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TD 9

Le transistor effet de champ J.F.E.T. Constitution, dfinition. Principe de fonctionnement (influence de VGS, VDS) rgions linaires, coudes et de saturation. Caractristique du F.E.T. Schma quivalent petits signaux B.F. Etude dun montage amplificateur. Polarisation automatique, schma petits signaux.

exercice 9.1

Grille P+ Source Drain N Grille l P+ h

2.a

Un transistor JFET idalis est reprsent sur le figure ci-dessus. Les deux rgions P+ forment la grille et sont relies lectriquement au potentiel VG. Le canal est un paralllpipde de longueur l, de largeur h et dpaisseur 2a. Les jonctions sont abruptes. On donne les valeurs numriques suivantes : NA = 1018 cm-3, ND = 1015 cm-3, ni = 1010 cm-3, a = 2 m, l = 20 m, h = 100 m, T = 300 K, e = 1,6.10-19 C, 0r = 10-12 F/cm, k = 8,62.10-5 e.V/K, n = 1000 cm2/V.s, p = 300 cm2/V.s. On rappelle galement les relations suivantes concernant les jonctions abruptes :

Vd =

N N kT Log A 2 D e ni

ln =

2. .V j N e. N D 1 + D NA

et

lp =

2. .V j N e. N A 1 + A ND

1. Calculer le potentiel de diffusion Vd de la jonction p-n du transistor JFET. 2. Expliquer pourquoi les rgions de grilles sont trs fortement dopes. 3. A partir de quelle diffrence de potentiel entre le canal et la grille obtient-on le pincement du canal (VDS = 0) ? 4. Quelle est la conductance du canal, lorsque les trois lectrodes drain, source et grille sont au mme potentiel ? Peut-on obtenir une conductance plus leve ? 5. En utilisant lapproximation usuelle de la zone de charge despace des jonctions, exprimer la quantit de charge QG emmagasine de part et dautre des jonctions en fonction de VGS VDS = 0. En dduire lexpression de CG (A.N : VGS = 0). exercice 9.2 On utilise un transistor JFET mont en rsistance variable dans le montage suivant : R

Rg G Eg u0

D S v

Le transistor est caractris par Vp = - 4 V ; le potentiel de diffusion de la rgion p vers la rgion n est Vd = 0,5 V. 1. Comment doit-on choisir v pour que le transistor soit utilis en rsistance variable (on donnera la forme des caractristiques du transistor et on spcifiera la rgion qui doit tre utilise) ? 2. Donner lexpression de la rsistance quivalente du JFET entre le drain et la source rds. On mesure rds = 500 lorsque la grille et la source sont runies la masse. 3. Tracer le graphe de rds en fonction de u0. 4. Donner une reprsentation graphique du point de fonctionnement pour u0 impos (sans faire de calculs numriques).

exercice 9.3 On utilise un transistor JFET dans la rgion ohmique . Les caractristiques sont les suivantes:
ID 0,8 mA VGS = 0V

0,4 mA

VGS = -2V

0,1 mA 0 0,1V

VGS = -4V VDS

1. Dterminer les rsistances rds du canal entre le drain et la source pour les diffrentes valeurs de VGS. 2. On utilise le transistor dans le montage suivant:

R= 1k

VE

VGS

VS

La tension d'entre est sinusodale d'amplitude 50mV. Prciser les tensions de sortie et l'attnuation VS/VE pour chaque valeur de la polarisation VGS.

exercice 9.4 Etude dun montage amplificateur. Un JFET est caractris dans la rgion de saturation par V lexpression suivante du courant de drain de saturation : I D ( mA) = 30. 1 + GS 10
2

