Eletronica de Potencia Unidades 1 e 2

Universidade Federal do Ceará
Eletrônica de Potência
F C
- U
ProfessorE
D
Fernando
E
Antunes
–
C 2007.1
PE Semestre
G
www.dee.ufc.br/~fantunes fantunes@dee.ufc.br 1
Programa da Disciplina
• Unidade I – Introdução
– Objetivo, histórico e aplicações da Eletrônica de potência ;
– Semicondutores de potência: diodos, Transistor Bipolar e Tiristores;
–
–
Classificação dos conversores estáticos;
Cálculo térmico.
F C
-
• Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo
– Retificadores monofásicos de meia onda;
U
EE
– Retificadores Monofásicos de onda completa.
• Unidade III – Retificadores Trifásicos não controlados
– Comutação
– D
– Retificadores em Meia Ponte e Ponte Completa;
E–
C
• Unidade IV – Retificadores Controlados Monofásicos e Trifásicos
Retificadores em Meia ponte e Ponte Completa;
G P –
–
–
Fator de potência
Comutação
Pontes mista
1
• Unidade V – Transistor para Alta Freqüência
– MOSFET;
– IGBT.
• Unidade VI – Conversores CC-CC Abaixadores e Elevadores
F C
U
– Principio de operação;
–
–
–
-
Regulador CC-CC Abaixador (Conversor Buck);
Regulador CC-CC Elevador (Conversor Boost);
E
Regulador CC-CC Abaixador / Elevador (Conversor Buck / Boost);
– Operação com cargas RLE.
• Unidade VII – Conversores CC-CA
D E
–
–
C –
Estrutura Básica – VSI;
Principio de modulação por largura de pulso – PWM;
PE–
–
Estruturas monofásica
Estrutura trifásicas
G
• Aulas de Laboratório
– Característica de chaveamento de diodos e tiristores;
–
–
Conversores ca-cc monofásicos a diodo;
Conversores ca-cc trifásicos a diodo;
F C
–
–
-
Conversores ca-cc trifásico controlado a tiristor; U
Conversores ca-cc de monofásico controlado a tiristor;
–
–
Conversores ca-cc de 12 pulsos;
Conversor Buck a MOSFET/IGBT;
EE
–
–
–
Inversor monofásico; D
Conversor Boost a MOSFET/IGBT;
E
–
C
Inversor trifásico .
G P
2
Unidade I - Introdução
Definição de Eletrônica de Potência
• É uma nova tecnologia que trata da aplicação de dispositivos
condicionamento da energia elétrica;

F C
eletrônicos e componentes associadas para conversão, controle e
- U
EE
• Controle da Energia Elétrica, meio usado para se obter controle de
grandezas não elétricas como: velocidade de maquinas girantes,
– D
controles de temperatura de fornos, processo eletromecânicos,
intensidades de iluminamento e etc.
E C
G P
Definição de Eletrônica de Potência
• De uma maneira geral pode ser considerada como uma
tecnologia multidisciplinar que envolve:
– Dispositivos Semicondutores de Potência; F C
– Circuitos Conversores;
- U
– Máquinas Elétricas;
– Teoria de Controle;
EE
– Microprocessadores;
– Sistemas Elétricos. – D
E C
G P
3
Histórico
• Retificador a Arco de Mercúrio – inicio do século passado;

• Estrutura Retificadoras – Anos 30;
F C
• Tiristor – Grande evolução:
-
• Laboratório Bell, 1956; U
EE
• Comercializado pela GE, 1958;
• Anos 70 – diodos, Transistores de potência e GTO;
• Anos 80 – MOSFET e IGBT;
– D
• Anos 90 – Encapsulamento de Potência.
E C
G P
Aplicações
•
•
Fontes Estabilizadas
Controles de Motores
F C
•
•
Equipamentos de soldagem
Veículos Elétricos
- U
•
•
Tração Elétrica
Controle de Trânsito
EE
•
•
–
Utilização Aeroespacial
D
Utilização de fontes não Convencionais de Energias
•
• C
Carregadores de bateria
E
•
G PAlimentação de Emergência (UPS)
Sistema Elétricas de Potência
4
Conversores Estáticos
• Circuito projetados para processamento da energia;

• Convertem energia elétrica da forma como é fornecida por
F C
uma fonte, na forma requerida por uma carga;
-
• Alto rendimento (99% em grandes conversores); U
• Usam semicondutores como chaves;
EE
indutores.
– D
• Estrutura formada basicamente por chaves, capacitores e
E C
G P
Conversores Estáticos
F C
- U
• Conversores ca-cc (Retificadores)
EE
•
•
• –
Conversores cc-ca (Inversores) D
Conversores cc-cc (Choppers e fontes cc chaveadas)
C
Conversores ca-ca (Chaves ca)
PEVantagens :
Espaço físico
Desvantagens :
Harmônicos
G
Resposta rápida Interferências
Baixa manutenção
5
Chaves Semicondutoras
• Idealmente possuem apenas dois estados: Apresentam

