilizao apenas dos estados vlidos.

Figura 14 Topologia do VSI trifsico

Fonte: (RASHID, 2011, p. 367)

23

2.2.3.

Modulao por Largura de Pulso Senoidal (Sinusoidal Pulse Width Modulation SPWM)

Para se produzir uma onda de sada de tenso com amplitude e frequncia controlveis, uma onda de referncia na frequncia e amplitude desejada comparada com uma onda triangular cuja sua frequncia estabelece a frequncia de chaveamento do inversor e normalmente mantida constante bem como sua amplitude. A onda triangular v da Figura 15 tem uma frequncia f que estabelece a frequncia que as chaves estticas do inversor so chaveadas e tambm pode ser chamada de frequncia portadora. O sinal de controle vc usado para modular o ciclo de trabalho e tem uma frequncia fc, que a frequncia fundamental da tenso de sada do inversor e tambm pode ser chamada de frequncia de modulao. Quando vc uma onda senoidal tem-se a Modulao por Largura de Pulso Senoidal (SPWM)

Figura 15 Sinais da onda portadora e de modulao

Fonte: (RASHID, 2011, p. 360)

A modulao de amplitude ma a relao entre a amplitude da onda de sada desejada e a amplitude da onda triangular. Sua definio matemtica mostrada em (4). Onde: ma : taxa de modulao de amplitude amplitude do sinal de controle amplitude do sinal da onda triangular
(4)

c: v
: v

A taxa de modulao de frequncia definida como a relao entre a frequncia da onda triangular e a onda de tenso na sada. Sua definio matemtica mostrada em (5).

24

(5)

Onde: mf : f : fc: taxa de modulao de frequncia frequncia da onda triangular frequncia fundamental da onda de tenso na sada do inversor

Figura 16 Onda de sada do inversor

Fonte: (RASHID, 2011, p. 360)

A Figura 16 mostra que a onda de sada basicamente uma senoide acrescida de harmnicas. Para valores mpares da taxa de modulao de frequncia as harmnicas na onda de tenso de sada aparecem em frequncias normalizadas fh centralizadas ao redor de mf e seus mltiplos conforme (6) ( )

(6)

Pode-se resumir para alguns valores de ordem harmnica o contedo harmnico conforme Tabela 1.

25

Tabela 1 Contedo harmnico genrico para a onda de tenso na sada de um inversor com modulao SPWM com um valor de mf alto e mpar

h 1

ma

0,2 0,122

0,4 0,245 0,037 0,200 0,085 0,007 0,096

0,6 0,367 0,080 0,227 0,124 0,029 0,005 0,021

0,8 0,490 0,135 0,005 0,192 0,008 0,108 0,064 0,064 0,051 0,010

1,0 0,612 0,195 0,011 0,111 0,020 0,038 0,042 0,042 0,073 0,030

mf2 0,010 mf4 2mf1 0,116 2mf 5 3mf2 0,027 3mf4 4mf1 0,100 4mf5 4mf7 Fonte: (MOHAN, 2003, p. 207)

2.2.4.

Conversor em matriz (Matrix Converter MC)

2.2.4.1. Introduo

O conversor em matriz (MC) um desenvolvimento do Cicloconversor com comutao forada baseado em chaves semicondutoras estticas bidirecionais

completamente controladas, incorporando-se controle de tenso PWM (RASHID, 2011). Com os progressos iniciais feitos por Venturini o conversor em matriz tem recebido considervel ateno nos ltimos anos, pois oferece uma boa alternativa em relao aos VSI tendo as vantagens de ser um conversor de estgio nico (converso direta AC-AC) com apenas nove chaves para uma converso de rede trifsica para carga trifsica e inerente fluxo bidirecional de potncia, ondas de entrada e sada senoidais com moderada frequncia de comutao, possibilidade de um design compacto devido ausncia dos componentes reativos do link DC e fator de potncia de entrada controlvel independente da corrente de carga na sada (BENDIABDELLAH e BACHIR, 2006).

