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MINISTRIO DA EDUCAO

UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL


PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA MECNICA







DETERMINAO DE PARMETROS FOTOVOLTAICOS A PARTIR DE ENSAIOS
DE CURVAS CARACTERSTICAS SEM ILUMINAO


por


Alexandre Jos Bhler






Dissertao para obteno do Ttulo de
Mestre em Engenharia







Porto Alegre, Maro de 2007
DETERMINAO DE PARMETROS FOTOVOLTAICOS A PARTIR DE ENSAIOS
DE CURVAS CARACTERSTICAS SEM ILUMINAO

por

Alexandre Jos Bhler
Licenciado em Fsica

Dissertao submetida ao Corpo Docente do Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Mecnica, PROMEC, da Escola de Engenharia da Universidade Federal do Rio
Grande do Sul, como parte dos requisitos necessrios para a obteno do Ttulo de


Mestre em Engenharia


rea de Concentrao: Energia

Orientador: Prof. Dr. Arno Krenzinger

Comisso de Avaliao:

Prof. Dr. Manuel Cid Snchez - USP

Prof. Dr. Yeddo Braga Blauth DELET-UFRGS

Prof. Dr. Alexandre Beluco - PROMEC


Prof. Dr. Flvio J. Lorini
Coordenador do PROMEC


Porto Alegre, 28 de Maro de 2007
iii































Para Antonio e Valdete
Cristiane e Ana Paula

iv
AGRADECIMENTOS

Ao professor Arno Krenzinger pela orientao nesta dissertao e pela pacincia a
mim dedicada ao longo desses anos.
A Csar pelo imprescindvel auxlio na parte de instrumentao do laboratrio e
pelas questes filosficas.
A todo o pessoal do Laboratrio de Energia Solar da UFRGS em especial a Luis
pelas aulas de espanhol e a Gemma pelo companheirismo.
Aos meus pais por todo o apoio e carinho.
Ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico (CNPq)
pelo apoio financeiro.
A Financiadora de Estudos e Projetos (FINEP) e ELETROBRS.
A todos os que de alguma forma contriburam para a elaborao deste trabalho.



















v
RESUMO

Com o crescente aumento na demanda de sistemas fotovoltaicos no mundo,
torna-se cada vez mais importante uma correta e eficaz caracterizao de mdulos
fotovoltaicos. A caracterizao eltrica de tais dispositivos fotovoltaicos passa pela
determinao da curva I-V na condio padro e por outros parmetros, que permitem
qualificar o mdulo e avaliar seu desempenho em diferentes condies de operao. Entre
estes parmetros esto a resistncia srie (R
S
), resistncia paralela (R
P
), corrente de saturao
reversa (I
0
) e o fator de idealidade do diodo (m). Convencionalmente a determinao destes
parmetros exige vrios ensaios sob iluminao natural o que torna os procedimentos
extremamente dependentes das condies climticas. Por outro lado, para a correo das
curvas I-V medidas em diferentes condies para a condio padro de ensaio necessria a
determinao de coeficientes que descrevem a variao da corrente de curto-circuito e da
tenso de circuito aberto com a temperatura, respectivamente (o) e (|). Para obter estes
coeficientes so necessrios muitos ensaios com o mdulo fotovoltaico sob a luz solar, sendo
que vrios parmetros atuam simultaneamente, o que dificulta o isolamento da influncia de
cada um. Trabalhando com as equaes que regem o comportamento de um gerador
fotovoltaico, possvel verificar que esses parmetros, com exceo de o, podem ser
determinados a partir de ensaios sem iluminao. Este trabalho apresenta os resultados da
pesquisa realizada no Laboratrio de Energia Solar da UFRGS para a determinao de I
0,
m e
R
S
para mdulos fotovoltaicos de silcio cristalino, alm do coeficiente de variao da tenso
de circuito aberto com a temperatura (|), obtidos atravs de curvas caractersticas no escuro.
Os resultados obtidos para a determinao de | foram comparados com ensaios sob
iluminao natural, apresentando boa concordncia com os mesmos. Os parmetros
encontrados a partir da anlise de curvas I-V sem iluminao foram usados para a elaborao
de curvas tericas segundo o modelo exponencial de um diodo. Posteriormente essas curvas
tericas foram ento superpostas a outras determinadas sob iluminao natural e a
concordncia pode ser considerada muito boa. Foi tambm realizada uma comparao do
mtodo aqui utilizado para a determinao da resistncia srie com a metodologia proposta
pela norma ABNT e com o mtodo da pendente de maneira que foi possvel verificar a
eficcia e confiabilidade do mtodo proposto.



vi
ABSTRACT
DETERMINATION OF PHOTOVOLTAIC PARAMETERS FROM DARK
CHARACTERISTIC CURVES

The number of photovoltaic solar energy installations is increasing for different
applications in the world. Thus, it is very important to completely and accurately characterize the
photovoltaic (PV) modules. In order to determine the electrical performance of a photovoltaic
module, it is indispensable to determine the current-voltage characteristic curve (I-V), as well as
to find the parameters required to transpose this curve to any climatic condition. Usually the
determination of these parameters, such as series resistance (R
S
), shunt resistance (R
P
), reverse
saturation current (I
0
) and diode ideality factor (m), require several tests under natural sunlight
which makes this determination very dependent of the meteorological conditions. Moreover to
transpose the I-V curve from different temperatures conditions it is necessary the determination
of the temperature coefficients of current (o) and voltage (|). To determinate these coefficients,
many tests are also necessary with the photovoltaic module under the solar radiation, where
several coefficients and parameters act simultaneously which makes difficult the isolation of the
influence of each one. Analyzing the equations that govern the electrical behavior of a PV
module, it is possible to verify that some of these parameters and coefficients can be obtained
from I-V curves measured under dark conditions. This work presents the results from the
research developed in the Laboratrio de Energia Solar of the Universidade Federal do Rio
Grande do Sul (UFRGS) for the determination of I
0
, m and R
S
for crystalline silicon modules and
the determination of coefficient | from characteristic curves measured in dark conditions. The
values for | obtained through dark measurements were compared with tests under solar
radiation. The parameters determined from the study of dark I-V curves were used to plot
theoretical I-V curves according to the one-diode model. Furthermore the I-V curves measured
under solar radiation were compared to theoretical curves elaborated with the determined
parameters resulting very good agreement. In this work the methods, proposed and the ABNT
method, to determination of the series resistance, were compared in order to improve the
proposed method of this work.
vii
NDICE

1. INTRODUO............................................................................................................ 1
1.1. OBJETIVOS DA DISSERTAO............................................................................... 4
1.2. ESCOPO DA DISSERTAO..................................................................................... 4

2. GERADORES FOTOVOLTAICOS......................................................................... 6
2.1. EFEITO FOTOELTRICOOBJETIVOS DA DISSERTAO................................... 6
2.2. EFEITO FOTOVOLTAICO.......................................................................................... 7
2.3. CLULAS FOTOVOLTAICAS.................................................................................... 10
2.3.1. CORRENTE DE UM DIODO NO ESCURO............................................................... 11
2.4. TECNOLOGIAS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS................................................ 13
2.4.1. SILCIO MONOCRISTALINO..................................................................................... 14
2.4.2. SILCIO MULTICRISTALINO.................................................................................... 14
2.4.3. SILCIO AMORFO HIDROGENADO......................................................................... 14
2.4.4. TELURETO DE CDMIO (CdTe)............................................................................... 15
2.4.5. DISSELENETO DE COBRE GLIO E NDIO (CIS e CIGS).................................... 15
2.5. FATORES QUE INFLUENCIAM NA EFICINCIA DE UMA CLULA
DE SILCIO................................................................................................................. 15
2.5.1. SELETIVIDADE DE ABSORO DA CLULA...................................................... 16
2.5.2. PROCEDIMENTOS DE FABRICAO..................................................................... 17
2.6. MDULOS FOTOVOLTAICOS.................................................................................. 17
2.7. CIRCUITOS EQUIVALENTES................................................................................... 19
2.7.1. MODELO DE 1 DIODO............................................................................................... 19
2.7.2. MODELO DE 2 DIODOS............................................................................................. 21
2.7.3. MODELO DE 2 DIODOS MODIFICADO................................................................... 22
2.8. CURVA CARACTERSTICA I-V................................................................................ 22
2.9. INFLUNCIA DA IRRADINCIA NA CURVA I-V.................................................. 23
2.10. INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA CURVA I-V............................................... 24
2.11. EFEITO DOS PARMETROS FOTOVOLTAICOS NA CURVA I-V....................... 26
2.11.1. RESISTNCIA SRIE.................................................................................................. 26
2.11.2. RESISTNCIA PARALELA........................................................................................ 27
2.11.3. FATOR DE IDEALIDADE........................................................................................... 27
2.11.4. CORRENTE DE SATURAO REVERSA................................................................ 28
viii

3. DETERMINAO DAS CARACTERSTICAS ELTRICAS DE MDULOS
FOTOVOLTAICOS MTODOS CONVENCIONAIS......................................... 30
3.1. DETERMINAO DA CURVA I-V............................................................................ 30
3.2 DETERMINAO DOS COEFICIENTES TRMICOS o E |.................................. 32
3.3 DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE.......................................................... 33
3.3.1. MTODO PROPOSTO PELA NORMA ABNT.......................................................... 33
3.3.2. MTODO DA PENDENTE.......................................................................................... 35

4. CURVA CARACTERSTICA I -V SEM ILUMINAO.................................... 36
4.1. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UM MDULO NO ESCURO................................ 38
4.2. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE... 38
4.3. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA CORRENTE DE
SATURAO REVERSA E DO FATOR DE IDEALIDADE DO DIODO............... 42
4.4. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA VARIAO DA
TENSO DE CIRCUITO ABERTO COM A TEMPERATURA................................ 44

5. PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS................................................................. 47
5.1. EQUIPAMENTO UTILIZADO PARA AQUISIO DAS CURVAS I-V......... 48
5.2. DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE.......... 50
5.3. DETERMINAO DA CORRENTE DE SATURAO REVERSA E DO FATOR
DE IDEALIDADE DO DIODO.................................................................................... 55
5.4. DETERMINAO DA VARIAO DA TENSO DE CIRCUITO ABERTO
COM A TEMPERATURA............................................................................................ 57

6. CONCLUSES E CONSIDERAES FINAIS...................................................... 66

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS... 68

TRABALHOS PUBLICADOS DURANTE A DISSERTAO............................. 72



ix
LISTA DE SMBOLOS

SMBOLO UNIDADE
a Constante relativa variao da energia do gap com a temperatura...............

[ - ]
A Constante relativa variao da corrente de saturao reversa com a
temperatura.......................................................................................................

[ - ]
AM Massa de ar......................................................................................................

[ - ]
b Constante relativa variao da energia do gap com a temperatura...............

[ - ]
e Carga do eltron...

[C]
E Energia.........

[eV]
E
g
(0) Energia do gap de referncia...

[eV]
E
g
(T) Energia do gap a uma dada temperatura..........................................................

[eV]
G Irradincia........................................................................................................

[W/m]
h Constante de Planck.........................................................................................

[J.s]
I Corrente eltrica...............................................................................................

[A]
I
0
Corrente de saturao reversa..........................................................................

[A]
I
01
Corrente de saturao reversa relativa ao fenmeno de difuso......................

[A]
I
02
Corrente de saturao reversa relativa ao fenmeno de recombinao...........

[A]
I
B0
Corrente eltrica devida ao movimento de lacunas geradas por efeito
trmico, em polarizao reversa.......................................................................
[A]
x

I
CR
Corrente de curto-circuito na clula de referncia sob irradincia qualquer...

[A]
I
D
Corrente atravs do diodo................................................................................ [A]
I
DB
Corrente eltrica devida ao movimento de eltrons, por difuso, do lado N
para o lado P em um diodo..............................................................................

[A]
I
DE
Corrente eltrica devida ao movimento de lacunas, por difuso, do lado P
para o lado N em um diodo..............................................................................

[A]
I
DT
Corrente eltrica devida recombinao de eltrons e lacunas na regio de
depleo em uma juno PN............................................................................

[A]
I
e
Corrente eltrica injetada sem iluminao.......................................................

[A]
I
E0
Corrente eltrica devida ao movimento de eltron gerados por efeito
trmico em polarizao reversa.......................................................................

[A]
I
fg
Corrente fotogerada..........................................................................................

[A]
I
M
Corrente de mxima potncia..........................................................................

[A]
I
MR
Corrente de curto-circuito medida na clula de referncia..............................

[A]
I
P
Corrente atravs da resistncia paralela...........................................................

[A]
I
SC
Corrente de curto-circuito................................................................................

[A]
I
T0
Corrente eltrica devida ao movimento de pares eltron-lacuna gerados por
efeito trmico na regio de depleo, em polarizao reversa.....

[A]
k Fator de correo da curva I-V.........................................................................

[V/C.A]
k
B
Constante de Boltzmann.................................................................................. [J/K]
xi

m Fator de idealidade do diodo............................................................................

[ - ]
m
R
Fator de idealidade do diodo ajustvel ao fenmeno de recombinao...........

[ - ]
N
P
Nmero de clulas em paralelo........................................................................

[ - ]
N
S
Nmero de clulas em srie.............................................................................

[ - ]
p Coeficiente linear da reta tangente curva V-I junto no ponto de tenso de
circuito aberto..................................................................................................

[O]
P
M
Ponto de mxima potncia...............................................................................

[W]
q Coeficiente angular da reta tangente curva V-I junto no ponto de tenso de
circuito aberto..................................................................................................

[O]
R
P
Resistncia paralela..........................................................................................

[O]
R
S
Resistncia srie...............................................................................................

[O]
T Temperatura.....................................................................................................

[C, K]
V Tenso..............................................................................................................

[V]
V
1
, I
1
Coordenadas dos pontos da curva caracterstica medida.................................

[V] [A]
V
2
, I
2
Coordenadas dos pontos da curva caracterstica corrigida..............................

[V] [A]
V
e
Tenso de um dispositivo fotovoltaico sem iluminao..................................

[V]
V
OC
Tenso de circuito aberto.................................................................................

[V]
V
M
Tenso de mxima potncia............................................................................. [V]
xii

V
T
Tenso trmica.................................................................................................
e
T mk N
B S


LETRAS GREGAS UNIDADE
o
Coeficiente de variao da corrente de curto-circuito com a temperatura
para um mdulo................................................................................................

[A/C]
o
C
Coeficiente de variao da corrente de curto-circuito com a temperatura
para uma clula.................................................................................................

[A/C]
|
Coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a temperatura de
um mdulo

[V/C]
|
C
Coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a temperatura para
uma clula.........................................................................................................

[V/C]
|
e
Coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a temperatura
obtido atravs de ensaio no escuro...................................................................

[V/C]
AI
Diferena de corrente........................................................................................

[A]
AV Diferena de tenso...........................................................................................

[V]
|
Funo trabalho................................................................................................

[eV]
v
Freqncia.........................................................................................................

[Hz]

Coeficiente de variao da potncia com a temperatura.................................. [W/C]





xiii
NDICE DE FIGURAS

Figura 2.1 Representao dos nveis de energia em um semicondutor................................

8
Figura 2.2 Representao de uma juno PN.......................................................................

9
Figura 2.3 Representao de uma clula fotovoltaica de silcio...........................................

10
Figura 2.4 Componentes internas da corrente de um diodo no escuro em polarizao
(a) direta e (b) reversa.........................................................................................

11
Figura 2.5 Curva semilogartmica I-V de uma clula de silcio monocristalino descrita
por duas exponenciais e retas tangentes correspondentes aos fatores de
idealidade iguais a 1 e 2......................................................................................

13
Figura 2.6 Definio de massa de ar (air mass) (AM).........................................................

16
Figura 2.7 Espectro solar e resposta espectral do silcio (Hecktheuer, 2001)......................

17
Figura 2.8 Corte de um mdulo fotovoltaico (adaptado de catlogo Siemens, 1996)..........

18
Figura 2.9 Circuito eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica modelo de
1 diodo.................................................................................................................

19
Figura 2.10 Circuito eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica modelo de
2 diodos...............................................................................................................

21
Figura 2.11 Curva caracterstica (I-V) e curva de potncia versus tenso de um mdulo
(m-Si, 72 clulas) com 100 W de potncia e 24 de tenso nominal....................

23
Figura 2.12 Curvas I-V de um mdulo de silcio de 72 clulas a diferentes irradincias.......

24
Figura 2.13 Curvas I-V de um mdulo de silcio monocristalino de 72 clulas
determinadas a diferentes temperaturas e a 1000 W/m de irradincia...............
25
xiv

Figura 2.14 Efeito da variao da resistncia srie na curva I-V de um mdulo de silcio
de 72 clulas........................................................................................................

26
Figura 2.15 Efeito da variao da resistncia paralela na curva I-V de um mdulo de
silcio de 72 clulas.............................................................................................

27
Figura 2.16 Efeito da variao do fator de idealidade na curva I-V de um mdulo de silcio
de 72 clulas........................................................................................................

28
Figura 3.1 Representao do mtodo proposto para a determinao de R
S
pela norma
NBR 12136.......................................................................................................

34
Figura 4.1 Representao da corrente fotogerada (a) curva I-V de um diodo no escuro (b)
e da diferena das duas curvas (c).......................................................................

