Dispositivos Semiconductores

Dispositivos
Semiconductores.

Docente: Franco Alfonso Hernndez Campos.

Alumno Ayudante: Marcial Seplveda Pozo.

junio de 2009.

Dispositivos Semiconductores
1
Dispositivos Semiconductores.

1.0 Semiconductores.

1.1 Efecto Fotoelctrico.

Planck indico que una muestra calentada emita radiacin
en niveles discretos de energa. Llamada quanta de valor hv.

h: constante de planck = 6.63
-34
10 [J s]

Luz
Elect rn
E = hv
Met al

Em
V
h
-q

= - Em hv q

q: Mnima energa necesaria para que un electrn escape del
metal.

1.2 Espectro Atmico.

Emisin y absorcin de luz por tomos (Em= ),
caracterstica del gas como el nen. Al analizar las se
encuentran una serie de lneas correspondientes a
discretos en vez de una distribucin continua. Estas lneas
aparecen en varios grupos etiquetados por Lyman, Balmer y
Paschen.

2 2
2 2
2 2
1 1
= - , = 2,3,4,...
1
1 1
= - , = 3,4,5,...
2
1 1
= - , = 4,5,6,...
3
Lyman v cR n
n
Balmer v cR n
n
Paschen v cR n
n
| |
|
\ .
| |
|
\ .
| |
|
\ .

2
R: constante de Rydberg = 109.678
-1
cm .
n: entero.

31
E
21
E
41
E
51
E
32
E
42
E
52
E
43
E
53
E
E
P
B
L
n = 1
n = 2
n = 3
n = 4
n = 5
Atomo de
hi drgeno

Estos resultados le permitieron a Niels Bohr construir
el modelo para el tomo de hidrogeno basado en la matemtica
del sistema planetario.

Si el electrn en el tomo de hidrogeno tiene una serie
de orbitas (tipo planetario) disponibles, este puede ser
excitado hacia otras y caer en cualquiera de las orbitas
interiores dando energa discreta correspondiente a las
lneas del espectro.

1.3 Postulados de Bohr:

a. Los electrones existen en ciertas orbitas circulares
alrededor del ncleo. Esta suposicin implica que los
electrones orbitantes no emitan radiacin debido a qv = q r
de la teora electromagntica clsica.

b. El electrn puede saltar a una orbita de mayor o menor
energa ganando o perdiendo esta, siendo igual a la de los
distintos niveles de energa (por absorcin o emisin de
un fotn de energa igual a hv).

hv
2
E
1
E

2 1
hv = E - E

3
c. El momento angular P
de un electrn en una orbita es

siempre un mltiplo entero de la constante de Planck
dividido por 2. =
2
h | |
|
\ .

= P n

; Con
= 1,2,3,4,... n

Si visualizamos el electrn en una orbita estable de radio r
alrededor del protn e igualamos la fuerza electrosttica a
la fuerza centrpeta.

r -q
+ q

Tenemos:
=
2 2
2
q mv
Kr r

= 4 K
0

Si consideramos
= = P mvr n

Y adems notamos que n toma solo valores enteros
n
r = r , para
indicar la n-esima orbita tal que:
2
=
2
2 2
2
n
n
m v
r

2
1
=
2 2
2 2
n n n
q n
Kr mr r

4
2
=
2
n 2
kn
r
mq

Radio de la orbita n-esima.

Ahora encontramos la energa total del electrn en esta
orbita, para luego calcular la energa en las transiciones.
=
n
n
v
mr

2
= =
2 2
2
n q q
v
Kn Kn

Entonces, la energa cintica de un electrn es:

2
1
= =
2 2
4
2
2 2
mq
K.E. mv
K n

La energa de potencial es el producto de la fuerza
electrosttica y la distancia entre las cargas.

2
= - = -
2 4
2 2
n
q mq
P.E.
Kr K n

As, la energa total del electrn en la n-esima orbita es:

2
= = -
2
4
n 2 2
mq
E K.E.+ P.E.
K n

Ahora, por las series de transicin entre orbitas de Lyman,
Balmer y Paschen, la diferencia de energas entre las orbitas
1
n y
2
n ser:

2
1 1
= -
2
4
n2 n1 2 2 2
1 2
mq
E - E
K n n
| |
|
\ .

5
Tal que:
2
1 1
= -
2
4
21 2 2 2
1 2
mq
v
K h n n
| | (
| (
\ .

De donde R es la constante de Rydberg denotada por:

2
=
2
4
2
mq
R
K h

6
2.0 Bandas de energa y portadores de carga en
semiconductores.

En tomos aislados los electrones estn distribuidos a
niveles de energa discretos. Existen grandes espacios en los
cuales no existen estados disponibles.
En forma similar lo electrones en slidos son restringidos a
ciertas energas y no son permitidos en otras.

La principal diferencia entre electrones en tomos
aislados y electrones en slidos, es que en el slido el
electrn tiene una banda o rango de energas disponibles.
Esto se explica, ya que un electrn en la orbita de un tomo
siente la influencia de tomos cercanos y su funcin de onda
se ve afectada. Esto afecta la funcin de EP, por lo que el
radio de
n
r cuantico se transforma en una banda.

2.1 Fuerzas de unin de un slido.

Unin Inica: La interaccin de electrones en tomos cercanos
de un slido sirve para mantener al cristal unido, por
ejemplo:

NaCl: cada tomo de Na esta rodeado por 6 tomos de Cl en el
reticulado y viceversa.

Cl Na

La estructura electrnica
del Na (Z=11) es [Ne]
1
3s y el
Cl (Z=17) es [Ne]
2 5
3s 3p .

En el reticulado, cada tomo de Na cede su electrn
mas externo al tomo de Cl, por lo que el cristal esta hecho
de iones con estructuras electrnicas de tomos inertes [Ne]
[Ar]. Sin embargo, los iones tienen una carga neta despus
del intercambio
+1 -1
Na Cl . Cada
+1
Na ejerce una fuerza
electrosttica de atraccin sobre sus iones de
-1
Cl cercanos y
viceversa. Estas fuerzas de Coulomb mantienen el reticulado
unido hasta que las fuerzas de repulsin se balancean.

7
| Observacin:

- En la estructura del NaCl, todos los electrones son
atrados fuertemente por los tomos.

- Una vez que el intercambio de electrones se realizo, las
orbitas externas de todos los tomos estn completamente
llenas. Adems, los iones pasan tiene estructuras
electrnicas de tomos inertes y no existen electrones
disponibles para participar en el flujo de corriente. Siendo
el NaCl un buen aislante. |

Unin Metlica: En un tomo de metal, la estructura
electrnica externa esta parcialmente llena; es decir, faltan
electrones para formar o completar la capa exterior o nivel.
En esta capa no existen ms all de 3 electrones. Estos
electrones pueden viajar fcilmente (Na = [Ne]
1
3s ) por la
capa cristalina bajo la influencia de un campo elctrico por
lo que a la unin se le conoce como unin metlica.

