UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Per, Decana de Amrica)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y
ELECTRCA


RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA
DE UN AMPLIFICADOR DE UNA
SOLA ETAPA
(Informe Previo)


Curso : Laboratorio de Circuitos Electrnicos II

Integrante : KEVIN OSORIO MIRANDA 10190082



2014
a) Definir rbb, rbe, rbc, rce, Cbe, Cbc, gm, f

y f
T
.

rbb: Para esta resistencia se toma en cuenta la resistencia de contacto (conexin
real de la base), la del volumen (incluye la resistencia desde el terminal externo
hasta la regin activa de los transistores) y la resistencia de propagacin de la
base(resistencia real dentro de la base). Su valor est entre 10 y 50 O.
rbe: (Solo cuando el ckto esta en la regin activa)Resistencia entre los
terminales b y e.
rbc: Resistencia entre los terminales b y c.
rce: Resistencia entre los terminales c y e.
Cbe: O capacitancia de difusin. Capacitancia entre los terminales b y e. Es el
resultado del retardo, ocasionado por un hueco al pasar a travs de la base del
emisor al colector.
Cbc: O capacitancia de transicin. Capacitancia entre los terminales b y c. Su
valor es empieza desde los 30pF para transistores en baja frecuencia hasta 1 pF
para transistores en alta frecuencia.
gm: Conductancia dinmica.
mV
Ic
gm
26
= .

f

: Frecuencia de corte en corto circuito para la configuracin emisor comn.

( )

+ O
=
c Cb e Cb r
f
e med
' ' 2
1
|
|


f
T
: producto ganancia-anchura de banda del amplificador.
|
hfef f
T
=





b) En el circuito del experimento (fig 5) de acuerdo al modelo del transistor
en altas frecuencias, encontrar una expresin para f

/ f
T
.
















Haciendo el anlisis en continua:

100 = med |
mA Ic k
k
Ic 648 . 1 7 . 0 ) 69 . 0
100
882 . 9
( 12 . 2 = + + =
65 . 1577 77 . 15
26
= = = re
Icc
mV
re |


Segn el manual de dispositivos:
Cbe= 25 pF y Cbc=8 pF
Entonces, con lo anterior:l
( ) c Cb e Cb r
f
e med
' ' 2
1
+ O
=
|
|

( )
Hz
pF pF
f 08 . 3096252
8 25 65 . 1577 . 2
1
=
+ O
= |



c) Considerando que Cbc <0.1-50pF>, Cbe <100-1000pF> y rbe=V
ihfe
)/I
EQ
,
encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

Entonces, con estas consideraciones, se tiene:


( )
Hz
pF pF
f 446 . 1020742
1 . 0 100 65 . 1577 2
1
=
+ O
= |

d) En altas frecuencias Cul de las configuraciones del transistor ser ms
conveniente?Porqu?

La configuracin ms conveniente ser la de emisor comn. Ya que la
capacitancia de efecto millar al depender de Cce en base comn es muy
pequeo. Por lo tanto, sta desaparece. De modo que Ci y Co, sern mucho mas
pequeas, y la frecuencia de corte sera ms alta.
Veamos:
Cce Av Cbe Cwi Cmi Cbe Cwi Ci ) 1 ( + + = + + =
Cce Av Cbc Cwi Cmo Cce Cwo Co ) / 1 1 ( + + = + + =