26

Figura 17 Conversor em matriz trifsico- trifsico

(a) (b) (a) Topologia do conversor em matriz trifsico (b) diagrama de chaveamento Fonte: (RASHID, 2011, p. 507)

O esquema do circuito de alimentao do conversor em matriz mais prtico, trifsico para trifsico, mostrado na Figura 17(a) que utiliza nove comutadores bidirecionais dispostos de tal modo que qualquer uma das trs fases de entrada pode ser conectada a qualquer fase de sada conforme indicado no diagrama de comutao da Figura 17(b). Assim, a tenso em qualquer terminal de entrada pode ser transportada para qualquer terminal de sada ou terminais, enquanto a corrente em qualquer fase da carga pode ser proveniente de qualquer fase ou fases de alimentao de entrada. Para os interruptores, a combinao em antiparalelo de dispositivos autocontrolados em bloqueio inverso como MOSFET de potncia ou IGBT ou ponte composta de transstor e diodo, como mostrado, so utilizadas (MATSUO, BERNET, et al., 1996). O circuito chamado de um conversor em matriz porque prev exatamente um interruptor para cada uma das possveis ligaes entre a entrada e a sada. Os interruptores devem ser controlados de forma que apenas uma das chaves conectadas sada deve ser fechada por vez, para evitar curtos-circuitos na fonte ou interromper a corrente na carga. Com estas limitaes, pode-se ver que, dos 512 (=29) estados possveis do conversor, apenas 27 combinaes de chaveamento so admitidos como indicado na Tabela 2, que inclui as tenses resultantes de sada e as correntes de fase de entrada. Grupo I constitudo de seis combinaes quando cada fase de sada est ligada a uma fase diferente da entrada. No Grupo II h trs subgrupos, com seis combinaes cada, aonde duas fases da sada esto curto-circuitadas. O Grupo III contm trs combinaes em que as trs fases de sada esto em curto-circuito.

27

Tabela 2 Combinaes de chaveamento em conversor em matriz trifsico para trifsico

Fonte: (RASHID, 2011, p. 508)

Segundo (RASHID, 2011) com um dado conjunto de trifsico de entradas de tenso, qualquer conjunto trifsico de tenses desejado pode ser obtido na sada atravs da adoo de uma estratgia adequada de comutao. No entanto, possvel demonstrar que, independentemente da estratgia de chaveamento, h limites fsicos para a tenso alcanvel de sada com estes conversores, pois a mxima tenso de pico-a-pico na sada no pode ser maior do que a menor diferena de tenso entre duas fases da entrada (RASHID, 2011). Para ter o controle total da tenso sintetizada de sada, o envelope trifsico de referncia ou tenses alvo deve estar totalmente contido dentro do envelope contnuo trifsico de tenses de entrada. Inicialmente pode-se ter apenas uma relao de transferncia de 0.5 da tenso de entrada na sada conforme Figura 18, mas isto pode ser aumentado para 0,866 adicionando a terceira harmnica de tenso da frequncia de entrada (Vi/ 4) cos(3i t) a todas as tenses alvo de sada e subtraindo-lhes a terceira harmnica de tenso da frequncia de sada (Vo/ 6) cos(3o t) como mostrado Figura 19. No entanto, este processo envolve considervel quantidade de clculos adicionais para se sintetizar as tenses de sada. Outra alternativa a utilizao da estratgia de modulao espacial vetorial (SVM) como utilizado em inversores PWM sem adio de componentes harmnicos, mas tambm produz a relao de transferncia mxima de tenso de 0,866.

28

Figura 18 Tenses de entradas bsicas de um conversor em matriz

Fonte: (RASHID, 2011, p. 509) Figura 19 Mxima tenso atingvel com a insero de 3 harmnica

Fonte: (RASHID, 2011, p. 509)

Um filtro L-C normalmente utilizado para eliminar as ondulaes geradas pelas comutaes no conversor e a carga assumida suficientemente indutiva para manter a continuidade das correntes de sada.