Unin Covalente: Exhibida en el reticulado del cristal
semiconductor del diamante. Cada tomo en el Ge, Si, C
(Cristal) esta rodeado de 4 tomos vecinos mas cercanos. En
estos cristales cada tomo comparte sus electrones de
valencia con sus 4 cercanos.

Cada par de electrones
constituye un enlace
covalente.

Como en el caso de cristales inicos, en el cristal
covalente del diamante (silicio) no existen electrones libres
en la estructura y por esta razn ellos deberan ser
aisladores. Sin embargo, la figura anterior muestra la
situacin a una temperatura de 0 Kelvin. Como se ver un
electrn del enlace covalente puede ser excitado trmicamente
o luminicamente para quedar disponible para la conduccin,
siendo esta una caracterstica importante en semiconductores.

8
2.2 Bandas de Energa.

Cuando los tomos se encuentran aislados, ellos tienen
idntica estructura electrnica. A medida que este
espaciamiento disminuye, las funciones de onda que determinan
la estructura electrnica comienzan traslaparse. El principio
de exclusin de Pauli dicta que 2 tomos no pueden poseer el
mismo estado cuantico a medida que la separacin disminuye.
Tal que los niveles discretos de energa de tomos aislados
se transforman en bandas. En los slidos, estas bandas de
energa son continuas.

E
Eg
Banda de Conduccion
Banda de
Valencia
6N Est ados
2N Est ados
2p
2s
4N
Est ados
4N
Est ados
Separacin At mica
2N Est ados
1s
Espaciamient o del
diamant e

tomo de Carbn

6
electrones/tomo
N tomos
6N electrones

Carbn:
2 2 2
1s 2s 2p

Si consideramos N tomos, existiran 2N, 2N y 6N estados
del tipo
1
s ,
2
s ,
2
p respectivamente. A medida que la separacin
atmica disminuye esos niveles de energa se transforman en
bandas.

En equilibrio de fuerzas aparece la banda superior
llamada Banda de Conduccin con 4N estados disponibles y la
banda inferior llamada Banda de Valencia ambas separadas
por una banda de energa prohibida Eg, la cual carece de
estados disponibles.

9
2.3 Metales, Semiconductores y Aislantes.

a. Cada slido tiene su propia estructura de bandas y es la
responsable de sus macro caractersticas elctricas.

b. El proceso de conduccin se realiza por el uso de estados
disponibles por parte de las cargas elctricas.

Aislador Semiconduct or
Eg Eg
Llena
Vacia
Vacia
Llena
Llena
Parcialment e
lleno
Llena
Traslapaj e
Met al
~ Eg 10eV ~ Si Eg 1.1eV
Sit uacin a 0 Kelvin
BC
BV

2.4 Electrones y Huecos:

A T>0 Kelvin algunos electrones son excitados por la
energa trmica y pasan desde la banda de valencia (BV) a la
banda de conduccin (BC), resultando en un material con
algunos electrones ocupando estados disponibles en la BC y
con estados no ocupados en la BV. A los estados no ocupados
se les denomina huecos.

Ec
Ev
Eg

10
El par Hueco en la BV y el electrn en la BC se le
denomina par electrn-hueco o PEH. Para el Silicio puro a
temperatura ambiente es de
10
10 PEH/
3
cm y su densidad es de
22
10
tomos/
3
cm .
Tal que los pocos electrones en la BC son libres de
moverse por los muchos estados disponibles.

2.41 Las corrientes:

En una banda llena todos los estados disponibles estn
ocupados. Para cada electrn movindose con una velocidad
dada existe un electrn igual y opuesto movindose en la
banda.
Si aplicamos un campo elctrico (E ) la corriente neta
es cero, ya que para cada electrn j movindose a la
velocidad
j
v existe un electrn j con velocidad -
j
v . Con N
electrones/
3
cm en la banda de densidad de corriente J por
unidad de volumen.
= (- ) = 0
N
i
i =1
J q v

(Banda llena)

Ahora si creamos un hueco al remover el j-esimo
electrn, la densidad de corriente neta en la BV involucra a
todas las velocidades menos la contribucin del electrn que
hemos removido.

= (- )
N
i
i =1
J q v
0
-(- )
j
q v
(j-esimo electrn
removido)

As
= (+ ) 0
j
J q v =

Tal que la contribucin de corriente del hueco es
equivalente a la de una partcula cargada positivamente con
velocidad
j
v . Por simplicidad es costumbre tratar los estados
vacos en la BV como portadores de carga positiva, siendo de
igual modo su masa.

Portadores de carga en la BC: electrones
Portadores de carga en la BV: huecos

11
2.5 Material Intrnseco.

Un cristal semiconductor sin impurezas en el reticulado
(o defectos) se llama semiconductor intrnseco.
A 0 Kelvin el semiconductor intrnseco (SCI) tiene la BV
llena de electrones y la BC vaca. A T > 0 Kelvin se crean
PEH por la temperatura y son los nicos portadores de carga.
Los PEH se crean por la ruptura del enlace covalente al tomar
una energa igual a Eg.

Se define:

n electrones/
3
cm = concentracin de
electrones en la BC
p huecos/
3
cm = concentracin de huecos en
la BV

As en un material intrnseco
n > p =
i
n

Obviamente en el SC existe la llamada recombinacin de
electrones y huecos. La tasa de recombinacin tiene que ser
igual a la tasa de creacin de PEHs.

2.6 Material Extrnseco.

Es posible agregar portadores de carga adicionales a los
portadores intrnsecos agregando impurezas al cristal. Este
proceso se llama dopaje y es la tcnica ms comn para
controlar la conductividad en semiconductores.
Existen los dopajes tipo n (principalmente electrones) y
los tipo p (principalmente huecos).
Cuando un cristal es dopado de manera que
o
n y
o
p es
distinto de
i
n se dice que el material es extrnseco.

Ec
Ev
Ec
Ev
Ed Ed
Nivel
Donador
T 50 K ~
Eg
T = 0 K

12
Las impurezas de la columna V de la tabla peridica
introduce un nivel de energa cercano a la BC (en el Si y
Ge). Este nivel esta lleno a 0 Kelvin y se requiere muy poca
energa trmica para que esos electrones sean excitados a la
BC. As a 50-100 Kelvin virtualmente todos los electrones del
nivel de la impureza son donados a la BC. Este nivel se le
conoce como nivel donador y las impurezas de la columna VA de
la tabla peridica (nitrogenoides) impurezas donadoras del Si
y Ge. Teniendo:

( )
o i o
n n , p
Material
tipo n

Los tomos de la columna III (B, Al, Ga, In) introducen
niveles de impurezas en el Si y Ge cercanos a la BV.