avec VGS

(en volts) < 0. La limite de la rgion de saturation est donne par : VDS = VGS - VP (VGS et VP < 0). 1. Donner les valeurs numriques de IDSS et VP pour ce transistor. 2. On monte ce transistor dans un circuit polarisation automatique avec une tension dalimentation VDD = 30 V. La rsistance de source RS est dcouple par un condensateur dimpdance nulle en alternatif. Faire le schma. On dsire que le point de polarisation corresponde VGS0 = -4 V et VDS0 = 15 V. Calculer les valeurs quil convient de donner aux rsistances RS et RD. 3. Pour constituer RS et RD, on utilise deux rsistances de la srie normalise suivante : 1, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2, 10, 12, 15, ... Dterminer alors les valeurs exactes de VGS0, ID0 et VDS0. 4. Calculer la pente ou la transconductance du JFET VGS0. 5. Donner le schma quivalent en petits signaux (basses frquences) du montage. On donne pour le JFET rds = 20 k (rds = 1/gds). 6. Quelle est la rsistance de sortie rS de lamplificateur ainsi constitu (la sortie est prleve sur la connexion de drain) ? 7. On branche une rsistance dutilisation RL par lintermdiaire dun condensateur de liaison CL la sortie de lamplificateur. Quelle doit tre lamplitude de la tension sinusodale dentre pour que la puissance PL fournie RL soit de 1,2 mW (RL = rs en sortie) ? 8. Construire dans le plan (ID, VDS) la droite de charge statique puis le segment utile de la droite de charge dynamique. Faire apparatre les positions extrmes des variations des points de fonctionnement ainsi que les valeurs numriques correspondantes (correspondant la question 7).

exercice 9.5 Soit le transistor effet de champ BFR31 dont les caractristiques sont les suivantes :

1. Donner les valeurs numriques typiques de IDSS et de VP tension de pincement. 2. Ce transistor prsente-t-il un canal n ou p ? 3. On polarise ce transistor au point B des caractristiques. Le transistor est-il utilis en rsistance variable ou en amplificateur ? 4. Dans le modle thorique, on rappelle que le courant de drain de saturation est donn par la relation I DS
V = I DSS 1 GS . Donner la dfinition de la transconductance gm du transistor, VP
2

puis dterminer sa valeur numrique au point de fonctionnement partir de son expression analytique. Comparer la valeur numrique que lon dduit des caractristiques. 5. Dessiner le schma quivalent en petits signaux du transistor polaris en B. Prciser sur ce schma la valeur numrique des diffrents lments. 6. On utilise un schma de polarisation automatique donn ci-dessous :

Rd D S Rg Rs

VDD

On dsire que le point de fonctionnement soit effectivement en B. On prend VDD = 10 V. Dterminer les valeurs des rsistances Rd et Rs. Quelle valeur de Rg faut-il choisir ?

exercice 9.6 On polarise un transistor effet de champ au moyen de trois rsistances R1, R2 et RL.

R1

ID D S

VDD = 20 V

R2

RL

Le rseau de caractristiques du transistor est le suivant :

1. Ecrire lquation de la droite de charge du transistor ID = f(VDS). 2. Tracer la droite de charge passant par le point ID = 4 mA, VDS = 0 V. Choisir le point de fonctionnement au milieu de la zone utilisable. En dduire la valeur de la tension VGS. 3. En dduire la valeur de RL. 4. Dterminer le rapport x = R1 / R2 des rsistances de polarisation. Calculer R1 en sachant que R2 = 120 k. 5. Le montage de la figure ci-dessous modifie-t-il le point de fonctionnement choisi en 2 ? Quel est lintrt de ce montage par rapport au prcdent ?

R1 CE Rg VE R2 RL G

ID D S Ce VS VDD

exercice 9.7 On tudie la polarisation du montage suivant :

R1 D S Ve R2

RD VDD = 15 V

RS

VS

Le rseau de caractristiques du transistor est le suivant :

1. Polarisation du transistor. Ecrire lquation de la droite de charge statique du transistor et tracer la droite qui passe par le point ID = 10 mA, VDS = 0 dans le rseau de caractristiques. 2. Choisir le point de fonctionnement de telle manire que lexcursion en petits signaux soit maximale. 3. Donner alors les valeurs de VGS, VDS, ID au point de fonctionnement. 4. En dduire la valeur de RD + RS. 5. Stabilisation du point de repos. Le constructeur donne les valeurs extrmes de ID = f(VGS). On dsire que lcart entre les valeurs maximales et minimales du courant du point de repos soit le plus faible possible. Par une simple construction graphique, montrer que lon doit choisir simultanment le rapport x = R1 / R2 le plus petit possible et RS la plus grande possible. 6. Compte tenu des rsultats obtenus en 4, montrer que RD = 0. En dduire RS. Prciser dans ce cas la valeur de x. On choisira pour la suite la valeur entire de x la plus proche. 7. La rsistance dentre du montage en petits signaux est fixe 1 M. Quelles sont dans ce cas les valeur de R1 et R2 ? 8. Schma en petits signaux du montage. Dterminer la valeur de gm (mA / V). 9. Les condensateurs ninterviennent pas la frquence de fonctionnement. Donner le schma quivalent de lamplificateur en petits signaux. 10.Calculer le gain en tension du montage AV ainsi que ladmittance de sortie. Application numrique : gDS = 50 -1. Quel est le rle de ce montage ?