36
Figura 4.2 Curvas I-V de um mdulo fotovoltaico de 72 clulas de silcio monocristalino
com e sem iluminao.........................................................................................

37
Figura 4.3 Superposio das curvas determinadas com e sem iluminao apresentadas na
Figura 4.2............................................................................................................

37
Figura 4.4 Circuito eltrico equivalente de uma clula no escuro e com corrente
injetada................................................................................................................

38
Figura 4.5 Representao do fluxo de corrente eltrica injetada em uma clula no
escuro...................................................................................................................

40
Figura 4.6 Representao do fluxo de corrente eltrica em uma clula iluminada..............

41
Figura 4.7 Ilustrao do um mtodo proposto por Aberle et al.(1993) para determinao
de R
S
considerando os mecanismos fsicos que ocorrem com o mdulo
iluminado.............................................................................................................

42
xv

Figura 4.8 Curva I-V no escuro e ln(I) versus V com quatro diferentes regies de tenso
influenciadas por: R
P
, processo de difuso, recombinao e R
S
..........................

43
Figura 4.9 Curvas I-V de um mdulo de silcio monocristalino de 33 clulas
determinadas sem iluminao e a diferentes temperaturas.................................

45
Figura 5.1 Aspecto do ensaio de mdulos sob iluminao natural......................................

47
Figura 5.2 Equipamentos utilizados no ensaio de um mdulo sem iluminao...................

48
Figura 5.3 Equipamento utilizado para o ensaio de mdulos fotovoltaicos.........................

49
Figura 5.4 Valores de R
S
determinados para dois mdulos de diferentes configuraes
atravs do mtodo proposto, do mtodo da pendente e da norma.......................

52
Figura 5.5 Curvas caractersticas de um mdulo de 36 clulas (m-Si) determinadas sob
iluminao natural com resistores acrescentados em srie.................................

53
Figura 5.6 Curvas caractersticas do mesmo mdulo da Figura 5.5 determinadas sob
ausncia de iluminao com os mesmo resistores acrescentados em srie.........

53
Figura 5.7 Valores determinados de R
S
para um mdulo (m-Si) de 100 W de potncia e
24 V de tenso nominal atravs do incremento de resistores em srie...............

54
Figura 5.8 Figura 5.8 Relao entre o incremento de R
S
medido e as resistncias em
srie acrescentadas..............................................................................................

55
Figura 5.9 Curvas determinadas a partir de ensaio sem iluminao a 33,2 C.....................

56
Figura 5.10 Pontos medidos de ln(I
0
) e m para diferentes temperaturas de um mdulo de
100 W de silcio monocristalino..........................................................................
57
Figura 5.11 Pontos medidos e calculados para um mdulo de silcio monocristalino de
100 W de potncia e 24 V de tenso nominal na temperatura de 49,8 C.......... 58
xvi
Figura 5.12 Curvas determinadas a partir de ensaio sem iluminao a 18 C........................

59
Figura 5.13 Pontos medidos de ln(I
0
) e m para diferentes temperaturas de um mdulo de
50 W de silcio monocristalino............................................................................

60
Figura 5.14 Pontos medidos e calculados para um mdulo de silcio monocristalino de
50 W de potncia e 12 V de tenso nominal na temperatura de 32 C...............

61
Figura 5.15 Variao de V
OC
com a temperatura (ensaio com e sem iluminao) e variao
da irradincia ao longo do ensaio com o mdulo iluminado...............................

64

















xvii
NDICE DE TABELAS

Tabela 2.1 Energia do gap para diferentes semicondutores..................................................

8
Tabela 2.2 Energia do gap para Si e GaAs com os valores das constantes a e b da
Equao (2.10).....................................................................................................

25
Tabela 5.1 Exatido dos equipamentos de medida...............................................................

50
Tabela 5.2 Valores encontrados para a resistncia srie para diferentes mdulos de silcio
utilizando o mtodo proposto neste trabalho.......................................................

51
Tabela 5.3 Valores determinados de |, medidos e corrigidos, para ensaios com e sem
iluminao............................................................................................................ 64





1

1. INTRODUO

Desde os tempos mais remotos at os presentes dias as diferentes formas de
energia tm exercido um papel crucial para a existncia da humanidade, seja para o aquecimento
das casas, produo e conservao de alimentos e medicamentos ou mesmo o transporte de carga
e de pessoas. Pode-se afirmar, sem exagero, que o homem tornou-se extremamente dependente
da energia nas suas diferentes formas, mas principalmente da eletricidade.
tamanha a importncia que a energia eltrica tem para a sociedade de hoje que
chega a ser quase impossvel imaginar a vida sem o conforto, a higiene e a sade entre tantos
outros benefcios que ela nos proporciona.
Porm, num contexto social de tamanha dependncia do mundo moderno para
com a energia eltrica, h ainda no mundo cerca de 40% da populao que no tem acesso a esse
bem. No Brasil cerca de 12 milhes de pessoas no tem acesso a nenhuma alternativa de
suprimento de energia eltrica, sendo 10 milhes na rea rural, [Tolmasquim, 2004]. Para muitas
dessas pessoas a dificuldade no suprimento da energia eltrica consiste no fato de que estas
pessoas vivem em lugares remotos, demasiadamente longe das concessionrias, o que torna esse
processo muito caro ou mesmo invivel segundo as formas convencionais de gerao de energia.
Felizmente este cenrio est mudando. Com a instalao do programa Luz Para
Todos est previsto que a energia eltrica ser levada para todos os brasileiros at 2008 e para
tanto as fontes de energia alternativas e descentralizadas tero importante papel. Por outro, ganha
cada vez mais importncia no mundo todo a crescente preocupao com a poluio e os impactos
ambientais gerados pelo consumo excessivo dos combustveis fsseis e pelas fontes
convencionais de energia.
As usinas hidroeltricas, que so de longe a maior fonte geradora de energia
eltrica no Brasil, apresentam o grande problema referente aos impactos ambientais inerentes
sua instalao. Mesmo com o advento das pequenas centrais hidreltricas, o impacto ambiental e
mesmo social causado nas localidades prximas a essas usinas inevitvel. fato que o Brasil
possui um potencial fantstico para a produo de energia eltrica a partir dos recursos hdricos,
mas importante repensar todas as mudanas no ecossistema causadas pelo intenso uso desse
recurso.
As usinas nucleares apresentam o grande problema do resduo nuclear, bem como
a constante preocupao com a possibilidade de um acidente, que mesmo considerada remota
por especialistas no assunto, gera forte preocupao no mundo quando da instalao de novas
usinas.
2


neste cenrio que a energia solar fotovoltaica vem ganhando cada vez mais
espao no mundo inteiro. A indstria de clulas fotovoltaicas vem experimentando um
crescimento anual de 25% ao longo dos ltimos anos, expandido-se tambm para sistemas
isolados mas principalmente para sistemas conectados rede eltrica [Tolmasquim, 2004].
Embora a tecnologia fotovoltaica ainda apresente preos elevados, o que representa um forte
empecilho para sua expanso, principalmente quanto ao uso domstico, especialistas afirmam
que a tecnologia dos filmes finos poder levar em um futuro prximo a um custo
consideravelmente inferior ao atual.
Fica, ento, claro que se torna cada vez mais importante uma correta e eficaz
caracterizao do desempenho de mdulos fotovoltaicos, tanto em ensaios de resistncia
mecnica como de caractersticas eltricas.
Para a anlise do desempenho eltrico de um mdulo fotovoltaico
imprescindvel a determinao da curva (I-V) de corrente e tenso denominada curva
caracterstica. Atravs desta curva possvel obter importantes informaes sobre as
caractersticas eltricas do gerador fotovoltaico como a corrente de curto circuito (I
SC
), a tenso
de circuito aberto (V
OC
) e o ponto de mxima potncia (P
M
). A determinao desta curva,
segundo a norma NBR 12136 [ABNT, 1991a], deve ser realizada dentro de condies
especficas de temperatura e irradiao denominada condio padro de ensaio (G = 1000 W/m,
AM = 1,5 e T = 25 C). Fora da condio padro, que muitas vezes difcil de ser obtida, a
curva precisa ser corrigida e a se faz necessrio o conhecimento dos coeficientes trmicos (o) e
(|) que correspondem variao da corrente de curto circuito e da tenso de circuito aberto com
a temperatura respectivamente. Alm destes coeficientes tambm existem parmetros que
fornecem importantes informaes sobre o desempenho eltrico e a qualidade do gerador eltrico
fotovoltaico. Dentre esses parmetros citam-se a resistncia srie (R
S
), resistncia paralela (R
P
),
fator de idealidade do diodo (m), e corrente de saturao reversa do diodo (I
0
).
A determinao destes parmetros muitas vezes exige inmeros ensaios com
iluminao natural e temperatura controlada e como muitos parmetros atuam simultaneamente,
torna-se difcil o isolamento da influncia de cada um. No entanto possvel verificar que o
comportamento de uma clula e por conseqncia de um mdulo fotovoltaico muito similar em
condies de ausncia de iluminao do que em condies de iluminao natural. Dessa forma,
ensaios no escuro passam a ser uma interessante alternativa para a determinao de diversos
parmetros fotovoltaicos [Kaminski, 1997].
3

Muitos ensaios destinados caracterizao de propriedades eltricas em mdulos
dependem da no variao de parmetros externos, como intensidade luminosa e velocidade do
vento entre outros. Essa invarincia ao longo dos ensaios muitas vezes difcil de ser obtida,
alm do que freqentemente se faz necessrio repetir as condies de ensaio em diferentes dias.
Experimentos para caracterizao de propriedades eltricas em mdulos
fotovoltaicos sem iluminao tm sido utilizados por diversos laboratrios do mundo por
apresentarem importantes vantagens perante medidas sob iluminao natural, das quais a
principal sem dvida a no dependncia das condies climticas. Os laboratrios Sandia, por
exemplo, vem desenvolvendo pesquisas com ensaios no escuro para caracterizar mdulos
fotovoltaicos e utilizando esses ensaios para detectar defeitos de fabricao nos mdulos [King et
al., 1997a]. Outra vantagem importante das medidas no escuro a possibilidade de medio de
um conjunto de mdulos com melhor controle de temperatura do que na exposio luz.
Medir a curva caracterstica de um conjunto de mdulos sob exposio luz
apresenta srias dificuldades quanto ao controle da temperatura. Por outro lado, medies que
dependam da variao de temperatura em um mdulo ou clula precisam de um bom isolamento
trmico, uma vez que isto influencia fortemente os resultados [King et al., 1997b].
Por fim, cabe ressaltar que embora muitos pesquisadores defendam o uso de
simuladores solares como uma alternativa para diminuir a dependncia das condies climticas
nos ensaios de desempenho eltrico dos mdulos. Tais simuladores apresentam um custo
consideravelmente elevado e apresentam srias limitaes quando comparados com a luz solar.
Por melhor que seja o simulador solar persiste a questo do espectro no ser igual ao da luz solar,
alm da questo da uniformidade da iluminao. Tais fatores podem ser determinantes para que
uma curva I-V determinada sob iluminao artificial no seja a mesma do que aquela
determinada sob iluminao natural [Vera et al., 2006a]. Da reside o interesse no estudo das
curvas caractersticas determinadas sem iluminao e utilizadas como ferramenta para a
obteno de parmetros e coeficientes fotovoltaicos.
Por fim, cabe ressaltar, como exemplo da importncia que tem a determinao
desses parmetros fotovoltaicos, que a resistncia srie afeta o fator de forma da curva (I-V)
podendo causar considervel diminuio no ponto de mxima potncia. O fator de forma
anteriormente citado refere-se ao produto da tenso pela corrente (relativas mxima potncia)
divido pelo produto da tenso de circuito aberto pela corrente de curto circuito. O fator de forma
um importante avaliador do desempenho eltrico do mdulo estando diretamente associado ao
formato da curva I-V.

4

1.1. OBJETIVOS DA DISSERTAO

Os objetivos desta dissertao so sucintamente apresentados a seguir:
- Analisar as diferenas existentes entre curvas caractersticas I-V determinadas com e sem
iluminao.
- Determinar o coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a temperatura (|) a
partir de ensaios sem iluminao.
- Comparar os resultados obtidos na determinao de | a partir dos ensaios com o mtodo
aqui proposto e com o mtodo convencional.
- Propor um mtodo atravs do qual seja possvel a determinao dos seguintes parmetros
fotovoltaicos: resistncia srie, corrente de saturao reversa e fator de idealidade do
diodo tambm a partir de curvas caractersticas no escuro.
- Verificar a aplicabilidade destes parmetros na equao que descreve o comportamento
eltrico de um mdulo fotovoltaico.
- Comparar os resultados obtidos na determinao da resistncia srie com a metodologia
proposta pela norma ABNT e pelo mtodo da pendente.

1.2. ESCOPO DA DISSERTAO

A fim de apresentar adequadamente o desenvolvimento realizado, a presente
dissertao foi subdividida em seis captulos descritos a seguir:
No captulo 1 apresentada a importncia da determinao de parmetros
fotovoltaicos na qualificao de mdulos fotovoltaicos.
No captulo 2 apresentada uma reviso sobre o mecanismo de funcionamento de
uma clula fotovoltaica bem como dos circuitos eltricos equivalentes e da influncia dos
parmetros fotovoltaicos na curva I-V de um mdulo.
No captulo 3 apresentada uma reviso sobre alguns mtodos convencionais
para a determinao de coeficientes e parmetros fotovoltaicos.
No captulo 4 so apresentados os mtodos utilizados neste trabalho para a
determinao do coeficiente da variao da tenso de circuito aberto com a temperatura,
resistncia srie, fator de idealidade do diodo e corrente de saturao reversa a partir de curvas
caractersticas determinadas sem iluminao.
No captulo 5 so apresentados os procedimentos experimentais e resultados
obtidos neste trabalho.
5

No captulo 6 so apresentadas as concluses e consideraes finais.





6

2. GERADORES FOTOVOLTAICOS

2.1. EFEITO FOTOELTRICO

A descoberta do efeito fotoeltrico se deu por acaso, em 1887 atravs do fsico
Heinrich Hertz. Hertz estudava a natureza eletromagntica da luz utilizando duas superfcies
metlicas com uma diferena de potencial entre si. Atravs da produo de descargas eltricas
ele verificou que uma descarga em uma superfcie gerava uma descarga na outra. Como uma
tentativa de melhorar a visualizao da segunda descarga, Hertz construiu uma proteo sobre o
experimento evitando assim a disperso da luz. Entretanto o que verificou foi que a intensidade
da segunda descarga diminuiu. No decorrer de suas experincias Hertz conclui que o fenmeno
de gerao da segunda descarga era devido incidncia de luz na superfcie metlica.
Um ano depois Hallwachs comprovou haver emisso de eltrons quando a
superfcie de metais como o zinco, rubdio, potssio e sdio era iluminada. Esses eltrons eram
chamados fotoeltrons, tendo-se em vista sua origem. Dessa forma o fenmeno de gerao de
eltrons a partir da incidncia de luz passou a ser chamado de efeito fotoeltrico.
Em 1903, Lenard estudou o efeito fotoeltrico utilizando como fonte luminosa um
arco de carbono. Variando a intensidade da luz por um fator 1000, provou que a energia dos
eltrons emitidos no apresentava dependncia da intensidade da luz. Em 1904, Schweidler
mostrou que a energia do eltron era proporcional freqncia da luz incidente.
Em 1905 o fsico alemo Albert Einstein desenvolveu uma teoria muito simples e
revolucionria para explicar o efeito fotoeltrico. De acordo com sua teoria, a luz pode ser
interpretada como partculas denominadas ftons, sem massa, porm portadoras de energia. Um
quantum de luz transfere toda a sua energia a um nico eltron, e isto independe da existncia de
outros quanta de luz. Considerando que um eltron emitido no interior de um metal gasta parte
de sua energia para cruzar a superfcie, Einstein props uma equao, que relaciona a energia do
eltron ejetado (E) na superfcie com a freqncia da luz incidente (v), e com a energia
necessria para escapar do material (|). A Equao (2.1) descreve tal relao:

| u = h E (2.1)

onde | tambm chamado de funo trabalho, que uma propriedade do material e h a
constante de Planck determinada poucos anos antes para explicar o fenmeno da emisso de
radiao do corpo negro.
7

Segundo a teoria de Einstein existe uma freqncia mnima para produzir o efeito
fotoeltrico no material que est sendo estudado. Abaixo desta freqncia, independentemente da
intensidade da luz incidente, no h eltron emitido.
No ano de 1921 Albert Einstein recebeu o Prmio Nobel de Fsica graas sua
contribuio ao estudo do efeito fotoeltrico. Atravs do efeito fotoeltrico a teoria corpuscular
da luz passou a ser efetivamente aceita sendo posteriormente indispensvel para o entendimento
do efeito fotovoltaico.