Ec
Ev
Ec
Ev
Ea Ea
Nivel
Acept ador
T 50 K ~
Eg
T = 0 K

- El nivel Ea acepta electrones de la BV a muy baja
temperatura.
- B, Al, Ga, In: impurezas aceptadoras.
- El dopaje con impurezas aceptadoras para un
semiconductor con una concentracin de huecos
o
p mucho
mayor que la concentracin de electrones en la BC
o
n ,
implica un material del tipo p.

13
2.7 Nivel de Fermi.

Los electrones en slido obedecen a la esttica Fermi-
Dirac. La distribucin de electrones sobre un rango de nivel
de energa permitido en equilibrio trmico es:

1
( ) =
1+
F
(E-E ) / kT
f E
e

K: constante de Boltzmann = 1,38
-23
10 J/K

La funcin f(E), funcin de distribucin Fermi Dirac,
da la probabilidad de que un estado de energa disponible en
E sea ocupado por un electrn a la temperatura T.

F
E : Nivel de Fermi.

La probabilidad de ocupacin en
F
E es:

( )
-1
1
( ) = 1+ =
2
F
(E-E ) / kT
F
f E e

As un estado de energa en el nivel de Fermi tiene una
probabilidad de de ser ocupado por un electrn.

f(E)
E
1/ 2
1
F
E
T = 0 K
2 1
T > T
2
T
1
T

Funcin de Distribucin Fermi-
Dirac

14

Ec
Ev
0 1/ 2 1
f(E)
E
F
E
f(Ec)

Ec
Ev
0 1/ 2 1
f(E)
E
F
E
f(Ec)

Material Intrnseco. Material tipo n.

Ec
Ev
0 1/ 2 1
f(E)
E
F
E
1 - f(Ev)

Material tipo p.

f(E): Probabilidad de ocupacin de un estado disponible en E.

Entre Ev y Ec la funcin f(E) tiene valores, pero no
existen estados energticos en Eg.
La distribucin de Fermi permite calcular la
concentracin de electrones y huecos en un semiconductor,
solo si la densidad de estados disponibles es conocida en la
BC y la BV.
=
F
o
E
n f(E) N(E) dE

}

( )
o o
n , p Concentracin de electrones y huecos en equilibrio.

15
Se demuestra que N(E), funcin de densidad de estados,
es proporcional a
1/ 2
E , as N(E) en la BC aumenta con el nivel
de E. El resultado es que prcticamente todos los electrones
de la BC se encuentran al nivel energtico Ec y los huecos en
la BV agrupados en la cercanas de Ev.

Se encuentra que N(E) ~Nc, siendo esta ultima la
densidad efectiva de electrones en la BC, por lo que:

=
o c c
n N f(E )
Adems
1
=
1+
c F
F
-(E -E ) / kT
(E-E ) / kT
f(E) e
e
~

kT ~ 0.026 eV a temperatura ambiente, as

=
c F
-(E -E ) / kT
o c
n N e
Por ende
3/ 2
2
= 2
*
n
c 2
m kT
N
h
| |
|
\ .

De la misma forma, la probabilidad de encontrar huecos al
nivel Ev estar dado por:

1- = [1- ]
v o v v
f(E ) y p N f(E )

Nv: Densidad efectiva de estados en la BV.

1
1- ( ) = 1-
F v
v F
-(E -E ) / kT
v (E -E ) / kT
f E e
1+ e
~

=
F v
-(E -E ) / kT
o v
p N e
Por ende
3/ 2
2
= 2
*
p
v 2
m kT
N
h
| |
|
|
\ .

16
Las ecuaciones anteriores son validas para materiales
intrnsecos o dopados en equilibrio trmico. As para un
material intrnseco,
F
E se encuentra en algn nivel
intrnseco
i
E , siendo las concentraciones intrnsecas de
huecos y electrones las siguientes:

=
c i
-(E -E ) / kT
i c
n N e =
i v
-(E -E ) / kT
i v
p N e

El producto de
o
n con
o
p es constante para un material
particular y en equilibrio, an si el material es dopado.

= =
F v c F c v
-(E -E ) / kT -(E -E ) / kT -(E -E ) / kT
o o v c v c
p n N N e e N N e

=
g
-E / kT
o o v c
p n N N e
Siendo
= =
g i v c i
-E / kT -(E -E ) / kT -(E -E ) / kT
i i v c v c
p n N N e e N N e

En un material intrnseco
i i
n = p tal que

=
g
-E / 2kT
i c v
n N N e

Tambin

2
o o i
n p = n
A temperatura ambiente ~
i
n 1.5
10
10
electrones/
3
cm

Adems
F i
(E -E ) / kT
o i
n = n e
i F
(E -E ) / kT
o i
p = n e

17
2.8 Dependencia de la concentracin de portadores con la
temperatura.

( )
3/ 2
3/ 4
2
= 2
g
-E / 2kT
* *
i n p 2
kT
n m m e
h
| |

|
\ .

Una muestra de Si es dopada con
10
10 tomos/
3
cm de
arsnico. Cual es la concentracin de huecos en equilibrio
con
o
p a T = 300 K? Donde esta
F
E relativo a
i
E ?

Solucin:

Ya que
d i
N n (
17 10
10 1.510 ), podemos aproximar
o d
n = N ,
siendo

( )
2
10
3 3
17
1.510
= = = 2.2510 [ / ]
10
2
i
o
o
n
p h cm
n

Adems
F i
(E -E ) / kT
o i
n = n e

17
10
10
= = 0.0259 = 0.407[ ]
1.510
o
F i
i
n
E - E kT ln ln eV
n
| | | |

| |
\ . \ .

18
3.0 Conductividad y Movilidad.

Los portadores en slidos estn en constante movimiento
si un campo Ex es aplicado en la direccin x existir una
fuerza neta (-q)Ex que tendera a mover los electrones en la
direccin (-x).

La densidad de corriente resultante de ste arrastre
neto es el nmero de electrones cruzando un rea unitaria por
unidad de tiempo
x
n v , multiplicado por la carga de un
electrn igual a (-q).

= -
x x
J q n v

=
2 3
Amper Coulomb electrones cm
cm electrn cm s

Se demuestra que
= ( + ) =
x n p x x
J q n p E E

n
: Movilidad de electrones.
p
: Movilidad de huecos.
: Conductividad
-1
( - cm)

19
3.1 Arrastre (Drift) y Resistencia.

1
= =
L L
R
wt wt

w
t
x = L
0
x
E
Movimient o de
elect rones
I
Ex
Movimient o
de huecos

20
3.2 Difusin de portadores.

Cuando un exceso de portadores se crea no uniformemente
en un semiconductor, la concentracin de electrones y huecos
vara con la posicin en la muestra. Tal gradiente en n y p,
faculta un movimiento neto de portadores desde las zonas de
mayor concentracin a las de menor concentracin. Este tipo
de movimiento es llamado difusin. As los procesos bsicos
de conduccin de corriente, son la difusin debida a un
gradiente de concentracin y arrastre en un campo elctrico.