completo bloqueio ou oferecem irrestrita condução à
F C
passagem de corrente.
• Podem ser:
- U
– Diodos;
– Tiristores;
EE
– Chaves controladas:
•
•
BJT – 1kV, 300A, 20kHz, 200kVA;
– D
C
MOSFET – 1kV, 100A, 50kHz;
•
E
IGBT – 3kV, 1kA, 20kHz, 3MVA;
•
P
MCT.
• IGCT
G
Aplicações típicas da Eletrônica de Potência
HVDC
C
10 00
TRAÇÃO
FO N T E S
CHAVEADA S
E LÉ T R IC A
AUTO MAÇÃO
U F
-
IN D U S T R IA L
10 0
Corrente de Condução, A
A C IO N A M E N T O
E
DE MOTO RES
10
D E
–
“B A L LA S T S ” D E
ILU M IN A Ç Ã O
1
C
E LE T R Ô N IC A
EMBA RCADA
E
(A U T O M O T IV A )
G P 0.1
10 10 0 10 00
T ens ão d e B loq u eio, V
1 0 0 00
6
Características Potência x Tensão
e Potência x Freqüência
C
VA
VA
10 7 10
7
GTO
U F
10
6
GTO
E -
10
6
BJT IGBT
10 5 Transistor
Bipolar
IGBT
Tiristor
D E 105
MOSFET
10
4 BJT
C – 104
10
PE3
MOSFET 103
G 10
2
www.dee.ufc.br/~fantunes
10
3
10
4
V
fantunes@dee.ufc.br
102 103 104 105
Hz
13
Junção PN
• Formam a base para o estudo dos diodos transistores e tiristores de potência.
C
+4 +4 +4
+4 +4 +4
U F
+4 +4
E - +4
• Cristal de Silício:
D E
Cristal de Silício e Elétrons de Valência
–
–
–
–
Pureza – em 10 9 átomos de silício há apenas um átomo estranho;
Isolante em baixas temperaturas;
C
Apresentam elétrons livres em altas temperaturas;
PE– Condutividade natural à temperatura ambiente, cerca de 2 x 1010elétrons

livres(Buracos) por cm 3 ;
G – Quando sujeito a campo elétrico os buracos movimentam se na direção do campo

comportando-se como portadores de carga positiva.
7
Dopagem
• Átomos estranhos substituem os de silício em varias posições da cadeia do

cristal alterando enormemente a habilidade de condução do cristal. A
F C
U
dopagem não deve alterar a estrutura original do cristal.
+4 +4 +4
E - +4 +4 +4
+4 +5 +4
D E +4 +3 +4
+4
C – +4 +4 +4 +4 +4
PE Cristal Tipo N Cristal Tipo P
G
União do Cristal P com o Cristal N
• Na junção os elétrons do cristal N se difundem no cristal P
ocupando os buracos formando uma região de depleção na
junção.
F C
• Campo elétrico na junção:
-
– Fica mais forte à medida que mais cargas atravessam a junção;
U
EE
– Atrasa o processo de formação da camada de depleção;
–
P N
D
– Age no sentido de empurrar os elétrons na região de depleção de volta
para a camada N.
E C -
-
-
+
+
+
G P -
-
+
+
Camada de depleção
8
União do Cristal P com o Cristal N
-
• Junção PN inversamente polarizada
FC
– Aumento da camada de depleção; p
– Ausência de portadores majoritários na junção;
-U
– Tensão reversa máxima é determinada pela n
camada de depleção.
E
+
Reversamente Polarizada
• Junção PN diretamente polarizada
D E
– Portadores majoritários saturam a junção; +
–
– Colapso de camada de depleção – cristal conduz;
– Condutividade consideravelmente menor que dos
metais;
C
p
PE– Perdas causam aquecimento excessivo para o

tamanho do cristal. -
n
G
www.dee.ufc.br/~fantunes fantunes@dee.ufc.br
Diretamente Polarizada
17
Diodo de Potência
• Região de arrasto:
– Camada n- não é encontrada nos diodos se
sinal;
F
Anodo C
– Estabelece a tensão reversa máxima
suportada pelo diodo;
- p+
U19 -3
Nd=1 cm
10µ m
Região de
EE
– Alta resistividade devido à baixa dopagem;
– Onde se estabelece a camada de depleção
n-
n+
Nd=10
14 -3
cm
-3
Nd=1019cm
arrasto
250µm
–
portadores majoritários;
D
– Resistividade reduz quando em polarização
direta devido à saturação da região por
Catodo
Seção Transversal de
E C
– Esta modulação da condutividade reduz
bastante a perda por condução.
um Diodo de Potência
G P
9
Característica V x I de um diodo de potencia
i
D
F C
- U
E
- V
RM
E
0 ,7 V v
AK
– D
• Com altas correntes a característica ôhmica mascara a exponencial;
• Quando polarizado inversamente, apenas uma pequena corrente de
fuga circula;
E C
• Requer tempo finito para mudar estado bloqueio / condução;
G P
• Tempo de transição e formas de ondas são afetadas pela
caracteristica intrínseca do diodo.
Característica de chaveamento de um diodo de potencia
I0 Carga
F C
U
D
indutiva
V C
E -
circuito Ic
E
de base
–
-
D
Circuito para análise na característica de
E C
chaveamento do diodo de potência
G P
10
• Condução:
t1– Remoção da carga armazenada na camada de
depleção com o aumento da condução.
i(t)
F C
U
I0
Camada de depleção ainda presente, queda
-
t
ôhmica na região de arrasto e indutâncias

Q rr
Irr
v(t)
presentes no circuito são causas da
E
t3 t4 t5
sobretensão; trr
E
t2 – Saturação da junção (Neutralização da
D
camada de depleção) e da região de arrasto e
estabelecimento da corrente e regime fazem
Von
–
V
a tensão cair para Von.

