OPERACIN DEL TRANSISTOR En la figura 3.3 se volvi a dibujar el transistor pnp sin polarizacin entre la base y el emisor.

Observe las semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en directa. El ancho de la regin de empobrecimiento se redujo a causa de la polarizacin aplicada y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n. Eliminemos ahora la polarizacin de la base al emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se muestra en la figura 3.4. Considere las semejanzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en inversa de la seccin 1.6. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y el resultado es slo un flujo de portadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4. En suma, por consiguiente: La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.

En la figura 3.5 se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp, con los flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la figura 3.5 los anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cul unin es polarizada en directa y cual lo est polarizada en inversa. Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn polarizada en directa hacia el material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuirn directamente con la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Como el material tipo n emparedado es muy delgado y su conductividad es baja, un nmero muy pequeo de estos portadores tomarn esta ruta de alta resistencia hacia la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de microamperes, en comparacin con los miliamperes de las corrientes del emisor y el colector. El mayor nmero de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin polarizada en inversa hacia el material tipo n conectado al colector como se indica en la figura 3.5.

La razn de la facilidad relativa con que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin polarizada en inversa es fcil de entender si consideramos que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo p. En otras palabras, ha habido una inyeccin de portadores minoritarios en el material tipo n de la regin de la base. Si se combina esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios de la regin de empobrecimiento atravesarn la unin polarizada en inversa de un diodo explica el flujo indicado en la figura 3.5. Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 3.5 como si fuera un nodo nico obtenemos:

y hallamos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la base. La corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los portadores mayoritarios y los minoritarios como se indica en la figura 3.5. El componente de corriente de portadores minoritarios se llama corriente de fuga y se le da el smbolo ICO [corriente IC con el emisor abierto Abierto (Open)]. La corriente del colector, por consiguiente, est determinada en su totalidad por:

Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperes e ICO en microamperes o nanoamperes. ICO, como la Is para un diodo polarizado en inversa, es sensible a la temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se consideren aplicaciones de amplios intervalos de temperatura. Puede afectar severamente la estabilidad de un sistema a alta temperatura si no se considera como es debido. Mejoras en las tcnicas de construccin han reducido significativamente los niveles de ICO, al grado en que su efecto a menudo puede ser ignorado. CONFIGURACIN EN BASE COMN La terminologa en base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto para la entrada como para la salida de la configuracin. Adems, la base por lo general es la terminal ms cercana a, o en, un potencial de tierra. Para el transistor: La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa. La regin de saturacin se define como aquella regin de las caractersticas a la izquierda de VCB= 0. La escala horizontal en esta regin se ampli para mostrar con claridad el cambio

dramtico de las caractersticas en esta regin. Observe el incremento exponencial de la corriente del colector al incrementarse el voltaje VCB hacia 0 V. En la regin de saturacin las uniones baseemisor y colector-base se polarizan en directa. En el modo cd los niveles de IC e IE originados por los portadores mayoritarios estn relacionados por una cantidad llamada alfa definida por la siguiente ecuacin:

CONFIGURACIN EN EMISOR COMN La configuracin de transistor que ms frecuentemente se encuentra aparece en la figura 3.13 para los transistores pnp y npn. Se llama configuracin en emisor comn porque el emisor es comn o sirve de referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es comn para las terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de caractersticas para describir plenamente el comportamiento del la configuracin en emisor comn: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-emisor. Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor cambi, las relaciones de corriente previamente desarrolladas para la configuracin en base comn siguen siendo vlidas. Es decir IE =IC + IB e IC =IE. Para la configuracin en emisor comn, las caractersticas de salida son una grfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un intervalo de valores de la corriente de entrada (IB). Las caractersticas de entrada son una grfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de entrada (VBE) para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE). En la regin activa de un amplificador en emisor comn, la unin base-emisor se polariza en directa en tanto que la unin colector-base est en inversa. Recuerde que stas eran las mismas condiciones en la regin activa de la configuracin en base comn. La regin activa de la configuracin en emisor comn se emplea para amplificar voltaje, corriente o potencia. La regin de corte para la configuracin en emisor comn no est tan bien definida como para la configuracin en base comn.

En el modo de cd los niveles de IC e IB estn relacionados por una cantidad llamada beta y definida por la siguiente ecuacin: donde IC e IB se determinan en un punto de operacin particular en las caractersticas. Para dispositivos prcticos el nivel de b por lo general vara de aproximadamente 50 a ms de 400, con la mayora de los valores en el intervalo medio. Como para , el parmetro revela la magnitud relativa de una corriente con respecto a la otra. Para un dispositivo con una de 200, la corriente del colector es 200 veces la magnitud de la corriente de la base. CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN La tercera y ltima configuracin del transistor es la configuracin en colector comn, mostrada en la figura 3.20 con las direcciones de la corriente y notacin de voltaje correctas. La configuracin en colector comn se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las configuraciones en base comn y en emisor comn. Una configuracin de circuito en colector comn aparece en la figura 3.21 con el resistor de carga conectado desde el emisor a tierra. Observe que el colector est unido a tierra aun cuando el transistor est conectado del mismo modo que en la configuracin en emisor comn. En la prctica, las caractersticas de salida de la configuracin en colector comn son las mismas de la configuracin en emisor comn. Para la configuracin en colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE contra VCE con un rango de valores de IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las caractersticas en emisor comn como en colector comn. Por ltimo, ocurre un cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las caractersticas en emisor comn si IC se reemplaza con IE para las caractersticas en colector comn (puesto que). Para el circuito de entrada de la configuracin en colector comn bastan las caractersticas bsicas en emisor comn para obtener la informacin requerida.

LMITES DE OPERACIN Para cada transistor hay una regin de operacin en las caractersticas que garantizar que no se excedan las capacidades nominales mximas y que la seal de salida exhiba distorsin mnima. Dicha regin se defini para las caractersticas del transistor de la figura 3.22. Todos los lmites de operacin se definen en una hoja de especificaciones del transistor. Algunos de los lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del colector (normalmente aparece en la hoja de especificaciones como corriente continua en el colector) y el voltaje mximo del colector al emisor (a menudo abreviado VCEO o V(BR)CEO en la hoja de especificaciones). Para el transistor de la figura 3.22, ICmx se especific como 50 mA y VCEO como 20 V. La lnea vertical en las caractersticas definida como VCEsat especifica el VCE mnimo que se puede aplicar sin caer en la regin no lineal llamada regin de saturacin. El nivel de VCEsat est por lo comn cerca de 0.3 V, especificado para este transistor. El nivel mximo de disipacin lo define la siguiente ecuacin: