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Transistors et portes logiques

On explique dans cette partie le fonctionnement schmatique d'un transistor ainsi que la faon de raliser des portes logiques avec des transistors.

Semi-conducteurs
Les trois semi-conducteurs utiliss dans la fabrication des composants lectroniques sont les suivants :

le silicium Si utilis majoritairement, le germanium Ge, l'arsniure de gallium AsGa.

En plaant ces diffrents lments dans la table des lments chimiques (cf. figure ci-dessous), on constate que ces lments sont proches. Ces semi-conducteurs sont forms d'lments ayant 4 lectrons de valence sur la dernire couche comme le silicium ou le germanium ou d'un mlange d'lments ayant 3 et 5 lectrons de valence comme le gallium et l'arsenic.

Une partie de la table des lments Semi-conducteur intrinsque Dans un cristal de silicium pur, les atomes forment 4 liaisons de covalence avec 4 voisins. Il remplissent ainsi la dernire couche en partageant les lectrons.

Cristal de silicium

Dans la figure ci-dessus, le cristal est reprsent en plan mais il faut bien sr imaginer ce cristal dans l'espace. La maille lmentaire du rseau est reprsente la figure ci-dessous.

Rseau dans l'espace Au zro absolu, c'est--dire la temprature 0K, la structure du cristal est stable et le silicium n'est pas conducteur du courant lectrique. Lorsque la temprature augmente, les lectrons possdent une nergie supplmentaire qui provoque la rupture de certaines liaisons de covalence. Certains lectrons deviennent libres (cf. figure ci-dessous) et le silicium est alors peu conducteur, d'o le nom de semiconducteur.

lectron libre Semi-conducteurs dops Le silicium est dop en introduisant des impurets dans le cristal. On distingue deux types de dopage suivant la nature des lments ajouts au silicium. On parle de semi-conducteur de type n (pour ngatif) lorsque le dopage est ralis avec des lments ayant 5 lectrons de covalence comme le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. L'atome avec 5 lectrons de covalence forme 4 liaisons de covalence et garde un lectron qui est alors relativement libre (cf. figure ci-dessous).

Silicium dop n avec un lectron libre On parle de semi-conducteur de type p (pour positif) lorsque le dopage est ralis avec des lments ayant 3 lectrons de covalence comme le bore, l'aluminium et le gallium. L'atome avec 3 lectrons de covalence ne peut former que 3 liaisons de covalence. Il y en quelque sorte un trou d'lectron (cf. figure ci-dessous).

Silicium dop p avec un trou

Diode
Une jonction entre un semi-conducteur de type n et un semi-conducteur de type p est appele une diode. La partie de type n est appele cathode et la partie de type p est appele anode. Le courant lectrique ne peut passer travers une diode que dans un seul sens comme l'voque son symbole en forme d'entonnoir.

Diode Le principe de fonctionnement de la diode est le suivant. Les lectrons libres du semi-conducteur de type n ont tendance aller boucher les trous du semiconducteur de type p. Il en dcoule une diffusion des lectrons de la rgion dope n vers la rgion dope p. Chaque lectron qui se dplace laisse un ion positif dans la rgion n. Il s'ensuit donc un champ lectrique de rappel vers la rgion n qui conduit un quilibre. Dans cet quilibre, il y a une zone, appele zone de charge d'espace qui ressemble du silicium non dop et o il y a en outre un champ lectrique.

Si on applique une tension positive la cathode et ngative l'anode, les lectrons sont attirs vers le bord de la cathode et les trous vers le bord de l'anode. La zone de charge d'espace s'tend et la diode n'est pas conductrice. Si on contraire, on applique une tension positive l'anode et ngative la cathode qui est suprieure au champ l'quilibre, les lectrons peuvent circuler de la cathode vers l'anode et la diode est conductrice.