t1 t2
E C
G P
• Bloqueio:
t3 – A carga em excesso na região de arrasto
F C
U
i(t)
passa a ser removida por recombinação e I0
arrasto. Cessada a recombinação i(t)

reduz a zero;
E -
t4 – Fluxo de minoritários na formação da v(t)
camada de depleção inverte i(t). As
Q rr
Irr
t
E
t3 t4 t5
trr
junções p+ n- n- n+ permanecem
de portadores nas junções;
– D
polarizadas diretamente devido excesso
t5 – Retirados os portadores em excesso da

Von
V
t
E C
junção, esta polariza inversamente e logo
adquire substancial valor negativo. Os
minoritários passam a ter crescimento
t1 t2
G P negativo reduzindo a corrente reversa a

zero.
11
Transistor de potência
Base Emissor
C C
p
19-3
n+ Nd=10 cm
16 -3
Nd=10 cm
10µ m
5−20µ m B Ic B
F CIc
n-
n+
-3
Nd=10 14cm
-3
Nd=10 19cm
50−200µ m
250µ m
-
E
NPN UE
PNP
Coletor
EE
• Nível de dopagem influencia as características do dispositivos;
ruptura do transistor;
– D
• Região de arrasto possui dopagem leve e determina a tensão de
• A espessura da base é feita menor possível, para maior ganho

de corrente;
E C
• Uma menor espessura de base limita a tensão reversa máxima
G P
que pode ser aplicada ao transistor.
Transistor de potência
Junções PNP e NPN p
• Emissor – cristal de alta dopagem;
• Base – cristal de media dopagem;
n
F C
U
• Coletor - cristal de alta dopagem. p
• Processo de condução:
E -
– Pequena corrente é introduzida na base através de circuito de controle;
E
– Algumas cargas alcançam a camada de depleção (ausente de carga)
coletor-base e são arrastados para o circuito externo através do coletor,
iniciando se uma condução;
D
condutor;
C –
– A corrente de base satura a junção coletor-base tornando o transistor
– Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como
PEuma chave fechada, para corrente de base nula comporta-se com uma alta
resistência .
G
12
Introdução – Transistor NPN
• Condução no transistor NPN (O mais

usado):
+
F C
• Inicio de condução - os elétrons fluem do
emissor para base (sentido real de
corrente).
-
Coletor
U n
Base
• A grande maioria dos elétrons atingem a
camada de depleção base-coletor
EE p
D
n
(inversamente polarizada).
–
• O campo elétrico da tensão de polarização
externa atrai os elétrons para camada de
depleção, saturando-a.
C
Emissor
-
PE
• Inicia-se um fluxo de elétrons no sentido
emissor coletor, isto é corrente elétrica no
Gsentido coletor emissor.
Característica V x I do transistor de potência
quasi-
C
saturação ruptura
saturação
plena secundária
I
C
I B4
Coletor
U F +
-
n
ruptura
I B3 primária n- Base
I
I
B2
B1
EE p
n
0
I
–
• Vsus: tensão máxima emissor-coletor
B0
IB=0
Vsus VBCE0 D
V
CE
Emissor
-
E C
quando o dispositivo esta conduzindo;
• Ruptura primária: avalanche convencional
P
na junção;
• Ruptura secundária: alta dissipação de
Gpotência em pontos localizados no cristal
13
Característica de chaveamento de um transistor de potência
I0 Carga
F C
U
D
indutiva
V C
E -
circuito Ic
E
de base
–
-
D
Circuito para análise na característica de
E C
chaveamento do transistor bipolar
G P
• Condução:
C
iB(t)
IB(on)
F
– Inicio do processo de retirada da 0
camada de depleção. Vce não é t
alterada;
– Vce na se altera pois o diodo em
paralelo com a carga esta
-
vBE(t)
0
VBE(off)
VBE(on)
U t
conduzindo;
– O diodo em paralelo deixa de
EE iC(t)
0
I0
D
t
conduzir;
– O ganho do transistor diminui vCE(t)
–
Vd VCE(sat)
reduzindo a taxa de queda de 0
Vce.
C
t d(on) t s t
t=0 t f1 t f2
td(on)
ts
PE
G
tf1
tf2
14
i B(t)
IB(on)
C
0
t
vBE(t)
0
VBE(on)
U F
-
VBE(off) t
i C(t)
E
I0
0
E
t
D
vCE(t)
Vd
VCE(sat)
–
0
ts t t f1 td(on) t
f2
• Bloqueio: t=0
E
junção; C
– Para bloquear um transistor tem se que remover toda carga armazenada na
G P
– Após ts o transistor deixa a região de saturação e passa a de quase
saturação;
– Redução de carga na região de arrasto
catodo gatilho
Tiristor
Anodo
19 -3 19 -3
C
10 cm n+ 10 cm 10 µm +
n+
F
p 17 -3 30 - 100 µm catodo p
10 cm J1
U
n
n- 17 14 -3 J2
10 -5 x 10 cm
-
50 - 1000 µm p Gatilho
gatilho
J3 +
17 -3 n
E
p 10 cm 30-50 µm
19 -3
p+ 30-50 µm Anodo -
E
10 cm
Catodo
Anodo
(a)
• Também chamado de SCR; – D (b)
E C
• Mais antigo dispositivo de potência em estado sólido
G P • É um dispositivo de quatro camadas
15
Junções PNPN
+ Anodo a
p E
F C
n
p
n
p
Gatilho
- C
B
U
B
C v ak
n
EE g v gk E
•
–
Catodo
NPN inicia a condução;
- D k
E
•
• C
Circula corrente pela junção base-emissor do transistor PNP;
Há uma realimentação positiva;
G P • Corrente através do dispositivo é autosustentada.
Junções PNPN
Anodo
• J1 e J3 são polarizadas diretamente
e J2 inversamente; +
F C
• A ação dos dois emissores saturam
a junção J2;
- p U J1
• A camada n absorve a camada de
depleção;
EE n
J2
• Logo J2 determina a tensão
–
máxima aplicável ao tiristor. D p
n
J3
Gatilho
+
E C -
G P Catodo
16
Característica V x I de um tiristor
• Sob tensão inversa o tiristor