2.2.4.2. Operao e controle do conversor em matriz

O conversor em matriz representado pela Figura 14e Figura 17 conecta qualquer fase de entrada (A, B ou C) a qualquer fase de sada (a, b ou c) a qualquer momento. Segundo (BENDIABDELLAH e BACHIR, 2006) quando conectados, as tenses de sada van, vbn e vcn so relacionadas s tenses de entrada vAo, vBo e vCo da seguinte maneira: [ ] [ ][ ]
(7)

Para uma carga equilibrada, linear e ligada em estrela, as correntes de fase na entrada podem ser representadas por:

29

[ ]

][ ]

(8)

O conversor em matriz deve ser controlado utilizando-se uma sequncia apropriada e especfica de chaveamento tal que resulte em tenses balanceadas na sada com a frequncia e amplitude desejadas e, ao mesmo tempo, a corrente de entrada seja balanceada e em fase com a tenso (deslocamento de fase IDF unitrio) ou tenha um valor arbitrado, ou seja, possui IDF controlvel. Como o conversor em matriz pode operar em qualquer frequncia, incluindo frequncia zero, tanto na entrada quanto na sada pode ser utilizado como um conversor universal atuando, por exemplo, como retificador, inversor ou chopper buck/boost. Os mtodos de controle adotados at agora para os conversores em matriz so consideravelmente complexos e entre os vrios mtodos propostos para controle independente da tenso de sada e corrente de entrada destacam-se os mtodos de Venturi e da modulao espacial vetorial (SVM) (RASHID, 2011). O mtodo de Venturi, segundo (RASHID, 2011), consiste em, dado um conjunto trifsico de tenses (Vi) de entrada com amplitude e frequncia constantes, calcula uma funo de chaveamento envolvendo os ciclos de trabalho das nove chaves bidirecionais de forma que se tem uma sada trifsica de tenso (Vo) que uma amostragem de pedaos das tenses de entrada. As tenses de sada seguem um conjunto de tenses de referncia e, com uma carga trifsica, um conjunto trifsico de correntes gerado na sada (Io). Este conjunto de correntes de sada chaveado de modo a se ter um conjunto de correntes de entrada (Ii) com um deslocamento de fase controlado. As funes de chaveamento envolvidas no mtodo so mostradas nas equaes (9) e (10), onde o elemento de modulao da matriz mij representa o ciclo de trabalho da chave bidirecional conectando a fase de entrada i fase de sada j. ( ) ( )] ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )] [ ( ) ( ) ( )] ( )

(9)

30

( ( (

) )] )

( ) ( ) ( )

( ) ( ) ( )

( ( (

) )] [ )

( ( (

) )] )

(10)

O mtodo da modulao vetorial espacial (SVM) uma tcnica de modulao PWM que leva a altos ganhos de tenso e baixo contedo harmnico comparado s outras tcnicas de modulao (RAMESHKUMAR, SREENIVASA e IAXMI, 2012). Neste tipo de modulao, o conjunto trifsico de correntes de entrada e de tenses de sada representado como vetores espaciais e a tcnica de modulao simultaneamente aplicada a ambos os conjuntos de vetores espaciais de tal forma que o conversor em matriz modelado como tendo um estgio retificador e um estgio inversor pelo mtodo indireto de modulao, como se pode ver na Figura 20. O algoritmo baseado no conceito de que as tenses de sada (vo) de um conversor matricial, para cada combinao de chaveamento, podem ser representadas pelo vetor espacial definido em (11).

Figura 20 Modelo indireto de modulao para um conversor em matriz

Fonte: (RASHID, 2011, p. 511)

(11)

De acordo com (RASHID, 2011) dos trs grupos da Tabela 2, apenas as combinaes de comutao do Grupo II e do Grupo III so utilizadas no SVM. O Grupo II consiste de vetores de estado de comutao de tenso que possuem posies angulares constantes e so chamados de vetores ativos ou estacionrios. Cada subgrupo do Grupo II determina a

31

posio do vetor espacial de tenso de sada resultante e dos seis vetores espaciais de estado de tenso que formam um hexgono de seis sextantes utilizado para sintetizar o vetor de tenso de sada desejado, como pode ser visto na Figura 21(a). O Grupo III compreende os vetores nulos posicionados no centro da sada do hexgono de tenso e so adequadamente combinados com o vectores ativos para a sntese da tenso de sada.