= -(- ) = +
n n n
dn(x) dn(x)
J (di ff) q D q D
dx dx

= -(+ ) =
p p p
dp(x) dp(x)
J (di ff) q D -q D
dx dx

3.3 Difusin y arrastre de portadores.

= +
n n n
dn(x)
J (x) q n(x) E(x) q D
dx

=
p p p
dp(x)
J (x) q p(x) E(x) - q D
dx

As
n p
J(x) = J (x)+ J (x)

E(x)
n(x)
p(x)
x
| |
p p
(diff) y (drift )
p p
J (diff) y J (drift )
|
n
(diff)
|
n
(drift )
n
J (drift )
n
J (diff)
Movimient o de part iculas
Corrient es result ant es

21
4.0 Junturas.

La mayora de los semiconductores contienen al menos una
juntura que es la unin de un material tipo p con un material
tipo n.

n p
Junt ura
p-n
Mat erial t ipo p-n

w
x
E
Ec
Ev Ev
Ec
F
E
F
E
Ecp
Evp
Ecn
Evn
Fn
E
Fp
E
0
qV
0
p
n p n

Corrient e
Fluj o de
part iculas
+
difusin h
-
difusin e
-
drift e
+
drift h

22
Como no puede existir un flujo neto de corriente en la
juntura en equilibrio, la corriente debido al arrastre
(drift) de portadores por el campo elctrico E debe cancelar
exactamente a la corriente de difusin.

= 0
= 0
p p
n n
J (dri ft) + J (di ff)
J (dri ft) + J (di ff)

= = 0
p p p
dp(x)
J (x) q p(x) E(x) - D
dx
| |

|
\ .

p
p
1 dp(x)
E(x) =
D p(x) dx

Adems sabemos que
dV(x)
E(x) = -
dx

Segn la relacin de Einstein
p
=
p
D
kT
q

Reemplazando
-q dV(x) 1 dp(x)
kT dx p(x) dx
=

Integrando
1
=
n n
p p
v p
V p
-q
dV dp
kT p

} }

Obteniendo
= =
p
o n p
n
p
kT
V V -V ln
q p
| |
|
\ .

Vo: Potencial de contacto en la juntura p-n.

23
Si consideramos el lado p con Na y en el lado n con Nd,
portadores/
3
cm , podemos escribir:

= =
a a d
o 2 2
i d i
N N N kT kT
V ln ln
q n N q n
| | | |

| |
\ . \ .

Otra forma til es
o
p qV kT
n
p
= e
p

Tambin
o
p qV kT n
n p
p
n
= e
p n
=

Ejemplo:

Una muestra tipo n de Ge contiene
d
N =
16 -3
10 [cm ]. Se forma una
juntura al crear un semiconductor tipo p con impurezas de In
con una concentracin de
18 -3
a
N = 310 [cm ].

a. Calcule la posicin del nivel de Fermi a 300 [K] en la
regin p y n.
b. Dibuje el diagrama de bandas de equilibrio para la juntura
y determine el potencial de contacto Vo del diagrama.
c. Compare el resultado de (b) con Vo calculado de la
ecuacin:

2
=
a d
o
i
N N kT
V ln
q n
| |
|
\ .

24
Solucin:

a. Asumimos que
18 -3
= = 310 [ ]
p a
p N cm y
16 -3
= = 10 [ ]
n d
n N cm .

En el lado p
=
i Fp
(E -E ) kT
p i
p n e

| |
18
13
310
= = 0.0259 = 0.303
2.510
p
i p Fp
n
p
E - E kT ln ln eV
p
| | | |

| |
\ . \ .

As similarmente

| |
16
d
2 13
i
N 10
= = 0.0259 = 0.155
n 2.510
Fn in
E - E kT ln ln eV
| | | |

| |
\ . \ .

b.
0.155
0.303
cp
E
cn
E
vn
E
vp
E
ip
E
in
E
Fp
E
F Fn
E = E
Diagrama de
Bandas
Fn
E

| |
= =
= 0.303+ 0.155= 0.458
o cp cn ip in
o
q V E - E E - E
V V

c.
| |
18 16
2 26
310 10
= = 0.0259 = 0.458
6.2510
a d
o
i
N N kT
V ln ln V
q n
| | | |

| |
\ . \ .

25
4.1 Espacio de carga en una juntura.

p n
w
x 0
d
N
d a
N > N
p0
-X
n0
X
a
N

x
p0
-X
n0
X
Densidad de
carga
(+ )
( ) -
d
qN
a
-qN
- p0 a
Q = -qAx N
+ n0 d
Q = qAx N

Se debe tener igual nmero de cargas en la zona de deplexin.

=
- +
Q Q

qA =
p0 a
x N qA
n0 d
x N

=
d
p0 n0
a
N
x x
N

26
x
p0
-X
n0
X
w
0
E
( )
a
dE 1
= -qN
dx

( )
d
dE 1
= qN
dx

E(x)

= +
p0 n0
w x x

Para calcular la distribucin de campo elctrico en la
regin de transicin, usamos la ecuacin de poison la cual
relaciona gradiente de campo elctrico en una regin de carga
espacial local en cualquier punto x.

( )
=
+ -
d a
dE(x) q
p- n+ N - N
dx

Despreciando la contribucin de n y p en la regin de
transicin (p-n). Tendramos dos regiones de carga espacial
constante

=
d
dE(x) q
N
dx

n0
0< x< x

= -
a
dE(x) q
N
dx

p0
-x < x< 0

Asumiendo ionizacin completa de las impurezas (
+
d d
N = N y
-
a a
N = N ).
As integrando:

0
0
= 0< <
} }
n0
x
d n0
q
dE(x) N dx x x

0
0
= - - < < 0
} }
p0
a p0
-x
q
dE(x) N dx x x

27
Y el valor mximo del campo elctrico ser:

= - = -
0 d n0 a p0
q q
E N x N x

Como
= - - =
}
n0
p0
x
o
-x
dV(x)
E(x) V E(x) dx
dx

Tendremos que el rea bajo la curva de E(x) es:

1 1
= - =
2 2

o 0 d n0
q
V E w N x w

Tambin sabemos que por balance de cargas

=
p0 a n0 d
x N x N

Adems
( ) = + = +
p0 n0 n0 a a d
w x x x w N N N

As
( )
2
1
=
2 +

a d
o
a d
N N q
V w
N N

Obtenemos

1/ 2 1/ 2 1/ 2
o
2 2
2 2 V 1 1 2 1 1
= = + = +
+ q
( ( ( | | | | | | | |

( ( ( | | | |
\ . \ . \ . \ .
o a d a d
a d a d i a d
V N N N N kT
w ln
q N N N N q n N N

Y adems
( )
1/ 2
2
= = =
+ 1+ +
(

` (
)
d o d
p0
a d a d a a d
wN V N w
x
N N N N q N N N

( )
1/ 2
2
= = =
+ 1+ +
(

` (
)
a o a
n0
a d d a d a d
wN V N w
x
N N N N q N N N

28
Ejemplo:

A un material tipo n compuesto de Si con
16 -3
d
N = 10 [cm ] se
mezcla, con Al formando una juntura abrupta de seccin
transversal circular con un dimetro de 0.02 [in]. Asuma que
la concentracin de aceptadores en la regin p es
18 -3
a
N = 410 [cm ]. Calcule Vo,
n0
x ,
p0
x ,
+
Q y
0
E para la juntura
en equilibrio trmico a 300[K]. Esquematice E(x) y la escala
de densidad de carga.