comporta-se similarmente a um
i
A
F C
diodo polarizado inversamente, que
conduz pouca corrente até que
- U Estado de condução direta
avalanche ocorra.
• A região de alta tensão e baixa EE
corrente é a região de bloqueio em
polarização direta
– D -V
RM
IH
IB0
i g>0
i g=0
VH Estado de bloqueio VB0 v

em polarização AK
C
direta
PE
G
Característica de chaveamento
• Condução:
– Durante td(on) a corrente de i g(t)=0
FC
t
gatilho injeta portadores na

camada p2;
– Condução inicia se em torno de
gatilho devido excesso de - U
iK (t)=0
di/dt
I
0
portadores na região;
– Excesso de portadores na região
EE
capacidade de bloqueio do
tiristor;
– D
do gatilho reduz sensivelmente a vAK(t)=0 td (on)
– di/dt em torno do gatilho pode ter efeito destruidor;

t
E C
– Finalmente o plama se espalha por toda secção transversal do tiristor;
– Grande quantidade de energia liberada nas adjacências do gatilho;
G P
– Deve se controlar a taxa de crescimento da corrente de anodo.
17
• Bloqueio:
F
– Bloquear um tiristor requer a aplicação de uma tensão negativa entre
anodo e catodo por um período de tempo mínimo; C
– Processo similar ao de um diodo;
- U
– Dispositivo bloqueia quando J1 ou J3 ficar inversamente polarizada.
• Condução acidental do tiristor:

EE
– D
– O tempo que o tiristor é mantido sob tensão reversa deve ser
suficientemente longo para garantir um real bloqueio;
– A taxa de crescimento dv/dt da tensão de polarização direta deve ser
mantida abaixo de um Máximo valor especificado pelo fabricante.
E C
G P
Transistor MOSFET
F C
• Metal Oxide Semiconductor
Fiel- Effect Transistor;
- S G
U
• Acionados por tensão;
E
----------
++++++ D
----------
n+
E
n +
• Operam em altas freqüências.
D
Canal Tipo n
C – p
PE D
G
18
MOSFET
Tipo e característica de condução
I
D
I
D
F C
U
D
-
V =12V
GS
V V =7V
E
DS GS
E
V =5V
GS
G
– D V
GS
=3V
C
V
DS
E
(a) (b)
• Essencialmente resistivo em condução;

P
• Resistência de condução relativamente alta.
G
F
VD
C
C
GD
I
D
-
I0
UD
DF
C
DS
EE C GD
D
RDR
G
–
G
C
GS VDR CGS
E C S
S
Modelo para análise de
P
Capacitâncias parasitas
chaveamento
G
19
v
C
V
DR
(t)
GS
F
V V
v (t) DR V
V GS GS,Io th
GS,Io
V
th
i
G
(t)
t
-
0
U
i
G
(t)
t
V
D
EE v (t)
D
v (t) i (t) DS
DS
D
i (t) V
–
G Io d
Io
C
t
V 0 t
DS(ON)
PE Forma de onda
durante o bloqueio
Forma de onda durante a condução
G
IGBT
F C
- U
EE
– D
•
•
E C
Transistor Bipolar de Gatilho Isolado;
Atuação rápida (transitório efeito de campo);
•
•
G P Alta capacidade de potência (Transistor Bi-polar);
Controle por tensão;
20
Característica I-V
F C
-
VGS-4
U
EE VGS-3
– D VGS-2
VGS-1
C
VRM
E
VnsS
G P
F C
- U
EE
– D
E C
Formas de onda da Corrente e da Tensão no
P
IGBT em Condução
G
21
F C
- U
EE
– D
E C
Formas de onda da Corrente e da Tensão no
P
IGBT em Bloqueio
G
Futuro das chaves
• Dispositivos a base de carbono de silício;
• Suportam altos gradientes de tensão;
• Reduzida queda de tensão em condução.
F C
- U
EE
– D
E C
G P Evolução
22
Especificação de chaves semicondutoras
• Corrente média de condução direta, Id

– Valor médio da corrente que o dispositivo pode conduzir
continuamente repetidas as condiçoes de resfriamento.
F C
-
• Corrente eficaz de condução direta, Irms U
– Valor máximo permitido para corrente eficaz. Isto limita a potência
máxima dissipada devido i².R.
• Corrente de pico repetitiva, Ifrm
EE
– D
– Valor máximo da corrente que pode ser aplicada repetitivamente,
geralmente é especificada para um pico a cada meia senoide.
E C
• Corrente de pico não repetitiva, Ifsm
– Valor máximo da corrente que pode ser aplicada, a repetição é
G P permitida apenas após um intervalo de tempo que permita resfriar a

junção.
Especificação de chaves semicondutoras
• Tensão de pico inversa, Vrpm
F C
– Valor instantâneo de tensão máxima permitida da direção positiva ou
negativa do dispositivo.
• Queda de tensão em condução direta, Vf
- U
direta.
EE
– Queda de tensão apresentada pelo dispositivo quando em condução
• Temperatura da junção, Tj(max)
– D
– Valor máximo de temperatura que o dispositivo pode operar, acima
deste valor o dispositivo pode danificar se por avalanche térmica.
E C
G P
23
Perdas e Cálculo Térmico
• A perda total de um dispositivo é dada por:

– Perda durante a condução;
– Perda no chaveamento;
F C
– Perda no estado de bloqueio.
-
• Estas perdas que se transforma em calor, devem ser liberadas U
EE
par ao meio ambiente, caso contrário a temperatura da junção
se elava acima do limite permitido, provocando destruição de
dispositivo.
D
• A elevação de temperatura na junção provoca mudanças
–
químicas e metálicas no dispositivos. Estas mudanças variam
C
exponencialmente com a temperatura.
E
G P
Perda durante a condução
Seja uma junção de um dispositivo qualquer, aqui representada por
um diodo
Pon =
1
T
T ∫o F C
-
v = rd i + E0
iv.dt
U
a i rd Eo k
EE 1
T
Pon = ∫ i(rd i + E0 )dt
– D To
1
T
1
T
Pon = ∫ i 2 rd dt + ∫ E0 .i.dt
E C To To
Pon = ief2 rd + E0 imed
G P
Para não danificar o semicondutor, Pon deve ser transferida para o
ambiente. Como que esta potência é transferida?
24
Perdas nos dispositivos semicondutores
• Quando duas superfícies sólidas paralelas a temperaturas
uniformes, Tj e To, são justapostas, uma certa quantidade de
calor Q (joules/s-m²) fluirá por unidade de área da superfície
F C
de maior temperatura (Tj) para a de menor temperatura (To).
- U
E
Q = 1/K (Tj - To) [Joules/s-m²]
E
– D
• No caso de um dispositivo semicondutor, a corrente através da
junção inversamente polarizada produz calor quando os
E C
portadores majoritários perdem energia ao atravessar a barreira
de potencial. A energia elétrica na junção se transforma em
G P
energia térmica no cristal.
• A potência dissipada na junção por segundo fluirá para o ambiente segundo a

equação abaixo:
F C
Pon = 1/Rja (Tj - Ta) [joules/s]
- Tj – Temperatura na junção
- Tj – Temperatura ambiente - U
EE
- Rja – resistência térmica entra a junção e o ambiente
– D
• Fazendo se uma analogia com um circuito elétrico:
Quando o semicondutor não está
conduzindo, Pon = 0, logo Tj=Ta. A
C
Pon Rja
temperatura da junção se eleva
PE Ta acima da ambiente e há um fluxo

de calor para o ambiente. Quando
G
0°C menor Rja, menor será ΛT
fantunes@dee.ufc.br 50
25
• Para uma certa resistência térmica Rja e temperatura ambiente
Ta, há uma máxima potência Pon que pode ser dissipada, Pon
max. sem que se exceda à máxima temperatura admissível na F C
junção, Tjmax.
- U
Pon = I.Von
EE
• Desprezando se a influência da resistência interna.
–
I
D Pon 1 > Pon max
E C
P
Pon max
G
Von
51
Hipérbole de dissipação de potência
I
Pon Rja
F C
Pon 1 > Pon max
Ta
- U
Pon max
0°C
EE Von
– D
• Para a temperatura ambiente Ta, qualquer combinação de Von e
I que fique de Pon max não danificará o dispositivo.
• Um ventilador ou qualquer refrigeração que venha a reduzir a
E C
temperatura ambiente Ta nas proximidades do dispositivo,
G P
uma potência Pon 1 maior que Pon max pode ser dissipada sem
risco para p dispositivo.
26
Dissipação do calor
• Falha na operação de um dispositivo semicondutor está, quase
que sempre, ligada à elevação de temperatura do dispositivo.
F C
a junção, mesmo nos piores transitórios.
- U
• O fabricante normalmente especifica a máxima temperatura para
aos trocadores de calor.

EE
• A dissipação de calor nos semicondutores está diretamente ligada
– D
• Um trocador de calor é um metal irradiador de calor projetado
para retirar do dispositivo o excesso de calor por convecção.
E C
• O calor flui da junção para a carcaça do semicondutor, da carcaça
para o trocador de calor através de uma pasta térmica, e do
G P
trocador de calor para o ambiente.
Dissipação do calor
• A transferência de calor pode ser
representada pelo circuito elétrica ao
lado.
F C
Rjc
U
Pon Rch
• A temperatura da junção dependerá

-
Rja
da potência dissipada e das

E
Rha
resistências térmicas associadas ao

dispositivos.
• Um cálculo adequando do trocador de
D E Ta
–
0°C
calor permitirá ao projetista
E C
determinar a máxima potência que
poderá ser dissipada pelo dispositivo,
T j − T a = R ja .Pon
R ja = R jc + R ch + R ha
G P
e, ainda conservar a temperatura
máxima na junção a baixo de um
valor escolhido
R ha = R ja − R jc − R ch
27
Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo
• Um circuito retificador converte um sinal em

corrente alternada em um unidirecional, isto é,
converte uma tensão ca em cc.
F C
- U
EE saída nível cc
ca
–
cc
D =
E C ripple
G P

Carga Puramente Resistiva
D i(t)
• Retifica apenas um ciclo da
tensão alternada.
• São os mais simples pois
v(t)= 2V sen(wt) v(t)
F C
vo R
possuem apenas um diodo.

