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Imperfecciones Cristalinas.

En realidad, no existen cristales perfectos pues contienen varios tipos de defectos que afectan a muchas de las propiedades fsicas y mecnicas, que a su vez afectan a muchas propiedades importantes de los materiales para ingeniera, como la conformacin en fro de aleaciones, la conductividad elctrica de semiconductores, la velocidad de migracin de los tomos en aleaciones y la corrosin de los metales. Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican segn su forma y geometra. Los tres grupos principales son: 1) defectos puntuales o de dimensin cero, 2) defectos de lnea o de una dimensin (dislocaciones) y 3) defectos de dos dimensiones que incluyen superficies externas y superficies de lmite de grano. Los defectos macroscpicos tridimensionales o de volumen tambin pueden incluirse. Ejemplos de estos defectos son: poros, fisuras e inclusiones.

DEFECTOS PUNTUALES.

El defecto puntual ms sencillo es la vacante, un sitio atmico en el que ha desaparecido el tomo que lo ocupaba (figura a). Las vacantes pueden producirse durante la solidificacin como el resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales, o por las reordenaciones atmicas en un cristal ya existente debido a la movilidad de los tomos. En los metales, la concentracin de vacantes en el equilibrio, raramente excede de aproximadamente 1 tomo en 10 000. Las vacantes en metales son defectos en equilibrio y su energa de formacin es aproximadamente de 1 eV. En los metales pueden introducirse vacantes adicionales durante la deformacin plstica, por enfriamiento rpido desde elevadas a bajas temperaturas y por

bombardeo con partculas de alta energa, como los neutrones. Las vacantes que no estn en equilibrio tienen tendencia a formar aglomerados, formando divacantes o trivacantes. Las vacantes pueden moverse intercambiando su posicin con sus vecinas. Este proceso es importante en la migracin o difusin de los tomos en estado slido, particularmente, a temperaturas elevadas donde la movilidad de los tomos es mayor. Algunas veces un tomo de cristal puede ocupar un hueco intersticial entre los tomos de su entorno que ocupan posiciones atmicas normales (figura b). Este tipo de defectos puntuales se llaman autointersticial o intersticialidad. Estos defectos no ocurren generalmente de forma natural por la distorsin estructural que provocan, pero se pueden introducir en la estructura por irradiacin. En cristales inicos los defectos puntuales son ms complejos debido a la necesidad de mantener la neutralidad elctrica. Cuando dos iones de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea una divacante aninica-catinica que se conoce como defecto de Schottky. Si un catin se mueve a un hueco intersticial del cristal inico, se crea una vacante catinica en la posicin inicial del catin. Este par de defectos vacante- intersticio se llama Defecto de Frenkel (figura c). La presencia de estos defectos en los cristales inicos, aumenta su conductividad elctrica. Los tomos de impurezas de tipo sustitucional o intersticial son tambin defectos puntuales y se pueden presentar en cristales con enlaces metlicos o covalentes. Por ejemplo, cantidades muy pequeas de impurezas atmicas sustitucionales en silicio puro, puede afectar mucho su conductividad elctrica para su uso en dispositivos electrnicos. Las impurezas inicas son tambin defectos puntuales en cristales inicos.

Defectos superficiales

Los defectos superficiales son los lmites o los planos que separan un material en regiones; cada regin tiene la misma estructura cristalina, pero distinta orientacin. Los defectos de superficie o planares incluyen superficies externas, lmites de grano, maclas, bordes de ngulo cerrado, bordes de ngulo abierto, torsiones y fallas de apilamiento. La superficie libre o externa de cualquier material es el tipo ms comn de defecto planar. Las superficies externas se consideran defectos debido a que los tomos de la superficie estn enlazados a otros tomos slo por un lado. Por consiguiente, los tomos de la superficie tienen un menor nmero de vecinos. Como resultado de ello, estos tomos tienen un mayor estado de energa en comparacin con los tomos situados dentro del cristal, con un nmero ptimo de vecinos. La mayor energa asociada con los tomos de la superficie de un material hace a la superficie susceptible a la erosin y a reaccionar con elementos del ambiente. Este punto ilustra con mayor claridad la importancia de los defectos en el desempeo de los materiales. Superficie del material Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde termina el cristal en forma sbita. Cada tomo en la superficie ya no tiene el nmero adecuado de coordinacin y se interrumpe el enlazamiento atmico. Con bastante frecuencia, esto es un factor muy importante en la fabricacin de dispositivos microelectrnicos a base de Si. La superficie exterior tambin puede ser muy spera, contener muescas diminutas y ser mucho ms reactiva que el interior del material. En los materiales con nanoestructura, la relacin de la cantidad de tomos o iones en la superficie con los del interior es muy alta. En consecuencia, esos materiales tienen una