Solucin:

16+18
2 20
4 10
0.0259
2.25 10
| |
= =
|
\ .
a d
0
i
N N
kT
V ln ln
q n

( )( )
( )
1/ 2
1/ 2
-14
-18 -16
-19
2 11.8 8.8510 0.85
2 1 1
= + = 0.2510 + 10
1.610
(
( | |
(
( |
(
\ .

o
a d
V
w
q N N

5
3.34 10 [ ] 0.334[ ]
= = w cm m

5
3.34 10
0.333[ ]
1+ 1 0.0025
= = =
+
n0
d a
w
x m
N N

-5
o
-8
3.34 10
= = = 8.3 10 [ ] = 8.3
1+ 1+ 400
(

p0
a d
w
x cm A
N N

Note que:

~
n0
x w y
( )
2
2
2 2 3 2
2.54 10 2.03 10 [ ]
4

= = = =
d
A r A cm

( ) ( ) ( ) ( )
-19 -3 -5 16 10
= = = 1.6 10 2.03 10 3.33 10 10 = 1.08 10 [ ]
+ - n0 d
Q -Q qAx N C

( ) ( ) ( )
( ) ( )
-19 16 -5
4
0
-14
1.6 10 10 3.33 10
= = = -5.1 10 [ / ]
11.8 8.85 10
d n0
-qN x
V cm

29
4.2 Descripcin Cualitativa del Flujo de Corriente en una
Juntura.

Asumimos que un voltaje de polarizacin aparece a travs
de la regin de transicin de la juntura, en vez que en las
regiones neutras tipo n y p. Existe una cada de voltaje en
esas regiones neutras del material si una corriente fluye.
Pero en la mayora de los dispositivos, la magnitud de cada
regin es pequea comparado con su rea, y el dopaje es
usualmente de moderado a fuerte; con lo que la resistencia es
pequea en cada regin neutral.

Consideraremos V positivo, cuando un voltaje externo de
polarizacin es positivo en p con respecto al lado n.

El voltaje externo V cambia el potencial electrosttico
de barrera, y as tambin el campo elctrico dentro de la
regin de transicin. Debemos esperar varios cambios en las
componentes de corriente de la juntura. En resumen, se afecta
la separacin de las bandas de energa por V aplicado.

El potencial electrosttico de barrera es reducido por
una polarizacin directa
f
V desde el potencial de equilibrio
0
V a un valor menor
0 f
V - V . Esto ocurre porque
f
V eleva el
potencial del lado p relativo a n. Para una polarizacin
inversa
( )
r
V = -V ocurre lo opuesto, el potencial del lado p
es reducido con respecto al lado n y el potencial de barrera
llega a ser mayor
( )
0 r
V + V .

El campo elctrico dentro de la regin de transicin
puede ser deducido del potencial de barrera. Se ve que el
campo disminuye con una polarizacin directa, en cambio en
polarizacin inversa aumenta el campo elctrico en la juntura
en la misma direccin que en la condicin de equilibrio.

El cambio en el campo elctrico en la juntura llama a
una variacin en el ancho de la regin de transicin w, ya
que an es necesario un nmero apropiado de cargas positivas
y negativas (en la forma de iones aceptadores y donadores no
compensados) que sean expuestas a un determinado valor de
campo elctrico E. Deberamos esperar que w disminuyera bajo
polarizacin directa (pequeo campo elctrico implica pocas
cargas no compensadas) y que se incremente bajo polarizacin

30
inversa. Podemos calcular
p0
x ,
n0
x si
0
V es reemplazado por el
nuevo potencial de barrera
0
V - V .

31

p
n
w E
p
n
E
p
n
E
f
V
r
V
E
q
u
i
l
i
b
r
i
o
P
o
l
a
r
i
z
a
c
i
n

D
i
r
e
c
t
a
f
V
V
=
P
o
l
a
r
i
z
a
c
i
n

I
n
v
e
r
s
a
r
V
-
V
=
V
0
=
c
p
E
F
p
E
v
p
E
v
n
E
F
n
E
c
n
E
c
p
E
F
p
E
v
p
E
v
n
E
F
n
E
c
n
E
v
n
E
F
n
E
c
n
E
c
p
E
F
p
E
v
p
E
0
q
V
(
)
0
f
q
V
-
V
(
)
0
r
q
V
+
V
p
V
n
V
0
V
(
)
0
f
V
-
V
(
)
0
r
V
+
V
F
l
u
j
o

d
e

P
a
r
t
c
u
l
a
s
C
o
r
r
i
e
n
t
e
(
1
)
(
2
)
(
3
)
(
4
)
C
o
r
r
i
e
n
t
e
C
o
r
r
i
e
n
t
e
F
l
u
j
o

d
e

P
a
r
t
c
u
l
a
s
F
l
u
j
o

d
e

P
a
r
t
c
u
l
a
s
(
1
)

D
i
f
u
s
i
n

d
e

H
u
e
c
o
s
(
2
)

A
r
r
a
s
t
r
e

d
e

H
u
e
c
o
s
(
3
)

D
i
f
u
s
i
n

d
e

E
l
e
c
t
r
o
n
e
s
(
4
)

A
r
r
a
s
t
r
e

d
e

E
l
e
c
t
r
o
n
e
s

32
La separacin de las bandas de energa es funcin
directa del potencial electrosttico de barrera de la un
juntura. La altura de la barrera de energa es q veces el
tamao del potencial electrosttico de la barrera, as las
bandas de energa estn menos separadas
0 f
q(V - V ) bajo
polarizacin directa que en equilibrio
0
V y mas separadas
0 r
q(V + V ) bajo polarizacin inversa. Asumimos que el nivel de
Fermi en lo profundo de cada regin neutra es esencialmente
el valor de equilibrio. Tal que el desplazamiento de las
bandas de energa implica la separacin de los niveles de
Fermi en cada lado de la juntura. Bajo
f
V el nivel de Fermi
en el lado n
Fn
E esta sobre
Fp
E por la energa
f
qV ; para
polarizacin inversa
Fp
E esta
r
qV joules sobre
Fn
E . En
unidades de energa, Electrn-Volts, el nivel de Fermi en las
dos regiones neutras esta separado por una energa (eV)
numricamente igual al voltaje aplicado V.

La corriente de difusin esta compuesta de portadores
mayoritarios electrones en el lado n superando el potencial
de barrera para difundir al lado p, y huecos superando el
potencial de barrera de p a n.

Con
f
V la barrera se reduce a
0 f
V - V y muchos ms
electrones en la BC del lado n tienen suficiente energa para
difundir de n a p sobre la pequea barrera. Tal que la
corriente de difusin de electrones puede ser muy grande con
polarizacin directa, igualmente mas huecos pueden difundir
de p a n bajo
f
V a travs de la barrera disminuida. Para
polarizacin inversa la barrera es mayor
0 r
V + V , tal que
ningn electrn de la BC del lado n o huecos de la BV tiene
la suficiente energa para sobrepasarla. Siendo la corriente
de difusin usualmente despreciable en polarizacin inversa.

La corriente por drift (arrastre) es relativamente
insensible al tamao del potencial de barrera, esto suena
extrao ya que usualmente pensamos en trmino de un material
con gran cantidad de portadores, tal que esperamos que la
corriente de drift sea simplemente proporcional al campo
aplicado. La razn para esta aparente anormalidad es el hecho
que la corriente de drift esta limitada no por cuan rpido
los portadores son barridos hacia la barrera sino por cuan
amenudo. Por ejemplo, los portadores minoritarios electrones
en lado p que estn en las cercanas de la juntura son

33
arrastrados a travs de la barrera por le campo elctrico,
aumentando la corriente drift debida a electrones, sin
embargo esta corriente es pequea no por el tamao del
potencial de barrera si no porque hay muy pocos electrones
minoritarios en el lado p para participar. Similar anlisis
ocurre con los huecos minoritarios del lado n. Se concluye
que la corriente de drift de electrones y huecos en la
juntura es independiente del voltaje aplicado. Adems el
suministro de portadores minoritarios requerido para
participar de la corriente de drift, son generados por
excitacin trmica de PEH. Por ejemplo un PEH creado cerca de
la juntura en el lado p produce un electrn minoritario en el
lado p.

La corriente total cruzando la juntura esta compuesta de
la suma de las componentes de difusin y de drift.

En la figura de los diagramas de polarizacin, la
corriente de difusin de huecos y electrones son ambas de p a
n (aunque el flujo de partculas es opuesto) y el drift de
corriente de n a p.

La corriente neta en la juntura es cero en equilibrio,
ya que el drift y la difusin se cancelan para cada tipo de
portadores.

En polarizacin inversa ambas componentes de difusin
son despreciables y la nica corriente existente es
relativamente pequea (y esencialmente independiente del
voltaje) siendo una corriente generada de n a p I(gen).

Para
f
V V = se incrementa la probabilidad que un portador
pueda difundir a travs de la juntura por el factor:

/
f
qV kT
e
As
/
( , ) ( ) =
qV kT
f
I di ff V I gen e

Y la corriente total sera
/
( ) - ( ) =
qV kT
I I gen e I gen

( )
1
qV / kT
I = I (gen) e -

( )
0
1 =
qV / kT
d
i I e -

34
- Curva Caracterstica I-V de la Juntura p-n.

d
i
d
v
( ) I di ff
( ) I gen
p n
d
v
d
i

( )
0
1 = =
f
qv / kT
d
I i I e -
Donde:

0
= I (gen) I : Corriente de saturacin inversa.

35
5.0 Modelos de Simplificados del Diodo.

5.1. Rectificador de Media Onda.

sin( )
m
V V t =
d
i
D
R
0
V
0
2 3 4
0
( ) V t
0
( ) V t
m
V
m
V R
t
t

max
0
0
1
sin( ) ( ) cos( ) ;
2 2
m m
dc m r m
V V
V V t d t t V V

= = = =
}

5.2. Rectificador de Onda Completa.

i
V
L
i
1 D
L
R
L
V
2 D
+
-
1 S
V
2 S
V
n 1

Si sin( )
i m
V V t =

36
Entonces

= =
1 1
sin( ) sin( )
2
m
S S
V
V t V t
n

Sabiendo que

= =
1 2
2
m
S S
V
V V
n

= =
2 2
sin( ) sin( )
2
m
S S
V
V t V t
n

0
2 3 4
0
( )
i
V t
( )
L
V t
2
m
V n
t
t
2
m L
V n R
1 D 2 D 1 D 2 D

0
0
2
1
sin( ) ( ) cos( )
2 2
m m m S
dc
V V V V
V t d t t
n n n

= = = =
}

1
2
r S
V V =

37
5.3 Puente Graetz.

( )
i
V t
4 D
L
R
0
V
0
2 3 4
0
( )
i
V t
0
( ) V t
m
V
t
t
3 D
2 D
1 D
m
V
2 D 1 D 4 D 3 D 2 D 1 D 4 D 3 D

0
0
2
1
sin( ) ( )
m
dc m
V
V V V t d t

= = =
}

r m
V V =

38
5.4 Datasheet de algunos Diodos Rectificadores.

Diodo Rectificador 1n4007.

39

40
Diodo de Alta Velocidad 1n4148.

41

42

43
5.5 Rectificador de Onda con Carga R-L.

( )
i
V t
D
R
0
V
L
D
V
R
V
L
V
( ) i t

( )
( ) sin( ) ( )
i m
di t
V t V t R i t L
dt
= = +

La corriente total del circuito por ciclo es la suma de
una corriente forzada mas una corriente natural.

( ) ( ) ( )
f n
i t i t i t = +

La corriente forzada es una corriente de rgimen
permanente que existira si no estuviera presente el diodo.

As
( ) sin( )
m
f
V
i t t
Z
=

( )
1
2
2
sin t an
m
V
L
t
R
R L
| | | |
=
| |
|
\ . \ .
+

La respuesta natural es la que tiene lugar cuando se
proporciona energa a la carga, y es la solucin de la
ecuacin homognea para el circuito sin generador y diodo.

( ) ( )
( ) 0
n n
n
n
di t di t
R
R i t L dt
dt i L
+ = =
ln( ( ))
n
R
k i t t
L
=
( ) ;
t R
t
L
n
L
i t Ae Ae
R

= = =

La corriente Total seria

44

( ) sin( )
t
m
V
i t t Ae
Z

= +

La constante A se calcula utilizando la condicin
inicial de corriente que es cero. Obteniendo:

(0) sin( ) 0
m
V
i A
Z
= + =

sin( )
m
V
A
Z
=

( ) sin( ) sin( )
t
m
V
i t t e
Z

(
( = +
(

Si t t

( ) sin( ) sin( )
t
m
V
i t t e
Z

| |
|
= +
|
\ .

( ) 0 ( ) ( ) i t i t i = =

( ) sin( ) sin( ) 0
m
V
i e
Z

| |
|
= + =
|
\ .

sin( ) sin( ) 0 e

+ =

(Solucin numrica para )

45
Como conclusin

sin( ) sin( ) ; 0
( )
0 ; 2
t
m
V
t e t
i t Z
t
| |
|
+ s s
| =

\ .
s s

( )
2
2 1
; t an
L
Z R L
R

| |
= + =
|
\ .