• O ripple da tensão de saída é
- v ( t)
2V U
E
alto, na freqüência da entrada.
• Apresenta uma componente cc
na alimentação que o torna de
pouco uso prático.
D E v (t)
o
wt
• Resumida aplicação em
pequenas potências
C –
(celulares,computadores).
i(t)
2 V
wt
E
R
P
v (t) wt
D
G
wt
56
28

• Para uma tensão de alimentação
v = 2V sen(ω t )
F C
• Tensão média na carga
- • Valor eficaz da Tensão U
V0 =
1
π
∫ 2Vsenwtd ( wt )
EE∫ na carga
π
V0 =
2V
2π
(− cos wt ) =
0
2V
– π D V0 ef = [
1
2π 0
( 2V ) 2 sen 2 wtd ( wt )]1/ 2
E
2π 0
π
C V0 ef = 0,707V
G PV0 = 0.45V

D1
VAMPL = 60
Simulação no OrCad FREQ = 60 V1
C
R1
12
0
U F
80
Tensão no diodo
E -
E
Tensão na Carga
40
Corrente na Carga
– D
0
E C
G P
-40
0s
V(R1:2)
5ms
V(D1:2,D1:1) -I(R1)*5
10ms 15ms
Time
20ms 25ms 30ms
29
Carga Indutiva i(t) D
• Os retificadores são raramente
C
R
v(t) v
o
F
usados com carga puramente L
resistiva.
• Devido à presença da carga
indutiva a condução no diodo
- v(t)
v(t)= 2 V sen(wt)
U
continua para ωt>1800 até que a
corrente caia a zero.
EE 2V
wt
• Se se supõe que a carga é uma
indutância pura, o diodo conduzirá
durante os 3600, o que resultaria
– D vo(t) v
numa tensão média igual a zero. No
E
caso real para R e L finitos a C v (t)
D
wt
G P
condução será descontínua. π β 2π wt

Carga Indutiva i(t) D
Composição da corrente de carga:

R
C
•Componente contínua, it v(t) v
o
F
•Componente alternada, ip L
2V
di
2V sen wt = L + Ri
dt
i p = R2 + X 2 sen(ωt − φ ) -
v(t)= 2 V sen(wt)
U
=Ke
L
−t /τ
EE i(t)
v(t)
i = i p+ i t
i p Componente permanente
i
i=
t
(R
2V
)
1
– −t
sen( wt − φ ) − Ke τ
D it
i t Componente transitoria
+X
C
2 2 2
L φ π β wt
PE
i=
(R
2V
)
⎡ −t
⎢sen( wt − φ ) − sen(−φ )e ⎥
τ
⎤
ip
G
1
2
+ X L2 2 ⎣ ⎦
30
Carga Indutiva
• Valor de tensão na saída dependente da carga.
• Apresenta um valor menor que para uma carga resistiva.
π +φ
F C
V0 =
1
2π ∫
0
2V sen wtd ( wt )
- U
V0 =
2V
2π
(− cos wt )
π +φ
=
EE 2V
π
[1 − cos(π + φ )]
–
0
• A tensão média de saída, V0 pode ser independente da carga se o

D
ângulo φ for feito igual a zero.
E C
• Isto é possível através do uso de um diodo em paralelo com a carga
G P

D1
VAMPL = 60 R1
Carga Indutiva FREQ = 60 V3
12
1
Simulação no OrCad
F C
L2
70mH
100
-
0
U
2
Tensão na Carga
EE
0
–
Corrente na Carga
D
E C
G P
-100
0s
V(R1:2)
5ms
-I(R1)*10
10ms 15ms
Time
20ms 25ms 30ms
31
Carga Indutiva com Diodo de roda livre
v(t)
i(t) D1
C
2V
R
v(t) D2
v(t) = 2V sen(ω t )
L v0 (t)
U F wt
i(t) D1 i0(t)
E
i0(t) - wt
E
R descontinua
v(t) D2
L
–
D1 i0(t)
R
D
i0(t)
continua
wt
E
v(t)
C D2
• Presença do diodo de roda livre:

L wt
G P
– caminho para a corrente de carga no ciclo negativo da tensão da
fonte.
– tensão de saída independente da carga.

Carga Indutiva com Diodo de roda livre
i(t) D1
Vantagens
v(t) D2
R
L
F C
• Tensão de saída independente da
carga:
V0=0,45V
-
v(t) = 2V sen(ω t )
U
• Possibilidade de continuidade de
corrente na carga
EE 2V
D
wt
–
vo (t)
i0(t)
E C v (t)
D1 β
wt
G P π 2π wt
32
D1
Carga Indutiva com Diodo VAMPL = 60

FREQ = 60 V3
R1
12
1
de roda livre
C
D2
L2
F
Simulação no OrCad 70mH
60
Tensão na Carga
-
0
U
2
EE
40
– D
C
20
Corrente na Carga
PE
G 0s
V(R1:2) -I(R1)*10
5ms 10ms
Time
fantunes@dee.ufc.br
15ms 20ms
65