Transistors
Le transistor est la brique avec laquelle sont construits les circuits lectroniques tels les micro-processeurs. La technologie actuellement utilise pour fabriquer les micro-processeurs est la technologie MOS (Metal-Oxide-Semiconductor). Il existe deux types de transistors MOS : les transistors de type n et les transistors de type p. Les micro-processeurs actuels utilisent des transistors des deux types. On parle alors de technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor). Fonctionnement Un transistor possde trois broches appeles drain, grille et source. Pour d'autres types de transistors, elle sont aussi appeles collecteur, base et metteur. Dans le cas des transistors MOS, le drain et la source jouent des rles (presque) symtriques et sont (pratiquement) interchangeables. Un transistor se comporte comme un interrupteur lectrique entre la source et le drain qui serait command par la grille. Le dessin ci-dessous illustre de manire image la faon dont fonctionne un transistor.

Fonctionnement imag d'un transistor Le comportement d'un transistor n-MOS est le suivant. Si la grille est mise une tension de 2.9V, la source et le drain sont connects. Si au contraire, la grille est mise une tension de 0V, le circuit entre la source et le drain est ouvert. Le fonctionnement d'un transistor p-MOS est l'inverse. Le drain et la source sont connects lorsque la tension applique la grille est 0V. Composition Un transistor est form de deux jonctions np obtenues en intercalant une couche p (respectivement n) entre deux couches n (respectivement p). Le transistor de type n correspond aux trois couches n-p-n et le transistor de type p aux couches p-n-p. Il y a en outre une grille en mtal au dbut de la technique MOS mais maintenant faite en polysilicium. Cette grille est spare de la couche intermdiaire par une fine couche d'oxyde de silicium SiO2 isolant. Le potentiel appliqu la grille permet de modifier l'tat de la couche intermdiaire.

Transistors n-MOS et p-MOS Principe de fonctionnement On considre un transistor de type n. Si aucune tension n'est applique la grille, les deux jonctions np et pn se comporte comme des diodes en opposition et aucun courant ne peut passer entre la source et le drain. Si au contraire une tension positive est applique la grille, les lectrons chargs ngativement s'accumulent dans le substrat dans la zone prs de la grille. La rgion du substrat prs de la grille va alors se comporter comme un semi-conducteur dop n (cf. figure ci-dessous). Le courant peut alors passer entre la source et le drain.

Formation d'un tunnel n dans le substrat

Conventions dans les schmas


Dans tous les schmas du cours, on adopte la convention qui est illustre la figure suivante. Si un fil s'arrte a une intersection avec un autre fil, les deux fils sont connects. Si par contre, deux fils se croisent, il n'y a pas connexion des deux fils sauf si l'intersection est matrialise par un gros point.

Convention des connexions aux intersections

Portes not, nand et nor


La porte la plus simple est la porte not de la ngation. Elle prend en entre une valeur x qui vaut 0 ou 1 et elle sort la valeur 1-x. La table de vrit de cette porte est donne ci-dessous. Entre Sortie I I 0 1 1 0 La porte not peut tre ralise en logique CMOS par un circuit constitu de deux transistors, un de type n et un de type p. Ce circuit est appel inverseur. L'inverseur ainsi que son symbole sont reprsents la figure ci-dessous.

Schma et symbole de l'inverseur La porte nand prend en entre deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 0 si les deux entres valent 1 et elle vaut 1 si au moins une des deux entres vaut 0. La table de vrit est donne ci-dessous. Entres Sortie A B (A B) 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0

Un circuit pour raliser la porte nand en logique CMOS est donn ci-dessous. Il est constitu de quatre transistors dont deux n-MOS et deux p-MOS.

Schma et symbole de la porte nand La porte nor prend en entre deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 0 si au moins une des entres vaut 1 et elle vaut 1 si les deux entres valent 0. La table de vrit est donne ci-dessous. Entres Sortie A B (A B) 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 Un circuit pour raliser la porte nor en logique CMOS est donn ci-dessous. Il est constitu de quatre transistors dont deux n-MOS et deux p-MOS. C'est le circuit dual du circuit de la porte nand. Les deux transistors p-MOS qui tait en parallle dans le circuit de la porte nand sont en srie dans le circuit de la porte nor. Au contraire, les deux transistors n-MOS qui tait en srie dans le circuit de la porte nand sont en parallle dans le circuit de la porte nor.