2.2. EFEITO FOTOVOLTAICO

O efeito fotovoltaico foi observado pela primeira vez por Becquerel em 1839. No
incio do sculo XX, foram descobertas as propriedades do xido de cobre, onde se observou o
fenmeno da converso direta da energia solar em energia eltrica. Em 1954, no Bell
Laboratories, foi fabricada uma clula de silcio com uma eficincia da ordem de 6% e um ano
depois a companhia americana Western Eletric comeou a comercializ-las. Com o programa
espacial americano, as tecnologias de fabricao de clulas fotovoltaicas tiveram um grande
avano e a partir de 1958 muitos satlites lanados ao espao j possuam mdulos fotovoltaicos
para seu suprimento de energia eltrica.
O efeito fotovoltaico consiste no surgimento de uma diferena de potencial entre
dois materiais semicondutores de propriedades eltricas diferentes devido incidncia de luz na
regio de juno entre os mesmos. A grande maioria dos dispositivos que fazem uso do efeito
fotovoltaico so constitudos de silcio nas suas diferentes formas, principalmente na forma de
silcio multicristalino. Dessa forma o efeito fotovoltaico ser explicado para o silcio como
exemplo, uma vez que nos outros materiais semicondutores o funcionamento muito
semelhante.
Um tomo de silcio possui quatro tomos na ltima camada eletrnica, sendo,
portanto, um tomo tetravalente. Quando os tomos de silcio se ligam uns aos outros em redes
cristalinas, todos os eltrons de valncia so usados em ligaes do tipo covalente, no restando,
a princpio, eltrons responsveis pela conduo eletrnica. Entretanto, um material
semicondutor s seria um isolante perfeito a temperatura de 0 K, pois em temperaturas acima
desta alguns eltrons absorvem energia trmica e se libertam da estrutura cristalina, passando
para a banda de conduo como eltrons livres. Nota-se que cada eltron libertado da estrutura
cristalina deixa um tomo com uma carga positiva em excesso, que podem ser interpretados
como cargas positivas tambm responsveis pela conduo eltrica. Estas ligaes incompletas
8

so chamadas de lacunas. A energia necessria para que um eltron salte da banda de valncia
para a de conduo denominada energia do gap. A Figura 2.1 mostra uma representao de um
semicondutor com suas bandas de valncia e conduo e a Tabela 2.1 apresenta as energias do
gap de alguns materiais para temperatura ambiente.


Figura 2.1 - Representao dos nveis de energia em um semicondutor.

Tabela 2.1 - Energia do gap para diferentes semicondutores, (Pierret, 1996).

Semicondutor Energia do gap (eV)
Arsenieto de glio 1,42
Silcio 1,12
Germnio 0,66

A condutividade adquirida devido temperatura , no entanto, muito pequena,
podendo ser drasticamente aumentada segundo um processo conhecido como dopagem. A
dopagem consiste na adio controlada de tomos de elementos com mais ou com menos de
quatro eltrons na banda de valncia. Como exemplo, se uma amostra de silcio for contaminada
com tomos de boro, que possuem trs eltrons na banda de valncia, existir um eltron a
menos na estrutura cristalina para cada tomo de boro acrescentado. Interpretando de outra
forma, tal contaminao faria surgir uma carga positiva em excesso para cada tomo de boro. A
regio na qual seria feita essa insero de tomos de boro chamada de regio P. Se, por outro
lado, fossem acrescentados tomos de um material pentavalente como o fsforo ter-se-ia um
9

eltron a mais na estrutura cristalina para cada tomo de fsforo inserido. A regio na qual
seriam acrescentados tais tomos de fsforo passa a ser chamada de regio N.
Se uma amostra de silcio puro for dopada de um lado com tomos pentavalentes
e do outro com tomos trivalentes tem-se ento o que chamado de juno PN. Como de um
lado da juno existe um excesso de eltrons e do outro um excesso de lacunas, ocorre uma
migrao de eltrons do lado N para o lado P e uma migrao de lacunas no lado P para o lado
N. Esta migrao de cargas eltricas gera um campo eltrico que vai aumentando a medida que
mais cargas se deslocam para o lado contrrio da juno at que o valor desse campo se torne
suficientemente forte para contrabalanar a fora de atrao eltrica que era responsvel pela
migrao das cargas. A regio na qual ocorre o acmulo de ons positivos no neutralizados do
lado P e ons negativos no neutralizados do lado N chamada de regio de depleo. A Figura
2.2 ilustra uma juno PN bem como a regio de acmulo de cargas eltricas migradas do lado P
para o lado N e vice-versa.


Figura 2.2 - Representao de uma juno PN.


Devido ao campo eltrico gerado na regio de depleo, no h diferena de
potencial entre as superfcies do lado P e do lado N. Entretanto se a juno for exposta luz
(ftons com energia maior do que o gap) ocorrer a gerao de pares eltron-lacuna. Se estes
pares eltron-lacuna forem gerados em uma regio onde o campo eltrico no nulo, eles sero
acelerados, dando origem a uma corrente atravs da juno e por sua vez a uma diferena de
potencial entre as superfcies das regies P e N. Este fenmeno chamado de efeito fotovoltaico.
Se as superfcies das regies P e N forem interconectadas com um condutor, passar a circular
uma corrente eltrica que perdurar enquanto a juno permanecer iluminada.
10

2.3. CLULAS FOTOVOLTAICAS

As clulas fotovoltaicas so os dispositivos conversores de energia radiante em
energia eltrica que funcionam segundo o efeito fotovoltaico. Na sua grande maioria, as clulas
usadas em aplicaes comerciais podem ser encaradas como diodos de juno PN de grande
rea. As clulas fotovoltaicas podem ser divididas quanto estrutura de ligao dos tomos dos
quais so constitudas. Desta forma a estrutura atmica pode ser do tipo cristalina ou do tipo
amorfa. A estrutura cristalina pode ser ainda monocristalina ou multicristalina.
Quanto ao material utilizado para a fabricao das clulas, este pode ser composto
por ligas, como sulfeto de cdmio e arsenieto de glio entre outros ou por apenas um elemento
como o silcio, germnio ou selnio. Na parte frontal das clulas acrescentada uma camada de
um material, geralmente TiO
2
ou

SiO
2
, a fim de minimizar as perdas por reflexo. A Figura 2.3
apresenta uma representao de uma clula de silcio tpica.


Figura 2.3 - Representao de uma clula fotovoltaica de silcio
(adaptado de CRESESB, 2006).

Normalmente a camada de Silcio tipo N tem uma espessura compreendida entre
valores da ordem de 0,3 m at 1 m enquanto a camada de silcio tipo P apresenta uma
espessura de aproximadamente 300 m.

11

2.3.1. CORRENTE DE UM DIODO NO ESCURO

A corrente eltrica que circula atravs de uma clula fotovoltaica de silcio pode
ser interpretada como a soma de uma corrente gerada a partir da incidncia de radiao luminosa
na superfcie da clula com uma corrente em sentido contrrio e correspondente de um diodo
no escuro. Para tanto ser feita nesta seo uma descrio dos fenmenos fsicos que ocorrem na
corrente eltrica de um diodo no escuro.
Se for aplicada em um diodo uma tenso de polarizao direta (positiva do lado P
e negativa do lado N) haver uma diminuio do campo eltrico da juno (tambm chamado de
barreira de potencial). Como conseqncia dessa diminuio da barreira de potencial haver uma
injeo de portadores minoritrios em ambos os lados da regio de depleo. Dessa forma
eltrons do lado N so injetados para o lado P avanando principalmente por difuso e
desaparecendo em seguida devido recombinao com as lacunas do lado P. Essa corrente
denominada I
DB
e constitui parte da corrente do diodo. De forma anloga, as lacunas que
avanam por difuso do lado P para o lado N sendo ento recombinadas com eltrons do
origem a uma corrente denominada I
DE
. Existe ainda um ltimo componente de corrente que
devido recombinao de eltrons e lacunas na regio de depleo denominada I
DT
. Dessa forma
a corrente do diodo a soma algbrica dessas trs componentes de corrente, assim como
representado na Figura 2.4(a). conveniente ressaltar que o sentido das corrente eltricas
apresentadas na Figura 2.4 leva em conta o sentido convencional de corrente, ou seja, o de
avano das cargas positivas.




(a) (b)
Figura 2.4 Componentes internas da corrente de um diodo no escuro em polarizao
(a) direta e (b) reversa.

12

Em uma outra situao, se for aplicada uma tenso de polarizao reversa nos
terminais de um diodo haver um aumento da barreira de potencial e como conseqncia uma
diminuio dos portadores minoritrios em ambos os lados da regio de depleo. Entretanto
pares eltron-lacuna sero gerados por efeito trmico dando origem ento a uma corrente devido
ao do campo eltrico da juno. Esta corrente eltrica funciona de forma anloga corrente
eltrica originada por pares eltron-lacuna gerados pela incidncia de luz. Dessa formaas
correntes devidas polarizao reversa so somadas corrente fotogerada (no caso de uma
clula fotovoltaica), muito embora seu valor possa ser desprezado, uma vez que muito pequeno
quando comparado com a corrente fotogerada. As correntes de polarizao reversa so, portanto,
correntes que circulam do lado P para o lado N, sendo denominadas I
E0
, I
B0
e I
T0
.
As componentes de corrente eltrica na regio de campo eltrico nulo (zona
neutra) ocorrem predominantemente devido ao fenmeno de difuso dos portadores minoritrios
e seguem uma relao exponencial com a tenso de polarizao conhecida como a equao de
Shockley para o diodo ideal, tal qual apresentada na Equao (2.2).

( ) ( ) ( )
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
+ = + 1 exp 1 exp
01 0 0
T k
eV
I
T k
eV
I I V I V I
B B
B E DB DE

(2.2)

onde k
B
a constante de Boltzmann e T a temperatura.
A componente de corrente devido aos fenmenos de gerao-recombinao que
ocorrem dentro da regio de depleo apresentada na Equao (2.3). Nota-se que embora a
relao entre a corrente e a tenso tambm seja exponencial, esta distinta da apresentada na
Equao (2.2).

( )
(

|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
= 1
2
exp 1
2
exp
02 0
T k
eV
I
T k
eV
I E I
B B
T DT

(2.3)

Valores tpicos de I
01
para uma clula de silcio monocristalino, na temperatura
ambiente, so da ordem de 10
-12
A/cm e 10
-8
A/cm de para I
02
. Dessa forma fica fcil
comprovar que para tenses baixas (inferiores a 0,4 V para uma clula) a componente de
recombinao na regio de depleo predomina enquanto que para tenses altas (superiores a
0,4 V para uma clula), prximas s tenses de operao de uma clula, a componente de
difuso que predomina. comum ento, como uma boa aproximao, considerar apenas a
componente de difuso para o estudo da corrente eltrica de uma clula. Outra possibilidade a
13

adoo de um modelo que considere apenas uma componente de corrente com influncia tanto
dos processos de difuso quanto de recombinao. Nesse modelo adicionado um fator de
correo denominado fator de idealidade do diodo (m). O fator de idealidade tende a 2 para
tenses baixas (predomnio do fenmeno de recombinao) e tende a 1 para tenses altas
(predomnio do fenmeno de difuso). A Figura 2.5 apresenta uma curva semilogartmica terica
(I-V) para uma clula de silcio monocristalino sem iluminao, destacando duas regies de
tenso para os quais o fator de idealidade apresenta valores iguais a 1 e 2.


0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Tenso (V)
6.1x10
-6
9.1x10
-4
1.4x10
-1
2.0x10
1
3.0x10
3
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Curva I-V para uma clula de
silcio monocristalino no escuro
m = 1
m = 2

Figura 2.5 Curva semilogartmica I-V de uma clula de silcio monocristalino descrita por
duas exponenciais e retas tangentes correspondentes aos fatores de idealidade iguais a 1 e 2.

2.4. TECNOLOGIAS DE CLULAS FOTOVOLTAICAS

So apresentadas a seguir, de forma sucinta, as principais tecnologias existentes
hoje em termos de clulas fotovoltaicas de uso comercial.


14

2.4.1. SILCIO MONOCRISTALINO (m-Si)

O silcio monocristalino basicamente o mesmo material utilizado na fabricao
de diodos de juno e circuitos integrados usados na microeletrnica. O silcio utilizado para a
fabricao das clulas obtido a partir de um nico cristal imerso em um banho de silcio
fundido de alto grau de pureza, superior a 99,9999% [Rther, 2004]. O tarugo resultante do
cristal crescido ento usinado e posteriormente fatiado em lminas muito finas (wafers).
Entre a usinagem, serrilhamento para obteno dos wafers, dentre outros processos que se fazem
necessrio desde a fabricao do cristal at a obteno da clula fotovoltaica, existe uma grande
perda de material, da ordem de 50%. Estas perdas de material ao longo do processo de
fabricao constituem um importante fator de encarecimento do produto. comum encontrar
uma eficincia na faixa de 12 a 16% em produtos comerciais para este tecnologia de clula
fotovoltaica [CRESESB, 1999].

2.4.2. SILCIO MULTICRISTALINO (p-Si)

A principal diferena entre o silcio multicristalino e o monocristalino que
enquanto o segundo obtido a partir do crescimento de um nico cristal, o outro obtido a partir
da solidificao do material fundido, originando a formao de inmeros cristais. Desta forma o
custo de produo em comparao com o silcio monocristalino consideravelmente menor, em
contrapartida a eficincia das clulas fabricadas com silcio multicristalino tambm menor.
Pode-se considerar, contudo, que na prtica a eficincia dos produtos alcana valores muito
prximos das clulas de silcio monocristalino [CRESESB, 1999].

2.4.3. SILCIO AMORFO HIDROGENADO (a-Si)

O silcio amorfo hidrogenado consiste em uma forma de silcio no cristalina
empregada pela primeira vez em clulas solares no ano de 1974. Este material apresenta uma
resposta espectral mais voltada para a regio do azul do espectro eletromagntico, o que o torna
mais eficiente do que o silcio monocristalino sob iluminao artificial e sob radiao difusa.
Segundo Rther e Livingstone, (1993) ao contrrio de todas as outras tecnologias
fotovoltaicas, em que o aumento de temperatura ocasiona uma diminuio na potncia gerada, o
a-Si no apresenta nenhuma diminuio em seu desempenho eltrico com o aumento de
temperatura.
15

As temperaturas necessrias para os processos de fabricao do a-Si apresentam
valores baixos, inferiores a 300 C, o que possibilita a que estes filmes finos sejam depositados
sobre camadas plsticas. Esta propriedade possibilitou com que fossem desenvolvidos mdulos
flexveis, semitransparentes e com superfcies curvas abrindo um leque enorme de opes na
rea da arquitetura.

2.4.4. TELURETO DE CDMIO (CdTe)

O CdTe consiste em uma forma multicristalina de filme fino. Assim como o a-Si,
o CdTe apresenta um custo de produo bastante inferior ao do silcio cristalino, no entanto com
uma eficincia inferior, entre 7 e 11%. Este material comumente depositado sobre o vidro,
resultando num tom marron/azul escuro de interessante valor para aplicaes arquitetnicas. Um
problema associado produo de clulas com este tipo de tecnologia relativo toxidade do
material envolvido na produo.

2.4.5. DISSELENETO DE COBRE GLIO E NDIO (CIS e CIGS)

Os disseleneto de cobre e ndio so uma forma multicristalina de filmes finos que
em 1996 atingiram uma eficincia de 17,7 % sendo que em 2004 estes materiais apresentavam a
maior eficincia dentre os filmes finos. Mdulos com esta tecnologia apresentam eficincias da
ordem de 10%. Tal qual o a-Si ou o CdTe estes materiais apresentam uma excelente aparncia
esttica o que possibilita seu uso em telhados e fachadas, constituindo instalaes incorporadas
construo.

2.5. FATORES QUE INFLUENCIAM NA EFICINCIA DE UMA CLULA DE SILCIO

A eficincia das clulas e dos mdulos fotovoltaicos definida pela relao entre
a potncia que os mesmos so capazes de fornecer e a irradincia solar incidente.
Comercialmente, as clulas de silcio cristalino apresentam uma eficincia da
ordem de 15%. Segundo Green, 1995, essas clulas possuem um limite de eficincia de
aproximadamente 29%, chegando a casa dos 37% quando trabalhando com concentradores de
radiao. O limite de eficincia desse tipo de tecnologia de clulas devido principalmente a
dois fatores: seletividade da absoro da clula e procedimentos de fabricao [Arajo, 1985].
Estes fatores so descritos a seguir.
16

2.5.1. SELETIVIDADE DE ABSORO DA CLULA

A radiao que chega Terra provinda do Sol apresenta diferentes intensidades de
energia em relao ao comprimento de onda. Essa distribuio espectral afetada por absores
devido ao vapor de gua e a gases presentes na atmosfera, bem como por resduos slidos que
eventualmente estejam presentes no ar, de maneira que o espectro que chega superfcie no o
mesmo fora da atmosfera. A distribuio espectral tambm varia com a espessura da camada de
ar que os raios de luz precisam atravessar para atingir a superfcie. A relao entre esse caminho
ptico e a espessura da atmosfera chamada de massa de ar, do ingls air mass (AM).
Uma definio mais precisa para massa de ar dada pela relao entre o caminho
efetivo percorrido pelos raios solares (radiao direta) na atmosfera at atingir a superfcie de um
dado lugar e o caminho percorrido pelos raios solares na atmosfera at a superfcie de um lugar
ao nvel do mar estando o Sol no znite. A Figura 2.6 ilustra a definio de massa de ar. A massa
de ar pode ser calculada, de forma aproximada, a partir da Equao (2.4).

u cos
1
= AM
(2.4)

onde u o ngulo formado entre a direo dos raios de luz e o znite.
Quando a radiao solar incide em uma clula fotovoltaica, boa parte dos ftons
no aproveitada para a gerao de pares eltron-lacuna. A energia dos ftons pode ser inferior
do gap e dessa forma estes no so absorvidos pelo semicondutor. Se a energia dos ftons for
superior do gap, cada fton gera apenas um par eltron lacuna e o excesso de energia
perdido. Essa perda percebida pela resposta espectral do silcio. A Figura 2.7 apresenta a curva
do espectro solar bem como a resposta espectral do silcio



Figura 2.6 Ilustrao da definio de massa de ar (air mass) (AM).
17

0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Comprimento de Onda (m)
0
200
400
600
800
1000
1200
I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

E
s
p
e
c
t
r
a
l

S
o
l
a
r

G
l
o
b
a
l

(
W

.

m

-
2

.

m
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R
e
s
p
o
s
t
a

R
e
l
a
t
i
v
a
Curva 1 - Resposta espectral da clula
Curva 2 - Espectro solar (AM 1,5 G)

Figura 2.7 - Espectro solar e resposta espectral do silcio (adaptado de Hecktheuer, 2001).

2.5.2. PROCEDIMENTOS DE FABRICAO

Outro mecanismo que ocasiona potencial perda na eficincia no caso do silcio a
reflexo. Cerca de 30% da radiao incidente normal superfcie refletida. Para minimizar essa
perda as clulas so normalmente recobertas com um material anti-reflexivo e a superfcie do
silcio fabricada de modo a apresentar uma textura do tipo pirmide. Essa textura faz com que
um mesmo raio incidente, quando refletido, atinja a superfcie duas ou mais vezes. Com esses
mecanismos as perdas por reflexo acabam apresentando valores muito pequenos [Pierret, 1996].
O fenmeno de recombinao entre eltrons e lacunas tambm um fator importante na
limitao da eficincia de uma clula fotovoltaica. Para diminuir as perdas devido
recombinao algumas clulas possuem campos eltricos em sua traseira.
Existem ainda as limitaes impostas pelas resistncias srie e paralela que
ocasionam considervel diminuio na potncia que o gerador fotovoltaico capaz de fornecer.
A rea til da clula na qual a radiao incide limitada devido grade metlica na face frontal
da clula, entretanto quanto menor for a metalizao frontal da clula maior ser a resistncia
srie, o que faz com que a metalizao frontal seja um importante fator limitador de eficincia.
18

2.6. MDULOS FOTOVOLTAICOS

A mxima tenso gerada por uma clula de silcio em circuito aberto da ordem
de 0,6 V. Como pouqussimos aparelhos funcionam com uma alimentao dessa ordem de
tenso, faz-se necessrio associar clulas em srie a fim de aumentar a tenso fornecida pelo
dispositivo fotovoltaico. Da mesma forma pode-se associar clulas em paralelo a fim de
aumentar a corrente fornecida pelo dispositivo. Tais associaes de clulas so denominadas
mdulos fotovoltaicos.
Comercialmente, os mdulos fotovoltaicos, alm das clulas geradoras de
eletricidade, possuem os seguintes itens: na parte frontal uma camada de EVA (Etil Vinil
Acetato) alm de uma camada de vidro temperado, na parte posterior do mdulo uma camada de
Tedlar e outra camada de EVA e uma moldura (geralmente de alumnio). Estes componentes
acabam por fornecer ao mdulo uma estrutura rgida, garantia de maior durabilidade do
conjunto. A Figura. 2.8 apresenta um corte de um mdulo de silcio tpico.
O tempo de durabilidade de um mdulo fotovoltaico de silcio monocristalino
dependente das condies de operao s quais ele for submetido ao longo dos anos.
Evidentemente existem inmeros fatores ligados s condies ambientais que contribuem para a
degradao dos mdulos com conseqente perda de potncia. Em uma anlise realizada por Vera
et al.,(2006b) foi encontrada uma reduo mdia da ordem de 1% ao ano (para os primeiros seis
anos de operao) no valor da mxima potncia fornecida pelo mdulo. Entretanto importante
ressaltar que essa diminuio na potncia no pode ser assumida como linear ao longo dos anos.
Em mdia os fabricantes oferecem uma garantia no inferior a 20 anos para os mdulos
fotovoltaicos.

Figura 2.8 - Corte de um mdulo fotovoltaico (adaptado de catlogo Siemens, 1996).
19

2.7. CIRCUITOS EQUIVALENTES

A representao de uma clula fotovoltaica atravs de um circuito eltrico na
grande maioria dos casos feita seguindo um dos dois modelos descritos a seguir. Entretanto
muitos pesquisadores tm utilizado variaes destes circuitos equivalentes alterando alguns
parmetros de forma a tornar o modelo mais adequado para o estudo em questo [King et al,
1997a].

2.7.1 MODELO DE 1 DIODO

Nesse modelo a corrente eltrica gerada a partir da radiao incidente sobre a
clula representada por um gerador de corrente. Um diodo faz o papel da juno PN,
responsvel pela corrente de saturao reversa e pelo fator de idealidade.
Como existe queda de tenso devida resistncia dos materiais nas clulas e nas
ligaes entre as mesmas, acrescentada ao circuito uma resistncia srie. Por fim,
representando uma fuga de corrente, adicionado um resistor paralelo. A Figura 2.9 representa o
circuito eltrico equivalente para uma clula fotovoltaica segundo o modelo de 1 diodo.




Figura 2.9 - Circuito eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica modelo de 1 diodo.

Considerando o modelo de um diodo, que ser o modelo adotado neste trabalho,
obtm-se Equao (2.5) que relaciona a corrente eltrica fotogerada (I
fg
) com a fuga de corrente
representada pelo resistor paralelo (I
P
) e com a corrente do diodo, que representa os fenmenos
de recombinao e de difuso I
D
.

P D fg
I I I I =
(2.5)
20

A corrente que passa pelo diodo, em funo da tenso aplicada em seus terminais,
pode ser representada pela Equao (2.6) e sua deduo pode ser encontrada em diversos livros
sobre semicondutores entre os quais Pierret (1996).

( )
)
`

+
= 1 exp
0
T mk
IR V e
I I
B
S
D

(2.6)

onde, I
0
a corrente de saturao reversa, e a carga do eltron, m o fator de idealidade do
diodo, k
B
a constante de Boltzmann, T a temperatura, V a tenso e R
S
a resistncia srie.
Dessa forma, substituindo a Equao (2.6) na Equao (2.5) e fazendo as devidas
consideraes quanto corrente que flui pelo resistor em paralelo, tem-se a Equao (2.7) que
relaciona a corrente eltrica gerada a partir da luz incidente na juno da clula fotovoltaica em
funo da tenso de seus terminais e de sua temperatura.

( )
P
S
B
S
fg
R
IR V
T mk
IR V e
I I I
+

)
`

+
= 1 exp
0

(2.7)

A Equao (2.7) vlida para uma clula fotovoltaica. No caso dos mdulos
fotovoltaicos, considerando pequenas alteraes, tanto o circuito equivalente quanto s equaes
descritas acima so vlidas, uma vez que os mdulos so associaes de clulas. Tais
associaes, na grande maioria dos mdulos usados em aplicaes fotovoltaicas, so feitas de
maneira a ligar os terminais das clulas em srie o que faz da tenso do mdulo ser um
somatrio das tenses de cada clula. Sendo V
T
um termo definido pela Equao (2.8), onde N
S

representa o nmero de clulas associadas em srie no mdulo, e substituindo-o na Equao
(2.7) tem-se a Equao (2.9) que representa a relao entre corrente e tenso em um mdulo.

e
T mk N
V
B S
T
= (2.8)

P
S
T
S
o SC
R
IR V
V
IR V
I I I
+

|
|
.
|

\
| +
= 1 exp
(2.9)
21

onde R
S
e R
P
representam as resistncias srie e paralela do mdulo completo. I
SC
a corrente
de curto-circuito do mdulo que substitui a corrente fotogerada, tendo em vista que seus
valores so praticamente iguais.
Este modelo utilizado por inmeros autores e pesquisadores entre os quais
citam-se Kapica (1998), Singer et. al (1984) e Krenzinger (1994).

2.7.2. MODELO DE 2 DIODOS

O modelo de 2 diodos semelhante ao modelo descrito anteriormente com a
diferena que, para a representao da juno PN, so utilizados dois diodos. Um dos diodos
representa o fenmeno de difuso que predominante quando aplicada aos terminais da clula
tenses baixas, tipicamente inferiores a 0,4 V. O outro diodo representa o fenmeno de
recombinao que responsvel pelo aumento de corrente quando a tenso aplicada clula
alcana tenses tipicamente superiores a 0,4 V. Cada diodo passa a ter um valor de corrente de
saturao reversa prprio e um fator de idealidade pr-definido segundo a teoria de Shockley
(1949) como j apresentado neste trabalho nas Equaes (2.2) e (2.3). Vale lembrar que segundo
essa teoria o diodo que representa a difuso apresenta fator de idealidade igual a 1, enquanto que
o diodo que representa a recombinao tem fator de idealidade igual a 2.
O modelo de 2 diodos no apresenta vantagem numrica em relao ao modelo de
1 diodo, uma vez que embora os fatores de idealidade sejam pr-definidos, existe a necessidade
da determinao de duas correntes de saturao reversa. Dessa forma o nmero total de variveis
de ambos os modelos rigorosamente o mesmo. A Figura 2.10 representa o circuito eltrico
equivalente para uma clula fotovoltaica segundo o modelo de 2 diodos.





Figura 2.10 - Circuito eltrico equivalente de uma clula fotovoltaica modelo de 2 diodos.
22

A Equao (2.10) apresenta a relao entre corrente e tenso de acordo com o
modelo de 2 diodos.

( ) ( )
P
S
B
S
B
S
SC
R
IR V
T k
IR V e
I
T k
IR V e
I I I
+

)
`

)
`

+
= 1
2
exp 1 exp
02 01

(2.10)

2.7.3. MODELO DE 2 DIODOS MODIFICADO

Muitos pesquisadores, como Meyer, E. L. e van Dyk, E. E., (2004) e Roshdy,
(1999), tm feito uso do modelo de dois diodos, porm considerando um parmetro a ser
determinado o fator de idealidade relativo ao fenmeno de recombinao. Essa alterao no
modelo, que originalmente considera este fator de idealidade igual a 2, torna-o mais preciso e
apresentada na Equao (2.11). Existem ainda alguns casos em que ambos os fatores de
idealidade so tratados como variveis. Embora o modelo se torne mais refinado existe a
desvantagem do aumento no nmero de variveis a serem determinadas.

( ) ( )
P
S
B R
S
B
S
SC
R
IR V
T k m
IR V e
I
T k
IR V e
I I I
+

)
`

)
`

+
= 1 exp 1 exp
02 01

(2.11)

2.8. CURVA CARACTERSTICA I-V

A curva caracterstica de um dispositivo fotovoltaico seja uma clula, um mdulo
ou um array (associao de mdulos) consiste na representao matemtica do comportamento
da corrente eltrica em funo da tenso. A determinao dessa curva imprescindvel na
caracterizao dos mdulos fotovoltaicos, pois atravs dela que se obtm informaes sobre o
desempenho eltrico do gerador fotovoltaico como ser posteriormente apresentado neste
trabalho.
A Figura 2.11 representa a curva caracterstica I-V para um mdulo fotovoltaico
de 72 clulas associadas em srie bem como a curva de potncia versus tenso para este mesmo
mdulo.
Os pontos de potncia so obtidos simplesmente multiplicando cada valor de
tenso pelo correspondente valor de corrente. Nota-se que a potncia varivel ao longo da
tenso apresentando um valor mximo na regio do joelho da curva I-V. De forma simplificada,
a curva I-V pode ser interpretada como a curva de um diodo no escuro e sua soma algbrica com
23

a corrente fotogerada. Como essa corrente negativa, a curva I-V resultaria no quarto quadrante
do sistema de coordenadas, porm convencionalmente essa curva rebatida para o primeiro
quadrante [Lasnier, 1990].

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e


(
A
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
P
o
t

n
c
i
a

(
W
)
I
SC
V
OC
P
M
(V
M
, I
M
)

Figura 2.11 - Curva caracterstica (I-V) e curva de potncia versus tenso (P-V) de um mdulo
(m-Si, 72 clulas) com 100 W de potncia e 24 de tenso nominal.

De acordo com a Figura 2.11, I
SC
a corrente de curto-circuito, V
OC
a tenso de
circuito aberto, P
M
a potncia no ponto de mxima potncia na curva P-V, V
M
e I
M
so as
coordenadas de tenso e corrente, respectivamente, correspondentes ao ponto de mxima
potncia.

2.9. INFLUNCIA DA IRRADINCIA NA CURVA I-V

A corrente eltrica gerada a partir da irradincia incidente na juno PN
linearmente proporcional intensidade da mesma. Como a relao entre a corrente e tenso
dada por uma funo exponencial, a variao da tenso com a irradincia se d de forma
logartmica. A Figura 2.12 apresenta curvas I-V medidas sob iluminao natural correspondentes
a diferentes valores de irradincia. A condio padro para determinao da curva caracterstica,
24

segundo a norma NBR 1386 de 1000 W/m de irradincia, temperatura de 25 C e massa de
ar de 1,5 [ABNT, 1991a].

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Curvas I-V medidas a 33 C
930 W/m
802 W/m
714 W/m

Figura 2.12 Curvas I-V de um mdulo de silcio de 72 clulas a diferentes irradincias.

2.10. INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA CURVA I-V

A temperatura um fator de importante influncia na curva caracterstica de um
dispositivo fotovoltaico. A corrente eltrica de curto-circuito aumenta ligeiramente com a
temperatura, para mdulos de silcio cristalino, segundo um coeficiente (o) que apresenta valores
tpicos para o silcio de 0,06%C
-1
ou 0,03 mAC
-1
cm
-2
. O coeficiente da variao da corrente de
curto-circuito com a temperatura definido pela Equao (2.12). Este aumento de corrente
devido a uma diminuio da energia do gap do material, expressa pela Equao (2.13):

T
I
SC
c
c
= o (2.12)

( ) ( )
b T
aT
E T E
g g
+
=
2
0 (2.13)

onde E
g
(T) a energia do gap do material a uma dada temperatura, E
g
(0) uma energia de
referncia e a e b so constantes do material. A Tabela 2.2 apresenta os valores das constantes a
e b e as energias o gap para dois materiais, silcio e arsenieto de glio.
25

Tabela 2.2 - Energia do gap para Si e GaAs com os valores das constantes a e b da Equao
(2.13) (Lesnier, 1990).

Material E
g
(0)(eV) a (10
-4
eV K
-1
) b (K)
Si 1,16 7 1100
GaAs 1,52 5,8 300

A tenso, por sua vez, apresenta uma variao linear com a temperatura.
Tipicamente, para mdulos de silcio monocristalino, a tenso decai de acordo com um
coeficiente (|) que apresenta valores da ordem de -2,3 mV/ C por clula. O coeficiente da
variao da tenso de circuito aberto com a temperatura pode ser definido pela Equao (2.14).

T
V
OC
c
c
= | (2.14)

Esta diminuio da tenso devida principalmente ao incremento exponencial da
corrente de saturao reversa. Essa corrente fruto dos portadores de carga minoritrios criados
por excitao trmica. A Figura 2.13 apresenta curvas I-V determinadas experimentalmente para
um mdulo de 72 clulas (m-Si) relativas mesma irradincia, mas em diferentes temperaturas .

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Mdulo de silcio de 72 clulas a 1000 W/m
25C
33 C
52 C

Figura 2.13 - Curvas I-V de um mdulo de silcio monocristalino de 72 clulas determinadas a
diferentes temperaturas e a 1000 W/m de irradincia.
26

2.11. EFEITO DOS PARMETROS FOTOVOLTAICOS NA CURVA I-V

Nesta seo sero considerados os quatro parmetros fotovoltaicos presentes na
equao caracterstica de uma clula ou mdulo fotovoltaico. So apresentadas as influncias de
cada um destes parmetros na curva caracterstica I-V de um dispositivo fotovoltaico.

2.11.1. RESISTNCIA SRIE

Este parmetro est associado, para cada clula solar que compe um mdulo
fotovoltaico, a uma resistncia devida aos seguintes elementos: base das clulas, regio do
emissor, resistncias de contato entre o metal e o semicondutor (lados frontal e posterior),
resistncia passagem da corrente atravs dos dedos e do bus-bar da grade metlica. No caso de
um mdulo, existe ainda uma resistncia devida s ligaes entre as diversas clulas que
compem o circuito eltrico do mesmo. Desta forma, um resultado esperado que mdulos com
maior nmero de clulas associadas em srie apresentem um maior valor de R
S
. O efeito desta
resistncia no desempenho de um mdulo o da reduo na potncia do mesmo. A Figura 2.14
apresenta curvas tericas I-V para um mdulo de 72 clulas relativas diferentes valores de R
S
.