Rponses 9.1 1. Vd = 0,75 V. 2. Pour que la zone de dsertion stende dans le canal. 3. Vp = -2,45 V. 4. G(0) = 165.10-6 -1. Pour obtenir une conductance plus leve, il faut modifier les caractristiques physiques du FET. 5. QG = 2. h. l. 2. . e. N D . (Vd VGS ) . CG = h. l

2. . e. N D . CG = 0,413 pF. Vd VGS

Rponses 9.2 1. v doit tre faible de manire travailler dans la rgion linaire des caractristiques. 2. rds =
R0 avec R0 = 333 . Vd VGS 1 Vd Vp

3. rds

500 u0 -4V 4. Le point de fonctionnement se trouve lintersection entre la droite de charge et une des caractristiques ID = f(VDS) VGS donne. Rponses 9.3 1. rds = 125 si VGS = 0 V; rds = 250 si VGS = -2 V; rds = 1k si VGS = - 4 V. 2. Vs/Ve = rds/(rds+R) pour VGS = 0 V Vs = 5,55 mV ; pour VGS = -2 V Vs = 10 mV et pour VGS = - 4 V Vs = 25 mV Rponses 9.4 1. IDSS = 30 mA, Vp = -10 V. 2. RS = 370 , RD = 1,02 k. 3. RS = 390 , RD = 1 k. VGS = - 4.09 V. ID0 = 10,48 mA, VDS0 = 15,43 V.

4. gm = 3,5 mA / V. 5. 6. rs = RD // rds = 1 k. 7. ve = 0,9 V (crte). 8. Pour la variation de ve, on a : (ID = 13,15 mA, VDS = 13 V) et (ID = 6,85 mA, VDS = 17 V). Rponses 9.5 1. IDSS = 3,5 mA, Vp = -1,6 V. 2. Canal n. 3. Amplificateur. 4. gm = 2,9 mA / V. 5. rds = 45 k. 6. RS = 344 , RD = 2,15 k, Rg = 1 M.

Rponses 9.6 1. I D =
VDD VDS . RL

2. VDS0 = 12 V, ID0 = 1,6 mA, VGS0 = -0,8 V. 3. RL = 5 k. 4. x = 1,78. R1 = 213 k. 5. Le point de fonctionnement reste identique, mais limpdance dentre est beaucoup plus leve. Rponses 9.7 1. I D =
VDD VDS . La droite passe par les points (10 mA, 0 V) et (0 mA, 15 V). RD + RS

2. Point de fonctionnement VDS = 10 V. 3. VDS0 = 10 V, IDS0 = 3,25 mA, VGS0 = -1 V. 4. RD + RS = 1,54 k. 5. En crivant lquation de la maille dentre, on obtient une droite ID = f(VGS) de pente -1 / RS. A ID = 0, VGS = VDD .
1 .Lcart minimal entre les deux points est obtenu quand la 1+ x

droite la pente la plus faible possible tout en passant par le point de repos. => RS maximum et x minimum.

6. RD + RS = constante et RS maximal => RD = 0. RS = 1, 54 k. x = 2,75 => x = 3. 7. R2 = 4 M, R1 = 1,33 M. 8. gm = 3 mA / V. 9. gm.vgs G vgs S D

ve

Re

Rs

vs

gds

10. av =

1 + gm . (rds / / RS )

gm . (rds / / RS )

= 0,8. YS =

1 + gm . ( rds / / RS )

(r

ds

/ / RS )

= > ZS = 270 . Cest un montage

adaptateur dimpdance.

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