Figura 21 Hexgono de chaveamento

(a) (b) (a) Hexgono de chaveamento da tenso de sada (b) Hexgono de chaveamento da corrente de entrada Fonte: (RASHID, 2011, p. 511)

O mtodo de modulao envolve a seleo dos vetores e o clculo de seu tempo ligado. Em cada perodo de amostragem TS, o algoritmo seleciona quatro vetores ativos relacionados com quaisquer combinaes possveis setores de tenso de sada de corrente de entrada alm do vetor zero ou nulo para construir a tenso de referncia desejada. A amplitude e o ngulo de fase do vetor de tenso de referncia so calculados e o ngulo de fase desejado do vetor de corrente de entrada determinado de antemo. Para o clculo dos tempos de uso dos vetores escolhidos, eles so combinados em dois conjuntos principais de dois novos vetores adjacentes ao vetor de tenso de referncia no sextante e tm a mesma direo que o vetor de tenso de referncia. Aplicando a teoria da SVM padro, as equaes gerais derivadas para o tempo de uso do vetor que satisfaz, ao mesmo tempo, a tenso de sada e a o ngulo de deslocamento da corrente de entrada podem ser vistas em (13), (14), (15), (16) e (16).

32

( ( ( ) ( ) ( ( ) ) ) ( ( ) ) )

(12)

( ( ( ( Onde: q: i: i : o : TS :

) ) ) )

(13)

(14)

(15)

(16)

relao de transferncia de tenso ngulo de deslocamento de fase na entrada o ngulo de deslocamento de fase do vetor da corrente de entrada o ngulo de deslocamento de fase do vetor da tenso de sada o perodo de amostragem do sinal.

O valor integral do vetor de referncia calculado sobre um intervalo de amostragem como a soma dos produtos dos dois vetores adjacentes e suas relaes de tempo de uso e o processo repetido para cada instante de amostra.

2.3.

QUALIDADE DA ENERGIA

A eletrnica de potncia e a qualidade de energia esto irremediavelmente ligados juntos. Com os aumentos nos ltimos 20 anos em sistemas de converso de energia baseados em semicondutores de potncia, tem-se visto a qualidade da energia como um grande campo da engenharia de potncia. A eletrnica de potncia proporciona novas maneiras de fabricar produtos, prestar servios e utilizar a energia. Do ponto de vista da qualidade da energia algumas aplicaes so problemticas, tais como: Fontes chaveadas; Fornos a arco;

33

Reatores de lmpadas fluorescentes; Drives de velocidade ajustvel; Componentes para sistemas de transmisso flexvel em corrente alternada.

Do ponto de vista da instalao, estes sistemas podem levar reduo da vida til e problemas operacionais para outros equipamentos ligados mesma rede. preocupao que nasceu a o campo da qualidade da energia. O termo qualidade da energia pode ter diferente significado para diferentes pessoas. Para as concessionrias de energia pode querer dizer como sendo a habilidade do consumidor utilizar a energia entregue da forma desejada, o que pode incluir tpicos como confiabilidade e regulao de tenso e frequncia da tenso de alimentao. Para o consumidor final, qualidade da energia pode querer dizer utilizar a energia da maneira desejada, mas com outros tpicos, tais como a preocupao como continuidade do servio de fornecimento de energia e as formas de onda. De acordo com (DUGAN, 2004) a qualidade da energia pode ser dividida, grosso modo, em algumas categorias: Transitrios; Interrupes; Subtenses; Sobretenses; Distores de onda; Flutuaes de tenso; Variaes de frequncia. Foi dessa

2.4.