0
2 3 4
0
m
V
t
t
0
V
0
2 3 4
0
t
t
L
V
R
V

46
5.6 Rectificador de Onda con Filtro de Condensador.

S
V
d
i
D
R C
C
i
R
i
0
2 3 4
( ) V t
t
m
V
2 +
V
2

0
V
0
V

La tensin de entrada es igual a la tensin de C para
0 2 t s s .

En determinado instante, despus de 2 t = , la tensin del
generador es menor a la tensin del condensador,
polarizando al diodo en forma inversa y asilando la carga
del generador.

La tensin de salida decrece exponencialmente con la
constante de tiempo RC, dado que el diodo se comporta como
dos terminales abiertos.

El punto en el que el diodo se abre se determina
comparando las velocidades de variacin de las tensiones
del generador y del condensador. El diodo se abre cuando
la velocidad de disminucin de la tensin del generador
excede a la permitida por el RC = .

As
( )
0
sin( ) ;
( )
;
m
t RC
V t Di odoON
V t
V e Di odoOFF

Donde
sin( )
m
V V
=

47
Las pendientes de estas funciones son:

( )
sin( ) cos( )
m m
d
V t V t
d t

=

Obteniendo

( ) ( )
1
sin( ) sin( )
t RC t RC
m m
d
V e V e
dt RC

| |
| |
=
| |
\ .
\ .

Tal que
cos( ) sin( )
m
m
V
V
RC

=

Con t =
1
tan( ) tan ( ) RC RC
= =

Para que quede en el primer cuadrante

1
t an ( ) RC
=

En circuitos prcticos
2 sin( )
m R
y V V ~ ~

Cuando la tensin del generador vuelve a alcanzar a la
tensin
0
V , el diodo vuelve a polarizarse directamente y
0
V
vuelve a ser ( )
S
V t . El ngulo en el que el diodo conduce en
el segundo periodo 2 t = + .

Analizando 2 t = +

( )
2
sin(2 ) sin( )
RC
m m
V V e

+
+ =

( )
2
sin( ) sin( ) 0
RC
e

+
=

(Solucin numrica para )

48
La corriente en la carga se calcula como
0 R
i V R = y la
corriente en el condensador a partir de :

0 0
( ) ( )
( ) ( )
( )
C C
dV t dV t
i t C o i t C
dt d t
= =

Siendo

( )
sin( ) ; 0 2 ( )
( )
cos( ) ; 2 2 ( )
t RC
m
C
m
V
e t Di odo OFF
i t
R
CV t t Di odo ON

s s +
=

+ s s +

La corriente del generador que es igual a la corriente del
diodo es:

S D R C
i i i i = = +

La corriente media del condensador es cero, dado que la
corriente media del diodo es igual a la corriente media en
la carga.

El diodo conduce durante un pequeo periodo de tiempo por
lo que la corriente peak de cada diodo es generalmente
mucho mayor a la corriente media del mismo.

La corriente peak del condensador se produce cuando el
diodo entra en conduccin en 2 t = + , tal que:

cos(2 ) cos( )
Cpeak m m
I CV CV = + =

Y la corriente en la resistencia en 2 t = + , es:

(2 ) sin(2 ) sin( )
m m
R
V V
i
R R
+ = + =

49
Finalmente, la corriente peak del diodo es:

1
cos( ) sin( ) cos( ) sin( )
m
Dpeak m m
V
I CV V C
R R

| |
= + = +
|
\ .

La eficacia del filtro C se evala mediante la variacin de
la tensin de salida

0
sin( ) (1 sin( ))
m m m
V V V V = =

0
m
V
V
fRC

50
5.7 Rectificador de Onda Completa con Filtro C.

2 3 4
0
0
( ) V t
m
V
t
0
V
+
( )
S
V t
4 D
R
0
V
3 D
2 D
1 D
C
C
i
R
i

( ) sin( )
S m
V t V t =

( )
0
sin( ) ;
( )
sin( ) ;
m
t RC
m
V t Par de Di odoON
V t
V e Par de Di odosOFF

1 1
t an ( ) t an ( ) RC RC

= = +

La tensin mnima de salida se obtiene de:

( )
sin( ) sin( )
RC
m m
V e V

+
= +

( )
sin( ) sin( )
RC
e

+
= +

Ahora

0
sin( ) (1 sin( ))
m m m
V V V V = + =

En circuitos reales RC

2 ~

2 ~

51
La tensin mnima de salida se calcula aproximadamente,
usando la ecuacin para los diodos al corte, con t =

( )
2 2
0
( )
RC
m
V V e

+
+ =

0
( )
RC
m
V V e

+ =

Tal que
( )
0
1
RC
m
V V e

Adems
1
RC
e
RC

0
2
m m
V V
V
RC fRC
=

5.8 Doblador de Tensin.

( )
S
V t
1 D
2 D
1 C
2 C
L
R
m
V
m
V
0
2
m
V V

( ) sin( )
S m
V t V t =

52
6.0 Diodo Zener

D
I
D
V 10%
ZMI N ZMAX
I I ~
ZMAX
I
Z
V
Ruptura
D
V
D
I
A
K
Si mbolo

Circuito con Tener.

S
V
Z
V
L
I
Z
I
R
I
i
R
Z
V
L
R

Z S Z S S Z
R i
S R R
V V V V V V
I R
R I I

= = =

S Z
i
Z L
V V
R
I I
=
+

53
Para asegurar que el diodo zener permanezca dentro de la
regin de avalancha, examinamos los extremos de las
condiciones de entrada y salida.

1. La corriente
Z
I es mnima cuando
L
I es mxima y
S
V es
mnimo.
2.
Z
I es mxima cuando
L
I es mnima y
S
V es mximo.

1.
min
min max
S Z
i
Z L
V V
R
I I
=
+

2.
max
max min
S Z
i
Z L
V V
R
I I
=
+

Igualando

( ) ( ) ( ) ( )
min min max max max min S Z L Z S Z L Z
V V I I V V I I + = +

Pero
min max
0.1
Z Z
I I =

( ) ( )
min min max max
max
min max
0.9 0.1
L Z S L S Z
Z
s Z S
I V V I V V
I
V V V
+
=

Adems
max
max max max
Z
Z Z Z Z
Z
P
I P I V
V
= =

| Nota: Con
max Z
I se calcula
i
R de 1 o 2. |

54
7.0 Transistores.

Transistores bipolar inventado en 1948 en los laboratorios
de la telefnica BELL por Bardeen, Brattain y Shockley.

Transist ores
BJT (Bipolar Junct ion Transist or)
JFET (Junct ion Field Efect Transist or)
Amplificacin y
conmut acion

7.1 Lnea de Carga.

Z

D
i
R
D
V
E
D
v
E
D
V
D
i
E R
D
I

Z: es un dispositivo no lineal ED la carga V/I es no lineal.