Schma et symbole de la porte nor

Portes or et and

Si dans le schma de la porte nor, chaque transistor n-MOS est remplac par un transistor p-MOS et inversement, on obtient un schma qui donne thoriquement une porte or. Pourtant, le circuit de la porte or n'est pas ralis de cette manire. Cela provient du fait que la source et le drain des transistors ne jouent pas des rles compltement symtriques. Pour des raisons de consommation, les connexions avec le 0 sont toujours commandes par des transistors de type n et les connexions avec le 1 par des transistors de type p. Les circuits des portes and et or sont respectivement obtenus en combinant un circuit de la porte nand et nor avec un inverseur. La porte and prend en entre deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 1 si les deux entres valent 1 et elle vaut 0 sinon. La table de vrit est donne ci-dessous. Entres Sortie A B AB 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1

Schma et symbole de la porte and La porte and pourrait thoriquement tre aussi ralise par le schma ci-dessous qui comporte moins de transistors. Ce schma n'est cependant pas utilis en pratique. Dans ce schma, la sortie est relie au 1 par des transistors n et au 0 par des transistors p. Ceci induit une consommation excessive par rapport au schma prcdent.

Mauvais schma d'une porte and La porte or prend en entre deux valeurs 0 ou 1. La sortie vaut 0 si les deux entres valent 0 et elle vaut 1 sinon. La table de vrit est donne ci-dessous. Entres Sortie A B AB 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1

Schma et symbole de la porte or

Portes nand et nor trois entres


On peut bien sr raliser une porte nand trois entres en combinant deux portes nand deux entres. Il est plus conomique en nombre de transistors de raliser directement cette porte. C'est la mme chose pour la porte nor trois entres.

Schma et symbole de la porte nand 3 entres

Schma et symbole de la porte nor 3 entres

Portes and et or entres multiples


Les schmas des portes nand et nor trois entres peuvent tre gnraliss pour obtenir des schmas pour des portes nand et nor un nombre quelconque d'entres. Pour des raisons technologiques, ces portes ne sont pas ralises de cette faon. Il est prfrable de construire des portes un grand nombre d'entres en combinant plusieurs portes 2 ou 3 entres. Des circuits pour les portes and ou or entres multiples peuvent tre construits en utilisant un arbre constitu de portes and ou or respectivement. La construction d'un circuit pour une porte k entres peut tre faite de manire rcursive. Si k vaut 1 ou 2, le circuit est vident. Si k est suprieur 2, on construit d'abord deux circuits ayant respectivement k/2 et k/2 entres. Les sorties des ces deux circuits sont ensuite envoyes sur une dernire porte and ou or. On vrifie par rcurrence que le nombre de portes d'un tel circuit est exactement k-1 et que sa profondeur (nombre maximal de portes mises en cascade) est log2(k).

Pour k = 4, on obtient le premier circuit reprsent la figure ci-dessous. Pour conomiser les transistors, chaque bloc de trois portes and ou or peut tre remplac par deux portes nand et une porte nor ou l'inverse. On obtient ainsi le second circuit reprsent la figure ci-dessous. Il existe d'autres circuits comme le troisime reprsent la figure ci-dessous qui ralisent une porte and 4 entres. Ce circuit est cependant viter car il augmente le temps de latence en raison de sa plus grande profondeur.

Schmas de portes and 4 entres En appliquant le procd ci-dessus pour k = 16, puis en remplaant chaque bloc de trois portes and par deux portes nand et une porte nor, on obtient le circuit cidessous qui a 10 portes nand et 5 portes nor. Ce circuit est particulirement rgulier car k est une puissance de 2.

Schma d'une porte and 16 entres

Porte xor
La porte xor permet de raliser la fonction ou exclusif qui s'avre trs utile pour construire les additionneurs. Comme toutes les autres fonctions boolennes, elle se ralise avec les portes and et or ou bien encore nand et nor. Il faut la considrer comme une abrviation pour un petit circuit trs utile.

Entres Sortie A B AB 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0

Schmas et symbole de la porte xor