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Mdulo de silcio de 72 clulas
R
S
= 0 O
R
S
= 1 O
R
S
= 2 O
R
S
= 5 O

Figura 2.14 - Efeito da variao da resistncia srie na curva I-V de um mdulo de
silcio de 72 clulas.
27

2.11.2. RESISTNCIA PARALELA

A resistncia paralela tratada como uma representao das perdas de corrente
eltrica pelo gerador fotovoltaico. Idealmente um mdulo ou uma clula teriam um valor de R
P

infinito, o que representaria inexistncia de corrente de fuga. Valores baixos de R
P
causam queda
na potncia fornecida pelo dispositivo fotovoltaico, devido a um caminho alternativo que a
corrente eltrica fotogerada tem para circular. A resistncia paralela responsvel por um
incremento na inclinao da curva I-V na regio de curto circuito at o joelho da mesma.
Verifica-se, no entanto, que valores baixos de R
P
causam uma diminuio no valor da tenso de
circuito aberto. A influncia mais direta de R
P
observada na diminuio da potncia do gerador
fotovoltaico. A Figura 2.15 apresenta curvas I-V tericas para um mdulo de 72 clulas relativas
diferentes valores de R
P
.

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Mdulo de silcio de 72 clulas
R
P
=
R
P
= 200 O
R
P
= 100 O
R
P
= 50 O

Figura 2.15 - Efeito da variao da resistncia paralela na curva I-V de um mdulo de
silcio de 72 clulas.

2.11.3. FATOR DE IDEALIDADE

O fator de idealidade um parmetro diretamente associado com a curvatura da
curva I-V na regio do joelho, influenciando dessa forma a potncia do dispositivo fotovoltaico.
Como j foi mostrado neste trabalho, o comportamento da corrente como funo da tenso em
28

uma clula ou mdulo fotovoltaico apresenta uma relao logartmica. Entretanto sabido que se
a relao I-V fosse inteiramente logartmica (diodo ideal) uma curva ln(I) versus V deveria
corresponder a uma reta, o que no se verifica. Esse comportamento no linear na curva
semilogartmica de um diodo real (de um gerador fotovoltaico) corresponde uma variao no
fator de idealidade. Os valores para m situam-se entre 1 e 2 segundo o modelo de 1 diodo. A
Figura. 2.16 apresenta trs curvas I-V de um mdulo de silcio de 72 clulas relativas a diferentes
valores de m
.
Para fins de visualizar a influncia de m nas curvas I-V estas foram geradas
numericamente com diferentes valores de corrente de saturao reversa, de forma a manter a
mesma tenso de circuito aberto.

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
3.3
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Mdulo de silcio de 72 clulas
m = 1
m = 1,3
m = 2

Figura 2.16 - Efeito da variao do fator de idealidade curva I-V de um mdulo de
silcio de 72 clulas.

2.11.4. CORRENTE DE SATURAO REVERSA

O principal efeito causado pela corrente de saturao reversa, como j
mencionado anteriormente, a diminuio da tenso de circuito aberto com o aumento da
temperatura. Isto acontece uma vez que a corrente de saturao reversa, originada por portadores
de carga minoritrios gerados por excitao trmica, aumenta exponencialmente com a
29

temperatura ocasionando queda na tenso da juno e por conseqncia nos terminais do mdulo
fotovoltaico. Essa variao de I
0
com respeito temperatura apresentada na Equao (2.15).

( )
( )
|
|
.
|

\
|
=
T k
T E
AT T I
B
g
exp
3
0

(2.15)

onde T a temperatura, k
B
a constante de Boltzmann, E
g
a energia do gap relativa a
temperatura na qual se est calculando, I
0
(T)

a corrente de saturao reversa em funo da
temperatura e A uma constante independente da temperatura.
30

3. DETERMINAO DAS CARACTERSTICAS ELTRICAS DE MDULOS
FOTOVOLTAICOS MTODOS CONVENCIONAIS.

A caracterizao de um mdulo fotovoltaico , de um modo geral, importante para
avaliar o desempenho eltrico, diretamente associado potncia que o mesmo capaz de
fornecer, bem como detectar possveis defeitos de fabricao ou ainda demonstrar a capacidade
que um mdulo tem de manter as suas caractersticas ao longo dos anos. Alm dos ensaios
eltricos se fazem necessrios tambm ensaios mecnicos e ambientais, a fim de qualificar
completamente o dispositivo fotovoltaico. Essas duas categorias de ensaios no sero tratadas
neste trabalho, uma vez que aqui o objetivo principal a qualificao das caractersticas eltricas
de um mdulo.
A caracterizao das propriedades eltricas de um mdulo fotovoltaico passa pela
determinao da curva caracterstica I-V, a qual deve ser medida sob condies especficas de
temperatura, irradincia, massa de ar e velocidade do vento, condies as quais so definidas
pelas normas especficas. Dentre as principais entidades responsveis pela emisso dessas
normas esto a IEC, International Electrotechnical Commission a ASTM, American Society for
Testing and Materials e a ABNT, Associao Brasileira de Normas Tcnicas.

3.1. DETERMINAO DA CURVA I-V

Para a determinao das caractersticas fotoeltricas, segundo a norma NBR
12136 [ABNT, 1991a] as correntes de curto-circuito dos dispositivos em ensaio devem ser
medidas com tenso igual a zero, usando polarizao varivel para compensar a queda de tenso
atravs da resistncia srie. Estas correntes tambm podem ser determinadas atravs da queda de
tenso em um resistor fixo de preciso com quatro terminais, desde que a medio seja realizada
a uma tenso menor que 3% da tenso de circuito aberto do dispositivo em teste, dentro de uma
faixa onde exista uma relao linear entre tenso e corrente. Ensaios para a determinao das
caractersticas fotoeltricas de mdulos fotovoltaicos podem ser executados expondo-se o
mdulo luz solar ou simulada. No caso da luz simulada esta pode ser constante ou pulsante.
De acordo com a norma internacional [IEC, 1987], as medidas sob iluminao
natural requerem condies estveis de irradincia com flutuaes inferiores a 1% durante a
aquisio dos dados e valor superior a 800W/m. Deve ser utilizada uma clula de referncia,
fabricada com a mesma tecnologia do dispositivo que est sendo testado, calibrada para a medida
31

da irradincia solar. As temperaturas da clula de referncia e do dispositivo em teste precisam
ser conhecidas, uniformes e estveis durante a medida dos pontos da curva caracterstica.
Segundo a norma NBR 12136 [ABNT,1991a], recomendado que, caso seja
difcil ou pouco prtico controlar as temperaturas, a clula de referncia e o dispositivo em
ensaio sejam cobertos de maneira que suas temperaturas entrem em equilbrio com a temperatura
do meio. Logo aps retirada a cobertura procedem-se as medies. Se o ensaio for realizado fora
dessas condies uma curva (I-V) medida no pode ser deslocada para a condio padro.
As medies so realizadas registrando simultaneamente os valores de corrente,
tenso, temperatura e irradincia incidente, esta ltima atravs da corrente de curto-circuito da
clula de referncia. Estabelece-se em seguida uma nova tenso de polarizao e os registros so
repetidos, at que toda a extenso da curva entre curto-circuito e circuito aberto seja varrida.
Segundo a Norma Tcnica, NBR 12302 [ABNT, 1991b] quando o ensaio ocorre
em condio diferente da padro e se deseja corrigir a curva I-V para esta condio so
necessrias as Equaes (3.1) e (3.2):

) ( 1
1 2 1 2
T T
I
I
I I I
MR
CR
SC
+
|
|
.
|

\
|
+ = o (3.1)


( ) ( ) ) (
1 2 1 2 2 1 2 1 2
T T T T KI I I R V V
s
+ = | (3.2)


onde I
1
e V
1
so as coordenadas dos pontos na curva caracterstica medida, I
2
e V
2
as
coordenadas dos pontos correspondentes na curva corrigida, I
CR
a corrente de curto-circuito na
clula de referncia sob radiao padro ou outra qualquer, I
MR
a corrente de curto-circuito
medida na clula de referncia, I
SC
a corrente de curto-circuito medida no dispositivo em teste, T
1

a temperatura do dispositivo em teste, T
2
a temperatura padro ou outra desejada, o a variao
da corrente de curto-circuito com a temperatura do dispositivo em ensaio, | a variao da tenso
de circuito aberto pela temperatura do dispositivo em ensaio e K o fator de correo da curva.
O fator de correo da curva K tambm requer um procedimento para sua
medio, no entanto isto no ser apresentado aqui uma vez que no objeto de interesse deste
trabalho.
Segundo a norma ASTM [E 1036-02], a determinao das caractersticas
fotoeltricas para mdulos sem concentradores exige que a preciso dos equipamentos de
medida de tenso e corrente apresentem um erro total inferior a 0,1%. A medio da temperatura
32

exige resoluo de 0,1 C e um erro total inferior a 1 C para mais ou para menos. Durante o
ensaio, a variao da temperatura deve ser inferior a 2 C. Para as medidas sob iluminao
natural, a clula de referncia deve ser fixada junto ao mdulo, coplanar ao mesmo com uma
diferena inferior a 2 . A exposio aos raios de luz do sol deve ser feita de maneira que os
dispositivos em ensaio estejam com uma orientao normal ao feixe central de raios luminosos.
A norma brasileira por sua vez tolera uma impreciso de 0,5% para as medies
de corrente e tenso. Os requisitos quanto s medidas de temperatura bem como quanto clula
de referncia estabelecidos pela norma brasileira so similares norma americana.

3.2. DETERMINAO DOS COEFICIENTES TRMICOS o E |

A determinao dos coeficientes trmicos o e | importante uma vez que estes
valores so necessrios para a correo da curva I-V das condies medidas para a condio
padro ou outra qualquer. Por outro lado estes coeficientes esto diretamente ligados com a
perda de potncia de um mdulo com o aumento da temperatura. Sendo assim o e | uma
importante informao sobre o desempenho do mdulo nas condies reais de operao que
normalmente apresentam temperaturas na faixa de 45 C a 55 C.
Para a medida da irradincia solar ao longo do ensaio necessria ao menos uma
clula de referncia de mesma rea e mesma configurao que a clula na qual esto sendo
medidos o e |.
Convencionalmente a determinao destes parmetros segue ento os seguintes
passos, de acordo com a norma NBR 12136 [ABNT, 1991b].

a) So anexados sensores de temperatura s clulas de maneira que apresentem um erro nas
medidas inferior a 0,5 C.
b) As clulas de referncia e teste so orientadas, no mesmo plano, normais aos raios
solares, buscando um erro inferior a 5 .
c) Ajustar a radiao no plano da clula de referncia temperatura de 25 C (com um erro
inferior a 0,5 C) de tal forma que a clula de referncia produza sua corrente de curto-
circuito de calibrao para o nvel de radiao desejado.
d) Procede-se ento com a medida da tenso de circuito aberto (V
OC
) e corrente de curto
circuito (I
SC
) na clula teste uma vez estabilizada sua temperatura.
e) Estabiliza-se a temperatura da clula teste 10 C acima da anterior e so repetidas as
medidas de V
OC
e I
SC
at que se tenham pontos para a elaborao de um grfico com a
resoluo desejada.
33

f) Plota-se um grfico temperatura versus tenso de circuito aberto (T x V
OC
) e outro de
temperatura versus corrente de curto circuito (T x I
SC
). Ambos os grficos devem gerar
retas, onde as inclinaes fornecero os valores de o
C
(T x I
SC
) e |
C
(T x V
OC
).
g) Os valores de o e | para um mdulo so calculados segundo as Equaes (3.3) e (3.4),
sendo que N
P
o nmero de clulas em paralelo no mdulo e N
S
o nmero de clulas em
srie:
P C
N o o =
(3.3)

S C
N | | =
(3.4)

3.4 DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE

3.4.1. MTODO PROPOSTO PELA NORMA ABNT

A determinao da resistncia srie interna ao mdulo, segundo a norma NBR
12136 (ABNT, 1991a) segue os seguintes passos:

a) traar trs curvas I-V, cada uma com um valor diferente de irradincia, mas com a mesma
temperatura dentro de uma tolerncia de 1C para mais ou para menos;
b) escolher um ponto P
1
na curva referente ao maior valor de irradincia correspondente a
um valor de tenso ligeiramente maior do que a tenso do ponto de mxima potncia;
c) determinar a diferena entre o valor da corrente do ponto P
1
e o valor da corrente de
curto-circuito;

1 1 1 P SC
I I I = A
(3.5)

d) determinar o ponto Q
1
na curva correspondente ao valor intermedirio de irradincia, em
que a corrente seja igual ao valor da corrente de curto-circuito menos AI
1
;

1 2 1
I I I
SC Q
A =
(3.6)

e) determinar a diferena entre as tenses dos pontos P
1
e

Q
1;

1 1 1 P Q
V V V = A
(3.7)
34

f) calcular o valor da resistncia srie segundo a Equao (3.8):
2 1
1
1 1
1
1
SC SC Q P
S
I I
V
I I
V
R

A
=

A
=
(3.8)

g) repetir os passos de b) at f) tomando pontos entre as curvas correspondentes ao maior e
ao menor valor de irradiao e determinar R
S2
;
h) repetir os passos de b) at f) tomando pontos entre as curvas correspondentes ao valor
intermedirio e ao menor valor de irradincia e determinar R
S3
;

i) calcular o valor mdio entre R
S1
, R
S2
e R
S3
que o valor da resistncia srie do mdulo.

3
3 2 1 S S S
S
R R R
R
+ +
= (3.9)

Para melhor compreenso do mtodo proposto pela norma brasileira apresenta-se
a Figura 3.1.
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Curvas I-V relativas a 33 C
930 W/m
802 W/m
542 W/m
I
SC1
Q
1
P
1
I
SC2
I
SC3
AI
AI
AV
1
IP
1
IQ
1
IR
1
VP
1
VQ
1
R
1
AI

Figura 3.1 - Representao do mtodo proposto para a determinao de R
S
pela norma
NBR 12136.
35

3.4.2 MTODO DA PENDENTE

O mtodo da pendente consiste na determinao de R
S
por meio da inclinao da
curva tenso versus corrente (V-I) prximo a regio da tenso de circuito aberto, uma vez que
nesta regio a curva bastante linear.
A curva determinada conforme descrito na seo 3.1, ultrapassando o ponto de
tenso de circuito aberto, isto , incluindo pontos de corrente negativa quando V > V
OC
.
Selecionam-se ento cerca 10 pontos com tenso maior e 10 pontos com tenso menor que V
OC
,
cuidando para no incluir pontos prximos da tenso de mxima potncia. Utilizando a
metodologia de regresso linear por mnimos quadrados, determinam-se os coeficientes da reta a
partir dos 20 pontos pr-selecionados.
Sendo p e q os coeficientes linear e angular da reta V = qI + p , onde I a
corrente e V a tenso, e considerando que a corrente fotogerada aproximadamente igual I
SC
,
chega-se Equao. (3.10), conforme Krenzinger (1994):

SC
T
S
I
V
q R =
(3.10)

Para a determinao de R
S
segundo este mtodo faz-se necessrio o conhecimento
do valor do fator de idealidade uma vez que este est incluso no fator V
T
apresentado na Equao
(2.8).
36

4. CURVA CARACTERSTICA I -V SEM ILUMINAO

Quando uma clula ou mdulo fotovoltaico exposto a uma determinada
irradincia, este gera uma corrente eltrica que proporcional a esta irradincia como descrito
pela Equao (2.9). Segundo Lesnier, (1990) a curva I-V (Figura 4.1c) pode ser estimada pela
diferena entre a curva da corrente fotogerada (Figura 4.1a) e a curva de um diodo no escuro
(Figura 4.1b). Dessa forma se for injetada uma corrente eltrica em um mdulo fotovoltaico,
monitorando cada valor de tenso correspondente corrente eltrica e garantindo que nenhuma
irradincia atinja a juno PN do dispositivo em ensaio, a curva obtida passaria a ser igual de
um diodo no escuro. A curva obtida pela diferena entre as curvas das Figuras 4.1a e 4.1c ser
denominada curva I-V no escuro e, embora determinada sem iluminao, guarda importantes
informaes eltricas do mdulo
A partir da anlise da Figura 4.1 poder-se-ia concluir que a curva de um mdulo
fotovoltaico no escuro seria idntica quela determinada sob iluminao natural, porm invertida
e deslocada no eixo das ordenadas de um valor igual corrente fotogerada. Uma anlise mais
detalhada, porm mostra que este raciocnio vlido apenas para um mdulo que apresenta um
valor nulo de R
S
e um valor infinito de R
P
(situao ideal).

Tenso
C
o
r
r
e
n
t
e

-
Tenso
C
o
r
r
e
n
t
e

=
Tenso
C
o
r
r
e
n
t
e

(a) (b) (c)
Figura 4.1- Representao da corrente fotogerada (a) curva I-V de um diodo no
escuro (b) e da diferena das duas curvas (c).