HARMNICAS

O termo harmnico originrio da acstica, aonde definido como uma vibrao provocada por uma corda em uma coluna de ar com frequncia que mltipla inteira da frequncia base. No contexto da eletrnica de potncia, harmnico de um sinal definido

34

como um sinal que tem frequncia que mltipla inteira da fundamental do sistema, ou seja, a frequncia da tenso de entrada no conversor.

2.4.1.

Srie de Fourier

Uma funo peridica quando seus resultados se repetem em perodos regulares (T). () ( )

(17)

Se a frequncia (f) dada em Hertz, a frequncia angular () pode ser escrita da seguinte maneira:

(18)

E a funo pode ser reescrita: ( ) ( )

(19)

O teorema de Fourier diz que uma funo peridica pode ser expressa como um termo constante (valor mdio) seguido de uma srie infinita de senos e cossenos cujas frequncias so mltiplas da frequncia angular fundamental. Dessa maneira pode-se escrever a tenso de sada de um conversor da seguinte maneira

)]

(20)

As constantes da srie so determinadas de acordo com as expresses:

()

) (

(21)

35

() ()

( (

) )

( (

) )

( (

) ( ) (

) )

(22)

(23)

Pode-se, ainda, escrever a tenso de sada de um conversor em funo de um valor mdio, uma amplitude e uma fase.

(24)

Onde: ( ( ) )
(25) (26)

2.4.2.

Parmetros de desempenho em conversores

Os conversores de potncia tem por caracterstica fundamental converterem sinais com uma caracterstica em outro com caractersticas diferentes e neste processo, atravs de processos como o chaveamento, deforma-se as formas de onda de tenso e corrente tanto na entrada quanto na sada. Pensando nisso utiliza-se de parmetros para avaliar os impactos dos conversores, no que tange a harmnicos, nos sistemas alimentados e alimentadores.

2.4.2.1. Distoro Harmnica Total (Total Harmonic Distortion THD) A distoro harmnica total de uma forma de onda representa o quanto esta forma de onda difere de uma onda senoidal pura. Costuma-se definir a THD de corrente na entrada de um conversor e a de tenso na sada, como se pode ver em (27) e (28).

( Onde:

*(

(27)

36

THDi: distoro harmnica total de corrente; IS1: IS: componente fundamental da corrente eficaz de entrada; corrente eficaz de entrada.

( Onde:

*(

(28)

THDv: distoro harmnica total de tenso; Von: Vo1: tenso eficaz da ensima componente harmnica da tenso eficaz de sada; componente fundamental da tenso eficaz de sada.

2.4.2.2. Fator de Deslocamento (Displacement Factor - DF)

O fator de deslocamento o que representa o deslocamento de fase entre a componente fundamental de tenso e corrente de entrada do conversor e dado por (29). ( ) Onde: : do conversor. ngulo entre as componentes fundamentais de tenso e corrente na entrada

(29)

2.4.2.3. Fator de Potncia (Power Factor PF)

O fator de potncia a relao entre a potncia til fornecida e a potncia aparente consumida.

( ) Onde: IS1: IS: VS: componente fundamental da corrente eficaz de entrada corrente eficaz de entrada tenso eficaz de entrada

(30)

37

VS1: : do conversor.

componente fundamental da tenso eficaz de entrada ngulo entre as componentes fundamentais de tenso e corrente na entrada

2.4.2.4. Fator Harmnico (Harmonic Factor HF)

O fator harmnico de uma harmnica de ordem "n" a medida de sua contribuio individual.

(31)

Onde: Von: Vo1: tenso eficaz da ensima componente harmnica da tenso eficaz de sada componente fundamental da tenso eficaz de sada

3.