2 ( , )
D D D D
E R i v i ncogni tas i v = +

Si conocemos la caracterstica del dispositivo ED /
D D
v i

A travs de la recta de carga para el circuito y de la
curva ( )
D D
i f v = , encontrar los valores de estado estacionario
D
i y
D
v para el dispositivo.

Ahora, si agregamos un tercer terminal al dispositivo
que de alguna manera controla la caracterstica /
D D
v i .
Imaginemos que por la manipulacin de la corriente
T
i se
pueda mover la caracterstica /
D D
v i .

55
Z

D
i
R
D
V
E
( )
D
v V
E
( )
D
i mA
E R
T
i
1[ ] R K =
15[ ] E V =
0
T
i =
0.05[ ]
T
i mA =
0.1[ ]
T
i mA =
0.2[ ]
T
i mA =

7.2 Amplificacin.

Si una fuente AC se agrega a la corriente de control,
podemos alcanzar grandes variaciones de
D
i con pequeas
variaciones de
T
i .

Si
0.1[ ] ( ) 0.05[ ]
10[ ] ( ) 2[ ]
T T
D D
I mA y i t mA
I mA y i t mA
= =
= =

Obteniendo
2
40
0.5
I
G = =

Ahora, si las curvas para iguales cambios en
T
i producen
iguales cambios en
D
i , obtenemos una fiel versin de un
amplificador de corriente. Esta amplificacin de corriente es
tpica de los transistores bipolares y se usa ampliamente en
circuitos transistorizados.

7.3 Conmutacin.

La conmutacin controlada del dispositivo (on, off), es
la segunda funcin de inters del transistor BJT.

Se puede conmutar el dispositivo desde la parte inferior
de la recta de carga ( 0
D
i = ), a la parte superior (
D
E
i
R
~ )
con un cambio apropiado de la seal de corriente
T
i .

56
Conmut acion
Circuit os Digit ales
Convert idores de
Pot encia Modulares

7.4 Transporte de Carga en un BJT.

De la discusin previa se mostr que la corriente de una
juntura polarizada inversamente no depende del campo
elctrico creado sino de la taza de generacin de PEH en las
cercanas de la juntura (Portadores minoritarios). Entonces
nace la pregunta: Es posible inyectar portadores
minoritarios en las cercanas de la juntura de forma
elctrica? Al ser posible lo anterior entonces podramos
controlar la corriente inversa de la juntura por simple
variacin de la razn de inyeccin de portadores
minoritarios.

N P N
2
V
Electrones
1
V
d
cos Hue cos Hue
B
I
C
I
E
I
CO
I
b c
e
a

a) Corriente Total de Emisor (
E
I ).
b) Electrones difundindose a travs de la juntura emisor-
base.
c) Electrones del emisor alcanzando el colector.
d) Recombinacin.
e) Huecos difundindose a travs de la juntura emisor-base
(
1 C
I ).

57
1. BJT tipo PNP polarizado para operar en modo activo.
2. Juntura emisor-base polarizada directamente por un
potencial
1
V .
3. En el emisor la corriente resultante de electrones es
mayor a la corriente de hueco, ya que le emisor es dopado
tipo 1
e
n > .
4. La corriente de huecos de la base es la corriente de
huecos de una juntura directamente polarizada.
5. La corriente de electrones tiene una conducta diferente,
la cual pertenece a una juntura directamente polarizada.
Por ejemplo, en un diodo todo la corriente de electrones
se debera recombinar con los huecos en la regin, sin
embargo solo una pequea parte de los electrones en el
emisor se recombinan en la base.
6. La mayora de los electrones desde el emisor viajan a
travs de la base y alcanzan el colector. Existen 2
razones para esto:

i. La base es dbilmente dopada con respecto al emisor,
as el numero de huecos en la base no es suficiente
para aceptar todos los electrones difundidos desde el
emisor.
ii. La base en un BJT es estrecha y el ancho es
comparable a la longitud de difusin de electrones en
el emisor.

As, la mayora de los electrones desde le emisor
alcanzan la juntura colector-base antes que se recombinen con
los huecos en la base.

7. Una vez que ellos alcanzan la juntura colector-base son
acelerados en el colector debido a la carga construida a
ambos lados de la juntura.
8. La juntura colector base es inversamente polarizada por
2
V .

1 C F E
I I =
(Fraccin de corriente de emisor total que alcanza el
colector).

F
: Ganancia de corriente directa.

1 1 C C CO C
I I I I = + ~

58
CO
I : Corriente de saturacin inversa.

59
As
C F E
I I ~

Aplicando LVK

B E C E F E
I I I I I = ~

( )
1
B F E
I I ~

( )
( )
1
1
F C
F
B C B
F F
I
I I I
~ =

( )
1
C B E B
I I I I = = +

| Nota:
F
flucta entre 0,9 y 0,997. |

60
Ejercicios con Transistor.

1. Calcular el punto de operacin del siguiente circuito con
BJT.

3[ ] K
200[ ] K
10[ ] V
5[ ] V
= 100
C
I
E
I
B
I

Si asumimos que le BJT esta en modo activo, esto implica
que 0.7 [ ]
BE
V V = .

Entonces

5
21.5[ ]
200[ ]
BE
B
V
I A
K

= =

100 21.5[ ] 2.15[ ]
C B
I I A mA = = =

2.18[ ]
E C B
I I I mA = + =

10 3[ ] 2.85[ ]
CB C BE
V I K V V Juntura I nversamente Polari zada = =

Conclusin:

Dado los resultados anteriores, el transistor se encuentra
trabajando en modo activo.

61
2.

3[ ] K
2[ ] K
200[ ] K
10[ ] V
5[ ] V
= 100
C
I
E
I
B
I

Si esta en modo activo 0.7 [ ]
BE
V V = .

Obteniendo

( )
5 200[ ] 2[ ] 0
B BE B
K I V K I = +1

( )
5
10.7[ ]
200[ ] 2[ ]
BE
B
V
I A
K K

= =
+ +1

( )
10 3[ ] 2[ ] 3.92[ ]
CB B BE B
V K I V K I V = = +1

3.92 0.7 4.62[ ]
CB BE CE
V V V V = + = + =

62
3.

10[ ] K
2[ ] K
10[ ] V
5[ ] V
= 100
C
I
E
I
B
I

Si el transistor esta en la regin activa

5 0.7
2.15[ ]
2[ ]
B
I mA
K
= =

100 2.15[ ] 215[ ]
C
I mA mA = =

3
10 10[ ] 215 10 0.7 2140.7 [ ]
CB
V K V

= =

Esto es equivocado, dado que en un principio se asumi que le
transistor estaba trabajando en zona activa, siendo que esta
en saturacin.

Dando como resultado

10
980[ ] 1[ ]
10[ ]
CEsat
Csat
V
I A mA
K

= = ~

5 0.8
2.1[ ]
2000
B
I mA
~ =

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