Em uma situao real, devido presena de R
S
e

R
P
a curva do mdulo no escuro
apresenta algumas diferenas em relao curva obtida sob iluminao. Estas diferenas podem
ser usadas para estimar os valores da resistncia srie e paralela do mdulo, como ser
apresentando na seqncia deste trabalho.
A Figura 4.2 apresenta as curvas de um mdulo fotovoltaico de 72 clulas de
silcio monocristalino de 100 W de potncia e 24 V de tenso nominal, determinadas com e sem
iluminao, mesma temperatura. Para melhor visualizao das diferenas entre as duas curvas
37

ocasionadas pelo efeito de R
S
e

R
P
, a curva determinada no escuro foi deslocada e superposta
curva determinada sob iluminao. Esta superposio apresentada na Figura 4.3.

5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tenso (V)
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
-3.5
-2.5
-1.5
-0.5
0.5
1.5
2.5
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Isofotn modelo I100 (100 W, 24 V nominal)
Pontos medidos sob irradincia de 1kW/m
Pontos medido com o mdulo no escuro

Figura 4.2 - Curvas I-V de um mdulo fotovoltaico de 72 clulas m-Si com e sem
iluminao.


0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tenso (V)
0
1
2
3
4
0.5
1.5
2.5
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Isofotn modelo I100 (100 W, 24 V nominal)
Pontos medidos no escuro e transladados
Pontos medidos sob irradincia de 1kW/m
AV

Figura 4.3 - Superposio das curvas determinadas com e sem iluminao
apresentadas na Figura 4.2.
38


O deslocamento da curva no escuro feito somando a cada valor de corrente um
valor igual ao da corrente de curto-circuito do mdulo iluminado. Essa soma de corrente tem
como conseqncia uma variao logartmica da tenso de circuito aberto.

4.1. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UM MDULO NO ESCURO

Sendo adotado o circuito da Figura 2.9 como modelo uma clula ou mdulo
exposto luz. Para o estudo do comportamento de uma curva I-V sem iluminao, o circuito
eltrico equivalente sofre algumas mudanas. Uma vez que a corrente eltrica que gera a tenso
no mdulo injetada no mesmo, seu sentido passa a ser contrrio ao que teria quando h
corrente fotogerada. Desta forma chega-se ao circuito equivalente apresentado na Figura 4.4
onde I
e
representa a corrente que circula pelo mdulo no escuro.
Da anlise do circuito eltrico apresentado na Figura 4.4 obtm-se ento a
Equao (4.1) de corrente versus tenso.





Figura 4.4 Circuito eltrico equivalente de uma clula no escuro e com corrente injetada.

P
S e e
T
S e e
e
R
R I V
V
R I V
I I

+
(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp
0

(4.1)

4.2. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE

Somando o valor de I
SC
a cada valor de corrente da curva medida no escuro,
obtm-se os pontos deslocados apresentados na Figura 4.3. Observa-se uma defasagem na tenso
de circuito aberto, denotada por AV na figura.
39

Se a condio de circuito aberto (I = 0, V = V
OC
) for aplicada na Equao (2.9)
obtm-se a Equao (4.2). Por outro lado, ao fazer o deslocamento da curva medida no escuro,
apenas diminuindo do valor de I
SC
o valor de I
e
a cada ponto na Equao (4.1) e ainda aplicando
a condio de I
SC
= I
e
, obtm-se a Equao (4.3), onde V
e
a tenso aplicada pela fonte para
obter a corrente I
SC
= I
e
.

P
OC
T
OC
SC
R
V
V
V
I I
(

|
|
.
|

\
|
= 1 exp 0
0

(4.2)

P
S SC e
T
S SC e
SC
R
R I V
V
R I V
I I

|
|
.
|

\
|
= 1 exp 0
0
(4.3)

Da comparao entre a Equao (4.2) e a Equao (4.3) possvel concluir que V
e
- I
SC
R
S
= V
OC
, ou, usando a notao AV = V
e
-V
OC
:

SC
S
I
V
R
A
=
(4.4)

Atravs da Equao (4.4) este trabalho prope um mtodo relativamente simples
para a determinao do valor da resistncia srie de um mdulo. O mtodo consiste nas seguintes
etapas:
a) Colocar o dispositivo em ensaio em um lugar externo amplo, sem obstculos prximos,
com uma cobertura opaca e monitorar a temperatura do dispositivo de forma a garantir
quando a temperatura do mdulo entrar em equilbrio com a temperatura ambiente.
b) Uma vez estabilizada a temperatura, retirar a cobertura opaca e determinar uma curva I-V
com o mdulo exposto luz solar, desde que a irradincia seja superior a 800 W/m.
c) A partir da curva I-V, determinar V
OC
e I
SC
.
d) Colocar o mdulo dentro de um ambiente construdo e com o auxlio de uma fonte,
aplicar corrente eltrica no mesmo at que sua temperatura seja a mesma do que no
ensaio sob iluminao natural.
e) Variar a tenso na fonte para adquirir os dados para a curva no escuro temperatura antes
estabelecida.
f) Determinar a tenso correspondente curva determinada sem iluminao relativa a
corrente igual a I
SC
.
40

g) Finalmente calcular o valor de R
S
por meio da Equao 4.4.
Em um trabalho publicado por Aberle et al.(1993) este mtodo para a
determinao da resistncia srie tambm proposto, entretanto este trabalho considera
diferenas importantes quanto ao mecanismos fsicos que ocorrem com o mdulo iluminado e no
escuro, ressaltando dessa forma que R
S
no deve ser a mesma em condies de iluminao e de
ausncia da mesma.
Em uma clula convencional as perdas ohmicas provm da condutividade
limitada dos contatos metlicos, da resistncia no contato metal-semicondutor, da resistncia do
substrato e da resistncia do emissor (resistncia de folha). As duas ltimas fontes de resistncia
so distribudas por natureza e os padres de fluxo de corrente so diferentes nas condies de
ensaio com luz e no escuro.
Quando uma tenso aplicada aos terminais de uma clula no escuro, devido
resistncia de folha a voltagem ao longo da superfcie do emissor no constante, mas
decresce em direo ao centro ( menor entre dois dedos da clula), tal como representado na
Figura 4.5. Como conseqncia, a densidade de corrente menor prxima aos dedos da clula do
que entre eles.



Figura 4.5 - Representao do fluxo de corrente eltrica injetada em uma clula no escuro.

Quando a clula iluminada, a tenso apresenta um comportamento inverso do
que no escuro, ou seja, aumenta em direo ao centro entre dois dedos. A densidade de corrente,
portanto, maior prxima aos dedos do que entre eles. A Figura 4.6 ilustra este fenmeno.
O mtodo proposto por este trabalho para a determinao de R
S
no influenciado
pelos fenmenos que ocorrem unicamente com o mdulo iluminado uma vez que para a curva I-
41

V medida com iluminao natural, no ponto de tenso de circuito aberto, a corrente eltrica
nula e, portanto no h influncia de R
S
.


Figura 4.6 - Representao do fluxo de corrente eltrica em uma clula iluminada.

Para a determinao da resistncia srie de um mdulo levando em conta apenas
os mecanismos que ocorrem com o mdulo iluminado, Aberle et al.(1993) propem o uso da
Equao (4.5).

MP
M
light S
I
V
R
A
=
.

(4.5)

onde AV
M
a diferena entre a tenso de mxima potncia do mdulo quando iluminado e a
tenso, com o mdulo no escuro, correspondente corrente de mxima potncia. A tenso
correspondente no escuro pode ser obtida deslocando a curva I-V determinada sem iluminao
somando a cada valor de corrente o equivalente diferena entre a corrente de curto-circuito e a
corrente de mxima potncia.
A Figura 4.7 ilustra este deslocamento da curva no escuro comparando com uma
curva determinada sob iluminao natural mesma temperatura.
Nas pesquisas realizadas durante a elaborao desta dissertao, a determinao
da resistncia srie por meio do uso da Equao (4.5) foi testada, entretanto no foram
encontradas diferenas significativas entre este mtodo e o proposto pelo uso da Equao (4.4).
42

Dessa forma a determinao de R
S
neste trabalho foi feita apenas segundo a Equao (4.4) e
como ser posteriormente demonstrado, esse mtodo se mostrou bastante confivel e eficaz.

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Determinao de R
s.light
Curva I-V medida sob iluminao natural.
Curva I-V deslocada de I
SC
- I
M
Curva de potncia do mdulo iluminado
Curva de potncia do mdulo no escuro.
0
20
40
60
80
100
120
140

P
o
t

n
c
i
a

(
W
)
AV
M


Figura 4.7 - Ilustrao do mtodo proposto por Aberle et al.(1993) para determinao de R
S

considerando os mecanismos fsicos que ocorrem com o mdulo iluminado.


4.3. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA CORRENTE DE
SATURAO REVERSA E DO FATOR DE IDEALIDADE DO DIODO

Trabalhando com a curva I-V no escuro, possvel dividir a mesma em quatro
diferentes regies de tenso. Este tratamento na curva I-V tem sido usado como tcnica para
extrao de parmetros fotovoltaicos por diferentes pesquisadores, tais quais Hussein, 2001 e
Mrtil, 1992. Como apresentadas na Figura 4.8, as quatro diferentes regies correspondem
influncia principal da resistncia paralela, fenmeno de recombinao, difuso e finalmente
influncia da resistncia srie. Neste trabalho foi adotado o modelo de 1 diodo, dessa forma a
curva da Figura 4.8 deve ser divida em trs regies de tenso, pois selecionada uma regio na
43

curva onde a influncia dos fenmenos de recombinao e difuso muito parecida (regio
intermediria entre a predominncia dos fenmenos de recombinao e difuso). A partir de uma
regresso linear nesta regio extrado o fator de idealidade presente no modelo de 1 diodo.

0 10 20 30 40 50
Tenso (V)
9.12x10
-4
2.48x10
-3
6.74x10
-3
1.83x10
-2
4.98x10
-2
1.35x10
-1
3.68x10
-1
1.00x10
0
2.72x10
0
7.39x10
0
C
o
r
r
e
n
t
e


(
A
)
Mdulo de 72 clulas
silcio monocristalino
ln(I) versus V
Curva I-V sem iluminao
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
0 10 20 30 40 50
Tenso (V)
Resistncia paralela
Recombinao
Difuso
Resistncia srie

Figura 4.8 - Curva I-V no escuro e ln(I) versus V com quatro diferentes regies de tenso
influenciadas por: R
P
, processo de difuso, recombinao e R
S
.

Dessa forma, analisando a Equao (4.1) e considerando que a influncia da
resistncia paralela na regio de mxima potncia pequena frente aos processos de difuso e
recombinao, especialmente quando R
P
apresenta valores elevados e se pode desprezar o termo
(V-IR
S
)/ R
P
, a curva pode ser representada pela Equao (4.6).


(

|
|
.
|

\
|
= 1
) (
exp
0
T
S
V
IR V
I I
(4.6)
44

Quando o fenmeno de difuso comea a prevalecer perante a influncia da
resistncia paralela na curva apresentada na Figura 4.5 a corrente que circula pelo mdulo j
muito maior que I
0
, sendo assim chega-se Equao (4.7):

(

|
|
.
|

\
|
=
T
S
V
IR V
I I
) (
exp
0

(4.7)

aplicando o logaritmo tem-se finalmente:

T
S
V
IR V
I I

+ =
0
ln ln
(4.8)

Dessa forma, a partir da Equao (4.8) passa a ser possvel a obteno dos
parmetros corrente de saturao reversa e fator de idealidade do diodo, uma vez conhecido o
valor de R
S
do mdulo em teste. O procedimento proposto para a determinao do fator de
idealidade e da corrente de saturao reversa por meio da Equao (4.8) consiste nas seguintes
etapas:
a) Determinar a resistncia srie do dispositivo em ensaio atravs do mtodo proposto na
seo 4.2.
b) A partir da curva determinada no escuro, necessria para a primeira etapa, traar uma
curva ln (I) versus (V-IR
S
).
c) Selecionar uma regio na curva ln (I) versus (V-IR
S
) que corresponda regio de
influncia dos fenmenos de difuso e recombinao (regio do joelho da curva I-V).
d) Para esta regio da curva, aplicar uma regresso linear obtendo, atravs do coeficiente
linear, o valor de ln (I
0
) e, atravs do coeficiente angular, o valor de V
T
e
conseqentemente os valores de I
0
e m.

4.4. MTODO PROPOSTO PARA A DETERMINAO DA VARIAO DA TENSO
DE CIRCUITO ABERTO COM A TEMPERATURA

De maneira simples, um mdulo fotovoltaico pode ser considerado como um
conjunto de clulas agrupadas em srie e ou em paralelo encapsuladas sob um vidro. As clulas
fotovoltaicas so, em essncia, diodos de juno PN de grande rea. Tanto um diodo quanto uma
45

clula, e conseqentemente um mdulo, apresentam uma variao da tenso com a temperatura
tal qual descrita no captulo 2.
Como apresentado neste captulo, as curvas de um mdulo fotovoltaico
determinadas sem iluminao guardam muitas informaes a respeito do comportamento eltrico
do gerador fotovoltaico. Sendo assim, da mesma forma que a tenso de circuito aberto do
mdulo iluminado varia com a temperatura segundo um coeficiente denominado |, as curvas do
mdulo no escuro tambm apresentam uma variao com a temperatura. Este fator de
diminuio da tenso, como j explicado no captulo 2, fruto predominantemente da variao
da corrente de saturao reversa. Como esta corrente no depende da iluminao, a variao da
tenso com a temperatura no escuro deve, a princpio, apresentar um comportamento bastante
similar do que no caso de uma clula ou mdulo estarem expostos luz. Dessa forma, pode-se
considerar possvel a determinao de | no escuro. A Figura 4.9 apresenta curvas de um mdulo
fotovoltaico de 33 clulas de silcio monocristalino determinadas sem iluminao e a diferentes
temperaturas.
0 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 22.5
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Mdulo de silcio monocristalino de 33 clulas
curvas determinadas sem iluminao
18 C
26 C
35,7 C
45,6 C
55,6 C


Figura 4.9 - Curvas I-V de um mdulo de silcio monocristalino de 33 clulas determinadas
sem iluminao e a diferentes temperaturas.
46

Como apresentadas nas Figuras 4.2 e 4.3 as curvas de um mdulo no escuro so similares
quelas sob iluminao, mas com um deslocamento no eixo das ordenadas correspondente
corrente de curto-circuito do mesmo e uma diferena na tenso devido resistncia srie. Dessa
forma, o valor de tenso medido com o mdulo no escuro, que representa a tenso de circuito
aberto sob iluminao aquele correspondente corrente de curto circuito. Embora V
OC
no seja
igual tenso correspondente no escuro (a diferena entre eles proporciona o mtodo para
determinao de R
S
), a variao de ambas as tenses com a temperatura deve, a princpio, ser a
mesma. A determinao da variao da tenso de circuito aberto com a temperatura segundo o
mtodo proposto segue as seguintes etapas:

a) Anexar um sensor para medio da temperatura junto ao dispositivo em ensaio.
b) Determinar uma curva I-V sob iluminao natural na menor temperatura prevista para o
ensaio e medir V
OC
e I
SC
.
c) Colocar o mdulo no interior de um ambiente construdo e isolar termicamente o
dispositivo em ensaio.
d) Cobrir o mdulo com um material opaco de maneira a garantir que nenhuma irradincia
atinja a superfcie do mesmo.
e) Determinar uma curva I-V uma vez que a temperatura do mdulo apresente o mesmo
valor daquela na qual foi determinada a curva sob iluminao natural.
f) Medir a tenso correspondente corrente igual a de curto-circuito I
SC
.
g) Aumentar a temperatura do mdulo atravs, por exemplo atravs da injeo de corrente
eltrica (efeito Joule), de que seja possvel determinar diversas curvas I-V para diferentes
temperaturas.
h) Em cada curva correspondente a uma dada temperatura, medir a tenso relativa a
I
SC
+ oAT onde o pode ser estimado como um valor tpico para a tecnologia do
dispositivo em ensaio e AT representa a diferena entre a temperatura do dispositivo no
primeiro ensaio e a temperatura do dispositivo no ensaio em questo.
i) Plotar os pontos de tenso medidos versus a temperatura do mdulo em cada ensaio e
obter, por meio da inclinao da reta, o valor de | do dispositivo em teste.


47

5. PROCEDIMENTOS EXPERIMENTAIS

Em todos os ensaios para a determinao de curvas I-V sob iluminao natural as
medidas foram realizadas observando uma variao mxima aceitvel de 1% da irradincia ao
longo da medida. A clula de referncia fixada junto ao mdulo, coplanar ao mesmo com um
erro inferior a 2 . Durante todos os ensaios os mdulos so colocados em um lugar amplo, longe
de obstculos, rvores e aproximadamente a 1 metro do solo. Estas condies so importantes,
pois visam evitar que devido reflexo de algum objeto, algumas clulas do mdulo sejam
expostas a mais irradincia do que outras. A Figura 5.1 apresenta alguns mdulos em ensaio sob
iluminao natural.


Figura 5.1 - Aspecto do ensaio de mdulos sob iluminao natural.