METODOLOGIA Para a realizao do experimento utilizou-se o software Matlab, mais

especificamente o Simulink, aonde foram simulados um conversor em matriz trifsicotrifsico utilizando a tcnica de SVPWM e um conversor indireto tipo VSI utilizando a tcnica de SPWM. Ambos os conversores foram simulados acionando um motor eltrico trifsico objetivando-se estudar suas caractersticas em regime. Alm da configurao bsica dos conversores tambm foi utilizado tcnicas de filtragem comuns. Para o conversor VSI foi utilizada uma reatncia de entrada calculada de acordo com (AMERICAN BUREAU OF SHIPPING, 2006) com valor mximo de queda de tenso igual a 5%. Para o conversor em matriz utilizou-se de um filtro amortecido que, conforme (YASKAWA ELECTRIC, 2008) normalmente fornecido incorporado ao mesmo, e foi dimensionado conforme (SHE, LIN, et al., 2009). Para cada simulao registrou-se as correntes de entrada e as tenses de sada de modo a possibilitar a utilizao da ferramenta Transformada Rpida de Fourier (Fast Fourier Transform FFT) pertencente ao mdulo PowerGui que possibilita extrair as componentes harmnicas de um trecho de sinal.

38

A simulao foi feita por um tempo de 2 segundos e o sinal analisado foi de 1 ciclo comeando em 118/60 segundos at 119/60 segundos para todos os casos. Aps a anlise via FFT comparou-se os resultados obtidos por ambos os conversores.

39

Figura 22 Modelo de simulao para o conversor VSI

40

Figura 23 Modelo de simulao para o conversor em matriz

41

4. 4.1.

RESULTADOS E DISCUSSO CONVERSOR VSI SEM FILTRO DE ENTRADA

Figura 24 forma de onda da corrente na entrada do conversor VSI

Figura 25 FFT da onda de corrente na entrada do conversor VSI

42

Tabela 3 Contedo harmnico da onda de corrente na entrada do conversor VSI

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.53% 100.00% 3.07% 0.26% 3.08% 99.50% 1.05% 99.24% 3.04% 0.26% 3.05% 98.47% 1.03% 97.90% 2.97% 0.26% 2.99% 96.86% 1.00% 96.07% 2.86% 0.25% 2.89% 94.61% 0.96% 93.67% 2.73% 0.24% 2.76% 91.81% 0.91% 90.70% 2.58% 0.24% 2.61% 88.47% 0.86% 87.15% 2.39% 0.23%

fase 270.0 0.6 170.2 88.2 9.9 180.0 269.0 -0.0 170.2 84.6 9.9 180.1 268.0 0.1 170.3 81.1 10.0 180.2 267.0 0.0 170.4 77.4 10.0 180.2 266.0 0.1 170.4 73.7 10.0 180.2 265.0 0.1 170.5 69.9 10.1 180.3 263.9 0.1 170.6 65.9

43

Figura 26 forma da onda de tenso na sada do conversor VSI

Figura 27 FFT da onda de tenso na sada do conversor VSI

44

Tabela 4 Contedo harmnico da onda de tenso na sada do conversor VSI

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.06% 100.00% 1.31% 0.06% 0.62% 0.17% 0.27% 0.17% 0.14% 0.20% 0.43% 0.27% 0.15% 0.27% 0.19% 0.03% 0.11% 0.12% 0.26% 0.19% 0.11% 0.16% 0.23% 0.14% 0.06% 0.06% 0.23% 0.01% 0.08% 0.14% 0.16% 0.06% 0.05% 0.20% 0.16% 0.26% 0.05% 0.20% 0.26% 0.03%

fase 90.0 28.2 -38.0 -37.0 20.4 244.3 37.4 27.7 -19.8 216.4 4.6 -78.5 -1.6 225.8 -9.7 209.0 257.2 220.0 140.3 190.8 248.0 155.9 253.2 192.0 31.4 163.6 -84.8 173.7 -3.2 62.2 142.3 -65.0 54.4 179.7 9.7 21.7 26.7 -52.2 141.6 191.9

45

4.2.