D1

FREQ = 60 V3
R1
6
1
de roda livre
C
D2
L2
F
80
-
0
U
2
Tensão na Carga
EE
40
– D
E C Corrente na Carga
G
0s
P V(R1:2) -I(R1)*10
5ms 10ms
Time
15ms 20ms
33
D1

FREQ = 60 V3
R1
6
1
de roda livre
C
D2
L2
F
80
-
0
U
2
Tensão na Carga
EE
40
– D
Corrente na Carga
E C
G
-40P
32ms
V(R1:2)
36ms
-I(R1)*10
40ms 44ms 48ms
Time
52ms 56ms 60ms 64ms

Analise ca
• Usando-se um transformador para casamento de tensão.
• Tensão na saída do retificador é ideal (Ripple na corrente de carga
desprezível).
• A fonte de tensão ca é um barramento infinito.
F C
i
1
i
2
- D
1 I
0 U
v(t) Np N
EE D
R
D
s 2
C –
PE v(t) Carga
G
34
Analise ca 1 I0
i i2
1
• Potência consumida pela carga
C
R
(ativa): v(t) Np V
2 D2 V0
•
P0=V0*I0
Corrente eficaz no secundário
U F L
do transformador:
⎡⎛ 1 ⎞ 2 π
1
⎤2
E - I0
i2
I2ef = ⎢⎜
⎣⎢⎝ 2π
⎟ ∫ (I0 ) ⎥ = 0
⎠ 0
2
⎦⎥
I
2
D E I0
iD
F
–
I0
• Potência aparente no secundário
C
i2
será: ca I2
cc
PE S=V2*I2ef
S 2 = V2I2ef
⎛ V ⎞ I
= ⎜ 0 ⎟ 0 = 1,57P0
i1
ca
G ⎝ 0,45 ⎠ 2

Analise ca i 1 I0
1 i2
• Corrente eficaz no primário do
C
R
transformador: v(t) Np V D2 V0
2
F
1
⎡⎛ 1 ⎞ 2 π ⎛ I0 ⎞ 2 ⎤2
I L
= ⎢⎜ ⎟ ∫⎜ ⎟ ⎥ = 0
U
I1ef
⎣⎢⎝ 2π ⎠ 0 ⎝ ⎠ ⎦⎥
2 2
• Potência aparente no primário será:
⎛ V ⎞I
S1 = V1I1ef = ⎜ 0 ⎟ 0 = 1,17P0
E - I0
i2
⎝ 0,45 ⎠ 2
D E I0
iD
F
–
I0
• S1=1,11P0
C
i2
ca I2
cc
• S2=1,57P0
PE i1
ca
G
35
Analise
• Simples construção e baixo custo;
• Mínimo número de componentes;
• Tensão de saída contém uma componente de ripple na
F C
frequência de alimentação, o que torna a filtragem mais difícil;
-
• A corrente de entrada (ca) possui uma componente em U
quando necessita-se de transformador;
EE
corrente contínua (cc), que torna o retificador impraticável
– D
• Sua aplicação é aceitável em equipamentos de pequena
potência e baixa tensão como: fontes para notebooks, celulares,
etc;
E C
• Aplicável também a carregadores de bateria e equipamentos
P
portáteis.
G

Retificadores Monofásicos de Onda Completa
• Os diodos conectam a carga à fonte em ambos os ciclos positivo e
•
negativo.
A retificação se dá para os dois semi-períodos da tensão de
F C
•
entrada.
-
A tensão de saída não apresenta uma componente cc.
U
• Apresentam-se de duas formas :
EE i 0
– D1
-
+
V0 D is
v(t)
D
1
D
3
V
+
L
C
Vp D2 0
V R
P E D2 D4
-
G Ponto Médio
Em Ponte
72
36
Retificador com Ponto Médio
• Ideal para altas correntes e +
C
V D1 V0
baixa tensão. Vp -
F
V D2
• Os diodos estão submetidos à

tensão total do enrolamento
quando não em condução. - 2V
v(t)
U
• Apresenta valores médio e
EE wt
eficaz da tensão de saída de:
V0 =
1π
–
∫ 2V sen wtd( wt ) = 0,9 V
D v (t)
0
E
π0
C 1
v
D
wt
G P
V0ef
⎡1 π
⎣π 0
⎤2
= ⎢ ∫ ( 2V )2 sen2 wtd( wt )⎥ = V
⎦
2 2V
v
D2
v
D1
wt

Retificador com Ponto Médio - Comportamento do trafo.
• A carga como uma fonte de corrente.
V D1 I 0
• Corrente eficaz no secundário:
1
π
∫I
Vp
V D2
F C
i Sef = i d 1 ef = dwt → i Sef = 0 , 707 I 0
U
2
2π
0 i
-
0 0
I0
• Potência aparente em um enrolamento
secundário: V
Ps1 = V .isef ∴ Ps1 = • 0,707 isef = 0,785V 0isef
0
EE
0,9
D
Ip
carga;
C –
PTR = Ps1 + Ps 2 = 2 Ps1 = 1,57V 0isef
• Trafo com potência total 57% maior que a i
d1
PE
• Não existe componente continua no
i
d2
G
secundário;
• Menos harmônico na corrente.
37
Retificador com Ponto Médio
D1
C
VAMPL = 60 V1
FREQ = 60
VAMPL = 60
FREQ = 60
V2
0
D2 0
R1
12
U F
60
tensão na carga
E -
40
D E
C – corrente na carga
E
20
G0P
0s
V(D1:2) -I(R1)*5
5ms 10ms
Time
15ms 20ms