As medidas de temperatura dos mdulos, em cada ensaio, so realizadas duas
vezes, uma antes e outra depois da aquisio da curva, com uma variao mxima aceitvel, para
mais ou para menos, de 2 C.
As medidas no escuro so obtidas com o mdulo coberto por um material opaco e
realizadas no interior de um ambiente construdo. A condio de ausncia de iluminao do
mdulo assumida uma vez que a tenso de circuito aberto do mesmo seja nula.
48

Para os ensaios feitos com o mdulo iluminado, a radiao solar usada tanto
para a polarizao do mdulo quanto para seu aquecimento. J para o aquecimento do mdulo
nos ensaios no escuro, faz-se circular pelo mesmo uma corrente eltrica da ordem de 2 A a fim
de se obter um regime de aquecimento lento, o que diminui a diferena entre o valor medido pelo
sensor e a temperatura real das clulas. Para a medio da temperatura dos mdulos, tanto nos
ensaios no escuro quanto nos ensaios sob irradincia solar, foi fixado um sensor PT100 na parte
de trs junto ao Tedlar em uma clula central, cuja temperatura assumida como a mdia da
temperatura do mdulo. A Figura 5.2 mostra os equipamentos utilizados no ensaio de um
mdulo sem iluminao.


Figura 5.2 Equipamentos utilizados no ensaio de um mdulo sem iluminao.

5.1. EQUIPAMENTO UTILIZADO PARA AQUISIO DAS CURVAS I-V

Para as medidas de tenso, corrente e irradincia foram utilizados multmetros da
marca Hewlett Packard modelo 34401A. Estes multmetros so ligados (ligao em paralelo) a
um micro-computador atravs de uma interface GPIB. A preciso de medida de 10 V
(resoluo de 4 dgitos) para a tenso. Todas as medidas de corrente, tenso e irradincia so
feitas simultaneamente sendo que para cada ensaio so obtidos 512 pontos num tempo total
49

inferior a 2 segundos. Uma descrio mais completa da tcnica de aquisio de dados utilizada
pode ser encontrada em Prieb (2002).
Para a polarizao do mdulo, a fim de se obter um conjunto de pontos com
corrente varivel, utilizada uma fonte bipolar da marca Kepco BOP 50-8M, que tem a
possibilidade de fornecer ao mdulo tenses de 50 V a 50 V e correntes de 8 A a 8 A. Esta
fonte controlada por um gerador de varredura que produz um sinal em forma de rampa
regulvel de 10 a + 10 V, que so valores compatveis com a entrada de controle externo da
fonte. A Figura 5.3 apresenta o equipamento de medida utilizado para aquisio das curvas I-V
do Laboratrio de Energia Solar da UFRGS bem como um diagrama de suas interconexes.



Figura 5.3 - Equipamento utilizado para o ensaio de mdulos fotovoltaicos
(Krenzinger e Prieb, 2005).

A irradincia medida atravs da corrente fotogerada por uma clula de
referncia encapsulada de silcio monocristalino previamente calibrada. Para medir esta corrente
fotogerada feito uso de um resistor tipo shunt, classe de preciso de 0,5% (4 A, 150 mV). Para
uma irradincia de 1000 W/m e temperatura de 25 C a tenso medida no shunt de 124 mV
com um erro de 4 mV para mais ou para menos.
A medida de corrente eltrica que circula pelo mdulo tambm feita atravs de
um resistor tipo shunt, classe de preciso 0,5% (10A, 300 mV).
50

Para a medida de temperatura do mdulo nos ensaios sob iluminao natural
usado um termmetro sem contato modelo Raytek 6LXB capaz de realizar medidas com uma
preciso de 1C. As medidas de temperatura dos mdulos nos ensaios no escuro so feitas com
o uso de um sensor de platina tipo PT100 com resoluo de 0,1C.
A Tabela 5.1 apresenta, de acordo com o fabricante, a exatido dos equipamentos
de medida utilizados em funo da escala de operao e a Figura 5.3 apresenta um esquema do
equipamento utilizado para medio das curvas I-V. Para os multmetros HP 34401A a exatido
apresentada na Tabela 5.1 se refere resoluo de 4 dgitos.

Tabela 5.1 - Exatido dos equipamentos de medida.

Equipamento Grandeza Escala Exatido
HP 34401A Tenso 100 mV 0,005% leitura e 0,0135% FDE
HP 34401A Tenso 1 V 0,004% leitura e 0,0107% FDE
HP 34401A Tenso 10 V 0,0035% leitura e 0,0105% FDE
HP 34401A Tenso 100 V 0,0045% leitura e 0,016% FDE
H&B shunt Corrente 4 A, 150 mV 0,5%
H&B shunt Corrente 10 A, 300 mV 0,5%
Raytek 6LXB Temperatura - 1C
PT100 Temperatura - 0,1 C

As incertezas associadas medio da irradincia so da ordem de 20 W/m. Na
determinao da tenso de circuito aberto a incerteza da ordem de 0,09 V e para a corrente de
curto-circuito 0,07 A. Uma anlise mais aprofundada sobre o clculo das incertezas associadas
determinao da curva I-V pode ser encontrada em Prieb (2002). Nas medies de temperatura,
para os ensaios referentes determinao de | a incerteza associada no considerada to
importante quanto nos casos da determinao de V
OC
, G ou I
SC
. Isto porque para este ensaio a
importncia maior reside na determinao da variao da temperatura e no do seu valor exato.

5.2. DETERMINAO DA RESISTNCIA SRIE

A Equao (4.4) possibilita um mtodo bastante simples para a determinao de
R
S
com importantes vantagens perante outros. Mtodos analticos geralmente necessitam de
estimativas do valor de alguns parmetros como m, o e |. Por outro lado a metodologia
51

estabelecida pela norma bastante sensvel escolha do ponto de referncia para o qual
calculado R
S.
Alm disto, a norma estabelece que devem ser determinadas trs curvas com
mesmo espectro, mesma temperatura mas diferentes irradincias e isto muitas vezes difcil de
ser obtido.
Foram testados seis mdulos de diferentes marcas e diferentes configuraes,
cinco deles de silcio monocristalino e um de silcio multicristalino. As curvas de todos os
mdulos determinadas sob iluminao natural foram medidas com condies similares de
irradincia e temperatura. A Tabela 5.2 apresenta os resultados obtidos na determinao da
resistncia srie para os seis mdulos testados.

Tabela 5.2 Valores encontrados para a resistncia srie para diferentes mdulos de silcio
utilizando o mtodo proposto neste trabalho.

Mdulo Modelo Nmero de
clulas em srie
Potncia
nominal (W)
Resistncia srie
(O)
Isofotn, m-Si I-100 72 100 1,268
Isofotn, m-Si I-100 72 100 0,95
Shell, p-Si RSM 50 36 45 0,793
Siemens, m-Si SP65 36 65 0,612
Siemens, m-Si SM50-H 33 45 0,666
Solartec, m-Si M-65 30 40 0,709

Para dois dos mdulos testados foram tambm aplicados, para a determinao da
resistncia srie, o mtodo proposto pela norma NBR 12136 (ABNT, 1991a) alm do mtodo
da pendente. A Figura 5.4 apresenta os resultados obtidos na determinao de R
S
para estes dois
mdulos os quais apresentam as seguintes configuraes: mdulo da marca Siemens modelo
SP65 de 36 clulas de silcio monocristalino (65 W, 12 V nominal) e mdulo da marca Isofotn
modelo I-100 de 72 clulas de silcio monocristalino (100 W, 24 V nominal).
A fim de verificar a coerncia dos resultados obtidos segundo o mtodo proposto
para a determinao de R
S
no escuro, foi realizada a seguinte metodologia: para os mesmos
mdulos apresentados na Figura 5.4 foram acrescentados resistores em srie, previamente
testados para garantir que o valor de suas resistncias no variasse significativamente ao longo
das medidas de tenso e corrente. Tais resistores, constitudos de uma liga de cobre e nquel
(constantan) foram testados da seguinte forma: aps determinada a temperatura do resistor, da
52

ordem de 18 C, foi aplicada neste uma corrente varivel e foram medidos 512 pontos
posteriormente usados para a construo de uma curva de tenso versus corrente. Da inclinao
desta curva resulta o valor de resistncia. Numa segunda etapa o mesmo resistor foi aquecido,
por meio de efeito Joule, at uma temperatura prxima de 40 C e ento foi traada uma nova
curva de tenso versus corrente obtendo assim novamente um valor de resistncia que foi igual
ao anterior considerando uma margem de erro inferior a 2%.
Foram acrescentados resistores de 0,364 O, 0,746 O e 1,11 O. A Figura 5.5
apresenta o efeito causado pelo incremento dos resistores nas curvas (I-V) para um mdulo de 36
clulas determinadas sob iluminao e a Figura 5.6 apresenta o efeito no mesmo mdulo para as
curvas determinadas no escuro.

Mdulo
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
R
e
s
i
s
t

n
c
i
a

e
m

s

r
i
e

(
O
)
Valores determinados de R
S

para diferentes mdulos
Mtodo proposto
Mtodo da pendente
Mtodo da norma
Isofotn (72 clulas) Siemens (36 clulas)
1,280 O
1,174 O
1,220 O
0,612 O
0,476 O
0,700 O

Figura 5.4 - Valores de R
S
determinados para dois mdulos de diferentes configuraes
atravs do mtodo proposto, do mtodo da pendente e da norma.

Para fins de comparao a manipulao com estes resistores foi tambm aplicada
no mtodo da pendente. O valor do fator de idealidade, utilizado para o clculo de R
S
no mtodo
da pendente, foi determinado segundo o mtodo proposto neste trabalho descrito no captulo 4.
A Figura 5.7 apresenta os resultados encontrados, para o mdulo da marca Isofotn modelo I-
100, atravs da manipulao das resistncias para o mtodo proposto e da pendente. A Figura 5.8
apresenta a relao entre o incremento de R
S
medido em funo dos diferentes resistores
acrescentados em srie com os terminais do mdulo, tambm para os mtodos, proposto e da
pendente.
53

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
Tenso (V)
0
1
2
3
4
0.5
1.5
2.5
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sob irradincia de 900 W/m a 32C
Pontos medidos sem R
S
adicional
R
S
adicional de 0,364 O
R
S
adicional de 0,746 O
R
S
adicional de 1,110 O

Figura 5.5 - Curvas caractersticas de um mdulo de 36 clulas (m-Si) determinadas sob
iluminao natural com resistores acrescentados em srie.

0 4 8 12 16 20 24 28
Tenso (V)
0
1
2
3
4
0.5
1.5
2.5
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sem iluminao a 32 C
Pontos medidos sem R
S
adicional
R
s
adicional de 0,364 O
R
s
adicional de 0,746 O
R
s
adicional de 1,11 O

Figura 5.6 - Curvas caractersticas do mesmo mdulo da Figura 5.5 determinadas sob
ausncia de iluminao com os mesmo resistores acrescentados em srie.
54


Mtodo para a determinao de R
S
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
R
S
+

R
e
x
t
e
r
n
o

(
O
)
Incremento de resistores em srie nos mdulos
Sem incremento
Incremento de 0,364 O
Incremento de 0,746 O
Incremento de 1,11 O
Proposto
Pendente
1,268 O
1,620 O
1,990 O
2,337 O
1,174 O
1,515 O
1,895 O
2,234 O

Figura 5.7 - Valores determinados de R
S
para um mdulo (m-Si) de 100 W de potncia e
24 V de tenso nominal atravs do incremento de resistores em srie.

Analisando os dados apresentados na Figura 5.7 nota-se que os valores
determinados de R
S
apresentaram uma diferena da ordem de 8% entre o mtodo proposto e o da
pendente para o mdulo em teste. Parte dessa diferena pode ser atribuda ao fator de idealidade
presente na Equao (5.1) por meio da qual obtido o valor de R
S
para o mtodo da pendente.
Por outro lado, a Figura 5.8 apresenta uma correlao muito parecida para estes dois mtodos
quanto sensibilidade do incremento de resistncia medido em funo dos resistores
acrescentados ao mdulo. A diferena entre os mtodos quanto variao de R
S
frente ao
incremento dos resistores foi inferior a 0,5 % o que comprova a sensibilidade de ambos os
mtodos.
Pode-se concluir que ambos os mtodos so igualmente sensveis a um parmetro
fotovoltaico que interpretado como uma resistncia srie acoplada ao mdulo. Entretanto na
determinao desse parmetro, como nos demais, existe um conjunto de parmetros (R
S
, R
P
,

I
0
e
m
)
que associados conseguem descrever o comportamento eltrico do mdulo. Dessa forma tanto
o mtodo da pendente quanto o mtodo proposto para a determinao da resistncia srie podem
ser considerados eficazes.

55

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
Resistncia em srie (O)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
A
R
S

m
e
d
i
d
o

(
O
)
Incremento de resistncias
versus
incremento dos valores medidos de R
S
Mtodo proposto
AR
S
= 0,9636 *R - 0,000925
Mtodo da pendente
AR
S
= 0,9632 *R - 0,002825

Figura 5.8 Relao entre o incremento de R
S
medido e as resistncias em srie
acrescentadas.


5.3. DETERMINAO DA CORRENTE DE SATURAO REVERSA E DO FATOR DE
IDEALIDADE

O mtodo utilizado para determinar a corrente de saturao reversa e o fator de
idealidade est descrito na seo 4.3.
A regio para a regresso linear obtida limitando a curva ln (I) versus (V-IR
S
)
entre os valores de ln (I) = 0 e ln (I) = -2 correspondentes aos valores de corrente de
aproximadamente 0,135 A e 1

A. Este critrio, como ser demonstrado posteriormente, mostrou-
se bastante eficiente para os mdulos testados uma vez que, selecionada uma regio de corrente,
se tem a garantia que esta varie com a temperatura acompanhando o ponto de mxima potncia
de cada curva.
A Figura 5.9 mostra, para um mdulo sem iluminao, Isofotn I-100 (72 clulas
100 W / 24 V nominal), as curvas I-V, ln (I) versus (V-IR
S
) e a regresso linear para a regio de
interesse na determinao de I
0
e m.
56

0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
(V - IR
S
)
2.48x10
-3
6.74x10
-3
1.83x10
-2
4.98x10
-2
1.35x10
-1
3.68x10
-1
1.00x10
0
2.72x10
0
7.39x10
0
2.01x10
1
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
-2
-1
0
1
2
3
4
5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sem iluminao a 33,2 C
ln(I) versus V-IR
S
Pontos medidos sem iluminao (I-V)
ln(I
0
)=0,39147*(V-IR
S
)-15,66402
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Tenso (V)

Figura 5.9 - Curvas determinadas a partir de ensaio sem iluminao a 33,2 C.

Utilizando curvas para um mesmo mdulo a diferentes temperaturas com R
S
previamente determinada igual a 0,95 O, foram obtidos diferentes valores para a corrente de
saturao reversa do diodo. Este procedimento visa a obteno de uma equao de ajuste para a
corrente de saturao reversa do diodo como funo da temperatura. Dessa forma torna-se
possvel a elaborao de curvas caractersticas I-V (tericas), para uma clula ou mdulo a
diferentes temperaturas. sabido que a variao de I
0
com a temperatura no linear, sendo que
os resultados obtidos mostram, para uma faixa de temperatura aplicvel a um mdulo
fotovoltaico em operao, que essa variao pode ser assumida como exponencial. Para uma
variao de temperatura de aproximadamente 30 C a 60 C, a corrente de saturao reversa
apresentou variao da ordem de 24 vezes. Por outro lado o fator de idealidade, assumido como
constante, apresentou desvio inferior a 2% do valor mdio entre as curvas de diferentes
temperaturas. Isto pode ser atribudo s imprecises nas medidas e tambm possivelmente ao
critrio de seleo da regio de interesse na curva ln (I) versus (V-IR
S
).
57

A Figura 5.10 mostra a variao de ln (I
0
) com a temperatura, bem como os
valores de m calculados a partir das diferentes curvas de um mdulo fotovoltaico de 72 clulas
de silcio monocristalino de 100 W de potncia e 24 V de tenso nominal.


300 305 310 315 320 325 330 335
Temperatura (K)
5.06x10
-8
1.68x10
-7
5.57x10
-7
1.85x10
-6
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

s
a
t
u
r
a

o

r
e
v
e
r
s
a

(
A
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
F
a
t
o
r

d
e

i
d
e
l
i
d
a
d
e
Corrente de saturao reversa
Fator de idealidade
ln(I
0
)=0,09689*T - 45,5399

Figura 5.10 - Pontos medidos de ln (I
0
) e m para diferentes temperaturas de um mdulo de
100 W de silcio monocristalino.

Para o mdulo testado, cujos valores de I
0
e m so apresentados na Figura 5.10, foi
encontrada a equao de ajuste ln (I
0
) = 0,09689 * T 45,5399, onde a temperatura medida na
escala absoluta. O valor mdio de m encontrado foi de 1,32.
A fim de verificar a aplicabilidade dos parmetros, estes foram usados para
elaborao de uma curva terica temperatura de 49,8C. Para esta mesma temperatura foram
medidos pontos com o mdulo exposto a uma irradincia prxima de 1 kW/m. Posteriormente
os pontos medidos foram corrigidos para a irradincia de 1 kW/m e ento foi feita uma
superposio com a curva terica. A Figura 5.11 mostra a superposio dos pontos medidos sob
iluminao natural com a curva terica calculada segundo os parmetros encontrados com os
mtodos propostos por este trabalho para R
S
, I
0
e m.