superficie grande por unidad de masa. En la refinacin del petrleo y en muchas otras reas de la tecnologa se usan catalizadores con rea superficial muy alta para impulsar la cintica de las reacciones qumicas. De manera parecida a los materiales de nano escala, los materiales porosos, los geles y los polvos ultra finos son ejemplos de materiales cuya superficie es muy grande. El lector ver ms adelante que la reduccin de la superficie es la fuerza termodinmica motriz para sinterizar los polvos de cermica y de metales. Lmites de grano La microestructura de muchos materiales cermicos y metlicos consiste en muchos granos. Un grano es una porcin del material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi idntico. Sin embargo, la orientacin del arreglo de tomos, o estructura cristalina, es distinta en cada grano vecino; el arreglo de los tomos en cada grano es idntico, pero los granos tienen distinta orientacin. Un lmite de grano, la superficie que separa los granos individuales, es una zona angosta donde los tomos no tienen las distancias correctas. Es decir, los tomos estn tan prximos entre s en algunos lugares del lmite del grano, que producen una zona de compresin; y en otras reas estn tan alejados, que producen una zona de tensin. A temperatura ordinaria, los lmites de grano disminuyen la plasticidad dificultando el movimiento de dislocacin en la regin del lmite de grano.

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlar el tamao del grano. Al reducir el tamao del grano, se aumenta la cantidad de granos y, en consecuencia, se aumenta la cantidad de superficie de lmites de grano. Toda dislocacin recorre solamente una distancia corta para encontrar un lmite de grano y detenerse; as, la resistencia del material metlico aumenta. La ecuacin de Hall-Petch relaciona el tamao del grano con la resistencia de cedencia, y= 0 +Kd-1/2

Donde es la resistencia de cedencia, punto de fluencia, punto de cedencia o lmite elstico, que es el valor necesario del esfuerzo para causar cierta cantidad de deformacin permanente; d es el dimetro promedio de los granos y 0 y K son constantes para el metal. Recurdese que en el captulo 1 se dijo que la resistencia de cedencia de un material metlico es el valor mnimo del esfuerzo necesario para iniciar la deformacin plstica o permanente. La ecuacin de Hall-Petch no es vlida en materiales con granos excepcionalmente grandes, o con granos ultrafinos. En los siguientes captulos describiremos la forma en que se puede controlar el tamao de grano de metales y aleaciones por solidificacin, aleacin y tratamiento trmico.

La microscopa ptica es una tcnica que se usa para revelar las propiedades microestructurales, como lmites de grano, donde se requiere un aumento aproximado menor que 2000. El proceso de preparar una muestra de metal y observar su microestructura se llama metalografa. Se corta, lija y pule una muestra hasta que tenga un acabado de espejo. A continuacin, la superficie se expone al ataque qumico, y los lmites de grano se atacan en forma ms intensa que el resto del grano. La luz de un microscopio ptico se refleja o se dispersa en la superficie de la muestra, dependiendo de la forma en que est atacada la superficie. Cuando es mucha la luz que se dispersa en entidades donde el ataque es ms profundo, como los lmites de grano, En las muestras cermicas, se usa con frecuencia una tcnica llamada ataque trmico para observar los lmites de grano. Implica pulir y calentar durante corto tiempo un cermico a temperaturas inferiores a la de sinterizacin.