CONVERSOR VSI COM FILTRO DE ENTRADA

Figura 28 forma de onda de corrente na entrada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada

Figura 29 FFT da onda de corrente na entrada do VSI com reatncia de 5% na entrada

46

Tabela 5 Contedo harmnico da onda de corrente na entrada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.17% 100.00% 0.16% 0.10% 0.13% 70.48% 0.16% 48.23% 0.04% 0.02% 0.03% 13.38% 0.07% 8.73% 0.03% 0.02% 0.02% 6.78% 0.04% 4.52% 0.02% 0.01% 0.02% 3.50% 0.03% 3.00% 0.01% 0.01% 0.01% 1.95% 0.02% 1.95% 0.01% 0.01% 0.01% 1.31% 0.02% 1.27% 0.01% 0.01%

fase 90.0 -12.4 226.4 224.6 221.5 114.4 -10.8 264.9 94.9 70.9 45.7 -3.9 147.5 97.7 260.1 245.1 226.1 164.2 -42.6 -74.9 62.2 48.3 33.3 -31.7 132.3 93.8 228.5 212.1 196.8 139.0 -57.2 257.9 40.0 20.8 2.8 -45.6 108.4 65.5 211.5 192.9

47

Figura 30 forma de onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada

Figura 31 FFT da onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada

48

Tabela 6 Contedo harmnico da onda de tenso na sada do conversor VSI com reatncia de 5% na entrada

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.05% 100.00% 1.31% 0.06% 0.62% 0.17% 0.27% 0.17% 0.14% 0.20% 0.43% 0.27% 0.15% 0.27% 0.19% 0.03% 0.11% 0.12% 0.26% 0.19% 0.11% 0.16% 0.23% 0.14% 0.06% 0.06% 0.23% 0.01% 0.08% 0.14% 0.16% 0.06% 0.05% 0.20% 0.16% 0.26% 0.05% 0.20% 0.26% 0.03%

fase 90.0 28.2 -38.0 -37.0 20.4 244.3 37.5 27.9 -19.8 216.3 4.6 -78.6 -1.6 225.7 -9.7 208.6 257.1 220.0 140.3 190.8 247.9 155.9 253.2 192.0 31.6 163.5 -84.8 173.1 -3.1 62.3 142.3 -65.1 54.5 179.7 9.7 21.8 26.9 -52.2 141.6 191.8

49

4.3.

CONVERSOR EM MATRIZ

Figura 32 forma de onda de corrente na entrada do conversor em matriz

Figura 33 FFT da onda de corrente na entrada do conversor em matriz

50

Tabela 7 Contedo harmnico do sinal de corrente na entrada do conversor em matriz

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 3.35% 100.00% 4.50% 1.38% 1.56% 11.66% 0.08% 10.11% 0.37% 1.98% 0.27% 5.78% 0.25% 17.57% 0.39% 1.77% 0.09% 2.20% 0.13% 2.81% 0.13% 0.94% 0.36% 2.44% 0.25% 1.35% 0.30% 1.61% 0.18% 0.58% 0.20% 2.01% 0.42% 1.74% 0.15% 0.45% 0.49% 1.56% 0.24% 0.45%

fase 90.0 -19.3 -76.3 -86.1 120.8 70.1 84.5 256.5 3.4 198.1 -82.7 52.2 -59.4 66.3 131.5 249.2 261.0 239.7 -15.6 52.2 -19.5 82.3 31.5 67.7 113.1 -70.2 214.2 39.1 156.5 136.4 88.7 221.4 40.0 53.9 208.4 -13.3 231.4 30.7 142.2 190.2

51

Figura 34 forma de onda de tenso na sada do conversor em matriz

Figura 35 FFT da onda de tenso na sada do conversor em matriz

52

Tabela 8 Contedo harmnico do sinal de tenso na sada do conversor em matriz

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.04% 100.00% 0.08% 0.06% 0.08% 1.10% 0.07% 0.80% 0.08% 0.08% 0.06% 0.31% 0.13% 1.01% 0.09% 0.23% 0.05% 0.20% 0.05% 0.28% 0.05% 0.17% 0.13% 0.08% 0.11% 0.36% 0.05% 0.45% 0.03% 0.04% 0.03% 0.20% 0.12% 0.10% 0.11% 0.03% 0.05% 0.23% 0.05% 0.21%

fase 90.0 28.5 81.6 186.7 88.0 132.9 112.5 186.3 122.8 -74.2 93.8 -38.2 64.3 171.7 79.0 185.0 80.1 -73.0 117.1 62.5 88.8 53.2 69.3 129.9 86.5 -46.0 48.7 14.8 87.1 56.4 69.6 -64.4 80.6 8.0 103.3 111.2 43.5 103.4 53.0 64.3

53

4.4.

