Instituto Tecnolgico de Morelia Posgrado de Ingeniera Elctrica 2 Semestre

Tarea. Convertidor trifsico con tiristores.

Gibrn Jos Dvalos Villaln No Control: M08120829

Electrnica de Potencia
Tarea Profesor: Dr. Edgar Lenymirko Moreno Goytia Octubre del 2013

Convertidor trifsico con tiristores

Introduccin
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

Caractersticas de los Tiristores

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn, tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura a amuestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn.

Figura a. Smbolo del tiristor y uniones pn

Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado
1

desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa. La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, I L, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento I H , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, I L. Esto significa que IL>IH . La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.

Tipos de tiristores
La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:

1. Tiristores de control de fase (SCR). 2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR). 3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). 4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). 5. Tiristores de conduccin inversa (RTC). 6. Tiristores de induccin esttica (SITH). 7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR). 8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH). 9. Tiristores controlados por MOS (MCT).

Desarrollo

A continuacin se analizar el convertidor trifsico con tiristores. El circuito empleado en la simulacin se muestra en la figura 1 y corresponde a uno de los circuitos Demo que posee el simulink. El estudio consisten en la variacin de los parmetros del convertidor tales como la carga (inductancia y resistencia) y el ngulo de disparo de los tiristores. Adems se analizar la distorcin armnica total THD de las seales en la lnea o lado de CA y en la carga. Los resultados obtenidos en las simulaciones se muestran a continuacin.

Figura 1. Circuito correspondiente a un convertidor trifsico con tiristores

Variacin de ngulo de disparo

A continuacin se presentan los resultados de las simulaciones obtenidas al variar el ngulo de disparo de los tiristores.
=10 4

Figura 2. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles

200 100 0 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 31.43 , THD= 322.90%

Mag (% of Fundamental)

150

100

50

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 3. Forma de onda del voltaje en la carga, con un THD de 322.9% y mayores magnitudes en la componente de CD, la correspondiente al sexto y doceavo armnico

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles

20 10 0

0.02

0.04 0.06 Time (s)

0.08

0.1

Fundamental (60Hz) = 0.7656 , THD= 423.79% 200

Mag (% of Fundamental)

150

100

50

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 4. Forma de onda de la corriente en la carga, con un THD de 423.8% y mayores magnitudes en la componente de CD y disminucin paulatina en el nivel de armnicos.

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 20 0 -20 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 10.36 , THD= 44.85% 20 15

Mag (% of Fundamental)

10 5

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 5. Forma de onda de la corriente en la fase A en el lado de CA, con un THD del 44.85% y mayores magnitudes en los cinco primeros armnicos. 6

=0

Figura 6. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente, para un ngulo de disparo de 0

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 130

125

120 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 0.09075 , THD= 1084.27%

Mag (% of Fundamental)

100 80 60 40 20 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 7. Formas de onda de voltaje en la carga, con una distorsin armnica total de 1084.27%

El THD en el lado de la lnea o parte de CA es iA e iB es de 0.11% debido a que la corriente es casi cosenoidal, mientras que el correspondiente a la corriente en la
7

carga id es de 4101% ya que id=0v, por lo que es muy diferente a la onda cosenoidal.
=50

Figura 8. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente, para un ngulo de disparo de 50.

=90

Figura 9. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente

El THD en la corriente de la fase a es de 23.65%. En la carga, el voltaje tiene un THD de 63.51% y de 26.29% en su corriente.
=150

Figura 10. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente para un ngulo de disparo de 150

=180

Figura 11. Formas de onda de corriente en la lnea (lado de CA), voltaje en la carga y corriente en la carga, respectivamente, para un ngulo de disparo de 180.

En el caso donde el ngulo de disparo es de 180 se alcanza un THD de 60.31% en la corriente de la fase a, de 73.89% en el voltaje de la carga y de 27.03% en la corriente de la misma. En este ltimo parmetro (corriente de la carga) la componente de CD alcanza un 143% y el segundo armnico un 25% con respecto a la fundamental (69 Hz).

Variacin de los elementos del convertidor

La carga base corresponde a una resistencia en serie con un inductor, cuyos valores son de 1 y 20 mH, respectivamente. Los resultados de la simulacin utilizando estos valores de carga se muestran en las figuras 2, 3, 4 y 5. A continuacin se variarn los parmetros de dichos elementos y se ver el efecto de tales variaciones en las seales de salida del convertidor. El ngulo de disparo para todas las pruebas es de =10

Con aumento en la inductancia

R=1 y L=2000 mH

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 5 0 -5 0 0.02 0.04 Time (s) 0.06 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 0.7229 , THD= 44.43%

Mag (% of Fundamental)

25 20 15 10 5 0

Figura 12. Forma de onda de corriente en la lnea, con un THD del 44.43% y un 27% en la componente de CD con respecto a la fundamental (60 Hz). Se aprecia mayor aportacin en la segunda y quinta armnica.

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

10

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 300 250 200 150 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 0.7801 , THD= 5924.47% 5000

Mag (% of Fundamental)

4000 3000 2000 1000 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 13. Forma de onda del voltaje en la carga con un THD de 5924% y mayores magnitudes en la componente de CD y en el sexto armnico (casi 5000% con respecto a la fundamental)

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 6 4 2 0 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 0.3737 , THD= 80.06% 100

Mag (% of Fundamental)

80 60 40 20 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 14. Forma de onda correspondiente a la corriente circulando en la carga, con THD de 80.06% en donde se observa que la componente de mayor magnitud es la de CD y los armnicos decrecen en magnitud al aumentar su orden. 11

Figura 14. Formas de onda de las corrientes en las lneas correspondientes a las fases a y b, al voltaje en la carga y a la corriente en la misma.