Una forma de especificar el tamao de grano es con el nmero de tamao de grano ASTM (ASTM, American Societyfor Testing and Materials). La cantidad de granos por pulgada cuadrada se determina con una fotografa del metal, tomada con 100X de aumento. La cantidad N de granos por pulgada cuadrada se sustituye en la ecuacin 4-6, y

se calcula el nmero n de tamao de grano ASTM: N = 2n-1 Un nmero ASTM grande indica muchos granos, o un tamao pequeo de partcula, y se correlaciona con mayores resistencias en los metales. Al describir una microestructura, siempre que sea posible, se prefiere usar un marcador micromtrico o alguna otra escala sobre la micrografa, en lugar de especificar el aumento como X. De ese modo, si la micrografa se amplifica o se reduce y el marcador micromtrico crece o se contrae, sin tener que ocuparse por los cambios de aumento respecto a la micrografa original. Hay varios programas sofisticados de anlisis de imgenes que se consiguen en Internet. Al usarlos, es posible no slo obtener informacin sobre el nmero ASTM de tamao de grano, sino tambin informacin cuantitativa sobre tamao aproximado de grano, distribucin de tamaos de grano, porosidad, segundas fases, etc. Se pueden comprar diversos microscopios pticos y electrnicos de barrido con funciones de anlisis de imgenes, o bien las imgenes se pueden procesar con programas de anlisis de imgenes. El siguiente ejemplo ilustra el clculo del nmero ASTM de tamao de grano. Lmites de grano de ngulo pequeo Un lmite de grano de ngulo pequeo es un conjunto de dislocaciones que produce una pequea desorientacin entre cristales vecinos. Como la energa de la superficie es menor que la de un lmite de grano normal, los lmites de grano con ngulo pequeo no son tan eficientes para bloquear los deslizamientos. Los lmites de grano con tamao pequeo que se forman por dislocaciones de borde se llaman lmites inclinados; los que se forman por dislocaciones de tornillo se llaman lmites de giro.

Fallas de apilamiento Las fallas de apilamiento, que se presentan en los metales FCC, representan un error en la secuencia de apilamiento de los planos con empaquetamiento compacto. Normalmente, se produce una secuencia de ABC ABC ABC en un cristal perfecto. Pero supngase que se

produce la siguiente secuencia: ABC ABABC ABC En la porcin de la secuencia indicada, un plano tipo A ocupa el lugar donde un plano tipo C estara localizado normalmente. Esta pequea regin, que tiene una secuencia de apilamiento HCP en lugar de la FCC, representa una falla de apilamiento. Las fallas de apilamiento interfieren con el proceso de deslizamiento. Las maclas o bordes de maclas son otro ejemplo de un defecto bidimensional. Una macla se define como una regin en la que existe una imagen de espejo de la estructura a travs de un plano o un borde. Los bordes gemelos se forman cuando un material se deforma permanentemente o de manera plstica (macla de deformacin) Tambin pueden aparecer durante el proceso de recristalizacin en el que los tomos se vuelven a situar en un cristal deformado {macla de templado), pero esto slo ocurre en algunas aleaciones FCC. Como el nombre lo indica, las maclas se forman en pares. De manera similar a las dislocaciones, los bordes gemelos tienden a reforzar a un material.

La eficiencia que tienen los defectos superficiales para interferir con el proceso de deslizamiento puede juzgarse mediante las energas de superficie Los lmites de grano con alta energa son mucho ms eficientes para bloquear las dislocaciones que las fallas de apilamiento o los lmites de macla. Lmites ele dominio Los materiales ferroelctricos son los que desarrollan polarizacin dielctrica espontnea y reversible. A los materiales que desarrollan una magnetizacin en forma parecida se les llama ferromagneticos (por ejemplo Fe, Co, Ni) o ferrimagnticos (por ejemplo Fe304 y otras ferritas magnticas. Estos materiales electrnicos y magnticos contienen dominios. Un dominio es una pequea regin del material cuya direccin de magnetizacin o de polarizacin dielctrica permanece igual. En esos materiales se forman muchos

dominios pequeos de tal manera que se minimiza la energa libre total del material. La presencia de dominios influye sobre las propiedades dielctricas y magnticas de muchos materiales electrnicos y magnticos.

BIBLIOGRAFA

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