CONVERSOR EM MATRIZ COM FILTRO DE ENTRADA

Figura 36 forma de onda de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada

Figura 37 FFT da onda de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada

54

Tabela 9 Contedo harmnico do sinal de corrente na entrada do conversor em matriz com filtro na entrada

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 1.67% 100.00% 2.53% 0.88% 0.91% 7.54% 0.07% 6.85% 0.25% 1.44% 0.38% 5.70% 0.31% 15.24% 0.26% 1.76% 0.26% 2.44% 0.31% 3.27% 0.38% 1.45% 0.42% 5.78% 0.70% 8.43% 1.77% 21.84% 3.77% 3.35% 1.85% 6.90% 0.69% 3.28% 0.45% 0.55% 0.65% 1.20% 0.20% 0.40%

fase 90.0 47.5 266.9 268.6 122.4 67.5 240.8 255.5 -21.8 203.9 -85.1 56.2 -77.6 65.3 165.8 251.9 259.4 239.9 -64.4 51.3 -71.1 79.2 -3.0 52.8 189.5 -11.6 233.7 1.2 119.2 127.5 -32.7 47.6 206.6 239.4 51.1 137.6 61.5 211.3 6.7 31.7

55

Figura 38 forma de onda de tenso na sada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada

Figura 39 FFT da onda de tenso na sada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada

56

Tabela 10 Contedo harmnico do sinal de tenso na entrada do conversor em matriz com filtro L-C na entrada

frequncia (Hz) 0 60 120 180 240 300 360 420 480 540 600 660 720 780 840 900 960 1020 1080 1140 1200 1260 1320 1380 1440 1500 1560 1620 1680 1740 1800 1860 1920 1980 2040 2100 2160 2220 2280 2340

Harmnica 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

% da fundamental 0.04% 100.00% 0.08% 0.07% 0.08% 1.04% 0.07% 0.87% 0.08% 0.06% 0.06% 0.24% 0.12% 0.90% 0.10% 0.26% 0.04% 0.16% 0.05% 0.27% 0.05% 0.17% 0.11% 0.07% 0.08% 0.15% 0.07% 0.51% 0.15% 0.38% 0.10% 0.50% 0.16% 0.12% 0.11% 0.05% 0.06% 0.27% 0.04% 0.23%

fase 90.0 28.5 85.3 190.4 87.3 131.8 111.7 186.0 125.4 -74.1 95.6 -37.0 66.1 171.1 78.7 183.7 90.0 -78.7 119.0 54.6 90.5 55.6 68.4 85.0 87.8 -7.7 95.2 -0.2 22.8 53.3 253.5 -61.4 85.6 152.7 91.2 55.9 26.7 100.4 48.9 55.5

57

5.

CONCLUSO

Aps a anlise dos resultados pode-se ver que o conversor em matriz apresenta melhor desempenho com relao ao contedo harmnico em relao ao conversor VSI indireto. Alm disso, mesmo considerando-se os filtros utilizados, para se obter uma THD de 34,86% do conversor em matriz contra os 87,48% do conversor VSI foi necessrio bem menos elementos reativos no sistema. O inconveniente do conversor em matriz a complexidade do seu sistema de controle e o elevado nmero de componentes semicondutores, uma vez que no h chaves semicondutoras bidirecionais levando a serem utilizadas outras topologias com combinaes de IGBT e diodos. De uma maneira geral o conversor em matriz se mostrou um objeto de estudo interessante para o acionamento com velocidade varivel, do ponto de vista da qualidade da energia, uma vez que tem um impacto menor na produo de harmnicos de corrente na rede.

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

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