Retificador Monofásico em Ponte
v(t)
• Dispensa o uso do transformador.
• Os diodos estão submetidos à
2V
F C
tensão total do enrolamento
quando não em condução.
- v0
U wt
is
D
1
D
3
i0 +
EE i
0
wt
D
L
v(t) V
0 is
– R
wt
D2 D4
C
-
Diodos em D1 D D2 D
E
condução 4 3
Circuito em Ponte Formas de Onda
G P v( t ) = 2V sen ωt V0 =
1π
∫ 2V sen wtd( wt ) = 0,9 V
π0
38
i0
• Há um melhor aproveitamento
C
+
do transformador i
1
i
2
D
1
D3
I2ef = I1ef = I0
V1 V2
U F v
0
⎛V ⎞
S1 = S2 = V1I1ef = ⎜ 0 ⎟I0 = 1,1P0 E - i
0
D
2
D
4
-
⎝ 0,9 ⎠
D E I0
–
i
2
• S1=1,11P0 I0
E • S2=1,11P0 C
P
i
1
G
Vca = Vef2 − V02

Parâmetros de avaliação de desempenho
• Valor eficaz da componente alternada da tensão de saída é:
F C
Vca = Vef2 − V02
• O fator de forma: - U
FF =
Vef
V0
EE
• Fator de ripple:
FR =
Vca
–
→ FR =
⎛ Vef
⎜⎜
⎞
2 D
⎟⎟ − 1 = FF 2 − 1
E
V0
C ⎝ V0
• Fator de utilização do transformador:
⎠
G P FT =
P0
Vs I s
39
Vca = Vef2 − V02

D1 D3
VAMPL = 60
FREQ = 60
V1
D2 D4
R1
12
F C
U
0
60
Tensão na Carga
E -
40
D E
20
C – Corrente na Carga
PE
G
0
0s
-I(R1)*5 V(D1:2,D2:1)
5ms
fantunes@dee.ufc.br
10ms
Time
15ms 20ms
79
Vca = Vef2 − V02

D1 D3 R1
C
VAMPL = 60 12
V1 1
FREQ = 60
F
L1
D2 D4 70mH
U
0
2
60
Tensão na Carga
E -
40
D E
20
C –
PE Corrente na Carga
G
0
32ms 36ms 40ms 44ms 48ms 52ms 56ms 60ms 64ms

V(D3:2,D2:1) -I(R1)*5
Time
40
Vca = Vef2 − V02

D1 D3 R1
C
VAMPL = 60 C1 1200
V1
FREQ = 60
F
10m
D2 D4
U
0
60
E
Tensão na Carga-
40
D E
20
C –
PE Corrente na Carga
G
0
0s
V(R1:2,D2:1)
10ms
-I(R1)*100
20ms
fantunes@dee.ufc.br
30ms
Time
40ms 50ms 60ms
81
41

Eletronica de Potencia Unidades 1 e 2

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Universidade Federal do Ceará

condicionamento da energia elétrica;

• Retificador a Arco de Mercúrio – inicio do século passado;

• Circuito projetados para processamento da energia;

• Idealmente possuem apenas dois estados: Apresentam

PE– Condutividade natural à temperatura ambiente, cerca de 2 x 1010elétrons

G – Quando sujeito a campo elétrico os buracos movimentam se na direção do campo

• Átomos estranhos substituem os de silício em varias posições da cadeia do

PE Cristal Tipo N Cristal Tipo P

PE– Perdas causam aquecimento excessivo para o

Camada de depleção ainda presente, queda

ôhmica na região de arrasto e indutâncias

a tensão cair para Von.

arrasto. Cessada a recombinação i(t)

t5 – Retirados os portadores em excesso da

G P negativo reduzindo a corrente reversa a

• A espessura da base é feita menor possível, para maior ganho

– Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como

• Condução no transistor NPN (O mais

Gsentido coletor emissor.

Gpotência em pontos localizados no cristal

camada de depleção. Vce não é t

• Também chamado de SCR; – D (b)

G P • É um dispositivo de quatro camadas

G P • Corrente através do dispositivo é autosustentada.

• Sob tensão inversa o tiristor

VH Estado de bloqueio VB0 v

gatilho injeta portadores na

– di/dt em torno do gatilho pode ter efeito destruidor;

• Condução acidental do tiristor:

• Essencialmente resistivo em condução;

Modelo para análise de

• Corrente média de condução direta, Id

G P permitida apenas após um intervalo de tempo que permita resfriar a

• Tensão de pico inversa, Vrpm

• Temperatura da junção, Tj(max)

• A perda total de um dispositivo é dada por:

• A potência dissipada na junção por segundo fluirá para o ambiente segundo a

PE Ta acima da ambiente e há um fluxo

aos trocadores de calor.

• A temperatura da junção dependerá

da potência dissipada e das

resistências térmicas associadas ao

calor permitirá ao projetista

• Um circuito retificador converte um sinal em

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

possuem apenas um diodo.

Carga Puramente Resistiva

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

• Os retificadores são raramente

numa tensão média igual a zero. No

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

Composição da corrente de carga:

• A tensão média de saída, V0 pode ser independente da carga se o

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

• Presença do diodo de roda livre:

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

Carga Indutiva com Diodo VAMPL = 60

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

Carga Indutiva com Diodo VAMPL = 60

Carga Indutiva com Diodo VAMPL = 60

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo

Unidade II – Retificadores Monofásicos a Diodo