Con disminucin en la inductancia

R=1 y L=0.20 mH

Figura 15. Formas de onda de las corrientes en las fases a y b (lado d CA), del voltaje en la carga y corriente en la misma.
12

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 50

-50 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 30.78 , THD= 58.07% 40

Mag (% of Fundamental)

30

20

10

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 16. Distorsin armnica de la corriente en la fase A, con un THD de 58.07% y magnitudes considerables en la quinta y sptima armnica

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 220 200 180 160 140 120 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 12.78 , THD= 201.41% 120

Mag (% of Fundamental)

100 80 60 40 20 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 17. Forma de onda de voltaje en la carga y distorsin armnica. THD de 2015. Se aprecia mayor aportacin en la segunda, tercera y sexta armnica, aparte de la componente de CD y la fundamental.

13

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 80 60 40 20 0 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 11.64 , THD= 209.82%

Mag (% of Fundamental)

100 80 60 40 20 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 18. Forma de onda de corriente en la carga, con THD de 209.8% y mayor aportacin de armnicos de la componente de cd. Con aumento en la resistencia

R=100 y L=20 mH

Figura 19. Formas de onda con aumento de carga resistiva de 1 a 100 Ohms, inductancia de 20 mH.
14

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 1 0 -1 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 1.553 , THD= 35.16% 30

Mag (% of Fundamental)

25 20 15 10 5 0 0 2 4 6 8 10 Harmonic order 12 14 16

Figura 20. Distorsin armnica total de 35% en la corriente de la fase A con mayor aportacin en la tercer armnica.

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 250 200 150 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 1.729 , THD= 2604.80% 2000

Mag (% of Fundamental)

1500

1000

500

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 21. Distorsin armnica total en el voltaje de la carga de 2604% con componentes principales de CD y en la sexta armnica.

15

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 1.5 1 0.5 0 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 0.05384 , THD= 719.81% 600

Mag (% of Fundamental)

500 400 300 200 100 0 0 2 4 6 8 10 Harmonic order 12 14 16

Figura 22. Distorsin armnica total para la corriente en la carga, con un valor de 719.8% Con disminucin en la resistencia

R=0.001 y L=20 mH

Figura 23. Resultados de la simulacin con una resistencia mucho menor, con valor de R=0.001 y L=20mH
16

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 20 0 -20 0 0.02 0.04 0.06 Time (s) 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 10.65 , THD= 46.68%

Mag (% of Fundamental)

20 15 10 5 0

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 24. Distorsin armnica total en la corriente de la fase A del lado de CA

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 200 100 0 0 0.02 0.04 Time (s) 0.06 0.08 0.1

Fundamental (60Hz) = 34.98 , THD= 301.29%

Mag (% of Fundamental)

150

100

50

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 25. THD del voltaje en la carga con un valor de 301.29% y mayor magnitud en la componente de CD.

17

Selected signal: 6 cycles. FFT window (in red): 1 cycles 30 20 10 0

0.02

0.04 0.06 Time (s)

0.08

0.1

Fundamental (60Hz) = 0.9095 , THD= 386.77% 200

Mag (% of Fundamental)

150

100

50

6 8 10 Harmonic order

12

14

16

Figura 26. THD en la corriente de la carga de 386.77% con mayor aportacin de la componente de CD tal como sucede en el voltaje de la carga.

Comentarios y conclusiones
Como se observa en las simulaciones, al variar el ngulo de disparo de los tiristores se consiguen variacin en los armnicos de voltajes y corrientes. Con un ngulo de disparo de 30 por ejemplo, el THD en la corriente de la fase a es de 23%, mientras que para un ngulo de 180 es de 60.31%, aumentando de esta forma la distorsin armnica con el ngulo de disparo. Para el caso de la carga, su voltaje registr un THD de 113% cuando el ngulo de disparo fue de 30 mientras que para 180 fue de 73%. Se observa pues una disminucin en la distorsin armnica total. Sin embargo, para el caso con ngulo de disparo de 180 solo se alcanzan magnitudes importantes en las componentes de CD y en los dos primeros armnicos, adems de la componente fundamental, mientras que en el caso del circuito con ngulo de disparo de 30 se tuvieron
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magnitudes considerables en los primeros 15 armnicos. Con respecto a la corriente de la carga paso algo similar, logrando un THD de 70.8% para cuando el ngulo de disparo fue de 30 y de 27% para cuando fue de 180%.

Por otra parte se vio que al variar la carga se obtendrn diferentes formas de onda de voltajes y corrientes y diferentes niveles armnicos. Por ejemplo, al aumentar la inductancia a un valor muy elevado se disminuye el rizado en la corriente en la carga, como se aprecia en la figura 14, disminuyendo as el efecto de muesqueo en la seal. Este efecto de notching se ve ms pronunciado al disminuir la inductancia, tal como es mostrado en la figura 15. Cuando se incrementa la resistencia de la carga manteniendo la inductancia constante, la corriente en la misma disminuye por obvias razones, adems dicha seal contiene grandes niveles armnicos principalmente en la componente de cd. Si se disminuye la resistencia se observa que los resultados en cuanto a armnicos son similares a los obtenidos en el caso base. Adems la corriente de la carga aumenta un poco, como se muestra en la figura 26.

Bibliografa
Para este trabajo se consultaron las siguientes fuentes. Notas del profesor Apuntes de clase

Y las siguientes pginas de internet: http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/hermosillo/pagi2.html http://www.abb.es/product/es/9AAC30200104.aspx

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