58

0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sob irradincia de
1kW/m e temperatura de 49,8C
Curva terica considerando R
P
= 300 O

Figura 5.11 - Pontos medidos e calculados para um mdulo de silcio monocristalino de
100 W de potncia e 24 V de tenso nominal na temperatura de 49,8 C.


Os resultados da Figura 5.11 mostram boa concordncia, no entanto verifica-se
que em uma regio de tenso entre aproximadamente 5 V e 20 V existe uma diferena entre a
curva terica e a medida. Esta diferena percebida como um degrau na curva medida, mas
isto devido muito provavelmente a diferenas entre as clulas que compem o mdulo testado.
Desta forma, essa diferena entre as curvas medida e calculada no pode ser atribuda
ineficcia do mtodo proposto.
Nota-se tambm que pequenas mudanas no valor de I
0
podem causar
significativas deformaes na forma da curva e que m e I
0
esto atrelados de maneira que, de
acordo com o mtodo aqui proposto, variando o critrio de seleo da regio da curva m e I
0

variam, mas no necessariamente seu efeito sobre a curva.
A tenso de circuito aberto medida para este mdulo foi de 37,55 V enquanto a
tenso obtida por meio da curva terica foi de 37,74 V o que resulta em uma diferena da ordem
de 0,5%.
59

possvel demonstrar que R
P
est diretamente associada a pendente da curva
nessa regio tal como em Krenzinger (1994). O valor da resistncia paralela adotada para a curva
terica foi estimado a partir deste mtodo.
Verificou-se ao longo deste trabalho que a pendente da curva V-I junto ao ponto
de curto-circuito apresenta considervel diferena entre a curva determinada com e sem
iluminao quando R
P
apresenta valores considerados baixos, inferiores a 200 O. Dessa forma
no proposto aqui um mtodo para a determinao de R
P
a partir da inclinao de uma curva
determinada sem iluminao, uma vez que esta seria falha para mdulos com baixa resistncia
paralela, como o caso dos mdulos de silcio multicristalino, por exemplo.
O mtodo proposto para a determinao de I
0
e m foi tambm aplicado em outro
mdulo, tambm de silcio monocristalino da marca Siemens SM50-H, de 33 clulas (50 W de
potncia e 12 V tenso nominal). A Figura 5.12 apresenta as curvas I-V, ln (I) versus V, ln (I)
versus (V-IR
S
) e a regresso linear para a regio de interesse na determinao de I
0
e m.
Analisando a Figura 5.12 possvel observar que o critrio de seleo da regio
para a qual obtida a regio linear no fortemente dependente da estimativa de R
S
uma vez que
a reta se encontra entre as curvas ln (I) versus V e ln (I) versus (V-IR
S
).
0 4 8 12 16 20 24
(V - IR
S
)
1.11x10
-3
3.70x10
-3
1.23x10
-2
4.08x10
-2
1.35x10
-1
4.49x10
-1
1.49x10
0
4.95x10
0
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
-1
0
1
2
3
4
5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sem iluminao a 18 C
ln(I) versus V
ln(I) versus V - IR
S
I-V
Regresso linear
0 4 8 12 16 20 24
Tenso (V)

Figura 5.12 - Curvas determinadas a partir de ensaio sem iluminao a 18 C.
60

Foram determinadas curvas I-V sem iluminao em cinco diferentes temperaturas
e novamente gerado um grfico, apresentado na Figura 5.13, de onde extrado o valor para o
fator de idealidade e para a corrente de saturao reversa, esta ltima como funo da
temperatura. A equao de ajuste encontrada para o logaritmo da corrente de saturao reversa
em funo da temperatura foi ln (I) = 0,15013 * T 66,27601 e o valor mdio de m encontrado
foi de 1,05. A resistncia srie pr-determinada foi de 0,666 O e a resistncia paralela de 200 O.

290 295 300 305 310 315 320 325 330
Temperatura (K)
1.03x10
-10
2.79x10
-10
7.58x10
-10
2.06x10
-9
5.60x10
-9
1.52x10
-8
4.14x10
-8
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2

F
a
t
o
r

d
e

i
d
e
a
l
i
d
a
d
e
Determinao de I
0
e m
atravs das curvas ln (I) versus V-IR
S
Corrente de saturao reversa
Fator de idealidade
ln(I) = 0,15013T - 66,27601

Figura 5.13 - Pontos medidos de ln (I
0
) e m para diferentes temperaturas de um mdulo de
50 W de silcio monocristalino.

Para este mdulo, atravs do mtodo proposto para a determinao de I
0
verificou-
se uma variao desta corrente da ordem de 300 vezes para a variao de temperatura de 30 C a
60 C.
Os valores dos parmetros encontrados para este mdulo foram tambm utilizados
para gerar uma curva terica de corrente por tenso de maneira que esta fosse superposta a uma
curva medida. A Figura 5.14 apresenta a superposio das curvas terica e medida para uma
temperatura de 32 C. A curva medida corresponde a uma irradincia de aproximadamente
1000 W/m. A tenso de circuito aberto medida para este mdulo foi de 18,96 V enquanto
atravs da curva terica foi obtida uma tenso de 19,165 V o que resulta em uma diferena da
61

ordem de 1,07%. Fica dessa forma comprovada a aplicabilidade dos parmetros fotovoltaicos
como um critrio de qualificao de mdulos.

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Tenso (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Pontos medidos sob irradincia de
1kW/m e temperatura de 32 C
Curva terica considerando R
P
= 200 O

Figura 5.14 - Pontos medidos e calculados para um mdulo de silcio monocristalino de
50 W de potncia e 12 V de tenso nominal na temperatura de 32 C.


5.4. DETERMINAO DA VARIAO DA TENSO DE CIRCUITO ABERTO COM A
TEMPERATURA

Foram usados para os ensaios mdulos das marcas Isofotn modelo I-100
(100 W / 24 V), e Siemens modelos SP65 e SM50-H (65 W / 12 V e 50 W / 12V). Para esses
mdulos foi medida a variao da tenso de circuito aberto com a temperatura com os mesmos
expostos luz solar e posteriormente sem iluminao. Durante os ensaios sob iluminao
natural, a irradincia medida, foi sempre maior do que 900 W/m. A flutuao tolerada entre os
valores de irradincia ao longo dos ensaios (exposio do mdulo irradiao solar com
medio simultnea de da temperatura e da tenso de circuito aberto) foi da ordem de 30 W/m.
62

Os valores medidos de tenso foram ento posteriormente corrigidos para a condio padro de
1000 W/m a fim de eliminar a influncia da variao da tenso devido variao da irradincia.
Para tal correo foi feito uso da Equao (5.2).

|
|
.
|

\
|
+ =
1
2
1 2
ln
G
G
e
T mk N
V V
B S
OC OC
(5.2)

Para o aquecimento do mdulo durante os ensaios sob iluminao natural foi feito
o uso da irradincia solar. Tal tcnica permite facilmente alcanar temperaturas, mesmo no
inverno, da ordem de 60 C, isto considerando um valor mnimo de irradincia da ordem de
900 W/m.
Com os valores de tenso e temperatura foram ento traadas curvas
(V
OC
versus T) das quais a inclinao fornece o valor da variao da tenso para o mdulo em
teste. Para a anlise dos resultados a variao da tenso com a temperatura de cada mdulo
testada foi dividida pelo nmero de clulas em srie resultando assim no coeficiente | (mV/C
por clula).
Os ensaios sem iluminao para a determinao de | foram feitos segundo duas
diferentes metodologias: uma delas consiste em determinar curvas I-V a diferentes temperaturas
e localizar em cada uma delas o valor de tenso correspondente a V
OC.
Esse valor de tenso
aquele associado corrente eltrica igual a I
SC
. A outra metodologia consiste em alimentar o
mdulo com uma corrente eltrica igual a I
SC
monitorando simultaneamente a tenso e a
temperatura. Nota-se que para ambas as metodologias se faz necessria a determinao de uma
curva I-V com o mdulo iluminado para que se conhea o valor de I
SC
. Os valores encontrados
de | nos ensaios no escuro tambm foram corrigidos, uma vez que I
SC
tambm varia com a
temperatura, em uma taxa estimada em 0,06%/C para todos os casos.
A correo para os valores de | encontrados a partir dos ensaios sem iluminao
demonstrada a seguir:
Da anlise realizada no captulo 4, seo 4.2, obteve-se a seguinte expresso:

S SC e OC
R I V V =
(5.3)

onde R
S
a resistncia srie do mdulo, previamente determinada, V
OC
a tenso de circuito
aberto do mdulo quando este exposto a uma certa irradincia, I
SC
a corrente de curto-circuito
e V
e
a tenso correspondente a I
SC
para o mesmo mdulo no ensaio sem iluminao.
63

Derivando a Equao (5.3) com respeito temperatura e considerando que a
resistncia srie no varia com a mesma, obtm-se:


S
SC e OC
R
T
I
T
V
T
V
c
c

c
c
=
c
c
(5.4)


Considerando que o termo do lado esquerdo da Equao (5.4), bem como o
primeiro termo do lado direito correspondem, respectivamente, aos valores de | determinados
com e sem iluminao, observa-se que ambos so negativos.

S e
R o | | = (5.5)


onde | corresponde ao coeficiente medido com o mdulo iluminado e |
e
com o mdulo no
escuro. Assim, apesar do sinal negativo, o valor em mdulo de | maior que o valor medido no
escuro (|
e
).
Durante as medidas no escuro, cada mdulo foi termicamente isolado tanto no
fundo como nas laterais e na parte superior. Para o aquecimento dos mdulos a tcnica adotada
foi a de fazer circular uma corrente eltrica atravs dos mesmos. Dessa forma, os dispositivos em
ensaio podiam ser aquecidos por efeito Joule at as temperaturas desejadas. Outra tcnica
tambm utilizada em alguns ensaios foi a de aquecer o mdulo em teste at uma temperatura pr-
fixada (a mxima temperatura para o ensaio) e posteriormente monitorar a temperatura e a tenso
em intervalos regulares de tempo, durante o resfriamento do mesmo, at que a temperatura do
mdulo entrasse em equilbrio com a temperatura ambiente. Esta tcnica permitiu que fosse
verificada a preciso das medidas de temperatura dos mdulos em ensaio, uma vez que
comparando para um mesmo mdulo em ensaios com regimes de aquecimento e resfriamento a
diferena encontrada para os valores de | foi da ordem de 2%.
A Tabela 5.3 apresenta os valores de | encontrados para os mdulos testados sob
iluminao natural e ausncia de iluminao, j com a correo apresentada na Equao (5.5). Os
valores medidos foram normalizados dividindo o resultado pelo nmero de clulas em srie no
mdulo, para facilitar a compreenso.
A Figura 5.15 apresenta um grfico da variao da tenso com a temperatura para
um dos mdulos medidos nos ensaios com e sem iluminao bem como a variao da irradincia
ao longo do ensaio com o mdulo iluminado.
64

Tabela 5.3 - Valores de | medidos atravs de ensaios com e sem iluminao,
normalizados para uma clula.

Modelo N
S
R
S
(O) |
Sol
(mV/C )
|
esc.

(mV/C )
Variao da
Irradincia solar
SP65 36 0,612 -2,27 -1,98 2,46%
SM50-H 33 0,666 -2,28 -1,80 1,15%
I-100 72 0,950 -1,97 -1,87 1,62%
I-100 72 1,166 -2,06 -1,92 2,08%


25 30 35 40 45 50 55 60
Temperatura (C)
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
T
e
n
s

o

d
e

c
i
r
c
u
i
t
o

a
b
e
r
t
o

(
V
)
Mdulo Isofotn I-100 de 72 clulas
Ensaio sob ausncia de iluminao
Ensaio sob iluminao natural
Irradincia
| = 1,861 mV/C por clula
| = 1,970 mV/C por clula
850
860
870
880
890
900
910
920
930
940
950
I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

(
W
/
m

)


Figura 5.15 - Variao de V
OC
com a temperatura (ensaio com e sem iluminao) e variao da
irradincia ao longo do ensaio com o mdulo iluminado.

Os valores de | encontrados para as medies sob iluminao natural foram da
ordem de 2 mV/C por clula com uma mxima diferena de 13% entre os mesmos. A diferena
percentual entre os valores encontrados para | nos ensaios convencionais e no escuro apresentou
variaes entre os mdulos testados. Em mdia essa diferena foi da ordem de 10%. Mesmo que
esta diferena mdia para os valores de | determinados no escuro, tenha sido sempre para
menos, os resultados podem ser considerados satisfatrios, uma vez que permitem comparar o
65

desempenho de diferentes mdulos em diferentes condies de temperatura, sem a necessidade
de diversos ensaios sob iluminao natural.
De qualquer forma persiste a necessidade da elaborao de um mtodo de
correo mais preciso levando em conta os mecanismos fsicos responsveis pela diferena
sistemtica entre a variao da tenso de circuito aberto com o mdulo iluminado e no escuro.
Embora pertinente, essa correo no ser objeto de estudo desta dissertao sendo, portanto
tratada como uma interessante sugesto para trabalhos futuros.
66

6. CONCLUSES E CONSIDERAES FINAIS

A no dependncia das condies climticas traz vantagens para a caracterizao
de mdulos fotovoltaicos, pois mesmo que alguns procedimentos possam ser mais complexos ou
exijam mais ensaios, os mesmos podem ser feitos a qualquer hora do dia ou mesmo da noite.
As curvas caractersticas feitas sem iluminao, mesmo no apresentando o
mesmo formato do que quando medidas sob iluminao, fornecem informaes importantes
sobre o comportamento eltrico do mdulo, uma vez que diversos parmetros eltricos no
dependem da iluminao.
Para a determinao das curvas caractersticas, a tcnica adotada para o
aquecimento dos mdulos mostrou-se bastante confivel quanto homogeneidade da
temperatura do mdulo como um todo.
Os resultados obtidos para a resistncia srie, quando testados atravs do
incremento de resistncias em srie com o mdulo podem ser considerados muito bons, uma vez
que apresentaram um desvio da ordem de 2 % entre os valores medidos e os preditos.
Atravs da comparao com o mtodo da pendente foi possvel verificar uma boa
coerncia dos resultados obtidos por este mtodo e pelo proposto neste trabalho. A sensibilidade
de ambos os mtodos quanto ao incremento dos diferentes resistores mostrou-se muito parecida,
inferior a 0,5%. Por outro lado, os valores de R
S
medidos para o mdulo SP65 apresentaram
diferenas de at 20% entre os mtodos da pendente e o mtodo proposto. No caso do mdulo I-
100 a diferena entre estes mtodos foi da ordem de 8%.
Mtodos analticos geralmente necessitam de estimativas do valor de alguns
parmetros como m, o e |. Por outro lado a metodologia estabelecida pela norma
extremamente sensvel escolha do ponto de referncia para o qual calculado R
S.
Alm disto a
norma estabelece que devem ser determinadas trs curvas com mesmo espectro, mesma
temperatura mas diferentes irradincias e isto muitas vezes difcil de ser obtido.
Tomando como exemplo um mdulo de 72 clulas associadas em srie
(considerando | igual a -2,3 mV/C por clula), erros na medio da temperatura da ordem de
1C no resultam em diferenas maiores do que 4 % nos valores de R
S
obtidos.
Foi apresentado um mtodo para determinao de I
0
e m a partir de ensaios com
curvas I-V sem iluminao, alm de sua dependncia com a temperatura. Os valores encontrados
de I
0
, m e R
S
foram usados para a elaborao de curvas tericas, que quando comparadas com
curvas determinadas sob iluminao natural apresentaram boa concordncia.
67

Um estudo da variao de I
0
em funo da temperatura resultou em uma relao
exponencial entre os mesmos. No entanto foi verificado que pequenas mudanas no valor de I
0
podem causar significativas deformaes na forma da curva. O desvio mdio dos valores obtidos
para do fator de idealidade em diferentes temperaturas foi da ordem de 2 % no apresentando
qualquer tendncia de variao. O critrio para seleo da regio da curva ln (I) versus V-IR
S

onde aplicada a regresso linear, e por meio dela obtidos os valores de I
0
e m, mostrou-se
confivel e eficaz.
De maneira geral pode-se concluir que o modelo de um diodo, adotado para
representar o circuito equivalente de uma clula ou mdulo fotovoltaico, mostrou-se eficaz,
demonstrando, a princpio, que no h necessidade de aplicao de um modelo mais complexo.
Os resultados obtidos para a determinao de | atravs de ensaios com o mdulo
no escuro mostraram que possvel a determinao deste. Mesmo que os valores de | obtidos a
partir dos ensaios no escuro tenham sido sempre menores do que nos ensaios com luz (em mdia
10%), os resultados podem ser considerados satisfatrios uma vez que se torna possvel a
comparao de diferentes mdulos em diferentes condies de temperatura sem a necessidade de
inmeros ensaios sob iluminao natural.
Um estudo sobre a influncia da densidade de corrente (como funo da
irradincia) na resistncia srie um interessante tema para estudos futuros, bem como a
determinao da resistncia paralela atravs de um mtodo a ser proposto.
Por fim outra proposta para futuros trabalhos a de testar os mtodos aqui
apresentados para a determinao de R
S
, I
0
, m e | para mdulos de diferentes tecnologias, como
os de filmes finos, buscando analisar diferenas entre estes mdulos e os de silcio
monocristalino.


68

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